TWI486716B - A aperture shutter, an optical system, an exposure apparatus, and an electronic device - Google Patents

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Description

孔徑光閘、光學系統、曝光裝置及電子裝置之製造方法 發明領域
本發明係關於被配置在光學系統之中的孔徑光閘、光學系統、曝光裝置。此外，本發明係適於使用在用以製造半導體元件、液晶顯示元件等裝置之微影製程中所使用之曝光裝置的光學系統，亦關於使用該曝光裝置之電子裝置之製造方法。
其中，本申請案係主張2008年9月18日所提出之日本專利申請第2008-239478號之優先權的利益，沿用其所有揭示內容而形成為本文記載之一部分。
 發明背景
近年來，伴隨著半導體積體電路的微細化，為了使因光的繞射界限而受到限制之光學系統的解析力提升，取代習知的紫外線，開發出一種使用波長更短(11至14nm左右)之EUV(Extreme UltraViolet)光(極紫外線)的曝光技術。藉此，期待可進行約22至45nm之圖案尺寸之曝光者。由於EUV光之波長領域下的物質折射率接近於1，因此無法使用如習知之透鏡般之透過折射型的光學元件，而使用屬於反射型光學元件的反射鏡。
將EUV光設為曝光光的曝光裝置(以下稱為EUV曝光裝置)係具備有：發生EUV光的光源、將光作整形的照明光學系統反射鏡群、反射型的遮罩、將該遮罩上的電路圖案 縮小投影在晶圓上的投影光學系統反射鏡群等所構成。以光源而言，係使用雷射電漿方式、放電電漿方式等。曝光光的光路係必須形成為真空，俾以抑制光的吸收，構成光學系統的反射鏡群係收容在真空腔室內。如上所示之EUV曝光裝置係例如記載於下述專利文獻1。
(先前技術文獻) (專利文獻)
(專利文獻1)國際公開第2007/004358號
 發明概要
但是，在習知之將紫外線作為曝光光的曝光裝置中，其投影光學系統為透過折射系統，為以光軸為中心呈旋轉對稱的光學系統，因此包含光瞳(或孔徑光閘)的所有光學元件均為旋轉對稱，必然地孔徑光閘係以與光罩(reticle)面/晶圓面呈平行且圓形為最適形狀，而採用如上所示之圓形的孔徑光閘。
另一方面，如專利文獻1所示之EUV曝光裝置所示，在使用反射光學系統作為投影光學系統者中，為了避免光束干擾，而使用遠離光軸的光場(field)，但是孔徑光閘係在光束以相對光軸呈斜向地通過的位置，呈圓形或橢圓形，平行配置在光罩面/晶圓面。
但是，如上所示之孔徑光閘並非設於在光場內之各方位最適位置，藉此在晶圓投影像時會有導致像失真等光學 性能惡化之虞。
本發明係鑑於如上所示之情形而研創者，目的在提供光學性能佳之光學系統及適於如上所示之光學系統的孔徑光閘。
此外，目的亦在提供使用該光學系統或孔徑光閘的曝光裝置、及電子裝置之製造方法。
本發明之第1態樣之光學系統係在預定面具有規定光束之孔徑光閘的光學系統，其特徵為：前述孔徑光閘之孔徑形狀的輪廓為三次元形狀。
此外，本發明之第2態樣之光學系統係至少具備有2個反射光學元件的光學系統，其特徵為：在前述2個反射光學元件之間的光路中具有前述光學系統的光瞳面，前述光瞳面的輪廓係三次元形狀。
本發明之曝光裝置係將第1面的像曝光在第2面上的曝光裝置，其係具備有上述本發明之第1或第2態樣之光學系統。
本發明之電子裝置之製造方法，係包含微影製程之電子裝置之製造方法，該微影製程係使用上述本發明之曝光裝置。
藉由本發明之第1態樣之光學系統，由於藉由孔徑光閘所形成的孔徑輪廓為三次元形狀，因此可藉由光學系統實際的光瞳形狀而使其適合，而可提供光學性能優異的光學 系統。
藉由本發明之第2態樣之光學系統，可使光學系統之光瞳面的輪廓形成為三次元形狀，而可提供光學性能優異的光學系統。
藉由本發明之曝光裝置，由於使用本發明之第1或第2態樣之光學系統或孔徑光閘，因此可以高精度形成更為微細的圖案。
藉由本發明之電子裝置之製造方法，由於使用本發明之曝光裝置，因此亦可製造高積體且小型的電子裝置。
圖式簡單說明
第1圖係顯示本發明之實施形態中之EUV曝光裝置之概略構成圖。
第2圖係顯示本發明第1實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第3圖係顯示本發明第1實施形態中具備有複數枚孔徑光閘板之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第4圖係顯示本發明第1實施形態中具備有驅動裝置之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第5圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例的斜視圖。
第6圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例的側視圖。
第7圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例的上視圖。
第8圖係顯示本發明第2實施形態中使規定孔徑光閘之孔徑形狀的長條構件滑動之驅動裝置之一例的剖面圖。
第9圖係顯示本發明第2實施形態中之長條構件之變形例圖。
第10圖係顯示本發明第2實施形態中之長條構件之變形例圖。
第11圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之變形例的上視圖。
第12圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之變形例的上視圖。
第13圖係顯示本發明第2實施形態中之驅動裝置之變形例圖。
第14圖係顯示本發明第2實施形態中之驅動裝置之變形例的剖面圖。
第15圖係顯示本發明第2實施形態中具備有使長條構件朝光軸方向驅動之驅動裝置之孔徑光閘的斜視圖。
第16圖係顯示本發明第3實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第17圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定最大NA之情形的示意圖。
第18圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定比最大NA小1段之NA之情形的示意圖。
第19圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光 構件之動作圖，且顯示規定比最大NA小2段之NA之情形的示意圖。
第20圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定比最小NA大1段之NA之情形的示意圖。
第21圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定最小NA之情形的示意圖。
第22圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之其他動作圖。
第23圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之另外其他動作圖。
第24圖係以模式顯示本發明第3實施形態中之投影光學系統之主要部位的正視圖。
第25圖係顯示本發明第3實施形態中由經4分割後之部分筒狀(90°)之構件所構成之遮光構件之構成的上視圖。
第26圖係顯示本發明第4實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第27圖係顯示本發明第4實施形態中之孔徑光閘之構成的上視圖。
第28圖係顯示本發明第4實施形態中之長條構件之變形例圖。
第29圖係顯示本發明之實施形態中之電子裝置之製造方法之概要的流程圖。
第30圖係用以說明最適光瞳形狀為三次元形狀的斜視 圖。
第31圖係本發明之實施例中之光線追蹤圖。
 用以實施發明之形態
首先簡單說明至完成本發明之過程中，發明人所發現之習知光學系統之孔徑光閘的問題點及用以解決該問題點的方法。如EUV曝光裝置般之投影光學系統係可知當其無關於共軸/非共軸設計，而在光場內的各點追蹤在晶圓側具有均一NA(Numerical Aperture)的光線時，在光瞳附近成為最適光瞳的位置依以相同NA予以規定的各光線的方向而異。尤其，由光場內各點所射出之以同一NA予以規定的光線在光瞳附近不在同一點相交，描繪具有某一最小模糊圈的光束。該最小模糊圈的高度依以同一NA所規定之光線的方向而異，尤其在以NA所規定之光線的徑向方向與經向方向大幅失真，並非為僅在平面上描繪橢圓，或在與光罩(reticle)和晶圓面未呈平行的平面上描繪曲線，而是將通過針對光場內各點以同一NA所規定之複數光路(方向)的光線所形成之光束的最小模糊圈的高度按每個以NA所規定之光線的方角所連結的包絡曲線並不在同一平面上。該傾向可知係光學設計無關於共軸/非共軸所發生的傾向。反而非共軸的設計，或NA較大之光學系統的非對稱性會變強。
使用第30圖說明之。第30圖係EUV曝光裝置之投影光學系統之光瞳附近的概略圖。以第30圖所說明的投影光學系統係光束由下朝上通過光瞳。其中，在此XYZ軸係Z軸在 上下方向具有光罩之側為上，X軸為非掃描方向，Y軸為掃描方向。其中，雖未圖示，但投影光學系統係以6枚設計為例，沿著由光罩朝向晶圓之光學上的順序，設為具有M1、M2、M3、M4、M5、M6等6枚反射鏡者，在M1反射鏡與M2反射鏡之間具有投影光學系統之光瞳者。此時，由光罩而來的光在M1反射鏡反射而使光束朝向M1反射鏡更為上方的M2反射鏡，因此光束由下朝上通過光瞳。當然，對於不同的設計方案，並非一定在M1反射鏡與M2反射鏡之間具有光瞳，而且並不限於光瞳的光束通過方向為由下而上。
主光線51係相當於NA為0的光線，以由光場內的各點所射出的光線在光瞳附近最為收斂的點531，作為具代表性的光瞳高度。根據光學系統的特性，由光場內的各點所射出的光線並未完全收斂在1點，而得最小模糊圈。以往係在該高度的附近，與預定的NA值(例如NA=0.25，或NA=0.20等)相對應，在各個NA中以成為最適光學性能的方式予以微調之高度的平面上，以形成有圓形或橢圓形孔徑的方式形成有孔徑光閘。
但是，關於例如NA=0.25的光束，當在光瞳內的各方位(在光瞳中為±X方位、±Y方位的4方向)分別標繪由光場內的各點所射出的光線在光瞳附近最為收斂的最小模糊圈的高度時，可知分別成為如532~535所示的高度。例如，如第30圖所示可知在光瞳附近，主光線由-Z朝+Z方向穿透時，光束由+Y倒向-Y而穿透時，在某一光學設計中，通過光瞳之+Y方位的NA=0.25光束之最小模糊圈高度532係位於比531 更接近-Z側，通過光瞳之±X方位的NA=0.25光束之最小模糊圈高度533、534係位於比531更接近+Z側，此外，通過光瞳之-Y方位的NA=0.25光束之最小模糊圈高度535係位於比531更接近+Z側，位於比533及534更高的位置。
其中，第30圖係列舉出在光束由-Z側進至+Z側時，在由+Y側傾向-Y側通過的情形下，+Y方位的最小模糊圈在-Z側，-Y方位的最小模糊圈歪向+Z側之例，但並非一定侷限於此。例如該等係依按每個光學設計而光瞳附近的失真(distortion)會變得如何而異之故。
以一例而言，在藉由本案發明人所研創之針對某一光學系統的模擬中，係以531作為基準高度，532的高度為-4mm，533及534的高度為+5mm，535的高度為+10mm。若NA=0.25之各方位的最小模糊圈的高度在平面上排列，532的高度、533及534的高度、535的高度應該以等間隔排列，但是實際上，532的高度與533及534的高度的差為9mm，533及534的高度的差為5mm。此係意指當將各方位之最小模糊圈的高度相連所得輪廓的曲線由X方向投影時，此係描繪出曲線而非直線，亦即意指NA=0.25之光瞳的輪廓係以三次元曲線(以曲面狀開孔的形式)為最適。
此係意指在EUV曝光裝置之反射光學系統中，以最適光閘形狀而言，以孔徑的輪廓不在同一平面上者所構成者得以提升光學性能。以往並未存在有如上所示之孔徑光閘。以以往所存在之與光罩面、晶圓面呈平行之平面上的孔徑、或在與光罩面、晶圓面未呈平行而呈傾斜之平面上 的孔徑，係有將光學性能局部劣化之虞。
如上所示，在與遮罩(mask)或晶圓呈平行或未呈平行的平面上設置具有圓形或橢圓形孔徑的孔徑光閘的習知技術中，由於其孔徑的輪廓位於平面上，因此並不一定在光場內的各方位形成為最適光瞳高度，導致在投影在晶圓時光瞳在各像高不相同而造成失真等光學性能劣化。發明人藉由以下以具體例所例示之本發明之光學系統來解決如上所示問題。
