TWI535566B

TWI535566B - 薄膜彼此的熱熔接接合方法及裝置與光學薄膜的製造方法

Info

Publication number: TWI535566B
Application number: TW101100645A
Authority: TW
Inventors: 伊藤秀知; 武田亮; 坂本真澄
Original assignee: 富士軟片股份有限公司
Priority date: 2011-01-07
Filing date: 2012-01-06
Publication date: 2016-06-01
Also published as: TW201242771A; CN105500689A; JP5203497B2; JP2012153134A; CN105500689B

Description

薄膜彼此的熱熔接接合方法及裝置與光學薄膜的製造方法

本發明有關於一種薄膜彼此的熱熔接接合方法以及接合裝置與光學薄膜的製造方法。

隨著液晶顯示裝置(以下稱作LCD(Liquid Crystal Display))的普及，偏光薄膜的需求劇增。偏光薄膜一般是在具有偏光能的偏光層的兩面或單面經由黏結劑層而貼附著保護薄膜。作為偏光層的原材料，一般使用聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)系薄膜。偏光薄膜是通過將呈卷(roll)狀地捲繞有該PVA系薄膜的坯卷的薄膜前端部送往延伸裝置，進行規定的處理且對其進行延伸而製造(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。

此時，要效率良好地進行延伸處理，優選並非對每多個坯卷以批次(batch)式進行延伸處理，而是連續地進行延伸處理。為了對多個坯捲進行連續延伸處理，必須將延伸處理中的坯卷(以下稱作“舊卷”)的薄膜後端部與接下來要延伸的坯卷(以下稱作“新卷”)的薄膜前端部予以接合。

作為將薄膜彼此的後端部與前端部予以接合的裝置，例如有專利文獻3中揭示的薄板條(web)的對接接合裝置以及接合方法。該接合方法是將薄膜彼此的後端部和前端部保持於吸附鼓(drum)且進行切割，並利用接合膠帶(tape)來予以接合。

但是，對於利用接合膠帶來進行接合的方法而言，僅接合部的厚度或剛性不同於其他薄膜部分，因此有在延伸處理時接合部發生剝離或斷裂的問題。

由於此問題，因而例如專利文獻4所揭示的，進行有以下處理，即，將薄膜彼此的後端部與前端部予以重合並進行熱熔接(熱封(heat seal))。

先前技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2008-122988號公報

專利文獻2：日本專利特開2008-250326號公報

專利文獻3：日本專利特開2007-055704號公報

專利文獻4：日本專利特開2004-160665號公報

但是，以往的熱熔接接合方法存在以下問題，即：薄膜彼此重合並熱熔接的接合部易造成褶皺，從而易在褶皺的內部產生空氣滯留。尤其，適合於製造偏光元件的薄膜即PVA系薄膜的材質柔軟且為薄膜狀，並且由於近來的薄膜寬度的加寬化(例如3 m以上)，在熱熔接時易產生褶皺。而且，所製造的PVA系薄膜是捲繞成中高的卷狀而加以保管，因此在展開薄膜時，薄膜易造成褶皺。所謂中高卷，是指以中央部的卷徑比端部的卷徑粗的方式來捲繞，薄膜寬度方向的中央部與端部的薄膜伸展不同。

並且，如果在接合部產生褶皺而在褶皺內部產生空氣滯留，則將難以獲得充分的接合强度。其結果，實際情况是，在延伸處理時接合部發生剝離或斷裂的問題依然未得到解決。

而且，在將薄膜彼此的後端部與前端部予以重合並熱熔接之後，如果在後端部或前端部未熔接的尾端部分(後端部或前端部的端部)大，則會在尾端(tail)部分的邊界處引起張力集中，從而薄膜易斷裂。

本發明是有鑒於此類情况而完成，其目的在於提供一種薄膜彼此的熱熔接接合方法以及接合裝置與光學薄膜的製造方法，可避免在對薄膜彼此的後端部與前端部進行熱熔接之後產生褶皺或尾端部分變長，因此例如在延伸處理時接合部也不會發生剝離或斷裂。

為了達成所述目的，本發明的第1方案所涉及的薄膜彼此的熱熔接接合方法是將帶狀的第1薄膜的後端部與帶狀的第2薄膜的前端部予以重合並熱熔接接合，其特徵在於至少包括：面壓施加步驟，將所述第1薄膜與所述第2薄膜的接合區域部分予以重合，並利用在該接合區域部分的兩側相對向配置的吸引箱(box)彼此的平坦的吸附面加以包夾，從而對所述重合部分的兩面施加面壓；離開移動步驟，在施加所述面壓之後，使所述第1薄膜及第2薄膜由所述各吸引箱的吸附面吸引保持，並使該吸引箱彼此向所述重合部分離開的方向移動；切割步驟，在使所述第1薄膜及第2薄膜離開的狀態下切割各薄膜，以在第1薄膜及第2薄膜的所述接合區域部分形成所述後端部與所述前端部；以及熱熔接步驟，使所述吸引箱彼此接近移動，對由所述形成的第1帶狀薄膜的後端部和第2帶狀薄膜的前端部重合而成的接合部進行熱熔接，從而將薄膜彼此接合。

根據上述第1方案，在將第1薄膜及第2薄膜彼此熱熔接接合之前，對第1薄膜與第2薄膜的接合區域部分的兩側施加面壓。即，利用相對向配置且具有平坦的吸附面的吸引箱來包夾接合區域部分，以對接合區域部分施加面壓，因此能句多使接合區域部分的褶皺伸展而消除該褶皺。因此，由於在對薄膜彼此的後端部與前端部進行熱熔接之後不會產生褶皺，因此例如即使在延伸處理時接合部也不會發生剝離或斷裂。而且，可將用於在熱熔接時保持第1薄膜及第2薄膜的後端部或前端部的吸引箱用於消除褶皺，因此不需要用於消除褶皺的特別的裝置。由此，能句多實現裝置的縮小化(compact)。

為了達成所述目的，本發明的第2方案所涉及的薄膜彼此的熱熔接接合方法是將帶狀的第1薄膜的後端部與帶狀的第2薄膜的前端部予以重合並熱熔接接合，其特徵在於至少包括：吸引保持步驟，將所述第1薄膜與所述第2薄膜的接合區域部分予以重合，並利用在該接合區域部分的兩側相對向配置的吸引箱彼此的吸附面來吸引保持所述第1薄膜及第2薄膜；離開移動步驟，使所述吸引箱彼此向使所述重合部分離開的方向移動；切割步驟，在使所述第1薄膜及第2薄膜離開的狀態下切割各薄膜，以在所述接合區域部分形成所述後端部與所述前端部；重合寬度調整步驟，使所述吸引箱彼此沿薄膜長度方向移動，以對使所述第1帶狀薄膜的後端部與第2帶狀薄膜的前端部重合的重合寬度進行調整；以及熱熔接步驟，在調整所述重合寬度之後，使所述吸引箱彼此接近移動，對由所述形成的第1帶狀薄膜的後端部和第2帶狀薄膜的前端部重合而成的接合部進行熱熔接，從而將薄膜彼此接合。

上述第2方案在接合區域部分對由第1薄膜的後端部與第2薄膜的前端部重合而成的接合部的重合寬度進行調整，因此可減小在後端部或前端部未熔接的尾端部分(後端部或前端部的端部)。由此，在薄膜搬送時尾端部分不會亂動或挂到搬送輥(roller)上，因此接合部不會發生剝離或斷裂。進而，使吸引箱自身沿薄膜搬送方向滑動(slide)以進行接合部的重合寬度調整，因此在重合寬度調整時薄膜不會產生褶皺。此外，對於在解除了吸引箱的吸引力的狀態下搬送薄膜自身來滑動的方法而言，薄膜寬度方向上搬送張力易產生不均，因此薄膜易造成褶皺。尤其，在像近來這樣薄膜寬度超過3 m的加寬薄膜的情况下，易造成褶皺。

