TWI508855B - A layered product, a conductive pattern, and a laminate method - Google Patents

A layered product, a conductive pattern, and a laminate method Download PDF

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TWI508855B TW103108038A TW103108038A TWI508855B TW I508855 B TWI508855 B TW I508855B TW 103108038 A TW103108038 A TW 103108038A TW 103108038 A TW103108038 A TW 103108038A TW I508855 B TWI508855 B TW I508855B
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Jun Shirakami
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Yukie Saitou
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Description

積層體、導電性圖案及積層體之製造方法
本發明係關於一種電磁波屏蔽罩、積體電路、有機電晶體等之製造中可使用之導電性圖案等積層體。
伴隨電子機器之高性能化或小型化、薄型化，近年亦強烈要求其中所使用之電子電路或積體電路之高密度化或薄型化。
作為可用於上述電子電路等之導電性圖案，例如已知如下導電性圖案：於支持體之表面上藉由塗佈含有銀等導電性物質之導電性油墨或鍍敷成核劑並加以焙燒而形成導電性物質層，繼而對上述導電性物質層之表面進行鍍敷處理，藉此於上述導電性物質層之表面上設置有鍍敷層之導電性圖案(例如參考專利文獻1)。
然而，上述導電性圖案中，上述支持體與上述導電性物質層之密接性不充分，故而有上述導電性物質自上述支持體表面經時性脫落，引起由上述導電性物質形成之導電性圖案之斷線或導電性之下降(電阻值之上升)的情形。
作為提高上述支持體與上述導電性物質之密接性的方法，例如已知如下方法：於在支持體表面上設置有乳膠層之油墨接受基材上使用導電性油墨藉由特定方法描繪圖案，藉此製作導電性圖案之方法(參考專利文獻2)。
然而，由上述方法獲得之導電性圖案依然有於上述支持體與上述油墨接受層之密接性方面尚不充分之情形，故而有上述油墨接受層 與上述導電性物質自上述支持體之表面經時性脫落，引起由上述導電性物質形成之導電性圖案之斷線或導電性之下降的情形。又，於高溫度或高濕度環境下使用導電性圖案之情形時，有上述密接性明顯下降，引起導電性物質之脫落之情形。
又，關於油墨接受層自上述支持體表面之剝離，例如有如下情形：於對上述鍍敷處理步驟等中所使用之酸或鹼性化學品之耐久性的方面不充分，故對於上述導電性圖案而言，無法實施以其強度之提昇等為目的之鍍敷處理。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-286158號公報
[專利文獻2]日本專利2009-49124號公報
本發明所欲解決之課題在於提供一種各層之密接性優異、且具備如下水準之耐濕熱性之積層體，即，即便於暴露於高溫高濕度之環境下之情形時亦可維持優異之上述密接性。
本發明者等人為了解決上述課題而進行了研究，結果發現了密接性及耐濕熱性優異之積層體。
即，本發明係關於一種積層體及導電性圖案，上述積層體之特徵在於：具有至少將包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)、第一導電層(C)、絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二導電層(E)積層而成之結構。
本發明之積層體即便於暴露於高溫高濕度之環境下之情形時亦 可保持優異之密接性，其結果為，可保持優異之導電性而不引起斷線等，因此可用於例如有機太陽電池、電子書終端、有機EL(Organic Electro-Luminescence，有機電致發光體)、有機電晶體、軟性印刷基板、構成非接觸IC卡(Integrated Circuit Card，積體電路卡)等RFID(radio frequency identification，射頻識別)等之電子電路之形成，電漿顯示器之電磁波屏蔽罩之配線、積體電路、有機電晶體之製造等通常之印刷電子(Printed Electronics)領域等新領域中。
1‧‧‧第一底塗層(B-1)之上表面
2‧‧‧第一導電層(C)
3‧‧‧引板
4‧‧‧第二底塗層(B-2)之上表面
5‧‧‧第二導電層(E)
6‧‧‧包含支持體之層(A)
7‧‧‧第一底塗層(B-1)
8‧‧‧第一導電層(C)
9‧‧‧絕緣層
10‧‧‧第二底塗層(B-2)
11‧‧‧第二導電層(E)
20‧‧‧積層體(I)之俯視圖
21‧‧‧積層體(IV)之俯視圖
22‧‧‧積層體(IV)之單點虛線23之剖面圖
23‧‧‧單點虛線
圖1係表示包含於第一底塗層(B-1)之表面上形成之第一導電層(C)之導電性圖案的俯視圖。
圖2係表示包含於第二底塗層(B-2)之表面上形成之第二導電層(E)之導電性圖案的俯視圖。
圖3係表示積層體之剖面圖。
本發明之積層體之特徵在於：具有至少將包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)、第一導電層(C)、絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二導電層(E)積層而成之結構。本發明之積層體亦可具有上述層(A)~(E)以外之層。
本發明之積層體於包含支持體之層(A)與第一導電層(C)之間具有第一底塗層(B-1)。
上述第一底塗層(B-1)係接受可用於形成上述第一導電層(C)之含有導電性物質之流動體(c-1)之層。上述底塗層(B-1)於與上述流動體(c-1)接觸時，迅速吸收上述流動體(c-1)中所含之溶劑，且於底塗層(B-1)之表面上承載上述導電性物質。藉此，可顯著提高上述包含支持體之層(A)及底塗層(B-1)、與包含導電性物質之第一導電層(C)之密接性及耐濕熱性。
上述底塗層(B-1)可設置於上述包含支持體之層(A)之表面之一部分或全部上，亦可設置於其單面或兩面上。例如作為上述積層體，亦可使用在上述包含支持體之層(A)之表面之整個面上具有第一底塗層(B-1)、且僅於該底塗層(B-1)中之必要部分上積層有上述導電層(C)者。又，亦可使用僅於上述包含支持體之層(A)之表面中設置上述導電層(C)之部分上設置有上述底塗層(B-1)的積層體。
上述底塗層(B-1)之厚度較佳為成為0.01μm~30μm之範圍，更佳為成為0.05μm~10μm之範圍。
又，本發明之積層體具有第一導電層(C)。
作為上述第一導電層(C)，可列舉：藉由導電性油墨或鍍敷成核劑等流動體(c-1)中所含之導電性物質而形成之單層，或包含由流動體(c-1)中所含之導電性物質形成之第一鍍敷核層(C-1)及積層於其表面上之第一鍍敷層(C-2)的層。
作為上述第一導電層(C)，就獲得耐濕熱性等優異之積層體之方面而言，較佳為包含上述第一鍍敷核層(C-1)與第一鍍敷層(C-2)之層。
構成上述第一導電層(C)之第一鍍敷核層(C-1)較佳為包含上述導電性物質，具體而言較佳為包含銀之層。上述第一鍍敷核層(C-1)如上所述主要包含銀等導電性物質，但上述流動體(c-1)中所含之溶劑或添加劑等亦可殘存於上述第一鍍敷核層(C-1)中。
構成上述第一導電層(C)之第一鍍敷層(C-2)係積層於上述第一鍍敷核層(C-1)之表面上之層。上述第一鍍敷層(C-2)較佳為包含含有一種以上之例如銅、鎳、鉻、鈷、錫、金等之金屬之層，更佳為於包含銅之鍍敷層上進而積層包含鎳之鍍敷層而形成第一鍍敷層(C-2)，就製造經過長時間亦不引起斷線等且可維持良好之通電性的可靠性較高之配線圖案等導電性圖案的方面而言，進而佳為於包含銅之鍍敷層上 積層包含鎳之鍍敷層，進而積層包含金之鍍敷層而形成第一鍍敷層(C-2)。
上述導電層(C)可設置於上述底塗層(B-1)之表面之一部分或全部上。具體而言，作為僅設置於上述底塗層(B-1)之表面中之必要部分上之導電層(C)，可列舉藉由以線狀畫線而形成之線狀層。具有線狀層作為上述導電層(C)之積層體於製造導電性圖案或電子電路等時較為合適。
於上述導電層(C)為線狀者之情形時，上述線狀層之寬度(線寬)較佳為具有0.01μm~200μm左右、較佳為0.01μm~150μm、更佳為0.01μm~100μm之**寬度(線寬)**者。
作為構成本發明之積層體之第一導電層(C)，較佳為使用厚度為0.01μm~50μm之範圍者，更佳為使用厚度為0.01μm~30μm之範圍者。上述導電層(C)之厚度可藉由控制可用於形成上述導電層(C)之含有導電性物質之流動體(c-1)的塗佈量等而調整。於上述導電層(C)為細線狀者之情形時，其厚度(高度)較佳為0.01μm~1μm之範圍。
又，可形成上述導電層(C)之第一鍍敷核層(C-1)較佳為0.01μm~25μm之範圍之厚度。上述第一鍍敷核層(C-1)之厚度可藉由控制上述流動體(c-1)之塗佈量等而調整。
又，上述第一鍍敷層(C-2)較佳為1μm~45μm之範圍之厚度。上述第一鍍敷層(C-2)之厚度可藉由控制形成上述第一鍍敷層(C-2)時之鍍敷處理步驟之處理時間或電流密度、鍍敷用添加劑之使用量等而調整。
又，本發明之積層體具有絕緣層(D)。絕緣層(D)係以防止上述第一導電層(C)與上述第二導電層(E)間之導通為目的而設置之層，通常稱為層間絕緣材。
作為上述絕緣層(D)，可使用預先成形為膜或片材狀之絕緣膜或 絕緣片材，例如可使用：使用含有各種樹脂等之樹脂組合物而形成之絕緣膜或絕緣片材。
又，替代預先成形之膜或片材，上述絕緣層(D)亦可為藉由將樹脂組合物(d)至少塗佈於上述第一導電層(C)之表面並加以乾燥而形成之層。
上述絕緣層(D)較佳為積層於上述第一導電層(C)之表面之一部分或全部上，於將上述第一導電層(C)積層於上述第一底塗層(B-1)之表面之一部分上之情形時，上述絕緣層(D)可直接積層於第一底塗層(B-1)之表面上。
就兼顧上述第一導電層(C)及上述第二導電層(E)之絕緣性及上述積層體之薄型化的方面而言，上述絕緣層(D)之厚度較佳為1μm~50μm之範圍。又，於使用預先成形之膜或片材者作為上述絕緣層(D)之情形時，就操作容易性之方面而言，其厚度較佳為5μm~40μm之範圍。又，作為上述膜或片材，亦可使用預先設置有黏著劑層或接著劑層者。上述厚度係表示不含上述黏著劑層及接著劑層之膜或片材自身之厚度。
又，本發明之積層體具有第二底塗層(B-2)。
上述第二底塗層(B-2)係接受可用於形成上述第二導電層(E)之含有導電性物質之流動體(e-1)之層。上述底塗層(B-2)於與上述流動體(e-1)接觸時，迅速吸收上述流動體(e-1)中所含之溶劑，且於底塗層(B-2)之表面上承載上述導電性物質。藉此，可顯著提高上述絕緣層(D)及底塗層(B-2)、與包含導電性物質之第二導電層(E)之密接性及耐濕熱性。
上述底塗層(B-2)可設置於上述絕緣層(D)之表面之一部分或全部上，亦可設置於其單面或兩面上。例如作為上述積層體，亦可使用在上述絕緣層(D)之表面之整個面上具有第二底塗層(B-2)、且僅於該底 塗層(B-2)中之必要部分上積層有上述第二導電層(E)者。又，亦可使用僅於上述絕緣層(D)之表面中設置上述第二導電層(E)之部分上設置有上述底塗層(B-2)的積層體。
上述底塗層(B-2)之厚度較佳為成為0.01μm~30μm之範圍，更佳為成為0.05μm~10μm之範圍。
又，本發明之積層體具有第二導電層(E)。上述第二導電層(E)係包含由導電性油墨或鍍敷成核劑等流動體(e-1)中所含之導電性物質形成之第二鍍敷核層(E-1)、及積層於其表面上之第二鍍敷層(E-2)的層。
構成上述第二導電層(E)之第二鍍敷核層(E-1)較佳為包含上述導電性物質，具體而言較佳為包含銀之層。上述第二鍍敷核層(E-1)如上所述主要包含銀等導電性物質，但上述流動體(e-1)中所含之溶劑或添加劑亦可殘存於上述第二鍍敷核層(E-1)中。
構成上述第二導電層(E)之第二鍍敷層(E-2)係積層於上述第二鍍敷核層(E-1)之表面上之層。上述第二鍍敷層(E-2)較佳為包含含有一種以上之例如銅、鎳、鉻、鈷、錫、金等之金屬之層，更佳為於包含銅之鍍敷層上進而積層包含鎳之鍍敷層而形成第二鍍敷層(E-2)，就製造經過長時間亦不引起斷線等且可維持良好之通電性的可靠性較高之配線圖案等導電性圖案的方面而言，較佳為於包含銅之鍍敷層上積層包含鎳之鍍敷層，進而積層包含金之鍍敷層而形成第二鍍敷層(E-2)。
又，上述第二導電層(E)可設置於上述第二底塗層(B-2)之表面之一部分或全部上。具體而言，作為僅設置於上述絕緣層(D)之表面中之必要部分上之導電層(E)，可列舉藉由以線狀畫線而形成之線狀層。具有線狀層作為上述導電層(E)之積層體於製造導電性圖案或電子電路等時較為合適。
於上述第二導電層(E)為線狀者之情形時，上述線狀層之寬度(線寬)較佳為具有0.01μm~200μm左右、較佳為0.01μm~150μm、更佳為0.01μm~100μm之**寬度(線寬)**者。
作為構成本發明之積層體之第二導電層(E)，較佳為使用厚度為0.01μm~50μm之範圍者，更佳為使用厚度為0.01μm~30μm之範圍者。上述第二導電層(E)之厚度可藉由控制可用於形成上述第二鍍敷核層(E-1)之流動體(e-1)之塗佈量等而調整。於上述第二導電層(E)為細線狀者之情形時，其厚度(高度)較佳為0.01μm~1μm之範圍。
形成上述第二導電層(E)之第二鍍敷核層(E-1)較佳為0.01μm~25μm之範圍之厚度。上述第二鍍敷核層(E-1)之厚度可藉由控制上述流動體(e-1)之塗佈量等而調整。
