TWI512120B - A magneto-magnetic alloy for magnetic recording, a sputtering target material, and a magnetic recording medium - Google Patents
A magneto-magnetic alloy for magnetic recording, a sputtering target material, and a magnetic recording medium Download PDFInfo
- Publication number
- TWI512120B TWI512120B TW100138891A TW100138891A TWI512120B TW I512120 B TWI512120 B TW I512120B TW 100138891 A TW100138891 A TW 100138891A TW 100138891 A TW100138891 A TW 100138891A TW I512120 B TWI512120 B TW I512120B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- magnetic recording
- alloy
- elements
- magnetic
- Prior art date
Links
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 34
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 34
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/11—Making amorphous alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/003—Making ferrous alloys making amorphous alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/02—Amorphous alloys with iron as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/04—Amorphous alloys with nickel or cobalt as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本申請書係基於2010年10月26日所申請之日本專利申請2010-240184號及2011年4月19日所申請之日本專利申請2011-92631號主張優先權之物，且藉由參考其全體揭示內容納入本說明書。
本發明係有關硬碟運轉用熱輔助磁記錄媒體中作為軟磁性裱褙層(SUL層)用之Co系磁記錄用軟磁性合金，與使用該合金之濺鍍標靶材料及磁記錄媒體。
近年來隨著磁記錄技術的進步，為了使運轉大容量化而發展磁記錄媒體之高記錄密度化之情形下，開始檢討可實現高記錄密度化比先前普及之垂直記錄媒體更高之熱輔助磁記錄方式。
熱輔助磁記錄方式為，以雷射加熱磁記錄媒體的同時記錄數據之方式。但隨著磁記錄媒體發展高密度化，會使磁性記錄之數據受周圍之熱影響而消失之熱晃動問題更明顯。為了回避該熱晃動問題，需提高記錄媒體所使用之磁性材料之保磁力。但保磁力過高時將無法記錄。解決該問題之方式為熱輔助磁記錄方式。
另外加熱記錄媒體於降低保磁力下可進行記錄，記錄後冷卻媒體時可再度提高保磁力，因此會增強熱晃動。曾檢討之熱輔助方式用之磁記錄媒體如，特開2010-182386號公報(專利文獻1)所揭示之磁記錄媒體。如該專利文獻1所揭示，要求軟磁性層為非晶質，但熱輔助方式同上述為加熱記錄媒體。因此專利文獻1所揭示之軟磁性層用合金被要求具有既使加熱時也不會結晶化之具有充分高結晶化溫度。但由特開2001-110044號公報(專利文獻2)得知專利文獻1所揭示之軟磁性層之結晶化溫度約為400℃(670K)，故有結晶化之課題。
又，增本健著「非晶質金屬之基礎」歐姆公司，1982，P94(非專利文獻1)所揭示之組成中，曾揭示800K程度之結晶化溫度，但因使用Si、Ge、P、B、C般之半金屬，故使用於軟磁性層時會有耐蝕性之課題。又，非磁性合金中也曾介紹如非專利文獻2所揭示，結晶化溫度超過800K之合金，但軟磁性膜用途中要求具有磁性故無法適用。
專利文獻1：特開2010-182386號公報
專利文獻2：特開2001-110044號公報
非專利文獻1：增本健著「非晶質金屬之基礎」歐姆公司，1982，P94
非專利文獻2：OH JE,WOOLLAM J A,AYLESWORTHKD,SELLMYER D J,POUCH J J. J Appl Phys.,Vol. 60,No. 12 PP.4271至4286,1986
如上述般，專利文獻1中要求合金之軟磁性層為非晶質，但因熱輔助方式為加熱記錄媒體，故專利文獻1所揭示之軟磁性層會有結晶化之課題。又，非專利文獻1所揭示之組成雖具有800K程度之結晶化溫度，但係使用Si、Ge、P、B、C般之半金屬、故軟磁性層會有耐蝕性之問題。
