TWI477896B - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition Download PDF

Info

Publication number
TWI477896B
TWI477896B TW098116045A TW98116045A TWI477896B TW I477896 B TWI477896 B TW I477896B TW 098116045 A TW098116045 A TW 098116045A TW 98116045 A TW98116045 A TW 98116045A TW I477896 B TWI477896 B TW I477896B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chemical formula
component
compound
photosensitive composition
formula
Prior art date
Application number
TW098116045A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201011463A (en
Inventor
Motoki Takahashi
Toshiyuki Ogata
Christopher Cordonier
Akimasa Nakamura
Tetsuya Shichi
Teruhiro Uematsu
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Tokai Ryokaku Tetsudo Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd, Tokai Ryokaku Tetsudo Kk filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Publication of TW201011463A publication Critical patent/TW201011463A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI477896B publication Critical patent/TWI477896B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

正型感光性組成物
本發明係有關於一種形成金屬化合物薄膜圖案所使用的正型感光性組成物。
形成以ITO(Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)等的金屬氧化物作為代表之金屬化合物薄膜之方法，已知有將含有金屬錯合物的塗布液塗布在基體的表面，隨後，藉由焙燒將金屬錯合物熱分解，來形成金屬氧化物薄膜之技術。金屬錯合物的配位子(配位體)多半是利用伸乙二胺四乙酸、二乙醇胺、乙醯丙酮等在分子中具有2個以上胺基或羥基等的取代基之多牙配位子(polydentate ligand)。又，能夠提升耐裂縫性或黏附性之其他的配位子，亦已知有使用具有特定芳香族骨架之多牙配位子(參照專利文獻1)。
另一方面，將如上述的金屬化合物薄膜圖案化之方法，係進行在平坦的金屬化合物薄膜上形成光阻圖案，隨後，藉由蝕刻將光阻圖案轉印而在金屬化合物薄膜形成圖案，但是近年來，為了縮短該製程而研討賦予塗布液本身感光性而直接圖案化，例如有揭示(參照專利文獻2)使用含有鉗合錯合物(係有機配位子對由含有銦和錫的化合物及有機酸所生成的羥基化合物進行配位而成)、感光性樹脂及溶劑之感光性透明導電膜形成用塗布液而直接進行圖案化。
[先前文獻]
[專利文獻1]WO2008/007751號國際公開小冊子
[專利文獻2]特開2001-143526號公報
為了圖案化，專利文獻2所記載之塗布液係必須存在有先前眾所周知的感光性樹脂。但是，為了賦予感光性，必須具有某種程度量的感光性樹脂，然而此種樹脂的存在，對最後所形成的金屬化合物薄膜的形成量會造成影響。亦即，金屬含量依照感光性樹脂量的程度而降低，最後的金屬化合物薄膜之緻密性、均勻性變差，會有機械強度、透明性及導電性低落之問題。
又，感光性樹脂係以最後在焙燒製程完全被分解而在膜中完全未存在為佳。但是，在塗布液中以作為高分子樹脂存在時，焙燒後樹脂的一部分係作為有機物殘渣而殘留，會有對膜物性產生不良影響之可能性。為了將該殘渣的影響完全消除，係以由實質上未含有高分子樹脂的組成物系來賦予感光性為佳。
本發明係鑒於上述的課題而進行，其目的係提供一種正型感光性組成物，其圖案化而成的金屬化合物薄膜之導電性優良，且有機物殘渣的影響亦少。
本發明者等發現藉由對金屬錯合物成分(藉由焙燒處理等的處理而能夠形成金屬化合物薄膜)，賦予低分子量的感光劑而成之正型感光性組成物，能夠形成金屬化合物薄膜的圖案，而完成了本發明。
亦即，本發明係提供一種正型感光性組成物，其係含有藉由塗布後的處理而能夠形成金屬化合物薄膜的金屬錯合物成分(A)及感光劑(B)。
若依照本發明，即便實質上未含有感光性樹脂之組成物系，亦能夠形成經圖案化的金屬化合物薄膜。
本發明之正型感光性組成物係以藉由塗布後的處理而能夠形成金屬化合物薄膜的金屬錯合物成分(A)(以下亦稱為(A)成分)、及感光劑(B)(以下亦稱為(B)成分)作為必要，以更含有(D)有機溶劑(以下亦稱為(D)成分)為佳，以下，對各自進行說明。
[金屬錯合物成分(A)]
在本發明之(A)成分係藉由塗布後的處理而能夠形成金屬化合物薄膜的金屬錯合物成分。亦即，將含有金屬錯合物的塗布液塗布在基體的表面，隨後，藉由焙燒將金屬錯合物熱分解，能夠形成金屬化合物薄膜之金屬錯合物成分時，沒有特別限定。具體上，能夠使用在特開平09-278489號公報、特開平11-228113號公報、特開平11-256342號公報等所記載之金屬錯合物成分。金屬錯合物的配位子能夠使用伸乙二胺四乙酸、二乙醇胺、乙醯丙酮、草酸等在分子中具有2個以上胺基或羥基等的取代基之多牙配位子。
又，(A)成分的配位子係以將芳香族化合物作為骨架之多牙配位子為佳。較佳是該芳香族化合物係亦可具有取代基的碳芳香環化合物、或是亦可具有取代基的雜芳香環化合物，更佳是該碳芳香環化合物或雜芳香環化合物係選自由5員環化合物、6員環化合物及該等的縮合環化合物所組成的群組中之1種以上。在此，碳芳香環化合物係指只有由碳原子構成環之環化合物，雜芳香環化合物係指含有碳以外的氧、氮、硫等的雜原子作為環的構成原子之環化合物。又，不只是單環化合物，亦可以是縮合環化合物。縮合環化合物的環數沒有特別限定，以2環化合物為佳。又，可以是6員之間的縮合環，亦可以是5員之間的縮合環，亦可以是5員與6員之縮合環。