又，上述第二鍍敷層(E-2)較佳為1μm~45μm之範圍之厚度。上述第二鍍敷層(E-2)之厚度可藉由控制形成上述第二鍍敷層(E-2)時之鍍敷處理步驟之處理時間或電流密度、鍍敷用添加劑之使用量等而調整。
本發明之積層體例如可藉由經過如下步驟而製造：於形成上述層(A)之支持體之表面之一部分或全部上塗佈形成第一底塗層(B-1)之底塗劑，於其塗佈面之一部分或全部上塗佈含有導電性物質之流動體(c-1)，藉此積層包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)及第一鍍敷核層(C-1)的步驟[1]；對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，藉此形成在上述第一鍍敷核層(C-1)之表面上積層有第一鍍敷層(C-2)之第一導電層(C)的步驟[2]；至少於上述第一鍍敷層(C-2)之表面之一部分或全部上積層絕緣層膜或絕緣片材的步驟，或藉由塗佈樹脂組合物(d)並加以乾燥而形成絕緣層(D)的步驟[3]；於上述絕緣層(D)之一部分或全部上塗佈形成第二底塗層(B-2)之底塗劑，於其塗佈面之一部分或全部上塗佈含有導電性物質之流動體(e-1)，藉 此積層上述絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二鍍敷核層(E-1)的步驟[4]；及對上述第二鍍敷核層(E-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，藉此形成在上述第二鍍敷核層(E-1)之表面上積層有第二鍍敷層(E-2)之第二導電層(E)的步驟[5]。
上述步驟[1]係如下步驟：於構成上述層(A)之支持體之表面之一部分或全部上塗佈形成第一底塗層(B-1)之底塗劑，視需要加以乾燥後，於其塗佈面之一部分或全部上塗佈含有導電性物質之流動體(c-1)並加以乾燥，藉此積層包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)及第一導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)。
作為構成上述層(A)之支持體，例如可使用：包含聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，Acrylonitrile Butadiene Styrene)、聚(甲基)丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚胺基甲酸酯、纖維素奈米纖維、矽、陶瓷、玻璃等之支持體，包含該等之多孔質支持體，鋼板或包含銅等金屬之支持體等。
其中，作為上述支持體，較佳為使用通常較多用作形成電路基板等之導電性圖案時之支持體之包含聚醯亞胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、玻璃、纖維素奈米纖維等之支持體。
又，作為上述支持體，於使用於需要柔軟性之用途等之情形時，就可獲得對導電性圖案賦予柔軟性且可彎折之最終產品的方面而言，較佳為使用相對較柔軟且可彎折等者。具體而言，較佳為使用藉由單軸延伸等而形成之膜或片材狀之支持體。
作為上述膜或片材狀之支持體，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯膜或聚醯亞胺膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等。
作為上述支持體，就實現導電性圖案等積層體或使用其之最終 產品之輕型化及薄型化的觀點而言，較佳為厚度為1μm~2,000μm左右者，更佳為1μm~100μm左右之厚度。於要求相對較柔軟者作為上述積層體之情形時，較佳為使用厚度為1μm~80μm左右者。
作為塗佈於上述支持體之表面之一部分或全部上的底塗劑，可使用含有各種樹脂與溶劑者。
作為上述樹脂，例如可使用胺基甲酸酯樹脂(b1)、乙烯系樹脂(b2)、胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)、酚系樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂等。
作為上述樹脂，其中較佳為使用選自由胺基甲酸酯樹脂(b1)、乙烯系樹脂(b2)及胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)所組成之群中之一種以上之樹脂，作為胺基甲酸酯樹脂(b1)，更佳為使用具有聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂、具有脂肪族聚酯結構之胺基甲酸酯樹脂，作為乙烯系樹脂(b2)，更佳為使用具有來自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之丙烯酸系樹脂，作為胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)，更佳為使用胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂，使用胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂之情況下，可進一步提高上述密接性、耐濕熱性，且可防止離子遷移，故進而佳。
作為上述底塗劑，就維持塗佈之容易性等之方面而言，較佳為使用相對於上述底塗劑整體而含有10質量%~70質量%之上述樹脂者，更佳為使用含有10質量%~50質量%者。
又，作為可用於上述底塗劑之溶劑，可使用各種有機溶劑或水性介質。
作為上述有機溶劑，例如可使用甲苯、乙酸乙酯、甲基乙基酮等。又，作為上述水性介質，可列舉水、與水混合之有機溶劑及該等之混合物。
作為與水混合之有機溶劑，例如可列舉：甲醇、乙醇、正及異丙醇、乙基卡必醇、乙基賽珞蘇、丁基賽珞蘇等醇；丙酮、甲基乙基酮等酮；乙二醇、二乙二醇、丙二醇等聚烷二醇；聚烷二醇之烷基醚；N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺等。
於本發明中，可僅使用水，又亦可使用水及與水混合之有機溶劑之混合物，亦可僅使用與水混合之有機溶劑。
於使用水性介質作為上述溶劑之情形時，就對底塗劑賦予良好之水分散性而提高保存穩定性之方面而言，較佳為使用具有親水性基之樹脂作為上述樹脂。
作為上述親水性基，例如可列舉：陰離子性基、陽離子性基、非離子性基。
作為上述陰離子性基，例如可使用羧基、羧酸酯基、磺酸基、磺酸酯基等，其中，就賦予良好之水分散性之方面而言，較佳為使用一部分或全部經鹼性化合物等中和而形成之羧酸酯基或磺酸酯基。
作為可用於上述陰離子性基之中和之鹼性化合物，例如可列舉：氨，三乙胺、吡啶、嗎啉等有機胺，單乙醇胺等烷醇胺，含有鈉、鉀、鋰、鈣等之金屬鹼化合物等。於形成導電性圖案等之情形時，存在上述金屬鹼化合物可能妨礙導電性等之情形，故而較佳為使用上述氨或有機胺或烷醇胺。
於使用上述羧酸酯基或磺酸酯基作為上述陰離子性基之情形時，就維持上述樹脂之良好之水分散穩定性的方面而言，較佳為該等相對於上述樹脂整體而以50mmol/kg~2,000mmol/kg之範圍存在。
又，作為上述陽離子性基，例如可使用三級胺基等。
作為可於中和上述三級胺基之一部分或全部時使用之酸，例如可單獨如下酸或組合使用兩種以上：乙酸、丙酸、乳酸、順丁烯二酸等有機酸或磺酸、甲磺酸等有機磺酸及鹽酸、硫酸、正磷酸、正亞磷 酸等無機酸等。於形成導電性圖案等之情形時，存在氯或硫等可能妨礙導電性等之情形，故而較佳為使用乙酸、丙酸、乳酸、順丁烯二酸等。
又，作為上述非離子性基，例如可使用聚氧伸乙基、聚氧伸丙基、聚氧伸丁基、聚(氧伸乙基-氧伸丙基)及聚氧伸乙基-聚氧伸丙基等聚氧伸烷基。其中就進一步提高親水性之方面而言，較佳為使用具有氧伸乙基單元之聚氧伸烷基。
作為可用作上述底塗劑中所含之樹脂之胺基甲酸酯樹脂(b1)，可使用藉由使多元醇與聚異氰酸酯、與視需要之鏈伸長劑反應而獲得的胺基甲酸酯樹脂。其中，較佳為使用具有聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂、具有脂肪族聚酯結構之胺基甲酸酯樹脂。
上述聚碳酸酯結構、脂肪族聚酯結構較佳為來自上述胺基甲酸酯樹脂之製造中所使用之多元醇的結構。具體而言，上述具有聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂可藉由使用作為上述多元醇而後述之聚碳酸酯多元醇而製造。又，上述具有脂肪族聚酯結構之胺基甲酸酯樹脂可藉由使用含有作為上述多元醇而後述之脂肪族聚酯多元醇者而製造。
作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)之製造中可使用之多元醇，如上所述可使用聚碳酸酯多元醇、脂肪族聚酯多元醇等。又，作為上述多元醇，視需要可組合使用其他多元醇。
又，作為上述聚碳酸酯多元醇，例如可使用使碳酸酯與多元醇反應所得者、使碳醯氯與雙酚A等反應所得者。
作為上述碳酸酯，可使用碳酸甲酯、碳酸二甲酯、碳酸乙酯、碳酸二乙酯、環碳酸酯、碳酸二苯酯等。
作為可與上述碳酸酯反應之多元醇，例如可使用：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、2,3-丁二醇、1,5-戊二醇、1,5-己二 醇、2,5-己二醇、1,6-己二醇、1,7-庚二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇、1,10-癸二醇、1,11-十一烷二醇、1,12-十二烷二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-乙基-1,3-己二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、2-丁基-2-乙基丙二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、新戊二醇、對苯二酚、間苯二酚、雙酚-A、雙酚-F、4,4'-聯苯酚等分子量相對較低之二羥基化合物等。
又，作為上述脂肪族聚酯多元醇，例如可使用：使低分子量之多元醇與多羧酸進行酯化反應而獲得的脂肪族聚酯多元醇、使ε-己內酯或γ-丁內酯等環狀酯化合物進行開環聚合反應而獲得的脂肪族聚酯、該等之共聚合聚酯等。
作為上述聚酯多元醇之製造中可使用之低分子量之多元醇，例如可單獨使用如下之醇或併用兩種以上：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、新戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、甘油、三羥甲基丙烷等，較佳為組合使用乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇或1,4-丁二醇等與3-甲基-1,5-戊二醇或新戊二醇等。
作為上述多羧酸，例如可使用琥珀酸、己二酸、癸二酸、十二烷二羧酸、壬二酸及該等之酸酐或酯形成性衍生物等，較佳為使用己二酸等脂肪族多羧酸。
作為上述聚碳酸酯多元醇、脂肪族聚酯多元醇，較佳為使用數量平均分子量為500~4,000者，更佳為使用500~2,000者。
又，作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)之製造中可使用之多元醇，除了上述者以外，視需要可併用其他多元醇。
作為上述其他多元醇，例如可適宜使用：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,4-環己烷二甲醇、新戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、甘油、三羥甲基丙烷 等，於丙烯酸系共聚物中導入羥基而成之丙烯酸系多元醇，作為分子內含有羥基之丁二烯之共聚物之聚丁二烯多元醇，氫化聚丁二烯多元醇，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之部分皂化物等。
又，作為上述其他多元醇，例如可使用：1,4-環己烷二甲醇、環丁二醇、環戊二醇、1,4-環己二醇、環庚二醇、環辛二醇、環己烷二甲醇、三環[5.2.1.02,6 ]癸烷二甲醇、雙環[4.3.0]-壬二醇、二環己二醇、三環[5.3.1.1]十二烷二醇、雙環[4.3.0]壬烷二甲醇、三環[5.3.1.1]十二烷二乙醇、螺[3.4]辛二醇、丁基環己二醇、1,1'-雙環亞己基二醇、環己三醇、氫化雙酚A、1,3-金剛烷二醇等分子量相對較低之具有脂肪族環式結構之多元醇。
又，於製造具有親水性基之胺基甲酸酯樹脂作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)之情形時，較佳為使用具有親水性基之多元醇作為上述其他多元醇。
作為上述具有親水性基之多元醇，例如可使用：2,2-二羥甲基丙酸、2,2-二羥甲基丁酸、2,2-二羥甲基戊酸等具有羧基之多元醇，5-磺基間苯二甲酸、磺基對苯二甲酸、4-磺基鄰苯二甲酸、5-(4-磺基苯氧基)間苯二甲酸等具有磺酸基之多元醇。又，作為上述具有親水性基之多元醇，亦可使用使上述低分子量之具有親水性基之多元醇、與例如己二酸等各種多羧酸進行反應而獲得的具有親水性基之聚酯多元醇等。
作為與上述多元醇反應而可生成胺基甲酸酯樹脂的聚異氰酸酯，例如可使用：4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、碳二亞胺改性二苯基甲烷二異氰酸酯、粗二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、萘二異氰酸酯等具有芳香族結構之聚異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、苯 二甲基二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸酯或具有脂肪族環式結構之聚異氰酸酯。
