TWI523118B - 基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障 - Google Patents

基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障 Download PDF

Info

Publication number
TWI523118B
TWI523118B TW103106939A TW103106939A TWI523118B TW I523118 B TWI523118 B TW I523118B TW 103106939 A TW103106939 A TW 103106939A TW 103106939 A TW103106939 A TW 103106939A TW I523118 B TWI523118 B TW I523118B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
contact
region
gallium nitride
forming
mesa
Prior art date
Application number
TW103106939A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201423871A (zh
Inventor
拉吉德 倫迪 桑德
麥克 艾德華 巴斯基
麥克 沃托威克茲
Original Assignee
諾斯洛普格拉曼公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 諾斯洛普格拉曼公司 filed Critical 諾斯洛普格拉曼公司
Publication of TW201423871A publication Critical patent/TW201423871A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI523118B publication Critical patent/TWI523118B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
    • H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Description

基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障
本發明係關於一種由一氮化鎵(GaN)材料系統形成之高電子移動率電晶體(HEMT)，而更特定言之，係關於具有減小的洩漏電流之基於氮化鎵之高電子移動率電晶體。
高電子移動率電晶體(HEMT)在此項技術中已為人熟知而且係習知用於各種低雜訊及功率微波應用，在該等應用中高裝置輸出功率、功率增加效率及雜訊性能具有關鍵意義。吾等習知，高電子移動率電晶體係用於商業及軍事雷達系統、通信系統及類似者中的Q、V及W頻帶微波功率放大器。亦為人習知的係，高電子移動率電晶體係有效地整合入單石微波積體電路及單石毫米波積體電路(MMIC)，該等電路包括用以進行高功率位準輻射之相位陣列。
