TWI481661B - 平面狀連接器 - Google Patents

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TWI481661B
TWI481661B TW101111292A TW101111292A TWI481661B TW I481661 B TWI481661 B TW I481661B TW 101111292 A TW101111292 A TW 101111292A TW 101111292 A TW101111292 A TW 101111292A TW I481661 B TWI481661 B TW I481661B
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Mineo Ohtake
Toshiaki Yokota
Hiroki Fukatsu
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Polyplastics Co
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Description

平面狀連接器
本發明係關於一種於CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)插口等之外框內部具有晶格構造之平面狀連接器。
液晶性聚合物作為即使於熱塑性樹脂中亦尺寸精度、制振性、流動性優異，且成形時之毛邊產生極少之材料為人所知。先前，利用此種特徵而較多地採用液晶性聚合物作為各種電子零件之材料。
尤其是，伴隨近年來之電子機器之高性能化，亦存在連接器之高耐熱化(藉由安裝技術提高生產性)、高密度化(多芯化)、小型化之時代要求，利用上述液晶性聚合物之特徵，採用經玻璃纖維強化之液晶性聚合物組成物作為連接器(「全調查工程塑膠(Engineering-Plastics)'92-'93」、182~194頁、1992年發行、日本專利特開平9-204951號公報)。於以CPU插口為代表之外框內部具有晶格構造之平面狀連接器中，上述高耐熱化、高密度化、小型化之傾向明顯，較多採用經玻璃纖維強化之液晶性聚合物組成物。
然而，即使為流動性一定程度上良好之玻璃纖維強化液晶性聚合物組成物，對於用作近年來所要求之晶格部之間距間隔為2 mm以下、保持端子之晶格部之樹脂部分之寬度為0.5 mm以下的非常薄之平面狀連接器而言，性能仍不充分。即，於此種晶格部之寬度非常薄之平面狀連接器中，存在若欲向晶格部填充樹脂，則由於流動性不充分而使填充壓力變高，結果所得平面狀連接器之翹曲變形量變多之問題。
為解決該問題，考慮使用減少玻璃纖維之添加量的流動性良好之液晶性聚合物組成物，但此種組成物強度變得不足，從而產生由於安裝時之回焊而變形之問題。
如此，現狀係仍未獲得性能平衡優異之液晶聚合物製平面狀連接器。
因此，本發明者等人於日本專利特開2005-276758號公報中，提出如下平面狀連接器，其係由所調配之纖維狀填充劑之重量平均長度與調配量處於一定關係的特定之複合樹脂組成物所構成。根據上述日本專利特開2005-276758號公報，可獲得即使對於薄壁之平面狀連接器而言，於成形性、平面度、翹曲變形、耐熱性等性能方面亦優異者。然而，已明確，由於伴隨最近平面狀連接器中之集成率增加等之形狀變化、尤其是連接器接腳數之增加、晶格部寬度之進一步薄壁化等主要因素，存在以上述日本專利特開2005-276758號公報無法應對之情形。
因此，本發明者等人進而於日本專利特開2010-3661號公報中，提出由對特定之液晶性聚合物併用調配板狀填充劑與纖維狀填充劑而成的特定之複合樹脂組成物所構成之平面 狀連接器。
