TWI518141B - 藉由捏和來達成小原始粒徑及窄粒徑分布之ε酞花青銅的製備 - Google Patents
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Description
本申請案之優先權文件為2007年11月15日提交的歐洲專利申請號07120738.5,並將其併入本文為參考資料。
本發明涉及製備具有小粒徑和窄粒徑分布之ε晶形酞花青銅(ε-CuPc)顆粒之方法,根據所述方法可獲得之ε晶形酞花青銅顆粒及其在用於製造液晶顯示(LCD)裝置的藍色濾光器顏料的製備中之用途。
在所有顏料中,酞花青銅係尤其穩定的並且在多種牢固度方面均係優異。另外,酞花青銅具有許多晶形。在這些晶形中,那些已知已經發現實際用途的包括α、β以及ε晶形的酞花青銅。普通的慣例係使用β晶形來產生一偏綠的藍色而使用α晶形產生一偏紅的藍色。然而,當需要產生比使用α晶形可獲得的顏色更偏紅的藍色時,則使用ε晶形(BASF Corporation,Kirck Othmer百科全書)。
ε晶形的酞花青銅與α晶形相比具有偏紅的色調、高的清澈度和高著色強度。此外,它們對抗主晶體的晶體生長的耐溶劑性高於β晶形。此外,它們對抗晶體轉化至β晶形的耐溶劑性高於其他多形性酞花青銅。因此,ε晶形酞花青銅係具有一晶形的分子聚集體,它具有顯著的優異特性,對於色調上的變化以及著色強度和清澈度的減少之擔憂更小。還有,ε晶形酞花青銅的熱力學穩定性僅次於β晶形,β晶形在多形晶體中係最穩定的晶形。
已重複地揭露了酞花青銅(結晶學上原生的或者為純的α晶形相)可容易地轉化為它的β晶形,例如,藉由使用一溶劑進行鹽碾磨(salt grinding),在有或沒有鹽的存在下進行乾碾磨然後進行溶劑處理、在惰性氣氛下使用一固體黏合劑進行乾研磨、或乾碾磨或水碾磨然後進行調節(conditioning)。
此外,用於製備ε晶形酞花青銅的典型方法係溶劑鹽研磨法。在此種方法中,將呈現除了ε晶形之外的晶形的酞花青銅顆粒以及呈現ε晶形的酞花青銅顆粒在一有機溶劑中在珠粒的存在下經由一強的機械力進行一段長時間的研磨。
KR 100215919B描述了使用一新穎之酞花青銅衍生物製造ε晶形酞花青銅之方法。此方法包括參照α、γ晶形酞花青銅或它們的混合物加入5-30重量%的酞花青銅衍生物並且在50-180℃下機械地捏和該混合物以限制晶體轉化成β酞花青銅並且得到轉變成ε晶形酞花青銅的穩定晶體轉變。
JP2000258620揭露了用於生產ε-CuPc精細顏料之方法,該方法包括將粗製ε-CuPc、半粗製ε-CuPc在有機溶劑以及礦物鹽的存在下進行研磨。它還揭露了ε-型酞花青銅精細顏料的生產方法,該方法涉及ε型酞花青銅粗製品、半粗製ε型酞花青銅(包含在氮氣吸收方法中BET比表面積為95-150m2
/g或更低之α型酞花青銅或ε型酞花青銅顏料),使用溶劑以及每重量份的粗製品、半粗製品或顏料計之8-20重量份的礦物鹽進行研磨,並且去除有機溶劑以及礦物鹽。
EP 1130065揭露了酞花青銅為轉化ε晶形。它還揭露了藉由將酞花青銅、另一多環顏料以及酞花青銅衍生物進行濕磨與乾磨製造顏料組合物。
JP 2002121420揭露了製造ε晶形酞花青銅精細顏料之方法。此方法包括在有機溶劑和礦物鹽的存在下對粗製ε晶形酞花青銅顏料進行研磨。由此製造的酞花青銅精細顏料在氮吸收法中BET比表面積為95-150m2
/g。另外,它呈現優異的可分散性和明亮度。
JP2002189119、US2004237842以及EP1299479揭露了CuPC轉化為ε形式之方法以及藉由鹽捏和CuPc與另一顏料而生產顏料組合物之方法。JP2007009007進一步揭露了在轉化過程中酞內酯烷基化的酞花青以及更高級脂肪酸的使用。
JP 2004244563描述了製備ε晶形酞花青銅顏料之方法,其中這些顏料顆粒被微粒化和尺寸化為與溶劑鹽研磨方法可比的程度。在所述方法中,將平均粒徑大於100nm的粗ε晶形酞花青銅顏料加入到平均粒徑為10-100nm的預製顏料(pre-pigment)中。藉由加入少量的有機溶劑將該混合物進行乾碾磨。藉由將ε-CuPc顏料的平均粒徑的變化抑製在30nm或更少來進行粒徑調整。
