TWI492249B - 具有抗反射塗層之高透光率導電膜和使用其之觸控面板及其製造方法 - Google Patents

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Description

具有抗反射塗層之高透光率導電膜和使用其之觸控面板及其製造 方法
本發明主張於2010年06月22日所申請之韓國專利申請案號10-2010-0058999的優先權，此全文將併入本案以作為參考。
本發明係關於一種高透光率導電膜。更具體來說，本發明實施例係有關一種可降低反射率、提高透光率、並具有抗反射塗層之導電膜，使用其之觸控面板，以及其製造方法。
表1係一表格顯示根據習知技術由一氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)膜和一氧化銦錫玻璃所形成之觸控面板之透光率。一般而言，該ITO膜/ITO玻璃所形成之觸控面板，因為ITO玻璃之透光率係以T%高於ITO膜之透光率，故該觸控面板之透光率係為實際應用範圍。
然而，因為ITO膜之透光率為85%至89%，故算術上，ITO膜/ITO玻璃所組成之一面板結構之透光率可為小於80%，使其無法達到可商業化應用之透光率標準。因此，對於能夠得到高透光率及清晰影像之導電膜，和包含上述導電膜之觸控面板的需求逐漸出現。
本發明之目的係為了解決上述所有或部分之問題/缺陷，並提供一種具有高折射率與低折射率之不同折射率的抗反射塗層的導電膜，以提高一透光率相對較低之ITO膜的透光率；使用上述導電膜之觸控面板；以及其製造方法。本發明欲解決之技術問題並不限制於上面所述者，且至此未被提及之任何其他相關技術問題，在下文之說明中，熟習此項技藝者可清楚地理解之。
本發明之一目的係在於解決上述所有或部分之問題及/或缺陷，及/或提供至少下述之優點，及/或對習知技藝做出修正改良。為達成上述所有或部分之目的，並根據本發明之意圖，如實施例與大致說明所述，在本發明之一方面，係提供一種具有抗反射塗層之高透光率導電膜，其係包括：一基底導電膜形成有一透明電極圖案；以及抗反射塗層(anti-reflection coated films)，形成於該基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射。其中，該些抗反射塗層係依序被塗覆於具有一基膜(base film)、一第一二氧 化鈦膜(titanium dioxide film)、一第一二氧化矽(silicon dioxide)、一第二二氧化鈦膜、以及一第二二氧化矽之一表面上，且其中該基膜係使用一氧化矽(silicon monoxide)或二氧化矽其中任一者來塗覆。
根據本發明之另一方面，提供一種具有抗反射塗層之高透光率導電膜，其係包括：一基底導電膜形成有一透明電極圖案；以及抗反射塗層(anti-reflection coated films)，形成於該基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射。其中，該些抗反射塗層係依序被塗覆於具有一第一Al2O3膜、一第一二氧化鈦膜、一第二氧化鋁(Al2O3)膜、一第二二氧化鈦膜、以及一第三氧化鋁膜之一表面上。
較佳地，該基底導電膜為一ITO膜、一氧化銻錫(Antimony Tin Oxide，ATO)膜、以及一氧化銻鋅(Antimony Zinc Oxide，AZO)膜。
較佳地，當該基膜為一氧化矽所塗覆時，塗覆基膜之厚度為110Å至140Å，第一塗覆二氧化鈦膜之厚度為190Å至230Å，塗覆一氧化矽膜之厚度為130Å至210Å，第二塗覆二氧化鈦膜之厚度為730Å至870Å，第二塗覆二氧化矽膜之厚度為890Å至1010Å。
較佳地，當該基膜為二氧化矽所塗覆時，塗覆基膜之厚度為 1590Å至1670Å，第一塗覆二氧化鈦膜之厚度為130Å至170Å，第一塗覆一氧化矽膜之厚度為330Å至380Å，第二塗覆二氧化鈦膜之厚度為1190Å至1210Å，第二塗覆二氧化矽膜之厚度為960Å至980Å。
較佳地，第一氧化鋁膜之厚度為970Å至1030Å，第一二氧化鈦膜之厚度為220Å至260Å，第二塗覆氧化鋁膜之厚度為190Å至230Å，第二塗覆二氧化鈦膜之厚度為550Å至610Å，第三塗覆氧化鋁膜之厚度為760Å至820Å。
