TW201350454A - 處理保護玻璃之方法以及包含以此方法製造之保護玻璃之顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明係揭露一種處理保護玻璃之方法以及包含以此方法製造之保護玻璃之顯示裝置。該方法包含形成遮罩層於用於顯示裝置之原始玻璃基板之相對表面上;切割原始玻璃基板為各包含開口之複數個單位玻璃基板;藉由浸泡單位玻璃基板於蝕刻溶液中以僅化學蝕刻暴露之處理表面;以及藉由浸泡單位玻璃基板於清潔溶液中以去除遮罩層。
Description
相關申請案的交互參照
本申請案主張於2012年6月12日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號10-2012-0062861之效益,其全部揭露於此納入作為參考。
本實施例有關於一種處理保護玻璃(cover glass)之方法以及包含以此方法製造之保護玻璃之顯示裝置。
隨著近來對於所謂的觸控螢幕手機之行動電話之需求增加,對於行動電話之組件之需求也跟著增加。在觸控螢幕式行動電話中,沒有按鍵在寬螢幕上,且使用者藉由按壓螢幕操控行動電話。觸控螢幕式行動電話包含於顯示單元外層之視窗,以避免刮痕在顯示單元上或保護顯示單元免於外部衝擊。
本實施例提供一種處理保護玻璃之方法,其改善用於顯示裝置之保護玻璃之強度。
根據本實施例之一態樣,提供一種處理保護玻璃之方法,此方法包含:形成遮罩層於用於顯示裝置之原始玻璃基板之相對表面上;切割原始玻璃基板為各包含開口之複數個單位玻璃基板;藉由浸泡單位玻璃基板於蝕刻溶液中以僅化學蝕刻暴露之處理表面;以及藉由浸泡單位玻璃基板於清潔溶液中以去除遮罩層。
根據本實施例之另一態樣,提供一種處理保護玻璃之方法,此方法包含:形成遮罩層於用於顯示裝置之原始玻璃基板之相對表面上;切割原始玻璃基板為各包含開口之複數個單位玻璃基板;層疊複數個單位玻璃基板;藉由浸泡層疊之單位玻璃基板於蝕刻溶液中以僅化學蝕刻層疊之單位玻璃基板之暴露之處理表面;以及藉由浸泡層疊之單位玻璃基板於清潔溶液中以去除遮罩層。
原始玻璃基板之切割可包含於各單位玻璃基板處理開口。
遮罩層之形成可包含藉由使用油墨而執行印刷於原始玻璃基板之相對表面上。油墨可為包含胺基甲酸乙酯樹脂(urethane resin)或包括胺基甲酸乙酯樹脂之化合物之紫外線(UV)油墨。
遮罩層之形成可包含貼附保護膜於原始玻璃基板之相對表面上。保護膜可包含丙烯酸酯樹脂(acrylic resin)及丙烯酸氨酯樹脂(acrylic urethane resin)。
蝕刻溶液可包含氫氟酸(HF)或氫氟酸及無機酸之混合溶液。無機酸可選自由氫氯酸(HCl)、硝酸(HNO3)及硫酸(H2SO4)所組成之群組之一或多個。
原始玻璃基板之切割可包含藉由使用物理處理而切割原始玻璃基板。
根據本實施例之另一態樣,提供包含以上述方法所製作之保護玻璃之顯示裝置。
本實施例上述及其他特徵及優點將藉由參照附圖詳細描述其範例實施例而變得更顯而易知:
第1圖係為繪示根據實施例之觸控顯示裝置之耦接結構之分解透視示意圖。
第2圖至第8圖係為根據一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。
第9圖至第13圖係為根據另一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。
第14A圖及第14B圖係為根據一實施例繪示化學蝕刻處理前後之處理表面之照片。
第1圖係為繪示根據實施例之觸控顯示裝置之耦接結構之分解透視示意圖。
第2圖至第8圖係為根據一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。
第9圖至第13圖係為根據另一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。
第14A圖及第14B圖係為根據一實施例繪示化學蝕刻處理前後之處理表面之照片。
雖然本實施例允許不同的改變及多種實施例,特定的實施例將於圖式中示出且於說明書中詳細描述。然而,這並非旨在限定本實施例於實施之特定模式,且將理解的是在不脫離本實施例之精神及技術範圍內之所有改變、等效物及替代物皆包含於本實施例中。在本實施例之描述中,當認為其可能非必要地混淆本實施例之本質時,某些相關技術之詳細解釋係予以省略。
