TWI535001B - 有機發光顯示設備 - Google Patents

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TWI535001B TW099136074A TW99136074A TWI535001B TW I535001 B TWI535001 B TW I535001B TW 099136074 A TW099136074 A TW 099136074A TW 99136074 A TW99136074 A TW 99136074A TW I535001 B TWI535001 B TW I535001B
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金泰雄
李在燮
表瑩信
陳東彥
李東範
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Description

有機發光顯示設備
本發明之實施例關於一種有機發光顯示設備，更特別的是關於一種具有經提升可撓性之有機發光顯示設備。
可攜式薄平面顯示裝置之使用已相當地增加。從各平面顯示裝置、自發光顯示設備，諸有機以及無機發光顯示設備具有廣視角、卓越的對比度以及快速的反應時間。因此，該有機以及無機發光顯示設備已備受關注作為新世代的顯示裝置。再者，該有機發光顯示設備包含含有有機材料之發光層，其具有優於無機發光顯示設備之亮度、驅動電壓以及反應時間特性並且可以顯示各種顏色。
在該有機發光顯示設備中，陰極電極以及陽極電極係連接至有機發光層，並且當電壓施加至該些電極時，可見光產生於該有機發光層中。
很多研究已經進行於可撓性顯示裝置上，並且有機發光顯示設備在這方面已經被點出。
然而，該有機發光顯示設備包含複數個薄膜，例如如閘極絕緣體之絕緣層，其降低該有機發光顯示設備之該可撓性。
無機絕緣層亦更加降低該無機發光顯示設備之該可撓性。
在製造具有可撓性之特點的有機發光顯示設備中存在侷限性。
本發明之實施例提供一種有機發光顯示設備，其可容易地提升可撓性。
根據本發明之實施例的態樣，在此提供一種有機發光顯示設備，其包含：基板；安置於該基板上以及包含作用層、閘極電極、閘極絕緣體、源極電極以及汲極電極之薄膜電晶體；電性地連接至該源極電極或該汲極電極之第一電極；經安置以面對該第一電極之第二電極；以及中間層，其包含安置於該第一電極與該第二電極之間的有機發光層，其中該閘極絕緣體係經安置以絕緣該閘極電極與該作用層並且包含複數個彼此互相分隔開之圖案。
該有機發光顯示設備可以進一步包含複數個子像素，其中至少一個該圖案係安置於該子像素的每一者中。
該閘極絕緣體可以被形成而在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該中間層重疊。
該閘極電極可以被安置於該基板上，該閘極絕緣體可以被安置於該閘極電極上，該作用層可以被安置於該閘極絕緣體上，該源極電極以及該汲極電極可以被安置於該作用層上並且該有機發光顯示設備可以進一步包含經安置於該作用層與該源極電極之間以及於該作用層與該汲極電極之間之蝕刻阻擋層，其中該蝕刻阻擋層可以被圖案化以暴露該作用層之某部分。
該蝕刻阻擋層可以被形成而在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該中間層重疊。
該蝕刻阻擋層之外側邊緣在關於該基板厚度之方向不偏離該閘極絕緣體的範圍。
平坦層包含絕緣材料以及包含可以被安置在該薄膜電晶體之上部的接觸孔，該第一電極係經安置於該平坦層上並且可以透過該接觸孔被連接至該源極電極或該汲極電極，像素定義層包含可以被安置於該第一電極上之開口並且該中間層可透過該開口被電性地連接至該第一電極。
該閘極絕緣體可以被形成而在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該開口重疊。
該第一電極以及該閘極電極可以被形成在相同平面中。
該源極電極以及該汲極電極中之一者可以在一方向上被延伸並且與該第一電極被一體地形成。
該基板可包含可撓性材料。
本發明之實施例將於現在參照隨附圖式被完全地描述，其中顯示範例實施例。
圖1為圖示說明根據實施例之有機發光顯示設備100之剖面圖。圖2為從圖1之A所見之平面圖。
根據實施例之該有機發光顯示設備100包含基板101、薄膜電晶體(TFT)、第一電極110、中間層112以及第二電極113。在此，複數個子像素係安置於該基板101上。該TFT、該第一電極110、該中間層112包含有機發光層並且該第二電極113係安置於每一個子像素上。
該有機發光顯示設備100包含複數個子像素。然而，為了方便起見，僅三個子像素顯示於圖1中。該三個子像素從左至右分別被定義為第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3。
