TWI478887B - 處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法 - Google Patents

Description

處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法

此處之實施例是有關於一種處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法。此處之實施例特別是有關於處理用於可用以製造電子裝置(例如是一手機)之面板之觸控螢幕的強化玻璃基板的方法。

一般而言，觸控螢幕面板可被應用於一顯示裝置，例如手機、MP3播放器、個人數位助理(PDA)等等。觸控螢幕面板可以是一個輸入裝置，使用者利用手指選擇顯示裝置之螢幕上的圖像(icon)，以輸入指令。

觸控螢幕面板可被設置於顯示裝置之一上表面，以將使用者手指之觸控接點轉換成電子訊號。使用者手指所碰觸到之圖像可作為一輸入訊號被顯示裝置接受。因此，觸控螢幕面板可取代連接於顯示裝置之分離式輸入裝置，如此一來觸控螢幕面板可能已被廣泛應用。

觸控螢幕面板可包括一感應單元，感應單元設置於一玻璃基板上。為了加強觸控螢幕面板，玻璃基板可以包括一強化玻璃基板(tempered glass substrate)。用於觸控螢幕面板的強化玻璃可被切割成觸控螢幕面板之數個單元元件(unit cell)。切割後的強化玻璃可運用於製造觸控螢幕面板之製程。強化玻璃可利用蝕刻製程加以切割，蝕刻製程可採用一雷射或一噴砂製程(sand blast process)等。強化玻璃 的厚度可為約0.3公釐(mm)至約0.8公釐。此厚度之強化玻璃可利用雷射進行切割。使用雷射切割強化玻璃之方法可以具有整齊之切割表面以及大量生產的優點。然而，切割面(cut face)可能會因為雷射的熱處理而變色。因此需要再增加一道額外的製程來移除變色之切割面，如此一來會增加製作觸控螢幕面板的時間和成本。

在採用噴砂製程針對具有一觸控螢幕結構之一原始強化玻璃(original tempered glass)進行物理切割之方式中，當可能均勻地噴灑一研磨料(abrasive)在使用一遮罩薄膜層的原始強化玻璃上時，側面之的凸出部可能變大。再者，電弧或物理碰撞可能會對一電極或一跨接線造成破壞。因此，噴砂製程可能不適合用於處理具有觸控螢幕結構的強化玻璃。

此外，韓國專利案第1023794號揭露一種採用噴砂製程切割強化玻璃基板的方法，此方法可包括在強化玻璃基板上形成一圖案，快速地在強化玻璃基板上噴灑研磨料，以對此圖案所暴露之區域施加衝擊，藉此切割強化玻璃基板。然而，由於研磨料的衝擊，可能在強化玻璃基板之一切割面產生微小裂痕(minute crack)。這些微小裂痕可能嚴重降低強化玻璃基板的彎曲強度(bending strength)，使得強化玻璃基板可能因輕微的衝擊而損壞。

此處之實施例提供一種處理用於觸控螢幕之一強化玻璃基板的方法，藉由移除可能因物理性切割原始強化玻 璃而產生之微小裂痕及切割面之凸出部，而不破壞形成於玻璃基板之單元元件上之觸控螢幕結構，可提高側面強度及確保大量生產。

根據一些實施例，提供一種處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法。在處理觸控螢幕之強化玻璃基板的方法中，數個導電結構可以形成在一原始強化玻璃基板的數個單元元件上。原始強化玻璃基板可以被沿著單元元件的數個界線做物理性切割，以形成具有切割面的初級強化玻璃基板。形成於初級強化玻璃基板之切割面上的微小裂痕可以化學蝕刻製程加以移除，以形成強化玻璃基板。