較佳地，該塗覆基膜(coated base film)與該第一塗覆氧化鋁膜對空氣之相對折射率(relative refractive index)係為1.4至2.1。
較佳地，該具有抗反射塗層之高透光率導電膜是一由真空沉積(vacuum deposition)法、噴霧法(spray method)、及濕式法(wet method)來塗層之薄膜。
較佳地，該光之波長為450nm至650nm。
根據本發明之另一方面，提供一種使用具有抗反射塗層之高透光率導電膜之觸控面板，該觸控面板係包括：一基底導電膜形成有一透明電極圖案；抗反射塗層(anti-reflection coated films)，形成於該基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射；以及一光學透明膠(optical clear adhesive，OCA)膜形成於該些抗反射塗層上，其下方形成有該基底導電膜，或一光學透明感壓膠(optical transparent pressure-sensitive adhesive)膜形成於該基底導電膜之一上表面上，其中形成於該基底導電膜之一上表面上之OCA膜係介於該些抗反射塗層之間，其中，該些抗反射塗層係依序被塗覆於具有一基膜、一第一二氧化鈦膜、一第一二氧化矽膜、一第二二氧化鈦膜、以及一第二二氧化矽之一表面上，且其中該基膜係塗覆有一氧化矽、二氧化矽、及氧化鋁其中任一者。
較佳地，該OCA膜係為一減壓型感壓膠(decompressing type)。
較佳地，該基底導電膜、該些抗反射塗層膜、及該OCA膜均以複數形式提供。
較佳地，該些基底導電膜係包含有：一基底導電膜，其中各透明電極圖案彼此相對；以及另一基底導電膜，其中各透明電極圖案彼此相對。
較佳地，具有一預設大小之一空氣間隙(air gap)形成並被維持於該基底導電膜與該基底導電膜之間。
較佳地，該觸控面板進一步包括一間隔物(spacer)介於該基底導電膜與該基底導電膜之間，以結合(fuse)該基底導電膜與該基底導電膜。
較佳地，該觸控面板進一步包括複數個點狀間隔物形成於該基底導電膜或該基底導電膜之上。
較佳地，當該塗覆基膜為一氧化矽時，塗覆基膜之厚度為110Å至140Å，第一塗覆二氧化鈦膜之厚度為190Å至230Å，塗覆二氧化矽膜之厚度為130Å至210Å，第二塗覆二氧化鈦膜之厚度為730Å至870Å，且第二塗覆二氧化矽膜之厚度為890Å至1010Å。
較佳地，當該塗覆基膜為二氧化矽時，塗覆基膜之厚度為1590Å至1670Å，第一塗覆二氧化鈦膜之厚度為130Å至170Å，第一塗覆二氧化矽膜之厚度為330Å至380Å，第二塗覆二氧化鈦膜之厚度為1190Å至1210Å，第二塗覆二氧化矽膜之厚度為960Å至980Å。
根據本發明之又一方面，提供一種具有抗反射塗層之高透光率導電膜之製造方法，其係包括：形成一透明電極圖案於一基底導電膜之上；以及形成抗反射塗層(anti-reflection coated films)於該基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射。其中，形成該些抗反射塗層之步驟係包括：使用一氧化矽或二氧化矽其中任一者來塗覆一基膜；塗覆一第一二氧化鈦膜於該基膜之上；塗覆一第一二氧化矽膜於該第一二氧化鈦膜之上；塗覆一第二二氧化鈦膜於該第一二氧化矽膜之上；以及塗覆一第二二氧化矽膜 於該第二二氧化鈦膜之上。
根據本發明之再一方面，提供一種使用具有抗反射塗層之高透光率導電膜之一觸控面板之製造方法，其係包括：形成一透明電極圖案於一基底導電膜之上；形成抗反射塗層(anti-reflection coated films)於該基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射；以及形成一光學透明膠膜於該些抗反射塗層之一上表面上且與該些抗反射塗層介於該些基底導電膜之間，或形成光學透明膠膜於該基底導電膜之一上表面上且與該些基底導電膜介於該些抗反射塗層之間。其中形成該些抗反射塗層之步驟係包括：塗覆一基膜於一氧化矽、二氧化矽其中任一者之上；塗覆一第一二氧化鈦膜於該基膜之上；塗覆一第一二氧化矽膜於該第一二氧化鈦膜之上；塗覆一第二二氧化鈦膜於該第一二氧化矽膜之上；以及塗覆一第二二氧化矽膜於該第二二氧化鈦膜之上。
