TWI497531B - 一種包含鑲嵌帶的通信電纜 - Google Patents

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Description

一種包含鑲嵌帶的通信電纜 [相關申請案]
本案與2009年3月3日提申之美國專利暫時申請案第61/157,067號有關，該案的全部內容藉由此參考而被併入於本文中。
本發明大體上係有關於通信電纜及更明確地係有關於用在通信電纜中之具有固定的，隨機的及/或擬隨機(pseudo-random)的圖案長度的鑲嵌帶，及用於生產鑲嵌帶的製造方法。
[藉由參考而併入的內容]
本案藉由參考而包含下列美國暫時申請案的全部內容：
1. 2008年3月6日提申，名稱為“Communication Cable with Improved Crosstalk Attenuation”的申請案第61/034,312號
2. 2008年3月19日提申，名稱為“Communication Cable with Improved Crosstalk Attenuation”的申請案第61/054,330號
3. 2008年11月10日提申，名稱為“Communication Cable with Improved Crosstalk Attenuation”的申請案第61/112,794號
在每秒10十億位元(Gbps)網路電纜(例如，6A類電纜)的發展中，外部串音規格參數(如ANSI/TIA/EIA-568-C.3規格中所界定者)是很有挑戰性的規格參數。透過一鑲嵌帶(即，一種塑膠帶，在該塑膠帶的一面或兩面上具有不連續的金屬形狀)的使用，外部串音可被降低，藉以符合該外部串音規格參數。然而，由於目前的鑲嵌帶製程(如，刀模切削)的工具組的限制，只能獲得固定式形狀的金屬圖案或具有週期長度相當短的可變式金屬圖案。又，當使用傳統的處理來製造時，介於鑲嵌帶的金屬圖案之間的間隙會比所想要的寬度來得更寬，以適當地降低外部串音。而且，與鑲嵌帶的傳統製造有關的成本係相當昂貴。
在此技藝中對於用來改善外部串音及改善具有一或多條雙絞線訊號線的電纜線的頻率回應的方法及設備存在著需求。
依據一些實施例，本發明藉由依照金屬形狀或條帶的設計或圖案(主要係相關於該圖案的縱長長度)形成固定式金屬圖案使得所不想要的靜電耦合不被產生在該鑲嵌帶與該鑲嵌帶纏繞於其周圍的該絞線對之間來提供外部串音的進一步降低。一所不想要的耦合(coupling)被示於圖 1A的圖表101中。圖1A顯示在一通信鏈的功率總合外部近端串音(PSANEX)效能頻譜107內的一耦合突峰106，它是由一先前技術的鑲嵌帶與該絞線對交互作用所造成的。該被測試的通信鏈無法滿足外部串音規格上限105(在ANSI/TIA/EIA-568-C.3電纜標準的6a類下的PSANEXT規格)。依據本發明之具有週期性圖案長度之金屬形狀的鑲嵌帶被設計成每一絞線對的絞距長度都被列入考量用以防止此等不想要的耦合發生在該外部串音效能頻譜內。這些限制條件會限制該等鑲嵌圖案長度的選擇，以及限制鑲嵌帶的容許誤差及/或限制在該電纜中之絞線對的絞距長度的範圍與容許誤差。
