TWI509217B - 捲繞裝置、捲繞方法、檢查裝置及構造物製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於捲繞裝置、捲繞方法、檢查裝置及構造物製造方法。
在捲繞如鋰離子電池之電極或薄膜電容器般之帶狀片材而形成之捲繞體中,自該等之特性而言,片材之捲繞偏移之檢查較為重要。作為檢查捲繞偏移之裝置,如圖10所示之裝置作為先前技術揭示於專利文獻1中。
在圖10中,檢查對象物2係設置於平臺1上,檢查對象物2係完成片材之捲繞之捲繞體。於設置於平臺1上之檢查對象物2之一側面上,自X射線照射裝置3照射X射線。電視攝像機4係攝像檢查對象物2之另一側面。藉由該攝像在電視攝像機4中獲得檢查對象物2之X射線透射圖像。基於該X射線透射圖像,根據先前技術,檢查檢查對象物2之捲繞偏移。
專利文獻1:日本特開平11-51629號公報
然而,在先前技術中,有因使用X射線而使作業者有遭受輻射之風險之課題。
本發明係解決上述先前之課題者,目的在於不使用X射線而實施檢查。
為達成上述目的,本發明之一態樣之捲繞裝置之特徵在於其係將經貼合之第1片材與第2片材捲繞於捲芯而形成捲繞體者,且包含:光源單元,其係射出放射光;分割部,其係將上述放射光分割成照射於經貼合之上述第1片材及第2片材之側面部之測量光及照射於參照面之參照光;干擾檢測部,其係檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光;位置檢測部,其係基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置;及判定部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置而判定上述捲繞體之良否。又,為達成上述目的,本發明之另一態樣之檢查裝置之特徵在於其係檢查具有經貼合之第1片材及第2片材之零件者,且包含:光源單元,其係射出放射光;分割部,其係將上述放射光分割成照射於上述第1片材及上述第2片材之側面部之測量光及照射於參照面之參照光;干擾檢測部,其係檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光;位置檢測部,其係基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置;及
判定部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置而判定上述零件之良否。
又,為達成上述目的,本發明之另一態樣之捲繞方法之特徵在於其係一邊將經貼合之第1片材及第2片材捲繞於捲芯而形成捲繞體,一邊實施檢測步驟者,且上述檢查步驟包含:將測量光照射於經貼合之上述第1片材及上述第2片材之側面部,且將參照光照射於參照面之步驟;檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光之步驟;基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置之步驟;及基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置而判定上述捲繞體之良否之步驟。
又,為達成上述目的,本發明之另一態樣之構造物製造方法之特徵在於包含:準備以上述捲繞方法形成之上述捲繞體之步驟;及使用上述捲繞體製造構造物之步驟。
又,為達成上述目的,本發明之另一態樣之構造物製造方法之特徵在於包含:使用上述檢查裝置,對上述零件實施檢查之步驟;及利用經實施檢查之上述零件製造構造物之步驟。
根據本發明之態樣,可不使用X射線而實施檢查。
1‧‧‧平臺
2‧‧‧檢查對象物
3‧‧‧X射線照射裝置
4‧‧‧電視攝像機
50‧‧‧第1供給捲盤
51‧‧‧第2供給捲盤
61‧‧‧隔片
62‧‧‧隔片
63‧‧‧正極
64‧‧‧負極
100‧‧‧捲繞控制部
100a‧‧‧顯示部
100b‧‧‧記憶部
100c‧‧‧判定部
200‧‧‧捲繞裝置
201‧‧‧SS-OCT裝置
202‧‧‧第1片材
203‧‧‧第2片材
203a‧‧‧第2片材
203b‧‧‧第2片材
204‧‧‧捲繞體
204e‧‧‧側面部
205‧‧‧貼合滾筒
206‧‧‧捲芯
206M‧‧‧捲芯旋轉驅動部
209‧‧‧照射點
210‧‧‧接點
301‧‧‧光纖干擾儀
302‧‧‧波長掃描型光源
303‧‧‧第1耦合器
304‧‧‧第1循環器
305‧‧‧第2循環器
306‧‧‧第2耦合器
307‧‧‧測量頭
307M‧‧‧驅動部
308‧‧‧照射準直透鏡
309‧‧‧檢流計反射鏡
310‧‧‧光束直徑成形機構
311‧‧‧參照面
312‧‧‧參照準直透鏡
313‧‧‧差動放大器
314‧‧‧OCT運算處理部
314a‧‧‧類比/數位轉換電路(類比/數位轉換部)
314b‧‧‧傅利葉轉換電路(傅利葉轉換部)
314c‧‧‧運算部
400‧‧‧捲繞裝置
401‧‧‧滾筒導向器
401M‧‧‧移動裝置
401r‧‧‧滾輪
402‧‧‧反饋控制部
403‧‧‧捲繞控制部
B‧‧‧箭頭
D‧‧‧箭頭
F‧‧‧箭頭
H‧‧‧箭頭
M‧‧‧點
x‧‧‧軸向
y‧‧‧軸向
z‧‧‧軸向
Z1‧‧‧位置
Z2‧‧‧位置
本發明之該等及其他目的與特徵係自與關於附加圖式之較佳實