更具體地，(A)成分係以含有選自由下述化學式1所示之金屬錯合物A1 、化學式2所示之金屬錯合物A2 、化學式3所示之金屬錯合物A3 、化學式4所示之金屬錯合物A4 及化學式5所示之金屬錯合物A5 所組成的群組中之1種以上為佳。
[化1] 化學式1
[化2] 化學式2
[化3] 化學式3
[化4] 化學式4
[化5] 化學式5
[化學式1～化學式5中的M係金屬離子，在化學式1～化學式3中的X1 ～X4 及在化學式4～化學式5中的X1 ～X2 ，係各自為O、NH、CO2 及S中之任一者；在化學式1中的Y1 ～Y8 及在化學式3～化學式4中的Y1 ～Y4 係各自為CH、N、O及具有取代基的碳原子中之任一者；Y1 ～Y8 鄰接碳原子時，鄰接碳原子之間亦可形成縮合環；在化學式2、化學式3及化學式5中的Z1 ～Z3 及在化學式2中的Z4 ～Z6 ，係各自為選自由O、NH及S所組成的群組中之1個、及選自由CH、N及具有取代基的碳原子所組成的群組中之2個所構成；Z1 ～Z6 係鄰接碳原子時，鄰接碳原子之間亦可形成縮合環；在化學式1～化學式5中的L係軸配位子；在化學式1～化學式5中的k係金屬錯合物的價數，係等於M、X1 ～X4 及L所具有的電荷之總數。]
又，上述化學式1之中，金屬錯合物A1係以化學式6～化學式13所示金屬錯合物中之任一者為特佳。
[化6] 化學式6
[化7] 化學式7
[化8] 化學式8
[化9] 化學式9
在
在上述化學式7中，係將X1 及X3 作為S，並將X2 及X4 作為O，但是此外，X1 及X4 作為S，並將X2 及X3 作為O，亦可將X1 及X2 作為S，並將X3 及X4 作為O，亦可以只有將X1 ～X4 中之一作為O，而將其他作為S。同樣地，在化學式9、11、13，亦可將X1 ～X4的組合如上述變更。
又，在化學式12中，係將Y4 及Y8 作為N，將Y1 ～Y3 、及Y5 ～Y7 作為CH，此外，亦可將Y1 及Y8 作為N，將Y2 ～Y7 作為CH。
又，前述金屬錯合物A4 係例如可以是化學式14～21所示金屬錯合物中之任一者。
[化14] 化學式14
[化15] 化學式15
[化20] 化學式20
[化21] 化學式21
前述金屬錯合物A2 ，係例如可以是化學式22～25所示金屬錯合物中之任一者。
[化22] 化學式22
[化23] 化學式23
[化24] 化學式24
[化25] 化學式25
在上述化學式23中，係將Z1 及Z4 作為S，並將Z2 ～Z3 及Z5 ～Z6 作為CH，此外，亦可將Z1 及Z6 作為S，並將Z2 ～Z5 作為CH。
前述金屬錯合物A3 係例如可以是化學式26～27所示金屬錯合物中之任一者。
[化26] 化學式26
[化27] 化學式27
又，在化學式1中的Y1 ～Y8 的至少1個以上或在化學式3～化學式4中的Y1 ～Y4 的至少1個以上，係具有取代基的碳原子，或是Y1 ～Y8 的鄰接碳原子之間形成縮合環時亦佳。又，化學式2、化學式3及化學式5中的Z1 ～Z3 的至少1個以上，或是化學式2的Z4 ～Z6 的至少1個以上係具有取代基的碳原子，或是Y1 ～Y8 的鄰接碳原子之間形成縮合環時亦佳。
例如，金屬錯合物A1 係以下述的化學式28所示之金屬錯合物為佳，金屬錯合物A4 係以下述化學式29所示之金屬錯合物為佳。
[化28] 化學式28
[化29] 化學式29
在此，化學式28的R1 至R8 的至少1個、化學式29的1至R4 的至少1個係上述的取代基。具體上，可舉出甲基(-CH3 )、乙基(-C2 H5 )、第三丁基(-C(CH3 )3 )等碳數20以下的烷基；將該烷基的碳原子的一部分取代成為N而成之胺烷基；氰基(-CN)；醛(-CHO)、酮(-COR)、羧酸(-COOH)、酯(-COOR)、醯胺(-CONRR’)等的羰基等。其中，就對有機溶劑之溶解性佳而言，以具有除了羧酸以外的羰基為佳。取代基的鍵結位置沒有特別限定，以在R2 、R3 、R6 、R7 的至少一個具有取代基為佳。
此種配位子具體上可例示下述化學式30～37。
[化30] 化學式30
[化31] 化學式31
[化32] 化學式32
[化33] 化學式33
[化34] 化學式34
[化35] 化學式35
[化36] 化學式36
[化37] 化學式37
又，在化學式28的R1 至R8 之相鄰取代基之間、或在化學式29的R1 至R4 之相鄰取代基之間亦可形成縮合環。此時，在縮合環亦可更具有其他的取代基。此種具體例，可例示下述化學式38或化學式39。
[化38] 化學式38
[化39] 化學式39
另外，將本發明之芳香族化合物作為骨架之多牙配位子，係藉由共振結構而安定時即可。因此，例如下述的配位子亦在本發明的範圍內，乃是適合使用。在該化學式40的配位子，因為結構式(a)與(b)係構成共振結構，所以結構式(a)的配位子亦在本發明的範圍內。
[化40] 化學式40
金屬M可舉出例如Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta、Pb等。可只有使用1種類的金類作為M，亦可混合使用2種類以上。
又，上述的化學式1至3、6至13及22至27的化合物係眾所周知，能夠依照在上述專利文獻2所記載的方法製造。又，按照金屬M的種類，依照在上述專利文獻2所記載之製造化學式1的化合物之方法，能夠製造化學式4的化合物，同樣地依照製造化學式2的化合物之方法，能夠製造化學式5的化合物，依照製造化學式13的化合物之方法，能夠製造化學式14至21的化合物。又，化學式30至40的配位子亦是眾所周知或是能夠容易地製造。
(A)成分係上述的化學式1至29時，在形成後述的金屬化合物薄膜圖案時，不會產生裂縫且與基體的黏附性優良。又，因為未產生裂縫，能夠使金屬化合物薄膜圖案較厚。又，能夠形成高解像度且狹小的圖案。
如上述，未產生裂縫的理由係如以下推測。亦即，因為從化學式1～化學式3、及化學式4、5所示之分子結構可以清楚明白，得知上述的金屬錯合物係具有平板的結構，將塗布液塗布在基體上而形成塗膜時，藉由金屬錯合物之間的互相作用，係形成金屬錯合物之間重疊的分子集合結構(堆疊)。又，在配位子所含有的芳香環之間的互相作用亦有助於形成上述的分子集合結構。藉此，認為即便在焙燒時配位子消失，亦能夠抑制在與基體表面平行的方向之體積收縮，能夠抑制產生裂縫或剝離。
而且，該(A)成分係以鹼可溶性成分為佳。藉此，能夠依照先前眾所周知的鹼顯像來進行圖案化。此種(A)成分可適合舉出上述化學式1至29中，X1 至X4 係全部為O時，及同時具有氧原子及酯鍵時。
[感光劑(B)]