在本發明中，優選進行上述第1方案的主要特徵即面壓施加步驟與上述第2方案的主要特徵即重合寬度調整步驟這兩者。由此，不會發生在面壓施加步驟中消除了褶皺的薄膜在調整接合部的重合寬度時再次產生褶皺的問題。

在本發明的一方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選更包括：第1薄膜搬送步驟，將所述第1薄膜從捲繞支撑使用中的舊卷的第1卷軸(reel)通過所述一對吸引箱之間而搬送至對該第1薄膜實施所需處理的薄膜延伸處理部；第2薄膜抽出步驟，將所述第2薄膜從捲繞支撑接下來要使用的新卷的第2卷軸抽出至所述吸引箱彼此之間；以及儲放(reservoir)步驟，將與對所述第1薄膜及第2薄膜進行熱熔接接合的所需時間相當的長度的第1薄膜儲放至設在所述吸引箱與所述薄膜延伸處理部之間的儲槽內，可一邊停止所述第1薄膜的搬送以進行熱熔接，一邊將該第1薄膜供給至所述薄膜延伸處理部。

本發明的一方案所涉及的熱熔接接合方法可在將裝入有用於接合的熱熔接接合裝置的製造線予以停止的狀態下使用。但是，通過具備上述結構，無須停止製造線便可將第1薄膜及第2薄膜彼此接合。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，所述吸引箱的吸附面的摩擦係數為4以下，優選為2以下，尤其優選為1以下。作為所述吸引箱的吸附面，例如可較佳地使用聚四氟乙烯。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選在所述接合區域部分的兩側，分別固定配置輔助吸引箱，所述輔助吸引箱的吸附面與所述吸引箱的吸附面在相同平面，且所述輔助吸引箱的吸附面的摩擦係數比所述吸引箱的吸附面的摩擦係數小，在從所述切割步驟至所述熱熔接步驟之間的步驟中，以不會妨礙所述熱熔接的方式來吸引保持所述切割的第1薄膜及第2薄膜的切割端附近。

由此，可防止切割的第1薄膜以及第2薄膜的切割端附近因自重而下垂。而且，輔助吸引箱的吸附面的摩擦係數比吸引箱的吸附面小而光滑性良好，因此在重合寬度調整步驟中使第1薄膜及第2薄膜滑動時即使在吸附面上摩擦也不會造成褶皺或劃痕。因此，能够提高熱熔接接合的精度。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選所述重合寬度調整步驟是在使所述相對向配置的吸引箱彼此的距離比所述切割步驟更接近的狀態下進行。由此，能句多更確實地防止切割的第1薄膜以及第2薄膜的切割端附近因自重而下垂。

在上述方案中，優選所述第1薄膜及第2薄膜是光學薄膜製造用的PVA系薄膜。上述方案當然可進行PVA系薄膜以外的薄膜的熱熔接接合。但是，優選的原因在於，在如PVA系薄膜般材質柔軟且如光學薄膜製造用般薄膜厚度極薄的情况下，易造成褶皺，起因於褶皺的空氣滯留會減弱接合强度。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選在所述面壓施加步驟中，以0.2 MPa～0.8 MPa來對所述接合區域部分進行加壓。更優選為0.4 MPa～0.8 MPa的範圍。如果小於0.2 MPa，則幾乎看不到使褶皺伸展的效果，並且，如果超過0.8 MPa，則有可能會使薄膜面產生加壓不均。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選在所述熱熔接步驟中，以所述接合部的第1薄膜及第2薄膜各自的端部中的未進行所述熱熔接的未熔接區域為1.5 mm以下的方式來進行熱熔接。

如果接合部的第1薄膜及第2薄膜中的未進行熱熔接的未熔接區域(尾端部分)超過1.5 mm而較大，則在薄膜搬送時存在尾端部分亂動或挂到搬送輥上的危險，薄膜易發生剝離或斷裂。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選在熱熔接步驟中，使相對於與所述薄膜長度方向正交的方向的傾斜角度以20°以上60°以下的範圍傾斜而進行熱熔接。由此，例如能够提高延伸處理時等的接合部的耐斷裂性。

在上述方案所涉及的熱熔接接合方法中，優選在熱熔接步驟中包括：切取步驟，在所述熱熔接步驟的前段或後段，將所述熱熔接之前的接合部或熱熔接之後的接合部的薄膜寬度方向兩端部切取成圓弧狀。由此，例如能够提高延伸處理時等的接合部的耐斷裂性。

為了達成所述目的，本發明的一方案所涉及的薄膜彼此的熱熔接接合裝置是將帶狀的第1薄膜的後端部與帶狀的第2薄膜的前端部予以重合並熱熔接接合，其特徵在於至少包括：吸引箱，在將所述第1薄膜與所述第2薄膜重合而成的接合區域部分的兩側分別相對向配置，且具有平坦的吸附面；第1移動部件，使所述相對向配置的吸引箱彼此相互接近移動及離開移動，並且配合該吸引箱彼此的移動而使所述接合區域部分接近移動及離開移動；第2移動部件，使所述相對向配置的吸引箱分別沿薄膜長度方向移動；吸引力產生部件，對所述相對向配置的吸引箱的吸附面施加吸引力；切割刀，分別切割所述第1薄膜及第2薄膜，以在所述接合區域部分形成所述後端部與所述前端部；熱熔接部件，對由所述第1薄膜的後端部與所述第2薄膜的前端部重合而成的接合部進行熱熔接；以及控制部件，進行所述第1移動部件及第2移動部件、所述吸引力產生部件、所述切割刀及所述熱熔接部件的開/關控制。

上述熱熔接接合裝置是將本發明構成為裝置，能句多避免在對薄膜彼此的後端部與前端部進行熱熔接之後產生褶皺或尾端部分變長。因此，例如即使在延伸處理時接合部也不會發生剝離或斷裂。

在上述方案所涉及的熱熔接接合裝置中，所述吸引箱的吸附面的摩擦係數為4以下，優選為2以下，尤其優選為1以下。作為所述吸引箱的吸附面，例如可較佳地使用聚四氟乙烯。

在上述方案所涉及的熱熔接接合裝置中，優選在所述接合區域部分的兩側，分別固定配置輔助吸引箱，所述輔助吸引箱的吸附面與所述吸引箱的吸附面在相同平面，且所述輔助吸引箱的吸附面的摩擦係數比所述吸引箱的吸附面的摩擦係數小，並且以不會妨礙所述熱熔接的方式來吸引保持經所述切割刀切割的第1薄膜及第2薄膜的切割端附近。

由此，可防止切割的第1薄膜以及第2薄膜的切割端附近因自重而下垂。而且，輔助吸引箱的吸附面的摩擦係數比吸引箱的吸附面小而光滑性良好，因此在重合寬度調整步驟中使第1薄膜及第2薄膜滑動時即使在吸附面上摩擦也不會造成褶皺或劃痕。因此，能句多提高熱熔接接合的精度。

在上述方案所涉及的熱熔接接合裝置中，優選所述第1移動部件具有對所述接近移動的距離以及所述離開移動的距離進行調整的調整機構。

由此，能够更確實地防止切割的第1薄膜以及第2薄膜的切割端附近因自重而下垂。

在上述方案所涉及的熱熔接接合裝置中，優選包括：第1卷軸，呈卷狀地捲繞支撑所述第1薄膜；第2卷軸，呈卷狀地捲繞支撑所述第2薄膜；第1薄膜搬送部件，將所述第1薄膜從所述第1卷軸通過所述相對向配置的吸引箱彼此之間而搬送至對該第1薄膜實施所需處理的薄膜延伸處理部；第2薄膜抽出部件，將所述第2薄膜從所述第2卷軸抽出至所述相對向配置的吸引箱彼此之間；以及儲槽裝置，設在所述吸引箱與所述薄膜延伸處理部之間，儲放與對所述第1薄膜及第2薄膜進行熱熔接接合的所需時間相當的長度的第1薄膜，可一邊停止所述第1薄膜的搬送以進行熱熔接，一邊將該第1薄膜供給至所述薄膜延伸處理部。