根據上述日本專利特開2010-3661號公報，可獲得即使對於薄壁之平面狀連接器而言，於成形性、平面度、翹曲變形、耐熱性等性能方面亦優異者，進而可獲得即使對於伴隨最近平面狀連接器中之集成率增加等之形狀變化、尤其是連接器接腳數之增加、晶格部寬度之進一步薄壁化等而言亦可應對者。然而，於日本專利特開2010-3661號公報之技術中，存在根據聚合物之製造偏差、成形條件等微細之製造條件之變化而於成形後在晶格部產生龜裂(破裂)之情況，因而不能說於耐龜裂性方面充分得到顧客之滿意。
本發明者等人鑒於上述問題，為提供一種可以最近之平面狀連接器之形狀穩定地獲得良好性能的尤其是成形後不會於晶格部產生破裂之耐龜裂性優異之液晶性聚合物製平面狀連接器而進行銳意探索、研究，結果發現，藉由使用以特定比率對(A)包含特定構造之全芳香族液晶性聚合物併用調配(B)板狀之無機填充劑及(C)特定之纖維狀填充劑所成之複合樹脂組成物，可獲得成形性良好，平面度、翹曲變形、耐熱性、耐龜裂性等性能均優異之平面狀連接器，從而完成本發明。
即，本發明係一種平面狀連接器，其特徵在於由如下複合樹脂組成物所形成，且為於外框之內部具有晶格構造，晶格 部之間距間隔為1.5 mm以下之構造；該複合樹脂組成物包含(A)熔融時顯示光學異向性之全芳香族聚酯、(B)板狀之無機填充劑及(C)玻璃纖維，(B)成分相對於組成物整體為15~25重量%，(C)成分相對於組成物整體為10~25重量%，且(B)成分與(C)成分之合計相對於組成物整體為30~40重量%；上述(A)係包含下述通式(I)、(II)、(III)、(IV)及(V)所表示之構成單位作為必需之構成成分，且相對於總構成單位，(I)之構成單位為35~75莫耳%，(II)之構成單位為2~8莫耳%，(III)之構成單位為4.5~30.5莫耳%，(IV)之構成單位為2~8莫耳%，(V)之構成單位為12.5~32.5莫耳%，(II)+(IV)之構成單位為4~10莫耳%。
此處，Ar1 為 Ar2 為 Ar3 為 Ar4 為
根據本發明，可提供一種成形性良好，平面度、翹曲變形、耐熱性、耐龜裂性等性能均優異之平面狀連接器。
以下，詳細說明本發明。首先，本發明中所使用之(A)全芳香族液晶性聚合物係包含(I)~(V)之構成單位者，為實現上述(I)~(V)之構成單位而使用通常之具有酯形成能力之各種化合物。以下，依序對為形成構成本發明之全芳香族聚酯所必需之原料化合物進行詳細說明。
構成單位(I)係由4-羥基苯甲酸導入。
構成單位(II)係由6-羥基-2-萘甲酸導入。
構成單位(III)係由1,4-伸苯基二甲酸導入。
構成單位(IV)係由1,3-伸苯基二甲酸導入。
又，構成單位(V)係由4,4'-二羥基聯苯導入。
於本發明中，必需含有上述構成單位(I)~(V)，且相對於總構成單位，(I)之構成單位為35~75莫耳%(較佳為40~65 莫耳%)之範圍、(II)之構成單位為2~8莫耳%(較佳為3~7莫耳%)之範圍，(III)之構成單位為4.5~30.5莫耳%(較佳為13~26莫耳%)之範圍，(IV)之構成單位為2~8莫耳%(較佳為3~7莫耳%)之範圍，(V)之構成單位為12.5~32.5莫耳%(較佳為15.5~29莫耳%)之範圍，(II)+(IV)之構成單位為4~10莫耳%(較佳為5~10莫耳%)之範圍。
若(I)之構成單位未滿35莫耳%及多於75莫耳%，則熔點明顯變高，根據情形，製造時聚合物於反應器內固化，無法製造所需之分子量之聚合物，故欠佳。
(II)之構成單位未滿2莫耳%時，即使考慮填充劑之種類、調配量，亦會於成形平面狀連接器時於晶格部產生破裂，故欠佳。又，若多於8莫耳%，則聚合物之耐熱性降低，故欠佳。
若(III)之構成單位未滿4.5莫耳%及多於30.5莫耳%，則熔點明顯變高，根據情形，製造時聚合物於反應器內固化，無法製造所需之分子量之聚合物，故欠佳。
