TWI499015B - 降溫裝置及其操作方法 - Google Patents

Description

降溫裝置及其操作方法

本發明是有關於一種降溫裝置及其操作方法，且特別是有關於一種大尺寸玻璃基板的降溫裝置及其操作方法。

玻璃基板在薄膜太陽能或是薄膜電晶體的製造過程中會在真空的製程腔中被加熱至約攝氏200度左右的溫度，結束在製程腔中的程序後，玻璃基板會被轉移至裝卸腔進行降溫與破真空的程序。對於小尺寸的玻璃基板而言，一般是透過直接將氣體導入裝卸腔，以對玻璃基板進行降溫並且由真空狀態恢復至一大氣壓狀態。但由於目前的玻璃基板已發展到五代以上的尺寸，其長度與寬度分別大於1公尺，對於這樣大尺寸的玻璃基板，若直接將氣體灌入裝卸腔可能會使玻璃基板各處的溫度不均而造成破片。

為了避免大尺寸的玻璃基板在降溫過程中發生破片的狀況，目前是透過熱傳導的方式，將大尺寸的玻璃基板直接接觸比熱較低的物件來進行降溫。待大尺寸的玻璃基板溫度降低之後，再將氣體導入以破真空。但此方式需要花費相當長的時間來等待玻璃基板降溫。

本發明提供一種降溫裝置，可使玻璃基板均勻降溫以 避免破片。

本發明提供一種降溫裝置的操作方法，可有效的節省玻璃基板在裝卸腔中降溫且破真空的工作時間，並可避免破片的狀況。

本發明提出一種降溫裝置，設置於一裝卸腔中且用以對放置於裝卸腔中的至少一玻璃基板降溫。降溫裝置包括至少一氣流引導組，設置於至少一玻璃基板的一側。各氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，這些氣流出口朝向各玻璃基板。氣流入口至各氣流出口的氣流路徑的長度實質上相同。

在本發明之一實施例中，上述之各氣流引導組包括一氣流導入管及多個氣流導出管。氣流導入管包括氣流入口，一氣流自氣流入口導入。這些氣流導出管分別連通於氣流導入管，這些氣流導出管包括這些氣流出口。

在本發明之一實施例中，更包括一架板，氣流導入管及這些氣流導出管固定於架板的一側面。

在本發明之一實施例中，上述之這些氣流出口相對於架板之側面的中心點成對設置。

在本發明之一實施例中，上述之至少一氣流引導組為兩氣流引導組，分別設置在架板的側面及相對於側面的另一側面。

在本發明之一實施例中，上述之至少一玻璃基板為兩玻璃基板，架板設置於該兩玻璃基板之間，且兩氣流引導組的這些氣流出口分別朝向兩玻璃基板。

在本發明之一實施例中，更包括多個板件，設置於這些氣流出口之一側，以改變氣流自氣流出口流出的方向。

在本發明之一實施例中，上述之各氣流引導組包括一擴散器，包括氣流入口及這些氣流出口，且這些氣流出口均勻地分布於各玻璃基板的一側。

在本發明之一實施例中，上述之各玻璃基板的長度及寬度分別大於1公尺。

本發明提出一種降溫裝置的操作方法，用以對放置於一裝卸腔中的至少一玻璃基板降溫。降溫裝置的操作方法包括：配置一降溫裝置至裝卸腔中且位於玻璃基板之一側，其中降溫裝置包括至少一氣流引導組，各氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，且這些氣流出口朝向至少一玻璃基板。各氣流引導組間歇地朝各玻璃基板噴出一氣流，以使各玻璃基板降溫至一第一溫度。各氣流引導組朝各玻璃基板連續噴氣，以使裝卸腔恢復至一大氣壓。

在本發明之一實施例中，在各氣流引導組間歇性地朝玻璃基板噴出氣流的步驟中，各氣流引導組每次噴出等量的氣體。

在本發明之一實施例中，在各氣流引導組間歇性地朝玻璃基板噴出氣流的步驟中，各氣流引導組逐漸增加每次的噴氣時間。

在本發明之一實施例中，在各氣流引導組朝各玻璃基板連續噴氣的步驟中，各玻璃基板的溫度自第一溫度降至70℃以下。

在本發明之一實施例中，上述之各氣流引導組包括一氣流導入管及多個氣流導出管。氣流導入管包括氣流入口，一氣流自氣流入口導入。這些氣流導出管分別連通於氣流導入管，這些氣流導出管包括這些氣流出口。

