TWI479521B - 多層陶瓷電子組件 - Google Patents

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TWI479521B
TWI479521B TW101148268A TW101148268A TWI479521B TW I479521 B TWI479521 B TW I479521B TW 101148268 A TW101148268 A TW 101148268A TW 101148268 A TW101148268 A TW 101148268A TW I479521 B TWI479521 B TW I479521B
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Wi Heon Kim
Doo Young Kim
Jae Yeol Choi
Jong Ho Lee
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Samsung Electro Mech
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Description

多層陶瓷電子組件 [相關申請案交互參照]
本申請案主張於2012年11月29日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2012-0136772號的優先權,其揭露係合併於本文以供參照。
本發明係關於能夠減少內部電極之間之短路以及施加電壓時多層陶瓷電子組件所產生之噪音的多層陶瓷電子組件。
使用陶瓷材料之電子組件包括電容器、電感器、壓電元件、變阻器、熱敏電阻等等。
在使用陶瓷材料之陶瓷電子組件之中,多層陶瓷電容器(MLCC)具有如小型、保證高電容量、以及易於設置等優點。
MLCC為一種通常安裝於電腦、個人數位助理器、行動電話等等之晶片式電容器,其在充放電扮演重要的角色。MLCC依據其使用意圖及容量可具有各種尺寸及層壓形式。
尤其是近來隨著電子產品之尺寸已減小,用 於電子產品之MLCC亦有小型化並具有高電容量的需求。
因此,已製造有內含薄化介電層和內部電極以具有減小之尺寸並且內含大量介電層以具有高電容量的MLCC。
同時,已有提出所有外部電極皆置於下面(lower surface)之MLCC。此類MLCC具有極佳的設置密度、優質的電容以及低ESL;然而,由於切割陶瓷體時在相對之內部電極之間由應力造成之位置誤差,內部電極之間可輕易地出現短路。
[相關技藝文件]
(專利文件1)日本專利公開出版第2006-086359號
本發明之一態樣提供能夠減少內部電極之間之短路及電壓施加時多層陶瓷電子組件中產生之噪音的多層陶瓷電子組件。
根據本發明之一態樣,提供一多層陶瓷電子組件,其包括:陶瓷體,包含介電層並具有彼此相對之第一與第二主面、彼此相對之第一與第二側面、以及彼此相對之第一與第二尾面;第一內部電極,形成在該陶瓷體中並包含電容形成部位和第一引出部位,該電容形成部位具有用以形成電容之重疊區,該第一引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第二內部電極,與該第一內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第一 內部電極絕緣、並且具有第二引出部位,該第二引出部位自該電容形成部位延伸而曝露於該第一側面;第一與第二外部電極,分別連接至該第一與第二引出部位;以及絕緣層,形成在該陶瓷體之該第一側面上,其中,在該陶瓷體之長度方向之該第一引出部位長於在該長度方向的該第二引出部位。
當該第一與第二內部電極在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L、該第一引出部位在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L1、而該第二引出部位在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L2時,可滿足0.05L2/(L-L1)0.9。
該第一與第二內部電極可相對於該陶瓷體之設置面而垂直地設置。
該第一外部電極可延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
該第二外部電極可延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
該絕緣層可包括環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組(group)裡的其中至少一者。
該絕緣層可作成包覆該第一與第二內部電極之所有曝露部位。
該絕緣層之厚度可小於該第一與第二外部電極自該陶瓷體之該第一側面測量之厚度。