又，作為製造上述胺基甲酸酯樹脂時可使用之鏈伸長劑，可使用多胺、肼化合物、其他含有活性氫原子之化合物等。
作為上述多胺，例如可使用：乙二胺、1,2-丙二胺、1,6-六亞甲基二胺、哌、2,5-二甲基哌、異佛爾酮二胺、4,4'-二環己基甲烷二胺、3,3'-二甲基-4,4'-二環己基甲烷二胺、1,4-環己烷二胺等二胺；N-羥基甲胺基乙胺、N-羥基乙胺基乙胺、N-羥基丙胺基丙胺、N-乙胺基乙胺、N-甲胺基丙胺；二伸乙基三胺、二伸丙基三胺、三伸乙基四胺等。
作為上述肼化合物，例如可使用：肼、N,N'-二甲基肼、1,6-六亞甲基雙肼；琥珀酸二醯肼、己二酸二醯肼、戊二酸二醯肼、癸二酸二醯肼、間苯二甲酸二醯肼；β-半卡肼丙醯肼、3-半卡肼-丙基-肼甲酸酯、半卡肼-3-半卡肼甲基-3,5,5-三甲基環己烷。
作為上述其他含有活性氫之化合物，例如可使用：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、六亞甲基二醇、蔗糖、亞甲基二醇、甘油、山梨糖醇等二醇；雙酚A、4,4'-二羥基聯苯、4,4'-二羥基二苯醚、4,4'-二羥基二苯碸、氫化雙酚A、對苯二酚等酚，水等。
上述鏈伸長劑較佳為以例如多胺所具有之胺基與過剩之異氰酸酯基之當量比成為1.9以下(當量比)之範圍使用，更佳為以0.3~1(當量比)之範圍使用。
上述胺基甲酸酯樹脂(b1)例如可於無溶劑下或有機溶劑之存在下，使上述多元醇與上述聚異氰酸酯、與視需要之上述鏈伸長劑以先前所知之方法反應而製造。
關於上述多元醇與上述聚異氰酸酯之反應，充分注意到急據之 發熱或發泡等而考慮安全性，可藉由如下方法進行：於較佳為50℃~120℃、更佳為80℃~100℃之反應溫度下，將上述多元醇與上述聚異氰酸酯一次性混合；或以將任一者滴加入另一者等中之方法逐次供給，反應大致1小時~15小時左右。
又，關於含有上述胺基甲酸酯樹脂(b1)之水分散體之底塗劑，可藉由使上述多元醇與上述聚異氰酸酯、與視需要之鏈伸長劑以上述方法反應而製造胺基甲酸酯樹脂(b1)，視需要將上述胺基甲酸酯樹脂(b1)所具有之陰離子性基等親水性基之一部分或全部中和等後，將其與用作底塗劑之溶劑之水性介質混合，藉此獲得包含胺基甲酸酯樹脂(b1)分散或一部分溶解於水性介質中之胺基甲酸酯樹脂(b1)水分散體的底塗劑。
更具體而言，可藉由使上述多元醇與上述聚異氰酸酯以上述方法反應，製造於末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物，視需要將上述胺基甲酸酯預聚物所具有之陰離子性基等親水性基之一部分或全部中和等後，將其與上述水性介質混合，視需要使用上述鏈伸長劑進行鏈伸長，藉此獲得包含胺基甲酸酯樹脂(b1)分散或溶解於水性介質中之胺基甲酸酯樹脂(b1)水分散體的底塗劑。
上述聚異氰酸酯與上述多元醇之反應較佳為以例如上述聚異氰酸酯所具有之異氰酸酯基與上述多元醇所具有之羥基之當量比例[異氰酸酯基/羥基]成為0.9~2之範圍進行。
於製造上述胺基甲酸酯樹脂(b1)時，如上所述般亦可使用有機溶劑作為溶劑。作為上述有機溶劑，例如可單獨使用如下溶劑或使用兩種以上：丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃、二烷等醚；乙酸乙酯、乙酸丁酯等乙酸酯；乙腈等腈；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺。上述有機溶劑較佳為於上述胺基甲酸酯樹脂(b1)之製造後藉由蒸餾法等而去除。然而，於使用含有上述胺基甲酸酯樹脂(b1)與有 機溶劑者作為上述底塗劑之情形時，亦可將製造上述胺基甲酸酯樹脂(b1)時所使用之有機溶劑用作上述底塗劑之溶劑。
作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)，就可形成上述密接性優異、且導電性優異之導電性圖案等積層體的方面而言，較佳為使用具有5,000~500,000之重量平均分子量者，更佳為使用具有20,000~100,000之重量平均分子量者。
作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)，視需要可使用具有各種官能基者。作為上述官能基，例如可列舉：烷氧基矽烷基、矽烷醇基、羥基、胺基等交聯性官能基。
上述交聯性官能基於底塗層(B)中形成交聯結構，藉此於形成耐久性優異之導電層或鍍敷層的方面而言可較佳地使用。
上述烷氧基矽烷基或矽烷醇基可藉由在製造上述胺基甲酸酯樹脂(b1)時使用γ-胺基丙基三乙氧基矽烷等而導入至上述胺基甲酸酯樹脂中。
又，於將上述胺基甲酸酯樹脂(b1)與後述交聯劑組合使用之情形時，可使用具有可與上述交聯劑所具有之官能基反應之官能基者。作為上述官能基，亦取決於組合使用之交聯劑之選擇，於使用例如封端異氰酸酯化合物等交聯劑之情形時可使用羥基或胺基。
又，作為可用作上述底塗劑中所含之樹脂之乙烯系樹脂(b2)，可使用具有聚合性不飽和雙鍵之單體之聚合物。具體而言，可使用：聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、乙烯-丙烯共聚物、天然橡膠、合成異丙烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸系樹脂等，較佳為使用具有來自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，可使用將(甲基)丙烯酸系單體聚合所得之聚合物或共聚物。再者，(甲基)丙烯酸系單體係指丙烯酸系單體及甲基丙烯酸系單體之任一者或兩者。
作為上述丙烯酸系樹脂，較佳為使用具有來自(甲基)丙烯酸甲酯之結構單元之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，例如可藉由將後述各種(甲基)丙烯酸系單體聚合而製造。
作為上述(甲基)丙烯酸系單體，例如可使用：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異基酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸酯類；(甲基)丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-五氟丙酯、(甲基)丙烯酸全氟環己酯、(甲基)丙烯酸2,2,3,3-四氟丙酯、(甲基)丙烯酸β-(全氟辛基)乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。
上述中，使用甲基丙烯酸甲酯時，可不受製作導電性圖案時之加熱步驟等之熱等之影響，而賦予上述底塗層(B)與上述包含支持體之層(A)之優異之密接性，就此方面而言較佳為使用上述甲基丙烯酸甲酯。又，就可不引起滲開而印刷形成電子電路等之導電性圖案時所要求的包含大致0.01μm~200μm、較佳為0.01μm~150μm左右之寬度之細線(細線性之提高)的方面而言，更佳亦為使用上述甲基丙烯酸甲酯。
又，較佳為與上述甲基丙烯酸甲酯一併使用具有碳原子數2個~12個之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為使用具有碳原子數3個~8個之烷基之丙烯酸烷基酯，就謀求更進一步提高上述密接性或導電性的方面而言，較佳為使用丙烯酸正丁酯。又，就無滲開等而形成細線性優異之導電性圖案的方面而言亦較佳。
相對於上述(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量，上述(甲基)丙烯 酸甲酯較佳為10質量%~70質量%，更佳為30質量%~65質量%，且相對於上述(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量，上述具有碳原子數2個~12個之烷基之丙烯酸烷基酯、較佳為具有碳原子數3個~8個之烷基之丙烯酸烷基酯較佳為20質量%~80質量%，更佳為35質量%~70質量%。
又，作為製造上述丙烯酸系樹脂時可使用之(甲基)丙烯酸系單體，除了上述者以外，亦可使用：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸β-羧基乙酯、2-(甲基)丙烯醯基丙酸、丁烯酸、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸半酯、順丁烯二酸半酯、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、氫化琥珀酸β-(甲基)丙烯醯氧基乙酯等含有羧基之乙烯系單體。上述含有羧基之乙烯系單體可藉由氨或氫氧化鉀等而中和。
又，作為上述(甲基)丙烯酸系單體，就於上述丙烯酸系樹脂中導入選自由羥甲基醯胺基及烷氧基甲基醯胺基所組成之群中之一種以上之醯胺基或上述以外之醯胺基、羥基、縮水甘油基、胺基、矽烷基、氮丙啶基、異氰酸酯基、唑啉基、環戊烯基、烯丙基、羰基、乙醯乙醯基等上述交聯性官能基的觀點而言，可使用含有交聯性官能基之乙烯系單體。
作為上述具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸系單體中可使用之具有選自由羥甲基醯胺基及烷氧基甲基醯胺基所組成之群中之一種以上之醯胺基之乙烯系單體，例如可使用：N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-戊氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基-N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N'-二羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙氧基甲基-N-丙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N'-二丙氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基-N-丙氧 基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基-N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N'-二戊氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基-N-戊氧基甲基(甲基)丙烯醯胺等。
其中，就形成具備可防止鍍敷步驟中之導電性物質(a2)之剝離等之水準的耐久性等之導電性圖案的方面而言，較佳為使用N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺。
作為上述具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸系單體，除了上述者以外，例如可使用：(甲基)丙烯醯胺等具有醯胺基之乙烯系單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯、(甲基)丙烯甘油酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、N-羥基乙基(甲基)丙烯醯胺等具有羥基之乙烯系單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸烯丙基縮水甘油醚等具有縮水甘油基之聚合性單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N-單烷基胺基烷基酯、(甲基)丙烯酸N,N-二烷基胺基烷基酯等具有胺基之聚合性單體；乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三異丙氧基矽烷、N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷及其鹽酸鹽等具有矽烷基之聚合性單體；(甲基)丙烯酸2-氮丙啶基乙酯等具有氮丙啶基之聚合性單體；(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯基乙酯之苯酚或甲基乙基酮肟加成物等具有異氰酸酯基及/或封端化異氰酸酯基之聚合性單體；2-異丙烯基-2-唑啉、2-乙烯基-2-唑啉等具有唑啉基之聚合性單體；(甲基)丙烯酸二環戊烯基 酯等具有環戊烯基之聚合性單體；(甲基)丙烯酸烯丙酯等具有烯丙基之聚合性單體；丙烯醛、二丙酮(甲基)丙烯醯胺等具有羰基之聚合性單體等。
相對於上述(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量，上述具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸系單體較佳為以0質量%~50質量%之範圍使用。
上述具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸系單體中，就導入自交聯反應性之羥甲基醯胺基等的方面而言，相對於(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量，上述具有醯胺基之(甲基)丙烯酸系單體較佳為以0.1質量%~50質量%之範圍使用，更佳為以1質量%~30質量%之範圍使用。又，相對於上述(甲基)丙烯酸系單體之總量，與上述自交聯反應性之羥甲基醯胺基組合使用之其他具有醯胺基之(甲基)丙烯酸系單體、具有羥基之(甲基)丙烯酸系單體較佳為以0.1質量%~30質量%之範圍使用，更佳為以1質量%~20質量%之範圍使用。
