TWI479276B - 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 - Google Patents

Description

曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法

本發明係關於曝光裝置、曝光方法及元件製造方法。

本申請案主張2008年12月29日申請之美國專利暫時申請61/193,833號、61/193,834號、61/193,835號、61/193,836號及2009年12月22日申請之美國申請案之優先權，將其內容援用於此。

於製造半導體元件、電子元件等微元件之製程中，一般為人知的是例如下述專利文獻所揭示之經由投影光學系統與基板間之液體以來自投影光學系統之曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。

專利文獻

[專利文獻1]美國專利申請公開第2006/0221315號說明書

[專利文獻2]美國專利申請公開第2007/0081140號說明書

[專利文獻3]美國專利申請公開第2008/0174748號說明書

液浸曝光裝置中，與液體接觸之構件有可能受到污染。例如，當雜質附著於該構件時，有可能因該雜質而使形成於基板之圖案產生缺陷等之曝光不良。其結果，即有可能產生不良元件。

又，於液浸曝光裝置，在例如以高速移動基板之情形時，有可能不易以液體持續充滿投影光學系統與基板之間。此外，以高速移動基板時，亦有可能產生液體流出、或基板上殘留液體(膜、滴等)之可能性。其結果，即有可能產生形成於基板之圖案有缺陷等產生曝光不良、或產生不良元件之情形。

本發明之目的，在提供一種能抑制曝光不良之發生之曝光裝置及曝光方法。又，本發明之另一目的，在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方法。

本發明第1態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分；第2面，配置在該第1面周圍之至少一部分、且在該第1面下方；空隙部，液體可經由該第1面與該第2面之間之第1開口流入，並經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛；以及第1回收部，用以回收流入該空隙部之該液體之至少一部分；於該基板之曝光之至少一部分中，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第2面；透過該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第2態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分；第2面，配置在該第1面周圍之至少一部分、且在該第1面下方；空隙部，液體可經由該第1面與該第2面之間之第1開口流入，並經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛；上端部，供規定該空隙部之上端；以及第1回收部，在相對該光學系統之光軸之放射方向於該上端部之外側設置至少一部分，用以回收流入該空隙部之該液體之至少一部分；於該基板之曝光之至少一部分，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第2面；透過該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第3態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；空隙部，液體可經由配置在該曝光用光之光路周圍至少一部分之第1開口流入，並經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛；以及第1回收部，用以回收來自該空隙部之液體；該第1回收部具有儲存來自該空隙部之液體之儲存部，以避免回到該空隙部；於該基板之曝光之至少一部分中，將該基板上之液體之至少一部分從該第1開經由該空隙部儲存至該儲存部；經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第4態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第1、第2、第3態樣中任一項之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第5態樣之曝光方法，其包含：使配置在從光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板隔著第1間隙對向，以在該第1面與該基板之間保持液體之動作；使配置在該第1面之周圍至少一部分之第2面，隔著較該第1間隙小之第2間隙與該基板對向之動作；回收從該第1面與該第2面之間之第1開口，流入經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛之空隙部之液體之至少一部分之動作；以及經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作。

本發明第6態樣之曝光方法，其包含：使配置在從光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板隔著第1間隙對向，以在該第1面與該基板之間保持液體之動作；使配置在該第1面之周圍至少一部分之第2面與該基板對向之動作；將從該第1面與該第2面之間之第1開口，流入經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛之空隙部之液體之至少一部分，在相對該光學系統之光軸之放射方向於該空隙部上端之外側加以回收之動作；以及經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作。

本發明第7態樣之曝光方法，其包含：將光學系統之射出面與基板間之曝光用光之光路以液體加以充滿之動作；經由該射出面與該基板間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作；以及將該基板上之液體之至少一部分，從配置在該光路周圍至少一部分之第1開口，透過經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛之空隙部加以回收之動作；該回收，包含將來自該空隙部之液體儲存於儲存部，以避免該回收之液體回到該空隙部之動作。

本發明第8態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第5、第6、第7態樣之曝光方法中任一項之曝光方法使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第9態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍至少一部分；第1凹部，配置在該第1面周圍之至少一部分；以及第1供氣口，配置在用規定該第1凹部之內面、用以供應氣體；於該基板之曝光之至少一部分中，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第1凹部；經由該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第10態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第9態樣之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第11態樣之曝光方法，其包含：移動基板以使配置在光學系統射出面及從該光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板對向之動作；從配置在用以規定配置在該第1面周圍至少一部分之第1凹部之內面之第1供氣口供應氣體，以提高該第1凹部之壓力之動作；以及經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作。

本發明第12態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第11態樣之曝光方法使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第13態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分；供應口，係以面對該第1面所面對之空間之方式喷配置在該第1面周圍之至少一部分，為將該光路以液體加以充滿而將液體供應至該空間；以及回收部，用以回收從該供應口所供應、經由第1開口流入從該射出面周緣往上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統側面所面對之空隙部之該液體之至少一部分；於該基板之曝光之至少一部分中，配置在該射出面下方之該基板之表面對向於該射出面及該第1面；經由該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光曝光裝置。

本發明第14態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第13態樣之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第15態樣之曝光方法，其包含：移動基板以使配置在光學系統射出面及從該光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板對向之動作；從面對該第1面與該基板間之空間配置在該第1面之周圍至少一部分之供應口對該空間供應液體，以將該射出面與該基板間之光路以該液體加以充滿之動作；回收從該供應口供應、流入從該射出面周緣往上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統之表面所面對之空隙部之液體之至少一部分之動作；以及經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作。

本發明第16態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第15態樣之曝光方法使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第17態樣之曝光裝置，係用以使用基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分；第2面，配置在該第1面周圍之至少一部分；第1空隙部，係從該射出面周緣往上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統之側面所面對者；第2空隙部，液體可從配置在該第1面與該第2面間之該第1開口流入，並經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛；以及回收部，至少一部分係設在與該光學系統側面對向之位置，將經由該第1開口流入該第2空隙部之該液體之至少一部分經由該第2開口加以回收；於該基板之曝光之至少一部分中，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第2面；經由該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第18態樣之曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1面，配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分；第2面，配置在該第1面周圍之至少一部分；第1空隙部，係從該射出面周緣朝上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統之側面所面對，開放於環境氣氛者；第2空隙部，液體可經由配置在該第1面與該第2面間之第1開口流入；以及回收部，將從該第1開口流入該第2空隙部之該液體之至少一部分，經由面對該第1空隙部之該第2開口加以回收；於該基板之曝光之至少一部分中，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第2面；經由該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。

本發明第19態樣提供一種元件製造方法，其包含：使用第17、第18態樣中任一項之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

本發明第20態樣之曝光方法，其包含：移動基板以使配置在光學系統射出面及從該光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板對向之動作；移動基板以使配置在光學系統射出面及從該光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板對向之動作；從配置在用以規定配置在該第1面周圍至少一部分之第1凹部之內面之第1供氣口供應氣體，以提高該第1凹部之壓力之動作；以及將從該第1面與配置在該第1面周圍之至少一部分之第2面之間之第1開口，經由與該第1開口不同之第2開口流入開放於環境氣氛之空隙部之液體之至少一部分，經由該第2開口，以從該射出面周緣往上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統之側面所面對之回收部加以回收之動作。

本發明第21態樣之曝光方法，其包含：移動基板以使配置在光學系統射出面及從該光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1面與基板對向之動作；經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作；以及將從該第1面與配置在該第1面周圍之至少一部分之第2面間之第1開口，經由與該第1開口不同之第2開口流入開放於環境氣氛之第2空隙部之液體之至少一部分，經由面對從該射出面周緣往上方及/或相對該光學系統之光軸之放射方向延伸之該光學系統側面所面對之第1空隙部之該第2開口加以回收之動作。

本發明第22態樣之元件製造方法，其包含：使用第20、第21態樣中任一項之曝光方法使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。

根據本發明之各態樣，能抑制曝光不良之產生。此外，根據本發明之各態樣，能抑制不良元件之產生。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明不限定於此。以下之說明中，數值一XYZ正交座標系，並一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關係。設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、與X軸方向及Y軸方向分別正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，並設繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

＜第1實施形態＞

首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX，係透過(經由)液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動之光罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2、以光學方式測量光罩載台1及基板載台2之位置之干涉儀系統3、以曝光用光EL照明光罩M之照明系統IL、將以曝光用光EL照明之光罩M之圖案像投影至基板P之投影光學系統PL、可將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ充滿以形成液浸空間LS之液浸構件4、至少收容投影光學系統PL之處理室裝置5、至少支承投影光學系統PL之機體6、以及控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置7。

光罩M，包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片。光罩M，包含具有例如玻璃板等透明板、與該透明板上使用鉻等等遮光材料形成之圖案之透射型光罩。此外，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等基材、與形成在該基材上之多層膜。多層膜係積層有至少包含感光膜之複數層膜之膜。感光膜係以感光材形成之膜。又，多層膜亦可包含例如反射防止膜及保護感光膜之保護膜(面塗層膜)。

處理室裝置5，具有用以形成實質封閉之內部空間8之處理室構件5A、與控制內部空間8之環境(温度、濕度、潔淨度及壓力等)之環境控制裝置5B。機體6配置在內部空間8。機體6具有設在支承面FL上之第1柱9、以及設在第1柱9上之第2柱10。第1柱9具有第1支承構件11與透過防震裝置12支承於第1支承構件11之第1平台13。第2柱10具有設在第1平台13上之第2支承構件14、以及透過防震裝置15支承於第2支承構件14之第2平台16。又，本實施形態中，於支承面FL上透過防震裝置17配置有第3平台18。

照明系統IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系統IL射出之曝光用光EL可照射到之位置。照明系統IL，以均勻照度分布之曝光用光EL照明被配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系統IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂ 雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台1具有能將光罩M保持為可釋放之光罩保持部19，能在保持光罩M之狀態下在第2平台16之引導面16G上移動。光罩載台1可藉由驅動系統20之作動，相對照明區域IR保持光罩M移動。驅動系統20包含平面馬達，玼此具有配置在光罩載台1之可動件20A、與配置在第2平台16之固定件20B。可移動光罩載台1之平面馬達，已揭示於例如美國專利第6452292號說明書。光罩載台1藉由驅動系統20之作動，能移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6方向。

投影光學系統PL對既定投影區域PR照射曝光用光EL。投影光學系統PL，以既定之投影倍率將光罩M之圖案之像投影於配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系統PL係其投影倍率為例如1/4、1/5或1/8等之縮小系統。又，投影光學系統PL亦可以是等倍系統或及放大系統之任一者。本實施形態中，投影光學系統PL之光軸AX與Z軸平行。此外，投影光學系統PL亦可以是不包含反射光學元件之折射系統、不包含折射光學元件之反射系統、包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系統之任一種。又，投影光學系統PL可以是形成倒立像與正立像之任一種。

投影光學系統PL之複數個光學元件被保持於保持構件(鏡筒)21。保持構件21具有凸緣21F。投影光學系統PL透過凸緣21F被支承於第1平台13。又，亦可在第1平台13與保持構件21之間設置防震裝置。

投影光學系統PL具有朝向投影光學系統PL之像面射出曝光用光EL之射出面23。射出面23係配置在投影光學系統PL之複數個光學元件中、最靠近投影光學系統PL之像面之終端光學元件22。投影區域PR包含從射出面23射出之曝光用光EL可照射到之位置。本實施形態中，射出面23朝向-Z方向、與XY平面平行。又，朝向-Z方向之射出面23可是凸面、亦可以是凹面。

本實施形態中，終端光學元件22之光軸(投影光學系統PL之像面近旁之光軸)AX與Z軸大致平行。又，將以和終端光學元件22相鄰之光學元件規定之光軸視為終端光學元件22之光軸亦可。又，本實施形態中，投影光學系統PL之像面與包含X軸與Y軸之XY平面大致平行。此外，本實施形態中，像面大致水平。不過，像面可不與XY平面平行、亦可為曲面。

基板載台2具有能將基板P保持為可釋放之基板保持部24，能在第3平台18之引導面18G上移動。基板載台2可藉由驅動系統25之作動，相對投影區域PR保持基板P移動。驅動系統25包含平面馬達，此平面馬達具有配置於基板載台2之可動件25A、與配置於第3平台18之固定件25B。可移動基板載台2之平面馬達已揭示於例如美國專利第6452292號說明書。基板載台2，可藉由驅動系統25之作動，移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6方向。

基板載台2具有配置在基板保持部24之周圍、能與射出面23對向之上面26。本實施形態中，基板載台2具有如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書等所揭示，配置在基板保持部24周圍之至少一部分、將板片構件T之下面保持成可釋放之板片構件保持部27。本實施形態中，基板載台2之上面26包含板片構件T之上面。上面26為平坦。

本實施形態中，基板保持部24將基板P保持成基板P之表面與XY平面大致平行。板片構件保持部27將板片構件T保持成板片構件T之上面26與XY平面大致平行。

干涉儀系統3具有能以光學方式測量光罩載台1(光罩M)在XY平面內之位置之第1干涉儀單元3A、與能以光學方式測量基板載台2(基板P)在XY平面內之位置之第2干涉儀單元3B。實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置7根據干涉儀系統3之測量結果使驅動系統20、25作動，以實施光罩載台1(光罩M)及基板載台2(基板P)之位置控制。

液浸構件4係配置在曝光用光EL之光路周圍至少一部分，以使從射出面23射出之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿。液浸構件4係以在射出面23、及配置在與射出面23對向位置之物體之間之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿之方式，形成液浸空間LS。液浸空間LS係以液體LQ充滿之部分(空間、區域)。本實施形態中，物體包含基板載台2(板片構件T)及基板載台2所保持之基板P之至少一方。於基板P之曝光中，液浸構件4形成一將終端光學元件22與基板P之間之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿之液浸空間LS。

本實施形態中，液浸構件4包含第1構件31與第2構件32。第1構件31及第2構件32配置在終端光學元件22之近旁。本實施形態中，第1構件31係支承於第1支承機構28。第2構件32係支承於第2支承機構29。本實施形態中，第1、第2支承機構28、29係支承於第1平台13。本實施形態中，第1構件31透過第1支承機構28懸吊於第1平台13。第2構件32則透過第2支承機構29懸吊於第1平台13。

本實施形態之曝光裝置EX，係一邊將光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向、一邊將光罩M之圖案之像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進機)。於基板P之曝光時、控制裝置7控制光罩載台1及基板載台2使光罩M及基板P移動於與光軸AX(曝光用光EL之光路)交叉之XY平面內之既定掃描方向。本實施形態中，基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向、光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。控制裝置7，使基板P相對投影光學系統PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊使光罩M相對照明系統IL之照明區域IR移動於Y軸方向、一邊經由投影光學系統PL與基板P上液浸空間LS之液體LQ對基板P照射曝光用光EL。如此，光罩M之圖案之像即被投影至基板P，基板P被曝光用光EL曝光。

圖2係顯示液浸構件4之近旁之側視剖面圖、圖3係從上方觀察液浸構件4之圖、圖4係放大圖2之一部分之圖。

如圖2、圖3及圖4所示，本實施形態中，第1構件31及第2構件32分別為環狀構件。第1構件31之至少一部分係配置在曝光用光EL之部分光路及終端光學元件22之周圍。第2構件23之至少一部分配置在第1構件31之周圍。如圖3所示，本實施形態中，第1構件31及第2構件32在XY平面內之外形為圓形。又，第1構件31及第2構件32之外形亦可以是其他形狀(例如矩形)。

液浸構件4，具備配置在從射出面23射出之曝光用光EL之光路周圍至少一部分之第1面41、配置在第1面41之周圍至少一部分且在第1面41下方(-Z側)之第2面42、液體LQ可經由第1面41與第2面42間之第1開口33流入且經由與第1開口33不同之第2開口34開放於環境氣氛之空隙部80、以及回收流入空隙部80之液體LQ之至少一部分之第1回收部60。本實施形態中，第1面41配置在第1構件31。第2面42配置在第2構件32。第1面41及第2面42能與配置在液浸構件4下方之物體表面(上面)對向。本實施形態中，在XY平面內之第1面41及第2面42之外形為圓形。又，在XY平面內之第2面42之內側邊緣亦為圓形。

本實施形態中，第1面41及第2面42無法回收液體LQ。亦即，本實施形態中，於第1面41及第2面42未設置液體回收口。本實施形態中，第1面41及第2面42是平坦的。第1面41與物體表面(上面)間之第1空間51，能保持液體LQ。又，本實施形態中，第1面41及第2面42雖分別與XY平面(水平面)平行，但第1面41及/或第2面42之至少一部分可相對XY平面傾斜、第1面41與第2面42亦可不平行。再者，本實施形態中，第1面41與第2面42之至少一方可包含曲面。

於基板P之曝光之至少一部分中，基板P之表面與射出面23、第1面41及第2面42對向。於基板P之曝光之至少一部分中，於射出面23與基板P之表面間之空間充滿液體LQ。又，於基板P之曝光之至少一部分中，於第1面41與基板P之表面間之第1空間51保持液體LQ。基板P，透過射出面23與基板P之表面間之液體LQ，被來自射出面23之曝光用光EL所曝光。

本實施形態中，藉由第1面41與物體之間所保持之液體LQ形成液浸空間LS之一部分。本實施形態中，在曝光用光EL照射於基板P時，以包含投影區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋之方式形成液浸空間LS。液浸空間LS之液體LQ之氣液界面(彎月面、邊緣)LG1，雖可形成在第1面41及第2面42之至少一方與基板P之表面之間，但以形成在第2面42之內側邊緣與基板P之間較佳。本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

以下，為簡化說明，係以基板P配置在與射出面23、第1面41及第2面42對向之位置，在液浸構件4與基板P之間保持液體LQ而形成液浸空間LS之情形為例進行說明。又，如以上所述，可在射出面23及液浸構件4與其他構件(基板載台2之板片構件T等)之間形成液浸空間LS。

如以上所述，本實施形態中，第1面41及第2面42分別與XY平面大致平行。如圖4等所示，第1面41隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，第2面42則隔著第2間隙G2對向。第2間隙G2較第1間隙G1小。

本實施形態中，第1構件31具有可與基板P之表面對向之第1面41、與第1面41朝向相反方向且與射出面23之至少一部分對向之第3面43、配置在第3面43之周圍與終端光學元件22之側面35對向之第4面44、配置在第4面44之周圍與保持構件21之外面36對向之第5面45。第1構件31，具有配置成至少一部分與射出面23對向之板片部37、以及至少一部分配置在終端光學元件22之周圍之本體部38。第1面41及第3面43配置於板片部37。第4面44及第5面45則配置於本體部38。又，板片部37具有從射出面23射出之曝光用光EL可通過之開口39。於基板P之曝光中，從射出面23射出之曝光用光EL經由開口39照射於基板P之表面。如圖3所示，本實施形態中，開口39在與基板P之掃描方向(Y軸方向)交叉之X軸方向較長。

第3面43隔著第3間隙G3與射出面23對向。第4面44隔著第4間隙G4與側面35對向。第5面45隔著第5間隙G5與外面36對向。

終端光學元件22之側面35係與射出面23不同之面，為曝光用光EL無法通過之面。側面35配置在射出面23之周圍。側面35係配置成從射出面23之周緣往上方(+Z方向)延伸。側面35設置成從射出面23之周緣往相對光軸AX之放射方向(對光軸AX垂直之方向)延伸。亦即，側面35係傾斜成相對光軸AX之放射方向、且往上方延伸。

本實施形態中，第3面43與射出面23大致平行。又，第4面44與側面35大致平行。第5面45與外面36大致平行。此外，第3面43與射出面23亦可以不是平行。又，第4面44與側面35可不是平行。再者，第5面45與外面36可不是平行。

終端光學元件22及保持構件21與第1構件31之間之空間，包含以射出面23與第3面43所規定之第3空間53、以側面35與第4面44所規定之第4空間54、以及以外面36與第5面45所規定之第5空間55。第4空間54係在相對光軸AX之放射方向、離開投影光學系統PL之像面之方向、且延伸於+Z方向之傾斜空間。第5空間55則係延伸於相對光軸AX之放射方向(垂直於光軸AX之方向)之空間。

