TWI479274B - 用於ｅｕｖ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置 - Google Patents

用於ｅｕｖ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI479274B
TWI479274B TW098114157A TW98114157A TWI479274B TW I479274 B TWI479274 B TW I479274B TW 098114157 A TW098114157 A TW 098114157A TW 98114157 A TW98114157 A TW 98114157A TW I479274 B TWI479274 B TW I479274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
illumination
scene
corrected
illuminating
field
Prior art date
Application number
TW098114157A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200951639A (en
Inventor
Damian Fiolka
Berndt Warm
Christian Steigerwald
Martin Endres
Jens Ossmann
Ralf Scharnweber
Markus Hauf
Udo Dinger
Severin Waldis
Marc Kirch
Joachim Hartjes
Original Assignee
Zeiss Carl Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeiss Carl Smt Gmbh filed Critical Zeiss Carl Smt Gmbh
Publication of TW200951639A publication Critical patent/TW200951639A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI479274B publication Critical patent/TWI479274B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Lenses (AREA)

Description

用於EUV微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置
本發明係關於EUV微影之照射光學件，其包含場組合反射鏡以及含有瞳組合反射鏡之隨行光學件。本發明進一步關於包含此類照射光學件之照射系統，以及包含此類照射光學件之投射曝光裝置。最後本發明關於產生微米或奈米結構組件之方法，以及利用此方法產生之組件。
此類投射曝光裝置揭露於US 6,658,084 B2。其他投射曝光裝置揭露於US 6,859,328 B2、US 2007/0041004 A1、US 2006/0170895 A1、以及EP 1 349 009 A2。
本發明之目的在於改善開頭所述類型之照射光學件，而可對物場之照射參數(例如照射角分布之照射強度分布)的不利變化進行校正。
根據本發明所述之目的藉由EUV微影之照射光學件來達成，其將輻射源之照射光束導引至於長場維度與短場維度間具有外觀比之物場，此外觀比大於1，係利用包含複數場面(field facets)之場組合反射鏡(field facet mirror)，設定物場定義的照射條件，利用配置於場組合反射鏡下游之隨行光學件，將照射光傳送到物場，隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面(pupil facet)，而使照射光束照射到各自場面的部分利用相關的瞳面被導引到物場，其中場組合反射鏡不僅包含藉由相關基本照射瞳面提供物場基本照射之複數基本照射場面，亦包含容許利用相關校正照射瞳面校正物場照射之複數校正照射場面，其中場組合反射鏡可切換於至少兩種操作模式，其不同之處在於對物場照射有貢獻之校正照射場面之數量或配置，其中具有預定照射光反射率之校正照射場面，使得沿物場之長場維度之照射沿長場維度具有預定態樣之照射強度，其以定義方式自固定強度曝光偏離。
根據本發明發現到目前未使用或未有效使用之EUV光，可用於校正物場照射而實質不損失任何用於實際投射曝光之EUV照射光。此尤其容許界定物場之照射強度分布或照射一致性。
校正照射面可曝光於目前因例如超過預定容限之低強度或強度變化而尚未使用之EUV光部分。可藉由選擇校正照射場面欲設置的位置，來界定EUV照射光曝光校正照射場面的強度，即校正效應的強度。可藉由分配給校正照射場面之校正場面的設置，來界定照射角分布的校正影響。物場之照射校正可限於物場之照射光強度分布之校正。再者更可校正物場之照射角分布。又可考慮物場之強度分布校正與角分布校正之組合。長場維度與短長維度間之外觀比可例如為2:1、3:1、4:1、或甚至更大，例如7:1、8:1、10:1、13:1或更大。校正照射場面可具有與基本照射場面不同的設計，且與基本照射場面之不同處可在於例如尺寸或反射率，尤其是在於反射率分布。校正照射場面之光束導引效應，可利用致動器藉由致動校正照射場面來動態地控制，而藉由改變物場暴露於校正照射場面之照射內的區域，來確保物場之照射光強度分布的動態校正。由於校正照射場面的光束導引效應可利用照射光學件之控制裝置動態地控制的事實，而可得到校正照射場面之高度彈性校正效應。光束導引效應可藉由校正照射場面之位移來動態地控制，或例如藉由校正照射場面之動態變化遮蔽來動態地控制。校正照射可藉由校正照射面之遮蔽來達到，例如利用至少一擋件或擋件結構之部分遮蔽。
當前的操作模式可藉由例如開啟或關閉作用的校正照射場面來改變。因此，於第一操作模式中，所有校正照射場面可用於光束導引，而在另一操作模式中，僅選擇的校正照射場面是有作用的，又在其他操作模式中，所有的校正照射場面是沒有作用的。如此可確保校正照射場面有高度彈性的校正效應。校正照射場面對照射光的反射率可以各種方式達成，而導致沿物場之長場維度之照射具有預定分布之照射強度，其以定義方式自固定強度曝光偏離。若校正照射場面於長場面維度(通常類似於長場維度)具有固定反射率，可藉由沿長場面維度定義切換部分的校正照射場面，例如遮蔽部分照射場面使其光完全不或僅部分到達物場，來達到場維度之強度曝光。選替地，校正照射場面可具有以定義方式自固定反射率偏離之反射率態樣。此類以預定義方式沿通常類似長場維度方向之長場面維度偏離的反射率態樣，可例如與場高度線性相依，換言之，是與裝配照射光學件之投射曝光裝置的掃描方向垂直之場維度相依。亦可考慮反射率態樣的其他場高度相依性，例如二次方或更高冪函數、正弦或餘弦函數、或步階函數形式。一般而言，可界定校正照射場面組，其於對應一組正交函數之場高度具有強度變化。如此容許實質任何所需反射率態樣被界定為校正值。具有預定函數分布(例如多項式分析)之校正照射場面組，可用以執行跨場預定強度變化之傅立葉合成。反射率態樣之步階函數可藉由例如將校正照射場面分成沿長場面維度具有不同反射率之複數區域。隨行光學件可用以將場面造影入物場。
可提供複數擋件，其可配置於瞳組合反射鏡前方，其中各擋件遮蔽分配給校正照射場面之不同配置的照射光部分。具體而言，擋件可設計成對以下而言為透明的：
-所有照射光束分配給基本照射場面的部分，以及
-照射光束各自分配給另一組校正照射場面的部分。
具體而言，此類型擋件可提供於擋件變更支托器。其中之一擋件亦可擋住照射光束分配給所有校正照射場面的部分，而僅容許照射光束分配給基本照射場面的部分通過。複數擋件可考量各種照射狀態。例如可為各種照射設定(習知的、環形的、雙極的、四極的、多極的)之案例，其需要利用分別分配到的擋件達到不同的校正。
照射光學件可組態成至少一個校正照射場面不會照射整個物場，僅是照射其部分區域。若物場中特定的場點需要此類型的強度校正，如此容許以定義方式增加在這些場點的強度。再者，可藉由校正照射場面來微調於物場產生的照射，來微調此類僅照射物場部分區域之校正照射場面之校正效應。
部分的校正照射場面可不具有高反射塗層。當校正照射場面如此設計時，降低了未塗佈高反射塗層之部分所需之反射率。當塗佈有反射塗層時，此類型校正照射場面可例如藉由遮蔽所需部分來產生。
具有變化反射率之EUV灰階過濾器為反射率隨著場高度變化之校正照射場面的選替實施例。取代EUV灰階過濾器的是，亦可提供擋件或擋件結構於各自校正照射場面前方。擋件結構可由複數彼此相鄰配置的個別擋件構成，並尤其可為指狀。若校正照射場面具有反射面且外觀比明顯與1不同，則擋件或擋件結構可利用例如磁固接裝置，牢接於校正照射場面之面基體之縱長側。為達此目的，尤其是磁條形狀之永久磁鐵可設置於面基體上，尤其是反射面縱長側末端之側壁上。此類型的擋件或擋件結構亦可牢接於鄰近其中一個校正照射場面之面的面基體。可結合形成校正照射場面或校正照射瞳面之擋件結構之個別面的支托結構，亦可設置於面的反射面。此類型的支托結構可組態成磁條，或磁表面，或相較於反射面為較小的表面部分，且其尤其可為永久磁鐵。磁力的選替或以外，凡得瓦力或黏著力可用以固定或支托個別擋件或整個擋件結構。
分離擋件或擋件結構可利用附接裝置附接，附接裝置對應先前利用校準量測或校準決定之個別擋件或擋件結構設計。若個別擋件或擋件結構利用磁力固定於校正照射場面或校正照射瞳面，則附接裝置可為利用電磁力將移動到附接位置之擋件或擋件結構支托住的裝置。此類型的附接裝置亦可用以從附接位置移動擋件或擋件結構。擋件或擋件結構亦可利用藉由吸力或滾動移除擋件或擋件結構之剝除裝置來移除或剝除，或利用靜電力，例如充電擋件或擋件結構的材料，並利用相反的電荷剝除裝置剝除。
具有吸收點結構之灰階過濾器可形成為使吸收點結構覆蓋校正照射場面的反射面，吸收點結構以預定方式分布於反射面。此類型的點結構為EUV波長可用的灰階過濾器的變化。
分離的灰階過濾部分可設置於校正照射場面。灰階過濾部分可與反射照射光之部分分開。於此類型的設計中，功能性部分「過濾器」及「反射器」彼此在校正照射場面分開，有助於各自的處理。
於此類型的灰階過濾部分中，吸收點結構可以固定面積密度分布。如此因灰階過濾部分垂直長場面維度之寬度變化，而造成變化的反射率。此類型的灰階過濾部分可不費力地製造。
灰階過濾部分的最大寬度可小於校正照射場面垂直長場面維度之寬度。此類型的灰階過濾部分允許微調強度變化，而無需在校正照射場面垂直長場面維度的整個寬度使灰階過濾部分之過濾效果有充分的變幅。
於灰階過濾部分中，點結構可以變化面積密度分布。於此類型設計中，過濾部分與反射部分的分隔不是必須的。如此可避免過濾部分與反射部分間的邊界效應。
照射光學件可具有至少兩個類似的校正照射場面。校正照射場面可包含至少一個典型校正照射場面的群組，其於跨長場面維度具有相同的反射率。此類群組確保有類似強度影響作用於物場的不同照射角。
換言之，類似的典型校正照射場面可分配給相對於瞳組合反射鏡界定之瞳中心為點對稱的校正照射瞳面。舉例而言，此類型的對稱配置容許形成有兩個典型校正照射場面的群組，用於校正例如雙極照射設定之兩倍照射設定。若提供具有相同反射率區域而各具有4個典型校正照射場面之群組，則可用於校正物場照射之照射參數，而不影響物場照射的遠心度及/或橢圓率。選替地，亦可考慮校正照射場面設置或校正照射場面形式的定義偏離，其不僅容許物場照射的強度分布也容許照射角分布受到定義方式的影響。
校正照射場面的有效照射區域可具有與基本照射場面之邊界形狀不同的邊界形狀。校正照射場面的有效照射區域為校正照射場面實際貢獻到照射通道之照射的區域。有鑑於此，應注意校正照射場面之遮蔽區域對此面的有效照射區域沒有貢獻。選替地，取代藉由選擇性遮蔽部分的校正照射場面來影響邊界形狀，亦可利用校正照射場面與基本照射場面不同的外部形狀，來達到與基本照射場面之邊界形狀不同的邊界形狀。基本照射場面可具有例如矩形或曲形的邊界形狀。
校正照射場面之有效照射區域的邊界形狀可具有至少一轉折點(inflection point)。如此容許在長場面維度而進一步在長物場維度，得到更複雜的強度分布。
校正照射場面可具有基本照射場面之部分表面區域的表面區域。在此類部分場照射的案例中，確保部分場照射之校正照射場面可具有達基本照射場面之照射表面區域約1%到大部分例如90%之有效照射表面區域。校正照射場面之有效照射表面區域可達基本照射場面之照射表面區域約5%、10%、20%、25%、30%、40%、50%、60%、70%、以及80%。
校正照射場面可為至少一反射鏡，其可作用地位移，尤其是可作用地傾斜及/或偏移。此類型的反射鏡容許選擇物場中欲校正之物場部分。
校正照射場面之有效照射區域及/或校正照射瞳面之有效照射區域的邊界形狀，可受到遮蔽體的影響。此類型的遮蔽體容許校正照射場面的校正效應以定義方式受到影響。
支撐遮蔽體之支撐結構可設置於場組合反射鏡之遮蔽空間中。此類型的支撐結構不會導致不想要的遮蔽。
與組合反射鏡之反射面界定之反射平面相隔的遮蔽體，可相對於組合反射鏡位移，而以定義方式影響校正照射場面的校正效應。此類型的遮蔽體可配合不同於基本照射場面之面(facet)使用。
設置於兩個面(facet)間之遮蔽體可同時影響兩個校正照射面。
遮蔽體可具有基體，其中：
-基體沿兩相鄰面間之間隙延伸；
-基體之寬度不大於兩相鄰面間之間隙；以及
-基體上設置有遮蔽部，遮蔽部之寬度大於兩相鄰面間之間隙。
此類型的遮蔽體確保整個大場維度之定義遮蔽效應。
線材(wire)為簡易的基體。
膜條或帶件形式的基體可以相當類似的方式處理。
遮蔽部可設計成藉由自空白基體之邊緣移除或切割材料而形成，基體以相同方式形成。至少在垂直照射光束之光束方向之維度，可藉由基體之厚度變化形成遮蔽部。此類型的形式或形成方法尤其適合在物場的場高度得到選擇性的遮蔽。
基體之正弦厚度變化以特定有利的方式滿足特定校正需求。於光束方向觀之，亦可提供若干個此類型具有正弦厚度變化的基體，其彼此相鄰疊置，以相對於彼此位移。如此允許藉由相對於彼此位移兩個具有正弦厚度變化之基體，而微調大場維度之強度分布。
碟形遮蔽部根據垂直碟平面之方位，相對於欲遮蔽的光束方向變化有效遮蔽尺寸。
複數遮蔽部可沿基體以對應照射光學件之場平面之預定強度分布I(x)之順序進行配置。此類配置為設定場高度(x)之強度變化的一種定義可能性。
可提供複數遮蔽體，其各有一個基體及複數遮蔽部，其中至少兩個遮蔽體彼此不同之處在於以下參數群組之至少其一：
-遮蔽體沿基體之距離；
-遮蔽體相對於相關校正照射面之位置；
-遮蔽部之遮蔽直徑。
此類型的遮蔽體容許疊加受到校正照射面影響之強度變化。此類的強度變化容許以傅立葉分析的方式產生物場照射所需的預定強度分布。
沿長場面維度比分配到的校正照射面還長之遮蔽體，可藉由沿長場面維度相對於面位移，而以定義方式受到影響。遮蔽體這樣的位移容許變化照射場的設定。
遮蔽體的兩端能夠以可解捲(unwindable)方式，各捲繞於捲件，其中遮蔽體用以遮蔽之區域導引於兩捲件之間。實作上可應用支托此類型遮蔽體的裝置。
捲繞及解繞遮蔽體之驅動器容許遮蔽體以受控制方式用於所需的強度變化。
捲件與捲繞及解繞遮蔽體之驅動器可配置於其餘照射光學件設置的抽真空空間外。因此驅動器與捲件不需要是可真空相容的。界定遮蔽部分之形式之形成裝置，尤其是切割裝置，容許線上調整遮蔽體之強度變化效應。
偵測遮蔽體上之標記之讀取裝置，容許例如界定後續選擇之遮蔽部分的標記或編碼順序。再者，此類型的裝置允許遮蔽體上之遮蔽部的定位控制。
遮蔽體可具有插入部，其插置於兩個面之間。此類型的插入部確保遮蔽體相對於校正照射面可靠地定位。
可垂直組合反射鏡之反射面位移的遮蔽體，允許微調遮蔽體的遮蔽效應。
校正照射場面可配置於場組合反射鏡之基本照射輪廓外，此輪廓由所有的基本照射場面所界定。當以此方式配置校正照射場面時，容許利用光之目前尚未積極地利用的部分。然而，一般亦考慮使用場組合反射鏡之內面作為校正照射場面。
校正照射瞳面可配置於瞳組合反射鏡之基本照射輪廓，此輪廓由所有的基本照射瞳面所界定。當以此方式配置校正照射瞳面時，藉由與基本照射瞳面直接相鄰之校正照射瞳面，可增加來自基本照射瞳面傳送不想要的低照射強度之照射角之照射。