TFT係形成於每一個子像素中。在圖1中，一個TFT係形成於每一個子像素中，但是本實施例並不侷限於此。因此，每一個子像素中可以包含複數個TFT。
該TFT包含閘極電極103、閘極絕緣體104、作用層105、源極電極107以及汲極電極108。
每一個構件的建構將參照圖1及圖2被明確地描述於下。為了方便起見，圖2僅說明該閘極絕緣體104以及該第一電極110。
該基板101可以包含可撓性材料，諸如塑膠材料。該基板101可以包含有機材料，諸如聚醚堸(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、酸乙二酯(polyethyelenen napthalate，PEN)、聚乙對苯二甲酸酯(polyethyeleneterepthalate，PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚丙烯胺(polyallylate)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、纖維醋酸三酯(cellulose triacetate，TAC)以及醋酸丙酸(cellulose acetate propionate，CAP)。
在背發射型的情形中，影像係在該基板101之方向上執行，該基板101包含透明材料。在前發射型的情形中，影像係在相反於該基板101之方向上執行，該基板101不 需要包含透明材料。在此情況中，該基板101可包含金屬。當該基板101包含金屬時，該基板101可以包含選自由碳(C)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、不鏽鋼(stainless steel，SUS)、鎳鐵合金(invar alloy)、鎳鉻合金(inconel alloy)以及鎳鐵合金(kovar alloy)所組成之群組中之至少一金屬，但是並不局限於此。該基板101可以包含金屬箔。
緩衝層102可以被形成在該基板101之上部用以形成在該基板101之上部之平滑表面並且防止雜質滲透進入該基板101之上部中。
某圖案之閘極電極103係形成於該緩衝層102上。該閘極電極103可以包含金屬，諸如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)以及Mo或是諸如Al：Nd合金以及Mo：W合金之金屬合金，但是本實施例並不局限於此。考量與鄰近層之黏著性、平坦度、電阻率以及可製作性，各種材料可被用來形成該閘極電極103。該閘極電極103係連接至閘極線(未顯示)用於施加TFT開/關訊號。
該閘極絕緣體104係安置於該閘極電極103上。該閘極絕緣體104係用於絕緣該作用層105以及該閘極電極103，並且可被形成於有機材料或是諸如SiNx或SiO2之無機材料上。
該閘極絕緣體104包含複數個彼此互相分隔開之圖案。該閘極絕緣體104並非形成於一體地延展的圖案中。
該閘極絕緣體104包含第一圖案104a、第二圖案104b 以及第三圖案104c。該第一圖案104a係安置於該第一子像素SP1中。該第二圖案104b係安置於該第二子像素SP2中。該第三圖案104c係安置於該第三子像素SP3中。該第一圖案104a至第三圖案104c係彼此互相分隔開。
第一圖案104a至第三圖案104c之形式可為實質上地一致的，但是它們並不局限於此。該閘極絕緣體104之第一圖案104a至第三圖案104c之形式可根據包含於該有機發光顯示設備100中之TFT的形式而改變。該閘極絕緣體104之第一圖案104a至第三圖案104c之每一個圖案係以適當形式形成用於絕緣該閘極電極103以及該作用層105。該閘極絕緣體104之第一圖案104a至第三圖案104c可以被形成以具有小尺寸用於絕緣該閘極電極103以及該作用層105。因此，該閘極絕緣體104之圖案之間的分隔空間係大的。
為方便起見，第一圖案104a至第三圖案104c係顯示於圖1中。然而，如圖2所示，該閘極絕緣體104可以包含三個或是更多的圖案。
再者，該閘極絕緣體104包含第四圖案104d以及第五圖案104e，該些係經分別地安置於該有機發光顯示設備100之掃描線(未顯示)與資訊線(未顯示)交疊處部分以及該有機發光顯示設備100之掃描線與電源線(未顯示)交疊處部分。該第四圖案104d以及該第五圖案104e係經形成以具有小尺寸用於絕緣掃描線與資訊線交疊處部分以及掃描線與電源線交疊處部分。
該作用層105係經安置於該閘極絕緣體104上。該作 用層105可以包含有機半導體或是諸如非晶矽或是多晶矽之無機半導體，並且包含源極區域、汲極區域以及通道區域。