本發明者們發現，目前Co合金中，(1)藉由添加Zr、Hf及/或Ti之非晶質化促進元素可確保非晶質，(2)藉由添加V、Nb、Ta、Cr、Mo及/或W可實現高結晶化溫度，且可賦予提升非晶質，(3)藉由添加Ni及/或Mn可調整飽和磁束密度，(4)藉由添加Al及/或Cu可圖謀提升耐蝕性，(5)藉由Si、Ge、P、B及/或C可圖謀改善非晶質性，可提供能實現該優良特性之磁記錄用軟磁性合金。
因此本發明之目的為，提供具有優良之飽和磁束密度、非晶質性、結晶化溫度及耐蝕性之熱輔助磁記錄媒體用軟磁性合金，使用其之濺鍍標靶材料及磁記錄媒體。
本發明之一態樣可提供，由含有at%下
Fe：0至70%
(A)Ti、Zr及Hf所成群中所選出之1種或2種以上元素：5至20%、
(B)Cr、Mo及W所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%、
(C)V、Nb及Ta所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%、
(D)Ni及Mn所成群中所選出之1種或2種元素：0至30%、
(E)Al及Cu所成群中所選出之1種或2種元素：0至5%、與
(F)Si、Ge、P、B及C所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至10%，殘部Co及不可避之不純物所形成之磁記錄用軟磁性合金。
本發明另一態樣可提供，以上述之磁記錄用軟磁性合金製作之濺鍍標靶材料。
本發明另一態樣可提供，備有以上述之磁記錄用軟磁性合金製作之軟磁性膜之磁記錄媒體。
下面將具體說明本發明。無特別明示下，本說明書中之「%」係指at%。
本發明之磁記錄用軟磁性合金為，由含有(comprising)at%下Fe：0至70%、(A)Ti、Zr及Hf所成群中所選出之1種或2種以上元素：5至20%、(B)Cr、Mo及W所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%，(C)V、Nb及Ta所成群中所選出之1種或2種以上之元素：0至30%，(D)Ni及Mn所成群中所選出之1種或2種元素：0至30%，(E)Al及Cu所成群中所選出之1種或2種元素：0至5%，與(F)Si、Ge、P、B及C所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至10%，殘部Co及不可避之不純物所形成之物，較佳為實質上由該等元素所形成(consisting essentially of)，更佳為僅由該等元素所形成(consisting of)。
本發明之合金為，含有0至70%之Fe，較佳為20至70%，更佳為30至50%。Fe為製造軟磁性材料用之元素，但超過70%時會使耐蝕性變差。
本發明之合金為，含有5至20%之Ti、Zr及Hf所成群中所選出之1種或2種以上之(A)群元素，較佳為6至15%，更佳為9至14%。Ti、Zr及Hf為，Co系合金中確保非晶質化(amorphous化性)用之元素，該等元素之合計含量為5至20%時可充分達成非晶質化。
本發明之較佳態樣中，合金可含有5至30%之Cr、Mo及W所成群中所選出之1種或2種以上之(B)群元素，較佳為10至25%。Cr、Mo及W為，Co合金中實現高結晶化溫度用之元素，該等元素之1種或2種以上之合計含量為5至30%時可充分達成其效果，且可賦予非晶質化。
本發明之較佳形態中，(A)群元素與(B)群元素之和可為10至35%。該範圍時可賦予非晶質化，且可有效防止磁性降低。
本發明之較佳形態中，合金可含有30%以下之V、Nb及Ta所成群中所選出之1種或2種以上之(C)群元素，較佳為20%以下，更佳為10%以下。V、Nb及Ta為，Co合金中顯著提升耐蝕性，且促進非晶質化用之元素，特別是與(B)群複合添加時可實現高耐蝕性與高結晶化溫度。該等元素之合計含量為30%以下時可賦予非晶質化。
本發明之較佳態樣中，合金可含有30%以下之Ni及Mn所成群中所選出之1種或2種之(D)群元素，較佳為20%，更佳為10%。Ni及Mn為，Co合金中調整飽和磁束密度用之元素，該等元素之合計含量為30%以下時可得優良磁性。
本發明之較佳態樣中，合金可含有5%以下之Al及Cu所成群中所選出之1種或2種之(E)群元素。Al及Cu為，Co合金中提升耐蝕性用之元素，該等元素之合計含量為5%以下時可賦予非晶質化。
本發明之較佳態樣中，合金可含有10%以下之Si、Ge、P、B及C所成群中所選出之1種或2種之(F)群元素。Si、Ge、P、B及C為，Co合金中改善非晶質性用之元素，該等元素之合計含量為10%以下時可賦予非晶質化。
下面將舉實施例具體說明本發明之合金。
一般垂直磁記錄媒體之薄膜係由，將成分與其成分相同之濺鍍標靶材料濺鍍於玻璃基板等上方，成膜所得，再將藉由濺鍍成膜之薄膜急冷。相對地本實施例所使用之供試材料為，使用單輥式之液體急冷裝置製作之急冷薄帶。其係藉由簡易之液體急冷薄帶，評估實際藉由濺鍍再急冷成膜之薄膜之成分，相對於諸特性之影響性。
使用徑10至40mm之水冷銅模於減壓Ar中，將依表1及表2所示之成分組成秤取之原料30g電弧熔化後，得急冷薄帶之熔化母材料。急冷薄帶之製作條件為，以單輥方式將該熔化母材料安裝於徑15mm之石英管中，以給料噴嘴口徑為1mm、環境氣壓61kPa、噴霧差壓69kPa、銅輥(徑300mm)之回轉數3000rpm、銅輥與給料噴嘴之間隔0.3mm之條件給料。給料溫度為各熔化母材料之熔落瞬間溫度。以由此製作之急冷薄帶作為供試材料進行下述項目評估。