由氮化鎵(GaN)材料系統形成之高電子移動率電晶體已為人習知。以下專利文獻中揭示此類基於氮化鎵之高電子移動率電晶體之範例：美國專利案第6,064,082、6,534,801、6,461,944號；美國專利申請公開案US 2002/0079508、US 2002/0096692、US 2002/0106842、US 2002/0167023及US 2003/0020092。日本專利案第JP2002280571號以及國際申請案第PCT/US02/23056號及PCT/US98/04218中亦揭示此類氮化鎵高電子移動率電晶體。文獻中詳盡地公開此類氮化鎵高電子移動率電晶體。請參見，例如：「在半絕緣性碳化矽基板上之高功率 微波氮化鎵/AIGaN高電子移動率電晶體」，由S.T.Shepard等人所著，IEEE電子裝置學刊1999年4月第4期，第20卷，第161至163頁；「基於氮化鎵的異質接面FET(Field Effect Transistor；場效電晶體)在先進無線通信中的應用」，由Yasuo Ohno等人所著，IEEE電子裝置學報2001年3月第3期，第48卷，第517至523頁；「基於氮化鎵之功率異質接面場效電晶體：UCSB之程序開發及目前狀況」，由Stacia Keller等人所著，IEEE電子裝置學報2001年3月第3期，第48卷，第552至559頁；「技術及可靠性受限制的未來銅互連，第1部分：電阻模型化」，由Pawan Kapur等人所著，IEEE電子裝置學報2002年4月第4期，第49卷，第590至597頁；以及「具有低閘極洩漏電流之銅閘極AlGaN/氮化鎵高電子移動率電晶體」，由Jin-Ping Ao等人所著，IEEE電子裝置學刊2003年8月第8期，第24卷，第500至502頁。
吾等習知，此類基於氮化鎵之高電子移動率電晶體裝置具有相對較高的閘極洩漏電流。已嘗試不同技術來減小此類基於氮化鎵之高電子移動率電晶體之洩漏電流。例如，如此前「具有低閘極洩漏電流之銅閘極AlGaN/氮化鎵高電子移動率電晶體」中所述，顯示洩漏電流係依據用於該等閘極接點之金屬類型而減小。特定言之，已證明銅(Cu)閘極接點提供相對於具有由Ni/Au形成的閘極之可比裝置而減小的閘極洩漏電流。
美國專利申請公開案第2003/0020092 A1號(其係公開於2003年1月30日)與國際公開案第WO 03/032397 A2號(國際申請案第PCT/US02/23056號)中揭示用以減小一基於氮化鎵的高電子移動率電晶體之洩漏電流之其他技術。此等公開案揭示形成為具有一絕緣閘極之一基於氮化鎵之高電子移動率電晶體。特定言之，該高電子移動率電晶體係形成為在一基板頂部上具有一AlXGa1-x緩衝層。在該緩衝層之頂部上形成一高電阻率層。由AlGaN形成之一阻障層係形成於該高 電阻率層之頂部上。汲極及源極接點係形成於高電阻率氮化鎵層之頂部上。由SiN形成之一絕緣層係形成於該AIGaN阻障層之頂部上。該閘極接點係形成於該絕緣層之頂部上。由於該閘極接點係與該等汲極及源極接點絕緣，因此減小該閘極洩漏電流。儘管上述技術可很好地適用於氮化鎵/AIGaN高電子移動率電晶體分層裝置，但此技術並不適用於由基於氮化鎵之材料形成的不具有一絕緣閘極之高電子移動率電晶體裝置。
