JP2010132958A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010132958A JP2010132958A JP2008308921A JP2008308921A JP2010132958A JP 2010132958 A JP2010132958 A JP 2010132958A JP 2008308921 A JP2008308921 A JP 2008308921A JP 2008308921 A JP2008308921 A JP 2008308921A JP 2010132958 A JP2010132958 A JP 2010132958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- wafers
- wafer
- film thickness
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚のウエハを積層して保持するボート30を処理室に収容し、各ウエハ間に処理ガスを流して、各ウエハ上に成膜する基板処理装置において、ボート30に複数個の支持部67と複数の保持溝68とを交互に配置し、各支持部67と各保持溝68とにウエハとリング58とをそれぞれ保持する。複数個のリング58は円形孔58aの内径がボート30の下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。成膜中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減できるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善できる。
【選択図】図6
【解決手段】複数枚のウエハを積層して保持するボート30を処理室に収容し、各ウエハ間に処理ガスを流して、各ウエハ上に成膜する基板処理装置において、ボート30に複数個の支持部67と複数の保持溝68とを交互に配置し、各支持部67と各保持溝68とにウエハとリング58とをそれぞれ保持する。複数個のリング58は円形孔58aの内径がボート30の下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。成膜中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減できるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善できる。
【選択図】図6
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に成膜処理を施すのに利用して有効なものに関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に成膜処理を施すのに利用して有効なものに関する。
ICの製造方法においてウエハにZrO2 膜やHfO2 膜を形成する基板処理装置としては、ALD(Atomic Layer Deposition )装置がある。例えば、特許文献1参照。
従来のALD装置においては、ウエハ外周部膜厚がウエハ中央部膜厚に比べて厚くなり、面内膜厚均一性が悪化してしまう。例えば、特許文献1参照。
そこで、ウエハの真上に円環状部材を配置した状態で、ウエハにALD法を実施するALD装置が提案されている。このALD装置によると、円環状部材にALD膜が付着することにより、ウエハ外周辺部に付着するALD膜が減少するために、面内膜厚均一性が改善する。
従来のALD装置においては、ウエハ外周部膜厚がウエハ中央部膜厚に比べて厚くなり、面内膜厚均一性が悪化してしまう。例えば、特許文献1参照。
そこで、ウエハの真上に円環状部材を配置した状態で、ウエハにALD法を実施するALD装置が提案されている。このALD装置によると、円環状部材にALD膜が付着することにより、ウエハ外周辺部に付着するALD膜が減少するために、面内膜厚均一性が改善する。
しかしながら、ウエハの真上に円環状部材を配置した状態で成膜するALD装置においては、ウエハ外周辺部膜厚が中央部に比べて薄くなり、面内膜厚均一性が悪化してしまうという問題点があることが究明された。特に、ボートの上端部に保持されたウエハにおいて、その問題点が顕著に見られ、面間膜厚均一性が悪化してしまうという問題点があることが究明された。
本発明の目的は、面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
複数枚の基板を間隔をおいて積層保持する基板保持手段と、
前記複数枚の基板および前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面にそれぞれ対向して配置される複数の円環状部材と、を有し、
前記複数の円環状部材の内径のそれぞれは、前記複数枚の基板の積層方向に沿って異なることを特徴とする基板処理装置。
複数枚の基板を間隔をおいて積層保持する基板保持手段と、
前記複数枚の基板および前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面にそれぞれ対向して配置される複数の円環状部材と、を有し、
前記複数の円環状部材の内径のそれぞれは、前記複数枚の基板の積層方向に沿って異なることを特徴とする基板処理装置。
前記手段によれば、面内膜厚均一性および面間膜厚均一性を向上させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
図1は本発明の一実施形態である基板処理装置を示している。
本実施形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハを複数枚一括して処理するバッチ式縦型基板処理装置(以下、基板処理装置という)10であり、主要部が配置される筺体12を有する。
筺体12の正面側にはポッドステージ14が接続されており、ポッドステージ14にはFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハが収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
本実施形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハを複数枚一括して処理するバッチ式縦型基板処理装置(以下、基板処理装置という)10であり、主要部が配置される筺体12を有する。
筺体12の正面側にはポッドステージ14が接続されており、ポッドステージ14にはFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)16が搬送される。ポッド16には、例えば25枚のウエハが収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ14にセットされる。
