TWI498445B - Gas growth device - Google Patents

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TWI498445B
TWI498445B TW099123259A TW99123259A TWI498445B TW I498445 B TWI498445 B TW I498445B TW 099123259 A TW099123259 A TW 099123259A TW 99123259 A TW99123259 A TW 99123259A TW I498445 B TWI498445 B TW I498445B
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Description

氣相成長裝置
本發明有關於一種氣相成長裝置，詳而言之，係有關於一種使基板自公轉同時在基板面使薄膜氣相成長，特別是使氮化物系化合物半導體薄膜氣相成長之自公轉型之氣相成長裝置。
作為一次對多片之基板氣相成長之氣相成長裝置，習知者有自公轉型氣相成長裝置，係在公轉基座外周部設置軸承和外齒輪，使設在反應容器(處理室)內面之固定內齒輪和上述外齒輪咬合，用來使成膜中之基板自公轉(例如，參照專利文獻1)。另外，使基座旋轉同時進行氣相成長之裝置習知者有矽磊晶裝置，係將原料氣體導入方向和基座旋轉導入方向設定在同一方向(例如，參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-266121號公報
[專利文獻2]日本專利實開昭49-140號公報
近年來，在製造氮化物系化合物半導體薄膜時所使用之原料氣體，例如有機金屬和氨，因為反應性高，所以使兩者混 合時容易產生粒子。因此，原料之有機金屬氣體和氨氣在導入到反應爐(氣相成長室)時必須進行混合。另一方面，在專利文獻2所記載之構造中，當放射狀地導入原料氣體時，只有從接近基板表面之孔噴出之原料氣體有助於膜之成長，從其上方之孔噴出之原料氣體無助於膜之成長，而使原料氣體成為浪費。
另外，如專利文獻2所記載之方式，在將旋轉導入和氣體導入設定為同一方向時，必須採用可將氣體導入管插入旋轉用接受台之中空旋轉軸中之二重管構造，但是在採用此種二重管構造時，不純物會從旋轉軸內周面和氣體導入管外周面之間之空間，侵入氣相成長室內，相反地，原料氣體會從氣相成長室漏出到外部，為防止此種問題必須使淨化氣體經常流動。
但是，要將旋轉之旋轉軸和固定之氣體導入管正確地同軸配置並保持變為極為困難，當有損兩者之同軸性時，會造成上述空間之剖面積在圓周方向不同，流入到氣相成長室之淨化氣體之流量在氣相成長室之圓周方向產生差異。
對於此點，如專利文獻2所記載在習知矽磊晶裝置中，淨化氣體些微之流量差大致不會有問題，但是，例如，在上述氮化物系化合物半導體薄膜氣相成長時，淨化氣體些微之流量差會對成膜造成很大之影響。另外，在將複數之原料氣體導入到氣相成長室使其混合時，必須使導入到氣相成長室時 之各原料氣體流量保持為一定值。
因此，本發明之目的是提供一種自公轉型之氣相成長裝置，在將原料氣體導入方向和基座旋轉導入方向設定為同一方向時，可以使淨化氣體或原料氣體之流量保持為一定值。
為達成上述目的，本發明之氣相成長裝置，係將原料氣體管同軸配置在中空驅動軸內部，且具備有：圓盤狀之基座，在處理室內可旋轉地支持於中空驅動軸；複數之外齒輪構件，分別設置成可在該基座外周部圓周方向旋轉；環狀之固定內齒輪構件，具備有可與該外齒輪構件咬合之內齒輪；加熱構件，分別對保持在上述外齒輪構件之基板進行加熱；流動通道，在平行於上述基板表面之方向導引原料氣體；噴嘴，從該流動通道中心部向外周方向導入氣體；和原料氣體供給管，用來將原料氣體供給到該噴嘴；其中，在上述中空驅動軸內周面和上述原料氣體供給管之間形成淨化氣體流路，使淨化氣體在上述流動通道之方向流動，將淨化氣體從該淨化氣體流路導入流動通道之外周方向，並將用以導入淨化氣體之噴嘴相對上述基座之上面成為在平行方向，且上下尺寸形成一定值。
另外，本發明之氣相成長裝置係使上述噴嘴被設置成從上述原料氣體供給管之上端在流動通道之外周方向彎曲成為突出之圓盤狀，該原料氣體噴嘴前端部之氣體流路之上下尺 寸形成為小於原料氣體噴嘴基部側之氣體流路之上下尺寸，且上下尺寸變小之噴嘴前端部之長度，為具有噴嘴基部側氣體流路其上下尺寸之1.5倍以上之長度。
