DE102011053274B4 - Licht emittierende Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

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Abstract

Licht emittierende Vorrichtung mit:
- einem Träger (218);
- einer auf dem Träger (218) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (208), wobei die Licht emittierende Struktur (208) eine dem Träger (218) zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht (204) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist;
- mehreren ersten Gräben (210), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204) hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten (212) definiert sind;
- mehrere zweite Gräben (220), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und sich durch die aktive Schicht (204) von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) erstrecken, wobei jede der mehreren zweiten Gräben (220) eine isolierende Schicht (222) auf deren Seitenwänden aufweist; und
- einer Klebeschicht (223), die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) und dem Träger (218) ausgebildet ist, wobei die Klebeschicht (223) ein am Träger (218) angeordnetes Unterteil (223a) und mehrere hervorstehende Bereiche (223b), die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben (210) entsprechen, umfasst.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Anmeldung betrifft Licht emittierende Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben.
  • Hintergrund des Standes der Technik
  • Die theoretischen Grundlagen und der Aufbau der Licht emittierenden Diode (LED) unterscheidet sich von dem der konventionellen Lichtquellen. Die LED bietet Vorteile wie ein geringer Leistungsverlust, eine lange Lebensdauer, keine Notwendigkeit von Aufwärmphasen und eine schnelle Reaktionszeit. Darüber hinaus ist sie klein, stoßunempfindlich, geeignet zur Massenproduktion und hochgradig kompatibel mit der Anforderung für Anwendungen, die ein winziges oder matrixartiges Element benötigen, so sind LEDs auf dem Markt breit angenommen. Zum Beispiel können LEDs in optischen Anzeigevorrichtungen, Laserdioden, Verkehrsampeln, Datenspeichervorrichtungen, Kommunikationsvorrichtungen, Beleuchtungsvorrichtungen, medizinischen Vorrichtungen und so weiter verwendet werden.
  • Wie in der 1 gezeigt, umfasst eine konventionelle Licht emittierende Matrix: ein isolierendes Saphirsubstrat 10; mehrere Licht emittierende Stapel 12, die auf dem isolierenden Saphirsubstrat 10 ausgebildet sind und eine p-Typ Halbleiterschicht 121, eine aktive Schicht 122 und eine n-Typ Halbleiterschicht 123. Da das Saphirsubstrat 10 isolierend ist, können die Licht emittierenden Stapel voneinander isoliert werden, indem Gräben zwischen ihnen durch einen Ätzprozess ausgebildet werden. Weiterhin wird nach dem räumlich begrenzten Ätzen der mehreren Licht emittierenden Stapel 12 bis zur n-Typ Halbleiterschicht 123 eine erste Elektrode 18 auf dem freigelegten Bereich der n-Typ Halbleiterschicht 123 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 16 wird auf der p-Typ Halbleiterschicht 121 ausgebildet. Dann werden Metalldrähte 19 bereitgestellt, um selektiv die erste Elektrode 18 und die zweite Elektrode 16 zu kontaktieren, um die mehreren Licht emittierenden Stapel 12 in paralleler oder serieller Anordnung zu kontaktieren.
  • WO 2009/ 106 069 A1 betrifft einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit einer im wesentlichen flachen Halbleiterschichtenfolge, die mit einer ersten und einer zweiten Hauptseite versehen ist und eine aktive Schicht aufweist, die elektromagnetische Strahlung erzeugen kann. Der Halbleiterkörper umfasst auch mindestens einen Graben, der die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge zum Teilen der aktiven Halbleiterschichtenfolge in mindestens zwei elektrisch isolierte aktive Teilschichten trennt.
  • US 2007 / 0 166 851 A1 betrifft Systeme und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleiterdioden- (LED-) Vorrichtung, wobei eine n-dotierte Galliumnitrid-Schicht auf der LED-Vorrichtung ausgebildet und die Oberfläche der n-GaN-Schicht aufgeraut ist, um Licht aus einem Innenraum der LED-Vorrichtung zu extrahieren.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Effizienz einer Licht emittierenden Vorrichtung zu verbessern.