筺体12内の正面側であって、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。
ポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22およびウエハ枚数検知器24が配置されている。ポッド棚20はポッドオープナ22の上方に配置され、ウエハ枚数検知器24はポッドオープナ22に隣接して配置される。
ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22はポッド16の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド16内のウエハ枚数がウエハ枚数検知器24により検知される。
ポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22およびウエハ枚数検知器24が配置されている。ポッド棚20はポッドオープナ22の上方に配置され、ウエハ枚数検知器24はポッドオープナ22に隣接して配置される。
ポッド搬送装置18は、ポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間でポッド16を搬送する。ポッドオープナ22はポッド16の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド16内のウエハ枚数がウエハ枚数検知器24により検知される。
筺体12内には、ウエハ移載機26、ノッチアライナ28および基板保持手段としてのボート30が配置されている。
ウエハ移載機26は、例えば5枚のウエハを取り出すことができるアーム(ツィーザ)32を有し、ツィーザ32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド16、ノッチアライナ28およびボート30間でウエハを搬送する。
ノッチアライナ28は、ウエハに形成されたノッチまたはオリフラを検出してウエハのノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
ボート30は複数枚のウエハを水平姿勢で間隔をあけて多段に保持する。
ウエハ移載機26は、例えば5枚のウエハを取り出すことができるアーム(ツィーザ)32を有し、ツィーザ32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド16、ノッチアライナ28およびボート30間でウエハを搬送する。
ノッチアライナ28は、ウエハに形成されたノッチまたはオリフラを検出してウエハのノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
ボート30は複数枚のウエハを水平姿勢で間隔をあけて多段に保持する。
筺体12内の背面側上部には図2および図3に示された処理炉40が配置されている。複数枚のウエハを装填したボート30が処理炉40内に搬入され、処理が行われる。
図2および図3に示されているように、処理炉40は加熱手段であるヒータ207を備えている。ヒータ207の内側にはウエハ200を処理する反応容器として反応管203が設けられている。反応管203の下端にはマニホールド209が設けられている。マニホールド209は例えばステンレス等によって円筒形状に形成されている。マニホールド209と反応管203との間には気密部材であるOリング220が介設されており、Oリング220によって気密が維持されている。マニホールド209の下端開口は蓋体であるシールキャップ219により気密部材であるOリング220を介して気密に閉塞される。ヒータ207、反応管203、マニホールド209およびシールキャップ219は処理室201を形成している。
シールキャップ219にはボート支持台218を介して基板保持手段であるボート30が立設され、ボート支持台218はボートを保持する保持体となっている。ボート30は処理室201に挿入される。ボート30にはバッチ処理される複数のウエハ200が、水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ207は処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
シールキャップ219にはボート支持台218を介して基板保持手段であるボート30が立設され、ボート支持台218はボートを保持する保持体となっている。ボート30は処理室201に挿入される。ボート30にはバッチ処理される複数のウエハ200が、水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ207は処理室201に挿入されたウエハ200を所定の温度に加熱する。
処理室201には複数種類、ここでは2種類のガスを供給する供給管としての第一ガス供給管232aおよび第二ガス供給管232bが設けられている。
第一ガス供給管232aにはキャリアガスを供給する第一キャリアガス供給管234aが、流量制御手段である液体マスフローコントローラ240、気化器242および開閉弁である第一バルブ243aが上流方向から順に介されて、合流されている。第一キャリアガス供給管234aには流量制御手段である第二マスフローコントローラ241bおよび開閉弁である第三バルブ243cが、上流方向から順に設けられている。
第一ガス供給管232aの先端部には第一ノズル233aが接続されており、第一ノズル233aは反応管203の側壁とウエハ200との間における円弧形状の空間に、反応管203の下部より上部の側壁にウエハ200の積層方向に沿って設けられている。第一ノズル233aの側面にはガスを供給する供給口である第一ガス供給孔248aが複数個設けられている。複数個の第一ガス供給孔248aは上流側から下流側まで同一の開口面積で、かつ、同一の開口ピッチで設けられている。
第一ガス供給管232aにはキャリアガスを供給する第一キャリアガス供給管234aが、流量制御手段である液体マスフローコントローラ240、気化器242および開閉弁である第一バルブ243aが上流方向から順に介されて、合流されている。第一キャリアガス供給管234aには流量制御手段である第二マスフローコントローラ241bおよび開閉弁である第三バルブ243cが、上流方向から順に設けられている。
第一ガス供給管232aの先端部には第一ノズル233aが接続されており、第一ノズル233aは反応管203の側壁とウエハ200との間における円弧形状の空間に、反応管203の下部より上部の側壁にウエハ200の積層方向に沿って設けられている。第一ノズル233aの側面にはガスを供給する供給口である第一ガス供給孔248aが複数個設けられている。複数個の第一ガス供給孔248aは上流側から下流側まで同一の開口面積で、かつ、同一の開口ピッチで設けられている。