在此使用之詞彙係僅用於描述特定實施例之目的,而並非旨在限制實施例。將進一步理解的是,當詞彙「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」使用於此說明書時,係指定所述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在,但不排除存在或增加一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。
在圖式中,層及區域之厚度係為了清楚而誇大。將理解的是,當元件或層被稱為在另一元件或層之「上(on)」時,元件或層可直接地在另一元件或層,或中介元件或層之上。相反地,當元件被稱為「直接地(directly)」在另一元件或層之「上(on)」時,中介元件或層則不存在。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時,其係修飾整個元件列表,而非修飾列表的個別元件。
下文中,將參照附圖而詳細描述本實施例之結構及操作。
第1圖係繪示根據實施例之觸控顯示裝置1之耦合結構之分解透視示意圖。
參照第1圖,觸控顯示裝置1包含殼體10、容置於殼體10之面板20及耦接於面板20之上部部份之視窗30。
殼體10容置面板20及視窗30。
面板20可包含以便根據使用者操控而顯示內容之顯示裝置,如液晶顯示器(LCD)或有機發光(EL)顯示器、其上安裝印刷電路板及各種不同電子組件之顯示面板、以及貼附於顯示面板之外表面之觸控螢幕面板。面板20設置於殼體10之內側。
觸控螢幕面板為用於藉由手指或物件碰觸顯示於螢幕上之內容而輸入使用者指令之輸入裝置。為了進行此操作,觸控螢幕面板設置於顯示裝置之前面以將人的手指或物件接觸之接觸位置轉換為電子訊號。因此,於接觸位置所選取之內容以輸入訊號輸入。觸控螢幕面板可替代附加之輸入裝置,如鍵盤或滑鼠。觸控螢幕面板可實現為電阻式薄膜面板、光學感測式面板及電容式面板。當人的手指及物體接觸觸控螢幕面板時,電容式觸控螢幕面板感測導電感測圖案及相鄰之另一導電感測圖案或接地電極之間之電容變化,藉此,將接觸位置轉換為電子訊號。視窗30另外設置於觸控螢幕面板之上表面上以改善力學強度。
雖然未顯示於第1圖中,面板20可以本領域習知之各種不同方式固定於殼體10。
視窗30避免如對觸控顯示裝置1刮損及雜質滲入觸控顯示裝置1之損害,且保護觸控顯示裝置1免於外部之衝擊。此外,視窗30可包含強化之透明玻璃基板。此處,黏著劑(圖未示)可施加於面板20與視窗30之間以相互接附面板20與視窗30。視窗30可根據觸控顯示裝置1之外觀而具有各種外觀。為此,必須執行諸如原始玻璃基板之切割之處理操作。
下文中,將描述製造保護(cover)如行動電話、便攜式多媒體撥放器(PMP)及筆記型電腦之終端之螢幕之視窗30、或設置於終端之背面之強化玻璃之流程。在下文中,視窗及強化玻璃係稱為「保護玻璃」。
第2圖至第8圖係為根據一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。
參照第2圖,遮罩層400形成於用於顯示裝置之原始玻璃基板300之相對表面上。遮罩層400可以不同的方法形成,例如網印法(screen printing method)、積層薄膜法(laminate film method)及施加光阻劑之光刻法(resist-applying photolithography method)。然而,本實施例不限於此,且可使用用於在原始玻璃基板300上形成預定尺寸之遮罩層400之各種印刷方法。
遮罩層400可包含於稍後進行之蝕刻過程中不會被蝕刻劑溶解(dissolved)之材料。例如,遮罩層400可為包含丙烯酸酯樹脂(acrylic resin)及丙烯酸氨酯樹脂(acrylic urethane resin)之薄膜,且可貼附於原始玻璃基板300之相對表面上。除此之外,遮罩層400可藉由將紫外線油墨(UV ink)印刷於原始玻璃基板300之相對表面上,然後乾燥紫外線油墨而形成。此時,油墨可包含胺基甲酸乙酯樹脂(urethane resin)或包括胺基甲酸乙酯樹脂之化合物,可藉由於紫外線油墨中混合固化劑(hardener)、顏料(pigment)、添加劑及溶劑而製造。藉由網印法,紫外線油墨塗佈為大約60至70μm之厚度,然後藉由紫外線光固化。紫外線光之強度範圍可為2500±500 mj/cm2以處理及保護玻璃。