根據本發明之另一態樣,提供有多層陶瓷電子組件,其包括:陶瓷體,包含介電層並且具有彼此相對 之第一與第二主面、彼此相對之第一與第二側面、以及彼此相對之第一與第二尾面;第一單元,包括第一內部電極和第二內部電極,該第一內部電極具有電容形成部位和第一引出部位,該電容形成部位是形成在用以在該陶瓷體中形成電容的重疊區中並曝露於該第一側面,該第一引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面,該第二內部電極與該第一內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第一內部電極絕緣、並且包含第二引出部位,該第二引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第二單元,包括第三內部電極和第四內部電極,該第三內部電極具有電容形成部位和第三引出部位,該電容形成部位形成在該陶瓷體中並且具有用以形成該電容之重疊區,該第三引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面,該第四內部電極與該第三內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第三內部電極絕緣、並且包含第四引出部位,該第四引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第一外部電極和第二外部電極,該第一外部電極連接至該第一與第三引出部位,而該第二外部電極連接至該第二與第四引出部位;以及絕緣層,形成在該陶瓷體之該第一側面上,其中,該第一與第二單元係交替堆疊,具有該介電層插置於其間。
當該第一至第四內部電極在該陶瓷體的長度方向之長度界定為L、該第一內部電極曝露於該陶瓷體在長度方向第一側面之部位之長度界定為L3、而該第四引出 部位在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L4時,可滿足0.05L4/(L-L3)0.9。
該第一與第二內部電極可相對於該陶瓷體之設置面而垂直地設置。
該第一外部電極可延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
該第二外部電極可延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
該絕緣層可包括選自由環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組裡的其中至少一者。
該絕緣層可形成以包覆該第一與第二內部電極之所有曝露部位。
該絕緣層之厚度可小於該第一與第二外部電極自該陶瓷體之該第一側面測量之厚度。
1‧‧‧第一側面
2‧‧‧第二側面
3‧‧‧第一尾面
4‧‧‧第二尾面
5‧‧‧第一主面
6‧‧‧第二主面
100‧‧‧多層陶瓷電容器
110‧‧‧陶瓷體
111‧‧‧介電層
120‧‧‧電容形成部位
121‧‧‧第一內部電極
121a‧‧‧第一引出部位
122‧‧‧第二內部電極
122a‧‧‧第二引出部位
123‧‧‧第一內部電極
123a‧‧‧第一引出部位
124‧‧‧第二內部電極
124a‧‧‧第二引出部位
125‧‧‧第三內部電極
125a‧‧‧第三引出部位
126‧‧‧第四電部電極
126a‧‧‧第四引出部位
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
140‧‧‧絕緣層
I‧‧‧第一單元
Ⅱ‧‧‧第二單元
本發明之上述及其它態樣、特徵和其它優點藉由以上之詳細說明並配合附加圖式將得以更加清楚理解,其中:第1圖係示意性表示根據本發明一具體實施例之多層陶瓷電容器之結構的透視圖;第2圖係第1圖之分解透視圖;第3圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之第一內部電極與第一外部電極彼此耦接;第4圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之 第二內部電極與第二外部電極彼此耦接;第5圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之第一與第二內部電極及第一與第二外部電極彼此耦接;第6圖係表示第1圖之多層陶瓷電容器由第一側面觀視時之內部結構的示意圖;第7圖係示意性表示根據本發明之具體實施例之多層陶瓷電容器之結構的透視圖;第8圖係第7圖之分解透視圖;第9圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖之第一內部電極與第一外部電極彼此耦接;第10圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖之第二內部電極和第二外部電極彼此耦接;第11圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第一與第二內部電極和第一與第二外部電極彼此耦接;第12圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第三內部電極與第一外部電極彼此耦接;第13圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第四內部電極與第二外部電極彼此耦接;第14圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第三與第四內部電極和第一與第二外部電極彼此耦接;以及第15圖係表示第7圖之多層陶瓷電容器由第一側面觀視時之內部結構的示意圖。