第二ガス供給管232bにはキャリアガスを供給する第二キャリアガス供給管234bが、流量制御手段である第一マスフローコントローラ241a、開閉弁である第二バルブ243bが上流方向から順に介されて、合流されている。第二キャリアガス供給管234bには流量制御手段である第三マスフローコントローラ241cおよび開閉弁である第四バルブ243dが、上流方向から順に設けられている。
第二ガス供給管232bの先端部には第二ノズル233bが接続されており、第二ノズル233bは反応管203の側壁とウエハ200との間における円弧形状の空間に、反応管203の下部より上部の側壁にウエハ200の積層方向に沿って設けられている。第二ノズル233bの側面にはガスを供給する供給口である第二ガス供給孔248bが複数個設けられている。複数個の第二ガス供給孔248bは上流側から下流側まで同一の開口面積で、かつ、同一の開口ピッチで設けられている。
第二ガス供給管232bの先端部には第二ノズル233bが接続されており、第二ノズル233bは反応管203の側壁とウエハ200との間における円弧形状の空間に、反応管203の下部より上部の側壁にウエハ200の積層方向に沿って設けられている。第二ノズル233bの側面にはガスを供給する供給口である第二ガス供給孔248bが複数個設けられている。複数個の第二ガス供給孔248bは上流側から下流側まで同一の開口面積で、かつ、同一の開口ピッチで設けられている。
例えば、第一ガス供給管232aから供給される原料が液体の場合には、第一ガス供給管232aからは、液体マスフローコントローラ240、気化器242および第一バルブ243aを介して、第一キャリアガス供給管234と合流し、さらに、第一ノズル233aを介して処理室201内に反応ガスが供給される。
例えば、第一ガス供給管232aから供給される原料が気体の場合には、液体マスフローコントローラ240が気体用マスフローコントローラ交換され、気化器242は不要となる。
また、第二ガス供給管232bからは第一マスフローコントローラ241a、第二バルブ243bを介して第二キャリアガス供給管234bが合流し、第二ノズル233bを介して処理室201に反応ガスが供給される。
例えば、第一ガス供給管232aから供給される原料が気体の場合には、液体マスフローコントローラ240が気体用マスフローコントローラ交換され、気化器242は不要となる。
また、第二ガス供給管232bからは第一マスフローコントローラ241a、第二バルブ243bを介して第二キャリアガス供給管234bが合流し、第二ノズル233bを介して処理室201に反応ガスが供給される。
処理室201には排気手段である真空ポンプ246が、ガスを排気する排気管であるガス排気管231により第五バルブ243eを介して接続されており、処理室201は真空ポンプ246によって排気されるようになっている。
なお、第五バルブ243eは弁を開閉して処理室201の排気および排気停止が可能であり、さらに、弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
なお、第五バルブ243eは弁を開閉して処理室201の排気および排気停止が可能であり、さらに、弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
反応管203内の中央部には複数枚のウエハ200を多段に同一間隔で積層して保持するボート30が設けられており、ボート30は図示しないボートエレベータ機構により反応管203に出入りできるようになっている。
シールキャップ219には回転手段であるボート回転機構267が設けられており、ボート回転機構267はボート支持台218に保持されたボート30を回転させることにより、ウエハ200面内膜厚分布均一性を向上させる。
シールキャップ219には回転手段であるボート回転機構267が設けられており、ボート回転機構267はボート支持台218に保持されたボート30を回転させることにより、ウエハ200面内膜厚分布均一性を向上させる。
制御手段であるコントローラ280は、液体マスフローコントローラ240、第一〜第三マスフローコントローラ241a、241b、241c、第一〜第五バルブ243a、243b、243c、243d、243e、ヒータ207、真空ポンプ246、ボート回転機構267、図示しないボート昇降機構に接続されており、液体マスフローコントローラ240、第一〜第三マスフローコントローラ241a、241b、241cの流量調整、第一〜第四バルブ243a、243b、243c、243dの開閉動作、第五バルブ243eの開閉および圧力調整動作、ヒータ207の温度調節、真空ポンプ246の起動・停止、ボート回転機構267の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、が行われる。
次に、ALD法を用いた成膜処理例について、ICの製造工程の一つである、TEMAZr(Za[NCH3 C2 H5 ]4 :テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム)と、O3 (オゾン)とを用いたZrO2 膜、TEMAHf(Hf[NCH3 C2 H5 ]4 :テトラキスエチルメチルアミノハフニウム)とO3 とを用いたHfO2 膜を成膜する例で説明する。
CVD(Chemical Vapor Deposition)法の一つであるALD法は、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる少なくとも2種類の原料となる反応ガスを1種類ずつ交互にウエハ上に供給し、1原子単位でウエハ上に吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。このとき、膜厚の制御は、反応性ガスを供給するサイクル数で行う。例えば、成膜速度が1Å/サイクルとすると、20Åの膜を形成する場合には、20サイクル行う。
ALD法では、例えば、ZrO2 膜形成の場合、TEMAZrとO3 とを用いて180〜250℃の低温で高品質の成膜が可能である。
まず、成膜しようとするウエハ200をボート30に装填し、処理室201に搬入する。ボート30を処理室201に搬入後に、次の3つのステップを順次実行する。
(ステップ1)
第一ガス供給管232aにTEMAZr、第一キャリアガス供給管234aにキャリアガス(N2 )を流す。第一ガス供給管232aの第一バルブ243a、第一キャリアガス供給管234aの第三バルブ243cおよびガス排気管231の第五バルブ243eを共に開ける。
キャリアガスは第一キャリアガス供給管234aから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整される。