又，本實施形態中，第4面44雖與終端光學元件22之側面35對向，但第4面44之至少一部分與保持構件21之外面對向亦可。此外，本實施形態中，第5面45雖與保持構件21之外面36對向，但在終端光學元件22之下面露出於終端光學元件22之側面35之周圍之情形時，第5面45之至少一部分與終端光學元件22之下面對向亦可。

又，第4空間54可與光軸AX平行。第5空間55不相對光軸AX垂直亦可。

又，第1構件31具有配置在第1面41周圍之第6面46、與配置在第6面46周圍之第7面47。第6面46及第7面47配置於本體部38。本實施形態中，第4面44與第6面46大致平行。第5面45與第7面47大致平行。此外，第4面44與第6面46可不平行。第5面45與第7面47可不平行。

本實施形態中，第2構件32具有能與基板P之表面對向之第2面42、與第6面46對向之第8面48、以及與第7面47對向之第9面49。

第8面48隔著第6間隙G6與第6面46對向。第9面49隔著第7間隙G7與第7面47對向。本實施形態中，第8面48與第6面46大致平行。第9面49與第7面47大致平行。又，第8面48與第6面46可不平行。第9面49與第7面47可不平行。

第1構件31與第2構件32之間之空間，包含以第6面46與第8面48所規定之第6空間56、以及以第7面47與第9面49所規定之第7空間57。第6空間56係在相對光軸AX之放射方向、延伸於離開投影光學系統PL之像面之方向(+Z方向)之傾斜空間。第7空間57係延伸於相對光軸AX之放射方向(垂直於光軸AX之方向)之空間。又，第6空間56可與光軸AX平行。此外，第7空間57可不相對光軸AX垂直。

本實施形態中，空隙部80包含第6空間56。空隙部80(第6空間56)之下端係流體性的連接於第1空間51及第2空間52。空隙部80之上端則與第7空間57連結。本實施形態中，於空隙部80之下端配置第1開口33、於空隙部80之上端配置第2開口34。本實施形態中，第8面48之下端部48B係規定空隙部80之下端。第8面48之上端部48T則係規定空隙部80之上端。

於基板P之曝光之至少一部分中，第1開口33與基板P之表面對向。基板P上之液體LQ之至少一部分能經由第1開口33流入空隙部80。本實施形態中，第1開口33形成為與第1面41大致同面高。又，第1開口33亦可不朝向下方(-Z方向)。例如，可將第1開口33設在後述之第12面79。此外，第1開口33亦可以是設置成環狀之一個開口、亦可由以既定間隔配置成環狀之複數個開口形成。同樣的，空隙部80亦可是由在光軸AX之周圍以既定間隔配置成環狀之複數個空隙部形成。

第1回收部60從空隙部80回收液體LQ。第1回收部60係回收從空隙部80溢流之液體LQ。第1回收部60之至少一部分係在相對光軸AX之放射方向，配置在上端部48T之外側。

本實施形態中，第1回收部60，在相對光軸AX之放射方向，具有在空隙部80之外側朝向上方(+Z方向)設置之第1凹部61。第1凹部61具有朝向上方之開口61K。第1回收部60回收經由開口61K流入第1凹部61之液體LQ。

第1凹部61，在相對光軸AX之放射方向，設置在上端部48T之外側。本實施形態中，第1凹部61配置在第9面49之周圍。於XY平面內，第1凹部61為環狀。又，第1凹部61可由以既定間隔配置成環狀之複數個凹部形成。此外，本實施形態中，第2構件32具有配置在第1凹部61之周圍之第10面70。第10面70與XY平面大致平行。本實施形態中，第10面70與第9面49配置在大致同一平面內。又，第10面70亦可配置在第9面49上方(+Z側)。

第1凹部61，具有與第9面49連結之第1內面611、與第1內面611對向而與第10面70連結之第2內面612、以及配置在第1內面611與第2內面612之間之底面613。底面613、上方(+Z方向)向。底面613配置在上端部48T下方(-Z側)。本實施形態中，底面613與XY平面大致平行。又，底面613亦可不與XY平面平行。例如，底面613可相對XY平面傾斜。此外，底面613亦可包含曲面。

又，第1回收部60具有將來自空隙部80之液體LQ引導至第1凹部61之液體導引部81。本實施形態中，液體導引部81包含第9面49。又，本實施形態中，液體導引部81包含第7空間57。液體導引部81形成為從上端部48T延伸於相對光軸AX之放射方向。再者，本實施形態中，液體導引部81雖係設置成相對光軸AX垂直(與XY平面平行)，但亦可不相對光軸AX垂直。例如，可使第9面49從上端部48T朝向下方傾斜。

第1凹部61係從上端部48T於相對光軸AX之放射方向，設在液體導引部81之外側。從空隙部80上端溢流之液體LQ被液體導引部81引導而流入第1凹部61。

第1凹部61可貯存來自空隙部80之液體LQ。第1凹部61可藉由貯存流入之液體LQ據以抑制來自空隙部80之液體LQ回到空隙部80。亦即，第1凹部61具有貯存來自空隙部80之液體LQ以避免液體LQ回到空隙部80之儲存部之至少一部分之機能。

又，第1回收部60具有用以回收流入第1凹部61之液體LQ之回收口62。回收口62係回收貯存在第1凹部61之液體LQ。

本實施形態中，回收口62係配置成與底面613對向。本實施形態中，回收口62配置在第1凹部61之內側。換言之，回收口62係配置在第1凹部61之開口61K之下方(-Z側)。

本實施形態中，於XY平面內，回收口62為環狀。此外，回收口62亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

本實施形態中，回收口62配置於第1構件31。第1構件31具有配置在第7面47之周圍、向下方突出之凸部63。回收口62配置在凸部63之下端。

於回收口62配置有多孔構件64。多孔構件64係包含複數個孔(openings或pores)之板片狀構件。又，多孔構件64亦可以是形成有網眼狀多數個小孔之多孔構件的網狀過濾器。

本實施形態中，包含多孔構件64下面之凸部63外面、與包含底面613、第1內面611及第2內面612之第1凹部61內面是分開的。亦即，在凸部63與第1凹部61之間形成有第8空間58。

第1構件31具有與第10面70對向之第11面71。第10面70與第11面71之間之第9空間59係透過第3開口72開放於環境氣氛。

空隙部80經由第2開口34開放於環境氣氛。第2開口34透過第7空間57、第8空間58及第9空間59與第3開口72連結。本實施形態中，空隙部80透過第2開口34、第7、第8、第9空間57、58、59及第3開口72，開放於環境氣氛。亦即，空隙部80係透過與第1開口33不同之第2開口34開放於液浸構件4周圍之空間。換言之，空隙部80係經由第2開口34，開放於液浸空間LS之液體LQ之界面所接觸之氣體空間。

本實施形態中，所謂「環境氣氛」係指圍繞液浸構件4之氣體。本實施形態中，圍繞液浸構件4之氣體係以處理室裝置5所形成之內部空間8之氣體。本實施形態中，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8以潔淨之空氣加以充滿。又，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8調整為大致大氣壓。當然，亦可將內部空間8設定為高於大氣壓。

又，本實施形態中，第3空間53、第4空間54及第5空間55亦係開放於液浸構件4周圍之氣體空間(內部空間8)。

本實施形態中，第2面42對液體LQ具有撥液性。於第2面42，液體LQ之接觸角為90°以上、亦可為100°以上。本實施形態中，第2面42係以對液體LQ為撥液性之膜73所形成。膜73係以例如包含氟之撥液性材料形成。作為撥液性材料，例如有PFA(過氟烷基化物、Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮、polyetheretherketone)、鐵氟龍(登錄商標)等。

又，本實施形態中，第2構件32具有與第2面42之內側邊緣連結、配置成面對曝光用光EL之光路之第12面79。第12面79對液體LQ亦具有撥液性。第12面79亦係以膜73形成。此外，第2面42及第12面之至少一方可以不是撥液性膜之表面。例如可將第2構件32以撥液性材料加以形成。

又，本實施形態中，液浸構件4具備配置在第1開口33之周圍至少一部分之供氣口74。本實施形態中，供氣口74配置於第2面42。供氣口74朝向與第2面42對向之物體(基板P)表面供應氣體。

本實施形態中，於XY平面內，供氣口74為環狀。又，供氣口74亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

本實施形態中，液浸構件4具備將液體LQ供應至曝光用光EL之光路之供應口75。供應口75配置在與終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面對向之位置。本實施形態中，供應口75係配在與終端光學元件22之側面35對向之位置。又，供應口75亦可不與終端光學元件22之面對向。例如，可將第1構件31以面對第3面43與射出面23之間之第3空間53之方式配置於供應口75。

如圖3所示，本實施形態中，供應口75係相對光軸AX於+Y側及-Y側分別各配置一個。又，供應口75亦可相對光軸AX於+X側及-X側分別各配置一個。此外，供應口75之數量可為3個以上。

本實施形態中，供應口75係對第4空間54供應液體LQ。被供應至第4空間54之液體LQ，流至第4空間54之下方後，經由第3空間53供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。又，從供應口75經由第4空間54供應至第3空間53之液體LQ之至少一部分，經由開口39被供應至第1空間51。

如圖2所示，供應口75經由供應流路與液體供應裝置76連接。本實施形態中，供應流路包含形成在第1構件31內部之流路及形成在第1支承機構28內部之流路。液體供應裝置76可將潔淨且經溫度調整之液體LQ供應至供應口75。又，亦可不在支承第1構件31之第1支承機構28內部設置供應流路之一部分。

回收口62透過回收流路與液體回收裝置77連接。本實施形態中，回收流路包含形成在第1構件31內部之流路及形成在第1支承機構28內部之流路。液體回收裝置77包含真空系統(控制真空源與回收口62之連接狀態之閥等)，可從回收口62吸引液體LQ加以回收。又，亦可不在支承第1構件31之第1支承機構28內部設置供應流路之一部分。

供氣口74透過供氣流路與氣體供應裝置78連接。本實施形態中，供氣流路包含形成在第2構件32內部之流路及形成在第2支承機構29內部之流路。氣體供應裝置78可將潔淨且經濕度調整氣體供應至供氣口74。又，從供氣口74供應之氣體之濕度，以環境控制裝置5B設定為與供應至內部空間8之氣體濕度同程度、或較高者為佳。此外，亦可不在支承第2構件32之第2支承機構29內部設置供氣流路之一部分。

控制裝置7，可控制液體回收裝置77以控制多孔構件64之下面側與上面側間之壓力差，來僅使液體LQ從多孔構件64之下面側空間(第8空間58)通過至上面側空間(回收流路)。本實施形態中，下面側之第8空間58之壓力係開放於環境氣氛、以處理室裝置5加以控制。控制裝置7可液體回收裝置77，以根據下面側之壓力調整上面側之壓力，以僅使液體LQ從多孔構件64之下面側通過至上面側。亦即，控制裝置7所進行之調整，係經由多孔構件64之孔而從第8空間58僅回收液體LQ，而不使氣體通過多孔構件64之孔。調整多孔構件64之一側與另一側間之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件64之一側通過至另一側之技術，已揭示於例如美國專利第7292313號說明書等。

接著，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX以使基板P曝光之方法。

首先，控制裝置7使第1面41及第2面42與基板P之表面(或基板載台2之上面26)對向。第1面41與基板P之表面隔著第1間隙G1對向、第2面42與基板P之表面則隔著第2間隙G2對向。

控制裝置7在使第1面41及第2面42與基板P之表面對向之狀態下，從液體供應裝置76送出液體LQ。控制裝置7並使液體回收裝置77作動。又，控制裝置7亦使氣體供應裝置78作動。

從液體供應裝置76送出之液體LQ，從供應口75供應至第4空間54。供應至第4空間54之液體LQ，在向下流過第4空間54後，經由第3空間53被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。如此，曝光用光EL之光路即被液體LQ充滿。

又，從供應口75經由第4空間54被供應至第3空間53之液體LQ之至少一部分，經由開口39被供應至第1空間51而保持在第1面41與基板P之表面之間。本實施形態中，液浸空間LS係以被基板P之表面、第1面41及第12面79所圍繞之空間大致充滿液體LQ之方式形成。又，液體LQ(液浸空間LS)之界面形成在第2面42之內側邊緣(第12面79之下端)與基板P之表面之間。

從開口39供應至第1空間51之液體LQ之至少一部分，經由第1開口31流入空隙部80。

本實施形態，抑制了經由開口39供應至第1空間51之液體LQ流入第2空間52。亦即，本實施形態中，在XY平面內之液浸空間LS之液體LQ之界面LG1往第12面79之外側之移動受到抑制，從而抑制了液浸空間LS之擴大。

本實施形態中，第1面41隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，配置在第1面41周圍之第2面42則隔著第2間隙G2與基板P之表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小、例如為0.1～0.3mm程度。因此，在相對光軸AX之放射方向。界面LG1往第1開口33外側之移動受到了抑制。亦即，由於第2間隙G2非常小，因此如圖4等所示，藉由液體LQ之表面張力，界面LG1之位置維持在第2面42之內側邊緣與基板P之表面之間。據此，抑制了液浸空間LS之液體LQ流入第2空間52。

又，本實施形態中，由於第2面42對液體LQ為撥液性，因此能更有效的抑制了液體LQ流入第2空間52。此外，本實施形態中，由於以從第2面42之內側邊緣往上方延伸、且配置成面對光路之方式設有第12面79，因此液浸空間LS之擴大受到抑制。再者，由於第12面79對液體LQ為撥液性，就此點而言，亦抑制了液浸空間LS之擴大。

又，本實施形態中，設有供氣口74，相對光軸AX在第2面42之內側邊緣之外側朝向基板P之表面供應氣體。如此，藉由從供氣口74供應之氣體之力，抑制了液浸空間LS之擴大。亦即，供氣口74在基板P之表面與第2面42之間形成氣封。據此，液體LQ之流出受到抑制，拘束了界面LG1之移動。

又，本實施形態中，第1面41之外形及第2面42之內側邊緣為圓形，在XY平面內之液浸空間LS之外形亦大致為圓形。如此，從液浸空間LS之界面LG1之全方位往中心之拘束力即大致均等的作用。據此，能更有效的抑制液浸空間LS之擴大。

在經由開口39流入第1空間51之液體LQ所形成之液浸空間LS之擴大受到抑制之狀態下，從供應口75供應液體LQ，液體LQ流入開放於環境氣氛之空隙部80，在空隙部80之液體LQ之表面位置移動於+Z方向(上昇)。當空隙部80被液體LQ充滿時，該空隙部80之液體LQ之至少一部分即從空隙部80之上端(上端部48T)溢流。從空隙部80溢流之液體LQ，被配置在空隙部80之上端外側之第1回收部60回收。

從空隙部80溢流之液體LQ被引導至液體導引部81後，流入第1凹部61。流入第1凹部61之液體LQ貯存於第1凹部61。

圖5(A)顯示第1凹部61之液體LQ之表面配置在第1位置Z1之狀態，圖5(B)則顯示被配置在第2位置Z2之狀態。如圖5(A)所示，例如在液體LQ之表面配置在第1位置Z1、液體LQ與回收口62(多孔構件64)未接觸之狀態下。第2開口34經由第7、第8、第9空間57、58、59及第3開口72開放於環境氣氛。如此，第1空間51之液體LQ即經由第1開口33圓滑的流入空隙部80。又，流入空隙部80、從該隙部80溢流之液體LQ圓滑的流入第1凹部61。貯存在第1凹部61之液體LQ之量慢慢增加。

如圖5(B)所示，當貯存於第1凹部61之液體LQ之量增加而使液體LQ之表面到達第2位置Z2、液體LQ與回收口62(多孔構件64)接觸時，貯存在第1凹部61之液體LQ即被回收口62(多孔構件64)回收。藉由從回收口62回收液體LQ，第1凹部61之液體LQ之量減少，在第1凹部61之液體LQ之表面位置往-Z方向移動(下降)。而藉由該來自空隙部80之液體LQ流入第1凹部61，第1凹部61之液體LQ之量再度増加，液體LQ與多孔構件64接觸而從回收口62回收液體LQ。

本實施形態中，由於係控制了多孔構件64之下面側與上面側之壓力差以僅使液體LQ從多孔構件64之下面側通過至上面側，因此第1回收部60能在抑制振動之產生、汽化熱之產生之同時，回收液體LQ。

本實施形態中，第1回收部60係將經由第1開口33及空隙部80回收之基板P上之液體LQ貯存於第1凹部61，因此能抑制經由該空隙部80回收之液體LQ回到空隙部80。又，第1回收部60係以回收口62回收第1凹部61中所貯存之既定量以上之液體LQ。因此，能更為確實的抑制經由空隙部80回收之液體LQ回到空隙部80。為避免經由空隙部80回收之液體LQ回到空隙部80，而將來自空隙部80之液體LQ貯存於第1凹部61，即能抑制例如接觸多孔構件64之液體LQ經由空隙部80回到第1空間51及曝光用光EL之光路。

接著，說明使基板P曝光之方法。如上所述，控制裝置7從供應口75供應液體LQ，以曝光用光EL之光路被液體LQ充滿之方式，在第1面41與基板P之表面之間保持液體LQ，以形成液浸空間LS。又，基板P上之液體LQ之至少一部分經由第1開口33流入空隙部80。第1回收部60將來自空隙部80之液體LQ貯存於第1凹部61，並將第1凹部61中達到既定量之液體LQ以回收口62加以回收。控制裝置7與使用供應口75之液體供應動作並行，實施使用第1回收部60之液體回收動作，將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿來形成液浸空間LS。又，控制裝置7從供氣口74供應氣體以形成氣封。

控制裝置7將基板P上之液體LQ之至少一部分從第1開口33經由空隙部80貯存於第1凹部61，一邊抑制從空隙部80回收至第1回收部60之液體LQ回到空隙部80、且一邊使用第2間隙G2等拘束液浸空間LS之擴大、一邊開始基板P之曝光。

控制裝置7以照明系統IL射出曝光用光EL，以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL從投影光學系統PL之射出面23射出。控制裝置7經由射出面23與基板P之間之液體LQ，將來自射出面23之曝光用光EL照射於基板P。如此，光罩M之圖案之像即被投影至基板P，基板P被曝光用光EL曝光。在基板P之曝光中，從供應口75供應之液體LQ從第1開口33流入，經由空隙部80被回收至回收部60。

如以上之說明，依據本實施形態，由於設置了開放於環境氣氛之空隙部80，並將流入該空隙部80之液體LQ以第1回收部60加以回收，因此能將與基板P之表面對向之液浸構件4之下面之構造形成得簡單。因此，能抑制雜質附著於與液體LQ接觸之液浸構件4之下面、或下面受到污染之情形。

例如在與基板P之表面對向之液浸構件4下面設置回收液體LQ之回收口、與該回收口設置多孔構件而使得構造(形狀)變得複雜時，雜質即有可能較易附著在該下面。例如在與基板P表面對向之位置配置多孔構件之情形時，從基板P產生之雜質(例如形成基板P表面之感光膜、或面塗層膜等之一部分)即有可能附著於多孔構件。該附著之雜質在基板P之曝光中釋出至曝光用光EL之光路、或混入液浸空間LS之液體LQ中時，即有可能發生於基板P產生圖案缺陷等、曝光不良之情形。又，下面之構造(形狀)複雜之情形、例如在存在多數凹凸部之情形時，從基板P產生之雜質亦可能易附著於下面。

依據本實施形態，由於設有開放於環境氣氛之空隙部80，將經由第1開口33流入空隙部80之液體LQ以配置在不與基板P表面對向位置之第1回收部60加以回收，因此與基板P表面對向之液浸構件4之下面是非常簡單的構造。因此，能抑制雜質附著在液浸構件4之下面。又，由於液浸構件4下面之構造簡單，因此即使在雜質附著於液浸構件4下面之情形時，亦能順利且良好的清潔液浸構件4之下面。

又，本實施形態中，形成流入第1開口33之液體LQ所流經之流路之空隙部80(第6空間56)及液體導引部81(第7空間57)，係形成在可分離之第1構件31與第2構件32之間。因此，能順利且良好的清潔形成空隙部80之第1構件31之第6面46及第2構件32之第8面48、形成液體導引部81之第1構件31之第7面47及第2構件32之第9面49。