該源極與汲極區域可藉由摻雜雜質於包含非晶矽或是多晶矽之該作用層105s中以形成。當摻雜三族硼(B)可形成P型半導體，當摻雜五族氮(N)可形成N型半導體。
蝕刻阻擋層106係經安置於該作用層105與該源極電極107之間以及該作用層10以及該汲極電極108之間。該蝕刻阻擋層106包含絕緣材料並且係經圖案化以暴露該作用層105之某些範圍。該源極電極107以及該汲極電極108連至該作用層105之該暴露部分。
該蝕刻阻擋層106之外側邊緣在關於該基板厚度之方向不偏離該閘極絕緣體104的範圍。當自圖1的A看時，該蝕刻阻擋層106重疊該閘極絕緣體104。
該源極電極107以及該汲極電極108可以包含Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ir、Os、Ti、Al或Mo。再者，該源極電極107以及該汲極電極108可以包含由兩種或是更多種金屬所組成之合金，諸如Al：Nd合金或Mo：W合金，但是本實施例並不局限於此。
平坦層109係經安置於該源極電極107之上部上以及該汲極電極108之上部上。該平坦層109包含接觸孔109a以及透過該接觸孔109a所暴露之該汲極電極108的某些範圍。該平坦層109可以包含各種絕緣材料。
該第一電極110透過該接觸孔109a接觸該汲極電極 108。該第一電極110可以被形成為透明電極或是反射電極。當形成該第一電極110為透明電極時，該第一電極110可以包含ITO、IZO、ZnO或In2O3。當形成該第一電極110為反射電極時，該反射電極包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及該些金屬之組合中之一者，並且該第一電極110可以藉由形成具有ITO、IZO、ZnO或In2O3之層於反射電極上來形成。
像素定義層111係經形成於該第一電極110上。該像素定義層111包含絕緣材料。該像素定義層111包含開口111a以暴露該第一電極110。
該中間層112係經形成於開口111a中以接觸該第一電極110。該中間層112包含有機發光層，其發射光以反應該第一電極110及第二電極113之電性驅動。
該中間層112與該閘極絕緣體104d在下部並未重疊。對此來說，該第一電極110之位置以及該開口111a之位置係經控制的。
該中間層112包含有機材料。當該中間層112之該有機發光層包含低分子有機材料時，關於該有機發光層在該第一電極110的方向上堆疊電洞穿透層(Hole Transport Layer，HTL)以及電洞發射層(Hole Injection Layer，HIL)。電子穿透層(Electron Transport Layer，ETL)以及電子發射層(Electron Injection Layer，EIL)堆疊於該第二電極113之方向上。此外，不同層可以依據不同情況堆疊。有機材料為之範例適用於該中間層112可以包含銅酞花青(copper phthalocyanine，CuPc)、N'-二(萘-1-基)-N、N'-二苯基聯苯胺(NPB)以及參-8-羥基喹啉酸鋁(Alq3)。
當該中間層112之該有機發光層包含高分子有機材料時，關於有機發光層在該第一電極110之方向上僅可以包含HTL。高分子電洞穿透層係透過噴墨印刷製程或是旋轉塗佈製程藉由使用聚-(2,4)-乙烯-二氧乙基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成在像素電極212之該上部。該高分子有機發光層可以使用PPV、可溶性PPV'、氰基-PPV以及聚芴(polyfluorene)。彩色圖案可被形成於噴墨印刷製程、旋轉塗佈製程或是使用雷射之熱傳導製程。
該中間層112分別地被包含於該第一至第三子像素SP1至SP3中，其可包含有機發光層發射不同的可見光線。
該第二電極113係形成於該中間層112上。該第二電極113可藉由沉積金屬來形成，即具有低功函數之Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca以及該些金屬之合成並且沉積透明導電材料，如ITO、IZO、ZnO或In2O3於其上。
在本實施例中，第一電極110係陽極，且第二電極113係陰極。然而，第一電極110與第二電極113之極性可以被切換。
密封元件(未顯示)可被安置在第二電極113上。密封元件(未顯示)包含透明材料用於保護中間層112以及其他層以免受外來之水或是氧氣影響。於此，密封元件可具有一結構，於其中玻璃、塑膠、有機材料或是無機材料係經堆 疊成複數個層。
有機發光顯示設備100之閘極絕緣體104係經形成以具有彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體104係非整體地形成。