TEMAZrは第一ガス供給管232aから流れ、液体マスフローコントローラ240により流量調整され、気化器242により気化され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第一ノズル233aの第一供給孔248aから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。
このとき、第五バルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を10〜300Paの範囲内の所定の圧力、例えば250Paに維持する。液体マスフローコントローラ240で制御するTEMAZrの供給量は0.01〜0.3g/minである。ウエハをTEMAZrガスに晒す時間は30〜180秒間である。このとき、ヒータ207の温度はウエハ200の温度が180〜250℃の範囲内の所定の温度、例えば220℃になるように設定されている。
TEMAZrを処理室201内に供給することにより、ウエハ200上の下地膜等の表面部分と表面反応(化学吸着)する。
第一ガス供給管232aにTEMAZr、第一キャリアガス供給管234aにキャリアガス(N2 )を流す。第一ガス供給管232aの第一バルブ243a、第一キャリアガス供給管234aの第三バルブ243cおよびガス排気管231の第五バルブ243eを共に開ける。
キャリアガスは第一キャリアガス供給管234aから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整される。
TEMAZrは第一ガス供給管232aから流れ、液体マスフローコントローラ240により流量調整され、気化器242により気化され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第一ノズル233aの第一供給孔248aから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。
このとき、第五バルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を10〜300Paの範囲内の所定の圧力、例えば250Paに維持する。液体マスフローコントローラ240で制御するTEMAZrの供給量は0.01〜0.3g/minである。ウエハをTEMAZrガスに晒す時間は30〜180秒間である。このとき、ヒータ207の温度はウエハ200の温度が180〜250℃の範囲内の所定の温度、例えば220℃になるように設定されている。
TEMAZrを処理室201内に供給することにより、ウエハ200上の下地膜等の表面部分と表面反応(化学吸着)する。
(ステップ2)
第一ガス供給管232aの第一バルブ243aを閉めて、TEMAZrの供給を停止する。このとき、ガス排気管231の第五バルブ243eは開いたままにし、処理室201を20Pa以下になるまで真空ポンプ246により排気し、残留TEMAZrガスを処理室201内から排除する。このとき、N2 等の不活性ガスを処理室201内に供給すると、残留TEMAZrガスを排除する効果がさらに高まる。
第一ガス供給管232aの第一バルブ243aを閉めて、TEMAZrの供給を停止する。このとき、ガス排気管231の第五バルブ243eは開いたままにし、処理室201を20Pa以下になるまで真空ポンプ246により排気し、残留TEMAZrガスを処理室201内から排除する。このとき、N2 等の不活性ガスを処理室201内に供給すると、残留TEMAZrガスを排除する効果がさらに高まる。
(ステップ3)
第二ガス供給管232bにO3 を流し、第二キャリアガス供給管234bにキャリアガス(N2 )を流す。第二ガス供給管232bの第二バルブ243b、第二キャリアガス供給管234bの第四バブル243dを共に開ける。
キャリアガスは第二キャリアガス供給管234bから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整される。
O3 ガスは第二ガス供給管232bから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第二ノズル233bの第二供給孔248bから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。
このとき、第五バルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を10〜300Paの範囲内の所定の圧力、例えば20Paに維持する。ウエハ200をO3 ガスに晒す時間は10〜120秒間である。このとき、ヒータ207の温度はウエハ200の温度が180〜250℃の範囲内の所定の温度、例えば220℃になるように設定する。
O3 の供給により、ウエハ200の表面に化学吸着したTEMAZrとO3 とが表面反応して、ウエハ200上にZrO2 膜が成膜される。
成膜後に、第二ガス供給管232bの第二バルブ243bおよび第二キャリアガス供給管234bの第四バルブ243dを閉じ、処理室201内を真空ポンプ246により排気し、残留するO3 ガスの成膜に寄与した後のガスを排除する。
この時にはN2 等の不活性ガスを処理室201に供給すると、残留するO3 の成膜に寄与した後のガスを処理室201から排除する効果が高まる。
第二ガス供給管232bにO3 を流し、第二キャリアガス供給管234bにキャリアガス(N2 )を流す。第二ガス供給管232bの第二バルブ243b、第二キャリアガス供給管234bの第四バブル243dを共に開ける。
キャリアガスは第二キャリアガス供給管234bから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整される。
O3 ガスは第二ガス供給管232bから流れ、第二マスフローコントローラ241bにより流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、第二ノズル233bの第二供給孔248bから処理室201内に供給されつつガス排気管231から排気される。
このとき、第五バルブ243eを適正に調整して処理室201内の圧力を10〜300Paの範囲内の所定の圧力、例えば20Paに維持する。ウエハ200をO3 ガスに晒す時間は10〜120秒間である。このとき、ヒータ207の温度はウエハ200の温度が180〜250℃の範囲内の所定の温度、例えば220℃になるように設定する。
O3 の供給により、ウエハ200の表面に化学吸着したTEMAZrとO3 とが表面反応して、ウエハ200上にZrO2 膜が成膜される。
成膜後に、第二ガス供給管232bの第二バルブ243bおよび第二キャリアガス供給管234bの第四バルブ243dを閉じ、処理室201内を真空ポンプ246により排気し、残留するO3 ガスの成膜に寄与した後のガスを排除する。
