TWI490675B - 流出氣體之改良式減量系統及方法 - Google Patents

Description

流出氣體之改良式減量系統及方法

本發明主張美國專利申請號12/348,012之優先權，美國專利申請號12/348,012於2009年1月1日提出申請，其標題為「流出氣體之改良式減量系統及方法」(代理人文件編號9139/P01)，其全文在此併入本文做為參考。

本發明之態樣一般係關於用於製造微電子結構的系統及方法(例如電子元件製造系統)，更詳言之，係關於用於改良減量系統之操作的方法與設備。

電子元件製造工具在習知中是利用腔室或其他適於執行製程(例如化學氣相沉積、磊晶矽成長、蝕刻等)的合適設備以製造電子元件。此類製程可產生具有非期望化學物質的流出物，其為製程之副產物。習知電子及微電子結構和元件製造系統可使用減量設備以處理流出物。

習知減量單元及製程是利用多種資源(例如反應劑、水、電等)以處理流出物。此類減量單元在習知上可在無關特定流出物組成及極少關於減量單元處理的流出物之資訊下操作。再者，氣體流量及組成資訊可儲存在用於製造結構的機密的電子結構處理配方(recipe)中，而該等機密的配方對減量單元而言是不可獲得的。

因此，習知減量單元會非最適地使用減量資源。舉例而言，非最適地使用減量資源包含生成電漿中過量的功率損耗。非最適地使用資源會造成效能不佳地使用資源，其招致更高的操作成本以及生產設備中非期望的負荷。此外，不最適地使用資源之減量單元需要更頻繁的維修。

因此，茲需要用於減量流出物的改良方法及設備。

本發明之態樣包含在配方批之啟動點以高層級設定開始減量，在處理該批的第一基材期間記錄氣體流量，分析在處理該批中所使用的配方氣體，決定用於減量流出氣體的最適減量設定，施行用於減量配方批的流出氣體之最適減量設定。一旦開始具有新配方的新配方批，就可重覆該等動作。

本發明之實施例中，提供一方法，其包含：於一高層級設定啟動一減量系統；在該減量系統接收具有一非期望材料的一流出物；在該高層級設定使用該減量系統減量該非期望材料；接收關於該流出物的資訊；分析該資訊以決定一最適設定，其中該最適設定對應至一選擇的設定效能；調整該高層級設定至該最適設定；以及接收具有更多該非期望材料之更多該流出物。在該最適設定可減弱更多該非期望材料。

本發明之其他實施例包含一系統，其包含至少一個感測器、一介面及一減量系統。該至少一個感測器可適於測量關於存在於電子元件製造系統中之氣體的氣體資訊，並且傳播該氣體資訊。該介面可適於接收並分析來自產生具有非期望材料的流出物之電子元件製造系統的氣體資訊，適於決定一最適設定，並且適於傳播該最適設定。最適設定可對應至選擇的設定效能。減量系統可適於接收該最適設定，適於接收該流出物，以及適於減弱該非期望材料。減量系統可進一步適於在以高層級設定操作時開始減量配方批的流出物之非期望材料，且適於一接收該最適設定即調整該高層級設定至該最適設定。

本發明的其他特徵及態樣由以下詳細描述、附加的申請專利範圍以及伴隨的圖式將變得更加清楚。

本發明係關於用於最適化地減量在電子元件製造期間所產生的非期望材料之方法及設備。更特定而言，本發明係關於最適化減量系統，該等系統適於減弱或消除電子元件製造工具的流出物中非期望的材料。

最適化減量系統可減弱或消除減量製程期間的非期望材料。減量製程可使用不同類型及/或不同數量之用於流出物中不同非期望材料的資源。藉由利用最適化數量及/或類型的用於非期望材料之資源，最適化減量系統可使資源的使用(包含執行維修所花費的時間)減至最少。

減量資源可透過瞭解待減量的材料之數量及類型而最適化。待減量的材料可與用於處理一批基材的詳細配方有關聯，在此，係指配方批。從第一配方改變為第二新配方同樣地可在處理第二新配方批期間改變待減量的材料。因此，在本發明之至少一個實施例中，來自流出物之待減量的材料數量及/或類型是在減量製程(例如原位及/或即時)決定，及/或基於先前從參考系統所獲得之資訊，如下所述。