參照第3圖,藉由以旋轉塗佈法(spin coating method)印刷抗化學油墨(hemical-resistant ink),複數個保護玻璃圖案500根據要製造之保護玻璃之尺寸及形狀而形成於原始玻璃基板300之表面上之遮罩層400上。用於安裝按鍵、揚聲器、麥克風及相機之開口以各種形狀形成於包含視窗30及強化玻璃之保護玻璃。因此,在保護玻璃圖案500中印刷開口圖案600。除此之外,保護玻璃圖案500及開口圖案600可藉由使用平臺切割(flatbed cutting)或雷射切割法標示於遮罩層400。
於第3圖之實施例中,繪示六個保護玻璃圖案500及於各保護玻璃圖案500之一開口圖案600;然而,此實施例不以此為限。可形成六個或更多保護玻璃圖案500,且可印刷或標示具有不同的尺寸及形狀之開口圖案600於各保護玻璃圖案500之預定位置。
參照第4圖,其上形成遮罩層400之原始玻璃基板300係沿著印刷切割線或標示而切割以形成單元單位之複數個單位玻璃基板圖案30A。藉由使用如水刀切割法(water jet cutting method)、雷射切割法或使用玻璃切割器之劃線切割法(scribing cutting method)之物理處理法,原始玻璃基板300可分割為單位玻璃基板圖案30A。在此,在保護玻璃圖案500中之開口圖案600可同時地切割及處理。
第5圖係為沿著第4圖之A-A'線段所截取之單位玻璃基板圖案30A之截面圖。參照第5圖,單位玻璃基板圖案30A包含可為一部份之原始玻璃基板300之單位玻璃基板300A、以及為一部份之遮罩層400且設置於單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A。藉由形成開口圖案,穿過單位玻璃基板300A及單位遮罩層400A形成開口600A。單位玻璃基板圖案30A之處理表面30c及30d因物理處理而損壞且不平坦,且因此,處理表面30c及30d可能會產生微小裂痕。
參照第6圖,單位玻璃基板圖案30A浸泡於蝕刻設備50之蝕刻溶液60中以化學蝕刻處理表面30c及30d。蝕刻溶液60可為氫氟酸(HF)或氫氟酸(HF)及無機酸之混合物。在此,無機酸可為選自由氫氯酸(HCl)、硝酸(HNO3)及硫酸(H2SO4)所組成之群組中之一或多個。單位玻璃基板圖案30A可藉著使用1%至10%之氫氟酸蝕刻30分鐘以下。如果氫氟酸溶液之濃度太高,遮罩層400會熔化(melt)以至於無法保護玻璃,而若氫氟酸溶液之濃度太低,便無法輕易除去處理表面之應力(stress)。蝕刻溶液60之濃度及蝕刻時間之最佳值可根據遮罩層400之種類及厚度而預先計算以改善玻璃之強度。
藉由蝕刻溶液60之化學蝕刻使得因物理處理而可能損壞之處理表面均勻化,且蝕刻溶液60中之離子滲入玻璃基板以強化玻璃進而防止產生細微裂痕。一種熱強化方法(thermal reinforcing)係於高溫中處理玻璃基板而使得玻璃基板彎曲。此外,由於保護玻璃之開口非常小,故並不適合如拋光(polishing)之物理處理。因此,化學蝕刻適用於改善開口及處理表面之強度,且使表面均勻化而無諸如單位玻璃基板300A彎曲之變形。
傳統上,整個玻璃基板在未於單元單位之切割玻璃基板上形成額外遮罩層下被化學蝕刻,且因此,玻璃基板會變薄。在這種情況下,蝕刻整個玻璃基板表面,會進而產生表面不均勻性。此外,如開口之處理部位由於蝕刻了整個玻璃基板而大幅地被削弱。另外,考慮到通過切割處理所處理之表面強度,通過蝕刻整個玻璃基板而削弱玻璃基板係有所限制。
根據如第7圖所示之實施例,單位玻璃基板圖案30A浸泡於蝕刻溶液60,且因此,蝕刻溶液60之分子60'作用於單位玻璃基板圖案30A之暴露表面。在此,由於形成於單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A,分子60'僅作用於單位玻璃基板300A之暴露之處理表面30c及30d,且接著,選擇性地化學蝕刻單位玻璃基板圖案30A。因此,處理表面30c及30d可為均勻的,且可改善開口600A之處理表面30c及外處理表面30d之強度。此外,藉由單位遮罩層400A,於蝕刻溶液60中保護單位玻璃基板300A之表面30a及30b,且因此,單位玻璃基板300A之表面30a及30b未被蝕刻而可避免表面不均勻性。此外,可藉著使用未透過化學蝕刻及拋光執行整個玻璃基板之薄化之期望厚度之原始玻璃基板300來執行切割及蝕刻處理。
