TWI481643B - A reflector for LED and a light-emitting device provided with the same - Google Patents

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Description

LED用反射板及具備其之發光裝置
本發明係關於一種使用包含聚醯胺之組成物之LED用反射板、及具備其之發光裝置。
近年來，LED、有機EL等新光源具有低消耗電力、低環境負荷等優點，作為顯示元件、照明等不斷擴大需要。尤其LED用於行動電話等移動通信機器、個人電腦或液晶TV(television，電視)等之顯示器、汽車之控制面板或車內照明、信號機、其他家電用品等各種電氣電子機器產品。
LED通常係由發光之半導體元件(LED)、引線、兼作為外殼之反射板、密封半導體元件之透明之密封劑所構成。其中，關於反射板，使用陶瓷或耐熱塑膠等各種材料。然而，於將陶瓷用於反射板之情形時生產性或初始反射率之低程度成為問題，於使用耐熱塑膠之情形時，存在100～200℃下達數小時左右之導電接著劑或密封劑之熱硬化步驟中的耐熱性之問題，或於使用環境下因變色引起之光反射率下降之問題。
又，近年來，液晶顯示板或照明等用途中市場急速成長之白色LED中所使用之反射板中，由於對應於藍色LED之波長之平均波長為460 nm附近之反射率越高則亮度越高，故而謀求平均波長為460 nm附近之反射率較高。
至今為止，作為可成形為燈管反射罩等反射鏡等之聚醯胺樹脂組成物，揭示有一種聚醯胺組成物，該組成物係於包含含有60～100莫耳%之對苯二甲酸單元之二羧酸單元、及含有60～100莫耳%之碳數6～18之脂肪族伸烷基二胺單元之二胺單元的聚醯胺中調配有具有特定平均粒徑之無機填充劑的聚醯胺組成物，其係可提供吸濕時之耐熱性、尺寸穩定性、表面平滑性優異，並且表面外觀美麗之成形品(參照專利文獻1)。
又，作為LED等發光裝置用反射板材料，提出有於特定之半芳香族聚醯胺中分別含有特定量之鈦酸鉀纖維及/或矽灰石之反射板用樹脂組成物(參照專利文獻2)。該反射板用樹脂組成物無損半芳香族聚醯胺所具有之有用之物性，且於光反射率、白度、成形加工性、機械強度、尺寸穩定性、耐熱性、吸濕性方面具有高水準之物性，尤其遮光性優異，即便暴露於高溫下亦不引起變色而可維持白度(參照專利文獻2)。
又，提出有藉由使用於包含含有對苯二甲酸單元之二羧酸單元及含有1,9-壬二胺單元及/或2-甲基-1,8-辛二胺單元之二胺單元的半芳香族聚醯胺中使用有選自由氧化鈦、氫氧化鎂、纖維狀填充劑及針狀填充劑所組成之群中之至少1種補強材料的聚醯胺樹脂組成物，而可製造即便進行設想LED之製造步驟之高溫加熱處理，亦不變色而維持較高之白度，且可見光區域中之反射率特性優異之LED用反射板(參照專利文獻3)。
專利文獻1：日本特開2000-204244號公報
專利文獻2：日本特開2002-294070號公報
專利文獻3：日本特開2006-257314號公報
然而，利用上述專利文獻1～3中記載之方法無法充分滿足近年來提高之對LED之高亮度化或高壽命化等要求性能。
本發明之目的在於提供一種經過長時間照射LED光後亦維持較高之反射率及白度之使用聚醯胺組成物的LED用反射板、及具備該LED用反射板之發光裝置。
為解決上述課題反覆進行努力研究，結果本發明者等人發現包含聚醯胺(A)之組成物顯示出優異之耐熱性、耐光性，該聚醯胺(A)具有：包含具有特定結構之二羧酸單元之二羧酸單元、及包含具有特定結構之脂肪族二胺單元之二胺單元，從而完成本發明。
本發明係一種LED用反射板，其包含含有聚醯胺(A)之聚醯胺組成物，該聚醯胺(A)具有：包含50～100莫耳%之1,4-環己烷二甲酸單元之二羧酸單元、及包含50～100莫耳%之碳數4～18之脂肪族二胺單元的二胺單元。
本發明又係一種發光裝置，其具備該LED用反射板。
使用本發明之聚醯胺組成物之LED用反射板經過長時間照射LED光後亦可維持較高之反射率及白度。
本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物含有：具有包含50～100莫耳之1,4-環己烷二甲酸單元之二羧酸單元、及包含50～100莫耳%之碳數4～18之脂肪族二胺單元之二胺單元的聚醯胺(A)，視需要可進而含有氧化鈦等填充劑(B)、玻璃纖維或矽灰石等補強材料(C)、光穩定劑(D)、氧化鎂及/或氫氧化鎂(E)。
構成本發明中所使用之聚醯胺(A)之二羧酸單元係：於50～100莫耳%、較佳為60～100莫耳%、更佳為70～100莫耳%、特佳為90～100莫耳%之範圍內含有1,4-環己烷二甲酸單元。於二羧酸單元中之1,4-環己烷二甲酸單元之含有率未達50莫耳%之情形時，所獲得之聚醯胺組成物之耐光性下降。再者，1,4-環己烷二甲酸之順式：反式比可為任意之範圍。
通常耐熱性聚醯胺於其結構中包含芳香環結構(參照專利文獻1～3)。本發明者等人推定將包含芳香環結構之耐熱性聚醯胺用於LED用反射板之情形時，藉由該芳香環結構劣化而生成成為發色團之羧基，進行反射板之著色，而變得不顯示充分之反射率或白度。
因此，本發明中發現藉由使用不含芳香環之1,4-環己烷二甲酸單元作為構成聚醯胺(A)之二羧酸單元，而抑制劣化所伴隨之羧基之生成，即便用於LED用反射板，亦維持優異之反射率及白度。再者，於下述實施例中確認上述效果。