本發明之態樣之優點可包含保存資源及/或減少維修。舉例而言，藉由使用僅需減弱非期望材料的功率量，可比習知技術利用更少的功率，從而減少減量系統的操作成本。其他範例可包含延長週期性維修減量系統之間的時間、非期望材料之更高的消滅效能等。

流出物中的非期望材料之類型及數量可根據由電子元件製造工具所執行的製程以及利用的配方而變化。流出物中之非期望材料可受測量及預測等。氣體資訊可藉由諸如感測器而測量，或藉由配方管理工具提供，並且氣體資訊可包含配方氣體或流出氣體的細節。可提供此類資訊至一介面或另一適於分析資訊的合適設備。該介面可提供分析結果至減量系統；而該減量系統可使用該結果以最適化使用或以其他方式改良使用其減量資源。

減量製程可使用水、RF功率、溫度、天然氣等減量流出物。減量製程的消滅效能也關係到流出物的類型與組成。在至少一個實施例中，提供減量系統關於流出物之類型與組成的資訊(例如，原位及/或即時，及/或基於參考系統)。減量系統使用此資訊以修改資源的使用。因此，期望的消滅效能可不過度使用資源就達成。

再者，減量最初可以減量系統設定至一或多個最大或高層級設定而開始，該等設定可基於流出物資訊的分析而調整(例如降低)以降低層級設定。該等較低層級的設定代表用於使用中的配方之流出氣體的最適減量設定。當對應的配方使用中時可使用該等最適減量設定，甚至無須特別瞭解配方的細節。當使用新配方時，減量設定可回到預防式高層級設定，同時決定用於新配方的最適減量設定。使用高層級設定可達成最大減量強度，該最大減量強度作為缺乏流出物資訊時的預防措施，其會指示一用於少於最大強度減量的需求。

示範性電子元件製造系統

第1圖為概要圖，其根據本發明之實施例描繪具有電子元件製造工具、泵、介面以及減量系統的電子元件製造系統。電子元件製造系統100可包含電子元件製造工具102、泵104以及減量系統106。電子元件製造工具102可具有製程腔室108。製程腔室108可透過真空線路110耦接至減量系統106。泵104可透過導管112耦接至減量系統106。製程腔室108也可透過流體線路116耦接至化學物質傳遞單元114。介面118可透過訊息線路120耦接至製程腔室108、化學物質傳遞單元114、泵104以及減量系統106。減量系統106可包含反應器122，該反應器可耦接至功率/燃料供應源124、反應物供應源126以及冷卻供應源128。

電子元件製造工具102可藉由使用製程而適於製造(例如打造)電子元件。製程可在製程腔室108中以少於周遭壓力(例如，一大氣壓(atm)等)之壓力下執行。某些範例中，儘管可使用其他壓力，然某些製程可在約8至700毫托耳(mTorr)的壓力執行。為達成此類壓力，泵104可從製程腔室108移除流出物(例如，氣體、電漿等)。流出物可由真空線路110攜帶。

可由泵104移除的流出物之化學前驅物(例如，SiH₄ 、NF₃ 、CF₄ 、BCl₃ 等)可藉由多種方式添加到製程腔室108。某範例中，化學前驅物可透過流體線路116從化學物質傳遞單元114流至製程腔室108。此外，化學物質傳遞單元114可適於透過訊息線路120提供配方資訊(例如壓力、化學組成、流率等)，該等配方資訊係與由化學物質傳遞單元114透過訊息線路120所提供的化學前驅物相關。

配方資訊可基於已知配方，或者配方資訊可取自未揭露的配方。從未揭露的配方取得配方資訊可涉及使用各種感測器(例如質流控制器)決定前驅物組成或質量流量，其能夠在化學物質傳遞單元114或流體線路116中整合。質流控制器(MFC)是用於測量及控制氣體流量的裝置。質流控制器是經設計及校準以控制特定類型的氣體於特定範圍的流率。氣體組成感測器或元件可伴隨或整合至MFC以提供氣體組成資訊，如系統中測量的部份氣體資訊。