本發明的特徵係藉由添加感光劑(B)成分來賦予正型感光性。(B)成分沒有特別限定，(B)成分本身可以是作為溶解抑制劑的功能之非化學放大型系，(B)成分係光酸產生劑且更含有溶劑抑制劑作為(C)成分之化學放大型系之任一者均適合使用。
作為非化學放大型系之感光劑(B)，係以藉由照射紫外線等，來提高(A)成分對鹼性溶液(例如氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液)之溶解性者為佳，以含醌二疊氮基的化合物為佳。
作為含醌二疊氮基的化合物，係具體上可舉出含酚性羥基的化合物與萘醌二疊氮磺酸化合物之完全酯化物或部分酯化物。
上述含酚性羥基的化合物，係具體上可舉出2,3,4-三羥基二苯基酮、2,3,4,4’-四羥基二苯基酮等的多羥基二苯基酮類；參(4-羥苯基)甲烷、雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥苯基)-3-甲氧基-4-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(5-環己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷等的參酚型化合物；2,4-雙(3,5-二甲基-4-羥苄基)-5-羥基苯酚、2,6-雙(2,6-二甲基-4-羥苄基)-4-甲基苯酚等的線型3核體苯酚化合物；1,1-雙[3-(2-羥基-5-甲苄基)-4-羥基-5-環己基苯基]異丙烷、雙[2,5-二甲基-3-(4-羥基-5-甲苄基)-4-羥苯基]甲烷、雙[2,5-二甲基-3-(4-羥苄基)-4-羥苯基]甲烷、雙[3-(3,5-二甲基-4-羥苄基)-4-羥基-5-甲基苯基]甲烷、雙[3-(3,5-二甲基-4-羥苄基)-4-羥基-5-乙基苯基]甲烷、雙[3-(3,5-二乙基-4-羥苄基)-4-羥基-5-甲基苯基]甲烷、雙[3-(3,5-二乙基-4-羥苄基)-4-羥基-5-乙基苯基]甲烷、雙[2-羥基-3-(3,5-二甲基-4-羥苄基)-5-甲基苯基]甲烷、雙[2-羥基-3-(2-羥基-5-甲苄基)-5-甲基苯基]甲烷、雙[4-羥基-3-(2-羥基-5-甲苄基)-5-甲基苯基]甲烷、雙[2,5-二羥基-3-(2-羥基-5-甲苄基)-4-羥苯基]甲烷等的線型4核體苯酚化合物；2,4-雙[2-羥基-3-(4-羥苄基)-5-甲苄基]-6-環己基苯酚、2,4-雙[4-羥基-3-(4-羥苄基)-5-甲苄基]-6-環己基苯酚、2,6-雙[2,5-二甲基-3-(2-羥基-5-甲苄基)-4-羥苄基]-4-甲基苯酚等的線型5核體苯酚化合物等的線型多酚化合物；雙(2,3-三羥苯基)甲烷、雙(2,4-三羥苯基)甲烷、2,3,4-三-羥苯基-4’-羥苯基甲烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(2’,3’,4’-三羥苯基)丙烷、2-(2,4-二羥苯基)-2-(2’,4’-二羥苯基)丙烷、2-(4-羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(3-氟-4-羥苯基)-2-(3’-氟-4’-羥苯基)丙烷、2-(2,4-二羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2,4-二羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羥苯基)-2-(4’-3’,5’-二甲基苯基)丙烷等的雙酚型化合物；1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(4-羥苯基)乙基]丙烷、1-[1-(3-甲基-4-羥苯基)異丙基]-4-[1,1-雙(3-甲基-4-羥苯基)乙基]丙烷等的多核分枝型化合物；1,1-雙(4-羥苯基)環己烷等的縮合型苯酚化合物等。該等可單獨或組合使用2種以上。
又，上述萘醌二疊氮磺酸化合物可舉出萘醌-1,2-二疊氮-5-磺酸或萘醌-1,2-二疊氮-4-磺酸等。
又，其他含醌二疊氮的化合物可舉出例如鄰苯醌二疊氮、鄰萘醌二疊氮、鄰蒽醌二疊氮或鄰萘醌二疊氮磺酸酯類等之該等的環上取代(nuclear substitution)衍生物。
而且，亦可使用鄰醌二疊氮磺醯氯與具有羥基或胺基的化合物(如苯酚、對甲氧基苯酚、二甲基苯酚、氫醌、雙酚A、萘酚、兒茶酚(pyrocatechol)、五倍子酚、五倍子酚一甲基醚、五倍子酚-1,3-二甲基醚、間戊酮酸、使羥基一部分殘留之經酯化或醚化的間戊酮酸、苯胺、對胺基二苯胺等)之反應生成物。該等可單獨或組合使用2種以上。
該等含醌二疊氮基的化合物例如能夠藉由將參酚型化合物與萘醌-1,2-二疊氮-5-磺醯氯或萘醌-1,2-二疊氮-4-磺醯氯在二烷等適當的溶劑中，且在三乙醇胺、碳酸鹼、碳酸氫鹼等鹼的存在下使其縮合，進行完全酯化或部分酯化來製造。含醌二疊氮的化合物係以此種萘醌二疊氮磺酸酯化物為佳。
相對於前述(A)成分，(B)成分的比率以40質量%以下為佳，以20%以下為更佳，以10%為最佳。如此，在本發明，與使用感光性樹脂之先前的系比較，具有能夠以較少的添加量來賦予充分的感光性之特徵。
在化學放大型系中的感光劑(B)，係光酸產生劑，且更含有溶解抑制劑作為(C)成分。(C)成分係具有抑制(A)成分的鹼溶解性之效果，而且藉由照射放射線，藉由(B)成分所產生的酸之作用，溶解抑制劑中的保護基產生解離之化合物。
亦即，藉由將本發明的正型感光性組成物調配(C)成分，能夠抑制使用該正型感光性組成物所得到的光阻膜之曝光前的鹼溶解性。因此，選擇性地將該光阻曝光時，曝光部與未曝光部之間的鹼溶解性之差異(溶解對比)變大，能夠形成解像性或形狀良好的光阻圖案。
(A)成分係具有酸解離性溶解抑制基之成分時，(C)成分亦即溶解抑制劑亦能夠作為含有(A)成分及光酸產生劑(B成分)之2成分系的化學放大型光阻組成物的添加劑。又，(A)成分係未具有酸解離性溶解抑制基之成分時，亦能夠在(A)成分及光酸產生劑(B成分)同時調配(C)成分，而使用作為所謂3成分系的化學放大型的光阻組成物。
作為光酸產生劑，能夠使用鎓鹽、二偶氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、雙碸衍生物、β-酮碸衍生物、二碸衍生物、硝基苯偶醯磺酸鹽衍生物、磺酸酯衍生物、N-羥基醯亞胺化合物的磺酸酯衍生物等眾所周知的酸產生劑。