在數個實施例中，物理性切割之步驟可以包括雷射切割製程、水刀切割製程、噴砂切割製程、削減切割製程等等。

在數個實施例中，噴砂切割製程可以包括以一噴嘴快速地噴灑一研磨料及空氣至原始強化玻璃基板，以切割原始強化玻璃基板，噴嘴之內徑為約0.3公釐至約3公釐。

在數個實施例中，以噴砂製程所形成之初級強化玻璃基板之切割面可以具有一凸出部，凸出部從切割面起算之一長度不超過約280微米。

在數個實施例中，原始強化玻璃基板之厚度可以為約0.5公釐至約3公釐。

在數個實施例中，此方法可以更包括將金屬遮罩設置於強化玻璃基板上，並物理性蝕刻原始強化玻璃基板未被金屬遮罩覆蓋之部份，以形成數個開孔貫穿原始強化玻璃基板。

在數個實施例中，化學蝕刻之步驟可以使用一蝕刻溶液蝕刻切割面之深度至約100微米至約700微米。蝕刻溶液包括一氫氟酸。

在數個實施例中，此方法更可以包括形成一遮罩圖案於強化玻璃基板上，以使強化玻璃基板選擇性地暴露出數條界線。遮罩圖案可以包括至少一層。

根據數個實施例，原始強化玻璃基板可以被物理性切割。強化玻璃基板之切割面可以用包括氫氟酸來化學蝕刻，以移除微小裂痕及凸出部。如此，用於觸控螢幕之強化玻璃基板可具有增加之彎曲強度。

因此，由於觸控螢幕之強化玻璃基板可具有提高之側面強度及彎曲強度，觸控螢幕可不在製造過程中被破壞。再者，數個觸控螢幕可以由單一原始強化玻璃基板所製成，因此觸控螢幕之量產可以明顯被提高。

再者，原始強化玻璃基板上的單元元件的導電結構可以不在物理性切割時受到破壞。因此，強化玻璃基板可以被降低成本及短時間地製造。

此外，此方法可以運用在強化玻璃基板之邊緣，使得導電結構可以不被損壞。因此，可大大改善觸控螢幕的量產。

以下將配合顯示了部分實施例的所附圖式，對於各種不同的實施例進行更加完整的描述。然而本發明可有許多不同的實施態樣，而不僅限於在此提出的實施例。這些實 施例係用以徹底且完整地揭露本發明，並使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者可據以完全了解本發明之範圍。為能清楚表達本發明之實施態樣，圖式中層與區域的尺寸與相對尺寸可能被誇大。

當描述一元件或層係「位在…之上」、「連接至」或「耦接至」另一元件或層時，該元件或層可直接地位在該另一元件或層上、連接至該另一元件或層或耦接至該另一元件或層，或者也可存在有一中介元件或中介層。相對地，當描述一元件或層係「直接位在…之上」、「直接連接至」或「直接耦接至」另一元件或層時，則不存在任何中介元件或中介層。整篇說明書中，相似的元件具有相似的元件符號。此處所用之「及/或」一詞包含一或多個所列出之相關項目的任意及所有組合。

雖然在此可使用第一、第二、第三等用語來描述各個元件、組成、區域、層及/或部分，這些元件、組成、區域、層及/或部分並不受限於這些描述用詞。這些描述用詞僅用以分辨一元件、組成、區域、層及/或部分與其他的元件、組成、區域、層及/或部分。因此，以下討論中的第一元件、組成、區域、層及/或部分也可被命名為第二元件、組成、區域、層及/或部分，而不會背離本發明之教示。

在此可使用空間相關之用語，例如「在…之下」、「在…下方」、「低於」、「在…上方」、「高於」及其他類似用詞，以簡化圖式中一元件或特徵與另一元件或特徵之間的關係描述。除了表示圖式中的方向外，空間相關用語尚用以包含裝置在使用或運作時的不同方向。舉例而言，一元件 原先位在其他元件或特徵之下或下方，若將圖示之裝置上下翻轉，則該元件會變成位在其他元件或特徵上方。因此，例示的用詞「在…下方」可包含上方與下方兩個方位。亦可將裝置朝其他方向翻轉(如旋轉90°或轉往其他方向)，而對應地解釋此種狀況下所使用的空間相關用語。

在此所用之術語僅用以描述特定之實施例，而非用於限定本發明。除非在文中已清楚指明，此處所用之單數形式「一」及「該」亦用以包含複數形式。本說明書中，當使用「包括」一詞與其變形體時，係意指存在有所述之特徵、整體、步驟、運作、元件及/或組成，而非排除一或多個其他特徵、整體、步驟、運作、元件及/或組成之組合的存在或添加。

