TWI487772B - 磷光體及含該磷光體之發光裝置 - Google Patents

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Description

磷光體及含該磷光體之發光裝置
本發明係有關於紅磷光體及其用於發光應用之用途，特別係用於發光二極體發光裝置。
磷光體轉化之LED(pcLED)利用藍光LED晶片作光源及一或多個磷光體以產生白光。以pcLED技術為基礎的裝置夠穩定而變成通用在固態照明應用的基本裝置。雖言如此，仍需顯著進展以達成固態照明市場所設定的效能規格。
pcLED裝置藉由使用藍光LED晶片所產生的發射光譜激發所含的磷光體而從單一LED產生白光發射。由藍光LED晶片所產生的發射光譜激發所含的磷光體，然後產生發射光譜，並與藍光LED晶片的發射光譜組合而獲得白光。要緊地須認知藍光LED晶片及所含磷光體的色彩調諧對於pcLED裝置的效果及最佳化具有關鍵重要性。因此，持續需要發展磷光體以提供具有增強色彩調諧能力的pcLED裝置製品。
又，用在習知pcLED裝置設計的磷光體之 係位在緊鄰於藍光LED光源。結果，於光生成期間，此等磷光體經升溫。高功率LED晶片所呈現的接面溫度典型地係在100℃至150℃之範圍。在此等升溫的情況下，磷光體晶體係處在高振動激發態。當處於此種高振動激發態時，激發能量可導致經由非發光鬆弛產生額外熱，而非導致如期望的從磷光體發光發射。此種產熱造成狀況惡化，導致惡性循環，使得目前pcLED裝置無法達到針對固態照明市場確立的工業效能規格。因此，成功發展通用於照明的pcLED裝置需要找出可在100℃至150℃溫度下高度有效地操作的磷光體。
以氮化物為主的磷光體曾經提議用在 pcLED裝置，原因在於其於pcLED裝置所產生的高溫下具有優異發光效能。此等以氮化物為主的磷光體之例子包括以金屬氮化矽為主的磷光體。此等磷光體材料的主晶主要係由Si-N、Al-N之化學鍵結及其混成鍵結作為結構主幹所組成。同時此等鍵結穩定，矽與碳間之化學鍵(Si-C)具有較高鍵結能量，因而具有較高熱安定性及化學安定性。又復，碳與多種金屬原子形成極為穩定的化學鍵。
但先前曾經認為將碳或碳化物導入結晶磷 光體材料內對發光效能有害。各種金屬碳化物常為深色之本體顏色可為吸收或淬滅發射光的來源。又，留在利用碳或碳化物作為前驅物的特定磷光體製品內的殘留未反應之碳或碳化物可減低磷光體的發射強度。
碳氮化物(carbidonitride)磷光體在主晶中可 包含碳、矽、鍺、氮、鋁、硼及其它金屬，以及一或多個金屬摻雜物作為發光活化劑。此類磷光體近來出現作為色彩轉換劑，其能夠將近紫外光(nUV)或藍光轉換成在可見光譜範圍內的其它光，例如藍、綠、黃、橙及紅光。碳氮化物磷光體的主晶包含-N-Si-C-、-N-Si-N-及-C-Si-C-網絡，其中Si-C-及Si-N的強共價鍵作為結構的主要構築區段。一般而言，由Si-C鍵所形成的網絡結構在整個可見光譜區具有強吸收作用，因此先前被視為不適用於高效率磷光體的主材。
於某些碳氮化物磷光體中，碳可增強(而非 淬滅)磷光體的發光，尤其當該磷光體經過相對高溫(例如200℃至400℃)時尤為如此。某些矽碳氮化物磷光體在所期望發射光譜之波長範圍內的反射比係隨含碳含量的增加而增高。此等碳氮化物磷光體已經報導為展現優異的發射熱安定性及高發射效率。
Li等人於美國專利申請公開案第 2011/0279016號揭示一個以碳氮化物為主的磷光體家族(設計用於pcLED裝置)。Li等人描述化學計量之碳氮化物磷光體及利用該磷光體的發光裝置，其中，以碳氮化物為主的磷光體家族係表示如下：Ca1-x Al x -xy Si1-x +xy N2-x -xy C xy ：A (1)；Ca1-x -z Na z M(III) x -xy -z Si1-x +xy +z N2-x -xy C xy ：A (2)；M(II)1-x -z M(I) z M(III) x -xy -z Si1-x +xy +z N2-x -xy C xy ：A (3)；M(II)1-x -z M(I) z M(III) x -xy -z Si1-x +xy +z N2-x -xy -2w /3 C xy O w -v /2 H v ：A (4)；及 M(II)1-x -z M(I) z M(III) x -xy -z Si1-x +xy +z N2-x -xy -2w /3-v /3 C xy O w H v ：A (4a)；其中，0<x<1，0<y<1，0z<1，0v<1，0<w<1，(x+z)<1，x>(xy+z)，以及0<(x-xy-z)<1；其中，M(II)為至少一個二價陽離子；其中，M(I)為至少一個單價陽離子；其中，M(III)為至少一個三價陽離子；其中，H為至少一個單價陰離子；及其中，A為摻雜於晶體結構的發光活化劑。