相關校正照射瞳面之校正效應可受到分配給至少一個校正照射瞳面之遮蔽體的影響，而遮蔽體以可變化方式覆蓋校正照射瞳。
至少若干的基本照射場面可各自與至少一致動器合作，以位移基本照射場面，尤其是傾斜及/或偏移。此類致動的傾斜移動尤其可造成瞳組合反射鏡上來源影像的位移。如此可用於校正物場照射。
同樣可應用於選擇性致動校正照射場面的位移。
基本照射瞳面之致動可移性，尤其是可位移性及/或可偏移性，尤其可導致個別照射通道之場貢獻偏移。類似地，在照射通道內，場面到瞳面的分配也可變化。
同樣可應用於校正照射瞳面的致動可位移性。
校正照射場面可相對於校正照射瞳面定向成，使照射光束從校正照射場面傳送到校正照射瞳面之部分不全部由校正照射瞳面傳送，而是以定義方式在邊緣被切截，其可為校正物場照射的有用手段。
同樣可應用於若照射光束從校正照射瞳面傳送到物場之部分的邊緣，在物場邊緣被切截。
校正照射場面之至少其一可分成複數可彼此獨立定向的部分校正照射面。此類型校正照射場組合反射鏡的至少兩種操作模式，可藉由以不同方式致動部分校正照射面，而使部分校正照射面對物場照射的貢獻是依據被致動的方式來達成。利用部分校正照射面，可依據其方位選擇不同的照射通道，而容許經由部分校正照射面來影響物場照射的照射角分布。開啟或關閉物場之部分校正照射面的強度貢獻，可對物場照射之強度產生影響。
部分校正照射面沿長場面維度可具有比基本照射場面還短的延伸。如此容許校正其延伸對應部分校正照射面之延伸的物場部分之物場曝光強度。
部分校正照射面沿長場面維度可配置成至少一列。沿此類列之總延伸可對應基本照射場面沿長場面維度之延伸，且可有例如2、3、4、5、10、或甚至更多的部分校正照射面。如此相應地造成沿長場維度微調物場的照射。
基本照射場面沿長場面維度分成複數部分基本照射面，具有相應的優點。
相鄰部分基本照射面之間可有間隙，其中部分校正照射面配置成當由短場面維度之方向觀看時，覆蓋間隙。部分校正照射面容許補償物場照射不想要的強度降低，強度降低造因於這些間隙。
部分校正照射面可組態成可彼此獨立致動的微鏡。對應地，部分基本照射面亦可組態成可彼此獨立致動的微鏡。如此有利於部分面的結構整合。
部分校正照射面可配置於場組合反射鏡之載具之部分遮蔽區域，使僅部分校正照射場面的一部分於短場面維度之方向可讓照射光到達。當部分校正照射面僅部分照射時，可利用部分校正照射面相應達到精細校正強度解析。
部分校正照射場面沿短場面維度可具有比基本照射場面還短的延伸。選替或上述解釋的部分校正照射場面之部分遮蔽外，亦可造成跨長場維度使物場照射有優勢的高校正解析。
場組合反射鏡可分成複數場面區塊，而部分校正照射面可為靠近其中一個場面區塊邊緣的面，而容許場組合反射鏡以模組方式製造。
場面區塊在垂直於主載具平面之方向，相對於彼此以步階方式交錯排列。如此有助於場面區塊的整合。
部分校正照射面沿長場維度可配置成若干列。如此增加了校正效應的彈性。一列或若干列的部分校正照射面可為有效的，導致部分校正照射面的貢獻隨著物場之長場維度可變化地定義。
於各列中之部分校正照射面，沿短場維度可具有不同的延伸。如此甚至更進一步增加了部分校正照射面校正效應的彈性。若物場照射僅需要長場維度的些微校正，則可使用沿短場面維度有小延伸之部分校正照射面。若需要較大的校正，則可使用另一列沿短場面維度有大延伸之部分校正照射面。
於實際應用中，於各列中之部分校正照射面沿短場面維度的延伸比例不超過1:2，而容許當使用沿短場面維度具有小延伸之部分校正照射面之列時，達到相對強度1之貢獻，當使用沿短場面維度具有大延伸之部分校正照射面之列時，達到相對強度2之貢獻，以及當皆使用這兩列部分校正照射面時，達到相對強度3之貢獻。亦可考慮部分校正照射面的各列間有其他的延伸比例，例如1:3或1:4。當使用所選列時，甚至可應用大於兩列的部分校正照射面，結果當使用三列或四列具有對應不同校正貢獻之解析度的部分校正照射面時，可達到例如1:2:4或1:2:4:8之延伸比例。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，配置於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面利用相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面利用相關的校正照射瞳面容許校正物場之照射；其中校正照射場面之有效照射區域的邊界形狀具有至少一轉折點。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；其中校正照射瞳面之有效照射區域及/或校正照射場面之有效照射區域的邊界形狀受到遮蔽體的影響，其中支撐遮蔽體之支撐結構設置於場組合反射鏡之遮蔽空間中。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；其中校正照射場面相對於校正照射瞳面定向成，使照射光束自校正照射場面傳送到校正照射瞳面之部分，不全部由校正照射瞳面傳送，而是以定義方式在邊緣被切截。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；其中校正照射場面相對於校正照射瞳面定向成，使照射光束自校正照射場面傳送到校正照射瞳面之部分，不全部到達物場，而是以定義方式在邊緣被切截。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
-其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；
-其中校正照射場面具有照射光反射率，其沿長場面維度遵循預定態樣，以定義方式自固定反射率偏離；
-其中分離灰階過濾部分提供於校正照射場面；
-其中於灰階過濾部分提供具有固定面積密度之吸收點結構，藉由改變灰階過濾部分垂直於長場面維度之寬度而得到變化反射率。可動態地控制這些校正照射場面之光束導引效應。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
-其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；
-其中校正照射場面具有照射光反射率，其沿長場面維度遵循預定態樣，以定義方式自固定反射率偏離；
-其中灰階過濾部分提供於校正照射場面；
-其中於灰階過濾部分之吸收點結構分布成具有變化面積密度。可動態地控制這些校正照射場面之光束導引效應。
根據本發明開頭所述的目的，可藉由EUV微影之照射光學件達成，其用以將照射光束從輻射源導引到物場，物場於長場維度與短場維度間具有外觀比，而外觀比大於1，包含：
-場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定物場之定義的照射條件；
-隨行光學件，位於場組合反射鏡之下游，用以傳送照射光入物場；
-其中隨行光學件包含具有複數瞳面之瞳組合反射鏡，其中場面個別地分配給瞳面，使照射光束照射到各自場面之部分經由相關的瞳面被導引到物場；
-其中場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供物場之基本照射，且複數校正照射場面容許經由相關的校正照射瞳面校正物場之照射；
-其中場組合反射鏡包含至少二個類似的校正照射場面；
-其中類似的校正照射場面分配給類似的校正照射瞳面，其相對於瞳組合反射鏡界定之瞳中心為點對稱的。可動態地控制這些校正照射場面之光束導引效應。
至於個別的結構特徵，根據本發明上述照射光學系統亦可以不同於上述之結構組合來實施。若光束導引的動態可控性或場組合反射鏡在上述根據本發明之照射光學系統的至少兩種操作模式間的切換是不需要的，則照射光學系統可改善成關於上述根據本發明之照射光學系統，其具有動態可控光束導引效應，或提供有可切換於至少兩種操作模式的場組合反射鏡。
包含根據本發明之照射光學件與投射物場到影像場之投射光學件之光學系統的優點，包含此類型光學系統與產生照射光束之EUV輻射源之投射曝光裝置的優點，包含以下步驟之製造方法的優點：
-提供光罩；
-提供晶圓，具有對照射光束為光敏感之塗層；
-利用根據本發明之投射曝光裝置，投射光罩之至少一部分於晶圓；以及
-在曝光於照射光束後，顯影晶圓上之塗層，以及根據本發明製造之微米或奈米結構組件之優點，係對應參考根據本發明之照射光學件所述的優點。
一種利用根據本發明之照射光學件進行照射校正之方法，可包含以下步驟：
-利用輻射源之照射光束，決定物場之照射的強度分布或角分布；
-提供校正照射場面之配置，以及分配校正照射瞳面給校正照射場面，以得到所需的強度分布或角分布；
-其中基於一組函數來提供校正照射場面之配置，其中提供於場高度有強度變化之一組校正照射場面，此強度變化對應該組函數。
提供校正照射場面之配置以及分配校正照射瞳面給校正照射場面，尤其可基於計算而發生。選替地，此亦可基於先前產生的校準表發生，其中校準表儲存有校正照射場面之配置以及校正照射瞳面到校正照射場面之分配，其各分配給分別偵測的強度分布或角分布。基於一組函數來計算校正照射場面之配置，其中校正照射場面可於長場維度可具有不同的有效照射光反射率，其係對應該組函數的函數。
物場之照射強度分布或照射角分布可直接量測或以衍生方式而得。衍生量測可例如在與物件平面相隔之平面，量測物場之照射強度分布或照射角分布。選替或此外，物場之強度分布或角分布可藉由量測例如調整輻射或具有不同波長之同行輻射之光分布等其他參數，或藉由量測例如特定組件溫度增加之間接參數，或量測散射光，而以衍生方式決定。校正照射場面的配置計算可包含場組合反射鏡之校正照射場面的配置計算，及/或個別或所有校正照射場面的反射率態樣計算，即這些校正照射場面的有效形式。校正照射場面計算的配置可藉由提供對應設計的全新場組合反射鏡來提供，或利用如可互換擋件，從已存在的場組合反射鏡中選擇界定的校正場照射場面來提供。
當執行照射校正時，可自各種操作模式選擇，即自有效校正照射場面之各種配置中選擇。
根據本發明之照射校正方法的優點，對應於上述參考照射光學件之解釋。
圖1為微影投射曝光裝置1之示意剖面。投射曝光裝置1之照射系統2包含輻射源3、以及於物件平面6照射物場5之照射光學件4。於此程序中，照射配置於物場5但未顯示於圖1之光罩，光罩配備有欲利用投射曝光裝置1投射之結構，以生產微米或奈米結構半導體組件。投射光學件7用以將物場5造影到影像平面9之影像場8。光罩上之結構造影到晶圓設置於影像平面9之影像場8區域之感光層，且並未顯示於圖式中。
輻射源3為發射5nm至30nm範圍之有用輻射的EUV輻射源。輻射源3可為電漿源，例如氣體放電電漿(GDPP)源或雷射電漿(LPP)源。亦可考慮其他基於例如同步加速器之EUV輻射源。輻射源3發射之EUV輻射10由集光器(collector)11收集。相應的集光器例如EP 1 225 481 A所揭露的。於集光器11的下游，在照到場組合反射鏡13之前，EUV輻射10傳播通過中間聚焦平面12。場組合反射鏡13設置於照射光學件4與物件平面6光學共軛之平面。
於後EUV輻射10亦稱為照射光或造影光。
於場組合反射鏡13的下游，EUV輻射10由瞳組合反射鏡14反射。EUV輻射10照到兩個組合反射鏡13、14的入射角小於或等於25°。因此這兩個組合反射鏡在正常入射(normail-incident)操作範圍內曝光於EUV輻射10。瞳組合反射鏡14設置於照射光學件4中與投射光學件7之瞳平面光學共軛之平面。利用瞳組合反射鏡14以及包含依序於EUV輻射10之光束路徑標示為16、17及18之反射鏡的傳輸光學件15形式之造影光學組件，場組合反射鏡13之場面19(參見圖2)以彼此重疊的方式造影到物場5。傳輸光學件15的最後一面反射鏡18為擦掠(grazing)入射鏡。傳輸光學件15結合瞳組合反射鏡14亦稱為隨行光學件，用以將EUV輻射10自場組合反射鏡13傳送到物場5。
於後利用卡迪兒xyz座標系統，來幫助說明位置關係。x軸朝垂直圖1之圖面的觀看者延伸。y軸朝圖1的右方延伸。z軸朝圖1上方延伸。
當使用投射曝光裝置1時，於y方向同步掃瞄用光罩支托器(未顯示)支托的光罩以及用晶圓支托器(未顯示)支托的晶圓。
於所示實施例中，物場5具有拱形，而光罩(參見圖22之光罩20)具有對應拱形。因此於後物場5可利用圖22之光罩20的圖式說明。物場5具有環形片段的形狀，於所示實施例中其覆蓋約達75°的扇形角S。亦可考慮其他的扇形角S。物場5由具有半徑Ri之內弧側21、具有半徑Ra之外弧側、以及兩個徑向側所圍成，兩個徑向側圍在物場5的側邊，即圖22左側的徑向側23以及圖22右側的徑向側24。在徑向側23、24的兩個中心之間，物場5具有x0 的x延伸。在弧側21、22的兩個中心之間，物場5具有y0 的y延伸。物場5之外觀比X0 /y0 明顯大於1。於圖22所示之實施例中，外觀比x0 /y0 約為7:1。亦可考慮其他的外觀比，例如13:1的外觀比。由於此外觀比，x軸亦稱為長場軸，而y軸稱為短場軸。於物場5之特定x座標亦稱為場高度。場組合反射鏡13之矩形場面19(參見圖2)具有x/y外觀比，對應物場5之x0 /y0 外觀比。
場組合反射鏡13之場面19結合成包含複數場面19之場面區塊25，即於圖2所示之實施例中顯示總共4個此類型場面區塊25，各有8個場面19。於實際應用中，有更高數量的此類型場面區塊25，而使場組合反射鏡13包含數百個場面19。場面區塊25設置於場面載具26，其於實際應用中可調整於數個自由度。根據場組合反射鏡13的設計，場面區塊25及/或場面區塊25中的場面19亦可相對於場面載具26調整。
瞳組合反射鏡14(參見圖2)具有複數圓形瞳面27，例如以六角緊密堆積配置於瞳面載具28。
場面19及瞳面27可具有造影效應且可例如具有球形凹面形狀。
瞳面載具28可對應場面載具26調整。類似瞳面載具28，個別場面27也可選替或額外地相對於瞳面載具28調整。
面上的高反射塗層為多層塗層，於實際應用上具有交替的鉬及矽層。面19、27為EUV輻射10之鏡面。為了調整個別場面19及/或個別瞳面27，這些面可個別地連接到相關的致動器。這些致動器可設計成容許個別場面繞兩個軸傾斜，這兩個軸設置於各自面的反射平面。
場面19個別地分配給瞳面27，而使EUV輻射10射到各自場面19之照射光束部分，經由相關的瞳面27傳送到物場5。因此兩個組合反射鏡13、14界定複數照射通道，其於個別通道導引EUV輻射10到物場5。圖2所示之示意實施例具有總共32個此類照射通道。於各照射通道中，輻射源3造影到瞳面27。
場面19及瞳面27各分成兩種面類型。基本照射場面19G 於圖2中顯示為空白。校正照射場面19K 於圖2顯示為斜線。基本照射瞳面27G 於圖2中顯示為空白圓形，且經由照射通道分配給基本照射場面19G 。
校正照射瞳面27K 於圖2顯示為斜線，並分配給校正照射場面19K 。
基本照射場面19G 經由基本照射通道，利用相關的基本照射瞳面27G ，提供物場5之基本照射。校正照射場面19K 經由校正照射通道，利用相關的校正照射瞳面27K ，提供物場5之校正照射。
根據幾何以及場組合反射鏡13曝光於EUV輻射10之照射光束時的強度分布，以及根據物場5之預定所需照射，來選擇場組合反射鏡13欲用作為基本照射場面19G 之場面19以及欲用作為校正照射場面19K 之場面19。合適的校正照射場面19K 例如為強度不足以提供基本照射者，或具有不適合提供基本照射之強度分布者。合適的校正照射場面19K 例如為靠近邊緣的場面19，或具有完全未暴露於EUV輻射或例如因遮蔽僅暴露於衰減的EUV輻射之部分的場面19。
複數擋件29、30、31、32(參見圖2)分配到瞳組合反射鏡14，並提供於擋件變更支托器33(參見圖1)。利用擋件變更支托器33，擋件29到32可個別地在瞳組合反射鏡14之反射鏡表面前方位移於圖1之連續線所示之休息位置以及圖1之虛線所示之擋件位置之間。於擋件位置時，擋件29到33確保EUV輻射10沿界定的基本照射通道傳播。再者，擋件29到33容許選擇用作校正照射之校正照射瞳面27K 。
於擋件位置時，擋件29允許經由所有圖2所示的6個校正照射瞳面27K 來進行校正照射。如此同時經由所有的基本照射通道及所有的校正照射通道，造成物場5的疊加照射。
