TWI537141B - 圖案的不可見性優異的透明導電光學片 - Google Patents

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Description

圖案的不可見性優異的透明導電光學片
本發明是有關於一種包含氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)的透明導電光學片，更具體地說，是有關於一種在觸控屏幕面板等上使用的包含蝕刻形成圖案等的ITO層的圖案的不可見性優異的透明導電光學片。
近來，觸控屏幕面板(touch screen panel，TSP)普遍應用於手機、平板儀器、監視器等的顯示器上。作為這種TSP的關鍵材料，主要使用包含作為透明導電材料的ITO的光學片。
包含ITO的光學片使用於觸控屏幕面板時，一般對ITO層進行部分蝕刻來形成感應圖案。然而，由於ITO具有從可視光波長區域(380~730nm)越向短波長方向移動折射率越高的固有的分散(dispersion)特性，特別是，ITO層反射的光在450nm以下的波長情況下反射更多的光，因此反射率高且反射色呈綠色。根據這種特性，在形成有圖案等的ITO層中，非蝕刻部和蝕刻部的反射率和反射色會存在很大差別，這會使ITO層的圖案被用戶的肉眼識別而導致在下部顯示器上所要顯示的圖像清晰度下降。
由此，正在開發旨在改善圖像清晰度的光學片(參照韓國 公開專利公報第2010-0008758號)，該薄片在透明基層與ITO層之間具備折射率匹配層(refractive index matching layer)，由此藉由薄膜干涉效果對ITO層的非蝕刻部和蝕刻部之間的光學特性進行修正來改善圖像清晰度。
然而，習知的透明導電光學片在光學/電學/機械特性方面還存在需要改進的地方。
因而，本發明的目的在於提供一種圖案的不可見性優異的透明導電光學片，該透明導電光學片藉由對ITO層的非蝕刻部與蝕刻部之間的反射光的差異進行修改來提高不可見性，由此使所要顯示的圖像清晰度不會下降。
為了實現上述目的，本發明提供一種透明導電光學片，該透明導電光學片具有依次層疊透明基層、第一折射率匹配層、第二折射率匹配層、第三折射率匹配層及氧化銦錫(ITO)層的結構，ITO層包括非蝕刻部和蝕刻部，第一折射率匹配層和第三折射率匹配層對550nm波長的折射率均等於或者小於透明基層及ITO層，第二折射率匹配層的厚度大於第一折射率匹配層和第三折射率匹配層的厚度，透明導電光學片測量對可視光區域的各波長的ITO層的非蝕刻部及蝕刻部的反射率時，以下數學式1的△R值為0~1.0，利用對D65光源的2°視野的反射光測量L*a*b*顏色坐標系的反射色時，由以下數學式2表示的△ER值 為0~6.0，
在數學式1中，i表示可視光區域的各波長，r1i表示各波長的ITO層的非蝕刻部的反射率，r2i表示各波長的ITO層的蝕刻部的反射率，n表示測量波長的總數，
在數學式2中，L*1、a*1及b*1分別為ITO層的非蝕刻部的反射色的L*、a*及b*，L*2、a*2及b*2分別為ITO層的蝕刻部的反射色的L*、a*及b*。
透明導電光學片藉由所具有的各折射率匹配層的薄膜干涉效果，對ITO層的非蝕刻部和蝕刻部的反射率和反射色的差進行修正，使用戶無法藉由視覺識別非蝕刻部和蝕刻部，從而能夠使下部顯示器上所要顯示的圖像清晰度不會下降。並且，由於透明導電光學片在進行熱處理時，ITO層的結晶率優異且尺寸變化率小，因此穩定性和可靠性高，且由於具有優異的表面硬度，因此操作性高。因而，透明導電光學片能夠廣泛利用於各種電子儀器的顯示器面板中應用的觸控屏面板領域。
100‧‧‧透明基層
200‧‧‧ITO層
210‧‧‧非蝕刻部
220‧‧‧蝕刻部
300‧‧‧顯示面板
400‧‧‧第一折射率匹配層
410‧‧‧第二折射率匹配層
420‧‧‧第三折射率匹配層
610‧‧‧非蝕刻部的反射光
620‧‧‧蝕刻部的反射光
第1圖係為表示本發明之透明導電光學片結構的一個典型例子之示意圖。
第2圖係為表示應用於顯示面板之透明導電光學片的一個例子及反射光之示意圖。
下面，根據本發明的具體實施例更加具體地說明。