雖言如此，仍持續需要提供予pcLED裝置 製品增強色彩調諧能力的磷光體。更明確言之，持續需要有額外紅磷光體提供物，其展現具有在600至660奈米之峰波長的可調諧發射光譜，且較佳地，進一步在100℃至150℃的操作溫度下展現高效率。
本發明提供一種紅磷光體，係包含：式(1)表示之無機化合物M(II)M(III)SiNy Cx ：A (1)其中，M(II)包含至少一個二價陽離子；其中，M(III)包含至少一個三價陽離子；其中，A包含至少一個發光活化劑；其中，0<y<3；且其中，0<x2。
本發明提供一種紅磷光體，係包含：式(2)表示之無機化合物(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，A包含至少一個發光活化劑；其中，0z1；0a1；(z+a)1；0<y<3；且其中，0<x2。
本發明提供一種紅磷光體，係包含：式(2) 表示之無機化合物(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，0z1；0a1；(z+a)1：y=(3-(4x/3))；且其中，0<x2。
本發明提供一種紅磷光體，係包含：式(2)表示之無機化合物(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，0z1；0a1；(z+a)1；y=(3-x)；且其中，0<x2。
本發明提供一種用於發白光的發光裝置，係包含：光源，其中，該光源產生具有來源發光光譜的光；以及第一來源發光光譜調節劑，其中，該第一來源發光光譜調節劑乃本發明之紅磷光體；其中，該紅磷光體係輻射耦合至該光源。
第1圖為描繪本發明之紅磷光體的激發光譜及所得發射光譜之圖。
第2圖為描繪本發明之紅磷光體的激發光譜及所得發射光譜之圖。
第3圖為描繪本發明之數個紅磷光體的發射光譜之圖。
第4圖為描繪本發明之數個紅磷光體的發射光譜之圖。
第5圖為描繪本發明之紅磷光體的x光繞射圖樣之圖。
第6圖為描繪本發明之紅磷光體的x光繞射 圖樣之圖。
第7圖為描繪本發明之紅磷光體的x光繞射圖樣之圖。
第8圖為描繪本發明之數個紅磷光體的反射比光譜之圖。
第9圖為描繪本發明之數個紅磷光體的反射比光譜之圖。
第10圖為描繪數個紅磷光體展現的熱淬滅表現之圖。
第11圖為描繪數個紅磷光體展現的熱淬滅表現之圖。
較佳地，本發明之紅磷光體包含：式(1)表示之無機化合物M(II)M(III)SiNy Cx ：A (1)其中，M(II)包含至少一個二價陽離子(較佳地，其中，M(II)包含選自於由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Co、Ni、Pd、Zn及Cd所組成群組中之至少一個二價陽離子；更佳地，其中，M(II)包含選自於由Mg、Ca及Sr所組成群組中之至少一個二價陽離子；最佳地，其中，M(II)包含選自於由Ca及Sr所組成群組中之至少一個二價陽離子)；其中，M(III)包含至少一個三價陽離子(較佳地，其中，M(III)包含選自於由B、Al、Ga、In、Sc及Y所組成群組中之至少一個三價陽離子；更佳地，其中，M(III)包含選自於由Al、Ga及 B所組成群組中之至少一個三價陽離子；最佳地，其中，M(III)包含Al)；其中，A包含至少一個發光活化劑(較佳地，其中，A包含選自於由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi及Sb所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；更佳地，其中，A包含選自於由Eu2+ 、Ce3+ 、Tb3+ 、Yb2+ 及Mn2+ 所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；最佳地，其中，A包含Eu2+ )；且其中，0<y<3(較佳地，其中，1y<3；更佳地，1y2.8；最佳地，1.5y2.75)；及0<x2(較佳地，其中，0.05<x1.75；更佳地，其中，0.1x1.5；最佳地，其中，0.2x1)。