又，本實施形態中，第1回收部60係構成為從空隙部80回收之液體LQ不會回流至空隙部80。亦即，係將來自空隙部80之液體LQ貯存於第1凹部61。因此，即使在例如第1回收部60之多孔構件64受到污染之情形時，亦能抑制與該多孔構件64接觸之液體LQ(有可能受到污染之液體LQ)經由空隙部80回到(逆流)第1空間51及曝光用光EL之光路。因此，能抑制曝光不良之發生。

此外，當多孔構件64受到污染時，可藉由將該受污染之多孔構件64更換為新的多孔構件64，據以抑制與多孔構件64接觸之液體LQ之污染。

又，亦可省略設在上端部48T與第1凹部61之間之液體導引部81(第9面49)。亦即，可與上端部48T鄰接設置第1凹部61。

＜第2實施形態＞

其次，說明第2實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖6係顯示第2實施形態之液浸構件4B之一例的圖。圖6中，液浸構件4B包含具有第1面41之第1構件31B、具有第2面42之第2構件32、以及與第1構件31B及第2構件32為不同之構件、具有回收口62及多孔構件64之第3構件82。第3構件82可安裝於第1構件31B或自其拆卸。

第3構件82具有本體部82A、以及配置在本體部82A上端之凸緣部82B。本體部82A可配置在設於第1構件31B之開口83A。藉由將凸緣部82B支承於設在第1構件31B之支承面83B，第3構件82相對第1構件31B之位置即受到固定。在將凸緣部82B支承於支承面83B之狀態下，配置在第3構件82下端之回收口62及配置於該回收口62之多孔構件64即被配置在第1凹部61之內側。

例如將第3構件82往上方拉起，即能將第3構件82從第1構件31B卸除。又，將第3構件82之本體部82A從開口83A之上方插入開口83A、以支承面83B支承凸緣部82B，即能將第3構件82安裝於第1構件31B。由於第3構件82可容易的加以更換，因此在例如多孔構件64受到污染、或第3構件82之至少一部分受到污染之情形時，能容易的將該第3構件82更換為新品、或將受到污染之第3構件32加以清潔後再度安裝於第1構件31B。因此，能抑制與該第3構件82(多孔構件64)接觸之液體LQ之污染。

又，將第3構件82從第1構件31B卸下及/或將第3構件82安裝於第1構件31B之動作，可在第1構件31B安裝於曝光裝置EX之狀態(被支承於第1支承機構28之狀態)下進行，亦可在將第1構件31B從曝光裝置EX卸除之狀態(從第1支承機構28釋放之狀態)下進行。

＜第3實施形態＞

接著，說明第3實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖7係顯示第3實施形態之液浸構件4C之一例的圖。圖7中，液浸構件4C包含具有第1面41之第1構件31C、與具有第2面42之第2構件32C。第1回收部60C具有設在第2構件32C之第1凹部61C、與用以回收流入第1凹部61C之液體LQ之回收口62C。本實施形態中，回收口62C雖然亦係配置在第1凹部61C之內側，但在第2構件32C具備回收口62C及部分回收流路之點上，與上述第1、第2實施形態相異。本實施形態中，回收口62C係配置在第1凹部61C之底部613C。亦即，第1凹部61之底部613C包含回收口62C之至少一部分。

本實施形態中，於回收口62C亦配置有多孔構件64C。多孔構件64C之上面係配置在上端部48T下方(-Z側)。

本實施形態，亦能以第1回收部60C良好的回收液體LQ。

又，亦可取代回收口62C、或在回收口62C之外於第1凹部61C之第1內面611C及第2內面612C之至少一方，配置回收液體LQ之回收口。

此外，亦可如上述第2實施形態般，將回收口62C(多孔構件64C)以不同於第1構件、第2構件之構件加以保持，以作成能容易裝拆(更換)之形態。

又，亦可在上述第1、第2實施形態之回收口62之外，再設置本實施形態之回收口62C。

＜第4實施形態＞

接著，說明第4實施形態。第4實施形態係第1實施形態之變形例。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖8係顯示第4實施形態之液浸構件4D之一例的圖。圖8中，液浸構件4D包含具有第1面41之第1構件31、與具有第2面42之第2構件32D。本實施形態中，液浸構件4D在相對光軸AX之放射方向、於第1開口33之外側，具有配置在面對第1面41所面對之第1空間51之位置之供應口84。供應口84將液體LQ供應至曝光用光EL之光路。本實施形態中，供應口84設在第2構件32D。本實施形態中，供應口84配置在從第2面42之內側邊緣往上方(+Z方向)延伸之第12面79。

本實施形態，亦能良好的形成液浸空間LS。

又，本實施形態中，雖配置有供應口75及供應口84之雙方，但亦可省略供應口75。

又，在上述第2實施形態及第3實施形態中，亦可如本實施形態般，設置將液體LQ供應至具有第2面42之第2構件之供應口。

＜第5實施形態＞

其次，說明第5實施形態。第5實施形態係第1實施形態之變形例。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖9係顯示第5實施形態之液浸構件4E之一例的圖。圖9中，液浸構件4E包含具有第1面41之第1構件31E、與具有第2面42之第2構件32。本實施形態中，液浸構件4E具有用以回收從終端光學元件22之側面35所面對之第4空間54溢流之液體LQ之第2回收部85。第2回收部85具備設於第1構件31E之第5面45之第2凹部86、與配置在第2凹部86內側之回收口87。於回收口87配置有多孔構件88。第2回收部85係回收從規定第4空間54之上端之上端部44T溢流之液體LQ。上端部44T與第2凹部86之間之第5面45之一部分，具有將從上端部44T溢流之液體LQ引導至第2凹部86之液體導引部之功能。在上端部44T與第2凹部86之間亦可不形成第5面45之一部分。此外，第2回收部85不具備第2凹部86亦可。亦即，回收口87之上端(多孔構件88之上面)可與第5面45為同面高。

依據本實施形態，能抑制從第4空間54溢流之液體LQ在相對光軸AX之放射方向流出至第1構件31E外側。據此，能抑制曝光不良之發生。

此外，亦可於上述第2實施形態～第4實施形態中，如本實施形態般，將回收從第4空間54溢流之液體LQ之第2回收部設在第1構件。

＜第6實施形態＞

接著，說明第6實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖10係顯示第6實施形態之液浸構件4F之一例的圖。圖10中，液浸構件4F包含具有第1面41之第1構件31F、與具有第2面42之第2構件32F。

本實施形態中，第2開口34配置在面對保持構件21之外面36之位置。保持構件21之外面36所面對之空間係開放於液浸構件4F之環境氣氛(內部空間8)，空隙部80經由第2開口34開放於液浸構件4F周圍之環境氣氛。又，側面35所面對之第4空間54亦開放於液浸構件4F周圍之環境氣氛。

本實施形態中用以回收來自空隙部80之液體LQ之第1回收部60F，具有從規定空隙部80上端之上端部1048T延伸於相對光軸AX之放射方向之第9面49F、於相對光軸AX之放射方向設在第9面49F外側之第1凹部61F、配置在第1凹部61F內側之回收口62F、以及配置在回收口62F之多孔構件64F。本實施形態中，第9面49F係配置在較第1構件31F之第5面45F下方、且與外面36對向之位置。此外，第1凹部61F配置在較第9面49F下方處。

又，本實施形態中，供應口75F係配置在與外面36對向之第1構件31F之第5面45F。從供應口75F供應之液體LQ流過第4空間54後，經由第3空間53及開口39被供應至第1空間51。第1空間51之液體LQ之至少一部分經由第1開口33流入空隙部80。從空隙部80溢流之液體LQ被回收至第1回收部60F。

本實施形態，亦能一邊回收液體LQ以避免來自空隙部80之液體LQ經由空間53、54回流至曝光用光EL之光路、一邊良好的形成液浸空間LS。

又，即使液體LQ從第4空間54溢流，亦能將該液體LQ以第1回收部60F加以回收。

此外，亦可將液體LQ之供應口設於第1構件31F之第4面44F。設於第4面44F之供應口可與側面35對向、亦可不與側面35對向。

又，第2構件32F之第9面49F可與第1構件31F之第5面45F相同面高。

此外，亦可如上述第2實施形態般，將回收口62F(多孔構件64F)以不同於第1構件31F、第2構件32F之構件加以保持，以作成能容易裝拆(更換)之形態。

又，亦可如上述第4實施形態般，取代供應口75F、或在供應口75F之外於第2構件32F之第12面79F設置液體LQ之供應口。

再者，亦可於第1構件31F之第5面45F設置回收從第4空間54溢流之液體LQ之回收部。如此，藉由在第5面45F設置液體LQ之回收部，即能回收從空隙部80朝向第4空間54之液體LQ。

＜第7實施形態＞

接著，說明第7實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖11係顯示第7實施形態之液浸構件4G之一例的圖。圖11中，液浸構件4G包含具有第1面41之第1構件31G、與具有第2面42之第2構件32G。

本實施形態之液浸構件4G係上述第6實施形態之液浸構件4F之變形例。因此，省略已於第6實施形態中所作之說明。如圖11所示，第7實施形態在第2開口34係配置成面對側面35之點、以及供應液體LQ之供應口75F係面對射出面23與第3面43之間之第3空間53之點上，與第6實施形態相異。

本實施形態，從空隙部80(上端部1148T)溢流之液體LQ亦能經由第9面49F加以回收至第1回收部60F。

本實施形態，亦能良好的形成液浸空間LS。

＜第8實施形態＞

接著，說明第8實施形態。本實施形態係第1實施形態之變形例。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖12係顯示第8實施形態之液浸構件4H之一例的圖。圖12中，液浸構件4H包含具有第1面41之第1構件31、與具有第2面42之第2構件32H。

本實施形態中，液浸構件4H具備配置在第1開口33與第2面42之間之第2凹部90。於基板P之曝光之至少一部分中，第2凹部90與基板P之表面對向。

又，液浸構件4H具備配置在規定第2凹部90之內面、對第2凹部90供應氣體以提高該第2凹部90之壓力之供氣口92。本實施形態中，第2凹部90之內面包含接近光軸AX之內面91A、與相對光軸AX配置在內面91A外側之內面91B，供氣口92配置於內面91B。

於相對光軸AX之放射方向，在第1開口33之外側配置壓力高之第2凹部90，因此能抑制液浸空間LS之擴大。亦即，藉由形成在第2凹部90之高壓空間，液浸空間LS之氣液界面LG1形成在內面91A之下端與基板P之表面之間，抑制界面LG1往外側之移動。如此，能抑制液體LQ之流出。

此外，上述第2實施形態～第7實施形態中，亦可如本實施形態般，在第1開口33與第2面42之間設置第2凹部90(高壓空間)。

＜第9實施形態＞

接著，說明第9實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖13係顯示第9實施形態之液浸構件4I之一例的圖。圖13中，液浸構件4I包含具有第1面41之第1構件31、與具有第2面42之第2構件32I。

液浸構件4I。具備於相對光軸AX之放射方向配置在供氣口74之外側、可吸引液體LQ及氣體之至少一方之吸引口93。吸引口93能將吸引流路與包含真空系統之吸引裝置加以連接。控制裝置7於基板P之曝光之至少一部分中、實施使用吸引口93之吸引動作。

由於設有吸引口93，因此即使是在液浸空間LS之液體LQ流入第2空間52之情形時，亦能以吸引口93吸引該液體LQ加以回收。因此，能抑制液體LQ流出至第2構件32I之外側、或液體LQ殘留在基板P上。又，亦可設計成在基板P之曝光中不使用吸引口93，而僅在從第1面41下側之第1空間51大致回收所有液體LQ之情形時，始使用吸引口93。

又，上述第1～第9實施形態中，雖係在第1回收部之回收口(62等)及第2回收部之回收口87配置多孔構件，僅使液體LQ從多孔構件之一側通過至另一側，但回收口亦可將液體LQ與氣體一起加以回收。此外，亦可不於回收口配置多孔構件。

又，上述各實施形態中，具有第1面41之第1構件(31)與具有第2面42之第2構件(32)可在與光軸AX平行之方向及/或與光軸AX垂直之方向相對移動。亦即，可作成第1構件(31)與第2構件(32)之至少一方被支承為可動。例如，可於第2支承機構29設置致動器，以該致動器之驅動力來移動第2構件(32)之位置。可使第2構件之位置移動於Z方向以調整第2間隙G2。

此外，上述各實施形態中亦可省略供氣口74。

又，上述各實施形態中，在例如能以來自供氣口74之氣體抑制液體LQ之界面LG1移動之情形時，亦可不將第2面42配置較第1面41下方處。

又，上述各實施形態中，第2面42之至少一部分對液體LQ不是撥液性亦可。

又，上述各實施形態中，若能將空隙部(80)形成為透過與第1開口33不同之第2開口34來開放於液浸構件(4)周圍之環境氣氛的話，亦可將第1面41、第2面42、空隙部(80)等形成於一個構件。

又，上述各實施形態中，第1面41可不配置在射出面23與基板P之間。此場合，第1面41可配置成與射出面23同面高、或配置在較射出面23上方處。

又，上述各實施形態中，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面，可不具有從射出面23周緣往上方(+Z方向)延伸之面(側面35)。例如，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面可與射出面23大致平行(與光軸AX垂直之方向)延伸。

＜第10實施形態＞

接著，說明第10實施形態。圖14係顯示第10實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

如圖14所示，本實施形態中，液浸構件4包含第1構件231與第2構件232。第1構件231及第2構件232配置在終端光學元件22之近旁。本實施形態中，第1構件231支承於第1支承機構28。第2構件232支承於第2支承機構29。本實施形態中，第1、第2支承機構28、29支承於第1平台13。本實施形態中，第1構件231經由第1支承機構28懸吊於第1平台13。第2構件232透過第2支承機構29懸吊於第1平台13。

圖15係顯示液浸構件4之近旁的側視剖面圖、圖16係從上方觀察液浸構件4的圖、圖17則係圖15之部分放大的圖。

如圖15、圖16及圖17所示，本實施形態中，第1構件231及第2構件232分別為環狀構件。第1構件231之至少一部分配置在曝光用光EL之部分光路及終端光學元件22之周圍。第2構件232之至少一部分配置在第1構件231之周圍。如圖16所示，本實施形態中，於XY平面內之第1構件231及第2構件232之外形為圓形。此外，第1構件231及第2構件232之外形亦可以是其他形狀(例如矩形)。

液浸構件4，具備配置在從射出面23射出之曝光用光EL之光路周圍至少一部分之第1面241、配置在第1面241之周圍至少一部分之第1凹部290、配置在用以規定第1凹部290之內面292並供應氣體以提高第1凹部290之壓力之第1供氣口291。

又，本實施形態中，液浸構件4具備配置在第1凹部290之周圍、與第1面241朝向相同方向之第2面242。第1面241及第2面242分別朝向-Z方向而能與基板P之表面對向。本實施形態中，第2面242配置在第1面241下方(-Z側)。

本實施形態中，在XY平面內之第1面241及第2面242之外形為圓形。又，在XY平面內之第2面242之內側邊緣亦為圓形。此外，在XY平面內之第1凹部290之形狀為環狀。作為第1凹部290，可將複數個凹部以既定間隔配置在第1面241之周圍。

又，液浸構件4，具備液體LQ可從第1面241與第1凹部290間之第1開口233流入並經由與第1開口233不同之第2開口234開放於環境氣氛之空隙部280、以及將流入空隙部280之液體LQ之至少一部分加以回收之回收部260。

本實施形態中，第1面241配置於第1構件231。第1凹部290配置於第2構件232。第2面242配置於第2構件232。第1面241、第1凹部290及第2面242能與配置在液浸構件4下方之物體之表面(上面)對向。

本實施形態中，第1面241及第2面242無法回收液體LQ。亦即，本實施形態中，於第1面241及第2面242未設置液體回收口。又，內面292亦無法回收液體LQ。本實施形態中，第1面241及第2面242是平坦的。第1面241與物體表面(上面)之間之第1空間251能保持液體LQ。又，本實施形態中，第1面241與第2面242雖分別與XY平面(水平面)平行，但第1面241及/或第2面242之至少一部分相對XY平面傾斜亦可，第1面241與第2面242亦可不是平行。再者，本實施形態中，第1面241與第2面242之至少一方包含曲面亦可。

於基板P之曝光之至少一部分中，基板P之表面會對向於射出面23、第1面241、第1凹部290及第2面242。於基板P之曝光之至少一部分中，射出面23與基板P之表面之間之空間被液體LQ充滿。又，於基板P之曝光之至少一部分中，在第1面241與基板P之表面之間之第1空間251保持液體LQ。基板P透過射出面23與基板P之表面之間之液體LQ，被來自射出面23之曝光用光EL所曝光。

本實施形態中，以第1面241與物體之間所保持之液體LQ形成液浸空間LS之一部分。本實施形態中，在曝光用光EL照射於基板P時，包含投影區域PR之基板P之表面之一部分區域被液體LQ覆蓋而形成液浸空間LS。液浸空間LS之液體LQ之氣液界面(彎月面、邊緣)LG，雖可形成在與基板P表面對向之液浸構件4之下面與基板P之表面之間，但以形成在後述第12面279與基板P之間較佳。本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

以下，為簡化說明，以基板P配置在與射出面23、第1面241、第1凹部290及第2面242對向之位置，在液浸構件4與基板P之間保持液體LQ而形成液浸空間LS之情形為例進行說明。此外，如上所述，亦可在射出面23及液浸構件4與其他構件(基板載台2之板片構件T等)之間形成液浸空間LS。

如上所述，本實施形態中，第1面241及第2面242分別與XY平面大致平行。如圖17等所示，第1面241隔著基板P之表面與第1間隙G1對向，第2面242則隔著第2間隙G2對向。第2間隙G2較第1間隙G1小。

本實施形態中，第1構件231具有能與基板P表面對向之第1面241、與第1面241朝向相反方向並與射出面23之至少一部分對向之第3面243、配置在第3面243周圍並與終端光學元件22之側面35對向之第4面244、以及配置在第4面244周圍並與保持構件21之外面36對向之第5面245。第1構件231具有配置成至少一部分與射出面23對向之板片部237、以及至少一部分配置在終端光學元件22周圍之本體部238。第1面241及第3面243配置在板片部237。第4面244及第5面245則配置在本體部238。又，板片部237具有從射出面23射出之曝光用光EL可通過之開口239。於基板P之曝光中，從射出面23射出之曝光用光EL經由開口239照射於基板P之表面。如圖16所示，本實施形態中，開口239在與基板P之掃描方向(Y軸方向)交叉之X軸方向長。

第3面243與射出面23隔著第3間隙G3對向。第4面244與側面35隔著第4間隙G4對向。第5面245隔著外面36與第5間隙G5對向。

終端光學元件22之側面35係與射出面23不同之面，為曝光用光EL不通過之面。側面35配置在射出面23之周圍。側面35係配置成從射出面23之周緣往上方(+Z方向)延伸。側面35設置成從射出面23之周緣往相對光軸AX之放射方向(相對光軸AX之垂直方向)延伸。亦即，側面35係於相對光軸AX之放射方向、且延伸於上方而傾斜。

保持構件21係保持終端光學元件22。保持構件21之外面36配置在側面35之周圍。外面36配置成延伸於相對光軸AX之放射方向。

本實施形態中，第3面243與射出面23大致平行。第4面244與側面35大致平行。第5面245與外面36大致平行。又，第3面243與射出面23亦可不是平行。又，第4面244與側面35亦可不是平行。此外，第5面245與外面36亦可不是平行。

終端光學元件22及保持構件21與第1構件231間之空間，包含以射出面23與第3面243所規定之第3空間253、以側面35與第4面244所規定之第4空間254、以及以外面36與第5面245所規定之第5空間255。第4空間254係於相對光軸AX之放射方向、在離開投影光學系統PL之像面之方向且延伸於+Z方向之傾斜之空間。第5空間255則係延伸於相對光軸AX之放射方向(垂直於光軸AX之方向)之空間。