一種用來降低該鑲嵌帶與絞線對之間可能的耦合大小的技術為製造一種非固定長度及或一非固定形狀圖案於該鑲嵌帶內，譬如一隨機出現的隨機圖案或一擬隨機圖案，及/或在所想要的頻率下的非耦合(non-coupling)。所想要的頻率包括，但不侷限於，電纜應用的頻率，譬如Cat 5e(高達100MHz)；Cat 6(高達250MHz)；Cat 6a(高達500MHz)；使用在40G Base-CR4中的電纜(高達10GHz)；及使用在100G Base-CR10中的電纜(高達10GHz)。這些頻率具有波長λ，其在數公分至數公尺的範圍內。為了要避免導因於一短的重復圖案的耦合(其中該被重復的圖案或圖案的一部分為產生耦合的一長度)，如果該鑲嵌圖案將被重復的話，該被重復的圖案應儘可能地長。例如，在一實施例中，該圖案應比耦合頻率的波長 還要長。在本發明的一些實施例中，所使用之被重復的圖案長度係大於約五公尺(5m)。然而，如果該等鑲嵌元件太長的話，則它們會產生電磁相容性的問題，最差的情況為一導電元件其與電纜線一樣長，在該例子中其如一未被終止的遮屏(shield)般地作用。本發明藉由製造具有窄的間隙距離於金屬部分之間及具有隨機或擬隨機圖案(其具有長的重復長度)或甚至在該電纜的長度上沒有重復的圖案的鑲嵌帶來滿足在此技藝中對於降低外部串音的改進及更高的頻率能力的需求。基於數項原因使得介金屬形狀之間之窄的間距是有利的。使用窄的間距可容許使用一單面式鑲嵌帶，這可降低該鑲嵌帶的成本且讓該鑲嵌帶的厚度薄許多，而得到一整體而言更小的電纜直徑。介於金屬形狀之間之窄的間距亦可改善外部串音性能。一如下文所述之雷射削磨系統(laser ablation system)可被使用在用來製造金屬形狀的隨機或擬隨機圖案的方法中。該方法提供圖案形狀及重復長度的靈活度。
在一些實施例中，本發明提供一種具有減小的外部串音的電纜及一種用來製造該具有減小的外部串音之設備，方法及系統。該具有減小的外部串音的電纜可包括絕緣導體，層壓膜的多個絞線對，其具有固定、隨機、及/或隨機長度的圖案式金屬層，該金屬層纏繞在該等多個絞線對的周圍，及一絕緣電纜護套其具有一中央縱長軸其將絕緣導體的絞線對包圍起來，其中在該鑲嵌帶上的金屬層提供電及磁衰減於該電纜內的絞線對與一第二電纜的絞線對之 間，藉以降低外部串音。此外，該金屬層內之改善的放置及間隙寬度可降低絞線對與層壓膜之間的耦合。
本發明係提供來用於安裝了高速(如，高達10Gpbs或更高速率)互連電纜的電纜“設施(plant)”之辦公室，學校，醫院，政府機關，運輸車輛，及居住或製造建物，其中該電纜設施可以是電腦伺服器及客戶端的整合網路的一部分。此一互連電纜150的一個例子被示於圖1B中。
在一些實施例中，一種依據本發明的設備包含一薄膜支付機制(payoff mechanism)(其將於下文中詳細描述)其被建構來支付一薄膜，至少一雷射其被建構來發射雷射光線其照射在該薄膜上並將該薄膜的一部分削磨掉以產生間隙於該薄膜的一金屬層中，及一薄膜捲取機制其被建構來在該薄膜通過該削磨步驟之後將該薄膜捲取。
在下面較佳實施例的詳細描述中，將參考構成本說明的一部分的附圖來進行，可以體現本發明之特定的實施例以示範的方式被顯示於附圖中。其它的實施例可在不偏離本發明的範圍下被應用。
又，應被理解的是，圖中所示之在依據本發明的鑲嵌帶的金屬層中的間隙並未按照比例來顯示。為了顯示的目的，介於金屬層的金屬部分之間的間隙比按比例顯示的寬度來得更寬一些。