US 2005215780描述了用於製備ε晶形酞花青銅之方法。此種方法包括在溶劑中在範圍從80℃至250℃的溫度下在路易氏酸的存在下對酞花青銅進行熱處理。
然而,現有技術中製備ε晶形酞花青銅的前述方法具有的問題係它們需要太多的時間用於晶相轉化和粒徑的減小。由此希望開發一方法,該方法用較少的時間進行晶相轉化和粒徑的降低而有效製備ε晶形酞花青銅。
因此本發明之第一目的係提供一製備ε晶形酞花青銅之方法,該方法需要更短的時間來獲得具有高結晶純度的ε晶形酞花青銅。
本發明之另一目的係提供根據所述方法可獲得的具有小的粒徑和窄粒徑分布之ε晶形酞花青銅的原始顆粒。
本發明還有一目的為使用所述ε晶形酞花青銅顆粒製備彩色濾光器顏料以及製造液晶顯示(LCD)裝置中。
以下對本發明進行詳細描述。
本發明之目的係開發酞花青銅(CuPc),其可有效地用作用於LCD彩色濾光器的藍色顏料。此類彩色濾光器(例如酞花青)必須係高度透明的、均勻的並且能夠製備成一厚度非常均勻的層。這些特徵決定於酞花青銅的化學純度、結晶純度、原始粒徑以及粒徑分布。在此方面,本發明係針對開發一新穎的和更有效的製備酞花青銅之方法,該方法滿足上述特徵。
因此本發明涉及製備呈現ε晶形的酞花青銅顆粒之方法,該方法包括將酞花青銅顆粒在兩個或多個不同溫度下進行捏和,其中大於80重量%(較佳大於85重量%,更佳大於90重量%,最佳大於95重量%)的這些顆粒呈現α結晶形式並且小於20重量%(較佳小於15重量%,更佳小於10重量%,最佳小於5重量%)呈現ε晶體形式的顆粒在液體以及至少一無機鹽存在下作為晶種。
本發明之方法較佳的特徵為以下兩個步驟:1)酞花青銅從β晶形向α晶形的晶相轉化;以及2)酞花青銅從α晶形向ε晶形的晶相轉化以及還有藉由捏和來降低酞花青銅的原始粒徑。
由本發明之方法最終獲得的酞花青銅的平均原始粒徑總體上低於或等於30nm,較佳低於或等於20nm,這小於那些可商購的產品的平均原始粒徑。由於具有更小粒徑之ε晶形酞花青銅對於彩色濾光器產生更好的對比度,它們可以有效地用作LCD裝置的藍色濾光器。可以藉由在透射電子顯微鏡(TEM)影像中選擇至少50個原始顆粒(這些顆粒形成聚集物),然後獲得它們縱向直徑的平均值而確定該原始平均粒徑。
在本發明之方法中使用的呈現α晶形的酞花青銅顆粒可以藉由任何方法獲得。較佳它們藉由使用酸糊劑法由呈現β晶形的酞花青銅顆粒製備。β晶形酞花青銅從不同公司可以商購,例如Toyo Ink(日本)、Dainippon Ink & Chemicals Co.(日本)等。藉由酸糊劑處理而使β晶形酞花青銅轉化為α晶形。酸糊劑處理(acid pasting)係指顏料(較佳粗製的)在酸中溶解(較佳完全溶解)而隨後進行沉澱。較佳使用酸類,如硫酸、氯磺酸以及多磷酸。所使用的沉澱介質通常包括水、有機溶劑或它們的混合物。沉澱作用較佳在湍流條件下發生。此種處理描述於例如Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry,第五次完全修訂版,1992,A20卷,225-226頁。
在步驟2中,將α晶形的酞花青銅捏和以用於晶相轉化以及粒徑減小。
將它們用鹽進行捏和的步驟在液體的存在下進行。為了達到較佳的鹽捏和的過程,有可能使用在本領域已知的典型連續捏和單元,它包括單捏和螺旋類型以及雙捏和螺旋類型。在該較佳的實施態樣中,本發明使用了圖1所示的鹽捏和系統。
捏和步驟在液體以及至少一無機鹽的存在下在兩個不同溫度或多個不同溫度下進行。確切地說,可以進行捏和的溫度條件係使溫度特徵曲線(temperature profile)作為時間的函數呈現出溫度相對於時間而言的至少兩個導數(dT/dt)等於0。所述“dT/dt=0的至少兩個溫度”可以相差至少10℃,較佳至少20℃,更佳40℃,以及最佳50℃。在本發明之另一實施態樣中,在捏和步驟的過程中,溫度在恆定改變的溫度特徵曲線下可以連續地變化、或變化至少一次(臺階式的)。較佳地,捏和在第一溫度然後在第二溫度下進行,其中該第一溫度係80-150℃(較佳100-120℃)並且第二溫度係30-80℃(較佳50-60℃)。
