TWI498629B - 液晶顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置及電子裝置
本發明係關於一種進行反射型和透射型顯示的液晶顯示裝置，特別關於一種進行多域模式顯示的液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置被用於各種電子產品，例如行動電話、導航系統的監視器和電視。在室外以及室內使用這些電子產品中的一些產品，習知有半透射型液晶顯示裝置，為了確保在室外和室內的高可視性，其包括透射模式和反射模式的兩種特性。
對於半透射型液晶顯示裝置，習知一種顯示裝置，其包括：像素，包含夾在主動矩陣基板和相對基板之間的液晶；進行反射模式顯示的反射部分和進行透射模式顯示的透射部分(例如，參照文獻1：日本已公開專利申請號No.2005-181981)。
這種液晶顯示裝置包括中間層絕緣膜，對於該中間層絕緣膜，將反射部分的液晶層厚度設置成基本上為透射部分的液晶層厚度的一半。此外，液晶顯示裝置包括電極塗 層作為施加電壓調整單元，該電極塗層補償由於反射電極和透明電極之間的連接產生的功函數差，以便於近似在彼此靠近的反射部分和透射部分對液晶施加的電壓。而且，反射電極和透明電極設置有突出部分，並且將液晶形成為具有徑向梯度取向。
在液晶按照徑向梯度方式進行取向的情況下，存在顯示影像時具有視角寬的優點。然而，卻存在液晶的取向方向不同的多個位置；存在難於控制液晶的取向的問題，易於產生例如向錯的缺點且影像品質變低。具體地，在反射電極與透明電極組合的像素結構、例如習知半透射型液晶顯示裝置的情況下，就會存在增加這些缺點的問題。
因此，本發明提供一種半透射型液晶顯示裝置，藉由改善顯示影像時的視角並藉由抑制因液晶的無序取向而導致的影像品質劣化且具有高品質顯示。
本發明的一個特徵在於，提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包含：夾在排列成彼此相對的一對電極之間的由液晶分子形成的液晶層；反射區，進行反射模式顯示；透射區，進行透射模式顯示，它們設置在該對基板之一之上；以及在反射區和透射區之間設置有縫隙部分的像素電極。液晶顯示裝置包括在反射區中設置的單元間隙調整膜，以致液晶層的厚度基本上是透射區中的液晶層厚度的一半。像素電極的反射區由在單元間隙調整膜之上的光 反射導電膜(反射電極)形成，其透射區由透明導電膜(透明電極)形成。沿著步階部分(或邊界部分)形成縫隙部分，採用在反射區和透射區之間的單元間隙調整膜來形成該步階部分。可選擇地，縫隙部分相對於像素電極的一個端部徑向延伸至傾斜方向，並且採用在反射區和透射區之間的單元間隙調整膜而形成的步階部分(或邊界部分)沿著縫隙部分形成。
可以藉由在進行反射模式顯示的反射區中設置單元間隙調整膜且使根據提供在單元間隙調整膜的邊界部分處形成的步階部分與像素電極的縫隙部分重疊來控制液晶層的液晶的取向。
即，可以藉由採用單元間隙調整膜的邊界部分或伴隨它的邊界部分形成的步階部分和縫隙部分來控制液晶的取向並藉由防止控制的彼此抵消和干涉來控制因液晶的無序取向而導致的影像品質的劣化。
在上述液晶顯示裝置中，可以允許對縫隙部分的結構進行一些修改。例如，可以將在縫隙部分的透射區側上的端部設置為遠離步階部分。此外，在縫隙部分的透射區側上的端部可以位於步階部分的下緣部分的內側。而且，透射區的端部可以設置在單元間隙調整膜之下，在縫隙部分的透射區側上的端部可以設置在步階部分的下緣部分的內側。
按照這種方式，即使改變像素電極的縫隙部分的結構，也可以藉由在進行反射模式顯示的反射區中設置單元 間隙調整膜並且使根據提供在單元間隙調整膜的邊界部分處形成的步階部分與像素電極的縫隙部分重疊來控制液晶層的液晶的取向。
此外，單元間隙調整膜的上表面可以是一個非平坦表面，並且可以沿著非平坦表面形成反射區的光反射導電膜(反射電極)。藉由使光反射導電膜(反射電極)的表面非平坦，就能夠使入射光漫射，以致使整個亮度被平均，並且就能夠在作為反射型液晶進行顯示的情況下獲得清晰的影像。
本發明的另一個特徵在於提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括夾在排列成彼此相對的一對基板之間的包含液晶分子的液晶層；反射區，進行反射模式顯示，透射區，進行透射模式顯示，它們被設置在該對基板之一之上；以及在反射區和透射區之間的設置有縫隙部分的像素電極。液晶顯示裝置包括在反射區中設置的單元間隙調整膜，致使液晶層的厚度基本上是在透射區中的液晶層厚度的一半。像素電極的反射區由在單元間隙調整膜之上形成的透明導電膜和在單元間隙調整膜的下層之上形成的光反射膜形成，並且它的透射區由透明導電膜形成。沿著步階部分形成縫隙部分，採用在反射區和透射區之間的單元間隙調整膜來形成該步階部分。可選擇地，相對於像素電極的一個端部，使縫隙部分徑向延伸至傾斜方向，且沿著縫隙部分形成採用在反射區和透射區之間的單元間隙調整膜而形成的步階部分。
可以藉由在進行反射模式顯示的反射區中設置單元間隙調整膜，形成反射部分和使根據其提供的單元間隙調整膜的步階部分與像素電極的縫隙部分重疊來控制液晶層的液晶的取向，該反射部分包括在單元間隙調整膜之上形成的透明導電膜和在單元間隙調整膜的下層之上形成的光反射膜。
在上述液晶顯示裝置中，可以對縫隙部分的結構進行一些修改。例如，可以將縫隙部分的透射區上的端部設置為遠離步階部分。此外，可以在步階部分的下緣部分內側處設置縫隙部分的透射區上的端部。而且，可以在單元間隙調整膜的下層側上設置透射區的端部，並且可以在步階部分的下緣部分內側處設置縫隙部分的透射區側上的端部。
按照這種方式，即使改變像素電極的縫隙部分的結構，也可以藉由在進行反射模式顯示的反射區中設置單元間隙調整膜，並使根據提供在單元間隙調整膜的邊界部分處形成的步階部分與像素電極的縫隙部分重疊來控制液晶層的液晶的取向。
此外，單元間隙調整膜的下表面可以是一個非平坦表面，並且可以沿著非平坦表面形成反射區的光反射膜。藉由使光反射膜表面非平坦，就能夠使入射光漫射；因此就使整個亮度被平均，且就能夠在作為反射型液晶的顯示器的情況下獲得清晰的影像。在此情況下，就不會產生因單元間隙調整膜的上表面平坦而導致的液晶取向的無序，由 此就能夠控制因液晶取向的無序而導致的影像品質的劣化。
此外，在本發明中，相對於像素電極的邊緣部分在傾斜方向上的條形突出部分設置有上述液晶顯示裝置的結構，並且能夠形成所謂多域垂直對準(MVA)型的液晶顯示裝置。這種結構還可以獲得與上述結構相同的操作效果。
根據多域即具有多個區，就存在其中液晶分子傾斜的多個方向，並且甚至從任何方向觀看時液晶分子看起來的方式都是平均的；因此，就能夠提高視角特性。
注意，可以設置條形縫隙部分來代替相對於像素電極的邊緣部分的傾斜方向上的條形突出部分。此外，可以在一個基板之上設置條形縫隙部分，並且可以在其間夾有液晶的另一個基板之上設置條形突出部分。
本發明的另一個特徵在於提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括：在第一基板和第二基板之間設置的液晶層；在第一基板之上的反射區和透射區中的像素電極；用於調整在第一基板之上的反射區中的單元間隙的膜；以及在第二基板之上的反射區和透射區中的相對電極。反射區中的像素電極被設置在該膜之上且反射光。透射區中的像素電極透射光。在反射區和透射區中的像素電極包含縫隙。該縫隙與由在反射區和透射區之間的膜設置的步階部分的至少一部分重疊。
注意，在本發明中，進行連接是與電連接相同含義。 因此，除了連接的預定關係之外，可以在藉由本發明公開的結構中設置可進行電連接的另一元件(例如，開關，電晶體，電容器，電感器，電阻元件，二極體等)。也可以不藉由另一元件設置各構件，並且進行電連接包括進行直接連接的情況。注意，可以採用各種形式的元件作為開關，例如電開關和機械開關。即，可以使用能夠控制電流流動的任何元件，且不限於具體形式的開關。例如，可以採用電晶體、二極體(PN二極體，PIN二極體，肖特基二極體，二極體連接的電晶體等)或由它們組成的邏輯電路。在採用電晶體作為開關的情況下，由於將電晶體作為簡單開關工作，所以不特別限制它的極性(導電類型)。然而，較佳的、採用具有低OFF(截止)電流的電晶體。至於具有低OFF電流的電晶體，可以採用設置有LDD區的電晶體、具有多閘極結構的電晶體等。此外，較佳的、當在作為開關操作的電晶體的源極電極的電位接近低電位側的電源(Vss、GND、0V等)的狀態下進行操作時採用n-通道電晶體，因而較佳的、當電晶體的源極電極的電位接近高電位側的電源(Vdd等)的狀態下進行操作時採用p-通道電晶體。這是因為由於可以將其閘極-源極電壓的絕對值設置為較大所以易於作為開關進行操作。注意，也可以藉由採用n-通道和p-通道兩種電晶體來應用CMOS型開關。在使用CMOS型開關的情況下，由於相對於各種輸入電壓易於控制輸出電壓，所以開關能夠適當地操作。
注意，電晶體是具有至少三個端子的一種元件，其包 含閘極電極、汲區和源區。在汲區和源區之間設置通道形成區。這裏，由於它們依賴於電晶體的結構、操作條件等，所以難於精確限定源區和汲區。因此，在解釋電晶體的連接關係的情況下，關於源區和汲區的兩個端子，連接到這些區的一個電極稱為第一電極，另一個電極稱為第二電極，這可以用於說明。注意，電晶體可以是具有至少三個端子的一種元件，其包含基極、射極和集極。類似地，在此情況下，可以將射極和集極分別稱為第一電極和第二電極。
注意，電晶體的結構可以具有各種模式且不限於具體結構。例如，可以使用閘極數量為2個或多個的多閘極結構。利用多閘極結構，就能夠減少OFF電流，並且藉由提高電晶體的壓阻就能夠提高可靠性，當在飽和區進行操作時，就能夠減少根據在汲極和源極之間的電壓變化所導致的在汲極和源極之間流動的電流的變化。而且，可以在通道之上和通道之下設置閘極電極。藉由在通道之上和通道之下設置閘極電極的結構，就能夠增加通道區域，由此就能夠增加電流值，並且由於易於形成耗盡層，所以能夠提高亞臨界值(S值)。而且，可以在通道之上或通道之下設置閘極電極。可以使用正向交錯結構或反向交錯結構。可以將通道區劃分為多個區，或進行並聯方式或串聯方式連接。而且，源極電極或汲極電極可以與通道(或它的一部分)重疊，由此防止電荷積聚在部分通道中且防止操作不穩定。而且，可以設置LDD區。藉由設置LDD 區，就能夠減少OFF電流，並且藉由提高電晶體的壓阻就能夠提高可靠性，可以獲得甚至當在飽和區中進行操作時汲極-源極電壓改變時，汲極-源極電流不會有較大變化的特性。
注意，閘極包括閘極電極和閘極佈線(也稱為閘極線、閘極訊號線等)或它的一部分。注意，閘極電極對應於與其中形成通道區的半導體重疊的導電膜的部分，其間夾有閘極絕緣膜。閘極佈線對應於用於連接像素的閘極電極和用於連接閘極電極和另一個佈線的佈線。
然而，還存在其作為閘極電極和作為閘極佈線兩者功能的部分。即，存在在閘極電極和閘極佈線之間不能明確地區分的區域。例如，在通道區與延伸的閘極佈線重疊的情況下，該區域就作為閘極佈線且也作為閘極電極的功能。因此，這種區域就可以稱為閘極電極或閘極佈線。
此外，其由與閘極電極相同材料形成且連接到閘極電極的區域也可以稱為閘極電極。類似地，由與閘極佈線相同材料形成且連接到閘極佈線的區域也可以稱為閘極佈線。在嚴格情況下，這種區域不會與通道區重疊或者在某種情況下不具有連接到另一閘極電極的功能。然而，存在因製造容許極限等由與閘極電極或閘極佈線相同材料形成且連接到閘極電極或閘極佈線的區域。因此，這種區域就可以稱為閘極電極或閘極佈線。
此外，例如，在多閘極電晶體中，一個電晶體的閘極電極和另一個電晶體的閘極電極通常與由與閘極電極的相 同材料形成的導電膜連接。由於它是用於連接閘極電極的區域，所以這種區域就可以稱為閘極佈線；或者由於多閘極電晶體可被認為是一個電晶體，所以這種區域可以稱為閘極電極。即，其由與閘極電極或閘極佈線相同材料形成且連接到閘極電極或閘極佈線的構件可以稱為閘極電極或閘極佈線。而且，例如，連接閘極電極和閘極佈線的一部分導電膜可以稱為閘極電極或閘極佈線。
注意，閘極端子對應於閘極電極的區域一部分區域或電連接到閘極電極的區域。
注意，源極對應於源區、源極電極和源極佈線(也稱為源極線、源極訊號線等)或它們的一部分。源區對應於包含大量P-型雜質(硼、鎵等)或N-型雜質(磷、砷等)的半導體區。因此，含有少量P-型雜質或N-型雜質的區域即LDD(輕摻雜汲)區不包含在源區中。源極電極對應於由與源區不同材料形成且電連接到源區的導電層。 然而，包含源區的源極電極可以稱為源極電極。源極佈線對應於用於連接像素的源極電極並用於連接源極電極和另一個佈線的佈線。
然而，存在作為源極電極並作為源極佈線兩者功能的部分。即，存在在源極電極和源極佈線之間不能明確區分的區域。例如，當存在與延伸的源極佈線重疊的源區時，該區域作為源極佈線並作為源極電極的功能。因此，這種區域就可以稱為源極電極或源極佈線。
而且，由與源極電極相同材料形成且連接到源極電極 的區域或源極電極的連接部分也可以稱為源極電極。與源區重疊的部分可以稱為源極電極。類似地，由與源極佈線相同材料形成且連接到源極佈線的區域可以稱為源極佈線。在嚴格意義下，在某種情況下這種區域不具有連接到另一個源極電極的功能。然而，存在其因製造容許極限等由與源極電極或源極佈線相同材料形成且連接到源極電極或源極佈線的區域。因此，這種區域也可以稱為源極電極或源極佈線。
此外，例如，連接源極電極和源極佈線的導電膜的一部分就可以稱為源極電極或源極佈線。
注意，與源區相同，可以應用於汲區，且省略它的說明。
在本說明書中，可以按矩陣方式排列像素。這裏，按矩陣方式排列像素的情況對應於按縱向方向或橫向方向上的直線和交錯線方式排列像素的情況。因此，在進行具有三種彩色元件(例如，RGB)的全色顯示的情況下，像素的排列可以包括條形方式排列的情況和按照所謂delta(三角形)圖形方式排列三種彩色元件的像素的情況。此外，也可以包括Bayer圖案。
注意，在本發明中，一個像素對應於能控制亮度的一個元件。因此，例如，一個像素表示藉由其表示亮度的一個彩色元件。因此，在由彩色元件R(紅)、G(綠)和B(藍)形成的彩色顯示裝置的情況下，影像的最小單元由三種像素R像素、G像素和B像素形成。注意，彩色元 件的顏色數量不限於三種顏色並且可以由超過三種顏色諸如RGBW(W為白色)和對其添加黃、青和洋紅的RGB形成。
此外，作為另一個實例，在藉由採用多個區域來控制一個彩色元件的亮度的情況下，該多個區中的一個區域就對應於一個像素。然而，排除使用子像素的情況。例如，在進行區域灰度級顯示的情況下，對於一個彩色元件設置用於控制亮度的多個區，其表示作為整體的灰度級，並且用於控制亮度的一個區域對應於一個像素。因此，在此情況下，一個彩色元件就由多個像素形成。而且，在此情況下，對顯示有貢獻的區域根據像素而具有不同尺寸。在形成一個彩色元件的多個像素中，藉由將輕微的不同訊號施加到每一個像素，就能夠增大視角。
注意，在本說明書中，半導體裝置對應於含有電路的裝置，該電路具有半導體元件(電晶體、二極體等)。而且，半導體裝置可以一種習知裝置，其可以藉由採用半導體特性進行操作。顯示裝置對應於含有顯示元件(液晶元件、發光元件等)的一種裝置。注意，顯示裝置可以是顯示面板的主體，其中在基板之上形成含有顯示元件諸如液晶元件或EL元件的多個像素和用於驅動像素的週邊驅動電路。而且，顯示裝置可以包括設置有撓性印刷電路(FPC)或印刷佈線板(PWB)的元件(IC、電阻器、電容器、電感器、電晶體等)。顯示裝置可以包括諸如偏振片或延遲膜的光學片。此外，可以包含背光(諸如導光 板、棱鏡片、散射片、反射片、光源(LED、冷陰極管等))。
