KR101504443B1 - 유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법 - Google Patents

유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법 Download PDF

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Abstract

유기 재료를 부착시킨 후, 성막 대상물을 정지시킨 채로 유기 재료를 경화시켜, 유기막을 성막할 수 있는 유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법을 제공한다. 진공조 (11) 내에 배치된 기판 스테이지 (14) 상에 성막 대상물 (5) 을 배치하고, 성막 대상물 (5) 의 표면에 마스크 (31) 를 접촉시켜 배치하고, 성막 대상물 (5) 을 냉각시키고, 진공조 (11) 내를 진공 배기하면서 마스크 (31) 상으로부터 광이 조사되면 경화되는 광 반응성 재료를 방출하고, 마스크 (31) 의 개구 (34) 저면에 노출되는 성막 대상물 (5) 의 표면에 부착시켜, 부착된 부분에 광 반응성 재료의 액상막을 형성하고, 진공조 (11) 내의 진공 배기를 정지시킨 상태에서, 광을 방사하는 광 조사 장치 (24) 에 광을 방사하면서 마스크 (31) 상을 이동시키고, 액상막을 경화시켜 광 반응성 재료의 유기막을 형성한다.

Description

유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법{APPARATUS FOR ORGANIC FILM FORMATION AND METHOD FOR ORGANIC FILM FORMATION}
본 발명은, 유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법에 관한 것으로, 특히 유기 재료를 성막 대상물 상에 부착시킨 후, 경화시켜 유기막을 형성하는 기술 분야에 관한 것이다.
종래, 유기 EL 소자의 제조 공정에서는, 기판 상에 하부 전극층과 유기 발광층과 상부 전극층을 순서대로 형성한 후, 표면을 보호하고, 수분의 침입을 방지하기 위해, 보호막인 봉지층을 형성하고 있다.
특허문헌 1 에서는, 유기 EL 소자의 봉지층이 적어도 배리어층, 유기층, 배리어층을 순차적으로 형성한 적층막으로 하는 것이 제안되어 있다.
또, 특허문헌 2 에서는, 유기막의 유기 재료를 퇴적시키는 챔버와, 유기 재료를 경화시키는 챔버와, 무기막을 성막하는 챔버를 갖고, 유기막과 무기막을 연속으로 성막할 수 있는 성막 장치가 제안되어 있다. 유기막의 성막은, 성막 대상물을 유기 재료 퇴적 기구의 아래를 통과시켜 유기 재료를 퇴적시킨 후, 경화 기구의 아래를 통과시켜 유기 재료를 경화시키는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 유기 재료의 퇴적과 경화를 성막 대상물을 이동시키면서 실시하면, 이동 중에 성막 대상물의 온도가 변동하여, 퇴적시킨 유기 재료가 재증발한다는 문제가 있었다. 또, 성막 대상물을 이동시키기 때문에, 마스크를 사용한 패턴 성막이 곤란하였다.
일본 공개특허공보 2001-307873호 일본 공개특허공보 2005-522891호 일본 특허공보 제4112702호
본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위해 창작된 것으로, 그 목적은, 유기 재료를 부착시킨 후, 성막 대상물을 정지 (靜止) 시킨 채로 유기 재료를 경화시켜, 유기막을 성막할 수 있는 유기막 형성 장치 및 유기막 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 광이 조사되면 경화되는 광 반응성 재료의 유기막을 형성하는 유기막 형성 장치로서, 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 복수의 방출구로부터 광 반응성 재료를 방출하는 샤워 플레이트와, 적어도 상기 샤워 플레이트와 대면하는 면이 상기 진공조 내에 배치된 기판 스테이지와, 상기 기판 스테이지 상에 배치된 성막 대상물을 냉각시키는 냉각 장치와, 상기 기판 스테이지 상의 상기 성막 대상물에 배치되는 마스크를 유지하는 마스크 유지 장치와,
상기 샤워 플레이트와 상기 기판 스테이지 사이를 이동하면서 상기 마스크를 향하여 광을 방사하는 광 조사 장치와, 상기 샤워 플레이트를 승온시키는 가열 장치를 갖는 유기막 형성 장치이다.