本發明實施例之優點在於可藉由將具有高折射率與低折射率之抗反射塗層塗覆於一基底導電膜之上，來改善一ITO膜之透光率。且本發明實施例，具備其優點，可被應用於ITO膜/ITO膜組成之一觸控面板，以藉由充足的透光率來得到一清晰影像。
【最佳模式】
下述揭示之說明並不用以限制本發明。因此，對於下述揭示 的各種變化及修改，以及相關技藝的技術與知識，均在本發明之範疇內。在此所述之本發明實施例更進一步欲說明實踐本發明之模式，並使熟習此項技術者能夠由此而應用之，或其他實施例，及本發明之使用或應用所需之各種變化及修改。
在以下，參考所附圖式圖1至4，將詳細說明本發明之實施例。參閱圖1至4，相同參考的數字將會指定到圖式解說中的相同元件。在仔細審查理解下述之圖式與說明後，本發明之實施例所揭示之其他功能及優點，對於熟習此項技術者而言，將是或會變得是顯而易見的。
所有如此之功能及優點均應被包括於本發明實施例之範疇內，且受所附圖式之保護。又，圖式僅用以描述特定實施例而非限制本發明不同實施例執行之環境、結構、或程序。據此，本發明之方面應包括所有落在本發明之範疇與新穎性概念內的各種變化及修改。
應理解的是，在本發明詳細敘述中所使用「包括」一詞的程度，係指定說明之功能、區域、總數、步驟、操作、元件、及/或組成部分，但並不排除其他或額外的功能、區域、總數、步驟、操作、元件、組成部分、及/或其群組。也就是說，「包括」、「具有」、「有」等等詞語可被使用於本發明詳細敘述及/或申請專利範圍中，以表示不完全包括(non-exhaustive inclusion)之情況， 類似於「包含」一詞於申請專利時作為一過渡名詞的方式。
另外，「範例」(exemplary)意指一實例，而非一最佳模式。亦應理解，此處所描述之功能、層、及/或元件係以特定尺寸及/或相對方向來描繪，以求清晰與便利理解，且其實際之尺寸及/或方向可與圖式中所繪不同。亦即，在圖式中，為求清晰和便利，層、區域、及/或其他組成元件的尺寸及相對大小可能被誇大或縮小。相同參考的數字將會指定到圖式解說中的相同元件，重複解說的部分將予省略。在下文中，將配合圖式詳細說明本發明。
在本發明詳細敘述與申請專利範圍中，塗層與塗覆膜可被互換使用。
在本發明詳細敘述與申請專利範圍中，除非內文有清楚指出其數目，否則單數形式詞「一」、「一種」、「該」係包括複數指稱。
<高透光率導電膜>
圖1a、1b、1c係根據本發明之第一、第二、第三實施例，繪示有一具有抗反射塗層20之高透光率導電膜之剖面圖。
在下文中，將配合圖式詳細說明本發明之各實施例。
<第一實施例>
根據本發明之第一實施例，具有抗反射塗層20之一高透光率導電膜係包括具有一透明電極圖案110之一基底導電膜10；以及抗反射塗層20，塗覆於基底導電膜10之上。
尤其，該些抗反射塗層20係包括一第一層膜210(layer film)、一第二層膜220、一第三層膜230、一第四層膜240、以及一第五層膜250；各層膜依序由一接觸基底導電膜10之表面形成，以避免光反射。更具體地說，本發明之第一實施例係顯示，該些抗反射塗層20塗覆在具有透明電極圖案110之基底導電膜10之一前表面上。
抗反射塗層20係形成於基底導電膜10之至少一表面上，其係以一高折射率之塗覆材料與一低折射率之材料交替堆疊而成，以提高一透光率(T%)，並藉由在一特定波段(waveband)引發光干涉(optical interference)的消除，來降低反射率。
基底導電膜10可為一氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)膜、一氧化銻錫(Antimony Tin Oxide，ATO)膜、以及一氧化銻鋅(Antimony Zinc Oxide，AZO)膜其中一者。各種透明電極圖案可由包括蝕刻製程等之方法來形成，經由一觸控面板之觸控方法，例如，靜電容法(electrostatic capacity method)或電阻法(resistive method)，來被使用。
第一層膜210係為一基膜，其於空氣之相對折射率係為1.4至2.1，且可被一氧化矽、二氧化矽、及氧化鋁所塗覆。
當該基膜為一氧化矽或二氧化矽時，氧化鈦與二氧化矽係由第二層膜220交替堆疊，以塗覆第二層膜220至第五層膜250。
也就是說，第二層膜220係塗覆有一第一氧化鈦，第三層膜230係塗覆有一第一一氧化矽，第四層膜240係塗覆有一第二氧化鈦，第五層膜250係塗覆有一第二氧化矽。在此處，各層膜提供之順序(例如第一與第二)僅係用以分別各層膜；因此，各層膜之材料均為相同。這個原則適用於下文中其他的順序。