於擋件位置時，擋件30擋住兩個校正照射瞳面，於圖2標示為27K1 。然後物場5經由所有的基本照射通道及剩餘的校正照射通道，暴露於疊加的照射。
於擋件位置時，擋件31更擋住除了校正照射瞳面27K1 外的兩個校正照射瞳面27K2 。當使用擋件31時，物場5經由基本照射通道及剩餘的兩個校正照射通道暴露於疊加的輻射。
於擋件位置時，擋件32擋住全部的校正照射瞳面27K 。然後物場5僅經由基本照射通道暴露於疊加的照射。
結果，擋件29到31容許EUV輻射10分配到各群組的校正照射場面19K 的照射光束部分，通過物場5。當然亦可以對應的方式設計額外的擋件，而考慮其他的傳輸群組。
如同基本照射場面19G ，校正照射場面19K 於其表面可具有固定的反射率。選替地，至少所選的校正照射場面19K 可具有隨表面變化的反射率。這些校正照射場面19K 尤其具有對EUV輻射10的反射率，反射率沿長場維度遵循預定態樣，其以定義方式自固定反射率偏離。
圖3顯示此類校正照射場面19K1 到19K6 及19K1’ 到19K6’ 的範例。校正照射場面19K1 到19K6 結合於校正照射場面區塊25K 。校正照射場面19K1’ 到19K6’ 結合於校正照射場面區塊25K’ 。於所示的陰影部分中，校正照射場面19K1 到19K6 及19K1’ 到19K6’ 不具有對EUV輻射10有高反射的塗層。於後這些部分稱為衰減部34。校正照射場面19K1 到19K6 及19K1’ 到19K6’ 的反射部35於圖3顯示為空白。衰減部34的形狀於校正照射場面19K1 到19K6 中各不同。校正照射場面19K1’ 到19K6’ 具有類似形狀的衰減部34。同樣應用於校正照射場面對19K2 /19K2’ 到19K6 /19K6’ 。兩個場面區塊25K 及25K’ 相對於x-z鏡像對稱平面為鏡像對稱的。
由於校正照射場面19K1 到19K6 中不同設計的衰減部34，校正照射場面19K1 到19K6 沿x方向以不同程度減弱EUV輻射。
校正照射場面19K1 於圖3的左方邊緣完全減弱EIV輻射10。衰減朝右方邊緣線性減少，使EUV輻射10於右方邊緣有儘可能高的效率被反射。
校正照射場面19K2 具有衰減部34，造成完全相反的衰減方式，即EUV輻射10於圖3左方邊緣並未衰減，而在右方邊緣儘可能的衰減。
校正照射場面19K3 具有兩個衰減部34，根據圖3從上及下觀之，其為月牙形且於校正照射場面19K3 的中心接觸。因此校正照射場面19K3 於x方向遵循衰減態樣，而在圖3左方邊緣有最小的衰減，其在右方邊緣再次減低為最小衰減前，於一半的x高度增加到最大衰減。
相較於校正照射場面19K3 ，校正照射場面19K4 於x方向具有EUV輻射之相反衰減態樣。校正照射場面19K3 及19K4 於x方向產生拋物線衰減態樣。
校正照射場面19K5 在x方向，於圖3左方邊緣，具有對EUV輻射10之最小衰減態樣，其在右方邊緣增加到最大衰減。在兩邊緣之間，衰減為x座標的非線性函數。衰減為連續單調函數的結果。亦考慮衰減函數的其他態樣，尤其是具有至少一最小值或至少一最大值者，以及非連續及/或非單調的函數。
相較於校正照射場面19K5 ，校正照射場面19K6 於x方向具有相反衰減態樣。
於衰減部34中，校正照射場面19K1 到19K6 以及19K1 ，到19K6 ’對於EUV輻射10具有遠小於10%的反射率，於所示實施例中，此反射率小於面的反射部35反射率的0.1%。
校正照射場面對19K1 /19K1 ，到19K6 /19K6 ，各形成典型校正照射場面的群組，其於長場維度(即x方向)遵循相同的反射率態樣。
校正照射場面對19K1 /19K1’ 到19K6/ 19K6’ 分配給校正照射瞳面對27K1 /27K1 ，到27K 6/27K6’ ，其各相對於瞳組合反射鏡14的中心36為點對稱的。
與校正照射場面19K1 到19K1’ 、19K6 到19K6’ 作用的擋件29到32中的擋件，組態成使19K1 /19K1’ 對到19K 6/19K6’ 對總是成對的被遮蔽。如此避免校正照射通道可能造成物場照射的遠心度(telecentricity)變化。
物場5的照射遠心度如下界定。
照射的物場5之各場點界定有分配給此場點之光束的中央射線。中央射線具有自場點射出之光束能量權重方向。於理想狀況下，各場點的中央射線與照射光學件或投射光學件所界定的主射線平行。
可從照射光學件4或投射光學件7的設計資料得知主射線的方向。由場點與投射光學件7之入射瞳的中心點間之連線，界定場點的主射線。可根據以下得到物件平面6中物場5之場點x,y之中央射線的方向：
E(u,v,x,y)是場點的能量分布，為瞳座標u,v的函數'即各自場點x,y可見之照射角的函數。
為照射到點x,y之總能量。
舉例而言，中央物場點x0 ,y0 從方向u,v看到部分輻射束的輻射，方向u,v由通過照射光學件4之瞳平面的個別部分輻射束的穿透點來界定。於照射設定，僅當部分輻射束的不同能量或強度分別結合形成與主射線方向平行之整合中央射線方向時，中央射線沿主射線延伸。此僅為理想狀況下的案例。實際上，中央射線方向與主射線方向間有稱為遠心度誤差的偏離：
於投射曝光裝置1的實際應用中，需注意不需校正於特定物場之靜態遠心度誤差，而是校正於x=x0 之掃瞄綜合遠心度誤差。此遠心度誤差如下獲得：
換言之，校正於掃描程序時由光罩上通過物件平面6之物場5之點(x，例如x0 )整合的遠心度誤差，其中x遠心度誤差(tx)及y遠心度誤差(ty)間產生差異。y遠心度誤差界定為於垂直掃描方向，中央射線從主射線的偏離。x遠心度誤差界定為於掃描方向，中央射線從主射線的偏離。
於校正照射場面的選替實施例中(未顯示)，各有4個校正照射場面19K 之群組，其具有相同EUV反射率x樣態且對應圖3中19K1 /19K1’ 到19K6 /19K6’ 對之實施例。經由照射通道，將有4個校正照射場面的群組分配給有4個校正照射瞳面的群組，其均勻地環繞瞳組合反射鏡14的中心36分布，而使例如藉由擋件來開啟這樣有4個照射通道的群組以維持橢圓率E0°/90° 。嚴格來說，中心36為照射光學件4之瞳的中心，而瞳是由瞳組合反射鏡14所界定。
橢圓率是決定物件平面6中物場5的照射品質的另一參數。決定橢圓率有助於獲得更精確的資訊，即跨投射光學件7之入射瞳的能量分布或強度分布。為達此目的，入射瞳分成8個八分體，由逆時針方向標號為O1 到O8 ，如數學中常用的方式。於後，入射瞳的八分體O1 到O8 對場點照射的能量或強度貢獻稱為能量或強度貢獻I1 到I8 。
以下量稱為-45°/45°橢圓率(Elly,E-45°/45° )：
以下量稱為0°/90°橢圓率(Ellx,E0°/90° )：
對應於上述遠心度誤差，亦可為特定物場點xFP ,yFP 或選替為掃描整合照射(x=xFP ,y-整合的)，決定橢圓率。
校正照射場面上衰減部34的產生，可藉由在面的反射塗佈時應用遮罩於衰減部34的位置，遮罩覆蓋衰減部34，使衰減部34沒有反射塗層。然後，僅塗佈反射塗層於反射部35。
根據x維度，校正照射場面之函數型反射率態樣可為x的線性函數，例如校正照射場面19K1 、19K1’ 的案例，或為x的二次函數，例如校正照射場面19K2 到19K2’ 的案例。亦考慮其他多項式x函數，例如具有更高冪x的函數。亦考慮正弦或餘弦x函數，例如當於x維度執行校正照射場面19K 的反射率相依傅立葉分析時。一般而言，可使用各種校正照射場面例如校正照射場面19K1 到19K6 ，來產生對應一組正交函數的一組反射率相依性，其中反射率為x的函數。如此容許於物場5實質執行任何照射參數所需的照射校正，尤其是關於遠心度與橢圓率的照射參數。
圖4顯示校正照射場面19K 的另一實施例，其可例如取代圖2或圖3之校正照射場面。圖4之校正照射場面19K 具有楔形灰階過濾部分37形式的衰減部，其與反射部35分開。
相對於圖3實施例之校正照射場面19K1 /19K1’ ，圖4實施例之衰減部37之最大寬度K於圖4左方邊緣小於校正照射場面19K於y方向之寬度yFF 。因此校正照射場面19K 於圖4左方邊緣亦具有0以外的反射率。反射率從左邊到右邊對應反射部35的遞增寬度線性地增加。
圖5顯示校正照射場面19K 的另一實施例，其可取代圖2到圖4之校正照射場面。根據圖5之校正照射場面19K 亦為灰階過濾器，此灰階過濾器具有沿x維度變化的反射率。於圖5的實施例中，灰階過濾器利用覆蓋校正照射場面19K 的整個反射面之吸收點結構38來形成，其中吸收點結構38以定義方式分佈。吸收點結構38可具有典型在範圍50μm及150μm間的直徑。
於根據圖5之校正照射場面19K 的範例中，從左到右觀之，點結構38的面積密度因圖5實施例之反射率變化而減少，大約對應於圖4的實施例。於圖5的實施例中，點結構38分布於校正照射場面19K 的整個反射面。選替地，在與剩餘反射部分開的衰減部中之點結構38，可設置有固定面積密度，其中衰減部例如形成對應圖3之校正照射場面19K1 到19K6 設置的衰減部34。
校正照射場面的反射率開頭就降低之衰減部34的選替例，例如當沒有反射塗層時，亦可考慮例如藉由致動器而利用特別作用可位移的變化遮蔽體，來提供衰減部於校正照射場面19上。此類型的遮蔽體可利用由於場組合反射鏡13佈局而設置於受遮蔽的空間39內之支撐結構，固定於適當位置。
圖6顯示以此方式遮蔽的空間39，其中空間39由配置於圖6左邊的場面19，例如基本照射場面19G 形成，並相對於相關場組合反射鏡的反射平面40，投射超越圖6右邊所示鄰近的校正照射場面19K 。可設置不同遮蔽體之支撐結構的遮蔽空間39，然後由相對於xz平面以角度β(即傾斜於反射平面40)照射到包含場面19G 、19K 之場組合反射鏡的EUV輻射10產生。然後，不同遮蔽體可以於x維度變化衰減之方式，遮蔽校正照射場面19K 的反射部41。x軸垂直延伸入圖6的圖面。y軸朝圖6的右邊延伸。z軸於圖6朝下延伸。
圖6未顯示遮蔽體。遮蔽體可例如為擋件，其沿x維度延伸且可變化地進出反射部41。
以下利用圖7及圖8說明可如何於物場5的x軸校正非均勻照射。
圖7為具有單一場面19之場組合反射鏡13的示意圖。輻射源3照射於場組合反射鏡13的圓形照射區域42。此照射為不均勻的。照射強度從圖7的左上方到右下方之照射區域42均勻地減低。結果，場面19暴露於強度從圖7左到右減低之EUV輻射10。
圖7進一步顯示具有單一瞳面27之瞳組合反射14的示意圖。場面19及瞳面27界定照射通道。
物場5之x維度的強度分布I(x)顯示於圖7下方的圖式。假設物場5由圖7所示之唯一照射通道照射。圖7的左方邊緣暴露於最大強度且看見照射角分布，其顯示於圖7的43。三個額外的照射角分布示意地顯示於44至46，其看到進一步移到圖7右邊之物場點，換言之於x方向。4個照射角分布43至46各有相同的照射方向。因此，相關的物件點全部暴露於來自相同方向的照射，即來自唯一瞳面27的方向。然而當由左到右觀看時，物場點暴露於減低的照射強度。
當照射變化發生於x方向時，即垂直y方向或掃描方向，即使物場5掃描光罩仍維持照射變化。因此強度變化I(x)需要維持儘可能的低。此低的強度變化I(x)對應由以下界定的均勻性U(x)的微小值：
x=0對應物場5中心的x位置，即場高度。
圖8顯示具有場面191 到199 (由上到下標號)之場面區塊25與相關瞳面271’ 到279’ 之總共9個不同照射通道的疊加。瞳面275 ，設置於瞳組合反射鏡14的中心36。所有照射通道疊加於圖8右邊堆疊的矩形所示之物場5。若於x方向的變化遵循相同單調的態樣，所有場面191 到199 從左到右發生的強度變化不能用物場5中的疊加補償，而是於物場5累積。利用上述圖2至圖6說明的校正照射場面及以下將說明的校正照射場面，可執行補償。
圖9再次顯示類似於圖8的9個照射通道，總共提供4個校正照射場面，即場面19K1 、19K2 、19K8 、19K9 ，以及5個基本照射場面，即場面19G3 到19G7 ，與相關的校正照射瞳面27K1’ 、27K2’ 、27K8’ 、27K9’ ，以及基本照射瞳面27G3’ 到27G7’ 。
校正照射場面19K1 、19K2 及19K8 、19K9 各由位於彼此相鄰位置的遮蔽體47所遮蔽。遮蔽體47設置成與場組合反射鏡13之反射面界定的反射平面相距一段距離。遮蔽體47各設置於兩個相鄰校正照射場面19K1 /19K2 及19K8 /19K9 間之間隙上方。遮蔽體47具有線材形式的基體49，其沿間隙48延伸。基體49的寬度於y方向小於間隙的寬度。沿基體49，遮蔽體47的遮蔽部50設置於基體49上，遮蔽部50的寬度於y方向大於兩相鄰校正照射場面19K 間的間隙48。遮蔽部50於線材基體49上排列成像一串珍珠。遮蔽體50亦可為基體49於y維度的厚度變化。遮蔽體50於y方向的寬度以及於x方向沿基體49的發生頻率，造成於x方向反射EUV輻射10之校正照射場面19K1 /19K2 及19K8 /19K9 的表面有對應的變化。對校正照射強度變化I(x)而言，例如根據圖7，遮蔽部50可分布成遮蔽部50的發生頻率從圖9左到右減少。只要藉此於x方向產生的遮蔽變化超過校正照射場面19K 的照射變化，校正照射場面19K 提供物場5從左到右增加的照射強度分布，而對基本照射場面19G 相反導向的強度貢獻有補償的貢獻。
於圖9的配置中，校正照射瞳面27K1’ 、27K2’ 、27K8’ 、27K9’ 繞瞳組合反射鏡14的中心36也配置成點對稱的。如上所述，如此當使用校正照射場面19K 時，確保維持遠心度及選擇性維持地橢圓率。
取代線材，基體49亦可備有膜條或帶件。遮蔽部50可設計成自基體49邊緣移除(例如侵蝕)材料而形成。於選替實施例，遮蔽部50設計成使特定的帶形基體49的邊緣被切割成所需的形狀。
於某些校正照射場面19K 中，遮蔽部50可彼此相隔固定空間頻率或週期。相應的實施例顯示於圖10。於此實施例，具有珍珠或碟型遮蔽部50之線材形基體49，設置於校正照射場面19K1 及19K2 之間以及校正照射場面19K8 及19K9 之間，遮蔽部50沿校正照射場面19K1 /19K2 及19K8 /19K9 之x維度規律地重複共11次。在校正照射場面19K2 及19K3 之間以及在校正照射場面19K7 及19K8 之間，設置具有線材形基體49及遮蔽部50之遮蔽體47，其沿校正照射場面19K2 /19K3 及19K7 /19K8 之x維度重複共6次。在校正照射場面19K3 及19K4 之間以及在校正照射場面19K6 及19K7 之間，設置具有線材形基體49及遮蔽部50之遮蔽體47，其沿校正照射場面19K3 /19K4 及19K6 /19K7 之x維度重複共2次。
於圖10之實施例中，基本照射場面19G5 設置於校正照射場面19K4 及19K6 之間。
藉由設置圖10之遮蔽體47為線材擋件，使遮蔽部50依序以不同週期設置，可使具有一組個別基本函數的變化選擇之校正照射場面19K1 到19K4 及19K6 到19K9 之吸收邊緣達到傅立葉合成。此傅立葉合成容許微調照射校正，藉由空間頻率(即沿基體49之遮蔽部50間的距離)，藉由相位(即例如圖10左方之第一遮蔽部50照到校正照射場面19K 的個別x偏移)，以及藉由幅值(即個別遮蔽部50之y維度)。x偏移(即遮蔽體47之遮蔽部50之x位置)可由遮蔽體47於x方向之位移來界定，如圖10的方向箭頭52所示。
於圖10的實施例中，由類似的遮蔽體47所遮蔽的校正照射瞳面27K’ ，相對於瞳組合反射鏡14之中心也是點對稱的，以確保維持遠心度以及選擇性地也維持橢圓率。於圖9及圖10的實施例中，由類似的遮蔽體47所遮蔽的校正照射場面19K 更相對於場面區塊25之中央xz平面為鏡像對稱的。
若遮蔽部50為碟形，則可藉由繞著基體49的縱軸轉動遮蔽體47，來改變遮蔽部50之有效遮蔽y維度，如圖10之方向箭頭51所示。
於圖10之實施例中，遮蔽部50可設計得到遮蔽體47的正弦厚度變化。類似地，可提供若干此類型的基體49，包含具有正弦厚度變化的遮蔽體50，且相互上下設置。基體之遮蔽部的校正效應可藉由相對於彼此之縱長方向，位移相互上下設置的兩個基體比49來微調。
圖11顯示場面區塊25之反射平面上方之遮蔽體47之可能的支托裝置。
