TWI523961B - 有機薄膜形成裝置 - Google Patents

Description

有機薄膜形成裝置

本發明，係有關於有機薄膜形成裝置，特別是有關在真空氛圍中而於薄膜上形成有機薄膜之有機薄膜形成裝置。

在真空氛圍中而於薄膜上形成有機薄膜之薄膜形成裝置，係從先前技術起便被作使用，並在薄膜上形成金屬薄膜或有機薄膜，而生產食品包裝用之薄膜或者是電子零件用之薄膜。

若是在圖5中對於該裝置作展示，則此有機薄膜形成裝置101，係具備有真空槽111，在真空槽111之中，係被配置有將成膜對象之基材薄膜105作了捲取的原料卷102、和將從原料卷102所捲送的基材薄膜105作捲取之捲取裝置103。

為了在基材薄膜105上形成有機薄膜，首先，係從原料卷102而將基材薄膜105作捲送，並在使基材薄膜105之背面與被配置在真空槽111之中央處的中央 輥104之側面的一部份作了接觸的狀態下，將作了捲送的部分之前端安裝於捲取裝置103處。

對於真空槽111內進行真空排氣，並以不會使基材薄膜105和中央輥104之表面產生滑動的方式而使中央輥104旋轉，而將基材薄膜105從原料卷102而作捲送，再將被作了捲送之基材薄膜105藉由捲取裝置103來作捲取。

在與中央輥104和基材薄膜105相接觸之部分相對面之位置處，係被配置有蒸氣產生裝置106，若是藉由加熱裝置107而加熱被配置在蒸氣產生裝置106內之有機材料，則係在蒸氣產生裝置106內而產生有機材料之蒸氣，並從蒸氣產生裝置106之放出口而朝向中央輥104來放出有機材料之蒸氣。在與放出口相對面之位置處，基材薄膜105係一面與中央輥104相接觸一面作移動，有機材料之蒸氣，係在與放出口相對面之位置處而到達移動中之基材薄膜105的表面，並在該表面上形成有機薄膜，再藉由捲取裝置103而作捲取，來得到捲取卷108。

然而，在上述一般之有機薄膜形成裝置101中，有機材料之硬化係並不充分，而對於在捲取前而促進硬化反應之技術有所要求。

又，對於被形成於基材薄膜105上之有機薄膜，係針對膜厚之均一性以及不會使真空槽111之內部被放出至真空槽111內之有機材料蒸氣而污染的技術有所要求。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特表2000-508089號公報

[專利文件2] 日本特開2010-236076號公報

[專利文件3] 日本特許第3502261號

本發明，係為了解決上述之先前技術之問題所創作者，其目的，係在於提供一種不會由於蒸氣而導致真空槽內被污染，並且以高成膜速率來形成硬化了的有機薄膜之有機薄膜形成裝置。

為了解決上述問題，本發明，係為一種薄膜形成裝置，其係具備有：真空槽；和蒸氣放出裝置；和能量線射出裝置；和捲送裝置；和捲取裝置；以及圓筒狀之中央輥，被裝著在前述捲送裝置處之基材薄膜的原料卷係被作捲送，被作了捲送的基材薄膜，係一面使背面與前述中央輥之側面作接觸一面在前述真空槽內行走，並藉由前述捲取裝置而被作捲取，在此期間中，從前述蒸氣放出裝置之放出口而放出至前述真空槽內之有機化合物的蒸氣，係到達與前述中央輥之側面相接觸的部分之前述基材薄膜 的表面，並形成有機原料層，之後，從前述能量線射出裝置之射出部所射出的能量線，係被照射至前述有機原料層處，前述有機原料層中之前述有機化合物係產生化學反應，並形成有機薄膜，該薄膜形成裝置，其特徵為，係構成為：在前述真空槽之外部，係被配置有產生前述有機化合物之蒸氣並供給至前述蒸氣放出裝置處之蒸氣產生裝置，在前述真空槽之內部，係被配置有緩衝室，在前述真空槽內部且為前述緩衝室之外部處，係被配置有硬化室，在前述緩衝室之內部，係被配置有成膜室，前述緩衝室和前述成膜室以及前述硬化室，係分別被與真空排氣裝置作連接，前述放出口係被配置在前述成膜室之內部，前述射出部係被配置在前述硬化室中，前述中央輥，係以將位置在前述緩衝室中之旋轉軸線作為中心而旋轉的方式來作配置，在形成前述成膜室之成膜室隔壁中，於位置在前述旋轉軸線和前述放出口之間的部分處，設置成膜室開口，前述放出口和前述中央輥之側面係相互對面，在形成前述硬化室之硬化室隔壁中，於位置在前述旋轉軸線和前述射出部之間的部分處，設置硬化室開口，前述射出部和前述中央輥之側面係相互對面。