依照本發明之氣相成長裝置時，因為使淨化氣體導入噴嘴相對基座之上面成為在平行方向，突出到流動通道內成為圓盤狀，所以即使中空驅動軸和原料氣體供給管產生軸偏移，在淨化氣體流路流動之淨化氣體之流量於圓周方向成為不均一時，在淨化氣體導入噴嘴之部分於基座圓周方向可以校正成為均一之流量，導入到流動通道內。另外，經由使原料氣體導入噴嘴前端部之上下尺寸變小，可以使從原料氣體供給管經由原料氣體導入噴嘴導入到流動通道內之原料氣體之流量成為均一。
本形態例所示之氣相成長裝置配置有：圓盤狀之基座13，在處理室11內將形成在中心部之圓形開口13a部分支持在中空驅動軸12上端設置成為可旋轉；複數之外齒輪構件(自轉基座)14，分別設置成可在該基座13外周部圓周方向旋轉；環狀之固定內齒輪構件15，具備有可與該外齒輪構件14咬合之內齒輪；加熱構件17，分別對保持在上述外齒輪構件14上面之基板16進行加熱；流動通道18，在平行於上述基板16表面之方向導引原料氣體；噴嘴19，將原 料氣體或淨化氣體從該流動通道18中心部導入外周方向；和原料氣體供給管20，用來將原料氣體供給到該噴嘴19。
處理室11由下部固定側構件11a，和設置成可相對於該下部固定側構件11a升降之上部升降側構件11b所形成，流動通道18亦形成可使頂板18a移動到上方。另外，固定內齒輪構件15形成為可以移動到下方。當要將成膜完成之基板16更換為新的基板16時，係在使處理室11之上部升降側構件11b和流動通道18之頂板18a上升，並且使固定內齒輪構件15下降後之狀態下，進行從處理室11取出包含保持有基板16之外齒輪構件14之基座13全體。
上述原料氣體供給管20同軸配置在上述中空驅動軸12內部，在中空驅動軸12內周面和原料氣體供給管20外周面之間形成淨化氣體流路21。本形態例所示之原料氣體供給管20具有多重管構造，分別在中心流路20a供給第1原料氣體、在中間流路20b供給第2原料氣體，並使溫度調整流體流通在外周側流路20c。
上述噴嘴19具有上中下三段之氣體導入路徑19a、19b、19c，從原料氣體供給管20之上端朝流動通道18之外周方向彎曲，並設置成突出之圓盤狀。上段之氣體導入路徑19a成為第1原料氣體導入噴嘴，用來將從原料氣體供給管20之中心流路20a所供給之第1原料氣體，導入流動通道18內，中段之氣體導入路徑19b成為第2原料氣體導入噴嘴， 用來將從原料氣體供給管20之中間流路20b所供給之第2原料氣體，導入流動通道18內，下段之氣體導入路徑19c成為淨化氣體導入噴嘴，用來將來自淨化氣體流路21之淨化氣體，導入流動通道18內。
配置有噴嘴19基部之流動通道18中央部，其頂板18a偏移設置於上方，流動通道18中央部之上下尺寸A，大於配置有基板16之流動通道18之本體部分(中央部以外之部分)之上下尺寸B。另外，噴嘴19中上段之氣體導入路徑19a形成其前端側之上下尺寸D小於該氣體導入路徑19a基部側之上下尺寸C，此外，噴嘴前端側之上下尺寸D縮小而形成部分之長度尺寸E，形成為上述氣體導入路徑19a基部側之上下尺寸C之1.5倍以上。經由利用此種方式形成氣體導入路徑19a，可使氣體從噴嘴中心放射狀地擴大流動，可以使從噴嘴前端供給至基板方向之第1原料氣體之流動成為順利，且可以對各個基板面均一地供給原料氣體。
另外，長度尺寸E可以依照從噴嘴前端至基板16之距離任意地設定，但是以加熱構件17加熱成高溫狀態之基板16或來自流動通道18本體部分之放射熱，藉此，當噴嘴前端被加熱成高溫時，會有分解出原料氣體之疑慮，另外，當噴嘴前端太接近基板16時，則從噴嘴19前端流出之各種氣體會有無法充分地混合而有無法到達基板16上面部分並順利進行薄膜形成之疑慮，所以依照流動通道18為上述上下尺 寸B或基座13直徑和圓形開口13a直徑、基板16直徑及處理片數等條件，可以將長度尺寸E設定在上述上下尺寸C之1.5倍以上。
另一方面，上述噴嘴19中下段之氣體導入路徑19c，形成為相對於基座13上面呈平行之方向，且氣體導入路徑19c之上下尺寸成為一定值，前端設定在與上述各氣體導入路徑19a、19b之各噴嘴前端相同之位置。因此，第1原料氣體、第2原料氣體和淨化氣體，從噴嘴19前端成為三層流動並導入流動通道18內，在基板16附近使各種氣體適度地混合，成為混合流地到達基板16上面部分，進行既定之反應來在基板面形成既定之薄膜。