閘極絕緣體104包含無機材料。由於該無機層具有低可撓性，欲提升該有機發光顯示設備100之可撓性可能為困難的。然而，在本實施例中，藉由製造閘極絕緣體104之圖案，則有機發光顯示設備100之可撓性可被提升。
再者，該圖案之間的分離空間緩衝外部之壓力，並且因此有機發光顯示設備100之可撓性可被提升。
閘極絕緣體104之圖案係經形成而不重疊於發射可見光線之中間層112。從而，關於該有機發光顯示設備100之區域，更特別的是，對應於中間層112之部分的可撓性可被提升。因此，有機發光顯示設備100可被應用於各種領域。
有機發光顯示設備100包含蝕刻阻擋層106。蝕刻阻擋層106之外部邊緣不偏離閘極絕緣體104之範圍。當以無機材料形成蝕刻阻擋層106時，蝕刻阻擋層106影響有機發光顯示設備100之可撓性。然而，在本實施例中，當圖案化蝕刻阻擋層106時，蝕刻阻擋層106之外部邊緣不偏離閘極絕緣體104之範圍。因此，有機發光顯示設備100之可撓性可藉由閘極絕緣體104之形成而被提升。
圖3為剖面圖，其示意地解說一種根據另一實施例之有機發光顯示設備200。為了方便起見，下述之描述所介紹 之內容將不同於上述之實施例。
在圖3中，僅顯示一個子像素。然而，如上述所述之圖1之實施例中，複數個子像素係經包含於該有機發光顯示設備中。
有機發光顯示設備200包含基板201、TFT、第一電極210、中間層212以及第二電極213。
TFT包含閘極電極203、閘極絕緣體204、作用層205、源極電極207以及汲極電極208。
緩衝層202係經安置於基板201之上部部分。閘極電極203具有某圖案並且係經形成於緩衝層202上。閘極絕緣體204係安置於閘極電極203上。閘極絕緣體204包含複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體204並非以一體地延展方式所形成。
雖然未顯示，閘極絕緣體204包含在每一個子像素中彼此互相分隔開來之圖案。
作用層205係安置於閘極絕緣體204上，並且蝕刻阻擋層206係安置於作用層205上。源極電極207與汲極電極208係經連接至作用層205。蝕刻阻擋層206之外部邊緣不偏離閘極絕緣體204之範圍。
第一電極210係經連接至源極電極207與汲極電極208，並且第一電極210係形成於緩衝層202上。第一電極210與閘極電極203係經安置於相同平面中。
像素定義層211係形成於第一電極210、源極電極207以及汲極電極208上。像素定義層211包含開口211a以曝 露第一電極210。
中間層212係形成於開口211a中以接觸第一電極210。中間層212包含有機發光層(未顯示)。
中間層212與閘極絕緣體204在下部並沒有重疊。對此來說，該第一電極210之位置以及該開口211a之位置係經控制的。
第二電極213係經形成於中間層212上。密封元件(未顯示)可能經安置於第二電極213上。
有機發光顯示設備200之閘極絕緣體204係形成以具有複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣204之圖案化係形成而不重疊發射可見光線之中間層212，因而提升有機發光顯示設備200之可撓性。蝕刻阻擋層206之外部邊緣不偏離閘極絕緣體204之範圍，並且因此有機發光顯示設備200之可撓性可被提升。
再者，在有機發光顯示設備200中，第一電極210係安置於該緩衝層202上，如同閘極電極203。在有機發光顯示設備200中，絕緣層對應於平坦層之厚度係減少。藉由減少使用之絕緣層，有機發光顯示設備200之可撓性可更為增加，並且可撓性顯示裝置可容易地被實現。
圖4為剖面圖，其示意地解說一種根據另一實施例之有機發光顯示設備300。為了方便起見，下述之描述所介紹之內容將不同於上述之實施例。
在圖4中，僅顯示一個子像素。然而，此為方便起見，並且如上所述之圖1之實施例中，複數個子像素係包含於 該有機發光顯示設備300中。
有機發光顯示設備300包含基板201、TFT、第一電極310、中間層312以及第二電極313。
TFT包含閘極電極303、閘極絕緣體304、作用層305、源極電極307以及汲極電極308。
特別的是，緩衝層302係安置於基板301之上部部分上。某圖案之閘極電極303係形成於緩衝層302上。閘極絕緣體304係安置於該閘極電極303上。閘極絕緣體304包含複數個彼此互相分隔該來之圖案。閘極絕緣體304並非以一體地延展方式所形成。雖然未顯示，如圖1及圖2所示，閘極絕緣體304包含圖案，其經分隔以用於每一個子像素，並且在每一個子像素中彼此分隔開來。作用層305係安置於閘極絕緣體304上，並且蝕刻阻擋層306係安置於作用層305上。源極電極307與汲極電極308係連接至作用層305。蝕刻阻擋層306之外部邊緣不偏離閘極絕緣體304之範圍。