又，本發明，係為一種薄膜形成裝置，其中，在前述中央輥處，係被連接有冷卻裝置，前述冷卻裝置，係構成使冷媒在前述中央輥和前述冷卻裝置之間循環，並冷卻前述中央輥。

又，本發明，係為一種薄膜形成裝置，其中，前述中 央輥之側面的與前述放出口相對面之部分，係被從前述成膜室開口而插入至前述成膜室之內部，前述中央輥之側面的與前述射出部相對面之部分，係被從前述硬化室開口而插入至前述硬化室之內部。

又，本發明，係為一種薄膜形成裝置，其中，係具備有對於前述蒸氣產生裝置供給載體氣體之載體氣體供給裝置，將前述載體氣體和前述有機化合物之蒸氣作了混合後的混合氣體，係從前述放出口而被放出。

又，本發明，係為一種薄膜形成裝置，其中，係藉由前述真空排氣裝置，而以使前述成膜室之壓力會被設為較前述緩衝室之壓力更高而前述硬化室之壓力會被設為較前述緩衝室更低的方式，來進行真空排氣。

本發明，由於係將蒸氣產生室配置在真空槽之外部，並將成膜室開口配置在緩衝室之內部，因此，有機化合物之補充係變得容易，而不會有從有機化合物所產生之蒸氣流入至硬化室或輥室中的情形。

由於係將中央輥冷卻至蒸氣之凝縮溫度以下的溫度，因此係能夠使藉由加熱所形成的有機化合物之蒸氣凝縮(除了氣體之液化以外，亦包含有氣體之固化)，並且，由於係將藉由凝縮所形成之有機原料層藉由能量樹脂來硬化，因此係能夠得到強韌之有機薄膜。

又，由於係藉由載體氣體來搬運所產生之蒸 氣，因此係能夠將多量之蒸氣從蒸氣產生室而供給至成膜室中，而能夠增快成膜速率。

又，由於係藉由1個的中央輥來進行有機原料層之形成和有機原料層之硬化，因此，係能夠將真空槽之體積縮小。

11‧‧‧真空槽

12‧‧‧真空排氣裝置

14‧‧‧旋轉軸線

17‧‧‧中央輥

19b‧‧‧放出口

21‧‧‧原料卷

23‧‧‧基材薄膜

26‧‧‧蒸氣產生裝置

27‧‧‧載體氣體供給裝置

30‧‧‧冷卻裝置

32‧‧‧捲送裝置

33‧‧‧捲取裝置

35‧‧‧有機原料層

36‧‧‧有機薄膜

41‧‧‧輥室

42‧‧‧緩衝室

43‧‧‧成膜室

44‧‧‧硬化室

54‧‧‧成膜室開口

56‧‧‧硬化室開口

[圖1]用以說明本發明之薄膜形成裝置之圖。

[圖2](a)(b)：用以說明放出口的圖。

[圖3](a)：用以說明成膜室開口之圖，(b)：用以說明硬化室開口之圖。

[圖4](a)：對於在基材薄膜上被形成有有機原料層的狀態作展示之圖，(b)；對於從有機原料層而形成聚合物之有機薄膜的狀態作展示之圖。

[圖5]先前技術之薄膜形成裝置。

圖1，係對於本發明之薄膜形成裝置10作展示。

此薄膜形成裝置10，係具備有真空槽11，真空槽11之內部，係藉由區隔板51而被作區隔，在真空槽11之內部的區隔板51之單側處，係被形成有輥室41。

在區隔板51之相反側處，係形成有緩衝室 42，在緩衝室42之內部，係被配置有成膜室隔壁52，並藉由成膜室隔壁52，而形成與緩衝室42之內部空間相互分離的成膜室43。