施形態關聯之如下記述而明了。在該圖式中:圖1A係第1實施形態之捲繞裝置之模式圖;圖1B係作為捲繞裝置之檢查對象物之一例之鋰離子電池之立體圖;圖2係自箭頭B觀察圖1A之A-A'剖面之圖,係捲繞裝置之捲繞偏移檢查裝置之構成圖;圖3係顯示第1實施形態之捲繞裝置之捲繞方法之流程圖;圖4A係用以說明捲繞偏移量△z之圖,係表示捲芯之旋轉角度θ及捲繞體之端面之位置z1、z2之關係之圖;圖4B係用以說明捲繞偏移量△z之圖,係表示θ=360°時獲得之SS-OCT信號與位置z之關係之圖;圖4C係用以說明捲繞偏移量△z之圖,係表示θ=720°時獲得之SS-OCT信號與位置z之關係之圖;圖5A係用以說明照射點之圖,係顯示照射點之長軸之長度為300μm時之捲繞體之接點之點位置之圖;圖5B係用以說明照射點之圖,係表示自箭頭D觀察圖5A之C-C'剖面之剖面圖、與表示SS-OCT信號與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖;圖5C係用以說明照射點之圖,係放大圖5A之照射點附近之圖;圖6A係用以說明照射點之圖,係顯示照射點之長軸之長度為100μm時之捲繞體之接點之點位置之圖;圖6B係用以說明照射點之圖,係表示自箭頭F觀察圖6A之E-E'剖面之圖、與表示SS-OCT信號與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖;圖6C係用以說明照射點之圖,係放大圖6A之照射點附近之圖;圖7A係用以說明照射點之圖,係顯示照射點之長軸之長度時之
捲繞體之接點之點位置之圖;圖7B係用以說明照射點之圖,係表示自箭頭H觀察圖7A之G-G'剖面之圖、與表示SS-OCT信號與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖;圖7C係用以說明照射點之圖,係放大圖7A之照射點附近之圖;圖8A係表示第1片材與第2片材之關係之圖,係第1片材與第2片材保持張力之狀態之捲繞體之圖、與表示SS-OCT信號與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖;圖8B係表示第1片材與第2片材之關係之圖,係將第2片材被覆於第2片材上之狀態之捲繞體之圖、與表示SS-OCT信號與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖;圖9係第2實施形態之捲繞裝置之模式圖;圖10係專利文獻1中之先前之捲繞偏移檢查技術之概略構成圖。
以下,關於本發明之實施形態,參照圖式進行說明。另外,在附加圖式中,對同樣之零件標註同樣之參照符號。
圖1A係本發明之第1實施形態之捲繞裝置200之模式圖。
在圖1A中,捲繞裝置200具備SS-OCT裝置201。該捲繞裝置200係將經貼合之第1片材202與第2片材203捲繞於捲芯206,而形成捲繞體204之裝置。第1片材202係第一薄片之一例。第2片材203係第2薄片之一例。在該第1實施形態中,於包含第1片材202、及第2片材203之捲繞體204之單側,自SS-OCT裝置201照射光,而檢查構成捲繞體204之第1片材202或者第2片材203之捲繞偏移。另外,將經貼合之第1片材202與第2片材203捲繞於捲芯206,而形成捲繞體204時,為更確實
維持已將最外側之第1片材202與第2片材203捲繞之狀態而以免回捲,可適宜使用暫時接合之膠帶等周知之暫時接合構件。
捲繞裝置200具備第1供給捲盤50、第2供給捲盤51、貼合滾筒205、捲芯206、捲芯旋轉驅動部206M、及捲繞控制部100。
捲芯旋轉驅動部206M係以馬達等構成,基於來自捲繞控制部100之資訊,對捲芯206進行旋轉驅動。
捲繞控制部100具備顯示部100a、記憶部100b及判定部100c,而控制捲繞裝置200之捲繞動作。
顯示部100a係顯示所形成之捲繞體204為OK品或NG品。
記憶部100b係與捲繞體204上標註之製造序號等關聯而記憶為NG品之宗旨。
判定部100c基於後述之OCT運算處理部314(參照圖2)所檢測出之位置,判定捲繞體204之良否(OK或NG)。
在將第1片材202與第2片材203分別捲繞成滾筒狀之狀態下,藉由第1供給捲盤50與第2供給捲盤51分別設置於捲繞裝置200中。第1片材202自第1供給捲盤50回捲而供給至貼合滾筒205。第2片材203自第2供給捲盤51回捲而供給至貼合滾筒205。第1片材202與第2片材203以貼合滾筒205貼合後,到達捲芯206,於捲芯206周圍形成捲繞體204。
捲繞體204係例如構成鋰離子電池之構件。構成鋰離子電池之捲繞體204係如圖1B所示,包含正極63及負極64,以及其間之絕緣體即2片隔片61、62,共計4片片材。且,為簡化說明,在以下之說明中,使捲繞體204含有之片材之數為2片,第1片材202為作為導體電極之一例之正極63,第2片材203為絕緣體之隔片61。
貼合滾筒205係以一對滾筒構成,且於一對滾筒間,包夾第1片材202與第2片材203,而使第1片材202與第2片材203重合。
SS-OCT裝置201係使用波長掃描型光學相干斷層掃描(SS-OCT:
Swept Source Optical Coherence Tomography)之光干擾信號測量裝置。OCT(Optical Coherence Tomography:光學相干斷層掃描)係利用光之干擾現象之測量法。根據OCT,將來自光源之放射光分割成參照光與測量光,且使參照光入射於參照面,使測量光入射於測量對象物。然後,藉由干擾以參照面反射之光與以測量對象物反射之測量光而檢測干擾信號。基於檢測出之干擾信號,檢測測量對象物之位置。
OCT中大致區分有參照面之掃描必要之時間區域OCT(TD-OCT:Time Domain Optical Coherence Tomography)與參照面之掃描不需要之頻率區域OCT(FD-OCT:Fourier Domain Optical Coherence Tomography)之2種。另外,FD-OCT中,亦有光譜儀類型與波長掃描型類型之兩種。特別是,波長掃描型類型之FD-OCT被稱為SS-OCT。根據SS-OCT,一方面使從光源射出之光之頻率時間性地變化並進行干擾光之檢測。
於圖2顯示SS-OCT裝置201之概略構成。
SS-OCT裝置201具備光纖干擾儀301、及測量頭307。光纖干擾儀301具備作為光源單元之一例發揮功能之波長掃描型光源302。測量頭307係作為光學構件之一個發揮功能。
光纖干擾儀301具備使出射之放射光之波長變化之波長掃描型光源302。來自波長掃描型光源302之放射光之光出射口,連接於第1耦合器303之光受入口。第1耦合器303係作為將光以固定比例一分為二之分割部之一例發揮功能。第1耦合器303之兩個光輸出口中之第1光輸出口連接於第1循環器304。第1耦合器303之兩個光輸出口中之第2光輸出口連接於第2循環器305。即,來自波長掃描型光源302之放射光以第1耦合器303被分割成測量光及參照光,測量光入射至第2循環器305,參照光入射至第1循環器304。