下文中,將參照附加圖式詳細說明本發明之 具體實施例。然而,本發明可用許多不同形式據以實現以及不應予以推斷為侷限於本文所提之具體實施例。反而,這些具體實施例係經提供而使本揭露周密且完整,並且將充份傳達本發明之範疇給熟悉本技藝之人士。
在圖式中,組件的形狀與尺寸會為了清晰而誇大,並且相稱的符號將通篇用於代表相同或相稱的組件。
第1圖係示意性表示根據本發明一具體實施例之多層陶瓷電容器之結構的透視圖。
第2圖係第1圖之分解透視圖。
第3圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之第一內部電極與第一外部電極彼此耦接。
第4圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之第二內部電極與第二外部電極彼此耦接。
第5圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第1圖之第一與第二內部電極及第一與第二外部電極彼此耦接。
第6圖係示意性表示多層陶瓷電容器由第1圖之第一側面觀視時之內部結構的示意圖。
根據本發明之多層陶瓷電容器100可為雙端垂直層壓式或垂直多層式電容器。「垂直層壓式或垂直多層式」的意思是電容器內之多層內部電極係對於電路板之設置面垂直而置,而「雙端」的意思是兩個端點係連接至電路板作為電容器之端點。
參閱第1圖至第7圖,根據本發明之多層陶 瓷電容器100可包括陶瓷體110;在陶瓷體110中形成之內部電極121與122;以及在陶瓷體之一面上形成之絕緣層140及外部電極131與132。
根據本發明之具體實施例,陶瓷體110可具有彼此相對之第一與第二主面5與6、以及第一與第二側面1與2,並連同將第一與第二主面5與6彼此連接之第一與第二尾面3與4。陶瓷體110之形狀未特別受限,而可為如圖所示之六面體形狀。根據本發明之具體實施例,陶瓷體之第一側面1可為置於電路板之設置區的設置面。
根據本發明之具體實施例,x軸方向意指形成有第一與第二外部電極、其間具有預定間距的方向;y軸方向意指堆疊有內部電極、其間插置有介電層的方向;而y軸方向意指內部電極設置在電路板上的方向。
根據本發明之具體實施例,陶瓷體110可藉由堆疊複數介電層111予以形成。構成陶瓷體110之複數介電層111可呈燒結狀態並且彼此整合以致其間的邊界無法顯而易見。
介電層111可藉由燒結內含陶瓷粉、有機溶劑、以及有機黏合劑之陶瓷坯片予以形成。陶瓷粉係一種具有高K介電常數(或高電容率)的材料,以及舉例而言,基於鈦酸鋇(BaTiO3 )之材料、基於鈦酸鍶(SrTiO3 )之材料等等可用來作為陶瓷粉。然而,陶瓷粉不侷限於此。
根據本發明之具體實施例,陶瓷體110可包括形成於其中之內部電極。
參閱第3至5圖,具有第一極性之第一內部電極121和具有第二極性之第二內部電極122可予以成對形成並且可依從y軸方向而置使其彼此相向,其間具有介電層111。
根據本發明之具體實施例,第一與第二內部電極121與122可相對於多層陶瓷電容器之設置面(亦即第一側面1)而垂直地設置。
在本發明中,術語與「第一」與「第二」可意指不同電氣極性。
根據本發明之具體實施例,第一與第二內部電極121與122可由內含導電金屬之導電膏予以構成。
導電金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或其合金,但不侷限於此。
內部電極層可予以印製在藉由絲網印刷法或凹版印刷法之類的印製方法利用導電膏配置介電層之陶瓷坯片上。
其上印製有內部電極層之陶瓷坯片可予以交替堆疊並燒結以形成陶瓷體。
根據本發明之多層陶瓷電容器100可包括第一內部電極121和第二內部電極122,第一內部電極121具有電容形成部位120和第一引出部位121a,電容形成部位120形成陶瓷體110中並具有用以形成電容之重疊區,該第一引出部位121a延伸自電容形成部位120而曝露至第一側面1,該第二內部電極122與第一內部電極121交替 堆疊、具有介電層111插置於其間、與第一內部電極121絕緣、並且具有第二引出部位122a,第二引出部位122a延伸自電容形成部位120而曝露至第一側面1。
第一與第二內部電極121與122分別具有第一與第二引出部位121a與122a,用以連接至具有不同極性之外部電極,而第一與第二引出部位121a與122a可曝露至陶瓷體110之第一側面1。