この時にはN2 等の不活性ガスを処理室201に供給すると、残留するO3 の成膜に寄与した後のガスを処理室201から排除する効果が高まる。
以上のステップ1〜3を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより、ウエハ200上に所定膜厚のTEMAZr膜を成膜することができる。
以下、本発明の特徴であるボート30を、図4〜図8について詳述する。
図4に示されているように、本実施形態に係るボート30は本体部57を備えており、本体部57は石英(SiO2 )によって形成されている。本体部57は、円板形状の上板61と、円板形状の下板63と、上板61と下板63とを接続する3本の支柱65と、3本の支柱65から水平に延びた複数の支持部67とを備えている。
3本の支柱65、65、65は互いに90度ずつ隔てて配置されている。すなわち、ツィーザ32が挿入される側に2本の支柱65、65が180度隔てて配置され、ツィーザ32の反挿入側に1本の支柱65が配置されている。
支柱65から水平に延びた支持部67は、支柱65に対して垂直方向に等間隔に配置されている。3本の支柱65、65、65の同一段の3個の支持部67、67、67は同一水平面内に位置しており、それらの上面においてウエハ200の下面と接触することにより、ウエハ200を水平に支持する。
図4に示されているように、本実施形態に係るボート30は本体部57を備えており、本体部57は石英(SiO2 )によって形成されている。本体部57は、円板形状の上板61と、円板形状の下板63と、上板61と下板63とを接続する3本の支柱65と、3本の支柱65から水平に延びた複数の支持部67とを備えている。
3本の支柱65、65、65は互いに90度ずつ隔てて配置されている。すなわち、ツィーザ32が挿入される側に2本の支柱65、65が180度隔てて配置され、ツィーザ32の反挿入側に1本の支柱65が配置されている。
支柱65から水平に延びた支持部67は、支柱65に対して垂直方向に等間隔に配置されている。3本の支柱65、65、65の同一段の3個の支持部67、67、67は同一水平面内に位置しており、それらの上面においてウエハ200の下面と接触することにより、ウエハ200を水平に支持する。
3本の支柱65、65、65には複数の保持溝68がそれぞれ形成されている。3本の支柱65、65、65にそれぞれ形成された保持溝68、68、68は、支柱65に対して垂直方向に等間隔にそれぞれ配置されており、3本の支柱65、65、65の同一段の3個の保持溝68、68、68は同一水平面内に位置している。各保持溝68と各支持部67とは交互になるように配置されている。
同一段の保持溝68、68、68には円環状部材(以下、リングという)58が、その周縁部が挿入されて水平に保持される。
リング58は石英が使用されて円環状に形成されている。すなわち、リング58は円板形状に形成されており、円形孔58aが中央部に同心円に形成されている。リング58の垂直方向の厚さは、保持溝68に挿入可能な寸法に設定されている。
リング58の材質は、耐熱性やコストおよび加工の容易さから、本体部57と同じ石英とすることが好ましいが、表面をCVD法のような方法によって表面処理することにより、窒化シリコン(SiN)膜や炭化シリコン(SiC)膜等を形成することができる。
リング58は石英が使用されて円環状に形成されている。すなわち、リング58は円板形状に形成されており、円形孔58aが中央部に同心円に形成されている。リング58の垂直方向の厚さは、保持溝68に挿入可能な寸法に設定されている。
リング58の材質は、耐熱性やコストおよび加工の容易さから、本体部57と同じ石英とすることが好ましいが、表面をCVD法のような方法によって表面処理することにより、窒化シリコン(SiN)膜や炭化シリコン(SiC)膜等を形成することができる。
ところで、ボート30の各段の支持部67にウエハ200をそれぞれ支持させた状態で、前述したALD法を実施すると、図5(a)に示されているように、形成された膜70のウエハ周辺部膜厚がウエハ中央部膜厚に比べて厚くなり、面内膜厚均一性が悪化してしまう。
そこで、図5(b)に示されているように、交互に配置された各支持部67と各保持溝68とにウエハ200とリング58とをそれぞれ保持して、前述したALD法を実施すると、各リング58にALD膜が付着することにより、ウエハ200周辺部に付着するALD膜が減少するために、図5(b)に示されているように、面内膜厚均一性が改善することができる。
しかしながら、ウエハ200の真上にリング58を配置した状態でALD法を実施すると、ボート30の上端部に保持されたウエハ200と中央部および下端部に保持されたウエハ200との間同士の面間(ウエハ相互間)膜厚均一性が悪化してしまうという問題点、があることが究明された。
さらに、ボート30の下端から上端にかけて連続的に中央部膜厚が厚くなる場合と、ボート30の下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合とがあることも、究明された。
さらに、ボート30の下端から上端にかけて連続的に中央部膜厚が厚くなる場合と、ボート30の下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合とがあることも、究明された。
そこで、ウエハ相互間膜厚均一性がボート30の下端から上端にかけて連続的に悪化する場合には、図6に示されているように、複数個のリング58をボート30の各段の保持溝68に、円形孔58aの内径が下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。すなわち、複数個のリング58の円形孔58aは、その内径がボート30の下端から上端へ向かって次第に大きくなるようにそれぞれ形成されている。
円形孔58aの内径が下端から上端にむかって漸増する複数個のリング58をボート30にセットすることにより、前述したALD法の実施中に、各段のリング58に付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、各段のリング58の下側にそれぞれ位置する各段のウエハ200に付着する膜70の付着量を次第に漸減させることができる。つまり、ウエハ相互間膜厚均一性がボート30の下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
円形孔58aの内径が下端から上端にむかって漸増する複数個のリング58をボート30にセットすることにより、前述したALD法の実施中に、各段のリング58に付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、各段のリング58の下側にそれぞれ位置する各段のウエハ200に付着する膜70の付着量を次第に漸減させることができる。つまり、ウエハ相互間膜厚均一性がボート30の下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