請參閱第1圖，本發明的一個實施例之透明導電光學片具有在透明基層100上依次層疊第一折射率匹配層400、第二折射率匹配層410、第三折射率匹配層420及ITO層(即氧化銦錫層)200的結構。
其中，ITO層200包括非蝕刻部210和蝕刻部220。
根據本發明的另一實施例，在透明基層與第一折射率匹配層之間可以包括一層或者兩層以上的附加的折射率匹配層。
根據本發明的又一實施例，在ITO層與第三折射率匹配層之間可以包括一層或者兩層以上的附加的折射率匹配層。
下文中將具體說明各結構層。
透明基層：
透明基層是在本發明的透明導電光學片中位於最外圍的層，產生支撐體的作用。
對550nm波長的透明基層的折射率可以為1.50至1.70，更可以進一步限定為1.60至1.70，可以再限定為1.63至1.67。折射率 處於所述範圍時，折射率匹配層的薄膜干涉效果會更加優異。
其中，透明基層的厚度可以為2至250μm，更可以進一步限定為2至188μm，可以再限定為2至125μm。厚度處於所述範圍時，作為TSP薄板使用時，由於厚度薄且加工型良好，因此實用性會更高。
其中，作為透明基層的主要成分可以為聚酯樹脂、纖維素樹脂、丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環烯烴高分子(COP)樹脂及這些樹脂的組合，作為更具體的例子，可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、三醋酸纖維素(TAC)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)樹脂、環烯烴高分子(COP)樹脂及這些樹脂的組合。
折射率匹配層：
本發明之透明導電光學片包括具備不同折射率的三層折射率匹配層(refractive index matching layers)，從而誘發薄膜干涉現象(thin film interference)，對ITO層的非蝕刻部和蝕刻部的反射率和反射光的差進行修正，從而降低其可見性，能夠使下部顯示面板上所要顯示的圖像清晰度不會下降。
三層的折射率匹配層是在透明基層上依次層疊第一折射率匹配層、第二折射率匹配層和第三折射率匹配層。
三層折射率匹配層中的第一折射率匹配層及第三折射率匹配層對550nm波長的折射率均等於或者小於透明基層及ITO層。較佳地，第二折射率匹配層的折射率高於第一折射率匹配層及第三折射率匹配層的折射率。
更加具體地，基層、第一折射率匹配層、第二折射率匹配 層、第三折射率匹配層及ITO層的折射率之間關係如下。
首先，第一折射率匹配層及第三折射率匹配層對550nm波長的折射率可以相近或者相同，例如，其折射率差可以為0.15以下。
較佳地，第二折射率匹配層對550nm波長的折射率，分別與第一折射率匹配層和第三折射率匹配層的折射率相比，其折射率差為0.01至0.165。
其中，透明基層與第一折射率匹配層及第三折射率匹配層比較時，與對550nm波長的折射率可以相同或者比其大0.01至0.16。
(1)第一折射率匹配層
第一折射率匹配層層疊在透明基層上，產生誘發薄膜干涉現象同時提高透明基層和第二折射率匹配層的黏結力的作用。
較佳地，第一折射率匹配層對550nm波長的折射率低於透明基層的折射率。
例如，第一折射率匹配層的折射率可以為1.5至1.66，更可以進一步限定為1.52至1.66，可以再限定為1.63至1.66。折射率處於所述範圍時，薄膜干涉效果會更好。
其中，第一折射率匹配層的厚度可以為50nm至150nm，更可以進一步限定為60nm至120nm，可以再限定為70nm至90nm。厚度處於所述範圍時，薄膜干涉效果會更好，而且與第二折射率匹配層的黏結會更好。
其中，可用於第一折射率匹配層的主要成分的樹脂有胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂及這些樹脂的混合樹脂等。
為了調節折射率，在第一折射率匹配層上還可以進一步添加選自ZrO2、TiO2、ZnO2、Sb2O3、Sb2O5、ATO(antimony tin oxide)、AZO(antimony zinc oxide)、PTO(phosphorous tin oxide)及這些成分的組合的粒子。以第一折射率匹配層中使用的原料樹脂的固體含量100重量份計，所述添加的粒子含量可以為30至100重量份。