注意，在本發明的顯示裝置中，可以應用各種模式和各種顯示元件。例如，可以採用其中可藉由電磁效應改變對比度的顯示介質，諸如除了液晶元件之外的EL元件(有機EL元件、無機EL元件或含有有機材料和無機材料的EL元件)、電子發射元件、電子墨水、光柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、數位微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器或碳奈米管。注意，採用EL元件的顯示裝置包括EL顯示器；採用電子發射元件的顯示裝置包括場發射顯示器(FED)、SED型平板顯示器(表面傳導電子發射顯示器)等；採用液晶元件的顯示裝置包括液晶顯示器、透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器；以及採用電子墨水的顯示裝置包括電子紙。
注意，在本發明中，當說明在一個物體上形成另一個物體時，並不必定意味著該物體直接與另一個物體接觸。也包括兩個物體不彼此直接接觸的情況，即其間夾有其他物體的情況。因此，例如當說明例如在層A上形成層B時，就意味著與層A直接接觸形成層B的情況、或者與層A直接接觸形成另一層(諸如層C或層D)然後與該另一層直接接觸形成層B的情況。此外，當說明在一個物體之上或在一個物體上方形成另一個物體時，不限於該物體直接接觸另一個物體的情況而是可以在其間夾有再一個 物體。因此，例如當說明例如在層A之上或在層A上方形成層B時，就意味著與層A直接接觸形成層B的情況；或與層A直接接觸形成另一層、然後與該另一層直接接觸形成層B的情況中的任何一種情況。類似地，當說明在一個物體之下或在一個物體下方形成另一個物體時，就意味著物體彼此直接接觸或彼此不直接接觸的任何一種情況。
可以藉由在像素電極的反射區中設置單元間隙調整膜、並設置它的步階部分(單元間隙調整膜的邊界部分)以至在反射區和透射區之間的邊界部分處與縫隙部分平行地重疊來控制液晶的取向。因此，就能夠藉由當顯示影像時改善視角並藉由抑制因液晶的無序取向而導致的影像品質缺陷來獲得具有高顯示品質的半透射型液晶顯示裝置。
101‧‧‧反射電極
102‧‧‧透明電極
103‧‧‧單元間隙調整膜
104‧‧‧下層
105‧‧‧縫隙
106‧‧‧液晶分子
306‧‧‧液晶分子
601‧‧‧反射電極
602‧‧‧透明電極
605‧‧‧縫隙
701‧‧‧反射電極
703‧‧‧單元間隙調整膜
901‧‧‧反射電極
903‧‧‧單元間隙調整膜
904‧‧‧下層
1105a、1105b‧‧‧縫隙
1106a、1106b、1106c、1106d‧‧‧液晶分子
1205a、1205b‧‧‧縫隙
1405a、1405b‧‧‧縫隙
1406a、1406b‧‧‧液晶分子
1601‧‧‧透明電極
1602‧‧‧透明電極
1604‧‧‧相對基板
1605‧‧‧縫隙
1606‧‧‧液晶分子
1701‧‧‧透明電極
1705‧‧‧凸起
1805a、1805b‧‧‧縫隙
1905a、1905b‧‧‧凸起
2001‧‧‧閘極訊號線
2002‧‧‧電容器線
2003‧‧‧矽
2004‧‧‧源極訊號線
2005‧‧‧汲極電極
2006‧‧‧反射電極
2007‧‧‧像素電極
2008‧‧‧接觸孔
2009‧‧‧接觸孔
2010‧‧‧單元間隙調整膜
2011‧‧‧透明導電膜
2101‧‧‧閘極絕緣膜
2102‧‧‧中間層絕緣膜
2203‧‧‧矽
2301‧‧‧閘極絕緣膜
2201‧‧‧閘極訊號線
2202‧‧‧電容器線
2302‧‧‧中間層絕緣膜
2204‧‧‧源極訊號線
2205‧‧‧汲極訊號線
2206‧‧‧反射電極
2210‧‧‧單元間隙調整膜
2211‧‧‧透明導電膜
2411‧‧‧電極
2405‧‧‧縫隙
2403a、2403b、2403c‧‧‧單元間隙調整膜
2511‧‧‧電極
2505‧‧‧縫隙
2503‧‧‧單元間隙調整膜
2605‧‧‧縫隙
2611‧‧‧電極
2603a、2603b‧‧‧單元間隙調整膜
2711‧‧‧電極
2705‧‧‧縫隙
2703a、2703b‧‧‧單元間隙調整膜
2811‧‧‧電極
2805‧‧‧縫隙
2803‧‧‧單元間隙調整膜
2901‧‧‧閘極訊號線
2902‧‧‧電容器線
2903‧‧‧矽
2991‧‧‧閘極絕緣膜
2904‧‧‧源極訊號線
2905‧‧‧汲極訊號線
2906‧‧‧電容器電極
2992‧‧‧中間層絕緣膜
2910‧‧‧單元間隙調整膜
2911‧‧‧透明電極
2912‧‧‧接觸電極
2913‧‧‧反射電極
3001‧‧‧閘極訊號線
3002‧‧‧電容器線
3003‧‧‧矽
3091‧‧‧閘極絕緣膜
3004‧‧‧源極訊號線
3005‧‧‧汲極訊號線
3006‧‧‧電容器電極
3092‧‧‧中間層絕緣膜
3010‧‧‧單元間隙調整膜
3011‧‧‧透明電極
3012‧‧‧連接電極
3013‧‧‧反射電極
3101‧‧‧閘極訊號線
3102‧‧‧電容器線
3103‧‧‧矽
3191‧‧‧閘極絕緣膜
3104‧‧‧源極訊號線
3105‧‧‧汲極訊號線
3106‧‧‧電容器電極
3192‧‧‧中間層絕緣膜
3110‧‧‧單元間隙調整膜
3112‧‧‧反射電極
3193‧‧‧凸出部分
3203‧‧‧矽
3201‧‧‧閘極訊號線
3202‧‧‧電容器線
3291‧‧‧閘極絕緣膜
3292‧‧‧中間層絕緣膜
3204‧‧‧源極訊號線
3205‧‧‧汲極訊號線
3206‧‧‧電容器電極
3210‧‧‧單元間隙調整膜
3211‧‧‧透明電極
3213‧‧‧反射電極
3301‧‧‧閘極訊號線
3302‧‧‧電容器線
3303‧‧‧矽
3391‧‧‧閘極絕緣膜
3392‧‧‧中間層絕緣膜
3304‧‧‧源極訊號線
3305‧‧‧汲極訊號線
3306‧‧‧電容器電極
3393‧‧‧中間層絕緣膜
3313‧‧‧反射電極
3314‧‧‧連接電極
3310‧‧‧單元間隙調整膜
3311‧‧‧透明電極
3401‧‧‧間隔物
3501‧‧‧間隔物
4603a、4603b‧‧‧半導體膜
4601‧‧‧基板
4602‧‧‧絕緣膜
4605‧‧‧閘極電極
4604‧‧‧閘極絕緣膜
4606‧‧‧絕緣膜
4607‧‧‧絕緣膜
4608‧‧‧導電膜
4610a‧‧‧n-通道電晶體
4610b‧‧‧p-通道電晶體
4621a、4621b‧‧‧絕緣膜
4651a、4651b‧‧‧邊緣部分
4623‧‧‧絕緣膜
4624‧‧‧絕緣膜
4625a、4625b‧‧‧抗蝕劑
4626‧‧‧絕緣膜
4652a、4652b‧‧‧邊緣部分
4627a、4627b‧‧‧絕緣膜
4653a、4653b‧‧‧邊緣部分
4671‧‧‧膜
4672‧‧‧絕緣膜
4673‧‧‧灰塵
4674‧‧‧絕緣膜
4675‧‧‧絕緣膜
490‧‧‧電晶體
491‧‧‧液晶元件
492‧‧‧儲存電容器
500‧‧‧源極訊號線
501‧‧‧閘極線
502‧‧‧電容器線
511a、511b‧‧‧子像素
512‧‧‧液晶元件
513‧‧‧液晶元件
5400‧‧‧外殼
5410‧‧‧顯示面板
5401‧‧‧印刷電路板
5411‧‧‧FPC
5402‧‧‧揚聲器
5403‧‧‧微音器
5404‧‧‧發射/接收電路
5405‧‧‧訊號處理電路
5406‧‧‧輸入單元
5407‧‧‧電池
5409‧‧‧機殼
5412‧‧‧機殼
5302‧‧‧像素部分
5303‧‧‧第一掃描線驅動電路
5304‧‧‧第二掃描線驅動電路
5300‧‧‧基板
5301‧‧‧訊號線驅動電路
5308‧‧‧密封基板
5309‧‧‧密封構件
5306‧‧‧IC晶片
5307‧‧‧IC晶片
5305‧‧‧FPC
5312‧‧‧像素部分
5310‧‧‧基板
5311‧‧‧訊號線驅動電路
5313‧‧‧第一掃描線驅動電路
5314‧‧‧第二掃描線驅動電路
5315‧‧‧FPC
5316‧‧‧IC晶片
5317‧‧‧IC晶片
5318‧‧‧密封基板
5319‧‧‧密封構件
5701‧‧‧顯示面板
5702‧‧‧電路基板
5703‧‧‧像素部分
5704‧‧‧掃描線驅動電路
5705‧‧‧訊號線驅動電路
5706‧‧‧控制電路
5707‧‧‧訊號分割電路
5708‧‧‧連接佈線
5801‧‧‧調諧器
5802‧‧‧視頻訊號放大電路
5803‧‧‧視頻訊號處理電路
5804‧‧‧音頻訊號放大電路
5805‧‧‧音頻訊號處理電路
5806‧‧‧揚聲器
5807‧‧‧控制電路
5808‧‧‧輸入部分
35001‧‧‧機殼
35002‧‧‧支撐座
35003‧‧‧顯示部分
35004‧‧‧揚聲器部分
35005‧‧‧視頻輸入端子
35101‧‧‧主體
35102‧‧‧顯示部分
35103‧‧‧影像接收部分
35104‧‧‧操作鍵
35105‧‧‧外部連接埠
35106‧‧‧快門
35201‧‧‧主體
35202‧‧‧機殼
35203‧‧‧顯示部分
35204‧‧‧鍵盤
35205‧‧‧外部連接埠
35206‧‧‧指標式滑鼠
35301‧‧‧主體
35302‧‧‧顯示部分
35303‧‧‧開關
35304‧‧‧操作鍵
35305‧‧‧紅外線埠
35401‧‧‧主體
35402‧‧‧機殼
35403‧‧‧顯示部分A
35404‧‧‧顯示部分B
35405‧‧‧記錄媒體讀取部分
35406‧‧‧操作鍵
35407‧‧‧揚聲器部分
35501‧‧‧主體
35502‧‧‧顯示部分
35503‧‧‧臂部分
35601‧‧‧主體
35602‧‧‧顯示部分
35603‧‧‧機殼
35604‧‧‧外部連接埠
35605‧‧‧遙控接收部分
35606‧‧‧影像接收部分
35607‧‧‧電池
35608‧‧‧聲音輸入部分
35609‧‧‧操作鍵
35701‧‧‧主體
35702‧‧‧機殼
35703‧‧‧顯示部分
35704‧‧‧聲音輸入部分
35705‧‧‧聲音輸出部分
35706‧‧‧操作鍵
35707‧‧‧外部連接埠
35708‧‧‧天線
圖1A和1B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖2A~2C是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖3A和3B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖4A和4B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖5A和5B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖6A和6B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖7A和7B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖8A和8B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖9A和9B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖10A和10B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖11A和11B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖12A和12B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖13A和13B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖14A和14B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖15A~15D是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖16A和16B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖17A和17B是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖18是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖19是本發明的顯示裝置的結構的示意圖。
圖20是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖21是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖22是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖23是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖24是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖25是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖26是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖27是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖28是示出本發明的顯示裝置的平面佈局圖。
圖29是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖30是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖31是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖32是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖33是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖34是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖35是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖36A~36C是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖37A~37D是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖38A~38C是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖39A~39D是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖40A~40D是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖41A~41D是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖42A和42B是本發明的顯示裝置的製造流程的示意圖。
圖43A和43B是示出本發明的顯示裝置的剖面圖。
圖44是應用了本發明的電子裝置的示意圖。
圖45A和45B是應用本發明的電子裝置的示意圖。
圖46是應用本發明的電子裝置的示意圖。
圖47是應用本發明的電子裝置的示意圖。
圖48A~48H是應用本發明的電子裝置的示意圖。
圖49A~49F是應用本發明的一個像素的結構實例示意圖。
雖然將參照附圖藉由實施例模式完整地說明本發明，但應當理解，各種變化和修改對於本領域普通技術人員來講是明顯的。因此，除非這些變化和修改脫離本發明的精神和範圍，它們應當包含其中。注意，在以下說明的本發明的結構中，通常採用在不同附圖中表示相同元件的參考數字，並省略它們的說明。