(IV)之構成單位未滿2莫耳%時，即使考慮填充劑之種類、調配量，亦會於成形平面狀連接器時於晶格部產生破裂，故欠佳。又，若多於8莫耳%，則聚合物之耐熱性降低，故欠佳。
又，若(V)之構成單位未滿12.5莫耳%及多於32.5莫耳%，則熔點明顯變高，根據情形，製造時聚合物於反應器內固 化，無法製造所需之分子量之聚合物，故欠佳。
又，(II)+(IV)之構成單位未滿4莫耳%時，藉由顯示聚合物之結晶化狀態之示差熱量測定所求得的聚合物之結晶化熱量變為2.5 J/g以上，即使考慮填充劑之種類、調配量，亦會於成形平面狀連接器時於晶格部產生破裂，故欠佳。結晶化熱量之較佳值為2.3 J/g以下，更佳為2.0 J/g以下。又，若多於10莫耳%，則聚合物之耐熱性降低，故欠佳。
再者，所謂結晶化熱量，係指於示差熱量測定中，由自室溫起以20℃/分鐘之升溫條件測定聚合物時所觀測之吸熱波峰溫度(Tm1)之觀測後，於Tm1+40℃之溫度下保持2分鐘後，以20℃/分鐘之降溫條件測定時所觀測之發熱波峰溫度之波峰求得的發熱波峰之熱量。
再者，於本發明之全芳香族液晶性聚合物中，亦可於不妨礙本發明之目的之範圍內導入少量公知之上述(I)~(V)以外之其他構成單位。
於日本專利特開昭59-43021號公報及日本專利特開平2-16120中，提出一種兼具有耐熱性及易加工性之液晶聚合物，於日本專利特開平2-16120號公報之實施例中，提出一種包含64莫耳%之構成單位(I)、1莫耳%之構成單位(II)、15.5莫耳%之構成單位(III)、2莫耳%之構成單位(IV)、及17.5莫耳%之構成單位(V)之液晶性聚合物，但該液晶性聚合物存在即使製成填充劑之種類、調配量與本案發明相同之 組成物，亦於成形平面狀連接器時於晶格部發生破裂之問題。
對此，於本發明中，將構成單位(I)~(V)之量及構成單位(II)+(IV)之量規制於上述範圍內，藉此可獲得成形性良好，平面度、翹曲變形、耐熱性、耐龜裂性等性能均優異之平面狀連結器。
本發明之全芳香族液晶性聚合物使用直接聚合法及酯交換法而聚合，於聚合時使用熔融聚合法、溶液聚合法、淤漿聚合法、固相聚合法等。
於本發明中，於聚合時，可使用針對聚合單體之醯化劑及作為醯氯化物衍生物之末端經活化之單體。作為醯化劑，可列舉乙酸酐等酸酐等。
於該等聚合時可使用各種觸媒，代表者可列舉：二烷基錫氧化物、二芳基錫氧化物、二氧化鈦、烷氧基鈦矽酸鹽類、醇鈦類、羧酸之鹼及鹼土金屬鹽類、如BF3 之路易斯酸鹽等。觸媒之使用量通常較佳為基於單體之總重量，為約0.001至1重量%，尤佳為約0.003至0.2重量%。
又，於進行溶液聚合或淤漿聚合之情形時，作為溶劑，可使用液態石蠟、高耐熱性合成油、非活性礦物油等。
作為反應條件，反應溫度為200~380℃、最終到達壓力為0.1~760 Torr(即，13~101,080 Pa)。尤其是於熔融反應中，反應溫度為260~380℃，較佳為300~360℃，最終到 達壓力為1~100 Torr(即，133~13,300 Pa)，較佳為1~50 Torr(即，133~6,670 Pa)。
反應可將所有原料單體、醯化劑及觸媒裝入同一反應容器中而開始反應(一段方式)，亦可藉由醯化劑使原料(I)、(II)及(V)之羥基醯化後再使其與(III)及(IV)之羧基反應(二段方式)。
熔融聚合係於反應系統內達到既定溫度後，開始減壓形成既定之減壓度而進行。於攪拌機之扭矩達到既定值後導入惰性氣體，自減壓狀態經由常壓形成既定之加壓狀態而自反應系統內排出聚合物。
藉由上述聚合方法所製造之聚合物可進而藉由在常壓或減壓下，於惰性氣體中加熱之固相聚合而謀求分子量之增加。固相聚合反應之較佳條件係反應溫度為230~350℃、較佳為260~330℃，最終到達壓力為10~760 Torr(即，1330~101,080 Pa)。