본 발명은, 상기 샤워 플레이트와 상기 기판 스테이지 사이의 공간 중, 상기 기판 스테이지에 가까운 부분이 둘러싸는 실드판과, 상기 실드판을 가열하는 실드판용 가열 장치를 갖고, 상기 실드판으로 둘러싸인 공간인 성막 공간을 향하여 상기 샤워 플레이트로부터 상기 광 반응성 재료가 방출되도록 구성되고, 상기 진공조 내를 진공 배기하는 배기구는, 상기 성막 공간의 외부에 형성된 유기막 형성 장치이다.
또, 본 발명은, 상기 광 조사 장치는, 상기 성막 공간의 외측으로부터 상기 실드판과 상기 샤워 플레이트 사이를 지나, 상기 기판 스테이지와 상기 샤워 플레이트 사이를 통과하도록 구성된 유기막 형성 장치이다.
본 발명은, 광이 조사되면 경화되는 광 반응성 재료의 유기막을 성막 대상물의 표면에 형성하는 유기막 형성 방법으로서, 진공조 내에 배치된 기판 스테이지 상에 상기 성막 대상물을 배치하고, 상기 성막 대상물의 표면에 마스크를 접촉시켜 배치하고, 상기 성막 대상물을 냉각시키고, 상기 진공조 내를 진공 배기하면서 상기 마스크 상으로부터 상기 광 반응성 재료를 방출하고, 상기 마스크의 개구 저면에 노출되는 상기 성막 대상물의 표면에 부착시켜, 부착된 부분에 상기 광 반응성 재료의 액상막을 형성하고, 상기 진공조 내의 진공 배기를 정지 (停止) 시킨 상태에서, 광을 방사하는 광 조사 장치에 상기 마스크 상을 이동시키면서 상기 광을 방사시켜, 상기 개구 저면에 노출되는 상기 성막 대상물 표면 상에 위치하는 상기 액상막에 입사시키고, 상기 액상막을 경화시켜 상기 광 반응성 재료의 유기막을 형성하는 유기막 형성 방법이다.
본 발명은, 상기 기판 스테이지 상의 공간을 실드판으로 둘러싸두고, 상기 진공조 내의 상기 실드판으로 둘러싸인 성막 공간의 외측을 진공 배기하고, 상기 실드판을 가열하면서 상기 광 반응성 재료를 상기 성막 공간에 가득 채우는 유기막 형성 방법이다.
본 발명은, 상기 광 조사 장치로부터 광을 방사시켜 상기 액상막에 조사할 때, 상기 진공조 내의 진공 배기를 정지시키는 유기막 형성 방법이다.
유기 재료를 부착시킨 후, 성막 대상물을 정지시킨 채로 유기 재료를 경화시키는 UV 광을 조사할 수 있기 때문에, 성막 대상물의 온도 변화에 의한 유기 재료의 재증발을 방지하고, 또 마스크를 사용한 패턴 성막이 가능해진다.
도 1 은 본 발명의 유기막 형성 장치의 내부 구성도이다.
도 2 는 마스크와 성막 대상물이 접촉한 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 은 광 조사 장치의 이동 도중의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 을 참조하여, 부호 10 은 본 발명의 유기막 형성 장치이고, 부호 5 는 유기막 형성 장치 (10) 에 의해 표면에 유기막을 형성하는 성막 대상물을 나타내고 있다.
이 유기막 형성 장치 (10) 는, 진공 펌프 (12) 가 접속된 진공조 (11) 와, 성막 대상물 (5) 을 배치하는 기판 스테이지 (14) 와, 기체상 또는 미소 액적상 중 어느 일방 또는 양방의 상태인 광 반응성 재료를 캐리어 가스와 함께 샤워 플레이트 (15) 에 공급하는 원료 공급 장치 (18) 를 갖고 있다.
샤워 플레이트 (15) 는 내부가 중공이며, 원료 공급 장치 (18) 로부터 캐리어 가스와 함께 공급되는 광 반응성 재료는 중공 부분 중에 도입된다. 샤워 플레이트 (15) 는 일면에 중공의 부분에 접속된 복수의 방출구 (16) 가 형성되어 있고, 광 반응성 재료는 방출구 (16) 로부터 방출된다.