第2循環器305連接於第2耦合器306之光受入口,且連接於光纖
干擾儀301外之測量頭307。藉此,來自第1耦合器303之測量光入射至測量頭307,另一方面,來自測量頭307之測量光入射至第2耦合器306。
測量頭307具備照射準直透鏡308、檢流計反射鏡309、及光束直徑成形機構310。
照射準直透鏡308與第2循環器305連接。
檢流計反射鏡309配設於測量頭307之內部。
光束直徑成形機構310配置於檢流計反射鏡309與捲繞體204之間,使測量光之光點直徑成形。捲繞體204係測量對象物之一例。
自第2循環器305入射至照射準直透鏡308之測量光,以照射準直透鏡308成形為平行光。其後,成為平行光之測量光經由檢流計反射鏡309在光束直徑成形機構310聚光。其後,使自光束直徑成形機構從310出射之測量光照射至捲繞體204之端面(側面部204e)。以側面部204e反射(或後方散射)之測量光,經由光束直徑成形機構310而入射至第2循環器305。再者,入射至第2循環器305之測量光入射至第2耦合器306。
另一方面,從第1循環器304出射之參照光入射至參照準直透鏡312。參照準直透鏡312,使參照光入射至參照面311,且使以參照面311反射之參照光入射至第1循環器304。第1循環器304連接於第2耦合器306之光受入口。
在第2耦合器306中,以來自第2循環器305之測量光與來自第1循環器304之參照光形成有干擾光。因此,第2耦合器306係作為合波機構之一例發揮功能。
在差動放大器313中,將以第2耦合器306形成之干擾光之光差拍信號差動傳送至OCT運算處理部314。自波長掃描型光源302射出之放射光之頻率,隨著時間流逝而變化。因此,在第2耦合器306中干擾之
參照光與測量光之間,產生與時間延遲量對應之頻率差。該頻率差成為干擾光之光差拍信號。
OCT運算處理部314具備類比/數位轉換電路(類比/數位轉換部)314a、傅利葉變換電路(傅利葉變換部)314b、及運算部314c。傅利葉變換電路314b係作為干擾光檢測機構(干擾檢出部)發揮功能,運算部314c係作為圖像取得機構及位置檢測部發揮功能。
另外,亦可以兼作干擾檢測部與位置檢測部之方式構成運算部314c。
類比/數位轉換電路314a對以第2耦合器306形成之干擾光之光差拍信號之時間波形進行類比/數位轉換。
傅利葉變換電路314b連接於類比/數位轉換電路314a,而檢測基於來自類比/數位轉換電路314a之干擾光之信號即光差拍信號。傅利葉變換電路314b將檢測出之信號進行傅利葉變換,而進行頻率解析。根據該頻率解析之結果,獲得表示干擾光之強度分佈之SS-OCT信號。
自傅利葉變換電路314b將經傅利葉變換之資訊輸入運算部314c。運算部314c基於自傅利葉變換電路314b輸入之資訊(SS-OCT信號),算出照射測量光之位置中捲繞體204之第1片材202與第2片材203之反射面之位置z1及位置z2(參照圖4A)。另外,亦可以運算部314c實施頻率解析。
運算部314c之輸出部電性連接於波長掃描型光源302、及測量頭307之檢流計反射鏡309等之驅動部307M,且控制波長掃描型光源302、及檢流計反射鏡309之動作。並且,運算部314c之輸出部亦連接於捲繞控制部100。捲繞控制部100自運算部314c基於情報進行捲繞偏移之檢查等之特定動作。
另外,在第1實施形態中,亦可採用上述TD-OCT。但是,為提
高測量之速度,較好為使用例如可以10kHz以上實施被稱為A掃描之一維掃描之SS-OCT或者FD-OCT。
圖2之204與206係在圖1A中自箭頭B方向觀察A-A'斷面之捲繞體與捲芯。測量頭307係如圖2所示設置於捲芯206之旋轉軸線上。藉由如此般設置,相對捲繞體204,沿著與捲繞體204之旋轉軸方向平行之z軸方向,可自測量頭307照射測量光。
並且,將測量頭307之檢流計反射鏡309之旋轉軸與x軸平行地配置。若如此般構成,則可將測量光之照射位置於y軸方向移動。
圖3係顯示圖1A之捲繞裝置200之捲繞方法之流程圖。此處,利用圖1A、圖2、圖3進行說明。
在步驟S1中,將圖1A之第1片材202與第2片材203設置於可以捲芯206捲繞之位置。該階段S1可由作業者實施,亦可藉由握持第1片材202與第2片材203之握持機構自動實施。此處,作為第1片材202與第2片材203向捲芯206之設置方法,例如,使第1片材202及第2片材203保持於設置於捲芯206之開關式之狹縫。
其次,在步驟S2中,捲繞控制部100控制捲芯旋轉驅動部206M,使捲芯206繞逆時針旋轉。藉此,將第1片材202與第2片材203捲繞於捲芯206,而於捲芯206之周圍形成捲繞體204。
其次,在步驟S3中,對捲繞體204,使用SS-OCT裝置201實施SS-OCT測量。
以下顯示該SS-OCT測量之詳情。
圖2之SS-OCT裝置201一方面使自波長掃描型光源302放射之放射光之波長變化,並實施測量。作為使波長變化之範圍,係例如波長1300nm±50nm之範圍。該波長掃描型光源302之動作係由運算部314c
控制。
來自波長掃描型光源302之放射光係自捲繞體204之旋轉軸方向即z軸方向,照射至捲繞體204。向捲繞體204照射之測量光在捲繞體204之端面(側面部204e)反射。該反射之測量光中,包含以第1片材202反射之光及以第2片材203反射之光。以捲繞體204反射之測量光向第2耦合器306前進。在第2耦合器306中,以捲繞體204反射之測量光與以參照面311反射之參照光干擾而形成干擾光。該干擾光之光差拍信號經由差動放大器313而在OCT運算處理部314中被檢測。OCT運算處理部314對檢測出之光差拍信號進行頻率解析,而取得SS-OCT信號,然後,自該SS-OCT信號分別算出圖1A之第1片材202之反射面之位置z1、及第2片材203之反射面之位置z2。另外,位置z1表示第1片材202之長辺之端面(側面部)之z軸方向之位置,位置z2表示第2片材203之長辺之端面(側面部)之z軸方向之位置。另外,第1片材202之長辺係第1片材202中與第1片材202之移動方向平行之邊。另外,第2片材203之長辺係第2片材203中與第2片材203之移動方向平行之邊。OCT運算處理部314中算出之位置z1與位置z2之資訊係輸出至捲繞控制部100。