其中，在第一折射率匹配層上可以添加矽類流平劑，以第一折射率匹配層中使用的原料樹脂的固體含量100重量份計，矽類流平劑的含量可以為0.1至2.0重量份。
(2)第二折射率匹配層
第二折射率匹配層層疊在第一折射率匹配層上，且具有大於第一折射率匹配層和第三折射率匹配層的折射率，從而產生誘發薄膜干涉現象的作用。
較佳地，第二折射率匹配層對550nm波長的折射率大於第一折射率匹配層的折射率。
例如，第二折射率匹配層的折射率可以為1.60至1.68，更可以進一步限定為1.62至1.68，可以再限定為1.64至1.68。折射率處於所述範圍時，與第一折射率匹配層及第三折射率匹配層的薄膜干涉現象會更好。
其中，第二折射率匹配層的厚度可以為0.6至3.0μm。厚度處於所述範圍時，具有提高硬度的優點。
第二折射率匹配層的厚度大於第一折射率匹配層和第三折射率匹配層的厚度。例如，較佳地，第二折射率匹配層的厚度為第一折射率匹配層和第三折射率匹配層的厚度的約40倍至200倍。
其中，可用於第二折射率匹配層的主要成分的樹脂有聚氨酯丙烯酸酯樹脂、環氧丙烯酸酯樹脂、密胺樹脂及這些樹脂的混合樹脂等。
與此同時，為了調節折射率，在第二折射率匹配層上更可以進一步添加選自ZrO2、TiO2、ZnO2、Sb2O3、Sb2O5、ATO(antimony tin oxide)、AZO(antimony zinc oxide)、PTO(phosphorous tin oxide)及這些成分的組合的粒子。以第二折射率匹配層中使用的原料樹脂的固體含量100重量份計，添加的粒子含量可以為50至150重量份。
其中，在第二折射率匹配層上可以添加矽類流平劑，以第二折射率匹配層中使用的原料樹脂的固體含量100重量份計，矽類流平劑的含量可以為0.1至2.0重量份。
(3)第三折射率匹配層
第三折射率匹配層層疊在第二折射率匹配層上，產生誘發薄膜干涉現象的同時有助於ITO的結晶化的作用。製作透明導電光學片時，為了將ITO層結晶化，在最後步驟中可以進行熱處理製程，在這種熱處理製程中，由於殘留的單體、低聚物及微細有機物從透明基層、第一折射率匹配層及第二折射率匹配層轉移到ITO層，因此會降低ITO層的結晶化。然而，第三折射率匹配層可阻止這樣的轉移，因此有助於ITO層的結晶化。
較佳地，第三折射率匹配層對550nm波長的折射率低於第二折射率匹配層的折射率。
例如，折射率可以為1.3至1.6，更可以進一步限定為1.40至1.55，可以再限定為1.45至1.52。折射率處於所述範圍時，薄膜干涉效果會更好。
其中，第三折射率匹配層的厚度可以為5至20nm，更可以進一步限定為10至20nm。厚度處於所述範圍時，防止阻礙ITO結晶化的因子從包括第二折射率匹配層的下部層轉移的效果會更好。
其中，可用於第三折射率匹配層的主要成分的原料可以是二氧化矽、矽、氧化鋁、氟化鎂(MgF2)及這些成分的混合物。
(4)附加的折射率匹配層
在透明導電光學片上除了包括第一折射率匹配層至第三折射率匹配層外，更可以包括附加的折射率匹配層。附加的折射率匹配層可以為一層或者兩層以上，並且這些附加的折射率匹配層可以位於透明基層與第一折射率匹配層之間，或者可以位於ITO層與第三折射率匹配層之間。
附加的折射率匹配層對550nm波長的折射率可以低於透明基層和ITO層的折射率。
附加的折射率匹配層可以由與第一折射率匹配層至第三折射率匹配層的成分相同或者不同的成分構成。
作為一個例子，可以在透明基層與第一折射率匹配層之間包括附加的一層折射率匹配層，此時，附加的折射率匹配層對550nm波長的折射率可以低於透明基層和ITO層的折射率，且大於或者小於第一折射率匹配層的折射率。
ITO層：
在本發明的透明導電光學片中，ITO層是位於透明基層的相反面的最外圍的層，產生賦予導電性的作用。
ITO層包括非蝕刻部和蝕刻部。由此，ITO層可以是非連 續的平面形狀。其中，非蝕刻部或者蝕刻部可以構成圖案。
ITO層可以包含2至15重量%的氧化錫。氧化錫的含量處於所述範圍時，透明性會更好，在觸控屏面板的感應層上可以得到更合適的面電阻。