基體49的兩端各捲繞於一個捲件53、54，且可從捲件53、54解捲以及可捲繞。遮蔽體47的遮蔽區域55被導引於兩個捲件53、54之間，用以遮蔽且其x延伸是對應校正照射場面19K 的x延伸。顯示於圖11左方的捲件53各提供有捲繞及解捲基體49的驅動器56。捲件53、54及驅動器56可設置於剩餘照射系統2設置之抽真空空間57外面。抽真空空間57的閉鎖平面(lock plane)58以虛線顯示於圖11。
圖12顯示遮蔽體47之支托裝置的選替實施例，使圖9及圖10的遮蔽體47靠近單一校正照射場面19K 。利用兩個導引捲件60，將遮蔽體47的基體49導引及支撐於校正照射場面19K 的反射面59上方。藉由導引捲件60，將基體49的一端導引到捲件53，而基體49的另一端導引到捲件54。捲件53、54設置於校正照射場面19K 遠離反射面59的一側上。
圖13為類似於圖9左方之遮蔽體47的圖式，其具有帶件61形式的基體。為了形成遮蔽體50，帶件61的寬度(即其y維度)切割成達到所需強度校正的尺寸，遮蔽部50亦可由例如侵蝕來形成。根據圖13所示之遮蔽體47，帶件61的寬度超過相關校正照射場面19K 間之間隙48的整個寬度。於某些區域中，帶件61亦可對應間隙48的寬度，或甚至可小於間隙48，以避免校正照射場面19K 在這些區域中被圖13之遮蔽體47所遮蔽。相應於線材基體49，帶件61可捲繞於捲件53、54，如上述參考圖11及圖12實施例的說明。
當準備操作投射曝光裝置1時，可利用形成裝置基於例如物場5的照射之校準量測，選擇上述實施例之遮蔽體47的遮蔽部50的形式。形成裝置可例如是切割裝置或侵蝕裝置。
沿基體49可提供若干連續的遮蔽區域55，其具有各種順序的遮蔽部50，且根據物場照射經由校正照射場面19K 之校正的條件來選擇。舉例而言，可提供包含連續等距設置遮蔽部50之遮蔽區域55的順序，於各接續的遮蔽區域55中，接續的遮蔽部50的空間頻率根據圖10實施例的不同空間頻率而改變。接續的遮蔽區域可例如藉由施加於基體49的標記來識別。這些標記可由利用訊號線63與控制裝置64訊號連接之讀取裝置62(參見圖11)光學地偵測。控制裝置64接著利用訊號線65與捲件53的驅動器56訊號連接。讀取裝置62以及與其連接之控制系統顯示於圖11，藉由所示之捲繞及解捲裝置做為範例。
若於物場校正照射之校準量測期間量測強度變化，其需要一起使用校正照射場面19K 及特定遮蔽體47，則致動相關捲件53的驅動器56直到讀取裝置62偵測到分配給具有所需遮蔽部50之遮蔽區域55的標記。所需遮蔽區域55各藉由控制裝置64以受控制方式進行。
以下利用圖14到圖16說明具有遮蔽體47之場組合反射鏡13以產生校正照射場面19之另一實施例。對應上述參考圖1到圖13已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
根據圖14之場組合反射鏡13分成複數場面區塊25，其包含複數場面19，類似於圖2實施例之場面區塊25。場面區塊25間提供具有寬度為0.5mm之間隙66。圖14進一步顯示總共以5個自由度調整場組合反射鏡13之調整元件67a。
於圖14到圖16的實施例中，遮蔽體47具有插入部67，其差置於兩相鄰校正照射面19K 間之間隙66。根據圖14到圖16之遮蔽體47的遮蔽部50剛性連接到沿間隙66於x方向延伸之插入部67。插入部67可與遮蔽部50形成為單一件。選替地，如圖16所示，遮蔽部50可製造為首先與插入部67分離的組件，然後再與插入部67接合。
遮蔽體47的插入部67及遮蔽部50可由鉬形成。
遮蔽部50沿x方向延伸並突出超過相關校正照射場面19K 之邊界，可形成為類似例如圖13之帶件遮蔽體47之邊界。
以下利用圖17及圖18說明遮蔽體47的另一實施例。圖17顯示遮蔽體47插置於場面區塊25中相鄰場面19間之實施例。圖18顯示遮蔽體47插置於相鄰場面區塊25間之實施例。根據圖17及圖18之遮蔽體47具有遮蔽部50，其形成插入部67之延伸，係突出超過場面19之反射面59。圖18示意顯示的致動器68容許遮蔽體47垂直反射面59位移，如圖18之方向箭頭69所示。為使校正照射場面19K 有變化的遮蔽，當沿x方向觀之，遮蔽部50的自由邊緣70形成為對應依據其x位置之函數，如圖17示意及誇張的圖式所示。
以下藉由圖19說明校正照射場面之又一實施例。對應上述參考圖1到圖18已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
圖19為類似圖7之基本照射通道之圖式，其具有單一基本照射場面19G 及經由基本照射通道分配給基本照射場面19G 之基本照射瞳面27G 。於圖19上方，顯示於xz截面的這兩個基本照射面19G 、27G ，其揭示基本照射面19G 、27G 之反射面59的凹球形狀。圖19更顯示校正照射場面71。校正照射場面71為反射鏡部分，其為矩形且具有基本照射場面19G 部分表面區域的尺寸。校正照射場面71於y方向具有與基本照射場面19G 相同的延伸。於x維度，校正照射場面71的延伸達基本照射場面19G 之延伸的四分之一。因此於圖19的範例中，校正照射場面71的鏡面達基本照射場面19G 的四分之一。校正照射場面71利用薄真空相容棒72固定在適當位置，薄真空相容(vacuum-compatitible)棒72延伸於y方向，且相較於基本照射場面19G 的寬度，於x方向具有可忽略的寬度。利用驅動器(未顯示)，藉由相應操控棒72，棒72可於y方向(參見方向箭頭73)與x方向(參見方向箭頭74)位移，且可繞其縱軸樞轉(參見方向箭頭75)。如此一方面容許改變照射區域42上之校正照射場面71的位置，另一方面容許改變校正照射場面71對EUV輻射10的偏轉角度。
校正照射瞳面76經由校正照射通道分配給校正照射場面71。校正照射通道經由校正照射面71、76的傾斜角調整成，照射物場5的四分之一，如圖19的右下方所示。校正照射瞳面76緊密鄰近瞳組合反射鏡14上之基本照射瞳面27G 。
校正照射瞳面76可被變化遮蔽擋件77部分覆蓋。遮蔽擋件77利用延伸於x方向且可經由驅動器(未顯示)位移於x方向(方向箭頭79)之棒78固定在適當位置。遮蔽擋件77之棒78設置成使棒78不遮蔽其他的瞳面。
當遮蔽擋件77完全插入時，遮蔽擋件77的擋體具有半圓形的形狀，其覆蓋校正照射瞳面76的下半部。於圖19所示位置，遮蔽擋件77遮蔽大約校正照射場面76右下方的四分之一。遮蔽擋件77容許微調校正照射通道的照射強度。
於圖19下方的強度圖I(x)對應圖7之I(x)圖，且顯示校正照射面71、76的效果。於圖19之實施例中，當從x方向觀之，物場5左方的四分之三看到與圖7實施例相同的照射。當從x方向觀之，物場5最右方的四分之一提供由來自基本照射瞳面27G 之照射以及來自校正照射瞳面76之照射組成的照射角分布。
結果，圖19右下方物場5的四分之一看到大約與物場5其餘四分之三之照射強度的平均值對應的照射強度，其中照射各從緊密相鄰瞳面27G 及76之方向到達。因此，包含校正照射場面71及校正照射瞳面76之校正照射通道，經由基本照射通道提供物場5右下方四分之一之照射強度的補償，若未提供校正，則照射強度會減少。
可考慮基本照射場面19G 及校正照射場面71在1:100到1:：1間的其他比例。如此確保照射強度分布I(x)的特定精細校正。
圖20顯示在場組合反射鏡13之數個校正照射場面71與相關的校正照射瞳面76之範例性設置，其於此範例中備有基本照射場面19G 。校正照射場面71設置於EUV輻射10之照射區域42的邊緣，其不用於基本照射場面19G 的照射。圖20之實施例包含共10個基本照射通道及6個校正照射通道。校正照射瞳面76成對設置，其相對於瞳組合反射鏡14的中心36為點對稱的。
以下利用圖21到圖31說明照射補償，其一方面藉由相對於瞳面偏移來源影像，另一方面藉由偏移物場上之照射通道。
圖21顯示包含12個瞳面27之瞳組合反射鏡14，其中輻射源3之來源影像81各集中地設置於其上。
圖22顯示光罩20的部分，其呈現於同樣輪廓的物場5之位置，換言之其目前暴露於輻射。光罩20的這部分具有兩個疊加於其上的場面影像82、83。兩個場面影像82、83分配給對應的照射通道。場面影像82跨越整個扇形角S照射光罩20。場面影像82跨越整個扇形角S之徑向延伸小於光罩20之相關徑向延伸y0 ，使圖22之場面影像82之上及之下有未被場面影像82覆蓋之光罩20的條帶。場面影像83覆蓋扇形角S，其突出超過光罩20覆蓋之扇形角S的兩側。場面影像83的徑向延伸對應場面影像82的徑向延伸。圖22顯示，分配給照射通道之各種場面影像82、83之配置及疊加類型，其對物場5對應光罩20之照射強度分布及照射角分布具有決定性。場面影像82、83從物場5之完美疊加的界定偏差，可用以補償或校正物場5不想要的照射參數變異。
圖23顯示其中一個來源影像81不完全由相關的瞳面反射而是在邊緣以定義方式切截的案例。因此，分配給瞳面27的照射方向對物場5的照射僅貢獻降低的照射強度。藉由利用致動器傾斜分配給圖23之校正照射瞳面27K 之校正照射場面19K ，可以定義方式切截來源影像81。
圖24顯示藉由預定傾斜校正照射瞳面27K 達到的校正，傾斜使得相關的場面影像84部份從光罩20或物場5分別於正y方向遷移出。遷移出的部分可利用例如設置於靠近光罩20之場擋件或UVICOM擋件切截。可配置於照射光學件4之場平面之相應場擋件接露於WO 2005/040927 A2、US 2006/0244941 A1、或WO 2007/039257 A1。
圖25及圖26顯示相對於校正照射瞳面27K 位移來源影像81的兩個範例。於圖25中，所有來源影像81向下偏移於校正照射瞳面27K ，以使其於校正照射瞳面27K 的最外邊緣被切截。因此，相較於其餘瞳面27之照射通道，這些校正照射瞳面27K 的校正照射通道暴露於降低的強度。
於圖26中，來源影像81個別地位移於瞳組合反射鏡14邊緣的校正照射瞳面27K 。若干的來源影像81朝左邊緣位移，而其他的朝校正照射瞳面27K 的上、下、右、或右下邊緣位移而部分地被切截。圖26右方所示的其中一個校正照射瞳面27K 中，來源影像81保持在面的中心36。四個基本照射瞳面27G 設置在圖25之瞳組合反射鏡14之中心36旁，而來源影像81各集中設置於校正照射瞳面27K 上，使來源影像81完全被反射。結果，於物場5達到照射校正，其對應圖26之部分切截影像。
來源影像81藉由傾斜個別校正照射場面19K 、或藉由傾斜整個場面載具26、或藉由偏移輻射源3，位移於校正照射瞳面27K 上。
圖27及圖28顯示所示校正照射瞳面27K 可如何用以改變校正照射設定，於圖27及圖28之實施例中，提供比暴露於輻射之校正照射瞳面27K 還多一個校正照射瞳面27K 。因此其中一個校正照射瞳面27K 不暴露於輻射。不暴露於輻射之校正照射瞳面27K 顯示圖27的右下方。
相較於圖27，以修改圖28之瞳組合反射鏡14之照射。於圖28之照射範例中，經由照射通道分配給校正照射瞳面27K1 之校正照射場面19K1 ，相較於圖27以位移成使校正照射場面19K1 現在照射先前未暴露於輻射之校正照射瞳面27K2 。因此，如此亦導致校正照射之疊加角的變化。如此可用以例如校正物場5之照射的遠心度。
圖29顯示利用校正照射面的其他方式。相對於先前圖式，圖29顯示對應曲形物場5而形成的曲形校正照射場面19K 。
圖29顯示利用連續箭頭顯示校正照射場面19K1 、19K2 到兩個校正照射瞳面27K1 及27K2 的第一次分配。選替地，分配可如圖29之虛線箭頭所示。
校正照射場面19K1 分配給校正照射瞳面27K1 ，而校正照射場面19K2 分配給校正照射瞳面27K2 。當輻射源3以不同方式照射校正照射場面19K1 、19K2，分配的各個變化造成校正照射的變化。校正照射場面19K 到校正照射瞳面27K 的分配，可依據物場5的照射來改變，其可藉由校準量測、藉由以對應方式傾斜校正照射面19K 、27K 來決定。
圖30顯示類似圖24之場面影像85於圖30左方場邊緣之部分阻擋。當場面影像85相對於物場5及光罩20，於xy平面傾斜約扇形角，於圖30右方邊緣造成物場5之區域86未暴露於輻射，且於其相對側造成部分的場面影像85被例如場擋件擋住且因此不照到物場5。因此未暴露於輻射之區域86看不到來自導引通向場面影像85之照射通道之校正照射瞳面27K 方向的光。因此，圖30的遮蔽亦可用以校正物場5之照射角分布。
圖31顯示位移部分場面影像87、88的可能性，其可例如由圖19及圖20之校正照射場面71分別藉由傾斜相關校正照射瞳面27K 及若有需要於邊緣切截(參見部分場面影像88)，而產生於物場5或光罩20上。如此容許微調物場的校正。
以下利用圖32到圖34說明藉由遮蔽校正照射場面19K 之另一校正照射變化。對應上述參考圖1到圖31已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
於圖32到圖34之實施例中，遮蔽體由擋件結構89形成。擋件結構89包含複數分離擋件90。於圖32之校正照射場面19K 的反射面之平面圖中，各種分離擋件90形狀為矩形，且一方面顯示於掃描方向(即y方向)有不同的延伸，而另一方面垂直掃描方向(即x方向)有不同的延伸。分離擋件90於x及y方向的各種延伸導致擋件結構89之擋件邊緣91的個別輪廓形狀，擋件邊緣91突出入校正照射場面19K 之反射面。對應擋件邊緣91的輪廓形狀，如此造成垂直掃描方向(即x方向)之校正照射場面之照射光之強度分布的校正。對各校正照射場面19K 而言，例如可提供2、3、5、10、20、30、或甚至更多的分離擋件90。然後分離擋件90可具有相應小的延伸。分離擋件90於x方向彼此鄰接且於其間實質無間隙。分離擋件90亦可於x方向重疊，或分離擋件90於x方向之間亦可有小間隙。
分離擋件90垂直校正照射場面19K 之反射面的厚度(即z方向)，不大於0.3mm，於所示實施例此厚度達0.2mm。
分離擋件90由磁化材料形成，或具有磁化塗層。相對於擋件邊緣91的端部上，分離擋件90利用磁力固定在磁條92的適當位置。
磁條92沿x方向附接到校正照射場面19K 的邊緣。於z方向，磁條92些微地突出超過校正照射場面19K 的反射面或反射平面約0.2mm。突出的長度對應分離擋件90到校正照射場面19K 之反射面40的距離。因此，分離擋件90不接觸校正照射場面19K 之反射面40。
磁條92覆蓋具有反射面40之校正照射場面19K 之表面最多20%。於所示實施例中，磁條92覆蓋少於15%的表面。
分離擋件90利用可移動附接裝置93附接到磁條92。附接裝置93具有電磁鐵94，其包含線圈94、鐵磁芯95、以及交流電源96。磁芯95接收欲轉移到磁條92之分離擋件90。當欲轉移的分離擋件90利用附接裝置93移動到磁條92預定的x位置，利用開關97關掉電磁，使欲轉移的分離擋件90利用磁吸力藉由附接裝置93移動到磁條92。附接裝置93可驅動地位移於x方向(參見圖33的雙箭頭98)。附接裝置93的位移移動由圖33未顯示的中央控制裝置所控制。
個別的分離擋件90可利用附接裝置93從磁條92以相反順序移動。
以下利用圖35及圖36說明校正照射場面19K 之另一實施例。對應上述參考圖1到圖34，尤其是參考圖32到圖34，已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
於圖35及圖36的實施例中，供裝設校正照射場面19K 之遮蔽體之分離擋件90的磁條92側向整合於鄰近校正照射場面19K 之場面19，於圖35中場面19顯示於校正照射場面19K 之上方。於此實施例，磁條92設置於鄰近場面19之基體的側壁，如圖36所示。
於圖35及圖36的實施例中，分離擋件90具有角形yz截面，即字母L形。分離擋件90包含鄰接磁條92之固定腳99，以及遮蔽校正照射場面19K 之反射面的擋腳100。當從z方向觀之時，擋腳100於z方向具有0.2mm的厚度，且設置於校正照射場面19K 之反射面40上方0.2mm處。固定腳99於y方向也具有0.2mm的厚度。
分離擋件90可為完全反射及/或吸收照射光10的元件。選替地，至少一些的分離擋件90可讓照射光10部分地穿透。於此案例中，尤其可考慮個別分離擋件90於x方向的穿透樣態，但也可考慮y方向的。
以下利用圖37以校正照射場面19K 為範例，說明校正照射場面1之另一實施例。校正照射瞳面27a可為對應的設計。對應上述參考圖1到圖36，尤其是參考圖32到圖36，已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