방출구 (16) 가 형성된 샤워 플레이트 (15) 의 면과 기판 스테이지 (14) 의 성막 대상물 (5) 이 배치되는 면은 진공조 (11) 의 내부에 위치하고, 서로 대면하도록 배치되어 있다.
원료 공급 장치 (18) 로부터 광 반응성 재료가 캐리어 가스와 함께 샤워 플레이트 (15) 에 공급되면, 샤워 플레이트 (15) 의 방출구 (16) 로부터 상기 기판 스테이지 (14) 의 성막 대상물 (5) 을 배치하는 면을 향하여, 광 반응성 재료의 기체 또는 미소 액적이 방출되도록 구성되어 있다.
진공조 (11) 의 내부에는 실드판 (21) 이 형성되어 있고, 기판 스테이지 (14) 와 샤워 플레이트 (15) 사이의 공간 중, 샤워 플레이트 (15) 보다 기판 스테이지 (14) 에 가까운 부분은 실드판 (21) 에 의해 둘러싸여져 있다.
실드판 (21) 에 의해 둘러싸인 공간을 성막 공간 (22) 이라고 부르면, 성막 공간 (22) 의 외부인 진공조 (11) 의 벽면에는 배기구 (13) 가 형성되고, 진공조 (11) 의 외부에 배치된 진공 펌프 (12) 는 이 배기구 (13) 에 접속되어 있고, 이 진공 펌프 (12) 를 동작시키면, 성막 공간 (22) 의 외부가 진공 펌프 (12) 에 의해 진공 배기된다. 성막 공간 (22) 은 진공조 (11) 내의 성막 공간 (22) 의 외부의 공간과 접속되어 있으므로, 성막 공간 (22) 도 진공 배기된다.
실드판 (21) 과 샤워 플레이트 (15) 사이에는 간극이 형성되어 있다.
진공조 (11) 의 내부에는, 광을 방사하는 광 조사 장치 (24) 가 배치되어 있다. 광 조사 장치 (24) 는 이동 장치 (25) 에 장착되어 있고, 진공조 (11) 의 내부에 있어서, 성막 공간 (22) 의 외부와 내부 사이를, 실드판 (21) 과 샤워 플레이트 (15) 사이의 간극을 지나 출입할 수 있어, 성막 공간 (22) 의 내부를 통과할 수 있도록 구성되어 있다. 그 때, 광 조사 장치 (24) 는 샤워 플레이트 (15) 와 기판 스테이지 (14) 사이를 통과한다.
광 조사 장치 (24) 가 방사하는 광은 자외선 (Ultra violet rays) 이며, 아크릴 수지를 경화시킬 때에는, 아크릴 수지의 원료에 아크릴 수지를 경화시키는 파장의 광을 조사한다. 여기서는, 200 ㎚ ∼ 450 ㎚ 의 광을 조사한다.
성막 공간 (22) 에는 마스크 (31) 가 배치되어 있다. 이 마스크 (31) 는, 마스크 유지 장치 (32) 에 의해, 기판 스테이지 (14) 상에 배치되는 성막 대상물 (5) 의 표면과 평행하게 유지되어 있다. 본 실시예에서는 마스크 유지 장치 (32) 에 경화용 이동 장치 (33) 가 형성되어 있다. 경화용 이동 장치 (33) 는 마스크 유지 장치 (32) 를 마스크 (31) 와 함께 이동시키고, 기판 스테이지 (14) 상의 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 사이의 거리를 변경하여, 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 를 밀착시키거나 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 를 이간시킬 수 있도록 되어 있다.
경화용 이동 장치 (33) 는, 상기 서술한 바와 같이, 기판 스테이지 (14) 상의 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 사이의 거리를 변경하여, 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 를 밀착시키거나 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 를 이간시킬 수 있는 것이면 된다. 요컨대, 상기 구성에 한정되지 않으며, 경화용 이동 장치 (33) 는 기판 스테이지 (14) 에 형성되어, 기판 스테이지 (14) 를 성막 대상물 (5) 과 함께 이동시키도록 구성되어도 되며, 기판 스테이지 (14) 와 마스크 유지 장치 (32) 의 양방에 형성되어, 기판 스테이지 (14) 와 마스크 유지 장치 (32) 의 양방을 각각 이동시키도록 구성되어도 된다.