又，本實施形態中，第4面244雖與終端光學元件22之側面35對向，但亦可以是第4面244之至少一部分與保持構件21之外面對向。此外，本實施形態中，第5面245雖與保持構件21之外面36對向，但在終端光學元件22之側面35周圍露出終端光學元件22之下面之情形時，第5面245之至少一部分與終端光學元件22之下面對向亦可。

又，第4空間254亦可與光軸AX平行。此外，第5空間255亦可不相對光軸AX垂直。

又，第1構件231具有配置在第1面241周圍之第6面246、與配置在第6面246周圍之第7面247。第6面246及第7面247配置在本體部238。本實施形態中，第4面244與第6面246大致平行。第5面245與第7面247大致平行。又，第4面244與第6面246亦可不是平行。此外，第5面245與第7面247亦可不是平行。

本實施形態中，第2構件232具有能與基板P之表面對向之第2面242、與第6面246對向之第8面248、以及與第7面247對向之第9面249。

第8面248與第6面246隔著第6間隙G6對向。第9面249與第7面247隔著第7間隙G7對向。本實施形態中，第8面248與第6面246大致平行。第9面249與第7面247大致平行。又，第8面248與第6面246亦可不是平行。此外，第9面249與第7面247亦可不是平行。

第1構件231與第2構件232之間之空間，包含由第6面246與第8面248所規定之第6空間256、以及由第7面247與第9面249所規定之第7空間257。第6空間256係於相對光軸AX之放射方向、延伸於從投影光學系統PL之像面離開之方向(+Z方向)傾斜之空間。第7空間257係於相對光軸AX之放射方向(垂直於光軸AX之方向)延伸之空間。又，第6空間256可與光軸AX平行。此外，第7空間257亦可以不相對光軸AX垂直。

本實施形態中，空隙部280包含第6空間256。空隙部280(第6空間256)之下端流體性的與第1空間251連接。空隙部280之上端流體性的與第7空間257連接。本實施形態中，於空隙部280之下端配置第1開口233、於空隙部280之上端配置有第2開口234。本實施形態中，第8面248之下端部248B規定了空隙部280之下端。第8面248之上端部248T則規定了空隙部280之上端。

於基板P之曝光之至少一部分中，第1開口233與基板P之表面對向。基板P上之液體LQ之至少一部分能經由第1開口233流入空隙部280。本實施形態中，第1開口233形成為與第1面241大致同面高。又，亦可使第1開口233不朝向下方(-Z方向)。第1開口233可以是設置為環狀之一個開口，亦可以是由以既定間隔配置成環狀之複數個開口形成。同樣的，空隙部280亦可以是由在光軸AX周圍以既定間隔配置成環狀之複數個空隙部形成。

回收部260回收來自空隙部280之液體LQ。回收部260回收從空隙部280溢流之液體LQ。回收部260之至少一部分係於相對光軸AX之放射方向、配置在上端部248T之外側。

本實施形態中，回收部260於相對光軸AX之放射方向、在空隙部280之外側具有朝向上方(+Z方向)設置之第2凹部261。第2凹部261具有朝向上方之開口261K。回收部260回收經由開口261K流入第2凹部261之液體LQ。

第2凹部261於相對光軸AX之放射方向、設置在上端部248T之外側。本實施形態中，第2凹部261配置在第9面249之周圍。於XY平面內，第2凹部261為環狀。又，第2凹部261可以是由以既定間隔配置成環狀之複數個凹部形成。又，本實施形態中，第2構件232具有配置在第2凹部261周圍之第10面270。第10面270與XY平面大致平行。本實施形態中，第10面270配置在與第9面249大致同一平面內。又，亦可以是第10面270配置在第9面249之上方(+Z側)。

第2凹部261具有與第9面249連結之第1內面2611、與第1內面2611對向且與第10面270連結之第2內面2612、以及配置在第1內面2611與第2內面2612之間之底面2613。底面2613朝向上方(+Z方向)。底面2613配置在較上端部248T下方(-Z側)處。本實施形態中，底面2613與XY平面大致平行。此外，底面2613亦可不與XY平面平行。例如，底面2613可相對XY平面傾斜。又，底面2613可包含曲面。

又，回收部260具有將來自空隙部280之液體LQ引導至第2凹部261之液體導引部281。本實施形態中，液體導引部281包含第9面249。又，本實施形態中，液體導引部281包含第7空間257。液體導引部281形成為從上端部248T延伸於相對光軸AX之放射方向。又，本實施形態中，液體導引部281雖係設置成相對光軸AX垂直(與XY平面平行)，但亦可不相對光軸AX垂直。例如，可使第9面249從上端部248T朝向下方傾斜。

第2凹部261係從上端部248T於相對光軸AX之放射方向、設置在液體導引部281之外側。從空隙部280之上端溢流之液體LQ被液體導引部281引導而流入第2凹部261。

第2凹部261可貯存來自空隙部280之液體LQ。第2凹部261藉由貯存流入之液體LQ，據以抑制來自空隙部280之液體LQ回到空隙部280。亦即，第2凹部261具有貯存來自空隙部280之液體LQ以避免液體LQ回到空隙部280之儲存部之至少一部分之機能。

又，回收部260具有用以回收流入第2凹部261之液體LQ之回收口262。回收口262係回收該第2凹部261中貯存之液體LQ。

本實施形態中，回收口262係配置成與底面2613對向。本實施形態中，回收口262配置在第2凹部261之內側。換言之，回收口262係配置在較第2凹部261之開口261K下方(-Z側)處。

本實施形態中，於XY平面內回收口262為環狀。又，回收口262亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

本實施形態中，回收口262配致於第1構件231。第1構件231具有配置在第7面247之周圍、向下方突出之凸部263。回收口262配置在凸部263之下端。

於回收口262配置有多孔構件264。多孔構件264係包含複數個孔(openings或pores)之板片狀構件。又，多孔構件264亦可以是形成有網眼狀多數個小孔之多孔構件的網狀過濾器。

本實施形態中，包含多孔構件264之下面之凸部263之外面、底面2613、包含第1內面2611及第2內面2612之第2凹部261之內面係分離。亦即，凸部263與第2凹部261之間形成有第8空間258。

第1構件231具有與第10面270對向之第11面271。第10面270與第11面271之間之第9空間259經由第3開口272開放於環境氣氛。

空隙部280經由第2開口234開放於環境氣氛。第2開口234透過第7空間257、第8空間258及第9空間259與第3開口272連結。本實施形態中，空隙部280經由第2開口234、第7、第8、第9空間257、258、259及第3開口272開放於環境氣氛。亦即，空隙部280經由與第1開口233不同之第2開口234開放於液浸構件4周圍之空間。換言之，空隙部280經由第2開口234開放於液浸空間LS之液體LQ之界面所接觸之氣體空間。

本實施形態中，「環境氣氛」係指圍繞液浸構件4之氣體。本實施形態中，圍繞液浸構件4之氣體係以處理室裝置5所形成之內部空間8之氣體。本實施形態中，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8以潔淨之空氣加以充滿。又，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8調整為大致大氣壓。當然，亦可將內部空間8設定為高於大氣壓。

又，本實施形態中，第3空間253、第4空間254及第5空間255亦係開放於液浸構件4周圍之氣體空間(內部空間8)。

本實施形態中，第2面242對液體LQ為撥液性。於第2面242，液體LQ之接觸角為90°以上、100°以上亦可。本實施形態中，第2面242係以對液體LQ為撥液性之膜273形成。膜273，例如係以包含氟之撥液性材料形成。作為撥液性材料，例如有PFA(過氟烷基化物、Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮、polyetheretherketone)、鐵氟龍(註冊商標)等。

本實施形態中，第2構件232具有配置在第1開口233與第1凹部290之間、與第1面241朝向相同方向之第12面279。第12面279朝向-Z方向而能與基板P之表面對向。本實施形態中，第12面279係與第1面241配置在大致同一平面內之平坦部。又，第12面279亦可配置在第1面241之下方。此外，第12面279可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。

第1凹部290具有朝向下方之開口290K。用以規定第1凹部290之內面292，具有與第12面279連結之第1內面2921、至少一部分與第1內面2921對向且與第2面242連結之第2內面2922、以及配置在第1內面2921與第2內面2922之間之上面2923。上面2923朝向下方(-Z方向)。上面2923配置在較下端部248B上方(十Z側)處。本實施形態中，上面2923與XY平面大致平行。又，上面2923亦可不與XY平面平行。例如，上面2923可相對XY平面傾斜。此外，上面2923可包含曲面。

第1供氣口291配置於第2內面2922。第1供氣口291將氣體供應至第1凹部290之內側。本實施形態中，第1供氣口291具有在光軸AX之周方向以既定間隔設在第2內面2922之複數個開口，從複數個開口分別供應氣體。第1供氣口291將氣體供應至第1凹部290之內側，以使該第1凹部290之壓力至少高於環境氣氛之壓力(本實施形態為大氣壓)。

又，本實施形態中，液浸構件4具備配在第1凹部290周圍之至少一部分之第2供氣口274。本實施形態中，第2供氣口274配置於第2面242。第2供氣口274朝與第2面242對向之物體(基板P)表面供應氣體。

本實施形態中，於XY平面內，供氣口274為環狀。又，供氣口274亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

又，本實施形態中，液浸構件4具備將液體LQ供應至曝光用光EL之光路之供應口275。供應口275配置在與終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面對向之位置。本實施形態中，供應口275係配置在與終端光學元件22之側面35對向之位置。又，供應口275亦可不與終端光學元件22之面對向。例如，可將供應口275以面對第3面243與射出面23之間之第3空間253之方式配置於第1構件231。

如圖16所示，本實施形態中，供應口275相對光軸AX在+Y側及-Y側分別配置各一個。又，供應口275亦可相對光軸AX在+X側及-X側分別各配置一個。此外，供應口275之數目可以是三個以上。

本實施形態中，供應口275將液體LQ供應至第4空間254。被供應至第4空間254之液體LQ在往下方流過第4空間254後，經由第3空間253供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。又，從供應口275經由第4空間254供應至第3空間253之液體LQ之至少一部分，經由開口239被供應至第1空間251。

如圖15所示，供應口275經由供應流路與液體供應裝置276連接。本實施形態中，供應流路包含形成在第1構件231內部之流路及形成在第1支承機構28內部之流路。液體供應裝置276可將潔淨且經溫度調整之液體LQ供應至供應口275。此外，亦可不在支承第1構件231之第1支承機構28內部設置供應流路之一部分。

回收口262經由回收流路與液體回收裝置277連接。本實施形態中，回收流路包含形成在第1構件231內部之流路及形成在第1支承機構28內部之流路。液體回收裝置277包含真空系統(控制真空源與回收口262之連接狀態之閥等)，可從回收口262吸引液體LQ加以回收。藉由回收口262與包含真空源之液體回收裝置277之連接，從回收口262回收液體LQ。又，亦可不在支承第1構件231之第1支承機構28內部設置回收流路之一部分。

第1供氣口291經由供氣流路與氣體供應裝置278A連接。本實施形態中，供氣流路包含形成在第2構件232內部之流路及形成在第2支承機構29內部之流路。氣體供應裝置278A可將潔淨且經濕度調整氣體供至第1供氣口291。又，從第1供氣口291供應之氣體之濕度，最好是能高於以環境控制裝置5B供應至內部空間8之氣體之濕度(較佳)。如此，能抑制液體LQ在界面LG1之汽化。此外，亦可不在支承第2構件232之第2支承機構29內部設置供氣流路之一部分。

第2供氣口274經由供氣流路與氣體供應裝置278B連接。本實施形態中，供氣流路包含形成在第2構件232內部之流路及形成在第2支承機構29內部之流路。氣體供應裝置278B可將潔淨且經濕度調整氣體供應至第2供氣口274。又，從第2供氣口274供應之氣體之濕度，最好是能高於以環境控制裝置5B供應至內部空間8之氣體之濕度(較佳)。此外，亦可不在支承第2構件232之第2支承機構29內部設置供氣流路之一部分。

又，從第1供氣口291供應之氣體之濕度，以和從第2供應口292供應之氣體之濕度同程度、或較高者較佳。

又，從第1供氣口291供應之氣體之濕度，與從第2供應口292供應之氣體之濕度之至少一方，可與以環境控制裝置5B供應至內部空間8之氣體之濕度同程度。

控制裝置7可藉由控制液體回收裝置277，來僅使液體LQ從多孔構件264之下面側空間(第8空間258)通過至上面側空間(回收流路)，以控制多孔構件264之下面側與上面側之壓力差。本實施形態中，下面側之第8空間258之壓力係開放於環境氣氛、以處理室裝置5加以控制。控制裝置7控制液體回收裝置277，視下面側之壓力調整上面側之壓力，以僅使液體LQ從多孔構件264之下面側通過至上面側。亦即，控制裝置7所進行之調整，係經由多孔構件264之孔從第8空間258僅回收液體LQ，而不使氣體通過多孔構件264之孔。調整多孔構件264之一側與另一側之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件264之一側通過至另一側之技術，已揭示於例如美國專利第7292313號說明書等。

其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。

首先，控制裝置7移動保持基板P之基板載台2以使射出面23、第1面241、第1凹部290及第2面242與基板P之表面(或基板載台2之上面26)對向。第1面241與基板P之表面隔著第1間隙G1對向、第2面242與基板P之表面則隔著第2間隙G2對向。

控制裝置7在使第1面241及第2面242與基板P之表面對向之狀態下，從液體供應裝置276送出液體LQ。又，控制裝置7使液體回收裝置277作動。控制裝置7亦使氣體供應裝置278A、278B作動。

從液體供應裝置276送出之液體LQ，從供應口275供應至第4空間254。供應至第4空間254之液體LQ，往下方流過第4空間254後，經由第3空間253被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。如此，曝光用光EL之光路即被液體LQ充滿。

又，從供應口275經由第4空間254被供應至第3空間253之液體LQ之至少一部分，經由開口239被供應至第1空間251，並被保持在第1面241與基板P表面之間。

從開口239供應至第1空間251之液體LQ之至少一部分經由第1開口231流入空隙部280。

本實施形態中，經由開口239供應至第1空間251之液體LQ，被抑制在光軸AX之放射方向流入第12面279外側之空間。亦即，本實施形態中，於XY平面內之液浸空間LS之液體LQ往界面LG1之外側之移動受到拘束，從而抑制了液浸空間LS之擴大。

本實施形態中，從第1供氣口291將氣體供應至配置在第1面241周圍之第1凹部290，第1凹部290之壓力提高而在第1凹部290之下側亦形成高壓空間。在為形成液浸空間LS而保持在第1面241與基板P表面之間之液體LQ之界面LG1之周圍，配置了高壓力之空間，因此能抑制液浸空間LS之擴大。亦即，藉由以第1凹部290形成之高壓空間，使界面LG1往外側之移動受到拘束。本實施形態中，藉由高壓空間，如圖17等所示，界面LG1之位置被維持在第12面279與基板P表面之間。如此，即能抑制液體LQ之流出。

又，本實施形態中，設有與第2面242之內側邊緣連結、配置成面對光路之第2內面2922。於Z軸方向之第2內面2922之大小較第1內面2911之大小來得大。亦即，第2內面2922之下端係配置在第1面241靠-Z側(基板P側)處。因此，氣體從第1凹部290下側空間之流出受到抑制，而能在界面LG1之外側維持高壓空間以抑制液體LQ之流出。

又，本實施形態中，設有供氣口274，在相對光軸AX於第2面242之內側邊緣外側，朝基板P之表面供應氣體。如此，藉由從供氣口274供應之氣體，抑制氣體從第1凹部290下側空間之流出。亦即，供氣口274在基板P之表面與第2面242之間形成氣封。據此，能在第1凹部290之下側維持高壓空間，拘束界面LG1往外側之移動。

又，本實施形態中，第1面241隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，配置在第1面241周圍之第2面242隔著第2間隙G2基板P之表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小，例如為0.1～0.3mm程度。因此，於相對光軸AX之放射方向，即使液體LQ流出至第12面279下側空間之外側，亦能抑制液體LQ流出至第1凹部290之外側。

又，本實施形態中，由於第2面242對液體LQ為撥液性，因此能更有效的抑制液體LQ之流出。

又，本實施形態中，於XY平面內之第1凹部290之形狀為圓環狀(環帶狀)，以該第1凹部290形成之高壓空間亦為圓環狀。如此，能作用出從液浸空間LS之界面LG1之全方位朝向中心之拘束力。據此，液浸空間LS之擴大即受到抑制。

在經由開口239流入第1空間251之液體LQ所形成之液浸空間LS之擴大受到抑制之狀態下，藉由從供應口275供應液體LQ，液體LQ流入開放於環境氣氛之空隙部280，液體LQ於空隙部280之表面位置即往+Z方向(上昇)移動。當空隙部280被液體LQ充滿時，該空隙部280之液體LQ之至少一部分即從空隙部280之上端(上端部248T)溢流。從空隙部280溢流之液體LQ被配置在空隙部280上端外側之回收部260回收。

從空隙部280溢流之液體LQ被液體導引部281引導後，流入第2凹部261。流入第2凹部261之液體LQ貯存在第2凹部261。

圖18A顯示第2凹部261之液體LQ之表面配置在第1位置Z1之狀態，圖18B則顯示配置在第2位置Z2之狀態。如圖18A所示，例如在液體LQ之表面被配置於第1位置Z1，液體LQ與回收口262(多孔構件264)未接觸之狀態下，第2開口234經由第7、第8、第9空間257、258、259及第3開口272，開放於環境氣氛。如此，第1空間251之液體LQ即經由第1開口233順暢的流入空隙部280。又，流入空隙部280並從該空隙部280溢流之液體LQ，順暢的流入第2凹部261。貯存於第2凹部261之液體LQ之量慢慢增加。

如圖18B所示，貯存於第2凹部261之液體LQ之量增加、液體LQ表面到達第2位置Z2而使液體LQ與回收口262(多孔構件264)接觸，貯存於第2凹部261之液體LQ即被回收口262(多孔構件264)回收。以回收口262回收液體LQ，第2凹部261之液體LQ之量即減少而使液體LQ表面在第2凹部261之位置往-Z方向移動(下降)。由於來自空隙部280之液體LQ流入該第2凹部261，第2凹部261之液體LQ之量再度増加而使液體LQ與多孔構件264接觸，液體LQ被回收口262回收。

本實施形態中，由於多孔構件264之下面側與上面側之壓力差受到控制照明光學系統，而僅使液體LQ從多孔構件264之下面側通過至上面側，因此回收部260能在一邊抑制產生振動、產生汽化熱之同時一邊回收液體LQ。

本實施形態中，由於回收部260將經由第1開口233及空隙部280回收之基板P上之液體LQ貯存於第2凹部261，因此能抑制經由該空隙部280回收之液體LQ流回至空隙部280。又，回收部260將第2凹部261中所貯存超過既定量以上之液體LQ以回收口262加以回收。因此，能更為確實的抑制經由空隙部280回收之液體LQ流回至空隙部280。為避免經由空隙部280回收之液體LQ回到空隙部280而將來自空隙部280之液體LQ貯存於第2凹部261，即能抑制例如接觸多孔構件264之液體LQ經由空隙部280流回至第1空間251及曝光用光EL之光路。

其次，說明基板P之曝光方法。如上所述，控制裝置7從供應口275供應液體LQ，為將曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿，而在第1面241與基板P表面之間保持液體LQ來形成液浸空間LS。又，基板P上之液體LQ之至少一部分經由第1開口233流入空隙部280。回收部260將來自空隙部280之液體LQ貯存於第2凹部261，並將第2凹部261中達到既定量之液體LQ以回收口262加以回收。控制裝置7，與使用供應口275之液體供應動作並行，實施使用回收部260之液體回收動作，以液體LQ充滿曝光用光EL之光路之方式形成液浸空間LS。又，控制裝置7，從第1供氣口291供應氣體以提高第1凹部290之壓力，來在界面LG1之周圍形成高壓空間。此外，控制裝置7從第2供氣口274供應氣體以形成氣封。