又，上述具有交聯性官能基之(甲基)丙烯酸系單體中，上述具有羥基之(甲基)丙烯酸系單體或含有酸基之(甲基)丙烯酸系單體亦取決於組合使用之交聯劑(D)之種類等，較佳為相對於上述(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量而以大致0.05質量%~50質量%之範圍使用，較佳為以0.05質量%~30質量%之範圍使用，更佳為以0.1質量%~10質量%使用。
又，製造上述丙烯酸系樹脂時，亦可與上述(甲基)丙烯酸系單體一併組合使用如下化合物：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、特十碳酸乙烯酯、甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、戊基乙烯基醚、己基乙烯基醚、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基苯甲醚、α-鹵代苯乙烯、乙烯基萘、二乙烯基苯乙烯、異戊二烯、氯丁二烯、丁二烯、乙烯、四 氟乙烯、偏二氟乙烯、N-乙烯基吡咯啶酮或聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甘油單(甲基)丙烯酸酯、乙烯基磺酸、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-甲基烯丙基磺酸、(甲基)丙烯酸2-磺乙酯、(甲基)丙烯酸2-磺丙酯、「ADEKA REASOAP PP-70、PPE-710」(ADEKA股份有限公司製造)等或該等之鹽等。
上述丙烯酸系樹脂可藉由將上述各種乙烯系單體之混合物以先前已知之方法聚合而製造，就製造密接性優異且導電性優異之導電性圖案的方面而言，較佳為應用乳化聚合法。
作為上述乳化聚合法，例如可應用：將水、(甲基)丙烯酸系單體混合物、聚合起始劑及視需要之鏈轉移劑或乳化劑或分散穩定劑等一次性供給至反應容器中加以混合而聚合的方法；將(甲基)丙烯酸系單體混合物滴加至反應容器中進行聚合之單體滴加法；將預先混合(甲基)丙烯酸系單體混合物、乳化劑等及水而成者滴加至反應容器中進行聚合的預乳化法等。
上述乳化聚合法之反應溫度係根據所使用之(甲基)丙烯酸系單體或聚合起始劑之種類而不同，例如較佳為30℃~90℃左右，反應時間為例如1小時~10小時左右。
作為上述聚合起始劑，例如有過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等過硫酸鹽，過氧化苯甲醯、氫過氧化異丙苯、氫過氧化第三丁基等有機過氧化物，過氧化氫等，可僅使用該等過氧化物進行自由基聚合，或者亦可藉由併用上述過氧化物與如抗壞血酸、異抗壞血酸、異抗壞血酸鈉、甲醛次硫酸鹽之金屬鹽、硫代硫酸鈉、亞硫酸氫鈉、氯化鐵等之還原劑之氧化還原聚合起始劑系進行聚合，又，亦可使用4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽等偶氮系起始劑，該等化合物可單獨使用亦可併用兩種以上。
作為可用於上述丙烯酸系樹脂之製造中之乳化劑，可列舉：陰 離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性離子性界面活性劑等。
作為上述陰離子性界面活性劑，例如可使用：高級醇之硫酸酯及其鹽、烷基苯磺酸鹽、聚氧伸乙基烷基苯基磺酸鹽、聚氧伸乙基烷基二苯醚磺酸鹽、聚氧伸乙基烷基醚之硫酸半酯鹽、烷基二苯醚二磺酸鹽、琥珀酸二烷基酯磺酸鹽等，作為非離子性界面活性劑，例如可使用：聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸乙基烷基苯醚、聚氧伸乙基二苯醚、聚氧伸乙基-聚氧伸丙基嵌段共聚物、乙炔二醇系界面活性劑等。
又，作為上述陽離子性界面活性劑，例如可使用烷基銨鹽等。
又，作為兩性離子性界面活性劑，例如可使用：烷基(醯胺)甜菜鹼、烷基二甲基氧化胺等。
作為上述乳化劑，除了上述界面活性劑以外，亦可使用氟系界面活性劑或聚矽氧系界面活性劑或通常被稱為「反應性乳化劑」之於分子內具有聚合性不飽和基之乳化劑。
作為上述反應性乳化劑，例如可使用：具有磺酸基及其鹽之「Latemul S-180」(花王(股)製造)、「Eleminol JS-2、RS-30」(三洋化成工業(股)製造)等；具有硫酸基及其鹽之「AQUALON HS-10、HS-20、KH-1025」(第一工業製藥(股)製造)、「ADEKA REASOAP SE-10、SE-20」(ADEKA(股)製造)等；具有磷酸基之「New Frontier A-229E」(第一工業製藥(股)製造)等；具有非離子性親水基之「AQUALON RN-10、RN-20、RN-30、RN-50」(第一工業製藥(股)製造)等。
又，作為於上述丙烯酸系樹脂(x2-1)之製造中可使用之鏈轉移劑，可使用月桂基硫醇等，較佳為相對於上述(甲基)丙烯酸系單體混合物之總量而以0質量%~1.0質量%之範圍使用，更佳為0質量%~0.5 質量%之範圍。
又，作為可用作上述底塗劑中所含之樹脂之胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)，可列舉胺基甲酸酯樹脂(b3-1)與乙烯系聚合物(b3-2)形成複合樹脂粒子而可於水性介質中分散等者。
上述複合樹脂粒子具體可列舉：上述乙烯系聚合物(b3-2)之一部分或全部內包於上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)所形成之樹脂粒子內者。於形成導電性圖案時，較佳為使用無需使用會使電氣特性下降之界面活性劑等之上述核-殼型之複合樹脂粒子。再者，作為上述複合樹脂粒子，較佳為上述乙烯系聚合物(b3-2)幾乎完全經上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)包覆，但並非必須如此，於不損及本發明之效果之範圍內，上述乙烯系聚合物(b3-2)之一部分亦可存在於上述複合樹脂粒子之最外部。
又，作為上述複合樹脂粒子，於上述乙烯系聚合物(b3-2)較之上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)而更具親水性之情形時，亦可為上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之一部分或全部內包於上述乙烯系聚合物(b3-2)所形成之樹脂粒子內而形成複合樹脂粒子者。
又，上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)與上述乙烯系聚合物(b3-2)亦可形成共價鍵，但較佳為不形成鍵。
又，作為上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)，較佳為使用上述乙烯系聚合物(b3-2)為丙烯酸系樹脂之胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂。
又，作為上述複合樹脂粒子，就維持良好之水分散穩定性之觀點而言，較佳為5nm~100nm之範圍之平均粒徑。此處所言之平均粒徑，係指藉由動態光散射法測定之以體積基準計之平均粒徑。
作為上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)，較佳為以[胺基甲酸酯樹脂(b3-1)/乙烯系聚合物(b3-2)]=90/10~10/90之範圍含有上述胺 基甲酸酯樹脂(b3-1)與上述乙烯系聚合物(b3-2)，更佳為以70/30~10/90之範圍含有。
作為構成上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)之胺基甲酸酯樹脂(b3-1)，可使用與上述胺基甲酸酯樹脂(b1)相同者。又，作為構成上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂之胺基甲酸酯樹脂(b3-1)，除了作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)而例示者以外，例如亦可使用具有聚醚結構之胺基甲酸酯樹脂或具有芳香族聚酯結構之胺基甲酸酯樹脂。
又，作為於上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)之製造中可使用之上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)，較佳為使用具有2,000mmol/kg~5,500mmol/kg之脂肪族環式結構與親水性基之胺基甲酸酯樹脂，使用具有3,000mmol/kg~5,000mmol/kg之脂肪族環式結構者之情況下，就更進一步提高上述密接性或耐濕熱性、防止鍍敷處理步驟中底塗層(B)自支持體之剝離而提高耐久性的方面而言更佳。
作為於上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之製造中可使用之多元醇或聚異氰酸酯、鏈伸長劑，可使用與作為製造上述胺基甲酸酯樹脂(b1)時可使用者而例示之多元醇、聚異氰酸酯、鏈伸長劑相同者。
又，於使用具有上述特定量之脂肪族環式結構者作為上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之情形時，較佳為選擇使用具有脂肪族環式結構之多元醇及具有脂肪族環式結構之聚異氰酸酯作為上述多元醇及聚異氰酸酯。
又，上述具有聚醚結構之胺基甲酸酯樹脂可藉由使用含有作為上述多元醇而後述之聚醚多元醇者而製造。
作為上述聚醚多元醇，例如可使用將具有2個以上之活性氫原子之化合物之一種或兩種以上作為起始劑，使環氧烷進行加成聚合而成者。
作為上述起始劑，例如可使用：乙二醇、二乙二醇、三乙二 醇、丙二醇、三亞甲基二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、甘油、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷等。
作為上述環氧烷，例如可使用環氧乙烷、環氧丙烷、環氧丁烷、環氧苯乙烷、表氯醇、四氫呋喃等。
又，於使用上述具有芳香族聚酯結構之胺基甲酸酯樹脂之情形時，亦可使用芳香族聚酯多元醇作為上述多元醇。
作為上述芳香族聚酯多元醇，例如可使用使低分子量之多元醇與芳香族多羧酸進行酯化反應而獲得者等。
作為於上述芳香族聚酯多元醇之製造中可使用之低分子量之多元醇，例如可單獨使用如下化合物或併用兩種以上：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、新戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、甘油、三羥甲基丙烷等，較佳為組合使用乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇或1,4-丁二醇等與3-甲基-1,5-戊二醇或新戊二醇等。
作為上述芳香族多羧酸，例如可使用：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、萘二甲酸及該等之酸酐或酯化物等。
作為上述聚醚多元醇及上述芳香族聚酯多元醇，較佳為使用數量平均分子量為500~4,000者，更佳為使用500~2,000者。
作為構成上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂之乙烯系聚合物(b3-2)，使用具有10℃~70℃之玻璃轉移溫度者之情況下，就提高與導電層(C)之密接性之方面而言較佳。再者，上述乙烯系聚合物(x3-2)之玻璃轉移溫度主要係根據該乙烯系聚合物(b3-2)之製造中使用之乙烯系單體之組成藉由計算而決定之值。具體而言，藉由以後述之乙烯系聚合物(b3-2)之組合而使用，可獲得具有上述特定之玻璃轉移溫度之乙烯系聚合物(b3-2)。
又，作為上述乙烯系聚合物(b3-2)，就提高與導電層(C)之密接性 或所得導電性圖案之導電性、且實現圖案之細線化的方面而言，較佳為使用具有80萬以上之重量平均分子量者，更佳為使用具有100萬以上之重量平均分子量者。
作為上述乙烯系聚合物(b3-2)之重量平均分子量之上限值，並無特別限定，較佳為大致1000萬以下，且較佳為500萬以下。
又，作為上述乙烯系聚合物(b3-2)，視需要可具有各種官能基，作為上述官能基，例如可列舉：醯胺基或羥基、縮水甘油基、胺基、矽烷基、氮丙啶基、異氰酸酯基、唑啉基、環戊烯基、烯丙基、羧基、乙醯乙醯基等交聯性官能基。
作為上述乙烯系聚合物(b3-2)，可使用與上述乙烯系聚合物(b3)相同者。具體而言，作為可於上述乙烯系聚合物(b3-2)之製造中使用之(甲基)乙烯系單體，可使用作為於上述乙烯系樹脂(b3)之製造中可使用者而例示之乙烯系單體，較佳為使用與(甲基)丙烯酸系單體相同者。其中，作為乙烯系聚合物(b3-2)，較佳為使用與作為可用於上述乙烯系樹脂(x2)者而例示之具有來自甲基丙烯酸甲酯之結構單元之丙烯酸系樹脂相同者。
上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)例如可藉由如下步驟而製造：藉由使上述聚異氰酸酯、多元醇與視需要之鏈伸長劑進行反應並水分散化而製造胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之水分散體之步驟(V)；及於上述水分散體中將上述(甲基)丙烯酸系單體聚合而製造乙烯系聚合物(b3-2)之步驟(W)。
具體而言，於無溶劑下或有機溶劑下或(甲基)丙烯酸系單體等之反應性稀釋劑之存在下，使上述聚異氰酸酯與多元醇進行反應，藉此獲得胺基甲酸酯樹脂(b3-1)，繼而，視需要使用鹼性化合物等將上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)所具有之親水性基之一部分或全部中和，視需要進而與鏈伸長劑反應，使其於水性介質中分散，藉此製造胺基甲酸 酯樹脂(b3-1)之水分散體。