其次,在步驟S4中,基於算出之位置z1及位置z2,算出第1片材202與第2片材203之捲繞偏移量△z。捲繞偏移量△z之具體說明係後述。捲繞偏移量△z之算出係以捲繞控制部100之判定部100c進行。
其次,在步驟S5中,判定部100c判定步驟S3所算出之捲繞偏移量△z是否為OK範圍內。OK範圍係可將產品視為良品之範圍,具體而言,係即使包含而品質上仍無問題之捲繞偏移量△z之範圍。該OK範圍係預先記憶於記憶部100b。預先記憶之OK範圍之詳情係後述。此處,捲繞偏移量△z為OK範圍外之情形時(步驟S5之No),前進至步驟S6。另一方面,捲繞偏移量△z為OK範圍內之情形時(步驟S5之Yes),
前進至步驟S7。
在步驟S6中,將來自判定部100c之NG信號傳達至顯示部100a與捲芯旋轉驅動部206M。
其次,在步驟S8中,將所形成之捲繞體204為NG之宗旨顯示於顯示部100a。再者,捲繞控制部100之記憶部100b與捲繞體204上標註之製造序號等關聯而預先記憶為NG之旨意。藉由如此般構成,在後工序中,藉由對照記憶部100b中之記憶資訊與捲繞體204之製造序號等,可廢棄NG品。
另一方面,在步驟S7中,以判定部100c判定捲繞體204是否已完成。若判定捲繞體204已完成(步驟S7之Yes),則前進至步驟S9。捲繞體204完成與否之判定,係捲繞控制部100基於來自連接於捲芯旋轉驅動部206M之編碼器等之資訊實施。例如,根據來自編碼器之資訊求出捲芯206之旋轉次數,且以判定部100c判定該旋轉次數是否已達到預先記憶於記憶部100b之次數。作為預先記憶之次數,例如為10次。若判定捲繞體204之捲繞未完成(步驟S7之No),則不停止捲繞而返回至步驟S2,再度實施SS-OCT測量。
判定捲繞體204之捲繞已完成之情形,或自判定部100c輸出NG信號之場合時,在步驟S9中,捲芯旋轉驅動部206M停止捲芯206之旋轉。且,在貼合滾筒205與捲芯206之間,將第1片材202與第2片材203以未圖示之電極切斷部切斷,而結束動作。
另外,實施步驟S8之工序時,亦可同時進行步驟S9之工序。
又,步驟S3~步驟S5之工序係檢查工序之一例。在本實施形態中,藉由於形成捲繞體204之過程中同時實施檢查工序,可縮短開始形成捲繞體204至檢查結束所需要之時間。
又,藉由實施準備以第1實施形態之捲繞方法形成之捲繞體204之工序,及使用所準備之捲繞體204製造構造物之工序,可實現構造
物製造方法之一例。又,作為構造物製造方法之另一例,亦可包含使用檢查裝置之一例即SS-OCT裝置201實施作為零件之一例之捲繞體204之檢查之工序,及利用已實施檢查之捲繞體204製造構造物之工序。作為零件之其他例,亦可採用將第1片材202與第2片材203積層而形成之積層體。
作為構造物之例,除了可使用零件之例即捲繞體204製造之捲繞型電池、及捲繞型電容器(Capacitor)等,可舉出可使用零件之其他例即積層體製造之積層型電池、及積層型電容器(Capacitor)等。作為構造物製造方法之具體例之電池(構造物之一例)之製造方法,將捲繞體204收納於盒體內,並在盒體中形成負極與正極,藉此可製造電池。作為更具體之構造物製造方法,有將捲繞體204放入鍍鎳之鐵製罐(盒體之一例),且將負極焊接於罐底而注入電解液後,將正極焊接於蓋子,從而以壓制機封口之方法。
圖4A係表示圖1A之捲芯206之旋轉角度θ與第1片材202之z軸方向之位置z1及第2片材203之z軸方向之位置z2之關係之圖。圖4A之橫軸係旋轉角度θ,表示捲芯206之旋轉角度。θ=0°時,捲芯206位於捲繞開始位置,因設置有第1片材202與第2片材203,而捲芯206為未旋轉狀態。例如θ=360°時,捲芯206繞逆時針旋轉1次,第1片材202與第2片材203各以捲芯206之圓周1周大小捲繞。
圖4A之縱軸表示位置z。在該縱軸上,位置z之值取較大值時(朝向圖表之上方時)表示在圖1A中位於紙面靠前方向,位置z之值取較小值時(朝向圖表之下方時)表示在圖1A中位於紙面深度方向。即,圖4A之圖表係表示位置z1較位置z2在圖1A中位於紙面更背面側。
在第1實施形態中,捲繞偏移量△z係某旋轉角度θ之位置z1與位置z2之差,即△z=z1-z2。
圖4B係表示圖4A中θ=360°時獲得之SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖。圖4C係表示圖4A中θ=720°時獲得之SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖。
SS-OCT裝置201之運算部314c將得到之SS-OCT信號之兩個峰值位置測定為第1片材202與第2片材203之位置z1及位置z2。但是,即使不是峰值位置,亦可使用例如對SS-OCT信號進行邊緣檢測等其他信號處理方法。
另外,在本實施形態中,由於只要測量捲繞偏移量△z即可,因此在SS-OCT信號中獲得兩個峰值之情形時,無需區分兩者係來自哪個片材之SS-OCT信號。但是,亦可利用第1片材202與第2片材203相對測量光之反射率不同而區分兩者。具體而言,利用金屬相比樹脂測量光之反射率較高。或者,在樹脂與金屬中,由於SS-OCT信號之峰值形狀不同,故亦可利用形狀之不同區分兩者。具體而言,金屬之SS-OCT信號之峰值形狀,較樹脂之SS-OCT信號之峰值形狀更尖銳。換言之,金屬之SS-OCT信號之峰值形狀之半高寬,窄於樹脂之SS-OCT信號之峰值形狀之半高寬。利用該差異,位置檢測部(作為一例之運算部314c)基於作為頻率解析之結果得到之SS-OCT信號(干擾光之強度分佈)中含有之峰值形狀,檢測金屬(第1薄片)與以樹脂構成之隔片(第2薄片)各自之位置。
利用圖1A之捲繞控制部100,旋轉驅動捲芯旋轉驅動部206M而使捲芯206旋轉,藉此一邊改變θ並繼續進行該測定。藉此,測定捲繞結束為止之全部之旋轉角度θ之捲繞偏移量△z。