又，在緩衝室42之內部的與成膜室43相分離之位置處，係被配置有硬化室隔壁53，在緩衝室42之內部，係藉由硬化室隔壁53，而形成與緩衝室42之內部空間相互分離的硬化室44。成膜室43和硬化室44之間，亦係相互分離。

在緩衝室42之內部，係被配置有金屬製且為圓筒形狀之中央輥17。於此，在緩衝室42之內部，係被水平配置有旋轉軸18，中央輥17，係使其之中心軸線與旋轉軸18之中心軸線相一致地而被安裝在旋轉軸18上，旋轉軸18和中央輥17，係構成為以相一致之中心軸線作為中心而一同旋轉。圖1之符號14，係身為成為旋轉軸18和中央輥17之旋轉的中心之旋轉軸線，且亦身為旋轉軸18和中央輥17之間的中心軸線。

輥室41和成膜室43以及硬化室44，係被配置在中央輥17之側面的周圍處。

如圖3(a)中所示一般，在成膜室隔壁52處，係被形成有成膜室開口54，又，如圖3(b)中所示一般，在硬化室隔壁53處，係被形成有硬化室開口56。

成膜室開口54之寬幅和硬化室開口56之寬幅以及下述之通過口的寬幅，係被設為相較於中央輥17之側面的寬幅(底面間之距離)而更些許大，中央輥17 之側面，係將身為其之圓周方向的一部份之寬幅方向的全部之部分插入至成膜室43內，並將中央輥17之身為側面的圓周方向之另外一部份之寬幅方向的全部之部分插入至硬化室44內，被作了插入的部分之側面，係露出於成膜室43和硬化室44之內部。

在輥室41之內部，係被配置有捲送裝置32和捲取裝置33。

在捲送裝置32處，係被裝著有將身為成膜對象之長條的基材薄膜23作捲取所構成之原料卷21，為了將原料卷21之基材薄膜23藉由捲取裝置33來作捲取，首先係將位置在原料卷21之外周處的基材薄膜23之端部拉出。

在區隔板51處，係被形成有通過口，被拉出的部分之前端，係通過通過口而被搬入至緩衝室42之內部，並與中央輥17之側面相接觸，且沿著側面之圓周方向而移動，並通過成膜室43之內部和緩衝室42之內部和硬化室44之內部以及緩衝室42之內部，而回到輥室41中，並被固定在捲取裝置33處。

中央輥17，係構成為與區隔板51和成膜室隔壁52以及硬化室隔壁53成為非接觸。

在旋轉軸18和捲取裝置33處，係分別被設置有馬達37a、37b。

捲送裝置32，係構成為能夠作旋轉，若是藉由馬達37a、37b，使旋轉軸18以及中央輥17和捲取裝置33分別作旋轉，則原料卷21係藉由被作了捲送之基材 薄膜23而被作牽引，並與捲送裝置32一同旋轉，而更進而從原料卷21而捲送出基材薄膜23。被捲送出去之量，係藉由捲取裝置33而以不會在基材薄膜23處產生有鬆弛的方式來作捲取。

當在基材薄膜23之表面上形成有機薄膜時，首先，係藉由真空排氣裝置12而將真空槽11之內部作真空排氣。

真空排氣裝置12，係分別與輥室41和緩衝室42和成膜室43以及硬化室44個別地作連接，並構成為能夠將各室41~44個別地進行真空排氣。

又，各室41~44，係當在各室41~44內而形成了真空氛圍之後，亦繼續進行真空排氣，在以下之說明中，係構成為在各室41~44內被形成有真空氛圍並且持續進行真空排氣者。