마스크 (31) 는 얇은 금속제의 판이며, 소정의 개구 (34) 가 하나 내지 복수 개 형성되고, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 이 밀착되어 있을 때에는, 개구 (34) 저면에 성막 대상물 (5) 의 표면이 부분적으로 노출된다.
도 1 은 기판 스테이지 (14) 와 마스크 (31) 가 이간된 상태에서, 성막 대상물 (5) 이 유기막 형성 장치 (10) 에 접속된 도시가 생략된 처리 장치로부터 반입되어 기판 스테이지 (14) 상에 배치된 상태이다.
기판 스테이지 (14) 의 내부에는 냉각 장치 (35) 가 형성되어 있다. 진공조 (11) 의 외부에는 순환 장치 (30) 가 형성되어 있고, 순환 장치 (30) 에 의해, 냉각된 냉각 매체가 냉각 장치 (35) 에 공급되어 기판 스테이지 (14) 는 소정 온도로 냉각된다.
냉각 매체는 기판 스테이지 (14) 내를 흐르며 승온되면, 순환 장치 (30) 로 되돌아와 냉각되어 기판 스테이지 (14) 에 공급된다.
기판 스테이지 (14) 상에 성막 대상물을 배치하고 처리할 때에 냉각 장치 (35) 의 동작이 유지되면, 기판 스테이지 (14) 상의 성막 대상물 (5) 은, 냉각 장치 (35) 에 의해 기판 스테이지 (14) 를 개재하여 소정 온도로 냉각된다.
성막 대상물 (5) 이 기판 스테이지 (14) 에 배치될 때에는, 위치 결정 장치에 의해 성막 대상물 (5) 이 미리 설정된 위치에서 정지하고, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 사이가 미리 설정된 상대적인 위치 관계로 됨으로써 위치 맞춤이 된다.
혹은, 위치 맞춤 장치 (29) 를 형성해 두고, 성막 대상물 (5) 이 기판 스테이지 (14) 에 배치된 후, 위치 맞춤 장치 (29) 에 의해, 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 를 촬영하고, 성막 대상물 (5) 과 마스크 (31) 에 각각 형성된 얼라인먼트 마크를 일치시키도록, 기판 스테이지 (14) 또는 마스크 유지 장치 (32) 중 어느 일방 또는 양방을 이동시키도록 해도 된다. 그 경우에는, 성막 대상물 (5) 이 위치하는 평면과 마스크 (31) 가 위치하는 평면 사이의 거리를 유지하면서 이동시켜, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 사이를 미리 설정된 상대적인 위치 관계로 한다.
위치 맞춤이 된 상태에서, 경화용 이동 장치 (33) 에 의해, 기판 스테이지 (14) 또는 마스크 유지 장치 (32) 중 어느 일방 또는 양방이 이동되어 기판 스테이지 (14) 와 마스크 (31) 사이의 거리가 작아지면, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 이 접촉한다.
원료 공급 장치 (18) 에는, 아크릴 수지의 원료와 광 반응 개시제가 함유된 액상의 광 반응성 재료 (19) 가 배치되어 있다. 광 반응성 재료 (19) 에는, 1 분자 중에 적어도 1 개의 중합성 관능기 (예를 들어, 비닐기) 를 갖는 UV 경화형 모노머 (예를 들어, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트) 나 UV 경화형 올리고머 (예를 들어, 에폭시아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트) 가 사용된다.
원료 공급 장치 (18) 에서는, 광 반응성 재료 (19) 가 미소한 액적으로 되거나, 또는 광 반응성 재료 (19) 의 기체가 생성되어, 미소 액적 또는 기체 중 어느 일방 또는 양방의 상태인 광 반응성 재료가 샤워 플레이트 (15) 에 공급된다.