作為鎓鹽，可舉出：三氟甲磺酸四甲銨、九氟丁磺酸四甲銨、九氟丁磺酸四正丁銨、九氟丁磺酸四苯銨、對甲苯磺酸四甲銨、三氟甲磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基碘鎓、對甲苯磺酸二苯基碘鎓、對甲苯基磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基碘鎓、三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、三氟甲磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶、對甲苯磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、對甲苯磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、對甲苯磺酸參(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、九氟丁磺酸三苯基鋶、丁磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三甲基鋶、對甲苯磺酸三甲基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧基環己基)鋶、對甲苯磺酸環己基甲基(2-側氧基環己基)鋶、三氟甲磺酸二甲基苯基鋶、對甲苯磺酸二甲基苯基鋶、三氟甲磺酸二環己基苯基鋶、對甲苯磺酸二環己基苯基鋶、三氟甲磺酸三萘基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧基環己基)鋶、三氟甲磺酸(2-降基)甲基(2-側氧基環己基)鋶、伸乙基雙[甲基(2-側氧基環己基)鋶三氯甲磺酸鹽]、1,2’-萘基羰基甲基噻吩鎓三氟甲磺酸鹽等。
作為二偶氮甲烷衍生物，可舉出：雙(苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(正丁磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(第二丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(正丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(第三丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(正戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(第二戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(第三戊基磺醯基)二偶氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)二偶氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三戊基磺醯基)二偶氮甲烷、1-第三戊基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)二偶氮甲烷等。
作為乙二肟衍生物，可舉出：雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-O-(正丁磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(正丁磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-O-(正丁磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-O-(正丁磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-O-(正丁磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-O-(甲磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(三氟甲磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(1,1,1-三氟乙磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(第三丁磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(全氟辛磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(環己磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對氟苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(第三丁基苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(二甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(樟腦磺醯基)-α-二甲基乙二肟等。
作為雙碸衍生物，可舉出：雙萘基磺醯基甲烷、雙三氟甲基磺醯基甲烷、雙甲基磺醯基甲烷、雙乙基磺醯基甲烷、雙丙基磺醯基甲烷、雙異丙基磺醯基甲烷、雙對甲苯磺醯基甲烷、雙苯磺醯基甲烷等。
作為β-酮碸衍生物，可舉出：2-環己基羰基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷、2-異丙基磺醯基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷等。
作為二碸衍生物，可舉出：二苯基二碸衍生物、二環己基二碸衍生物等的二碸衍生物等。
作為硝基苯偶醯磺酸鹽衍生物，可舉出：對甲苯磺酸2,6-二硝基苯偶醯、對甲苯磺酸2,4-二硝基苯偶醯等的硝基苯偶醯磺酸鹽衍生物。
作為磺酸酯衍生物，可舉出：1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(對甲苯磺醯氧基)苯等的磺酸酯衍生物。