較佳地，於式(1)表示之無機化合物中，以 莫耳為基準，並以相對於Si含量為等同於0.0001%至50%之量(更佳地0.001%至20%；又更佳地0.1%至5%；最佳地0.1%至1%)摻雜A於主晶格中。不希望受理論所限，咸信式(1)表示之無機化合物係結晶化成斜方Cmc21晶系。又，發光活化劑(A)可位在主晶格中之取代位置(例如置換M(II)陽離子或M(III)陽離子)及間隙位置中之至少一者。
當本發明之紅磷光體受到較高輻射能量激 發時，較佳展現於400奈米至800奈米之波長範圍的發光發射。更佳地，當本發明之紅磷光體受到具有200至550奈米波長的光能量激發時，展現於550奈米至750奈米之波長範圍的發光頻帶。較佳地，當受到來自展現具有200奈米至600奈米(較佳地，200至550奈米；更佳地，350 至490奈米；更佳地，其中，P λ來源 為453奈米)之峰來源波長(P λ來源 )的發射光譜之光源激發時，該紅磷光體展現具有600奈米至660奈米(更佳地，620至650奈米；又更佳地，625至650奈米；最佳地，625至640奈米)之峰發射波長(P λ磷光體 )的發射光譜。
較佳地，式(1)表示之無機化合物係以式(2) 表示(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，A包含至少一個發光活化劑(較佳地，其中，A包含選自於由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi及Sb所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；更佳地，其中，A包含選自於由Eu2+ 、Ce3+ 、Tb3+ 、Yb2+ 及Mn2+ 所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；最佳地，其中，A包含Eu2+ )；且其中，0z1(較佳地，其中，0.01z0.5；更佳地，其中，0.1z0.3)；其中，0a1(較佳地，其中，0.5a0.99；更佳地，其中，0.7a0.9)；(z+a)1；0<y<3(較佳地，其中，1y<3；更佳地，其中，1y2.8；最佳地，其中，1.5y2.75)；以及其中，0<x2(較佳地，其中，0.05<x1.75；更佳地，其中，0.1x1.5；最佳地，其中，0.2x1)。
較佳地，式(1)表示之無機化合物係以式(2) 表示(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，A包含至少一個發光活化劑(較佳地，其中，A包含 選自於由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi及Sb所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；更佳地，其中，A包含選自於由Eu2+ 、Ce3+ 、Tb3+ 、Yb2+ 及Mn2+ 所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；最佳地，其中，A包含Eu2+ )；且其中，0z1(較佳地，其中，0.01z0.5；更佳地，其中，0.1z0.3)；其中，0a1(較佳地，其中，0.5a0.99；更佳地，其中，0.7a0.9)；(z+a)1；y=(3-(4x/3))；以及其中，0<x2(較佳地，其中，0.05<x1.75；更佳地，其中，0.1x1.5；最佳地，其中，0.2x1)。
較佳地，式(1)表示之無機化合物係以式(2) 表示(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，A包含至少一個發光活化劑(較佳地，其中，A包含選自於由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Mn、Bi及Sb所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；更佳地，其中，A包含選自於由Eu2+ 、Ce3+ 、Tb3+ 、Yb2+ 及Mn2+ 所組成金屬離子群組中之至少一個發光活化劑；最佳地，其中，A包含Eu2+ )；且其中，0z1(較佳地，其中，0.01z0.5；更佳地，其中，0.1z0.3)；其中，0a1(較佳地，其中，0.5a0.99；更佳地，其中，0.7a0.9)；(z+a)1；y=(3-x)；以及其中，0<x2(較佳地，其中，0<x1；更佳地，其中，0.05x0.8；最佳地，其中，0.1x0.5)。