控制裝置7將基板P上之液體LQ之至少一部分從第1開口233經由空隙部280貯存於第2凹部261，一邊抑制從空隙部280回收至回收部260之液體LQ回到空隙部280、且在一邊使用第2間隙G2等拘束液浸空間LS之擴大之同時、一邊開始基板P之曝光。

控制裝置7從照明系統IL射出曝光用光EL，以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL從投影光學系統PL之射出面23射出。控制裝置7經由射出面23與基板P之間之液體LQ，將來自射出面23之曝光用光EL照射於基板P。如此，光罩M之圖案之像即被投影至基板P、基板P被曝光用光EL曝光。於基板P之曝光中、從供應口275供應之液體LQ亦從第1開口233流入並經由空隙部280被回收至回收部260。

如以上之說明，依據本實施形態，由於係從配置在用以規定第1凹部290之內面292之第1供氣口291供應氣體，以在液浸空間LS之周圍形成高壓空間，因此，即使是在例如形成有液浸空間LS之狀態下以高速移動基板P之情形下，亦能在投影光學系統PL與基板P之間良好的持續充滿液體LQ。又，能抑制液體LQ之流出、殘留等。因此，能抑制曝光不良之發生、不良元件之產生。

又，本實施形態中，由於係設置了開放於環境氣氛之空隙部280，將流入該空隙部280之液體LQ以回收部260加以回收，因此能簡化與基板P表面對向之液浸構件4下面之構造。是以能抑制與液體LQ接觸之液浸構件4之下面附著雜質、或下面受到污染之情形。

又，本實施形態中，用以形成流入第1開口233之液體LQ所流經之流路之空隙部280(第6空間256)及液體導引部281(第7空間257)，係形成在可分離之第1構件231與第2構件232之間。因此，能順利且良好的清潔形成空隙部280之第1構件231之第6面246及第2構件232之第8面248、以及形成液體導引部281之第1構件231之第7面247及第2構件232之第9面249。

又，本實施形態中，回收部260係構成為從空隙部280回收之液體LQ不會回流至空隙部280。亦即，將來自空隙部280之液體LQ貯存於第2凹部261。因此，在例如回收部260之多孔構件264受到污染之情形下，亦能抑制與該多孔構件264接觸之液體LQ(有可能受到污染之液體LQ)經由空隙部280回流到第1空間251及曝光用光EL之光路(逆流)。因此，能抑制曝光不良之發生。

又，多孔構件264受到污染之情形，藉由將該受到污染之多孔構件264更換為新的多孔構件264，即能抑制與多孔構件264接觸之液體LQ之污染。

又，上述實施形態中，第1開口233與第1凹部290之間雖形成有第12面279，但亦可不形成第12面279而使第1開口233與第1凹部290相鄰接。此外，第12面279亦可以是配置在較第1面241下方處。

＜第11實施形態＞

接著，說明第11實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖19係顯示第11實施形態之液浸構件204B之一例的圖。本實施形態中，液浸構件204B，具備配置在從射出面23射出之曝光用光EL之光路周圍之第1面241、配置在第1面241周圍之第1凹部290、配置在用以規定第1凹部290之內面292並供應氣體以提高第1凹部290之壓力之第1供氣口291、以及於相對光軸AX之放射方向配置在第1面241與第1凹部290之間用以回收液體LQ之回收口287。於回收口287配置有多孔構件288。

又，液浸構件204B，具備配置在第1凹部290之周圍並與第1面241朝向相同方向之第2面242、配置在第2面242之第2供氣口274、以及配置在與側面35對向位置之供應口275。

本實施形態中，第1面241、第1凹部290、第1供氣口291、回收口287、第2面242、第2供氣口274及供應口275係配置於一個構件。

又，本實施形態中，回收口287係朝向-Z方向而能與基板P之表面對向。回收口287能回收基板P上之液體LQ。多孔構件288之下面能與基板P之表面對向。多孔構件288之下面配置在第1面241周圍之至少一部分。本實施形態中，第1面241與多孔構件288之下面係配置在大致同一平面內。

回收口287透過回收流路與液體回收裝置277連接。藉由回收口287與包含真空源之液體回收裝置277之連接，從回收口287回收液體LQ。又，本實施形態中，控制裝置7可控制多孔構件288之下面側與上面側之壓力差，以控制液體回收裝置277僅使液體LQ從多孔構件288之下面側通過至上面側。

本實施形態中，於相對光軸AX之放射方向，在回收口287外側配置有第1凹部290，以抑制液浸空間LS之液體LQ之界面LG1移動至較回收口287之下側空間之外側。因此，本實施形態，亦能抑制液體LQ之流出、殘留等。

＜第12實施形態＞

接著，說明第12實施形態。本實施形態係第10實施形態之變形例。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖20係顯示第12實施形態之液浸構件204C之一例的圖。圖20中，液浸構件204C包含具有第1面241之第1構件231C、以及具有第2面242之第2構件232C。

又，液浸構件204C具有將流入空隙部280之液體LQ之至少一部分加以回收之回收部260C。本實施形態中，回收部260C具有設在第2構件232C之第2凹部261C、以及將流入第2凹部261C之液體LQ加以回收之回收口262C。本實施形態中，回收口262C係配置在第2凹部261C之內側。本實施形態中，回收口262C配置在第2凹部261C之底部2613C。於回收口262C配置有多孔構件264C。多孔構件264C之上面配置在較上端部248T下方(-Z側)處。本實施形態，亦能以回收部260C良好的回收液體LQ。

本實施形態中，液浸構件204C在相對光軸AX之放射方向，具有在第1面241之外側、配置在面對第1面241所面對之第1空間251之位置之供應口284。供應口284將液體LQ供應至曝光用光EL之光路。本實施形態中，供應口284設於第2構件232C。供應口284係在相對光軸AX之放射方向、配置在第1開口233之外側。供應口284係配置在與第12面279之內側邊緣連結、面對第1空間251之第13面285。

又，與上述第10、第11實施形態同樣的，液浸構件204C具備配置在第1面241周圍之第1凹部290、配置在用以規定第1凹部290之內面292之第1供氣口291、以及配置在第2面242之第2供氣口274。本實施形態中，供應口284係配置在第1開口233與第1凹部290之間。

本實施形態，亦能良好的形成液浸空間LS，從而能抑制液體LQ之流出、殘留。

又，本實施形態中，雖配置有供應口275及供應口284之雙方，但亦可省略供應口275。

又，本實施形態中，亦可將回收口262C配置在第2凹部261C之第1內面2611C及第2內面2612C之至少一方。

又，上述第10、第12實施形態中，具有第1面241之第1構件(231)與具有第2面242之第2構件(232)可在與光軸AX平行之方向及/或與光軸AX垂直之方向相對移動。亦即，可將第1構件231與第2構件232之至少一方支承為可動。例如，可於第2支承機構29設置致動器，藉由該致動器之驅動力來移動第2構件(232)之位置。可將第2構件(232)之位置移動於Z方向以調整第2間隙G2。

又，上述第10、第12實施形態中，可將第1面241、第2面242、空隙部280等形成於一個構件。

又，上述第10、第12實施形態中，可將空隙部280設置成第2開口234與保持構件21之外面36對向。此情形下，由於外面36下側之第5空間255亦開放於環境氣氛(液浸構件4周圍之氣體空間)，因此可於相對光軸AX之放射方向將回收部260配置在空隙部280之外側，而能順利的回收來自空隙部280之液體LQ。

又，上述各實施形態中，第2面242之至少一部分對液體LQ亦可以不是撥液性。

此外，上述第10～第12實施形態中，雖係於回收口262、287、262C配置多孔構件，以僅使液體LQ從多孔構件之一側通過至另一側，但回收口亦可將液體LQ與氣體一起回收。又，亦可不在回收口配置多孔構件。

又，上述各實施形態中，亦可省略供氣口274。

又，上述各實施形態中，只要是能從供氣口274藉由氣體在第1凹部290之下側維持高壓空間的話，第2面242亦可不配置在較第1面241下方處。

又，上述各實施形態中，亦可將第1面241配置在曝光用光EL之光路周圍之一部分。此外，亦可將第2面242配置在第1凹部290周圍之一部分。

又，上述各實施形態中，第1面241亦可不是配置在射出面23與基板P之間。此場合，第1面241可配置成與射出面23同面高、或配置在較射出面23上方處。

又，上述各實施形態中，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面可不具有從射出面23周緣往上方(+Z方向)延伸之面(側面35)。例如，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面可與射出面23大致平行(在與光軸AX垂直之方向)延伸。

＜第13實施形態＞

接著，說明第13實施形態。圖21係顯示本實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

如圖21所示，本實施形態中，曝光裝置EX具備能以曝光用光EL之至少部分光路被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS之液浸構件304。

液浸構件304係配置在曝光用光EL之光路周圍至少一部分，以使從射出面23射出之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿。液浸構件304將液浸空間LS形成為在射出面23、以及配置在與射出面23對向位置之物體之間之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿。液浸空間LS係以液體LQ充滿之部分(空間、區域)。本實施形態中，物體包含基板載台2(板片構件T)及基板載台2所保持之基板P之至少一方。於基板P之曝光中、液浸構件304形成終端光學元件22與基板P之間之曝光用光EL之光路被液體LQ充滿之液浸空間LS。

液浸構件304配置在終端光學元件22之近旁。本實施形態中，液浸構件304係支承於支承機構28。本實施形態中，支承機構28被支承於第1平台13。本實施形態中，液浸構件304透過支承機構28懸吊於第1平台13。

圖22係顯示液浸構件304之近旁的側視剖面圖、圖23係從上方觀察液浸構件304的圖、圖24則係圖22之部分放大圖。

如圖22、圖23及圖24所示、本實施形態中，液浸構件304為環狀構件。液浸構件304之至少一部分配置在曝光用光EL之一部分光路及終端光學元件22之周圍。如圖23所示，本實施形態中，在XY平面內之液浸構件304之外形為圓形。又，液浸構件304之外形亦可以是其他形狀(例如矩形)。

液浸構件304，具備配置在從射出面23射出之曝光用光EL之光路周圍至少一部分之第1面341、以面對第1面341所面對之第1空間351之方式配置在第1面341周圍至少一部分並為了將從射出面23之射出之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿而對第1空間351供應液體LQ之供應口375、以及回收從供應口375供應經由第1開口339流入空隙部380之液體LQ之至少一部分之回收部360，此空隙部380係從射出面23之周緣往上方及延伸於投影光學系統PL之相對光軸AX之放射方向之投影光學系統PL之側面35所面對者。

又，本實施形態中，液浸構件304具備配置在第1面341周圍之至少一部分、且配置在較第1面341下方(-Z側)之第2面342。第1面341及第2面342能與配置在液浸構件304下方之物體表面(上面)對向。本實施形態中，第1面341及第2面342在XY平面內之外形為圓形。又，在XY平面內之第2面342之內側邊緣亦為圓形。

本實施形態中，第1面341及第2面342無法回收液體LQ。亦即，本實施形態中，於第1面341及第2面342並未設置液體回收口。換言之，本實施形態中，於曝光中基板P之表面對向之液浸構件304之下面，除曝光用光EL通過之第1開口339以外並未設置液體回收口。本實施形態中，第1面341及第2面342是平坦的。第1面341與物體表面(上面)之間之第1空間351能保持液體LQ。此外，本實施形態中，第1面341與第2面342雖分別與XY平面(水平面)平行，但亦可以是第1面341及/或第2面342之至少一部分相對XY平面傾斜、或第1面341與第2面342平行。再者，本實施形態中，第1面341與第2面342之至少一方亦可包含曲面。

於基板P之曝光之至少一部分中，配置在射出面23下方之基板P之表面對向於射出面23、第1面341及第2面342。於基板P之曝光之至少一部分中，射出面23與基板P表面之間之空間充滿液體LQ。又，於基板P之曝光之至少一部分中，於第1面341與基板P表面之間之第1空間351保持液體LQ。基板P，經由射出面23與基板P表面之間之液體LQ，被來自射出面23之曝光用光EL曝光。

本實施形態中，藉由保持在第1面341與物體之間之液體LQ形成液浸空間LS之一部分。本實施形態中，在基板P被曝光用光EL照射時，將液浸空間LS形成為以液體LQ覆蓋包含投影區域PR之基板P表面部分區域。液浸空間LS之液體LQ之氣液界面(彎月面、邊緣)LG雖可形成在第1面341及第2面342之至少一方與基板P表面之間，但以形成在第2面342之內側邊緣與基板P之間較佳。本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

以下，為簡化說明，以基板P配置在與射出面23、第1面341及第2面342對向之位置、在液浸構件304與基板P之間保持液體LQ而形成液浸空間LS之情形為例進行說明。又，如上所述，可在射出面23及液浸構件304與其他構件(基板載台2之板片構件T等)之間形成液浸空間LS。

如以上所述，本實施形態中，第1面341及第2面342分別與XY平面大致平行。如圖24等所示，第1面341隔著第1間隙G1與基板P表面對向，第2面342隔著第2間隙G2與基板P表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小。

本實施形態中，供應口375配置在第1面341下方處。本實施形態中，供應口375配置在第1面341與第2面342之間。本實施形態中，液浸構件304具備配置在第1面341與第2面342之間、面對第1空間351之第3面343。第3面343之上端與第1面341之外側邊緣連結。第3面343之下端與第2面342之內側邊緣連結。供應口375配置於第3面343。

本實施形態中，供應口375相對光軸AX在+Y側及-Y側分別各配置一個。又，供應口375亦可相對光軸AX在+X側及-X側分別各配置一個。此外，供應口375之數量可以是三個以上。

第3面343配置在曝光用光EL之周圍。第1空間351係以第1面341及第3面343加以規定。本實施形態中，第3面343與光軸AX大致平行。又，第3面343亦可以是不與光軸AX平行。例如，第1面341與第3面343所夾角度可小於90度、亦可大於90度。

本實施形態中，投影光學系統PL之側面35包含終端光學元件22之側面35A及保持構件21之外面35B之至少一方。終端光學元件22之側面35A係與射出面23不同之面，為曝光用光EL不通過之面。側面35A配置在射出面23之周圍。側面35A係設置成從射出面23之周緣往上方、且相對光軸AX之放射方向(對光軸AX垂直之方向)延伸。亦即，側面35A係傾斜成從射出面23之周緣往上方(+Z方向)延伸。

保持構件21保持終端光學元件22。保持構件21之外面35B配置在側面35A之周圍。外面35B為曝光用光EL不通過之面。外面35B配置成相對光軸AX之放射方向延伸。

又，本實施形態中，液浸構件304，具有與第1面341朝向相反方向並與射出面23之至少一部分對向之第4面344、配置在第4面344之周圍與終端光學元件22之側面35A對向之第5面345、以及配置在第5面345之周圍與保持構件21之外面35B對向之第6面346。又，本實施形態中，終端光學元件22雖係以側面35露出之方式被保持於保持構件21，但終端光學元件22亦可以第5面345面對保持構件21、或第6面346面對終端光學元件22之方式被保持於保持構件21。

液浸構件304具有被配置成至少一部分與射出面23對向之板片部337、以及至少一部分配置在終端光學元件22周圍之本體部338。第1面341及第4面344配置在板片部337。第5面345及第6面346則配置在本體部338。

第1開口339配置在板片部337。從射出面23射出之曝光用光EL可通過第1開口339。基板P之曝光中，從射出面23射出之曝光用光EL經由第1開口339照射於基板P之表面。如圖23所示，本實施形態中，第1開口339在與基板P之掃描方向(Y軸方向)交叉之X軸方向較長。

第4面344隔著第3間隙G3與射出面23對向。第5面345隔著第4間隙G4與側面35A對向。第6面346則隔著第5間隙G5與外面35B對向。

本實施形態中，第4面344與射出面23大致平行。又，第5面345與側面35A大致平行。第6面346與外面35B大致平行。又，第4面344與射出面23亦可不是平行。！！此外，第5面345與側面35A亦可不是平行。第6面346與外面35B亦可不是平行。

空隙部380包含第1空隙部381與第2空隙部382。第1空隙部381包含側面35A與第5面345間之空間。第1空隙部381往相對光軸AX之放射方向、且上方(+Z方向)延伸。本實施形態中，第5面345之下端部345B係規定第1空隙部381之下端。第5面345之上端部345T則規定第1空隙部381之上端。

第2空隙部382包含外面35B與第6面346之間之空間。第2空隙部382係流體性的與第1空隙部381之上端連接。第2空隙部382延伸於相對光軸AX之放射方向。

又，第1空隙部381可與光軸AX平行。此外，第2空隙部382亦可以不是相對光軸AX垂直。

回收部360，回收經由第1開口339流入空隙部380(第1空隙部381)之液體LQ之至少一部分。第1開口339面對第1空間351。從供應口375供應至第1空間351之液體LQ之至少一部分，可經由第1開口339流入第1空隙部381。又，於基板P之曝光之至少一部分中，第1開口339與基板P之表面對向。因此，基板P上之液體LQ之至少一部分可經由第1開口339流入第1空隙部381。

本實施形態中，第1空隙部381係經由與第1開口339不同之第2開口334開放於環境氣氛。本實施形態中，第2開口334配置在第1空隙部381之上端。

回收部360，經由第2開口334回收從第1開口339流入第1空隙部381之液體LQ之至少一部分。回收部360回收從第1空隙部381溢流之液體LQ。回收部360之至少一部分，係在相對光軸AX之放射方向設於上端部345T之外側。又，回收部360之至少一部分於第2空隙部382與外面35B對向。

本實施形態中，回收部360具有在相對光軸AX之放射方向、在第1空隙部381之外側朝上方(+Z方向)設置之凹部361。凹部361設於液浸構件304。凹部361具有朝向上方之開口361K。回收部360回收經由開口361K流入凹部361之液體LQ。

凹部361係於相對光軸AX之放射方向設在上端部345T之外側。本實施形態中，凹部361配置在第6面346之周圍。於XY平面內，凹部361為環狀。又，凹部361亦可由以既定間隔配置成環狀之複數個凹部形成。又，本實施形態中，液浸構件304具有配置在凹部361周圍之第7面347。第7面347與XY平面大致平行。本實施形態中，第7面347係配置在與第6面346大致同一平面內。又，第7面347亦可配置在較第6面346上方(+Z側)處。

凹部361，具有與第6面346連結之第1內面3611、與第1內面3611對向並與第7面347連結之第2內面3612、以及配置在第1內面3611與第2內面3612之間之底部3613。底部3613朝向上方(+Z方向)。底部3613配置在較上端部345T下方(-Z側)處。本實施形態中，底部3613與XY平面大致平行。又，底部3613亦可不與XY平面平行。例如底部3613亦可相對XY平面傾斜。又，底部3613亦可包含曲面。

又，回收部360具有將來自第1空隙部381之液體LQ導向凹部361之液體導引部383。本實施形態中，液體導引部383包含第6面346。又，本實施形態中，液體導引部383包含外面35B與第6面346之間之空間。亦即，液體導引部383係配置在第2空隙部382之一部分。液體導引部383形成為從上端部345T延伸於相對光軸AX之放射方向。

又，本實施形態中，液體導引部383雖係設置為相對光軸AX垂直(與XY平面平行)，代亦可不相對光軸AX垂直。例如，可使第6面346從上端部345T朝向下方傾斜。

凹部361係從上端部345T於相對光軸AX之放射方向、設在液體導引部383之外側。從第1空隙部381之上端溢流之液體LQ被液體導引部383引導而流入凹部361。

凹部361可貯存來自第1空隙部381之液體LQ。凹部361藉由貯存流入之液體LQ，據以抑制來自第1空隙部381之液體LQ回流至第1空隙部381。亦即，凹部361具有貯存來自第1空隙部381之液體LQ以避免液體LQ回到第1空隙部381之儲存部之至少一部分之機能。

又，回收部360具有回收流入凹部361之液體LQ之回收口362。回收口362回收貯存於凹部361之液體LQ。

本實施形態中，回收口362配置在凹部361之內側。換言之，回收口362配置在較凹部361之開口361K下方(-Z側)處。本實施形態中，回收口362係配置在凹部361之底部3613。亦即，凹部361之底部3613包含回收口362之至少一部分。

