JP2004138802A

JP2004138802A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2004138802A
Application number: JP2002303205A
Authority: JP
Inventors: Chigusa Tsurukawa; 鶴川　千種; Hirokazu Morimoto; 森本　浩和; Hiroyuki Kimura; 木村　裕之; Tetsuya Iizuka; 飯塚　哲也; Toshiya Otake; 大竹　利也; Keiji Tago; 多胡　恵二; Ryoichi Watanabe; 渡辺　良一
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2002-10-17
Filing date: 2002-10-17
Publication date: 2004-05-13

Abstract

【課題】マルチギャップ方式を用いたときの透過表示領域と反射表示領域との境に位置する傾斜領域での光学特性の低下を軽減し、表示品位を向上させる。
【解決手段】アレイ基板１において透明電極１２が形成された透過表示領域と絶縁層１３上に反射電極１４が形成された反射表示領域との境に位置する傾斜領域における絶縁層の下に、透過率および反射率が低い遮光膜１０を設ける。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透過表示領域と反射表示領域を備えた半透過型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯情報端末等の表示装置として、透過表示領域と反射表示領域を併せ持つ半透過型の液晶表示装置が多く用いられている。このような液晶表示装置では、反射表示領域においては外光を、透過表示領域においてはバックライトを画像表示の光源として用いている（例えば、特許文献１参照）。半透過型の液晶表示装置には、透過表示領域の液晶層の厚み（以下「セルギャップ」という）と反射表示領域のセルギャップが同一である、いわゆるシングルギャップ方式のものと、透過表示領域のセルギャップの方が反射表示領域のセルギャップよりも厚い、いわゆるマルチギャップ方式のものとがある。
【０００３】
マルチギャップ方式の液晶表示装置は、図１２の概略的な断面図に示すように、アレイ基板１と対向基板２との間隙に液晶層３を備え、アレイ基板１上に透明電極１２が形成された透過表示領域５６と、アレイ基板１上に絶縁層１３を介して反射電極１４が凹凸状に形成された反射表示領域５７を画素毎に備える。透過表示領域５６ではバックライト４からの光をアレイ基板１、液晶層３、対向基板２を介して外部へ透過し、反射表示領域５７では外部から対向基板２を介して入射してきた光を反射電極１４で反射する。
【０００４】
透過表示領域５６の透過率が最大となるリタデーション値は、反射表示領域５７の反射率が最大となるリタデーション値の約２倍であるため、透過表示領域５６のセルギャップが反射表示領域５７のセルギャップよりも厚いマルチギャップ方式は、シングルギャップ方式と比べて透過輝度が高く、高品位な液晶表示装置を実現することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２７５６６０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マルチギャップ方式の液晶表示装置は、図１２の断面図に示すように、セルギャップの薄い領域とセルギャップの厚い領域との境に、絶縁層１３が傾斜した領域（以下「傾斜領域」という）５８が存在する。傾斜領域５８は、各画素で開口領域の約１割〜２割程度を占めるため、傾斜領域５８による光学特性の影響を無視することができない。
【０００７】
同図に示すように、傾斜領域５８において絶縁層１３上に反射電極１４を形成することにより、傾斜領域５８を反射表示領域５７の一部とした場合には、傾斜領域５８は反射表示領域５７の他の部分に比べセルギャップが厚い領域となり、傾斜領域５８のリタデーション値が狙い値より大きくなるため、傾斜領域５８で白表示に黄色味がかることとなる。また、図１３の反射率−印加電圧特性に示すように、セルギャップの薄い領域では、反射率が高い白表示から反射率が低い黒表示までの範囲において、反射率と液晶層３に印加する印加電圧とがほぼ比例関係にあるので、印加電圧を変化させることによって階調を連続的に変化させることが可能である。しかし、傾斜領域５８を一部に含む反射表示領域５７の全体としては白表示においてこの比例関係がなく、印加電圧の変化方向に対して階調の変化方向が反転してしまう。このため、反射表示領域５７における表示品位が著しく低下するといった問題がある。