由此，無須停止製造線便可將第1薄膜及第2薄膜彼此接合。

為了達成所述目的，本發明的一方案所涉及的光學薄膜的製造方法，在對薄膜實施各種處理而製造光學薄膜的製造線上，至少具備對所述薄膜進行延伸處理的延伸處理步驟，其特徵在於包括：在所述製造線的上游位置，進行上述方案所涉及的薄膜彼此的熱熔接接合方法的步驟。

根據上述方案所涉及的光學薄膜的製造方法，由於進行上述熱熔接接合方法，因此在對薄膜進行延伸處理的延伸處理步驟中，薄膜的接合部不會發生剝離或斷裂。由此，能够飛躍性地提高光學薄膜的生產效率。

在上述方案所涉及的光學薄膜的製造方法中，優選所述薄膜為PVA系薄膜。其原因在於，PVA系薄膜的材質柔軟，在光學用的情况下薄膜厚度極薄，因此易造成褶皺，上述方案所涉及的熱熔接方法尤其有效。

(發明的效果)

根據本發明的薄膜彼此的熱熔接接合方法以及接合裝置，能够避免在對薄膜彼此的後端部與前端部進行熱熔接之後產生褶皺或尾端部分變長。因此，如果將該熱熔接接合方法適用於光學薄膜的製造方法，則例如即使在延伸處理時接合部也不會發生剝離或斷裂。

以下，根據附圖，對本發明的薄膜彼此的熱熔接接合方法以及接合裝置與光學薄膜的製造方法的優選實施方式進行詳細說明。

[第1實施方式]

圖1是在用於製造光學薄膜的製造線上裝入有本發明實施方式的熱熔接接合裝置的概略結構圖。另外，在本實施方式中，作為光學薄膜，是以偏光薄膜的例子進行說明，但並不限定於此。

作為用於偏光薄膜的帶狀薄膜，可較佳地使用PVA(聚乙烯醇)系薄膜。作為PVA系薄膜，可列舉聚乙烯醇薄膜、部分皂化聚乙烯醇薄膜或聚乙烯醇的脫水處理薄膜等。

PVA系薄膜的聚合度一般為500～10000，優選為1000～6000的範圍，更優選為介於1400～4000的範圍。進而，在部分皂化聚乙烯醇薄膜的情况下，例如就向水的溶解性的觀點考慮，其皂化度優選為75莫耳%以上，更優選為98莫耳%以上，最優選為介於98.3莫耳%～99.8莫耳%的範圍。

作為PVA系薄膜的製法，可適當使用以對溶解於水或有機溶劑的原液進行流延成膜的流延法、澆鑄(cast)法、擠出法等任意方法而成膜者。薄膜的相位差值優選使用5 nm～100 nm者。而且，為了獲得面內均勻的偏光薄膜，PVA系薄膜面內的相位差不均為盡可能小。PVA系薄膜的面內相位差不均在測定波長為1000 nm時優選為10 nm以下，更優選為5 nm以下。

如圖1所示，光學薄膜的製造線1具備薄膜供給部2、薄膜延伸處理部3、薄膜乾燥部14、貼合部16、乾燥部17及薄膜捲繞部18。在薄膜供給部2中裝入有熱熔接接合裝置26。

薄膜供給部2具備保持多個薄膜卷的轉塔(turret)裝置24、對使用中的第1薄膜36a和接下來要使用的第2薄膜40a進行熱熔接接合的熱熔接接合裝置26以及儲槽裝置28。

在轉塔裝置24的支柱32上，以軸34為支點且通過未圖示的旋轉驅動源可旋轉地設有轉塔臂(turret)30。在轉塔臂30的一端，呈卷狀地捲繞有使用中的第1薄膜36a的第1薄膜卷36b由第1卷軸38旋轉自如地支撑。並且，使用中的第1薄膜卷36b被設置(set)於薄膜供給位置。

而且，在轉塔臂30的另一端，呈卷狀地捲繞有接下來要使用的第2薄膜40a的第2薄膜卷40b由第2卷軸42旋轉自如地支撑。並且，該第2薄膜40a在使用中的第1薄膜36a的剩餘量變少而與第2薄膜40a接合之後，從第2薄膜卷40b抽出至熱熔接接合裝置26。即，當在第1薄膜卷36b中第1薄膜36a的剩餘量變少時，轉塔臂30旋轉，由此，第2薄膜卷40b移動至薄膜供給位置。然後，從第2薄膜卷40b抽出第2薄膜40a的前端部，並在熱熔接接合裝置26中與第2薄膜40a的後端部接合。當接合結束時，在轉塔臂30的第1卷軸38上進一步安裝新的薄膜卷。通過反復執行上述操作，從薄膜供給部2連續地供給薄膜。

另外，在圖1中，對於從第2薄膜卷40b抽出第2薄膜40a的前端部的自動抽出部件並未揭示，例如可採用在轉塔裝置24的薄膜供給位置與熱熔接接合裝置26之間夾著(clamp)薄膜前端部而往復移動的往復移動部件。而且，也可由作業者手動進行。

而且，本發明的實施方式的熱熔接接合裝置26以及使用該熱熔接接合裝置26的熱熔接接合方法將在說明光學薄膜的製造線1之後進行詳細說明。

薄膜延伸處理部3例如具備膨潤槽4、染色槽6、硬膜槽8、延伸槽10及清洗槽12。在膨潤槽4、染色槽6、硬膜槽8中對薄膜實施所需處理之後，在延伸槽10中進行延伸處理。此處，是以對第1薄膜36a實施處理的例子進行說明。

被搬送至薄膜延伸處理部3的第1薄膜36a在膨潤槽4中對第1薄膜36a進行膨潤，在染色槽6中對第1薄膜36a進行染色。接下來，在硬膜槽8中使薄膜構成高分子交聯之後，在延伸槽10中對第1薄膜36a進行縱向延伸。另外，此處是以進行縱向延伸的例子進行說明，但也可採用借助拉幅機(tenter)裝置等的橫向延伸。最後，在清洗槽12中對第1薄膜36a進行清洗，結束薄膜延伸處理部3中的處理。

在膨潤槽4中，一邊使第1薄膜36a浸漬在水中一邊予以搬送，從而對第1薄膜36a表面的污垢或防結塊劑。進而，通過使第1薄膜36a膨潤而防止染色不均等的不均勻性。

也可在膨潤槽4中適當添加甘油(glycerin)或碘化鉀(potassium iodide)等。優選甘油的添加濃度為5質量%(質量百分比)以下，碘化鉀的添加濃度為10質量%以下。膨潤槽4的溫度優選為20℃～50℃的範圍，更優選為25℃～45℃。在膨潤槽4中的浸漬時間優選為2秒鐘～180秒鐘，更優選為10秒鐘～150秒鐘，尤其優選為60秒鐘～120秒鐘。也可在膨潤槽4中對第1薄膜36a進行延伸。對於延伸倍率，將膨潤引起的伸展也包括在內優選為1.1倍～3.5倍左右。

在染色槽6中，一邊使第1薄膜36a浸漬在含有碘等的二色性物質的液體中一邊予以搬送，從而使二色性物質吸附於第1薄膜36a。作為二色性物質，可使用以往公知的物質，例如可列舉碘或有機染料等。作為有機染料，例如可使用紅BR、紅LR、紅R、粉紅LB、玉紅BL、棗紅GS、天藍LG、檸檬黃、藍BR、藍2R、藏青RY、綠LG、紫LB、紫B、黑H、黑B、黑GSP、黃3G、黃R、橙LR、橙3R、猩紅GL、猩紅KGL、剛果紅、亮紫BK、艷藍G、艷藍GL、艷橙GL、直接天藍、直接耐曬橙S、耐曬黑等。這些二色性物質既可僅使用一種，也可並用兩種以上。當使用所述有機染料時，例如考慮到實現可見光區域的中性(neutral)化的觀點，優選組合兩種以上。作為具體例，可列舉剛果紅和艷藍G、艷橙GL和直接天藍的組合或者直接天藍和耐曬黑的組合。