聚醯胺(A)可於無損本發明之效果之範圍內包含除1,4-環己烷二甲酸單元以外之其他二羧酸單元。作為除1,4-環己烷二甲酸單元以外之其他二羧酸單元，例如可列舉由如下酸所衍生之單元：丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、二甲基丙二酸、3,3-二乙基琥珀酸、2,2-二甲基戊二酸、2-甲基己二酸、三甲基己二酸等脂肪族二羧酸；1,3-環戊烷二甲酸、1,3-環己烷二甲酸、環庚烷二甲酸、環辛烷二甲酸、環癸烷二甲酸等脂環式二羧酸；對苯二甲酸、間苯二甲酸、1,4-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸、聯苯二甲酸、4,4'-聯苯二甲酸、二苯甲烷-4,4'-二甲酸、二苯基碸-4,4'-二甲酸等芳香族二羧酸等，該等單元可為1種或2種以上。
進而，亦可於無損聚醯胺組成物所具有之上述性質之範圍內包含由偏苯三甲酸、均苯三酸、均苯四甲酸等3元以上之多元羧酸所衍生之單元。
作為構成本發明中所使用之聚醯胺(A)之二胺單元，於50～100莫耳%、較佳為60～100莫耳%、更佳為70～100莫耳%、特佳為90～100莫耳%之範圍內含有碳數4～18之脂肪族二胺單元。若碳數4～18之脂肪族二胺單元之含量為50莫耳%以上，則所獲得之聚醯胺樹脂之耐熱性或成形性優異。
作為碳數4～18之脂肪族二胺單元，例如可列舉由如下二胺所衍生之單元：1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,11-十一烷二胺、1,12-十二烷二胺等直鏈狀脂肪族二胺；1-丁基-1,2-乙二胺、1,1-二甲基-1,4-丁二胺、1-乙基-1,4-丁二胺、1,2-二甲基-1,4-丁二胺、1,3-二甲基-1,4-丁二胺、1,4-二甲基-1,4-丁二胺、2,3-二甲基-1,4-丁二胺、2-甲基-1,5-戊二胺、3-甲基-1,5-戊二胺、2,5-二甲基-1,6-己二胺、2,4-二甲基-1,6-己二胺、3,3-二甲基-1,6-己二胺、2,2-二甲基-1,6-己二胺、2,2,4-三甲基-1,6-己二胺、2,4,4-三甲基-1,6-己二胺、2,4-二乙基-1,6-己二胺、2,2-二甲基-1,7-庚二胺、2,3-二甲基-1,7-庚二胺、2,4-二甲基-1,7-庚二胺、2,5-二甲基-1,7-庚二胺、2-甲基-1,8-辛二胺、3-甲基-1,8-辛二胺、4-甲基-1,8-辛二胺、1,3-二甲基-1,8-辛二胺、1,4-二甲基-1,8-辛二胺、2,4-二甲基-1,8-辛二胺、3,4-二甲基-1,8-辛二胺、4,5-二甲基-1,8-辛二胺、2,2-二甲基-1,8-辛二胺、3,3-二甲基-1,8-辛二胺、4,4-二甲基-1,8-辛二胺、5-甲基-1,9-壬二胺等支鏈狀脂肪族二胺等，可包含該等中之1種或2種以上。
就可獲得耐熱性、低吸水性、耐化學性等各種物性優異之LED用反射板之觀點而言，上述二胺單元較佳為由如下二胺所衍生之單元：1,4-丁二胺、1,6-己二胺、2-甲基-1,5-戊二胺、1,8-辛二胺、2-甲基-1,8-辛二胺、1,9-壬二胺、1,10-癸二胺、1,11-十一烷二胺、1,12-十二烷二胺，更佳為1,9-壬二胺單元及/或2-甲基-1,8-辛二胺單元。又，就維持所獲得之聚醯胺(A)之耐熱性之觀點而言，較佳為碳數4～18之脂肪族二胺單元之55莫耳%以上為直鏈狀二胺單元。
上述二胺單元亦可於無損本發明之效果之範圍內包含除碳數4～18之脂肪族二胺單元以外之二胺單元。作為其他二胺單元，例如可列舉：由如下二胺所衍生之單元：乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺等脂肪族二胺；環己二胺、甲基環己二胺、異佛爾酮二胺、降冰片烷二甲基胺、三環癸烷二甲基胺等脂環式二胺；對苯二胺、間苯二胺、對二甲苯二胺、間二甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基醚等芳香族二胺等，可包含該等中之1種或2種以上。二胺單元中之該等其他二胺單元之含有率較佳為40莫耳%以下，更佳為25莫耳%以下，進而更佳為10莫耳%以下。
又，聚醯胺(A)亦可包含胺基羧酸單元。作為胺基羧酸單元，例如可列舉由己內醯胺、十二內醯胺等內醯胺；11-胺基十一酸、12-胺基十二酸等胺基羧酸等所衍生之單元。聚醯胺(A)中之胺基羧酸單元之含有率相對於聚醯胺(A)之二羧酸單元與二胺單元之總計100莫耳%，較佳為40莫耳%以下之比例，更佳為20莫耳%以下之比例。
又，聚醯胺(A)亦可包含源自末端密封劑之單元。源自末端密封劑之單元之含量相對於上述二胺單元，較佳為3～10莫耳%，更佳為3.5～8.5莫耳%。藉由使相對於二胺單元之源自末端密封劑之單元為上述範圍內，而所獲得之聚醯胺樹脂之耐光性或耐熱性、成形性提高。
為使源自末端密封劑之單元為上述所需範圍內，藉由於添加聚合原料時相對於二胺以成為上述所需範圍之方式添加末端密封劑而進行。再者，較理想的是考慮聚合時單體成分會揮發，而微調整添加聚合原料時之末端密封劑之添加量，以使所需量之源自末端密封劑之單元導入至所獲得之樹脂中。
作為求出聚醯胺(A)中之源自末端密封劑之單元的方法，如日本專利特開平07-228690號公報所示，可列舉：測定溶液黏度，根據其與數量平均分子量之關係式算出總末端基量，繼而減去藉由滴定而求出之胺基量與羧基量之方法；或使用1 H-NMR，根據與二胺單元及源自末端密封劑之單元各自相對應之訊號的積分值而求出之方法等。
作為末端密封劑，可使用具有與末端胺基或末端羧基之反應性的單官能性化合物。具體而言，可列舉：一元羧酸、酸酐、單異氰酸酯、一元酸鹵化物、單酯類、單醇類、單胺等，就反應性及密封末端之穩定性等方面而言，作為針對末端胺基之末端密封劑，較佳為是一元羧酸，作為針對末端羧基之末端密封劑，較佳為是單胺。又，就操作之容易度等觀點而言，作為末端密封劑，更佳為一元羧酸。