(實施例模式1)
在本實施例模式中，對使用垂直對準液晶的半透射型液晶(其包括在一個像素中的反射區和透射區，並且可以使用二者作為透射型液晶和反射型液晶)的結構進行說明，其具有在反射區和透射區中的液晶的不同單元間隙(在藉由液晶彼此面對排列的兩個電極之間的距離)，以致可以進行一般的顯示。在反射區中進入液晶的光兩次穿過液晶，並且在透射區中光一次性地穿過液晶。因此，在 進行作為透射型液晶顯示的情況下並在進行作為反射型液晶顯示的情況下，就需要進行類似的顯示，並且將反射區中的單元間隙形成為透射區中的單元間隙的幾乎一半，以致光穿過液晶處的距離幾乎相同。作為用於減少反射區中的單元間隙的一種方法，將膜設置為反射區中的間隔物。此後，將此膜也稱為單元間隙調整膜或用於調整單元間隙的膜。
注意，透射區中的單元間隙對應於在透明電極和在液晶對面的相對側上的電極之間的距離，同時反射區中的單元間隙對應於在單元間隙調整膜之上的電極(存在透明電極的情況和反射電極的情況)和在液晶對面的相對側上的電極之間的距離。在電極為非平坦的情況下，就採用它的高部分和低部分的平均值來計算此距離。
在垂直對準液晶的情況下，當沒有電壓施加到液晶時，液晶分子垂直於基板，並且當電壓施加到液晶時，液晶分子就在平行方向上傾斜。此時，為了控制液晶傾斜的方向，就需要控制施加電場的方式和液晶分子的傾斜角。
作為用於控制施加電壓時液晶傾斜的方向的方法，在電極處製造類似於縫隙的間隙，以致在相對於上-和-下方向(與垂直對準的液晶分子相同的方向，以及對基板和電極的垂直方向)的輕微彎曲方向上施加電場。例如，在整個區域之上設置用於將電場施加到液晶的一個電極的情況下，因為均勻地施加電場，所以就適當地在上-和-下方向上施加電場。然而，當電極設置有類似於縫隙和間隔的間 隙時，電場就會輕微彎曲。根據電場控制液晶分子，且液晶分子根據電場方向在平行方向上傾斜。因此，為了控制當施加電壓時垂直對準的液晶分子傾斜的方向，就採用電場畸變。因此，它就能夠防止因在各種方向上的液晶分子的傾斜導致的取向缺陷而引起的缺陷顯示。
作為用於控制液晶分子傾斜的方向的另一種方法，在電極部分之上設置凸起(突出部分)。液晶分子的預傾角隨著所設置的凸起而改變。因此，甚至在電場沒有被施加到液晶的條件下，液晶分子也會輕微傾斜；因此，就能夠根據當施加電壓時的輕微傾斜的方向來控制使液晶分子傾斜的方向。
同時，為了使透射區和反射區具有液晶的不同單元間隙，在反射區中設置單元間隙調整膜。單元間隙調整膜厚，因此就會影響垂直對準的液晶分子傾斜的方向。因此，就需要避免液晶分子的無序取向並導致在透射區和反射區之間的邊界部分中的向錯。
圖1A和1B顯示在反射電極101、透明電極102、電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜103之間的關係。圖1A是頂視平面佈局圖。圖1B是沿圖1A中的線A1-A1'獲得的剖面圖。如圖1A中所示，在設置有反射電極101、透明電極102、電極的縫隙105(間隙、間隔等)的情況下，大致平行地排列反射電極101和透明電極102。因此，也會大致平行地排列由反射電極101和透明電極102形成的電極的縫隙105(間隙、間隔等)。設 置單元間隙調整膜103(其邊界部分或步階部分)以便與其大致平行地排列。在反射電極101和透明電極102之間設置單元間隙調整膜103的邊界部分(或步階部分)。如圖1B中所示，在下層104之上形成單元間隙調整膜103，在單元間隙調整膜103之上形成反射電極101，並且在下層104之上形成透明電極102。
如圖1B中所示，藉由設置電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜103的凸起，使液晶分子106進行取向。在僅設置電極的縫隙105(間隙、間隔等)的情況下的液晶分子106的傾斜方向和僅設置單元間隙調整膜103的情況下它的傾斜方向幾乎相同。藉由設置縫隙105的液晶分子106的傾斜方向與藉由設置單元間隙調整膜103的液晶分子106的傾斜方向幾乎相同，因此就不會彼此干擾。適當使液晶進行取向，就幾乎不會發生它的無序取向。
如圖1A中所示，藉由平行地排列電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜103的邊界部分(或步階部分)，按照一個方向排列液晶的方向；因此，液晶分子106的取向就幾乎不會無序。
在使液晶分子傾斜並具有如花開放的自一個點的徑向圖形的情況下，在與另一個相鄰區域的邊界處形成其中大多數液晶分子傾向各個方向的區域；因此，就會發生液晶分子的無序取向。此外，在設置單元間隙調整膜的情況下，就會影響液晶的取向，致使它的無序會更加嚴重。然 而，在本發明中，在平行延伸的區域中使液晶對準，致使幾乎不形成其中傾向各個方向的液晶分子聚積的區域，且幾乎不會發生液晶分子的無序取向。
注意，下層104可以具有各種結構。可以設置電晶體、中間層膜、玻璃等。可以設置濾色器、黑色基質等。此外，不需要下層104平坦。而且，在相對基板之上而不在下層104之上設置電晶體，相對基板和下層104之間夾有液晶。
不需要電極的縫隙105(間隙、間隔等)、反射電極101、透明電極102和單元間隙調整膜103的邊界部分(或步階部分)的部分或作為整體精確平行。可以根據如果不影響操作的位置來在某種程度上改變它們的間隔、距離和位置。
在平行設置電極的縫隙105(間隙、間隔等)、反射電極101、透明電極102和單元間隙調整膜103的邊界部分(或步階部分)的情況下，其間平行的部分的長度不受限制，只要它至少比電極的縫隙105(間隙、間隔等)的寬度更長。注意，較佳的，盡可能按照像素間距來進行設置。
只要反射電極101反射光就可接受它。因此，可以在反射電極之上或之下設置透明電極。即，對於電極可以採用疊置結構。對於反射電極101的一部分或作為整體，可以採用疊置結構。
反射電極101和透明電極102電連接並操作為液晶的 一個電極；因此，就需要反射電極101和透明電極102電連接。因此，當僅僅在單元間隙調整膜103之上設置反射電極101時或當不在單元間隙調整膜103之上設置透明電極102時，反射電極101和透明電極102就不能進行電連接。因此，如圖2A~2C中所示，為了使反射電極101和透明電極102電連接，就可以在單元間隙調整膜103之下延伸反射電極101或者在單元間隙調整膜103之上延伸透明電極102。圖2A是頂視平面佈局圖。圖2B是沿圖2A中的線A1-A1'獲得的剖面圖。圖2C是沿圖2A中的線A2-A2'獲得的剖面圖。如圖2C中所示，電極201是反射電極101或透明電極102中的任何一個，且成為確定區域中的透明電極或反射電極中的任何一個。因此，在區域的中央層的數目可能會增加。
即，透明電極102可以與反射電極101的一部分或整體接觸。
注意，在一個像素中，儘管需要將電場施加到液晶，但最好不要反射電極101和透明電極102處於浮置狀態。因此，如圖2A和2C中所示，至少一部分反射電極和至少一部分透明電極電連接。如圖2B、1A和1B中所示，可以分離地設置反射電極101和透明電極102，並且在其間設置縫隙(電極的間隙、間隔等)。
接著，說明在反射電極101和透明電極102與單元間隙調整膜103的邊界部分之間的距離。藉由採用透射區的透明電極102來控制液晶分子106。作為一種用於控制液 晶分子傾斜的方向的方法，採用電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜103。如圖3A和3B中所示，可以縮短在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2。
另一個方面，藉由採用反射電極101來控制液晶分子306。作為一種用於控制液晶分子306傾斜的方向的方法，只採用電極的縫隙105(間隙、間隔等)。因此，就需要增大在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極101之間的距離d1。在距離d1小的情況下，由於液晶分子306不完全受反射電極101的控制，所以液晶分子就會向不需要的方向傾斜。在上述觀點中，在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極101之間的距離d1較佳的大於在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2。
此外，作為與單元間隙調整膜的厚度d3的關係，較佳的，單元間隙調整膜的厚度d3小於在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極101之間的距離d1。藉由使在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極101之間的距離d1大於單元間隙調整膜的厚度d3，就能夠將單元間隙調整膜103的上表面製造得平坦，且能夠充分控制液晶分子306。
藉由採用透射區的透明電極102來控制液晶分子106。作為一種用於控制液晶分子106傾斜的方向的方法，採用電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調 整膜103。因此，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2可為小，或者距離d2可為0。此外，代替在反射電極101和透明電極102之間設置單元間隙調整膜103的邊界部分，如圖4A和4B中所示，可以在反射電極101和單元間隙調整膜103的邊界部分之間設置透明電極102。作為一種用於控制使液晶分子106傾斜的方向的方法，由於採用電極的縫隙105(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜103，所以如圖4A和4B中所示，甚至在反射電極101和單元間隙調整膜103的邊界部分之間設置透明電極102的情況下，也可以適當地使液晶分子106取向，而不會產生任何問題。
儘管圖4A和4B是在單元間隙調整膜103之上形成的透明電極102的示意圖，但結構不限於此。如圖5A和5B中所示，可以在單元間隙調整膜103之下設置透明電極102。注意，圖4A和5A是頂視平面佈局圖。圖4B和5B是分別沿圖4A和5A的線A1-A1'獲得的剖面圖。
在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2'較佳的小於單元間隙調整膜的厚度d3。這是因為當d2'大於d3時，d2'完全包含於反射區中。
因為需要一定的厚度，較佳的，單元間隙調整膜由包含有機材料的材料形成。包含有機材料的材料較佳的包括例如丙烯酸酯、聚醯亞胺或聚碳酸酯。因為光穿過液晶部分的距離較佳的在反射區和透射區中相同，所以較佳的單元間隙調整膜的厚度大致為液晶的單元間隙的一半。注 意，由於光通常傾斜進入，所以不需要是它的完全一半。較佳的在大約±10%範圍之內的液晶的大約一半單元間隙。由於液晶的單元間隙為3~6 μm，所以較佳的單元間隙調整膜的厚度d3為1.1~3.3 μm。然而，單元間隙調整膜的厚度不限於此，且單元間隙調整膜可以具有能提供相似效果的厚度。
較佳的，透明電極102由具有高透射係數的導電材料形成，因為需要它透射光。例如，較佳的，採用氧化銦-氧化錫(ITO，銦錫氧化物)、氧化銦-氧化鋅(IZO)或多晶矽。較佳的，反射電極101由具有高反射係數的導電材料形成，因為需要它反射光。例如，較佳的，採用Al、Ti或Mo。較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2為0~1.1 μm。較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極102之間的距離d2'為0~1.1 μm。較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極101之間的距離d1為1.1~6 μm，由於大部分反射電極101較佳的在單元間隙調整膜103之上形成。然而，不限於此。
(實施例模式2)
本實施例模式說明除了在實施例模式1中所述的在單元間隙調整膜103之上形成反射電極101的情況之外的一個實例。
圖6A是頂視平面佈局圖。圖6B是圖6A的剖面圖。 如圖6A中所示，在設置反射電極601、透明電極602、透明電極102、電極的縫隙605(間隙、間隔等)的情況下，大致平行地排列反射電極601、透明電極602和透明電極102，同樣平行地排列電極的縫隙605(間隙、間隔等)。大致與其平行地排列單元間隙調整膜(它的邊界部分)103。在反射電極601和透明電極102之間設置單元間隙調整膜103的邊界部分。如圖6B中所示，在下層104之上形成反射電極601，在反射電極601之上形成單元間隙調整膜103。在下層104之上形成透明電極602。
在反射區中，藉由反射電極601反射光，因此光就穿過單元間隙調整膜103。然而，根據折射係數，因為單元間隙調整膜103由各向同性材料形成，所以就不會改變光的偏轉狀態。因此，即使當光穿過單元間隙調整膜103時，也幾乎不受到影響。藉由採用在單元間隙調整膜103之上的透明電極602來控制液晶。
較佳的，電連接透明電極602和透明電極102，以用作一個像素電極且將電場施加到液晶。另一方面，因為為了反射光而設置反射電極601，所以就不需要反射電極601電連接透明電極602和透明電極102。然而，在採用反射電極601用作儲存電容器的電極的情況下，反射電極601可電連接透明電極602和透明電極102。
較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極602之間的距離d1'與在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極601之間的距離d1大致相同。注意，因為 反射電極601反射更多的光，所以較佳的，反射電極601大於控制液晶分子的透明電極602。較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極602之間的距離d1'大於在單元間隙調整膜103的邊界部分和反射電極601之間的距離d1。較佳的，在單元間隙調整膜103的邊界部分和透明電極602之間的距離d1'為1.1~7 μm。然而，不限於此。
注意，不需要在下層104之上設置反射電極601。僅僅為了反射光，設置反射區中的反射電極601；因此，可以在下層104之中或之下設置反射電極601。
此外，可以設置多個反射電極601。例如，可以在下層104之上設置反射電極601的一部分，並且可在下層104中設置反射電極601的另一部分。
也可以採用反射電極作為用於另一個目的的電極。例如，也可以採用反射電極作為用於形成儲存電容器的電極。
注意，本實施例模式中的說明是其一部分被改變的實施例模式1中的說明。因此，實施例模式1中的說明可以應用於本實施例模式中的說明。
(實施例模式3)
雖然對實施例模式1和2中的反射電極是平坦的情況進行了說明，但不限於此。當反射電極非平坦時，光就會漫射；因此，整個亮度被平均，並且在進行反射模式顯示 的情況下能夠獲得清晰的影像。
圖7A和7B顯示反射電極具有非平坦部分的情況的一個實例。單元間隙調整膜703的上表面具有非平坦部分。結果，在單元間隙調整膜703之上形成的反射電極701具有非平坦部分。注意，因為大的非平坦部分會影響液晶傾斜的方向，所以非平坦部分最好不要太大。因此，較佳的，單元間隙調整膜703的突出部分的厚度d4小於單元間隙調整膜703的厚度d3。例如，較佳的，單元間隙調整膜703的突出部分的厚度d4為0.5 μm或更小。然而，不必限於此。
此外，如圖7A中所示，較佳的與電極的縫隙105(間隙、間隔等)、透明電極102和反射電極701大致平行地排列單元間隙調整膜703的突出部分。藉由大致平行地排列，能夠減少液晶取向的無序，就可被漫射光。