在本發明之一實施例中，更包括一架板，氣流導入管及這些氣流導出管固定於架板的一側面，這些氣流出口相對於架板之側面的中心點成對設置。

在本發明之一實施例中，更包括多個板件，設置於這些氣流出口之一側，以改變氣流自氣流出口流出的方向。

在本發明之一實施例中，上述之各玻璃基板的長度及寬度分別大於1公尺。

基於上述，本發明之降溫裝置透過將氣流引導組設置在玻璃基板的一側，由於氣流引導組的氣流入口至各氣流出口的氣流路徑的長度實質上相同，氣體可同時自氣流出口噴出。並且，氣流出口相對於架板之側面的中心點成對設置，以均勻地分布在玻璃基板的側面，可提供玻璃基板均勻降溫。此外，本發明之降溫裝置透過板件的設置，可使氣流不直接噴向玻璃基板的局部區域，而是沿著板件分散至玻璃基板各處以達到均勻降溫的功效。本發明更提出降溫裝置的操作方法，透過氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴氣，以避免持續噴氣使玻璃基板溫度下降過快而導致破片。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明之一實施例之一種降溫裝置的示意圖。圖1B是圖1A之降溫裝置配置於玻璃基板一側的剖面示意圖。請參閱圖1A及圖1B，本實施例之降溫裝置100可設置於一裝卸腔(未繪示)中以對放置於裝卸腔中的一玻璃基板10降溫，舉例而言，降溫裝置100可用以降低玻璃基板在薄膜太陽能或是薄膜電晶體的製造過程的高溫。在本實施例中，玻璃基板10的尺寸為五代以上，也就是玻璃基板10的長度及寬度分別大於1公尺。

本實施例之降溫裝置100包括一氣流引導組110，設置於玻璃基板10的一側。在本實施例中，氣流引導組110包括一氣流導入管112及多個氣流導出管114。氣流導入管112包括一氣流入口116，這些氣流導出管114分別連通於氣流導入管112，這些氣流導出管114包括多個氣流出口118，這些氣流出口118朝向玻璃基板10。本實施例之氣流引導組110包括16個氣流出口118，當然，氣流出口118的數量並不以此為限制。在本實施例中，氣流導入管112可連接至一氣流供應器(未繪示)，氣流供應器可提供乾燥空氣(clean dry air,CDA)或乾燥氮氣(General Nitrogen,GN2)流入氣流導入管112，當然，氣流供應器所供應的氣體種類不以此為限制。

如圖1A所示，氣流導入管112之氣流入口116至各氣流導出管114的氣流出口118的氣流路徑的長度相同。因此，自氣流入口116導入的氣流被同時輸送至這些氣流 出口而噴向玻璃基板10，可避免因噴氣的時間差而導致玻璃基板10各處降溫狀況不一致，而使玻璃基板10破片的情形。

此外，本實施例之降溫裝置100更包括一架板120，氣流導入管112及這些氣流導出管114固定於架板120的一側面122。在本實施例中，氣流導入管112及這些氣流導出管114分別以鎖固的方式固定於架板120的側面122，但在其他實施例中，亦可以嵌合的方式固定。這些氣流出口118相對於架板120之側面122的中心點成對地設置。在本實施例中，由於架板120的尺寸接近於玻璃基板10的尺寸，當降溫裝置100擺放於玻璃基板10的一側時，這些氣流出口118在架板120上的相對位置接近於在玻璃基板10側面的相對位置。如此，氣流出口118便可均勻地分布在玻璃基板10的側面。當然，架板120的尺寸並不以此為限制。

圖1C是圖1A之降溫裝置的局部示意圖。請參閱圖1C，本實施例之降溫裝置100更包括多個板件130，設置於這些氣流出口118之一側，以改變氣流方向。在本實施例中，板件130以鎖固的方式固定於架板120上，且板件130設置於氣流出口118與玻璃基板10之間。當氣流自氣流出口118噴出時，會先噴到板件130，再沿著板件130的周邊流出，在本實施例中，板件130的形狀為圓形，以使氣體可均勻地自板件130周邊流出，再流向玻璃基板10。