該捏和步驟進行的時間一般係高於或等於2小時,較佳係高於或等於3小時,更佳高於或等於5小時並且最佳高於或等於6小時。該持續時間通常係低於或等於36小時,較佳係低於或等於18小時,更佳低於或等於12小時,以及最佳低於或等於8小時。
適用於捏和步驟的液體可以包括,但是不限於,水、N-甲基-2-吡咯烷酮、碸戊環、N,N-二甲基甲醯胺、二甘醇、N-甲基甲醯胺、二丙酮醇、甘油、乙二醇、丙二醇、聚丙二醇、2-丁氧基乙醇、三甘醇、二甘醇單甲醚、三甘醇單甲醚、二丙甘醇單甲醚(dipropylene glycol monomethyl ether)、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、酮類以及喹啉類以及以上至少兩種的任何混合物。此外該液體較佳地係N-甲基-2-吡咯烷酮。該液體可以進一步包括選自無機酸類及有機酸類的至少一種作為添加劑,例如鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、乙酸、甲酸等,以及它們的具有銨陽離子或金屬陽離子的鹽,較佳係硫酸或具有金屬陽離子的硫酸鹽例如硫酸鋰、硫酸鉀等。
在捏和步驟中,液體與ε晶形的酞花青銅按重量計的比例總體上係高於或等於0.5並且更佳高於或等於1。此比例總體上係低於或等於10並且更佳低於或等於7,仍然更佳低於或等於5,還更佳低於或等於3,並且最佳低於或等於1.5。
在根據本發明之捏和步驟中,適用於鹽捏和步驟的無機鹽可以包括但不限於硫酸鋁、硫酸鈉、氯化鈣、氯化鉀或氯化鈉,較佳係氯化鈉,如果需要並且可用時其可以含有結晶水。該鹽與ε晶形的酞花青銅按重量計的比例大致係高於或等於2並且較佳高於或等於4。此比例通常係低於或等於40並且更佳低於或等於20,更佳低於或等於15,還更佳低於或等於10,並且最佳低於或等於6。
該無機鹽具有大體上高於或等於0.3μm的平均粒徑。經粒徑分析儀測得,該平均粒徑大體上低於或等於200μm,較佳低於或等於50μm。該無機鹽一般係可溶解於水的,較佳的程度為至少10g/100ml的水。
在本發明中所使用的鹽捏和系統的轉速應該進行調整(如果需要考慮冷卻),其方式為均勻的分配下使所捏和的組合物均相移動。較佳在鹽捏和過程中將轉速保持在從30到150rpm的範圍,較佳從50到120rpm。
藉由上述捏和步驟,α晶形酞花青銅可以有效地轉化成具有窄粒徑分布之ε晶形,該粒徑分布係由藉由粒徑分析儀測定的D10
和D90
百分位數而確定。
根據本發明之方法可以進一步包括以下步驟:
a)藉由去除液體以及無機鹽回收酞花青銅顆粒的回收步驟(步驟3)。
回收步驟可以藉由任何方法進行,例如使用任何適當的篩檢方式的過濾,傾析,離心等等。較佳地,可以使用過濾法以分離出呈現ε晶形的酞花青銅顆粒。
在捏和步驟之後,將酞花青銅顆粒藉由去除無機鹽以及液體進行回收。去除可以藉由任何手段完成。較佳的是藉由用水洗去無機鹽以及液體來完成,尤其係用脫礦質的水。
根據本發明之方法在回收步驟之後可以包括另外的乾燥步驟。該乾燥步驟較佳係在高於或等於-20℃並且低於或等於250℃的溫度下在高於或等於10-1
Pa並且低於或等於105
Pa的壓力下進行,非常特別較佳在80℃左右的溫度和104
Pa的壓力下。
為了增加生成的呈現ε晶形的酞花青銅顆粒的可分散性,在根據本發明之方法中,在酸糊劑步驟中及/或捏和步驟中,可以進一步加入由一官能基(分散助劑)取代的酞花青銅顆粒。此外,本發明之方法可以進一步包括乾摻合的步驟,其中在該回收步驟之後進一步混入由一官能基取代的酞花青銅顆粒。
在本發明中用作分散助劑的酞花青銅顆粒可以由選自如下至少一個官能基所取代:-SO3
M、-SO2
NR1
R2
以及-R3
-NR4
R5
,其中R1
和R2
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基;M係質子、銨陽離子或金屬陽離子;R3