作為N-羥基醯亞胺化合物的磺酸酯衍生物，可舉出：N-羥基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺乙磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-丙磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-丙磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-戊磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-辛磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺對甲苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞對甲氧基苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-氯乙磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2,4,6-三甲基苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-萘磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-萘磺酸酯、N-羥基-2-苯基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基順丁烯二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基順丁烯二醯亞胺乙磺酸酯、N-羥基-2-苯基順丁烯二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基戊二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基戊二醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺對甲苯磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺對甲苯磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基-5-降烯-2,3-二羧基醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基-5-降烯-2,3-二羧基醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基-5-降烯-2,3-二羧基醯亞胺三氟對甲苯磺酸酯等。
該等的光酸產生劑可單獨使用，亦可組合使用2種以上。該光酸產生劑的添加量係相對於(A)成分，以0.1質量%至50質量%的範圍為佳。
作為(C)成分，以具有酸解離性溶解抑制基，且藉由酸的作用該酸解離性溶解抑制基解離之低分子量化合物為佳。(C)成分的分子量以3000以下為佳，以500～2000為更佳。
作為(C)成分，能夠使用已經使用在化學放大型正型光阻組成物之眾所周知的溶解抑制劑，可舉出例如酚性羥基被酸解離性溶解抑制基保護之苯酚化合物，或是羧基被酸解離性溶解抑制基保護之羧基化合物。在此，「被保護」係意味著酯性羥基或羧基的羥基之至少一個被酸解離性溶解抑制基取代。
藉由被酸解離性溶解抑制基保護，能夠構成(C)成分之具有酚性羥基之苯酚化合物，可舉出具有3～5個酚基之多酚化合物，例如具有羥基作為核取代基之三苯基甲烷系化合物、雙(苯基甲基)二苯基甲烷系化合物、1,1-二苯基-2-聯苯乙烷系化合物等。又，亦能夠使用將選自苯酚、間甲酚、2,5-二甲苯酚的至少1種之苯酚類進行福馬林縮合而得到的2～6核體。
又，藉由被酸解離性溶解抑制基保護，能夠構成(C)成分之具有羧基的羧基化合物可舉出例如聯苯基羧酸、萘(二)羧酸、苯甲醯基苯甲酸、蒽羧酸等。
又，用以保護該等苯酚化合物或羧基化合物的羥基或羧基之酸解離性溶解抑制基，可舉出例如第三丁氧基羰基、第三戊氧基羰基之第三丁氧基羰基、或如第三丁基、第三戊基之第三烷基、或如第三丁氧基羰基甲基、第三戊氧基羰基甲基之第三烷氧基羰基烷基或四氫吡喃基、四氫呋喃基之環狀醚基等。
而且，作為該等(C)成分之較佳化合物，係將使2,5-二甲苯酚與福馬林縮合物縮合而得到的4核體，使用第三烷氧基羰基烷基保護而成者。
該等(C)成分可單獨使用，亦可混合使用2種以上。(C)成分的含量係相對於(A)成分，以1質量%至30質量%為佳，以1質量%至20質量%為更佳。藉由在前述範圍，能夠得到充分的溶解抑制效果。又，圖案形狀變為良好。
[溶劑(D)]
溶劑若是能夠溶解(A)至(E)成分時，沒有特別限定，例如可以是含有醇類(例如2-丙醇、甲醇、乙醇、正丁醇)、醚類(例如二乙醚、MTBE、THF等)、烴(例如辛烷、正己烷、環己烷、苯、甲苯、二甲苯等)、二甲基亞碸、N,N-二甲基甲醯胺、鹵化物(氯仿、二溴甲烷、二氯甲烷等)、酮類(丙酮、甲基乙基酮(MEK)、乙醯丙酮(AcAc)、γ-丁內酯、環己酮、2-庚酮等)、乙酸乙酯、乳酸乙酯、丙二醇一甲基醚乙酸酯、丙二醇一甲基醚、3-甲氧基丁基乙酸酯、水等者。
另外，上述的化學式28及化學式29的化合物之中，特別是化學式30至40的配位子，係適合溶解於乳酸乙酯(EL)、γ-丁內酯(GBL)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)等的有機溶劑，同時圖案化亦良好，特別適合使用於本發明。其中，因為能夠單獨溶解於EL，以在配位子具有化學式31至40之錯合物為佳。
(D)成分的使用量沒有特別限定，能夠按照可塗布在基板等之濃度且按照塗布膜厚度而適當地設定。具體上，正型感光性組成物的固體成分濃度為3質量%～40質量%，以在5質量%～30質量%的範圍內之方式使用為佳。
[其他(E)]
又，本發明之正型感光性組成物亦可含有界面活性劑、或敏化劑、消泡劑等各種添加劑。但是以實質上未含有感光性樹脂為佳。
界面活性劑可以是先前眾所周知者，可舉出陰離子系、陽離子系、非離子系等的化合物。具體上，可舉出X-70-090(商品名、信越化學工業公司製)。藉由添加界面活性劑，能夠提升塗布性、平坦性。敏化劑可以是先前眾所周知之在正型光阻所使用者。可舉出例如分子量1000以下之具有酚性羥基之化合物等。消泡劑可以是先前眾所周知者，可舉出矽系化合物、氟系化合物。
[經圖案化的金屬化合物膜之形成方法]
以下，說明使用上述正型感光性組成物形成經圖案化的金屬化合物膜之方法.本發明的正型感光性組成物，能夠將(A)成分及(B)成分、進而按照必要之(C)成分至(E)成分，藉由先前眾所周知的方法來調製得到。
首先，在塗布製程，於基板等的支撐體上使用旋轉塗布器、輥塗布器、噴霧塗布器、狹縫塗布器等塗布本發明的正型感光性組成物並使其乾燥，來形成感光性組成物層。
接著，在曝光製程透過規定的光罩，進行曝光。該曝光係藉由照射紫外線、準分子雷射光等的活性能量線來進行。該活性能量線的光源可舉出例如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、準分子雷射等。