作為用作末端密封劑之一元羧酸，只要為具有與胺基之反應性者，則無特別限制，例如可列舉：乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、辛酸、十二酸、十三酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、三甲基乙酸、異丁酸等脂肪族一元羧酸；環戊烷甲酸、環己烷甲酸等脂環式一元羧酸；苯甲酸、甲苯甲酸、α-萘甲酸、β-萘甲酸、甲基萘甲酸、苯基乙酸等芳香族一元羧酸；該等之任意混合物等。該等中，就反應性、密封末端之穩定性、價格等方面而言，較佳為乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、辛酸、十二酸、十三酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、苯甲酸。
作為用作末端密封劑之單胺，只要為具有與羧基之反應性者，則無特別限制，例如可列舉：甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、己基胺、辛基胺、癸基胺、十八烷基胺、二甲基胺、二乙基胺、二丙基胺、二丁基胺等脂肪族單胺；環己基胺、二環己基胺等脂環式單胺；苯胺、甲苯胺、二苯基胺、萘基胺等芳香族單胺；該等之任意混合物等。該等中，就反應性、高沸點、密封末端之穩定性及價格等方面而言，較佳為丁基胺、己基胺、辛基胺、癸基胺、十八烷基胺、環己基胺、苯胺。
本實施形態之聚醯胺(A)中之1,4-環己烷二甲酸單元係作為反式體及順式體之幾何異構物之混合物而存在。聚醯胺(A)中之1,4-環己烷二甲酸單元之反式體-順式體轉變係可逆地進行，因此根據製造聚醯胺(A)之條件、製造聚醯胺組成物之條件、及製造LED用反射板之條件而規定唯一之反式體與順式體之比率。本實施形態之聚醯胺(A)之熔點等物性根據1,4-環己烷二甲酸單元之反式體與順式體之比率而發生變化，因此視需要以成為所需比率之方式調整各步驟之製造條件。
本發明中所使用之聚醯胺(A)可使用作為製造結晶性聚醯胺之方法而眾所周知之任意方法而製造。例如可藉由以醯氯與二胺為原料之溶液聚合法或界面聚合法、以二羧酸與二胺為原料之熔融聚合法、固相聚合法、熔態擠壓聚合法等方法而製造。
聚醯胺(A)例如可藉由如下方式而製造：最初總括添加二胺、二羧酸、及視需要之觸媒或末端密封劑而製造尼龍鹽後，於200～250℃之溫度下進行加熱聚合而製成預聚物，進而進行固相聚合或使用熔態擠壓機進行聚合。於藉由固相聚合進行聚合之最終階段之情形時，較佳為於減壓下或惰性氣體流動下進行，若聚合溫度為200～280℃之範圍內，則聚合速度較大，生產性優異，可有效地抑制著色或凝膠化。作為利用熔態擠壓機進行聚合之最終階段之情形時的聚合溫度，較佳為370℃以下，若於該條件下聚合，則獲得幾乎未分解、劣化較少之聚醯胺(A)。
作為製造聚醯胺(A)時可使用之觸媒，例如可列舉：磷酸、亞磷酸、次亞磷酸、其等之鹽或酯。作為上述鹽或酯，可列舉：磷酸、亞磷酸或次亞磷酸與鉀、鈉、鎂、釩、鈣、鋅、鈷、錳、錫、鎢、鍺、鈦、銻等金屬之鹽；磷酸、亞磷酸或次亞磷酸之銨鹽；磷酸、亞磷酸或次亞磷酸之乙酯、異丙酯、丁酯、己酯、異癸酯、十八烷基酯、癸酯、十八烷基酯、苯酯等。
聚醯胺(A)之含量相對於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物整體的質量(100質量%)，較佳為35～97質量%，更佳為40～90質量%。若未達35質量%，則會有反射板之成形變得困難的情形，若超過97質量%，則會有反射板之反射率或白度不充分的情形。
上述聚醯胺組成物中亦可含有填充劑(B)。填充劑(B)之折射率較佳為1.9～3.0。於折射率未達1.9之情形時，會有所獲得之反射板之反射率下降的情形，於折射率大於3.0之情形時，會有組成物著色，不合適於反射板之用途的情形。再者，本說明書中所謂「折射率」係表示將真空之折射率設為1.0之情形時之絕對折射率。
作為填充劑(B)，例如可列舉：硫化鋅、硫化鍶、硫化鋇、鈦酸鍶、鈦酸鉛、鈦酸鋇、氧化鋅、氧化銻、氧化鈦、氧化鋯、鉛白、氯化銀、鑽石等，可使用該等中之1種或2種以上。該等中，就安全性、獲取之容易度、價格、操作之容易度等觀點而言，較佳為氧化鈦。作為氧化鈦，例如可列舉：氧化鈦(TiO)、三氧化鈦(Ti2 O3 )、二氧化鈦(TiO2 )等，可使用該等之任一者，較佳為二氧化鈦。又，作為二氧化鈦，較佳為具有金紅石型或銳鈦礦型結晶結構者，更佳為具有金紅石型結晶結構者。
本發明中所使用之填充劑(B)之含量相對於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物整體的質量，較佳為3～50質量%，更佳為10～35質量%。若未達3質量%，則會有反射板之反射率或白度不充分的情形，若超過50質量%，則會有反射板成形變得困難的情形。
填充劑(B)之平均粒徑過小或過大，均存在光反射率下降之情形，因此較佳為0.1～0.5μm，更佳為0.15～0.4μm，特佳為0.2～0.3μm之範圍內。此處，亦可使用如下者：將塊狀者或平均粒徑較大者適當粉碎，視需要藉由篩等進行分級，成為上述平均粒徑。
又，作為填充劑(B)，亦可使用實施表面處理者。作為表面處理劑，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫、氧化銻、氧化鋅等金屬氧化物；矽烷偶合劑、聚矽氧等有機矽化合物；鈦偶合劑等有機鈦化合物；有機酸、多元醇等有機物等。