  • Die Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Eine erfindungsgemäße Licht emittierende Vorrichtung umfasst: einen Träger; eine auf dem Träger ausgebildete Licht emittierende Struktur, wobei die Licht emittierende Struktur eine dem Träger zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; mehrere erste Gräben, die sich von der ersten Oberfläche aus erstrecken, und durch die aktive Schicht hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten definiert sind; und mehrere zweite Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche aus erstrecken und durch die aktive Schicht von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten reichen wobei jede der mehreren zweiten Gräben eine isolierende Schicht auf deren Seitenwänden aufweist, eine Klebeschicht, die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten und dem Träger ausgebildet ist, wobei die Klebeschicht ein am Träger angeordnetes Unterteil und mehrere hervorstehende Bereiche, die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben entsprechen, umfasst.
  • Eine erfindungsgemäße Licht emittierende Vorrichtung umfasst: einen Träger; eine auf dem Träger ausgebildete Licht emittierende Struktur, wobei die Licht emittierende Struktur eine dem Träger zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; mehrere erste Gräben, die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht hindurch reichen; und mehrere zweite Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur erstrecken, wobei jeder der mehreren zweiten Gräben begrenzt den Boden eines Grabens der ersten Gräben freilegt.Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur auf dem Substrat, wobei die Licht emittierende Struktur eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat aufweist; und Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben, die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur erstrecken und durch die aktive Schicht hindurch reichen; Abtragen des Substrats, um die zweite Oberfläche freizulegen; und Ausbilden von mehreren zweiten Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und sich durch die aktive Schicht von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten erstrecken; und Füllen einer isolierenden Schicht in die mehreren zweiten Gräben nach dem Ausbilden der mehreren zweiten Gräben, Anbringen eines Trägers auf der ersten Oberfläche der mehreren Licht emittierenden Einheiten vor dem Abtragen des Substrats; und Ausbilden einer Klebeschicht zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten und dem Träger, wobei die Klebeschicht ein am Träger angeordnetes Unterteil und mehrere hervorstehende Bereiche, die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben entsprechen, umfasst.
  • Ein anderes erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur auf dem Substrat, wobei die Licht emittierende Struktur eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat aufweist; und Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben, die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur erstrecken; Abtragen des Substrats, um die zweite Oberfläche freizulegen; Ausbilden von mehreren zweiten Gräben, die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken; Anbringen eines Trägers auf der ersten Oberfläche der mehreren Licht emittierenden Einheiten vor dem Abtragen des Substrats; und Ausbilden einer Klebeschicht zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten und dem Träger, wobei die Klebeschicht ein am Träger angeordnetes Unterteil und mehrere hervorstehende Bereiche, die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben entsprechen, umfasst, wobei die Licht emittierende Struktur eine auf dem Substrat ausgebildete erste Halbleiterschicht, eine auf der ersten Halbleiterschicht ausgebildete aktive Schicht und eine auf der aktiven Schicht ausgebildete zweite Halbleiterschicht aufweist, und jeder der ersten Gräben durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht und der aktiven Schicht ausgebildet wird, um die erste Halbleiterschicht freizulegen, und jeder der zweiten Gräben durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht ausgebildet wird, um räumlich begrenzt den Boden eines ersten Grabens der ersten Gräben freizulegen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Schnittzeichnung einer konventionellen Licht emittierenden Vorrichtung.
    • 2A bis 2H veranschaulichen eine erste Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Licht emittierenden Elements einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung.
    • 3 ist eine dreidimensionale Ansicht eines Licht emittierenden Elements der ersten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung.
    • 4A ist eine Schnittzeichnung eines Licht emittierenden Elements einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung.