在成膜室43之內部，係被配置有蒸氣放出裝置19。

在真空槽11之外部，係被配置有蒸氣產生裝置26，蒸氣放出裝置19，係被與蒸氣產生裝置26相連接。

蒸氣產生裝置26，係具備有加熱裝置、和被配置有液體或固體之有機化合物的容器，並構成為藉由加熱裝置來一次少量地加熱被配置在容器中之有機化合物，而產生蒸氣。

於此，藉由加熱，有機化合物係蒸發或是昇華並產生氣體，在本發明中，係將藉由昇華所產生的氣體亦設為包 含在「蒸氣」中者。

在蒸氣產生裝置26處，係被配置有供給載體氣體(稀有氣體、N₂氣體等之不會與有機化合物產生反應的氣體)之載體氣體供給裝置27，並構成為能夠從載體氣體供給裝置27來對於蒸氣產生裝置26之內部供給被作加熱並升溫至特定溫度之載體氣體。

一面供給此載體氣體，一面在蒸氣產生裝置26之內部產生有機化合物之蒸氣，所產生的蒸氣，係與載體氣體相混合並成為混合氣體，藉由蒸氣放出裝置19和蒸氣產生裝置26之間的壓力差，混合氣體係被輸送至蒸氣放出裝置19處。

在圖2(a)中對於蒸氣放出裝置之其中一例作展示。

蒸氣放出裝置19，係具備有內部中空之放出裝置本體19a、和被設置在放出裝置本體19a處之細長的放出口19b，從蒸氣放出裝置19所供給之蒸氣和載體氣體的混合氣體，係在放出裝置本體19a內而均一地擴散，並從放出口19b而被均一地放出至成膜室43內。

放出口19b，係在與中央輥17之側面相對面的位置處，而以使長邊方向與旋轉軸線14相平行的方式來作配置，在放出口19b和中央輥17之間，係配置有基材薄膜23。

放出口19b之長邊方向的長度，係被設為較基材薄膜23之寬幅更長，放出口19b之兩端，係構成為會超出至 基材薄膜23之寬幅方向的外側處。

若是蒸氣與載體氣體一同地而被從放出口19b放出，則蒸氣係到達包含有基材薄膜23之寬幅方向的兩端之範圍處。

另外，如圖2(b)中所示一般，亦可構成為將圓形開口之放出口19b與基材薄膜23之寬幅方向相平行地來在較基材薄膜23之寬幅更長的範圍中而配置1列或者是作複數列之並排。

在中央輥17之側面中的與放出口19b相對面之部分處，於中央輥17和放出口19b之間的基材薄膜23之背面，係與中央輥17之側面相接觸，從放出口19b所被放出之蒸氣，係到達基材薄膜23上之背面會與中央輥17相接觸的部分。

基材薄膜23之表面的各部分，係在被移動至從放出口19b所放出之蒸氣會到達的位置處之前，便與中央輥17相接觸，並如同後述一般，藉由中央輥17而被作冷卻，被作了冷卻的基材薄膜23，係被設為會使蒸氣所到達之部分的基材薄膜23之表面附近的蒸氣之分壓成為較在成膜室43之內部壓力下的飽和蒸氣壓而更高一般之溫度。

故而，到達了該基材薄膜23之表面處的蒸氣，係凝縮而成為液體或是氣體，在基材薄膜12之表面上，係形成有由凝縮了的蒸氣所成之有機原料層。圖4(a)，係為對於在基材薄膜23上形成了有機原料層35 之狀態作展示。

在蒸氣產生裝置26之內部，係被配置有單體之有機化合物，其之蒸氣，係為氣體之單體。故而，有機原料層35，係為藉由該單體所構成之單體層。

基材薄膜23，係在從原料卷21而被送出後，在被形成有機原料層35之前，先使背面與中央輥17相接觸，如同上述一般，當使中央輥17和捲取裝置33旋轉並使基材薄膜23移動時，中央輥17和捲取裝置33，係在使基材薄膜23之背面與中央輥17之側面作了接觸的狀態下，以不會使背面擦過地來移動的方式而作旋轉。