圖2A為依據本發明的一些實施例之薄膜201沿著圖 4A的線2A-2A所取的剖面圖。薄膜201包括基材261，黏合層262及金屬層263，其中該黏合層262被用來將該金屬層263連接至該基材261。基材261為一可撓曲的低介電常數材料聚合物(如，聚乙烯共聚物)其具有一約25微米的厚度。在一些實施例中，該基材261的厚度介於5微米至500微米之間，或在該範圍內的一些範圍之內。金屬層263為一高導電性金屬(如，鋁，金，銀，銅或類此者)且具有一約10微米的厚度。在一些實施例中，該金屬層263的厚度係介於0.1微米至100微米之間，或在該範圍內的一些範圍之內。黏合層262可以是一非導電性的黏膠，且該黏合層262可以是一其內添加了顏色顏料的非導電性黏膠，用以更容易吸收一特定波長的雷射光。當雷射光束被照射到該薄膜201的該金屬層263上時，圖中所示的該金屬區段422吸收該入射能量並削磨該金屬材料。以此方式，隔離的金屬形狀421即被形成。在此處理期間，在該黏合層262中被照射的材料270亦可被削磨。
圖2B為依據本發明的一些實施例之薄膜202的一剖面圖。薄膜202與上文所描述的薄膜201類似，不同處在於薄膜202包括一在該金屬層263上方的吸收層264，其被用來更容易吸收一特定波長的雷射光或用來降低入射在該金屬層263上的雷射光的反射。
圖2C為依據本發明的一些實施例之薄膜203的一剖面圖。薄膜203與上文所描述的薄膜201類似，不同處在於薄膜203包括一第二金屬層265及一第二黏合層266， 其中該黏合層266被用來將該金屬層265與該基材261相連接。該金屬層265為一高導電性金屬(如，鋁，金，銀，銅或類此者)且具有一約10微米的厚度。在一些實施例中，該金屬層265的厚度係介於0.1微米至100微米之間，或在該範圍內的一些範圍之內。在一些實施例中，黏合層266是一非導電性的黏膠。在一些其它的實施例中，該黏合層266是一其內添加了顏色顏料的非導電性黏膠，用以更容易吸收一特定波長的雷射光。在一些實施例中，金屬層263及金屬層265是用相同金屬形成且具有相同厚度。在一些其它實施例中，金屬層263及金屬層265是用不同金屬形成且具有不同厚度。
圖2D為依據本發明的一些實施例之薄膜204的一剖面圖。薄膜204與上文所描述的薄膜203類似，不同處在於薄膜204包括一在該金屬層263上方的吸收層264及一在該金屬層265上方的第二吸收層267。
圖3A為一依據本發明的一些實施例之用來製造固定式，隨機或擬隨機式圖案於一金屬電纜帶上的雷射削磨系統301的示意圖。該雷射削磨系統301包括一薄膜支付機制用來支付一薄膜313其中該薄膜313被包含在一圓柱形(或類似者)的支付捲軸310上，驅動滾筒及編碼器314用來移動該薄膜313，一或多個雷射311其被用來將該薄膜313形成圖案，及一薄膜捲取機構用以在該薄膜313已被形成圖案之後將薄膜313捲取至一圓柱形的捲取捲軸312上。該一或多個雷射311可被包含在一包殼( enclosure)315內以防止操作者被雷射光弄受傷，且該薄膜313通過該包殼315，該薄膜313在該包殼315處被該一或多個雷射311形成圖案。該薄膜313從一第一側進入該包殼315並從一與該第一側相反的第二側離開該包殼315。因此，所有構件都可被包含在該包殼315內。亦即，該薄膜支付機制310，包含在一圓柱形支付捲軸上的薄膜313，該等驅動滾筒及編碼器314，用來將該薄膜313形成圖案的該一或多個雷射311，及用來在該薄膜313已經歷一削磨處理之後將薄膜313捲取至該圓柱形的捲取捲軸312上的薄膜捲取機構312都可被包含在該包殼315內。
該一或多個雷射311可以是半導體(二極體或其它形式)雷射，光纖雷射，脈衝式光纖雷射，玻璃雷射，固態雷射，液體雷射，化學雷射或類此者，並發出具有一約1064奈米的波長的雷射光。在一些實施例中，由該一或多個雷射311發出的雷射光的波長是在100奈米至1800奈米的範圍內。