作為染色槽6的溶液，可使用將所述二色性物質溶解於溶劑的溶液。作為所述溶劑，一般可使用水，但也可進一步添加與水具有相溶性的有機溶劑而使用。作為二色性物質的濃度，優選為0.010質量%～10質量%的範圍，更優選為0.020質量%～7質量%的範圍，尤其優選為0.025質量%～5質量%的範圍。

而且，當使用碘來作為所述二色性物質時，能句多進一步提高染色效率，因此優選進一步添加碘化物。作為該碘化物，例如可列舉碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。這些碘化物的添加比例在所述染色浴中優選為0.010質量%～10質量%，更優選為0.10質量%～5質量%。這些碘化物中，尤其優選添加碘化鉀，碘與碘化鉀的比例(質量比)優選為1：5～1：100的範圍，更優選為1：6～1：80的範圍，尤其優選為1：7～1：70的範圍。

第1薄膜36a在染色槽6中的浸漬時間並無特別限定，但優選為1分鐘～5分鐘，更優選為2分鐘～4分鐘。而且，染色槽6的溫度優選為5℃～42℃的範圍，更優選為10℃～35℃的範圍。而且，也可在該染色槽6中對第1薄膜36a進行延伸，此時的累計的總延伸倍率優選為1.1倍～4.0倍左右。

另外，除了如前所述的浸漬於染色槽6中的方法以外，例如也可採用將含有二色性物質的水溶液塗布或噴霧至第1薄膜36a的方法。而且，在本發明中，也可不進行染色步驟，而採用以預先混入有二色性物質的聚合物原料而製成的薄膜來作為第1薄膜36a。

在硬膜槽8中，一邊使第1薄膜36a浸漬在含有交聯劑的溶液中一邊予以搬送，從而進行交聯。作為交聯劑，可使用以往公知的物質。例如，可使用硼酸、硼砂等的硼化合物或者乙二醛(glyoxal)、戊二醛(glutaraldehyde)等。這些交聯劑既可僅使用一種，也可並用兩種以上。當並用兩種以上時，例如優選硼酸和硼砂的組合。而且，其添加比例(莫耳比)優選為4：6～9：1的範圍，更優選為5.5：4.5～7：3的範圍，最優選為6：4。

作為硬膜槽8的溶液，可使用將所述交聯劑溶解於溶劑的溶液。作為所述溶劑，例如可使用水，但也可進一步並用與水具有相溶性的有機溶劑。交聯劑的濃度並無特別限定，但優選為1質量%～10質量%的範圍，更優選為2質量%～6質量%。

在硬膜槽8中，考慮到獲得偏光薄膜的面內的均勻特性的觀點，也可添加碘化物。作為碘化物，例如可列舉碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦。添加時的碘化物的含量優選為0.05質量%～15質量%，更優選為0.5質量%～8質量%。作為交聯劑和碘化物的組合，優選為硼酸和碘化鉀的組合。硼酸與碘化鉀的比例(質量比)優選為1：0.1～1：3.5的範圍，更優選為1：0.5～1：2.5的範圍。

硬膜槽8的溫度通常優選為20℃～70℃的範圍。第1薄膜36a的浸漬時間通常為1秒鐘～5分鐘，優選為5秒鐘～4分鐘。另外，也可在硬膜槽8中對第1薄膜36a進行延伸。此時的累計的總延伸倍率優選為1.1倍～5.0倍左右。另外，與染色時同樣，也可取代使第1薄膜36a浸漬在硬膜槽8中的處理，而使用塗布或噴霧含交聯劑的溶液的方法。

在延伸槽10中，通過所謂的卷延伸方式而使第1薄膜36a縱向延伸。即，由分別設在薄膜搬送方向的上游側與下游側的一對夾輥(nip roller)39a來夾持搬送第1薄膜36a。並且，使下游側的輥旋轉速度比下游側更高，從而對薄膜36a進行縱向延伸。另外，圖1中，表示了以在各槽中也能句多延伸的方式來配置夾輥39a的例子。

此時，在浸漬於延伸槽10中的狀態下，以累計的總延伸倍率例如為2倍～7倍左右的方式進行延伸。作為延伸槽10的溶液，並無特別限定，例如可使用添加有各種金屬鹽、碘、硼或鋅的化合物的溶液。作為該溶液的溶劑，可適當使用水、乙醇(ethanol)或各種有機溶劑。尤其優選使用分別添加有2質量%～18質量%左右的硼酸及/或碘化鉀的溶液。當同時使用該硼酸和碘化鉀時，其含有比例(質量比)優選以1：0.1～1：4左右、更優選1：0.5～1：3左右的比例來使用。作為延伸槽10的溫度，例如優選為40℃～67℃的範圍，更優選為50℃～62℃。

在清洗槽12中，使第1薄膜36a通過水中，從而對在之前的處理中附著的硼酸等的多餘殘留物進行沖洗。優選在水中添加碘化物，例如優選添加碘化鈉或碘化鉀。當在清洗槽12的水中添加有碘化鉀時，其濃度通常為0.1質量%～10質量%，優選為3質量%～8質量%。進而，清洗槽12的溫度優選為10℃～60℃，更優選為15℃～40℃。而且，清洗處理的次數並無特別限定，也可為多次。也可在多個清洗槽12中預先儲放添加物的種類或濃度不同的水，使第1薄膜36a通過這些水，從而實施清洗步驟。

另外，在從各步驟中的槽中提起第1薄膜36a時，為了防止滴液的產生，也可通過下述等方法來去除多餘的水分，即，使用以往公知的夾送輥(pinch roll)等的脫液輥，或者利用氣刀(air knife)60來削去液體。

而且，薄膜延伸處理部3除了夾輥39a以外，還在各槽中具備對第1薄膜36a的薄膜搬送路徑進行限制的多個導輥(guide roller)39b。

經薄膜延伸處理部3處理後的第1薄膜36a接下來被送往薄膜乾燥部14進行乾燥。作為乾燥方法，可採用自然乾燥、熱風乾燥、紅外線等的加熱乾燥等適當的方法，但通常優選熱風乾燥。熱風乾燥的條件優選將加熱溫度設為20℃～80℃左右，將乾燥時間設為1分鐘～10分鐘左右。

經乾燥的第1薄膜36a接下來被送往貼合部16。貼合部16具有一對送出機66、66和一對輥68，所述一對送出機66、66供給將保護薄膜64a捲繞成卷狀的薄膜卷64b。在貼合部16中，在第1薄膜36a的兩面或單面貼附保護薄膜64a。作為保護薄膜64a，可較佳地使用三乙醯基纖維素(triacetyl cellulose，TAC)。在貼合部16之後設置乾燥部17以進行乾燥。

最後，第1薄膜36a由薄膜捲繞部18捲繞成卷狀，由此，製造出偏光薄膜。

要提高該偏光薄膜的製造效率，必須利用熱熔接接合裝置26來對使用中的第1薄膜36a的後端部與接下來要使用的第2薄膜40a的前端部進行熱熔接而使薄膜彼此接合，從而始終對製造線1供給薄膜。此時，關鍵在於：通過避免熱熔接的接合部A產生褶皺或者後面要說明的尾端部分的長度(L1)變長，從而在例如易對薄膜施加斷裂力的延伸槽10中的延伸處理時，以避免接合部發生剝離或斷裂的方式來進行熱熔接接合。因此，本實施方式中，通過以下要說明的熱熔接接合裝置26來達成該課題。

圖2是本發明的實施方式的熱熔接接合裝置26的沿著薄膜搬送方向的側面圖。

如圖2所示，熱熔接接合裝置26具備上側單元(unit)70及下側單元71。在夾著上側單元70的薄膜搬送方向兩側，設有參與使用中的第1薄膜36a的升降移動的一對升降用輥73。而且，在下側單元71的左側設有與第2薄膜40a卡合的卡合輥74，並且在右側設有夾送輥75，該夾送輥75是利用一對輥75A、75B來夾持保持從轉塔裝置24的第2薄膜卷40b抽出的第2薄膜40a的前端部。由此，在上側單元70與下側單元71之間形成第1薄膜36a的搬送路徑以及第2薄膜40a的抽出路徑。