    • 4B zeigt eine dreidimensionale Ansicht eines Licht emittierenden Elements gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die 2A bis 2H veranschaulichen ein Verfahren zum Ausbilden einer Licht emittierenden Diodenstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung. Unter Bezugnahme auf die 2A wird ein Substrat 201 bereitgestellt. Das Material des Substrats 201 kann ein transparentes Material oder ein elektrisch isolierendes Material, wie Saphir, Diamant, Glas, Polymer, Epoxid, Quarz, Acryl, ZnO oder A1N, sein. Das Substrat 201 kann auch ein stark reflektierendes Material, wie Cu, Al, Mo, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Ni-Sn, Ni-Co, eine Goldlegierung, oder hochthermisch dissipative Materialien, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Graphit, Kohlenstofffasern, Verbundwerkstoffe, Metallmatrixverbundwerkstoffe (MMC), Keramikmatrixverbundwerkstoffe (CMC), Polymermatrixverbundwerkstoffe (PMC), Si, IP, ZnSe, GaAs, SiC, GaP, GaAsP, ZnSe, InP, LiGaO2 oder LiAlO2, sein. Dann werden eine erste Halbleiterschicht 202, die eine epitaktische Schicht einer ersten Leitfähigkeit ist, eine aktive Schicht 204, und eine zweite Halbleiterschicht 206, die eine epitaktische Schicht einer zweiten Leitfähigkeit ist, auf dem Substrat 201 ausgebildet. Die erste Halbleiterschicht 202, die aktive Schicht 204 und die zweite Halbleiterschicht 206 bilden eine Licht emittierende Struktur 208 aus, die eine freiliegende erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche direkt auf dem Substrat 201 aufweist. Das Material der ersten Halbleiterschicht 202 und der zweiten Halbleiterschicht 206 umfasst einen indiumhaltigen Nitridhalbleiter, einen aluminiumhaltigen Nitridhalbleiter oder einen galliumhaltigen Nitridhalbleiter. Das Material der aktiven Schicht 204 umfasst GaN-basierende Materialien, wie Indiumgalliumnitrid, Indiumgalliumaluminiumphosphid, Aluminiumgalliumnitrid, Aluminiumgalliumarsenid oder Indiumgalliumarsenid.
  • Unter Bezugnahme auf die 2B wird ein Strukturierungsprozess räumlich begrenzt durchgeführt, um die zweite Halbleiterschicht 206 und die aktive Schicht 204 wegzuätzen, bis mindestens die Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 202 freiliegt oder Teile der ersten Halbleiterschicht 202 abgetragen sind, so wird der erste Graben 210 von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 206 bis zur ersten Halbleiterschicht 202 ausgebildet, um mehrere Licht emittierende Einheiten 212 zu definieren. Das Strukturieren wird durch ein Verfahren wie Fotolithografie, Ätzen und/oder ICP Schneiden durchgeführt.
  • Dann wird ein Bedecken der Oberflächen der zweiten Halbleiterschicht 206 und der Oberflächen des ersten Grabens 210 durch Abscheiden einer isolierenden Schicht 214, wie in 2C gezeigt, durchgeführt, wobei Teile der Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 202 und Teile der Oberfläche der zweiten Hableiterschicht 206 freigelegt werden. Die freigelegten Bereiche, wie die ersten Verbindungsbereiche, die der ersten Halbleiterschicht 202 entsprechen, und die zweiten Verbindungsteile, die der zweiten Halbleiterschicht 206 entsprechen, werden verwendet, um nachher die elektrischen Verbindungsteile zu sein. Außerdem wird die isolierende Schicht 214 aus einem dielektrischen Material, wie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Aluminiumoxid oder die Kombinationen daraus, hergestellt.
  • Unter Bezugnahme auf die 2D wird eine leitende Struktur 216 auf den freigelegten Verbindungsteilen ausgebildet, um die erste Halbleiterschicht 202 einer Licht emittierenden Einheit 212 und die zweite Halbleiterschicht 206 einer anderen Licht emittierenden Einheit 212 elektrisch zu verbinden, wobei die Halbleiterschichten in mehrere Licht emittierende Dioden in den folgenden Schritten unterteilt sind und die unterteilten Dioden über die vorbestimmten Verbindungsteile elektrisch verbunden sind. Eine Kontaktstelle 217 kann auf der zweiten Halbleiterschicht 206 ausgebildet werden, bevor die leitenden Strukturen 216 ausgebildet werden, und die leitenden Strukturen 216 kontaktieren, um die elektrische Leitfähigkeit zwischen den leitenden Strukturen 216 und der zweiten Halbleiterschicht 206 zu erhöhen.