較佳地，於式(2)表示之無機化合物中，以 莫耳為基準，並以相對於Si含量為等同於0.0001%至50%之量(更佳地0.001%至20%；又更佳地0.1%至5%；最佳地0.1%至1%)摻雜A於主晶格。不希望受理論所限，咸信式(1)表示之無機化合物係結晶化成斜方Cmc21晶系。又，發光活化劑(A)可位在主晶格中之取代位置(例如置換Ca、Sr或Al陽離子)及間隙位置中之至少一者。
本發明之紅磷光體可含有雜質。較佳地， 本發明之紅磷光體包含：80wt%(更佳為80至100wt%；又更佳為90至100wt%；又復更佳為95至100wt%；最佳為99至100wt%)的式(1)表示之無機化合物。更佳地，本發明之紅磷光體包含：80wt%(更佳為80至100wt%；又更佳為90至100wt%；又復更佳為95至100wt%；最佳為99至100wt%)的式(1)表示之無機化合物；其中，該式(1)表示之無機化合物係以式(2)表示。
較佳地，本發明之紅磷光體包含：式(1)表 示之無機化合物(較佳為以式(2)表示)，其中該化合物具有式(1)(較佳為式(2))載明的原子比，該原子比可為化學計算比例或非化學計算比例。式(1)表示之無機化合物(較佳係以式(2)表示)可呈至少兩種不同之晶相存在。較佳地，式(1)表示之無機化合物(較佳係以式(2)表示)係呈一個實質上純的晶相存在(更佳地，98%之特定晶相；最佳地，99%之特定晶相)。
較佳地，本發明之紅磷光體維持其於25℃ 至150℃之相對發射強度的70%(更佳為85%，最佳為90%)。更佳地，本發明之紅磷光體維持其於25℃至200℃之相對發射強度的70%(更佳為85%，最佳為90%)。最佳地，本發明之紅磷光體維持其於25℃至250℃之相對發射強度的70%(更佳為85%，最佳為90%)。
較佳地，本發明之紅磷光體展現2至50微 米之中數直徑(更佳地，4至30微米；最佳地，5至20微米)。
本發明之紅磷光體視需要地進一步包含施 用至無機化合物表面的表面處理物。較佳地，表面處理物提供增強的安定性及提升可加工性中之至少一者。表面處理物可藉例如對無機化合物賦與改良防潮性而對式(1)表示之無機化合物(較佳以式(2)表示)提供增強之安定性。表面處理物可藉提升無機化合物於給定液體載劑的分散性而對式(1)表示之無機化合物(較佳以式(2)表示)提供提升之可加工性。表面處理物例如包括聚合物(例如丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯類、聚醯胺類、聚乙烯類及聚有機矽氧烷類)；金屬氧化物(例如氧化鎂、氧化鋁、二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化鍺、氧化鈮、氧化組、氧化釩、氧化硼、氧化銻、氧化鋅、氧化釔、氧化鉍)；金屬氮化物(例如氮化矽、氮化鋁)；正磷酸鹽類(例如磷酸鈣、磷酸鋇、磷酸鍶)；多磷酸鹽類；鹼金屬磷酸鹽類及鹼土金屬磷酸鹽類與鈣鹽的組合(例如磷酸鈉與硝酸鈣)；以及玻璃材料(例如硼矽酸鹽類、磷矽酸鹽類、鹼矽酸鹽類)。
本發明之紅磷光體係視需要地分散於液體 載劑以形成本發明之磷光體組成物。較佳地，本發明之磷光體組成物包含式(1)表示之無機化合物；以及液體載劑，其中，無機化合物係分散於液體載劑。更佳地，本發明之磷光體組成物包含式(2)表示之無機化合物；以及液體載劑，其中，無機化合物係分散於液體載劑。本發明之磷光體組成物較佳為與液體載劑調配以增進下列中之至少一者：式(1)表示之無機化合物(較佳為以式(2)表示)的儲存及發光裝置(較佳為pcLED裝置)的製造。可選擇液體載劑為易揮發物質(例如欲在加工期間氣化)。可選擇液體載劑為轉形性物質(例如從流動性液體反應成非流動性材料)。
適用作為液體載劑的易揮發物質包括例 如：非極性溶劑(例如戊烷、環戊烷、己烷、環己烷、苯、甲苯、1,4-二烷、氯仿、乙醚)及極性非質子性溶劑(例如二氯甲烷、四氫呋喃、乙酸乙酯、丙酮、二甲基甲醯胺、乙腈、二甲亞碸、碳酸丙烯酯)。