上述一對升降用輥73構成為可通過氣缸(cylinder)裝置73A而沿上下方向升降。

上側單元70在頂部框架上懸吊支撑有升降部78，並且在升降部78上搭載有升降機構。作為該升降機構，例如可較佳地使用水壓或油壓式的氣缸機構。

而且，在升降部78的下端部，設有支撑部91和滑動部92。並且，在支撑部91上支撑有一對吸引箱88A、88B中的吸引箱88A、熱熔接頭85以及上側切割刀89。而且，在滑動部92上，支撑有位於第1薄膜36a的搬送方向下游側的吸引箱88B。並且，在滑動部92上，搭載有使吸引箱88B沿第1薄膜36a的搬送方向而移動的滑動機構(未圖示)。該滑動機構優選為0.1 mm左右的移動精度，例如可較佳地使用對進給螺杆機構進行伺服電動機(servo motor)控制的機構。另外，對於位於第1薄膜36a的搬送方向上游側的吸引箱88A，也可經由滑動部來支撑，從而能句多使該吸引箱88A在與下游側的吸引箱88B獨立的狀態下沿第1薄膜36a的搬送方向移動。

而且，一對吸引箱88A、88B以及熱熔接頭85沿圖2的表背方向形成得較長，在熱熔接頭85的前端部(下端部)，設有熱熔接寬度為10 mm寬左右且長度比薄膜寬度長的線型加熱器85A。

此處，將從薄膜搬送方向(從圖2的左側向右側)看到的上游側的吸引箱稱作上游側吸引箱88A，將下游側的吸引箱稱作下游側吸引箱88B。並且，在下游側與上游側的吸引箱88A、88B之間，除了線型加熱器85A以外，還配設有沿寬度方向切割第1薄膜36a的上側切割刀89。該上側切割刀89安裝在順著熱熔接頭85的側面而沿薄膜寬度方向移動的移動機構(未圖示)上。移動機構在未進行薄膜切割時，使切割刀89位於薄膜寬度的外側，在薄膜切割時，使切割刀從薄膜寬度方向的一側向另一側移動。由此，可沿寬度方向來切割第1薄膜36a，且在後述的面壓處理時或熱熔接時切割刀89不會造成妨礙。

而且，在上游側的吸引箱88A以及下游側的吸引箱88B的下表面，形成具有多個吸引孔的吸附面88C，並且該吸附面88C形成為鏡面級的平坦面。上游側的吸引箱88A以及下游側的吸引箱88B的吸附面88C與線型加熱器85A的前端形成為大致在相同平面(吸附面88C與線型加熱器85A的前端面配置在大致同一平面上，或者配置成吸附面88C與線型加熱器85A的前端面之間不會產生段差)，並且構成為，在後述的壓製(press)處理中對線型加熱器85A施加有過剩的壓力時，線型加熱器85A(寬度0.1 mm～0.5 mm)沒入熱熔接頭85內。

另一方面，下側單元71在底板93面上竪立設置有支柱塊95，在該支柱塊95之上，與上側單元70的情况同樣地，設有支撑部98及滑動部96。並且，在支撑部98上設有下側主要構件，該下側主要構件包含一對吸引箱101A、101B中的吸引箱101B、熱熔接頭85的支承台97(橡膠管(rubber tube)製)以及下側切割刀102。而且，在滑動部96上，支承有位於第2薄膜40a的搬送方向上游側的吸引箱101A。並且，在滑動部96上，搭載有使吸引箱101A沿第2薄膜40a的搬送方向而移動的滑動機構(未圖示)。

作為滑動機構，可採用與在上側單元70中說明的同樣的機構。另外，對於位於第2薄膜40a的搬送方向下游側的吸引箱101B，也可經由滑動部來支撑，從而能够使該吸引箱101B在與上游側的吸引箱101A獨立的狀態下沿第2薄膜40a的搬送方向移動。

此處，將從薄膜搬送方向(從圖2的左側向右側)看到的上游側的吸引箱稱作上游側吸引箱101A，將下游側的吸引箱稱作下游側吸引箱101B。

並且，在上游側的吸引箱101A與下游側的吸引箱101B之間，除了支承台97以外，還配設有沿寬度方向切割第2薄膜40a的下側切割刀102。此處，上側單元70的上側切割刀89在圖2中配置於線型加熱器85A的左側，另一方面，下側單元71的下側切割刀102配置於支承台97的右側。即，上側單元70的切割刀89與下側單元71的切割刀102並非完全相對向，而是以稍許偏離的狀態而配置。

而且，下側單元71的下側切割刀102也與上側單元70的上側切割刀89同樣地，通過移動機構(未圖示)，在未進行切割時，位於薄膜寬度的外側，在薄膜切割時，從薄膜寬度方向的一側向另一側移動。由此，能够沿寬度方向切割第2薄膜40a，且在後述的壓製處理時或熱熔接時下側切割刀102不會造成妨礙。

在上游側的吸引箱101A以及下游側的吸引箱101B的上表面，形成具有多個吸引孔的吸附面101C，並且該吸附面101C形成為鏡面級的平坦面。

而且，在上側單元70的第2薄膜40a的搬送方向的下游位置，設有跳動(dancer)機構107，在跳動機構107的下游側，設有將第2薄膜40a進給(feed)至薄膜延伸處理部3的夾送輥式的進給輥(feed roller)108。

並且，構成上側單元70以及下側單元71的各驅動機器、跳動機構107以及進給輥108通過信號電纜(cable)或無線而連接於控制部件106，由控制部件106進行開/關控制。圖2表示無線控制的情况。而且，各吸引箱88A、88B、101A、101B連接於未圖示的吸引力產生裝置。

接下來，使用圖3A～圖3C，對通過如上所述般構成的熱熔接接合裝置26來對第1薄膜36a與第2薄膜40a進行熱熔接接合的方法進行說明。另外，在吸引箱內有箭頭的情况下，表示對該吸引箱施加有吸引力。

從圖1所示的轉塔臂30的第1卷軸38送出的使用中的第1薄膜36a如圖3A的(A)所示，通過上側單元70與下側單元71之間而搬送至圖1的薄膜延伸處理部3。

並且，一旦第1薄膜36a的卷剩餘量變少，轉塔臂30將旋轉而使接下來要使用的第2薄膜卷40b移動到薄膜供給位置。進而，將第2薄膜40a的前端部從第2薄膜卷40b抽出並通過上側單元70與下側單元71之間而由夾送輥75來夾持。第1薄膜卷36b的剩餘量例如可通過利用傳感器(sensor)(未圖示)等來測定第1薄膜卷36b的卷厚度而檢測。在此狀態下驅動儲槽裝置28(參照圖1)，並且停止將第1薄膜36a供給至薄膜延伸處理部3的進給輥108的驅動，以停止儲槽裝置28的上游側的第1薄膜36a的搬送。

接下來，如圖3A的(B)所示，使一對升降用輥73、73下降。由此，第1薄膜36a與第2薄膜40a的接合區域部分重合。

此處，所謂接合區域部分，並非是指第1薄膜36a的後端部與第2薄膜40a的前端部最終重合並熱熔接接合的接合部A(參照圖4(A)、圖4(B))，而是指位於上側單元70與下側單元71之間且成為後述的各步驟的對象的薄膜部分。

接下來，如圖3A的(C)所示，驅動升降部78的升降機構而使上側單元70下降。然後，由上游側的吸引箱88A以及下游側的吸引箱88B與下側單元71的上游側的吸引箱101A以及下游側的吸引箱101B來夾住第1薄膜36a及第2薄膜40a的接合區域部分並進行壓製。在壓製過程中，不對4個吸引箱88A、88B、101A、101B施加吸引力。由此，在接合區域部分的兩面，由上側單元70和下側單元71的吸引箱88A、88B、101A、101B的平坦的吸附面88C、101C來施加面壓。因此，即使在接合區域部分存在褶皺，也能通過熨斗(iron)效果來使褶皺伸展。