上述聚醯胺組成物中亦可含有補強材料(C)。作為補強材料(C)，可使用具有纖維狀、平板狀、針狀、交叉狀等各種形態者。具體可列舉：玻璃纖維、碳纖維、醯胺纖維、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer)纖維、金屬纖維等纖維狀補強材料；雲母、滑石等平板狀補強材料；鈦酸鉀晶鬚、硼酸鋁晶鬚、碳酸鈣晶鬚、硫酸鎂晶鬚、矽灰石、海泡石、硬矽鈣石、氧化鋅晶鬚等針狀補強材料；二氧化矽、氧化鋁、碳酸鋇、碳酸鎂、氮化鋁、氮化硼、鈦酸鉀、矽酸鋁(高嶺土、黏土、葉臘石、膨潤土)、矽酸鈣、矽酸鎂(厄帖浦石)、硼酸鋁、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鎂、石棉、玻璃珠、石墨、碳奈米管、碳化矽、絹雲母、水滑石、二硫化鉬、酚系樹脂、交聯苯乙烯系樹脂、交聯丙烯酸系樹脂等補強材料等。該等補強材料(C)可單獨使用1種或併用2種以上。亦可藉由矽烷偶合劑、鈦偶合劑、丙烯酸系樹脂、胺酯樹脂、環氧樹脂等高分子或其他低分子化合物對該等補強材料(C)之表面進行表面處理，以提高於聚醯胺(A)中之分散性，或提高與聚醯胺(A)之接著性。
上述補強材料(C)中，就為低成本，獲得力學強度較高之成形品方面而言，較佳為纖維狀補強材料及/或針狀補強材料。該補強材料就高強度、低成本之觀點而言，較佳為使用玻璃纖維，就獲得表面平滑性較高之成形品之觀點而言，較佳為使用針狀補強材料。尤其就保持白度之觀點而言，可較佳地使用選自由玻璃纖維、矽灰石、鈦酸鉀晶鬚、碳酸鈣晶鬚、及硼酸鋁晶鬚所組成之群中之至少1種，可更佳地使用玻璃纖維及/或矽灰石。
於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物含有補強材料(C)之情形時，其量相對於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物整體的質量，較佳為5～50質量%之範圍，更佳為10～35質量%之範圍。若超過50質量%，則會有成形性下降的情形，若少於5質量%，則會有無法獲得耐熱性、尺寸穩定性、表面平滑性優異之成形品的情形。
本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物可進而含有光穩定劑(D)，以防止變色，抑制光反射率之下降。作為光穩定劑，可列舉：二苯甲酮系化合物、水楊酸酯系化合物、苯并三唑系化合物、丙烯腈系化合物、其他共軛系化合物等具有紫外線吸收效果之化合物；受阻胺系化合物等具有自由基捕獲能力之化合物等。尤其就與聚醯胺(A)之親和性較高，耐熱性亦優異之觀點而言，較佳為於分子內具有醯胺鍵之化合物。又，若將具有紫外線吸收效果之化合物與具有自由基捕獲能力之化合物併用，則表現出更高之穩定化效果，因此較佳。
於含有光穩定劑(D)之情形時，若考慮防止本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物之變色及抑制光反射率之下降的效果、與不過度增大製造成本之觀點，則該光穩定劑之量相對於本發明之LED用反射板所使用之聚醯胺組成物整體的質量，較佳為2質量%以下，更佳為0.05～2質量%。再者，該等光穩定劑亦可併用2種以上而使用。
本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物亦可含有氧化鎂及/或氫氧化鎂(E)。藉此，尤其於進行長時間加熱處理時，亦可抑制黃變等變色或白度之下降。
氧化鎂及/或氫氧化鎂(E)之平均粒徑並無特別限制，就提高各種物性之觀點而言，較佳為0.05～10μm，更佳為0.1～5μm。又，為提高與聚醯胺(A)之密著性及分散性，亦可使用實施表面處理者。作為表面處理劑，例如可列舉：胺基矽烷、環氧矽烷等矽烷偶合劑，聚矽氧等有機矽化合物；鈦偶合劑等有機鈦化合物；有機酸、多元醇等有機物等。
於含有氧化鎂及/或氫氧化鎂(E)之情形時，其量相對於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物整體的質量，較佳為0.5～10質量%之範圍，更佳為1～5質量%之範圍。若該含量未達0.5質量%，則會有抑制加熱處理後之變色之效果較小的情形，若超過10質量%，則會有成形性下降的情形。
進而，本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物中亦可進而調配如下其他成分：碳黑、苯胺黑、其他有機系或無機系著色劑；亞磷酸、磷酸、亞膦酸或其等之酯等熱穩定劑；受阻酚系、硫系、磷系等抗氧化劑；抗靜電劑；結晶核劑；塑化劑；聚烯烴蠟、高級脂肪酸酯等蠟類；聚矽氧油等脫模劑；潤滑劑等。於本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物中調配其他成分之情形時，其量較佳為5質量%以下。
本發明之LED用反射板中所使用之聚醯胺組成物可藉由依據公知之方法調配上述各構成成分而製備。例如，可列舉：於聚醯胺(A)之聚縮合反應時添加各成分之方法；將聚醯胺(A)與其他成分乾摻之方法；使用擠出機將各構成成分熔融混練之方法等。該等中，就容易操作，獲得均勻之組成物等而言，較佳為使用擠出機將各構成成分熔融混練之方法。此時所使用之擠出機較佳為雙軸螺旋型者，作為熔融混練溫度，較佳為自比聚醯胺(A)之熔點高5℃之溫度至370℃以下之範圍內。
本發明之LED用反射板可藉由射出成形、擠出成形、壓製成形、吹塑成形、壓延成形、流鑄成形等通常對熱塑性樹脂組成物所使用之成形方法使上述聚醯胺組成物成形而製造。又，亦可採用將上述成形方法組合之成形方法。尤其就成形之容易度、量產性、成本等方面而言，較佳為射出成形。又，亦可將上述聚醯胺組成物與其他聚合物複合成形。進而，亦可將上述聚醯胺組成物與由金屬所構成之成形體或布帛等複合化。
本發明之LED用反射板較佳為於120℃下空氣中，於300～400 nm之波長下之照度為10 mW/cm2 之位置，照射通過使295 nm～780 nm之光透射之濾光片之金屬鹵素燈的光336小時後之波長為460 nm之光之反射率為90%以上。藉由滿足該必要條件，而不僅可有利地用作LED之反射板，亦可應用於要求經過長時間維持較高之反射率或白度之用途。