在此係配合繪示了理想狀況下之實施例(及內部結構)的截面圖，來對於實施例進行描述。如此一來，可預期會存在有由於例如製造技術及/或公差而造成的圖示形狀差異。因此，實施例並未將區域限定成在此所示之特定形狀，而包含例如由製造而導致的形狀差異。例如一以長方形來描述之離子植入區域，通常具有圓形或弧形之特徵及/或在邊緣具有植入濃度梯度，而非呈現植入區與非植入區之二元變化。同樣地，藉由離子植入而形成埋入區，可能導致在埋入區與進行植入的表面之間有某些離子植入。因此，繪示於圖中之區域僅為示意之用，其形狀並非用以描繪裝置之區域的實際形狀，亦非用以限制本發明之範圍。

除非另有定義，此處使用之所有用詞(包含技術及科 學用語)，係具有與本發明所屬技術領域中通常知識者所了解之意義相同的意義。另外，本文中之用詞，例如那些在一般通用之字典中即有定義的用詞，係具有與相關技術領域中習慣用法相同的意義，除非另有定義，否則不應以理想化或過於正式的方式加以解釋。

以下配合所附圖式，對於本發明之實施例進行詳細說明。

用於處理觸控螢幕之強化玻璃基板的方法

第1圖是根據數個實施例之處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法的方塊圖。第2A~2E圖是第1圖中處理強化玻璃基板的方法的剖面流程圖。

參照第1圖及第2A圖所示，在步驟S210中，用於觸控螢幕之導電結構110可以形成在一原始強化玻璃基板(original tempered glass)100的數個單元元件(unit cell)R上。

在數個實施例中，依據原始強化玻璃基板100的應用，原始強化玻璃基板100可以有不同的厚度及尺寸。舉例來說，原始強化玻璃基板100的尺寸可以是約為370公釐×470公釐，厚度為約0.5公釐到約3公釐。

在數個實施例中，原始強化玻璃基板100可以透過將一玻璃基板加熱至約670℃到約710℃間之軟化溫度，壓縮被加熱之玻璃基板，使用一冷空氣快速冷卻受到壓縮之玻璃基板，壓縮被冷卻之玻璃基板的表面並拉伸被冷卻之玻璃基板的內部而形成。或者，原始強化玻璃基板可以透過將一玻璃基板浸泡於硝酸鉀溶液中，並於約400℃到約 450℃加熱玻璃基板持續約18小時而形成。

在數個實施例中，導電結構110可以形成於原始強化玻璃基板100上。特別的是，在物理性切割原始強化玻璃基板100之前，導電結構110可以形成在強化玻璃基板的單元元件R上。在此，各個單元元件的尺寸可對應於觸控面板或觸控螢幕的尺寸。

在數個實施例中，導電結構110可以包括有數個感測圖案、數個接地電極、數個跳線(jumper)等，包括一透明電極，例如是銦錫氧化物(ITO)。

雖然未繪示於圖中，可以額外地進行形成貫穿具有導電結構110之原始強化玻璃基板100的開孔(hole)的製程。開孔之形成可以是藉由將具有開口之金屬遮罩(metal mask)設置在原始強化玻璃基板100上，並物理蝕刻金屬遮罩未覆蓋部分之原始強化玻璃基板100。開孔可以對應到智慧型手機或智慧型平板電腦之出音孔或按鍵孔。

參照第1圖及第2B圖所示，在步驟S220中，遮罩圖案(mask pattern)120可以形成於原始強化玻璃基板100上。

在數個實施例中，遮罩圖案120可以具有暴露出原始強化玻璃基板100之單元元件間的界線的開口。

在數個實施例中，為了防止原始強化玻璃基板100在接下來的化學蝕刻製程中受到蝕刻，二個遮罩圖案120可形成於原始強化玻璃基板100之上表面及下表面。並且，遮罩圖案120可以包括至少一層。

此外，在使用蝕刻溶液蝕刻切割面(cut face)時，遮罩圖案120可遮蓋原始強化玻璃基板100之切割面外之剩餘 部分，以防止強化玻璃切割面外之剩餘部分受到蝕刻。