由轉塔裝置24捲繞支撑的第1薄膜36a及第2薄膜40a通常使用被捲繞成中高的卷狀而保管的薄膜，在展開第1薄膜36a及第2薄膜40a時，薄膜易造成褶皺。壓製壓力優選為0.2 MPa～0.8 MPa的範圍，更優選為0.4 MPa～0.8 MPa的範圍。

接下來，如圖3A的(D)所示，對4個吸引箱88A、88B、101A、101B施加吸引力，以吸引保持褶皺已消失的第1薄膜36a及第2薄膜40a的接合區域部分。

接下來，如圖3A的(E)所示，使一對升降用輥73、73進行上升動作，並且驅動升降部78的升降機構來使上側單元70進行上升動作，從而使第1薄膜36a及第2薄膜40a的接合區域部分彼此離開。

接下來，如圖3B的(F)所示，通過上側單元70和下側單元71各自的切割刀89、102來沿薄膜寬度方向切割第1薄膜36a及第2薄膜40a。由此，形成用於接合使用中的第1薄膜36a的後端部與用於接合接下來要使用的第2薄膜40a的前端部。

接下來，如圖3B的(G)所示，解除上側單元70的上游側吸引箱88A的吸引力，並且使轉塔裝置24的第1卷軸38反轉，從而對所切割的第1薄膜36a的轉塔側部分進行捲繞。而且，解除下側單元71的下游側吸引箱101B的吸引力，並且使夾送輥75旋轉，以去除所切割的第2薄膜40a的薄膜片40c。

接下來，如圖3B的(H)所示，驅動上側單元70和下側單元71的滑動部92、96的滑動機構，使上側單元70的下游側吸引箱88B和下側單元71的上游側吸引箱101A沿薄膜搬送方向分別朝箭頭方向移動，以對將第1薄膜36a的後端部與第2薄膜40a的前端部予以重合的重合寬度進行調整。由此來調整進行接合的接合部A的接合寬度。由此，減小第1薄膜36a的後端部未熱貼附的尾端部分的長度(L1)，並且減小第2薄膜40a的前端部未熱貼附的尾端部分的長度(L1)。對於該尾端部分的長度(L1)，將在後文進行詳細說明。

並且，通過如此般使吸引箱88B、101A自身滑動而調整接合部A的接合寬度，因此在調整時第1薄膜36a及第2薄膜40a不會產生褶皺。此外，對於在解除了吸引箱88B、101A的吸引力的狀態下搬送薄膜自身來滑動的方法而言，在薄膜寬度方向上搬送張力易產生不均，因此薄膜易造成褶皺。尤其，在像近來這樣薄膜寬度超過3 m的加寬薄膜的情况下，易造成褶皺。作為搬送薄膜自身的方法，對於第1薄膜可通過驅動進給輥108來進行，對於第2薄膜可通過使第2卷軸42反轉來進行。

在上述圖3A的(A)至圖3B的(H)為止的步驟中，例如在圖3A的(A)中，必須在不對吸引箱88A、88B、101A、101B施加吸引力的關閉(OFF)狀態下搬送第1薄膜36a及第2薄膜40a，從而將第1薄膜36a及第2薄膜40a以無褶皺等而平坦(flat)的狀態設置於吸引箱88A、88B、101A、101B的規定位置。因此，所搬送的第1薄膜36a及第2薄膜40a也有時會接觸到吸引箱88A、88B、101A、101B的吸附面88C、101C而產生摩擦。在該接觸中，若吸附面88C、101C的摩擦係數大，則有可能會使第1薄膜36a及第2薄膜40a產生劃痕等的問題，因此優選使吸附面88C、101C的光滑性良好。

另一方面，在圖3B的(H)中，吸引箱88B、101A必須在沿著薄膜長度方向而承受有拉伸張力(tension)的狀態下，一邊由吸附面88C、101C來確實地保持第1薄膜36a及第2薄膜40a，一邊使吸引箱88B、101A滑動以調整第1薄膜36a及第2薄膜40a的重合寬度。即，第1薄膜36a在吸引箱88B與儲槽裝置28之間維持張緊狀態，對吸附面88C施加拉伸張力。第2薄膜40a在吸引箱101A與第2卷軸42之間維持張緊狀態，對吸附面101C施加拉伸張力。

拉伸張力的大小在將薄膜寬度設為220 mm來進行測試時為4.9N(牛頓(Newton))左右。因此，吸附面88C、101C在吸引壓力為-1 kPa～-2 kPa時，每薄膜寬度(220 mm)必須具有4.9 N以上的保持力。

即，對於吸引箱88A、88B、101A、101B的吸附面88C、101C要求光滑性和保持力這兩者。作為滿足該光滑性和保持力這兩者的吸附面88C、101C的特性，優選摩擦係數為4以下，更優選為2以下，尤其優選為1以下。

滿足此種摩擦係數的材質例如可較佳地使用聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。

圖4(A)對由SUS304形成的吸附面與由PTFE形成的吸附面的摩擦係數進行了比較，SUS304為約8，PTFE為約0.5。並且，以與各吸附面接觸的方式來搬送PVA薄膜，結果可知，SUS304的吸附面的光滑性較差，PVA薄膜易產生褶皺或劃痕。另一方面，PTFE的吸附面的光滑性較好，PVA薄膜不會產生褶皺或劃痕。

圖4(B)是試製具有由SUS304形成的吸附面的吸引箱(薄膜搬送方向的寬度為280 mm)與具有由PTFE形成的吸附面的吸引箱(薄膜搬送方向的寬度為280 mm)，並對由各吸附面來保持220 mm寬度的PVA薄膜時的保持力進行對比的圖。保持力的測試是將沿著吸附面來拉伸由吸附面保持的PVA薄膜時，PVA薄膜即將移動之前的拉伸力作為保持力。並且，對吸附面的吸引壓力與保持力的關係進行描繪(plot)，並示於圖4(B)。

由圖4(B)可知的是，由PTFE形成的吸附面的保持力雖比由SUS304形成的吸附面的保持力差，但在吸引壓力為-1 kPa時可確保10 kPa，其結果充分滿足上述的4.9 N以上的保持力。

另外，當在實際使用的薄膜(例如，3 m寬度以上)中求出必要的保持力時，可基於與所測試的薄膜的寬度220 mm的關係，通過計算來求出保持力。

接下來，如圖3B的(I)所示，使一對升降用輥73、73下降，並且驅動升降部78的升降機構而使上側單元70下降，將第1薄膜36a的後端部重合於第2薄膜40a的前端部而形成接合部A。然後，將熱熔接頭85的線型加熱器85A打開(ON)，對接合部A進行熱熔接接合。由此，第1薄膜36a的後端部與第2薄膜40a的前端部相接合。另外，在本實施方式的說明中，在接合之前與之後這兩種情况都使用了接合部A這一術語，在是接合前或接合後為重要的情况下，說明其意旨。

作為進行熱熔接時的條件，優選為160℃～280℃的溫度範圍。其原因在於，如果小於160℃，則熔接不够充分，如果超過280℃，則氣泡會混入接合的接合部A內，從而無法充分確保接合部A的强度。包括加熱後的冷却時間在內，所需時間優選為2秒～10秒。而且，將線型加熱器85A按壓於支承台97(橡膠管)的按壓力優選為0.1 MPa～0.6 MPa的範圍。

接下來，如圖3B的(J)所示，仍保持施加上側單元70的下游側吸引箱88B的吸引力，而解除剩餘的吸引箱88A、101A、101B的吸引力。

接下來，如圖3C的(K)所示，使一對升降用輥73、73上升，並且驅動升降部78的升降機構而使上側單元70上升。然後，如圖3C的(L)所示，將線型加熱器85A關閉(OFF)，並且解除上側單元70的下游側吸引箱88B的吸引力。由此，對將第1薄膜36a的後端部與第2薄膜40a的前端部重合而成的接合部A實施一次熱熔接接合。