  • Unter Bezugnahme auf 2E wird die Licht emittierende Struktur 208 mit einem Träger 218 mittels einer Klebeschicht 223 verbunden. Die Klebeschicht 223 kann den Träger 218 und die Licht emittierende Struktur 208 anhaftend verbinden. Die Klebeschicht 223 weist ein am Träger 218 befestigtes Unterteil 223a und mehrere hervorstehende Bereiche 223b, die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben 210 entsprechen, auf. In einer Ausführungsform kann die Klebeschicht 223 ein organisch isolierendes Material, wie Polyimid, BCB, PFCB, Su8, Epoxid, Acrylharz, COC, PMMA, PET, PC, Polyetherimid, Fluorkohlenstoff Polymer, sein; in einer anderen Ausführungsform kann die Klebeschicht ein anorganisch isolierendes Material, wie Silikon, Glas, MgO, Al2O3, SiOx, TiO2, SiNx, SOG, sein. Die Klebeschicht 223 kann auch ein leitendes Material, wie ITO, InO, SnO, CTO, ATO, AZO, ZTO, ZnO, AlGaAs, GaN, GaP, GaAs, GaAsP, IZO, Ta2O5, DLC, Cu, Al, In, Sn, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Ni, Pb, Pd, Ge, Ni, Cr, Cd, Co, Mn, Sb, Bi, Ga, Tl, Po, Ir, Re, Rh, Os, W, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zr, Mo, La, Ag-Ti, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Sn-Pb-Sb, Sn-Pb-Zn, Ni-Sn, Ni-Co, oder Goldlegierung und so weiter, sein. Das Material des Trägers 218 kann ein transparentes Material oder ein elektrisch isolierendes Material, wie Saphir, Diamant, Glas, Polymer, Epoxid, Quarz, Acryl, ZnO oder A1N, sein. Der Träger 218 kann auch ein stark reflektierendes Material, wie Cu, Al, Mo, Cu-Sn, Cu-Zn, Cu-Cd, Ni-Sn, Ni-Co, Goldlegierung, oder ein hochthermisch dissipatives Material, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Graphit, Kohlenstofffasern, Verbundwerkstoffe, Metallmatrixverbundwerkstoffe (MMC), Keramikmatrixverbundwerkstoffe (CMC), Polymermatrixverbundwerkstoffe (PMC), Si, IP, ZnSe, GaAs, SiC, GaP, GaAsP, InP, LiGaO2 oder LiAlO2, sein.
  • Dann wird das Wachstumssubstrat 201 der Licht emittierenden Struktur 208, wie in der 2F gezeigt, durch ein Verfahren wie Polieren, Laserlift-off und/oder Ätzen entfernt.
  • Wie in der 2G gezeigt, wird ein zweiter Strukturierungsschritt durchgeführt, um die Licht emittierende Struktur 208 in etliche Licht emittierende Einheiten 212 durch Ausbilden des zweiten Grabens 220 zu unterteilen. Die erste Halbleiterschicht 202 und die aktive Schicht 204 werden räumlich begrenzt abgetragen, um die Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 206 freizulegen oder räumlich begrenzt die zweite Halbleiterschicht 206 abzutragen. Gleichermaßen wird der Abtrennungsschritt durch ein Verfahren, wie Fotolithografie, Ätzen und/oder ICP Sägen, durchgeführt. Einer der zweiten Gräben 220 kann für die später ausgebildete Bonding-Fläche ausgebildet werden.
  • Abschließend werden, wie in der 2H gezeigt, ähnlich zu den vorherigen Schritten die inneren Seitenwände der zweiten Gräben 220 durch Abscheiden der isolierenden Schicht 222 bedeckt. Dann wird eine leitende Struktur 224 in einem der zweiten Gräben 221 ausgebildet, um eine Bonding-Fläche 226 zur weiteren Verbindung der zweiten Halbleiterschicht 206 von einer Licht emittierenden Einheit 212 in der Licht emittierenden Struktur 208 mit einer anderen Licht emittierenden Struktur auszubilden. Zusätzlich, falls kein Bedarf besteht eine andere Licht emittierende Struktur zu kontaktieren, können die zweiten Gräben 220 mit der isolierenden Schicht 222 aufgefüllt werden. Außerdem können die mit der zweiten Halbleiterschicht 206 elektrisch verbundene erste Bonding-Fläche 226 und die auf der ersten Halbleiterschicht 202 ausgebildete zweite Bonding-Fläche 227 im gleichen Schritt oder in verschiedenen Schritten ausgebildet werden, während die leitenden Strukturen 224 ausgebildet werden.