被形成了有機原料層35之基材薄膜23，係在使背面與中央輥17作了接觸的狀態下，從成膜室43而被搬出，並在通過了緩衝室42之後，被搬入至硬化室44之內部。

在硬化室44中，係被設置有能量線射出裝置16。

能量線射出裝置16，係具備有射出部13，射出部13，係被配置在硬化室44之內部，並構成為從射出部13而朝向硬化室44之內部射出能量線。

被射出的能量線，係被照射至與中央輥17之被插入至硬化室44之內部的側面相接觸之基材薄膜23的表面之有機原料層35上。

能量線之基材薄膜23的照射範圍，係為沿著基材薄膜23之寬幅方向的直線狀，亦即是，係成為朝向與基材薄膜23之移動方向相垂直的方向而延伸之直線 狀，並被照射至較寬幅方向而更廣的範圍處。照射範圍之寬幅係為一定，有機原料層35，當通過照射位置時，其之寬幅方向的全部之位置係以能量線之寬幅而被作照射。

在有機原料層35之被照射有能量線的部分處，係藉由能量線所具有之能量而產生單體之聚合反應，隨著聚合反應之進行，單體係成為聚合物，而從有機原料層35形成聚合物之有機薄膜。圖4(b)之符號36，係代表該有機薄膜。

於此，能量線係為電子，但是，亦可為輻射其他之素粒子或荷電粒子者，或者是輻射電磁波(包含光)者。

但是，當能量線為具有電荷的情況時，被照射之基材薄膜23係會帶電。在本發明中，中央輥17係被與接地電位作連接，故而，起因於能量線之照射而欲在有機薄膜36或者是基材薄膜23中積蓄之電荷，係會從中央輥17而流出至接地電位以使帶電減少。

在中央輥17處，係被設置有冷卻裝置30，冷卻裝置30，係使冷媒在冷卻裝置30和中央輥17之間循環，並構成為使冷卻了的冷媒在中央輥17內部之流路中流動以將中央輥17冷卻。

基材薄膜23之背面，在成膜室43之內部中，係與中央輥17之側面中的被插入至成膜室43之內部的部分相接觸，在硬化室44之內部中，係與中央輥17之側面中的被插入至硬化室44之內部的部分相接觸，在從 有機原料層35之形成前起直到有機薄膜36被形成之後為止的期間中，基材薄膜23之背面係與同一之中央輥17相接觸。於此期間中，基材薄膜23係藉由中央輥17而被作冷卻，並成為一面被冷卻一面移動。

由於到達了基材薄膜23處之蒸氣和被照射至基材薄膜23以及有機原料層35處之能量線所導致之熱，係會使在中央輥17之流路中流動的冷媒升溫，被升溫後之冷媒，係回到冷卻裝置30處。

在冷卻裝置30處，冷媒係放熱並被冷卻，在中央輥17處，係輸送有被作了冷卻的冷媒，藉由此，冷媒係作循環。

另外，基材薄膜23，係只要在使有機化合物之蒸氣凝縮之前而先與中央輥17接觸並被冷卻至會使其凝縮之溫度即可，開始接觸之位置，係可為輥室41之內部、緩衝室42之內部或成膜室43之內部的任一之場所。

被形成了有機薄膜36之部分的基材薄膜23，係一面使背面與中央輥17相接觸，一面通過硬化室開口56而被從硬化室44搬出，再被搬入至緩衝室42中，並通過緩衝室42，且通過被形成在區隔板51處之通過口，而被搬入至輥室41中。

若是電子等之荷電粒子朝向基材薄膜23而輻射，則基材薄膜23係會帶電，在將基材薄膜23從中央輥17而分離時，會起因於帶電之靜電力而導致基材薄膜23被吸附在中央輥17上，而會有分離失敗並使基材薄膜23 被捲入至中央輥17處的情況。

在本發明中，係在接近於將基材薄膜23從中央輥17而分離之位置處，設置有除電裝置28，並使除電裝置28所形成之電漿一直擴廣至分離位置處，而在分離前使帶電量減少。

分離位置，係應被配置在除電裝置28所被作配置之室內，於此，係為輥室41。

被形成了有機薄膜36之部分的基材薄膜23，係於輥室41中，在被從中央輥17而作了分離之後，通過除電裝置28所形成的電漿之中並被作除電，再藉由捲取裝置33而被作捲取。故而，由於被形成了有機薄膜36之基材薄膜23係並未帶電，因此將此作了捲取之捲取裝置33亦並不會帶電，而不會有起因於帶電所導致的基材薄膜23之吸附的情形。