該一或多個雷射311被用來將一導電層(如，鋁，金，銀，銅或類此者及它們的合金)從一基材(如，聚合物)上削磨掉。該一或多個雷射會需要使用到光束導引或輸送技術，譬如像是鏡片，鏡子，分光鏡，馬達，光導管，光纖及類此者(其皆未被示於圖3A中)。該一或多個雷射311較佳地具有一經過選擇的波長，使得該雷射光穿透該聚合物基材且不傷及該聚合物基材。由該一或多個雷射 311所產生的雷射光可被黏合層(如，一被用來將該聚合物基材連接至該金屬層的非反射性的黏膠層，或一其內添加了顏色顏料用以更容易吸收一特定波長的雷射光且被用來將該聚合物基材連接至該金屬層的黏膠層)吸收，用以加熱該金屬層。此熱能選擇性地將該金屬層及該黏合層汽化，藉以產生一非導電性的路徑穿過該金屬層。這形成彼此被非導電性的間隙分隔開之金屬形狀的一鑲嵌式的配置，且所得到的帶子被稱為“鑲嵌帶”。
或者，由該一或多個雷射311所產生的雷射光直接撞擊到該金屬層上，並沒有先行經該基材或該黏合層，且選擇性地向下削磨掉該金屬層直到該黏合層或該基材為止，藉以在該金屬層上產生一非導電性的路徑。該金屬層可被塗上一吸收層，其被用來強化撞擊到該金屬層上的雷射光的吸收，以改善削磨效率。
該雷射削磨系統301可被安裝在一製造線上的許多位置處(如，圖3A或3B所示地作為一獨立的系統，作為網狀裁切的一部分，線上的併紗機(雙絞機，絞線機，及/或射出/加套)，或作為其它電纜製造處理的一部分)。
使用雷射削磨系統301來製造鑲嵌帶具有如下所列的好處：1.使用雷射削磨可提供一非常小的間隙於金屬形狀之間(這可改善效能)，這在使用機械式系統，如模具切割，中是不可能作到的。根據本發明的一些實施例，寬度 在約0.5密耳(mil)至約8密耳的間隙被產生在金屬形狀之間，該等金屬形狀的長度在0.75英2.5吋之間；2.提供該等金屬形狀一易於改變的圖案或隨機化的長度(其可被靈活地變短，變長或變無限長)；及3.提供該等金屬形狀從規則的及不規則的多邊形到簡單的及複雜的曲形及它們的組合的各式幾何形狀(用以改善效能)。
圖3B為依據本發明的一些實施例的雷射削磨系統302的一圖式。該雷射削磨系統302與上文所述的雷射削磨系統301類似，不同處在於該雷射削磨系統302的一或多個雷射311或雷射光束可被設置在該薄膜313的任一側，藉以允許雷射光照射到該薄膜313的兩個表面上。
在一些實施例中，薄膜313較佳地類似於圖2A及2B中所示及於上文中所描述的薄膜201或薄膜202。在一些實施例中，來自於位在該薄膜313的上表面上方及位在該薄膜313的下表面下方的一或多個雷射的雷射光個別地或實質上同時地照射該薄膜313的兩個表面。例如，如果薄膜313被定向為該金屬層是上表面及該基材是下表面的話，則來自該上表面上方的光束之雷射光直接撞擊該金屬層(或如圖2B所示的吸收層)，用以選擇性地將金屬削磨掉。來自位於該下表面的下方的雷射之雷射光具有一波長使得該雷射光通過該基材且被該黏合層吸收，用以選擇性地將該金屬層加熱並汽化。由位在該薄膜313的上表面上方的一或多個雷射所產生的雷射光的波長及由位在該薄膜 313的下表面下方的一或多個雷射所產生的雷射光的波長可以是不同相。由位在該薄膜313的上表面上方的一或多個雷射所產生的雷射光的波長及由位在該薄膜313的下表面下方的一或多個雷射所產生的雷射光的波長可以是同相的。
在一些其它的實施例中，該薄膜313較佳地類似於圖2C及2D中所示及於上文中所描述的薄膜203或薄膜204。在一些實施例中，來自於位在該薄膜313的上表面上方的一或多個雷射的雷射光直接撞擊該上表面金屬層，用以選擇性地將該上表面金屬削磨掉，及來自於位在該薄膜313的下表面下方的一或多個雷射的雷射光直接撞擊該下表面金屬層，用以選擇性地將該下表面金屬削磨掉。