繼而，於上述獲得之胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之水分散體中，供給上述(甲基)丙烯酸系單體等乙烯系單體，使上述乙烯系單體於上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)粒子內進行自由基聚合而製造乙烯系樹脂(b3-2)。又，於乙烯系單體之存在下進行上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之製造之情形時，藉由在上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之製造後供給聚合起始劑等，而使上述(甲基)丙烯酸系單體等乙烯系單體進行自由基聚合而製造乙烯系樹脂(b3-2)。
藉此，可製造上述乙烯系樹脂(b3-2)之一部分或全部內包於上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)粒子中之複合樹脂粒子分散於水性介質中的底塗劑。
製造上述複合樹脂粒子時，於上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)為高黏度而導致作業性欠佳之情形時，可使用甲基乙基酮、N-甲基吡咯啶酮、丙酮、二丙二醇二甲醚等通常之有機溶劑，反應性稀釋劑。尤其使用上述乙烯系聚合物(b3-2)之製造中可使用之(甲基)丙烯酸系單體等乙烯系單體作為上述反應性稀釋劑之情況下，就實現藉由省略脫溶劑步驟而提高底塗劑之生產效率的方面而言較佳。
又，作為於上述底塗劑中可使用之樹脂，除了上述者以外，例如可使用：酚系樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟樹脂等。
作為於上述底塗劑中可使用之樹脂，亦可適宜組合使用上述者。例如可適宜組合使用上述胺基甲酸酯樹脂(b1)與乙烯系樹脂(b2)與胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)中之兩種以上。又，作為上述胺基甲酸酯樹脂(b1)，可組合使用含有聚醚結構之胺基甲酸酯樹脂與具有聚碳酸酯結構之胺基甲酸酯樹脂。
作為上述底塗劑，亦可組合使用上述胺基甲酸酯樹脂(b1)與上述 乙烯系樹脂(b2)。於以該組合使用之情形時，較佳為以上述胺基甲酸酯樹脂(b1)與上述乙烯系樹脂(b2)為[(b1)/(b2)]=90/10~10/90之範圍含有，較合適的是以70/30~10/90之範圍使用。
作為上述底塗劑中所含之樹脂，如上所述，可使用具有交聯性官能基者。
上述交聯性官能基於第一底塗層(B-1)中形成交聯結構，藉此可不引起滲開等形成密接性或導電性優異之導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)，就此方面而言可較佳地使用。
作為上述交聯性官能基，例如可列舉：烷氧基矽烷基、矽烷醇基、胺基、羥基。
於使用上述具有烷氧基矽烷基或矽烷醇基之樹脂之情形時，上述烷氧基矽烷基或矽烷醇基於作為底塗劑之溶劑之水性介質中水解縮合，形成交聯結構。藉由將已形成交聯結構之底塗劑塗佈於支持體表面上並加以乾燥等，而於塗佈可形成上述導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)之流動體(c-1)之前，形成已形成交聯結構之第一底塗層(B-1)。
又，作為上述交聯性官能基，亦可使用藉由加熱至大致100℃以上、較佳為120℃以上而使交聯性官能基間或與後述交聯劑等進行交聯反應，從而可形成上述交聯結構者，具體而言，較佳為使用選自由羥甲基醯胺基及烷氧基甲基醯胺基所組成之群中之一種以上之熱交聯性官能基。
作為上述烷氧基甲基醯胺基，具體可列舉：甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等鍵結於氮原子而形成之醯胺基，其中，就大幅度地提高第一底塗層(B-1)之耐久性或與各種支持體之密接性的方面而言，較佳為使用具有選自由羥甲基醯胺基及烷氧基甲基醯胺基所組成之群中之一種以上者。
於使用含有具備如上述之藉由加熱至大致100℃以上、較佳為120℃左右而可進行交聯反應之官能基之樹脂的底塗劑之情形時，將上述底塗劑塗佈於支持體表面上並加以乾燥時的溫度較佳為未達100℃。藉此，可形成實質上不具有交聯結構之底塗層。
亦可於上述不具有交聯結構之底塗層上塗佈(印刷)上述流動體(c-1)後，以100℃以上之溫度進行加熱步驟或與上述加熱步驟分開進行另外之加熱等，藉此形成具備交聯結構之底塗層。
藉由如此般於塗佈上述流動體(c-1)後於第一底塗層(B-1)中形成交聯結構，可形成具備格外優異之耐久性的導電性圖案，即，即便於後述鍍敷處理步驟中暴露於包含強鹼或強酸性物質之鍍敷藥劑下之情形時，亦不會引起第一底塗層(B-1)自支持體之剝離。再者，上述所謂「實質上不具有交聯結構」，係指包含完全未形成上述交聯結構之態樣，並且亦指可形成上述交聯結構之官能基數之約5%以內局部地形成交聯結構者。
相對於上述底塗劑中所使用之樹脂之總量，上述交聯性官能基能以合計0.005當量/kg~1.5當量/kg之範圍含有。
又，上述底塗劑可於不損及本發明之效果之範圍內，視需要適宜添加使用以交聯劑為代表之pH值調整劑、被膜形成助劑、調平劑、增黏劑、撥水劑、消泡劑等公知者。
作為上述交聯劑，例如可使用：金屬螯合化合物、多胺化合物、氮丙啶化合物、金屬鹽化合物、異氰酸酯化合物等可於大致25℃~未達100℃之相對較低之溫度下反應而形成交聯結構之熱交聯劑(x1-1)，或選自由三聚氰胺化合物、環氧化合物、唑啉化合物、碳二亞胺化合物及封端異氰酸酯化合物所組成之群中之一種以上等可於大致100℃以上之相對較高之溫度下反應而形成交聯結構之熱交聯劑(x1-2)，或各種光交聯劑。
若為含有上述熱交聯劑(x1-1)之底塗劑，則例如將其塗佈於支持體表面上，於相對較低之溫度下加以乾燥，繼而塗佈(印刷)上述流動體(c-1)後，加溫至未達100℃之溫度而形成交聯結構，藉此可形成具備不因長期之熱或外力之影響而可防止導電性物質脫落之水準的格外優異之耐久性的導電性圖案。
另一方面，若為含有上述熱交聯劑(x1-2)之底塗劑，則例如將其塗佈於支持體表面上，於常溫(25℃)~大致未達100℃之低溫下加以乾燥，藉此形成未形成交聯結構之底塗層，繼而塗佈上述流動體(c-1)後，以例如150℃以上、較佳為200℃以上之溫度進行加熱而形成交聯結構，藉此可形成具備不因長期之熱或外力等之影響而不引起導電性物質之剝離等之水準的格外優異之耐久性的導電性圖案。
其中，於使用包含對熱相對較弱之聚對苯二甲酸乙二酯等之支持體作為支持體之情形時，就防止上述支持體之變形等之觀點而言，較佳為於大致150℃以下、較佳為120℃以下之溫度下加熱，故而作為上述交聯劑，較佳為使用上述熱交聯劑(x1-1)而非上述熱交聯劑(x1-2)。
作為可用於上述熱交聯劑(x1-1)之金屬螯合化合物，例如可使用：鋁、鐵、銅、鋅、錫、鈦、鎳、銻、鎂、釩、鉻、鋯等多價金屬之乙醯丙酮配位化合物，乙醯乙酸乙酯配位化合物等，較佳為使用作為鋁之乙醯丙酮配位化合物之乙醯丙酮鋁。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-1)之多胺化合物，例如亦可使用三乙二胺、二甲基乙醇胺等三級胺。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-1)之氮丙啶化合物，例如可使用：2,2-雙羥甲基丁醇-三[3-(1-氮丙啶基)丙酸酯]、1,6-六亞甲基二伸乙基脲、二苯基甲烷-雙-4,4'-N,N'-二伸乙基脲等。
又，作為可用作上述交聯劑(x1-1)之金屬鹽化合物，例如可使 用：硫酸鋁、鋁明礬、亞硫酸鋁、硫代硫酸鋁、聚氯化鋁、九水合硝酸鋁、六水合氯化鋁等含鋁化合物，四氯化鈦、鈦酸四異丙酯、乙醯丙酮酸鈦、乳酸鈦等水溶性金屬鹽。
作為可用於上述熱交聯劑(x1-1)之異氰酸酯化合物，例如可使用：甲苯二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、亞甲基雙(4-苯基甲烷)三異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等聚異氰酸酯，或使用該等而獲得之異氰尿酸酯型聚異氰酸酯化合物，或包含該等與三羥甲基丙烷等之加成物，使上述聚異氰酸酯化合物與三羥甲基丙烷等多元醇反應而獲得之含有聚異氰酸酯基之胺基甲酸酯等。其中較佳為使用六亞甲基二異氰酸酯之氰尿酸酯體、六亞甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷等之加成物、甲苯二異氰酸酯與三羥甲基丙烷等之加成物、苯二甲基二異氰酸酯與三羥甲基丙烷等之加成物。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-2)之三聚氰胺化合物，例如可使用：六甲氧基甲基三聚氰胺、六乙氧基甲基三聚氰胺、六丙氧基甲基三聚氰胺、六丁氧基甲基三聚氰胺、六戊氧基甲基三聚氰胺、六己氧基甲基三聚氰胺或組合該等之兩種之混合醚化三聚氰胺等。其中，較佳為使用三甲氧基甲基三聚氰胺、六甲氧基甲基三聚氰胺。作為市售品，可使用Beckamine M-3、APM、J-101(DIC(股)製造)等。上述三聚氰胺化合物可藉由自交聯反應而形成交聯結構。
於使用上述三聚氰胺化合物之情形時，就促進其自交聯反應之方面而言，亦可使用有機胺鹽等觸媒。作為市售品，可使用Catalyst ACX、376等。相對於上述三聚氰胺化合物之總量，上述觸媒較佳為大致0.01質量%~10質量%之範圍。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-2)之環氧化合物，例如可使用：乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、六亞甲基二醇二縮 水甘油醚、環己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、季戊四醇四縮水甘油醚等脂肪族多元醇之聚縮水甘油醚類；聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、聚四亞甲基二醇二縮水甘油醚等聚烷二醇之聚縮水甘油醚類；1,3-雙(N,N'-二縮水甘油基胺基乙基)環己烷等聚縮水甘油胺類；多元羧酸[草酸、己二酸、丁三酸、順丁烯二酸、鄰苯二甲酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、苯三甲酸等]之聚縮水甘油酯類；雙酚A與表氯醇之縮合物、雙酚A與表氯醇之縮合物之環氧乙烷加成物等雙酚A系環氧樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂；於側鏈上具有環氧基之各種乙烯系(共)聚合物等。其中較佳為使用1,3-雙(N,N'-二縮水甘油基胺基乙基)環己烷等聚縮水甘油胺類、甘油二縮水甘油醚等脂肪族多元醇之聚縮水甘油醚類。
又，作為上述環氧化合物，除了上述者以外，例如亦可使用：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基甲基二乙氧基矽烷或γ-縮水甘油氧基丙基三異丙烯氧基矽烷等含有縮水甘油基之矽烷化合物。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-2)之唑啉化合物，例如可使用：2,2'-雙-(2-唑啉)、2,2'-亞甲基-雙-(2-唑啉)、2,2'-伸乙基-雙-(2-唑啉)、2,2'-三亞甲基-雙-(2-唑啉)、2,2'-四亞甲基-雙-(2-唑啉)、2,2'-六亞甲基-雙-(2-唑啉)、2,2'-八亞甲基-雙-(2-唑啉)、2,2'-伸乙基-雙-(4,4'-二甲基-2-唑啉)、2,2'-對伸苯基-雙-(2-唑啉)、2,2'-間伸苯基-雙-(2-唑啉)、2,2'-間伸苯基-雙-(4,4'-二甲基-2-唑啉)、雙-(2-唑啉基環己烷)硫醚、雙-(2-唑啉基降烷)硫醚 等。
又，作為上述唑啉化合物，例如亦可使用將下述加成聚合性唑啉與視需要之其他單體組合並進行聚合而獲得的含有唑啉基之聚合物。
作為上述加成聚合性唑啉，例如可單獨使用如下化合物或組合使用兩種以上：2-乙烯基-2-唑啉、2-乙烯基-4-甲基-2-唑啉、2-乙烯基-5-甲基-2-唑啉、2-異丙烯基-2-唑啉、2-異丙烯基-4-甲基-2-唑啉、2-異丙烯基-5-甲基-2-唑啉、2-異丙烯基-5-乙基-2-唑啉等。其中，使用2-異丙烯基-2-唑啉之情況下，於工業上易於獲取，故而較佳。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-2)之碳二亞胺化合物，例如可使用：聚[伸苯基雙(二甲基亞甲基)碳二亞胺]或聚(甲基-1,3-伸苯基碳二亞胺)等。市售品中可使用：Carbodilite V-01、V-02、V-03、V-04、V-05、V-06(日清紡(股)製造)，UCARLINK XL-29SE、XL-29MP(Union Carbide(股)製造)等。
又，作為可用於上述熱交聯劑(x1-2)之封端異氰酸酯化合物，可使用作為上述熱交聯劑(x1-1)而例示之異氰酸酯化合物所具有之異氰酸酯基之一部分或全部經封端劑封閉者。
作為上述封端劑，例如可使用：苯酚、甲酚、2-羥基吡啶、丁基賽珞蘇、丙二醇單甲醚、苄醇、甲醇、乙醇、正丁醇、異丁醇、丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯丙酮、丁基硫醇、十二烷基硫醇、乙醯苯胺、乙酸醯胺、ε-己內醯胺、δ-戊內醯胺、γ-丁內醯胺、琥珀醯亞胺、順丁烯二醯亞胺、咪唑、2-甲基咪唑、脲、硫脲、乙烯脲、甲醯胺肟、乙醛肟、丙酮肟、甲基乙基酮肟、甲基異丁酮肟、環己酮肟、二苯基苯胺、苯胺、咔唑、伸乙基亞胺、聚伸乙基亞胺等。