圖1A至1C解說與此類裝置相關之問題。特定言之，該程序以(例如)一基於氮化鎵之材料件20開始。如圖1B所示，該基於氮化鎵之材料係蝕刻為形成一台面區域22，該台面區域22界定分別用於該等源極及汲極區之階梯斷續24及26。如圖1B所示，此等階梯斷續24及26允許不合需要的洩漏電流在該源極與閘極之間以及在汲極與閘極之間流動，從而在該源極與閘極之間以及在該等汲極與閘極區之間產生相對較差的電絕緣。
除上面提到之問題外，吾等習知，該閘極金屬28之沈積在該等階梯斷續區24及26上形成一懸垂物，如圖1C所示。在此一組態中，在該階梯斷續上的該閘極金屬之斷面區域可能不均勻，從而產生相對較薄的閘極金屬區域而導致電流壓縮。因此，需要一種由氮化鎵材料形成而具有減小的洩漏電流之高電子移動率電晶體裝置，其還消除在該裝置中因斷續上的閘極金屬沈積而產生之電流壓縮。
本發明係關於一種由一氮化鎵材料系統形成之改良型高電子移動率電晶體，其相對於習知的基於氮化鎵之高電子移動率電晶體具有減小的閘極洩漏電流並消除由於在形成於該閘極台面上的階梯斷續上之閘極金屬沈積而產生之電流壓縮問題。依據本發明，藉由減短該閘與歐姆金屬墊之間的洩漏路徑而減小該閘極洩漏電流，該洩漏路徑可經 由磊晶層材料(氮化鎵緩衝層)之隔離區發生以及因懸垂於該台面側壁上的閘極金屬之間的緊密接觸而從該台面側壁發生。此新穎方法減小洩漏電流而無須增加該閘極與高電子移動率電晶體通道之間的間隔，如同MISFET(metal-insulator-semiconductor field effect transistor；金屬-絕緣體-半導體場效電晶體)之情況一樣。因此，可減小閘極洩漏電流而無須犧牲該裝置之高頻率性能，因為針對較高頻率性能應用之電荷調變獲得改良。該高電子移動率電晶體裝置係由一氮化鎵材料系統形成。一或多個基於氮化鎵之材料係分層並蝕刻為形成具有界定源極與一汲極區的階梯斷續之一閘極台面。為減小該洩漏電流，藉由一絕緣材料(例如，氮化矽(SiN))對該等階梯斷續進行回填，從而形成相對於該等源極及汲極區之一平坦表面，從而能夠平鋪該閘極金屬。藉由採用一絕緣材料對該等源極及汲極區進行回填，大大減小該閘極與源極以及該閘極與汲極之間的洩漏電流。此外，幾乎消除由於在一階梯斷續上的閘極金屬沈積而產生之電流壓縮。
20‧‧‧基於氮化鎵之材料件
22‧‧‧台面區域
24‧‧‧階梯斷續
26‧‧‧階梯斷續
28‧‧‧閘極金屬
30‧‧‧塊狀氮化鎵材料/閘極
32‧‧‧閘極台面/閘極
34‧‧‧階梯斷續/源極
36‧‧‧階梯斷續/汲極
38‧‧‧絕緣材料
42‧‧‧閘極金屬
44‧‧‧氮化鎵層
46‧‧‧基板
48‧‧‧緩衝層
49‧‧‧氮化鎵頂部層
50‧‧‧台面
52‧‧‧階梯斷續/源極區
54‧‧‧階梯斷續/汲極區
56‧‧‧絕緣材料/氮化矽
58‧‧‧閘極金屬
60‧‧‧源極
62‧‧‧汲極
參考以上說明及附圖，將容易瞭解本發明之此等及其他優點，其中：圖1A至1C解說此項技術中習知的用以由一氮化鎵材料形成一高電子移動率電晶體之簡化程序步驟。
圖2A至2D解說依據本發明用以由氮化鎵形成一高電子移動率電晶體之簡化程序步驟。
圖3A至3C係本發明程序之各個階段中之一半導體之斷面圖，其解說依據本發明用以形成該高電子移動率電晶體之更詳細的程序步驟。
圖3D係圖3C所解說的半導體之一平面圖。
圖3E係沿圖3D之線3E-3E之一斷面圖，其解說該閘極接點之形 成。
圖3F係沿圖3D之線3F-3F之一斷面圖，其解說該等源極及汲極接點之形成。