本實施形態中，於XY平面內，回收口362為環狀。又，回收口362亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

於回收口362配置有多孔構件364。多孔構件364包含複數個孔(openings或pores)之板片狀構件。又，多孔構件364亦可以是形成有網眼狀多數個小孔之多孔構件的網狀過濾器。

如上所述，本實施形態中，第1空隙部381經由第2開口334開放於環境氣氛。本實施形態中，第1空隙部381經由第2開口334及第2空隙部382開放於環境氣氛。

如上所述，第2空隙部382包含外面35B與第6面346之間之空間。又，本實施形態中，第2空隙部382包含外面35B與凹部361之間之空間及外面35B與第7面347之間之空間。外面35B與第7面347之間之空間經由第3開口372開放於環境氣氛。

亦即，第1空隙部381經由第2開口334及第2空隙部382開放於液浸構件304周圍之空間。換言之，第1空隙部381經由第2開口334開放於液浸空間LS之液體LQ之界面所接觸之氣體空間(內部空間8)。

本實施形態中，「環境氣氛」係指圍繞液浸構件304之氣體。本實施形態中，圍繞液浸構件304之氣體係以處理室裝置5所形成之內部空間8之氣體。本實施形態中，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8以潔淨之空氣加以充滿。又，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8調整為大致大氣壓。當然，亦可將內部空間8設定為高於大氣壓。

本實施形態中，第2面342對液體LQ為撥液性。於第2面342，液體LQ之接觸角為90°以上、亦可為100°以上。本實施形態中，第2面342係以對液體LQ為撥液性之膜373形成。膜373，例如係以包含氟之撥液性材料形成。作為撥液性材料，例如有PFA(過氟烷基化物、Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮、polyetheretherketone)、鐵氟龍(註冊商標)等。

又，本實施形態中，第3面343亦對液體LQ為撥液性。第3面343亦係以膜373形成。又，第2面342及第3面343之至少一方亦可以不是撥液性膜373之表面。例如，可以撥液性材料形成液浸構件304。

又，本實施形態中，液浸構件304具備配置在供應口375周圍至少一部分之供氣口374。本實施形態中，供氣口374配置於第2面342。供氣口374能對第2面342與基板P表面之間之第2空間352供應氣體。供氣口374朝向與第2面342對向之物體(基板P)表面供應氣體。

本實施形態中，於XY平面內，供氣口374為環狀。又，供氣口374亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

如圖22所示，供應口375經由供應流路與液體供應裝置376連接。本實施形態中，供應流路包含形成在液浸構件304內部之流路及形成在支承機構28內部之流路。液體供應裝置376可將潔淨且經溫度調整之液體LQ供應至供應口375。又，亦可不在支承液浸構件304之支承機構28內部設置供應流路之一部分。

回收口362經由回收流路與液體回收裝置377連接。本實施形態中，回收流路包含形成在液浸構件304內部之流路及形成在支承機構28內部之流路。液體回收裝置377包含真空系統(用以控制真空源與回收口362之連接狀態之閥等)，可從回收口362吸引液體LQ加以回收。又，亦可不在支承液浸構件304之支承機構28內部設置回收流路之一部分。

供氣口374經由供氣流路與氣體供應裝置378連接。本實施形態中，供氣流路包含形成在液浸構件304內部之流路及形成在支承機構28內部之流路。氣體供應裝置378可將潔淨且經濕度調整氣體供應至供氣口374。再者，從供氣口374供應之氣體之濕度，以和環境控制裝置5B供應至內部空間8之氣體濕度同程度、或高者較佳。又，亦可不在支承液浸構件304之支承機構28內部設置供氣流路之一部分。

從供應口375供應至第1空間351之液體LQ，被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。又，第1空間351之液體LQ之至少一部分，經由第1開口339流入射出面23與第4面344之間之第3空間353，經由該第3空間353流入第1空隙部381。流入第1空隙部381之液體LQ之至少一部分被回收至回收部360。

本實施形態，係控制多孔構件364之上面側與下面側之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件364之上面側空間(第2空隙部382)通過至下面側空間(回收流路)。本實施形態中，上面側之第2空隙部382之壓力係開放於環境氣氛，以處理室裝置5加以控制。控制裝置7控制液體回收裝置377，視上面側之壓力調整下面側之壓力以僅使液體LQ從多孔構件364之上面側通過至下面側。亦即，控制裝置7所進行之調整係經由多孔構件364之孔僅回收來自第1空隙部381之液體LQ，而氣體則不通過多孔構件364之孔。調整多孔構件364之一側與另一側之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件364之一側通過至另一側之技術，已揭示於例如美國專利第7292313號說明書等。

接著，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。

首先，控制裝置7移動保持有基板P之基板載台2，以使射出面23及第1面341與基板P之表面(或基板載台2之上面26)對向。第1面341與基板P之表面隔著第1間隙G1對向，第2面342與基板P之表面隔著第2間隙G2對向。

控制裝置7在使第1面341及第2面342與基板P之表面對向之狀態下，從液體供應裝置376送出液體LQ。又，控制裝置7使液體回收裝置377作動。控制裝置7亦使氣體供應裝置378作動。

從液體供應裝置376送出之液體LQ由供應口375供應至第1空間351，並被保持在第1面341與基板P表面之間。供應至第1空間351之液體LQ，被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。如此，射出面23與基板P之間之曝光用光EL之光路即被液體LQ充滿。

本實施形態中，係將被基板P表面、第1面341及第3面343所圍繞之第1空間351以液體LQ加入大致充滿來形成液浸空間LS。又，液體LQ(液浸空間LS)之界面LG1形成在第2面42之內側邊緣(第3面343之下端)與基板P之表面之間。

本實施形態，抑制了由供應口375供應至第1空間351之液體LQ流入第2空間352。亦即，本實施形態，抑制了XY平面內液浸空間LS之液體LQ之界面LG1往第3面343外側之移動，從而抑制了液浸空間LS之擴大。

本實施形態中，第1面341隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，配置在第1面341周圍之第2面342則隔著第2間隙G2與基板P之表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小，例如為0.1～0.3mm程度。因此，抑制了於相對光軸AX之放射方向，界面LG1往第3面343外側之移動。亦即，由於第2間隙G2非常微小，因此，如圖24等所示，藉由液體LQ之表面張力使界面LG1之位置維持在第2面342之內側邊緣與基板P之表面之間。據此，抑制了液浸空間LS之液體LQ流入第2空間352。

又，本實施形態中，由於第2面342對液體LQ為撥液性，因此能更有效的抑制液體LQ流入第2空間352。此外，本實施形態中，由於設有從第2面342內側邊緣往上方延伸、且配置成面向光路之第3面343，因此液浸空間LS之擴大受到抑制。又，由於第3面343對液體LQ為撥液性，因此，就此點而言，亦抑制了液浸空間LS之擴大。

又，本實施形態中，設有供氣口374，以相對光軸AX在第2面342之內側邊緣之外側對基板P之表面供應氣體。如此，藉由從供氣口374供應之氣體之力，抑制液浸空間LS之擴大。亦即，供氣口374在基板P之表面與第2面342之間形成氣封。如此，液體LQ之流出受到抑制，界面LG1之移動受到拘束。

又，本實施形態中，第1面341之外形及第2面342之內側邊緣為圓形、於XY平面內之液浸空間LS之外形亦為大致圓形。據此，液浸空間LS之界面LG1從全方位往中心之拘束力可大致均等的作用。如此，更有效的抑制了液浸空間LS之擴大。

藉由在液浸空間LS之擴大受到抑制之狀態下從供應口375將液體LQ供應至第1空間351，第1空間351之液體LQ之至少一部分即經由曝光用光EL通過之第1開口339及第3空間353，流入開放於環境氣氛之第1空隙部381。由於液體LQ流入第1空隙部381，液體LQ於該第1空隙部381之表面位置即移動於+Z方向(上昇)。亦即，液體LQ在朝向上方延伸之第1空隙部381內朝上方流動。當持續由供應口375進行液體LQ之供應時，第1空隙部381之液體LQ之至少一部分即從第1空隙部381之上端(上端部345T)溢流。從第1空隙部381溢流之液體LQ，被配置在第1空隙部381上端外側之回收部360回收。亦即，從第1空隙部381溢流之液體LQ被導至液體導引部383後，流入凹部361。流入凹部361之液體LQ由回收口362(多孔構件364)加以回收。

本實施形態，由於係以僅使液體LQ從多孔構件364之上面側通過至下面側之方式控制多孔構件364之上面側與下面側之壓力差，因此回收部360能在抑制產生振動、產生汽化熱之同時，回收液體LQ。

本實施形態中，由於回收部360將經由第1開口339及第1空隙部381回收之基板P上之液體LQ貯存於凹部361，因此能抑制經由該第1空隙部381回收之液體LQ回流至第1空隙部381。為避免經由第1空隙部381回收之液體LQ流回第1空隙部381而將來自第1空隙部381之液體LQ貯存於凹部361，即能抑制例如與多孔構件364接觸之液體LQ經由第1空隙部381流回至第1空間351及曝光用光EL之光路。

接著，說明使基板P曝光之方法。如上所述，控制裝置7從供應口375供應液體LQ，以液體LQ充滿曝光用光EL之光路之方式，在第1面341與基板P表面之間保持液體LQ以形成液浸空間LS。又，基板P上之液體LQ之至少一部分經由第1開口339流入第1空隙部381。回收部360回收來自第1空隙部381之液體LQ。控制裝置7，與使用供應口375之液體供應動作並行，實施使用回收部360之液體回收動作，將曝光用光EL之光路充滿液體LQ以形成液浸空間LS。此外，控制裝置7從供氣口374供應氣體以形成氣封。

控制裝置7，在一邊抑制從第1空隙部381回收至回收部360之液體LQ回流至第1空隙部381及經由第1空隙部381回流至第1空間351(曝光用光EL之光路)、且在使用第2間隙G2等拘束液浸空間LS擴大之同時、一邊開始基板P之曝光。

控制裝置7從照明系統IL射出曝光用光EL，以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL從投影光學系統PL之射出面23射出。控制裝置7經由射出面23與基板P之間之液體LQ，將來自射出面23之曝光用光EL照射於基板P。如此，光罩M之圖案之像被投影於基板P，基板P被曝光用光EL所曝光。於基板P之曝光中，由供應口375供應之液體LQ亦從第1開口339流入、並經由第1空隙部381被回收至回收部360。

如以上之說明，依據本實施形態，由於係將供應口375設置成面對第1空間351，將經由第1開口339流入第1空隙部381之液體LQ以回收部360加以回收，因此能簡化與基板P表面對向之液浸構件304之下面之構造。因此，能抑制與液體LQ接觸之液浸構件304之下面附著雜質、或下面受到污染。

例如，若在與基板P表面對向之液浸構件304之下面設置回收液體LQ之回收口、或於該回收口設置多孔構件而使構造(形狀)複雜的話，雜質即有可能附著於該下面。例如，在與基板P表面對向之位置配置多孔構件之情形時，從基板P產生之雜質(例如形成基板P表面之感光膜、或面塗層膜等之一部分)即有可能附著於多孔構件。該附著之雜質於基板P之曝光中釋出至曝光用光EL之光路、或混入液浸空間LS之液體LQ中的話，即有可能導致於基板P產生圖案缺陷等曝光不良之情形。又，下面之構造(形狀)複雜時，例如在存在多數凹凸部之情形下，從基板P產生之雜質亦有可能易附著於下面。

依據本實施形態，設置了第1空隙部381，而將經由曝光用光EL通過之第1開口339流入第1空隙部381之液體LQ以配置在不與基板P表面對向位置之回收部360加以回收，與基板P表面對向之液浸構件304之下面為簡單之構造。因此，雜質附著於液浸構件304下面之情形受到抑制。又，由於液浸構件304下面之構造簡單，因此即使是在雜質附著於液浸構件304下面之情形下，亦能順利且良好的清潔液浸構件304之下面。

本實施形態中，第1空隙部381經由第2開口334開放於環境氣氛。此外，流體性的連接於該第1空隙部381之第3空間353亦開放於環境氣氛。因此，第1空間351之液體LQ可經由第1開口339順利的流入第3空間353及第1空隙部381。是以，能抑制液浸空間LS之擴大。

又，本實施形態中，回收部360係構成為從第1空隙部381回收之液體LQ不會流回至第1空隙部381。亦即，將來自第1空隙部381之液體LQ貯存於凹部361。因此，例如即使是在回收部360之多孔構件364受到污染之情形時，亦能抑制與該多孔構件364接觸過之液體LQ(有可能受到污染之液體LQ)經由第1空隙部381回流至第1空間351及曝光用光EL之光路(逆流)。因此，能抑制曝光不良之發生。

又，多孔構件364受到污染時，可藉由將該受到污染之多孔構件364更換為新的多孔構件364，以抑制與多孔構件364接觸之液體LQ之污染。

又，亦可省略設在上端部345T與凹部361之間之液體導引部383(第6面346)。亦即，可將凹部361設成與上端部345T相鄰接。

此外，上述實施形態中，供應口375雖係設於第3面343，但亦可設於第1面341。亦即，可將供應口375朝下配置於第1面341。

又，上述實施形態中，雖係於回收部360之回收口362配置多孔構件364，並僅使液體LQ從多孔構件364之一側通過至另一側，但回收口362亦可將液體LQ與氣體一起加以回收。再者，亦可於回收口362配置多孔構件。

又，上述實施形態中，第1空間351之液體LQ雖係經由曝光用光EL通過之第1開口339流入第1空隙部381，但亦可在與基板P表面對向之第1面341之至少一部分，設置與曝光用光EL通過之第1開口339不同之另一開口，經由該開口使第1空間351之液體LQ流入第1空隙部381。

此外，上述實施形態中，亦可省略供氣口374。

又，上述實施形態中，例如能在以來自供氣口374之氣體抑制液體LQ之界面LG1移動之情下，亦可不將第2面342配置在較第1面341下方處。

又，上述實施形態中，第2面342之至少一部分對液體LQ可以不是撥液性。

再者，上述實施形態中，具有第1面341之構件與具有第2面342之構件，可以是不同構件。此外，具有第3面343之構件可與具有第1面341之構件及具有第2面之構件之至少一方為不同之構件。

又，上述實施形態中，亦可不將第1面341配置在射出面23與基板P之間。此場合，可將第1面341配置成與射出面23同面高、或較射出面23上方處。

又，上述實施形態中，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面，可不具有從射出面23周緣往上方(+Z方向)延伸之面(側面35A)。例如，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面，可與射出面23大致平行(在與光軸AX垂直之方向)延伸。

又，曝光用光EL不通過之投影光學系統PL之側面35，可在射出面23周圍之至少一部分，配置在與射出面23大致同一面內(同面高)。亦即，側面35可配置成不從射出面23之周緣往上方延伸，而延伸於相對光軸AX之放射方向。此外，側面35可與光軸AX大致平行。亦即，側面35可配置成不延伸於相對光軸AX之放射方向，而從射出面23之周緣往上方延伸。

又，上述實施形態中，液體LQ經由第1開口339所流入之第1空隙部381係透過第2空隙部382開放於環境氣氛，從第1空隙部381溢流之液體LQ以回收部360加以回收，但亦可將第1空隙部381及第2空隙部382設計成實質上封閉之空間，而將第1空隙部381及/或第2空隙部382之流體(液體LQ及/或氣體)以回收部360加以回收。

又，上述實施形態，雖係將流入第2空隙部382之液體LQ以回收部360加以回收，但亦可取代回收部360、或除回收部360外再設置用以回收第1空隙部381之液體LQ之回收部。

＜第14實施形態＞

接著，說明第14實施形態。圖25係顯示第14實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

如圖25所示，本實施形態中，曝光裝置EX具備能將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ加以充滿之方式形成液浸空間LS之液浸構件404。

液浸構件404配置在曝光用光EL之光路周圍至少一部分，將從射出面23射出之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。液浸構件404形成液浸空間LS係將射出面23與配置在與射出面23對向位置之物體之間之曝光用光EL之光路以液體LQ加以充滿。液浸空間LS係以液體LQ充滿之部分(空間、區域)。本實施形態中，物體包含基板載台2(板片構件T)及基板載台2所保持之基板P之至少一方。於基板P之曝光中，液浸構件404將液浸空間LS形成為以液體LQ充滿終端光學元件22與基板P之間之曝光用光EL之光路。

液浸構件404配置在終端光學元件22之近旁。本實施形態中，液浸構件404支承於支承機構28。本實施形態中，支承機構28係支承於第1平台13。本實施形態中，液浸構件404透過支承機構28懸吊於第1平台13。

圖26係放大液浸構件404之一部份的圖。如圖26所示，液浸構件404包含第1構件431及第2構件432。本實施形態中，第1構件431及第2構件432分別為環狀構件。第1構件431之至少一部分係配置在曝光用光EL之部分光路及終端光學元件22之周圍。第2構件432之至少一部分配置在第1構件431之周圍。本實施形態中，於XY平面內之第1構件431及第2構件432之外形為圓形。又，第1構件431及第2構件432之外形亦可以是其他形狀(例如矩形)。

本實施形態中，第2構件432係透過連結構件(未圖示)與第1構件431之一部分連接。由於第2構件432被支承機構28支承使得第2構件432之位置被固定，從而第1構件431之位置亦固定。

液浸構件404，具備配置在從射出面23射出之曝光用光EL之光路周圍至少一部分之第1面441、配置在第1面441周圍至少一部分之第2面442、從射出面23周緣往上方及投影光學系統PL之相對光軸AX之放射方向(相對光軸AX之垂直方向)延伸之投影光學系統PL之側面35所面對並開放於環境氣氛之第1空隙部481、液體LQ可從配置在第1面441與第2面442之間之第1開口433流入並經由與第1開口433不之第2開口434開放於環境氣氛之第2空隙部482、以及至少一部分配置在與投影光學系統PL之側面35對向之位置並經由第2開口434回收從第1開口433流入第2空隙部482之液體LQ之至少一部分之回收部460。

本實施形態中，第1面441配置在第1構件431。第2面442配置在第2構件432。第1面441及第2面442能與配置在液浸構件404下方之物體之表面(上面)對向。本實施形態中，於XY平面內之第1面441及第2面442之外形為圓形。此外，於XY平面內之第2面442之內側邊緣亦為圓形。

本實施形態中，第1面441及第2面442無法回收液體LQ。亦即，本實施形態中，於第1面441及第2面442並未設置液體回收口。本實施形態中，第1面441及第2面442是平坦的。第1面441與物體表面(上面)之間之第1空間451能保持液體LQ。又，本實施形態中，第1面441與第2面442雖分別與XY平面(水平面)平行，但亦可以是第1面441及/或第2面442之至少一部分相對XY平面傾斜、或第1面441與第2面442不是平行。此外，本實施形態中，第1面441與第2面442之至少一方亦可包含曲面。

於基板P之曝光之至少一部分中，基板P之表面對向於射出面23、第1面441及第2面442。於基板P之曝光之至少一部分中，射出面23與基板P表面之間之被液體LQ充滿。又，於基板P之曝光之至少一部分中，在第1面441與基板P之表面之間之第1空間451保持液體LQ。基板P經由射出面23與基板P之表面之間之液體LQ，被來自射出面23之曝光用光EL曝光。

本實施形態中，藉由第1面441與物體之間保持之液體LQ形成液浸空間LS之一部分。本實施形態中，在對基板P照射曝光用光EL時，將包含投影區域PR之基板P表面之部分區域以液體LQ加以覆蓋來形成液浸空間LS。液浸空間LS之液體LQ之氣液界面(彎月面、邊緣)LG，雖可形成在第1面441及第2面442之至少一方與基板P表面之間，但以形成在第2面442之內側邊緣與基板P之間較佳。本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

以下，為簡化說明，以基板P配置在與射出面23、第1面441及第2面442對向之位置、液浸構件404與基板P之間保持有液體LQ而形成液浸空間LS之情形為例進行說明。此外，如上所述，亦可在射出面23及液浸構件404與其他構件(基板載台2之板片構件T等)之間形成液浸空間LS。