為了提高結晶率，ITO層可以是經過熱處理的ITO層，經過熱處理的ITO層對550nm波長的折射率可以為1.7至2.0，更可以進一步限定為1.8至1.95，可以再限定為1.825至1.90。折射率處於所述範圍時，第二折射率匹配層及第三折射率匹配層之間的薄膜干涉現象會更好。
其中，ITO層的厚度可以為10至40nm，厚度處於所述範圍時，透射率會更好。或者根據使用目的藉由調整厚度來改變面電阻。
參閱第2圖進行說明，透明導電光學片藉由層疊在透明基層100上的第一折射率匹配層400、第二折射率匹配層410及第三折射率匹配層420的薄膜干涉效果，對最外圍ITO層200的非蝕刻部210的反射光610及蝕刻部220的反射光620之間的反射色及反射率的差進行修正，從而能夠使在下部的顯示器面板300上要顯示的圖像清晰度不會下降。
(1)光學特徵
透明導電光學片由以下數學式1表示的△R值滿足0~1.0。
在所述式中，i表示可視光區域的各波長，r1i表示各波長的ITO層的非蝕刻部的反射率，r2i表示各波長的ITO層的蝕刻部的反射率，n表示測量波長的總數。
其中，透明導電光學片利用相對於D65光源的2°視野的反射光測量L*a*b*顏色坐標系的反射色時，由以下數學式2表示的△ER值滿足0~6.0。
在所述式中，L*1、a*1及b*1分別為ITO層的非蝕刻部的反射色的L*、a*及b*，L* 2、a*2及b*2分別為ITO層的蝕刻部的反射色的L*、a*及b*。
△R值及△ER值處於所述範圍時，修正ITO層的非蝕刻部和蝕刻部之間的光學特性，使可視光區域的反射率差達到最小，由此能夠提供難以視覺識別ITO層的非蝕刻部和蝕刻部的光學片。
較佳地，透明導電光學片根據以下數學式3的外觀匹配度為99~101。
在上述式中，n0、n1及n2分別表示透明基層、第一折射率匹配層及第二折射率匹配層對550nm波長的折射率。
外觀匹配度值處於所述範圍時，能夠更好地抑制外部光源的反射光中發生像浮游形狀的顏色不勻現象。
(2)電學特徵
透明導電光學片可以具有50至500Ω/□範圍的面電阻。
根據一個實施例，透明導電光學片可以是未經過熱處理的透明導電光學片，此時，透明導電光學片的面電阻R0可以為250至400Ω/□，將該透明導電光學片在120℃至160℃的溫度範圍內進行30分鐘至90分鐘的熱處理時的面電阻R1可以為130至160Ω/□。這可解釋為，藉由熱處理，銦、錫及氧會重新排列，從而改善電子移動率。其中，進行所述熱處理前/後的面電阻比例R1/R0可以為0.325至0.64Ω/□。所述R1/R0比例處於所述範圍時，熱處理過程中的ITO層的銦、錫及氧的排列最穩定，因此ITO層的穩定性會更好。
根據另一個例子，為了ITO層的結晶化，透明導電光學片可以是經過熱處理的透明導電光學片，例如，可以是在120℃至160℃的溫度範圍內進行30分鐘至90分鐘熱處理的透明導電光學片。此時，經過熱處理的透明導電光學片的面電阻R1可以為130至160Ω/□，將該透明導電光學片用5%硫酸溶液處理10分鐘時，面電阻R2可以為130 至192Ω/□。其中，用所述5%硫酸溶液處理前/後的面電阻比例R2/R1值可以為1.0~1.2，即用5%硫酸溶液處理10分鐘時的面電阻增加比例小於20%。所述R2/R1比例處於所述範圍時，經過熱處理的ITO層的結晶率及穩定性會更好。
(3)機械/熱特徵
透明導電光學片可以具有根據JIS K-5600使用H鉛筆來對ITO層外表面進行5次表面硬度測試時，表面均沒有受損的硬度。
其中，在透明導電光學片為未經過熱處理的透明導電光學片的情況下，將該透明導電光學片在120℃至160℃的溫度範圍內進行30分鐘至60分鐘的熱處理時，根據以下數學式4的熱處理前/後的尺寸變化率在縱向(MD)上表現為0.5%以下，在橫向(TD)上表現為0.3%以下。
數學式4尺寸變化率(%)=(熱處理前尺寸-熱處理後尺寸)/熱處理前尺寸×100
本發明的一個實施例的透明導電光學片的製作可以包括以下步驟：(a)準備透明基層；(b)形成第一折射率匹配層；(c)形成第二折射率匹配層；(d)形成第三折射率匹配層；(e)沉積ITO層；及(f)蝕刻ITO層。