根據本發明之具體實施例,在呈垂直層壓式或垂直多層式之多層陶瓷電容器中,第一與第二引出部位121a與122a可曝露至陶瓷體之同一面。
根據本發明之具體實施例,內部電極之引出部位意指形成內部電極之導體圖樣在其藉以曝露之陶瓷體之一面之部位具有加增寬度W的區域。
第一與第二內部電極121與122可在第一與第二內部電極121與122彼此重疊之區域中形成電容,而連接至具有不同極性之相關外部電極之第一與第二引出部位121a與122a不具有重疊區。
如上所述,由於第一與第二引出部位121a與122a未彼此重疊而是彼此絕緣,可減少切割陶瓷體時由於應力在彼此相對之內部電極之間造成之位置誤差而在內部電極之間造成的短路。
根據本發明之具體實施例,第一引出部位121a在陶瓷體110之長度方向之長度可長於第二引出部位122a之長度。
第一與第二引出部位121a與122a未彼此重疊,以致第一與第二內部電極121與122可彼此絕緣。
第一引出部位121a在陶瓷體110之方向之長度可長於第二引出部位122a之長度,以致用於移除剩餘材料之路徑可在燒結陶瓷體時予以進一步固定(secured)。
因此,內部電極之連接性可進一步提升,而可提高多層陶瓷電容器之電容量。
參閱第5圖,當第一與第二內部電極121與122在陶瓷體110之長度方向之長度界定為L、第一引出部位121a在陶瓷體110之長度方向之長度界定為L1、而第二引出部位122a在陶瓷體110之長度方向之長度界定為L2時,可滿足0.05L2/(L-L1)0.9。
如上所述,第一與第二內部電極121與122之長度L、第一引出部位121a之長度L1、以及第二引出部位122a之長度L2係經調整以滿足底下方程式:0.05L2/(L-L1)0.9,如此可提高電容量並減少短路。
在L2/(L-L1)低於0.05的實例中,第一與第二引出部位121a與122a曝露至陶瓷體110之第一側面的長度短小,如此難以固定用於移除剩餘材料之足夠路徑,電容量的提高效應會不顯著。
在L2/(L-L1)大於0.9的實例中,第一與第二引出部位121a與122a曝露至陶瓷體110之第一側面的間距窄小,可能造成短路。
參閱第6圖,可鑑知第一與第二內部電極121 與122係如上所述交替曝露於陶瓷體110之第一側面1。
參閱第3至5圖,第一外部電極121可形成以連接到第一內部電極121中曝露於陶瓷體110之第一側面1的第一引出部位121a,而第二外部電極132可形成以連接到第二內部電極122中曝露於陶瓷體110之第一側面1的第二引出部位122a。
第一外部電極131可在陶瓷體之第一側面1上形成以便連接至第一引出部位121a並且可延伸至陶瓷體之第一尾面3,但不侷限於此。
第二外部電極132可在陶瓷體之第一側面1上形成以便連接至第二引出部位122a並且可延伸至陶瓷體之第二尾面4,但不侷限於此。
亦即,第一外部電極131可延伸至陶瓷體110之第一主面5、第二主面6、以及第二側面2的至少一者。
另外,第二外部電極132可延伸至陶瓷體110之第一主面5、第二主面6、以及第二側面2的至少一者。
因此,根據本發明之具體實施例,第一外部電極131可形成以包圍陶瓷體110在其長度方向之一末端部位而又連接到第一內部電極121曝露於陶瓷體110之第一側面1的第一引出部位121a。
另外,第二外部電極132可形成以包圍陶瓷體110在其長度方向之另一末端部位而又連接到第二內部電極122曝露於陶瓷體110之第一側面1的第二引出部位122a。
第一與第二外部電極131與132可由內含導電金屬之導電膏構成。
導電金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)、或其合金,但不侷限於此。
導電膏可進一步包括絕緣材料。絕緣材料舉例可為玻璃,但不侷限於此。
形成第一與第二外部電極之方法未特別受限。亦即,第一與第二電極131與132可藉由浸泡陶瓷體予以形成或藉由電鍍法等等之類的方法予以形成。
同時,根據本發明之具體實施例,如第5圖所示,絕緣層140可在陶瓷體110之第一側面1形成。
絕緣層140可在第一與第二外部電極131與132之間形成。
絕緣層140可包覆曝露於第一側面1之第一引出部位121a以及包覆第一與第二內部電極121與122之間的整個重疊區。
根據本發明之具體實施例,如第5圖所示,絕緣層140可在第一與第二外部電極之間完全填滿陶瓷體之一面。
另外,雖然未予圖示,根據本發明之具體實施例,絕緣層140可作成僅包覆第一引出部位121a而離第一與第二外部電極131與132具有預定間距。
根據本發明之具體實施例,絕緣層140之厚度可小於第一外部電極131或第二外部電極132的厚度。 絕緣層和外部電極之厚度可基於設置面(亦即第一側面1)予以測量。
根據本發明之具體實施例,絕緣層之厚度小於第一與第二外部電極之厚度,使得多層陶瓷電容器100可更穩固地設置在電路板上。
根據本發明之具體實施例,絕緣層之厚度小於第一與第二外部電極之厚度,以致多層陶瓷電容器110可更穩定地設置在電路板上。
絕緣層可包括選自由環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組裡的其中至少一者,但不侷限於此。