接著，在顯像製程，係將經曝光的感光性組成物層使用顯像液進行顯像，來形成圖案。顯像液以鹼顯像液為佳，能夠使用0.01質量%～10.0質量%、較佳是0.1質量%～5質量%的氫氧化四甲銨(以下亦稱為TMAH)水溶液。
依照本發明所得到的圖案解像度係詳細如後述的實施例，即便與專利文獻2之添加感光性樹脂時比較亦不遜色，寧可說是能夠提供優良的解像度。
然後，將經圖案化的感光性組成物例如藉由焙燒處理，能夠得到組成式為下述化學式41之金屬化合物薄膜圖案。焙燒溫度係例如以250～1800℃的範圍為佳。250℃以上時，能夠形成堅固且緻密的膜。(A)成分係上述化學式1至29的化合物時，因為焙燒溫度可以是250℃左右的較低溫度，即便在耐熱性較差的基材的表面，亦能夠形成金屬化合物薄膜圖案。又，即便基體係普通玻璃時，亦能夠無底切(undercut)而形成金屬化合物薄膜圖案。而且，焙燒溫度能夠按照金屬M的種類、希望的金屬化合物薄膜結晶相而調整。
[化41]
化學式41
在此，在化學式41之X5 及X6 係在前述X1 ～X4 所含有有的O、N及S中之任一者，l、m及n係各自為X5 、X6 及M的價數。又，x及y係各自為在上述金屬化合物之X5 及X6 的含有率，x與y的和係未大於1之值。
M係使用Ti時，使用本發明的塗布液所形成的金屬化合物(在化學式28，將M作為Ti者)的薄膜係達成光觸媒作用。在此，X5 、X6 任一者都為O時(TiO2 時)係在紫外光的波長區域達成光觸媒作用。又，將X5 、X6 中的至少一方作為S或N時，係能夠在不同的波長區域(例如可見光的區域)達成光觸媒作用。前述M係使用In與Sn的組合、Ga與Zn的組合、Nb與Ti的組合，X5 、X6 係使用O時，使用本發明的塗布液所形成的金屬氧化物薄膜(ITO、Ga-ZnO、Nb-TiO2 )係達成透明導電膜的功能。該等透明導電膜係例如能夠適合使用作為薄型顯示器或太陽電池面板用電子元件。前述M係使用Sn，X5 、X6 係使用O時，使用本發明的塗布液所形成的金屬氧化物薄膜(SnO2 )係達成作為Low-E膜之熱線隔離作用。使用將M作為V，將X5 、X6 作為O之本發明的塗布液，在玻璃的表面形成金屬化合物薄膜(V2 O5 )時，能夠製造調光玻璃。前述M係使用Nb時，使用本發明的塗布液所形成的金屬氧化物薄膜係顯現超親水性。
[實施例] [實施例1]
混合下述的(A)成分及(B)成分來調製本發明的正型感光性組成物。
(A)成分：預先調製使16.5克兒茶酚溶解在200毫升二甲苯而成之溶液，並混合29.2克使用研鉢微細地粉碎而成之乙酸銦。然後，使該混合物回流1小時，隨後，在132℃蒸餾至混合液的量成為一半為止。蒸餾後，使用旋轉式蒸發器在減壓下使殘留的混合液的揮發成分蒸發。殘留的固體成分係進而使用真空乾燥機在真空下加熱至100℃，來完全地除去殘留的揮發成分而得到銦化合物粉末。固體成分的產量為27.7克。
在上述，除了將200毫升二甲苯變更為50毫升二甲苯，將16.5充兒茶酚變更為5.5克兒茶酚，將29.2克乙酸銦變更為10.3克丁氧基錫(IV)以外，與上述同樣地進行，來得到錫化合物粉末。固體成分的產量為8.38克。
將935.7毫克上述銦化合物粉末及62.9毫克錫化合物粉末，溶解於5毫升將乙醯丙酮與甲苯以1：1混合而成之溶劑(D)成分中，而得到金屬離子濃度為0.71M的溶液(化學式6及化學式14)。
在上述溶液(固體成分濃度17.9質量%)，將(B)成分亦即雙(2-甲基-4-羥基-5-環己基苯基)-3,4-二羥苯基甲烷-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯(下述化學式(b)-1)，以固形物換算時，相對於(A)成分之前述(B)成分比率為40質量%(實施例1)、20質量%(實施例2)、10質量%(實施例3)之3階段的方式添加後，使用0.25微米的膜濾器過濾而得到實施例的正型感光性組成物。又，將未調配(B)成分者作為比較例。
[化42] 化學式(b)-1
<試驗例1：溶解抑制效果>
關於實施例1至3、比較例，在3英吋矽晶圓上，以750rpm×20秒旋轉塗布，並進行100℃×1分鐘預烘烤，來形成膜厚度為2000奈米的感光性組成物層。在該狀態浸漬於23℃的2.38質量%之氫氧化四甲銨(TMAH)，來確認溶解速度(奈米/秒)。結果相對於比較例為130奈米/秒，實施例1為80奈米/秒，實施例2為70奈米/秒，實施例3為60奈米/秒，能夠確認實施例的溶解抑制效果。
<試驗例2：圖案化>
關於實施例1，形成與試驗例1同樣的感光性組成物層後，透過光罩圖案並藉由照度為13mW/cm2 的超高壓水銀燈進行密接式曝光，並藉由2.38%TMAH×30秒進行顯像且90℃×1分鐘後烘烤。結果，實施例1能夠以500mJ/cm2 的曝光量進行50微米線的圖案化。又，藉由使曝光量為1000mJ/cm2 時，能夠圖案化至4微米線為止且亦能夠得到充分的黏附性。又，藉由將所得到的圖案在900℃進行焙燒(升溫10℃/分鐘、自然冷卻)1小時，能夠得到ITO金屬化合物薄膜。
<試驗例3：感光劑添加量>
關於實施例1、2，變更曝光條件顯像條件並與試驗例2進行同樣的圖案化。結果，實施例2係以曝光量為1000mJ/cm2 且2.38重量%TMAH×20秒的條件，能夠圖案化至4微米線為止。實施例3係以曝光量為500mJ/cm2 且1.19重量%TMAH×30秒的條件，亦能夠圖案化至4微米線為止。如此，在本發明，得知即便感光劑的添加量為少量的10質量%，亦能夠充分地進行高解像度的圖案化。
[實施例2至16]
以下述表1所示的調配比率，混合(A)成分、(B)成分及(D)成分，來調製正型感光性組成物。關於(A)成分，係除了在溶劑使用1-甲基-2-吡咯啶酮代替實施例1的二甲苯以外，藉由與實施例1同樣的方法進行合成操作。實施例5、7-15、18、19係將乙酸銦與乙酸錫(II)以莫耳比18：1混合而成者代替實施例1的乙酸銦，並以銦與錫的總量對配位子的莫耳比為1：1的方式添加。實施例2係將乙酸錫(IV)、實施例3係將乙酸錫(II)以錫：配位子的莫耳比為1：2的方式添加。實施例16係將四異丙氧基鈦以鈦與配位子的莫耳比為1：2的方式添加。實施例17係將乙酸錫(II)與五乙氧基鉭(V)以莫耳比97.5：2.5混合而成者，以銦與鉭的總量與配位子的莫耳比為1：1.025的方式添加。又，實施例2~18的感光劑亦即(B)成分係使用與實施例1相同者，實施例19的感光劑係使用下述化學式(b)-2所示之在2,3,4,4’-四羥基二苯基酮的羥基加添3.5莫耳萘醌二疊氮而成之化合物。又，調整組成物方法係依照實施例1進行。評價係依照上述試驗例1、2來評價膜厚度及圖案化之解像度。而且，顯像溫度為23℃。整理其結果如表2所示。又，實施例8、12係依照試驗例2進行焙燒並測定電阻值。