係單鍵、伸烷基、伸芳基,所述伸烷基和伸芳基可以由至少一個取代基所取代;並且R4
和R5
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基,或共同形成縮合結構,該縮合結構含有-CO-、-SO2
-以及-N=N-中的至少一種。
更佳地酞花青銅顆粒可以被-SO3
H、-SO2
NHR1
官能基取代,其中R1
係氫,烷基、烯基、芳基、環烷基,或
在一較佳的實施態樣中,根據本發明之方法包括以下步驟:
1)藉由使用酸糊劑法從呈現β晶形的酞花青銅顆粒製備呈現α晶形的酞花青銅顆粒;
2)將在步驟1)中製備的酞花青銅顆粒和呈現ε晶形的酞花青銅顆粒與至少一無機鹽以及液體進行捏和;並且
3)藉由去除液體以及無機鹽來回收酞花青銅顆粒。
儘管與本領域現有之方法相比減少了捏和時間,本發明之方法可以獲得具有更小的平均原始粒徑、更窄粒徑分布以及更好的原始顆粒形狀之ε晶形酞花青銅。
平均原始粒徑一般為小於或等於30nm,較佳小於或等於20nm。
粒徑分布(PSD)係經由粒徑分析儀(PSA)測量。粒徑分布的窄小性表徵為經由PSA測定的D10
和D90
值。
CuPc顆粒的原始顆粒的形狀當藉由它們的TEM影像觀察時較佳係球形。
我們相信本發明之一實施態樣提供了在捏和步驟的過程中溫度條件的變更,由此呈現α-晶形的CuPc顆粒容易地轉化成ε-晶形並且它們的粒徑顯著地減小,並且另外該方法減少了晶相轉化以及粒徑減小的時間。
本發明提供了製備呈現ε晶形的酞花青銅顆粒之方法,該方法包括在兩個或多個不同溫度下將酞花青銅顆粒在液體以及至少一無機鹽的存在下進行捏和,其中這些顆粒中多於80重量%呈現α晶形並且這些顆粒中少於20重量%呈現ε晶形。
本發明之方法可以進一步包括以下步驟:
a)藉由去除液體以及無機鹽而回收酞花青銅顆粒的回收步驟。
在本發明之方法中,可以藉由使用一酸糊劑法從呈現β晶形的酞花青銅顆粒製備呈現α晶形的酞花青銅顆粒。
在本發明之方法中所使用的液體可以包括但不限於選自如下之至少一種液體:水、N-甲基-2-吡咯烷酮、碸戊環、N,N-二甲基甲醯胺、二甘醇、N-甲基甲醯胺、二丙酮醇、甘油、乙二醇、丙二醇、聚丙二醇、2-丁氧基乙醇、三甘醇、二甘醇單甲醚、三甘醇單甲醚、二丙甘醇單甲醚、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、酮類以及喹啉類。該液體可以進一步包括選自無機酸類及有機酸類的至少一種作為添加劑,例如鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、乙酸、甲酸等,以及它們的具有銨陽離子或金屬陽離子的鹽類。確切地,在本發明之某些實施態樣中,加入硫酸或硫酸鹽類。
在酸糊劑步驟或捏和的過程中,較佳進一步添加由至少一個官能基所取代的酞花青銅顆粒,其中該官能基可以選自:-SO3
M、-SO2
NR1
R2
以及-R3
-NR4
R5
,並且其中R1
和R2
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基;M係質子、銨陽離子或金屬陽離子;R3
係單鍵、伸烷基、伸芳基,所述伸烷基和伸芳基可以由至少一個取代基所取代;以及R4
和R5
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基,或共同形成一縮合結構,該縮合結構含有-CO-、-SO2
-以及-N=N-中的至少一種。在本發明之某些特定的實施態樣中,兩種CuPc衍生物:其中一種係酞醯亞胺甲基(phthaloimidomethyl)()取代的CuPc並且其中另一係磺酸取代的CuPc,順序地在捏和或酸糊劑步驟中加入。
作為替代方案,本發明之方法可以進一步包括乾摻合的步驟,其中在回收步驟c)之後由至少一個官能基取代的酞花青銅顆粒作為分散助劑進一步與這些酞花青銅顆粒進行混合,其中該官能基可以選自:-SO3
M、-SO2
NR1
R2
以及-R3