適用作為液體載劑的轉形性液體載劑包括 例如：當暴露於熱能及光子能中之至少一者時，發生硬化的熱塑性樹脂及熱固性樹脂。舉例言之，轉形性液體載劑包括：丙烯酸系樹脂(例如(烷基)丙烯酸酯類，諸如聚(甲基)丙烯酸甲酯)、苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物；聚碳酸酯類；聚酯類；苯氧樹脂類；丁醛樹脂類；聚乙烯醇類；纖維素樹脂類(例如乙基纖維素、乙酸纖維素及乙酸丁酸纖維素)；環氧樹脂類；酚樹脂類以及聚矽氧樹脂類(例如聚有 機矽氧烷類)。
本發明之磷光體組成物視需要地進一步包 含：添加劑。較佳的添加劑包括分散劑。較佳地，分散劑促進磷光體組成物的形成及安定。較佳分散劑包括例如鈦氧化物、鋁氧化物、鋇氧化物及矽氧化物。
本發明之發白光的發光裝置包含：至少一 個光源，其中該光源產生具有來源發光光譜的光；及第一來源發光光譜調節劑，其中該第一來源發光光譜調節劑乃本發明之紅磷光體；且其中，該紅磷光體係輻射耦合至該光源。本發明之發光裝置可含有複數個光源。
本發明之發光裝置所使用的光源較佳包括 發出具有200奈米至600奈米(較佳地200至550奈米；更佳地350至490奈米)之峰波長(P λ來源 )的光之光源。較佳地，本發明之發光裝置所使用的光源為半導體光源。更佳地，本發明之發光裝置所使用的光源為選自於下列中之半導體光源：GaN為主的光源；InGaN為主的光源(例如：Ini Alj Gak N，其中0i1，0j1，0k1，且其中i+j+k=1)；BN為主的光源；SiC為主的光源；ZnSe為主的光源；Bi Alj Gak N為主的光源，其中0i1，0j1，0k1，且其中i+j+k=1；以及Bi Inj Alk Gam N為主的光源，其中0i1，0j1，0k1，0m1，且其中i+j+k+m=1。最佳地，本發明之發光裝置所使用的光源為選自GaN為主的光源及InGaN為主的光源；其中，該光源發出具有200奈米至600奈米(較佳為200至550奈米；更佳為350至490奈米；最 佳地，其中，P λ來源 為453奈米)之峰波長(P λ來源 )之光。
較佳地，本發明之發光裝置包含具有200 奈米至600奈米之峰波長(P λ來源 )的發射光譜之光源；其中，當紅磷光體暴露於由該光源產生的光時，展現具有600奈米至660奈米之峰波長(P λ磷光體 )的發射光譜。
本發明之發光裝置視需要地進一步包含： 第二來源發光光譜調節劑，其中該第二來源發光光譜調節劑係包含至少一個額外磷光體，其中，至少一個額外磷光體係輻射耦合至光源及第一來源發光光譜調節劑中之至少一者。較佳地，該第二來源發光光譜調節劑係選自於由下列所組成群組中之至少一個額外磷光體：發紅光磷光體、發藍光磷光體、發黃光磷光體、發綠光磷光體及其組合。 較佳地，該第二來源發光光譜調節劑係至少一個額外磷光體，其被安插於光源與第一發光光譜調節劑之間。
較佳地，本發明之發光裝置包含至少兩個磷光體，其中，磷光體中之至少一者係本發明之紅磷光體。至少兩個該等磷光體可混合成一個基體。或者，至少兩個該等磷光體可分開地分散，使該等磷光體可成層重疊而非使該等磷光體一起分散於單一基體內。藉由複數個色彩轉換過程，磷光體的成層可用以獲得最終發光色彩。
本發明之若干具體實施例現在將於下列實施例中詳細說明。
比較例C1及實施例1-10 式(1)無機化合物之製備
於比較例C1及實施例1-10各例中，式(1) 表示之無機化合物係使用起始物料由固態反應所製備，該起始物料之用量如表1所示。實施例中使用的金屬氮化物及氮化銪係利用標準氮化技術事先從個別金屬所製備。於各個實施例中，表1記錄的起始物料係以粉末狀提供，經稱量，以物理方式混合，及在乾燥且含氮氣的手套箱內使用研砵及研杵研磨，而形成均勻粉末狀混合物。接著，將該粉末狀混合物置入燒製坩堝並置於含高純度氮/氫氣氛圍下的高溫爐內。然後，將該粉狀混合物於1600℃至2000℃溫度下加熱8至12小時。將結果所得之粉末從燒製坩堝移開，使用研砵及研杵研磨並以100至400網目篩過篩。 接著於室溫下將該粉末用酸及去離子水洗滌，而提供產物無機化合物。
無機化合物性質
由各個產物無機化合物受到光源(亦即於453奈米有峰值的發光二極體(LED)燈，且其發射光係使用得自海洋光學裝置公司(Ocean Optics)的海洋光學裝置USB4000(Ocean Optics USB4000)光譜儀分析)激發時展現發射光譜。針對各種無機化合物的發射光譜所測得的峰波長(P λ磷光體 )及發射峰的半高全寬(FWHM)係報告於表2。