玻璃基板10在結束製程腔的程序之後會被轉移至真 空的裝卸腔(未繪示)中。由於此時的玻璃基板10溫度相當高，為避免板件130因與玻璃基板10靠近受高溫損壞，在本實施例中，板件130的材質為金屬，以適用於裝卸腔中的高溫環境。

本實施例之降溫裝置100藉由板件130的設置，可避免氣流直接噴向玻璃基板10的局部區域，而導致玻璃基板10的局部區域溫度下降較快。在本實施例中，氣流經過板件130後被分散地流向玻璃基板10各處而使玻璃基板10達到均勻降溫的功效。

在本實施例中，約為攝氏200度的大尺寸的玻璃基板10被置放於真空的裝卸腔中。本實施例之降溫裝置100可設置於裝卸腔中玻璃基板10的一側，藉由降溫裝置100的氣流出口118均勻地分布於玻璃基板10的一側，以使氣體均勻地噴向玻璃基板10，而達到穩定降溫的功效，並且使裝卸腔中由真空狀態恢復為一大氣壓的狀態。相較於習知的大尺寸玻璃基板先在裝卸腔以熱接觸降溫後，再破真空的操作方式，本實施例之降溫裝置100可有效的節省玻璃基板10在裝卸腔中降溫且破真空的工作時間，並且，由於利用氣流均勻降溫，可避免大尺寸的玻璃基板10因不同位置降溫速度不均而破片的狀況。

圖2是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的剖面示意圖。請參閱圖2，圖2之降溫裝置200與圖1B之降溫裝置100的主要差異在於，圖2之降溫裝置200的架板220的相對的兩側面222各設置一氣流引導組210。在圖2 中顯示一個降溫裝置200放置在兩玻璃基板10之間，只是要表示降溫裝置200與玻璃基板10的相對位置，並不限制實際使用時降溫裝置200與玻璃基板10的數量。

在圖1B中，架板120的其中一個側面122設置有一氣流引導組110。在使用圖1B之降溫裝置100時，要將架板120放置於玻璃基板10的一側，氣流引導組110會位於架板120與玻璃基板10之間，以對玻璃基板10噴氣。由於裝卸腔中可放置多達20片左右的玻璃基板10，若是裝卸腔中裝有20片玻璃基板10，則需將20個降溫裝置100分別伸入20片玻璃基板10的間隙，以對這20片玻璃基板10以單面噴氣的方式降溫。

在圖2中，由於架板220的相對的兩個側面222各設有一氣流引導組210。當裝卸腔中裝有20片玻璃基板10時，則可只使用10個降溫裝置200間隔地伸入20片玻璃基板10的一側，便可對這20片玻璃基板10以單面噴氣的方式降溫，如此，可降低裝卸腔中架板220的數量。或是，亦可將20個降溫裝置200分別伸入20片玻璃基板10的一側，而對這20片玻璃基板10以雙面噴氣的方式降溫，以達到更快速與均勻的降溫效果。當然，此處提到的裝卸腔中放置20片玻璃基板10只是要說明裝卸腔中玻璃基板10的數量與降溫裝置數量的關係，裝卸腔中容置的玻璃基板的數量並不以上述為限制。

此外，圖1A僅顯示其中一種氣流出口118在架板120的側面122的分布方式，並不限制氣流出口118的數量與 架板120上氣流出口118的分布方式。只要是可符合氣流導入管112之氣流入口116至各氣流導出管114的氣流出口118的氣流路徑的長度實質上相同，且氣流出口118相對於架板120之側面122的中心點成對地設置，以使玻璃基板10各處可同時均勻地被降溫即可。圖3是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的側視示意圖。請參閱圖3，圖3之降溫裝置300與圖1A之降溫裝置100的主要差異在於，圖3之降溫裝置300顯示另一種氣流導出管314與氣流出口318於架板320上的配置關係。

在本實施例中，氣流引導組310包括四個氣流出口318，若將架板320的側面322的長與寬各區分為一半，則架板320的側面322可被區分為四塊面積相等的區域，這四個氣流出口318分別位這四塊區域的中央位置。由於本實施例之架板320的尺寸接近玻璃基板10的尺寸，氣流出口318在架板320上的相對位置會接近於玻璃基板10上的相對位置。當氣流自架板320的側面322的這四個區塊的中央位置噴出時，各氣流出口318可將氣體均勻地分布在每塊區域中。也就是說，氣流自左右兩個氣流出口318流到中間的時間接近於流到左右兩端的時間，且氣流自上下兩個氣流出口318流到中間的時間接近於流到上下兩端的時間，當然，氣流出口318的數量與在架板320上的配置方式並不以此為限制。