在數個實施例中，遮罩圖案120可以包括一遮罩膜(mask film)，遮罩膜可以不被蝕刻溶液蝕刻。例如，遮罩膜可以具有抗化學腐蝕性(chemical resistance)。

在數個實施例中，遮罩圖案120可以包括依序堆疊之第一遮罩圖案(未繪示)及第二遮罩圖案(未繪示)。第一遮罩圖案及第二遮罩圖案可以實質上包括相同材料。或者，遮罩圖案120可以包括依序堆疊之第一遮罩圖案(未繪示)、第二遮罩圖案(未繪示)及第三遮罩圖案(未繪示)。第一遮罩圖案至第三遮罩圖案可以實質上包括具有抗化學腐蝕性之相同材料。

參照第1圖及第2C圖所示，在步驟S230中，原始強化玻璃基板100可以被沿著單元元件R之間的界線物理切割成初級強化玻璃基板(preliminary tempered glass substrate)101。

在數個實施例中，物理性切割之製程包括雷射切割製程(laser cutting process)、水刀切割製程(water jet cutting process)、噴砂切割製程(sand blast cutting process)或削減切割製程(trim cutting process)等。原始強化玻璃基板100可以僅以噴砂切割製程切割。或者，原始強化玻璃基板100可以以雷射切割製程和削減切割製程切割。

在此，如第3圖所示，初級強化玻璃基板101可以具有一切割面。另外，物理性切割製程引起的衝擊在切割面可能產生微小裂痕(minute crack)C。

第3圖繪示藉由物理性切割製程之強化玻璃基板的切 割面之剖面放大圖。

參照第3圖所示，切割面上之微小裂痕C可能會降低初級強化玻璃基板101之彎曲強度及側邊強度(side strength)。因此，有微小裂痕C之初級強化玻璃基板101可能容易在後續處理過程中損壞。

再者，切割面上可能形成一凸出部(protrusion)。凸出部可能以一長度D從切割面上凸出。凸出部也可能降低初級強化玻璃基板101之彎曲強度及側邊強度。特別的是，初級強化玻璃基板101之側邊強度和凸出部長度D可能成比例關係。也就是說，凸出部長度D越長，初級強化玻璃基板101之側邊強度則會越低。相反地，凸出部長度D越短，初級強化玻璃基板101之側邊強度則會越大。

在數個實施例中，切割面可以是圓形(rounded shape)、圓角(rounded corner)或具有圓形凸出部的側平面。當切割面可具有上述之形狀，相對於施加在初級強化玻璃基板101側表面之衝擊，初級強化玻璃基板101可具有較堅固的結構。相反地，當切割面具有一尖銳轉角或尖銳之凸出部，相對於施加在強化玻璃基板側表面之衝擊，強化玻璃基板可具有較脆弱的結構。因此，凸出部可以較佳地具有一短的長度D。另外，切割面可以是圓形，特別是在中央部分為圓形。

在數個實施例中，物理性切割製程可以是使用噴砂機器執行的噴砂切割製程。舉例來說，噴砂製程可包括以約7 kgf/cm² 到約11 kgf/cm² 的壓力，通過噴嘴使研磨劑快速地噴灑至原始強化玻璃基板100上。研磨料可包含金屬或 非金屬。噴嘴之內徑可為約0.3公釐至約3公釐。使用噴嘴的噴砂切割製程可不需使用蝕刻遮罩，因此處理強化玻璃基板的時間可被縮短。

如上所述，原始強化玻璃基板100可切割形成初級強化玻璃基板101。初級強化玻璃基板101的切割面上可能會產生微小裂痕C。

在數個實施例中，凸出部自切割面凸出之長度不超過280微米。凸出部可以依據遮罩圖案120之厚度及噴嘴之內徑而變化。凸出部可以是由研磨料稠密地集中於切割面的中心部分和研磨料稀疏地集中於切割面邊緣所產生出來。