  • Unter Bezugnahme auf die 3 umfasst die Licht emittierende Vorrichtung 200 der ersten Ausführungsform mehrere Licht emittierende Einheiten 212, die durch die ersten Gräben 210, die zweiten Gräben 220 und mehrere dritten Gräben 230 unterteilt sind. In dem Prozess der Unterteilung der vorher genannten Licht emittierenden Strukturen separieren die ersten Gräben 210 und die zweiten Gräben 220 die Licht emittierende Struktur in einer ersten Richtung d1, und die dritten Gräben 230 unterteilen die Licht emittierende Struktur in einer zweiten Richtung d2 senkrecht zu der ersten Richtung. Entgegen den ersten Gräben 210 und den zweiten Gräben 220 separieren die dritten Gräben 230 die Licht emittierende Struktur vollständig, und die Licht emittierende Vorrichtung 200 weist viele Verbindungen auf, die jeweils durch die Licht emittierenden Einheiten 212 entlang der zweiten Dimension d2 verbunden sind. Allerdings können in anderen Ausführungsformen die dritten Gräben 230 durch eine Grabenstruktur ähnlich zu der der ersten Gräben und der zweiten Gräben ausgetauscht werden. Entsprechend der vorherigen Beschreibung sind die ersten Bonding-Flächen 226 und die zweiten Bonding-Flächen 227 mit verschiedenen Polaritäten der Halbleiterschichten verbunden, so dass die erste Bonding-Fläche 227 und eine der zweiten Bondingfläche 226 auf gängige Art mit einer Stromversorgung verbunden werden können.
  • Unter Bezugnahme auf die 4A umfasst eine Licht emittierende Vorrichtung 300: einen Träger 318; eine auf dem Träger 318 ausgebildete Licht emittierende Struktur 308, wobei die Licht emittierende Struktur 308 eine erste Halbleiterschicht 302, eine zweite Halbleiterschicht 306 und eine aktive Schicht 304 zwischen der ersten Halbleiterschicht 302 und der zweiten Halbleiterschicht 306 aufweist; mehrere erste Gräben 310, die durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht 306 und der aktiven Schicht 304 ausgebildet sind, um die erste Halbleiterschicht 302 freizulegen; mehrere zweite Gräben 320, die durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht 302 ausgebildet werden, um räumlich begrenzt den Boden der ersten Gräben 310 freizulegen; ein Loch 330, das von einer Seite der Licht emittierenden Struktur 308 ausgebildet ist und durch die erste Halbleiterschicht 302 und die aktive Schicht 304 reicht. Das Loch 330 umfasst eine isolierende Schicht 322 auf dessen Seitenwand, und eine leitende Struktur 324 kann in das Loch 330 gefüllt werden, und dabei den Boden des Lochs 330 kontaktieren, wobei die leitende Struktur 324 von der Seitenwand des Lochs 330 durch die isolierende Schicht 322 isoliert ist. Die Licht emittierende Vorrichtung 300 kann eine erste Bonding-Fläche, die die leitende Struktur 324 kontaktiert, und eine zweite Bonding-Fläche 327 auf der ersten Halbleiterschicht 302 von einer der Licht emittierenden Einheiten 312 aufweisen. Die erste Bonding-Fläche 326 und die zweite Bonding-Fläche 327 können gleichzeitig ausgebildet werden. Die erste Bonding-Fläche 326 kann auch eine Erweiterung der leitenden Struktur 324 sein und das gleiche Material aufweisen. In einer anderen Ausführungsform kann das Material der ersten Bonding-Fläche 326 unterschiedlich von dem der leitenden Struktur 324 sein.