ボート30の下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合には、図7に示されているように、複数個のリング58をボート30の各段の保持溝68に、円形孔58aの内径が下端から中央にかけては一定となり、かつ、中央から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットする。すなわち、複数個のリング58の円形孔58aは、その内径がボート30の下端から中央にかけては同一であるが、中央から上端にかけては上端へ向かって次第に大きくなるようにそれぞれ形成されている。
このように複数個のリング58をボート30にセットすることにより、ALD法の実施中に、下端から中央にかけての各段のリング58に付着する膜の付着量を一定に維持することができるので、下端から中央にかけての各段の支持部67に支持されたウエハ200に付着する膜70の面間膜厚均一性を良好に維持することができ、かつまた、中央から上端にかけては各段のリング58に付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、中央から上端にかけての各段の支持部67に保持されたウエハ200に付着する膜70の付着量を次第に漸減させることができる。つまり、ボート30の下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合ついてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
このように複数個のリング58をボート30にセットすることにより、ALD法の実施中に、下端から中央にかけての各段のリング58に付着する膜の付着量を一定に維持することができるので、下端から中央にかけての各段の支持部67に支持されたウエハ200に付着する膜70の面間膜厚均一性を良好に維持することができ、かつまた、中央から上端にかけては各段のリング58に付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、中央から上端にかけての各段の支持部67に保持されたウエハ200に付着する膜70の付着量を次第に漸減させることができる。つまり、ボート30の下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合ついてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
リング円形孔内径変更によるウエハ相互間膜厚均一性改善効果を検証するために、膜厚予測値を算出した。その算出方法は、まず、図8に示されているように、円形孔内径を変更したリングをボートに装着し、HfO2 膜をウエハ上に成膜し、その周辺部膜厚変動率を求めた。
その求めた膜厚変動率をZrO2 膜にも適用し、ZrO2 膜の周辺部膜厚変動率を算出した。その結果が図9に示されている。
図8によれば、リング内径を5mm広げることにより0.6%の膜厚改善効果があり、リング内径を10mm広げることにより0.7%の膜厚改善効果があることが、判る。
その求めた膜厚変動率をZrO2 膜にも適用し、ZrO2 膜の周辺部膜厚変動率を算出した。その結果が図9に示されている。
図8によれば、リング内径を5mm広げることにより0.6%の膜厚改善効果があり、リング内径を10mm広げることにより0.7%の膜厚改善効果があることが、判る。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) ボートに複数個の支持部と複数の保持溝とを交互に配置し、各支持部と各保持溝とにウエハとリングとをそれぞれ保持してALD法を実施することにより、各ウエハの真上の各リングにALD膜を付着させることで、リングの真下に位置したウエハの周辺部に付着するALD膜を減少させることができるので、ウエハ面内膜厚均一性を改善することができる。
2) ボートに複数個のリングを円形孔の内径が下端から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットすることにより、ALD法の実施中に、各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、各段のリングの下側にそれぞれ位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、ウエハ相互間膜厚均一性がボートの下端から上端にかけて連続的に悪化する場合についてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
3) ボートに複数個のリングを、円形孔の内径が下端から中央かけては一定となり、かつ、中央から上端へ向かって漸増するようにそれぞれセットすることにより、ALD法の実施中に、下端から中央にかけての各段のリングに付着する膜の付着量を一定に維持することで、下端から中央にかけての各段のリングの真下に位置したウエハ相互間膜厚均一性を良好に維持することができ、かつまた、中央から上端にかけては各段のリングに付着する膜の付着量を次第に漸減させることで、中央から上端にかけての各段のリングの真下に位置したウエハに付着する膜の付着量を次第に漸減させることができるので、ボートの下端から中央にかけてはウエハ相互間膜厚分布均一性に変化がなく、中央から上端にかけてウエハ相互間膜厚分布均一性が悪化してしまう場合ついてのウエハ相互間膜厚均一性を改善することができる。
4) ボートに保持溝を設けリングを着脱自在に保持可能に構成することにより、リングの仕様変更や交換および修理等に容易に対処することができるので、ボートのイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができるとともに、基板処理装置の稼働休止時間を短縮することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、円環状部材の形状(円形孔の内径や厚さ等)は、適宜に設計変更することができる。
本発明は、CVD装置、酸化装置、拡散装置および熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
本発明は、半導体ウエハに限らず、液晶パネル、磁気ディスク、光ディスク等の基板全般について適用することができる。
本発明の好ましい態様を付記する。
(1)複数枚の基板を間隔をおいて積層保持する基板保持手段と、
前記複数枚の基板および前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面にそれぞれ対向して配置される複数の円環状部材と、を有し、