圖3C為依據本發明的一些實施例的雷射削磨系統303的圖式。該雷射削磨系統303類似於上文中所描述的雷射削磨系統301，不同處在於該雷射削磨系統303包括多個圓柱形支付捲軸310及多個圓柱形捲取捲軸312用以裝載多捲薄膜，藉以讓該削磨處理可以同時被實施於多個薄膜313上。單一雷射311發射雷射光316用以削磨多個薄膜313且可被設置在一可讓該單一雷射311移動於多個方向上的活動台上，藉以讓來自該單一雷射311的該雷射光316能夠將該金屬層從該等薄膜313被選擇性地削磨掉。一機械式或電子式控制的鏡子亦可被用來反射來自該單一雷射311的雷射光，以選擇性地將金屬層由該多個薄膜313削磨掉。多個雷射311可用相同的方式來使用。
圖3D為依據本發明的一些實施例的雷射削磨系統304的圖式。該雷射削磨系統304類似於上文中所描述的雷射削磨系統301，不同處在於該雷射削磨系統304包括一圓柱形的支付捲軸310其能夠接受具有一寬度的薄膜捲，該寬度大於一單一電纜纏繞膜的寬度的至少兩倍，用以支付單一薄膜313。切割機制(其可包括雷射切割工具)被用來將該單一薄膜313分割成多個薄膜317，每一薄膜317都具有一約等於適合作為一電纜纏繞物的寬度，及多個圓柱形捲取捲軸用來在該等薄膜317已被形成圖案後捲取該等多個薄膜317。單一雷射311發出雷射光316用以削磨該等多個薄膜313且可被設置在一可讓該單一雷射311移動於多個方向上的活動台上，藉以讓來自該單一雷射311的該雷射光316能夠將該金屬層從該等薄膜313被選擇性地削磨掉。一機械或電控制的鏡子亦可被用來反射來自該雷射311的雷射光，用以將該金屬層從該等薄膜313被選擇性地削磨掉。
以雷射為基礎的該等削磨系統301，302，303及304被用來產生一固定式圖案，多種形狀的一隨機集合，及/或可被用作為電纜帶之鑲嵌帶的一擬隨機圖案。不連續的金屬形狀的隨機或擬隨機圖案長度可降低或實質上消除該鑲嵌帶與內部絞線對之間的交互作用。或者，該等不連續的金屬形狀的隨機或擬隨機圖案長度可使用一機械式(如，被選擇性地控制的銑削)或以電為基礎(如，被選擇性地控制的電弧)的削磨系統，用以產生一隨機效果或該鑲 嵌帶的一長的週期圖案長度。
使用不連續的金屬形狀的隨機或擬隨機圖案長度可實質地降低相鄰電纜之間磁場及電場耦合，更明確地，可防止該電纜內的絞線對與鑲嵌帶之間會造成相鄰電纜之間高度耦合之所不想要的耦合。在一些實施例中，一擬隨機圖案可具有一約5.0公尺或介於0.1公尺至100公尺的範圍內的週期。
圖4A，4B，4C及4D為顯示依據本發明的一些實施例的雷射削磨系統可產生之不同的鑲嵌圖案401，402，403及404的圖式。圖4A顯示一固定式圖案401，其中該等金屬形狀421係以灰線來代表，而白色區域或間隙422則代表金屬層已被削磨掉的區域。圖4B及4C顯示的是隨機圖案(402及403)。隨機形狀404的一隨機分布被示於圖4D中，該等隨機形狀具有非直線(即，曲線)之被削磨掉的區域或路徑。被削磨至該薄膜或帶子的金屬層上的圖案較佳地是經過選擇的，用以降低外部串音。此薄膜或帶子然後可被纏繞在一電纜內的雙絞線對周圍，使得該薄膜或帶子可覆蓋內部的絞線對一次或多次，用以改善耦合衰減，藉以降低與相鄰的電纜交互作用所產生之外部串音。