注意，在單元間隙調整膜703的突出部分的厚度d4小的情況下，如圖8A中所示，可隨機地排列單元間隙調整膜703的突出部分。圖8B是沿圖8A中的線A1-A1'獲得的剖面圖。
單元間隙調整膜703可具有疊置層結構。例如，藉由形成平坦部分和在平坦部分之上的非平坦部分，來形成單元間隙調整膜703。
藉由在單元間隙調整膜703之上形成物體並在其之上形成反射電極701，就可以形成非平坦性。該物體不是單元間隙調整膜703。例如，可以藉由根據非平坦性形成透 明電極並在其上形成反射電極701來形成非平坦部分。
如圖6A和6B中所示，在單元間隙調整膜之下形成反射電極的情況下，可以藉由使反射電極的表面非平坦來使光漫射。這種情況如圖9A和9B中所示。下層904設置有非平坦部分，在下層904之上形成反射電極901，在反射電極901之上形成單元間隙調整膜903。在單元間隙調整膜903之上形成透明電極602。透明電極602是平坦的，以致不會干擾其上液晶的取向。藉由採用這種結構，就能夠漫射光而不會干擾液晶分子的取向。
例如，較佳的，下層904的突出部分的厚度d5為1.0 μm或更小。因此，光就能夠充分漫射。然而，不必限於此。
在圖9A中，雖然與電極的縫隙605(間隙、間隔等)、透明電極102、反射電極901和透明電極602大致平行地排列下層904的突出部分，但不必限於此。如圖10A中所示，可以隨機地排列反射電極901的突出部分。較佳的，進行隨機排列，因為能夠獲得光漫射的顯著效果。注意，圖9B和10B是分別沿圖9A和10A的線A3-A3'獲得的剖面圖。
如圖9A、9B、10A和10B中所示，在下層904設置有非平坦部分的情況下，突出部分可以由包含有機材料的材料形成。較佳的，包含有機材料的材料包括：例如，丙烯酸酯，聚醯亞胺或聚碳酸酯。可選擇地，可以依據非平坦部分來形成佈線、電極等，在其上採用具有低平坦性的 膜形成中間層膜。例如，在佈線或電極之上設置含有氧化矽或氮化矽的膜，由此形成下層904的非平坦部分。
注意，本實施例模式中的說明是其一部分改變或改進了的實施例模式1和2的說明。因此，實施例模式1和2中的說明可以應用於本實施例模式中的說明。
(實施例模式4)
在如上所述的實施例模式中，說明了在反射區和透射區之間的邊界部分。在本實施例模式中，也說明反射區和透射區之一等。
圖11A是頂視平面佈局圖。圖11B是沿圖11A的線A4-A4'和A5-A5'獲得的剖面圖。如圖11A和11B中所示，在反射區和透射區中形成電極的縫隙(間隙、間隔等)。當反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)與透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)相比時，較佳的，反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6大於透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬度d7。如圖11B中所示，藉由在反射區中採用電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)來控制液晶分子1106a和1106b，同時藉由在透射區中採用電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)來控制液晶分子1106c和1106d。在此情況下，在反射區中，液晶的單元間隙小於透射區中的單元間隙，因為具有單元間隙調整膜103；因此，除非將電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)製造得更 大，否則電場畸變不夠大。此外，在液晶分子的相對側上的電極設置有取向膜，由此就能夠控制液晶分子的取向。當液晶的單元間隙小時，就難於藉由施加電場來移動液晶分子，因為相對側的電極的取向膜的影響大。對於如上所述的原因，較佳的，反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6大於透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬度d7。
如圖12A和12B中所示，當在反射區和透射區之間的邊界部分中的電極的縫隙1205a(間隙、間隔等)的寬度d8與透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬度d7相比，較佳的，寬度d8大於寬度d7。這是因為寬度d8包括控制反射區中的液晶的功能。為了充分地控制液晶，就需要寬度d8大。注意，圖12A是頂視平面佈局圖。圖12B是沿圖12A中的線A6-A6'獲得的剖面圖。
如圖13A和13B中所示，當在反射區和透射區之間的邊界部分中的電極的縫隙1205a(間隙、間隔等)的寬度d8與透射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6相比，較佳的，寬度d8幾乎等於寬度d6。這是因為兩個寬度都包括對反射區中液晶的控制。注意，圖13A是頂視平面佈局圖。圖13B是沿圖13A中的線A7-A7'獲得的剖面圖。
例如，較佳的，在反射區和透射區之間的邊界部分中的電極的縫隙1205a(間隙、間隔等)的寬度d8為1.1~ 10.0 μm。較佳的，反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6為1.1~10.0 μm。較佳的，透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬度d7為1.0~9.0 μm。然而，它們不限於此。
注意，本實施例模式中的說明是其一部分被改變、改進或詳盡說明的實施例模式1~3的說明。因此，實施例模式1~3中的說明可以應用於本實施例模式中的說明。
(實施例模式5)
按照一個方向使圖1A和1B中所述的液晶分子106傾斜。然而，在一個像素中的液晶分子僅僅在一個方向傾斜的情況下，視角就會狹窄。即，當從一定的方向觀看時，因為液晶分子傾斜的方向根據觀察點而不同，因而就改變液晶看上去的樣子。
最好不要使液晶分子僅僅在一個方向傾斜，但較佳的，使它們在各個方向傾斜。即，較佳的，使用多域結構並具有多個區，從而設置液晶分子傾斜的多個方向。例如，在液晶分子按照一定的方向傾斜的情況下，較佳的形成液晶在相對方向傾斜的區域。
可以在電極部分之上設置凸起(突出部分)或縫隙(間隙、間隔等)，致使液晶在相對方向傾斜。
圖14A和14B是在液晶向右側傾斜的情況下並在液晶向與單元間隙調整膜103相鄰的部分中的左側傾斜的情況下的結構圖。注意，圖14A是頂視平面佈局圖。圖14B 是沿圖14A的線A8-A8'獲得的剖面圖。藉由在反射電極101的兩個側面之上平行地設置電極的縫隙1405a和1105b(間隙、間隔等)，就能夠與液晶分子1406a和1406b類似地每個液晶分子彼此在相對的方向傾斜。因此，就能夠平均液晶分子看上去的樣子，並能夠增大視角。
注意，在圖14A和14B中，儘管液晶在其上傾斜的平面是與A8-A8'相同的平面，但不限於此。如圖15A、15B、15C和15D中所示，剖面A9-A9'和剖面A10-A10'可以彼此垂直地排列，其可以增大視角。注意，圖15A和15B是頂視平面佈局圖。圖15C是沿圖15A的線A9-A9'獲得的剖面圖。圖15D是沿圖15C的線A10-A10'獲得的剖面圖。
此外，可以組合圖15A、15B、15C和15D以及圖14A和14B。即，可以設置液晶分子以便在類似於剖面A9-A9'和剖面A10-A10'的不同平面上移動，並且可以設置相同平面上的液晶分子以與剖面A8-A8'類似的各個方向傾斜。
在液晶分子傾斜並具有如花開放的自一個點的徑向圖形的情況下，在與另一個相鄰區域的邊界處製造其中大多數液晶分子向各個方向傾斜的區域；因此，就會發生液晶分子取向的無序。然而，在本發明中，在平行延伸的區域中對準液晶；因此，就幾乎不會發生液晶分子取向的無序。
注意，本實施例模式中的說明是其一部分被改變、改進或詳盡說明的實施例模式1~4的說明。因此，實施例模式1~4中的說明可以應用於本實施例模式中的說明。
(實施例模式6)
在如上所述的實施例模式中說明了在一側上的電極。實際上，橫過液晶在相對側上設置電極和基板。為了使液晶分子易於傾斜，就需要將電極部分上的凸起、電極的縫隙(間隙、間隔等)等設置在該相對基板之上。
圖16A和16B顯示一個實例，其中在相對基板1604之上設置電極的縫隙1605(間隙、間隔等)。圖16A是頂視平面佈局圖。圖16B是沿圖16A的線A11-A11'獲得的剖面圖。如圖16B中所示，在相對基板1604之上設置透明電極1601和1602等，不需要它反射光。較佳的，在相對基板1604上的電極的縫隙1605(間隙、間隔等)大致排列在反射電極101和透明電極的中央。因此，就能夠均勻地排列向每一個方向傾斜的液晶分子1606。
此外，如其在平面圖的圖16A中所示，在相對基板1604上的電極的縫隙1605(間隙、間隔等)和在相對基板上的透明電極1601和1602與電極的縫隙105(間隙、間隔等)、透明電極102和反射電極101大致平行地排列。因此，因為藉由其間夾有液晶的兩個基板來適當控制液晶傾斜的方向，所以就能夠減少液晶取向的無序。
接著，圖17A和17B顯示在相對基板1604上設置凸 起1705的情況。圖17A是頂視平面佈局圖。圖17B是沿圖17A的線A11-A11'獲得的剖面圖。如其作為剖面圖的圖17B中所示，設置透明電極1701以便覆蓋凸起1705。然而，不限於此。可以在凸起1705和相對基板1604之間設置透明電極。在與液晶分子接觸的部分設置取向膜。因此，在圖17B的情況下，設置取向膜以便覆蓋透明電極1701。較佳的，在相對基板之上的凸起1705排列在反射電極101和透明電極的大致中央。因此，均勻地排列向每一個方向傾斜的液晶分子1706。
此外，如其作為平面圖的圖17A中所示，在相對基板1604之上的凸起1705與電極的縫隙105(間隙、間隔等)、透明電極102和反射電極101大致平行地排列。因此，因為藉由其間夾有液晶的兩個基板來適當控制液晶傾斜的方向，所以就能夠減少液晶取向的無序。
接著，參照圖18中所示的剖面圖，對電極的縫隙(間隙、間隔等)的寬度進行說明。在圖18中，當在反射區中的相對基板1604上的透明電極的縫隙1805b(間隙、間隔等)的寬度d10與透射區中的相對基板1604之上的透明電極的縫隙1805a(間隙、間隔等)的寬度d9相比，較佳的，寬度d9小於寬度d10。寬度d9和寬度d10之間的關係類似於反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6和透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬度d7之間的關係。
反射區中液晶的單元間隙小於透射區中液晶的單元間 隙，因為具有單元間隙調整膜103；因此，除非將電極的縫隙1805b(間隙、間隔等)製造得大，電場的畸變不夠。因此，較佳的，反射區中的電極的縫隙1805b(間隙、間隔等)的寬度d10大於透射區中的電極的縫隙1805a(間隙、間隔等)的寬度d9。
此外，較佳的，圖13A和13B中所示的反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6大致等於圖18中所示的反射區中相對基板1604上的電極的縫隙1805b(間隙、間隔等)的寬度d10。這是因為如果寬度d6和寬度d10相同，那麽就能夠提高對稱特性並均勻地排列液晶；因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
類似地，較佳的，圖12A和12B中所示的透射區中的電極的縫隙1205b(間隙、間隔等)的寬度d7大致等於圖18中所示的透射區中的電極的縫隙1805a(間隙、間隔等)的寬度d9。這是因為如果寬度d6和寬度d9相同，那麽就能夠提高對稱特性並均勻地排列液晶；因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
接著，參照圖19中所示的剖面圖，對電極部分的凸起的寬度進行說明。在圖19中，當在反射區中的相對基板1604上的凸起1905b的寬度d12與透射區中的相對基板1604上的凸起1905a的寬度d11相比，較佳的，寬度d11小於寬度d12。寬度d11和寬度d12之間的關係類似於反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6和透射區中的電極的縫隙1105b(間隙、間隔等)的寬 度d7之間的關係。
反射區中液晶的單元間隙小於透射區中液晶的單元間隙，因為具有單元間隙調整膜103；因此，除非將凸起1905b製造得更大，否則電場的畸變不夠。因此，較佳的，反射區中的凸起1905b的寬度d12大於透射區中的凸起1905a的寬度d11。
此外，較佳的，圖13A和13B中所示的反射區中的電極的縫隙1105a(間隙、間隔等)的寬度d6與反射區中相對基板1604上的凸起1905b的寬度d12大致相同。這是因為如果寬度d6和寬度d12相同，那麽就能夠提高對稱特性並均勻地排列液晶；因此，能夠降低液晶的取向缺陷。
類似地，較佳的，圖12A和12B中所示的反射區中的電極的縫隙1205b(間隙、間隔等)的寬度d7大致等於圖18中所示的透射區中相對基板1604上的凸起1905a的寬度d11。這是因為如果寬度d7和寬度d11相同，那麽就能夠提高對稱特性並均勻地排列液晶；因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
此外，相對基板1604可以具有非平坦性。光因非平坦性而散射；因此，就能平均整個亮度，並能夠獲得清晰的影像。即，當從任何方向觀看時，都能夠獲得具有一定亮度的液晶顯示裝置。結果，光就能夠很好地到達顯示器的觀衆，實質上就提高了亮度。
此外，相對基板1604設置有單元間隙調整膜。為了 使單元間隙調整膜的厚度更厚，藉由在其間夾有液晶的兩個側面上設置單元間隙調整膜，就容易調節膜厚。注意，如實施例模式3中所示，在相對基板1604之上設置的單元間隙調整膜可以具有非平坦性。
注意，本實施例模式中的說明通常用於實施例模式1~5中的說明。因此，實施例模式1~5中的說明可以與本實施例模式中的說明進行組合。
(實施例模式7)
圖20顯示在如上所述的下層104之上設置電晶體和各種佈線的情況下的頂視平面佈局圖。注意，圖20顯示使用底閘極電晶體作為電晶體的情況。在橫向方向上設置在相同層中由相同材料形成的閘極訊號線2001和電容器線2002。閘極訊號線2001的一部分用作電晶體的閘極電極。電容器線2002的一部分用作儲存電容器的電極。形成閘極絕緣膜以便覆蓋整個區域。注意，因為圖20是平面佈局圖，所以在圖20中未示出閘極絕緣膜。
在閘極絕緣膜之上形成矽2003。此部分用作電晶體，在其上設置相同層中由相同材料形成的源極訊號線2004、汲極電極2005和反射電極2006。在反射電極2006和電容器線2002之間形成儲存電容器。注意，作為儲存電容器的電極，可以使用像素電極2007來代替反射電極2006。形成中間層絕緣膜，覆蓋在源極訊號線2004、汲極訊號線2005和反射電極2006之上的整個區域。因為圖 20是頂視平面佈局圖，所以在圖20中未示出中間層絕緣膜。在中間層絕緣膜中設置接觸孔2008和2009。在反射區中的中間層絕緣膜之上形成單元間隙調整膜2010，在其上形成透明導電膜2011。
在圖20所示的佈局圖中，在反射電極2006之上形成單元間隙調整膜2010；因此，這裏採用圖6A和6B的情況。此外，在反射區中設置儲存電容器；因此，就能夠將透射區的面積製造得大。