當受到來自LED光源發射激發時，為於380-780奈米波長範圍的發射光譜之各個無機化合物依據CIE 13.3-1995所述方法計算色度座標CIEx 及CIEy (載明於CIE 13.3-1995的XYZ色系中)。針對無機化合物所測定的 色度座標係報告於表2。
針對得自實施例的各個產物無機化合物的內部量子效率係藉由下述方式測定：將該無機化合物試樣封裝入一小室，再將該小室安裝於積分球(integrating sphere)內，接著將該無機化合物暴露於從光源發射的光。更明確言之，來自光源的光係通過光管導引，經由窄帶通濾光片過濾以提供具有453奈米波長的單色光，之後導引至無機化合物。當該積分球內的無機化合物受到來自光源的光激發時，其發射的光之光譜及其反射的光係使用得自海洋光學裝置公司的海洋光學裝置USB4000(Ocean Optics USB4000)光譜儀量測。發光效率係藉封裝於LED內，根據683流明/瓦(lm/W)的最大可能效率量測。發光百分比係藉積分發射光譜面積/激發光譜面積量測。此等數值各自報告於表2。依據實施例4及5製備的無機化合物之激發光譜及發射光譜分別地描繪於第1圖與第2圖。依據比較例C1及實施例3、4及5製備的無機化合物之發射光譜係以重疊方式描繪於第3圖。依據實施例6、7、9及10製備的無機化合物之發射光譜係以重疊方式描繪於第4圖。
依據比較例C1及實施例4及5製備的無機化合物係使用潘分析專家(PANalytical X’pert)X光粉末繞射儀，於45kV/40mA下，以經鎳濾波的CuK α射線藉x光繞射(2-θ掃描)進行分析。試樣係經以0.02的步進尺寸及每步1秒的計數時間，從10度至80度掃描(2-θ掃描)。比較例C1及實施例4及5的掃描輸出分別提供於第5圖至第7圖。
各個產物無機化合物受到具有峰於467奈米的氙燈激發時展現反射比光譜，且其發射光譜係使用得自喬賓毓芳(Jobin Yvon)的史派福洛(SPEX Fluorlog)2光譜儀觀測。針對比較例C1及實施例1-5觀測的反射比光譜係 描繪於第8圖。針對實施例6-10觀測的反射比光譜係描繪於第9圖。
依據比較例C1及實施例1-10所製備的無機化合物之熱淬滅性質係使用海洋光學裝置(Ocean Optics)USB2000及客製化加熱器評估。針對比較例C1及實施例1-5觀察的熱淬滅分析結果係描繪於第10圖。針對實施例6-10觀察的熱淬滅分析結果係描繪於第11圖。

Claims (7)

  1. 一種紅磷光體，係包含：式(2)表示之無機化合物(Caz Sra )AlSiNy Cx ：A (2)其中，A包含至少一個發光活化劑；其中，0<y<3；其中，0.05x0.8；其中，0.1z0.3；0.7a0.90；y=(3-x)；及(z+a)1。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之紅磷光體，其中，A為Eu2+ 。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之紅磷光體，其中，當受到來自展現具有200奈米至600奈米之峰波長(Pλ來源 )的發射光譜之光源激發時，該紅磷光體展現具有600奈米至660奈米之峰波長(Pλ磷光體 )的發射光譜。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之紅磷光體，係進一步包含表面處理物；其中，該表面處理物係施用至該無機化合物之表面。
  5. 一種磷光體組成物，係包含：如申請專利範圍第1項所述之紅磷光體；以及液體載劑；其中，該紅磷光體係分散於該液體載劑。
  6. 一種發白光之發光裝置，係包含：光源，其中，該光源產生具有來源發光光譜的光；以及第一來源發光光譜調節劑，其中，該第一來源發光光譜調節劑為如申請專利範圍第1項所述之紅磷光 體；其中，該紅磷光體係輻射耦合至該光源。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中，該來源發光光譜具有200奈米至600奈米之峰波長(Pλ來源 )；且其中，當該紅磷光體暴露於由該光源產生的光而被激發時，該紅磷光體展現具有600奈米至660奈米之峰波長(Pλ磷光體 )的發射光譜。
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