根據本發明之具體實施例,絕緣層140可由陶瓷漿料(slurry)所構成。
絕緣層140之形成位置和厚度可藉由調整陶瓷漿料之用量和形狀予以調整。
在藉由燒結程序形成陶瓷體之後,絕緣層140可藉由塗敷陶瓷漿料至陶瓷體並接著燒製陶瓷漿料予以形成。
或者,絕緣層140可藉由在配置陶瓷體之陶瓷坯片上形成配置絕緣層之陶瓷漿料以及與陶瓷坯片一起燒結陶瓷漿料而予以形成。
形成陶瓷漿料的方法未特別受限。例如,陶瓷漿料可藉由熔射法(spraying method)予以噴塗或可使用滾柱(roller)予以塗敷。
絕緣層140可包覆曝露於陶瓷體之一面的第一引出部位121a,以避免內部電極之間的短路並且避免防潮特徵等等之類的內部瑕疵。
第7圖係示意性表示根據本發明之具體實施例之多層陶瓷電容器之結構的透視圖。
第8圖係第7圖之分解透視圖。
第9圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖之第一內部電極與第一外部電極彼此耦接。
第10圖係表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖之第二內部電極和第二外部電極彼此耦接。
第11圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第一與第二內部電極和第一與第二外部電極彼此耦接。
第12圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第三內部電極與第一外部電極彼此耦接。
第13圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第四內部電極與第二外部電極彼此耦接。
第14圖表示結構的剖面圖,在該結構中,第7圖中第三與第四內部電極和第一與第二外部電極彼此耦接。
第15圖係表示第7圖中由第一側面觀視多層陶瓷電容器之內部結構的示意圖。
參閱第7至15圖,根據本發明另一具體實施例之多層陶瓷電子組件可包括陶瓷體110,其包含介電層 111並且具有彼此相對之第一與第二主面5與6、彼此相對之第一與第二側面1與2、以及彼此相對之第一與第二尾面3與4;第一單元I,包含第一內部電極123和第二內部電極124,第一內部電極123包含電容形成部位120和第一引出部位123a,電容形成部位120形成於用以形成電容的重疊區中並曝露於第一側面1,該第一引出部位123a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1,第二內部電極124與第一內部電極123交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第一內部電極123絕緣、並且包含第二引出部位124a,第二引出部位124a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1;第二單元II,包含第三內部電極125和第四內部電極126,第三內部電極125包含電容形成部位120和第三引出部位125a,電容形成部位120形成在陶瓷體110中並具有用以形成電容的重疊區,第三引出部位125a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1,第三內部電極126與第三內部電極125交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第三內部電極125絕緣、並包含第四引出部位126a,第四引出部位126a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1;第一外部電極131和第二外部電極132,第一外部電極131連接至第一與第三引出部位123a與125a,而第二外部電極132連接至第二與第四引出部位124a與126a;以及絕緣層,形成在陶瓷體110之第一側面1上,其中,第一與第二單元I與Ⅱ可交替堆疊,其間插置有介電層111。
在陶瓷體之長度方向,當第一至第四內部電極之長度界定為L、第一內部電極曝露至第一側面之部位之長度界定為L3、而第四引出部位之長度界定為L4時,可滿足0.05L4/(L-L3)0.9。
第一與第二內部電極可可對於陶瓷體之設置面而垂直地設置。
第一外部電極可延伸至陶瓷體之第一主面、第二主面、以及第二側面的其中一者。
第二外部電極可延伸至陶瓷體之第一主面、第二主面、以及第二側面的其中一者。
絕緣層可包括選自由環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組裡的其中至少一者。
絕緣層可作成包覆彼此重疊之第一與第二內部電極之所有曝露部位。
絕緣層之厚度可小於第一與第二外部電極自陶瓷體110之第一側面測量之厚度。
下文中,主要會說明與本發明在上述具體實施例所提有別之組件,而相同組件之詳細說明將予以忽略。