以下針對在投影曝光裝置之投影光學系統應用本發明之光學系統之實施形態，參照圖示加以說明。
[曝光裝置之全體構成]
第1圖係顯示本例之曝光裝置EX之概要圖。本例之曝光裝置EX係使用屬於波長5nm~100nm左右之極紫外線光的EUV(Extreme UltraViolet)光作為曝光光的EUV曝光裝置。
本曝光裝置EX係具備有：以來自光源裝置1之曝光用照明光(曝光光)IL照明反射型遮罩M之圖案面(遮罩面)的照明光學系統ILS；載置遮罩M，進行遮罩M之定位的遮罩台MS；將遮罩M之圖案像投影在晶圓W(感光性基板)上的投影光學系統(成像光學系統)PL；及載置晶圓W，進行晶圓W之定位的晶圓台WS。
在第1圖中，將晶圓W之載置面的法線方向設為Z方向，在垂直於Z方向的平面內，將與第1圖之紙面呈平行的方向設為Y方向，將與紙面呈垂直的方向設為X方向。其 中，本曝光裝置EX係一面使遮罩M與晶圓W朝第1圖的Y方向(以下亦稱之為掃描方向Y)掃描移動，一面將遮罩M上的遮罩圖案投影在晶圓W的掃描型曝光裝置。
本例之曝光裝置EX係具有將其內部維持在真空環境的真空腔室100，由EUV光的發光點至晶圓W為止的光路全體係被收在真空腔室100內。此外，在遮罩台MS設有未圖示之靜電吸盤方式的遮罩保持具，藉由該遮罩保持具來保持遮罩M。同樣地，在晶圓台WS設有未圖示之靜電吸盤方式的晶圓保持具，藉由該晶圓保持具來保持晶圓W。此外，遮罩台MS及晶圓台WS係分別藉由遮罩台驅動部(未圖示)及晶圓台驅動部(未圖示)，可朝Y方向以預定行程予以驅動，並且亦可朝X方向、Z方向、屬於繞X方向之旋轉方向的θX方向、屬於繞Y方向之旋轉方向的θY方向、及屬於繞Z方向之旋轉方向的θZ方向予以驅動。
其中，配置有未圖示的控制部，由該控制部對遮罩台MS及晶圓台WS等本曝光裝置之各部提供各種指令。由雷射激發型電漿光源或放電激發型電漿光源等光源裝置1所射出的曝光光係藉由準直鏡(Collimator mirror)2而形成為大致平行光束，且入射至照明光學系統ILS。
入射至照明光學系統ILS的曝光光(照明光IL)係入射至光學積分器3。亦即，照明光IL係藉由構成反射型光學積分器3的第1蒼蠅眼反射鏡3a(第1均一化光學元件)與第2蒼蠅眼反射鏡3b(第2均一化光學元件)而依序反射，在屬於第2蒼蠅眼反射鏡3b上(或其附近)之照明光學系統ILS的光瞳面 (照明光學系統光瞳面)形成具有預定形狀之實質上的面光源。之後，照明光IL係藉由聚光反射鏡4而被聚光，藉由光路折曲用的平面反射鏡5予以偏向，將遮罩M之圖案面上的曝光視野內作為圓弧縫隙狀的照明光IL而大致均一地照明。
藉由遮罩M的圖案面予以反射而入射至投影光學系統PL的照明光IL(曝光光)係藉由第1反射鏡PM1予以反射，透過配置在投影光學系統PL的光瞳面或其附近的孔徑光閘S之後，再入射至第2反射鏡PM2。在第2反射鏡PM2所反射的照明光IL(曝光光)係依第3反射鏡PM3、第4反射鏡PM4、第5反射鏡PM5、第6反射鏡PM6的順序反射，在晶圓W上的曝光區域形成遮罩圖案的像。
構成投影光學系統PL的各反射鏡PM1~PM6係在低熱膨脹玻璃製的反射鏡基板的表面具有至少2個材料彼此疊層所成之多層膜的反射型光學元件。以多層膜而言，可使用將在波長13.5nm具有反射峰值的鉬(Mo)與矽(Si)例如交替疊層40~50層左右所構成者。其中，構成照明光學系統ILS的反射鏡等亦同樣地構成。
在此，本實施形態中的投影光學系統PL係如第1圖所示，為以光軸AX呈軸對稱的共軸反射光學系統。在如上所示之光學系統中，由遮罩M至晶圓W的光束係藉由複數反射鏡(第1反射鏡PM1~第6反射鏡PM6)依序反射，並且其各光路係在空間上以相當程度相重複，而在各反射鏡之間作往返者。此外，為了回避因構成投影光學系統PL的反射鏡且 配置在光軸上之圓形反射鏡(例如第2反射鏡)所造成的遮蔽，其視野的形狀，一般而言係在物體面上及像面上，由光軸偏離預定半徑的圓弧狀區域的一部分。
在本例之投影光學系統PL中，其視野係在物體面(遮罩M)上，以由光軸AX朝作為第3方向的+Y方向偏離的位置為中心的圓弧狀區域。接著，由於投影光學系統PL為光軸對稱的光學系統，因此在各反射鏡(第1反射鏡PM1~第6反射鏡PM6)所反射的各光束係在以光軸AX為中心的收斂方向或以光軸AX為中心而發散的方向予以反射。
在第2反射鏡PM2與第3反射鏡PM3之間之光路中的預定面(投影光學系統PL之光瞳面或其附近面)設有孔徑光閘(NA光閘)S。孔徑光閘S係針對通過投影光學系統PL之光瞳的光束而規定NA者。以下針對孔徑光閘S詳加說明。
[第1實施形態]
第2圖係顯示本發明第1實施形態之孔徑光閘(NA光閘)之構成及配置的斜視圖，第3圖係相同地顯示孔徑光閘板之構成的斜視圖。其中，在第2圖中，Z軸為光軸方向(縱向放置投影光學系統時為縱方向)，XY平面為水平面，Y軸為掃描方向，X軸為非掃描方向，光學系統係關於Y軸呈對稱設計者。
本實施形態之孔徑光閘S係具備有孔徑光閘板12所構成。孔徑光閘板12係在預先以預定曲面(三次元曲面)狀彎曲的板狀體設置預定形狀例如橢圓形的孔徑12a所構成。其中，亦可在板狀體形成預定形狀的孔徑後，再彎曲成預定 曲面(三次元曲面)狀。因此，孔徑光閘板12的孔徑12a係形成在三次元曲面上，而非在1個二次元平面上，其輪廓(或構成孔徑12a的內周部)121係形成為三次元形狀(三次元曲線)。如第2圖所示，藉由孔徑光閘板12所限制之光束11的主光線111係以與Z軸呈預定角度傾斜。規定孔徑光閘板12及孔徑12a的內周部121並未分別存在於與主光線呈交叉的平面，例如在第2圖中以假想線所表示之平面700內，而存在於藉由平面700朝主光線的方向局部撓曲所形成的曲面上。亦即，構成內周部121之圓周方向的部位(sites)或點(points)係由與主光線呈交叉的平面700朝主光線的方向偏位(offset)。所偏位的距離(最適光瞳高度)係依平面700之面內的方位而異。其中，孔徑光閘板12的材料，以一例而言，係以不銹鋼所構成。其中，以孔徑光閘板12的材料而言，係以熱傳導率高的金屬等為宜。在此，本實施形態中的三次元形狀係指例如立體形狀，包含至少在2個平面上所描繪的直線或曲線者。此外，本實施形態中的光瞳或光瞳面係指包含形成有上述各最小模糊圈之區域、或與該區域相接的面者。
孔徑光閘板12之孔徑的輪廓121之三次元形狀(三次元曲線)係預先按照孔徑光閘板12所規定的NA值，與藉由光線追蹤所計算出之各方位中的最適光瞳高度相關連所得者。在本實施形態中，以一例而言，孔徑光閘板12係關於Y軸呈對稱，將與各方位中之最適光瞳高度相關連所得之三次元曲線沿著投影在X-Z平面所得之二次元曲線而朝Y軸方向 彎曲者。因此，本實施形態中之光瞳的輪廓為三次元形狀。
孔徑光閘板12若設置此之投影光學系統PL為未變更NA的類型，則固定在構成投影光學系統PL之圖框或反射鏡鏡筒等而設。
若投影光學系統PL為可變更NA的類型時，例如第3圖所示，除了孔徑光閘板12以外，按照所變更之NA的段數而設有分別具有彼此不同之三次元形狀之輪廓的複數孔徑光閘板13，藉由可將該等之中的至少1個選擇性地在光束11之光路中交換配置來對應。
如上所示之孔徑光閘板12、13的交換當然可以手動來進行，但如第4圖所示，最好設置將複數孔徑光閘板12、13以可分別沿著X軸方向作進退(滑動)的方式予以保持，並且在光束11之光路中的位置(插入位置)p1與由該光路所避讓的位置(避讓位置)p2之間分別作進退的驅動裝置(驅動部)14，俾以自動進行。以驅動裝置14而言，可使用例如步進電動機及齒條與小齒輪(rack-and-pinion)所構成者或線性電動機等致動器。
複數孔徑光閘板12、13係依孔徑12a、13a的大小由大而小的順序，對光束11的行進方向一點一點地偏移位置而疊層配置在上游側。此係考慮到具有為了避免進退時彼此的干擾，並且隨著NA大小愈小，則最適光瞳位置全體愈對光束11的行進方向朝上游側移動的傾向者。其中，依光學系統的不同，有最適光瞳位置對光束11的行進方向朝下游側移動的情形，此時係依孔徑12a、13a的大小由大而小的 順序，對光束11的行進方向一點一點地偏移位置而配置在下游側。
其中，複數孔徑光閘板12、13中，NA為最大者(在第3圖中為孔徑光閘板12)並不一定需要作進退，因此亦可將孔徑光閘板12固定設置，而使其他孔徑光閘板13作進退驅動。此外，當將與更小的NA相對應的孔徑光閘板13插入至光束11的光路中時，與比其為大的NA相對應的孔徑光閘板12、13係保持被插入在光束11之光路中的情形亦可。
本實施形態中的投影光學系統PL由於規定NA之孔徑光閘板12之孔徑形狀的輪廓121為適合於該投影光學系統PL之實際光瞳形狀的三次元形狀，因此其光學性能佳。
此外，在變更NA時，與各自的NA值相對應而同樣地計算出最適孔徑輪廓的三次元曲線，備妥具有與各自相對應之三次元形狀之孔徑的孔徑光閘板12、13，藉由手動或藉由驅動裝置14作滑動驅動，因此可與各NA相對應而形成為三次元形狀之最適光瞳形狀。
[第2實施形態]
第5圖係顯示本發明第2實施形態之孔徑光閘(NA光閘)之構成的斜視圖，第6圖係同構成的側視圖，第7圖係同構成的上視圖。本實施形態之孔徑光閘S係針對包含通過光瞳之主光線225的光束25，由±X方向分別插入複數第1長條構件ST1及第2長條構件ST2，而形成為形成孔徑輪廓之類型的可變孔徑光閘。
本實施形態之孔徑光閘S係如第5圖及第6圖所示，在投 影光學系統PL的光瞳面或其附近分別配置複數條(在第5圖及第6圖中分別為10條)構成第1可變遮光構件VR1的第1長條構件ST1(第1遮光構件之一例)及構成第2可變遮光構件VR2的第2長條構件ST2(第2遮光構件之一例)者。在此，第1可變遮光構件VR1具有複數第1長條構件ST1，藉由該複數第1長條構件ST1來規定孔徑形狀之輪廓(或孔徑的內周部)的至少一部分(第1部分)者。同樣地，第2可變遮光構件VR2具有複數第2長條構件ST2，藉由該複數第2長條構件ST2來規定孔徑形狀之輪廓(或孔徑的內周部)的至少一部分(第2部分)者。
該等第1長條構件ST1為長尺形的平板，構成為第1長條構件ST1之長邊方向端朝向孔徑光閘S的孔徑部SH作配置，該長邊方向端形成孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第1部分)。接著，複數第1長條構件ST1係其長邊方向與第1方向(在第5圖中為X方向)大致平行，而且沿著其短邊方向(在第5圖中為Y方向)近接配置。
同樣地，上述第2長條構件ST2亦為長尺形的平板，構成為在與第1長條構件ST1不同的位置而且第2長條構件ST2之長邊方向端朝向孔徑光閘S的孔徑部SH作配置，其長邊方向端形成孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第2部分)。接著，複數第2長條構件ST2係其長邊方向與第2方向(在第5圖中為X方向)大致平行，而且沿著其短邊方向(在第5圖中為Y方向)近接配置。
該等第1長條構件ST1及第2長條構件ST2係以可沿著 由板狀體所構成的保持部23作進退(滑動)的方式予以保持，如第6圖所示，保持部23若由X軸方向觀看之，以形成為預定曲面(三次元曲面)的方式予以彎曲。因此，藉由使第1長條構件ST1及第2長條構件ST2作進退，孔徑的輪廓221亦沿著曲面狀而形成。該孔徑的輪廓221係預先按照NA值，與藉由光線追蹤所計算出之各方位中的最適光瞳高度相關連所得的三次元曲線。以將該三次元曲線沿著投影在X-Z平面所得之二次元曲線而排列有第1長條構件ST1及第2長條構件ST2的方式構成保持部23。其中，本實施形態中之保持部23既不需要彎曲成如上所述，亦可不存在。
此外，如第5圖及第6圖所示，在第1長條構件ST1的各個連結有用以使第1長條構件ST1朝其長邊方向(第1方向)作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置(第1驅動部)21。因此，本實施形態中之投影光學系統PL係透過驅動裝置21而將第1長條構件ST1朝其長邊方向作滑動驅動，藉此可連續性或階段性改變孔徑光閘S之孔徑(孔徑部SH)之形狀的一部分(第5圖中為左側半部)。
同樣地，如第5圖及第6圖所示，在第2長條構件ST2的各個連結有用以使第2長條構件ST2朝其長邊方向(第2方向)作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置(第3驅動部)22。因此，本實施形態中之投影光學系統PL係透過驅動裝置22而將第2長條構件ST2朝其長邊方向作滑動驅動，藉此可連續性或階段性改變孔徑光閘S之孔徑(孔徑部SH)之形狀之中複數第1長條構件ST1所規定之部分以外的部分(第5圖中 為右側半部)的形狀。