第一電極310係經一體地形成以連接至源極電極307和汲極電極308中之一者。在圖4中，汲極電極308係形成為長形以被延展。汲極電極308係長形地延展並且因此汲極電極308之一端變成第一電極310，其中第一電極310係形成於緩衝層302上。第一電極310與閘極電極303係安置於相同平面中。
像素定義層311係形成於第一電極310、源極電極307以及汲極電極308上。像素定義層311包含開口311a以曝 露第一電極310。
中間層312係形成於開口311a中以接觸第一電極310。中間層312包含有機發光層(未顯示)。
中間層312與閘極絕緣體304在下部分中沒有重疊。對此來說，該第一電極310之位置以及該開口311a之位置係經控制的。
第二電極313係形成於中間層312上。密封元件(未顯示)可能安置於第二電極313上。
有機發光顯示設備300之閘極絕緣體304係經形成以具有複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體304之圖案係形成而不重疊於發出可兼光線之中間層312，因此提升有機發光顯示設備300之可撓性。蝕刻阻擋層306之外部邊緣不偏離閘極絕緣體304之範圍，並且因此有機發光顯示設備300之可撓性可被提升。
再者，在有機發光顯示設備300中，第一電極310與汲極電極308係經一體地形成，並且第一電極310係安置於如同閘極電極303之緩衝層302上。在有機發光顯示設備300中，絕緣層對應於平坦層之厚度係減少。從而，有機發光顯示設備300之可撓性可被大大增加，並且可撓性顯示裝置可被容易地實現。
再者，由於第一電極310、源極電極307以及汲極電極308可被同時地形成，則製程之效率係經提升。
圖5為剖面圖，其示意地解說一種根據另一實施例之有機發光顯示設備400。為了方便起見，下述之描述所介紹 之內容將不同於上述之實施例。
在圖5中，僅顯示一個子像素。然而，此為方便起見，並且如上所述之圖1之實施例中，複數個子像素係經包含於該有機發光顯示設備400中。
有機發光顯示設備400包含基板401、TFT、第一電極410、中間層412以及第二電極413。
TFT包含作用層403、閘極絕緣體404、閘極電極405、源極電極407以及汲極電極408。
特別是，緩衝層402係安置於基板401之上部部分。某圖案之作用層403係形成於緩衝層402上。閘極絕緣體404係安置於作用層403上。閘極絕緣體404包含複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體404並非以一體地延展方式所形成。
雖然未顯示，如圖1及圖2中所示，閘極絕緣體404包含圖案，其經分隔以用於每一個子像素，並且在每一個子像素中彼此分隔開來。
閘極電極405係安置於閘極絕緣體404上，並且夾層介電材料406係安置於閘極電極405上。夾層介電材料406包含絕緣材料以絕緣閘極電極405、源極電極407以及汲極電極408。夾層介電材料406係經形成以暴露作用層403之某範圍。源極電極407與汲極電極408係連接至作用層406之暴露範圍。
夾層介電材料406之外部邊緣不偏離閘極絕緣體404之範圍。在關於圖5之基板401之厚度的方向上，夾層介 電材料406係經形成以重疊閘極絕緣體404。
平坦層409係安置於源極電極407之上部部分以及汲極電極408之上部部分。平坦層409包含接觸孔409a以及汲極電極408a透過接觸孔409a經曝露之某範圍。
第一電極410係連接至汲極電極408。像素定義層411係形成於第一電極410上。像素定義層411包含開口411a以曝露第一電極410。
中間層412係形成於開口411a中以接觸第一電極410。中間層412包含有機發光層(未顯示)。
中間層412與閘極絕緣體404在下部中沒有重疊。對此來說，該第一電極410之位置以及該開口411a之位置係經控制的。
第二電極413係形成於中間層412上。密封元件(未顯示)可能安置於第二電極413上。
有機發光顯示設備400之閘極絕緣體404係經形成以具有複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體404之圖案係經形成而不重疊發射可見光線之中間層412，因而提升有機發光顯示設備400之可撓性。夾層介電材料406之外部邊緣不偏離閘極絕緣體404之範圍，並且因此有機發光顯示設備400之可撓性可被提升。
圖6為剖面圖，其示意地解說一種根據另一實施例之有機發光顯示設備500。為了方便起見，下述之描述所介紹之內容將不同於上述之實施例。
在圖6中，僅顯示一個子像素。然而，此為方便起見， 並且如上所述之圖1之實施例中，複數個子像素係經包含於該有機發光顯示設備500中。
有機發光顯示設備500包含基板501、TFT、第一電極510、中間層512以及第二電極513。
TFT包含作用層503、閘極絕緣體504、閘極電極505、源極電極507以及汲極電極508。