根據本發明具體實施例之多層陶瓷電容器100可包括第一單元I,其包含第一內部電極123和第二內部電極124,第一內部電極123包含電容形成部位120和第一引出部位123a,電容形成部位120形成於用以在陶瓷體110中形成電容的重疊區中並曝露於第一側面1,第一引出部位123a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側 面1,第二內部電極124與第一內部電極123交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第一內部電極123絕緣、並包含第二引出部位124a,第二引出部位124a自電容形成部位120延伸而曝露於第一側面1;以及第二單元Ⅱ,其包含第三內部電極125和第四內部電極126,第三內部電極125包含電容形成部位120和第三引出部位125a,電容形成部位120形成在陶瓷體110中並具有用以形成電容的重疊區,第三引出部位125a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1,第四內部電極126與第三內部電極125交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第三內部電極125絕緣、並包含第四引出部位126a,第四引出部位126a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1。
第一單元I可包括第一內部電極123和第二內部電極124,第一內部電極123包含電容形成部位120和第一引出部位123a,電容形容部位120形成於重疊區以在陶瓷體110中形成電容並曝露於第一側面1,第一引出部位123a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1,第二內部電極124與第一內部電極123交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第一內部電極123絕緣、並包含第二引出部位124a,第二引出部位124a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1。
第一與第二內部電極123與124分別具有第一與第二引出部位123a與124a,以便連接至具有不同極性的外部電極,其中,第一與第二引出部位123a與124a可 曝露於陶瓷體110之第一側面1。
根據本發明之具體實施例,在多層陶瓷電容器、垂直層壓式或垂直多層式電容器中,第一與第二引出部位123a與124a可曝露於陶瓷體之同一面。
根據本發明之具體實施例,內部電極之引出部位意指形成內部電極之導體圖樣在其藉以曝露於陶瓷體之一面之部位具有加增寬度W的區域。
一般而言,第一與第二內部電極可在第一與第二內部電極彼此重疊之區域中形成電容,而連接至極性不同之相關外部電極之引出部位無重疊區。
根據本發明之具體實施例,形成電容形成部位120之重疊區可曝露於第一側面1,第一內部電極123可具有延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1之第一引出部位123a,而第二內部電極124可具有延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1之第二引出部位124a。
第一與第二引出部位123a與124a未彼此重疊,以致第一與第二內部電極123與124可彼此絕緣。
如上所述,根據本發明之具體實施例,形成電容形成部位120之重疊區係在陶瓷體110中形成而曝露於第一側面1,多層陶瓷電容器100之電容量可藉以提高。
另外,從外施加有不同極性之電壓之第一與第二內部電極之間的距離變近,以致電流迴路可予以縮短。因此,等效串聯電感值(ESL)可降低。
第二單元Ⅱ包括第三內部電極125和第四內 部電極126,第三內部電極125包含電容形成部位120和第三引出部位125a,電容形成部位120形成在陶瓷體110中並具有用以形成電容的重疊區,第三引出部位125a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1,第三內部電極126與第三內部電極125交替堆疊、具有介電層111插置於其間、與第三內部電極125絕緣、以及包含第四引出部位126a,第四引出部位126a延伸自電容形成部位120而曝露於第一側面1。
第三與第四內部電極125與126分別具有第三與第四引出部位125a與126a,以便連接至極性不同之外部電極,而第三與第四引出部位125a與126a可曝露於陶瓷體110之第一側面1中。
根據本發明之具體實施例,在多層陶瓷電容器、垂直層壓式或垂直多層式電容器中,第三與第四引出部位125a與126a可曝露於陶瓷體之同一面。
根據本發明之具體實施例,內部電極之引出部位意指形成內部電極之導體圖樣在其藉以曝露於陶瓷體之一面之部位具有加增寬度W的區域。