前記複数の円環状部材の内径のそれぞれは、前記複数枚の基板の積層方向に沿って異なることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの上流側から下流側へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(3)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの下部から上部へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(4)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの上流から中流に対応する位置では一定であり、前記処理ガスの中流から下流へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(5)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの下端から中央部まで一定であり、前記処理ガスの中央部から上端へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(6)処理室と、その処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室に処理ガスを供給する供給手段と、前記処理室を排気する排気手段と、基板間に配置された膜付着手段である円環状部材を備えた基板保持手段と、を有し、前記円環状部材を着脱可能としたことを特徴とする基板処理装置。
(7)前記基板保持手段の前記基板間に配置された前記円環状部材の形状が、変形されていることを特徴とする前記(6)の基板処理装置。
(8)前記円環状部材の形状が、前記基板保持手段の上下方向において変更されていることを特徴とする前記(7)の基板処理装置。
(1)複数枚の基板を間隔をおいて積層保持する基板保持手段と、
前記複数枚の基板および前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面にそれぞれ対向して配置される複数の円環状部材と、を有し、
前記複数の円環状部材の内径のそれぞれは、前記複数枚の基板の積層方向に沿って異なることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの上流側から下流側へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(3)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの下部から上部へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(4)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの上流から中流に対応する位置では一定であり、前記処理ガスの中流から下流へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(5)前記ガス供給手段が前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設されているとともに、複数のガス供給孔を有するガスノズルを備えており、
前記円環状部材の内径は、前記処理ガスの下端から中央部まで一定であり、前記処理ガスの中央部から上端へ連続的に広くなることを特徴とする前記(1)の基板処理装置。
(6)処理室と、その処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室に処理ガスを供給する供給手段と、前記処理室を排気する排気手段と、基板間に配置された膜付着手段である円環状部材を備えた基板保持手段と、を有し、前記円環状部材を着脱可能としたことを特徴とする基板処理装置。
(7)前記基板保持手段の前記基板間に配置された前記円環状部材の形状が、変形されていることを特徴とする前記(6)の基板処理装置。
(8)前記円環状部材の形状が、前記基板保持手段の上下方向において変更されていることを特徴とする前記(7)の基板処理装置。
30 ボート(基板保持手段)
57 本体部
58 リング(円環状部材)
61 上板
63 下板
65 支柱
67 支持部
68 保持溝
70 膜
57 本体部
58 リング(円環状部材)
61 上板
63 下板
65 支柱
67 支持部
68 保持溝
70 膜
Claims (1)
- 複数枚の基板を間隔をおいて積層保持する基板保持手段と、
前記複数枚の基板および前記基板保持手段を収容する処理室と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面に対して平行方向に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記処理室内に収容される前記複数枚の基板の被処理面にそれぞれ対向して配置される複数の円環状部材と、を有し、
前記複数の円環状部材の内径のそれぞれは、前記複数枚の基板の積層方向に沿って異なることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008308921A JP2010132958A (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008308921A JP2010132958A (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010132958A true JP2010132958A (ja) | 2010-06-17 |
Family
ID=42344509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008308921A Pending JP2010132958A (ja) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010132958A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140283750A1 (en) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Limited | Batch-type vertical substrate processing apparatus and substrate holder |
KR20180073453A (ko) | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