對於鑲嵌帶的固定長度金屬圖案而言，該有效的絞線對絞距(1/[{1/絞線對絞距}+{1/股線絞距}])必需被設計成不會產生所不想要的電磁耦合於該鑲嵌帶與絞線對之間。所不想要的電磁耦合在整數或1/2整數的絞線對週期位 在一金屬形狀的正下方時為最大。如果此情形發生在數個連續的金屬形狀上的話，則一週期性的訊號被強加於該等連續的金屬形狀上，該訊號有效率地耦合相鄰的電纜(特別是結構類似的電纜)。該鑲嵌帶與絞線對之間的此一交互作用的頻率與有效的絞線對週期和相關連的鑲嵌長度的整數或½整數倍有多接近有關，例如，如果該絞線對週期完全等於該金屬形狀長度的話，則該頻率就很低。當該絞線對週期稍微大於或小於該鑲嵌形狀長度時，該頻率就會增加。最敏感的頻率為位在應用所需的頻率範圍(如，10G Base-T要求範圍介於1MHz至500MHz之間的頻率範圍)內的頻率。因此，在有興趣的頻率範圍內沒有所不想要的耦合是較佳的。因此，一在相關連的鑲嵌長度的整數或½整數倍之間的長度範圍界定出對於一特定的應用(如，10G乙太網路)而言必需被避免的頻率範圍。這些長度範圍界定用於該有效絞線對週期的“禁置(keep-out)”區。因此，固定長度的鑲嵌圖案可用此方式來加以設計，用以防止所不想要的電磁耦合發生在有興趣的頻率範圍內。一完全隨機的形狀分布及/或擬隨機圖案可被使用，其可實質地消除所不想要的耦合。
圖5顯示當一鑲嵌帶與具有固定式長度週期為L的金屬形狀一起使用時禁置區的圖表501(以獲得有效的絞線對絞距長度)，其中L為金屬形狀的長度加上介於相鄰的金屬形狀之間的間隙寬度。應被指出的是，在圖5中L=1.0英吋，但該圖表可被用於其它L值上。避開禁置區 可防止或減少所不想要的耦合發生在有興趣的外部串音頻譜內。詳言之，圖5顯示的圖表501展示出在該鑲嵌帶中的金屬形狀的固定式圖案長度(L)與一電纜內的有效絞線對絞距長度(其等於絞線對絞距長度加上股線絞距長度)之間的關係。該關係以“禁置”區(即，圖中的灰色方塊)來顯示或描述，即在該電纜內的每一絞線對的有效絞線對絞距長度不應位在該等禁置區內，或該等固定式長度的金屬形狀的長度(L)應被更改用以容納該有效絞線對絞距長度。例如，參考圖5，如果該等金屬形狀的固定式長度是L的話，則禁置區584規定的是該有效絞線對絞距長度不可以是1.000英吋附近(即，它應該是被指定給灰色方塊584的長度以外的數值)。使用圖5的另一種方式為：對於0.500英吋的有效絞線對絞距長度而言，禁置區585規定的是該等金屬形狀的固定式長度不可以是L。該等金屬形狀加上該等間隙的長度L必需被增加或被減小用以將該方塊585往0.5英吋的絞線對絞距長度的右邊或左邊移。應被指出的是，高階項的整數構件582(如，L/N，其中N很大)或半整數構件581(如，NL/2，其中N很大且為奇數)因為與一個金屬形狀交互作用的絞線對週期的數量的關係而不會在該絞線對與該鑲嵌金屬圖案之間造成一很強的交互作用。這些高階項(higher order term)對於外部串音的形成只有很小的貢獻。
對於金屬形狀長度L=1.0英吋，股線絞距為4.0英吋，絞線對絞具分別為0.5英吋(絞線對1，有效絞線對絞 距為0.444英吋)，0.65英吋(絞線對2，有效絞線對絞距為0.559英吋)，0.74英吋(絞線對3，有效絞線對絞距為0.6245英吋)，及0.86英吋(絞線對4，有效絞線對絞距為0.708英吋)的四對絞線對而言，從圖5可看出的是，所有這些有效絞線對絞距皆避開禁置區。因為低階禁置區583-586都被錯過，所以鑲嵌帶/股線絞距/絞線對絞距組合可適當地實施。
在依據本發明製造鑲嵌帶之後，鑲嵌帶696可如圖6所示地被整合至一通信電纜結構601中。在圖6中，一阻隔帶693被纏繞在該等絞線對695及絞線對分離件694周圍。該鑲嵌帶696被纏繞在此組件上且護套692將該鑲嵌帶696包覆起來。