  • Unter Bezugnahme auf die 4B wird die Licht emittierende Struktur 308 in mehrere Licht emittierende Einheiten 312 durch die ersten Gräben 310 und die zweiten Gräben 320 in Richtung 1, und durch die ersten Gräben 310' und die zweiten Gräben 320' in einer Richtung 2 geteilt. Die Licht emittierende Einheit 312 mit den ersten Bonding-Flächen 326 kann in einer Wechselstromschaltung zur Gleichrichtung, zum Beispiel in einer Wheatstone-Brückenschaltung, verwendet werden. Die Licht emittierende Einheit 312 mit den ersten Bonding-Flächen 326 kann zwei Gleichrichtungsschaltungen, die auf gängige Art mit der gängigen Schaltung der Wheatstone-Brückenschaltung verbunden ist, darstellen.

Claims (14)

  1. Licht emittierende Vorrichtung mit: - einem Träger (218); - einer auf dem Träger (218) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (208), wobei die Licht emittierende Struktur (208) eine dem Träger (218) zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht (204) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; - mehreren ersten Gräben (210), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (204) hindurch reichen, so dass mehrere Licht emittierende Einheiten (212) definiert sind; - mehrere zweite Gräben (220), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und sich durch die aktive Schicht (204) von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) erstrecken, wobei jede der mehreren zweiten Gräben (220) eine isolierende Schicht (222) auf deren Seitenwänden aufweist; und - einer Klebeschicht (223), die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) und dem Träger (218) ausgebildet ist, wobei die Klebeschicht (223) ein am Träger (218) angeordnetes Unterteil (223a) und mehrere hervorstehende Bereiche (223b), die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben (210) entsprechen, umfasst.
  2. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit einer dielektrischen Schicht (214), die zwischen der Klebeschicht (223) und den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) angeordnet ist.
  3. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, ferner mit einer leitenden Struktur (216), die zwischen der dielektrischen Schicht (214) und der Klebeschicht (223) angeordnet ist, um die mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) elektrisch zu verbinden.
  4. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei jede der Licht emittierenden Einheiten (212) eine erste Halbleiterschicht (202) und eine zweite Halbleiterschicht (206) umfasst, und die leitende Struktur (216) die erste Halbleiterschicht (202) einer der Licht emittierenden Einheiten (212) mit der zweiten Halbleiterschicht (206) einer anderen Licht emittierenden Einheit (212) verbindet.
  5. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 4, ferner mit einer Kontaktstelle (217), die auf der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Einheit (212) ausgebildet ist und die leitende Schicht (216) kontaktiert.
  6. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin mit mindestens einer leitenden Struktur (224), die einen der zweiten Gräben (220) ausfüllt und dessen Boden kontaktiert, wobei die leitende Struktur (224) von den Seitenflächen der Licht emittierenden Einheit (212) durch die isolierende Schicht (222) isoliert ist.
  7. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei jede der Licht emittierenden Einheiten (212) eine zweite Halbleiterschicht (206) zwischen dem Träger (218) und einer Seite der aktiven Schicht (204) und eine erste Halbleiterschicht (202) auf der anderen Seite der aktiven Schicht (204) aufweist.
  8. Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei sich die ersten Gräben (210) von der ersten Halbleiterschicht (202) bis zur zweiten Halbleiterschicht (206) erstrecken und die zweite Halbleiterschicht (206) freilegen, und die zweiten Gräben (220) durch die zweite Halbleiterschicht (206) reichen und die erste Halbleiterschicht (202) freilegen.
  9. Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung mit den Schritten: - Bereitstellen eines Substrats (201); - Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur (208) auf dem Substrat (201), wobei die Licht emittierende Struktur (208) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat (201) aufweist; und - Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben (210), die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur (208) erstrecken und durch die aktive Schicht (204) hindurch reichen; - Abtragen des Substrats (201), um die zweite Oberfläche freizulegen; - Ausbilden von mehreren zweiten Gräben (220), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken und sich durch die aktive Schicht (204) von jeder der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) erstrecken; und - Füllen einer isolierenden Schicht (222) in die mehreren zweiten Gräben (220) nach dem Ausbilden der mehreren zweiten Gräben (220), wobei das Verfahren weiter umfasst: - Anbringen eines Trägers (218) auf der ersten Oberfläche der mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) vor dem Abtragen des Substrats (201); und - Ausbilden einer Klebeschicht (223) zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) und dem Träger (218), wobei die Klebeschicht (223) ein am Träger (218) angeordnetes Unterteil (223a) und mehrere hervorstehende Bereiche (223b), die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben (210) entsprechen, umfasst.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 9, ferner mit dem Ausbilden einer dielektrischen Schicht (214) auf der Seitenwand von jedem der ersten Gräben (210) und entsprechendes Ausbilden von mehreren leitenden Strukuren (216) auf den dielektrischen Schichten (214), die zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (212) verbunden sind, vor dem Anbringen des Trägers (218).