如表2所示，得知在實施例2至19，任一者都能夠得到高解像度的圖案化。又，得知實施例8、12能夠得到充分的低電阻值，能夠利用作為經圖案化的透明導電膜。

Claims (12)

  1. 一種正型感光性組成物，其係含有藉由塗布後的焙燒處理而能夠形成金屬化合物薄膜的金屬錯合物成分(A)及感光劑(B)，前述(A)成分係含有選自由下述化學式1所示之金屬錯合物A1 、化學式2所示之金屬錯合物A2 、化學式3所示之金屬錯合物A3 、化學式4所示之金屬錯合物A4 及化學式5所示之金屬錯合物A5 所組成的群組中之1種以上， [化3]化學式3 [化學式1~化學式5中的M係金屬離子，在化學式1~化學式3中的X1 ~X4 及在化學式4~化學式5中的X1 ~X2 ，係各自為O、NH、CO2 及S中之任一者；在化學式1中的Y1 ~Y8 及在化學式3~化學式4中的Y1 ~Y4 係各自為CH、N、O及具有取代基的碳原子中之任一者；Y1 ~Y8 鄰接碳原子時，鄰接碳原子之間亦可形成縮合環；在化學式2、化學式3及化學式5中的Z1 ~Z3 及在化學式2中的Z4 ~Z6 ，係各自為選自由O、NH及S所組成的群組 中之1個、及選自由CH、N及具有取代基的碳原子所組成的群組中之2個所構成；Z1 ~Z6 係鄰接碳原子時，鄰接碳原子之間亦可形成縮合環；在化學式1~化學式5中的L係軸配位子；在化學式1~化學式5中的k係金屬錯合物的價數，係等於M、X1 ~X4 及L所具有的電荷之總數]。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其係實質上未含有感光性樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其中前述M，係選自由Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、In、Sn、Eu、Ta及Pb所組成的群組中之1種以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其中前述金屬錯合物A1 ，係化學式6~化學式13所示之金屬錯合物中的任一者；或是，前述金屬錯合物A4 ，係化學式14~21所示之金屬錯合物中的任一者， [化7]化學式7 [化11]化學式11 [化15]化學式15 [化19] 。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其中前述(A)成分係鹼可溶性成分。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其中前述(B)成分係含有使含醌二疊氮基的化合物與含酚性羥基的化合物縮合而成之化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之正型感光性組成物，其中以固形物換算時，相對於前述(A)成分之前述(B)成分的 比率為40質量%以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之正型感光性組成物，其中前述(B)成分係光酸產生劑，且更含有溶解抑制劑來作為(C)成分。
  9. 一種正型感光性組成物，其係含有藉由塗布後的焙燒處理而能夠形成金屬化合物薄膜的金屬錯合物成分(A)及感光劑(B)，且實質上未含有感光性樹脂，前述(B)成分係含有使含醌二疊氮基的化合物與含酚性羥基的化合物縮合而成之化合物。
  10. 一種透明導電膜，其係使用如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之正型感光性組成物並圖案化而成。
  11. 一種電子元件，其係將使用如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之正型感光性組成物並圖案化而成的透明導電膜，作為構成要素。
  12. 一種金屬化合物薄膜圖案之製造方法，其係包括下列製程：塗布製程，係將申請專利範圍第1至9項中任一項所述之正型感光性組成物塗布於支撐體上，形成感光性組成物層；曝光製程，係將前述感光性組成物層進行曝光；顯像製程，係將經曝光之前述感光性組成物層進行顯像，獲得經圖案化的感光性組成物層；以及焙燒製程，係將經圖案化的感光性組成物層進行焙燒，獲得金屬化合物薄膜圖案。
TW098116045A 2008-05-14 2009-05-14 Positive photosensitive composition TWI477896B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008126793 2008-05-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201011463A TW201011463A (en) 2010-03-16
TWI477896B true TWI477896B (zh) 2015-03-21

Family

ID=41318787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098116045A TWI477896B (zh) 2008-05-14 2009-05-14 Positive photosensitive composition

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8426107B2 (zh)
JP (1) JP5238023B2 (zh)
KR (1) KR101274840B1 (zh)
CN (1) CN102027414B (zh)
TW (1) TWI477896B (zh)
WO (1) WO2009139421A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2053022A1 (en) * 2006-07-13 2009-04-29 Central Japan Railway Company Coating solution, titanium oxide thin film formed using the coating solution, and method for formation of thin film
JP5627195B2 (ja) * 2009-04-27 2014-11-19 東海旅客鉄道株式会社 感光性組成物、感光性金属錯体、塗布液、及び金属酸化物薄膜パターンの製造方法