本發明的優點之一為，一種製造該鑲嵌帶的雷射削磨方法可產生比機械式模切削方法薄的間隙或空隙於導電元件之間。一薄的間隙是較佳的，因為它具有較佳的電場及磁場屏蔽特性。因此，依據本發明製造的鑲嵌帶可在該鑲嵌帶的單面上具有導電元件，且此結構具有和用機械式模切削方法製造之在鑲嵌帶的兩面上都有導電元件的鑲嵌帶同的效能，或幾近相同的效能。此外，依據本發明的鑲嵌帶可以用比其它鑲嵌帶低很多的成本下來製造。
降低所不想要的耦合的另一項技術是將一電纜內的絞線對的絞線週期隨機化。所得到之介於該鑲嵌帶上的一固定的(或隨機的)圖案之間的隨機關係可降低耦合並去除掉絞線對的絞線週期與該等鑲嵌金屬形狀的週期性的相依 性。
或者，一具有固定的週期性的金屬形狀的鑲嵌帶可被纏繞在一具有一隨機化的股線絞距(由時候被稱為電纜絞距)的電纜芯周圍。以此方式，該等絞線對與具有隨機化的交互作用長度的金屬形狀交互作用，這可降低不想要的耦合。
雖然本發明之特定的實施例及應用已被圖示及描述，但應被理解的是，本發明並不侷限於本文中所揭露之一模一樣的結構及組成，且各式的修改，改變，及變化在不偏離由下請專利範圍所界定之本發明的精神與範圍下可以不同於上文的描述。
201‧‧‧薄膜
261‧‧‧基材
262‧‧‧黏合層
263‧‧‧金屬層
421‧‧‧金屬形狀
422‧‧‧金屬區段
270‧‧‧材料
264‧‧‧吸收層
203‧‧‧薄膜
265‧‧‧第二金屬層
266‧‧‧黏合層
204‧‧‧薄膜
267‧‧‧第二吸收層
301‧‧‧雷射削磨系統
313‧‧‧薄膜
310‧‧‧支付捲軸
311‧‧‧雷射
312‧‧‧捲取捲軸
314‧‧‧編碼器
315‧‧‧包殼
302‧‧‧雷射削磨系統
303‧‧‧雷射削磨系統
316‧‧‧雷射光
304‧‧‧雷射削磨系統
317‧‧‧薄膜
401‧‧‧鑲嵌圖案
402‧‧‧鑲嵌圖案
403‧‧‧鑲嵌圖案
404‧‧‧鑲嵌圖案
421‧‧‧金屬形狀
422‧‧‧間隙
501‧‧‧圖表
584‧‧‧禁置區
585‧‧‧禁置區
582‧‧‧整數構件
581‧‧‧半整數構件
601‧‧‧通信電纜結構
693‧‧‧阻隔帶
695‧‧‧絞線對
694‧‧‧絞線對分離件
696‧‧‧鑲嵌帶
101‧‧‧圖表
105‧‧‧上限
106‧‧‧耦合突峰
107‧‧‧效能頻譜
圖1A為一圖表其顯示一外部串音性能頻譜，其具有一先前技藝之鑲嵌金屬帶與一或多對絞線對交互作用所造成的耦合波峰；圖1B為依據本發明的一些實施例的互連電纜的例子；圖2A為依據本發明的一些實施例之電纜帶沿著圖4A的線2A-2A所取的剖面圖；圖2B為依據本發明的一些實施例之電纜帶的剖面圖；圖2C為依據本發明的一些實施例之電纜帶的剖面圖；圖2D為為依據本發明的一些實施例之電纜帶的剖面圖； 圖3A為依據本發明的一些實施例之雷射削磨系統的示意圖；圖3B為依據本發明的一些實施例之雷射削磨系統的示意圖；圖3C為依據本發明的一些實施例之雷射削磨系統的立體圖；圖3D為依據本發明的一些實施例之雷射削磨系統的立體圖；圖4A為依據本發明的一些實施例之固定式鑲嵌圖案的頂視圖；圖4B為依據本發明的一些實施例之隨機或擬隨機式鑲嵌帶的頂視圖；圖4C為依據本發明的一些實施例之隨機或擬隨機式鑲嵌帶的頂視圖；圖4D為依據本發明的一些實施例之另一隨機或擬隨機式鑲嵌帶的頂視圖；圖5為一圖表其顯示當一鑲嵌帶與依據本發明的一些實施例之固定長度(L)的金屬形狀一起被使用時用來防止電磁耦合之有效絞線對絞距長度的禁置區(keep-out area)；圖6為一具有依據本發明的鑲嵌帶的電纜的實施例的部分分解圖；及本文中提出的例子顯示出本發明的較佳實施例，且這些例子並不要用來以任何方式限制發明的範圍。