形成鋰離子電池作為捲繞體204之情形時,有必要配置隔片,以免正極與負極短路。此時,若捲繞偏移量△z並非一定之大小以上,則有正極與負極短路之情況。因此,作為一定之大小之臨限值,在本實
施形態中使用第1臨限值。具體而言,藉由以判定部100c比較第1臨限值與捲繞偏移量△z而實施良否判定。例如,使第1臨限值為50μm。
另一方面,捲繞偏移量△z之值過大亦有發生短路之情形。即,捲繞偏移量有必要在一定之大小以下。作為該一定之大小之臨限值使用第2臨限值。例如,將1950μm作為第2臨限值。
即,將第1臨限值以上且第2臨限值以下作為OK範圍,而預先記憶於記憶部100b。基於該OK範圍,判定部100c進行良否判定。
另外,亦可於良否判定之標準中,對位置z1與位置z2分別設置上限與下限之臨限值。然而,藉由SS-OCT測量得到之位置z1、位置z2,在圖2之光纖干擾儀301中,作為自第1耦合器303出射後經過在參照面311之反射而入射至第2耦合器306為止之參照光之路徑長度H1,與於第1耦合器303出射後經過在捲繞體204之反射而入射至第2耦合器306為止之測量光之路徑長度H2之兩個光路之差得到。例如,因環境溫度之變化而參照光路徑長度H1與測量光路徑長度H2變化之情形時,由於位置z1與位置z2之值亦變化,因此有判定精度下降之情況。對此,由於即使參照光路徑長度H1與測量光路徑長度H2變化,作為捲繞偏移量△z仍不變化,因此自精度之觀點而言較好為判定時使用捲繞偏移量△z。
進行SS-OCT測量時,針對較好之測量光之光點直徑狀進行說明。
利用圖2之SS-OCT裝置201之光束直徑成形機構310,使測量光之照射點之形狀成形為細長之橢圓形。藉此,使橢圓之光點形狀之長軸與一組片材(第1片材202與第2片材203)之合計厚度相等。另外,使以圖1A之貼合滾筒205貼合之第1片材202與第2片材203之移動方向與橢圓之光點形狀之長軸正交。
具體而言,若設圖1A所示之測量光之照射點209之長軸(與圖1A之y軸平行之軸)之長度為a,設第1片材202之厚度為T1,設第2片材203之厚度為T2,則如下述式(1)所示:a=T1+T2......(式1)
例如,第1片材202與第2片材203合計之厚度為100μm之情形時,a=200μm。
關於使照射點209之長軸之長度a與一組片材(第1片材202與第2片材203)之合計厚度相等之理由,利用圖5A~圖7C進行說明。
圖5A係使測量光之照射點209之長軸之長度a充分大於一組片材之合計厚度、例如設為300μm之情形之狀態之圖。此處,於接點210配置照射點209。
此處,所謂接點210意指在自側面(z軸方向)觀察將片材(第1片材202、第2片材203)捲繞於捲繞體204之狀態之側視圖中,最初接觸由片材之應捲繞部分已經捲繞之部分構成之捲繞體204之位置。換言之,意指在捲繞體204之側視圖中,自捲繞體204之外周面朝向一對貼合滾筒205間之中心引出之切線與捲繞體204之周面接觸之點。該切線與以貼合滾筒205貼合之第1片材202與第2片材203,在自z軸方向觀察之側視圖中一致。
圖5B係表示自箭頭D觀察圖5A之C-C'斷面之圖,與表示SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖。圖5C係放大圖5A之照射點209附近之圖。
如圖5A~圖5C所示,長度a充分大於第1片材202與第2片材203合計之厚度之情形時,最外周之第2片材203a之位置資訊及位於其下層之第1片材202之位置資訊以外,有時取得以1周大小位於更內周之第2片材203b之位置資訊。其理由為檢測以第2片材203b反射之測量光。該情形時,在取得之SS-OCT信號中,第2片材203a與第2片材203b双
方之信號混在。雙方之信號混在時,無法區分各個信號之出處,從而無法正確測量捲繞偏移量△z。因此,必須將照射點209之長度a,按照第1片材202與第2片材203合計之厚度,限制為一定以下之大小。
另一方面,圖6A係使照射點209之長軸之長度a充分小於第1片材202與第2片材203合計之厚度,為例如100μm之情形之圖。圖6B係表示自箭頭F觀察圖6A之E-E'斷面之圖,與表示SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖。圖6C係放大照射點209附近之圖。
該情形時,如圖6B所示,僅獲得第1片材202之資訊。因此,為獲得上述之捲繞偏移量△z=z1-z2,需要複數次SS-OCT測量或複數個SS-OCT測量裝置。因此,有必要將照射點209之長度a,按照第1片材202與第2片材203合計之厚度,設定為一定以上之大小。
因此,較好的是,如圖7A所示般,設定照射點209之長軸之長度a。圖7A係使照射點209之長軸a與第1片材202及第2片材203合計之厚度相等,為例如200μm之情形之圖。圖7B係表示自箭頭H觀察圖7A之G-G'斷面之斷面圖,與表示SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖。圖7C係放大照射點209附近之圖。
如此般,使照射點209之長軸之長度a與第1片材202及第2片材203之合計厚度相等。於是,由於僅獲得一組片材即第1片材202與第2片材203a之位置資訊,且不測定不需要之第2片材203b之位置資訊,因此最為理想。
另外,作為具體之長軸之長度a之範圍,期望為經貼合之第1片材202與第2片材203之合計厚度之90%以上且110%以下。若為該範圍,則可一方面除去測量所不必要之第2片材203b之影響,並同時測定第1片材202與第2片材203a之位置資訊。在本實施形態中,使照射點209之長軸之長度a為例如200μm±20μm。
此處,進一步說明±20μm(合計厚度之90%以上且110%以下之範
圍)之理由。