另外，圖3A～圖3C是以對接合部A實施一次熱熔接接合的例子進行說明，但也可對接合部A實施多次(例如兩次)熱熔接接合。

此時，使上側單元70的下游側吸引箱88B沿薄膜搬送方向滑動而改變線型加熱器85A在接合部A上的位置以進行熱熔接接合。

然後，當熱熔接接合結束時，停止驅動儲槽裝置28，並且驅動將第1薄膜36a供給至薄膜延伸處理部3的進給輥108，從而將緊跟著使用中的第1薄膜36a而接下來要使用的第2薄膜40a連續供給至薄膜延伸處理部3。

根據本發明的實施方式，通過使用熱熔接接合裝置26來進行上述熱熔接接合方法，能够避免在對薄膜36a、40a彼此的後端部與前端部進行熱熔接之後產生褶皺或尾端部分的長度(L1)變長。由此，不會在接合部A中產生空氣滯留，因此能够加大接合强度，並且在薄膜搬送過程中尾端部分不會亂動，因此例如即使在延伸槽10中的延伸處理時接合部A也不會發生剝離或斷裂。

圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)表示進行一次熱熔接接合(圖5(A))時與進行兩次熱熔接接合(圖5(B)、圖5(C))時的尾端部分的長度(L1)，是將線型加熱器85A的寬度，即，將熱熔接線B的寬度D設為10 mm的情况。

如圖5(A)～圖5(C)所示，第1薄膜36a的後端部的尾端部分的長度(L1)以及第2薄膜40a的前端部的尾端部分的長度(L1)優選為1.5 mm以下。如果未熔接的尾端部分的長度(L1、L2)超過1.5 mm而較大，則在薄膜搬送時尾端部分易亂動或挂到搬送輥上。由此，接合部A易發生剝離。

而且，如圖5(B)、圖5(C)所示，當進行兩次熱熔接接合時，優選以熱熔接線B在寬度方向上局部重合的方式來進行熱熔接。此時，優選重合量(L2)超過0 mm且為1.5 mm以下。

而且，在熱熔接接合中，優選如圖6所示，以與箭頭的搬送方向(薄膜搬送方向)正交的方向的正交線110、與熱熔接線B的中心線112所成的角度(θ)為20°以上60°以下的方式來進行斜向接合。

PVA系薄膜的延伸步驟中的接合部A及其附近的薄膜寬度方向上的變形(薄膜寬度的不均勻性)，尤其是不均勻性引起的接合部A的斷裂特性存在下述現象。即，當PVA系薄膜在搬送方向上以3倍～8倍來進行縱向延伸時，薄膜會在寬度方向上收縮，但接合部A在薄膜寬度方向上幾乎不會收縮。因此，當沿著與薄膜搬送方向正交的方向來進行熱熔接接合時，在薄膜上，接合的薄膜部分與其他薄膜部分的薄膜寬度方向的伸縮差變大，這成為引起薄膜寬度的不均勻性或斷裂的原因。

因此，通過如上所述般進行斜向接合，從而在進行縱向延伸時接合部A也變得易伸縮，因此難以斷裂。此時，縱向延伸時的接合部A的薄膜寬度方向成分(矢量(vector))隨著斜向接合的角度(θ)的增加而變小，因此角度(θ)越大，則抑制薄膜寬度的不均勻性以及薄膜斷裂的效果越大。即，理論上，角度(θ)只要小於90°即可。但是，若角度(θ)過大，則用於形成接合部A的設備等會變得過大。因此，斜向接合的角度(θ)的上限優選為60°以下。而且，如果角度(θ)小於20°，則無法充分發揮效果。因此，角度(θ)優選為20°以上60°以下，更優選為30°以上60°以下。

而且，在熱熔接接合裝置26的前段或熱熔接接合裝置26與薄膜延伸處理部3之間，配置薄膜切割機(未圖示)。並且，優選將熱熔接之前的接合部A或熱熔接之後的接合部A的薄膜寬度方向兩端部切取成圓弧狀。

這樣，將接合部A的薄膜寬度方向兩端部切取成圓弧狀，從而即使在延伸處理等中對接合部A施加有斷裂力，也能句多提高耐斷裂性。

通過圖7(A)、圖7(B)來說明其理由。如圖7(A)所示，當薄膜36a的後端部與薄膜40a的前端部以在薄膜寬度方向上偏離的狀態來進行熱熔接接合時，應力將集中於偏離部分。但是，如圖7(B)所示，通過將接合部A的薄膜寬度方向兩端部切取成圓弧狀，薄膜36a的後端部與薄膜40a的前端部在薄膜寬度方向上的偏離得以消除。由此，能够防止應力集中於接合部A的偏離部分。因此，在將接合前的第1薄膜36a及第2薄膜40a切取成圓弧狀的情况下，只要是在熱熔接接合之後能够消除薄膜寬度方向上的段差(偏離)的程度的曲率即可。

而且，如圖7(B)所示，優選薄膜寬度W0與切取成圓弧狀的部分的薄膜寬度(L)的關係滿足以下的數式。

0.01(%)≦(1-(L/W0))×100≦29(%)

其原因在於，此時，如果大於29%，則在延伸處理時薄膜有可能發生斷裂，如果小於0.01%，則實質無法發揮圓弧狀切割的效果。

另外，本實施方式中，以製造偏光薄膜的例子進行了說明，但並不限定於此，也可適用於製造其他光學薄膜的情况。

[第2實施方式]

第2實施方式中，在所述接合區域部分的兩側，分別固定配置著輔助吸引箱110A、110B，該輔助吸引箱110A、110B的吸附面與吸引箱88A、88B、101A、101B的吸附面88C、101C在相同平面，且該輔助吸引箱110A、110B的吸附面的摩擦係數比吸引箱88A、88B、101A、101B的吸附面88C、101C的摩擦係數小。並且，在從切割步驟至熱熔接步驟之間的步驟中，以不會妨礙熱熔接的方式來吸引保持所切割的第1薄膜36a以及第2薄膜40a的切割端附近(分別為36x、40x)。

即，在圖3B的(I)的步驟中，將第1薄膜36a的後端部重合於第2薄膜40a的前端部而形成接合部A，將熱熔接頭85的線型加熱器85A打開(ON)，對接合部A進行熱熔接接合。由此，將第1薄膜36a的後端部與第2薄膜40a的前端部予以接合。

在該熱熔接接合的步驟中，進行熱熔接時形成於接合部A兩側的未熔接部分(尾端部分)不會承受薄膜長度方向的拉伸張力。因此，在薄膜延伸處理部3中的延伸處理時，薄膜寬度不會縮小(頸縮(necking))。因此，若尾端部分過長，則應力集中會變强，成為引起薄膜斷裂的主要原因。因此，尾端部分的長度(L1)必須設為0.5 mm～1.5 mm左右。

但是，由於熱熔接接合裝置26的結構，在上側單元70中，切割刀89與吸引箱88B的距離必須相隔100 mm左右。同樣地，在下側單元71中，切割刀102與吸引箱101A的距離必須相隔100 mm左右。由此，由切割刀89所切割的第1薄膜36a的後端部中的、未被吸引箱88B吸引的切割端附近36x的長度將長達100 mm左右。同樣地，由切割刀102所切割的第2薄膜40a的前端部中的、未被吸引箱101A吸引的切割端附近40x的長度將長達100 mm左右。

因此，在第1實施方式中所說明的圖3B的(F)、圖3B的(H)、圖3B的(I)中，第1薄膜36a的切割端附近36x以及第2薄膜40a的切割端附近40x易因自重而下垂。其結果，在圖3B的(I)的熱熔接的步驟中，會在第1薄膜36a的切割端附近36x以及第2薄膜40a的切割端附近40x產生斷折，從而熱熔接接合的精度易變差。

若通過圖8的(F₁)、圖8的(H₁)、圖8的(I₁)進一步說明此現象，則如圖8的(F₁)所示，所切割的第1薄膜36a的切割端附近36x因自重而下垂。

而且，如圖8的(H₁)所示，當為了調整接合寬度而使吸引箱88B和吸引箱101A沿箭頭方向滑動時，所切割的第2薄膜40a的切割端附近40x在支承台97與吸引箱101A之間易因自重而下垂並產生斷折。