【０００８】
また、図１４の断面図に示すように、傾斜領域５８において絶縁層上に透明電極１２を形成することにより傾斜領域５８を透過表示領域５６の一部とした場合には、傾斜領域５８は透過表示領域５６の他の部分に比べてセルギャップが薄い領域となり、傾斜領域５８のリタデーション値は狙い値より小さくなる。このため、図１５の透過率−印加電圧特性に示すように、傾斜領域５８では透過率が低い黒表示において印加電圧の変化方向に対して階調の変化方向が反転してしまい、光抜けが発生し、コントラストが低下し、透過表示領域５６における表示品が著しく低下するといった問題がある。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みなてなされたものであり、その目的とするところは、マルチギャップ方式を用いたときの透過表示領域と反射表示領域との境に位置する傾斜領域での光学特性の低下を軽減し、表示品位を向上させた半透過型の液晶表示装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明に係る液晶表示装置は、透明電極が形成された透過表示領域、絶縁層を介して反射電極が形成された反射表示領域、前記透過表示領域と前記反射表示領域の境に位置する絶縁層が傾斜した傾斜領域を画素毎に備え、前記傾斜領域における絶縁層の下に遮光膜を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記透明電極および前記反射電極が形成された側に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に設けられた液晶層と、前記アレイ基板の前記液晶層との反対側に配置されたバックライトと、を有することを特徴とする。
【００１１】
本発明にあっては、傾斜領域における絶縁層の下に遮光膜を設けたことで、傾斜領域での光の透過および反射を防ぎ、傾斜領域が透過表示にも反射表示にも影響を与えないようにしている。
【００１２】
第２の本発明に係る液晶表示装置は、前記遮光膜が、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌを含む金属のうちのいずれかを単独で用いた金属膜、或いはこれらの金属を少なくとも１つ以上用いた合金膜、或いはこれら金属膜と合金膜のうちの少なくとも２層以上を積層した膜のいずれかにより形成されることを特徴とする。
【００１３】
第３の本発明に係る液晶表示装置は、前記遮光膜が、ポリシリコン膜により形成されることを特徴とする。
【００１４】
第４の本発明に係る液晶表示装置は、前記遮光膜が、各画素において前記遮光膜により覆われていない傾斜領域の面積が透過開口面積の５％〜２５％の範囲となるように形成されることを特徴とする。
【００１５】
第５の本発明に係る液晶表示装置は、前記反射電極の端部が傾斜領域に入り込み、前記反射表示領域と前記傾斜領域が一部重複するものであって、前記遮光膜の幅は、一方が前記傾斜領域の反射表示領域側の端部と前記反射表示領域の端部との間にあり、他方が当該傾斜領域の透過表示領域側の端部を超える範囲の幅で形成されることを特徴とする。
【００１６】
第６の本発明に係る液晶表示装置は、前記反射電極の端部が傾斜領域に入り込み、前記反射表示領域と前記傾斜領域が一部重複するものであって、前記遮光膜の幅は、一方が前記傾斜領域の反射表示領域側の端部と前記反射領域の端部との間にあり、他方が当該傾斜領域の透過表示領域側の端部を超えない範囲の幅で形成されることを特徴とする。
【００１７】
第７の本発明に係る液晶表示装置は、前記遮光膜が、電気的に独立して形成されることを特徴とする。
【００１８】
第８の本発明に係る液晶表示装置は、透明電極が形成された透過表示領域、光吸収性絶縁層を介して反射電極が形成された反射表示領域、前記透過表示領域と前記反射表示領域との境に位置する光吸収性絶縁層が傾斜した傾斜領域を画素毎に備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記透明電極および前記反射電極が形成された側に対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に設けられた液晶層と、前記アレイ基板の前記液晶層との反対側に配置されたバックライトと、を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明にあっては、光吸収性絶縁層を介して反射電極を形成するようにしたことで、傾斜領域での光の透過および反射を防ぎ、傾斜領域が透過表示にも反射表示にも影響を与えないようにしている。