如圖20的佈局圖中所示，形成一個區域，其中平行設置電極的縫隙(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜2010的邊界；因此，就能夠適當進行液晶的取向。此外，形成其中平行設置透明導電膜2011和單元間隙調整膜2010的邊界的區域；因此，能夠適當進行液晶的取向。
與圖14A、14B、15A、15B、15C和15D中所示類似地設置單元間隙調整膜2010、電極、縫隙等；因此，能夠增大視角。
圖21顯示沿圖20的線B1-B1'獲得的剖面圖。如圖21所示，在反射區中設置儲存電容器。也可以採用儲存電容器的兩個電極作為反射電極。注意，將圖20中未示出的閘極絕緣膜和中間層絕緣膜說明為圖21中的閘極絕緣膜2101和中間層絕緣膜2102。
接著，圖22顯示頂閘極電晶體情況下的佈局圖。設置矽2203，在其上形成閘極絕緣膜2301以覆蓋整個區 域。因為圖22是頂視平面佈局圖，所以在圖22中未說明閘極絕緣膜2301。在閘極絕緣膜2301之上，在橫向方向上設置在相同層中由相同材料形成的閘極訊號線2201和電容器線2202。在矽2203之上形成的閘極訊號線2201的一部分用作電晶體的閘極電極的功能。電容器線2202的一部分作為儲存電容器的電極的功能。其上形成中間層絕緣膜2302以便覆蓋整個區域。因為圖22是平面佈局圖，所以在圖22中未說明中間層絕緣膜2302。在中間層絕緣膜2302之上，形成在相同層中由相同材料形成的源極訊號線2204、汲極訊號線2205和反射電極2206。在反射電極2206和電容器線2202之間形成儲存電容器。注意，作為儲存電容器的電極，可以採用與矽2203相同層中的電極，並且可以在此電極和電容器線2002之間形成儲存電容器。在其上形成中間層絕緣膜2303，以便覆蓋整個區域。因為圖22是頂視平面佈局圖，所以在圖22中未說明中間層絕緣膜2303。在反射區中的中間層絕緣膜2303之上形成單元間隙調整膜2210，在其上形成透明導電膜2211。
在圖22中所示的佈局圖中，在反射電極2206之上形成單元間隙調整膜2210；因此，這裏採用圖6A和6B的情況。
此外，在反射區中設置儲存電容器；因此，就能夠增大透射區的面積。如此佈局圖中所示，設置其中平行地設置電極的縫隙(間隙、間隔等)和單元間隙調整膜2210 的邊界的區域；因此，適當地進行液晶的取向。此外，設置其中平行地設置透明導電膜2211和單元間隙調整膜2210的邊界的區域；因此，適當地進行液晶的取向。
與圖14A、14B、15A、15B、15C和15D中所示類似地設置單元間隙調整膜、電極、縫隙等；因此，就能夠增大視角。
圖23顯示沿圖22的線B2-B2'獲得的剖面圖。如圖23中所示，在反射區中設置儲存電容器。也可以採用儲存電容器的兩個電極作為反射電極。
注意，本實施例模式中的說明通常用於實施例模式1~6中的說明。因此，實施例模式1~6中的說明可以與本實施例模式中的說明進行組合。
(實施例模式8)
圖20和22顯示透明電極和反射電極的佈局圖的一個實例。接著，說明電極的一些實例。
圖24顯示電極的佈局圖的一個實例。在電極2411之上，在兩個傾斜方向上設置電極的縫隙2405(間隙、間隔等)。附圖標記2403a，2403b，2403c對應於單元間隙調整膜的邊界部分。在由虛線包圍的部分中設置單元間隙調整膜。與電極的縫隙2405(間隙、間隔等)大致平行地排列此邊界的大部分。因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
可以設置一個或多個單元間隙調整膜。即，可以只設 置單元間隙調整膜2403a，或者可以設置單元間隙調整膜2403b和單元間隙調整膜2403c的兩個膜。可選擇地，可以設置所有單元間隙調整膜2403a、2403b和2403c。單元間隙調整膜2403a具有兩個方向的縫隙，其向右上側方向傾斜和向左上側方向傾斜。因此，由於液晶分子傾斜的多個方向，可以增大視角。類似地，當使用單元間隙調整膜2403b和單元間隙調整膜2403c的兩個膜時，因為使液晶分子傾斜的多個方向，可以增大視角。
將存在單元間隙調整膜的一部分作為反射區，並在反射區中形成反射電極。在存在單元間隙調整膜處的部分中的電極2411就會變成反射電極。可選擇地，如圖21和23中所示，可以在單元間隙調整膜之下設置反射電極。不存在單元間隙調整膜的部分變成透射區。反射電極和透明電極都處於如圖2A~2C中所示的它們電連接為一個電極的情況且處於如圖6A和6B中所示的它們是不同電極的情況。
圖25中顯示電極的另一個實例。在電極2511中，在兩個傾斜方向上設置電極的縫隙2505(間隙、間隔等)。附圖標記2503對應於單元間隙調整膜的邊界。在由虛線包圍的一部分中設置單元間隙調整膜。與電極的縫隙2505(間隙、間隔等)大致平行地排列此邊界的大部分。因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
此外，如圖24中所示，電極的縫隙2505(間隙、間隔等)較長且沒有被切斷。因此，就能夠降低液晶的取向 缺陷。
注意，將存在單元間隙調整膜的部分作為反射區，並在反射區中形成反射電極。在存在單元間隙調整膜處的部分中的電極2511可用作反射電極。可選擇地，如圖21和23中所示，可以在單元間隙調整膜之下設置反射電極。不存在單元間隙調整膜的部分變成透射區。反射電極和透明電極都處於如圖2A~2C中所示的它們電連接為一個電極的情況且處於如圖6A和6B中所示的它們是不同電極的情況。
圖26中顯示電極的另一個實例。在電極2611處設置電極的縫隙2605(間隙、間隔等)。縫隙具有梳齒的形狀。可以沿著類似於穿過梳齒形狀的末梢的包絡來設置單元間隙調整膜2603a和2603b。注意，可以沿著梳齒的形狀來設置單元間隙調整膜2603a和2603b。在單元間隙調整膜2603a和2603b的由虛線包圍的一部分中設置單元間隙調整膜。與電極的縫隙2605(間隙、間隔等)或包絡大致平行地排列此邊界的大部分。因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
將存在單元間隙調整膜的部分變成反射區，並在反射區中形成反射電極。在存在單元間隙調整膜處的部分中的電極2611變成反射電極。可選擇地，如圖21和23中所示，可以在單元間隙調整膜之下設置反射電極。不存在單元間隙調整膜的部分變成透射區。反射電極和透明電極都處於如圖2A~2C中所示的它們電連接為一個電極的情況 且處於如圖6A和6B中所示的它們是不同電極的情況。
圖27中顯示電極的另一個實例。在電極2711中，電極的縫隙2705(間隙、間隔等)具有折線形狀，且設置在兩個傾斜方向上。附圖標記2703a和2703b對應於單元間隙調整膜的邊界部分。在由虛線包圍的部分中設置單元間隙調整膜。與電極的縫隙2705(間隙、間隔等)大致平行地排列此邊界的大部分。因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
可設置一個或多個單元間隙調整膜。即，可以只設置單元間隙調整膜2703a或單元間隙調整膜2703b，或者可以設置單元間隙調整膜2703a和單元間隙調整膜2703b的兩個膜。當使用單元間隙調整膜2703a和單元間隙調整膜2703b時，因為使液晶分子傾斜的多個方向，所以就能夠增大視角。
將存在單元間隙調整膜的部分作為反射區，並在反射區中形成反射電極。在存在單元間隙調整膜處的部分中的電極2711可以作為反射電極。可選擇地，如圖21和23中所示，可以在單元間隙調整膜之下設置反射電極。不存在單元間隙調整膜的部分變成透射區。反射電極和透明電極都處於如圖2A~2C中所示的它們電連接為一個電極的情況且處於如圖6A和6B中所示的它們是不同電極的情況。
圖28中顯示電極的另一個實例。在電極2811中，在兩個傾斜方向上設置電極的縫隙2805(間隙、間隔 等)。以樹枝生長於樹幹的方式設置電極2811。附圖標記2803對應於單元間隙調整膜的邊界部分。在由虛線包圍的部分中設置單元間隙調整膜。與電極2811大致平行地排列此邊界的大部分。因此，就能夠降低液晶的取向缺陷。
將存在單元間隙調整膜的部分作為反射區，並在反射區中形成反射電極。在存在單元間隙調整膜處的部分中的電極2811可以作為反射電極。可選擇地，如圖21和23中所示，可以在單元間隙調整膜之下設置反射電極。不存在單元間隙調整膜的部分變成透射區。反射電極和透明電極都處於如圖2A~2C中所示的它們電連接為一個電極的情況且處於如圖6A和6B中所示的它們是不同電極的情況。
注意，電極的佈局圖不限於在本實施例模式中所說明的佈局圖。
注意，本實施例模式中的說明通常用於實施例模式1~7中的說明。因此，實施例模式1~7中的說明可以與本實施例模式中的說明進行組合。
(實施例模式9)
圖21和23顯示在使用底閘極電晶體的情況下和在使用頂閘極電晶體的情況下的剖面結構圖。在本實施例模式中，說明另一種剖面結構圖。注意，剖面結構不限於本實施例模式中所述的剖面結構。
圖29顯示在使用底閘極電晶體的情況下的剖面圖的一個實例。閘極訊號線2901和電容器線2902在相同層中由相同材料形成。閘極訊號線2901的一部分作為電晶體的閘極電極的功能。電容器線2902的一部分作為儲存電容器的電極的功能。其上形成閘極絕緣膜2991。在閘極絕緣膜2991上形成矽2903。這部分作為電晶體的功能。在矽2903之上形成源極訊號線2904和汲極訊號線2905。電容器電極2906由與源極訊號線2904和汲極訊號線2905相同層中的相同材料形成。在電容器電極2906和電容器線2902之間形成儲存電容器。在源極訊號線2904、汲極訊號線2905和電容器電極2906之上形成中間層絕緣膜2992，其上形成單元間隙調整膜2910。
在圖29所示的結構中，至少從透射區中去除了單元間隙調整膜2910。可以從除了反射區之外的區域中去除單元間隙調整膜2910。在單元間隙調整膜2910之上形成反射電極2913。注意，不要求設置接觸電極2912。在反射電極2913之上形成透明電極2911。藉由在反射電極2913之上設置透明電極2911，就電連接透明電極2911和反射電極2913。
作為儲存電容器的電極，可以使用透明電極2911和反射電極2913來代替電容器電極2906。此時，因為為了使電容值更大，較佳的在各電極之間的絕緣膜盡可能薄，所以較佳的排除厚的材料。
在圖29中，儘管在反射電極2913之上形成透明電極 2911，但不限於此。可以在透射區域2911之上形成反射電極2913。
儘管在源極訊號線2904、汲極訊號線2905和電容器電極2906之上形成中間層絕緣膜2992，但不限於此。如果情況需要，設置中間層絕緣膜2992。
注意，在圖29中，雖然設置有反射電極2913，但不限於此。可以藉由共用汲極電極2905、它的相同層中的電極或佈線，電容器線2902、或它的相同層中的電極或佈線，或藉由形成新的電極，從而形成反射電極。
接著，在如圖9A和9B中所示的單元間隙調整膜之下形成具有非平坦性的反射電極的情況下，圖30顯示在使用底閘極電晶體的情況下的剖面圖的一個實例。閘極訊號線3001和電容器線3002在相同層中由相同材料形成。閘極訊號線3001的一部分作為電晶體的閘極電極的功能。電容器線3002的一部分作為儲存電容器的電極的功能。其上形成閘極絕緣膜3091。在閘極絕緣膜3091之上形成矽3003。此部分作為電晶體的功能。在矽3003之上形成源極訊號線3004和汲極訊號線3005。電容器電極3006由與源極訊號線3004和汲極訊號線3005在相同層中由相同材料形成。在電容器電極3006和電容器線3002之間形成儲存電容器。在源極訊號線3004、汲極訊號線3005和電容器電極3006之上形成中間層絕緣膜3092。
在中間層絕緣膜3092中設置多個接觸孔。反射電極3013可以藉由採用接觸孔具有非平坦性。在具有接觸孔 的中間層絕緣膜3092之上形成反射電極3013和連接電極3012。
在反射電極3013和連接電極3012之上形成單元間隙調整膜3010。注意，至少從透射區中去除單元間隙調整膜3010。可以從除了反射區的區域中去除單元間隙調整膜3010。在單元間隙調整膜3010之上形成透明電極3011。為了電連接透明電極3011，在單元間隙調整膜3010外側形成反射電極3013的一部分，此處反射電極3013連接到透明電極3011。
作為儲存電容器的電極，可以使用透明電極3011和反射電極3013來代替電容器電極3006。此時，因為為了使電容值大，較佳的在各電極之間的絕緣膜盡可能薄，所以較佳的排除厚的材料。
在圖30中，雖然設置有反射電極3013，但不限於此。可以藉由共用汲極電極3005、它的相同層中的電極或佈線，電容器線3002、或它的相同層中的電極或佈線，或藉由形成新的電極，從而形成反射電極。
接著，在如圖7A和7B中所示的單元間隙調整膜之上形成具有非平坦性的反射電極的情況下，圖31顯示在使用底閘極電晶體的情況下的剖面圖的一個實例。
閘極訊號線3101和電容器線3102在相同層中由相同材料形成。閘極訊號線3101的一部分作為電晶體的閘極電極的功能。電容器線3102的一部分作為儲存電容器的電極的功能。其上形成閘極絕緣膜3191。在閘極絕緣膜 3191之上形成矽3103。此部分作為電晶體的功能。
在矽3103之上形成源極訊號線3104和汲極訊號線3105。電容器電極3106在與源極訊號線3104和汲極訊號線3105相同層中由相同材料形成。在電容器電極3106和電容器線3102之間形成儲存電容器。在源極訊號線3104、汲極訊號線3105和電容器電極3106之上形成中間層絕緣膜3192，其上形成單元間隙調整膜3110。注意，至少從透射區中去除單元間隙調整膜3110。注意，可以從除了反射區的區域中去除單元間隙調整膜3110。
在單元間隙調整膜3110之上形成透明電極3011。為了電連接到反射電極3011，在反射區中形成透明電極3011。其上形成凸出部分3193。注意，可以在透明電極3011之下形成凸出部分3193。隨後形成反射電極3112。
在反射電極3112之下設置透明電極3011，由此就電連接到反射電極3112。
作為儲存電容器的電極，可以使用透明電極3011和反射電極3112來代替電容器電極3106。此時，因為為了使電容值大，較佳的在各電極之間的絕緣膜盡可能薄，所以較佳的排除厚的材料。
在圖31中，雖然在透明電極3011之上形成反射電極3112，但不限於此。可以在反射電極3112之上形成透明電極3011。
雖然在源極訊號線3104、汲極訊號線3105和電容器電極3106之上形成中間層絕緣膜3192，但不限於此。如 果情況需要，可設置中間層絕緣膜3192。
注意，在本實施例模式中，雖然對作為底閘極電晶體的通道蝕刻型電晶體進行說明，但不限於此。可以使用在通道的上部形成保護膜的通道保護型(通道終止型)電晶體。
接著，圖32顯示使用頂閘極電晶體的情況下的剖面圖的一個實例。
設置矽3203，其上形成閘極絕緣膜3291。閘極訊號線3201和電容器線3202在閘極絕緣膜3291之上在相同層中由相同材料形成。在矽3202之上設置的閘極訊號線3201的一部分作為電晶體的閘極電極的功能。電容器線3202作為儲存電容器的電極的功能。其上形成中間層絕緣膜3292。源極訊號線3204、汲極訊號線3205和電容器電極3206在中間層絕緣膜3292之上的相同層中由相同材料形成。在電容器電極3206和電容器線3202之間形成儲存電容器。注意，作為儲存電容器的電極，可以採用與矽3203相同層中的電極，並且在此電極和電容器線3202之間形成儲存電容器。其上形成單元間隙調整膜3210。注意，至少從透射區中去除單元間隙調整膜3210。可以從除了反射區之外的區域中去除單元間隙調整膜3210。
在單元間隙調整膜3210之上形成透明電極3211。為了電連接到反射電極3213，在反射區中形成透明電極3211。在透明電極3211之上形成反射電極3213。