液晶性聚合物於熔融時顯示光學異向性係於本發明中兼具有熱穩定性與易加工性方面不可缺少之要素。包含上述構成單位(I)~(V)之全芳香族聚酯根據構成成分及聚合物中之序列分佈，亦存在未形成異向性熔融相者，但本發明之聚合物限於熔融時顯示光學異向性之全芳香族聚酯。
熔融異向性之性質可藉由利用正交偏光片之慣用之偏光檢查方法確認。更加具體而言，熔融異向性之確認可藉由以 下方式實施，即，使用Olympus公司製造之偏光顯微鏡將載於Linkam公司製造之高溫載台上之試樣熔融，於氮氣環境下以150倍之倍率觀察。上述聚合物為光學異向性，於插入正交偏光片間時使光穿透。若試樣為光學異向性，則即使例如於熔融靜止液狀態下亦能使偏光穿透。
作為本發明之加工性之指標，可認為是液晶性及熔點(液晶性表現溫度)。是否顯示液晶性與熔融時之流動性密切相關，本申請案之聚合物於熔融狀態下顯示液晶性是不可缺少的。
向列之液晶性聚合物於熔點以上會明顯發生黏性降低，因而通常於熔點或其以上之溫度下顯示液晶性成為加工性之指標。就耐熱性之觀點而言，熔點(液晶性表現溫度)較佳為儘可能地高，但若考慮聚合物之熔融加工時之熱劣化與成形機之加熱能力等，則理想之目標為390℃以下。再者，更佳為380℃以下。
進而，於高於熔點10~40℃之溫度下，剪切速度1000 sec-1 下之熔融黏度為1×105 Pa．s以下於確保晶格部之流動性方面較佳。進而較佳為5 Pa．s以上、1×102 Pa．s以下。該等熔融黏度可藉由具備液晶性而大致實現。
本發明中使用之複合樹脂組成物係包含上述(A)全芳香族液晶性聚合物、(B)板狀之無機填充劑及(C)玻璃纖維者。
作為本發明中使用之(B)板狀填充劑，可列舉滑石、雲母、 玻璃薄片、各種金屬箔等，較佳為選自滑石、雲母中之1種以上。又，關於(B)板狀填充劑之平均粒徑，並無特別限定，若考慮薄壁部之流動性，則較理想為較小者，但為減小翹曲變形而必需維持一定大小。具體而言，為1~100μm，較理想為5~50μm。
本發明中使用之(C)玻璃纖維較佳為重量平均纖維長為250~800μm。若重量平均纖維長超過800μm，則流動性變差而無法成形，或者即使成形亦無法形成平面度優異之連接器，或者於重量平均纖維長未滿250μm之情形時，存在耐龜裂性低劣，於成形品之晶格部產生破裂而欠佳之情形。
又，(C)玻璃纖維之纖維徑並無特別限制，通常使用5~15μm左右者。
又，本發明中使用之複合樹脂組成物必需使(B)成分相對於組成物整體為15~25重量%，(C)成分相對於組成物整體為10~25重量%，且(B)成分與(C)成分之合計相對於組成物整體為30~40重量%(較佳為30~35重量%)。
若(B)成分少於15重量%，則翹曲變形量變大而欠佳，若多於25重量%，則耐龜裂性低劣，於成形品之晶格部產生破裂而欠佳。若(C)成分少於10重量%或多於25重量%，則耐龜裂性低劣，於成形品之晶格部產生破裂而欠佳。又，若(B)成分與(C)成分之合計相對於組成物整體少於30重量份，則耐熱性降低而欠佳，若多於40重量份，則耐龜裂性 低劣，於成形品之晶格部產生破裂而欠佳。
藉由成形本發明之複合樹脂組成物，可獲得各種平面狀連接器，對先前未提供於工業上具有實用性者之、晶格部之間距間隔為1.5 mm以下、保持端子之晶格部之樹脂部分寬度為0.5 mm以下、製品整體之高度為5.0 mm以下的非常薄之平面狀連接器尤為有效。
若進一步詳細說明此種平面狀連接器，則為於實施例中成形之如圖1所示之連接器，其係包含厚度為4.0 mm以下之外框部與厚度為4.0 mm以下之晶格部，且於40 mm×40 mm×1 mm左右之製品中在晶格部具有數百個接腳孔數者。 如圖1所示，形成晶格部之間距間隔為1.5 mm以下、保持端子之樹脂部分之寬度為0.5 mm以下的非常難以射出成形之形狀。再者，本發明中所述之平面狀連接器亦包括於晶格部中具有適當大小之開口部者。