作為上述封端異氰酸酯化合物，可使用作為水分散型之市售品之Elastron BN-69(第一工業製藥(股)製造)等。
於使用上述交聯劑之情形時，作為上述底塗劑中所含之樹脂，較佳為使用具有可與上述交聯劑所具有之交聯性官能基反應之基者。具體而言，較佳為使用上述(封端)異氰酸酯化合物或三聚氰胺化合物、唑啉化合物、碳二亞胺化合物作為交聯劑，並且使用具有羥基或羧基之樹脂作為上述樹脂。
上述交聯劑雖然根據種類而不同，但通常較佳為相對於上述底塗劑中所含之樹脂之總質量100質量份而以0.01質量%~60質量%之範圍使用，更佳為以0.1質量%~10質量%之範圍使用，於以0.1質量%~5質量%之範圍使用之情況下，可形成密接性或導電性優異且上述耐久性優異之導電性圖案，故而較佳。
又，上述交聯劑較佳為於將本發明之底塗劑塗佈或含浸於支持體表面前預先添加使用。
又，作為上述添加劑，亦可使用無機粒子等各種填充材。然而，作為本發明之底塗劑，較佳為上述填充材等之使用量儘量少，更佳為相對於本發明之底塗劑之總量而為5質量%以下。
上述添加劑之使用量只要為不損及本發明之效果之範圍則並無特別限定，較佳為相對於底塗劑中之不揮發成分之總量而為0.01質量%~40質量%之範圍。
作為將上述底塗劑塗佈於上述支持體之表面之一部分或全部上的方法，例如可列舉：凹版方式、塗佈方式、網版方式、輥方式、旋轉方式、噴霧方式等方法。
作為藉由上述方法塗佈底塗劑後將該塗佈層中所含之溶劑去除的方法，例如通常有使用乾燥機加以乾燥，使上述溶劑揮發的方法。作為乾燥溫度，只要設定為可使上述溶劑揮發且不對支持體造成不良 影響之範圍之溫度即可。
關於上述底塗劑於支持體上之塗佈量，就賦予優異之密接性與導電性之觀點而言，較佳為以第一底塗層(B-1)之厚度成為上述較佳範圍內之方式調整。
又，作為於上述第一底塗層(B-1)之表面上積層第一導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)的方法，可列舉將流動體(c-1)塗佈於上述第一底塗層(B-1)之表面上並加以乾燥的方法。
作為於上述導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)之形成中可使用之流動體(c-1)，可列舉含有上述導電性物質與視需要之溶劑或添加劑者，即通常可用於導電性油墨或鍍敷成核劑中者。
作為上述導電性物質，可使用過渡金屬或其化合物。其中較佳為使用離子性之過渡金屬，例如較佳為使用銅、銀、金、鎳、鈀、鉑、鈷等過渡金屬，使用銅、銀、金等之情況下，可形成電阻較低、對腐蝕之耐受性較強之導電性圖案，故而更佳，進而佳為使用銀。
又，於將上述流動體(c-1)用於鍍敷成核劑之情形時，作為上述導電性物質，以包含如上述之過渡金屬之金屬粒子為代表，可使用一種以上之表面經上述過渡金屬之氧化物或有機物被覆者。
上述過渡金屬之氧化物通常為惰性(絕緣)之狀態，但例如可藉由使用二甲胺基硼烷等還原劑進行處理而使金屬露出，從而賦予活性(導電性)。
又，作為表面經上述有機物被覆之金屬，可列舉使金屬內包於藉由乳化聚合法等而形成之樹脂粒子(有機物)中者。該等通常為惰性(絕緣)之狀態，但例如可藉由使用雷射等去除上述有機物而使金屬露出，從而賦予活性(導電性)。
作為上述導電性物質，較佳為使用具有大致1nm~100nm左右之平均粒徑之粒子狀者，使用具有1nm~50nm之平均粒徑者之情況 下，與使用具有微米級之平均粒徑之導電性物質之情形相比較，可形成微細之導電性圖案，且可進一步降低焙燒後之電阻值，故而更佳。再者，上述「平均粒徑」係藉由分散良溶劑將上述導電性物質稀釋，藉由動態光散射法測定之體積平均值。該測定中可使用Microtrac公司製造之Nanotrac UPA-150。
上述導電性物質較佳為使用相對於上述流動體(c-1)之總量而以5質量%~90質量%之範圍含有者，更佳為以10質量%~60質量%之範圍使用。
又，就提高塗佈之容易性等之觀點而言，上述流動體(c-1)較佳為含有溶劑者。作為上述溶劑，可使用有機溶劑或水性介質。
作為上述溶劑，例如以蒸餾水或離子交換水、純水、超純水等水性介質為代表，可使用醇、醚、酯及酮等有機溶劑。
作為上述醇，例如可使用：甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、戊醇、己醇、辛醇、壬醇、癸醇、十一醇、十二醇、十三醇、十四醇、十五醇、硬脂醇、烯丙醇、環己醇、萜醇、松油醇、二氫松油醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、四乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、丙二醇單丙醚、二丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單丁醚、三丙二醇單丁醚等。
又，於上述流動體(c-1)中亦可與上述導電性物質或溶劑一併使用例如乙二醇或二乙二醇、1,3-丁二醇、異戊二醇等。
作為上述流動體(c-1)，較佳為使用在大致25℃下以B型黏度計測定之黏度為0.1mPa．s~500,000mPa．s、較佳為0.5mPa．s~10,000mPa．s之液狀或黏稠液狀者。於藉由上述噴墨印刷法等方法塗佈(印刷)上述流動體(c-1)之情形時，較佳為使用其黏度為大致5mPa．s~ 20mPa．s之範圍者。
作為塗佈上述流動體(c-1)之方法，例如可列舉：噴墨印刷法、電場噴墨法、反轉印刷法、網版印刷法、平版印刷法、旋塗法、噴塗法、棒塗法、模具塗佈法、狹縫式塗佈法、輥式塗佈法、浸塗法、分注器(dispenser)法等。
其中，於使用上述流動體(c-1)，形成實現電子電路等之高密度化時所要求之大致0.01μm~100μm左右之細線狀之上述導電層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)之情形時，較佳為藉由噴墨印刷法、反轉印刷法塗佈上述流動體(c-1)。
作為上述噴墨印刷法，可使用通常被稱為噴墨印表機者。具體可列舉：Konica Minolta EB100、XY100(Konica Minolta IJ股份有限公司製造)或Dimatix Material Printer DMP-3000、Dimatix Material Printer DMP-2831(Fuji Film股份有限公司製造)等。
作為藉由上述方法塗佈上述流動體(c-1)後進行的乾燥方法，有使上述流動體(c-1)中所含之金屬等導電性物質間接合，以形成導電性層(C)或構成其之第一鍍敷核層(C-1)為目的，焙燒上述塗佈物的方法。上述焙燒較佳為以大致80℃~300℃之範圍、以大致2分鐘~200分鐘左右進行。上述焙燒可於大氣中進行，就防止上述金屬氧化之觀點而言，亦可使焙燒步驟之一部分或全部於還原環境下進行。
又，上述焙燒步驟例如可使用烘箱、熱風式乾燥爐、紅外線乾燥爐、熱輥、雷射照射、光燒結(光焙燒)、光脈衝照射、微波等進行。
藉由塗佈上述流動體(c-1)並進行焙燒而可形成之第一鍍敷核層(C-1)之表面之一部分或全部可實施氧化處理。具體而言，可對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面實施電暈處理等電漿放電處理。
上述電漿放電處理並無特別限定，例如係藉由電暈放電處理法 等常壓電漿放電處理法、或於真空或減壓下進行之輝光放電處理法及電弧放電處理法等真空電漿放電處理法而進行的處理。
作為上述常壓電漿放電處理法，係於氧濃度為大致0.1質量%~25質量%左右之環境下進行電漿放電處理之方法。本發明中，就賦予優異之密接性而言，較佳為尤其採用在較佳為10質量%~22質量%之範圍、更佳為空氣中(氧濃度為約21質量%)進行上述電漿放電處理的電暈放電處理法。
又，上述常壓電漿放電處理法於含有上述氧之同時亦含有惰性氣體之環境下進行的情況下，不會對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面賦予過剩之凹凸，可賦予更優異之密接性，故而較佳。作為上述惰性氣體，可使用氬或氮等。
藉由上述常壓電漿放電處理法進行處理時，例如可使用積水化學工業股份有限公司製造之常壓電漿處理裝置(AP-T01)等。
藉由上述常壓電漿放電處理法進行處理時，作為空氣等氣體之流量，較佳為以大致5升/分鐘~50升/分鐘之範圍進行。又，作為輸出，較佳為大致50W~500W之範圍。又，藉由電漿之處理時間較佳為大致1秒~500秒之範圍。
作為上述常壓電漿放電處理法，具體而言，較佳為採用上述電暈放電處理法。於採用上述電暈放電處理法之情形時，例如可使用春日電機股份有限公司製造之電暈表面改質評價裝置(TEC-4AX)等。
藉由上述電暈放電處理法進行處理時，作為輸出，較佳為以大致5W~300W之範圍進行。又，電暈放電處理時間較佳為大致0.5秒~600秒之範圍。
又，製造上述積層體時可經過之步驟[2]係對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，積層第一鍍敷層(C-2)，藉此形成包含上述第一鍍敷核層(C-1)與第一鍍敷層(C-2)之導電層(C) 的步驟。
作為上述鍍敷處理法，例如可列舉：濺鍍法或真空蒸鍍法等乾式鍍敷法或無電鍍敷法、電鍍法等濕式鍍敷法，或者將該等鍍敷法組合兩種以上之方法。
以上述鍍敷處理法形成之第一鍍敷層(C-2)對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面具有優異之密接性。其中，對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面藉由電鍍法而形成之第一鍍敷層(C-2)可表現出尤其優異之密接性。
作為上述乾式鍍敷處理步驟，可使用濺鍍法或真空蒸鍍法等。上述濺鍍法係於真空中導入惰性氣體(主要為氬)，對第一鍍敷層(C-2)形成材料施加負離子使之產生輝光放電，繼而將上述惰性氣體原子進行離子化，使氣體離子以高速劇烈撞擊上述鍍敷層(C-2)形成材料之表面，濺射出構成鍍敷層(C-2)形成材料之原子或分子並使其全力附著於上述第一鍍敷核層(C-1)之表面，藉此形成鍍敷層(C-2)的方法。
作為上述鍍敷層(C-2)形成材料，可使用：鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鎳-鉻(Ni-Cr)、SUS(Stainless，不鏽鋼)、銅-鋅(Cu-Zn)、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)、SiO2 、TiO2 、Nb2 O5 、ZnO等。
藉由上述濺鍍法進行鍍敷處理時，例如可使用磁控濺鍍裝置等。
又，上述真空蒸鍍法係於真空中對作為鍍敷層(C-2)形成材料之各種金屬或金屬氧化物進行加熱，使該等熔融、蒸發、昇華，使上述金屬原子或分子附著於上述第一鍍敷核層(C-1)之表面上，藉此形成鍍敷層(C-2)的方法。
作為上述真空蒸鍍法中可使用之鍍敷層(C-2)之形成材料，例如可使用：鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉻 (Cr)、錫(Sn)、銦(In)、SiO2 、ZrO2 、Al2 O3 、TiO2 等。
又，可用作上述鍍敷處理法之無電鍍敷處理法例如係使構成上述第一鍍敷核層(C-1)之鈀或銀等導電性物質接觸無電鍍敷液，藉此使上述無電鍍敷液中所含之銅等金屬析出而形成包含金屬皮膜之無電鍍敷層(被膜)的方法。
作為上述無電鍍敷液，例如可使用含有包含銅、鎳、鉻、鈷、錫等金屬之導電性物質、還原劑及水性介質或有機溶劑等溶劑者。
作為上述還原劑，例如可使用：二甲胺基硼烷、次磷酸、次磷酸鈉、二甲基胺硼烷、肼、甲醛、硼氫化鈉、酚類等。
又，作為上述無電鍍敷液，視需要亦可為含有如下化合物者：乙酸、甲酸等單羧酸；丙二酸、琥珀酸、己二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸等二羧酸；蘋果酸、乳酸、乙醇酸、葡萄糖酸、檸檬酸等羥基羧酸；甘胺酸、丙胺酸、亞胺基二乙酸、精胺酸、天冬胺酸、麩胺酸等胺基酸；亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、二伸乙基三胺五乙酸等胺基多羧酸等有機酸，該等有機酸之可溶性鹽(鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等)，乙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺等胺等錯合劑。
使用上述無電鍍敷液時之上述無電鍍敷液之溫度較佳為大致20℃~98℃之範圍。
又，可用作上述鍍敷處理法之電鍍處理法例如係對構成上述第一鍍敷核層(C-1)之導電性物質、或藉由上述無電解處理而形成之無電鍍敷層(被膜)之表面於與電鍍液接觸之狀態下通電，使上述電鍍液中所含之銅等金屬於設置於負極之構成上述第一鍍敷核層(C-1)之導電性物質或藉由上述無電解處理而形成之無電鍍敷層(被膜)之表面析出，從而形成電鍍被膜(金屬被膜)的方法。
作為上述電鍍液，可使用含有銅、鎳、鉻、鈷、錫等金屬或該 等之硫化物等、硫酸等及水性介質者。具體而言，可使用含有硫酸銅、硫酸及水性介質者。
使用上述電鍍液時之上述電鍍液之溫度較佳為大致20℃~98℃之範圍。
對於上述電鍍處理法而言，由於不使用毒性較高之物質，且作業性較佳，故而較佳為藉由電鍍法形成包含銅之層。
又，製造上述積層體時可經過之步驟[3]係於上述步驟[2]中形成之上述第一鍍敷層(C-2)之表面之一部分或全部上積層絕緣層(D)的步驟。
作為積層上述絕緣層(D)之方法，可列舉：使用接著劑等在上述第一鍍敷層(C-2)之表面之一部分或全部上接著預先成形之絕緣膜或絕緣片材的方法。