本發明之LED用反射板之負荷1.82 MPa下之負荷下熱變形溫度較佳為260℃以上。藉由具有上述範圍之負荷下熱變形溫度，可提供具有充分之焊錫耐熱性之反射板。
本發明之LED用反射板之耐熱性較高，經過長時間照射LED光後亦維持較高之反射率及白度。本發明之LED用反射板例如可合適地用作背光光源、照明、汽車各種燈等中所使用之LED元件用反射板，尤其可合適地用作與表面安裝相對應之LED元件用反射板。
進而，本發明係具備上述LED用反射板之發光裝置。本發明之發光裝置例如可用作背光光源、照明用光源、汽車各種燈之光源。
＜發光裝置＞
圖1表示本發明之發光裝置之代表構成之一例。圖1示意性地表示SMD(surface mounted device，表面黏著裝置)型發光裝置(LED裝置)1。發光裝置1中，於由基板20與反射器(框體)30形成之封裝體狀部50中配置有發光元件10，於封裝體狀部50中填充有密封構件40(透光性樹脂)。
以下，說明本發明之發光裝置之各要素。另外，本發明之發光裝置並不限制於以下要素。
＜半導體發光元件＞
半導體發光元件10可合適地使用於500 nm以下之波長區域具有發光峰值波長者。並不限於具有單一發光峰值之半導體發光元件，亦可使用具有複數個發光峰值之半導體發光元件。再者，於具有複數個發光峰值之情形時，亦可於較500 nm更長之波長之區域具有一個或兩個以上之發光峰值。又，亦可使用於可見光之長波長區域(501 nm～780 nm)具有發光峰值之半導體發光元件。
半導體發光元件10之構成只要為具備上述波長特性者，則無特別限定。例如可使用將GaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等半導體形成為發光層者。
又，發光層亦可含有任意之摻雜劑。
半導體發光元件10可適當使用複數個。例如，可將可發出綠色系光之發光元件設為2個，將可發出藍色系及紅色系光之發光元件分別設為1個。
半導體發光元件10與基板20之連接方法並無特別限制，可使用導電性環氧或聚矽氧接著劑。進而，為使自半導體元件產生之熱高效地傳遞至基板，可使用低熔點金屬。例如可例示Sn/Ag/Cu(熔點為220度)、Sn/Au(熔點為282度)等。
＜封裝體＞
封裝體為搭載有半導體發光元件10之構件，其一部分或整體由上述本發明之LED用反射板所形成。
於本發明中，封裝體可由單一構件所構成，亦可將複數個構件組合而構成。
封裝體較佳為具有凹部(杯狀部)。作為封裝體之一例，可列舉將反射器(框體)與基板組合者，例如於圖1中，以形成凹部(杯狀部)50之方式於基板20上接著所需形狀之反射器(框體)30而構成封裝體。基板20及反射器30係由使上述聚醯胺組成物成形之本發明之LED用反射板所形成。亦可僅基板20及反射器30之一者由本發明之LED用反射板所形成。如上所述，於使用複數個本發明之LED用反射板之情形時，亦可將藉由改變聚醯胺組成物之組成來形成LED反射板而獲得之不同特性之LED用反射板組合使用。作為其他例，可列舉將上述聚醯胺組成物以於一面側形成凹部(杯狀部)之方式成形，由一個LED用反射板形成封裝體之構成。進而作為其他例，亦可使用僅由平板狀LED用反射板所形成者作為封裝體。
所謂形成於封裝體上之凹部(杯狀部)，係指具有底部及側面部，且包含具由有與光軸垂直之方向之剖面之面積自該底部朝向發光裝置之光出射方向連續地或階段性地增加之形狀之空間所構成的部分。於滿足該條件之範圍內，底部及側面部之形狀並無特別限定。
＜密封構件＞
密封構件40係以包覆發光元件10之方式而形成之構件，具備該密封構件40主要是為了保護發光元件10免受外部環境影響。
密封構件40中可使用透明熱固性樹脂，以保護半導體元件10或配線。作為透明熱固性樹脂，可例示包含環氧或聚矽氧之熱固性樹脂。聚矽氧可根據封裝體之要求特性而使用樹脂類型、橡膠類型、凝膠類型。又，為提高反射器30與密封樹脂之密著性，可藉由氬氣等稀有氣體電漿對反射器30進行處理。
亦能夠以由不同材料所構成之複數層積層於發光元件上而形成之方式設置密封構件。
密封構件40中亦可含有螢光體。可藉由使用螢光體，而來自發光元件之光之一部分轉換成不同波長之光，可改變或修正發光裝置之發光色。
螢光體只要為可藉由來自發光元件之光而激發者，則可使用任意者。例如較佳地使用選自主要利用Eu、Ce等鑭系元素所活化之氮化物螢光體、氧氮化物系螢光體、賽隆系螢光體，主要利用Eu等鑭系或Mn等過渡金屬系元素所活化之鹼土金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土矽酸鹽、鹼土硫化物、鹼土硫代鎵酸鹽、鹼土氮化矽、鍺酸鹽，主要利用Ce等鑭系元素所活化之稀土鋁酸鹽、稀土矽酸鹽，或主要利用Eu等鑭系元素所活化之有機化合物及有機錯合物等中之至少1種以上。
又，亦可將複數種螢光體組合含有於密封構件中。於該情形時，亦可將藉由來自發光元件之光激發而發光之螢光體、及藉由來自該螢光體之光激發而發光之螢光體組合使用。
亦可藉由於密封構件40中含有二氧化鈦或氧化鋅等光擴散體，而促進密封構件內之光之擴散，減少發光不均。
圖1之發光裝置1例如以如下方式製造。首先，於作為本發明之LED用反射板之基板20上配置作為本發明之LED用反射板之反射器30。繼而，安裝發光元件10，利用引線將發光元件10之電極與基板20上之配線圖案連接。繼而，準備由主劑及硬化劑所構成之液狀聚矽氧密封劑，灌注於杯狀部50中。於該狀態下加熱至約150℃，使聚矽氧密封劑熱硬化。其後，於空氣中使其散熱。