磁表面部分101設置於圖37之校正照射場面19K 之反射面40。這些表面部分為磁性表面，其由與圖32至圖36實施例之磁條92相同的材料製成。磁表面部分101於x及y方向具有延伸，其遠小於校正照射場面19K 之x及y延伸。
於圖37之實施例中，總共提供12個此類型的磁表面部分101於校正照射場面19K 之反射面。
磁表面部分101的表面延伸小到使結合的磁表面部分101佔據少於校正照射場面19K 總表面的20%，而使校正照射場面19K 之反射面40僅以微小的程度減少。
依據欲界定於物場5之照射角分布或強度分布，一些或所有的磁表面部分101提供有分離擋件102，其功能對應圖32至圖36實施例之分離擋件90。當從到xy平面之投影觀之，分離擋件102可具有不同的邊界形狀，如圖37之範例所示。
選替地或此外，校正照射場面19K 可提供有對應磁表面部分101之磁表面部分103，磁表面部分103設置於校正照射場面19K 可讓照射光使用之反射面40的外面，如圖37顯示其中一個磁表面部分103的範例。此表面部分103可載有其中一個分離擋件102，其至少部分投射入校正照射場面19K 之反射面。
圖38顯示具有圖37實施例中之磁表面部分101方式的磁表面部分104之瞳組合反射鏡14。於圖38的實施例中，磁表面部分104設置於瞳組合反射鏡14的瞳面27之間。如圖38所示的兩個磁表面部分104範例，磁表面部分104可提供有分離擋件105，以界定物場5的照射角分布，而使分離擋件105至少部分遮蔽校正照射瞳面27K 。分離擋件105具有使分離擋件105鄰接各自磁表面部分104之固定腳106，以及至少部分覆蓋校正照射瞳面27K 之遮蔽部107。遮蔽部107具有適用於圓形瞳面27的形狀，此型狀的尺寸使遮蔽部107能完全覆蓋校正照射瞳面27K 。
於圖32到圖38之實施例中，可使遮蔽校正照射場面19K 或校正照射瞳面27K 之遮蔽部之遮蔽效應，快速地配合物場5之照射角分布或強度分布。為達此目的，首先利用例如校準量測手段，量測系統性能，換言之指物場5之照射角分布或強度分布。量測可分別發生於影像平面9之區域或晶圓平面中。量測後，計算個別光學校正元件所需的遮蔽，即例如於校正照射場面19K 或校正照射瞳面27K 。之後，由個別分離擋件90、102、105、或於圖32到圖38實施例中形成擋件結構之複數此類分離擋件構成之遮蔽體，利用附接裝置92，附接到個別校正照射場面19K 及/或校正照射瞳面27K 。
以下利用圖39到圖46說明具有包含基本照射場面及校正照射場面之場面區塊之場組合反射鏡之又一實施例。對應上述參考圖1到圖38已說明之組件及功能係具有相同元件符號且不再詳細討論。
圖39顯示場組合反射鏡13的兩個場面區塊25，圖41顯示包含多於40個此類場面區塊25的配置。根據圖41之場組合反射鏡13具有類似凹碗的總反射面。場面區塊25各個由載具元件108承載，其以未顯示之方式剛性連接到圖41之場組合反射鏡13之場面載具(未顯示)。
於圖39到圖41的實施例中，場面區塊25各包含複數基本照射場面19G及各有一個校正照射場面19K 。顯示於圖39右方之場面區塊25之校正照射場面19K ，為設置最遠離左方之場面區塊25之場面19。校正照射場面19K 不完全地暴露於照射光10(即EUV輻射)，而是大部分由圖39左方所示之場面區塊25所遮蔽。此乃利用圖39照射光束10之射線示意地顯示，其僅勉強通過圖39左方之場面區塊。
圖39左方所示之場面區塊25的遮蔽效應顯示於圖40。照射光3通過鄰近圖40之場面區塊25的場面區塊25之部分，顯示於圖40之照射區域109。於校正照射場面19K 之y延伸，對應於掃描方向(即短場面維度)，照射光3僅照射校正照射場面19K 之整個y延伸y0 的小部分yi 。舉例而言，y1 /y0 比例可為1:2、1:3、1:4、1:5、或1:6。
圖40之校正照射場面19K 分成複數部分校正照射面110，其可彼此獨立地定向。部分校正照射面110具有正方形的反射面，其中延伸X0 =y0 。部分校正照射面110為可彼此獨立切換或致動的微鏡。
由於並未完全設置於照射區域109的事實，部分校正照射面110設置於載具元件108的部分遮蔽區域，因而於場組合反射鏡13之載具的部分遮蔽區域。
根據圖40之校正照射場面19K 之部分校正照射面110鄰近，沿長場維度x彼此具有距離xa 。再次，xa /x0 比例可為1:2、1:3、1:4、1:5、或1:6。依據個別部分校正照射面110的切換位置以及由於距離xa ，整個校正照射場面19K 沿長場維度x(即亦沿長場面維度x)具有步階函數形式的態樣，此態樣以定義方式從固定反射率偏離。沿長場面維度x，部分校正照射面110之延伸x0 之反射率具有值R0 ，而沿間隙xa ，反射率具有R=0之值。
圖40之部分校正照射面110在造影到物場5的預定部分前，可經由傾斜相關校正照射瞳面，彼此獨立地定向並分配給特定照射通道，以達到物場5照射不均勻性的彈性校正，或使投射光學件7之強度效應或照射角效應達到預定的過度補償。當部分校正照射面110致動時，相關部分照射通道亦可關閉，換言之，部分校正照射面110移動到照射此部分面110之照射光不再能到達物場5之位置。
部分校正照射面110可具有影響物場5照射強度及/或物場5照射角分布之校正效應。
圖40之部分校正照射面110於整個校正照射場面19K 內之設置，提供基於一組步階函數之校正照射場面19K 之設置。經由各種場面區塊25，現可提供一組具有依場高度x強度變化之校正照射場面19K ，強度變化對應此組步階函數。選替地或此外，利用這組部分校正照射函數110，類似的規定可基於一組步階函數發生於單一校正照射場面19K 。因此校正照射場面19K 可分成類似或不同的部分校正照射面110於圖41之場組合反射鏡13之各種場面區塊25之間。於後者案例中，不同的校正照射場面19K 可沿長場維度x以不同方式分成複數部分校正照射面110。
圖42顯示總共8個場面區塊25之配置，其為場組合反射鏡13之另一實施例的一部分。
於圖42之配置中，場面區塊25彼此相鄰設置於未顯示於圖42之平面場面載具上，且其載具平面平行於xy平面。圖42之各場面區塊25包含總共5個基本照射場面19G 以及一個校正照射場面19K ，其依次沿長場維度x分成複數可彼此獨立定向之部分校正照射面111，並組態成可彼此獨立致動的微鏡。各校正照射場面19K 包含總共9個部分校正照射面111，其各具有相同的x延伸xO 。部分校正照射面111的y延伸yO 顯著小於基本照射場面19G 的y延伸yFF 。再次，yO /yFF 比例為1:2、1:3、1:4、1:5、或1:6。
再次，在相鄰的部分校正照射面之間有間隙xa ，其遠小於延伸xO 。xa /xO 比例可例如為1:10或1:20。
相對於部分校正照射面110，部分校正照射面111被完全地照射到。由於其y延伸相較於基本照射場面為較小的，部分校正照射面111具有對應部分校正照射面110的校正效應。
相較於圖42，圖43為場面區塊25之另一實施例的放大圖。圖43之場面區塊25之校正照射場面19K ，分成兩列112、113的部分校正照射面114a、114b。兩列112、113沿長場維度或長場面維度x延伸。於不同列112、113中之部分校正照射面114a、114b具有不同的延伸ya 及yb ，延伸的比例ya /yb 為1:2、1:3、1:4、1:5、或1:6。部分校正照射面114a、114b再次組態成可致動的微鏡，而可彼此獨立地定向。
如上關於部分校正照射面110、111已說明的，部分校正照射面114a、114b亦可用以彈性分配照射通道，或開啟或關閉相關的部分照射通道，以校正或補償物場5的照射角分布或強度分布。部分校正照射面114a、114b不同的延伸ya 、yb 容許相對影響預先界定的校正。舉例而言，若分配到圖43之右方邊緣之物場邊緣比左方邊緣需要較高的強度降低，則關閉圖43最右邊的部分校正照射面114b及圖43最左邊的部分校正照射面114a。於此範例中，藉由關閉這兩個部分校正照射面114a及部分校正照射面114b，可於分配到場面右方邊緣之物場5邊緣達到甚至更高的遮蔽效應。
於圖44顯示場面區塊25的另一實施例，其包含總共3個基本照射場面19G 以及一個校正照射場面19K 。於圖44的實施例中，基本照射場面19G 沿長場維度x也分成複數部分基本照射面115。基本照射場面19G 的設計對應圖40校正照射場面19K 的設計。部分基本照射面115為可致動的微鏡，因而可彼此獨立的定向。因此，基本照射場面19G 也可用以粗略校正物場5的照射。細微的校正則利用圖44之實施例中的校正照射場面19K 執行，其由複數可彼此獨立定向且沿長場維度x排列的部分校正照射面116所組成。部分校正照射面116的反射面遠小於部分基本照射面115的反射面。這些反射面的比例可例如為1:10或1:20。甚至可考慮更小的比例，相鄰部分校正照射場面116的x距離大約對應部分校正照射面116的x延伸。亦可考慮相鄰部分校正照射面116間的其他x距離，尤其是更小的x距離。部分校正照射面116可沿長場維度x配置成，欲設置於部分基本照射面115間之間隙xa 的位置。圖44的部分校正照射面116a為此類配置的範例。
於圖45顯示場面區塊25的另一實施例，其包含對應圖43實施例之基本照射場面19G 以及一個包含部分校正照射面116並對應圖44的校正照射場面19K 。
於圖46顯示場面區塊25的另一實施例，其包含對應圖44之基本照射場面19G ，換言之其分成部分基本照射面115。校正照射場面19K 分成部分校正照射面117，其沿長場維度x具有與圖44實施例之部分校正照射場面116不同的延伸。於圖46的實施例中，當從掃瞄方向y觀之，部分校正照射面117配置成各覆蓋相鄰部分基本照射面115間的間隙xa 。因此，於圖46的實施例中，部分校正照射面117沿長場維度x相對於部分基本照射面115交錯設置，其中部分校正照射面117設置於相鄰部分基本照射面115間之間隙xa 的位置。除了邊緣的兩個部分校正照射面117a，根據圖46之校正照射場面119K 的其餘部分校正照射面117，具有對應部分基本照射面115的延伸，結果相鄰部分校正照射面117間於x方向的距離也類似於距離xa 。
因此部分校正面117可用以補償使用基本照射面115而由物場5之照射造成的間隙效應。
圖43到圖46之場面區塊25可用於圖42之場面區塊25的配置，或選替地用於圖41之場面區塊25的配置。
於未顯示的校正照射場面19K 的實施例中，可有比兩列還多的部分校正照射面。取代圖43實施例的兩列112、113，亦可有三列或甚至更多列的部分校正照射面，其可例如有1:2:4或1:2:4:8的y延伸比例。亦可考慮對應於相應校正步階函數組的其他延伸比例。
基本照射場面19G 及校正照射場面19K ，以及由上述部分面構成的面配置，不一定要是矩形，亦可具有拱形。拱形場面原則上為熟此技藝者所知的。然後可將拱形場面造影入具有相應拱形的物場。
於上述實施例中，物場照射分別利用矩形校正照射場面19K 或71來校正。本發明不限於此類型的矩形校正照射場面19K 或71。曲形校正照射場面亦可用於上述實施例，尤其為了達到拱形物場之照射的校正。若使用曲形校正照射場面，則基本照射場面亦可為曲形。曲形場面的形狀可對應拱形物場的形狀。
利用照射光學件4之照射校正可如下執行：於第一步驟，使用對應的偵測器來決定物場5之照射強度分布。亦可額外地量測物場的照射角分布。然後基於量測結果，計算校正照射場面19K 或71的設計，亦基於量測，將校正照射瞳面27K 或76分配給校正照射場面19K 或71。之後，計算的設計與分配提供於照射光學件4，其可例如經由擋件29到33，利用所用的校正照射場面19K 之預定選擇來發生。接著為投射曝光，其中提供有光罩20及塗佈有照射光敏感塗層之晶圓。於投射曝光期間，利用投射曝光裝置1將至少部分的光罩20透射到晶圓。將晶圓上的光敏層暴露於照射光束10後，顯影此層以得到微米或奈米結構組件，例如半導體晶片。
上述說明的校正照射場面的各種變化，可用以動態地控制其光束導引效應。為達此目的，校正照射場面可利用投射曝光裝置的控制裝置致動。此致動可基於物場或選替影像場沿長場維度量測的強度分布來發生。
當包含校正照射場面之場組合反射鏡13操作時，可關閉個別的校正照射場面或校正照射場面的群組，尤其是若其為作用地可位移或可遮蔽。
於上述校正照射場面的一些實施例中，可僅照射物場的部分區域。如此可利用校正照射場面提供額外照射光於這些場點，而用以補償特定場高度的強度下降，即場的部分區域。
上述校正照射場面的各種實施例之有效照射區域的邊界形狀，可具有至少一轉折點。邊界可為校正照射場面之高反射區域與其低反射或非反間之分隔線。具有至少一轉折點的邊界亦可為實體呈現的面邊界。邊界亦可由對應形成之遮蔽體產生。
雖然以上述特定實施例說明本發明，但熟悉此技藝者仍能輕易得知本發明可有多種選擇、修改及變化。上述實施例僅為本發明例示闡釋而已，並非用以限定本發明。本發明之各種變更可在不偏離申請專利範圍所限定之精神及範圍內達成。
1．．．微影投射曝光裝置
2．．．照射系統
3．．．輻射源
4．．．照射光學件
5．．．物場
6．．．物件平面
7．．．投射光學件
8．．．影像場
9．．．影像平面
10．．．EUV輻射
11．．．集光器
12．．．中間聚焦平面
13．．．場組合反射鏡
14．．．瞳組合反射鏡
15．．．傳輸光學件
16．．．反射鏡
17．．．反射鏡
18．．．反射鏡
19、191 -199 ．．．場面
19G 、19G3 、19G7 ．．．基本照射場面
19K 、19K1 -19K9 、19K1 ’-19K6’ ．．．校正照射場面
20．．．光罩
21．．．內弧側
22．．．弧側
23．．．徑向側
24．．．徑向側
25．．．場面區塊
25K 、25K ．．．場面區塊
26．．．場面載具
27、271’ -279’ ．．．瞳面
27G 、27G3’ -27G7’ ．．．基本照射瞳面
27K 、27K1 -27K6 、27K1’ -27k9’ ．．．校正照射瞳面
28．．．瞳面載具
29．．．擋件
30．．．擋件
31．．．擋件
32．．．擋件
33．．．變更支托器
34．．．衰減部
35．．．反射部
36．．．中心
37．．．灰階過濾部分
38．．．吸收點結構
39．．．空間
40．．．反射平面
41．．．反射部
42．．．圓形照射區域
43．．．照射角分布
44．．．照射角分布
45．．．照射角分布
46．．．照射角分布
47．．．遮蔽體
48．．．間隙
49．．．基體
50．．．遮蔽部
51．．．方向箭頭
52．．．方向箭頭
53．．．捲件
54．．．捲件
55．．．遮蔽區域
56．．．驅動器
57．．．抽真空空間
58．．．閉鎖平面
59．．．反射面
60．．．導引捲件
61．．．帶件
62．．．讀取裝置
63．．．訊號線
64．．．控制裝置
65．．．訊號線
66．．．間隙
67．．．插入部
67a．．．調整元件
68．．．致動器
69．．．方向箭頭
70．．．自由邊緣
71．．．校正照射場面
72．．．薄真空相容棒
73．．．方向箭頭
74．．．方向箭頭
75．．．方向箭頭
76．．．校正照射瞳面
77．．．遮蔽擋件
78．．．棒
79．．．方向箭頭
81．．．來源影像
82．．．場面影像
83．．．場面影像
84．．．場面影像
85．．．場面影像
86．．．區域
87．．．場面影像
88．．．場面影像
89．．．擋件結構
90．．．分離擋件
91．．．擋件邊緣
92．．．磁條
93．．．附接裝置
94．．．電磁鐵
95．．．磁芯
96．．．交流電源
97．．．開關
98．．．雙箭頭
99．．．固定腳
100．．．擋腳
101．．．磁表面部分
102．．．分離擋件
103．．．磁表面部分
104．．．磁表面部分
105．．．分離擋件
106．．．固定腳
107．．．遮蔽部
108．．．載具元件
109．．．照射區域
110．．．部分校正照射面
111．．．部分校正照射面
112．．．部分校正照射面列
113．．．部分校正照射面列
114a．．．部分校正照射面
114b．．．部分校正照射面
115．．．部分基本照射面
116、116a．．．部分校正照射面
117、117a．．．部分校正照射面
於後將利用圖式詳細解釋本發明實施例，其中：