101‧‧‧圖表
105‧‧‧上限
106‧‧‧耦合突峰
107‧‧‧效能頻譜

Claims (15)

  1. 一種通信電纜，其包含：多條被絕緣的導體的絞線對；及一層壓式薄膜，其具有至少一層金屬形狀及一絕緣基材，其中該薄膜被纏繞在該等多條絞線對的周圍，該等金屬形狀是由該層壓式薄膜的一金屬層形成；其中該等金屬形狀彼此間係被間隙隔開，該等間隙具有一寬度，其範圍在約0.5密耳(mil)至約8密耳之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其更包含：一第一端連接器，其被機械式地固定至第一電纜的第一端且被電連接至該等多條被絕緣的導體的絞線對；及一第二端連接器，其被機械式地固定至該第一電纜的第二端且被電連接至該等多條被絕緣的導體的絞線對。
  3. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀係以隨機配置被形成在該層壓式薄膜上。
  4. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀係以擬隨機配置被形成在該層壓式薄膜上。
  5. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀係以一沿著該薄膜縱長向地重復的圖案被形成在該層壓式薄膜上。
  6. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該層壓式膜包含一介於該絕緣基材與該金屬層間之黏合層。
  7. 如申請專利範圍第6項之通信電纜，其中該黏合層包含一顏色顏料其被建構來在雷射削磨期間吸收雷射 光。
  8. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其更包含一在該絕緣基材之與該金屬層相反的面上的第二金屬層，該第二金屬層具有一藉由雷射削磨形成的第二組金屬形狀。
  9. 如申請專利範圍第5項之通信電纜，其中該圖案具有一從0.1公尺至100公尺的範圍內選取的圖案長度。
  10. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀具有經過選擇的固定長度，用以不會在該等金屬形狀與該等被絕緣的導體的絞線對之間產生所不想要的電磁耦合。
  11. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀具有經過選擇的長度，用以避開等被絕緣的導體的絞線對的有效絞線對絞距長度的整數倍或半整數倍。
  12. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀被形成為多列。
  13. 如申請專利範圍第12項之通信電纜，其中該等金屬形狀被形成為至少三列。
  14. 如申請專利範圍第1項之通信電纜，其中該等金屬形狀具有一範圍在約0.1微米至約100微米之間的厚度。
  15. 一種通信電纜，其包含：多條被絕緣的導體的絞線對；及一層壓式薄膜，其具有至少一吸收層、至少一金屬層、及至少一絕緣基材層，其中該薄膜被纏繞在該等多條 絞線對的周圍，該金屬層包含多個由該層壓式薄膜的該金屬層所形成的金屬形狀，其中該等金屬形狀彼此間係被間隙隔開，該等間隙具有一寬度，其範圍在約0.5密耳(mil)至約8密耳之間。
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