本實施形態中，投影光學系統PL之側面35包含終端光學元件22之側面35A及保持構件21之外面35B之至少一方。終端光學元件22之側面35A係與射出面23不同之面，為曝光用光EL不通過之面。側面35A配置在射出面23之周圍。側面35A係設置成從射出面23之周緣往相對光軸AX之放射方向(相對光軸AX之垂直方向)、且上方延伸。亦即，側面35A係傾斜成從射出面23之周緣往上方(+Z方向)延伸。

保持構件21係保持終端光學元件22。保持構件21之外面35B配置在側面35A之周圍。外面35B為曝光用光EL不通過之面。外面35B配置成於相對光軸AX之放射方向延伸。

本實施形態中，第2面442配置在較第1面441下方(-Z側)處。本實施形態中，第1面441及第2面442分別與XY平面大致平行。第1面441，如圖26所示，隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，第2面442隔著第2間隙G2與基板P之表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小。

本實施形態中，第1構件431具有能與基板P表面對向之第1面441、與第1面441朝向相反方向並與射出面23之至少一部分對向之第3面443、配置在第3面443周圍與終端光學元件22之側面35A對向之第4面444、以及配置在第4面444周圍與保持構件21之外面35B對向之第5面445。又，本實施形態中，終端光學元件22雖係以側面35露出之方式保持於保持構件21，但終端光學元件22亦可以第5面445面對保持構件21之方式、或第6面446面對終端光學元件22之方式保持於保持構件21。

第1構件431，具有配置成至少一部分與射出面23對向之板片部437、以及至少一部分配置在終端光學元件22周圍之本體部438。第1面441及第3面443配置在板片部437。第4面444及第5面445配置在本體部438。又，板片部437具有從射出面23射出之曝光用光EL可通過之開口439。於基板P之曝光中，從射出面23射出之曝光用光EL經由開口439照射於基板P之表面本實施形態中，開口439在與基板P之掃描方向(Y軸方向)交叉之X軸方向較長。

第3面443隔著第3間隙G3與射出面23對向。第4面444隔著第4間隙G4與側面35A對向。第5面445隔著第5間隙G5與外面35B對向。

本實施形態中，第3面443與射出面23大致平行。第4面444與側面35A大致平行。第5面445與外面35B大致平行。又，第3面443與射出面23亦可不是平行。第4面444與側面35A亦可不是平行。此外，第5面445與外面35B亦可不是平行。

又，第1構件431具有配置在第1面441周圍之第6面446。第6面446配置在本體部438。本實施形態中，第4面444與第6面446大致平行。當然，第4面444與第6面446亦可不是平行。

本實施形態中，第2構件432具有能與基板P表面對向之第2面442、與第2面442之內側邊緣連結並配置成面對曝光用光EL之光路之第7面447、與第6面446對向之第8面448、以及配置在第8面448周圍之第9面449。

第8面448隔著第6間隙G6與第6面446對向。本實施形態中，第8面448與第6面446大致平行。當然，第8面448與第6面446亦可不是平行。

第1空隙部481具有第1部分481A與第2部分481B。第1部分481A包含側面35A與第4面444之間之空間。第1部分481A往相對光軸AX之放射方向、且上方(+Z方向)延伸。第2部分481B包含外面35B與第5面445及第9面449之間之空間。第2部分481B與第1部分481A之上端流體性的連接。第2部分481B往相對光軸AX之放射方向延伸。

又，第1部分481A可與光軸AX平行。第2部分481B亦可不是相對光軸AX垂直。

第2空隙部482包含第6面446與第8面448之間之空間。第2空隙部482往相對光軸AX之放射方向、且上方(+Z方向)延伸。本實施形態中，第8面448之下端部448B規定了第2空隙部482之下端。第8面448之上端部448T則規定了第2空隙部482之上端。又，第6面446與第8面448之間之空間亦可與光軸AX平行。

第1開口433配置在第2空隙部482之下端。本實施形態中，第1開口433面對第1空間451。第2開口434配置在第2空隙部482之上端。第2開口434面對第1空隙部481。本實施形態中，第2開口434面對第2部分481B。

於基板P之曝光之至少一部分中，第1開口433與基板P之表面對向。基板P上之液體LQ之至少一部分能經由第1開口433流入第2空隙部482。本實施形態中，第1開口433形成為與第1面441大致同面高。又，第1開口433亦可不是朝向下方(-Z方向)。例如可將第1開口433設置於後述之第7面447。再者，第1開口433可以是設置成環狀之一個開口、亦可以是以既定間隔配置成環狀之複數個開口形成。同樣的，第2空隙部482亦可以是由在光軸AX周圍以既定間隔配置成環狀複數個空隙部形成。

回收部460，經由第2開口434回收從第1開口433流入第2空隙部482之液體LQ之至少一部分。回收部460回收從第2空隙部482溢流之液體LQ。回收部460之至少一部分係在相對光軸AX之放射方向配置在上端部448T之外側。又，回收部460之至少一部分於第2部分481B與外面35B對向。

本實施形態中，回收部460具有在相對光軸AX之放射方向、於第2空隙部482之外側朝上方(+Z方向)設置之凹部461。凹部461設於第2構件432。凹部461具有朝向上方之開口461K。回收部460經由開口461K回收流入凹部461之液體LQ。

凹部461係在相對光軸AX之放射方向、設於上端部448T之外側。本實施形態中，凹部461配置在第9面449之周圍。於XY平面內凹部461為環狀。又，凹部461亦可以是以既定間隔配置成環狀之複數個凹部形成。又，本實施形態中，第2構件432具有配置在凹部461周圍之第10面470。第10面470與XY平面大致平行。本實施形態中，第10面470係與第9面449配置在大致同一平面內。又，第10面470亦可配置在較第9面449上方(+Z側)處。

凹部461，具有與第9面449連結之第1內面4611、與第1內面4611對向並與第10面470連結之第2內面4612、以及配置在第1內面4611與第2內面4612之間之底部4613。底部4613朝向上方(+Z方向)。底部4613配置在較上端部448T下方(-Z側)處。本實施形態中，底部4613與XY平面大致平行。當然，底部4613亦可不與XY平面平行。例如，底部4613亦可相對XY平面傾斜。此外，底部4613亦可包含曲面。

又，回收部460具有將來自第2空隙部482之液體LQ引導至凹部461之液體導引部480。本實施形態中，液體導引部480包含第9面449。此外，本實施形態中，液體導引部480包含外面35B與第9面449之間之空間。液體導引部480形成為從上端部448T延伸於相對光軸AX之放射方向。又，本實施形態中，液體導引部480雖係設置成相對光軸AX成垂直(與XY平面平行)，但亦可不是相對光軸AX成垂直。例如可使第9面449從上端部448T朝向下方傾斜。

凹部461係從上端部448T往相對光軸AX之放射方向、設在液體導引部480之外側。從第2空隙部482上端溢流之液體LQ被液體導引部480引導而流入凹部461。

凹部461可貯存來自第2空隙部482之液體LQ。凹部461可藉由貯存流入之液體LQ，抑制來自第2空隙部482之液體LQ回流至第2空隙部482。亦即，凹部461具有貯存來自第2空隙部482之液體LQ以避免液體LQ回流至第2空隙部482之儲存部之至少一部分之機能。

又，回收部460具有回收流入凹部461之液體LQ之回收口462。回收口462係回收貯存在凹部461之液體LQ。

本實施形態中，回收口462配在凹部461之內側。換言之，回收口462係配置在較凹部461之開口461K下方(-Z側)處。本實施形態中，回收口462配置在凹部461之底部4613。亦即，凹部461之底部4613包含回收口462之至少一部分。

本實施形態中，於XY平面內，回收口462為環狀。當然，回收口462亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

於回收口462配置有多孔構件464。多孔構件464係包含複數個孔(openings或pores)之板片狀構件。又，多孔構件464亦可以是形成有網眼狀多數個小孔之多孔構件的網狀過濾器。

第1空隙部481開放於環境氣氛。如上所述，第2部分481B包含外面435B與第5面445及第9面449之間之空間。又，本實施形態中，第2部分481B包含外面35B與凹部461之間之空間及外面35B與第10面470之間之空間。外面35B與第10面470之間之空間經由第3開口472開放於環境氣氛。

第2空隙部482經由第2開口434開放於環境氣氛。第2開口434面對第1空隙部481(第2部分481B)。本實施形態中，第2空隙部482經由第2開口434、第2部分481B及第3開口472開放於環境氣氛。亦即，第2空隙部482係經由與第1開口433不同之第2開口434開放於液浸構件404周圍之空間。換言之，第2空隙部482經由第2開口434開放於液浸空間LS之液體LQ之界面所接觸之氣體空間。同樣的，第1空隙部481開放於液浸構件404周圍之氣體空間(內部空間8)。

本實施形態中，「環境氣氛」係圍繞液浸構件404之氣體。本實施形態中，圍繞液浸構件404之氣體係以處理室裝置5形成之內部空間8之氣體。本實施形態中，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8以潔淨之空氣加以充滿。又，處理室裝置5使用環境控制裝置5B將內部空間8調整為大致大氣壓。當然，亦可將內部空間8設定為高於大氣壓。

本實施形態中，液浸構件404具備防止裝置490，此防止裝置490係用以防止流入第2空隙部482之液體LQ之至少一部分從第2部分481B流入第1部分481A。

本實施形態中，防止裝置490包含形成於第5面445之壁部(突出部)492。壁部490包含與外面35B對向之對向面(上面)491。本實施形態中，對向面491與外面35B大致平行。對向面491隔著第7間隙G7與外面35B對向。對向面491與外面35B之間之第7間隙G7，較形成在壁部492之第2部分481B側之第5面445與外面35B之間之第5間隙G5小。又，第7間隙G7較形成在壁部492之第2部分481B側之第9面449與外面35B之間之間隙小。

本實施形態中，第2面442對液體LQ為撥液性。於第2面442，液體LQ之接觸角為90°以上、亦可為100°以上。本實施形態中，第2面442係以對液體LQ為撥液性之膜473A形成。膜473A，例如係以包含氟之撥液性材料形成。作為撥液性材料，例如有PFA(過氟烷基化物、Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、PTFE(聚四氟乙烯、Poly tetra fluoro ethylene)、PEEK(聚醚醚酮、polyetheretherketone)、鐵氟龍(註冊商標)等。又，本實施形態中，第7面447亦對液體LQ為撥液性。

第7面447係以膜473A形成。當然，第2面442及第7面447之至少一方可以不是撥液性之膜之表面。例如可將第2構件432以撥液性材料形成。

又，本實施形態中，壁部492之對向面491對液體LQ為撥液性。於對向面491，液體LQ之接觸角為90°以上、亦可以為100°以上。本實施形態中，對向面491係以對液體LQ為撥液性之膜473B形成。膜473B可與膜473A為相同材料、亦可為不同材料。此外，對向面491亦可以不是撥液性之膜之表面。例如可將壁部492以撥液性材料形成。

又，與對向面91對向之外面35B可以對液體LQ為撥液性。當然，對向面91與外面35B之雙方對液體LQ為撥液性亦可。

又，本實施形態中，液浸構件404具備配置在第1開口433周圍至少一部分之供氣口474。本實施形態中，供氣口474係配於第2面442。供氣口474朝向與第2面442對向之物體(基板P)表面供應氣體。

本實施形態中，於XY平面內，供氣口474為環狀。此外，供氣口474亦可分割配置在光軸AX之周圍複數個位置。

又，本實施形態中，液浸構件404具備對曝光用光EL之光路供應液體LQ之供應口475。供應口475配置在與終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面對向之位置。本實施形態中，供應口475配置在與終端光學元件22之側面35A對向之位置。亦即，供應口475配成面對第1空隙部481之第1部分481A。當然，供應口475可不與終端光學元件22之側面35A對向。例如可將供應口475以面對第3面443與射出面23之間之空間之方式配置於第1構件431。

本實施形態中，供應口475係相對光軸AX在+Y側及-Y側分別各配置一個。又，亦可將供應口475相對光軸AX在+X側及-X側分別各配置一個。此外，供應口475之數量可為三個以上。

本實施形態中，供應口475將液體LQ供應至第1部分481A。被供應至第1部分481A之液體LQ在往下流過第1部分481A後，經由射出面23與第3面443之間之空間被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。又，從該供應口475供應之液體LQ之至少一部分，經由開口439被供應至第1面441與基板P表面之間之第1空間451。

供應口475經由供應流路與液體供應裝置(未圖示)連接。供應流路之至少一部分形成在液浸構件404之內部。液體供應裝置可將潔淨且經溫度調整之液體LQ供應至供應口475。

回收口462經由回收流路與液體回收裝置477連接。回收流路之至少一部分形成在液浸構件404(第2構件32)之內部。液體回收裝置477包含真空系統(控制真空源與回收口462之連接狀態之閥等)，可從回收口462吸引液體LQ加以回收。

供氣口474經由供氣流路與氣體供應裝置478連接。供氣流路之至少一部分形成在液浸構件404(第2構件32)之內部。氣體供應裝置478可將潔淨且經濕度調整氣體供應至供氣口474。又，從供氣口474供應之氣體之濕度，以環境控制裝置5B調整為與供應至內部空間8之氣體之濕度同程度、或較高者較佳。

控制裝置7可控制液體回收裝置477來控制多孔構件464之下面側與上面側之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件464之上面側空間(第1空隙部481)通過至下面側空間(回收流路)。本實施形態中，上面側空間之壓力開放於環境氣氛，以處理室裝置5加以控制。控制裝置7控制液體回收裝置477，視上面側之壓力調整下面側之壓力，以僅使液體LQ從多孔構件464之上面側通過至下面側。亦即，控制裝置7係進行透過多孔構件464之孔僅回收液體LQ、而不使氣體通過多孔構件464之孔之調整。調整多孔構件464之一側與另一側之壓力差，以僅使液體LQ從多孔構件464之一側通過至另一側之技術，已揭示於例如美國專利第7292313號說明書等。

接著，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX使基板P曝光之方法。

首先，控制裝置7移動保持有基板P之基板載台2，以使射出面23及第1面441與基板P之表面(或基板載台2之上面426)對向。第1面441與基板P之表面隔著第1間隙G1對向、第2面442與基板P之表面隔著第2間隙G2對向。

控制裝置7在使第1面441及第2面442與基板P之表面對向之狀態下，從液體供應裝置送出液體LQ。又，控制裝置7使液體回收裝置477作動。此外，控制裝置7亦使氣體供應裝置478作動。

從液體供應裝置送出之液體LQ由供應口475供應至第1部分481A。被供應至第1部分481A之液體LQ在往下方流過第1部分481A後，被供應至從射出面23射出之曝光用光EL之光路。如此，曝光用光EL之光路即被液體LQ充滿。

又，從供應口475供應至第1部分481A之液體LQ之至少一部分經由開口439供應至第1空間451，被保持在第1面441與基板P表面之間。本實施形態中，係將以基板P之表面、第1面441及第7面447所圍成之空間大致充滿液體LQ之方式形成液浸空間LS。又，液體LQ(液浸空間LS)之界面LG1形成在第2面442之內側邊緣(第7面447之下端)與基板P表面之間。

從開口439供應至第1空間451之液體LQ之至少一部分經由第1開口433流入第2空隙部482。

本實施形態，經由開口439供應至第1空間451之液體LQ流入第2面442與基板P表面之間之第2空間452之情形受到了抑制。亦即，本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG1於XY平面內移動至第7面447外側之情形受到抑制，從而使液浸空間LS之擴大受到抑制。

本實施形態中，第1面441隔著第1間隙G1與基板P之表面對向，配置在第1面441周圍之第2面442則隔著第2間隙G2與基板P之表面對向。第2間隙G2較第1間隙G1小，例如為0.1～0.3mm程度。因此，在相對光軸AX之放射方向，抑制了界面LG1往第1開口33之外側移動。亦即，由於第2間隙G2微小，因此如圖26所示，藉由液體LQ之表面張力，使界面LG1之位置維持在第2面442之內側邊緣與基板P表面之間。據此，使液浸空間LS之液體LQ流入第2空間452之情形受到抑制。

又，本實施形態中，由於第2面442對液體LQ為撥液性，因此能更有效的抑制液體LQ流入第2空間452。此外，本實施形態中，由於設有從第2面442之內側邊緣往上方延伸、且配置成面對光路之第7面447，因此液浸空間LS之擴大受到抑制。又，由於第7面447對液體LQ為撥液性，就此點而言，亦抑制了液浸空間LS之擴大。

又，本實施形態中，設有供氣口474，在相對光軸AX之第2面442之內側邊緣外側朝基板P之表面供應氣體。如此，藉由從供氣口474供應之氣體之力，使液浸空間LS之擴大受到抑制。亦即，供氣口474在基板P之表面與第2面442之間形成氣封。如此，使液體LQ之流出受到抑制、使界面LG1之移動受到拘束。

又，本實施形態中，第1面441之外形及第2面442之內側邊緣為圓形，液浸空間LS在XY平面內之外形亦大致為圓形。據此，液浸空間LS之界面LG1從全方位往中心之拘束力可大致均等的作用。如此，更有效的抑制了液浸空間LS之擴大。

藉由在液浸空間LS之擴大受到抑制之狀態下從供應口475供應液體LQ，液體LQ即流入開放於環境氣氛之第2空隙部482，液體LQ於該第2空隙部482之表面位置即移動於+Z方向(上昇)。本實施形態中，由於第2開口434開放於環境氣氛，因此第1空間451之液體LQ經由第1開口433順利的流入第2空隙部482。

當第2空隙部482被液體LQ充滿時，該第2空隙部482之液體LQ之至少一部分即從第2空隙部482之上端(上端部448T)溢流。從第2空隙部482溢流之液體LQ，被配置在第2空隙部482上端外側之回收部460回收。亦即，從第2空隙部482溢流之液體LQ在被液體導引部480引導，流入凹部461。流入凹部461之液體LQ由回收口462(多孔構件464)加以回收。

本實施形態，由於多孔構件464之上面側與下面側之壓力差受到控制，以僅使液體LQ從多孔構件464之上面側通過至下面側，因此回收部460能在抑制產生振動、產生汽化熱之同時、一邊回收液體LQ。

本實施形態中，由於回收部460將經由第1開口433及第2空隙部482回收之基板P上之液體LQ貯存於凹部461，因此能抑制經由該第2空隙部482回收之液體LQ流回至第2空隙部482。為避免經由第2空隙部482回收之液體LQ回到第2空隙部482，而將來自第2空隙部482之液體LQ貯存於凹部461，例如與多孔構件464接觸之液體LQ經由第2空隙部482回到第1空間451及曝光用光EL之光路之情形即受到抑制。

又，本實施形態中，係以具有壁部492之防止裝置490來防止第2部分481B之液體LQ流入第1部分481A。因此，例如與多孔構件464接觸之液體LQ經由第1空隙部481(第1部分481A)回到第1空間451及曝光用光EL之光路之情形受到抑制。

又，雖藉由壁部492抑制了液體LQ從第1部分481A往第2部分481B之流出，但即使液體LQ從第1部分481A流出至第2部分481B，亦能將該從第1部分481A經由第7間隙G7流出之液體LQ以回收部460加以回收。

接著，說明使基板P曝光之方法。如上所述，控制裝置7從供應口475供應液體LQ，以液體LQ充滿曝光用光EL之光路之方式，在第1面441與基板P表面之間保持液體LQ以形成液浸空間LS。又，基板P上之液體LQ之至少一部分經由第1開口433流入第2空隙部482。回收部460回收來自第2空隙部482之液體LQ。控制裝置7，與使用供應口475之液體供應動作並行，實施使用回收部460之液體回收動作，將曝光用光EL之光路充滿液體LQ以形成液浸空間LS。此外，控制裝置7從供氣口474供應氣體以形成氣封。

控制裝置7，在一邊抑制從第2空隙部482回收至回收部460之液體LQ回流至第2空隙部482及經由第2空隙部482回流至第1空間451(曝光用光EL之光路)、且在使用第2間隙G2等拘束液浸空間LS擴大之同時、一邊開始基板P之曝光。