本發明係關於一種由一氮化鎵材料系統形成之高電子移動率電晶體，其與習知的由氮化鎵材料系統形成之高電子移動率電晶體相比具有相對較小的洩漏電流而且還解決該閘極金屬之電流壓縮問題。揭示本發明之兩項具體實施例。圖2A至2D所解說之一具體實施例係關於本發明之一具體實施例，其中由塊狀氮化鎵材料形成該高電子移動率電晶體。圖3A至3F中解說本發明之一替代具體實施例，其中由氮化鎵/AlGaN形成該高電子移動率電晶體。
參考圖2A至2D，提供關於依據本發明之一具體實施例之程序之一簡化說明。首先參考圖2A，可使用一塊狀氮化鎵材料30作為該高電子移動率電晶體之起點。藉由傳統的微影蝕刻技術來遮蔽該塊狀氮化鎵材料並(例如)藉由緩衝氧化物濕式或基於Cl之乾式蝕刻來加以蝕刻，從而形成一台面32。該閘極台面32界定一對階梯斷續34與36，其分別對應於源極與汲極區。如上面所提到，洩漏電流一般在該閘極32與該源極34之間以及在該閘極32與該汲極36之間流動，從而在該裝置之閘極、源極及汲極區之間產生相對較差的電絕緣。依據本發明之一重要方面，將一絕緣材料38(例如，氮化矽(SiN))沈積於該等源極及汲極區34與36中，以至於其與該台面32的頂部表面相對地齊平以形成一不具有任何階梯斷續之相對較平坦的表面。藉由採用一絕緣材料在該等源極及汲極區34與36中進行填充，大大減小該閘極30與該源極34之間以及該閘極30與該汲極36區之間的洩漏電流。
依據本發明之另一重要方面，該絕緣材料38使得能夠平坦地塗敷該閘極金屬42，從而消除在該階梯斷續上的懸垂物。藉由在一平坦表 面上形成該閘極金屬42，實際上減小因該閘極金屬42的部分之懸垂物而產生之電流壓縮，從而進一步改良該裝置之性能。
圖3A至3D解說依據本發明由一氮化鎵/AIGaN材料系統形成之一高電子移動率電晶體之一替代具體實施例。圖3A解說初始生長輪廓。首先，例如藉由分子束磊晶將(例如)一0.5至2μm之氮化鎵層44生長於基板46之頂部上。該基板46可以係(例如)藍寶石Al2O3或碳化矽SiC。該基板46之厚度可以係(例如)350μm。在該氮化鎵層44之頂部上可由AlGaN形成一緩衝層48。該緩衝層48可以係形成為一(例如)200至250Å之厚度。最後，可在該緩衝層48之頂部上形成一氮化鎵頂部層49。該氮化鎵頂部層49可以係形成為一(例如)5至50Å之厚度。
可藉由傳統微影蝕刻技術來遮蔽圖3A所解說之裝置，並(例如)藉由BCl3+Ar乾式蝕刻對其進行蝕刻以形成一台面50。如圖3B所示，該台面50界定兩個階梯斷續52與54，該等階梯斷續進而界定該等源極與汲極區52與54。依據本發明之一重要方面，如圖3C所示，藉由一絕緣材料56(例如氮化矽(SiN))來填充該等源極及汲極區52及54。
如圖3D所示，該閘極金屬58係沈積於該台面50之頂部上以及該氮化矽56之頂部上。此外，如圖3F所示，藉由傳統技術將該等源極60及汲極62接點與該閘極金屬58相鄰而沈積。
顯而易見，可以依據上述教導對本發明作許多修改及變化。因此，應瞭解，在隨附申請專利範圍之範疇內，可採取上面未明確說明之方式來實施本發明。
隨附申請專利範圍涵蓋上述欲受專利證書保護之內容。
30‧‧‧塊狀氮化鎵材料/閘極
32‧‧‧閘極台面/閘極
34‧‧‧階梯斷續/源極
36‧‧‧階梯斷續/汲極
38‧‧‧絕緣材料
42‧‧‧閘極金屬