圖2中表示由其他構成所構成之本發明之發光裝置2之示意圖。於圖2中，對於與發光裝置1相同之要素附上相同符號。於發光裝置2中，使用引線框架80代替基板，於引線框架80上安裝發光元件10。其他構成與發光裝置1相同。
圖3中表示由其他構成所構成之本發明之發光裝置3之示意圖。於圖3中，對於與發光裝置1相同之要素附上相同符號。於發光裝置3中，使用作為本發明之LED用反射板之基板70。於基板70上配置所需之配線71。又，可不使用框體(反射器)，而如圖所示般於安裝發光元件10後，藉由使用所需模具之模具成形而形成密封構件60。又，亦可預先準備成形為所需形狀之密封構件60，以覆蓋發光元件10之方式將其接著於基板70。
以上，對作為本發明之構成例之SMD型發光裝置進行說明，但本發明亦可適用於在具有杯狀部之引線框架上安裝發光元件，利用密封構件包覆發光元件及引線框架之一部分而成之所謂砲彈型發光二極體。又，亦可適用於將發光元件以所謂倒裝晶片之形態安裝於基板或引線框架上之倒裝晶片型發光裝置。
實施例
以下，列舉實施例及比較例詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
再者，於以下之實施例及比較例中，末端密封劑單元、溶液黏度、熔點、反式異構物比率、反射率、白度、負荷下熱變形溫度係藉由以下方法而評價。
＜末端密封劑單元＞
取一部分下述參考例1～8中所獲得之聚醯胺1～聚醯胺8之試料，使用1 H-NMR(於500 MHz、氘代三氟乙酸中、室溫下進行測定)，根據二胺單元與源自末端密封劑之單元各自之特性訊號之積分值，計算該等單元之莫耳比，求出源自末端密封劑之單元相對於二胺單元之百分率比(莫耳%)。將代表性之訊號之化學位移值示於以下。
＜溶液黏度ηinh ＞
取一部分下述參考例1～8中所獲得之聚醯胺1～聚醯胺8之試料，於定量瓶中使試料50 mg溶解於25 ml之濃硫酸中。對於該試液，使用鳥式黏度計測量30℃下之落下時間(t)，根據濃硫酸之落下時間(t0 )以下述式(1)進行計算。
ηinh (dl/g)={In(t÷t0 )}÷0.2(g/dl)　(1)
＜熔點＞
取一部分下述參考例1～8中所獲得之聚醯胺1～聚醯胺8之試料，使用Mettler Toledo(股)製造之示差掃描熱量分析裝置(DSC822)，於氮氣環境下自30℃至360℃以10℃/分鐘之速度對試料約10 mg進行加熱，於360℃下保持2分鐘，使試料完全熔解後，以10℃/分鐘之速度冷卻至30℃，於30℃下保持2分鐘。將再以10℃/分鐘之速度升溫至360℃時出現之熔解峰值之峰值溫度作為熔點。於存在複數個熔解峰值之情形時，將最高溫側之熔解峰值之峰值溫度作為熔點。
＜反式異構物比率＞
使用各實施例及比較例中所獲得之聚醯胺組成物，於較聚醯胺之熔點高約20℃之針筒溫度下進行射出成形(模具溫度：140℃)，製作厚度1 mm、寬度40 mm、長度100 mm之試驗片。自該試驗片切出20～30 mg，溶解於氘代三氟乙酸1 ml中，使用日本電子股份有限公司製造之核磁共振裝置JNM-ECX400，於室溫、累計次數256次之條件下進行1 H-NMR測定。根據源自1,4-環己烷二甲酸之順式異構物之3.47 ppm之峰值面積與源自反式異構物之3.50 ppm之峰值面積的比率，求出反式異構物比率。
＜反射率＞
使用各實施例及比較例中所獲得之聚醯胺組成物，於較聚醯胺之熔點高約20℃之針筒溫度下進行射出成形(模具溫度：140℃)，製作厚度1 mm、寬度40 mm、長度100 mm之試驗片。將該試驗片設置於自具備作為使295 nm～780 nm之光透射之濾光片之KF-1濾光片(Daipla Wintes股份有限公司製造)的耐光性試驗裝置(Daipla Wintes股份有限公司製造之Superwin mini)之上部石英玻璃面起25 cm的距離，將槽內之溫度設定成120℃，進行336小時之光照射。再者，於設置試驗片之位置之300～400 nm之波長下的照度為10 mW/cm2 。藉由日立製作所股份有限公司製造之分光光譜儀(U-4000)求出光照射後之試驗片之460 nm之波長下的反射率。
＜白度＞
以分光色彩計SD5000(日本電色工業股份有限公司製造)測定上述反射率測定後之試驗片之色彩，利用亨特(Hunter)色差公式求出明度(L)、紅色值(a)及黃色值(b)。又，依據以下式(2)算出白度。
W=100-[(100-L)2 +a2 +b2 ]1/2 　(2)
a：紅色值
b：黃色值
L：明度
＜負荷下熱變形溫度＞
使用各實施例及比較例中所獲得之聚醯胺組成物，於較聚醯胺之熔點高約20℃之溫度下進行射出成形(模具溫度：140℃)，製作試驗片(JIS K7207號啞鈴)。使用該試驗片，使用負荷下熱變形溫度測定機(東洋精機製作所製造之S-3M)於1.82 MPa之負荷下測定熱變形溫度，作為負荷下熱變形溫度。
以下實施例及比較例中，使用下述材料。
參考例1[聚醯胺1]
將順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸5111.2 g(29.7莫耳)、1,9-壬二胺4117.6 g(26.0莫耳)、2-甲基-1,8-辛二胺726.6 g(4.59莫耳)、作為末端密封劑之苯甲酸224.2 g(1.84莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中，進行氮氣置換。花費2小時使內部溫度升溫至200℃。此時，高壓釜升壓至2 MPa。其後2小時，一邊將內部溫度保持為215℃，將水蒸氣緩緩抽出，將壓力保持為2 MPa，一邊進行反應。繼而，花費30分鐘使壓力下降至1.2 MPa，獲得預聚物。將該預聚物粉碎至2 mm以下之大小，於120℃、減壓下乾燥12小時。將其於230℃、13.3 Pa之條件下固相聚合10小時，獲得末端密封劑單元為4.3莫耳%、溶液黏度ηinh 為0.87 dl/g、熔點為315℃之聚醯胺1。