【００２０】
第９の本発明にに係る液晶表示装置は、前記透明電極が、前記光吸収性絶縁層の下まで延出され、液晶層を駆動する閾値に満たない電圧が印加されている状態で黒表示となるノーマリブラック型であることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２２】
［第１の実施の形態］
本実施の形態における液晶表示装置は、図１の断面図に示すように、対向配置されたアレイ基板１と対向基板２との間隙に液晶層３を備え、アレイ基板１の液晶層３との反対側にバックライト４が配置された構成である。
【００２３】
アレイ基板１は、ガラス基板１１上に透明電極１２が形成された透過表示領域と、ガラス基板１１上に凸凹状の絶縁層１３を介して反射電極１４が形成された反射表示領域とを画素毎に備える。透過表示領域と反射表示領域では、絶縁層１３の厚さの分だけセルギャップが異なる。各画素では、透明電極１２と反射電極１４によりいわゆる画素電極が形成される。反射電極１４は、隣接する別の画素の反射電極と接しないように形成される。絶縁層１３は、ガラス基板１１上に設けられた画素駆動用の薄膜トランジスタ１５や信号線１６を覆うように形成される。透過表示領域と反射表示領域との境に位置する絶縁層１３が傾斜した傾斜領域では、絶縁層１３上に透明電極１２が形成される。この傾斜領域における絶縁層１３の下には遮光膜１０が配置される。
【００２４】
遮光膜１０は、光透過率および光反射率を低くするため、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌを含む金属のうちのいずれかを単独で用いた金属膜、或いはこれらの金属を少なくとも１つ以上用いた合金膜、或いはこれら金属膜および合金膜のうちの少なくとも２層以上を積層した膜、或いはポリシリコン膜により形成される。また、遮光膜１０は、遮光膜上部の積層膜の形状に影響を及ぼさない程度の膜厚に形成される。例えば、遮光膜１０をＭｏＷの合金膜で形成し、その幅を４μｍ、膜厚を２５０ｎｍとする。また、遮光膜１０は、周辺の液晶駆動回路に電気的な影響を与えないように、周辺の液晶駆動回路に接触しないように電気的に独立して形成される。
【００２５】
対向基板２は、ガラス基板２１上にカラーフィルタ層２２が形成され、このカラーフィルタ層２２を覆うように透明電極２４が形成される。対向基板２は、カラーフィルタ層２２をアレイ基板１に向けた状態でアレイ基板１に対向して配置される。
【００２６】
液晶層３では、電圧を印加していない状態で液晶分子がほぼ同一方向に並ぶように配置される。アレイ基板１の透明電極１２および反射電極１４上、および対向基板２の透明電極２４上には互いに平行で逆の方向にラビング配向処理が施された配向膜が形成される。液晶層３の厚みは、使用する液晶の種類によって透過表示領域と反射表示領域とでそれぞれ適切な値を設定する。
【００２７】
アレイ基板１とバックライト４との間には、位相差板３１、位相差板３２、偏光板３３がこの順で配置される。また、対向基板２の液晶層３との反対側には、位相差板４１、位相差板４２、偏光板４３がこの順で配置される。
【００２８】
本液晶表示装置は、バックライト４から透明電極１２に入射する光および外部から入射して反射電極１４で反射する光を光源として用い、液晶層３への印加電圧を変化させることにより階調を連続的に変化可能として画像表示を行う半透過型の液晶表示装置である。
【００２９】
透明電極１２および反射電極１４は、対向基板２の透明電極２４との間に液晶層３を駆動するための電圧を印加するために、絶縁層１３に設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ１５に接続される。
【００３０】
次に、遮光膜１０の様々な形態について説明する。図２の断面拡大図に示すように、反射電極１４の端部は傾斜領域５８に入り込むように形成される。この場合、反射表示領域５７と傾斜領域５８は一部重複することとなる。遮光膜１０の幅は、一例として、一方が傾斜領域５８の反射表示領域側の端部５１と反射表示領域５７の端部５２との間にあり、他方が傾斜領域５８の透過表示領域側の端部５３を超える範囲の幅で形成される。すなわち、遮光膜１０は、その幅が傾斜領域５８の幅を完全に覆うように形成される。あるいは、図３の断面拡大図に示すように、遮光膜１０の幅は、一方が傾斜領域５８の反射表示領域側の端部５１と反射表示領域５７の端部５２との間にあり、他方が傾斜領域５８の透過表示領域側の端部５３を超えない範囲の幅で形成される。また、図４の画素の平面図に示すように、透明電極１２と反射電極１４との境に傾斜領域５８が長方形の形状に形成される場合に、遮光膜１０は、例えば傾斜領域５８の２辺について形成される。もちろん４辺全てについて遮光膜１０が形成されるようにしてもよい。すなわち、遮光膜１０は、傾斜領域５８の一部あるいは全てを覆うように形成される。