Claims (13)

  1. 一種用以形成一高電子移動率電晶體(HEMT)之程序，其包含下列步驟：在一基板之頂部上由一氮化鎵(GaN)材料形成該高電子移動率電晶體之一底層；在該氮化鎵層之頂部上形成一緩衝層，該緩衝層係由一氮化鎵材料形成；在該緩衝層之頂部上形成一頂層，該頂層係由氮化鎵材料形成；於該頂層之頂部上形成一台面，該台面係由一氮化鎵材料形成，該台面界定一頂表面及相對垂直側壁，其中鄰近該等相對垂直側壁之若干區域界定汲極區及源極區，且該頂表面界定一閘極區；以絕緣體回填該汲極區及該源極區，使該汲極區及該源極區與該等相對垂直側壁接觸並與該台面之該頂表面齊平；在該頂表面上形成一閘極接點；以及各別在該汲極區及該源極區上方形成汲極接點及源極接點，該汲極接點及該源極接點部分地位於該閘極區之頂部上且部分地位於該絕緣體之頂部上。
  2. 如請求項1之程序，其中該底層係由氮化鎵形成。
  3. 如請求項2之程序，其中該緩衝層係由氮化鋁鎵(AlGaN)形成。
  4. 如請求項3之程序，其中該頂層係由氮化鎵所形成。
  5. 如請求項1之程序，其中在該基板上形成一台面之步驟包含下列步驟：以微影蝕刻技術遮蔽該頂層；以及蝕刻該底層、該緩衝層及該頂層以形成該台面。
  6. 一種用於形成一單一高電子移動率電晶體(HEMT)之程序，其包含：在一基板之頂部上由一GaN材料形成一底層；在該底層之頂部上形成一緩衝層，該緩衝層由一GaN材料形成；在該緩衝層之頂部上形成一頂層，該頂層由一GaN材料形成；在該頂層之頂部上形成一單一台面，該台面由一GaN材料形成，該台面界定一頂表面及相對垂直側壁，其中在相鄰該等相對垂直側壁之該基板之區域界定汲極區及源極區，且該頂表面界定一閘極區；在該汲極區及該源極區之頂部上沈積一絕緣材料，該絕緣材料與該等相對重直側壁接觸並與該台面之該頂表面齊平；僅在該台面之該頂表面之一部分上形成一閘極接點；以及在該台面之頂部上，且在該汲極區及該源極區之上的該絕緣材料之頂部上各別形成汲極接點及源極接點，且該汲極接點及該源極接點至少部分直接接觸該閘極接點形成於其上的該頂表面。
  7. 如請求項6之程序，其中該台面係由塊狀氮化鎵形成。
  8. 一種製造具有減小的電流洩漏之一單一高電子移動率電晶體(HEMT)的方法，其包含下列步驟：形成具有一單一台面之一HEMT電晶體，該單一台面在一基板上界定閘極區、汲極區及源極區，該台面界定相對側壁、被界定於該台面之頂部上的該閘極區以及被相鄰該等側壁之該基板所界定之該汲極區及該源極區；沈積一絕緣材料，該絕緣材料與該等側壁接觸並位於該汲極區及該源極區之頂部上； 在該源極區及該汲極區之頂部上的該絕緣材料之頂部上形成汲極接點及源極接點，使得該汲極接點及該源極接點部分地重疊該閘極區，該源極接點及該汲極接點延伸至該絕緣材料之一外邊緣；以及在該閘極區中形成一閘極接點；該汲極接點及該源極接點至少部分地直接與該閘極接點形成於其上之同一平面接觸。
  9. 如請求項8之之方法，其中該高電子移動率電晶體係由氮化鎵(GaN)形成。
  10. 如請求項8之方法，其中該台面係由包含氮化鎵及氮化鋁鎵(AlGaN)之多層所形成。
  11. 如請求項8之方法，其中該台面係由塊狀氮化鎵形成，其中該台面界定一平坦頂表面及相對垂直側壁。
  12. 如請求項11之方法，其中該回填步驟進一步包含以一絕緣體材料回填相鄰該等相對垂直側壁之該等區域，以使該等區域與該等相對垂直側壁接觸並與該頂表面齊平之步驟。
  13. 如請求項12之方法，其中該汲極接點及該源極接點係各別部分地置於該頂表面上及部分地置於相鄰該等相對垂直側壁之該絕緣體材料上。
TW103106939A 2006-03-14 2007-03-13 基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障 TWI523118B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/374,819 US8809907B2 (en) 2006-03-14 2006-03-14 Leakage barrier for GaN based HEMT active device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201423871A TW201423871A (zh) 2014-06-16
TWI523118B true TWI523118B (zh) 2016-02-21