第三與第四內部電極125與126可在第三與第四內部電極125與126彼此重疊之區域中形成電容,而連接至極性不同之相關外部電極之第三與第四引出部位125a與126a無重疊區。
如上所述,由於第三與第四引出部位125a與126a未彼此重疊而是彼此絕緣,可減少切割陶瓷體時由 於應力在彼此相對之內部電極之間造成之位置誤差而在內部電極之間造成的短路。
根據本發明之另一具體實施例,由於第一與第二引出部位123a與124a可長於第三與第四引出部位125a與126a並曝露於陶瓷體110之第一側面,因此,用於移除剩餘材料之路徑可在燒結陶瓷體時予以進一步固定。
因此,內部電極之連接性可進一步提升,以致多層陶瓷電容器之電容量可提高。
參閱第14圖,當第一至第四內部電極123至126在陶瓷體110的長度方向之長度界定為L、第一內部電極123曝露於陶瓷體110之長度方向的第一側面1之部位的長度界定為L3、而第四引出部位126a在陶瓷體110之長度方向之長度界定為L4時,可滿足0.05L4/(L-L3)0.9。
如上所述,第一至第四內部電極123至126之長度L、第一內部電極123曝露於第一側面1之部位之長度L3、以及第四引出部位126a之長度L4係經調整而滿足底下之方程式:0.05L4/(L-L3)0.9,以致電容量可提高、以及短路可減少。
在L4/(L-L3)低於0.05的實例中,第一內部電極123曝露於陶瓷體110之第一側面之長度短小,致使難以固定足夠的路徑用以移除剩餘材料,電容量之提高效應會不顯著。
在L4/(L-L3)大於0.9的實例中,第一內部電 極123與第四引出部位126a之間曝露於陶瓷體110之第一側面的間距窄小,可能發生短路。
參閱第15圖,可鑑知第一與第二單元I與Ⅱ係在陶瓷體110中堆疊、其間插置有介電層,藉以交替曝露於第一側面1。
在底下表1中,電容值和短路比率係按照本發明之具體實施例依從多層陶瓷電容器之陶瓷體之長度方向根據第一與第二內部電極之長度L、第一引出部位之長度L1、以及第二引出部位之長度L2作比較。
參閱表1,可鑑知根據本發明之具體實施例在多層陶瓷電容器中,當L2/(L-L1)落在本發明之數值範圍之外時,電容值降低或短路比率升高。
相反地,可鑑知當L2/(L-L1)滿足本發明之數值範圍時,電容值升高且短路比率降低。
在表2中,電容值和短路比率係根據在陶瓷體之長度方向的第一至第四內部電極之長度L、第一引出 部位曝露於第一側面之部位的長度L3、以及第四引出部位之長度L4作比較。
參閱表2,可鑑知在根據本發明之多層陶瓷電容器中,當L4/(L-L3)落於本發明之數值範圍之外時,電容值降低或短路比率升高。
相反地,可鑑知當L4/(L-L3)滿足本發明之數值比率時,電容值升高且短路比率降低。
根據本發明之具體實施例,即使在第一與第二內部電極曝露於第一側面之部位中仍形成有包覆區,多層陶瓷電容器之電容值可藉以提升。
另外,第一與第二內部電極係交替曝露於陶瓷體之一側面,使得介於內部電極之間的短路可以減少。
另外,不同極性之電壓由外側予以施加之第一與第二內部電極之間的距離變近,以致電流迴路可縮短。因此,ESL可降低。
如上述所提,根據本發明之具體實施例,第 一與第二內部電極係交替曝露於陶瓷體之一側面,使得內部電極之間的短路可減少。
根據本發明之具體實施例,在第一與第二內部電極之間形成電容形成部位之重疊區得以增加,多層陶瓷電容器之電容值可藉以提升。
另外,由外側施加有不同極性之電壓的第一與第二內部電極之間的距離變近,致使電流迴路變近。因此ESL可降低。
再者,根據本發明之具體實施例,用於多層陶瓷電容器之設置區在印刷電路板上可予以最小化,並且噪音可大幅降低。
儘管本發明已結合具體實施例予以顯示並說明,可實施修改及變化而不脫離本發明如附加之申請專利範圍所界定之精神與範疇對於熟悉本技藝之人士而言係顯而易知的。
1‧‧‧第一側面
2‧‧‧第二側面
3‧‧‧第一尾面
4‧‧‧第二尾面
5‧‧‧第一主面
6‧‧‧第二主面
100‧‧‧多層陶瓷電容器
110‧‧‧陶瓷體
121‧‧‧第一內部電極
121a‧‧‧第一引出部位
122‧‧‧第二內部電極
122a‧‧‧第二引出部位
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
140‧‧‧絕緣層

Claims (14)

  1. 一種多層陶瓷電子組件,其包含:陶瓷體,包含介電層並具有彼此相對之第一與第二主面、彼此相對之第一與第二側面、以及彼此相對之第一與第二尾面;第一內部電極,形成在該陶瓷體中並包含電容形成部位和第一引出部位,該電容形成部位具有用以形成電容之重疊區,該第一引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第二內部電極,與該第一內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第一內部電極絕緣、並且具有第二引出部位,該第二引出部位自該電容形成部位延伸而曝露於該第一側面;第一與第二外部電極,分別連接至該第一與第二引出部位;以及絕緣層,形成在該陶瓷體之該第一側面上,其中,在該陶瓷體之長度方向之該第一引出部位長於在該長度方向的該第二引出部位,以及當該第一與第二內部電極在該陶瓷體之該長度方向之長度界定為L、該第一引出部位在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L1、而該第二引出部位在該陶瓷體之長度方向之長度界定為L2時,滿足0.05L2/(L-L1)0.9。