在反射電極3213之下設置透明電極3211，由此就電 連接到反射電極3113。
作為儲存電容器的電極，可以使用透明電極3211和反射電極3213來代替電容器電極3206。此時，因為為了使電容值大，較佳的在各電極之間的絕緣膜盡可能薄，所以較佳的排除厚的材料。
注意，在圖32中，雖然在透明電極3211之上形成反射電極3213，但不限於此。可以在反射電極3213之上形成透明電極3211。
接著，在如圖9A和9B中所示的單元間隙調整膜之下形成具有非平坦性的反射電極的情況下，圖33顯示使用頂閘極電晶體的情況下的剖面圖的一個實例。
設置矽3303，其上形成閘極絕緣膜3391。閘極訊號線3301和電容器線3302在閘極絕緣膜3391之上的相同層中由相同材料形成。在矽3302之上設置的閘極訊號線3301的一部分作為電晶體的閘極電極的功能。電容器線3302的一部分作為儲存電容器的一個電極的功能。其上形成中間層絕緣膜3392。源極訊號線3304、汲極訊號線3305和電容器電極3306在中間層絕緣膜3392之上的相同層中由相同材料形成。在電容器電極3306和電容器線3302之間形成儲存電容器。注意，作為儲存電容器的電極，可以採用與矽3303相同層中的電極，並且在此電極和電容器線3302之間形成儲存電容器。
在源極訊號線3304、汲極訊號線3305和電容器電極3306等之上形成中間層絕緣膜3393。在中間層絕緣膜 3393中設置多個接觸孔。反射電極3313可以藉由採用接觸孔而具有非平坦性。在具有接觸孔的中間層絕緣膜3393之上形成反射電極3313和連接電極3214。
在反射電極3213和連接電極3314之上形成單元間隙調整膜3310。注意，至少從透射區中去除單元間隙調整膜3310。可以從除了反射區之外的區域中去除單元間隙調整膜3310。
在單元間隙調整膜3310之上形成透明電極3311。為了電連接到透明電極3311，在單元間隙調整膜3310之外形成反射電極3313的一部分，此處反射電極3313連接到透明電極3311。
注意，作為儲存電容器的電極，可以使用透明電極3311和反射電極3313來代替電容器電極3306。此時，因為為了使電容值大，較佳的在各電極之間的絕緣膜盡可能薄，所以較佳的排除厚的材料。
注意，在圖33中，雖然設置有反射電極3313，但不限於此。可以藉由共用汲極電極3305、它的相同層中的電極或佈線，電容器線3302、或它的相同層中的電極或佈線，或藉由形成新的電極，從而形成反射電極3313。
在本發明中，可以應用各種類型的電晶體，例如採用典型為非晶矽或多晶矽的非單晶半導體膜的薄膜電晶體(TFT)、藉由採用半導體基板或SOI基板而形成的MOS電晶體、接面型電晶體、雙極型電晶體、採用有機半導體或碳奈米管的電晶體或其他電晶體。此外，不限於其上設 置有電晶體的基板，並且可以採用單晶基板、SOI基板、玻璃基板等。
注意，較佳的，將薄膜電晶體用於本發明中使用的電晶體。當採用薄膜電晶體時，可以採用廉價且透明的玻璃基板作為基板。
注意，在本說明書中，半導體裝置是一種包含具有半導體元件(電晶體、二極體等)的電路的裝置。發光裝置是一種包含具有發光元件(有機EL元件、用於FED的元件等)的電路的裝置。顯示裝置是一種包含具有顯示元件(有機EL元件、液晶元件、DMD等)的電路的裝置。
注意，在本說明書中說明的剖面圖結構僅僅是一個實例，並且不限於此。可以藉由自由組合在實施例模式1~8中的說明來獲得各種結構。在本實施例模式中的說明是這些組合的一部分，而且可以實現各種組合。
(實施例模式10)
要求其上形成有單元間隙調整膜的基板和其間夾有液晶的相對基板保持一定的單元間隙。因此，需要設置一個間隔物。
在此情況下，通常採用一種方法，藉由此方法在整個基板之上展開珠狀(球狀)的間隔物並注入液晶。然而，在本發明中包含垂直對準的液晶的半透射型液晶的情況下，因為單元間隙在透射區中和在反射區中不同，所以珠狀(球狀)的間隔物就不能保持單元間隙。
因此，如圖34和35中所示，較佳的，在單元間隙調整膜103之上或在其由與單元間隙調整膜103相同的層形成的膜之上，形成間隔物3401和間隔物3501。在此情況下，間隔物3401和間隔物3501用於使液晶分子按照特定方向傾斜。因此，較佳的，不在間隔物3401和間隔物3501附近設置電極的縫隙(間隙、間隔等)和凸起1905a。
要求間隔物3401和間隔物3501為厚膜；因此，較佳的，由含有有機材料的材料形成。含有有機材料的材料較佳的包括例如丙烯酸酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯等。此外，間隔物可以由類似於單元間隙調整膜的材料形成或藉由採用濾色器等形成。即，適當疊置用於濾色器或凸起的每一種顏色的層，以便作為間隔物的功能。
藉由這種間隔物3401和間隔物3501，就能夠保持在其上形成有單元間隙調整膜的基板和相對基板之間的一定的單元間隙。注意，在圖34和35中，在相對基板之上分別形成透明電極1601和1701。
此外，除了為了保持一個單元間隙的最小所需間隔物之外而設置的間隔物3401和間隔物3501可以高於或低於保持該單元間隙的間隔物。
本發明中的液晶材料不限於垂直對準的液晶。可以使用水平對準的液晶、TN液晶、IPS液晶或鐵電液晶。
注意，在本實施例模式中的說明通常用於實施例模式1~9中的說明。因此，實施例模式1~9中的說明可以與 本實施例模式中的說明進行組合。
(實施例模式11)
在本實施例模式中，對一種用於藉由採用電漿處理來製造半導體裝置的方法進行說明，該方法是關於一種用於製造包含電晶體的半導體裝置的方法。
圖36A~36C顯示含有電晶體的半導體裝置的一個結構實例的視圖。注意，圖36B對應於沿圖36A的線a-b獲得的剖面圖，並且圖36C對應於沿圖36A的線c-d獲得的剖面圖。
圖36A~36C中所示的半導體裝置包括：在基板4601之上形成的半導體膜4603a和半導體膜4603b，其間夾有絕緣膜4602；在半導體膜4603a和半導體膜4603b之上形成的閘極電極4605，其間夾有閘極絕緣膜4604；形成以便覆蓋閘極電極的絕緣膜4606和絕緣膜4607；導電膜4608，其電連接到半導體膜4603a和半導體膜4603b的源區或汲區並在絕緣膜4607之上形成。注意，儘管圖36A~36C顯示設置採用半導體膜4603a的一部分作為通道區的n-通道電晶體4610a和採用半導體膜4603b的一部分作為通道區的p-通道電晶體4610b的情況，但結構不限於此。例如，在圖36A~36C中，儘管在n-通道電晶體4610a中設置且在p-通道電晶體4610b中不設置LDD區，可以應用其中在兩個電晶體中設置LDD區的結構或其中在電晶體中都不設置LDD區的結構。
注意，在本實施例模式中，藉由電漿處理來氧化或氮化基板4601、絕緣膜4602、半導體膜4603a、半導體膜4603b、閘極絕緣膜4604、絕緣膜4606和絕緣膜4607的至少一層以至氧化或氮化半導體膜或絕緣膜，從而製造圖36A~36C中所示的半導體裝置。按照這種方式，藉由電漿處理來氧化或氮化半導體膜或絕緣膜，修改半導體膜或絕緣膜的表面，並且絕緣膜可以形成為比藉由CVD方法或濺射方法形成的絕緣膜更加緻密；因此，就能夠減少例如針孔的缺陷，並且能夠提高半導體裝置的特性等。
注意，在本實施例模式中，參照附圖，對一種用於藉由進行對圖36A~36C中的半導體膜4603a和4603b或閘極絕緣膜4604的電漿處理並氧化或氮化半導體膜4603a和4603b或閘極絕緣膜4604來製造半導體裝置的方法進行說明。
至於在基板之上形成的島形半導體膜，對島形半導體膜的邊緣部分設置有接近直角形的形狀的情況進行說明。
首先，在基板4601之上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖37A)。可以藉由採用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等，在預先在基板4601之上形成的絕緣膜4602之上形成非晶半導體膜，該非晶半導體膜由含有矽(Si)作為主要成分(例如，Six Ge1-x 等)等的材料形成，藉由結晶該非晶半導體膜並藉由蝕刻該半導體膜的一部分，來設置島形半導體膜4603a和4603b。注意，可以藉由結晶化方法例如雷射結晶化方法、採用RTA或退 火爐的熱結晶化方法、採用促進結晶的金屬元素的熱結晶化方法、其組合的方法等，進行非晶半導體膜的結晶化。注意，在圖37A~37D中，將島形半導體膜4603a和4603b的邊緣部分形成為具有大約90°(θ=85~100°)的角度。注意，角度θ表示半導體膜側的角度，其由島形半導體膜和絕緣膜4602的側面形成。
接著，藉由利用電漿處理來氧化或氮化半導體膜4603a和4603b，在半導體膜4603a和4603b的各表面上，形成氧化膜或氮化膜4621a和4621b(此後，也稱為絕緣膜4621a和絕緣膜4621b)(圖37B)。例如，在將Si用於半導體膜4603a和4603b的情況下，將氧化矽(SiOx )或氮化矽(SiNx )形成為絕緣膜4621a和絕緣膜4621b。此外，可以藉由電漿處理氧化半導體膜4603a和4603b，然後藉由再次進行電漿處理，氮化半導體膜4603a和4603b。在此情況下，與半導體膜4603a和4603b接觸地形成氧化矽(SiOx )，並且在氧化矽的表面上形成氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)。注意，在藉由電漿處理來氧化半導體膜的情況下，在氧氣氣氛下進行電漿處理(例如，在氧氣(O2 )和至少一種惰性氣體(He、Ne、Ar、Kr、Xe)的氣氛下、在氧氣、氫氣(H2 )和惰性氣體的氣氛下、或在一氧化二氮和惰性氣體的氣氛下)。另一方面，在藉由電漿處理來氮化半導體膜的情況下，在氮氣氣氛下進行電漿處理(例如，在氮氣(N2 )和至少一種惰性氣體(He、Ne、Ar、Kr、Xe)的氣氛下、在氮氣、氫氣 (H2 )和惰性氣體的氣氛下、或在NH3 和惰性氣體的氣氛下)。作為惰性氣體，例如，可以採用Ar。而且，可以採用Ar和Kr的混合氣體。因此，絕緣膜4621a和4621b含有用於電漿處理的惰性氣體(含有He、Ne、Ar、Kr、Xe中的至少一種)。在採用Ar的情況下，絕緣膜4621a和4621b含有Ar。
此外，在含有上述氣體的氣氛下，利用條件：電漿電子密度範圍從1×1011 ~1×1013 cm-3 和電漿電子溫度範圍從0.5~1.5eV，進行電漿處理。由於電漿電子密度高且在基板4601之上形成的處理物體(這裏，半導體膜4603a和4603b)附近的電子溫度低，所以就能夠防止電漿對處理物體的損傷。此外，由於電漿電子密度高達1×1011 cm-3 或更高，所以與藉由CVD方法、濺射方法等形成的膜相比、藉由電漿處理來氧化或氮化處理物體而形成的氧化膜或氮化膜的厚度均勻性等以及緻密性就優異。而且，由於電漿電子溫度低至1eV或更低，所以與習知電漿處理或熱氧化相比、就能夠在更低的溫度下進行氧化或氮化。例如，甚至在低於玻璃基板的應變點100°或更多的溫度下進行電漿處理，也能夠充分地進行氧化或氮化。注意，作為用於產生電漿的頻率，可以採用高頻波例如微波(2.45 GHz)。注意，除非特殊要求，可以採用上述條件來進行電漿處理。
接著，形成閘極絕緣膜4604，以便覆蓋絕緣膜4621a和4621b(圖37C)。可以藉由濺射方法、LPCVD方法、 電漿CVD方法等來形成閘極絕緣膜4604，並且閘極絕緣膜4604設置有含有氧或氮例如氧化矽(SiOx )、氮化矽(SiNx )、氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)或氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)的絕緣膜的單層結構或疊層結構。例如，在將Si用於半導體膜4603a和4603b的情況下，藉由電漿處理來氧化Si，從而在半導體膜4603a和4603b的表面上形成作為絕緣膜4621a和4621b的氧化矽，將氧化矽(SiOx )形成為在絕緣膜4621a和4621b之上的閘極絕緣膜。此外，在圖37B中，在藉由電漿處理氧化或氮化半導體膜4603a和4603b來形成的絕緣膜4621a和4621b足夠厚的情況下，就可以採用絕緣膜4621a和4621b作為閘極絕緣膜。
接著，藉由在閘極絕緣膜4604之上形成閘極電極4605等，就能夠製造出含有其採用島形半導體膜4603a和4603b作為通道區的n-通道電晶體4610a和p-通道電晶體4610b的一種半導體裝置(圖37D)。
按照這種方式，藉由在半導體膜4603a和4603b之上設置閘極絕緣膜4604之前，藉由電漿處理氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的表面，就能夠防止在閘極電極和半導體膜之間的短路，該短路可能由在通道區的邊緣部分4651a和4651b處的閘極絕緣膜4604的覆蓋缺陷等引起。即，在島形半導體膜的邊緣部分具有大約90°(θ=85~100°)的角度的情況下，當藉由CVD方法、濺射方法等來形成閘極絕緣膜以便覆蓋半導體膜時，半導體膜的邊 緣就不會被閘極絕緣膜正常覆蓋。然而，藉由電漿處理預先氧化或氮化半導體膜的表面，就能夠防止在半導體膜邊緣處的閘極絕緣膜的覆蓋缺陷等。
此外，在圖37A~37D中，在形成閘極絕緣膜4604之後，可以藉由進一步執行電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604。在此情況下，藉由對形成以便覆蓋半導體膜4603a和4603b(圖38A)的閘極絕緣膜4604進行電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604，在閘極絕緣膜4604(圖38B)的表面上形成氧化膜或氮化膜4623(此後，也稱為絕緣膜4623)。可以在與圖37B中的相同條件下進行電漿處理。此外，絕緣膜4623含有用於電漿處理的惰性氣體，例如，在將Ar用於電漿處理的情況下含有Ar。
此外，在圖38B中，藉由在氧氣氣氛中進行電漿處理一次氧化閘極絕緣膜4604，就在此步驟之後，藉由在氮氣氣氛中的電漿處理，氮化閘極絕緣膜4604。在此情況下，就在半導體膜4603a和4603b側上形成氧化矽(SiOx )或氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)，並且形成氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)以便與閘極電極4605接觸。隨後，藉由在絕緣膜4623之上形成閘極電極4605等，就能夠製造出具有其採用島形半導體膜4603a和4603b作為通道區的n-通道電晶體4610a和p-通道電晶體4610b的一種半導體裝置(圖38C)。按照這種方式，藉由利用電漿處理氧化或氮化閘極絕緣膜的表面，就能夠修飾閘極絕緣膜的表面，從而形成緻密膜。與藉由CVD方法或濺射方 法形成的絕緣膜相比，藉由電漿處理而獲得的絕緣膜就更加緻密且具有更少的缺陷例如針孔。因此，就能夠提高電晶體的特性。
注意，儘管圖38A~38C顯示藉由預先對半導體膜4603a和4603b進行電漿處理來氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的表面的情況，但可以使用不用對半導體膜4603a和4603b進行電漿處理而在形成閘極絕緣膜4604之後進行電漿處理的方法。按照這種方式，藉由在形成閘極電極之前進行電漿處理，即使在半導體膜的邊緣部分處產生閘極絕緣膜的覆蓋缺陷例如碎裂，也能夠氧化或氮化因覆蓋缺陷而導致的半導體膜的暴露部分；因此，就能夠防止因在半導體膜邊緣處的閘極絕緣膜的覆蓋缺陷而導致在閘極電極和半導體膜之間的短路等。