如同以上所說明一般，藉由凝縮，在基材薄膜23處，係附著有從蒸氣放出裝置19所放出之單體的蒸氣並形成有機原料層35。又，在有機原料層35處，係被照射有能量線並產生聚合反應並使其硬化而形成有機薄膜36。於此期間中，基材薄膜23，係使背面與同一之中央輥17相接觸，而能夠藉由1個的中央輥17來得到被形成了有機薄膜36之基材薄膜23。於此情況，係成為在一旦使基材薄膜23與中央輥17作了接觸之後，直到被形成了有機薄膜36並相互分離為止的期間中，係並不作分離。

針對成膜室43之真空氛圍，成膜室43，係被 配置在緩衝室42之內部，藉由成膜室隔壁52和真空槽11之槽壁，緩衝室42之內部和成膜室43之內部係相互分離。緩衝室42之內部和成膜室43之內部，係僅藉由成膜室開口54而相連接，在成膜室開口54以外之部分處係被作遮蔽。

硬化室44之真空氛圍，係藉由硬化室開口56而被與緩衝室42之真空氛圍相連接，輥室41之真空氛圍，係藉由區隔板51之通過口而被與緩衝室42之真空氛圍相連接，但是，成膜室開口54，係被配置在緩衝室42之內部，從成膜室開口54所流出之蒸氣或載體氣體，係藉由將緩衝室42真空排氣之真空排氣裝置12而被作真空排氣，並成為不會流入至硬化室44和輥室41中。

另外，若是將對於被設置在本發明之成膜室43中的全部之裝置作控制之構件設為控制裝置29，則係藉由控制裝置29，而對於真空排氣裝置12之各室41~44的個別之排氣速度和相對於蒸氣產生裝置26之載體氣體的供給量作控制。又，藉由控制裝置29和真空排氣裝置12，係以使成膜室43之壓力成為較緩衝室42之壓力更高而硬化室44之壓力成為較緩衝室42更低的方式，來進行真空排氣。

在對於各室進行真空排氣時，係以使輥室41之壓力會成為較緩衝室42之壓力更高的方式而進行真空排氣，從成膜室43之成膜室開口54所流入至緩衝室42內之有機化合物的蒸氣，係從緩衝室42而被作真空排氣，並成 為不會從硬化室開口56或通過口而流入至硬化室44或輥室41中。在輥室41中，係亦可設置氣體導入裝置，並導入惰性氣體。

另外，在中央輥17之內部，係被設置有溫度感測器，控制裝置29係藉由溫度感測器而對於中央輥17之溫度作測定，並以使中央輥17之溫度成為特定之溫度範圍內的方式來控制冷卻裝置30，而能夠對於被形成有機原料層35時之基材薄膜23的溫度或者是在使有機原料層35硬化並形成有機薄膜36時的基材薄膜23之溫度作控制。

又，係亦可藉由控制裝置29而對於能量線射出裝置16和除電裝置28、蒸氣產生裝置26等作控制。

在上述例中，雖係在旋轉軸18和捲取裝置33處連接有馬達37a、37b，但是，係亦可構成為在捲送裝置32處而亦連接馬達並藉由馬達之旋轉力來對於原料卷21之旋轉作輔助。

另外，此載體氣體之供給量，係藉由載體氣體供給裝置27所具備之被控制裝置29所控制的質量流裝置來作流量控制，而能夠藉由控制裝置29來對於基材薄膜23上之有機原料層35的成長速度作控制。

亦可構成為在上述真空排氣裝置12處設置複數之真空幫浦，並在各室41~44處而分別連接各個真空幫浦，來對於各室41~44之壓力分別個別地作控制。

又，在上述實施例中，係構成為在硬化室44 之內部設置遮罩板55，並使通過了遮罩板55之開口的能量線照射至基材薄膜23處，以對於照射位置以外之基材薄膜23暴露在能量線中的情況作防止。