圖1為包含照射光學件及投射光學件之微影投射曝光裝置之剖面示意圖；
圖2為圖1之照射光學件之場組合反射鏡與瞳組合反射鏡之平面示意圖，其具有若干擋件分配給瞳組合反射鏡，以覆蓋校正照射瞳面；
圖3為各種類型之校正照射場面與其個別分配的校正照射瞳面之平面圖；
圖4為校正照射場面之另一實施例之平面圖；
圖5為校正照射場面之另一實施例之平面圖；
圖6為場組合反射鏡相對於總反射平面交錯設置的兩個照射場面之側視圖，其中交錯設置與傾斜照射形成遮蔽空間；
圖7為由具有單一場面與其分配到的單一瞳面之照射通道執行之照射光學件之物場之照射的示意圖，其中顯示各面於平面圖，而照射的場相依性額外顯示於示意圖；
圖8為於物場中總共包含9個場面與9個相關瞳面之9個疊加照射通道之示意圖，其中於物場疊加之面與照射通道各顯示於平面圖；
圖9為類似於圖8疊加之圖式，其中特定場面分配給遮蔽體，遮蔽體具有線材形式之基體及遮蔽部，遮蔽部為基體之厚度區域形式，遮蔽體影響場面之有效照射區域的邊界形狀；
圖10為類似於圖8之另一實施例之圖式，其中遮蔽體的不同設計對影響場面之有效照射區域的邊界形狀；
圖11顯示具有圖9之遮蔽體與捲繞遮蔽體之捲件之場組合反射鏡；
圖12為個別場面以及具有線材形式之基體與遮蔽部的遮蔽體之透視圖，其中遮蔽體被導引並捲繞於捲件；
圖13為場組合反射鏡之平面圖，其包含設置於兩個場面之間，並用以影響特定場面之有效照射區域的邊界形狀之另一實施例遮蔽體；
圖14為另一實施例具有額外細節之場組合反射鏡之平面圖，場組合反射鏡包含具有插入部插置於兩個場面之間之另一實施例遮蔽體；
圖15為根據圖14包含兩個場面與設置於其間之遮蔽體之場組合反射鏡之透視截面圖；
圖16為根據圖14之場組合反射鏡之兩個場面區塊之側視圖，其中遮蔽體具有設置於兩個場面區塊間之插入部；
圖17顯示根據圖14之場組合反射鏡之7個相鄰場面，其具有兩個另一實施例遮蔽體，其中遮蔽體亦包含各插置於場組合反射鏡之兩個場面間之插入部；
圖18為類似圖16包含圖17之遮蔽體之實施例之圖式，其中遮蔽體設置於兩個場面區塊之間；
圖19為類似圖7包含校正照射場面之設置之圖式，其具有構成場組合反射鏡之基本照射場面之部分表面區域之表面區域；
圖20為類似圖2根據圖19之校正照射場面以及相關校正照射瞳面之應用範例之圖式；
圖21為瞳組合反射鏡之平面示意圖，其中投射曝光裝置之輻射源之來源影像設置於其瞳面；
圖22為對應具有兩個照射通道之物場之光罩部分之示意圖，其中兩個照射通道於光罩上疊加並於某些區域彼此重疊；
圖23顯示來源影像照到邊緣之個別瞳面；
圖24為類似於圖22之光罩部分之圖式，其中當從相對於光罩掃描方向觀之，照射通道照到其邊緣區域；
圖25為類似於圖21之瞳組合反射鏡之圖式，其中影像來源各朝個別瞳面以相同方式位移；
圖26為類似圖21之瞳組合反射鏡之圖式，其中影像來源個別設置於瞳組合反射鏡或於邊緣被切截；
圖27為類似圖21具有照射瞳面配置之瞳組合反射鏡之圖式；
圖28為類似圖21具有另一照射瞳面配置之瞳組合反射鏡之圖式；
圖29為經由照射通道以各種方式分配給瞳面之場面的示意圖；
圖30為類似圖24之光罩部分之圖式，其中照射通道被側向切截，換言之在垂直光罩掃描方向被切截；
圖31為類似圖24利用兩個部分照射通道之光罩部分的照射，其中一個照射通道被側向切截；
圖32為類似圖2之場組合反射鏡之場面之平面示意圖，其具有選替實施例之擋件結構，以遮蔽校正照射場面；
圖33為圖32之XXXIII方向之圖32的校正照射場面之側視圖，其中額外顯示校正照射場面之擋件結構之個別擋件之附接裝置之詳細示意圖；
圖34為根據圖33之XXXIV方向之校正照射場面之側視圖；
圖35為類似圖32之兩相鄰場面之圖式，其中兩個所示場面中之下方場面組態成具有擋件結構之校正照射場面；
圖36為根據圖35之XXXVI線之旋轉側視圖；
圖37為另一實施例之校正照射場面或校正照射瞳面之平面示意圖，其具有支托結構用以支托配置於面的反射面之個別擋件；
圖38為類似圖21之瞳組合反射鏡之圖式，其包含類似圖37用以支托個別擋件之選替實施例的支托裝置；
圖39為具有相關載具元件之另一實施例之場組合反射鏡之兩個場面區塊之側視圖；
圖40為圖39右側之場面區塊之場面之平面圖，其中場面區塊包含分成部分照射的部分校正照射面之校正照射場面；
圖41為從場組合反射鏡之總反射面上方觀之，圖39及圖40之場面區塊與載具元件形成場組合反射鏡之又一實施例的整個配置的透視圖；
圖42為總共有8個場面區塊之場組合反射鏡之另一實施例配置，其中各場面區塊於上邊緣包含沿長場維度排成列之部分校正照射面形式的校正照射場面，且所有面區塊以彼此不遮蔽的方式相鄰設置於場面載具；
圖43為類似圖40之場面區塊之另一實施例之圖式，其包含分成兩列部分校正照射面之校正照射場面；
圖44為類似圖40之場面區塊之另一實施例之圖式，其包含總共4個沿長場維度分成複數部分基本照射面之基本照射場面，以及顯示於圖44上方由沿長場維度排成列之部分校正照射面所構成之校正照射場面；
圖45為類似圖44之場面區塊之另一實施例之圖式，其具有圖44之校正照射面及圖40或圖43之基本照射場面；以及
圖46為類似圖44之場面區塊之圖式，其包含圖44之基本照射場面以及顯示於上方由沿長場維度排成列之部分校正照射面所構成之校正照射場面，當從上方觀之，部分校正照射面覆蓋部分基本照射面之間的間隙。
13．．．場組合反射鏡
14．．．瞳組合反射鏡
19．．．場面
19G ．．．基本照射場面
19K ．．．校正照射場面
25．．．場面區塊
27．．．瞳面
27G ．．．基本照射瞳面
27K 、27K1 -27K2 ．．．校正照射瞳面
28．．．瞳面載具
29．．．擋件
30．．．擋件
31．．．擋件
32．．．擋件

Claims (74)

  1. 一種EUV微影之照射光學件，用以將一輻射源之一照射光束導引到一物場，該物場於一長場維度(x)與一短場維度間具有(y)一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，配置於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面利用相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面利用該相關的校正照射瞳面容許校正該物場之該照射；其中該場組合反射鏡可切換於至少兩種操作模式，其不同之處在於對該物場之該照射有貢獻的該校正照射場面之數量及配置至少其一；其中於一第一操作模式，該複數校正照射場面中一特定校正照射場面之至少一部分的作用被開啟，以導引照射光至該物場；其中於一第二操作模式，該特定校正照射場面之該部分的作用被關閉，而不導引照射光至該物場；其中該校正照射場面對照射光具有一預定反射率，使得沿該物場之該長場維度之一照射沿該長場維度具有一預定態樣，以一定義方式自一固定強度曝光偏離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中在該瞳組合反射鏡前方可配置之複數擋件，其中各該擋件遮蔽分配到的校正照射場面之不同配置的照射光部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該校正照射場面不照射整個物場，而僅照射該物場的一部分區域。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該校正照射場面不具有一高反射塗層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該校正照射場面設計成具有一變化反射率之EUV灰階過濾器。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之照射光學件，其中該灰階過濾器利用以一預定分布之吸收點結構覆蓋該校正照射場面之該反射面而形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面提供有具有吸收點結構之一灰階過濾部分，其中該灰階過濾部分與不具有吸收點結構之其餘校正照射場面分離。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之照射光學件，其中該吸收點結構於該灰階過濾部分以一固定面積密度設置，其中藉由改變該灰階過濾部分垂直於該長場面維度之寬度得到一變化反射率。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之照射光學件，其中該灰階過濾 部分之一最大寬度小於該校正照射場面垂直於該長場面維度之寬度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中在該灰階過濾部分，該點結構以一變化面積密度設置。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少二個類似的校正照射場面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之照射光學件，其中校正照射瞳面分配給該類似的校正照射場面，該分配的校正照射瞳面相對於該瞳組合反射鏡界定之瞳的中心為點對稱的。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面之有效照射區域具有一邊界形狀，其自該基本照射場面之一邊界形狀偏離。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面之有效照射區域的一邊界形狀具有至少一轉折點。
  15. 如申請專利範圍第3項所述之照射光學件，其中該校正照射場面具有一表面區域，其為一基本照射場面的一部分表面區域。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面為至少一作用位移鏡。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之照射光學件，其中該校正照射場面為具有包含作用可傾斜性與可偏移性之至少其一特性的至少一反射鏡。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少一該校正照射場面之有效照射區域之一邊界形狀與該校正照射瞳面之有效照射區域受到一遮蔽體影響。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中支撐該遮蔽體之一支撐結構設置於該場組合反射鏡之一遮蔽空間中。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中該遮蔽體配置成與該組合反射鏡之該反射面界定之一反射平面相距一距離。
  21. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中該遮蔽體附接於兩個面(facet)之間。
  22. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中該遮蔽體包含一基體，其中：該基體沿兩相鄰面(facet)間之一間隙延伸；該基體之寬度不大於該兩相鄰面間之該間隙；以及該基體上設置有遮蔽部，該遮蔽部之寬度大於該兩相鄰面間之該間隙。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中一線材做為基體。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中一膜條或一帶件做為基體。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中該遮蔽部組態成藉由自一空白基體之邊緣移除材料而形成。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之照射光學件，其中該遮蔽部組態成藉由自該空白基體之邊緣切割材料而形成。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中至少在垂直該照射光束之該光束方向之一維度，由該基體之厚度變化形成該遮蔽部。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之照射光學件，其中該基體之一正弦厚度變化。
  29. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中該遮蔽部為碟形。
  30. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中複數遮蔽部沿該基體以對應該照射光學件之一場平面之一預定強度分布之一順序進行配置。
  31. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中複數遮蔽體各有一個基體及複數遮蔽部，其中至少兩個該遮蔽體彼此不同之 處在於以下參數群組之至少其一：該遮蔽體沿該基體之距離；該遮蔽體相對於相關校正照射面之位置；該遮蔽部之遮蔽直徑。
  32. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中該遮蔽體沿該長場面維度比分配到的該校正照射面還長。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之照射光學件，其中該遮蔽體之兩端捲繞於至少一捲件並可解捲，該遮蔽體用以遮蔽之一區域導引於該兩捲件之間。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之照射光學件，其中捲繞及解繞該遮蔽體之一驅動器。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之照射光學件，其中該捲件及該驅動器配置於該其餘照射光學件設置的一抽真空空間外。
  36. 如申請專利範圍第22項所述之照射光學件，其中界定該遮蔽部分之一形式之一形成裝置。
  37. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中偵測該遮蔽體上之標記之一讀取裝置。
  38. 如申請專利範圍第18項所述之照射光學件，其中該遮蔽體包含一插入部，插置於兩個面之間。
  39. 如申請專利範圍第38項所述之照射光學件，其中該遮蔽體可垂直該組合反射鏡之一反射面位移。
  40. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面配置於該場組合反射鏡之一基本照射輪廓之外，該輪廓由所有的該基本照射場面所界定。
  41. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射瞳面配置於該瞳組合反射鏡之一基本照射輪廓之內，該輪廓由所有的該基本照射瞳面所界定。
  42. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中一遮蔽體分配給該校正照射瞳面之至少其一，該遮蔽體以一變化方式覆蓋該校正照射瞳面。
  43. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該基本照射場面各自與一個致動器合作，以位移該基本照射場面。
  44. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該校正照射場面各自與一個致動器合作，以位移該校正照射場面。
  45. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的該基本照射瞳面與至少一致動器合作，以位移該基本照射瞳面。
  46. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中至少若干的 該校正照射瞳面各自與一個致動器合作，以位移該校正照射瞳面。
  47. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面相對於該校正照射瞳面定向，使該照射光束從該校正照射場面傳送到該校正照射瞳面之部分並不全部由該校正照射瞳面傳送，而是以一定義方式在邊緣被切截。