特別是，緩衝層502係安置於基板501之上部部分。某圖案之作用層503係形成於緩衝層502上。閘極絕緣體504係安置於作用層503上。閘極絕緣體504包含複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體504並非以一體地延展方式所形成。雖然未顯示，如圖1及圖2中所示，閘極絕緣體504包含圖案，其經分隔以用於每一個子像素，並且在每一個子像素中彼此分隔開來。
閘極電極505係安置於閘極絕緣體504上，並且夾層介電材料506係安置於閘極電極505上。夾層介電材料506包含絕緣材料以絕緣閘極電極505、源極電極507以及汲極電極508。夾層介電材料506係經形成以暴露作用層503之某範圍。源極電極507與汲極電極508係連接至作用層506之暴露範圍。
夾層介電材料506之外部邊緣不偏離閘極絕緣體504之範圍。
第一電極510係與源極電極507和汲極電極508一體地形成。源極電極507或汲極電極508係以長形延展方式形成。在圖6中，汲極電極508係經形成長形以被延展。 當汲極電極508係經長形地延展，並且因此汲極電極508之一端變成第一電極510，其中第一電極510係形成於緩衝層502上。第一電極510與作用層503係安置於相同直線上。
像素定義層511係形成於第一電極510、源極電極507以及汲極電極508上。像素定義層511包含開口511a以曝露第一電極510。
中間層512係形成於開口511a中以接觸第一電極510。中間層512包含有機發光層(未顯示)。
中間層512與閘極絕緣體504在下部中沒有重疊。對此來說，該第一電極510之位置以及該開口511a之位置係經控制的。
第二電極513係形成於中間層512上。密封元件(未顯示)可安置於第二電極513上。
有機發光顯示設備500之閘極絕緣體504係經形成以具有複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體504之圖案係經形成而不重疊發射可見光線之中間層512，因此提升有機發光顯示設備500之可撓性。夾層介電材料506之外部邊緣不偏離閘極絕緣體504之範圍，並且因此有機發光顯示設備500之可撓性可被提升。
再者，在有機發光顯示設備500中，第一電極510以及汲極電極508係經一體地形成，並且第一電極510係安置於如同作用層503之緩衝層502上。在有機發光顯示設備500中，絕緣層對應於平坦層之厚度係減少。從而，有 機發光顯示設備500之可撓性可被大大增加，並且可撓性顯示裝置可被容易地實現。
再者，由於第一電極510、源極電極507以及汲極電極508可被同時地形成，則製程之效率係經提升。
圖7為剖面圖，其示意地解說一種根據另一實施例之有機發光顯示設備600。為了方便起見，下述之描述所介紹之內容將不同於上述之實施例。
在圖7中，僅顯示一個子像素。然而，此為方便起見，並且如上所述之圖1之實施例中，複數個子像素係經包含於該有機發光顯示設備600中。
有機發光顯示設備600包含基板601、TFT、第一電極610、中間層612以及第二電極613。
TFT包含作用層603、閘極絕緣體604、閘極電極605、源極電極607以及汲極電極608。
特別是，緩衝層602係安置於基板601之上部部分。某圖案之作用層603係形成於緩衝層602上。閘極絕緣體604係安置於作用層603上。閘極絕緣體604包含複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體604並非以一體地延展方式所形成。
雖然未顯示，如圖1及圖2中所示，閘極絕緣體604包含圖案，其經分隔以用於每一個子像素，並且在每一個子像素中彼此分隔開來。
閘極電極605係安置於閘極絕緣體604上，並且夾層介電材料60係安置於閘極電極605上。夾層介電材料606 包含絕緣材料以絕緣閘極電極605、源極電極607以及汲極電極608。夾層介電材料606係經形成以曝露作用層603之某範圍。源極電極607與汲極電極608係連接至作用層603之曝露範圍。
夾層介電材料606之外部邊緣不偏離閘極絕緣體604之範圍。
第一電極610係與源極電極607和汲極電極608一體地形成。第一電極610係形成於緩衝層602上。第一電極610與作用層603係安置在相同平面中。
像素定義層611係形成於第一電極610、源極電極607以及汲極電極608上。像素定義層611包含開口611a以曝露第一電極610。
中間層612係形成於開口611a中以接觸第一電極610。中間層612包含有機發光層(未顯示)。
中間層612與閘極絕緣體604在下部中沒有重疊。對此來說，該第一電極610之位置以及該開口611a之位置係經控制的。
第二電極613係形成於中間層612上。密封元件(未顯示)可安置於第二電極613上。