這時，當原料氣體供給管20和中空驅動軸12成為偏心狀態時，因為淨化氣體流路21圓周方向之剖面積不同，所以到達噴嘴19之淨化氣體之流量在圓周方向不同。因此，例如，如上述專利文獻1所記載之方式，在只將氣體導入流動通道之中心時，因為在流動通道之圓周方向，氣體流量和氣體流速不同，所以會對形成在基板面之薄膜之成長速度造成影響，會有不能進行均一之薄膜形成之疑慮。
與此相對地，如上述之方式，以相對於基座13上面平行之方向、且氣體導入路徑19c之上下尺寸成為一定值之方式，形成噴嘴19之氣體導入路徑19c，利用氣體導入路徑19c之流路阻抗，可以使圓周方向之淨化氣體之流量和流速 平均化，可以使淨化氣體在基板方向均一地流動。利用此種方式，可以使原料氣體之混合均一化，可以使形成在基板面之薄膜之成長速度平均化，可以進行均一之薄膜形成。
依照此種方式，可以將淨化氣體或原料氣體之流量保持為一定值，因為可將該等氣體以既定之狀態均一地混合供給到基板部分，所以使用高反應性之原料氣體，例如，可以有效且穩定地製造以有機金屬或氨作為原料氣體使用之氮化物系化合物半導體薄膜，不會有原料氣體之浪費，亦有利於製造成本之降低。
另外，亦可將中段之氣體導入路徑19b或下段之氣體導入路徑19c做成與上段之氣體導入路徑19a相同之構造。另外，原料氣體之種類亦可以為1種或3種以上。
11‧‧‧處理室
11a‧‧‧下部固定側構件
11b‧‧‧上部升降側構件
12‧‧‧中空驅動軸
13‧‧‧基座
13a‧‧‧圓形開口
14‧‧‧外齒輪構件(自轉基座)
15‧‧‧固定內齒輪構件
16‧‧‧基板
17‧‧‧加熱構件
18‧‧‧流動通道
18a‧‧‧頂板
19‧‧‧噴嘴
19a‧‧‧上段之原料氣體導入路徑
19b‧‧‧中段之氣體導入路徑
19c‧‧‧下段之氣體導入路徑
20‧‧‧原料氣體供給管
20a‧‧‧中心流路
20b‧‧‧中間流路
20c‧‧‧外周側流路
21‧‧‧淨化氣體流路
圖1是剖面正視圖，用來表示本發明之氣相成長裝置之一形態例。
圖2是圖1主要部分之剖面正視圖。
12‧‧‧中空驅動軸
18‧‧‧流通通道
18a‧‧‧頂板
19‧‧‧噴嘴
19a‧‧‧上段之氣體導入路徑
19b‧‧‧中段之氣體導入路徑
19c‧‧‧下段之氣體導入路徑
20‧‧‧原料氣體供給管
20a‧‧‧中心流路
20b‧‧‧中間流路
20c‧‧‧外周側流路
21‧‧‧淨化氣體流路
A、B、C、D、E‧‧‧上下尺寸

Claims (2)

  1. 一種氣相成長裝置，係將原料氣體管同軸配置在中空驅動軸內部，且具備有：圓盤狀之基座，在處理室內可旋轉地支持於中空驅動軸；複數之外齒輪構件，分別設置成可在該基座之外周部圓周方向旋轉；環狀之固定內齒輪構件，具備有可與該外齒輪構件咬合之內齒輪；加熱構件，分別對保持在上述外齒輪構件之基板進行加熱；流動通道，在平行於上述基板表面之方向導引原料氣體；噴嘴，從該流動通道中心部向外周方向導入氣體；和原料氣體供給管，用來將原料氣體供給到該噴嘴；其中，在上述中空驅動軸內周面和上述原料氣體供給管之間形成淨化氣體流路，使淨化氣體在上述流動通道之方向流動，將淨化氣體從該淨化氣體流路導入流動通道之外周方向，並將用以導入淨化氣體之噴嘴相對上述基座之上面形成為在平行方向，且上下尺寸形成一定值。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣相成長裝置，其中，上述噴嘴係設置成從上述原料氣體供給管之上端在流動通道之外周方向彎曲而成為突出之圓盤狀，該原料氣體噴嘴前端部之氣體流路之上下尺寸係形成為小於原料氣體噴嘴基部側之氣體流路之上下尺寸，且上下尺寸變小之噴嘴前端部之長度，係具有噴嘴基部側氣體流路之上下尺寸之1.5倍以上之長度。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013225571A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置
JP5904861B2 (ja) * 2012-04-26 2016-04-20 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP6013122B2 (ja) * 2012-10-04 2016-10-25 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP6059940B2 (ja) * 2012-10-04 2017-01-11 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP6013121B2 (ja) * 2012-10-04 2016-10-25 大陽日酸株式会社 気相成長装置