在一第一氧化鋁被第一層膜210所使用時，第二層膜220係與氧化鈦和氧化鋁交替堆疊，以塗覆第二層膜220至第五層膜250。也就是說，第二層膜220係塗覆有一第一氧化鈦，第三層膜230係塗覆有一第二氧化鋁，第四層膜240係塗覆有一第二氧化鈦，第五層膜250係塗覆有一第三氧化鋁。
各層膜之厚度可根據光波長來決定，以防止光反射，而可防止光反射之光波長被限定在450nm至650nm之可見光，以確保使用者得到的透明度。
因此，較佳地，可藉由將透明電極圖案110之一上表面以及一蝕刻表面120之一上表面的層膜設為相同之厚度，來預防具有相同波長之光其光反射。各層之厚度可基於實驗範例在下文中說明之。
<第二實施例>
根據本發明之第二實施例，具有抗反射塗層20之高透光率導電膜，如圖1b所示，係包括具有一透明電極圖案110之一基底導 電膜10；以及抗反射塗層20，塗覆於基底導電膜10上，透明電極圖案110塗覆處的相反方向。
如第一實施例中所述，該些抗反射塗層20係包括一第一層膜210、一第二層膜220、一第三層膜230、一第四層膜240、以及一第五層膜250；各層膜依序由一接觸基底導電膜10之表面形成，以避免光反射。其中，相同參照的數字將會指定到相同層之對應膜層。
在第二實施例中，該些抗反射塗層20係形成於具有透明電極圖案110之基底導電膜10之一後表面上，以使各層之材料、各膜之層數、以及各膜之厚度(在下文中敘述之)均與第一實施例中相同。
<第三實施例>
根據本發明之第三實施例，具有抗反射塗層20之高透光率導電膜，其結構係有抗反射塗層20塗覆於所有前、後表面，以進一步增加其透光率，並減低反射率，如圖1c所示。
在第三實施例中，該些抗反射塗層20係形成於具有透明電極圖案110之基底導電膜10之前、後表面上，以使各層之材料、各膜之層數、以及各膜之厚度(在下文中敘述之)均與第一、第二實施例中相同。
<實驗範例>
表2係根據各實施例，繪示有本發明中具有抗反射塗層之高透光率導電膜，其透光率之表格。
在實驗範例中，透明電極圖案110係形成於基底導電膜10之上，作為一測試圖案(test pattern)；其中，透明電極圖案110與蝕刻表面120之厚度均為3cm。如表2所示，應注意的是，在下列表格3至8的情況中，高透光率(T%)係由大部分光波長450nm至650nm所產生。
在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由一氧化矽構成；第一實施例中，高透光率導電膜(前塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表3所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
又，在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由二氧化矽構成；第一實施例中，高透光率導電膜(前塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表4所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
又，在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由氧化鋁構成；第一實施例中，高透光率導電膜(前塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表5所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
又，在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由一氧化矽構成；第二實施例中，高透光率導電膜(後塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表6所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
又，在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由二氧化矽構成；第二實施例中，高透光率導電膜(後塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表7所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