參照第8圖,可能經化學蝕刻之單位玻璃基板圖案30A浸泡在清潔設備(未顯示)之清潔溶液中以清潔。在清潔期間中,去除單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A。去除單位遮罩層400A之單位玻璃基板300A用以作為保護玻璃。成為產品之保護玻璃之厚度為1 mm或更小。
藉由以水或純水稀釋氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)水溶液而可製造清潔溶液。有效去除單位遮罩層400A之氫氧化鈉水溶液之濃度大約為3至5%。清潔過程之溫度大約為40至80℃。例如,發射超音波於可能浸泡在溫度為約40至80℃之清潔溶液中之單位玻璃基板圖案30A上,在這之後,藉由使用水或純水清洗單位玻璃基板圖案30A以去除單位遮罩層400A。
於第8圖之實施例中,單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A為整體獨立;然而,單位遮罩層400A可藉由清潔溶液溶解(dissolve)以去除或分離。
第9圖至第13圖係為根據另一實施例繪示製造保護玻璃之流程之示意圖。本實施例中,第2圖至第4圖所示之形成遮罩層之流程、保護玻璃圖案標示之流程及切割流程係於第9圖至第13圖所示之流程前執行。
如第2圖至第4圖所示,形成遮罩層400於顯示裝置之原始玻璃基板300之相對表面上。遮罩層400可藉由不同印刷方式形成,例如網印法、積層薄膜法、施加光阻劑之光刻法以及可於原始玻璃基板300上形成預定尺寸之遮罩層之其他印刷方法。遮罩層400可包含不會於稍後進行之蝕刻處理中被蝕刻溶液溶解之材料。例如,遮罩層400可為包含丙烯酸酯樹脂及丙烯酸氨酯樹脂之薄膜,且可貼附於原始玻璃基板300之相對表面上。除此之外,遮罩層400可藉由將紫外線油墨印刷於原始玻璃基板300之相對表面上然後乾燥油墨而形成。此時,油墨可包含胺基甲酸乙酯樹脂或包括胺基甲酸乙酯樹脂之化合物,且可藉由於紫外線油墨樹脂中混合固化劑、顏料、添加劑及溶劑而製造。藉由網印法,紫外線油墨塗佈為大約60至70μm之厚度,然後藉由紫外線光而固化。紫外線光之強度範圍可為2500±500 mj/cm2以處理及保護玻璃。
接著,藉由以旋轉塗佈法印刷抗化學油墨,根據要製造之保護玻璃之尺寸及形狀而形成複數個保護玻璃圖案500於原始玻璃基板300之表面上之遮罩層400上。此外,開口圖案600印刷於保護玻璃圖案500中。除此之外,保護玻璃圖案500及開口圖案600可藉由使用平台切割或雷射切割法而標示於遮罩層400。
接著,沿著印刷之切割線或標記來切割其上形成遮罩層400之原始玻璃基板300,以形成單元單位之複數個單位玻璃基板圖案30A。原始玻璃基板300可藉由使用如水刀切割法、雷射切割法或使用玻璃切割器之劃線切割法之物理處理法而分割為單位玻璃基板圖案30A。在此,保護玻璃圖案500中之開口圖案600可同時地切割及處理。
參照第9圖,複數個單位玻璃基板圖案30A層疊以形成層疊之玻璃基板圖案30B。各單位玻璃基板圖案30A包含為一部分之原始玻璃基板300之單位玻璃基板300A、以及為設置於單位玻璃基板300A之相對表面上之一部分之遮罩層400之單位遮罩層400A,且藉由形成開口圖案600通過單位玻璃基板300A及單位遮罩層400A而形成開口600A。
第10圖係為沿著第9圖之B-B'線段所截取之層疊之玻璃基板圖案30B之剖面圖。參照第10圖,層疊之玻璃基板圖案30B包含層疊之單位玻璃基板圖案30A。因此,鄰近之單位玻璃基板圖案30A之單位遮罩層400A在垂直方向上相互接觸。在此,相互接觸之單位遮罩層400A可藉由水分且不使用額外的黏著劑而相互貼附,因此,簡易地層疊單位玻璃基板300A。除此之外,具有暫時黏著力之黏著劑可應用於單位遮罩層400A以層疊單位玻璃基板圖案30A。層疊之玻璃基板圖案30B透過物理處理而具有開口600B及外處理表面30c及30d。
參照第11圖,層疊之玻璃基板圖案30B浸泡於蝕刻設備50之蝕刻溶液60,以藉由蝕刻溶液60而化學蝕刻處理表面30c及30d。蝕刻設備50包含支撐層疊之玻璃基板圖案30B之最上表面及最下表面之支撐構件(未顯示),以於化學蝕刻處理期間於蝕刻設備50中固定層疊之玻璃基板圖案30B。蝕刻溶液60可為氫氟酸(HF)溶液或氫氟酸及無機酸之混合溶液。無機酸可選自由氫氯酸(HCl)、硝酸(HNO3)以及硫酸(H2SO4)所組成之群組之一或多個。層疊之玻璃基板圖案30B可藉由使用1%至10%之氫氟酸蝕刻30分鐘以下。如果氫氟酸溶液之濃度過高,遮罩層400會熔解(melt)而無法保護玻璃,而如果氫氟酸溶液之濃度過低,則不易去除處理表面之應力。蝕刻溶液60之濃度及蝕刻時間之最佳值可根據遮罩層400之種類及厚度而預先計算以改善玻璃之強度。