參照第1圖及第2D圖所示，在步驟S240中，初級強化玻璃基板101切割面上的微小裂痕C和凸出部可能藉由化學蝕刻製程來移除，以形成強化玻璃基板102。

在數個實施例中，化學蝕刻製程可以使用包含氫氟酸(hydrofluoric acid)之蝕刻溶液，切割面可能被移除約100微米至約700微米的深度。

在數個實施例中，初級原始強化玻璃基板101可以浸泡於包含氫氟酸之蝕刻溶液中，以蝕刻微小裂痕C及凸出部。或者，包含氫氟酸之蝕刻溶液可以噴灑於初級原始強化玻璃基板101之切割面。

在數個實施例中，蝕刻溶液可以包含含有氫氟酸之混合溶液。舉例來說，蝕刻溶液可以包含一氫氟酸溶液。或者，蝕刻溶液可以包含氫氟酸、硝酸和水之混合溶液。此外，蝕刻溶液可以包含氫氟酸、鹽酸(hydrochloric acid)、 氟化氫銨(ammonium hydrogen fluoride)和水之混合溶液。

蝕刻溶液可流動於微小裂痕C，以移除微小裂痕C及凸出部。如此一來，當具有微小裂痕C之切割面可能被蝕刻時，凸出部的長度可以減少，從而提高強化玻璃基板102之側邊強度及彎曲強度。

因此，強化玻璃基板102可不具有微小裂痕C及凸出部，而可以提高強化玻璃基板102之側邊強度及彎曲強度。因此，衝擊所造成之強化玻璃基板102的損壞被抑制。遮罩圖案120可以保護強化玻璃基板102之上表面及下表面。因此強化玻璃基板102之上表面及下表面可以不受到蝕刻溶液蝕刻。

參照第1圖及第2E圖所示，在步驟S250中，遮罩圖案120可從強化玻璃基板120上移除。

在數個實施例中，遮罩圖案120可以藉由剝離或蝕刻來移除。舉例來說，當遮罩圖案120可能包含一光阻圖案時，遮罩圖案120可以藉由灰化製程(ashing process)和去膜製程(stripping process)移除。當遮罩圖案120可能包含一薄層(sheet)時，遮罩圖案120可以藉由使用蝕刻溶液之蝕刻製程移除。

強化玻璃基板102可以接著使用去離子水清潔。強化玻璃基板102可以有好的側邊強度。在數個實施例中，含有強化玻璃基板102之觸控螢幕可以包括具有一體成型的強化玻璃的觸控螢幕、具有一體成型的保護玻璃(cover glass)的觸控螢幕及採用強化玻璃的觸控螢幕等。

根據此一實施例，強化玻璃基板可不具有微小裂痕及 凸出部。因此強化玻璃基板在製作觸控面板時所需之側邊強度及彎曲強度可以被加強。

再者，這方法可用於原始強化玻璃基板之邊緣，所以導電結構可以不會受到損害。因此，可大大改善觸控螢幕的量產。

噴砂切割製程之噴嘴內徑與強化玻璃基板切割面之對應形狀改變的分析

準備厚度為0.7公釐之第一強化玻璃。準備厚度為1.1公釐之第二強化玻璃。對於第一強化玻璃和第二強化玻璃施以使用研磨料的噴砂製程以切割第一強化玻璃和第二強化玻璃，並且改變噴嘴內徑。在噴砂製程中，第一及第二強化玻璃基板與噴嘴之距離為500微米。噴灑研磨料的壓力為9 kgf/cm² 。移動噴嘴的速度為5公釐/秒(mm/s)。對於由第一及第二強化玻璃基板之切割面起算之凸出部長度D進行測量。測得之長度D列於表1。

如表1所示，可以發現凸出部長度D相對於噴嘴內徑之增加成比例地逐漸增加。特別的是，當噴嘴內徑可能超過3公釐時，可注意到長度D急遽地增加到不低於0.3公釐。因此噴嘴內徑不超過3公釐在噴砂製程中是較佳的設計。

化學蝕刻量與強化玻璃基板對應之彎曲強度改變的分析

物理性切割原始強化玻璃基板使之成為尺寸4英吋且厚度0.55公釐之強化玻璃基板。強化玻璃基板有一光阻遮罩圖案。使用蝕刻溶液化學蝕刻強化玻璃基板之切割面，並控制蝕刻深度。對於與切割面之蝕刻深度相關的強化玻璃基板彎曲強度進行測量。測得之彎曲強度列於表2。