若使長軸之長度a為200μm以上且220μm(合計厚度之110%)以下,則成為如下之狀態。即,照射點209不僅與第2片材203a亦與第2片材203b略微重複,從而導致亦檢測出來自第2片材203b之SS-OCT信號。但是,此時,由於照射點209所占之第2片材203b之面積十分少,故幾乎無法檢測來自第2片材203b之SS-OCT信號。且,本發明者們發現,若使長軸之長度a大於220μm(合計厚度之110%),則來自第2片材203b之SS-OCT信號之影響較大,從而無法高精度地測量捲繞偏移量△z。
又,若使長軸之長度a為180μm以上且小於200μm(合計厚度之90%以上且不滿100%),則照射至第2片材203b之測量光,與照射點209之長軸之長度a為200μm時相比略微變弱。但是,另一方面,由此所致之SS-OCT信號強度之下降量甚小,位置z1及位置z2之測量時不會產生問題。且,本發明者們發現,若使長軸之長度a不滿180μm(不滿合計厚度之110%),則無法高精度地測量位置z1及位置z2。
根據以上,作為照射點209之長軸之長度a之範圍,為經貼合之第1片材202與第2片材203之合計厚度之90%以上且110%以下。
另外,作為使照射點209之形狀成形之圖2之光束直徑成形機構310,可使用柱面透鏡、環形透鏡、或者孔徑等。又,由於圖1A之第1片材202之側面部之位置與第2片材203之側面部之位置在z軸方向上各自不同,故以在第1片材202之側面部與第2片材203之側面部照射光點直徑狀幾乎不變化之方式,設計圖2之光束直徑成形機構310。
又,照射點209之短軸之長度b係如以下所述。
若增大照射點209之短軸之長度b,則導致圖4A之捲繞偏移量△z之θ方向之解析度下降,而無法正確測量陡峭之捲繞偏移量△z之變化。若使正確測量捲繞偏移量△z所必要之θ方向分解能為△θ,捲繞體
204之直徑為2R,則使θ方向之解析度不下降所需要之照射點209之短軸之長度b係以下之(式2)所示:b<R×△θ......(式2)
例如△θ=1°,R=9mm時,根據(式2),照射點209之短軸之長度b為157μm以下。
另外,第1片材202與第2片材203之合計厚度較薄時,照射點209之長軸之長度a較小,又,必要之θ方向之解析度△θ較低時,照射點209之短軸之長度b較大。如此之情形時,照射點209之光點形狀不完全限定於橢圓形狀。但是,構成鋰離子電池之捲繞體204之情形時,所含有之片材之合計厚度為100μm~500μm左右,再者θ方向解析度△θ越高越理想,因此,照射點209較好為橢圓形狀。該情形時,例如,使照射點209之短軸之長度b為長軸之長度a之一半以下左右。
照射點209之位置期望為圖7A之接點210與任意之點M(貼合滾筒205與接點210之間之第1片材202與第2片材203在側面部之任意位置)之間,更期望為與捲繞之接點210相同之位置。接點210係通過貼合滾筒205之第1片材202與第2片材203,與正形成於捲芯206之捲繞體204以切線狀接觸之位置中之任意點。換言之,係第1片材202與已被捲繞而構成捲繞體204之第2片材203接觸之點。
在通過接點210以後,第1片材202與第2片材203因捲繞於捲芯206,而捲繞偏移量△z幾乎不變化。
假如,在M點進行測量之情形時,有如以下之問題。即,由於自M點至接點210不會受到z軸方向之限制力,故因第1片材202與第2片材203之厚度等材料特性之片材中之不均,或者捲芯206之振動等因素,有於z軸方向變動之情形。即,有可能捲繞偏移△z變化直至接點210,從而有可能損害測量結果之準確性。因此,更期望使測量位置
為捲繞之接點210。另外,作為一例,自M點至接點210為止之尺寸為200mm至300mm,捲芯206之直徑為10mm至50mm左右。另外,測量位置係照射點209之位置。
且,由於第1片材202與第2片材203係藉由貼合滾筒205貼合,因此捲繞偏移量△z在M點與接點210較大地變化之可能性不高。因此,可將照射點209不配置於接點210而是配置於M點。另外,將照射點209配置於接點210之方法較好之理由係如前述。該情形時,以第1片材202之側面部與第2片材203之側面部位於照射點209內之方式,設定照射點209之位置。
另外,測量光之照射點209之位置係藉由作為第1光學構件之一例發揮功能之圖2之測量頭307調節。藉由作為第1光學構件之測量頭307,將測量光照射至側面部204e上之位置,且接點210與貼合滾筒205之間之位置。較好的是,將測量光照射至側面部204e上之位置,且同時亦為接點210之位置之位置。
又,照射點209之位置較好為按照捲芯206之旋轉角度及第1片材202與第2片材203之合計厚度移動。例如,若使第1片材202與第2片材203之厚度各自為T1、T2,捲芯206之旋轉速度為dθ/dt,則第1片材202與第2片材203之合計厚度為(T1+T2),因此,如下述(式3),期望向半徑方向即圖1A中之y軸方向移動。
(T1+T2)×(dθ/dt)÷360°......(式3)
例如,厚度T1、T2同為100μm,旋轉速度dθ/dt為3600°/秒之情形時,根據(式3),使照射點209之位置以2000μm/秒向y軸方向移動。
另外,照射點209之位置移動,係圖2之運算部314c使檢流計反射鏡309之角度可變而進行。另外,即使不使用檢流計反射鏡309,亦可設置步進馬達等機構,藉由運算部314c使測量頭307本身移動。
另外,一般而言,由於隔片較薄,無剛性,故由因時間流逝所
致之吸濕等失去張力,而有被覆於電極上之情形。又,自捲芯206拆下已完成之捲繞體204時,因拆下時之振動或物理接觸等,亦有隔片被覆於電極上之情形。於電極上被覆隔片時,難以獲得來自隔片深處所隱藏之電極之SS-OCT信號。
圖8A係表示捲繞之後之隔片即第2片材203保持有張力之狀態之圖,與表示SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖。圖8B係表示第2片材203被覆於電極即第1片材202上之狀態之圖,與表示SS-OCT信號強度與位置z之關係之圖之對應關係之說明圖。根據圖8B,顯然來自第1片材202之SS-OCT信號之強度較弱。該隔片被覆於電極上之現象,有時在圖7A之接點210以後產生。因此,期望於接點210配置照射點209,而實施SS-OCT測量。