如上所示，藉由分別使複數第1長條構件ST1及第2長條構件ST2對光束25分別作進退移動，藉由該第1長條構件ST1及第2長條構件ST2的前端緣，可形成按照保持部23之在三次元曲面上之任意大小的孔徑。
其中，在第5圖及第6圖中，由於圖示的關係，第1長條構件ST1及第2長條構件ST2分別顯示10條，例如若將最大NA設為0.25，將NA可變的等級設為0.01時，第1長條構件ST1及第2長條構件ST2的個數分別為50條，兩者為100條。
在此，在本實施形態中，第1方向在第5圖中為X方向。但是，第1方向並不一定為該方向，例如在第5圖中，亦可為Y方向，若設定成適於避免與構成光學系統的反射鏡(或包含透鏡時則為透鏡)、及與該等之保持構件的機械性干擾的方向即可。同樣地，在本實施形態中，第2方向在第5圖中為X方向。但是，第2方向並不一定為與光軸AX呈正交的方向，在第5圖中亦可為Y方向，若設定成適於避免與構成光學系統的反射鏡(或包含透鏡時則為透鏡)、與該等之保持構件的機械性干擾的方向即可。
如上所示，本實施形態中的孔徑光閘S係構成為可藉由沿著藉由保持部23所規定的預定三次元曲面作進退的複數第1長條構件ST1及第2長條構件ST2來形成其孔徑形狀，因此可按照任意或階段性設定的NA，形成與投影光學系統PL之最適光瞳形狀相對應之三次元形狀的孔徑。
此外，上述之驅動裝置21係構成為藉由由分別與複數 第1長條構件ST1相連結之例如第8圖所示之齒條與小齒輪等所構成的機構RP1而分別使複數第1長條構件ST1滑動。此外，第1驅動部21亦可構成為具有由分別與複數第1長條構件ST1相連結之線性電動機所構成的致動器，且藉由來自該致動器的動力而分別使複數第1長條構件ST1滑動，來取代由齒條與小齒輪等所構成的機構RP1。
其中，以上述驅動裝置21之一例而言，以第1長條構件ST1為例加以說明，但如第5圖、第6圖及第7圖所示，在驅動第2長條構件ST2的驅動裝置22中，亦可採取與上述第1長條構件ST1相同的構成。
此外，上述驅動裝置21係構成為以複數第1長條構件ST1可形成孔徑光閘S之三次元形狀之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第1部分)的方式，根據來自未圖示之控制部的控制訊號來驅動預定量。此外，上述驅動裝置22係構成為以複數第2長條構件ST2可形成孔徑光閘S之三次元形狀之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第2部分)的方式，根據來自未圖示之控制部的控制訊號來驅動預定量。
如上所示，在本實施形態中之孔徑光閘S中，係構成為可藉由複數第1長條構件ST1及複數第2長條構件ST2來形成其三次元形狀的孔徑形狀，並且構成為藉由驅動裝置21而使複數第1長條構件ST1之各個獨立滑動，以及構成為藉由驅動裝置22而使複數第2長條構件ST2之各個獨立滑動，藉此可輕易地進行投影光學系統PL之數值孔徑NA的微調。
其中，光學系統之孔徑光閘S之三次元形狀的孔徑，若 由光學系統之成像性能的觀點來看，以平滑的形狀為宜。因此，本實施形態中之第1長條構件ST1如第9圖所示，將其長邊方向中之至少孔徑部SH側之端部31的形狀以沿著光學系統之最適光瞳形狀的方式形成為斜線或曲線形狀為宜。
第9圖係顯示本實施形態中之第1長條構件ST1a之形狀之一例的俯視圖。如第9圖所示，第1長條構件ST1a係其長邊方向中之至少孔徑部SH側之端部31之形狀為斜線或曲線形狀。接著，複數第1長條構件ST1a之各自端部31的形狀係分別構成為使孔徑光閘S的孔徑形狀形成為最適三次元形狀。如上所示在本實施形態中，藉由複數第1長條構件ST1a，可使孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分(第1部分)形成為更為平滑的三次元形狀，因此可減低藉由孔徑光閘S所規定之投影光學系統PL中之數值孔徑NA的設定誤差。
在此，當必須使本實施形態中之孔徑光閘S的孔徑形狀以某程度接近該三次元形狀時，上述之例及以下之例中的第1長條構件ST1的短邊方向(在第5圖及第7圖中為Y方向)的寬幅係以在可製造的範圍內且儘可能窄者為宜。使第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅為更細，使用以形成孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分的第1長條構件ST1的數量增多，藉此使複數第1長條構件ST1a可以更高精度形成孔徑光閘S之孔徑形狀的至少一部分。第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係考慮到使投影光學系統PL之孔徑光閘S的最大直徑、投影光學系統PL的數值孔徑NA為可變的範圍、或在將數值孔徑NA作可變設定時之可變步進值、甚至第1長條構 件ST1的個數等而加以設定。
例如，當在使投影光學系統PL之數值孔徑NA為可變的範圍在0.1~0.5中，將數值孔徑NA的可變步進值設為0.01時，第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係必須相對於投影光學系統PL之光瞳直徑100mm為大概2~10mm。同樣地，當在使投影光學系統PL之數值孔徑NA為可變的範圍在0.15~0.35中，將數值孔徑NA之可變步進值設為0.01時，第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係必須相對於投影光學系統PL之光瞳直徑100mm為大概2.5~6.6mm。因此，若將投影光學系統PL之光瞳直徑和與孔徑光閘S之孔徑部SH之第1方向呈大致正交的方向(第1長條構件ST1之短邊方向)中的寬幅設為大致相等時，當將數值孔徑NA之可變步進值設為0.01時，則第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係必須相對於與孔徑光閘S之孔徑部SH之第1方向呈大致正交的方向中的寬幅為大概1/50~1/10。
此外，當在使投影光學系統PL之數值孔徑NA為可變的範圍在0.1~0.5中，將數值孔徑NA的可變步進值設為0.005時，第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係必須相對於投影光學系統PL之光瞳直徑100mm為大概1~5mm。因此，若將投影光學系統PL之光瞳直徑和與孔徑光閘S之孔徑部SH之第1方向呈大致正交的方向中的寬幅設為大致相等時，當將數值孔徑NA之可變步進值設為0.005時，則第1長條構件ST1之短邊方向的寬幅係必須相對於與孔徑光閘S之孔徑部SH之第1方向呈大致正交的方向中的寬幅為大概 1/100~1/20。
在此，如上所述，本實施形態中之第1長條構件ST1的個數亦可藉由使第1長條構件ST1之短邊方向的寬度更細而使個數增多。但是，當使孔徑光閘S之孔徑形狀接近最適三次元形狀的必要性較低時，第1長條構件ST1的個數亦可比上述為少。藉由減少第1長條構件ST1的個數，本實施形態中之孔徑光閘S係可將機械性構成簡化。如上所示藉由減少第1長條構件ST1的個數，亦可減少構成第1驅動部21之由齒條與小齒輪等所構成的機構RP1的數量，亦具有減低藉由第1驅動部21之滑動驅動所產生的粉塵或化學性污染物質的發生的效果。
其中，本實施形態中之第2長條構件ST2的形狀、個數、寬幅等係與第1長條構件ST1、ST1a的形狀相同，故省略其說明。
接著，針對第1長條構件ST1及第2長條構件ST2之變形例加以說明。其中，在該變形例中，關於配置有第1長條構件ST1及第2長條構件ST2之光學系統及曝光裝置之構成，亦與上述實施形態相同。在以下說明中，針對與上述實施形態為相同或同等之構成部分係標註相同的元件符號，且簡略或省略其說明。
第10圖係顯示本變形例中之第1長條構件ST1b之形狀的圖。如第10圖所示，複數第1長條構件ST1b係分別沿著長邊方向具有供其一部分彼此相疊合之用的重複部OL1的形狀。接著，複數第1長條構件ST1b係以重疊彼此之重複部 OL1的方式，分別配置成彼此大致平行。藉由如上所示之構成，可減低曝光光由複數第1長條構件ST1b之彼此的間隙漏洩。其中，複數第1長條構件ST1b的形狀並不限於上述構造，若為可減低曝光光由複數第1長條構件ST1b之彼此的間隙漏洩的構成，亦可為其他構造。其中，在第10圖之說明中，係以第1長條構件ST1b為例加以說明，在第2長條構件ST2b中亦與第1長條構件ST1b相同。
第11圖及第12圖係顯示本變形例中之第1長條構件ST1c之形狀的圖。如第11圖所示，複數第1長條構件ST1c係在其長邊方向之各自的端部分別連結形成有遮光膜之形狀規定構件61之至少一部分的構成。接著，配置在複數第1長條構件ST1c的形狀規定構件61係構成為形成孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分(第1部分)。尤其，由形狀規定構件61之孔徑光閘S之孔徑側的邊緣或面來規定孔徑的輪廓或內周部。如上所示在本實施形態中，藉由配置在複數第1長條構件ST1c的形狀規定構件61，可使孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分形成為更為平滑的形狀。
此外，如第12圖所示，形狀規定構件62亦可構成為具有預定寬幅，俾以減低曝光光由複數第1長條構件ST1c之彼此的間隙漏洩。此時，由形狀規定構件62之孔徑側的邊緣或面來規定孔徑的輪廓或內周部。此外，本實施形態中的形狀規定構件61、62例如為管(tube)狀形狀，亦可藉由伸縮性或可塑性樹脂等來構成。其中，在第11圖及第12圖的說明中，係以第1長條構件ST1c為例加以說明，在第2長條構 件ST2c中亦採取與上述第1長條構件ST1c相同的構成。
接著就第1驅動部21的變形例加以說明。其中，在該變形例中，針對配置有第1長條構件ST1及第2長條構件ST2的光學系統及曝光裝置之構成，亦與上述實施形態相同。在以下說明中，針對與上述實施形態為相同或同等的構成部分係標註相同的元件符號，並簡化或省略其說明。
第13圖及第14圖係顯示本變形例中之驅動裝置(第1驅動部)21a的圖。如第13圖所示，本實施形態中的驅動裝置21a係由：具有用以形成與投影光學系統PL之數值孔徑NA相對應之孔徑光閘S之孔徑形狀的輪廓形狀71b的第1形狀生成部71a；使該第1形狀生成部71a朝光軸方向(第13圖之Z方向)驅動的第1驅動構件71：及用以將第1長條構件ST1朝第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b按壓之第14圖所示之第1彈簧機構SP1所構成。其中，第1形狀生成部71a的驅動方向亦可形成為主光線的方向(第13圖的元件符號225)。
此外，如第13圖及第14圖所示，第1形狀生成部71a係配置成使複數第1長條構件ST1分別與上述輪廓形狀71b相對應。接著，在複數第1長條構件ST1的各個連結有用以將第1長條構件ST1朝第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b按壓的第1彈簧機構SP1。該第1彈簧機構SP1係例如由具有朝向第1長條構件ST1之長邊方向之端部的孔徑部SH側之相反側(在此係第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b側)之力的複數彈簧70所構成的機構。接著，複數第1長條構件ST1係分別與該複數彈簧70相連結。因此，複數第1長條構件ST1(之端 部)係分別配置成透過第1彈簧機構SP1而被按壓在輪廓形狀71b。接著，以第1驅動構件71使第1形狀生成部71a朝光軸方向(Z方向)驅動，藉此使複數第1長條構件ST1可按照第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b的形狀，而一體形成孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分。亦即，由第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b來規定孔徑光閘S之孔徑的一部分形狀。
其中，第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b在使驅動裝置21a之第1驅動構件71朝光軸方向驅動時，以複數第1長條構件ST1可沿著輪廓形狀71b分別移動的方式，以連續性平滑的形狀為宜。此外，例如在使投影光學系統PL之數值孔徑NA在0.15~0.35的範圍內每隔0.01為可變的情形下，第1形狀生成部71a之輪廓形狀71b係以複數第1長條構件ST1可形成該孔徑形狀之至少一部分的方式規定分別與21階段之數值孔徑NA相對應之孔徑光閘S的孔徑形狀。