並且，如圖8的(I₁)所示，在熱熔接接合時，當使線型加熱器85A朝向支承台97而下降時，下垂的第1薄膜36a的切割端附近36x易發生彎曲。

由此，易產生下述問題，即，第1薄膜36a的切割端附近36x與第2薄膜40a的切割端附近40x未能具有規定的接合寬度而重疊，或者完全未重疊。此種問題在剛性大的薄膜中難以產生，但在如PVA薄膜般柔軟並且薄的情况下易產生。

因此，在第2實施方式中，在上側單元70的吸引箱88B與熱熔接頭85之間，在不會妨礙熱熔接頭85的升降動作的位置設置有輔助吸引箱110A。同樣地，在下側單元71的吸引箱101A與支承台97之間，設置有輔助吸引箱110B。並且，該輔助吸引箱110A、110B以在調整接合寬度時不會與吸引箱88B、101A一起滑動的方式而固定配置。此時，該輔助吸引箱110A優選以不會妨礙熱熔接頭85的升降的限度來接近熱熔接頭85而固定配置。而且，輔助吸引箱110B優選接近支承台97而固定配置。

而且，輔助吸引箱110A、110B是具有與吸引箱88B、101A的吸附面88C、101C在相同平面且摩擦係數比吸引箱88B、101A的吸附面88C、101C的摩擦係數小的吸附面而形成。

圖9的(F₁)、圖9的(H₁)、圖9的(I₁)是表示設置輔助吸引箱110A、110B帶來的作用效果的圖。

如圖9的(F₁)所示，所切割的第1薄膜36a的切割端附近36x由輔助吸引箱110A來吸引保持，因此可防止該切割端附近36x因自重而下垂。

而且，如圖9的(H₁)所示，當為了調整接合寬度而使吸引箱88B和吸引箱101A沿箭頭方向滑動時，所切割的第2薄膜40a的切割端附近40x由輔助吸引箱110B來吸引保持。由此，防止切割端附近40x在支承台97與吸引箱101A之間因自重而下垂並產生斷折。

此時，輔助吸引箱110A、110B的吸附面的摩擦係數比吸引箱88B、101A的吸附面88C、101C小而光滑性良好。因此，在重合寬度調整步驟中使第1薄膜36a及第2薄膜40a滑動時即使在吸附面上摩擦也不會造成褶皺或劃痕。因此，能够提高熱熔接接合的精度。

而且，如圖9的(I₁)所示，在熱熔接接合時，使線型加熱器85A朝向支承台97下降而抵接於切割端附近36x時，第1薄膜36a的切割端附近36x不會下垂，因此切割端附近36x不會發生彎曲。

由此，能句多以達到所設定的接合寬度以及所設定的尾端部分長度的方式來精度良好地進行熱熔接。

另外，輔助吸引箱110A、110B在調整接合寬度時不會滑動，因此在吸引箱88B、101A的滑動時，必須在對切割端附近36x或切割端附近40x進行吸引保持的狀態下，使切割端附近36x或切割端附近40x沿著吸附面滑動。

因此，輔助吸引箱110A、110B的吸附面的摩擦係數必須比吸引箱88B、101A的吸附面的摩擦係數更小，摩擦係數為2以下，尤其優選為1以下。而且，輔助吸引箱110A、110B的保持力只要能够防止第1薄膜36a的切割端附近36x或第2薄膜40a的切割端附近40x因自重而下垂即可，不需要吸引箱88B、101A那樣的保持力。

例如，當試製輔助吸引箱(薄膜搬送方向的寬度為20 mm)，並以-0.1 kPa的吸引壓力來保持薄膜寬度為220 mm的PVA薄膜時，保持力只要為0.3 kPa～0.5 kPa的範圍即可。

由此，在調整接合寬度時，第1薄膜36a及第2薄膜40a即使一邊與輔助吸引箱110A、110B的吸附面接觸一邊走動也不會造成褶皺或劃痕等，且能够防止第1薄膜36a的切割端附近36x或第2薄膜40a的切割端附近40x因自重而下垂。

此時，在圖9的(H₁)的接合寬度調整時，如由與圖8的(H₁)的對比可知的，優選在使上側單元70的吸引箱88A、88B與下側單元71的吸引箱101A、101B的距離接近的狀態下進行接合寬度的調整。由此，能够通過支承台97來支承也未被輔助吸引箱110A、110B吸引保持而突出至空間的端部的下垂，因此能够進一步提高熱熔接接合的精度。

因此，使一對升降用輥73升降的氣缸裝置以及使吸引箱88A、88B升降的升降部78優選具有對升降的距離進行調整的調整機構。

1．．．偏光薄膜的製造線

2．．．薄膜供給部

3．．．薄膜延伸處理部

4．．．膨潤槽

6．．．染色槽

8．．．硬膜槽

10．．．延伸槽

12．．．清洗槽

14．．．薄膜乾燥部

16．．．貼合部

17．．．乾燥部

18．．．薄膜捲繞部

24．．．轉塔裝置

26．．．熱熔接接合裝置

28．．．儲槽裝置

30．．．轉塔臂

32．．．支柱

34．．．軸

36a．．．第1薄膜

36b．．．第1薄膜卷

36x．．．第1薄膜的切割端附近

38．．．第1卷軸

39a．．．夾輥

39b．．．導輥

40a．．．第2薄膜

40b．．．第2薄膜卷

40x．．．第2薄膜的切割端附近

42．．．第2卷軸

60．．．氣刀

64a．．．保護薄膜

64b．．．薄膜卷

66．．．送出機

68．．．層壓輥/輥

70．．．上側單元

71．．．下側單元

73．．．升降用輥

73A．．．氣缸裝置

74．．．卡合輥

75．．．夾送輥

75A、75B．．．輥

76．．．頂部框架

78．．．升降部(第1移動部件)

85．．．熱熔接頭

85A．．．線型加熱器

88A．．．上側單元的上游側吸引箱

88B．．．上側單元的下游側吸引箱

88C、101C．．．吸附面

89．．．上側切割刀

91、98．．．支撑部

92、96．．．滑動部(第2移動部件)

93．．．底板

95．．．支柱塊

97．．．支承台(橡膠管製)

101A．．．下側單元的上游側吸引箱

101B．．．下側單元的下游側吸引箱

102．．．下側切割刀

106．．．控制部件

107．．．跳動機構

108．．．進給輥

110．．．與箭頭的搬送方向(薄膜搬送方向)正交的方向的正交線

110A、110B．．．輔助吸引箱

112．．．熱熔接線的中心線

A．．．接合部

B．．．熱熔接線

D．．．熱熔接線的寬度

L．．．薄膜寬度

L1、L2．．．尾端部分的長度

W0．．．薄膜寬度

θ．．．與箭頭的搬送方向(薄膜搬送方向)正交的方向的正交線與熱熔接線的中心線所成的角度

圖1是在光學薄膜的製造線上裝入有熱熔接接合裝置的概略結構圖。

圖2是熱熔接接合裝置的沿著薄膜搬送方向的側面圖。

圖3A的(A)、圖3A的(B)、圖3A的(C)、圖3A的(D)、圖3A的(E)是表示熱熔接接合方法的(A)～(E)的步驟的步驟圖。

圖3B的(F)、圖3B的(G)、圖3B的(H)、圖3B的(I)、圖3B的(J)是表示熱熔接接合方法的(F)～(J)的步驟的步驟圖。

圖3C的(K)、圖3C的(L)、圖3C的(M)是表示熱熔接接合方法的(K)～(M)的步驟的步驟圖。

圖4(A)、圖4(B)是對吸引箱的吸附面的光滑性和保持力進行說明的圖。

圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)是對接合部的尾端部分的長度進行說明的說明圖。

圖6是對斜向接合進行說明的說明圖。

圖7(A)、圖7(B)是將接合部的薄膜寬度方向兩端部切取成圓弧狀的說明圖。

圖8的(F₁)、圖8的(H₁)、圖8的(I₁)是在未設置輔助吸引箱時易產生的問題的說明圖。

圖9的(F₁)、圖9的(H₁)、圖9的(I₁)是對設置輔助吸引箱帶來的作用效果進行說明的說明圖。