另外,對來自SS-OCT裝置201之放射光使用紅外光。更詳細而言,對來自SS-OCT裝置201之放射光,使用波長0.8μm以上且波長1.4μm以下之近紅外光。由於近紅外光透射樹脂,故即使於電極被覆由樹脂組成之隔片,仍可檢測出電極之位置。且,由於透射隔片時近紅外光吸收或者散射,藉此所檢測之SS-OCT信號之強度下降,因此,如上述般,更期望於正捲繞時,在接點210中測量第1片材202與第2片材203之位置。
且,雖與紅外光相比測量精度下降,但原理上,可對放射光使用0.4~5μm之波長之光。
另外,圖1A之第1供給捲盤50、第2供給捲盤51、及貼合滾筒205分別旋轉自由。且,針對各者,亦可具備馬達等之旋轉驅動裝置。該情形之旋轉驅動裝置係由捲繞控制部100控制。
根據第1實施形態,由於一方面以捲繞裝置進行捲繞,並實施捲繞體204之捲繞偏移之檢查,因此可縮短捲繞開始至捲繞偏移之檢查結束為止之作業時間。又,根據第1實施形態之捲繞裝置,可不使用
X射線而實施檢查。
另外,可對第1片材202、第2片材203之兩側,換言之,對捲繞體204之兩側面部照射測量光,而自兩側測量位置。該情形時,使用兩個SS-OCT裝置201。
如此般,若對捲繞體204之兩端面照射測量光,則可獲得第1片材202及第2片材203之寬度方向之資訊。具體而言,藉由獲取第1片材202及第2片材203之兩側之位置之差分,而獲得第1片材202及第2片材203之寬度方向之資訊。該點對獲知第1片材202及第2片材203為何種構成較有效。對此,一般利用隔片較電極更寬。
另外,雖作業時間較長,但可於捲繞結束後,即形成作為構成構造物之零件之一例之捲繞體204後,實施捲繞偏移之檢查。該情形時,作為檢查具有經貼合之第1片材202與第2片材203之捲繞體204(構成構造物之零件之例)之檢查裝置之例,SS-OCT裝置201發揮作用。捲繞體204之外,積層電池等之積層型構造物亦可進行檢查。檢查装置構成為包含:射出放射光之光源單元(作為一例之波長掃描型光源302);將上述放射光分割成照射至第1片材202與第2片材203之側面部之測量光與照射至參照面之參照光之分割部(作為一例之第1耦合器303);檢測以參照面反射之參照光與以側面部反射之測量光干擾之干擾光之干擾檢測部(作為一例之傅利葉轉換電路314b);基於檢測出之干擾光分別檢測第1片材202與第2片材203之位置之位置檢測部(作為一例之運算部314c);及基於檢測出之第1片材202與第2片材203之位置判定零件之良否之判定部(作為一例之判定部100c)。
又,可使用作為檢查裝置之例發揮功能之SS-OCT裝置201,實施第1實施形態之檢查方法。再者,亦可使用作為檢查裝置之例發揮功能之SS-OCT裝置201,實現包含檢查方法之構造物製造方法。
圖9係第2實施形態之捲繞裝置400之模式圖。另外,對與第1實施形態共通之構成使用相同之符號,而省略說明。
該第2實施形態之特徵在於除了第1實施形態以外,具備滾筒導向器401、及反饋控制部402。另外,使於捲繞控制部100追加反饋控制部402者為捲繞控制部403。
滾筒導向器401係以包夾第1片材202之一對滾輪401r、及控制一對滾輪401r而使第1片材202於z軸方向移動之移動装置401M構成。藉由移動装置401M之驅動,可調節第1片材202之z軸方向之位置而控制捲繞偏移量△z。更具體而言,滾筒導向器401係基於來自反饋控制部402之控制量(反饋量Va),變更一對滾輪401r之軸向之傾斜角度,藉此調節第1片材202之z軸方向之位置。
反饋控制部402將基於使用SS-OCT裝置201得到之捲繞偏移量△z之控制量反饋至第1滾筒導向器401之移動裝置401M(輸出反饋信號)。捲繞偏移量△z與控制量之關係作為關係式或表格預先記憶於反饋控制部402之記憶部。反饋控制部402利用預先記憶之關係式或表格決定控制量。
另外,滾筒導向器401可為具有調節第1片材202之z軸方向之位置之功能之元件。
另外,進而設置調節第2片材203之z軸方向之位置之第2滾筒導向器,從而可同時調節第1片材202與第2片材203双方之位置。
另外,滾筒導向器401雖係以包夾第1片材202之方式配置,但並非限於此,亦可以包夾第2片材203之方式配置。
在該第2實施形態之捲繞裝置中,亦可不使用X射線而實施檢查。
又,作為變化例,可在第1實施形態及第2實施形態中,省略貼合滾筒205,而自第1供給捲盤50與第2供給捲盤51,直接將第1片材
202與第2片材203貼合於捲芯206周围並捲繞,從而形成捲繞體204。該情形時,較好的是,藉由作為第2光學構件之一例發揮功能之圖2之測量頭307,使測量光照射至側面部204e上之位置,且為接點210之位置。且,設置貼合滾筒205之方式因可抑制發生捲繞偏移而較好。
又,藉由適宜組合上述各種實施形態或變化例中之任意實施形態或變化例,可發揮各自具有之效果。
本發明之捲繞裝置、捲繞方法、檢查裝置及構造物製造方法,可應用於鋰離子電池或薄膜電容器等之製造工序。
本發明雖已參照附加圖式與較好之實施形態關連而充分揭示,但對熟練該技術之人們而言,各種變形或修正乃不言而喻。應理解,在不脫離由附加之申請專利範圍形成之本發明之範圍之限度內,該種變形或修正包含於其中。
50‧‧‧第1供給捲盤
51‧‧‧第2供給捲盤
100‧‧‧捲繞控制部
100a‧‧‧顯示部
100b‧‧‧記憶部
100c‧‧‧判定部
200‧‧‧捲繞裝置
201‧‧‧SS-OCT裝置
202‧‧‧第1片材
203‧‧‧第2片材
204‧‧‧捲繞體
205‧‧‧貼合滾筒
206‧‧‧捲芯
206M‧‧‧捲芯旋轉驅動部
209‧‧‧照射點
307‧‧‧測量頭
B‧‧‧箭頭
M‧‧‧點
x‧‧‧軸向
y‧‧‧軸向
z‧‧‧軸向
Claims (22)
- 一種捲繞裝置,其係將經貼合之第1片材及第2片材捲繞於捲芯而形成捲繞體者,且包含:光源單元,其係射出放射光;分割部,其係將上述放射光分割成照射於經貼合之上述第1片材及上述第2片材之側面部之測量光及照射於參照面之參照光;干擾檢測部,其係檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光;位置檢測部,其係基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置;及判定部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置而判定上述捲繞體之良否;且上述測量光係於照射時及反射時以相同的光路行進,其行進方向係與上述捲芯之軸方向一致。