本實施例之降溫裝置300提供玻璃基板10均勻且快速地降溫並且可使裝卸腔自真空狀態恢復至一大氣壓的狀 態，以縮短玻璃基板10降溫的時間與裝卸腔破真空的程序。

當然，上述的氣流引導組雖均以一氣流導入管及多個連通於氣流導入管的氣流導出管為例，但氣流引導組的種類並不以此為限制。圖4是依照本發明之再一實施例之一種降溫裝置與玻璃基板的側視示意圖。請參閱圖4，圖4之降溫裝置400與圖1A之降溫裝置100的主要差異在於，圖4之降溫裝置400的氣流引導組410包括一擴散器419，擴散器419設置於玻璃基板10的一側。在本實施例中，擴散器419包括至少一氣流入口416及多個氣流出口418，且這些氣流出口418均勻地分布於玻璃基板10的一側，以提供玻璃基板10均勻地降溫。當然，此處只是描述氣流引導組的其中一種實施例，氣流引導組的種類及擴散器的數量並不以上述為限制。

圖5A是依照本發明之一實施例之一種降溫裝置的操作流程示意圖。請參閱圖5A，在本實施例中，降溫裝置可使用圖1、圖2、圖3、圖4之降溫裝置100、200、300、400或是其他的降溫裝置來對高溫且尺寸為五代以上的玻璃基板進行噴氣降溫。

在本實施例中，玻璃基板的長度大於1公尺，且玻璃基板的初始溫度約為攝氏200度左右。在本實施例中，一個或多個高溫的玻璃基板可被容置於真空的裝卸腔中，且任兩相鄰的玻璃基板之間存在一間隙。

本實施例之降溫裝置的操作方法500，包括下列步 驟：首先，配置降溫裝置至裝卸腔中且位於玻璃基板之一側，其中降溫裝置包括一氣流引導組，氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，且這些氣流出口朝向玻璃基板(步驟510)。

接著，氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴出一氣流，以使玻璃基板降溫至一第一溫度(步驟520)。圖5B是圖5A之降溫裝置的操作流程的噴氣過程示意圖。請參閱圖5B，在本實施例中，由於氣流引導組每單位時間噴出相同的氣體量，在本實施例中，只要控制氣流引導組的開與關便可控制每次氣體噴出的時間以控制氣流引導組每次可噴出等量的氣體。

若在玻璃基板高溫的狀態連續噴氣，玻璃基板的溫度降幅太大可能會造成破片的狀況，為避免此情形，在步驟520中，氣流引導組採取間歇式的噴氣，噴氣一段時間之後停止噴氣，接著再度噴氣相同時間，再停止噴氣，重複上述步驟以使玻璃基板均勻地降溫到第一溫度。在本實施例中，玻璃基板初始的溫度約為攝氏200度左右，且第一溫度約為攝氏50~80度左右。但玻璃基板初始的溫度及第一溫度會根據玻璃基板與裝卸腔的條件而有所差異，並不以此為限制。

最後，氣流引導組朝玻璃基板連續噴氣，以使裝卸腔恢復至一大氣壓(步驟530)。當玻璃基板溫度的溫度下降至第一溫度之後，快速降溫已不會造成玻璃基板破片的狀況，此時，便可利用氣流引導組朝玻璃基板連續噴氣， 以讓裝卸腔恢復至一大氣壓，並使玻璃基板的溫度降至70℃以下。。因此，本實施例之降溫裝置的操作方法可同時讓玻璃基板降溫並且自真空狀態恢復至一大氣壓的狀態，大幅縮短此過程的時間。此外，在高溫降溫到第一溫度的階段是利用間歇式的噴氣，每段的停止噴氣，可讓氣體均勻地流到玻璃基板的各個位置，而使玻璃基板各處的溫度均勻之後，再進行下一次的噴氣，以使玻璃基板各處的溫度均勻。並且，透過氣流出口均勻的分布在架板上以及板件的設置，可讓氣流均勻地接觸玻璃基板，有效地降低破片的機率。