【００３１】
このように、遮光膜１０の形態は様々なものがあり得るが、各画素における遮光膜１０の面積は、透過開口面積に対する光抜け面積の比率をどの程度に設定するかによって決定される。ここで、光抜け面積とは、遮光膜１０によって覆われていない傾斜領域５８の面積のことをいうものとする。図５のグラフに示すように、光抜け面積が透過開口面積の２５％以下になると、コントラストが５０以上になることが確認された。また、光抜け面積が透過開口面積の５％以下になると、透過開口率が低くなり透過表示において十分な明るさが得られなくなる。そこで、本実施の形態では、光り抜け面積を透過開口面積の５％〜２５％の範囲とする。このような比率が得られるように、図２乃至図４を用いて説明した手法で遮光膜１０を形成するようにする。
【００３２】
遮光膜１０は、前述したように透過率および反射率が低いので、図６の断面図に示すように、バックライト４から照射された光は遮光膜１０を透過せず、外部から対向基板２を介して入射してきた光は遮光膜１０で反射しないこととなる。すなわち、遮光膜１０が設けられた傾斜領域５８は、透過表示にも反射表示にも影響を与えないこととなる。
【００３３】
したがって、本実施の形態によれば、傾斜領域５８における絶縁層の下に遮光膜１０を設けたことで、バックライト４から照射された光が遮光膜１０を透過しなくなるので、透過表示における黒表示の際の光抜けを防止でき、傾斜領域５８での光学特性の低下を軽減することができる。これによって、コントラストの低下を抑えることができ、もって表示品位を向上させることができる。
【００３４】
また、本実施の形態によれば、外部から対向基板２を介して入射してきた光が遮光膜１０により反射しなくなるので、階調の変化方向の反転を防止でき、もって表示品位を向上させることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、傾斜領域５８における絶縁層１３上に透明電極１２を形成し、傾斜領域５８を透過表示領域５６の一部としたが、これに限られるものではない。例えば、傾斜領域５８における絶縁層１３上に反射電極１４を形成し、傾斜領域５８を反射表示領域５７の一部とした場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
本実施の形態では、図７の断面図に示すように、光吸収材からなる絶縁層（以下「光吸収性絶縁層」という）６１を介して反射電極１４が形成される。光吸収性絶縁層６１の形状は、図１の絶縁層１３の形状と同様である。この光吸収性絶縁層６１の厚さの分だけ、透過表示領域ではセルギャップが厚くなり、反射表示領域ではセルギャップが薄くなる。なお、その他、図１と同一物には同一の符号を付すこととし、ここでは説明を省略する。
【００３７】
光吸収性絶縁層６１は、例えば、黒色顔料を２５ｗｔ％添加した感光性アクリル性透明樹脂をスピンナー塗布して９０℃で１０分乾燥し、フォトマスクを介して３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ^２の露光処理を行い、ｐＨ１１．５のアルカリ水溶液を用いて現像し、２００℃で６０分焼成し、厚さ３．６μｍになるように形成する。このように形成した場合の光吸収性絶縁層６１の光学濃度は２．２となった。
【００３８】
反射電極１４の端部は、図８の拡大断面図に示すように、光吸収性絶縁層６１に沿って傾斜領域５８に入り込むように形成される。この場合、反射表示領域５７と傾斜領域５８は一部重複することとなる。あるいは、反射電極１４の端部は、図９の拡大断面図に示すように、傾斜領域５８に入り込まないように傾斜領域５８の端部まで形成することとしてもよい。この場合は、反射表示領域５７と傾斜領域５８に重複は生じない。
【００３９】
透明電極１２は、図８、図９のいずれにおいても、傾斜領域５８において光吸収性絶縁層６１の上に形成される。これにより、透過表示において傾斜領域５８における液晶分子を駆動できる。
【００４０】
傾斜領域５８の反射表示領域側では、光吸収性絶縁層６１が厚く光吸収の効果が大きいので、光吸収性絶縁層６１によりバックライト４からの光が吸収される。また、傾斜領域５８の透過表示領域側では、光吸収性絶縁層６１が薄くなり光吸収の効果が少なくなるが、この部分でのセルギャップの厚さは透過表示領域５６のものに近く、狙い値に近いリタデーション値が得られるので、透過表示に対する影響は小さい。
【００４１】