진공조 (11) 의 내부는 진공 펌프 (12) 에 의해 배기구 (13) 로부터 진공 배기되어 진공 분위기로 되어 있고, 진공조 (11) 의 내부를 배기구 (13) 로부터 진공 배기하면서 샤워 플레이트 (15) 에 형성된 밸브 (17) 가 열리면, 샤워 플레이트 (15) 의 방출구 (16) 로부터 광 반응성 재료가 캐리어 가스와 함께 성막 공간 (22) 을 향하여 방출된다.
기판 스테이지 (14) 는 냉각 장치 (35) 에 의해 냉각되고 있고, 따라서, 성막 대상물 (5) 은 기판 스테이지 (14) 를 개재하여 냉각 장치 (35) 에 의해 냉각되고 있다. 성막 대상물 (5) 은 광 반응성 재료의 증발 온도보다 낮은 온도로 냉각되고 있으며, 예를 들어, 30 ℃ 이하의 온도로 냉각되고 있다. 냉각 장치 (35) 는 성막 대상물 (5) 을 0 ℃ 이하의 온도로 냉각시키도록 구성되어 있으면 바람직하다.
샤워 플레이트 (15) 로부터 광 반응성 재료와 캐리어 가스가 방출되고 있는 동안에는, 진공조 (11) 내는 성막 공간 (22) 의 외부에 위치하는 배기구 (13) 로부터 진공 배기되고 있고, 성막 공간 (22) 에 방출된 광 반응성 재료의 기체와 캐리어 가스가 마스크 (31) 의 개구 (34) 저면하에 위치하는 성막 대상물 (5) 표면에 접촉하면, 접촉한 장소에 부착되어, 성막 대상물 (5) 표면 중 개구 (34) 의 저면하에 위치하는 부분에 액체상의 광 반응성 재료의 박막 (액상막) 을 형성한다.
마스크 (31) 의 표면은 광 반응성 재료가 잘 부착되지 않는 성질을 갖고 있으며, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 에 부착되지 않은 광 반응성 재료는 성막 공간 (22) 중에 가득 차고, 실드판 (21) 과 샤워 플레이트 (15) 사이의 간극을 지나 유출되고, 배기구 (13) 에 도달하여 진공 배기된다.
샤워 플레이트 (15) 는 샤워 플레이트용 가열 장치 (37) 에 의해 가열되고 있으며, 특히 방출구 (16) 가 형성된 면은, 광 반응성 재료의 진공 분위기 중에서의 증발 온도 이상의 온도로 승온되어 있다. 또, 실드판 (21) 과 진공조 (11) 의 내벽면도, 실드판용 가열 장치 (38) 와 진공조용 가열 장치 (39) 에 의해 광 반응성 재료의 진공 분위기 중에서의 증발 온도 이상의 온도로 승온되어 있고, 성막 공간 (22) 에서 성막 공간 (22) 의 외부로 광 반응성 재료가 유출될 때, 광 반응성 재료의 온도가 저하되어 샤워 플레이트 (15), 실드판 (21) 또는 진공조 (11) 내벽면에 액체가 되어 부착되지 않도록 되어 있다.
성막 대상물 (5) 은 냉각되어 있고, 성막 대상물 (5) 의 표면에는 액체상의 광 반응성 재료의 박막 (액상막) 이 형성되고, 소정 막두께가 된 시점에서 샤워 플레이트 (15) 로부터의 광 반응성 재료와 캐리어 가스의 방출을 정지시키고, 배기구 (13) 로부터의 진공조 (11) 내부의 진공 배기도 정지시킨다.
이 상태에서는, 진공조 (11) 의 내부는 10 ㎩ 이상이고 수 100 ㎩ 이하의 압력으로 되어 있고, 성막 대상물 (5) 은 냉각되어 있으므로, 액체상의 광 반응성 재료의 박막 (액상막) 은 증발하지 않는다. 따라서, 액체상의 광 반응성 재료의 박막 (액상막) 의 막두께값은 감소하지 않는 상태이다.