其中，第13圖及第14圖中以驅動裝置21a之一例而言，係以第1長條構件ST1為例加以說明，但在驅動第2長條構件ST2的驅動裝置(第3驅動部)22中亦可採取與上述驅動裝置21a相同的構成。此外，藉由連結與第1長條構件ST1相對應配置的第1形狀生成部71a、及與第2長條構件ST2相對應配置的第2形狀生成部72a，亦可至少僅藉由第1驅動部71而使第1形狀生成部ST1及第2形狀生成部ST2朝光軸方向驅動。其中，第1驅動構件71的驅動方向亦可設為主光線的方向(第13圖的元件符號225)。
但是，相對於不同的NA值，將孔徑光閘S之第1長條構 件ST1及第2長條構件ST2一個一個朝X方向取出放入，按照保持部23的形狀形成預定大小的孔徑，但此時，由於相對於不同的NA值係形成為不同的最適光瞳高度，因此有與各自的NA值相對應而使最適光瞳高度改變的可能性。為了對應此，如第15圖所示，亦可設置可將孔徑光閘S的全體朝Z方向(與投影光學系統PL之光軸AX相平行的方向)及Y方向驅動的驅動裝置(第2驅動部、第4驅動部)81、82。在此，所謂光瞳高度係指針對以關於主光線之光瞳位置(最小模糊圈的位置)為基準之各方位中的光線的Z方向(或主光線的方向)的高度(位置偏移)。其中，在此藉由驅動裝置(第2驅動部)81、驅動裝置(第4驅動部)82所為之滑動驅動之驅動方向係設為Z方向及Y方向之二軸方向，但亦可使其朝主光線225的方向(與預定面呈交叉的方向)作滑動驅動。
此外，並非藉由如上所示之驅動裝置(第2驅動部、第4驅動部)81、82而使孔徑光閘S全體作滑動驅動，而係採用不會阻礙各個第1長條構件ST1及第2長條構件ST2各自朝X方向作滑動驅動，而使各自朝Z方向及Y方向作滑動驅動的驅動裝置(以下亦有將該驅動裝置為方便起見而稱為Z方向個別驅動裝置的情形)。
僅以朝X方向作滑動驅動的驅動裝置(第1驅動部、第3驅動部)21、22，係可僅進行按照保持部23之形狀之三次元形狀之孔徑大小的變更，但藉由採用如上所示之Z方向個別驅動裝置，除了其大小以外，亦可將其三次元形狀本身作任意微調。亦即，在變更NA時，最適光瞳高度產生變化係 如上所述，隨此會有最適光瞳形狀之三次元形狀本身局部或全體稍微改變的情形，藉由採用Z方向個別驅動裝置，在如上所示之情形下，亦可更為正確地對應。
此外，在未變更NA的情形下亦有按照光場內的圖案分布(形成在遮罩M之圖案的分布)，最適光瞳形狀之三次元形狀本身局部或全體稍微改變的情形。亦即，針對在光場內之各點，朝同一NA之各方位射出的光線不會以一點相交，而成為某一高度之大小的最小模糊圈係如上所述，此意指由光場內之各點所射出的光線在光瞳附近描繪出零散的光路，使用光場內之全部區域(例如26mm寬)時之最小模糊圈的高度、與使用光場內之一部分(例如光場的右半部)時之最小模糊圈的高度為不同。苦再次參照第30圖加以說明，例如在使用僅光場內之左半部、或右半部的圖案時，最小模糊圈位置531~535之各自的高度係成為與使用光場內全面時為不同的高度，而且在533與534，最小模糊圈的高度為不同。
因此，在曝光時，按照所使用的遮罩M的圖案分布，亦即存在有遮罩M的圖案的區域，在同一NA的情形下亦將孔徑光閘之孔徑的輪廓使用上述Z方向個別驅動裝置而以三次元作變更調整，藉此可提供更為高精度的光學系統。
光罩R的圖案分布的量測(在本實施形態中為X方向的分布)係可藉由設在曝光裝置的圖案分布量測裝置來進行。以圖案分布量測裝置而言，雖省略圖示，但可利用設在晶圓台WS上之各種感測器中之一。但是，亦可將專用在 該量測用的感測器設在晶圓台WS上。如上所示之圖案分布在使用以點進行量測之針孔感測器時，係使晶圓台WS移動而進行二次元掃描，若使用可進行1次元內之量測的線感測器時，係以其垂直方向進行掃描，或可藉由可進行2次元內量測的CCD來進行量測。按照遮罩M之圖案分布(X方向分布)，計算最適光瞳之各方位的高度，藉由Z方向個別驅動裝置，將各個第1長條構件ST1及第2長條構件ST2的高度作微調，藉此可得更佳的光學性能。
[第3實施形態]
第16圖係顯示本發明第3實施形態之孔徑光閘(NA光閘)之構成的斜視圖。本實施形態之孔徑光閘S係設為針對通過光瞳(投影光學系統PL之光瞳)的光束31，由±Z方向插入複數個大致半圓筒形的第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21，形成孔徑的輪廓之類型的可變孔徑光閘。在本實施形態中，光束31的主光線311係相對於光軸AX(Z軸)以預定的角度傾斜，投影光學系統PL之光瞳面PP係與投影光學系統PL的光軸呈正交。
該孔徑光閘S係形成分別與以階段式設定的複數NA(數值孔徑)相對應的大小的孔徑部SH的裝置。如第16圖所示，該孔徑光閘S係分別配置有複數枚(在第16圖中分別為10枚)：構成第1可變遮光構件VR11的複數第1遮光構件ST11、及構成第2可變遮光構件VR21的複數第2遮光構件ST21所構成。
第1可變遮光構件VR11係具有複數第1遮光構件 ST11，藉由該複數第1遮光構件ST11中的1個來規定孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第1部分)者。同樣地，第2可變遮光構件VR21係具有複數第1遮光構件ST2，藉由該複數第2遮光構件ST2中的1個來規定藉由孔徑形狀之輪廓之第1遮光構件ST11所規定之第1部分以外的至少一部分(第2部分)者。其中，在此係如後所述，構成為：第1遮光構件ST11係規定孔徑形狀之輪廓的一半，第2遮光構件ST21係規定孔徑形狀之輪廓的剩下一半。
複數第1遮光構件ST11係由至少其中一面(規定孔徑形狀的內面)呈曲面形狀(圓弧狀、橢圓弧狀、或類似該等的曲線形狀)的構件所構成。以一例而言，由具有使薄平板以其剖面形狀呈圓弧狀、橢圓弧狀或類似該等的曲線形狀的方式予以彎曲的形狀的半筒狀(半圓筒狀、半橢圓筒狀)或部分筒狀的構件所構成。在此，為方便起見，第1遮光構件ST11係作為由半圓筒狀的構件所構成者加以說明。
第1遮光構件ST11的前端緣(在第16圖中為上端緣)朝向預定面(投影光學系統PL的光瞳面PP或其附近面)予以配置，其上端緣構成為形成藉由孔徑光閘S所形成之三次元形狀之孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第1部分)。此外，以一例而言，本實施形態中之第1遮光構件ST11的材料係以不銹鋼所構成。其中，以第1遮光構件ST11之材料而言，係以熱傳導率高的金屬等為宜。
本實施形態中之第1可變遮光構件VR11係具有10枚第1遮光構件，該等第1遮光構件ST11係以由外側者朝向內側 者，直徑逐漸變小的方式形成為大致相似形狀，分別配置成以些微間隙，小徑者依序遊嵌在大徑者的內側。
本實施形態之複數第1遮光構件ST11係分別透過未圖示的支持構件，以可朝與光軸AX呈大致平行的方向(第1進退方向)或半圓筒狀之第1遮光構件ST11延伸的方向滑動的方式予以支持，第1遮光構件ST11之各個係與用以使第1遮光構件ST11朝與光軸AX呈大致平行的方向作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置(驅動部)DR1相連結。
複數第1遮光構件ST11係將各自的前端緣(上端緣)設定在位於第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路下方外側的位置的待機位置，其任一者相對於第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路，在第16圖中由下方的待機位置朝上方(第1遮光構件ST11之上端緣至光瞳面PP之附近的位置為止)藉由驅動裝置DR1作滑動驅動，藉此可將投影光學系統PL之孔徑光閘S之孔徑部SH之形狀的一部分作階段性改變。
複數第2遮光構件ST21係被配置在與複數第1遮光構件ST11不同的位置，與第1遮光構件ST11相同的，至少其中一面(規定孔徑形狀的內面)由曲面形狀(圓弧狀、橢圓弧狀、或類似該等的曲線形狀)的構件所構成。以一例而言，由具有使薄平板以其剖面形狀呈圓弧狀、橢圓弧狀或類似該等的曲線形狀的方式予以彎曲的形狀的半筒狀(半圓筒狀、半橢圓筒狀)或部分筒狀的構件所構成。在此亦將第2遮光構件ST21設為由半圓筒狀的構件所構成者。
第2遮光構件ST21的前端緣(在第16圖中為下端緣)朝向預定面(投影光學系統PL的光瞳面PP或其附近面)予以配置，其下端緣構成為形成藉由孔徑光閘S所形成之三次元形狀之孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第2部分)。藉此，藉由第1遮光構件ST11的前端緣與第2遮光構件ST21的前端緣，規定出孔徑光閘S之孔徑部SH(孔徑的內周部)。藉由第1遮光構件ST11與第2遮光構件ST21的前端緣所規定的孔徑部SH並未存在於與主光線311呈交叉的預定面，例如投影光學系統的光瞳面PP內，而係存在於藉由使光瞳面PP以主光線的方向撓曲所形成的曲面上。亦即，孔徑部SH(孔徑的內周部)之圓周方向的各部位係存在於在主光線的方向由光瞳面PP以預定之不同的量偏移的位置。此外，以一例而言，本實施形態中之第2遮光構件ST21的材料係以不銹鋼所構成。其中，以第2遮光構件ST21之材料而言，係以熱傳導率高的金屬等為宜。
本實施形態中之第2可變遮光構件VR21係分別與上述10枚第1遮光構件ST11相對應，具有10枚第2遮光構件ST21，該等第2遮光構件ST21係以由外側者朝向內側者，直徑逐漸變小的方式形成為大致相似形狀，分別配置成以些微間隙，小徑者依序遊嵌在大徑者的內側。
本實施形態之複數第2遮光構件ST21係分別透過未圖示的支持構件，以可朝與光軸AX呈大效平行的方向(第2進退方向)或半圓筒狀之第2遮光構件ST21延伸的方向滑動的方式予以支持，第2遮光構件ST21之各個係與用以使第2遮 光構件ST21朝與光軸AX呈大致平行的方向作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置(驅動部)DR2相連結。
複數第2遮光構件ST21係將各自的前端緣(下端緣)設定在位於第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路上方外側的位置的待機位置，其任一者相對於第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路，在第16圖中由上方的待機位置朝下方(第2遮光構件ST21之下端緣至光瞳面PP之附近的位置為止)藉由驅動裝置DR2作滑動驅動，藉此可將投影光學系統PL之孔徑光閘S之孔徑部SH之形狀之中，複數第1遮光構件ST11所規定之部分以外之孔徑部SH的形狀作階段性改變。
具體而言，各第1遮光構件ST11及各第2遮光構件ST21的內徑係例如按照投影光學系統PL之數值孔徑NA之可變範圍(例如0.1~0.5或0.15~0.35)，在10mm~200mm程度的範圍內作設定。此外，第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21的枚數在此係分別例示10枚，但是按照與數值孔徑NA之步進數(例如0.01或0.005)相對應的段數，分別設定在20~40枚程度。各第1遮光構件ST11間的間隔、各第2遮光構件ST21間的間隔係在與其板厚(例如0.2mm左右)的關係中設定成例如2~3mm左右。
在本實施形態中，複數第1遮光構件ST11及複數第2遮光構件ST21的各個係彼此成對，以在光瞳面PP或其附近面，以第1遮光構件ST11的上端緣及與其相對應之第2遮光構件ST21的下端緣來規定孔徑形狀的方式，包夾光瞳面PP 或其附近面而彼此相對配置，藉由各驅動裝置DR1、DR2，分別相對作進退(彼此逆向移動)。
如上所示，本實施形態中的孔徑光閘S係以其孔徑形狀可藉由沿著第1進退方向(在本實施形態中為光軸AX的方向)作滑動(進退)的複數第1遮光構件ST11、及沿著第2進退方向(在本實施形態中為光軸AX的方向)作滑動(進退)的複數第2遮光構件ST21所形成的方式所構成，可構成可按照選擇性設定的數值孔徑NA而使其為階段性可變的孔徑光閘。
其中，在本實施形態中，第1遮光構件ST11的滑動方向(第1進退方向)及第2遮光構件ST21的滑動方向(第2進退方向)係設為投影光學系統PL的光軸AX的方向。但是，第1進退方向及第2進退方向若為與前述預定面呈交叉的方向，亦即與前述預定面呈平行的方向以外(彼此反向移動)的方向即可，該等第1及第2進退方向若設定在適於避免與構成光學系統的反射鏡等及該等保持構件的機械式干擾的方向即可。