有機發光顯示設備600之閘極絕緣體604係經形成以具有複數個彼此互相分隔開來之圖案。閘極絕緣體604之圖案係經形成而不重疊發射可見光線之中間層612，因此提升有機發光顯示設備600之可撓性。夾層介電材料606之外部邊緣不偏離閘極絕緣體604之範圍，並且因此有機發 光顯示設備600之可撓性可被提升。
在有機發光顯示設備600中，第一電極610係安置於如同閘極電極603之緩衝層602上。在有機發光顯示設備600中，絕緣層對應於平坦層之厚度係減少。從而，有機發光顯示設備600之可撓性可被大大增加，並且可撓性顯示裝置可被容易地實現。
結果，根據實施例之有機發光顯示設備之可撓性可被提升。
當本實施例已經參照期之範例性實施例而被特別地顯示以及描述時，所屬技術領域中具有通常知識者將了解的是，在形式以及細節上之各種變化可在不違背由後所述之申請專利範圍所定義之精神及範疇而被實現。
100‧‧‧有機發光顯示設備
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極電極
104‧‧‧閘極絕緣體
104a‧‧‧第一圖案
104b‧‧‧第二圖案
104c‧‧‧第三圖案
104d‧‧‧第四圖案
104e‧‧‧第五圖案
105‧‧‧作用層
106‧‧‧蝕刻阻擋層
107‧‧‧源極電極
108‧‧‧汲極電極
109‧‧‧平坦層
109a‧‧‧接觸孔
110‧‧‧第一電極
111‧‧‧像素定義層
111a‧‧‧開口
112‧‧‧中間層
113‧‧‧第二電極
200‧‧‧有機發光顯示設備
201‧‧‧基板
202‧‧‧緩衝層
203‧‧‧閘極電極
204‧‧‧閘極絕緣體
205‧‧‧作用層
206‧‧‧蝕刻阻擋層
207‧‧‧源極電極
208‧‧‧汲極電極
210‧‧‧第一電極
211‧‧‧像素定義層
211a‧‧‧開口
212‧‧‧像素電極
213‧‧‧第二電極
300‧‧‧有機發光顯示設備
301‧‧‧基板
302‧‧‧緩衝層
303‧‧‧閘極電極
304‧‧‧閘極絕緣體
305‧‧‧作用層
306‧‧‧蝕刻阻擋層
307‧‧‧源極電極
308‧‧‧汲極電極
310‧‧‧第一電極
311‧‧‧像素定義層
311a‧‧‧開口
312‧‧‧中間層
313‧‧‧第二電極
400‧‧‧有機發光顯示設備
401‧‧‧基板
402‧‧‧緩衝層
403‧‧‧作用層
404‧‧‧閘極絕緣體
405‧‧‧閘極電極
406‧‧‧夾層介電材料或作用層
407‧‧‧源極電極
408‧‧‧汲極電極
409‧‧‧平坦層
409a‧‧‧接觸孔
410‧‧‧第一電極
411‧‧‧像素定義層
411a‧‧‧開口
412‧‧‧中間層
413‧‧‧第二電極
500‧‧‧有機發光顯示設備
501‧‧‧基板
502‧‧‧緩衝層
503‧‧‧作用層
504‧‧‧閘極絕緣體
505‧‧‧閘極電極
506‧‧‧夾層介電材料或作用層
507‧‧‧源極電極
508‧‧‧汲極電極
510‧‧‧第一電極
511‧‧‧像素定義層
511a‧‧‧開口
512‧‧‧中間層
513‧‧‧第二電極
600‧‧‧有機發光顯示設備
601‧‧‧基板
602‧‧‧緩衝層
603‧‧‧作用層
604‧‧‧閘極絕緣體
605‧‧‧閘極電極
606‧‧‧夾層介電材料or作用層
607‧‧‧源極電極
608‧‧‧汲極電極
610‧‧‧第一電極
611‧‧‧像素定義層
611a‧‧‧開口
612‧‧‧中間層
613‧‧‧第二電極
SP1‧‧‧第一子像素
SP2‧‧‧第二子像素
SP3‧‧‧第三子像素
本實施例之上述以及其他特性及優點將藉由以參照隨附圖示詳細的描述範例性實施例而變得更為明顯，其中：圖1為剖面圖示意地說明根據實施例之有機發光顯示設備；圖2為自圖1之A所看到之平面圖；圖3為剖面圖示意地說明根據另一實施例之有機發光顯示設備；圖4為剖面圖示意地說明根據另一實施例之有機發光顯示設備；圖5為剖面圖示意地說明根據另一實施例之有機發光顯示設備； 圖6為剖面圖示意地說明根據另一實施例之有機發光顯示設備；以及圖7為剖面圖示意地說明根據另一實施例之有機發光顯示設備。
100‧‧‧有機發光顯示設備
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧閘極電極
104‧‧‧閘極絕緣體
104a‧‧‧第一圖案
104b‧‧‧第二圖案
104c‧‧‧第三圖案
105‧‧‧作用層
106‧‧‧蝕刻阻擋層
107‧‧‧源極電極
108‧‧‧汲極電極
109‧‧‧平坦層
109a‧‧‧接觸孔
110‧‧‧第一電極
111‧‧‧像素定義層
111a‧‧‧開口
112‧‧‧中間層
113‧‧‧第二電極
SP1‧‧‧第一子像素
SP2‧‧‧第二子像素
SP3‧‧‧第三子像素