藉由使用本發明之複合樹脂組成物，如圖1所示，可成形性良好地成形晶格部之間距間隔為1.5 mm以下(1.2 mm)、保持端子之晶格部之樹脂部分之寬度為0.5 mm(0.18 mm)的晶格部之樹脂部分之寬度非常薄之平面狀連接器，其平面度亦優異。
若以數值規定該平面度，則於波峰溫度230℃~280℃下，經過用於表面安裝之IR回焊步驟前之平面度為0.05 mm以下，再者，回焊前後之平面度之差為0.10 mm以下者可謂 於實用上具有優異之平面度者。
作為獲得此種具有優異之平面度之連接器之成形方法，並無特別限制，較佳為使用經濟性之射出成形方法。為藉由射出成形獲得此種具有優異之平面度之連接器，重要的是使用上述液晶聚合物組成物，較佳為選擇無殘留內部應力之成形條件。為降低填充壓力而降低所得連接器之殘留內部應力降低，成形機之料缸溫度較佳為液晶性聚合物之熔點T℃以上之溫度，又，若料缸溫度過高，則會產生伴隨樹脂之分解等而自料缸流掛等問題，因而料缸溫度為T℃~(T+30)℃，較佳為T℃~(T+15)℃。又，模具溫度較佳為70℃~100℃。若模具溫度過低，則填充樹脂組成物產生流動不良而欠佳，若模具溫度過高，則會產生發生毛邊等問題而欠佳。關於射出速度，較佳為以150 mm/sec以上之速度成形。若射出速度較低，則有只能獲得未填充成形品之情形，或即使獲得完全填充之成形品亦成為填充壓力較高而殘留內部應力較大之成形品，從而只能獲得平面度較差之連接器之情形。
再者，對複合樹脂組成物添加成核劑、碳黑、無機煅燒顏料等顏料、抗氧化劑、穩定劑、塑化劑、潤滑劑、脫模劑及難燃劑等添加劑而賦予所需特性之組成物亦包含於本發明所言及之複合樹脂組成物之範圍中。
[實施例]
以下，藉由實施例具體說明本發明，但本發明並不限定於 該等。再者，實施例中之物性之測定及試驗係藉由以下方法進行。
(1)表觀熔融黏度
使用L=20 mm、d=1 mm之東洋精機股份有限公司製造之Capillograph1B型，於高於熔點10~20℃之溫度下，以1000/s之剪切速度，依據ISO11443測定表觀熔融黏度。
(2)連接器之平面度之測定
於下述成形條件下，自樹脂組成物顆粒物射出成形如圖1所示之整體大小為39.82 mm×41.82 mm×1 mmt、晶格部間距間隔為1.2 mm之平面狀連接器(接腳數750個)。
再者，澆口(gate)係使用自長度較長之邊(41.82 mm之邊)之膜澆口，將澆口厚度設為0.3 mm。
將所得之連接器靜置於水平之桌子上，藉由Mitutoyo製造之Quick Vision404PROCNC圖像測定機測定連接器之高度。此時，自端面以10 mm間隔測定0.5 mm之位置，將最大高度與最小高度之差作為平面度。
進而，進行下述條件之IR回焊，藉由上述方法測定平面度，求出回焊前後之平面度之差。
[回焊條件]
測定機：日本脈衝技術研究所(Japan Pulse Laboratories,Inc)製造之大型桌上回焊裝置RF-300(使用遠紅外線加熱器)
試樣送出速度：140 mm/sec
回焊爐通過時間：5 min
溫度條件預熱區：150℃，回焊區：225℃，波峰溫度：287℃
[成形條件]
成形機：住友重機械工業SE30DUZ
料缸溫度：
(噴嘴)360℃-365℃-340℃-330℃(實施例1~6、比較例8)
370℃-370℃-370℃-380℃(比較例1~2)
350℃-350℃-340℃-330℃(比較例3~7)
模具溫度：80℃
射出速度：300 mm/sec
保壓力：50 MPa
保壓時間：2 sec
冷卻時間：10 sec
螺桿轉速：120 rpm
螺桿背壓：1.2 MPa
(3)液晶性聚合物之熔點
藉由Perkin Elmer公司製造之DSC(Differential Scanning Calorimeter，示差掃描熱析儀)，觀測自室溫起以20℃/分鐘之升溫條件測定聚合物時所觀測之吸熱波峰溫度(Tm1)後，於(Tm1+40)℃之溫度下保持2分鐘後，以20℃/分鐘之降溫條件暫時冷卻至室溫後，再次測定以20℃/分鐘之升溫條 件測定時所觀測之吸熱波峰之溫度。