  48. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射瞳面相對於該物場定向，使該照射光束從該校正照射瞳面傳送到該物場之部分不全部到達該物場，而是以一定義方式在邊緣被切截。
  49. 如申請專利範圍第1項所述之照射光學件，其中該校正照射場面之至少其一分成複數可彼此獨立定向的部分校正照射面。
  50. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射面沿該長場面維度具有比該基本照射場面還短的延伸。
  51. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射面沿該長場面維度配置成至少一列。
  52. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該基本照射場面沿該長場面維度分成複數部分基本照射面。
  53. 如申請專利範圍第52項所述之照射光學件，其中相鄰部分基本照射面之間有間隙，其中至少若干的該部分校正照射面配置成 當由該短場面維度之方向觀看時，覆蓋該間隙。
  54. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射面及該部分基本照射面之至少其一，設計成可彼此獨立致動的微鏡。
  55. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射面配置於該場組合反射鏡之一載具之一部分遮蔽區域，使僅該部分校正照射場面的一部分於該短場面維度之方向可讓照射光到達。
  56. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射場面沿該短場面維度具有比該基本照射場面還短的延伸。
  57. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該場組合反射鏡分成複數場面區塊，其中該校正照射場面各自於該場面區塊之一的邊緣形成一面(facet)。
  58. 如申請專利範圍第57項所述之照射光學件，其中該場面區塊在垂直於該場組合反射鏡之該載具之一主載具平面之一方向，相對於彼此以步階方式交錯排列。
  59. 如申請專利範圍第49項所述之照射光學件，其中該部分校正照射面沿該長場維度配置成若干列。
  60. 如申請專利範圍第59項所述之照射光學件，其中各列中之該 部分校正照射面沿該短場維度具有不同的延伸(ya,yb)。
  61. 如申請專利範圍第60項所述之照射光學件，其中該延伸間的一比例(ya/yb)不超過1：2。
  62. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中特徵在於該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面之至少一有效照射區域的一邊界形狀具有至少一轉折點。
  63. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的 照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中特徵在於該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面之至少一有效照射區域的一邊界形狀以及該校正照射瞳面之有效照射區域受到一遮蔽體的影響，其中支撐該遮蔽體之一支撐結構設置於該場組合反射鏡之一遮蔽空間中。
  64. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中特徵在於該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面， 亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面相對於該校正照射瞳面定向，使該照射光束自該校正照射場面傳送到該校正照射瞳面之部分，不全部由該校正照射瞳面傳送，而是以一定義方式在邊緣被切截。
  65. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中特徵在於該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面相對於該校正照射瞳面定向，使該照射光束自該校正照射場面傳送到該校正照射瞳面之部分，不全部到達該校正照射瞳面，而是以一定義方式在邊緣被切截。
  66. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光 束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面對該照射光具有一反射率，該照射光沿該長場面維度遵循一預定態樣，以定義方式自一固定反射率偏離；其中一分離灰階過濾部分提供於該校正照射場面；其中於該灰階過濾部分提供具有一固定面積密度之吸收點結構，藉由改變該灰階過濾部分垂直於該長場面維度之寬度得到一變化反射率。
  67. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照 射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該校正照射場面對該照射光具有一反射率，該照射光沿該長場面維度遵循一預定態樣，以定義方式自一固定反射率偏離；其中一灰階過濾部分提供於該校正照射場面；其中吸收點結構以一變化面積密度設置於該灰階過濾部分。
  68. 一種EUV微影之照射光學件，用以自一輻射源導引一照射光束到一物場，該物場於一長場維度與一短場維度間具有一外觀比，該外觀比大於1，該照射光學件包含：一場組合反射鏡，具有複數場面，用以設定該物場之定義的照射條件；一隨行光學件，位於該場組合反射鏡之下游，用以傳送該照射光入該物場；其中該隨行光學件包含具有複數瞳面之一瞳組合反射鏡，其中該場面個別地分配給該瞳面，使該照射光束照射到各自該場面之部分經由相關的該瞳面被導引到該物場；其中該場組合反射鏡不僅包含複數基本照射場面，亦包含複數校正照射場面，該複數基本照射場面經由相關的基本照射瞳面提供該物場之一基本照射，且該複數校正照射場面容許經由該相 關的校正照射瞳面校正該物場之該照射；其中該場組合反射鏡包含至少二個類似的校正照射場面；其中該校正照射瞳面分配給該類似的校正照射場面，該分配的校正照射瞳面相對於該瞳組合反射鏡界定之瞳的中心為點對稱的。
  69. 一種光學系統，包含：根據申請專利範圍第1項所述之照射光學件；一投射光學件，用於將該物場投射到一影像場。
  70. 一種投射曝光裝置，包含：根據申請專利範圍第69項所述之光學系統；一EUV輻射源，用以產生一照射光束。
  71. 一種利用如申請專利範圍第1項所述之照射光學件進行照射校正之方法，該方法包含：利用該輻射源之該照射光束，偵測該物場之照射的一強度分布或一角分布；提供該校正照射場面之一配置，以及分配該校正照射瞳面給該校正照射場面，以得到所需的強度分布或角分布；其中基於一組函數來提供該校正照射場面之該配置，其中提供於場高度有強度變化之一組校正照射場面，以對應該組函數。
  72. 一種根據申請專利範圍第71項利用如申請專利範圍第1項所述照射光學件之方法，其中在提供該校正照射場面之配置後，選擇並切換一對應的操作模式。
  73. 一種製造一微結構組件之方法，該方法包含：提供一光罩；提供一晶圓，該晶圓具有對照射光束為光敏感之一塗層；利用如申請專利範圍第70項所述之投射曝光裝置，投射該光罩之至少一部分於該晶圓；以及在曝光於該照射光束後，顯影該晶圓上之該塗層。
  74. 如申請專利範圍第73項所述之方法，其中在投射之前根據申請專利範圍第71項執行一照射校正。
TW098114157A 2008-04-30 2009-04-29 用於ｅｕｖ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置 TWI479274B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008001511A DE102008001511A1 (de) 2008-04-30 2008-04-30 Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200951639A TW200951639A (en) 2009-12-16
TWI479274B true TWI479274B (zh) 2015-04-01

Family

ID=41130702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098114157A TWI479274B (zh) 2008-04-30 2009-04-29 用於ｅｕｖ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8587767B2 (zh)
JP (1) JP5385970B2 (zh)
DE (1) DE102008001511A1 (zh)
TW (1) TWI479274B (zh)
WO (1) WO2009132756A1 (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5376494B2 (ja) * 2008-10-08 2013-12-25 大日本スクリーン製造株式会社 描画装置および描画方法
JP5532213B2 (ja) * 2009-12-07 2014-06-25 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102009054888A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
DE102010001388A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102010003169A1 (de) * 2010-03-23 2011-02-10 Carl Zeiss Smt Ag Feldfacettenspiegel zum Einsetzen einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektions-Lithografie
DE102010029765A1 (de) * 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102011076145B4 (de) * 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102011076658A1 (de) * 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
NL2009020A (en) 2011-07-22 2013-01-24 Asml Netherlands Bv Radiation source, method of controlling a radiation source, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device.
DE102012207377A1 (de) 2012-05-03 2013-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie
DE102012210174A1 (de) * 2012-06-18 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
WO2014000763A1 (en) 2012-06-25 2014-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for designing an illumination optics and illumination optics
DE102012212664A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102012216494A1 (de) * 2012-09-17 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie und Projektionsbelichtungssystem
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102013202948A1 (de) * 2013-02-22 2014-09-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine EUV-Lithographievorrichtung und Facettenspiegel dafür
DE102013219057A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage
EP2876499B1 (en) 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014216801A1 (de) * 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102014217611A1 (de) * 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
US9541840B2 (en) * 2014-12-18 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Faceted EUV optical element
DE102015202411A1 (de) * 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
CN107223217B (zh) * 2015-02-11 2020-06-02 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学系统
DE102015208571A1 (de) * 2015-05-08 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015208514A1 (de) 2015-05-07 2016-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel
DE102015209175A1 (de) * 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel
DE102016205619A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv
DE102017204381A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102016212373A1 (de) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200658A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017200663A1 (de) 2017-01-17 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie
DE102017202930A1 (de) 2017-02-23 2017-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens
NL2020474A (en) 2017-03-20 2018-09-21 Asml Netherlands Bv Lithographic system, euv radiation source, lithographic scanning apparatus and control system
DE102018201457A1 (de) 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
KR20210003113A (ko) 2018-04-26 2021-01-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컬렉터 미러 등의 미러를 테스트하기 위한 시스템 및 컬렉터 미러 등의 미러를 테스트하는 방법
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
US11550227B2 (en) 2019-01-18 2023-01-10 Asml Netherlands B.V. Projection system and lithographic apparatus comprising said projection system
US12007693B2 (en) 2019-04-04 2024-06-11 Asml Netherlands B. V. Laser focussing module
US11360392B2 (en) * 2019-07-31 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography device having illuminator and method for adjusting intensity uniformity
DE102019214269A1 (de) * 2019-09-19 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
WO2021213745A1 (en) 2020-04-22 2021-10-28 Asml Netherlands B.V. Actuator unit for positioning an optical element
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198793B1 (en) * 1998-05-05 2001-03-06 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Illumination system particularly for EUV lithography
US20070041004A1 (en) * 2003-05-09 2007-02-22 Kenji Suzuki Illumination optical system, projection/exposure device, micro device manufacturing method, illumination device manufacturing method, projection/exposure device adjustment method, and projection/exposure device manufacturing method
US20070058274A1 (en) * 2003-07-30 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
EP1884831A2 (de) * 2006-08-02 2008-02-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen < 193 nm

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US763149A (en) * 1904-03-09 1904-06-21 Alice S Buffington Railway-ticket.
US5486896A (en) * 1993-02-19 1996-01-23 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH10199800A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nikon Corp オプティカルインテグレータを備える照明光学装置
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6859328B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6281967B1 (en) * 2000-03-15 2001-08-28 Nikon Corporation Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method
US6730443B2 (en) * 2000-02-28 2004-05-04 University Of Tennessee Research Foundation Patterning methods and systems using reflected interference patterns
JP2002033272A (ja) * 2000-05-11 2002-01-31 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP3982560B2 (ja) * 2001-05-22 2007-09-26 日亜化学工業株式会社 面発光装置の導光板
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6771352B2 (en) * 2002-03-18 2004-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1349009B1 (en) 2002-03-18 2009-02-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040263816A1 (en) * 2003-05-12 2004-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005040927A2 (en) 2003-10-18 2005-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for illumination dose adjustments in microlithography
US7030958B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method
JP5159027B2 (ja) * 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US20060170895A1 (en) 2004-12-20 2006-08-03 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
DE102004063314A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
WO2006136353A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-28 Carl Zeiss Smt Ag A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror
WO2007039257A1 (en) 2005-10-03 2007-04-12 Firma Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising an otpical filter
JP4743413B2 (ja) * 2005-12-01 2011-08-10 大日本印刷株式会社 回折光学素子の作製方法
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
DE102006022352B4 (de) * 2006-05-12 2014-11-20 Qimonda Ag Anordnung zur Projektion eines Musters von einer EUV-Maske auf ein Substrat
KR20090013746A (ko) * 2006-05-25 2009-02-05 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
DE102006059024A1 (de) 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
DE102007061194A1 (de) * 2006-12-18 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Mikro-Lithografie, Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikro-Lithografie, Verfahren zur Korrektur der Elliptizität und/oder der Uniformität innerhalb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie mit dem Herstellungsverfahren hergestelltes Bauteil
US7829249B2 (en) * 2007-03-05 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, computer program and lithographic apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198793B1 (en) * 1998-05-05 2001-03-06 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Illumination system particularly for EUV lithography
US20070041004A1 (en) * 2003-05-09 2007-02-22 Kenji Suzuki Illumination optical system, projection/exposure device, micro device manufacturing method, illumination device manufacturing method, projection/exposure device adjustment method, and projection/exposure device manufacturing method
US20070058274A1 (en) * 2003-07-30 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
EP1884831A2 (de) * 2006-08-02 2008-02-06 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen < 193 nm

Also Published As

Publication number Publication date
US8587767B2 (en) 2013-11-19
US20110063598A1 (en) 2011-03-17
TW200951639A (en) 2009-12-16
JP5385970B2 (ja) 2014-01-08
WO2009132756A1 (en) 2009-11-05
JP2011519172A (ja) 2011-06-30
DE102008001511A1 (de) 2009-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI479274B (zh) 用於ｅｕｖ微影的照射光學元件，與含有此類照射光學元件之照射系統與投射曝光裝置
JP6504506B2 (ja) ファセットミラー
KR101592136B1 (ko) 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
KR100714469B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 가변 감쇠기
US8018577B2 (en) Illumination-sensor calibration methods, and exposure methods and apparatus and device-manufacturing methods including same, and reflective masks used in same
US7969556B2 (en) Illumination optical system for microlithography and illumination system and projection exposure system with an illumination optical system of this type
JP2015519009A5 (zh)
TWI476539B (zh) An illumination optical system, an exposure apparatus, and an exposure method
KR20030022077A (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
JP2020112796A (ja) 投影露光装置用の光学系
KR20010090745A (ko) 전사장치, 디바이스 제조방법 및 그것에 의해 제조된디바이스
TW200528932A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN115989444A (zh) 用于投射曝光设备的照明光学单元的光瞳分面反射镜
JP5497016B2 (ja) 多層ミラーおよびリソグラフィ装置
JP3598045B2 (ja) リソグラフィ投影装置に使用するための積分導波管
WO2017046136A1 (en) Illumination optical unit for projection lithography
JP2017054062A (ja) 収差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置
EP3018698B1 (en) Multilayer film reflector, multilayer film reflector manufacturing method, projection optical system, exposure apparatus, device manufacturing method
JP2010147433A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法