此外，以使複數第1遮光構件ST11分別滑動的上述驅動裝置DR1(驅動部)而言，可使用藉由具有步進電動機及齒條與小齒輪等的機構而使複數第1遮光構件ST11滑動者。此外，以該驅動裝置DR1而言，亦可使用構成為具有與複數第1遮光構件ST11的各個相連結而由線性電動機所構成的致動器，藉由來自該致動器的動力而使複數第1遮光構件分別滑動者，來取代由步進電動機及齒條與小齒輪等所構成的機構。
其中，以上述驅動裝置DR1之一例而言，係以使第1遮光構件ST11滑動者為例加以說明，在第2遮光構件ST21的驅動裝置DR2(第2驅動部)中亦可採取與使第1遮光構件ST11滑動者相同的構成。
此外，上述驅動裝置DR1係以複數第1遮光構件ST11可形成孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第1部分)的方式，且以根據來自未圖示之控制部的控制訊號來驅動預定量的方式所構成。此外，上述驅動裝置DR2係以複數第1遮光構件ST21可形成孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第2部分)的方式，且以根據來自未圖示之控制部的控制訊號來驅動預定量的方式所構成。
如上所示，在本實施形態之孔徑光閘S中，係在光瞳面PP或其附近面中，以孔徑光閘S之孔徑形狀可藉由複數第1遮光構件ST11及複數第2遮光構件ST21所形成的方式所構成，並且以藉由驅動裝置DR1使複數第1遮光構件ST11的各個獨立滑動的方式所構成，以及以藉由驅動裝置DR2使複數第2遮光構件ST21的各個獨立滑動的方式所構成，藉此可將投影光學系統PL的數值孔徑NA階段性改變。
接著，關於本實施形態中之孔徑光閘S的動作，參照第17至23圖加以說明。在此為簡單說明，以第1遮光構件ST11而言，設有由規定最大NA的第1遮光構件ST11-1至規定最小NA的第1遮光構件ST11-5的5枚，以第2遮光構件ST21而言，設有由規定最大NA的第2遮光構件ST21-1至規定最小NA的第2遮光構件ST21-5的5枚者加以說明。此外，各第1 遮光構件ST11-1~ST11-5的上端緣及各第2遮光構件ST21-1~ST21-5的下端緣係如上所述形成為規定三次元形狀的孔徑形狀，因此各自的上端緣、下端緣並非在對光路插入時一定位於光瞳面PP上者，但是在該等第17至23圖中，為了方便說明動作起見而顯示為位在光瞳面PP上。
其中，例如，第1遮光構件ST11-3係規定第1遮光構件ST11-1與第1遮光構件ST11-5之中間的NA者，第1遮光構件ST11-2係規定第1遮光構件ST11-1與第1遮光構件ST11-3之中間的NA者，第1遮光構件ST11-4係規定第1遮光構件ST11-5與第1遮光構件ST11-3之中間的NA者。此外，例如，第2遮光構件ST21-3係規定第2遮光構件ST21-1與第2遮光構件ST21-5之中間的NA者，第2遮光構件ST21-2係規定第2遮光構件ST21-1與第2遮光構件ST21-3之中間的NA者，第2遮光構件ST21-4係規定第2遮光構件ST21-5與第2遮光構件ST21-3之中間的NA者。
在第17圖中顯示所有第1遮光構件ST11-1~ST11-5及所有第2遮光構件ST21-1~ST21-5被設定在待機位置的狀態。在位於該待機位置的狀態下，規定最大NA的第1遮光構件ST11-1及第2遮光構件ST21-1係將其前端(若為第1遮光構件為上端緣，若為第2遮光構件則為下端緣)設定在光瞳面PP或其附近的預定位置，其他第1遮光構件ST11-2~ST11-5及第2遮光構件ST21-2~ST21-5的前端係被設定在藉由該等第1遮光構件ST11-1及第2遮光構件ST21-1所規定之光路的外側。藉此形成有與最大NA相對應的孔徑部SH。
其中，規定最大NA的第1遮光構件ST11-1及第2遮光構件ST21-1在本實施形態中，係在第17至21圖所示位置予以固定者。但是，規定最大NA的第1遮光構件ST11-1及第2遮光構件ST21-1亦可與其他第1遮光構件ST11-2~ST11-5及第2遮光構件ST21-2~ST21-5同樣地設定成可滑動。
在規定比最大NA小1段的NA時，如第18圖所示，使第1遮光構件ST11-2及與其相對應的第2遮光構件ST21-2以各自的前端位於光瞳面PP或其附近之預定位置的方式朝向光瞳面PP滑動。藉此形成與比最大NA小1段的NA相對應的孔徑部SH。在規定比最大NA小2段的NA時，如第19圖所示，使第1遮光構件ST11-3及與其相對應的第2遮光構件ST21-3以各自的前端位於光瞳面PP或其附近之預定位置的方式朝向光瞳面PP滑動。藉此形成與比最大NA小2段的NA相對應的孔徑部SH。
在規定比最小NA大1段的NA時，如第20圖所示，使第1遮光構件ST11-4及與其相對應的第2遮光構件ST21-4以各自的前端位於光瞳面PP或其附近之預定位置的方式朝向光瞳面PP滑動。藉此形成與比最小NA大1段的NA相對應的孔徑部SH。在規定最小NA時，如第21圖所示，使第1遮光構件ST11-5及與其相對應的第2遮光構件ST21-5以各自的前端位於光瞳面PP或其附近之預定位置的方式朝向光瞳面PP滑動。藉此形成與最小NA相對應的孔徑部SH。
其中，例如，如第22圖所示，在規定更小的NA時(在該圖中係表示最小NA的情形)，亦可使規定比其為大的NA的 第1遮光構件(在該圖中為ST11-2~ST11-4)及第2遮光構件(在該圖中為ST21-2~ST21-4)的全部或任一者保持待機在待機位置的狀態。
如上所示，使成對的第1遮光構件ST11與第2遮光構件ST21以彼此相對的方式以逆向滑動，藉此可使孔徑光閘S應形成之三次元形狀之孔徑形狀在與最大NA相對應者至與最小NA相對應者之間作階段性變更。
其中，隨著數值孔徑NA的變更，應形成孔徑的位置比光瞳面PP的位置更朝向光軸方向或主光線方向移位時，如第23圖所示，由光瞳面PP在標註符號P11的位置偏移相當於該移位量的量d的位置，將相對的第1遮光構件ST11與第2遮光構件ST21定位。以規定最小NA者作為一例而言，將第1遮光構件ST11-5及第2遮光構件ST21-5以各自的前端設定在標註符號PP1的位置的方式作定位。
如上所述，第1遮光構件ST11的前端緣(上端緣)及第2遮光構件ST21的前端緣(下端緣)並非其形狀為以平面予以切斷的形狀，而是若由X軸方向觀看時以按照NA來規定最適孔徑形狀的方式切斷成沿著預定的三次元曲線的形狀。因此，成對的第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21全體形成的孔徑的輪廓亦沿著如上所示之三次元曲線而形成。該孔徑的輪廓係預先按照NA值將藉由光線追蹤所計算出之各方位中的最適光瞳高度相連所得的三次元曲線。
其中，對不同的NA值係成為不同的最適光瞳高度，因此會有應形成的孔徑在各NA間並非僅為相似形狀，而是成 為稍微不同的形狀的情形。因此，各自成對的第1遮光構件ST11與第2遮光構件ST21的前端緣並非形成為相似形狀，而係形成為與其相異的形狀。但是，由於並非形成為顯著不同的形狀，因此亦可使用近似上彼此成為相似形狀者。
如上所述，藉由本實施形態，對於階段性設定的任意NA值，藉由彼此成對的第1遮光構件ST11與第2遮光構件ST21，形成有三次元形狀之孔徑輪廓，因此在任何方位均可得最適光瞳，而可得良好的光學性能。
接著，關於由第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21所構成的孔徑光閘S的配置加以說明。第24圖係用以說明本實施形態之投影光學系統PL中之第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21之配置的概略圖。如上所述，本例之孔徑光閘S係在第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之光路中所形成的投影光學系統PL的光瞳面PP或其附近形成三次元形狀之孔徑者.接著，複數第1遮光構件ST11係以在光瞳面PP或其附近形成規定光束之孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分(第1部分)的方式分別作配置。此外，複數第2遮光構件ST21係以在光瞳面PP或其附近形成規定光束之孔徑光閘S之孔徑形狀之至少一部分(第2部分)的方式分別作配置。
在此，在本實施形態中之投影光學系統PL中，如第24圖所示，透過遮罩M朝第1反射鏡PM1入射的光束係通過相對光瞳面PP以-Y方向接近的部分P1，透過遮罩M朝第2反射鏡PM2入射的光束係通過相對光瞳面PP以+Y方向接近的部分P2。
如上所示，由於本實施形態中之投影光學系統PL為共軸的反射光學系統，因此在應配置孔徑光閘S之光瞳面的附近，複數光路沿著Y方向接近，其間的部分(空間)Sp3、Sp4的部分一般為較小。但是，由第24圖可理解，沿著相對光瞳面PP呈交叉的方向，係存在有未有其他光路接近配置的部分。亦即，在第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路的下側、且為第1反射鏡PM1與第3反射鏡PM3之間之光路的部分Sp1、及在第1反射鏡PM1與第2反射鏡PM2之間之光路的上側、且為在遮罩M與第2反射鏡PM2之間之光路的部分Sp2，係存在有未配置有其他光路之充分大的空間。
因此，若為以各反射鏡所反射的各光束在光瞳面PP接近配置時，必須以包圍光瞳面PP周圍的方式作配置的習知孔徑光閘，由於會遮蔽該等光束，因此難以作配置。但是，若為本例的孔徑光閘S，如第24圖所示，複數第1遮光構件ST11係其滑動方向設定在與光軸AX呈大致平行的方向而配置在空間Sp1，因此不會遮蔽所接近的其他光束即可作配置。同樣地，如第24圖所示，複數第2遮光構件ST21係其滑動方向設定在與光軸AX呈大致平行的方向而配置在空間Sp2，因此不會遮蔽所接近的其他光束即可作配置。
如上所示，例如即使為投影光學系統PL的光路在各反射鏡PM1~PM6折返，藉此在投影光學系統PL之光瞳面PP的附近會有投影光學系統PL的光路接近的構成，本實施形態中之孔徑光閘S亦不會遮蔽投影光學系統PL的光路，而可段階式改變投影光學系統PL的數值孔徑NA。因此，可提高 投影光學系統PL之設計上的自由度，並且可達成投影光學系統PL的小型化。
此外，在上述實施形態中，複數第1遮光構件ST11及複數第2遮光構件ST21係按照選擇性設定的數值孔徑NA，藉由各驅動裝置DR1、DR2作滑動驅動，而可自動變更數值孔徑NA，但是亦可構成為藉由手動使任一者或雙方滑動。
此外，在上述實施形態中，將應形成的孔徑形狀分割為2，藉由半筒狀的第1遮光構件ST11及第2遮光構件ST21來規定各個，但是亦可將應形成的孔徑形狀分割為3分割以上，藉由局部筒狀的複數遮光構件來規定各個。例如，亦可在作4分割時，如第25圖所示，設置4組具有相當於應形成之孔徑形狀之90°的圓弧狀剖面的局部筒狀的複數遮光構件ST3，按照各數值孔徑NA而藉由4組遮光構件ST3來規定孔徑形狀。
其中，在上述實施形態中，構成第1可變遮光構件VR11的複數第1遮光構件ST11及構成第2可變遮光構件VR21的複數第2遮光構件ST21係構成為可使各自滑動，但是亦可構成為準備規定孔徑形狀之第2部分的複數固定遮光構件，將該等之任一者在前述預定面作更換而固定，來取代第2可變遮光構件VR21。此時，以固定遮光構件而言，構成為在投影光學系統PL之數值孔徑NA的範圍(例如0.15~0.35)形成平均且最適孔徑光閘S之孔徑形狀的至少一部分(第2部分)。接著，按照數值孔徑NA的段數準備複數個其形狀為不同者，在變更數值孔徑NA時，係更換具有相當形狀之固定 遮光構件來安裝。
其中，亦可將與上述複數第2遮光構件ST21相同的構件作為固定遮光構件，以可更換的方式固定在投影光學系統PL的框架等。在如上所示之情形下，本實施形態中的孔徑光閘S係構成為其孔徑形狀可藉由複數第1遮光構件ST11及上述固定遮光構件來形成，因此無須遍及投影光學系統PL的光瞳面PP周圍來配置機械式機構，而可階段式改變投影光學系統PL的數值孔徑NA。
[第4實施形態]
第26圖係顯示本發明第4實施形態之孔徑光閘(NA光閘)之構成的斜視圖，第27圖係同構成的上視圖。本實施形態之孔徑光閘S係設為針對包含通過光瞳之主光線411的光束41，由±Z方向分別插入複數個第3長條構件ST31及第4長條構件ST41，形成孔徑的輪廓之類型的可變孔徑光閘。
如第26圖及第27圖所示，本實施形態之孔徑光閘S係在孔徑光閘S的光瞳面PP或其附近進行指向，分別配置複數條(在第26圖及第27圖中分別為12條)構成第3可變遮光構件VR31的第3長條構件ST31(第1遮光構件之一例)、及構成第4可變遮光構件VR41的第4長條構件ST41(第2遮光構件之一例)。在此，第3可變遮光構件VR31係具有複數第3長條構件ST31，藉由該複數第3長條構件ST31來規定孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第1部分)者。同樣地，第4可變遮光構件VR41係具有複數第4長條構件ST41，藉由該複數第4長條構件ST41來規定孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至 少一部分(第2部分)者。