參考例2[聚醯胺2]
使用順式：反式比為0：100之1,4-環己烷二甲酸5111.2 g(29.7莫耳)來代替順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸5111.2 g(29.7莫耳)，除此以外，利用參考例1中記載之方法進行聚合，獲得末端密封劑單元為4.5莫耳%、溶液黏度ηinh 為0.85 dl/g、熔點為315℃之聚醯胺2。
參考例3[聚醯胺3]
將順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸4813.3 g(28.0莫耳)、1,10-癸二胺4965.6 g(28.8莫耳)、苯甲酸211.2 g(1.73莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中後，利用參考例1中記載之方法進行聚合，獲得末端密封劑單元為4.5莫耳%、溶液黏度ηinh 為1.0 dl/g、熔點為328℃之聚醯胺3。
參考例4[聚醯胺4]
將順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸4652.2 g(27.0莫耳)、1,11-十一烷二胺5133.7 g(27.9莫耳)、苯甲酸204.1 g(1.67莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中後，利用參考例1中記載之方法進行聚合，獲得末端密封劑單元為4.6莫耳%、溶液黏度ηinh 為1.0 dl/g、熔點為304℃之聚醯胺4。
參考例5[聚醯胺5]
將順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸4056.3 g(23.6莫耳)、對苯二甲酸978.4 g(5.89莫耳)、1,9-壬二胺4063.7 g(25.7莫耳)、2-甲基-1,8-辛二胺717.1 g(4.53莫耳)、作為末端密封劑之苯甲酸184.4 g(1.51莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中，進行氮氣置換。花費2小時將內部溫度升溫至200℃。此時，高壓釜升壓至2 MPa。其後2小時，一邊將內部溫度保持為215℃，將水蒸氣緩緩抽出，將壓力保持為2 MPa，一邊進行反應。繼而，花費30分鐘將壓力下降至1.2 MPa，獲得預聚物。將該預聚物粉碎成2 mm以下之大小，於120℃、減壓下乾燥12小時。將其於230℃、13.3 Pa之條件下固相聚合10小時，獲得末端密封劑單元為4.0莫耳%、溶液黏度ηinh 為1.06 dl/g、熔點為302℃之聚醯胺5。
參考例6[聚醯胺6]
將對苯二甲酸4926.1 g(29.7莫耳)、1,9-壬二胺4113.9 g(26.0莫耳)、2-甲基-1,8-辛二胺726.0 g(4.59莫耳)、苯甲酸224.0 g(1.83莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中後，利用參考例1中記載之方法進行聚合，獲得末端密封劑單元為5.9莫耳%、溶液黏度ηinh 為0.80 dl/g、熔點為306℃之聚醯胺6。
參考例7[聚醯胺7]
將對苯二甲酸2358.1 g(14.2莫耳)、己二酸3112.1 g(21.3莫耳)、己二胺4251.7 g(36.6莫耳)、苯甲酸268.1 g(2.2莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中後，利用參考例1中記載之方法將聚醯胺聚合，獲得末端密封劑單元為5.7莫耳%、溶液黏度ηinh 為0.85 dl/g、熔點為290℃之聚醯胺7。
參考例8[聚醯胺8]
將順式：反式比為70：30之1,4-環己烷二甲酸2423.5 g(14.1莫耳)、己二酸3085.4 g(21.1莫耳)、己二胺4215.3 g(36.3莫耳)、苯甲酸265.8 g(2.2莫耳)、次亞磷酸鈉一水合物10 g、及蒸餾水2.5 L添加於內容積為40 L之高壓釜中後，利用參考例1中記載之方法進行聚合，獲得末端密封劑單元為4.5莫耳%、溶液黏度ηinh 為0.88 dl/g、熔點為290℃之聚醯胺8。
[填充劑(B)]
石原產業(股)製造之「Tipaque CR-90」(二氧化鈦：平均粒徑為0.25 μm，折射率為2.71)
[補強材料(C)]
日東紡織(股)公司製造之「CS3J256」(玻璃纖維：GF)Kinseimatec(股)公司製造之「SH-1250」(矽灰石：WS)
[光穩定劑(D)]
Clariant Japan(股)公司製造之「Nylostab S-EED」(2-乙基-2-乙氧基-草醯縮苯胺)
[氧化鎂(E)]
協和化學工業(股)公司製造之「MF-150」(氧化鎂：平均粒徑為0.71μm)
＜實施例1～8及比較例1～4＞
將表2及表3所示之聚醯胺於減壓下、120℃下乾燥24小時後，與表2及表3所示量之氧化鈦、光穩定劑、氧化鎂及脫模劑進行乾摻，將所獲得之混合物自雙軸擠出機(螺旋徑：32 mm，L/D=30，轉速為150 rpm)之漏斗進料，同時自側面進料機添加表2及表3所示量之補強材料，進行熔融混練，擠出成股線狀後，利用製粒機切斷而獲得顆粒狀之聚醯胺組成物。使用所獲得之聚醯胺組成物，依據上述方法製作特定形狀之試驗片，對各種物性進行評價。將結果示於表2及表3。
＜實施例9～10及比較例5～7＞
利用使用實施例4及7與比較例2～4之聚醯胺組成物之LED用反射板，以下述方式製作實施例9～10及比較例5～7之發光裝置。
[實施例9]