各步驟可以藉由本發明所屬技術領域中的常用方法，例如藉由塗佈樹脂溶液的塗佈方法，藉由濺射的沉積方法等來實施。
在實施步驟(a)至(e)後，為了提高ITO層的結晶率，較佳進一步實施熱處理，或者更可以在實施步驟(a)至(f)後進一步 實施熱處理。熱處理是例如可以在120℃至160℃的溫度範圍內實施30分鐘至90分鐘。
步驟(f)的實施可以是在ITO層上藉由絲網、凹版或者噴墨方式將蝕刻液按所需圖案直接塗佈來對ITO層進行部分蝕刻，或者更可以是藉由絲網、凹版或者噴墨方式按所需圖案形成光致抗蝕膜後，用蝕刻液等對ITO層進行部分蝕刻。
實施例：具有折射率匹配層的透明導電光學片的製作(薄片1至12)
步驟1：準備透明基層；
使用550nm波長情況下折射率(n)為1.634~1.663，厚度為125μm的PET透明材料。
步驟2：形成第一折射率匹配層；
混合5.5重量份的熱固化型丙烯類樹脂(A811，愛敬化學公司)、0.3重量份的聚異氰酸酯類固化劑(DN980S，愛敬化學公司)、47.1重量份的用於稀釋的二甲苯(xylene)及47.1重量份的乙酸丁酯(butyl acetate)後，在該混合溶液中按照其混合溶液的每固體含量100重量份添加50~80重量份的二氧化鋯(ZrO2，JGC公司)的標準進一步添加了二氧化鋯。將獲取的混合溶液塗佈在透明基層上，並進行乾燥及熱固化來形成在550nm波長情況下，折射率為1.573~1.657，厚度為70~85nm的第一折射率匹配層。
步驟3：形成第二折射率匹配層；
混合15重量份的UV固化型低聚物(DPHA，味元社)、5重量份的季戊四醇三丙烯酸酯(PETA，味元社)、4重量份的稀釋用 單體(SR499，Satomer公司)、1重量份的UV固化用光引發劑(Irgacure-184，BASF公司)、37.5重量份的用於稀釋的甲基乙基甲酮(MEK)及37.5重量份的甲基異丁基甲酮(MIBK)後，在該混合溶液中按照其混合溶液的每固體含量100重量份中添加100~150重量份的氧化鋯(ZrO2，JGC公司)的標準進一步混合了二氧化鋯。將獲取的混合溶液塗佈在第一折射率匹配層上，並進行乾燥及UV固化來形成550nm波長情況下折射率為1.60~1.675，範圍為0.6~3.0μm的第二折射率匹配層。
步驟4：形成第三折射率匹配層；
在第二折射率匹配層上真空濺射二氧化矽(SiO2)來進行沉積，由此形成550nm波長情況下折射率(n)為1.45~1.52，厚度為10~20nm的第三折射率匹配層。
步驟5：沉積ITO層；
在第三折射率匹配層上藉由真空濺射來沉積含有7重量%的氧化錫的ITO。
步驟6：對ITO層進行熱處理；
將沉積ITO層的薄片在120℃~160℃的溫度範圍內進行30~90分鐘的熱處理。
結果形成了對550nm波長的折射率為1.825~1.90，厚度為25nm的ITO層。
步驟7：蝕刻ITO層。
在ITO層上藉由絲網、凹版或者噴墨方式形成線型或者鑽石型格子花紋的光致抗蝕膜，在25℃及5重量%的鹽酸溶液中浸泡1分 鐘後，用超純水(DI)清洗，對ITO層進行部分蝕刻。
下面的表1中整理了具有各種折射率及厚度組合的折射率匹配層的透明導電光學片(薄片1至12)的組成。
實驗例1：評價△R值
對於透明導電光學片，使用測量儀器(U4100，Mitsubishi公司)測量可視光區域(380~780nm)的各波長的反射率。此時，為了消除由內部反射造成的干擾，將透明基層的外表面印刷成黑色後進行測量。利用測量值並根據前述的數學式1得出了△R值。
實驗例2：評價△ER值
對於透明導電光學片，使用測量儀器(U4100，Mitsubishi公司)測量表現為相對於D65光源的2°視野的色坐標的反射色。此時，為了消除由內部反射造成的干擾，將PET材料的外表面印刷成黑色後進行測量。利用測量值並根據前述的數學式2得出了△ER值。
實驗例3：評價外觀匹配度
對於透明導電光學片，根據前述的數學式3得出了外觀匹配度。
實驗例4：評價面電阻
對於透明導電光學片，首先，在熱處理之前的狀態下測量面電阻，並將此時的測量值作為R0。接著，在150℃的溫度下進行60分鐘的熱處理，將ITO層結晶化之後測量面電阻，並將此時的測量值作為R1。最後，用5%硫酸溶液處理10分鐘後測量面電阻，並將此時的測量值作為R2。在這些測量值的基礎上，計算R1/R0的比例及R2/R1比例。