使用VSM裝置(震動試料型磁力計)以施加磁場1200kA/m測定急冷薄帶之飽和磁束密度。供試材料之重量為15mg，飽和磁束密度為0.3T以上未達0.8T之物視為○，0.8T以上之物視為◎，未達0.3%之物視為×。
一般測定非晶質材料之X線衍射圖型時不會出現衍射峰，而為非晶質特有之暈模式。又，不為完全非晶質時出現衍射峰之物，比較結晶材料時峰高度較低且出現暈模式。又，以下述方法評估非晶質性。
評估非晶質性之方法為，以雙面膠將供試材料貼附於玻璃板上，再以X線衍射裝置得衍射圖型。此時係以測定面為急冷薄帶之銅輥接觸面之條件貼附供試材料。X線源為Cu-α線，以掃描速度4°/min測定。該衍射圖型可確認暈模式之物視為○，完全未出現暈模式之物視為×以評估非晶質性。
一般非晶質材料會伴隨加熱而發生結晶化，將結晶化之溫度稱為結晶化溫度。又，結晶化時會發生發熱反應。結晶化溫度係以，測定伴隨結晶化而發熱之溫度進行評估。此時係以下述方法評估結晶化溫度。藉由差示掃描熱量測定(DSC)以加熱速度0.67Ks-1
之條件進行調查。將結晶化溫度為773K以上未達873之物視為○，結晶化溫度為873K以上之物視為◎，結晶化溫度未達773K之物視為×。
以雙面膠將急冷薄帶貼附於玻璃切片得試料後，實施鹽水噴霧試驗(5% NaCl水溶液，35℃下16小時)進行評估，將未生銹之物視為○，生銹之物視為×。
秤取50mg之試料後，滴入3at% HNO3
水溶液10ml，室溫下放置1小時後，分析3% HNO3
水溶液中之Co溶出量。將Co溶出量未達500ppm視為◎，500以上未達1000ppm視為○，1000ppm以上視為×。
又，如表1之成分組成項所記載，例如No.9中Zr為10%、W為5%、Mo為5%，因此(Co-30Fe)為100%-20%為80%，以該80%為100時，Co為(100-30)、Fe為30之比例。即，Co為56%、Fe為24%之物。
[表1]
表1所示之樣品No.33為，因(B)群元素之含量較低，故結晶化溫度較低。樣品No.34為，因(B)群元素之含量較高，故飽和磁束密度較低、結晶化溫度較低。樣品No.35為，因(B)群元素之合計量較低，故結晶化溫度較低。樣品No.36為，因(B)群元素之合計量較高，故無法非晶質化結晶化溫度較低。樣品No.37為，因不含(A)群元素，故非晶質性較差。
樣品No.38為，因(A)群元素之含量較低，故非晶質性較差。樣品No.39為，因(A)群元素之含量較高，故非晶質性不足，且Fe含量較高，故耐蝕性不足。樣品No.40為，因Fe含量較高，故耐蝕性不足。樣品No.41為，因(A)群元素之含量較低，(A)群元素與(B)群元素之合計量較低，故非晶質性較差。樣品No.42為，因(A)群元素與(B)群元素之合計量較高，故磁性較低，且非晶質性不足。
樣品No.43為，(D)群元素之含量較高，磁性較差。樣品No.44為，因含有半金屬之B、Si元素，故耐蝕性不足。樣品No.45為，因(B)群元素之含量較低，且(A)群元素與(B)群元素之合計量較低，故非晶質性不足。樣品No.46為不含Co與Fe，且不含(D)群元素，故為非磁性。相對地樣品No.1至32均符合本發明之條件，故具有優良之飽和磁束密度及非晶質性、高結晶化溫度、及優良耐蝕性。
除了上述例示外，其他樣品如表2所示。
[表2]
樣品No.26為，因Al含量較高，故無法非晶質化。樣品No.27為，因Cu含量較高，故無法非晶質化。樣品No.28為，因C含量較高，故無法非晶質化。樣品No.29為，B、Si、P之合計含量較高，故無法非晶質化。樣品No.30為，Ta含量較高且Al含量較高，故無法非晶質化。樣品No.31為，因V含量較高且Cu含量較高，故無法非晶質化。樣品No.32為，因Nb含量較高且C含量較高，故無法非晶質化。樣品No.33為，因P含量較高，故無法非晶質化。樣品No.34為，因Ge含量較高，故無法非晶質化。
其次將說明濺鍍標靶材料之製造方法。秤取表1之樣品No.1、No.3、No.4、No.5、No.8、No.13、No.18、No.23、No.27、No.32及No.33、No.36所示之12種成分組成之溶解原料後，於減壓Ar氣體環境下之耐火物坩堝內進行衍生加熱溶解，再由坩堝下方之直徑8mm之噴嘴給料，藉由Ar氣體霧化。以該氣體霧化粉末為原料，將其脫氣裝入外徑220mm、內徑210mm、長200mm之SC製罐子。脫氣時之真空到達度約為1.3×10-2
Pa。將上述粉末填充鋼壞加熱至1150℃後，裝入徑230mm之拘束型容器內，以500MPa加壓成型。藉由鋼絲切刀、旋盤加工、平面研磨將上述方法製作之固化成型物加工為直徑180mm、厚7mm之圓盤狀，作為濺鍍標靶材料。
使用該等12種成分組成之濺鍍標靶材料，於玻璃基板上使濺鍍膜成膜。結果X線衍射圖型中，樣品No.1、No.3、No.4、No.5、No.8、No.13、No.18、No.23、No.27、No.32均出現暈模式，樣品No.33、No.36出現結晶峰。又，與急冷薄帶相同測定結晶化溫度，結果No.1、No.3、No.4、No.5、No.8、No.13、No.18、No.23、No.27、No.32之結晶化溫度均較高為773K以上，樣品No.33、No.36之溫度較低為未達773K。