KR20210018149A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 보유 지지구 및 프로그램 |
JP2021028977A (ja) * | 2020-09-25 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
CN113862643A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-31 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 原子层沉积装置及其匀流机构 |
-
2008
- 2008-12-03 JP JP2008308921A patent/JP2010132958A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140283750A1 (en) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Limited | Batch-type vertical substrate processing apparatus and substrate holder |
US9613838B2 (en) * | 2013-03-21 | 2017-04-04 | Tokyo Electron Limited | Batch-type vertical substrate processing apparatus and substrate holder |
KR20180073453A (ko) | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
JP2018107174A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US11047044B2 (en) | 2016-12-22 | 2021-06-29 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
TWI737868B (zh) * | 2016-12-22 | 2021-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 成膜裝置及成膜方法 |
KR20210018149A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 보유 지지구 및 프로그램 |
JP2021028977A (ja) * | 2020-09-25 | 2021-02-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
JP7048690B2 (ja) | 2020-09-25 | 2022-04-05 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板保持具 |
CN113862643A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-31 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 原子层沉积装置及其匀流机构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101814243B1 (ko) | 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI375275B (en) | Formation of silicon nitride film | |
JP5155070B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5616591B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5219562B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008258595A (ja) | 基板処理装置 | |
US20120122318A1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
US10224185B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2008078448A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101015985B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2006286716A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2014067783A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 | |
JP2010132958A (ja) | 基板処理装置 | |
US20120312234A1 (en) | Process gas diffuser assembly for vapor deposition system | |
JP2011071414A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2012151386A (ja) | ノズル取付方法 | |
JP2011222677A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2015070046A (ja) | 基板保持具 | |
JP2011216906A (ja) | 基板処埋装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005142355A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009123950A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011187485A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006190760A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006066557A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5356569B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理方法並びに基板処理装置 |