實驗例5：評價表面硬度
透明導電光學片ITO層的表面硬度按照以下，即根據JIS-K5600的程序(Mitsubishi pencil H公司用)測量5次時未發生劃痕的次數的比例來進行評價。
實驗例6：評價熱處理前/後的尺寸變化率
對於透明導電光學片的縱向(MD)及橫向(TD)，測量用於ITO層結晶化的熱處理前/後的尺寸，並根據前述的數學式4得出了尺寸變化率。
在下面的表1及表2中整理了上述實驗例的評價結果。
從上述表1可知，在所製作的薄片中，薄片5、6、11及12的情況表示處於本發明所要求的範圍內，即△R值為1.0以下，以及△ER值為6.0以下。特別是，薄片5及11情況下，還表示其外觀匹配度的值為99%至101%。
其中，從上述表2可知，薄片1至12均表示具有良好的面電阻特性，這說明ITO層藉由熱處理後具有良好的結晶化特性。
100‧‧‧透明基層
200‧‧‧ITO層
210‧‧‧非蝕刻部
220‧‧‧蝕刻部
400‧‧‧第一折射率匹配層
410‧‧‧第二折射率匹配層
420‧‧‧第三折射率匹配層

Claims (7)

  1. 一種透明導電光學片，該透明導電光學片具有依次層疊透明基層、第一折射率匹配層、第二折射率匹配層、第三折射率匹配層及ITO層的結構；該ITO層包括非蝕刻部和蝕刻部，該第一折射率匹配層和該第三折射率匹配層對550nm波長的折射率均等於或者小於該透明基層和該ITO層，該第二折射率匹配層的厚度大於該第一折射率匹配層和該第三折射率匹配層的厚度；該透明導電光學片，測量對可視光區域的各波長的ITO層的該非蝕刻部及該蝕刻部的反射率時，以下數學式1的△R值為0~1.0，利用對D65光源的2°視野的反射光測量L*a*b*顏色坐標系的反射色時，由以下數學式2表示的△ER值為0~6.0， 在上述數學式1中，i表示可視光區域的各波長，r1i表示各波長的ITO層的非蝕刻部的反射率，r2i表示各波長的ITO層的蝕刻部的反射率，n表示測量波長的總數， 在上述數學式2中，L*1、a*1及b*1分別為ITO層的非蝕刻部的反射色的L*、a*及b*；L*2、a*2及b*2分別為ITO層的蝕刻部的反射色的L*、a*及b*。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電光學片，其中該透明導電光學片是以下數學式3中的外觀匹配度值為99至101， 在該數學式3中，n0、n1及n2分別表示透明基層、第一折射率匹配層及第二折射率匹配層對550nm波長的折射率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電光學片，其中該ITO層包含2至15重量%的氧化錫。
  4. 如申請專利範圍第1或3項所述之透明導電光學片，其中該透明導電光學片在120℃至160℃的溫度範圍內進行30分鐘至90分鐘的熱處理，該透明導電光學片具有130Ω/□至160Ω/□的面電阻。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之透明導電光學片，其中該透明導電光學片用5%硫酸溶液處理10分鐘時，面電阻的增加比例小於20%。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電光學片，其中該透明導電光學片具有根據JIS K-5600使用H鉛筆來對該ITO 層的外表面進行5次表面硬度測試時，表面均沒有受損的硬度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電光學片，其中該透明導電光學片是沒有經過熱處理的透明導電光學片，將該透明導電光學片在120℃至160℃的溫度範圍內進行30分鐘至90分鐘的熱處理時，由以下數學式4表示的尺寸變化率相對於縱向(MD)為0.5%以下，相對於橫向(TD)為0.3%以下；數學式4尺寸變化率(%)=(熱處理前尺寸-熱處理後尺寸)/熱處理前尺寸×100。
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