雖未表示耐蝕性，但評估結果為與急冷薄帶相同之◎、○及×。磁特性也與急冷薄帶相同測定磁特性，評估結果為與急冷薄帶相同之◎、○及×。總括上述可確認急冷薄帶之評估結果與使用濺鍍標靶成膜之濺鍍膜之評估傾向同等。
又，秤取表2之樣品No.1、No.3、No.5、No.7、No.11、No.15、No.18、No.24、No.25及表2之樣品No.26、No.28、No.29、No.33所示之13種成分組成之溶解原料後，於減壓Ar氣體環境下之耐火物坩堝內進行衍生熱溶解，再由坩堝下方之直徑8mm之噴嘴給料，藉由Ar氣體霧化。以該氣體霧化粉末為原料，將其脫氣裝入外徑220mm、內徑210mm、長200mm之SC製罐子。脫氣時之真空到達度約為1.3×10-2
Pa。將上述粉末填充鋼壞加熱至1000℃後，裝入徑230mm之拘束型容器內，以500MPa加壓成型。藉由鋼絲切刀、旋盤加工、平面研磨將上述方法製作之固化成型物加工為直徑165mm、厚6mm之圓盤狀，作為濺鍍標靶材料。
使用該等13種成分組成之濺鍍標靶材料，於玻璃基板上使濺鍍膜成膜。結果X線衍射圖型中，樣品No.1、No.3、No.5、No.7、No.11、No.15、No.18、No.24、No.25均出現暈模式，樣品No.26、No.28、No.29、No.33出現結晶峰。又，與急冷薄帶相同測定結晶化溫度，結果樣品No.1、No.3、No.5、No.7、No.11、No.15、No.18、No.24、No.25之結晶化溫度較高為773K以上，樣品No.33、No.36之溫度較低為未達773K。
雖未表示耐蝕性，但評估結果為與急冷薄帶相同之◎、○及×。磁性特性也與急冷薄帶相同測定磁特性，評估結果為與急冷薄帶相同之◎、○及×。總括上述可確認，急冷薄帶之評估結果與使用濺鍍標靶材料成膜之濺鍍膜之評估傾向同等。
如上述本發明可提供，特別是確保飽和磁束密度、非晶質性，具有高結晶化溫度及優良耐蝕性之熱輔助磁記錄媒體用軟磁性合金，及該合金所製作之濺鍍標靶材料及磁記錄媒體。
Claims (9)
- 一種磁記錄用軟磁性合金，其係由含有at%為基準，Fe：0至70%、(A)由Ti、Zr及Hf所成群中所選出之1種或2種以上元素：5至20%、(B)由Cr、Mo及W所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%、(C)由V、Nb及Ta所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%、(D)由Ni及Mn所成群中所選出之1種或2種元素：0至30%、(E)由Al及Cu所成群中所選出之1種或2種元素：0至5%、及(F)由Si、Ge、P、B及C所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至10%，殘部Co及不可避之不純物所形成。
- 如申請專利範圍第1項之磁記錄用軟磁性合金，其中前述合金僅由含有at%下Fe：0至70%、(A)由Ti、Zr及Hf所成群中所選出之1種或2種以上元素：5至20%、(B)由Cr、Mo及W所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至30%、(C)由V、Nb及Ta所成群中所選出之1種或2種以上 元素：0至30%、(D)由Ni及Mn所成群中所選出之1種或2種元素：0至30%、(E)由Al及Cu所成群中所選出之1種或2種元素：0至5%、及(F)由Si、Ge、P、B及C所成群中所選出之1種或2種以上元素：0至10%，及殘部Co及不可避之不純物所形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之磁記錄用軟磁性合金，其中含有5至30at%之(B)群元素，(A)群元素與(B)群元素之和為10至35at%。
- 如申請專利範圍第1或2項之磁記錄用軟磁性合金，其中含有超過0%且30at%以下之(C)群元素。
- 如申請專利範圍第1或2項之磁記錄用軟磁性合金，其中含有超過0%且30at%以下之(D)群元素。
- 如申請專利範圍第1或2項之磁記錄用軟磁性合金，其中含有超過0%且5at%以下之(E)群元素。
- 如申請專利範圍第1或2項之磁記錄用軟磁性合金，其中含有超過0%且10at%以下之(F)群元素。
- 一種濺鍍標靶材料，其為使用如申請專利範圍第1至7項中任何1項之磁記錄用軟磁性合金製作。
- 一種磁記錄媒體，其為備有使用如申請專利範圍第1至7項中任何1項之磁記錄用軟磁性合金製作之軟磁性膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010240184 | 2010-10-26 | ||
| JP2011092631A JP5714397B2 (ja) | 2010-10-26 | 2011-04-19 | 磁気記録用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201231689A TW201231689A (en) | 2012-08-01 |
| TWI512120B true TWI512120B (zh) | 2015-12-11 |
Family