如表2所示，當蝕刻深度為100微米至700微米，可注意到強化玻璃基板的彎曲強度不低於180牛頓(N)。相反地，當蝕刻深度少於100微米，強化玻璃基板並不具有不低於180牛頓(N)的彎曲強度。此外，當蝕刻深度超過700微米，彎曲強度不會增加且遮罩圖案自強化玻璃基板剝離。因此，為了提供強化玻璃基板不低於180牛頓(N)之穩定的彎曲強度，較佳之切割面蝕刻深度為100微米到700微米。

化學蝕刻量與強化玻璃基板對應之彎曲強度改變的分析

物理性切割原始強化玻璃基板使之成為尺寸4英吋且厚度0.7公釐之強化玻璃基板。強化玻璃基板有一光阻遮罩圖案。使用蝕刻溶液來化學蝕刻強化玻璃基板之切割面，並控制蝕刻深度。針對與切割面之蝕刻深度相關的強化玻璃基板之彎曲強度進行測量。測得之彎曲強度列於表3。

如表3所示，當蝕刻深度為100微米至700微米，可注意到強化玻璃基板的彎曲強度不低於230牛頓(N)。相反地，當蝕刻深度少於100微米，強化玻璃基板並不具有不低於230牛頓(N)的彎曲強度。此外，當蝕刻深度超過700微米，彎曲強度不會增加且遮罩圖案自強化玻璃基板剝離。因此，為了提供強化玻璃基板不低於230牛頓(N)之穩定彎曲強度，較佳之切割面蝕刻深度為100微米到700微米。

化學蝕刻量與強化玻璃基板對應之彎曲強度改變的分析

物理性切割原始強化玻璃基板使之成為尺寸7英吋且厚度0.85公釐之強化玻璃基板。強化玻璃基板有一光阻遮罩圖案。使用蝕刻溶液來化學蝕刻強化玻璃基板之切割面，並控制蝕刻深度。針對與切割面之蝕刻深度相關的強 化玻璃基板之彎曲強度進行測量。測得之彎曲強度列於表4。

如表4所示，當蝕刻深度為100微米至700微米，可注意到強化玻璃基板的彎曲強度不低於340牛頓(N)。相反地，當蝕刻深度少於100微米，強化玻璃基板並不具有不低於340牛頓(N)的彎曲強度。此外，當蝕刻深度超過700微米，彎曲強度不會增加，且遮罩圖案自強化玻璃基板剝離。因此，為了提供強化玻璃基板不低於340牛頓(N)之穩定彎曲強度，較佳之切割面蝕刻深度為100微米到700微米。

化學蝕刻量與強化玻璃基板對應之彎曲強度改變的分析

物理性切割原始強化玻璃基板使之成為尺寸7英吋且厚度1.5公釐之強化玻璃基板。強化玻璃基板有一光阻遮罩圖案。使用蝕刻溶液來化學蝕刻強化玻璃基板之切割面，並控制蝕刻深度。針對與切割面之蝕刻深度相關的強化玻璃基板之彎曲強度進行測量。測得之彎曲強度列於表5。

如表5所示，當蝕刻深度為100微米至700微米，可注意到強化玻璃基板的彎曲強度不低於700牛頓(N)。相反地，當蝕刻深度少於100微米，強化玻璃基板並不具有不 低於700牛頓(N)的彎曲強度。此外，當蝕刻深度超過700微米，彎曲強度不會增加且遮罩圖案自強化玻璃基板剝離。因此，為了提供強化玻璃基板不低於700牛頓(N)之穩定彎曲強度，較佳之切割面蝕刻深度為100微米到700微米。

化學蝕刻量與強化玻璃基板對應之彎曲強度改變的分析

物理性切割原始強化玻璃基板使之為尺寸7英吋且厚度3.0公釐之強化玻璃基板。強化玻璃基板有一光阻遮罩圖案。使用蝕刻溶液來化學蝕刻強化玻璃基板之切割面，並控制蝕刻深度。針對與切割面之蝕刻深度相關的強化玻璃基板之彎曲強度進行測量。測得之彎曲強度列於表6。