控制裝置7從照明系統IL射出曝光用光EL，以曝光用光EL照明光罩M。來自光罩M之曝光用光EL從投影光學系統PL之射出面23射出。控制裝置7經由射出面23與基板P之間之液體LQ，將來自射出面23之曝光用光EL照射於基板P。如此，光罩M之圖案之像被投影於基板P，基板P被曝光用光EL所曝光。於基板P之曝光中，由供應口475供應之液體LQ亦從第1開口433流入、並經由第2空隙部482被回收至回收部460。

如以上之說明，依據本實施形態，由於設置了開放於環境氣氛之第1空隙部481及第2空隙部482，將流入第2空隙部482之液體LQ以回收部460加以回收，因此能簡化與基板P表面對向之液浸構件404之下面之構造。因此，能抑制與液體LQ接觸之液浸構件404之下面附著雜質、或下面受到污染。

例如，若在與基板P表面對向之液浸構件404之下面設置回收液體LQ之回收口、或於該回收口設置多孔構件而使構造(形狀)複雜的話，雜質即有可能附著於該下面。例如，在與基板P表面對向之位置配置多孔構件之情形時，從基板P產生之雜質(例如形成基板P表面之感光膜、或面塗層膜等之一部分)即有可能附著於多孔構件。該附著之雜質於基板P之曝光中釋出至曝光用光EL之光路、或混入液浸空間LS之液體LQ中的話，即有可能導致於基板P產生圖案缺陷等曝光不良之情形。又，下面之構造(形狀)複雜時，例如在存在多數凹凸部之情形下，從基板P產生之雜質亦有可能易附著於下面。

依據本實施形態，由於設置了開放於環境氣氛之第2空隙部482，而將經由第1開口433流入第2空隙部482之液體LQ以配置在不與基板P表面對向位置之回收部460加以回收，與基板P表面對向之液浸構件404之下面為簡單之構造。因此，雜質附著於液浸構件404下面之情形受到抑制。又，由於液浸構件404下面之構造簡單，因此即使是在雜質附著於液浸構件404下面之情形下，亦能順利且良好的清潔液浸構件404之下面。

本實施形態中，回收部460係構成為從第2空隙部482回收之液體LQ不致回流至第2空隙部482。亦即，將來自第2空隙部482之液體LQ貯存於凹部461。因此，即使是在例如回收部460之多孔構件464受到污染之情形時，亦能抑制與該多孔構件464接觸之液體LQ(有可能遭到污染之液體LQ)經由第2空隙部482回到(逆流至)第1空間451及曝光用光EL之光路。因此，能抑制曝光不良之發生。

又，本實施形態，係構成為藉由防止裝置490來避免從第2空隙部482回收、存在於第2部分481B之液體LQ回流至第1部分481A。因此，即使是在例如回收部460之多孔構件464受到污染之情形時，亦能抑制與該多孔構件464接觸之液體LQ(有可能遭到污染之液體LQ)經由第1部分481A回到(逆流至)第1空間451及曝光用光EL之光路。因此，能抑制曝光不良之發生。

＜第15實施形態＞

接著，說明第15實施形態。以下之說明中，與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號，並簡化或省略其說明。

圖27係顯示第15實施形態之液浸構件404B之一例的圖。圖27中，液浸構件404B包含具有第1面441之第1構件431B、以及具有第2面442之第2構件432B。

本實施形態之液浸構件404B係上述第14實施形態之液浸構件404之變形例。因此，第14實施形態中已說明之部分予以省略。如圖27所示，第15實施形態與第14實施形態之不同點在於，第2開口434係配置成面對側面35A、以及供應液體LQ之供應口475B面對射出面23與第3面443之間之第3空間453。

本實施形態中，從第2空隙部482(上端部1148T)溢流之液體LQ亦係經由液體導引部480回收至回收部460。本實施形態，亦能良好的形成液浸空間LS。

又，上述各實施形態中，雖係在回收部460之回收口462配置多孔構件464，以僅使液體LQ從多孔構件464之一側通過至另一側，但亦可構成為回收口462將液體LQ與氣體一起回收。此外，亦可不在回收口462配置多孔構件464。

又，上述各實施形態中，亦可省略供氣口474。

又，上述各實施形態中，例如在可藉由來自供氣口474之氣體抑制液體LQ之界面LG1之移動時，亦可不將第2面442配置在較第1面441下方處。

此外，上述各實施形態中，具有第1面441之第1構件431與具有第2面442之第2構件432，可在與光軸AX平行之方向及/或與光軸AX垂直之方向相對移動。亦即，可將第1構件431與第2構件432之至少一方支承為可動。例如，可以致動器之驅動力移動第2構件432之位置。可將第2構件之位置移動於Z方向，以調整第2間隙G2。

又，上述各實施形態中，亦可將第1面441、第2面442、第2空隙部482等形成於一個構件。

又，上述各實施形態中，防止裝置490亦可具有氣封機構。例如，可藉由從設於第5面445之供氣口朝外面35B供應氣體，以在第5面445與外面35B之間形成氣封，據以防止液體LQ從第2部分481B流入第1部分481A。此外，防止裝置490之供氣口可設於對向面491，亦可設於外面35B。再者，作為防止裝置490，可在第2開口434面對之第2部分481B設置供應液體LQ之液體供應口，以防止液體LQ從第2部分481B流入第1部分481A。另一方面，亦可不設置防止裝置490(壁部492等)。此場合，雖將第5面445設置在第9面449上方(+Z側)處較佳，但第5面445與第9面449亦可大致為相同高(大致同面高)。

又，上述各實施形態中，第1面441可不配置在射出面23與基板P之間。此場合，第1面441可與射出面23同面高、或配置在較射出面23上方處。

又，上述各實施形態中，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面可不具有從射出面23之周緣往上方(+Z方向)延伸之面(側面35)。例如，終端光學元件22之曝光用光EL不通過之面可與射出面23大致平行(在與光軸AX垂直之方向)延伸。亦即，投影光學系統PL之側面35可與射出面在大致同一面內延伸。

再者，曝光用光EL不通過之投影光學系統PL之側面35，亦可在射出面23周圍之至少一部分，配置在與射出面23略同一面內(同面高)。亦即，側面35可不從射出面23之周緣往上方延伸而是配置成延伸於相對光軸AX之放射方向。又，側面35亦可與光軸AX大致平行。亦即，側面35不延伸於相對光軸AX之放射方向，而配置成從射出面23之周緣往上方延伸。

又，上述各實施形態中，規定第1部分481A之側面35A可以是保持構件21之一部分。此外，規定第2部分481B之外面35B可以是終端光學元件22之一部分。

又，上述各實施形態中，可於第2面442設置吸引口。例如，可在基板P之曝光中不使用該吸引口，而在從第1面441之下側空間將大致所有液體LQ回收之情形時，始使用該吸引口。

又，上述各實施形態中，可在第1面441面對之第1空間451設置供應液體LQ之供應口。此場合，亦可於第1面441設置供應液體LQ之供應口。

又，上述各實施形態中，可於液浸構件(4、304、404等)設置例如美國專利申請公開第2008/0106707號說明書中所揭示之温度調整機構。例如，藉由對形成在液浸構件內部之流路流入温度調整用之液體，即能調整該液浸構件之温度。

又，上述各實施形態中，雖係於投影光學系統PL之終端光學元件22之射出側(像面側)光路充滿液體LQ，但亦可例如國際公開第2004/019128號小冊子之揭示，採用將終端光學元件22之入射側(物體面側)之光路亦以液體LQ加以充滿之投影光學系統。

又，上述各實施形態之液體LQ雖為水，但亦可以是水以外之液體。例如，作為液體LQ可使用氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin oil)等。此外，亦可使用各種流體，例如超臨界流體來作為液體LQ。

又，作為上述實施形態之基板P，不僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可以是顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)以外，亦能適用於在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動的之步進重複方式的投影曝光裝置(步進機)。

再者，於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系統將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系統將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

此外，本發明亦能適用於例如對應美國專利第6611316號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系統在基板上加以合成，以一次掃描曝光使基板上之1個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置等。此外，近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等亦能適用本發明。

又，本發明亦能適用於如美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書、美國專利第6262796號說明書等所揭示之具備複數個基板載台之雙載台型之曝光裝置。

再者，本發明亦能適用於如美國專利第6897963號說明書、美國專利申請公開第2007/0127006號說明書等所揭之具備保持基板之基板載台、以及搭載了形成有基準標記之基準構件及/或各種光電感測器之測量載台的曝光裝置。此外，亦能適用於具備複數個基板載台與測量載台之曝光裝置。

曝光裝置EX之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，以及用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、或用以製造標線片或光罩等之曝光裝置等。

上述各實施形態中，雖係使用ArF準分子雷射來作為產生曝光用光EL之光源，亦可如美國專利7023610號等所揭示，使用包含DFB半導體雷射或光纖雷射等固體雷射光源、光纖放大器等之光放大部、以及波長轉換部等，輸出波長193nm之脈衝光的高諧波產生裝置。此外，上述實施形態中，前述各照明區域與投影區域雖分別為矩形，但亦可以是例如圓弧形等其他形狀。

此外，上述實施形態，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6,778,257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。可變成形光罩，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光變調器)之一種之DMD(Digital Micro-mirror Device)等。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。此場合，不需要照明系統。此處，作為自發光型影像顯示元件，例如有CRT(Cathode Ray Tube)、無機EL顯示、有機EL顯示器(OLED：Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、LD顯示器、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)、電漿顯示器(PDP：Plasma Display Panel)等。

上述各實施形態，雖係以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例作了說明，但不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法亦能適用本發明。此種不使用投影光學系統PL之情形時，曝光用光亦係透過透鏡等光學構件照射於基板，於該等光學構件與基板間之既定空間形成液浸空間。

又，曝光裝置EX，亦可以是例如國際公開第2001/035168號小冊子之揭示，藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

如以上所述，本實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置整體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。

半導體元件等之微元件，如圖28所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩圖案以曝光用光使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板処理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及検査步驟206等而製造。

又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分

2．．．基板載台

4．．．液浸構件

7．．．控制裝置

22．．．終端光學元件

23．．．射出面

33．．．第1開口

34．．．第2開口

35．．．側面

36．．．外面

41．．．第1面

42．．．第2面

48T．．．上端部

51～57．．．第1～7空間

60．．．第1回收部

61．．．第1凹部

62．．．回收口

64．．．多孔構件

74．．．供氣口

75．．．供應口

80．．．空隙部

81．．．液體導引部

85．．．第2回收部

90．．．第2凹部

91．．．供氣口

92．．．吸引口

AX．．．光軸

EL．．．曝光用光

EX．．．曝光裝置

LG1．．．氣液界面

LQ．．．液體

LS．．．液浸空間

P．．．基板

PL．．．投影光學系統

233．．．第1開口

234．．．第2開口

241．．．第1面

242．．．第2面

248T．．．上端部

260．．．回收部

261．．．第2凹部

262．．．回收口

264．．．多孔構件

274．．．第2供氣口

275．．．供應口

280．．．空隙部

281．．．液體導引部

287．．．回收口

290．．．第1凹部

291．．．第1供氣口

334．．．第2開口

339．．．第1開口

341．．．第1面

342．．．第2面

343．．．第3面

345T．．．上端部

360．．．回收部

361．．．凹部

362．．．回收口

364．．．多孔構件

374．．．供氣口

375．．．供應口

380．．．空隙部

381．．．第1空隙部

382．．．第2空隙部

383．．．液體導引部

433．．．第1開口

434．．．第2開口

441．．．第1面

442．．．第2面

448T．．．上端部

460．．．回收部

461．．．凹部

462．．．回收口

464．．．多孔構件

474．．．供氣口

475．．．供應口

480．．．液體導引部

481．．．第1空隙部

481A‧‧‧第1部分

481B‧‧‧第2部分

490‧‧‧防止裝置

491‧‧‧對向面

492‧‧‧壁部

圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖2係放大第1實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖3係從上方觀察第1實施形態之液浸構件的圖。

圖4係顯示第1實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖5A係顯示第1實施形態之第1回收部近旁的圖。

圖5B係顯示第1實施形態之第1回收部近旁的圖。

圖6係顯示第2實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖7係顯示第3實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖8係顯示第4實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖9係顯示第5實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖10係顯示第6實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖11係顯示第7實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖12係顯示第8實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖13係顯示第9實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖14係顯示第10實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖15係放大第10實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖16係從上方觀察第10實施形態之液浸構件的圖。

圖17係顯示第10實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖18A係顯示第10實施形態之回收部近旁的圖。

圖18B係顯示第10實施形態之回收部近旁的圖。

圖19係顯示第11實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖20係顯示第12實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖21係顯示第13實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖22係放大第13實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖23係從上方觀察第13實施形態之液浸構件的圖。

圖24係顯示第13實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖25係顯示第14實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖26係顯示第14實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖27係顯示第15實施形態之液浸構件近旁的圖。

圖28係用以說明微元件之一製程例的流程圖。

4．．．液浸構件

21．．．保持構件(鏡筒)

22．．．終端光學元件

23．．．射出面

28、29．．．第1、第2支承機構

31、32．．．第1、第2構件

33、34．．．第1、第2開口

39．．．開口

51～57．．．第1～7空間

60．．．第1回收部

61．．．第1凹部

62．．．回收口

74．．．供氣口

76．．．液體供應裝置

77．．．液體回收裝置

78．．．氣體供應裝置

80．．．空隙部

81．．．液體導引部

LG1．．．氣液界面

LQ．．．液體

LS．．．液浸空間

P．．．基板

Claims (43)

1. 一種曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；第1液浸構件，具有第1液體供應口、及配置在從該射出面射出之該曝光用光之光路周圍之至少一部分之第1面；第2液浸構件，具有第2液體供應口、及配置在該第1面周圍之至少一部分且較該第1面更下方之第2面；以及第1回收部，用以回收流入該第1液浸構件與該第2液浸構件之間的空隙部之液體之至少一部分；該第1液浸構件與該第2液浸構件之一者可相對另一者移動；於該基板之曝光之至少一部分中，該基板之表面對向於該射出面、該第1面及該第2面；透過該射出面與該基板表面之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第1回收部係回收從該空隙部溢流之液體。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第1回收部在相對該光學系統之光軸之放射方向，於該空隙部外側具有朝向上方設置之第1凹部，並回收流入該第1凹部之該液體。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，進一步具備用以規定該空隙部上端之上端部； 該第1回收部之至少一部分，在相對該光學系統之光軸之放射方向設於該上端部之外側。
5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該第1回收部具有第1凹部。
6. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該第1回收部具有從該上端部延伸於相對該光學系統之光軸之放射方向之液體導引部；該第1凹部在從該上端部於相對該光學系統之光軸之放射方向，設在該液體導引部之外側。
7. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該第1回收部具有回收流入該第1凹部之液體之回收口。
8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該回收口與該第1凹部之底部對向。
9. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該回收口配置在該第1凹部之內側。
10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中，該回收口配置在該第1凹部之底部。
11. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該第2液浸構件具有該第1凹部。
12. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其係控制該多孔構件之一側與另一側間之壓力差，以僅使液體從配置於該回收口之多孔構件之一側通過至另一側。
13. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該回收口係將流入該第1凹部之液體與氣體一起回收。
14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，該第1液浸構件與該第2液浸構件可相對移動。
15. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，該第2面對該液體為撥液性。
16. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，在該第1面與該第2面之間，於該基板之曝光之至少一部分中，形成與該基板表面對向之第1開口；液體可從該第1開口流入該空隙部。
17. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，該第2液浸構件進一步具備供氣口。
18. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中，該供氣口配置在該第2面。
19. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其進一步具備保持該基板之可動載台；從該供氣口供應氣體至該第2液浸構件與該基板之間、或該第2液浸構件與該可動載台之間。
20. 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其進一步具備在相對該光學系統之光軸之放射方向配置在該供氣口外側，可吸引該液體及氣體之至少一方之吸引口。
21. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其進一步具備保持該基板之可動載台；該第2液浸構件具有吸引口，該吸引口可從該第2液浸構件與該基板之間、或該第2液浸構件與該可動載台之間，吸引液體及氣體之至少一方。
22. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，該第1液體供應口，供應液體至具有該射出面之光學構件與該第1液浸構件之間。
23. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該第1液體供應口配置在與該光學構件之該曝光用光不通過之面對向之位置。
24. 如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該光學構件之該曝光用光不通過之面，包含從該射出面周緣往上方延伸之該光學構件之側面。
25. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其進一步具備保持該基板之可動載台；該第2液體供應口，供應液體至該第2液浸構件與該基板之間、或該第2液浸構件與該可動載台之間。
26. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其中，該第2液體供應口，以面向該光路之方式配置於該第2液浸構件。
27. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之曝光裝置，其具備從具有該射出面之光學構件與該第1液浸構件之間回收液體之第2回收部。
28. 如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該第1液浸構件，具有該第2回收部。
29. 一種曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學系統，具有射出曝光用光之射出面；空隙部，液體可經由配置在該曝光用光之光路周圍至 少一部分之第1開口流入，並經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛；以及第1回收部，用以回收來自該空隙部之液體；該第1回收部具有儲存來自該空隙部之液體之儲存部，以避免回到該空隙部；於該基板之曝光之至少一部分中，將該基板上之液體之至少一部分從該第1開口經由該空隙部儲存至該儲存部；經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光。
30. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，該第1回收部用以回收儲存在該儲存部之液體之回收口。
31. 如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其中，於該基板之曝光之至少一部分中，該第1開口與該基板表面對向。
32. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第1至31項中任一項之曝光裝置使基板曝光之動作；以及使曝光後基板顯影之動作。
33. 一種曝光方法，其包含：使配置在從光學系統射出面射出之曝光用光之光路周圍至少一部分之第1液浸構件之第1面與基板隔著第1間隙對向之動作；從該第1液浸構件之第1液體供應口進行液體供應之動作； 使配置在該第1面之周圍至少一部分之第2液浸構件之第2面與該基板，隔著與該第1間隙不同之第2間隙對向之動作；從該第2液浸構件之第2液體供應口進行液體供應之動作；從第1液體回收部回收流入該第1液浸構件與該第2液浸構件之間之空隙部之液體之至少一部分之動作；以及經由該射出面與該基板之間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作；該第1液浸構件與該第2液浸構件之一者可相對另一者移動。
34. 如申請專利範圍第33項之曝光方法，其中，該第1液體回收部，具有供液體流入之凹部、及從該凹部回收液體之回收口。
35. 如申請專利範圍第34項之曝光方法，其中，該第2液浸構件，具有該凹部。
36. 如申請專利範圍第33項之曝光方法，其進一步包含從具有該射出面之光學構件與該第1液浸構件之間經由第2液體回收部回收液體之動作。
37. 如申請專利範圍第33項之曝光方法，其中，該第1液體供應口，供應液體於具有該射出面之光學構件與該第1液浸構件之間。
38. 如申請專利範圍第33項之曝光方法，其進一步包含從該第2液浸構件與該基板之間經由該第2液浸構件之 吸引口吸引液體與氣體之至少一者之動作。
39. 如申請專利範圍第33至37項中任一項之曝光方法，其進一步包含從該第2液浸構件之供氣口供應氣體至該第2液浸構件與該基板之間之動作。
40. 如申請專利範圍第39項之曝光方法，其進一步包含在相對該光學系統之光軸之放射方向，經由配置在該供氣口之外側之該第2液浸構件之吸引口，從該第2液浸構件與該基板之間吸引液體與氣體之至少一者之動作。
41. 如申請專利範圍第33至38項中任一項之曝光方法，其中，該第2液體供應口，供應液體於該第2液浸構件與該基板之間。
42. 一種曝光方法，其包含：將光學系統之射出面與基板間之曝光用光之光路以液體加以充滿之動作；經由該射出面與該基板間之液體以來自該射出面之該曝光用光使該基板曝光之動作；以及將該基板上之液體之至少一部分，從配置在該光路周圍至少一部分之第1開口，透過經由與該第1開口不同之第2開口開放於環境氣氛之空隙部加以回收之動作；該回收，包含將來自該空隙部之液體儲存於儲存部，以避免該回收之液體回到該空隙部之動作。
43. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第33至42項中任一項之曝光方法使基板曝光之動作；以及 使曝光後基板顯影之動作。