したがって、本実施の形態によれば、光吸収性絶縁層６１を介して反射電極１４を形成するようにしたことで、傾斜領域５８の反射表示領域側ではバックライト４からの光が吸収されるので、透過表示における黒表示での光抜けを防ぎ、コントラストの低下を抑えることができ、もって表示品位を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施の形態によれば、外部から対向基板２を介して入射してきた光は傾斜領域５８で光吸収性絶縁層６１により反射しなくなるので、階調の変化方向の反転を防止でき、もって表示品位を向上させることができる。
【００４３】
［第３の実施の形態］
本実施の形態の液晶表示装置は、図７の光吸収性絶縁層６１の上に形成された透明電極１２に代えて、図１０の断面図に示すように、透過表示領域を形成する透明電極６２を光吸収性絶縁層６１の下まで延出した構成である。より具体的には、透明電極６２は、図１１の断面拡大図に示すように、反射表示領域５７の内部まで延出される。また、透明電極６２は、液晶層駆動用の電圧以外の電圧が印加されないように、信号線１６に接触しないように形成される。反射電極１４の端部は、一例として傾斜領域５８に入り込むように光吸収性絶縁層６１の上に沿って形成される。
【００４４】
液晶層３では、電圧を印加していない状態で液晶分子がほぼ同一方向に並ぶように配置される。ここでは、液晶分子がアレイ基板１と対向基板２に対して垂直方向に並ぶようにラビング配向処理が施された垂直配向膜を透明電極６２と反射電極１４上および対向基板２の透明電極２４上に形成し、液晶層３を駆動する閾値に満たない電圧が印加されている状態で黒表示となるノーマリブラック型液晶表示装置とする。閾値未満の電圧が印加されている状態には、電圧が全く印加されない状態も含むものとする。なお、その他、図１と同一物には同一の符号を付すこととし、ここでは説明を省略する。
【００４５】
透明電極６２および反射電極１４に閾値以上の電圧が印加されると、透過表示領域５６および反射表示領域５７では白表示あるいは中間調表示の状態となる。傾斜領域５８では、透明電極６２が光吸収性絶縁層６１の下に形成されているので液晶層３に電圧が印加されず、傾斜領域５８では黒表示の状態が保持される。
【００４６】
透明電極６２および反射電極１４に閾値未満の電圧が印加されると、透過表示領域５６および反射表示領域５７は黒表示の状態となる。この場合、傾斜領域５８の反射表示領域側では、光吸収性絶縁層６１が厚く光吸収の効果が大きいので、光吸収性絶縁層６１によりバックライト４からの光が吸収される。また、傾斜領域５８の透過表示領域側では、光吸収性絶縁層６１が薄くなり光吸収の効果が少なくなるが、この部分でのセルギャップの厚さは透過表示領域５６のものに近く、狙い値に近いリタデーション値が得られるので、透過表示に対する影響は小さい。
【００４７】
したがって、本実施の形態によれば、透明電極６２を光吸収性絶縁層６１の下まで延出し、さらにノーマリブラック型の液晶表示装置としたことで、透明電極６２および反射電極１４に閾値以上の電圧が印加された場合に、傾斜領域５８上における液晶層３には電圧が印加されず、傾斜領域５８では黒表示の状態が保持されるので、階調の変化方向の反転を防止でき、もって表示品位を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施の形態によれば、光吸収性絶縁層６１を用いたことで、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明に係る液晶表示装置によれば、透過表示領域と反射表示領域との境に位置する傾斜領域での光学特性の低下を軽減し、表示品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】上記液晶表示装置の構成を示す拡大断面図である。
【図３】上記液晶表示装置の別の構成を示す拡大断面図である。
【図４】上記液晶表示装置における画素の構成を示す平面図である。
【図５】透過開口面積に対する光抜け面積の比率とコントラストとの関係を示すグラフである。
【図６】上記液晶表示装置の遮光膜によりバックライトからの光が透過せず、外部からの光が反射しない様子を示す断面図である。
【図７】第２の実施の形態における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図８】図７に示す液晶表示装置の構成を示す拡大断面図である。
【図９】図７に示す液晶表示装置の別の構成を示す拡大断面図である。
【図１０】第３の実施の形態における液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１１】図１０に示す液晶表示装置の構成を示す拡大断面図である。