又，在第一層膜210作為該導電膜之一基膜之情況下，其係由氧化鋁構成；第二實施例中，高透光率導電膜(後塗覆基底導電膜10)其抗反射塗層之各層之各膜的厚度係如下列表8所示，其中適用於膜之順序係為根據各層之各膜的厚度變化決定之實驗順序。
<具有抗反射塗層之高透光率導電膜之製造方法>
圖2係根據本發明，繪示有具有抗反射塗層20之一高透光率導電膜製造方法流程圖。
參閱圖2，透明電極圖案110係形成於基底導電膜10之上(步驟S100)。然後，抗反射塗層20係形成於基底導電膜10之至少一表面(前表面及/或後表面)之上(步驟S200)，以執行具有抗反射塗層20之一高透光率導電膜之製造方法。
然而，抗反射塗層20可由包括選自由真空沉積法(濺鍍法、電子束法)、噴霧法、及濕式法所組成之群組其中任一者來塗層。特別是，當以真空沉積法來進行時，需要特別小心注意，因為塗層膜之厚度可根據一基板(例如一ITO膜)之溫度而變動。
同時，抗反射塗層20之形成步驟(步驟S200)係包括：使用一氧化矽及二氧化矽其中任一者來塗覆一基膜(步驟210)；塗覆一第一二氧化鈦膜於該基膜之上(步驟S220)；塗覆一第一二氧化矽膜於該第一二氧化鈦膜之上(步驟S230)；塗覆一第二二氧化鈦 膜於該第一二氧化矽膜之上(步驟S240)；以及最後塗覆一第二二氧化矽膜於該第二二氧化鈦膜之上(步驟S250)。其中，塗覆該些抗反射塗層20於基底導電膜10之上之步驟係根據本發明來執行之。
<高透光率觸控面板>
圖3a至3c係根據本發明第一、第二、第三實施例，繪示了包括具有抗反射塗層20之高透光率導電膜之觸控面板之剖面圖；其中，顯而易見的是其可有各種修改變化，因圖3a至3c繪示了該觸控面板係藉由使用高透光率導電膜各種實施例其中某些實施例來製作。
也就是說，一光學透明膠(OCA)膜30可形成於抗反射塗層20上和與抗反射塗層20在一起的基底導電膜10，或可形成於基底導電膜10上和與抗反射塗層20一起的基底導電膜10。如圖3a所示，本發明第一實施例中的觸控面板，其光學透明膠30可接合於抗反射塗層20之上，以靜電容法來作為一觸控面板之一第一層。
當然，透明電極圖案110係形成於兩方向之兩軸，且兩軸為互相垂直者；由此，得以藉由靜電容之改變來分辨一觸控位置。又，光學透明膠30係為一光學透明膠，且同時為一減壓型感壓膠。
如圖3b所示，本發明第二實施例中的觸控面板，其各透明電極圖案110係形成於基底導電膜(10A、10A’)之上，並形成於兩 方向之兩軸，且兩軸為互相垂直者；抗反射塗層210、220、230、240、250係形成於各透明電極圖案110之上，並由光學透明膠30來接合，以構成使用靜電容法之一觸控面板之一第二層。
如圖3c所示，本發明第三實施例中的觸控面板，其基底導電膜(10B、10B’)係由透明電極圖案110形成，且係形成於一空氣間隙A之上方、下方、及介於其中間，以實行觸控面板之靜電容法。當然的，顯而易見的是抗反射塗層210、220、230、240、250係塗覆於各基底導電膜(10B、10B’)之上來避免光反射，進而得到具有高透光率之觸控面板。
另，圖3c顯示本發明第三實施例中的觸控面板可包括一間隔物S，其係可藉由介入該基底導電膜(10B、10B’)之間，來接合該基底導電膜(10B、10B’)，進而使由透明電極圖案110形成之基底導電膜(10B、10B’)能維繫空氣間隙A。
另，間隔物S可包含有一銀電極(silver electrode)(未圖示)以及一雙面光學膠(double-sided OCA)(未圖示)，其詳細結構係為習知技術，故於此省略不談。另外，一點狀間隔物D形成於該基底導電膜(10B、10B’)之上，其係可被添加以使基底導電膜(10B、10B’)對於外來之觸控力量能有更多斥力。
<高透光率觸控面板之製造方法>
圖4根據本發明一實施例，繪示有使用具有抗反射塗層20之 高透光率導電膜的一觸控面板之製造方法流程圖。
參閱圖4，基底導電膜10係由透明電極圖案110形成(步驟S300)。然後，抗反射塗層係形成於基底導電膜之至少一表面上，以防止光反射(步驟S400)。