按照這種方式，甚至在島形半導體膜形成具有大約90°角度的邊緣的情況下，藉由利用電漿處理氧化或氮化半導體膜或閘極絕緣膜，就能夠防止因在半導體膜邊緣處的閘極絕緣膜的覆蓋缺陷而導致在閘極電極和半導體膜之間的短路等。
接著，至於在基板之上形成的島形半導體膜，圖39A~39D顯示島形半導體膜的邊緣部分設置有錐形(θ=30~85°)的情況。
首先，在基板4601之上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖39A)。可以藉由採用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等，在預先在基板4601之上形成的絕 緣膜4602之上形成非晶半導體膜，該非晶半導體膜由含有矽(Si)作為主要成分(例如，Six Ge1-x 等)等的材料形成，藉由結晶該非晶半導體膜，並藉由蝕刻和去除該半導體膜的一部分，來設置島形半導體膜4603a和4603b，該藉由結晶化方法結晶非晶半導體膜，例如雷射結晶化方法、採用RTA或退火爐的熱結晶化方法、採用促進結晶的金屬元素的熱結晶化方法、或其組合的方法等。注意，在圖39A~39D中，將島形半導體膜4603a和4603b的邊緣部分設置為具有錐形(θ=30~85°)。
接著，形成閘極絕緣膜4604，從而覆蓋半導體膜4603a和4603b(圖39B)。可以藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等來形成閘極絕緣膜4604，以便具有含有氧或氮例如氧化矽(SiOx )、氮化矽(SiNx )、氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)或氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)的絕緣膜的單層結構或疊層結構。
接著，藉由利用電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604，從而在閘極絕緣膜4604的表面上形成氧化膜或氮化膜4624(此後，也稱為絕緣膜4624)(圖39C)。可以在與上述說明的類似條件下進行電漿處理。例如，在將氧化矽(SiOx )或氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)作為閘極絕緣膜4604的情況下，藉由在氧氣氣氛下進行電漿處理，氧化閘極絕緣膜4604，由此就能夠在閘極絕緣膜的表面上形成比藉由CVD方法、濺射方法等形成的閘極絕緣膜具有更少缺陷例如針孔的緻密絕緣膜。另一個方面， 如果在氮氣氣氛下，藉由電漿處理來氮化閘極絕緣膜4604，那麽就將氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)設置為在閘極絕緣膜4604的表面上的絕緣膜4624。而且，藉由在氧氣氣氛下進行電漿處理一次來氧化閘極絕緣膜4604，在此步驟之後，就可以藉由在氮氣氣氛下的電漿處理來氮化閘極絕緣膜4604。此外，絕緣膜4624含有用於電漿處理的惰性氣體，例如，在採用Ar的情況下，絕緣膜4624就含有Ar。
接著，藉由在閘極絕緣膜4604之上形成閘極電極4605等，就能夠製造出含有採用島形半導體膜4603a和4603b作為通道區的n-通道電晶體4610a和p-通道電晶體4610b的一種半導體裝置(圖39D)。
按照這種方式，藉由對閘極絕緣膜進行電漿處理，就能夠在閘極絕緣膜的表面上設置由氧化膜或氮化膜形成的絕緣膜，並且能夠修飾閘極絕緣膜的表面。與藉由CVD方法或濺射方法形成的閘極絕緣膜相比，藉由利用電漿處理的氧化或氮化所獲得的絕緣膜就更加緻密且具有更少的缺陷例如針孔。此外，藉由形成具有錐形的半導體膜，就能夠抑制因在半導體膜邊緣處的閘極絕緣膜的覆蓋缺陷所導致的在閘極電極和半導體膜之間的短路等，藉由在形成閘極絕緣膜之後進行電漿處理，能夠更加有效地抑制在閘極電極和半導體膜之間的短路等。
接著，參照圖40A~40D，對不同於圖39A~39D中所示的半導體裝置的製造方法進行說明。具體地，展示選 擇性地對具有錐形的半導體膜進行電漿處理的情況。
首先，在基板4601之上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖40A)。可以藉由採用濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等，藉由在預先在基板4601之上形成的絕緣膜4602之上形成非晶半導體膜，該非晶半導體膜採用含有矽(Si)作為主要成分(例如，Six Ge1-x 等)等的材料，藉由結晶該非晶半導體膜，並藉由提供用作選擇性地蝕刻該非晶半導體膜的掩膜的抗蝕劑4625a和4625b，來設置島形半導體膜4603a和4603b。注意，可以藉由雷射結晶化方法、採用RTA或退火爐的熱結晶化方法、採用促進結晶的金屬元素的熱結晶化方法、或其組合的方法等，進行非晶半導體膜的結晶。
在去除用於蝕刻非晶半導體膜的抗蝕劑4625a和4625b之前，藉由電漿處理選擇性氧化或氮化島形半導體膜4603a和4603b的邊緣部分，由此在島形半導體膜4603a和4603b的每個邊緣部分上形成氧化膜或氮化膜4626(此後，也稱為絕緣膜4626)(圖40B)。可以在上述條件下進行電漿處理。此外，絕緣膜4626含有用於電漿處理的惰性氣體。
在去除抗蝕劑4625a和4625b之後，形成閘極絕緣膜4604來覆蓋半導體膜4603a和4603b(圖40C)。可以按照與上述說明相類似的方式來形成閘極絕緣膜4604。
藉由在閘極絕緣膜4604之上形成閘極電極4605等，就能夠製造出具有採用島形半導體膜4603a和4603b作為 通道區的n-通道電晶體4610a和p-通道電晶體4610b的一種半導體裝置(圖40D)。
當半導體膜4603a和4603b的邊緣部分具有錐形時，在半導體膜4603a和4603b的一部分中形成的通道區的邊緣部分4652a和4652b也會變成錐形，由此，在此部分中的半導體膜和閘極絕緣膜的厚度就不同於在中央部分中的厚度，這就會負面影響電晶體的性能。然而，藉由在半導體膜的邊緣部分上形成絕緣膜，就能夠減少因通道區的邊緣部分對電晶體的這種影響，這裏藉由電漿處理選擇性氧化或氮化通道區的邊緣部分來形成此絕緣膜。
雖然圖40A~40D顯示藉由電漿處理只氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的邊緣部分的一個實例，但也可以與圖39A~39D中所示相同，藉由電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604。
接著，參照圖41A~41D，對其不同於上述製造方法的半導體裝置的製造方法進行說明。具體地，顯示對具有錐形的半導體膜進行電漿處理的情況。
首先，按照與上述說明相同的方式，在基板4601之上形成島形半導體膜4603a和4603b(圖41A)。
藉由電漿處理氧化或氮化半導體膜4603a和4603b，由此分別在半導體膜4603a和4603b的表面之上形成氧化膜或氮化膜(此後，也稱為絕緣膜4627a和4627b)(圖41B)。可以在上述條件之下類似地進行電漿處理。例如，當採用Si作為半導體膜4603a和4603b時，就形成 氧化矽(SiOx )或氮化矽(SiNx )作為絕緣膜4627a和4627b。此外，在藉由電漿處理氧化半導體膜4603a和4603b之後，可以再次對半導體膜4603a和4603b進行電漿處理，從而被氮化。在此情況下，在半導體膜4603a和4603b之上形成氧化矽(SiOx )或氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)，並且在氧化矽的表面之上形成氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)。因此，絕緣膜4627a和4627b就含有用於電漿處理的惰性氣體。注意，藉由進行電漿處理同時氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的邊緣部分。
形成閘極絕緣膜4604來覆蓋絕緣膜4627a和4627b(圖41C)。藉由濺射方法、LPCVD方法、電漿CVD方法等形成閘極絕緣膜4604，以便具有含有氧或氮例如氧化矽(SiOx )、氮化矽(SiNx )、氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)或氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)的絕緣膜的單層結構或疊層結構。例如，當採用Si用於半導體膜4603a和4603b時，藉由電漿處理來氧化半導體膜4603a和4603b，從而形成作為絕緣膜4627a和4627b的氧化矽，將氧化矽(SiOx )形成為在絕緣膜4627a和4627b之上的閘極絕緣膜。
藉由在閘極絕緣膜4604之上形成閘極電極4605等，就能夠製造出具有採用島形半導體膜4603a和4603b作為通道區的n-通道電晶體4610a和p-通道電晶體4610b的一種半導體裝置(圖41D)。
當半導體膜的邊緣部分具有錐形時，在半導體膜的一 部分中形成的通道區的邊緣部分4653a和4653b也會變成錐形，這就會負面影響半導體元件的性能。藉由電漿處理氧化或氮化半導體膜，由此也會氧化或氮化通道區的邊緣部分；因此，就能夠減少對半導體元件的影響。
雖然圖41A~41D顯示藉由電漿處理只氧化或氮化半導體膜4603a和4603b的一個實例，毫無疑問，如圖39A~39D中所示，可以藉由電漿處理來氧化或氮化閘極絕緣膜4604(圖42B)。在此情況下，在氧氣氣氛下藉由電漿處理氧化閘極絕緣膜4604之後，可以再次對閘極絕緣膜4604進行電漿處理，從而被氮化。在這種情況下，就在半導體膜4603a和4603b之上形成氧化矽(SiOx )或氧氮化矽(SiOx Ny )(x>y)，並形成氮氧化矽(SiNx Oy )(x>y)，從而與閘極電極4605接觸。
此外，藉由按照上述方式進行電漿處理，就易於去除黏附到半導體膜和絕緣膜的雜質例如灰塵。通常地，灰塵(也稱為微粒)有時會黏附到藉由CVD方法、濺射方法等形成的膜上。例如，如圖43A中所示，有時，就會在藉由CVD方法、濺射方法等形成的絕緣膜4672之上形成灰塵4673，在膜4671、例如絕緣膜、導電膜或半導體膜之上形成該絕緣膜4672。即使在此情況下，藉由電漿處理氧化或氮化絕緣膜4672，並且在絕緣膜4672的表面之上形成氧化膜或氮化膜4674(此後，也稱為絕緣膜4674)。至於絕緣膜4674，氧化或氮化灰塵4673之下的部分以及其中不存在灰塵4673的部分，由此就增加絕緣 膜4674的體積。同樣藉由電漿處理來氧化或氮化灰塵4673的表面，從而形成絕緣膜4675，結果，也會增加灰塵4673的體積(圖43B)。
此時，藉由簡單清洗例如刷式清洗，就能夠容易地從絕緣膜4674的表面去除灰塵4673。按照這種方式，藉由進行電漿處理，也能夠容易地去除黏附到絕緣膜或半導體膜的極其微小的灰塵。注意，藉由進行電漿處理，能夠獲得這種效果，並且可以應用於其他實施例模式以及本實施例模式。
如上所述，藉由利用電漿處理進行氧化或氮化來修飾半導體膜或絕緣膜的表面，能夠形成具有良好膜品質的緻密絕緣膜。此外，能夠藉由清洗容易地去除黏附到絕緣膜表面的灰塵等。因此，甚至當形成更薄的絕緣膜時，也能夠避免缺陷例如針孔，並且能夠實現半導體元件例如電晶體的小型化和更高的性能。
雖然本實施例模式展示了對圖36A~36C中所示的半導體膜4603a和4603b或絕緣膜4604進行電漿處理以便氧化或氮化半導體膜4603a和4603b或絕緣膜4604的一個實例，但藉由電漿處理進行氧化或氮化的層不限於這些。例如，可以對基板4601或絕緣膜4602進行電漿處理，或者對絕緣膜4606或絕緣膜4607進行電漿處理。
注意，本實施例模式中的說明可以與上述實施例模式1~10進行自由組合。
(實施例模式12)
在本實施例模式中，參照圖49A~49F對包含於顯示裝置的像素結構進行說明。圖49A~49F中所示的每個像素包括：電晶體490，液晶元件491和儲存電容器492。將電晶體490的第一電極(源極電極和汲極電極之一)連接到源極訊號線500。將它的第二電極(源極電極和汲極電極中的另一個)連接到液晶元件491的像素電極和儲存電容器492的第一電極。電晶體490的閘極電極連接到閘極線501。儲存電容器492的第二電極連接到電容器線502。注意，液晶元件包括：像素電極，液晶層，相對電極493和單元間隙調整膜。
將類比電壓訊號(視頻訊號)提供給源極訊號線500。注意，視頻訊號可以是數位電壓訊號或電流訊號。
將H-位準或L-位準電壓訊號(視頻訊號)提供給閘極線501。注意，在採用n-通道電晶體作為電晶體490的情況下，H位準電壓訊號是能夠接通電晶體490的電壓，並且L位準電壓訊號是能夠關斷電晶體490的電壓。另一個方面，在採用p-通道電晶體作為電晶體490的情況下，L位準電壓訊號是能夠接通電晶體490的電壓，並且H位準電壓訊號是能夠關斷電晶體490的電壓。
注意，將一定的電源電壓提供給電容器線502。注意，可以將脈衝訊號提供給電容器線502。
對圖49A中像素的操作進行說明。這裏，對採用n-通道電晶體作為電晶體490的情況進行說明。首先，當閘 極線501變為H位準時，電晶體490就接通，並將視頻訊號從源極訊號線500經由處於導通(on)狀態的電晶體490提供給液晶元件491的第一電極和儲存電容器492的第一電極。藉由儲存電容器492維持在電容器線502的電位和視頻訊號的電位之間的電位差。
接著，當閘極線501變成L位準時，電晶體490關斷，且源極訊號線500與液晶元件491的第一電極和儲存電容器492的第一電極被電斷開。然而，藉由儲存電容器492維持在電容器線502的電位和視頻訊號的電位之間的電位差；因此，儲存電容器492的第一電極的電位就維持為與視頻訊號相類似的電位。因此，液晶元件491的第一電極的電位就維持為等於視頻訊號的電位。
如上所述，根據視頻訊號，就能夠依據液晶元件491的透射係數來控制亮度。
注意，儘管附圖中未示出，但如果液晶元件491包括足以維持視頻訊號的電容器元件，那麽就不需要儲存電容器492。
此外，液晶元件491是包含反射區和透射區的半透射型液晶元件。在反射區和透射區中，單元間隙根據單元間隙調整膜而不同。藉由採用單元間隙調整膜，顯示影像時能夠增大視角且能夠控制因液晶的無序取向導致的影像品質劣化；因此，就能夠獲得高顯示品質的半透射型液晶顯示裝置。
此外，如圖49B中所示，可以藉由兩個子像素511a 和511b來形成一個像素。這裏，通常藉由子像素511a和子像素511b來使用電容器線502。而且，液晶元件512和液晶元件513兩者都是上述的液晶元件491，即，包含反射區和透射區、或其中任意一個區的半透射型液晶顯示裝置。
如上所述，藉由將一個像素劃分為子像素，就能夠將不同電壓提供給每一個子像素。因此，就能夠進行區域灰度顯示，並且藉由在每個子像素中採用液晶的取向差能夠進一步增大視角。
此外，可以採用閘極線501作為如圖49C中所示的公共線，從而代替採用電容器線502作為如圖49B中所示的各子像素之間的公共線。而且，可以採用閘極電極501和電容器線502作為在各子像素之間的公共線，並且在每一個子像素中設置源極訊號線500a和500b。
此外，可以採用此處像素包含如圖49E和49F中所示的兩個液晶元件512和513來代替將一個像素劃分為多個子像素的一種結構。
注意，本實施例模式中的說明可以與上述方式1~11中的說明自由組合。此外，本發明的顯示裝置的像素結構不限於如上所述的各結構。
(實施例模式13)
圖44顯示含有顯示部分的行動電話的一個結構實例，對於該顯示部分使用本發明的顯示裝置和採用本發明 的驅動方法的顯示裝置。