KR102376429B1 (ko) * 2013-12-18 2022-03-17 램 리써치 코포레이션 균일성 베플들을 포함하는 반도체 기판 프로세싱 장치
US9748113B2 (en) 2015-07-30 2017-08-29 Veeco Intruments Inc. Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system
TWI624561B (zh) * 2016-08-12 2018-05-21 漢民科技股份有限公司 用於半導體製程之氣體噴射器及成膜裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49140U (zh) * 1972-04-07 1974-01-05
JP2007266121A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Hitachi Cable Ltd 気相成長装置
US20080017099A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Crystal growth method and apparatus
JP2009032785A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法
JP2009032784A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
JPH07142406A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及び装置
US6090211A (en) * 1996-03-27 2000-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming semiconductor thin layer
WO2005114016A1 (ja) * 2004-05-20 2005-12-01 Ckd Corporation ガス供給集積ユニット及びガスユニットの増設方法
DE102005056320A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49140U (zh) * 1972-04-07 1974-01-05
JP2007266121A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Hitachi Cable Ltd 気相成長装置
US20080017099A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Crystal growth method and apparatus
JP2009032785A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法
JP2009032784A (ja) * 2007-07-25 2009-02-12 Sharp Corp 気相成長装置、及び半導体素子の製造方法

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Publication number Publication date
JP2011023519A (ja) 2011-02-03
KR20120038450A (ko) 2012-04-23
US20120160170A1 (en) 2012-06-28
TW201111542A (en) 2011-04-01
JP5324347B2 (ja) 2013-10-23
CN102473611A (zh) 2012-05-23
CN102473611B (zh) 2015-04-29
WO2011007754A1 (ja) 2011-01-20

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