-NR4
R5
,並且其中R1
和R2
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基;M係質子、銨陽離子或金屬陽離子;R3
係單鍵、伸烷基、伸芳基,所述伸烷基和伸芳基可以由至少一個取代基所取代;以及R4
和R5
相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基,或共同形成縮合結構,該縮合結構含有-CO-、-SO2
-以及-N=N-中的至少一種。
較佳地,在本發明中用作分散助劑的酞花青銅可以由以下官能基取代:-SO3
H、-SO2
NHR1
,其中R1
係氫、烷基、烯基、芳基、環烷基、或
本發明還針對根據本發明之方法可獲得之ε晶形酞花青銅顆粒。本發明進一步針對其在製備彩色濾光器顏料中的用途。
另外,本發明針對包括根據本發明之方法製備之ε晶形酞花青銅顆粒的彩色濾光器顏料。並且,本發明針對其在液晶顯示裝置的製造中的用途。
實例
以下將參考實例以及比較例對本發明進行詳細說明。然而這些實例沒有任何意義理解為限制本發明之範圍。此外,除非另有說明單位係按重量表達。
實例1.ε晶形酞花青銅之製備
1)酞花青銅從β晶形向α晶形的晶相轉化
將按重量計80份的粗製酞花青銅加入按重量計800份的95重量%的硫酸中。另外,將所得混合物攪拌3小時以製備硫酸鹽在硫酸中的懸浮液或溶液。將該懸浮液或溶液倒入兩倍的8L水中以獲得α晶形酞花青銅,然後將其在熱空氣中乾燥。將所得的固體磨粉之後,經過XRD研究證實,獲得了就結晶產率而言幾乎定量的α晶形酞花青銅。
2)將酞花青銅顆粒進行捏和,用於從α晶形向ε晶形的晶相轉化以及粒徑的減小。
於實驗室級的捏和機中加入按重量計50份所得的呈現ε晶形的酞花青銅顆粒和按重量計12份ε型酞花青銅與按重量計80份二甘醇和按重量計400份氯化鈉。將該混合物在130℃、以50rpm的旋轉速度捏和2小時(第一階段)並且然後以同樣的旋轉速度在80℃下捏和8小時(第二階段)。在捏和步驟中,順序地加入兩種CuPc衍生物:其中之一係酞醯亞胺甲基取代的CuPc,並且另一係磺酸取代的CuPc)。捏和之後,所得顆粒藉由過濾進行純化並且在80℃的溫度、104
Pa的壓力下進行乾燥。經TEM對顆粒進行分析,所獲得的酞花青銅顆粒與那些可商購的酞花青銅顆粒相比(購自位於日本的Dainippon Ink & Chemicals Co.)具有更小原始粒徑以及更好的顆粒形狀。此外,如圖4a所示,沒有在6.714對應α晶相的實質峰(substantial peak)。因此,認為在捏和步驟中,α相的CuPc顆粒完全轉變成了ε相。
比較例1
在恆定的溫度(80℃)在與實例1相同的捏和時間中進行捏和:第一步驟:在80℃;並且第二步驟:在80℃。所製備的顆粒顯著地含有未轉變的酞花青銅(CuPc)顆粒(即對應α晶形),其存在可以藉由以下的XRD圖譜中6.714處的譜峰加以鑑定(圖4a和4b)。
可以在不背離本發明之精神和範圍時對本發明進行不同的變更和改變對本領域技術人員來說將係明顯的。因此,本發明旨在涵蓋本發明之變更和變體,前提係它們在所附申請專利範圍及其等效物的範圍之內。
圖1示出了在本發明之方法中使用的鹽捏和系統。
圖2a和2b分別示出根據本發明之方法在鹽捏和之前或之後獲得之ε晶形酞花青銅顆粒的透射電子顯微鏡圖。
圖3示出可商購之ε晶形酞花青銅顆粒(購自位於日本的Dainippon Ink & Chemicals Co.)的透射電子顯微鏡圖。
圖4a以及4b示出了在實例1以及比較例1中捏和步驟之後獲得的CuPc顆粒的XRD圖譜。
Claims (15)