質流控制器可具有入口埠、出口埠、質流感測器以及比例控制閥。可給定MFC一設定點，其全部尺度範圍為從0%至100%，但一般是在全尺度的10%至90%操作以達成最佳準確度。該元件隨後將控制流率至給定的設定點。MFC可與閉路控制系統配合，該閉路控制系統可由操作器(或外部電路/電腦)給定輸入訊息，該操作器可相比於來自質流感測器的閥並且可調整比例閥以因此達成需求的流量。流率係被明確指定為其校準全尺度流量的百分比並且以電壓訊息之形式供應至MFC。質流控制器習知上需要該供應氣體在特定壓力範圍內。低壓會斷絕氣體之MFC且其會無法達到其設定點，然而，高壓會引起不穩定的流率。

介面118可適於從電子元件製造工具100接收進一步的配方資訊。舉例而言，介面118可接受關於製程腔室108中製程的配方資訊(例如，基材類型、製程類型、製程步驟時間、溫度、壓力、電漿、流體流量等)且可由感測器、控制器或其他適合的設備提供。介面118可使用此類資訊以決定額外資訊，例如流出物的參數。

從配方資訊決定的流出物資訊可預測排出電子元件製造工作102的真實流出物。此外，或可替代地，排出製程腔室108的真實流出物一排出腔室108時、在穿越真空線路110時及/或一進入減量系統106時就可直接測量。直接測量流出物涉及例如使用氣體組成感測器以及MFC。此流出物資訊可用做調整減量設定的基礎，該減量設定可用於需要減量之材料的最適減量。

在一個或多個實施例中，介面118也可接收來自一個或多個資料庫之資訊，該等資料庫含有關於製程相關參數之已知變化的資訊。如前一併與美國專利申請號11/685,993(代理人文件編號9137)所述，資料庫可由取自裝設的參考系統之資訊所供應，諸如第二個電子元件製造系統100，或具有類似於電子元件製造系統100之設計，在其中系統參數可正確地在時間上測量。

由參考系統所取得的參數測量可用於導出函數(例如，最適曲線、常態分佈等式等)，該等函數可描述一個或多個參數在時間上的變化，或作為一個或多個其他參數之函數。該等函數可使用常數描述，該等常數可隨後藉由介面118可存取地組織於資料庫中。介面118可使用資料庫中的資訊以決定調整電子元件製造系統100的真實參數之期望及/或最適值。

介面118可提供與減量系統106之流出物相關的資訊。可利用此類流出物資訊以調整減量系統106的參數。流出物可由真空線路110從製程腔室108攜帶至減量系統106。泵104可從製程腔室108移除流出物並且將該流出物移動至減量系統106。減量系統106適於使用功率/燃料供應源124、反應物供應源126及/或冷卻供應源128減弱流出物中的非期望材料。

一示範性實施例中，減量系統106可為電漿減量系統。示範性電漿減量系統可為由美國加州San Jose的Metron Technology公司購得的LITMAS^TM 系統，然而也可使用其他減量系統。減量系統106可使用由燃料/功率供應源124所供應的燃料/功率、由反應物供應源126供應的反應物(例如水、水蒸氣、氧、氫等)以及由冷卻供應源128所供應的冷卻水或其他適合的流體。減量系統106可形成電漿，可利用該電漿以減弱或消除流出物中的非期望材料，其將於後更詳細地描述。

在相同或替代的實施例中，可包含後泵(post-pump)減量系統。舉例而言，減量系統106可不存在於電子元件製造系統100中。相反地，後泵減量系統可包含於泵104之下游。可替代地，除了減量系統106之外，亦可利用後泵減量系統。關於流出物的資訊也可提供至後泵減量系統。

示範性方法實施例

第2圖為流程圖，其描繪根據本發明之實施例調整減量系統106的方法。方法200始於啟動步驟202，其包含處理配方批之基材。一旦開始處理基材，啟動步驟202可開始減量來自配方批的流出氣體。

在啟動步驟202中，流出物的減量可於減量系統106的高層級設定開始。高層級設定可接近減量系統106的最大強度。在欠缺流出物資訊的情況下，最大強度設定可用做預防措施，以預防流出物中需要減量材料缺乏減量。使用最大強度減量雖然可能會暫時無效率地使用資源，但一旦決定並實行用於配方批的最適減量設定，可藉由調整減量層級設定而補救暫時無效率地使用資源之問題。

接著，可執行資訊獲得步驟204，其中介面118或另一適合的設備可獲得關於一組參數的資訊。該等參數是與處理配方批有關，並且該等參數可包含例如配方批資訊及/或流出物資訊，且可被測量、被決定，或其組合。測量和決定可為直接或間接。

在資訊獲得步驟204中，介面118可從一個或多個資訊源(諸如電子元件製造系統100、內部或外部資料庫、預測性解決方案、參考系統等)獲得資訊。該資訊可關於一個或多個電子元件製造系統100所產生的流出物，或者，該資訊可用於導出關於一個或多個電子元件製造系統100所產生的流出物之資訊。該資訊也可包含系統資訊，諸如系統組態資訊及/或裝置資訊，諸如電子元件製造系統100所用的減量系統106之類型、能力、操作範圍。此外，系統資訊可包含設定資訊，該設定資訊是關於系統設備於一給定時間上使用中的設定。隨後，可開始資訊分析步驟206。

資訊分析步驟206中，介面118及/或減量系統106可分析步驟204中獲得的資訊以決定至少一個期望的減量參數值。倘若有需要，該期望的減弱參數值可轉換成減量系統106的最適減量設定。再者，介面可分析該資訊以決定對於減量系統106的類型及配方而言，減量系統106可需要被調整以最適化地減量流出物。舉例而言，對於減弱氣態化學物質(例如全氟化碳(PFC)、揮發性有機化合物(VOC)等)預泵電漿減量系統106而言，可調整電漿功率。氣態化學物質被減弱的量可正比於施加至氣態化學物質的電漿功率量。舉例而言，PFC可需要每莫耳數十電子以引發任何實質上的分解，因而使PFC減弱至期望的層級。

在減量調整步驟208，減量設定可調整至最適減量設定以接近最適化的減量參數。舉例而言，藉由調整電漿功率至最適層級，可最適化減量製程。本發明之態樣可涉及：藉由從最初為得到最大減量強度而設定之高層級設定降低減量設定以減少減量參數。降低減量設定使之遠離最大強度層級會減少資源消耗以及設備損耗。舉例而言，比最適化高量的電漿功率是過量的，且會非期望地傷害反應器122壁。更詳言之，對反應器122壁之傷害會正比於存在電漿中的每分子之電子量。因此，藉由提供最適量的電漿功率，反應器122因損耗造成的傷害較不迅速，且因而較不需經常置換。

其他實施例中，可在減量調整步驟208期間調整其他類型的減量系統106。舉例而言，可利用後泵電漿、催化、及/或燃燒減量系統106。在後泵電漿減量系統106中，可最適地調整的參數可包括功率、淨化氣體流量、反應物以及冷卻劑流量。對於後泵催化減量系統106而言，可調整的參數可包括淨化氣體流量、反應物以及冷卻劑流量。對於後泵燃燒催化減量系統106而言，可最適地調整的參數可包括燃料流量、淨化氣體流量、反應物以及冷卻劑流量。

再者，減量調整步驟208可涉及調整配方及/或其他預減量製程以在生成流出物前預先地減量流出物中需要減量的材料。舉例而言，獲得及分析流出物資訊可指示過量的前驅物材料正被使用，其會非必須地產生額外的需要被減量之材料。

根據本發明之態樣，步驟206中的資訊分析以及步驟208中的減量調整可由適當的設備、電腦硬體及/或電腦軟體自動執行。舉例而言，介面118可包含與電腦硬體交互作用的軟體以自動監控且控制製造系統100中的裝置，諸如減量系統106。同樣地，介面118可包含邏輯程式，其係以軟體或韌體的型式，其可基於選擇的設定效能以及氣體資訊而決定最適設定。選擇的設定效能可包含使用者輸入資料，其表示與用在增加的效能單元之資源消耗相關的減量非期望材料的感知重要性，以下將進一步討論。

在此類本發明之自動化實施例中，減量系統106可自動地調整減量設定及參數以匹配最適減量設定以及期望參數值。舉例而言，可因流出物中PFC之量增加而使電漿功率增加至期望的量。或者，倘若以位於或接近最大強度的減量設定啟動，則鑑於流出物資訊，可使減量設定減少至最適減量設定，以致最適化減量同時保存資源。

在終止步驟210，該方法200隨後可終止，其可包含完成配方批處理以及開始新的配方批。開始新的配方批可致使方法200重啟於啟動步驟202。

如前關於本發明之自動化實施例所介紹，本發明之態樣可包含藉由使用在電腦硬體上實行的電腦軟體以執行一個或多個方法實施例的動作。對應這些動作的參數及邏輯可在電腦處理器編輯且實行的電腦程式碼中實施。實行程式碼的電腦處理器可部份基於諸如系統資料、處理回饋或使用者輸入而調整動作的執行，如合乎製造製程及/或設備之自動化的慣例。舉例而言，溫度感測器可提供溫度資料，該資料可觸發電腦指定以調整流出物流率。

結合根據本發明之實施例的系統之一個或多個態樣的自動化，用於製程及/或設備自動化的電腦軟體可於電腦可讀媒體或在電腦間通信實施，或於編輯或未編輯之格式中實施。電腦間通信可包含例如遠端存取及/或藉由在第三端控制下以廠外軟體或硬體控制廠內設備。適當的電腦軟體及/或硬體可整合或嵌入系統或系統部件，或分開提供。

第一示範性減量設定關係

第3圖為曲線圖，其根據本發明之實施例繪示示範性消滅效能及電漿功率之間的第一關係，該電漿功率是用於利示範性減量製程的電漿減量系統。第一關係300是在消滅效能302及減量系統的電漿功率304之間。在此第一關係300中，調整電漿功率304設定可經最適化以接近最適化消滅效能302。

第3圖中，被減弱的非期望材料係以PFC描繪。期望的消滅效能306是以水平虛線描繪。低PFC流量曲線308、中PFC流量曲線310以及高PFC流量曲線312可表示消滅效能302及用於通過減量系統106的PFC流率之電漿功率304之間的第一關係300。最大電漿功率設定可於x軸的最右端。因此，低功率線314、中功率線316及高功率線318逐漸沿x軸右端交錯。功率線314、316、318可表示施加至PFC的電漿功率量。

PFC的消滅效能302可與PFC的流率相關。舉例而言，通過減量系統106的流率愈高，可在給定的電漿功率304之PFC的消滅效能302愈低。因此，電漿功率304可經調整以達成期望的消滅效能306。期望的消滅效能306範圍可從約85%至約100%。對於高PFC流率而言，可利用高PFC流量曲線312以決定需要達成期望的高PFC流率之消滅效能306的電漿功率304之量。高功率線318指示需要達成期望消滅效能306的電漿功率304的量。以此方式，可選擇電漿功率304的適當層級。

啟動於高或最大層級電漿功率設定的本發明之實施例中，消滅效能可接近100%。然而，當曲線308、310、312朝右端變平時，電漿功率中微小的增加對於消滅效能302增加的效應趨於減少。就其本身而言，第一關係300可由設定效能描繪其特徵，其中設定效能可對應至減量設定對消滅效能之微分關係，其表達：減量設定從參考減量設定的每單位增加量中，微小的消滅效能之相對的增加或減少。舉例而言，曲線308的設定效能在功率線314前顯得大於1(例如，曲線308是陡峭的)，但超過功率線314就跌落至1以下(例如，曲線308變得平坦)。

視待減量的材料而定，可藉由選擇待減量的材料至一選定的設定效能，而做出一決定以避免資源使用上的報酬遞減(diminishing return)。第3圖中，選擇的設定效能對應至期望的消滅效能306，其代表保存資源(例如電漿功率304)及消滅效能之間的刻意折衷方案。因此，最適減量設定可考慮包含例如用於高PFC流量312的電漿功率線318。

替代性實施例中，如第3圖所描繪，可待選擇的電漿功率304層級之數目可為多於3或少於3。舉例而言，超過3個電漿功率304層級可用於選擇上。更特定言之，電漿功率304的連續範圍可用於選擇上。或者，單一功率層級可用於PFC低層級流量的電漿功率314之開/關應用上。同樣地，超過三個流率曲線可利用於選擇適當的功率層級以達成期望的消滅效能306。舉例而言，電漿功率304以及消滅效能302之間的關係可在PFC流率之連續範圍上被界定。此關係以及對應的關係曲線可代表一預測性工具，以預測消滅效能上的設定調整之真實結果，以達到預測的解決方案，該解決方案可用於減弱非期望材料，該非期望材料與經受調整之設定相關。

第二示範性減量設定關係

第4圖為曲線圖，其根據本發明之實施例繪示示範性消滅效能及水流之間的第二關係，水在利用示範性減量製程的電漿減量系統中為反應物。消滅效能302及水流量402之間的第二關係400是由低PFC流量曲線404以及高PFC流量曲線406所描繪，其中PFC是待減量的材料，如第3圖所示。此第二關係400中，調整水流量402設定可經最適化以接近最適消滅效能302。最大水量設定可於x軸右端遠處。據此，低水流量線408描繪低PFC流量曲線404的峰值。右端更遠處，高水流量線410描繪高PFC流量曲線406的峰值。

藉由調整水402至適當的峰值水流量可達成或超過期望的消滅效能306。儘管描繪了兩個PFC流量曲線，本發明之實施例可利用僅一個曲線或多於兩個曲線。或者，PFC流量的連續圖譜可為本發明所利用。本發明可利用類似之關係以決定適當的水流量以最適地減弱流出物中的PFC。

啟動於高或最大層級水流量設定的本發明之實施例中，消滅效能可脫離100%。因此，曲線404、406不僅朝右側變平，還高聳而起且開始跌落。因此，視待減弱的材料之流量而定，水流量402中微小的增加首先會顯現使對消滅效能302的增加效應減少，而後會顯現對消滅效能302產生減少效應。

如第一關係300，第二關係400可由設定效能描繪其特徵。其中設定效能可對應至減量設定對消滅效能的微分關係。第4圖中，曲線404及406教明減量設定從參考減量設定的每單位增加量中，微小的消滅效能之相對的增加及減少。舉例而言，曲線404的設定效能在流量線408之前顯得大於0(例如，曲線404上升)，但超過流量線408後，跌落至0以下(例如，曲線404滑落)。

視待減量的材料而定，可藉由於一設定選擇以超過最大反應物設定，而做出一決定以避免資源使用上的報酬遞減，其中，該設定是對應於待減量材料之最高預測流量的消滅效能曲線之峰值。此外，視情況任選的設定效能可選擇用於減量設定。

第4圖中，選擇的設定效能可對應至流量線408、410，其超過第3圖中的期望消滅效能306。因此，最適減量設定可考慮包含例如用於高PFC流量406的水流量線410。或者，選擇的設定效能可在對應的用於流出物流量之最高消滅效能之下，以致選擇的設定效能對應於期望的消滅效能306，其代表保存資源(例如反應物流量402)及消滅效能302之間的刻意折衷方案。

此外，關係400可與減量製程的化學反應相關。舉例而言，四氟化碳(CF₄ )的減量可包含使碳氧化以及使氟氫化。氫和氧可以氧化氫(水)的形式供應，其根據該反應式：CF₄ +2H₂ O→CO₂ +4HF，其中一份CF₄ 需要二份水以完成轉換。因此，水流量可為兩倍的CF₄ 之流量。某些實施例中，可利用高達約七倍CF₄ 或其他PFC氣體流量的水流量。

前述的描述僅揭露本發明的示範性實施例。落於本發明範疇內之於上揭露的設備及方法的變更對於熟習此技藝之一般知識者已是顯而易見的。舉例而言，介面可包含在電子元件製造工具中，其中減量系統以可通信式耦接電子元件製造工具以獲得關於流出物之資訊。

因此，本發明已與其示範性實施例一起被揭露，應瞭解到，其他實施例可落於本發明之精神及範疇中，如由以下的申請專利範圍所界定之。

100．．．電子元件製造系統

102．．．電子元件製造工具

104．．．泵

106．．．減量系統

108．．．製程腔室

110．．．真空線路

112．．．導管

114．．．化學物質傳遞單元

116．．．流體線路

118．．．介面

120．．．訊息線路

122．．．反應器

124．．．功率/燃料供應源

126．．．反應物供應源

128．．．冷卻供應源

200．．．方法

202-210．．．步驟

300．．．第一關係

302．．．消滅效能

304．．．電漿功率

306．．．期望之消滅效能

308、310、312．．．曲線

314．．．低功率線

316．．．中功率線

318．．．高功率線

400．．．第二關係

402．．．水流量

404、406．．．曲線

408．．．低水流量

410．．．高水流量

藉參考繪示本發明之示範性實施例之附加圖式，以下提供的詳細描述詳細地解釋本發明之各種特徵、優點以及改良處。

然而應注意到，該等附加圖式不欲必要性地按尺寸繪製或在機械結構上完整繪製。該等圖式僅繪示本發明之個別實施例；因此，不應考慮該等圖式為限制其範圍，因本發明可認同其他等效之實施例。

第1圖為概要圖，其根據本發明之實施例描繪具有電子元件製造工具、泵、介面以及減量系統的電子元件製造系統。

第2圖為流程圖，其描繪根據本發明之實施例調整減量系統的方法。

第3圖為曲線圖，其根據本發明之實施例繪示示範性消滅效能及電漿功率之間的第一關係，該電漿功率是用於利用示範性減量製程的電漿減量系統。

第4圖為曲線圖，其根據本發明之實施例繪示示範性消滅效能及水流量之間的第二關係，水在利用示範性減量製程的電漿減量系統中為反應物。

100．．．電子元件製造系統

102．．．電子元件製造工具

104．．．泵

106．．．減量系統

108．．．製程腔室

110．．．真空線路

112．．．導管

114．．．化學物質傳遞單元

116．．．流體線路

118．．．介面

120．．．訊息線路

122．．．反應器

124．．．功率/燃料供應源

126．．．反應物供應源

128．．．冷卻供應源

Claims (20)

1. 一種在電子元件製造期間將所產生的非期望材料減量之方法，其包含以下步驟：於一高層級設定啟動一減量系統，其中該高層級設定包括下列中之一者：燃料流量、功率層級、反應物類型或流量、或冷卻劑流量；在該減量系統接收具有一非期望材料的一流出物；在該高層級設定使用該減量系統減量該非期望材料；接收關於該流出物的資訊；分析該資訊以決定一最適設定，其中該最適設定對應至一選擇的設定效能；調整該高層級設定至該最適設定；以及接收具有更多該非期望材料之更多該流出物。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該資訊包含：一預測性解決方案，該預測性解決方案與該非期望材料相關。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該資訊是由一介面提供。
4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其進一步包含以下步驟：提供該介面關於一電子元件製造系統的系統資訊，該電子元件製造系統包含該減量系統。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包含以下步驟：以該減量系統減弱更多該非期望材料。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中以該減量系統減弱更多該非期望材料包含以下步驟：使該非期望材料與反應物反應。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該減量系統是一電漿減量系統。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該減量系統是一催化減量系統。
9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該減量系統是一燃燒減量系統。
10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該流出物是由一製程腔室所產生。
11. 一種在電子元件製造期間將所產生的非期望材料減量之系統，其包含：至少一個感測器，其適於測量關於存在於一電子元件製造系統中的氣體之氣體資訊，並且適於傳播該氣體資訊；一介面，其適於接收並分析來自產生具有一非期望材料的一流出物之該電子元件製造系統的該氣體資訊，適於決定一最適設定，並且適於傳播該最適設定，其中該最適設定對應至一選擇的設定效能；及一減量系統，其適於接收該最適設定，適於接收該流出物，以及適於減弱該非期望材料；其中，該減量系統進一步適於在以一高層級設定操作時開始減量一配方批的該流出物之該非期望材料，其中該高層級設定包括下列中之一者：燃料流量、功率層級、反應物類型或流量、或冷卻劑流量；而且其中，該減量系統進一步適於在一接收該最適設定即調整該高層級設定至該最適設定。
12. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該介面包含：邏輯程式，其基於該選擇的設定效能以及該氣體 資訊以決定該最適設定。
13. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該介面進一步適於接收並分析包含與該非期望材料相關的一預測性解決方案的資訊。
14. 如申請專利範圍第13項所述之系統，其進一步包含：提供與包含該減量系統之該電子元件製造系統相關的系統資訊至該介面，其中該系統資訊包含一個或多個組態資訊、裝置資訊以及設定資訊。
15. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該氣體資訊包含：一個或多個配方資訊以及流出物資訊。
16. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該減量系統的該高層級設定以及該最適設定與該非期望材料與反應物反應相關。
17. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該減量系統是一電漿減量系統。
18. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該減量系統是一催化減量系統。
19. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該減量系統是一燃燒減量系統。
20. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該流出物是由一製程腔室所產生。