- 如請求項1之捲繞裝置,其中上述位置檢測部係將基於檢測出之上述干擾光之信號進行頻率解析而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置。
- 如請求項2之捲繞裝置,其進而包含反饋控制部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置,輸出用以調節上述第1片材之位置、或上述第2片材之位置之反饋信號。
- 如請求項3之捲繞裝置,其中上述光源單元具有射出波長以一定週期變化之放射光之光源。
- 如請求項4之捲繞裝置,其中上述放射光為紅外光。
- 如請求項5之捲繞裝置,其中上述第1片材為電極,上述第2片材 為隔片。
- 如請求項1至6中任一項之捲繞裝置,其進而包含貼合上述第1片材及上述第2片材之貼合滾筒。
- 如請求項7之捲繞裝置,其進而包含第1光學構件,且上述第1光學構件係使上述測量光照射至上述側面部上之、上述第1片材及上述第2片材開始捲附於上述捲繞體之接點與上述貼合滾筒之間之位置。
- 如請求項8之捲繞裝置,其中上述第1光學構件係以使上述側面部之上述測量光之點徑為上述第1片材及上述第2片材之合計厚度之90%以上且110%以下之方式形成上述測量光。
- 如請求項8之捲繞裝置,其中上述第1光學構件使照射於上述側面部之上述測量光之點形狀成形為橢圓形狀,並使經貼合之上述第1片材及上述第2片材之移動方向與上述橢圓形狀之長軸正文。
- 如請求項8之捲繞裝置,其中上述第1光學構件使照射於上述側面部之上述測量光之點形狀成形為橢圓形狀,並使經貼合之上述第1片材及上述第2片材之移動方向與上述橢圓形狀之長軸正交,且使上述側面部之上述橢圓形狀之上述長軸之長度為上述第1片材及上述第2片材之合計厚度之90%以上且110%以下。
- 如請求項1至6中任一項之捲繞裝置,其中上述位置檢測部係基於作為頻率解析之結果而獲得之上述干擾光之強度分佈所含之峰值形狀,而檢測上述第1片材及上述第2片材之各自之位置。
- 如請求項1至6中任一項之捲繞裝置,其進而包含第2光學構件,且上述第2光學構件係使上述測量光照射至上述側面部上之、上述第1片材及上述第2片材開始捲附於上述捲繞體之接點之位 置;且上述第2光學構件係以使上述側面部之上述測量光之點徑為上述第1片材及上述第2片材之合計厚度之90%以上且110%以下之方式形成上述測量光。
- 一種檢查裝置,其係檢查捲繞第1片材及第2片材而形成之捲繞體者,且包含:光源單元,其係射出放射光;分割部,其係將上述放射光分割成照射於上述第1片材及上述第2片材之側面部之測量光及照射於參照面之參照光;干擾檢測部,其係檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光;位置檢測部,其係基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置;及判定部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上述位置而判定上述零件之良否;且上述測量光係於照射時及反射時以相同的光路行進,其行進方向係與上述捲芯之軸方向一致。
- 如請求項14之檢查裝置,其進而包含上述側面部之上述測量光之點徑為上述第1片材及上述第2片材之合計厚度之90%以上且110%以下之方式形成上述測量光之第一光學構件。
- 一種構造物製造方法,其包含:使用如請求項14之檢查裝置,對上述捲繞體施檢查步驟;及利用已實施檢查之上述捲繞體而製造構造物之步驟。
- 一種捲繞方法,其係一邊將經貼合之第1片材及第2片材捲附於捲芯而形成捲繞體,一邊實施檢查步驟者,且上述檢查步驟包含:將測量光照射於經貼合之上述第1片材及 上述第2片材之側面部,且將參照光照射於參照面之步驟;檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光之步驟;基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置之步驟;及基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之位置而判定上述捲繞體之良否之步驟。
- 如請求項17之捲繞方法,其使上述側面部之上述測量光之點徑為上述第1片材及上述第2片材之合計厚度之90%以上且110%以下之方式形成。
- 如請求項17之捲繞方法,其使照射於上述側面部之上述測量光之點形狀成形為橢圓形狀,並使經貼合之上述第1片材及上述第2片材之移動方向與上述橢圓形狀之長軸正交。
- 一種構造物製造方法,其包含:準備以如請求項17之捲繞方法形成之上述捲繞體之步驟,及使用上述捲繞體製造構造物之步驟。
- 一種檢查裝置,係檢查具有經貼合之第1片材及與該第1片材反射率不同之第2片材之零件者,且包含:光源單元,其係射出放射光;分割部,其係將上述放射光分割成照射於上述第1片材及上述第2片材之側面部之測量光及照射於參照面之參照光;干擾檢測部,其係檢測以上述參照面反射之上述參照光及以上述側面部反射之上述測量光所干擾之干擾光;位置檢測部,其係基於檢測出之上述干擾光而分別檢測上述第1片材及上述第2片材之位置;及判定部,其係基於檢測出之上述第1片材及上述第2片材之上 述位置而判定上述零件之良否;前記測量光,其係於照射時及反射時以相同之光路行進;前記位置檢測部,其係基於上述第1片材及第2片材之反射率之不同來區別兩者。
- 一種構造物製造方法,其包含:使用如請求項21之檢查裝置,對上述零件實施檢查之步驟;及利用已實施檢查之上述零件製造構造物之步驟。
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