又，作為積層上述絕緣層(D)之方法，可列舉：塗佈可形成絕緣層(D)之樹脂組合物(d)並加以乾燥等的方法。
作為預先成形之絕緣膜或絕緣片材，例如可使用：包含TFA-5602525(KYOCERA Chemical股份有限公司製造，聚醯亞胺膜，絕緣層之厚度為12μm，接著層之厚度為20μm)、NICAFLEX CISA2535(NIKKAN INDUSTRIES股份有限公司製造，聚醯亞胺膜，絕緣層之厚度為25μm，接著劑之厚度為35μm)、ABF-GX3(Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造，環氧系膜)、CT-F(可樂麗股份有限公司製造，液晶聚合物膜，絕緣層之厚度為25μm)、BIAC-FILM(Primatec股份有限公司製造，液晶聚合物膜，絕緣層之厚度為25μm)等之膜或片材。
又，作為可用於上述絕緣層(D)之形成之上述樹脂組合物(d)，例如可使用含有聚醯亞胺清漆等之樹脂組合物。
作為將上述樹脂組合物(d)至少塗佈於上述第一導電層(C)之表面 之一部分或全部上的方法，例如可列舉：凹版方式、塗佈方式、網版方式、輥塗方式、旋轉方式、噴霧方式等方法。
作為以上述方法塗佈樹脂組合物(d)後將該塗佈層中所含之溶劑去除的方法，例如通常有使用乾燥機加以乾燥而使上述溶劑揮發的方法。作為乾燥溫度，只要設定為可使上述溶劑揮發且不對支持體造成不良影響之範圍之溫度即可。
又，於上述步驟[2]中所得者為於第一底塗層(B-1)之表面之一部分上具有第一導電層(C)者之情形時，上述樹脂組合物(d)亦可不僅塗佈於上述第一導電層(C)上亦塗佈於上述底塗層(B-1)之表面上而形成絕緣層(D)。
關於上述樹脂組合物(d)之塗佈量，就兼顧上述第一導電層(C)與第二導電層(E)之絕緣性及上述積層體之薄型化之方面而言，較佳為以絕緣層(D)之厚度成為上述較佳範圍內之方式進行調整。
又，製造上述積層體時可經過之步驟[4]係於上述步驟[2]中形成之上述絕緣層(D)之一部分或全部上塗佈形成第二底塗層(B-2)之底塗劑，於其塗佈面之一部分或全部上塗佈含有導電性物質之流動體(e-1)，藉此積層上述絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二鍍敷核層(E-1)的步驟。
作為於上述絕緣層(D)之一部分或全部上形成第二底塗層(B-2)時可使用之底塗劑，可使用與作為形成上述第一底塗層(B-1)時可使用之底塗劑而例示者相同者。上述第一底塗層(B-1)與上述第二底塗層(B-2)可為相同組成，亦可為不同組成。
形成第二底塗層(B-2)時所使用之底塗劑之塗佈方法及底塗層(B-2)之厚度等亦又較佳為調整為與作為形成上述第一底塗層(B-1)時所使用之底塗劑之塗佈方法及厚度而例示之方法及範圍相同之方法及範圍。
作為於以上述方法形成之第二底塗層(B-2)上積層構成第二導電層(E)之第二鍍敷核層(E-1)的方法，可列舉將含有導電性物質之流動體(e-1)塗佈於上述底塗層(B-2)之一部分或全部上並加以乾燥的方法。
作為上述流動體(e-1)，可使用與作為於上述第一導電層(C)之形成中可使用者而例示之流動體(c-1)相同者。又，塗佈及乾燥上述流動體(e-1)之方法亦又可採用與塗佈及乾燥上述流動體(c-1)之方法相同之方法。
於本發明中，作為上述流動體(c-1)及流動體(e-1)，可使用相同組成者，亦可使用不同組成者。藉由使用相同組成者作為上述流動體(c-1)及流動體(e-1)，可使用適於上述流動體之經調整之塗佈裝置，可提高本發明之積層體之生產效率，故而較佳為使用相同組成者。
又，製造上述積層體時可經過之步驟[5]係對上述第二鍍敷核層(E-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，藉此形成於上述第二鍍敷核層(E-1)之表面上積層有上述第二鍍敷層(E-2)之第二導電層(E)的步驟。
作為積層上述第二鍍敷層(E-2)之鍍敷處理法，可採用與作為用以積層上述第一鍍敷層(C-2)之方法而例示之鍍敷處理法相同之方法。
上述方法中所得之積層體可用作導電性圖案。具體而言，可較佳用於使用銀墨等之電子電路之形成，有機太陽電池或電子書終端、有機EL、有機電晶體、軟性印刷基板、構成RFID等之各層或周邊配線之形成，製造電漿顯示器之電磁波屏蔽罩之配線等時之導電性圖案、更具體而言電路基板之形成。此時，構成上述積層體之第一導電層(C)與第二導電層(E)可藉由其他配線等而連接，亦可分別獨立地形成電路。又，亦可藉由對上述積層體之一部分實施切削等加工，塗佈 上述流動體等，而連接第一導電層(C)與第二導電層(E)。
於將上述積層體用於導電性圖案之情形時，於與所欲形成之所期望之圖案形狀相對應之位置上，塗佈可形成上述第一導電層(C)及上述第二導電層(E)之流動體並加以焙燒等，藉此可製造具備所期望之圖案之導電性圖案。
上述方法中所得之導電性圖案等積層體不引起各層間之剝離等，可維持良好之通電性且為薄型，因此例如可較佳地用於有機太陽電池、電子書終端、有機EL、有機電晶體、軟性印刷基板、構成非接觸IC卡等RFID等之電子電路之形成，電漿顯示器之電磁波屏蔽罩之配線等中之尤其要求耐久性之用途。尤其，實施了上述鍍敷處理之導電性圖案由於可形成長時間不引起斷線等、可維持良好之通電性之可靠性較高之配線圖案，因此例如可用於通常被稱為銅箔積層板(CCL，Copper Clad Laminate)之軟性印刷基板(FPC，Flexible Printed Circuit)、捲帶式自動接合(TAB，Tape Automated Bonding)、覆晶膜(COF，Chip On Film)及印刷配線板(PWB，Printed Wiring Board)等用途。
[實施例]
以下，藉由實施例詳細說明本發明。
[合成例1]胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體之製備
於具備溫度計、氮氣導入管、攪拌器之經氮氣置換之容器中，將聚酯多元醇100質量份(使1,4-環己烷二甲醇與新戊二醇與己二酸反應而獲得之聚酯多元醇，羥基當量1000g/當量)、2,2-二羥甲基丙酸17.4質量份、1,4-環己烷二甲醇21.7質量份與二環己基甲烷二異氰酸酯106.2質量份於甲基乙基酮178質量份中混合並進行反應，藉此獲得於末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物之有機溶劑溶液。
繼而，於上述胺基甲酸酯預聚物之有機溶劑溶液中添加三乙胺 13.3質量份，由此將上述胺基甲酸酯樹脂所具有之羧基之一部分或全部中和，進而添加水277質量份並充分攪拌，藉此獲得具有經中和而形成之羧酸酯基之胺基甲酸酯樹脂之水分散體。
繼而，於上述水分散液中添加25質量%之乙二胺水溶液8質量份，加以攪拌後，使粒子狀之聚胺基甲酸酯樹脂鏈伸長，繼而使之熟化、脫溶劑，藉此獲得固形物成分濃度為30質量%之胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體。此處獲得之胺基甲酸酯樹脂之酸值為30，重量平均分子量為55,000。
[合成例2]乙烯系聚合物(Y-2)之水分散體之製備
於具備攪拌機、回流冷凝管、氮氣導入管、溫度計、滴液漏斗之反應容器中裝入去離子水115質量份、Latemul E-118B(花王股份有限公司製造，有效成分25質量%)4質量份，一邊吹入氮氣一邊升溫至75℃。
於攪拌下，於反應容器中添加將含有甲基丙烯酸甲酯46質量份、丙烯酸正丁酯45質量份、甲基丙烯酸2質量份、甲基丙烯酸2-羥基乙酯5質量份及N-羥甲基丙烯醯胺2質量份之乙烯系單體混合物，AQUALON KH-1025(第一工業製藥股份有限公司製造，有效成分25質量%)4質量份以及去離子水15質量份混合而獲得的單體預乳化液之一部分(5質量份)，繼而添加過硫酸鉀0.1質量份，一邊將反應容器內溫度保持於75℃一邊進行60分鐘聚合。
繼而，一邊將反應容器內之溫度保持於75℃，一邊分別使用不同之滴液漏斗以180分鐘滴加剩餘之單體預乳化液(114質量份)及過硫酸鉀之水溶液(有效成分1.0質量%)30質量份。滴加結束後，於相同溫度下攪拌60分鐘。
將上述反應容器內之溫度冷卻至40℃，以反應容器中之水分散體之pH值成為8.5之方式使用氨水(有效成分10質量%)。
繼而，以不揮發成分成為20質量%之方式使用去離子水後，相對於上述水分散體之不揮發成分添加3質量%之作為交聯劑之三甲氧基羥甲基三聚氰胺水溶液(DIC股份有限公司製造，Beckamine M-3)，以200網眼之濾布進行過濾，藉此獲得具有羧基及N-羥甲基丙烯醯胺基之乙烯系聚合物(Y-2)之水分散體。
[合成例3]胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-3)之水分散體之製備
於具備攪拌機、回流冷凝管、氮氣導入管、溫度計、單體混合物滴加用滴液漏斗、聚合觸媒滴加用滴液漏斗之反應容器中，裝入去離子水280質量份、合成例1中獲得之胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體333質量份，一邊吹入氮氣一邊升溫至80℃。
於升溫至80℃之反應容器內，於攪拌下，為了獲得構成核層之乙烯系聚合物，一邊將反應容器內溫度保持於80±2℃，一邊以120分鐘自不同之滴液漏斗滴加含有甲基丙烯酸甲酯48質量份、丙烯酸正丁酯44質量份及甲基丙烯酸2-羥基乙酯8質量份之單體混合物，及過硫酸銨水溶液(濃度：0.5質量%)20質量份，並進行聚合。
滴加結束後，於相同溫度下攪拌60分鐘後，將上述反應容器內之溫度冷卻至40℃，繼而以不揮發成分成為20質量%之方式使用去離子水後，以200網眼之濾布進行過濾，藉此獲得胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-3)之水分散體，上述胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-3)包含包含上述胺基甲酸酯樹脂之殼層及包含具有羧基之乙烯系聚合物之核層。
[合成例4]胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-4)之水分散體之製備
於具備攪拌機、回流冷凝管、氮氣導入管、溫度計、單體混合物滴加用滴液漏斗、聚合觸媒滴加用滴液漏斗之反應容器中，裝入去離子水280質量份、合成例1中獲得之胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體333質量份，一邊吹入氮氣一邊升溫至80℃。
於升溫至80℃之反應容器內，於攪拌下，為了獲得構成核層之乙烯系聚合物，一邊將反應容器內溫度保持於80±2℃，一邊以120分鐘自不同之滴液漏斗滴加含有甲基丙烯酸甲酯46質量份、丙烯酸正丁酯38質量份、甲基丙烯酸2-羥基乙酯8質量份及N-正丁氧基甲基丙烯醯胺8質量份之單體混合物，及過硫酸銨水溶液(濃度：0.5質量%)20質量份，並進行聚合。
滴加結束後，於相同溫度下攪拌60分鐘後，將上述反應容器內之溫度冷卻至40℃，繼而以不揮發成分成為20質量%之方式使用去離子水後，以200網眼之濾布進行過濾，藉此獲得胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-4)之水分散體，上述胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-4)包含包含上述胺基甲酸酯樹脂之殼層及包含具有N-正丁氧基甲基之乙烯系聚合物之核層。
[合成例5]聚醯亞胺清漆(Y-5)之製備
使2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷410g(1莫耳)與1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐192g(0.98莫耳)於N-甲基吡咯啶酮3400g中於室溫下反應8小時，藉此獲得聚醯亞胺清漆(Y-5)。
[實施例1]
使用合成例1中獲得之胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體作為底塗劑，使用旋轉塗佈機以底塗層之膜厚成為1μm之方式，將其分別塗佈於包含經電暈處理之聚醯亞胺膜(DU PONT-TORAY股份有限公司製造Kapton150EN-C，厚度37.5μm)之支持體之表面上，使用熱風乾燥機於80℃下乾燥3分鐘，藉此於上述支持體上具備未形成交聯結構之底塗層的積層體。
於上述交聯前之底塗層之表面上，使用噴墨印刷機(Konica Minolta IJ股份有限公司製造之噴墨試驗機EB100，評價用列印頭KM512L，噴出量42pl)將後述流動體1以圖1之符號2所示之反字形 印刷成線寬100μm、膜厚0.5μm之線，於其端部設置可連接BSP探針之2mm見方之引板，繼而於150℃之條件下焙燒30分鐘，藉此於包含支持體之層之表面上積層形成交聯結構之底塗層及構成第一導電層之第一鍍敷核層。
其次，將上述第一鍍敷核層之表面設定為陰極，將含磷銅設定為陽極，使用含有硫酸銅之電鍍液以電流密度2A/dm2 進行15分鐘之電鍍，藉此於上述第一鍍敷核層之表面上積層厚8μm之第一鍍銅層，形成第一導電層而獲得積層體(I)。作為上述電鍍液，使用硫酸銅70g/升、硫酸200g/升、氯離子50mg/升、TOP LUCINA SF(奧野製藥工業股份有限公司製造之拋光劑)5g/升。
其次，將可形成上述絕緣層之NICAFLEX CISA2535(NIKKAN INDUSTRIES股份有限公司製造，絕緣層之厚度為25μm，接著劑之厚度為35μm)載置於上述積層體(I)之含有第一鍍敷層之表面上，於加壓溫度不超過160℃之範圍內，以2MPa~4MPa之範圍進行加壓，藉此於上述積層體(I)之表面上積層絕緣層。