ID=45993795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100138891A TWI512120B (zh) | 2010-10-26 | 2011-10-26 | A magneto-magnetic alloy for magnetic recording, a sputtering target material, and a magnetic recording medium |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5714397B2 (zh) |
| CN (1) | CN103221568B (zh) |
| MY (1) | MY182967A (zh) |
| SG (1) | SG189986A1 (zh) |
| TW (1) | TWI512120B (zh) |
| WO (1) | WO2012057087A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5917045B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2016-05-11 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材 |
| JP6405261B2 (ja) * | 2014-05-01 | 2018-10-17 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
| CN104388842B (zh) * | 2014-12-02 | 2016-08-24 | 北京科技大学 | 一种Fe-Cr-B系耐腐蚀块体非晶合金及其制备方法 |
| JP6506659B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-04-24 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用非晶質合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
| CN105755356A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-07-13 | 梁梅芹 | 一种铁基纳米晶软磁合金的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132892A (en) * | 1997-09-17 | 2000-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Soft magnetic alloy film and manufacturing method thereof, and magnetic head incorporating the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263945A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 軟磁性合金 |
| JPH05267031A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-10-15 | Takeshi Masumoto | 磁心材料 |
| JP2856725B2 (ja) * | 1997-05-26 | 1999-02-10 | 松下電器産業株式会社 | 軟磁性合金膜の形成法 |
| US20080083616A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-Fe-Zr BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF |
| JP5605787B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2014-10-15 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金を成膜するためのスパッタリングターゲット材とその製造方法 |
| JP2010111943A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP2010159491A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材 |
| JP5617112B2 (ja) * | 2010-01-14 | 2014-11-05 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2011181140A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜 |
-
2011
- 2011-04-19 JP JP2011092631A patent/JP5714397B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-24 SG SG2013031174A patent/SG189986A1/en unknown