根據如第12圖所示之實施例,蝕刻溶液60之分子60'塗佈於層疊之玻璃基板圖案30B之暴露表面。在此,由於形成於單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A,分子60'僅塗佈於單位玻璃基板300A之暴露之處理表面30c及30d,然後,選擇性地化學蝕刻層疊之玻璃基板圖案30B。因此,選擇性地化學蝕刻開口600B之處理表面30c及外處理表面30d,進而改善強度。
根據實施例,因為層疊之玻璃基板圖案30B浸泡於蝕刻溶液60中,相較於單位玻璃基板圖案30A浸泡於蝕刻溶液60之情況下,接觸蝕刻溶液60之分子60'的單位玻璃基板300A之表面可減少,且因此層疊之玻璃基板圖案30B輕易地清潔。此外,因複數個單位玻璃基板圖案30A可藉由一化學蝕刻流程而被化學蝕刻,故改善了工作效率。此外,可減少蝕刻單一薄玻璃基板之流程可能造成之瑕疵,且故而可改善產量。
參考第13圖,經化學蝕刻之層疊之玻璃基板圖案30B浸泡在清潔設備(未顯示)之清潔溶液中清潔。清潔過程期間,去除單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A。去除單位遮罩層400A之單位玻璃基板300A係用作為保護玻璃。成為產品之保護玻璃之厚度為1 mm或更小。
藉由以水或純水稀釋氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)水溶液可製造清潔溶液。有效去除單位遮罩層400A之氫氧化鈉水溶液之濃度大約為3至5%。清潔過程之溫度大約為40至80℃。例如,發射超音波於浸泡在溫度為約40至80℃之清潔溶液中之層疊之玻璃基板圖案30B上,在這之後,藉由使用水或純水清洗層疊之玻璃基板圖案30B以去除單位遮罩層400A。
於第13圖之實施例中,單位玻璃基板300A之相對表面上之單位遮罩層400A為整體獨立;然而,單位遮罩層400A可藉由清潔溶液而溶解(dissolved)以去除或分離。
第14A及14B圖係根據實施例繪示處理表面在化學蝕刻過程前後之照片。在藉由使用物理處理法執行原始玻璃基板300之切割處理下,如第14A圖所示,處理表面係損壞。而在此之後,處理表面上執行了化學蝕刻,第14A圖所示之損壞處理表面係如第14B圖所示般均勻及強化。
下列表1顯示根據執行化學蝕刻與否之保護玻璃之落下實驗(dropping experiments)之結果。
表1
表1
參照表1,根據實施例具有開口之保護玻璃係於一致之蝕刻溶液濃度及蝕刻時間下被化學蝕刻,且因此,即使在由60 cm之高度落下時,保護玻璃都不會損壞。然而,雖然在由20 cm或較小之高度落下時,未經化學蝕刻之保護玻璃不會損壞,但在由高於20 cm之高度落下時,保護玻璃則會損壞。物理處理部位如保護玻璃中之開口係藉由化學蝕刻處理而強化。
以下表2示出根據保護玻璃之厚度之落下實驗之結果。相對於未經化學蝕刻之保護玻璃及經化學蝕刻之保護玻璃而執行落下實驗。
表2
表2
如表2所示,當由範圍大約為15至大約48cm(平均25cm)之高度落下時,未經化學蝕刻之保護玻璃損壞;然而,當由範圍大約30至大約75cm(平均50cm)之高度落下時,經化學蝕刻之保護玻璃損壞。此外,即便厚度較少,經化學蝕刻之保護玻璃相較於未經化學蝕刻之保護玻璃具有更高的強度。物理處理部位如保護玻璃中之開口係藉由化學蝕刻處理而強化,且因此,不需要額外之削薄處理。
根據本實施例,於玻璃上形成遮罩層之後執行物理處理及化學蝕刻,進而改善如開口之處理表面之強度。
雖然本實施例已特別示出且參考其範例實施例而描述,本技術領域之通常知識者將理解的是,在不脫離藉由下述之申請專利範圍所定義之本實施例之精神及範圍內,可對其進行形式及細節上之各種變更。
1...觸控顯示裝置
10...殼體
20...面板
30...視窗
30a、30b...表面
30A...單位玻璃基板圖案
30B...玻璃基板圖案
30c、30d...處理表面
300...原始玻璃基板
300A...單位玻璃基板
400...遮罩層
400A...單位遮罩層
50...蝕刻設備
500...保護玻璃圖案
60...蝕刻溶液
60'...分子