其次，使用合成例4中獲得之胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-4)之水分散體作為可形成第二底塗層之樹脂組合物，使用旋轉塗佈機將其塗佈於構成上述積層體之絕緣層之表面上，使用熱風乾燥機於80℃下乾燥3分鐘，藉此獲得於上述絕緣層之表面上積層有第二底塗層的積層體(II)。
其次，於上述積層體(II)之第二底塗層之表面上，使用噴墨印刷機(Konica Minolta IJ股份有限公司製造之噴墨試驗機EB100，評價用列印頭KM512L，噴出量42pl)將後述之流動體1以圖2之符號2所示之字形印刷成線寬100μm、膜厚0.5μm之線，於其端部設置可連接BSP探針之2mm見方之引板，繼而於150℃之條件下焙燒30分鐘，藉此獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底 塗層及第二鍍敷核層積層而成的積層體(III)。
其次，將構成上述積層體(III)之上述第二鍍敷核層之表面設定為陰極，將含磷銅設定為陽極，使用含有硫酸銅之電鍍液以電流密度2A/dm2 進行15分鐘之電鍍，藉此形成於上述第二鍍敷核層之表面上積層有厚8μm之第二鍍銅層之第二導電層。作為上述電鍍液，使用硫酸銅70g/升、硫酸200g/升、氯離子50mg/升、TOP LUCINA SF(奧野製藥工業股份有限公司製造之拋光劑)5g/升。
藉由上述方法，獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底塗層及第二導電層積層而成的積層體(IV)。將上述積層體(IV)之單點鏈線23之剖面圖示於圖3。
[實施例2]
除了使用合成例3中獲得之胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-3)之水分散體代替合成例1中獲得之胺基甲酸酯樹脂(Y-1)之水分散體作為底塗劑以外，以與實施例1相同之方法，獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底塗層及第二導電層積層而成的積層體。
[流動體1之製備]
於氮氣環境下，將含有對甲苯磺醯氯9.6g之氯仿(30ml)溶液一邊冰冷攪拌一邊以30分鐘滴加至含有甲氧基聚乙二醇(數量平均分子量2,000)20g、吡啶8.0g及氯仿20ml之混合物中後，於浴槽溫度40℃下攪拌4小時，混合氯仿50ml。
繼而，將上述產物以5質量%鹽酸水溶液100ml清洗，繼而以飽和碳酸氫鈉水溶液100ml清洗，繼而以飽和食鹽水溶液100ml清洗後，使用無水硫酸鎂加以乾燥，進行過濾、減壓濃縮，以己烷清洗數次後，加以過濾，於80℃下進行減壓乾燥，藉此獲得具有對甲苯磺醯氧基之甲氧基聚乙二醇。
將上述具有對甲苯磺醯氧基之甲氧基聚乙二醇5.39g、聚伸乙基亞胺(Aldrich公司製造，分子量25,000)20g、碳酸鉀0.07g及N,N-二甲基乙醯胺100ml，於氮氣環境下於100℃下攪拌6小時。
繼而，添加乙酸乙酯與己烷之混合溶液(乙酸乙酯/己烷之體積比=1/2)300ml，於室溫下強力攪拌後，將產物之固形物過濾。使用乙酸乙酯與己烷之混合溶液(乙酸乙酯/己烷之體積比=1/2)100ml清洗該固形物後，加以減壓乾燥，藉此獲得聚乙二醇鍵結於聚伸乙基亞胺之化合物。
將含有上述聚乙二醇鍵結於聚伸乙基亞胺之化合物0.592g之水溶液138.8g與氧化銀10g混合，於25℃下攪拌30分鐘。
繼而，一邊攪拌一邊緩慢添加二甲基乙醇胺46g，於25℃下攪拌30分鐘。
繼而，一邊攪拌一邊緩慢添加10質量%抗壞血酸水溶液15.2g，持續攪拌20小時，藉此獲得銀之分散體。
於上述銀之分散體中添加異丙醇200ml與己烷200ml之混合溶劑，攪拌2分鐘後，以3000rpm進行5分鐘離心濃縮。去除上清液後，於沈澱物中添加異丙醇50ml與己烷50ml之混合溶劑，攪拌2分鐘後，以3000rpm進行5分鐘離心濃縮。去除上清液後，於沈澱物中進而添加水20g，攪拌2分鐘，於減壓下去除有機溶劑。進而添加水10g進行攪拌分散後，將該分散體放置於-40℃之冷凍機中1晝夜使其冷凍，藉由冷凍乾燥機(東京理化器械股份有限公司製造，FDU-2200)將其處理24小時，藉此獲得包含具有灰綠色金屬光澤之片狀塊之含銀粉體。
將上述中獲得之含銀粉體25.9g與乙二醇45g及離子交換水55g混合，攪拌3小時，藉此製備噴墨印刷用之導電性油墨可使用之流動體1(銀之含有比例為20質量%，聚伸乙基亞胺之質量比例為1質量%， 黏度為10mPa．s)。
[實施例3]
除了使用KYOCERA Chemical股份有限公司製造之膜「TFA-5602525」(絕緣層之厚度為12μm，接著層之厚度為20μm)代替可形成絕緣層之NICAFLEX CISA2535(NIKKAN INDUSTRIES股份有限公司製造，絕緣層之厚度為25μm，接著劑之厚度為35μm)以外，以與實施例1相同之方法，獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底塗層及第二導電層積層而成的積層體。
[實施例4]
除了使用合成例5中獲得之聚醯亞胺清漆(Y-5)代替NICAFLEX CISA2535(NIKKAN INDUSTRIES股份有限公司製造，絕緣層之厚度為25μm，接著劑之厚度為35μm)作為形成絕緣層之樹脂組合物以外，以與實施例1相同之方法，獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底塗層及第二導電層積層而成的積層體。
[實施例5]
除了使用合成例2中獲得之乙烯系聚合物(Y-2)之水分散體代替胺基甲酸酯-丙烯酸系複合樹脂(Y-3)之水分散體作為可形成第一底塗層之底塗劑以外，以與實施例3相同之方法，獲得包含支持體之層、第一底塗層、第一導電層、絕緣層、第二底塗層及第二導電層積層而成的積層體。
[比較例1]
除了不設置第一底塗層以外，以與實施例1相同之方法嘗試製造積層體。
然而，鍍敷步驟中第一導電層自支持體剝離，引起導通之下降或斷線，故而未形成絕緣層、第二底塗層及第二導電層。
[比較例2]
除了不設置第二底塗層以外，以與實施例1相同之方法嘗試製造積層體。
然而，第二導電層自絕緣層剝離，引起第二導電層之導通之下降或斷線。
[密接性之評價方法]
於構成上述積層體之第二導電層之表面上以手指壓接塞洛凡(cellophane)膠帶(米其邦(股)製造，CT405AP-24，24mm)後，將上述塞洛凡膠帶相對於上述積層體之表面而朝90度方向剝離。目測觀察剝離之塞洛凡膠帶之黏著面，根據其有無附著物而評價上述密接性。
將上述剝離之塞洛凡膠帶之黏著面上完全未附著構成導電層或絕緣層或底塗層之成分者評價為「A」，將相對於上述第二導電層與膠帶接觸之面積而有未達3%之範圍之第二導電層剝離、附著於膠帶之黏著面上者評價為「B」，將相對於上述第二導電層與膠帶接觸之面積而有3%以上且未達30%之範圍之第二導電層剝離、附著於膠帶之黏著面上者評價為「C」，將相對於上述第二導電層與膠帶接觸之面積而有30%以上之範圍之第二導電層剝離、附著於膠帶上者評價為「D」。
[耐濕熱試驗後之密接性之評價方法]
將實施例及比較例中獲得之積層體於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置1000小時。
除了使用上述放置後之積層體以外，以與上述[密接性之評價方法]記載之方法相同之方法，評價其密接性。
[導通性之評價方法(第一導電層)]
使用Loresta GP MCP T610型(Mitsubishi Chemical Analytech公司製造之電阻率計)，使BSP探針與連接於構成上述積層體之第一導電層之2個引板接觸，確認是否有導通。將有導通者評價為「A」，將無導 通者或未導通無法形成鍍敷層者評價為「D」。
[耐濕熱試驗後之導通性之評價方法(第一導電層)]
將實施例及比較例中獲得之積層體於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置1000小時。
除了使用上述放置後之積層體以外，以與上述[導通性之評價方法(第一導電層)]中記載之方法相同之方法，評價其絕緣性。
[導通性之評價方法(第二導電層)]
使用Loresta GP MCP T610型(Mitsubishi Chemical Analytech公司製造之電阻率計)，使BSP探針與連接於構成上述積層體之第二導電層之2個引板接觸，確認是否有導通。將有導通者評價為「A」，將無導通者或未導通無法形成鍍敷層者評價為「D」。
[耐濕熱試驗後之導通性之評價方法(第二導電層)]
將實施例及比較例中獲得之積層體於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置1000小時。
除了使用上述放置後之積層體以外，以與上述[導通性之評價方法(第二導電層)]中記載之方法相同之方法，評價其絕緣性。
[絕緣層之絕緣性之評價方法]
使用Loresta GP MCP T610型(Mitsubishi Chemical Analytech公司製造之電阻率計)，使BSP探針之其中一個與連接於第一導電層之1個引板接觸，使另一BSP探針與連接於第二導電層連接之1個引板接觸，確認有無導通。將無導通、可維持第一導電層與第二導電層之絕緣性者評價為「A」，將有導通者評價為「D」。
[耐濕熱試驗後之絕緣性之評價方法]
將實施例及比較例中獲得之積層體於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置1000小時。
除了使用上述放置後之積層體以外，以與上述[絕緣層之絕緣性 之評價方法]中記載之方法相同之方法，評價其絕緣性。
表1及表2中之「Kapton150EN-C」係表示DU PONT-TORAY股份有限公司製造之聚醯亞胺膜(厚度為37.5μm)。「TFA-5602525」係表示KYOCERA Chemical股份有限公司製造之膜(絕緣層之厚度為12μm，接著層之厚度為20μm)。「NICAFLEX CISA 2535」係表示NIKKAN INDUSTRIES股份有限公司製造之膜(絕緣層之厚度為25μm，接著劑層之厚度為35μm)。
6‧‧‧包含支持體之層(A)
7‧‧‧第一底塗層(B-1)
8‧‧‧第一導電層(C)
9‧‧‧絕緣層
10‧‧‧第二底塗層(B-2)
11‧‧‧第二導電層(E)
22‧‧‧積層體(IV)之單點虛線23之剖面圖

Claims (10)

  1. 一種積層體，其特徵在於具有至少積層有包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)、第一導電層(C)、絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二導電層(E)之結構；上述第一導電層(C)係包含第一鍍敷核層(C-1)及設置於上述第一鍍敷核層(C-1)表面上之第一鍍敷層(C-2)的層，上述第一鍍敷核層(C-1)係於上述第一底塗層(B-1)之表面之一部分或全部上塗佈包含過渡金屬或其化合物之導電性物質之流動體(c-1)而形成；上述第二導電層(E)係包含第二鍍敷核層(E-1)及設置於上述第二鍍敷核層(E-1)表面上之第二鍍敷層(E-2)的層，上述第二鍍敷核層(E-1)係於上述第二底塗層(B-2)之表面之一部分或全部上塗佈包含過渡金屬或其化合物之導電性物質之流動體(e-1)而形成。
  2. 如請求項1之積層體，其中上述第一底塗層(B-1)及第二底塗層(B-2)含有選自由胺基甲酸酯樹脂(b1)、乙烯系樹脂(b2)及胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)所組成之群中之一種以上之樹脂。
  3. 如請求項2之積層體，其中上述胺基甲酸酯-乙烯系複合樹脂(b3)係包含作為胺基甲酸酯樹脂(b3-1)之殼層與作為上述乙烯系樹脂(b3-2)之核層之複合樹脂。
  4. 如請求項3之積層體，其中上述胺基甲酸酯樹脂(b3-1)具有2,000mmol/kg~5,500mmol/kg之脂肪族環式結構。
  5. 如請求項1之積層體，其中上述絕緣層(D)係使用聚醯亞胺清漆而形成之層。
  6. 如請求項1之積層體，其中形成上述第一底塗層(B-1)及第二底塗層(B-2)之樹脂具有交聯性官能基。
  7. 如請求項6之積層體，其中上述交聯性官能基係選自由羥甲基醯 胺基及烷氧基甲基醯胺基所組成之群中之一種以上之熱交聯性官能基。
  8. 如請求項1之積層體，其中上述流動體(c-1)及流動體(e-1)包含之導電性物質為銀，上述第一鍍敷層(C-2)及上述第二鍍敷層(E-2)為鍍銅層。
  9. 一種導電性圖案，其包含如請求項1至8中任一項之積層體。
  10. 一種積層體之製造方法，其特徵在於經過如下步驟：於支持體之表面之一部分或全部上塗佈形成第一底塗層(B-1)之底塗劑，於該塗佈面之一部分或全部上塗佈含有過渡金屬或其化合物之導電性物質之流動體(c-1)，藉此積層包含支持體之層(A)、第一底塗層(B-1)及第一鍍敷核層(C-1)的步驟[1]；藉由對上述第一鍍敷核層(C-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，而形成於上述第一鍍敷核層(C-1)之表面上積層有第一鍍敷層(C-2)之第一導電層(C)的步驟[2]；至少於上述第一鍍敷層(C-2)之表面之一部分或全部上積層絕緣層膜或絕緣片材的步驟，或藉由塗佈樹脂組合物(d)並加以乾燥而積層絕緣層(D)的步驟[3]；於上述絕緣層(D)之一部分或全部上塗佈形成第二底塗層(B-2)之底塗劑，於該塗佈面之一部分或全部上塗佈含有過渡金屬或其化合物之導電性物質之流動體(e-1)，藉此積層上述絕緣層(D)、第二底塗層(B-2)及第二鍍敷核層(E-1)的步驟[4]；及藉由對上述第二鍍敷核層(E-1)之表面之一部分或全部進行鍍敷處理，而形成於上述第二鍍敷核層(E-1)之表面上積層有第二鍍敷層(E-2)之第二導電層(E)的步驟[5]。
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