- 2011-10-24 MY MYPI2013700669A patent/MY182967A/en unknown
- 2011-10-24 CN CN201180051301.1A patent/CN103221568B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-24 WO PCT/JP2011/074448 patent/WO2012057087A1/ja active Application Filing
- 2011-10-26 TW TW100138891A patent/TWI512120B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132892A (en) * | 1997-09-17 | 2000-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Soft magnetic alloy film and manufacturing method thereof, and magnetic head incorporating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103221568B (zh) | 2016-03-23 |
| TW201231689A (en) | 2012-08-01 |
| JP5714397B2 (ja) | 2015-05-07 |
| WO2012057087A1 (ja) | 2012-05-03 |
| CN103221568A (zh) | 2013-07-24 |
| SG189986A1 (en) | 2013-06-28 |
| JP2012108997A (ja) | 2012-06-07 |
| MY182967A (en) | 2021-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI627286B (zh) | CoFe-based alloy for soft magnetic film layer and sputtering target for perpendicular magnetic recording medium | |
| CN103221999B (zh) | 磁记录介质的籽晶层用合金及溅射靶材 | |
| JP6405261B2 (ja) | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 | |
| JP5698023B2 (ja) | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材ならびに磁気記録媒体 | |
| TWI512120B (zh) | A magneto-magnetic alloy for magnetic recording, a sputtering target material, and a magnetic recording medium | |
| TWI478183B (zh) | A magneto-magnetic recording medium for magnetic recording and a sputtering target, and a magnetic recording medium | |
| CN109074824B (zh) | 磁记录介质的晶种层用合金、溅射靶材和磁记录介质 | |
| JP6756179B2 (ja) | Ｆｅ基合金組成物 | |
| JP6094848B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜の製造方法 | |
| JP5797398B2 (ja) | 磁気記録用Ｎｉ系合金及びスパッタリングターゲット材ならびに磁気記録媒体 | |
| JP6506659B2 (ja) | 磁気記録用非晶質合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 | |
| JP6442460B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金およびスパッタリングターゲット材 | |
| CN107251139B (zh) | Ni－Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质 | |
| JP2011181140A (ja) | 磁気記録媒体用Ｆｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜 | |
| JP2018085156A (ja) | 軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2020135907A (ja) | 垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、並びに、垂直磁気記録媒体及びその軟磁性層 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |