CN102271789A - 流出气体的改良式减量系统及方法 - Google Patents

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Abstract

提供了涉及流出物的减量的系统及方法。本发明的态样可包括：于高层级设定启动减量系统；在该减量系统接收具有非期望材料的流出物；在该高层级设定使用该减量系统减量该非期望材料；接收关于该流出物的信息；分析该信息以决定最佳设定；调整该高层级设定至该最佳设定；以及接收具有更多该非期望材料的更多该流出物，这些流出物随后可被减弱。该最佳设定对应至选择的设定效能。还提供许多其它态样。

Description

流出气体的改良式减量系统及方法
关联申请的引用
本发明主张美国专利申请号12/348,012的优先权，美国专利申请号12/348,012于2009年1月1日提出申请，其标题为“流出气体的改良式减量系统及方法”(代理人文件编号9139/P01)，其全文在此并入本文做为参考。
技术领域
本发明的态样一般涉及用于制造微电子结构的系统及方法(例如电子组件制造系统)，更详言的，涉及用于改良减量系统的操作的方法与设备。
背景技术
电子组件制造工具在现有技术中是利用腔室或其它适于执行制程(例如化学气相沉积、外延硅成长、蚀刻等)的合适设备以制造电子组件。此类制程可产生具有非期望化学物质的流出物，其为制程的副产物。现有技术电子及微电子结构和组件制造系统可使用减量设备以处理流出物。
现有技术减量单元及制程是利用多种资源(例如反应剂、水、电等)以处理流出物。此类减量单元在现有技术上可在无关特定流出物组成及极少关于减量单元处理的流出物的信息下操作。再者，气体流量及组成信息可储存在用于制造结构的机密的电子结构处理配方(recipe)中，而这些机密的配方对减量单元而言是不可获得的。
因此，现有技术减量单元会非最佳地使用减量资源。举例而言，非最佳地使用减量资源包括生成等离子体中过量的功率损耗。非最佳地使用资源会造成效能不佳地使用资源，其招致更高的操作成本以及生产设备中非期望的负荷。此外，不最佳地使用资源的减量单元需要更频繁的维修。
因此，兹需要用于减量流出物的改良方法及设备。
发明内容
本发明的态样包括在配方批的启动点以高层级设定开始减量，在处理该批的第一基材期间记录气体流量，分析在处理该批中所使用的配方气体，决定用于减量流出气体的最佳减量设定，施行用于减量配方批的流出气体的最佳减量设定。一旦开始具有新配方的新配方批，就可重复这些动作。
在本发明的实施例中，提供了一种方法，其包括：于高层级设定启动减量系统；在该减量系统接收具有非期望材料的流出物；在该高层级设定使用该减量系统减量该非期望材料；接收关于该流出物的信息；分析该信息以决定最佳设定，其中该最佳设定对应至选择的设定效能；调整该高层级设定至该最佳设定；以及接收具有更多该非期望材料的更多该流出物。在该最佳设定可减弱更多该非期望材料。
本发明的其它实施例包括一种系统，其包括至少一个传感器、接口及减量系统。该至少一个传感器可适于测量关于存在于电子组件制造系统中的气体的气体信息，并且传播该气体信息。该接口可适于接收并分析来自产生具有非期望材料的流出物的电子组件制造系统的气体信息，适于决定最佳设定，并且适于传播该最佳设定。最佳设定可对应至选择的设定效能。减量系统可适于接收该最佳设定，适于接收该流出物，以及适于减弱该非期望材料。减量系统可进一步适于在以高层级设定操作时开始减量配方批的流出物的非期望材料，且适于接收该最佳设定即调整该高层级设定至该最佳设定。
本发明的其它特征及态样由以下详细描述、附加的权利要求以及伴随的图式将变得更加清楚。
附图说明
参考示出本发明的示范性实施例的附图，以下提供的详细描述详细地解释本发明的各种特征、优点以及改良处。
然而应注意到，这些附图并不一定按尺寸绘制或在机械结构上完整绘制。这些附图仅示出本发明的个别实施例；因此，不应考虑这些附图为限制其范围，因本发明可包括其它等效的实施例。
图1为概要图，其根据本发明的实施例描绘具有电子组件制造工具、泵、接口以及减量系统的电子组件制造系统。
图2为流程图，其描绘根据本发明的实施例调整减量系统的方法。
图3为曲线图，其根据本发明的实施例示出示范性消灭效能及等离子体功率之间的第一关系，这些离子体功率是用于利用示范性减量制程的等离子体减量系统。
图4为曲线图，其根据本发明的实施例示出示范性消灭效能及水流量之间的第二关系，水在利用示范性减量制程的等离子体减量系统中为反应物。
具体实施方式
本发明涉及用于最佳化地减量在电子组件制造期间所产生的非期望材料的方法及设备。更特定而言，本发明涉及最佳化减量系统，这些系统适于减弱或消除电子组件制造工具的流出物中非期望的材料。
最佳化减量系统可减弱或消除减量制程期间的非期望材料。减量制程可使用不同类型及/或不同数量的用于流出物中不同非期望材料的资源。藉由利用最佳化数量及/或类型的用于非期望材料的资源，最佳化减量系统可使资源的使用(包括执行维修所花费的时间)减至最少。
减量资源可通过了解待减量的材料的数量及类型而最佳化。待减量的材料可与用于处理批基材的详细配方有关联，在此，指配方批。从第一配方改变为第二新配方同样地可在处理第二新配方批期间改变待减量的材料。因此，在本发明的至少一个实施例中，来自流出物的待减量的材料数量及/或类型是在减量制程(例如原位及/或实时)决定，及/或基于先前从参考系统所获得的信息，如下所述。
本发明的态样的优点可包括保存资源及/或减少维修。举例而言，藉由使用仅需减弱非期望材料的功率量，可比现有技术利用更少的功率，从而减少减量系统的操作成本。其它范例可包括延长周期性维修减量系统之间的时间、非期望材料的更高的消灭效能等。
流出物中的非期望材料的类型及数量可根据由电子组件制造工具所执行的制程以及利用的配方而变化。流出物中的非期望材料可受测量及预测等。气体信息可藉由诸如传感器而测量，或藉由配方管理工具提供，并且气体信息可包括配方气体或流出气体的细节。可提供此类信息至接口或其他适于分析信息的合适设备。该接口可提供分析结果至减量系统；而该减量系统可使用该结果以最佳化使用或以其它方式改良使用其减量资源。
减量制程可使用水、RF功率、温度、天然气等减量流出物。减量制程的消灭效能也关系到流出物的类型与组成。在至少一个实施例中，提供减量系统关于流出物的类型与组成的信息(例如，原位及/或实时，及/或基于参考系统)。减量系统使用此信息以修改资源的使用。因此，期望的消灭效能可不过度使用资源就达成。
再者，减量最初可以减量系统设定至或多个最大或高层级设定而开始，这些设定可基于流出物信息的分析而调整(例如降低)以降低层级设定。这些较低层级的设定代表用于使用中的配方的流出气体的最佳减量设定。当对应的配方使用中时可使用这些最佳减量设定，甚至无须特别了解配方的细节。当使用新配方时，减量设定可回到预防式高层级设定，同时决定用于新配方的最佳减量设定。使用高层级设定可达成最大减量强度，该最大减量强度作为缺乏流出物信息时的预防措施，其会指示用于少于最大强度减量的需求。
示范性电子组件制造系统
图1为概要图，其根据本发明的实施例描绘具有电子组件制造工具、泵、接口以及减量系统的电子组件制造系统。电子组件制造系统100可包括电子组件制造工具102、泵104以及减量系统106。电子组件制造工具102可具有制程腔室108。制程腔室108可通过真空线路110耦合至减量系统106。泵104可通过导管112耦合至减量系统106。制程腔室108也可通过流体线路116耦合至化学物质传递单元114。接口118可通过讯息线路120耦合至制程腔室108、化学物质传递单元114、泵104以及减量系统106。减量系统106可包括反应器122，该反应器可耦合至功率/燃料供应源124、反应物供应源126以及冷却供应源128。
电子组件制造工具102可藉由使用制程而适于制造(例如打造)电子组件。制程可在制程腔室108中以少于周遭压力(例如，大气压(atm)等)的压力下执行。某些范例中，尽管可使用其它压力，但某些制程可在约8至700毫托耳(mTorr)的压力执行。为达成此类压力，泵104可从制程腔室108移除流出物(例如，气体、等离子体等)。流出物可由真空线路110携带。
可由泵104移除的流出物的化学前驱物(例如，SiH4、NF3、CF4、BCl3等)可藉由多种方式添加到制程腔室108。在某范例中，化学前驱物可通过流体线路116从化学物质传递单元114流至制程腔室108。此外，化学物质传递单元114可适于通过讯息线路120提供配方信息(例如压力、化学组成、流率等)，这些配方信息与由化学物质传递单元114通过讯息线路120所提供的化学前驱物相关。
配方信息可基于已知配方，或者配方信息可取自未揭露的配方。从未揭露的配方取得配方信息可涉及使用各种传感器(例如质流控制器)决定前驱物组成或质量流量，其能够在化学物质传递单元114或流体线路116中整合。质流控制器(MFC)是用于测量及控制气体流量的装置。质流控制器是经设计及校准以控制特定类型的气体于特定范围的流率。气体组成传感器或组件可伴随或整合至MFC以提供气体组成信息，如系统中测量的部份气体信息。
质流控制器可具有入口埠、出口埠、质流传感器以及比例控制阀。可给定MFC设定点，其全部尺度范围为从0％至100％，但一般是在全尺度的10％至90％操作以达成最佳准确度。该组件随后将控制流率至给定的设定点。MFC可与闭路控制系统配合，该闭路控制系统可由操作器(或外部电路/计算机)给定输入讯息，该操作器可相比于来自质流传感器的阀并且可调整比例阀以因此达成需求的流量。流率被明确指定为其校准全尺度流量的百分比并且以电压讯息的形式供应至MFC。公知质流控制器需要该供应气体在特定压力范围内。低压会断绝气体的MFC且其会无法达到其设定点，然而，高压会引起不稳定的流率。
接口118可适于从电子组件制造工具100接收进一步的配方信息。举例而言，接口118可接受关于制程腔室108中制程的配方信息(例如，基材类型、制程类型、制程步骤时间、温度、压力、等离子体、流体流量等)且可由传感器、控制器或其它适合的设备提供。接口118可使用此类信息以决定额外信息，例如流出物的参数。
从配方信息决定的流出物信息可预测排出电子组件制造工作102的真实流出物。此外，或可替代地，排出制程腔室108的真实流出物排出腔室108时、在穿越真空线路110时及/或进入减量系统106时就可直接测量。直接测量流出物涉及例如使用气体组成传感器以及MFC。此流出物信息可用做调整减量设定的基础，该减量设定可用于需要减量的材料的最佳减量。
在一个或多个实施例中，接口118也可接收来自一个或多个数据库的信息，这些数据库含有关于制程相关参数的已知变化的信息。如前涉及美国专利申请号11/685,993(代理人文件编号9137)所述，数据库可由取自装设的参考系统的信息所供应，诸如第二个电子组件制造系统100，或具有类似于电子组件制造系统100的设计，在其中系统参数可正确地在时间上测量。
由参考系统所取得的参数测量可用于导出函数(例如，最佳曲线、常态分布等式等)，这些函数可描述一个或多个参数在时间上的变化，或作为一个或多个其它参数的函数。这些函数可使用常数描述，这些常数可随后藉由接口118可存取地组织于数据库中。接口118可使用数据库中的信息以决定调整电子组件制造系统100的真实参数的期望及/或最佳值。
接口118可提供与减量系统106的流出物相关的信息。可利用此类流出物信息以调整减量系统106的参数。流出物可由真空线路110从制程腔室108携带至减量系统106。泵104可从制程腔室108移除流出物并且将该流出物移动至减量系统106。减量系统106适于使用功率/燃料供应源124、反应物供应源126及/或冷却供应源128减弱流出物中的非期望材料。
在示范性实施例中，减量系统106可为等离子体减量系统。示范性等离子体减量系统可为由美国加州San Jose的Metron Technology公司购得的LITMASTM系统，然而也可使用其它减量系统。减量系统106可使用由燃料/功率供应源124所供应的燃料/功率、由反应物供应源126供应的反应物(例如水、水蒸气、氧、氢等)以及由冷却供应源128所供应的冷却水或其它适合的流体。减量系统106可形成等离子体，可利用这些离子体以减弱或消除流出物中的非期望材料，其将于后更详细地描述。
在相同或替代的实施例中，可包括后泵(post-pump)减量系统。举例而言，减量系统106可不存在于电子组件制造系统100中。相反地，后泵减量系统可包括于泵104的下游。可替代地，除了减量系统106的外，亦可利用后泵减量系统。关于流出物的信息也可提供至后泵减量系统。
示范性方法实施例
图2为流程图，其描绘根据本发明的实施例调整减量系统106的方法。方法200始于启动步骤202，其包括处理配方批的基材。一旦开始处理基材，启动步骤202可开始减量来自配方批的流出气体。
在启动步骤202中，流出物的减量可于减量系统106的高层级设定开始。高层级设定可接近减量系统106的最大强度。在欠缺流出物信息的情况下，最大强度设定可用做预防措施，以预防流出物中需要减量材料缺乏减量。使用最大强度减量会暂时无效率地使用资源，但一旦决定并实行用于配方批的最佳减量设定，可藉由调整减量层级设定而补救暂时无效率地使用资源的问题。
接着，可执行信息获得步骤204，其中接口118或其他适合的设备可获得关于组参数的信息。这些参数是与处理配方批有关，并且这些参数可包括例如配方批信息及/或流出物信息，且可被测量、被决定，或其组合。测量和决定可为直接或间接。
在信息获得步骤204中，接口118可从一个或多个信息源(诸如电子组件制造系统100、内部或外部数据库、预测性解决方案、参考系统等)获得信息。该信息可关于一个或多个电子组件制造系统100所产生的流出物，或者，该信息可用于导出关于一个或多个电子组件制造系统100所产生的流出物的信息。该信息也可包括系统信息，诸如系统组态信息及/或装置信息，诸如电子组件制造系统100所用的减量系统106的类型、能力、操作范围。此外，系统信息可包括设定信息，该设定信息是关于系统设备于给定时间上使用中的设定。随后，可开始信息分析步骤206。
信息分析步骤206中，接口118及/或减量系统106可分析步骤204中获得的信息以决定至少一个期望的减量参数值。倘若有需要，该期望的减弱参数值可转换成减量系统106的最佳减量设定。此外，接口可分析该信息以决定对于减量系统106的类型及配方而言，减量系统106可需要被调整以最佳化地减量流出物。举例而言，对于减弱气态化学物质(例如全氟化碳(PFC)、挥发性有机化合物(VOC)等)预泵等离子体减量系统106而言，可调整等离子体功率。气态化学物质被减弱的量可正比于施加至气态化学物质的等离子体功率量。举例而言，PFC可需要每莫耳数十电子以引发任何实质上的分解，因而使PFC减弱至期望的层级。
在减量调整步骤208，减量设定可调整至最佳减量设定以接近最佳化的减量参数。举例而言，藉由调整等离子体功率至最佳层级，可最佳化减量制程。本发明的态样可涉及：藉由从最初为得到最大减量强度而设定的高层级设定降低减量设定以减少减量参数。降低减量设定使的远离最大强度层级会减少资源消耗以及设备损耗。举例而言，比最佳化高量的等离子体功率是过量的，且会非期望地伤害反应器122壁。具体而言，对反应器122壁的伤害会正比于存在等离子体中的每分子的电子量。因此，藉由提供最佳量的等离子体功率，反应器122因损耗造成的伤害较不迅速，且因而较不需经常置换。
在其它实施例中，可在减量调整步骤208期间调整其它类型的减量系统106。举例而言，可利用后泵等离子体、催化、及/或燃烧减量系统106。在后泵等离子体减量系统106中，可最佳地调整的参数可包括功率、净化气体流量、反应物以及冷却剂流量。对于后泵催化减量系统106而言，可调整的参数可包括净化气体流量、反应物以及冷却剂流量。对于后泵燃烧催化减量系统106而言，可最佳地调整的参数可包括燃料流量、净化气体流量、反应物以及冷却剂流量。
此外，减量调整步骤208可涉及调整配方及/或其它预减量制程以在生成流出物前预先地减量流出物中需要减量的材料。举例而言，获得及分析流出物信息可指示过量的前驱物材料正被使用，其会非必须地产生额外的需要被减量的材料。
根据本发明的态样，步骤206中的信息分析以及步骤208中的减量调整可由适当的设备、计算机硬件及/或计算机软件自动执行。举例而言，接口118可包括与计算机硬件交互作用的软件以自动监控且控制制造系统100中的装置，诸如减量系统106。同样地，接口118可包括逻辑程序，其呈软件或韧体的型式，其可基于选择的设定效能以及气体信息而决定最佳设定。选择的设定效能可包括使用者输入数据，其表示与用在增加的效能单元的资源消耗相关的减量非期望材料的感知重要性，以下将进一步讨论。
在此类本发明的自动化实施例中，减量系统106可自动地调整减量设定及参数以匹配最佳减量设定以及期望参数值。举例而言，可因流出物中PFC的量增加而使等离子体功率增加至期望的量。或者，倘若以位于或接近最大强度的减量设定启动，则鉴于流出物信息，可使减量设定减少至最佳减量设定，以致最佳化减量同时保存资源。
在终止步骤210，该方法200随后可终止，其可包括完成配方批处理以及开始新的配方批。开始新的配方批可致使方法200重启于启动步骤202。
如以上关于本发明的自动化实施例所介绍，本发明的态样可包括藉由使用在计算机硬件上实行的计算机软件以执行一个或多个方法实施例的动作。对应这些动作的参数及逻辑可在计算机处理器编辑且实行的计算机程序码中实施。实行程序代码的计算机处理器可部份基于诸如系统数据、处理回馈或使用者输入而调整动作的执行，如合乎制造制程及/或设备的自动化的惯例。举例而言，温度传感器可提供温度数据，该数据可触发计算机指定以调整流出物流率。
结合根据本发明的实施例的系统的一个或多个态样的自动化，用于制程及/或设备自动化的计算机软件可于计算机可读媒体或在计算机间通信实施，或于编辑或未编辑的格式中实施。计算机间通信可包括例如远程访问及/或藉由在第三端控制下以厂外软件或硬件控制厂内设备。适当的计算机软件及/或硬件可整合或嵌入系统或系统部件，或分开提供。
第一示范性减量设定关系
图3为曲线图，其根据本发明的实施例示出示范性消灭效能及等离子体功率之间的第一关系，这些离子体功率是用于利示范性减量制程的等离子体减量系统。第一关系300是在消灭效能302及减量系统的等离子体功率304之间。在此第一关系300中，调整等离子体功率304设定可经最佳化以接近最佳化消灭效能302。
图3中，被减弱的非期望材料以PFC描绘。期望的消灭效能306以水平虚线描绘。低PFC流量曲线308、中PFC流量曲线310以及高PFC流量曲线312可表示消灭效能302及用于通过减量系统106的PFC流率的等离子体功率304之间的第一关系300。最大等离子体功率设定可于x轴的最右端。因此，低功率线314、中功率线316及高功率线318逐渐沿x轴右端交错。功率线314、316、318可表示施加至PFC的等离子体功率量。
PFC的消灭效能302可与PFC的流率相关。举例而言，通过减量系统106的流率愈高，可在给定的等离子体功率304的PFC的消灭效能302愈低。因此，等离子体功率304可经调整以达成期望的消灭效能306。期望的消灭效能306范围可从约85％至约100％。对于高PFC流率而言，可利用高PFC流量曲线312以决定需要达成期望的高PFC流率的消灭效能306的等离子体功率304的量。高功率线318指示需要达成期望消灭效能306的等离子体功率304的量。以此方式，可选择等离子体功率304的适当层级。
启动于高或最大层级等离子体功率设定的本发明的实施例中，消灭效能可接近100％。然而，当曲线308、310、312朝右端变平时，等离子体功率中微小的增加对于消灭效能302增加的效应趋于减少。就其本身而言，第一关系300可由设定效能描绘其特征，其中设定效能可对应至减量设定对消灭效能的微分关系，其表达：减量设定从参考减量设定的每单位增加量中，微小的消灭效能的相对的增加或减少。举例而言，曲线308的设定效能在功率线314前显得大于1(例如，曲线308是陡峭的)，但超过功率线314就跌落至1以下(例如，曲线308变得平坦)。
视待减量的材料而定，可通过选择待减量的材料至选定的设定效能，而做出决定以避免资源使用上的报酬递减(diminishing return)。图3中，选择的设定效能对应至期望的消灭效能306，其代表保存资源(例如等离子体功率304)及消灭效能之间的刻意折衷方案。因此，最佳减量设定可考虑包括例如用于高PFC流量312的等离子体功率线318。
在替代性实施例中，如图3所描绘，可待选择的等离子体功率304层级的数目可为多于3或少于3。举例而言，超过3个等离子体功率304层级可用于选择上。具体而言，等离子体功率304的连续范围可用于选择上。或者，单功率层级可用于PFC低层级流量的等离子体功率314的开/关应用上。同样地，超过三个流率曲线可利用于选择适当的功率层级以达成期望的消灭效能306。举例而言，等离子体功率304以及消灭效能302之间的关系可在PFC流率的连续范围上被界定。此关系以及对应的关系曲线可代表预测性工具，以预测消灭效能上的设定调整的真实结果，以达到预测的解决方案，该解决方案可用于减弱非期望材料，该非期望材料与经受调整的设定相关。
第二示范性减量设定关系
图4为曲线图，其根据本发明的实施例示出示范性消灭效能及水流之间的第二关系，水在利用示范性减量制程的等离子体减量系统中为反应物。消灭效能302及水流量402之间的第二关系400是由低PFC流量曲线404以及高PFC流量曲线406所描绘，其中PFC是待减量的材料，如图3所示。在此第二关系400中，调整水流量402设定可经最佳化以接近最佳消灭效能302。最大水量设定可于x轴右端远处。据此，低水流量线408描绘低PFC流量曲线404的峰值。右端更远处，高水流量线410描绘高PFC流量曲线406的峰值。
藉由调整水402至适当的峰值水流量可达成或超过期望的消灭效能306。尽管描绘了两个PFC流量曲线，本发明的实施例可利用仅一个曲线或多于两个曲线。或者，PFC流量的连续图谱可为本发明所利用。本发明可利用类似的关系以决定适当的水流量以最佳地减弱流出物中的PFC。
启动于高或最大层级水流量设定的本发明的实施例中，消灭效能可脱离100％。因此，曲线404、406不仅朝右侧变平，还高耸而起且开始跌落。因此，视待减弱的材料的流量而定，水流量402中微小的增加首先会显现使对消灭效能302的增加效应减少，而后会显现对消灭效能302产生减少效应。
如第一关系300，第二关系400可由设定效能描绘其特征。其中设定效能可对应至减量设定对消灭效能的微分关系。图4中，曲线404及406表明减量设定从参考减量设定的每单位增加量中，微小的消灭效能的相对的增加及减少。举例而言，曲线404的设定效能在流量线408之前显得大于0(例如，曲线404上升)，但超过流量线408后，跌落至0以下(例如，曲线404滑落)。
视待减量的材料而定，可通过于设定选择以超过最大反应物设定，而做出决定以避免资源使用上的报酬递减，其中，该设定是对应于待减量材料的最高预测流量的消灭效能曲线的峰值。此外，视情况任选的设定效能可选择用于减量设定。
图4中，选择的设定效能可对应至流量线408、410，其超过图3中的期望消灭效能306。因此，最佳减量设定可考虑包括例如用于高PFC流量406的水流量线410。或者，选择的设定效能可在对应的用于流出物流量的最高消灭效能的下，以致选择的设定效能对应于期望的消灭效能306，其代表保存资源(例如反应物流量402)及消灭效能302之间的刻意折衷方案。
此外，关系400可与减量制程的化学反应相关。举例而言，四氟化碳(CF4)的减量可包括使碳氧化以及使氟氢化。氢和氧可以氧化氢(水)的形式供应，其根据该反应式：CF4+2H2O→CO2+4HF，其中一份CF4需要二份水以完成转换。因此，水流量可为两倍的CF4的流量。某些实施例中，可利用高达约七倍CF4或其它PFC气体流量的水流量。
前述的描述仅揭露本发明的示范性实施例。落于本发明范畴内的如上揭露的设备及方法的变更对于本领域的技术人员显而易见。举例而言，接口可包括在电子组件制造工具中，其中减量系统以可通信式耦合电子组件制造工具以获得关于流出物的信息。
因此，本发明已与其示范性实施例一起被揭露，应了解到，其它实施例可落于本发明的精神及范畴中，如由以下的权利要求所界定的。

Claims (15)

1.一种方法，其包括以下步骤：
于高层级设定启动减量系统；
在该减量系统接收具有非期望材料的流出物；
在该高层级设定使用该减量系统减量该非期望材料；
接收关于该流出物的信息；
分析该信息以决定最佳设定，其中该最佳设定对应至选择的设定效能；
调整该高层级设定至该最佳设定；以及
接收具有更多该非期望材料的更多该流出物。
2.如权利要求1所述的方法，其中该信息包括：
预测性解决方案，该预测性解决方案与该非期望材料相关。
3.如权利要求1所述的方法，其中该信息是由接口提供。
4.如权利要求3所述的方法，其进一步包括以下步骤：
提供该接口关于电子组件制造系统的系统信息，该电子组件制造系统包括该减量系统。
5.如权利要求1所述的方法，其中该减量系统是等离子体减量系统。
6.如权利要求1所述的方法，其中该减量系统是催化减量系统。
7.如权利要求1所述的方法，其中该减量系统是燃烧减量系统。
8.一种系统，其包括：
至少一个传感器，其适于测量关于存在于电子组件制造系统中的气体的气体信息，并且适于传播该气体信息；
接口，其适于接收并分析来自产生具有非期望材料的流出物的该电子组件制造系统的该气体信息，适于决定最佳设定，并且适于传播该最佳设定，其中该最佳设定对应至选择的设定效能；及
减量系统，其适于接收该最佳设定，适于接收该流出物，以及适于减弱该非期望材料；
其中，该减量系统进一步适于在以高层级设定操作时开始减量配方批的该流出物的该非期望材料；而且
其中，该减量系统进一步适于在接收该最佳设定即调整该高层级设定至该最佳设定。
9.如权利要求8所述的系统，其中该接口包括：
逻辑程序，其基于该选择的设定效能以及该气体信息以决定该最佳设定。
10.如权利要求8所述的系统，其中该接口进一步适于接收并分析包括与该非期望材料相关的预测性解决方案的信息。
11.如权利要求10所述的系统，其进一步包括：
提供与包括该减量系统的该电子组件制造系统相关的系统信息至该接口，其中该系统信息包括一个或多个组态信息、装置信息以及设定信息。
12.如权利要求8所述的系统，其中该气体信息包括：
一个或多个配方信息以及流出物信息。
13.如权利要求8所述的系统，其中该减量系统的该高层级设定以及该最佳设定与该非期望材料与反应物反应相关。
14.如权利要求8所述的系统，其中该减量系统是等离子体减量系统及催化减量系统中的一者或多者。
15.如权利要求8所述的系统，其中该减量系统是燃烧减量系统。
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