(4)最小填充壓力
將於射出成形圖1之平面狀連接器時可獲得良好之成形品之最小射出填充壓力作為最小填充壓力。
(5)負重下之彎曲溫度
於下述成形條件下分別射出成形含有板狀填充劑及玻璃纖維之液晶性聚合物組成物，依據ISO75-1,2進行測定。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業SE100DU
料缸溫度：
(噴嘴)360℃-370℃-370℃-360℃-340℃-330℃(實施例1~6、比較例8)
370℃-370℃-370℃-370℃-370℃-380℃(比較例1~2)
350℃-350℃-350℃-350℃-340℃-330℃(比較例3~7)
模具溫度：80℃
射出速度：2 m/min
保壓力：50 MPa
保壓時間：2 sec
冷卻時間：10 sec
螺桿轉速：120 rpm
螺桿背壓：1.2 MPa
(6)耐龜裂性
分別使用射出成形機將含有板狀填充劑及玻璃纖維之液晶性聚合物組成物以下述成形條件射出成形為圖2所示之成形品。圖2所示之評價用射出成形品中，外周之直徑：23.6 mm，於內部打開有31個3.2 mm之孔，孔間距離之最小壁厚為0.16 mm。澆口採用圖2之箭頭部之3點澆口。
觀察射出成形後之成形品，將射出速度為50 mm/sec及150 mm/sec之情形時成形品上未產生破裂者設為◎，將於射出速度為150 mm/sec之情形時成形品上未產生破裂者設為○，將無論何種情形成形品上均產生破裂之情形設為×。
[成形條件]
成形機：住友重機械工業SE30DUZ
料缸溫度：
(噴嘴)370℃-375℃-360℃-350℃(實施例1~6、比較例8)
360℃-360℃-360℃-370℃(比較例1~2)
350℃-350℃-340℃-330℃(比較例3~7)
模具溫度：140℃
射出速度：50 mm/sec或150 mm/sec
保壓力：100 MPa
保壓時間：2 sec
冷卻時間：10 sec
螺桿轉速：120 rpm
螺桿背壓：1.2 MPa
[實施例1~6及比較例1~8]
於下述條件下製作含有板狀填充劑及玻璃纖維之液晶性聚合物組成物之上述試驗片，評價後，獲得表1所示之結果。
(使用成分) 液晶性聚合物1 [製造條件]
於具備攪拌機、回流管柱、單體投入口、氮氣導入口、減壓/流出線之聚合容器中加入以下原料單體、金屬觸媒、醯化劑，開始氮氣置換。
(I)2-羥基-6-萘甲酸166 g(48莫耳%)(HNA)
(II)對苯二甲酸76 g(25莫耳%)(TA)
(III)4,4'-二羥基聯苯86 g(25莫耳%)(BP)
(IV)4-羥基苯甲酸5 g(2莫耳%)(HBA)
乙酸鉀觸媒22.5 mg
乙酸酐191 g
加入原料後，將反應系統之溫度升高至140℃，於140℃下反應1小時。其後，進而歷時5.5小時升溫至360℃，其後歷時30分鐘減壓至5 Torr(即667 Pa)，一面餾出乙酸、過剩之乙酸酐、其他低沸分，一面進行聚合。於攪拌扭矩達到既定值後，導入氮氣，自減壓狀態經由常壓形成加壓狀態，自聚合容器之下部排出聚合物，將股線進行造粒而實現顆粒化。
對於所得之顆粒，於氮氣氣流下，在300℃下進行8小時之熱處理。顆粒之熔點為349℃，結晶化熱量為5.6 J/g，熔融黏度為23 Pa．s。
液晶性聚合物2 [製造條件]
於具備攪拌機、回流管柱、單體投入口、氮氣導入口、減壓/流出線之聚合容器中加入以下原料單體、金屬觸媒、醯化劑，開始氮氣置換。
(I)4-羥基苯甲酸：188.4 g(60莫耳%)(HBA)
(II)6-羥基-2-萘甲酸：21.4 g(5莫耳%)(HNA)