  11. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 9, ferner mit dem Ausbilden einer in die zweiten Gräben (220) gefüllten leitenden Struktur (224), wobei die leitende Struktur (224) von der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit (212) durch die isolierende Schicht (222) isoliert ist und den Boden des zweiten Grabens (220) kontaktiert.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Licht emittierende Struktur (208) eine auf dem Substrat (201) ausgebildete erste Halbleiterschicht (202), eine auf der ersten Halbleiterschicht (202) ausgebildete aktive Schicht (204) und eine auf der aktiven Schicht (204) ausgebildete zweite Halbleiterschicht (206) aufweist, und jeder der ersten Gräben (210) durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht (206) und der aktiven Schicht (204) ausgebildet wird, um die erste Halbleiterschicht (202) freizulegen, und jeder der zweiten Gräben (220) durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht (202) und der aktiven Schicht (204) ausgebildet wird, um die zweite Halbleiterschicht (206) freizulegen.
  13. Licht emittierende Vorrichtung mit: - einem Träger (318); - einer auf dem Träger (318) ausgebildeten Licht emittierenden Struktur (308), wobei die Licht emittierende Struktur (308) eine dem Träger (318) zugewandte erste Oberfläche und eine der ersten Oberfläche entgegengesetzte zweite Oberfläche und eine aktive Schicht (304) zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Oberfläche aufweist; - mehreren ersten Gräben (310), die sich von der ersten Oberfläche erstrecken und durch die aktive Schicht (304) hindurch reichen; und - mehrere zweite Gräben (320), die sich von der zweiten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur (308) erstrecken, wobei jeder der mehreren zweiten Gräben (320) räumlich begrenzt den Boden eines Grabens (310) der ersten Gräben (310) freilegt.
  14. Verfahren zum Herstellen einer Licht emittierenden Vorrichtung mit den Schritten: - Bereitstellen eines Substrats (201); - Ausbilden einer Licht emittierenden Struktur (308) auf dem Substrat (201), wobei die Licht emittierende Struktur (308) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf dem Substrat (201) aufweist; und - Definieren von mehreren Licht emittierenden Einheiten (312) durch Ausbilden von mehreren ersten Gräben (310), die sich von der ersten Oberfläche der Licht emittierenden Struktur (208) erstrecken; - Abtragen des Substrats (201), um die zweite Oberfläche freizulegen; - Ausbilden von mehreren zweiten Gräben (320), die sich von der zweiten Oberfläche erstrecken; - Anbringen eines Trägers (318) auf der ersten Oberfläche der mehreren Licht emittierenden Einheiten (312) vor dem Abtragen des Substrats (201); und - Ausbilden einer Klebeschicht (223) zwischen den mehreren Licht emittierenden Einheiten (312) und dem Träger (318), wobei die Klebeschicht (223) ein am Träger (318) angeordnetes Unterteil (223a) und mehrere hervorstehende Bereiche (223b), die in einer Schnittansicht jedem der ersten Gräben (310) entsprechen, umfasst - wobei die Licht emittierende Struktur (308) eine auf dem Substrat (201) ausgebildete erste Halbleiterschicht (302), eine auf der ersten Halbleiterschicht (302) ausgebildete aktive Schicht (304) und eine auf der aktiven Schicht (304) ausgebildete zweite Halbleiterschicht (306) aufweist, und jeder der ersten Gräben (310) durch räumlich begrenztes Abtragen der zweiten Halbleiterschicht (306) und der aktiven Schicht (304) ausgebildet wird, um die erste Halbleiterschicht (302) freizulegen, und jeder der zweiten Gräben (320) durch räumlich begrenztes Abtragen der ersten Halbleiterschicht (302) ausgebildet wird, um räumlich begrenzt den Boden eines ersten Grabens (310) der ersten Gräben (310) freizulegen.
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