圖6A是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的操作流程示意圖。請參閱圖6A，在本實施例中，降溫裝置可使用圖1、圖2、圖3、圖4之降溫裝置100、200、300、400或是其他的降溫裝置來對高溫且尺寸為五代以上的玻璃基板進行噴氣降溫。在本實施例中，玻璃基板的長度及寬度分別大於1公尺，且玻璃基板的初始溫度約為攝氏200度左右。

降溫裝置的操作方法600包括下列步驟：首先，配置一降溫裝置至玻璃基板之一側，其中降溫裝置包括一氣流引導組，氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，且這些氣流出口朝向玻璃基板(步驟610)。

接著，氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴出一氣流，以使玻璃基板降溫至一第一溫度(步驟620)。圖6B是圖6A之降溫裝置的操作流程的噴氣過程示意圖。請參閱圖 6B，在本實施例中，由於氣流引導組每單位時間噴出相同的氣體量，控制氣流引導組的開關以逐漸延長每次噴氣的時間，也就是氣流引導組逐漸增加每次噴氣量。

若在玻璃基板高溫的狀態連續噴氣，玻璃基板的溫度降幅太大可能會造成破片的狀況，為避免此情形，在步驟620中，氣流引導組採取間歇式的噴氣，並且隨著玻璃基板的溫度降低而逐漸延長每次噴氣的時間，直到玻璃基板均勻地降溫到第一溫度。在本實施例中，玻璃基板初始的溫度約為攝氏200度左右，且第一溫度約為攝氏50~80度左右。但玻璃基板初始的溫度及第一溫度會根據玻璃基板與裝卸腔的條件而有所差異，並不以此為限制。

最後，氣流引導組朝玻璃基板連續噴氣，以使裝卸腔恢復至一大氣壓(步驟630)，並且使玻璃基板的溫度降至70℃以下。

圖6A之降溫裝置的操作方法與圖5A之降溫裝置的操作方法的主要差異在於，在步驟520中，氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴出等量的氣流。在步驟620中，氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴出氣流，且逐漸增加每次的噴氣時間。但上述僅表示間歇式噴氣的其中兩個實施例，間歇式噴氣的方式並不以此為限制。

本實施例之降溫裝置的操作方法可同時讓玻璃基板降溫並且自真空狀態恢復至一大氣壓的狀態，大幅縮短此過程的時間，且間歇式的噴氣方式使玻璃基板均勻降溫，有效地降低破片的機率。

綜上所述，本發明之降溫裝置透過將氣流引導組設置 在玻璃基板的一側，由於氣流引導組的氣流入口至各氣流出口的氣流路徑的長度實質上相同，氣體可同時自氣流出口噴出。並且，氣流出口相對於架板之側面的中心點成對設置，以均勻地分布在玻璃基板的側面，可提供玻璃基板均勻降溫。此外，本發明之降溫裝置透過板件的設置，可使氣流不直接噴向玻璃基板的局部區域，而是沿著板件分散至玻璃基板各處以達到均勻降溫的功效。此外，本發明更提出降溫裝置的操作方法，透過氣流引導組間歇地朝玻璃基板噴氣，以避免持續噴氣使玻璃基板溫度下降過快而導致破片。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧玻璃基板

100、200、300、400‧‧‧降溫裝置

110、210、310‧‧‧氣流引導組

112‧‧‧氣流導入管

114、214、314‧‧‧氣流導出管

116、416‧‧‧氣流入口

118、318、418‧‧‧氣流出口

120、220、320‧‧‧架板

122、222、322‧‧‧側面

130‧‧‧板件

419‧‧‧擴散器

500、600‧‧‧降溫裝置的操作方法

510~530、610~630‧‧‧步驟

圖1A是依照本發明之一實施例之一種降溫裝置的示意圖。

圖1B是圖1A之降溫裝置配置於玻璃基板一側的剖面示意圖。

圖1C是圖1A之降溫裝置的局部示意圖。

圖2是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的剖面側視示意圖。

圖3是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的示意圖。

圖4是依照本發明之再一實施例之一種降溫裝置與玻璃基板的側視示意圖。

圖5A是依照本發明之一實施例之一種降溫裝置的操作流程示意圖。

圖5B是圖5A之降溫裝置的操作流程的噴氣過程示意圖。

圖6A是依照本發明之另一實施例之一種降溫裝置的操作流程示意圖。

圖6B是圖6A之降溫裝置的操作流程的噴氣過程示意圖。

100‧‧‧降溫裝置

110‧‧‧氣流引導組

112‧‧‧氣流導入管

114‧‧‧氣流導出管

116‧‧‧氣流入口

118‧‧‧氣流出口

120‧‧‧架板

122‧‧‧側面

130‧‧‧板件

Claims (17)