最後，光學透明膠係形成於抗反射塗層之一上表面上，與該些抗反射塗層一起介於基底導電膜之間，或形成光學透明膠膜於基底導電膜之上表面上，並與基底導電膜一起介於抗反射塗層之間(步驟S500)。其中，形成抗反射塗層之步驟(步驟S400)係包括：塗覆一基膜於一氧化矽、二氧化矽其中任一者之上(步驟S410)；塗覆一第一二氧化鈦膜於該基膜之上(步驟S420)；塗覆一第一二氧化矽膜於該第一二氧化鈦膜之上(步驟S430)；塗覆一第二二氧化鈦膜於該第一二氧化矽膜之上(步驟S440)；以及塗覆一第二二氧化矽膜於該第二二氧化鈦膜之上(步驟S450)。
上述關於本發明之說明係被提供以使熟悉此項技術者能夠製造或使用本發明。關於本發明之各種修改與變化對於熟悉此項技術者而言是顯而易見的，且本發明可被應用於各種其他修改及實施例，而沒有悖離本發明原理的精神及範疇內。因此，本發明使用許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，其並非用以限制本發明，而是能夠對本發明所揭示之原理及新穎功能之範疇作出最寬之主張。
【產業利用性】
本發明係具有產業利用性，其中，可改善一ITO膜之透光率之一導電膜以及一觸控面板可被應用。
10‧‧‧基底導電膜
20‧‧‧抗反射塗層
30‧‧‧光學透明膠膜
110‧‧‧透明電極圖案
120‧‧‧蝕刻表面
210‧‧‧第一層膜
220‧‧‧第二層膜
230‧‧‧第三層膜
240‧‧‧第四層膜
250‧‧‧第五層膜
A‧‧‧空氣間隙
D‧‧‧點狀間隔物
S‧‧‧間隔物
10A、10A’‧‧‧基底導電膜
10B、10B’‧‧‧基底導電膜
圖1a、1b、1c係根據本發明之第一、第二、第三實施例，繪示有一具有抗反射塗層20之高透光率導電膜之剖面圖；圖2係根據本發明，繪示有具有抗反射塗層20之一高透光率導電膜製造方法流程圖；圖3a至3c係根據本發明第一、第二、第三實施例，繪示了包括具有抗反射塗層20之高透光率導電膜的觸控面板之剖面圖；以及圖4根據本發明一實施例，繪示有使用具有抗反射塗層20之高透光率導電膜的一觸控面板之製造方法流程圖。
10‧‧‧基底導電膜
20‧‧‧抗反射塗層
110‧‧‧透明電極圖案
120‧‧‧蝕刻表面
210‧‧‧第一層膜
220‧‧‧第二層膜
230‧‧‧第三層膜
240‧‧‧第四層膜
250‧‧‧第五層膜

Claims (17)

  1. 一種導電膜，包括：一基底導電膜，形成有一透明電極圖案在該基底導電膜上；以及複數個抗反射塗層，在該基底導電膜之至少一表面上，其中該些抗反射塗層，包括：一基膜，係為第一氧化鋁(Al2O3)膜，在該基底導電膜之該表面上，一第一二氧化鈦膜，在該第一氧化鋁膜上，一第二氧化鋁膜，在該第一二氧化鈦膜上，一第二二氧化鈦膜，在該第二氧化鋁膜上，以及一第三氧化鋁膜，在該第二二氧化鈦膜上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電膜，其中該第一氧化鋁膜之厚度係為970Å至1030Å，該第一二氧化鈦膜之厚度係為220Å至260Å，該第二氧化鋁膜之厚度係為190Å至230Å，該第二 二氧化鈦膜之厚度係為550Å至610Å，以及該第三氧化鋁膜之厚度係為760Å至820Å。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電膜，其中該基膜之對於空氣的相對折射率係為1.4至2.1之範圍。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之導電膜，其中該第一氧化鋁膜之對於空氣的相對折射率係為1.4至2.1之範圍。
  5. 如申請專利範圍第2項和第3項所述之導電膜，其中一光入射到該導電膜，該光之波長係在450nm至650nm之範圍內。
  6. 一種導電膜，包括：一基底導電膜，形成有一透明導電圖案，在該基底導電膜上；以及複數個抗反射塗層，在該基底導電膜之至少一表面上，其中該些抗反射塗層，包括：一基膜，在該基底導電膜之該表面上，該基膜包括一氧化矽以及二氧化矽其中任一者，一第一二氧化鈦膜，在該基膜上，一第一二氧化矽膜，在該第一二氧化鈦膜上，一第二二氧化鈦膜，在該第二氧化矽膜上，以及一第二二氧化矽膜，在該第二二氧化鈦膜上，其中當該基膜包括一氧化矽時，該基膜之厚度係為110Å至140Å，該第一二氧化鈦膜之厚度係為190Å至230Å，該第一二氧化矽膜之厚度係為130Å至210Å，該第二二氧化鈦膜之厚度係 為730Å至870Å，以及該第二二氧化矽膜之厚度係為890Å至1010Å。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之導電膜，其中一光入射到該導電膜，該光之波長係在450nm至650nm之範圍內。