該等第3長條構件ST31係將上述第3實施形態之第16圖所示之半圓筒狀第1長條構件ST11朝Z方向分割成多數之長尺形的部分圓筒狀構件，構成為第3長條構件ST31的長邊方向端(在第26圖中為上端)朝向光瞳面PP或其附近作配置，其長邊方向端形成孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第1部分)。接著，複數第3長條構件ST31係其長邊方向與Z方向大致平行，而且沿著其短邊方向近接配置。其中，該等第3長條構件ST31可為長尺形的平板。
同樣地，上述第4長條構件ST41亦為將上述第3實施形態之第16圖所示之第2長條構件ST21朝Z方向分割成多數之長尺形的部分圓筒狀構件，構成為在有別於第3長條構件ST31的位置而且第4長條構件ST41的長邊方向端(在第26圖中為下端)朝向光瞳面PP或其附近作配置，其長邊方向端形成孔徑光閘S之孔徑形狀之輪廓的至少一部分(第2部分)。接著，複數第4長條構件ST41係其長邊方向與Z方向大致平行，而且沿著其短邊方向近接配置。其中，該等第4長條構件ST41亦可為長尺形的平板。如上所示，在本實施形態之孔徑光閘S中，第3長條構件ST31之長邊方向端與第4長條構件ST41之長邊方向端共同合作而構成孔徑光閘S之孔徑形狀的輪廓或孔徑部SH(或孔徑的內周部)。孔徑部SH係存在於使光瞳面PP朝主光線11的方向彎曲的面內，並不存在於光瞳面PP內。
如第27圖所示，該等第3長條構件ST31及第4長條構件 ST41分別以可沿著Z方向(此時為第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的長邊方向)作進退(滑動)的方式保持在保持部42、43，該保持部42、43的保持面若由Z方向觀看，概略沿著將預定的三次元曲線投影在光瞳面PP(X-Y平面)所得的二次元曲線而彎曲。因此，藉由第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的內面，獲得概略沿著將預定的三次元曲線投影在光瞳面PP所得之二次元曲線的孔徑輪廓。該預定的三次元曲線係預先按照NA值，將藉由光線追蹤所計算出之各方位中的最適光瞳高度相連所得者。將該三次元曲線以沿著投影在光瞳面PP所得之二次元曲線而排列有第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的方式構成保持部42、43。
此外，在第3長條構件ST31的各個連結有用以使第3長條構件ST31朝其長邊方向(Z方向)作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置(驅動部)44。其中，在此該驅動裝置44係作為組裝在保持部42者，在第27圖中，則係顯示與保持部42相同的部分。因此，本實施形態中之投影光學系統PL係透過驅動裝置44而將第3長條構件ST31在其長邊方向作滑動驅動，藉此可改變上述預定三次元曲線之孔徑之形狀的一部分(第26圖及第27圖中為左側半部)。
同樣地，如第26圖及第27圖所示，在第4長條構件ST41的各個連結有用以使第4長條構件ST41朝其長邊方向(Z方向)作滑動驅動，亦即作推拉驅動的驅動裝置45。其中，在此該驅動裝置45係作為組裝在保持部43者，在第27圖中，則係顯示與保持部43相同的部分。因此，本實施形態中之 投影光學系統PL係透過驅動裝置45而將第4長條構件ST41在其長邊方向作滑動驅動，藉此可改變投影光學系統PL之孔徑光閘S之孔徑之形狀之中複數第3長條構件ST31所規定之部分以外的部分(第26圖及第27圖中為右側半部)的形狀。
如上所示，藉由分別使複數第3長條構件ST31及第4長條構件ST41對光束41分別作進退移動，藉由該第3長條構件ST31及第4長條構件ST41相對的前端緣，可形成與所規定的NA相對應的三次元曲線的孔徑形狀。
其中，在第26圖及第27圖中，由於圖示的關係，第3長條構件ST31及第4長條構件ST41係分別顯示12條，但是第3長條構件ST31的各個，具體而言係例如可將上述第3實施形態之第16圖所示之大致半圓筒狀的第1長條構件ST11，以中心角10。刻度縱向(Z方向)成為18分割的方式形成為切斷的部分圓筒。此外，同樣地，第4長條構件ST41的各個亦具體而言係例如可將上述第3實施形態之第16圖所示之大致半圓筒狀的第2長條構件ST21，以中心角10。刻度縱向(Z方向)成為18分割的方式形成為切斷的部分圓筒。因此，此時分別將18枚第3長條構件ST31及第4長條構件ST41，亦即36枚長條構件作為1組(set)，而構成規定1個NA的1組孔徑光閘。
其中，在本實施形態中，第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的滑動方向在第26圖中為Z方向。但是，該滑動方向並不一定為Z方向，亦可為與Z方向呈斜交(除了正交以外)。此外，第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的滑動方向係彼此呈同一方向(Z方向)，但是亦不一定為同一方向， 若設定在適於避免與構成光學系統的反射鏡(或包含透鏡時為透鏡)、及該等保持構件等之機械式干擾的方向即可。
如上所示，本實施形態中的孔徑光閘S係構成為可藉由沿著藉由保持部42、43所規定的形狀朝Z方向作進退的複數第3長條構件ST31及第4長條構件ST41來規定，因此關於預定的NA，可以三次元且任意或階段式變更孔徑的形狀。
此外，以分別使複數第3長條構件ST31滑動的驅動裝置44而言，與上述第2實施形態之第8圖所示之驅動裝置同樣地，可使用藉由由齒條與小齒輪等所構成的機構RP1而分別使複數第3長條構件ST31滑動者。在該情形下，驅動裝置44亦可構成為具有分別與複數第3長條構件ST31相連結之由線性電動機所構成的致動器，藉由來自該致動器的動力而分別使複數第3長條構件ST31滑動，來取代由齒條與小齒輪等所構成的機構RP1。
其中，關於分別使複數第4長條構件ST41滑動的驅動裝置45，亦可形成為與該第3長條構件ST31相同的構成。
此外，驅動裝置44係構成為以複數第3長條構件ST31可形成三次元形狀之孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第1部分)的方式，且根據來自未圖示的控制訊號來驅動預定量。此外，驅動裝置45係構成為以複數第4長條構件ST41可形成三次元形狀之孔徑形狀之輪廓之至少一部分(第2部分)的方式，且根據來自未圖示的控制訊號來驅動預定量。
如上所示，在本實施形態中之孔徑光閘S中，係構成為其三次元形狀之孔徑形狀可藉由複數第3長條構件ST31及 複數第4長條構件ST41來形成，並且藉由驅動裝置44使複數第3長條構件ST31的各個獨立滑動的方式所構成及藉由驅動裝置45使複數第4長條構件ST41的各個獨立滑動的方式所構成，藉此可輕易進行應形成之孔徑形狀的三次元微調。
其中，藉由孔徑光閘S所形成的孔徑的形狀，由光學系統的成像性能的觀點來看，以平滑的形狀為宜。因此，按照將本實施形態中之第3長條構件ST31之前端緣(在第26圖中為上端緣)的形狀在上述第2實施形態中參照第9圖來加以說明的主旨，以沿著光學系統之最適光瞳形狀之三次元形狀的方式，以形成為斜線或曲線形狀為宜。
此外，為了將孔徑的形狀形成為平滑，在上述第2實施形態中，按照參照第11或12圖所說明的主旨，藉由形狀規定構件61或62等，構成為沿著光學系統之最適光瞳形狀之三次元形狀即可。其中，關於第4長條構件ST41亦同。藉此，藉由複數第3長條構件ST31及第4長條構件ST41，可使孔徑的形狀形成為更為平滑的三次元形狀，因此可減低藉由孔徑光閘S所規定的投影光學系統PL中的數值孔徑NA的設定誤差。
但是，由將本實施形態中之孔徑光閘S的孔徑形狀以某程度接近於最適光瞳形狀之三次元形狀的觀點來看，第3長條構件ST31及第4長條構件ST41之短邊方向的寬幅係以在可製造的範圍內且儘可能狹窄者為宜。使第3長條構件ST31及第4長條構件ST41之短邊方向的寬幅更細，而增多其數量，藉此使複數第3長條構件ST31係可以更高精度形成孔徑 光閘S之孔徑形狀之至少一部分。但是，若加多第3長條構件ST31的數量時，用以使各個滑動的驅動裝置44、45的機械式構成變得較為複雜(構成驅動裝置之由齒條與小齒輪等所構成的機構RP1的數量會變得較多)，此外由於會發生會有因滑動驅動所產生的粉塵或化學性污染物質的發生增大的情形等新的問題，因此由該等二者的觀點來看，以形成為適當數量為宜。
接著，針對第3長條構件ST31及第4長條構件ST41的變形例加以說明。其中，在該變形例中，關於配置有第3長條構件ST31及第4長條構件ST41之光學系統及曝光裝置之構成，亦與上述實施形態相同。在以下說明中，係針對與上述實施形態為相同或同等之構成部分係標註相同元件符號，且簡化或省略其說明。
第28圖係顯示本變形例之第3長條構件ST31b之形狀的圖。如第28圖所示，複數第3長條構件ST31b係在其其中一側面(與相鄰接的第3長條構件相對面的面)具有凹狀部OL2，在與其相反側之另一側面(與相鄰接的第3長條構件相對面的面)具有凸狀部OL3。該等凹狀部OL2及凸狀部OL3係沿著長邊方向而分別形成。其中，凸狀部OL3係構成為以些微間隙而遊嵌在相鄰接的第3長條構件的凹狀部OL2。
接著，複數第3長條構件ST31b係使凸狀部OL2遊嵌在彼此相對的凹狀部OL3，彼此大致平行地分別作配置。藉由如上所示之構成，可減低曝光光由複數第3長條構件ST31b之彼此的間隙漏洩。其中，複數第3長條構件ST31b 的形狀並非侷限於上述構造，若為可減低曝光光由複數第3長條構件ST31b之彼此的間隙漏洩的構成，則亦可為其他構造。其中，在第28圖中的說明中，以第3長條構件ST31b為例加以說明，但是在第4長條構件ST41b中亦與第3長條構件ST31b相同。
但是，會有按照光場內的圖案分布(形成在遮罩M的圖案的分布)，而使最適光瞳形狀之三次元形狀局部性或全體性發生些微變化的情形係已在上述第3實施形態中加以說明。該第4實施形態之孔徑光閘S係可使複數第3長條構件ST31及第4長條構件ST41朝Z方向滑動，因此在按照如上所示之圖案分布而使最適光瞳形狀之三次元形狀之孔徑形狀發生變化時，可更加適當對應。遮罩M之圖案分布的量測裝置或量測方法係與上述第2實施形態相同，故省略其說明。
其中，若僅利用具備有第3長條構件ST31、第4長條構件ST41、保持部42、43及驅動裝置44、45等之上述1組孔徑光閘S，並無法變更孔徑的大小，因此在必須變更NA時，並無法對應。此時，設置具有與上述1組孔徑光閘S相同的構成，並且構成為按照階段性設定的複數NA來規定分別不同大小的孔徑的複數組孔徑光閘。
各1組孔徑光閘係按照由規定較大孔徑者至規定較小孔徑者而依序配置在內側。接著，將規定與所選擇的NA相對應的孔徑的孔徑光閘的第3長條構件ST31及第4長條構件ST41作滑動驅動而插入在光路中的預定位置，使其他孔徑 光閘的第3長條構件ST31及第4長條構件ST41由該光路中避讓。如上所示，由複數組的上述孔徑光閘來構成孔徑光閘S，按照NA的變更，可適當形成最適光瞳形狀之三次元形狀的孔徑。
其中，本實施形態中的投影光學系統PL並非侷限於以上述6枚非球面的各反射鏡PM1~PM6所構成的光學系統，亦可使用由8枚反射鏡或10枚反射鏡等其他枚數的反射鏡所構成的反射光學系統。此外，本發明係適於用在由作為反射光學元件的反射鏡所構成的反射光學系統，但是並非限定於此，亦可適用在將作為反射光學元件的反射鏡與作為折射光學元件的透鏡加以組合所構成的反射折射光學系統、組合作為折射光學元件的透鏡所構成的折射光學系統。
此外，本實施形態之由光源裝置1所射出的EUV光(曝光光)的波長係為了達成高解像度，而以50nm以下為宜，一般而言係以使用11.8nm或13.5nm為宜。
其中，上述各實施形態之孔徑光閘S對於照明光學系統亦可適用。亦即，在第1圖中，可將上述孔徑光閘S適用在照明光學系統ILS的光瞳面或光瞳面附近。此時，孔徑光閘S係配置在照明光學系統ILS的光瞳面或其附近。
此外，本實施形態中的照明光學系統ILS若為照明遮罩M之圖案面上的曝光視野內的構成即可，具體構成並未特別有所限制。
在上述實施形態中所說明的孔徑光閘S亦可適用在曝光裝置之光學系統以外。尤其可有效使用在對光軸呈旋轉 非對稱的反射光學系統等光學系統。