- 一種製備呈現ε晶形之酞花青銅顆粒之方法,其包括對該酞花青銅顆粒進行捏和,且進行捏和之溫度條件係使得溫度特徵曲線作為時間的函數呈現出溫度相對於時間而言至少兩個導數(dT/dt)等於0,這些等於0的至少兩個導數相關之至少兩個溫度相差至少10℃,其中在至少一種液體及至少一種無機鹽的存在下,大於或等於50重量%之顆粒呈現α晶形,其中該捏和係在第一溫度然後在第二溫度進行,且該第一溫度係80-150℃及該第二溫度係30-80℃;其中大於80重量%之顆粒呈現α晶形並且小於20重量%之顆粒呈現ε晶形;且其中該液體係至少一種選自如下之液體:水、N-甲基-2-吡咯烷酮、碸戊環、N,N-二甲基甲醯胺、二甘醇、N-甲基甲醯胺、二丙酮醇、甘油、乙二醇、丙二醇、聚丙二醇、2-丁氧基乙醇、三甘醇、二甘醇單甲醚、三甘醇單甲醚、二丙甘醇單甲醚(dipropylene glycol monomethyl ether)、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、酮類以及喹啉類。
- 如申請專利範圍第1項之方法,進一步包括藉由去除該液體和該無機鹽而回收該酞花青銅顆粒的回收步驟。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中捏和係在恆定變化之溫度特徵曲線下進行。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中呈現α晶形之酞花青銅顆粒係藉由使用酸糊劑法由呈現β晶形之酞花青銅顆粒製備。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該液體進一步包括至少一種選自如下之添加劑:無機酸和有機酸以及彼等具有銨陽離子或金屬陽離子之鹽類。
- 如申請專利範圍第5項之方法,其中該添加劑包括硫酸或具有金屬陽離子之硫酸鹽。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該無機鹽係至少一種選自如下之鹽:硫酸鋁、硫酸鈉、氯化鈣、氯化鉀以及氯化鈉。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中在該酸糊劑步驟中或在捏和步驟中進一步加入由至少一個選自如下之官能基所取代之酞花青銅顆粒:-SO3M、-SO2NR1R2以及-R3-NR4R5,其中R1和R2相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基;M係質子、銨陽離子或金屬陽離子;R3係一單鍵、伸烷基、伸芳基,該伸烷基及伸芳基可以由至少一個取代基所取代;並且R4和R5相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基、或環烷基,或共同地形成縮合結構,該縮合結構包括-CO-、-SO2-和-N=N-中至少一種。
- 如申請專利範圍第2項之方法,進一步包括乾摻合步驟,其中在回收步驟之後進一步加入由至少一個選自如下之官能基所取代之酞花青銅顆粒:-SO3M、 -SO2NR1R2以及-R3-NR4R5,其中R1和R2相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基;M係質子、銨陽離子或金屬陽離子;R3係一單鍵、伸烷基、伸芳基,該伸烷基和伸芳基可以由至少一個取代基所取代;並且R4和R5相互獨立並且係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基,或共同形成縮合結構,該縮合結構含有-CO-、-SO2-及-N=N-中至少一種。
- 如申請專利範圍第8或9項之方法,其中該官能基係-SO3H、-SO2NHR1或,其中R1係氫、烷基、烯基、芳基或環烷基。
- 一種如申請專利範圍第1項之方法製備呈現ε晶形之酞花青銅顆粒,其具有如藉由透射電子顯微鏡所測量之低於20nm的平均粒徑。
- 如申請專利範圍第11項之酞花青銅顆粒的原始顆粒形狀當藉由透射電子顯微鏡觀察時係球形。
- 一種彩色濾光器顏料,其包括如申請專利範圍第11項之酞花青銅顆粒。
- 一種如申請專利範圍第11項之酞花青銅顆粒在製備彩色濾光器顏料中之用途。
- 一種如申請專利範圍第13項之彩色濾光器顏料在製備液晶顯示裝置中之用途。
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