上述除電裝置28，係在框體內部配置有施加正電壓之電極和施加負電壓之電極的1組之電極31，又，係配置有用以將電漿封閉之磁石38。

另外，上述單體，係廣泛地包含有能夠藉由能量線之照射而聚合並形成有機薄膜之有機化合物。

10‧‧‧薄膜形成裝置

11‧‧‧真空槽

12‧‧‧真空排氣裝置

13‧‧‧射出部

14‧‧‧旋轉軸線

16‧‧‧能量線射出裝置

17‧‧‧中央輥

18‧‧‧旋轉軸

19‧‧‧蒸氣放出裝置

21‧‧‧原料卷

23‧‧‧基材薄膜

26‧‧‧蒸氣產生裝置

27‧‧‧載體氣體供給裝置

28‧‧‧除電裝置

29‧‧‧控制裝置

30‧‧‧冷卻裝置

31‧‧‧電極

32‧‧‧捲送裝置

33‧‧‧捲取裝置

37a、37b‧‧‧馬達

38‧‧‧磁石

41‧‧‧輥室

42‧‧‧緩衝室

43‧‧‧成膜室

44‧‧‧硬化室

51‧‧‧區隔板

52‧‧‧成膜室隔壁

53‧‧‧硬化室隔壁

55‧‧‧遮蔽板

Claims (5)

1. 一種薄膜形成裝置，係具備有：真空槽；和蒸氣放出裝置；和能量線射出裝置；和捲送裝置；和捲取裝置；以及圓筒狀之中央輥，被裝著在前述捲送裝置處之基材薄膜的原料卷係被作捲送，被作了捲送的基材薄膜，係一面使背面與前述中央輥之側面作接觸一面在前述真空槽內行走，並藉由前述捲取裝置而被作捲取，在此期間中，從前述蒸氣放出裝置之放出口而放出至前述真空槽內之有機化合物的蒸氣，係到達與前述中央輥之側面相接觸的部分之前述基材薄膜的表面，並形成有機原料層，之後，從前述能量線射出裝置之射出部所射出的能量線，係被照射至前述有機原料層處，前述有機原料層中之前述有機化合物係產生化學反應，並形成有機薄膜，該薄膜形成裝置，其特徵為，係構成為：在前述真空槽之外部，係被配置有產生前述有機化合物之蒸氣並供給至前述蒸氣放出裝置處之蒸氣產生裝置，在前述真空槽之內部，係被配置有緩衝室，在前述真空槽內部且為前述緩衝室之外部處，係被配置有硬化室， 在前述緩衝室之內部，係被配置有成膜室，前述緩衝室和前述成膜室以及前述硬化室，係分別被與真空排氣裝置作連接，前述放出口係被配置在前述成膜室之內部，前述射出部係被配置在前述硬化室中，前述中央輥，係以將位置在前述緩衝室中之旋轉軸線作為中心而旋轉的方式來作配置，在形成前述成膜室之成膜室隔壁中，於位置在前述旋轉軸線和前述放出口之間的部分處，設置成膜室開口，前述放出口和前述中央輥之側面係相互對面，在形成前述硬化室之硬化室隔壁中，於位置在前述旋轉軸線和前述射出部之間的部分處，設置硬化室開口，前述射出部和前述中央輥之側面係相互對面。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜形成裝置，其中，在前述中央輥處，係被連接有冷卻裝置，前述冷卻裝置，係構成使冷媒在前述中央輥和前述冷卻裝置之間循環，並冷卻前述中央輥。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之薄膜形成裝置，其中，前述中央輥之側面的與前述放出口相對面之部分，係被從前述成膜室開口而插入至前述成膜室之內部，前述中央輥之側面的與前述射出部相對面之部分，係被從前述硬化室開口而插入至前述硬化室之內部。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之薄膜形成裝置，其中，係具備有對於前述蒸氣產生裝置供給載體 氣體之載體氣體供給裝置，將前述載體氣體和前述有機化合物之蒸氣作了混合後的混合氣體，係從前述放出口而被放出。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之薄膜形成裝置，其中，係藉由前述真空排氣裝置，而以使前述成膜室之壓力會被設為較前述緩衝室之壓力更高而前述硬化室之壓力會被設為較前述緩衝室更低的方式，來進行真空排氣。