1. 一種降溫裝置，設置於一裝卸腔中且用以對放置於該裝卸腔中的至少一玻璃基板降溫，該降溫裝置包括：至少一氣流引導組，設置於該至少一玻璃基板的一側，各該氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，該些氣流出口朝向各該玻璃基板，其中：該至少一氣流入口至各該氣流出口的氣流路徑的長度實質上相同。
2. 如申請專利範圍第1項所述之降溫裝置，其中各該氣流引導組包括：一氣流導入管，包括該氣流入口，一氣流自該氣流入口導入；以及多個氣流導出管，分別連通於該氣流導入管，該些氣流導出管包括該些氣流出口。
3. 如申請專利範圍第2項所述之降溫裝置，更包括：一架板，該氣流導入管及該些氣流導出管固定於該架板的一側面。
4. 如申請專利範圍第3項所述之降溫裝置，其中該些氣流出口相對於該架板之該側面的中心點成對設置。
5. 如申請專利範圍第3項所述之降溫裝置，其中該至少一氣流引導組為兩氣流引導組，分別設置在該架板的該側面及相對於該側面的另一側面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之降溫裝置，其中該至少一玻璃基板為兩玻璃基板，該架板設置於該兩玻璃基板 之間，且該兩氣流引導組的該些氣流出口分別朝向該兩玻璃基板。
7. 如申請專利範圍第1項所述之降溫裝置，更包括：多個板件，設置於該些氣流出口之一側，以改變該氣流自該氣流出口流出的方向。
8. 如申請專利範圍第1項所述之降溫裝置，其中各該氣流引導組包括：一擴散器，包括該至少一氣流入口及該些氣流出口，且該些氣流出口均勻地分布於各該玻璃基板的一側。
9. 如申請專利範圍第1項所述之降溫裝置，其中各該玻璃基板的長度及寬度分別大於1公尺。
10. 一種降溫裝置的操作方法，用以對放置於一裝卸腔中的至少一玻璃基板降溫，該降溫裝置的操作方法包括：配置一降溫裝置至該裝卸腔中且位於該玻璃基板之一側，其中該降溫裝置包括至少一氣流引導組，各該氣流引導組包括至少一氣流入口及多個氣流出口，且該些氣流出口朝向各該玻璃基板；各該氣流引導組間歇地朝各該玻璃基板噴出一氣流，以使各該玻璃基板降溫至一第一溫度；以及各該氣流引導組朝各該玻璃基板連續噴氣，以使該裝卸腔恢復至一大氣壓。
11. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，在各該氣流引導組間歇性地朝各該玻璃基板噴出該氣流的步驟中，各該氣流引導組每次噴出等量的氣體。
12. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，在各該氣流引導組間歇性地朝各該玻璃基板噴出該氣流的步驟中，各該氣流引導組逐漸增加每次的噴氣時間。
13. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，在各該氣流引導組朝各該玻璃基板連續噴氣的步驟中，各該玻璃基板的溫度自該第一溫度降至70℃以下。
14. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，其中各該氣流引導組包括：一氣流導入管，包括該氣流入口，一氣流自該氣流入口導入；以及多個氣流導出管，分別連通於該氣流導入管，該些氣流導出管包括該些氣流出口。
15. 如申請專利範圍第14項所述之降溫裝置的操作方法，其中該降溫裝置更包括：一架板，該氣流導入管及該些氣流導出管固定於該架板的一側面，該些氣流出口相對於該架板之該側面的中心點成對設置。
16. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，其中該降溫裝置更包括：多個板件，設置於該些氣流出口之一側，以改變該氣流自該氣流出口流出的方向。
17. 如申請專利範圍第10項所述之降溫裝置的操作方法，其中各該玻璃基板的長度及寬度分別大於1公尺。