600...開口圖案
600B、600B...開口
50...蝕刻設備
60...蝕刻溶液
30A...單位玻璃基板圖案
Claims (19)
- 一種處理保護玻璃之方法,其包含:
形成遮罩層於一原始玻璃基板之一相對表面上;
切割該原始玻璃基板為各包含一開口之複數個單位玻璃基板;
藉由浸泡該單位玻璃基板於一蝕刻溶液中以化學蝕刻該單位玻璃基板之暴露之一處理表面;以及
藉由浸泡該單位玻璃基板於一清潔溶液中以去除該遮罩層。 - 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該原始玻璃基板之切割包含於各該單位玻璃基板處理該開口。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該遮罩層之形成包含藉由使用一油墨以執行一印刷於該原始玻璃基板之該相對表面上。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法,其中該油墨係為包含胺基甲酸乙酯樹脂或包括胺基甲酸乙酯樹脂之一化合物之一紫外線(UV)油墨。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該遮罩層之形成包含貼附一保護膜於該原始玻璃基板之該相對表面上。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中該保護膜包含丙烯酸酯樹脂及丙烯酸氨酯樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該蝕刻溶液包含氫氟酸(HF)或氫氟酸及一無機酸之一混合溶液。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法,其中該無機酸係選自由氫氯酸(HCl)、硝酸(HNO3)及硫酸(H2SO4)所組成之群組中之一或多個。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該原始玻璃基板之切割包含藉由使用一物理處理而切割該原始玻璃基板。
- 一種處理保護玻璃之方法,其包含:
形成一遮罩層於一原始玻璃基板之一相對表面上;
切割該原始玻璃基板為各包含一開口之複數個單位玻璃基板;
層疊該複數個單位玻璃基板;
藉由浸泡層疊之該複數個單位玻璃基板於一蝕刻溶液中以化學蝕刻層疊之該複數個單位玻璃基板之暴露之一處理表面;以及
藉由浸泡層疊之該複數個單位玻璃基板於一清潔溶液中以去除該遮罩層。 - 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該原始玻璃基板之切割包含於各該單位玻璃基板處理該開口。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該遮罩層之形成包含藉由使用一油墨以執行一印刷於該原始玻璃基板之該相對表面上。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法,其中該油墨係為包含胺基甲酸乙酯樹脂或包括胺基甲酸乙酯樹脂之一化合物之一紫外線(UV)油墨。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該遮罩層之形成包含貼附一保護膜於該原始玻璃基板之該相對表面上。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法,其中該保護膜包含丙烯酸酯樹脂及丙烯酸氨酯樹脂。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該蝕刻溶液包含氫氟酸(HF)或氫氟酸及一無機酸之一混合溶液。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法,其中該無機酸係選自由氫氯酸(HCl)、硝酸(HNO3)及硫酸(H2SO4)所組成之群組中之一或多個。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該原始玻璃基板之切割包含藉由使用一物理處理而切割該原始玻璃基板。
- 一種顯示裝置,其包含以申請專利範圍第1項至第18項中之任一項所述之方法所製造之保護玻璃。
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