如表6所示，當蝕刻深度為100微米至700微米，可注意到強化玻璃基板的彎曲強度不低於1500牛頓(N)。相反地，當蝕刻深度少於100微米，強化玻璃基板並不具有不低於1500牛頓(N)的彎曲強度。此外，當蝕刻深度超過700微米，彎曲強度不會增加，且遮罩圖案自強化玻璃基板剝離。因此，為了提供強化玻璃基板不低於1500牛頓(N)之穩定彎曲強度，較佳之切割面蝕刻深度為100微米到700微米。

根據數個實施例，原始強化玻璃基板可以被物理性切割。強化玻璃基板之切割面可以用含有氫氟酸之化學蝕刻，以移除微小裂痕及凸出部。因此觸控螢幕之強化玻璃基板之彎曲強度可以被加強。

因此，由於觸控螢幕之強化玻璃基板之側邊強度與彎曲強度被加強，使得觸控螢幕在製造過程中可以不會被損壞。再者，數個觸控螢幕可由單一強化玻璃基板來製造，因此觸控螢幕的量產可以明顯地改善。

再者，原始強化玻璃基板上之單元元件之導電結構可以不會在物理性切割製程中受損壞。因此，強化玻璃基板可以在低成本及短時間被製造。

更進一步，此方法可以使用於原始強化玻璃基板之邊緣，而導電結構可以不會受到損害。因此觸控螢幕的量產可以大幅改善。

再者，當原始強化玻璃基板可能被物理性切割時，導 電結構可以不會因物理衝擊受到損壞，例如灰化製程可以不施加於跳線、電極等。因此觸控螢幕之製造時間可以被明顯地降低。

再者，物理性切割原始強化玻璃基板的製程和化學蝕刻強化玻璃基板切割面的製程可以只使用一遮罩圖案。因而不需要在化學蝕刻中去更換一個新遮罩圖案。藉此，強化玻璃基板之製造時間將會降低，進而提高強化玻璃基板的產量。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

S210~S250‧‧‧步驟

100‧‧‧原始強化玻璃基板

101‧‧‧初級強化玻璃基板

102‧‧‧強化玻璃基板

110‧‧‧導電結構

120‧‧‧遮罩圖案

C‧‧‧微小裂痕

D‧‧‧長度

R‧‧‧單元元件

第1圖是根據數個實施例之處理用於觸控螢幕之強化玻璃基板的方法的方塊圖

第2A~2E圖是第1圖處理強化玻璃基板的方法的剖面流程圖。

第3圖繪示藉由物理性切割製程之強化玻璃基板的切割面之剖面放大圖。

S210~S250‧‧‧步驟

Claims (6)

1. 一種處理用於觸控螢幕之一強化玻璃基板的方法，該方法包括：準備一原始強化玻璃基板，該原始強化玻璃基板具有複數個單元元件，用於觸控螢幕之複數個導電結構形成於該些單元元件內；沿著該些單元元件之間的複數條界線物理性切割該原始強化玻璃基板，以形成複數個初級強化玻璃基板，該些初級強化玻璃基板具有複數個切割面，其中物理性切割之步驟包括一噴砂切割製程，該噴砂切割製程包括以一噴嘴快速地噴灑一研磨料及空氣至該原始強化玻璃基板，該噴嘴之一內徑為約0.3公釐(mm)至約3公釐；以及以一化學蝕刻製程移除位於該些初級強化玻璃基板之該些切割面之微小裂痕，以形成該強化玻璃基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中以該噴砂切割製程形成之該些初級強化玻璃基板之各該切割面具有一凸出部，各該凸出部從各該切割面起算之一長度不超過約280微米(μm)。
3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該原始強化玻璃基板之厚度為約0.5公釐至約3公釐。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括形成一遮罩圖案於該原始強化玻璃基板上，該遮罩圖案包括至少一層，該遮罩圖案暴露出該些界線。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該化學蝕 刻製程使用一蝕刻溶液，該蝕刻溶液包括一氫氟酸，並且自各該切割面起算之一蝕刻深度為約100微米至約700微米。
6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括使用一金屬遮罩物理性蝕刻該原始強化玻璃基板，以形成複數個開孔，該些開孔貫穿該原始強化玻璃基板