Family

ID=38518392

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96108564A TWI434354B (zh) 2006-03-14 2007-03-13 基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障
TW103106939A TWI523118B (zh) 2006-03-14 2007-03-13 基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96108564A TWI434354B (zh) 2006-03-14 2007-03-13 基於氮化鎵之高電子移動率電晶體主動裝置之洩漏阻障

Country Status (3)

Country Link
US (3) US8809907B2 (zh)
JP (3) JP2007251171A (zh)
TW (2) TWI434354B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US8809907B2 (en) * 2006-03-14 2014-08-19 Northrop Grumman Systems Corporation Leakage barrier for GaN based HEMT active device
DE102009051521B4 (de) * 2009-10-31 2012-04-26 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Herstellung von Siliziumhalbleiterscheiben mit III-V-Schichtstrukturen für High Electron Mobility Transistoren (HEMT) und eine entsprechende Halbleiterschichtanordnung
KR101675562B1 (ko) 2010-05-04 2016-11-11 삼성전자주식회사 전원 장치
KR101675561B1 (ko) 2010-05-04 2016-11-15 삼성전자주식회사 전원 장치
KR20130066396A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101922121B1 (ko) 2012-10-09 2018-11-26 삼성전자주식회사 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
US9337255B1 (en) 2014-11-21 2016-05-10 International Business Machines Corporation Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59155143A (ja) * 1983-02-23 1984-09-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6124265A (ja) * 1984-07-13 1986-02-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH04365333A (ja) 1991-06-13 1992-12-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP2912187B2 (ja) * 1995-04-24 1999-06-28 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
US5831277A (en) 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
JPH10335637A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
US6127272A (en) * 1998-01-26 2000-10-03 Motorola, Inc. Method of electron beam lithography on very high resistivity substrates
US6146978A (en) * 1998-05-06 2000-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit having an interlevel interconnect coupled to a source/drain region(s) with source/drain region(s) boundary overlap and reduced parasitic capacitance
JP2001267554A (ja) 2000-03-22 2001-09-28 Toshiba Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2002057158A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Sony Corp 絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
JP3428962B2 (ja) * 2000-12-19 2003-07-22 古河電気工業株式会社 ＧａＮ系高移動度トランジスタ
JP2002198525A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US6461944B2 (en) * 2001-02-07 2002-10-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Methods for growth of relatively large step-free SiC crystal surfaces
JP2002280571A (ja) 2001-03-19 2002-09-27 Toshiba Corp ＧａＮ系ＨＥＭＴのシミュレーション装置
US6849882B2 (en) * 2001-05-11 2005-02-01 Cree Inc. Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer
CN1557024B (zh) * 2001-07-24 2010-04-07 美商克立股份有限公司 绝缘栅铝镓氮化物/氮化钾高电子迁移率晶体管(hemt)
US7112860B2 (en) * 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
JP2005086102A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Univ Nagoya 電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法
JP2005286135A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Eudyna Devices Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4810072B2 (ja) * 2004-06-15 2011-11-09 株式会社東芝 窒素化合物含有半導体装置
US8168000B2 (en) * 2005-06-15 2012-05-01 International Rectifier Corporation III-nitride semiconductor device fabrication
US8809907B2 (en) * 2006-03-14 2014-08-19 Northrop Grumman Systems Corporation Leakage barrier for GaN based HEMT active device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200741894A (en) 2007-11-01
US20120032185A1 (en) 2012-02-09
JP2016213478A (ja) 2016-12-15
TWI434354B (zh) 2014-04-11
US8026132B2 (en) 2011-09-27
US8809907B2 (en) 2014-08-19
JP2014090190A (ja) 2014-05-15
US20070218611A1 (en) 2007-09-20
US20080153215A1 (en) 2008-06-26
JP2007251171A (ja) 2007-09-27
TW201423871A (zh) 2014-06-16
JP6321082B2 (ja) 2018-05-09
US8809137B2 (en) 2014-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5982430B2 (ja) フィールドプレートに接続されたソース領域を有する、ワイドバンドギャップ電界効果トランジスタ
JP6321082B2 (ja) ＧａＮ系ＨＥＭＴアクティブデバイスのためのリークバリヤ
EP2592655B1 (en) Fabrication of single or multiple gate field plates
JP6124511B2 (ja) ゲート−ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ
WO2022174562A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing thereof
JP5468286B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
CA2536030A1 (en) Wide bandgap transistor devices with field plates
US20140138747A1 (en) Hetero junction field effect transistor and method for manufacturing the same
US20230095367A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011040597A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20240038852A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5468287B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20190027700A (ko) 전계효과 트랜지스터
JP2010062320A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4908475B2 (ja) 半導体装置
WO2023035102A1 (en) Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWM508782U (zh) 半導體裝置
JP2022088180A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
CN113903664B (zh) 半导体器件的制备方法及其结构
US11929431B2 (en) HEMT and method of fabricating the same
WO2024016216A1 (en) Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2024060046A1 (en) Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010245350A (ja) 半導体装置
KR20210054435A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
WO2013157047A1 (ja) 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法