샤워 플레이트 (15) 가 광 반응성 재료와 캐리어 가스를 방출할 때에는, 광 조사 장치 (24) 는, 실드판 (21) 의 외측으로서, 기판 스테이지 (14) 와 샤워 플레이트 (15) 사이보다 외측에 위치하고 있어, 방출구 (16) 로부터 방출된 광 반응성 재료가 닿지 않는 장소에 위치하고 있다.
샤워 플레이트 (15) 로부터의 광 반응성 재료와 캐리어 가스의 방출이 정지된 후, 광 조사 장치 (24) 는 광 (여기서는, 광 반응성 재료를 반응시키는 파장의 자외선) 의 방사를 개시하여, 광 조사 장치 (24) 와 대면하는 장소의 성막 대상물 (5) 표면과 마스크 (31) 표면에 광을 조사한다.
광 방사의 개시와 함께 광 조사 장치 (24) 는 이동을 개시하고, 마스크 (31) 와 샤워 플레이트 (15) 사이를 이동하여 마스크 (31) 표면 및 개구 (34) 저면에 노출되는 성막 대상물 (5) 표면과 대면하고, 성막 대상물 (5) 표면의 액상의 광 반응성 재료의 박막 (액상막) 을 반응시키고 경화시켜, 광 반응성 재료로부터 얻어진 유기막을 성막 대상물 (5) 표면의 마스크 (31) 의 개구 (34) 가 위치한 장소에 형성한다. 여기서는, 아크릴 수지막이 형성된다. 마스크 (31) 의 개구 (34) 의 깊이가 1 ㎜ 정도인 반면, 형성되는 유기막의 막두께는 1 ㎛ ∼ 2 ㎛ 정도로, 아크릴 수지막의 경우에는, 성막 대상물 (5) 의 표면을 보호하고, 수분의 침입을 방지하는 보호막으로서 사용하고 있다.
도 3 은 광 조사 장치 (24) 의 이동 도중의 상태를 나타내고 있다.
유기막이 개구 저면에 위치하는 성막 대상물 (5) 표면에 형성된 후, 마스크 (31) 와 성막 대상물 (5) 을 이간시켜, 유기막이 형성된 성막 대상물 (5) 을 진공조 (11) 의 외부로 반출하고, 미성막된 성막 대상물 (5) 을 기판 스테이지 (14) 상에 배치하여 상기와 동일한 순서로 유기막을 형성한다.
또한, 샤워 플레이트 (15) 의 방출구 (16) 가 형성된 면과 기판 스테이지 (14) 의 성막 대상물 (5) 이 배치되는 면은 진공조 (11) 의 내부에 위치하고, 서로 대면하도록 배치되어 있는 것이면, 도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이, 샤워 플레이트 (15) 가 기판 스테이지 (14) 의 상방에 배치되어 있는 경우에 한정되지 않으며, 샤워 플레이트 (15) 가 기판 스테이지 (14) 의 하방에 배치되어 있어도 되고, 샤워 플레이트 (15) 와 기판 스테이지 (14) 가 서로 동일한 높이에 배치되어 있어도 된다.
또, 광 반응성 재료 (19) 는 상기 서술한 아크릴 수지의 원료와 광 반응 개시제가 함유된 유기 재료에 한정되지 않으며, 광이 조사되면 경화되는 다른 유기 재료를 사용할 수도 있다.