將顯示面板5410可拆卸地組合在外殼5400中。可以根據顯示面板5410的尺寸適當地改變外殼5400的形狀和尺寸。固定顯示面板5410的外殼5400被裝入印刷電路板5401並組裝成一個模組。
藉由FPC 5411將顯示面板5410連接到印刷電路板5401。在印刷電路板5401之上，形成揚聲器5402、微音器5403、發射/接收電路5404以及含有CPU、控制器的訊號處理電路5405等。這種模組與輸入單元5406和電池5407組合，並採用機殼5409和機殼5412進行容納。設置顯示面板5410的像素部分，以至能從在外殼5412中形成的開口窗進行觀看。
可以按照這種方式來形成顯示面板5410，即藉由採用TFT在基板之上形成像素部分和週邊驅動電路(在多個驅動電路之中的具有低工作頻率的驅動器電路)的部分，同時在可以藉由COG(玻璃上晶片)被安裝在顯示面板5410上的IC晶片之上形成週邊驅動電路(在該多個驅動電路之中的具有高工作頻率的驅動器電路)的另一部分。可選擇地，IC晶片可以藉由TAB(帶式自動接合)或藉由採用印刷板連接到玻璃基板。注意，圖45A和45B顯示顯示面板的一個結構實例，其中在基板之上形成週邊驅動電路的一部分和像素部分，同時藉由COG等在基板上安裝的IC晶片中形成週邊驅動電路的另一部分。
在圖45A中，可以在顯示面板的基板5300之上，形 成像素部分5302和週邊驅動電路(第一掃描線驅動電路5303和第二掃描線驅動電路5304)，並且可以在IC晶片之上形成訊號線驅動電路5301並藉由COG等在顯示面板上安裝訊號線驅動電路5301。注意，藉由採用密封構件5309密封在基板之上整體形成的像素部分5302和週邊驅動電路，從而將密封基板5308和基板5300接合在一起。此外，可以藉由COG等在FPC 5305的連接部分和顯示面板之上安裝IC晶片(由記憶體電路、緩衝器電路等形成的半導體晶片)5306和5307。注意，儘管在附圖中只顯示FPC，但可以在FPC上安裝印刷佈線板(PWB)。
如上所述，藉由採用CMOS等，在IC晶片之上只形成要求其高速工作的訊號線驅動電路；因此，就能夠實現功耗的降低。此外，藉由採用半導體晶片例如矽晶片作為IC晶片，就能夠實現更高速的工作和更低的功耗。而且，第一掃描線驅動電路5303和第二掃描線驅動電路5304與像素部分5302整體地形成，由此就能夠實現成本的降低。此外，在FPC 5305的連接部分和基板5300上，安裝由功能電路(記憶體和緩衝器)形成的IC晶片，由此就能夠有效地使用基板的面積。
為了進一步降低功耗，可以在IC晶片之上形成所有週邊驅動電路，並且可以藉由COG等在顯示面板上安裝IC晶片。例如，如圖45B中所示，可以在基板5310之上形成像素部分5312。可以在IC晶片之上形成並藉由COG等在顯示面板上安裝訊號線驅動電路5311、第一掃描線 驅動電路5313和第二掃描線驅動電路5314。注意，圖45B中的FPC 5313、IC晶片5316、IC晶片5317、密封基板5318和密封構件5319分別對應於FPC 5305、IC晶片5306、IC晶片5307、密封基板5308和密封構件5309。
藉由採用這種結構，就能夠降低顯示裝置的功耗，並且能夠延長行動電話每次充電的工作時間。此外，能夠實現行動電話的成本降低。
此外，藉由緩衝器將訊號組的阻抗轉換為掃描線或訊號線，就能夠縮短用於將訊號寫入一列中的像素的時間。因此，能夠提供一種高清晰度的顯示裝置。
此外，為了進一步降低功耗，在具有TFT的基板之上形成像素部分，並且在IC晶片之上形成所有週邊驅動電路，其可以藉由COG(玻璃上晶片)等在顯示面板上進行安裝。
藉由採用本發明的顯示裝置，就能夠提供清晰且高對比度的影像。
注意，本實施例模式中示出的結構是行動電話的一個實例；因此，本發明的顯示裝置不限於具有上述結構的行動電話，並且可以應用於具有各種結構的行動電話。
注意，本實施例模式中的說明可以與上述方式1~12中的說明自由組合。
(實施例模式14)
圖46顯示組合有顯示面板5701和電路基板5702的 液晶模組。顯示面板5701包括：像素部分570、掃描線驅動電路5704和訊號線驅動電路5705。例如，在電路基板5702之上，形成控制電路5706、訊號分割電路5707等。顯示面板5701和電路基板5702藉由連接佈線5708連接。對於連接佈線，可以採用FPC等。
藉由主要的控制電路5706來控制子框等出現的順序。
按照這種方式形成顯示面板5701，即藉由採用TFT在基板之上形成像素部分和週邊驅動電路(在多個驅動電路之中的具有低工作頻率的驅動電路)的一部分，同時在IC晶片之上形成週邊驅動電路(在該多個驅動電路之中的具有高工作頻率的驅動電路)的另一部分，其可以藉由COG等安裝在顯示面板5701上。可選擇地，可以藉由TAB(帶式自動接合)或藉由採用印刷電路板將IC晶片安裝在顯示面板5701上。注意，圖45A顯示一種結構的一個實例，其中在基板之上形成週邊驅動電路的一部分和像素部分，同時藉由COG等在將在基板上安裝的IC晶片中形成週邊驅動電路的另一部分。藉由採用這種結構，就能夠降低顯示裝置的功耗，並且能夠延長行動電話每次充電的工作時間。此外，還能夠實現行動電話成本的降低。
此外，藉由緩衝器將訊號組的阻抗轉換給掃描線或訊號線，就能夠縮短用於將訊號寫入在一列中的像素的時間。因此，就能夠提供一種高清晰度的顯示裝置。
此外，為了進一步降低功耗，在具有TFT的玻璃基 板之上形成像素部分，並且在IC晶片之上形成所有訊號線驅動電路，其可以藉由COG(玻璃上晶片)等在顯示面板上進行安裝。
注意，較佳的，藉由採用TFT在基板之上形成像素部分，並且在IC晶片之上形成所有週邊驅動電路，其可以藉由COG(玻璃上晶片)等在顯示面板上進行安裝。注意，圖45B顯示一種結構的一個實例，其中在基板之上形成像素部分，並且藉由COG(玻璃上晶片)等在基板上安裝其上形成有訊號線驅動電路的IC晶片。
能夠完成具有液晶模組的液晶電視接收機。圖47是顯示液晶電視接收機的主要結構的方塊圖。調諧器5801接收視頻訊號和音頻訊號。藉由視頻訊號放大電路5802、視頻訊號處理電路5803和控制電路5706來處理視頻訊號，視頻訊號處理電路5803將從視頻訊號放大電路5802中輸出的訊號轉換為對應於紅、綠和藍中的每一種顏色的彩色訊號，控制電路5706將視頻訊號轉換為驅動電路的具體輸入。控制電路5706將訊號輸出到掃描線側和訊號線側中的每一個。當進行數位驅動時，就可以在訊號線側上設置訊號分割電路5707，以致將輸入的數位訊號分割為待提供的m訊號。
在藉由調諧器5801接收的訊號之中，將音頻訊號傳送到音頻訊號放大電路5804，並且將它的輸出經由音頻訊號處理電路5805提供給揚聲器5806。控制電路5807接收接收站上(接收頻率)的控制資料和來自於輸入部分 5808的音量，並將此訊號傳送到調諧器5801和音頻訊號處理電路5805。
藉由將液晶模組插入外殼就能夠完成電視接收機。藉由液晶模組形成顯示部分。此外，適合地設置揚聲器、音頻輸入端子等。
毫無疑問，本發明不限於電視接收機，還可以應用於各種用途例如個人電腦的監視器、在火車站或機場的資訊顯示面板和特別作為大面積顯示媒體的在街道上的廣告顯示面板。
如上所述，藉由採用本發明的顯示裝置，就能夠提供清晰且高對比度的影像。
注意，本實施例模式中的說明可以與上述方式1~13中的說明自由組合。
(實施例模式15)
本發明可以應用於各種電子裝置，特別適用於電子裝置的顯示部分。至於這種電子裝置，例如，包括：相機，例如視頻相機和數位相機；護目鏡型顯示器；導航系統；聲音再生裝置(汽車音響，身歷聲音響元件等)；電腦；遊戲機；攜帶型資訊終端(移動電腦，行動電話，攜帶型遊戲機，電子書等)；設置有記錄媒體(特別地，用於再生記錄媒體例如數位通用光碟(DVD)且具有用於顯示所再生的影像的顯示器的裝置)的影像再生裝置，等等。
圖48A顯示一種顯示裝置，其包括：機殼35001，支 撐座35002，顯示部分35003，揚聲器部分35004，視頻輸入端子35005等。本發明的顯示裝置可以用於顯示部分35003。注意，顯示裝置包括所有資訊顯示裝置，例如，用於個人電腦、TV廣播接收和廣告顯示的資訊顯示裝置。採用本發明的顯示裝置作為顯示部分35003的顯示裝置就能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48B顯示一種相機，其包括：主體35101，顯示部分35102，影像接收部分35103，操作鍵35104，外部連接埠35105，快門35106等。
其中本發明應用於顯示部分35102的數位相機就能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48C顯示一種電腦，其包括主體35201，機殼35202，顯示部分35203，鍵盤35204，外部連接埠35205，指標式滑鼠35206等。其中本發明應用於顯示部分35203的電腦能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48D顯示一種移動電腦，其包括主體35301，顯示部分35302，開關35303，操作鍵35304，紅外線埠35305等。其中本發明應用於顯示部分35203的移動電腦能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48E顯示一種設置有記錄媒體(特別地，DVD播放器)的攜帶型影像再生裝置，其包括主體35401，機殼35402，顯示部分A 35403，顯示部分B 35404，記錄媒體(DVD等)讀取部分35405，操作鍵35406，揚聲器部分35407等。顯示部分A 35403主要顯示影像資料，同時顯 示部分B 35404主要顯示文字資料。其中本發明應用於顯示部分A 35403和顯示部分B 35404的影像再生裝置就能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48F顯示一種護目鏡型顯示器，其包括主體35501，顯示部分35502，臂部分35503等。其中本發明應用於顯示部分35502的護目鏡型顯示器就能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48G顯示一種視頻相機，其包括主體35601，顯示部分35602，機殼35603，外部連接埠35604，遙控接收部分35605，影像接收部分35606，電池35607，聲音輸入部分35608，操作鍵35609等。其中本發明應用於顯示部分35602的視頻相機就能夠提供清晰且高對比度的影像。
圖48H顯示一種行動電話，其包括主體35701，機殼35702，顯示部分35703，聲音輸入部分35704，聲音輸出部分35705，操作鍵35706，外部連接埠35707，天線35708等。其中本發明應用於顯示部分35703的行動電話就能夠提供清晰且高對比度的影像。
如上所述，本發明的應用範圍如此寬，以致本發明可以應用於各種領域的電子裝置。此外，本實施例模式中的電子裝置可以採用利用上述方式1~14中的任何結構製造的顯示裝置。
101‧‧‧反射電極
102‧‧‧透射電極
103‧‧‧單元間隙調整膜
104‧‧‧下層
106‧‧‧液晶分子
A1‧‧‧線
A1'‧‧‧線

Claims (13)

  1. 一種顯示面板，包括：包含有機材料的層，其中該包含有機材料的層之表面包括非平坦區；在該包含有機材料的層的該非平坦區上的反射電極；在該包含有機材料的層上的透明電極；在該反射電極上的間隙調整膜，其中該間隙調整膜包含平行於該反射電極及該透明電極的邊緣之邊緣；以及相對於該反射電極及該透明電極的相對電極，其中，該相對電極包含在與該反射電極重疊的區域中的第一開口或第一突起，以及在與該透明電極重疊的區域中的第二開口或第二突起，以及其中，該第一開口或該第一突起的寬度大於該第二開口或該第二突起的寬度。
  2. 一種顯示面板，包括：包含有機材料的層，其中該包含有機材料的層之表面包括非平坦區；在該包含有機材料的層的該非平坦區上的反射電極；在該包含有機材料的層上的透明電極；在該反射電極及該透明電極之間的縫隙；在該反射電極上的間隙調整膜，其中該間隙調整膜包含平行於該反射電極的邊緣、該透明電極的邊緣及該縫隙之邊緣；以及相對於該反射電極及該透明電極的相對電極， 其中，該相對電極包含在與該反射電極重疊的區域中的第一開口或第一突起，以及在與該透明電極重疊的區域中的第二開口或第二突起，以及其中，該第一開口或該第一突起的寬度大於該第二開口或該第二突起的寬度。
  3. 一種顯示面板，包括：矽層；在該矽層上的閘極絕緣膜；在該矽層上的閘極電極，其間夾有該閘極絕緣膜；在該閘極電極上的第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上的第一電極，其中該第一電極透過在該閘極絕緣膜與該第一絕緣膜中設置的第三開口與該矽層接觸；在該第一電極上的包含有機材料的層，其中該層之表面包含非平坦區；在包含該有機材料的該層的該非平坦區上的反射電極；在包含該有機材料的該層上的透明電極；在該反射電極上的間隙調整膜，其中該間隙調整膜包含平行於該反射電極及該透明電極的邊緣之邊緣；以及相對於該反射電極及該透明電極的相對電極，其中，該相對電極包含在與該反射電極重疊的區域中的第一開口或第一突起，以及在與該透明電極重疊的區域中的第二開口或第二突起，以及， 其中，該第一開口或該第一突起的寬度大於該第二開口或該第二突起的寬度。
  4. 一種顯示面板，包括：矽層；在該矽層上的閘極絕緣膜；在該矽層上的閘極電極，其間夾有該閘極絕緣膜；在該閘極電極上的第一絕緣膜；在該第一絕緣膜上的第一電極，其中該第一電極透過在該閘極絕緣膜與該第一絕緣膜中設置的第三開口與該矽層接觸；在該第一電極上的包含有機材料的層，其中該層之表面包含非平坦區；在包含該有機材料的該層的該非平坦區上的反射電極；在包含該有機材料的該層上的透明電極；在該反射電極及該透明電極之間的縫隙；在該反射電極上的間隙調整膜，其中該間隙調整膜包含平行於該反射電極的邊緣、該透明電極的邊緣及該縫隙之邊緣；相對於該反射電極及該透明電極的相對電極，其中，該相對電極包含在與該反射電極重疊的區域中的第一開口或第一突起，以及在與該透明電極重疊的區域中的第二開口或第二突起，以及其中，該第一開口或該第一突起的寬度大於該第二開 口或該第二突起的寬度。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板，更包括在該間隙調整膜與該相對電極之間的液晶。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板，其中，該反射電極設置於包含該有機材料的該層上且與包含該有機材料的該層接觸。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板，其中，該透明電極設置於該間隙調整膜上。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板，其中，該反射電極電連接至該透明電極。
  9. 如申請專利範圍第3或4項的顯示面板，其中該矽層包含非晶矽。
  10. 如申請專利範圍第3或4項的顯示面板，其中該矽層包含多晶矽。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板，其中該反射電極及該透明電極彼此互相重疊。
  12. 一種顯示模組，包括：如申請專利範圍第1至4項中任一項的顯示面板；包含控制電路的電路基板，其中該電路基板藉由連接佈線電連接至該顯示面板；以及IC晶片，其包含藉由玻璃上晶片而被安裝在該顯示面板上的驅動電路。
  13. 一種電子設備，包括：機殼： 揚聲器；以及如申請專利範圍第12項的顯示模組，其中該揚聲器及該顯示模組容納於該機殼中。
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