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：基板；薄膜電晶體，其安置在該基板上，並且包含作用層、閘極電極、閘極絕緣體、源極電極以及汲極電極；第一電極，其電性地連接至該源極電極或該汲極電極；第二電極，其經安置以面對該第一電極；以及中間層，其包含安置於該第一電極和該第二電極之間的有機發光層，其中該閘極絕緣體經建構以絕緣該閘極電極和該作用層並且包含複數個彼此互相分隔開之圖案，且該閘極絕緣體在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該中間層重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示設備，進一步包含複數個子像素，其中圖案中之至少一者係經安置於每一個該子像素中。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示設備，其中：該閘極電極係安置於該基板上，該閘極絕緣體係安置於該閘極電極上，該作用層係安置於該閘極絕緣體上，該源極電極以及汲極電極係安置於該作用層上，並且其中該有機發光顯示設備進一步包含安置於該作用層與該源極電極之間以及該作用層與該汲極電極之間之蝕刻 阻擋層，其中該蝕刻阻擋層係經圖案化以暴露該作用層之某些部分。
  4. 如申請專利範圍第3項之有機發光顯示設備，其中該蝕刻阻擋層在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該中間層重疊。
  5. 如申請專利範圍第3項之有機發光顯示設備，其中該蝕刻阻擋層之外側邊緣在關於該基板厚度之方向不偏離該閘極絕緣體的範圍。
  6. 如申請專利範圍第3項之有機發光顯示設備，進一步包含平坦層，其包含絕緣材料並且包含安置於該薄膜電晶體之上部的接觸孔，其中該第一電極係安置於該平坦層上並且透過該接觸孔連接至該源極電極或該汲極電極，進一步包含像素定義層，其包含安置於該第一電極上之開口，並且其中該中間層透過該開口電性地連接至該第一電極。
  7. 如申請專利範圍第6項之有機發光顯示設備，其中該閘極絕緣體在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該開口重疊。
  8. 如申請專利範圍第3項之有機發光顯示設備，其中該第一電極以及該閘極電極係形成於相同平面中。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示設備，其中：該作用層係安置於該基板上，該閘極絕緣體係安置於該作用層上， 該閘極電極係安置於該閘極絕緣體上，該源極電極及該汲極電極係安置於該閘極電極上，並且該有機發光顯示設備進一步包含安置於該閘極電極與該源極電極之間以及於該閘極電極與該汲極電極之間之夾層介電材料，其中該夾層介電材料系經圖案化以暴露該作用層之某些部分。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機發光顯示設備，其中該夾層介電材料在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不與該中間層重疊。
  11. 如申請專利範圍第9項之有機發光顯示設備，其中該夾層介電材料之外側邊緣在關於該基板厚度之方向不偏離該閘極絕緣體的範圍。
  12. 如申請專利範圍第9項之有機發光顯示設備，進一步包含：平坦層，其包含絕緣材料並且包含安置於該薄膜電晶體之上部的接觸孔，其中該第一電極係安置於該平坦層上並且透過該接觸孔連接至該源極電極或該汲極電極，進一步包含像素定義層，其包含安置於該第一電極上之開口，並且其中該中間層透過該開口電性地連接至該第一電極。
  13. 如申請專利範圍第12項之有機發光顯示設備，其中該閘極絕緣體在關於與該基板厚度之方向平行的方向上不 與該開口重疊。
  14. 如申請專利範圍第9項之有機發光顯示設備，其中該第一電極以及該作用層係經形成於相同平面中。
  15. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示設備，其中該源極電極與該汲極電極中之一者係延伸於一方向上並且係與該第一電極一體地形成。
  16. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示設備，其中該基板包含可撓性材料。
  17. 如申請專利範圍第2項之有機發光顯示設備，其中該基板包含可撓性材料。
  18. 如申請專利範圍第6項之有機發光顯示設備，其中該基板包含可撓性材料。
  19. 如申請專利範圍第12項之有機發光顯示設備，其中該基板包含可撓性材料。
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