5 …… 성막 대상물
10 …… 유기막 형성 장치
11 …… 진공조
13 …… 배기구
14 …… 기판 스테이지
15 …… 샤워 플레이트
16 …… 방출구
21 …… 실드판
22 …… 성막 공간
24 …… 광 조사 장치
31 …… 마스크
32 …… 마스크 유지 장치
34 …… 개구
35 …… 냉각 장치
37 …… (샤워 플레이트용) 가열 장치

Claims (6)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 광이 조사되면 경화되는 광 반응성 재료의 유기막을 성막 대상물의 표면에 형성하는 유기막 형성 방법으로서,
    진공조 내에 배치된 기판 스테이지 상에 상기 성막 대상물을 배치하고,
    상기 성막 대상물의 표면에 마스크를 접촉하여 배치하고,
    상기 성막 대상물을 냉각시키고, 상기 진공조 내를 진공 배기하면서 상기 마스크 상방으로부터 상기 마스크 상에 상기 광 반응성 재료를 방출하여, 상기 광 반응성 재료를 상기 마스크의 개구 저면에 노출되는 상기 성막 대상물의 표면에 부착시켜, 부착된 부분에 상기 광 반응성 재료의 액상막을 형성하고,
    상기 진공조 내의 진공 배기를 정지시키고, 상기 성막 대상물을 냉각시켜 상기 액상막의 막두께값을 감소시키지 않은 상태에서,
    광을 방사하는 광 조사 장치에, 상기 마스크 상을 이동시키면서 상기 광을 방사시켜,
    상기 개구 저면에 노출되는 상기 성막 대상물 표면 상에 위치하는 상기 액상막에 상기 광을 입사시키고, 상기 액상막을 경화시켜 상기 광 반응성 재료의 유기막을 형성하는, 유기막 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 스테이지 상의 공간을 실드판으로 둘러싸두고,
    상기 진공조 내의 상기 실드판으로 둘러싸인 성막 공간의 외측을 진공 배기하고,
    상기 실드판을 가열하면서 상기 광 반응성 재료를 상기 성막 공간에 가득 채우는, 유기막 형성 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 광 조사 장치로부터 상기 광을 방사시켜 상기 액상막에 조사할 때, 상기 진공조 내의 진공 배기를 정지시키는, 유기막 형성 방법.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107636192B (zh) * 2015-06-16 2020-12-18 株式会社爱发科 成膜方法和成膜装置
JPWO2017158946A1 (ja) * 2016-03-18 2019-01-17 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターニング方法及びパターニング装置
KR102249249B1 (ko) * 2017-02-21 2021-05-07 가부시키가이샤 아루박 수지막의 형성 방법 및 수지막의 성막 장치
CN109844165B (zh) * 2017-02-21 2021-11-12 株式会社爱发科 树脂膜形成方法以及掩膜
WO2018163338A1 (ja) * 2017-03-08 2018-09-13 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスの製造方法および成膜装置
JP6301042B1 (ja) * 2017-03-30 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
DE102017120529A1 (de) * 2017-09-06 2019-03-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Maske
JP6662840B2 (ja) * 2017-12-11 2020-03-11 株式会社アルバック 蒸着装置
JP6662841B2 (ja) * 2017-12-21 2020-03-11 株式会社アルバック 蒸着装置
JP6563055B2 (ja) * 2018-02-27 2019-08-21 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌデバイス
CN108977764B (zh) * 2018-09-18 2020-06-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀膜层记录装置及其方法、掩模板组件和蒸镀设备
CN110018619B (zh) * 2019-04-30 2021-11-09 台州锐祥机械设备有限公司 胶印印刷用晒版装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020003770A (ko) * 2000-07-03 2002-01-15 김충섭 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
KR20050010470A (ko) * 2003-07-17 2005-01-27 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 유기 박막의 제조방법 및 제조장치
JP4112702B2 (ja) * 1998-09-11 2008-07-02 株式会社アルバック 成膜装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330656B2 (ja) * 1992-12-14 2002-09-30 松下電器産業株式会社 合成樹脂薄膜のパターン形成方法およびその形成装置
JP4785269B2 (ja) * 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
JP4083564B2 (ja) * 2001-12-26 2008-04-30 住友ベークライト株式会社 有機層の形成方法及びガスバリア性プラスチックフィルム
CN1939095B (zh) * 2004-12-14 2010-12-08 株式会社爱发科 涂敷装置、有机材料薄膜的形成方法、有机el面板制造装置
CN100514707C (zh) * 2005-06-15 2009-07-15 株式会社爱发科 密封装置及密封方法
KR20090041316A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4112702B2 (ja) * 1998-09-11 2008-07-02 株式会社アルバック 成膜装置
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
KR20020003770A (ko) * 2000-07-03 2002-01-15 김충섭 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
KR20050010470A (ko) * 2003-07-17 2005-01-27 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 유기 박막의 제조방법 및 제조장치

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Publication number Publication date
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