  8. 一種導電膜，包括：一基底導電膜，形成有一透明導電圖案，在該基底導電膜上；以及複數個抗反射塗層，在該基底導電膜之至少一表面上，其中該些抗反射塗層，包括：一基膜，在該基底導電膜之該表面上，該基膜包括一氧化矽以及二氧化矽其中任一者，一第一二氧化鈦膜，在該基膜上， 一第一二氧化矽膜，在該第一二氧化鈦膜上，一第二二氧化鈦膜，在該第一二氧化矽膜上，以及一第二二氧化矽膜，在該第二二氧化鈦膜上，其中當該基膜包括一二氧化矽時，該基膜之厚度係為1590Å至1670Å，該第一二氧化鈦膜之厚度係為130Å至170Å，該第一二氧化矽膜之厚度係為330Å至380Å，該第二二氧化鈦膜之厚度係為1190Å至1210Å，以及該第二二氧化矽膜之厚度係為960Å至980Å。
  9. 一種觸控面板，包括：一基底導電膜，形成有一透明導電圖案，在該基底導電膜上；複數個抗反射塗層，在該基底導電膜之一表面上；以及 一光學透明膠膜(optical clear adhesive,OCA)，在該些抗反射塗層上或在該基底導電膜的另一表面上，其中該些抗反射塗層，包括：一基膜，在該基底導電膜之該一表面上，該基膜包括一氧化矽以及二氧化矽其中任一者，一第一二氧化鈦膜，在該基膜上，一第一二氧化矽膜，在該第一二氧化鈦膜上，一第二二氧化鈦膜，在該第一二氧化矽膜上，以及一第二二氧化矽膜，在該二二氧化鈦膜上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該光學透明膠膜包括一感應膠。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之觸控面板，其中該基底導電膜包括一第一基底導電膜以及面對該第一基底導電膜之一第二基底導電膜，其中該透明電極圖案包括一第一圖案在該第一基底導電膜上以及一第二圖案在該第二基底導電膜上，且其中該第一 和第二圖案相互面對。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之觸控面板，其中在該第一基底導電膜以及該基底導電膜之間形成有一預定高度的空氣間隙。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，更包括：一間隔物在該第一、第二基底導電膜之間，以使該第一、第二基底導電膜結合。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，更包括：複數個點狀間隔物，在該第一基底導電膜或該第二基底導電膜上。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，其中當該基膜包括一氧化矽時，該基膜之厚度係為110Å至140Å，該第一二氧化鈦膜之厚度係為190Å至230Å，該第一二氧化矽膜之厚度係為 130Å至210Å，該第二二氧化鈦膜之厚度係為730Å至870Å，以及該第二二氧化矽膜之厚度係為890Å至1010Å。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板，其中當該基膜包括二氧化矽時，該基膜之厚度係為1590Å至1670Å，該第一二氧化鈦膜之厚度係為130Å至170Å，該第一二氧化矽膜之厚度係為330Å至380Å，該第二二氧化鈦膜之厚度係為1190Å至1210Å，以及該第二二氧化矽膜之厚度係為960Å至980Å。
  17. 一種製造觸控面板之方法，該方法包括： 形成一透明電極圖案，在一基底導電膜上；形成複數個抗反射塗層，在該基底導電膜之一表面上，以及形成一光學透明膠(OCA)膜，在該些抗反射塗層上或該基底導電膜之另一表面上，其中形成該複數個抗反射塗層之方法，包括：塗覆一基膜在該基底導電膜之該一表面上，該基膜包括一氧化矽以及二氧化矽其中任一者，塗覆一第一二氧化鈦膜在該基膜上，塗覆一第一二氧化矽膜在該第一二氧化鈦膜上，塗覆一第二二氧化鈦膜在該第一二氧化矽膜上，以及塗覆一第二二氧化矽膜在該第二二氧化鈦膜上。
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