發光裝置成為圖1所示之SMD型發光裝置1之構成。發光元件10使用於460 nm下具有發光峰值波長之發出藍色光者。密封構件40使用聚矽氧(信越化學股份有限公司製造：商品名KER2500)。反射器30使用本公司製造之3228尺寸之反射器。
實施例9之反射器30使用實施例4所示之聚醯胺組成物。密封構件中含有(Y、Ga)3 Al5 O12 ：Ce所示之YAG(Yttrium Aluminium Garnet，釔鋁石榴石)系螢光體。
[實施例10]
實施例10係將反射器30之材料變更成實施例7所示之聚醯胺組成物，以與實施例9相同之方式製作圖1所示之SMD型發光裝置。
[比較例5]
比較例5係將反射器30之材料變更成比較例2所示之聚醯胺組成物，以與實施例9相同之方式製作圖1所示之SMD型發光裝置。
[比較例6]
比較例6係將反射器30之材料變更成比較例3所示之聚醯胺組成物，以與實施例9相同之方式製作圖1所示之SMD型發光裝置。
[比較例7]
比較例7係將反射器30之材料變更成比較例4所示之聚醯胺組成物，以與實施例9相同之方式製作圖1所示之SMD型發光裝置。
關於所製作之實施例9～10及比較例5～7之發光裝置，以下述方法進行光度保持率之評價。將評價結果示於表4。
＜光度保持率之測定方法＞
對於實施例9～10及比較例5～7之發光裝置，於85℃、15 mA下進行1000小時之通電試驗，求出相對於0小時之光度的1000小時後之光度，藉此測定光度保持率(1000小時之光度/0小時之光度)。再者，針對各實施例及比較例測定各150個發光裝置之光度，將其平均值作為各實施例及比較例之光度。
根據表4亦可明確確認，具備使用實施例4及7之聚醯胺組成物之LED用反射板之發光裝置(實施例9～10)具有優異之光度保持率。
[產業上之可利用性]
本發明之LED用反射板係於在120℃下空氣中照射336小時包含UV之光之嚴酷條件下亦幾乎不引起變色，具有維持較高之反射率之耐熱性及耐光性，熱變形溫度亦非常高，為260℃以上。本發明之LED用反射板特別是可合適地用作為與表面安裝相對應之LED用反射板。與先前之螢光燈相比，LED光源具有省電力、低環境負荷之特點，本發明係有助於該LED光源之發展之技術，於產業上非常有利。
1、2、3．．．發光裝置
10．．．發光元件
20、70．．．基板
30．．．反射器
40、60．．．密封構件
50．．．杯狀部
71．．．配線
80．．．引線框架
圖1係示意性地表示本發明之發光裝置1之構成的圖。
圖2係示意性地表示本發明之發光裝置2之構成的圖。
圖3係示意性地表示本發明之發光裝置3之構成的圖。
1．．．發光裝置
10．．．發光元件
20．．．基板
30．．．反射器
40．．．密封構件
50．．．杯狀部

Claims (13)

  1. 一種LED用反射板，其使用含有聚醯胺(A)之聚醯胺組成物，該聚醯胺(A)具有：包含50~100莫耳%之1,4-環己烷二甲酸單元之二羧酸單元、及包含50~100莫耳%之碳數4~18之脂肪族二胺單元的二胺單元；且該聚醯胺(A)具有相對於該碳數4~18之脂肪族二胺單元為3~10莫耳%之源自末端密封劑的單元。
  2. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該聚醯胺組成物進而含有填充劑(B)。
  3. 如申請專利範圍第2項之LED用反射板，其中，該聚醯胺組成物含有3~50質量%之該填充劑(B)。
  4. 如申請專利範圍第2項之LED用反射板，其中，該填充劑(B)為氧化鈦。
  5. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該碳數4~18之脂肪族二胺單元之55莫耳%以上為直鏈狀二胺單元。
  6. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該碳數4~18之脂肪族二胺單元為1,9-壬二胺單元及/或2-甲基-1,8-辛二胺單元。
  7. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該聚醯胺組成物進而含有補強材料(C)。
  8. 如申請專利範圍第7項之LED用反射板，其中，該補強材料(C)為玻璃纖維及/或矽灰石。
  9. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該 聚醯胺組成物進而含有光穩定劑(D)。
  10. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，該聚醯胺組成物進而含有氧化鎂及/或氫氧化鎂(E)。
  11. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其於120℃下空氣中，在300~400nm波長之照度為10mW/cm2 之位置，照射通過可透射295nm~780nm之光之濾光片之金屬鹵素燈的光336小時後之波長為460nm之光之反射率為90%以上。
  12. 如申請專利範圍第1項之LED用反射板，其中，負荷為1.82MPa下之負荷下熱變形溫度為260℃以上。
  13. 一種發光裝置，具備申請專利範圍第1項之LED用反射板。
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WO2008149862A1 (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Asahi Kasei Chemicals Corporation ポリアミド－ポリフェニレンエーテル樹脂組成物及びフィルム

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