在第1實施形態中所說明之驅動孔徑光閘板12、13的驅動裝置14、第2及第4實施形態之驅動規定孔徑光閘S的孔徑形狀的第1~第4長條構件ST1、ST2、ST31、ST41的驅動裝置21、22、44、45、以及第3實施形態之將規定孔徑光閘S之孔徑形狀的第1及第2遮光構件ST11、ST21移動的驅動裝置DR1、DR2等的控制係可藉由控制曝光裝置EX的控制部來進行。此時，曝光裝置EX的控制部係可按照所使用之投影光學系統PL的NA來控制該等驅動裝置而將孔徑光閘S的孔徑調整為所希望的3次元形狀。
在上述實施形態中，在長條構件或遮光構件係使用長尺的平板狀構件，但是若為規定孔徑光閘S之孔徑形狀的端部及其附近將照明光遮光的形狀，則可為任意形狀，此外，端部與除此以外之部分的形狀不同亦可。例如，僅有端部呈平板狀，殘餘部分呈棒狀亦可。據此可適當變更保持長條構件或遮光構件的保持部及所驅動的驅動部的扣合形態。
其中，在上述說明中，假想半導體晶圓W作為成為曝光對象的基板，但是成為曝光對象的基板並不僅為半導體裝置製造用的半導體晶圓，亦可為顯示器裝置用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓、或在曝光裝置中所使用的遮罩或光罩的原版(合成石英、矽晶圓)或薄膜構件等。
此外，該基板並非將其形狀限定為圓形者，亦可為矩形等其他形狀。此外，適用本實施形態之光學系統的曝光 裝置的形態並不限於將上述遮罩M與晶圓W同步移動而將遮罩M的圖案作掃描曝光的步進掃瞄式(step and scan)的掃描型曝光裝置(scanning stepper)，在將遮罩M與晶圓W呈靜止的狀態下將遮罩M的圖案總括曝光，以依序步驟使晶圓W移動的步進重複式(step-and-repeat)的投影曝光裝置(stepper)。
此外，本實施形態之掃描型曝光裝置係將包含本案申請專利範圍所列舉的各構成要素的各種次系統以保持預定的機械強度、電氣精度、光學精度的方式加以組裝而製造。為了確保該等各種精度，在該組裝的前後，關於各種光學系統係進行用以達成光學精度的調整，關於各種機械系統係進行用以達成機械精度的調整，關於各種電氣系統係進行用以達成電氣精度的調整。由各種次系統對曝光裝置的組裝製程係包含有各種次系統相互的機械性接觸、電路的配線連接、氣壓電路的配管連接等。在由該各種次系統對曝光裝置之組裝製程之前，當然有各次系統各個的組裝製程。若各種次系統對於曝光裝置的組裝製程完成，即進行總合調整，確保作為曝光裝置整體的各種精度。其中，曝光裝置的製造係在溫度及清淨度等受到管理下的清潔室中進行為宜。
接著，針對使用本實施形態中之曝光裝置的電子裝置之製造方法加以說明。
使用上述實施形態之曝光裝置來製造半導體裝置等之電子裝置(微小裝置)時，電子裝置係如第29圖所示，經由： 進行電子裝置之功能、性能設計的步驟111、製作根據該設計步驟111的遮罩(光罩)的步驟112、製造屬於裝置之基材的基板(晶圓)的步驟113、包含藉由前述實施形態之曝光裝置而將遮罩的圖案對基板曝光的製程、將經曝光的基板進行顯影的製程、經顯影的基板的加熱(cure)及蝕刻製程等的基板處理步驟114、裝置組裝步驟(包含切割製程、接合製程、封裝製程等加工過程)115、以及檢查步驟116等所製造。換言之，該裝置的製造方法係包含微影製程，在該微影製程中使用上述實施形態之曝光裝置來將感光性基板曝光。
其中，本發明係可適當組合上述所有構成要素來使用，而且亦有未使用一部分之構成要素的情形。此外，以上說明之實施形態係為了輕易理解本發明而記載者，並非為用以限定本發明而記載者。因此，上述實施形態所揭示之各要素亦包含本發明之技術範圍所屬之所有設計變更或均等物的主旨。
【實施例1】 〔最適光瞳形狀的模擬〕
根據以下條件，實施最適光瞳形狀的模擬。NA0.25、光罩面132mm~140mm、晶圓面33mm~35mm。表1係面資料，表2係波行像差，表3係非球面資料。在該條件下實施光線追蹤(幾何學的運算)，針對光場內的9點(R1~R9)求出最小模糊圈的位置。其中，R1為主光線。將其結果顯示於表4。表4中的Z座標為光瞳高度。其中，此時的光線追縱圖顯示於第31圖。
1‧‧‧光源裝置
2‧‧‧準直鏡
3‧‧‧光學積分器
3a‧‧‧第1蒼蠅眼反射鏡
3b‧‧‧第2蒼蠅眼反射鏡
4‧‧‧聚光反射鏡
5‧‧‧平面反射鏡
11‧‧‧光束
12、13‧‧‧孔徑光閘板
12a、13a‧‧‧孔徑
14‧‧‧驅動裝置
21、22、21a‧‧‧驅動裝置
23‧‧‧保持部
25‧‧‧光束
31‧‧‧端部
31、41‧‧‧光束
42、43‧‧‧保持部
44、45‧‧‧驅動裝置
51‧‧‧主光線
61、62‧‧‧形狀規定構件
70‧‧‧彈簧
71‧‧‧第1驅動構件
71a‧‧‧第1形狀生成部
71b‧‧‧輪廓形狀
72a‧‧‧第2形狀生成部
81、82‧‧‧驅動裝置
100‧‧‧真空腔室
111‧‧‧主光線
121‧‧‧輪廓(內周部)
221‧‧‧輪廓
225、311、411‧‧‧主光線
531~535‧‧‧最小模糊圈位置
700‧‧‧平面
AX‧‧‧光軸
DR1、DR2‧‧‧驅動裝置
EX‧‧‧曝光裝置
IL‧‧‧照明光
ILS‧‧‧照明光學系統
M‧‧‧遮罩
MS‧‧‧遮罩台
OL1‧‧‧重複部
OL2‧‧‧凹狀部
OL3‧‧‧凸狀部
PL‧‧‧投影光學系統
PM1~PM6‧‧‧反射鏡
PP‧‧‧光瞳面
p1‧‧‧插入位置
p2‧‧‧避讓位置
RP1‧‧‧機構
S‧‧‧孔徑光閘
SH‧‧‧孔徑部
SP1‧‧‧第1彈簧機構
Sp1~Sp4‧‧‧部分
ST1‧‧‧第1長條構件
ST1a‧‧‧第1長條構件
ST1b‧‧‧第1長條構件
ST1c‧‧‧第1長條構件
ST2‧‧‧第2長條構件
ST2a‧‧‧第2長條構件
ST2b‧‧‧第2長條構件
ST2c‧‧‧第2長條構件
ST11‧‧‧第1遮光構件
ST21‧‧‧第2遮光構件
ST31‧‧‧第1長條構件
ST31b‧‧‧第3長條構件
ST41‧‧‧第2長條構件
ST11-1~ST11-5‧‧‧第1遮光構件
ST21-1~ST21-5‧‧‧第2遮光構件
VR1‧‧‧第1可變遮光構件
VR2‧‧‧第2可變遮光構件
VR11‧‧‧第1可變遮光構件
VR21‧‧‧第2可變遮光構件
VR31‧‧‧第1可變遮光構件
VR41‧‧‧第2可變遮光構件
W‧‧‧晶圓
WS‧‧‧晶圓台
第1圖係顯示本發明之實施形態中之EUV曝光裝置之概略構成圖。
第2圖係顯示本發明第1實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第3圖係顯示本發明第1實施形態中具備有複數枚孔徑光閘板之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第4圖係顯示本發明第1實施形態中具備有驅動裝置之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第5圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例的斜視圖。
第6圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例的側視圖。
第7圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之一例 的上視圖。
第8圖係顯示本發明第2實施形態中使規定孔徑光閘之孔徑形狀的長條構件滑動之驅動裝置之一例的剖面圖。
第9圖係顯示本發明第2實施形態中之長條構件之變形例圖。
第10圖係顯示本發明第2實施形態中之長條構件之變形例圖。
第11圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之變形例的上視圖。
第12圖係顯示本發明第2實施形態中之孔徑光閘之變形例的上視圖。
第13圖係顯示本發明第2實施形態中之驅動裝置之變形例圖。
第14圖係顯示本發明第2實施形態中之驅動裝置之變形例的剖面圖。
第15圖係顯示本發明第2實施形態中具備有使長條構件朝光軸方向驅動之驅動裝置之孔徑光閘的斜視圖。
第16圖係顯示本發明第3實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第17圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定最大NA之情形的示意圖。
第18圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定比最大NA小1段之NA之情形的示意圖。
第19圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定比最大NA小2段之NA之情形的示意圖。
第20圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定比最小NA大1段之NA之情形的示意圖。
第21圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之動作圖，且顯示規定最小NA之情形的示意圖。
第22圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之其他動作圖。
第23圖係顯示本發明第3實施形態中之第1及第2遮光構件之另外其他動作圖。
第24圖係以模式顯示本發明第3實施形態中之投影光學系統之主要部位的正視圖。
第25圖係顯示本發明第3實施形態中由經4分割後之部分筒狀(90°)之構件所構成之遮光構件之構成的上視圖。
第26圖係顯示本發明第4實施形態中之孔徑光閘之構成的斜視圖。
第27圖係顯示本發明第4實施形態中之孔徑光閘之構成的上視圖。
第28圖係顯示本發明第4實施形態中之長條構件之變形例圖。
第29圖係顯示本發明之實施形態中之電子裝置之製造方法之概要的流程圖。
第30圖係用以說明最適光瞳形狀為三次元形狀的斜視圖。
第31圖係本發明之實施例中之光線追蹤圖。
11‧‧‧光束
12‧‧‧孔徑光閘板
12a‧‧‧孔徑
111‧‧‧主光線
121‧‧‧輪廓(內周部)
700‧‧‧平面
S‧‧‧孔徑光閘

Claims (34)

  1. 一種成像光學系統，其是將配置於第1面的物體之像形成於第2面的成像光學系統，其特徵為：具有孔徑光閘，該孔徑光閘遮蔽通過前述成像光學系統而達到前述第2面之光束的外緣，前述孔徑光閘之孔徑形狀的輪廓為三次元形狀。
  2. 如請求項1之成像光學系統，其中，具備反射型光學元件，該反射型光學元件具有至少2個材料彼此相層積之多層膜。
  3. 如請求項1之成像光學系統，其中，位於前述孔徑光閘之前述開口部之前述輪廓的預定面係前述成像光學系統的光瞳面或其附近面。
  4. 如請求項1之成像光學系統，其中，按照前述成像光學系統的孔徑數而將前述孔徑光閘的前述孔徑部的形狀形成為可變。
  5. 如請求項1之成像光學系統，其中，具備有前述開口部的前述輪廓為三次元形狀的孔徑光閘板。
  6. 如請求項1之成像光學系統，其中，具備有開口部的輪廓彼此不同之三次元形狀的複數孔徑光閘板，前述複數孔徑光閘板係配置成對前述光束的光路可選擇性地交換。
  7. 如請求項6之成像光學系統，其中，前述複數孔徑光閘板係分別具有與前述成像光學系統的孔徑數相對應的孔徑部。
  8. 如請求項5之成像光學系統，其中，具備有驅動部，係使前述孔徑光閘板作進退，而可對前述光束的光路選擇性地作進退。
  9. 如請求項4之成像光學系統，其中，具備有第1可變遮光構件，其具有複數第1遮光構件，且規定前述孔徑光閘之開口部之前述輪廓的第1部分。
  10. 如請求項9之成像光學系統，其中，藉由使前述複數第1遮光構件相對於前述光束分別移動，藉由該第1遮光構件的前端緣，形成位於任意三次元曲面上的任意孔徑形狀。
  11. 如請求項9之成像光學系統，其中，前述複數第1遮光構件係分別為長條狀的第1板狀構件，其長邊方向與預定的第1方向呈平行而且分別在短邊方向近接配置。
  12. 如請求項11之成像光學系統，其中，具備有將前述複數第1遮光構件分別朝前述第1方向推拉的第1驅動部。
  13. 如請求項11之成像光學系統，其中，具備有將前述複數第1遮光構件朝前述成像光學系統的光軸方向或與前述預定面交叉的方向移動的第2驅動部。
  14. 如請求項9之成像光學系統，其中，前述第1遮光構件係，其剖面形狀為圓弧形狀、橢圓弧形狀或類似該等的曲線形狀的半筒狀或部分筒狀的構件，而且其中一方前端緣為三次元形狀者。
  15. 如請求項14之成像光學系統，其中，具備有使前述複數第1遮光構件分別朝前述成像光學系統的光軸方向或與 前述預定面呈交叉方向的第1進退方向作進退的驅動部。
  16. 如請求項15之成像光學系統，其中，前述複數第1遮光構件係分別配置在與前述第1進退方向呈大致垂直的方向，而且將前述其中一方前端緣朝向前述預定面分別作配置。
  17. 如請求項9之成像光學系統，其中，前述第1遮光構件為長條狀的板狀構件，前述第1可變遮光構件係，其剖面形狀為圓弧形狀、橢圓弧形狀或類似該等的曲線形狀的半筒狀或部分筒狀者。
  18. 如請求項17之成像光學系統，其中，前述複數第1遮光構件係分別在其短邊方向近接配置。
  19. 如請求項17之成像光學系統，其中，具備有將前述複數第1遮光構件分別朝長邊方向推拉的驅動部。
  20. 如請求項9之成像光學系統，其中，具有第2可變遮光構件，而該第2可變遮光構件具有複數第2遮光構件，且規定與前述孔徑光閘之開口部之輪廓之前述第1部分不同的第2部分。
  21. 如請求項20之成像光學系統，其中，使前述複數第2遮光構件相對於前述光束分別移動，藉此藉由該第2遮光構件的前端緣而形成位於任意三次元曲面上的任意孔徑形狀。
  22. 如請求項20之成像光學系統，其中，前述複數第2遮光 構件係分別為長條狀的第2板狀構件，其長邊方向與預定的第2方向呈平行而且分別在短邊方向近接配置。
  23. 如請求項22之成像光學系統，其中，前述第1方向與前述第2方向係相互大致平行。
  24. 如請求項22之成像光學系統，其中，具備有將前述複數第2遮光構件分別朝前述第2方向推拉的第3驅動部。
  25. 如請求項22之成像光學系統，其中，具備有使前述複數第2遮光構件朝前述成像光學系統之光軸方向或朝與前述預定面呈交叉之方向移動的第4驅動部。
  26. 如請求項20之成像光學系統，其中，前述第1可變遮光構件與前述第2可變遮光構件係夾著前述預定面而相互相對地配置者。
  27. 如請求項20之成像光學系統，其中，前述第1遮光構件與前述第2遮光構件係相互相對地作進退者。
  28. 如請求項11之成像光學系統，其中，前述成像光學系統之預定視野區域係位於相對於該成像光學系統的光軸朝第3方向偏心的位置，前述第1方向係與該第3方向呈大致正交的方向。
  29. 如請求項1之成像光學系統，其中，前述成像光學系統係將前述第1面上之預定視野區域成像在前述第2面上。
  30. 如請求項29之成像光學系統，其中，前述預定視野區域是相對於前述成像光學系統之光軸朝第3方向偏心的位置。
  31. 如請求項1之成像光學系統，其中，前述光束是EUV光。
  32. 一種曝光裝置，係將第1面的像投影曝光在第2面上的曝光裝置，其特徵為：具備有請求項1至31中任一項之成像光學系統。
  33. 如請求項32之曝光裝置，其中，更具備有供給前述光束的EUV光源裝置。
  34. 一種電子裝置之製造方法，係包含微影製程之電子裝置之製造方法，其特徵為：前述微影製程係使用請求項32之曝光裝置。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003292889A1 (en) 2003-10-29 2005-06-08 Carl Zeiss Smt Ag Diaphragm changing device
DE102009034028A1 (de) * 2009-03-30 2010-10-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102011003145A1 (de) * 2010-02-09 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches System mit Blendeneinrichtung
WO2012137699A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 株式会社ニコン 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2013118615A1 (ja) * 2012-02-06 2013-08-15 株式会社ニコン 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015209827B4 (de) 2015-05-28 2019-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld, optisches System sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102015221985A1 (de) 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2016188934A1 (de) 2015-05-28 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
DE102015212619A1 (de) 2015-07-06 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2017029383A1 (de) 2015-08-20 2017-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv-lithographieanlage und verfahren
DE102015220144A1 (de) 2015-10-16 2017-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System und Lithographieanlage
DE102015226529A1 (de) 2015-12-22 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016212578A1 (de) 2016-07-11 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für die EUV-Projektionslithographie
US10914869B2 (en) * 2018-08-14 2021-02-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Lens assembly and portable electronic device
JP7179420B2 (ja) * 2019-01-29 2022-11-29 株式会社オーク製作所 投影露光装置及び投影露光装置に使用する遮光板
CN112198767B (zh) * 2020-10-20 2022-11-08 Tcl华星光电技术有限公司 曝光机
DE102021103323A1 (de) * 2021-02-12 2022-08-18 Carl Zeiss Ag Pannini-Objektiv und abbildendes optisches Gerät
DE102022206110A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102023203224A1 (de) 2023-04-06 2024-10-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102023203223A1 (de) 2023-04-06 2024-10-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102023203225A1 (de) 2023-04-06 2024-10-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015987A (ja) * 2000-04-12 2002-01-18 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法
TW200307854A (en) * 2002-03-18 2003-12-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2004246343A (ja) * 2003-01-21 2004-09-02 Nikon Corp 反射光学系及び露光装置
JP2005519332A (ja) * 2002-03-01 2005-06-30 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 屈折型投影対物レンズ
JP2007027226A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 反射光学系、照明光学装置及び露光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000082655A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Canon Inc スリット機構、露光装置およびデバイス製造方法
JP2006507672A (ja) 2002-11-21 2006-03-02 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ用の投影レンズ
JP5620039B2 (ja) * 2003-08-01 2014-11-05 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 少なくとも１つのシステム絞りを備えた光学結像装置
JP4218475B2 (ja) 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン 極端紫外線光学系及び露光装置
AU2003292889A1 (en) * 2003-10-29 2005-06-08 Carl Zeiss Smt Ag Diaphragm changing device
US7336416B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
US7812928B2 (en) 2005-07-06 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus
CN100583394C (zh) 2005-07-06 2010-01-20 株式会社尼康 曝光装置
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102006014380A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
JP5071385B2 (ja) * 2006-06-16 2012-11-14 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
DE102008001216A1 (de) * 2007-04-18 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie
JP2009253048A (ja) 2008-04-07 2009-10-29 Nikon Corp 光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015987A (ja) * 2000-04-12 2002-01-18 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2005519332A (ja) * 2002-03-01 2005-06-30 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 屈折型投影対物レンズ
TW200307854A (en) * 2002-03-18 2003-12-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP2004246343A (ja) * 2003-01-21 2004-09-02 Nikon Corp 反射光学系及び露光装置
JP2007027226A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 反射光学系、照明光学装置及び露光装置

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