【図１２】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図１３】図７に示す液晶表示装置の反射率−印加電圧特性を示すグラフである。
【図１４】従来の液晶表示装置の別の構成を示す断面図である。
【図１５】図７に示す液晶表示装置の透過率−印加電圧特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１…アレイ基板
２…対向基板
３…液晶層
４…バックライト
７…反射電極
１１…ガラス基板
１２…透明電極
１３…絶縁層
１４…反射電極
１５…薄膜トランジスタ
１６…信号線
２１…ガラス基板
２２…カラーフィルタ層
２４…透明電極
３１，３２…位相差板
３３，４３…偏光板
４１，４２…位相差板
５６…透過表示領域
５７…反射表示領域
５８…傾斜領域
６１…光吸収性絶縁層
６２…透明電極

Claims

透明電極が形成された透過表示領域と絶縁層を介して反射電極が形成された反射表示領域とを画素毎に備え、前記透過表示領域と前記反射表示領域との境に位置する絶縁層が傾斜した傾斜領域における当該絶縁層の下に遮光膜を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記透明電極および前記反射電極が形成された側に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に設けられた液晶層と、
前記アレイ基板の前記液晶層との反対側に配置されたバックライトと、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
前記遮光膜は、Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ａｌを含む金属のうちのいずれかを単独で用いた金属膜、或いはこれらの金属を少なくとも１つ以上用いた合金膜、或いはこれら金属膜と合金膜のうちの少なくとも２層以上を積層した膜のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
前記遮光膜は、ポリシリコン膜により形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
前記遮光膜は、各画素において前記遮光膜により覆われていない傾斜領域の面積が透過開口面積の５％〜２５％の範囲となるように形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記反射電極の端部が傾斜領域に入り込み、前記反射表示領域と前記傾斜領域が一部重複するものであって、
前記遮光膜の幅は、一方が前記傾斜領域の反射表示領域側の端部と前記反射表示領域の端部との間にあり、他方が当該傾斜領域の透過表示領域側の端部を超える範囲の幅で形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記反射電極の端部が傾斜領域に入り込み、前記反射表示領域と前記傾斜領域が一部重複するものであって、
前記遮光膜の幅は、一方が前記傾斜領域の反射表示領域側の端部と前記反射領域の端部との間にあり、他方が当該傾斜領域の透過表示領域側の端部を超えない範囲の幅で形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置。
前記遮光膜は、電気的に独立して形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
透明電極が形成された透過表示領域、光吸収性絶縁層を介して反射電極が形成された反射表示領域、前記透過表示領域と前記反射表示領域との境に位置する光吸収性絶縁層が傾斜した傾斜領域を画素毎に備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記透明電極および前記反射電極が形成された側に対向して配置された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に設けられた液晶層と、
前記アレイ基板の前記液晶層との反対側に配置されたバックライトと、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
前記透明電極が、前記光吸収性絶縁層の下まで延出され、前記液晶層を駆動する閾値に満たない電圧が印加されている状態で黒表示となるノーマリブラック型であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。