  2. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中, 該第一與第二內部電極係相對於該陶瓷體之設置面而垂直地設置。
  3. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中,該第一外部電極係延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中,該第二外部電極係延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及第二側面的至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層包括選自由環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組裡的其中至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層係形成以包覆該第一與第二內部電極之所有曝露部位。
  7. 如申請專利範圍第1項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層之厚度小於該第一與第二外部電極自該陶瓷體之該第一側面測量之厚度。
  8. 一種多層陶瓷電子組件,其包含:陶瓷體,包含介電層並且具有彼此相對之第一與第二主面、彼此相對之第一與第二側面、以及彼此相對之第一與第二尾面;第一單元,包括第一內部電極和第二內部電極,該第一內部電極具有電容形成部位和第一引出部位,該電容形成部位是形成在用以在該陶瓷體中形成電容 的重疊區中並曝露於該第一側面,該第一引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面,該第二內部電極與該第一內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第一內部電極絕緣、並且包含第二引出部位,該第二引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第二單元,包括第三內部電極和第四內部電極,該第三內部電極具有電容形成部位和第三引出部位,該電容形成部位形成在該陶瓷體中並且具有用以形成該電容之重疊區,該第三引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面,該第四內部電極與該第三內部電極交替堆疊、具有該介電層插置於其間、與該第三內部電極絕緣、並且包含第四引出部位,該第四引出部位延伸自該電容形成部位而曝露於該第一側面;第一外部電極和第二外部電極,該第一外部電極連接至該第一與第三引出部位,而該第二外部電極連接至該第二與第四引出部位;以及絕緣層,形成在該陶瓷體之該第一側面上,其中,該第一與第二單元係交替堆疊,具有該介電層插置於其間,以及當該第一至第四內部電極在該陶瓷體之長度方向的長度界定為L、該第一內部電極曝露於該陶瓷體在該長度方向的該第一側面之部位的長度界定為L3、而該 第四外引出部位在該陶瓷體之該長度方向的長度界定為L4時,滿足0.05L4/(L-L3)0.9。
  9. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該第一與第二電極係相對於該陶瓷體之設置面而垂直地設置。
  10. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該第一外部電極係延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
  11. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該第二外部電極係延伸至該陶瓷體之該第一主面、該第二主面、以及該第二側面的至少一者。
  12. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層包括選自由環氧化合物、耐熱聚合物、玻璃、以及陶瓷所組成之群組裡的其中至少一者。
  13. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層係形成包含該第一與第二內部電極之所有曝露部位。
  14. 如申請專利範圍第8項之多層陶瓷電子組件,其中,該絕緣層之厚度小於該第一與第二外部電極自該陶瓷體之該第一側面測量之厚度。
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