(III)對苯二甲酸：66.8 g(17.7莫耳%)(TA)
(IV)4,4'-二羥基聯苯：52.2 g(12.3莫耳%)(BP)
(V)4-乙醯氧胺基苯酚17.2 g(5莫耳%)(APAP)
乙酸鉀觸媒15 mg
乙酸酐226.2 g
加入原料後，將反應系統之溫度升高至140℃，於140℃下反應1小時。其後，進而歷時4.5小時升溫至340℃，其後歷時15分鐘減壓至10 Torr(即667 Pa)，一面餾出乙酸、過剩之乙酸酐、其他低沸分，一面進行聚合。於攪拌扭矩達到既定值後，導入氮氣，自減壓狀態經由常壓形成加壓狀態，自聚合容器之下部排出聚合物，將股線進行造粒而實現顆粒化。
液晶性聚合物2之熔點為334℃，結晶化熱量為2.7 J/g，熔融黏度為18 Pa．s。
液晶性聚合物3 [製造條件]
於具備攪拌機、回流管柱、單體投入口、氮氣導入口、減壓/流出線之聚合容器中加入以下原料單體、金屬觸媒、醯化劑，開始氮氣置換。
(I)4-羥基苯甲酸1041 g(48莫耳%)(HBA)
(II)6-羥基-2-萘甲酸89 g(3莫耳%)(HNA)
(III)對苯二甲酸565 g(21.7莫耳%)(TA)
(IV)間苯二甲酸78 g(3莫耳%)(IA)
(V)4,4'-二羥基聯苯711 g(24.3莫耳%)(BP)
乙酸鉀觸媒110 mg
乙酸酐1645 g
加入原料後，將反應系統之溫度升高至140℃，於140℃下反應1個小時。其後，進而歷時5.5小時升溫至360℃，其後歷時20分鐘減壓至10 Torr(即1330 Pa)，一面餾出乙酸、過剩之乙酸酐、其他低沸分，一面進行聚合。於攪拌扭矩達到既定值後，導入氮氣，自減壓狀態經由常壓形成加壓狀態，自聚合容器之下部排出聚合物，將股線進行造粒而實現顆粒化。
所得液晶性聚合物之熔點為358℃，結晶化熱量為1.6 J/g，熔融黏度為9 Pa．s。
(B)板狀填充劑
．雲母：山口雲母工業股份有限公司製造之AB-25S，平均粒徑25μm
．滑石：松村產業股份有限公司製造之Crowntalc PP，平均粒徑10μm
(C)玻璃纖維
．玻璃纖維：日本電氣硝子股份有限公司製造之ECS03T-786H，纖維徑10μm、長3mm之切股、磨碎纖維；日東紡股份有限公司製造之PF70E001(纖維徑10μm、纖維長70μm)
圖1係表示於實施例中成形之平面狀連接器之圖，(a)為俯視圖，(b)為A部分之詳圖。又，圖中數值之單位為mm。
圖2係表示於實施例中用於成形品之耐龜裂性評價中的成形品之圖，(a)為其俯視圖，(b)為表示其尺寸之圖。又，圖中數值之單位為mm。

Claims (2)

  1. 一種平面狀連接器，其特徵在於由如下複合樹脂組成物所形成，且為於外框之內部具有晶格構造，晶格部之間距間隔為1.5mm以下之構造；該複合樹脂組成物包含(A)熔融時顯示光學異向性之全芳香族聚酯、(B)板狀之無機填充劑及(C)玻璃纖維，(B)成分相對於組成物整體為15~25重量%，(C)成分相對於組成物整體為10~25重量%，且(B)成分與(C)成分之合計相對於組成物整體為30~40重量%；上述(A)係包含下述通式(I)、(II)、(III)、(IV)及(V)所表示之構成單位作為必需之構成成分，且相對於總構成單位，(I)之構成單位為35~75莫耳%，(II)之構成單位為3~7莫耳%，(III)之構成單位為4.5~30.5莫耳%，(IV)之構成單位為2~8莫耳%，(V)之構成單位為12.5~32.5莫耳%，(II)+(IV)之構成單位為4~10莫耳%； 此處，Ar1 為 Ar2 為 Ar3 為 Ar4 為
  2. 如申請專利範圍第1項之平面狀連接器，其中，(B)板狀之無機填充劑係選自滑石、雲母中之1種以上。
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