US9176377B2 (en) 2010-06-01 2015-11-03 Inpria Corporation Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
US9310684B2 (en) * 2013-08-22 2016-04-12 Inpria Corporation Organometallic solution based high resolution patterning compositions
GB201413924D0 (en) * 2014-08-06 2014-09-17 Univ Manchester Electron beam resist composition
EP3224266B1 (en) * 2014-11-26 2021-03-03 Lockheed Martin Energy, LLC Metal complexes of substituted catecholates and redox flow batteries containing the same
US20160312365A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Kanto Gakuin School Corporation Electroless plating method and electroless plating film
EP3360933A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-15 Evonik Degussa GmbH Direkt-strukturierbare formulierungen auf der basis von metalloxid-prekursoren zur herstellung oxidischer schichten
EP3410208A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-05 Evonik Degussa GmbH Device containing metal oxide-containing layers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05116454A (ja) * 1991-10-28 1993-05-14 Rohm Co Ltd 金属酸化物薄膜のパターン形成法
JPH09263969A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Mitsubishi Materials Corp 金属酸化物薄膜ポジ型パターンの形成方法
JP2003255522A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd ポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法
JP2006344479A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3920958B2 (ja) 1995-12-28 2007-05-30 大日本印刷株式会社 着色透明導電膜の形成方法及び表示装置
JP3007961B2 (ja) 1998-03-13 2000-02-14 工業技術院長 金属酸化物薄膜の製造方法
JPH11278869A (ja) 1998-03-27 1999-10-12 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd パターン化された透明導電膜およびその製造方法
JP3806560B2 (ja) 1999-11-16 2006-08-09 住友大阪セメント株式会社 感光性透明導電膜形成用塗布液、パターン化された透明導電膜および該透明導電膜の製造方法
JP2002015631A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 感光性透明導電膜形成用塗布液、パターン化された透明導電膜および該透明導電膜の製造方法
JP3995909B2 (ja) 2001-03-28 2007-10-24 住友大阪セメント株式会社 透明導電膜形成用ペーストとそれを用いた透明導電膜及びその製造方法
CN1831568A (zh) * 2005-03-09 2006-09-13 柯尼卡美能达精密光学株式会社 防眩目性膜、防眩目性膜的制法、防眩目性防反射膜、偏振片及显示装置
US7498117B2 (en) * 2005-10-31 2009-03-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for radiation imaging by in-situ particle formation
US7754413B2 (en) * 2006-03-10 2010-07-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color forming composition with enhanced image stability
EP2053022A1 (en) 2006-07-13 2009-04-29 Central Japan Railway Company Coating solution, titanium oxide thin film formed using the coating solution, and method for formation of thin film

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05116454A (ja) * 1991-10-28 1993-05-14 Rohm Co Ltd 金属酸化物薄膜のパターン形成法
JPH09263969A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Mitsubishi Materials Corp 金属酸化物薄膜ポジ型パターンの形成方法
JP2003255522A (ja) * 2002-02-27 2003-09-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd ポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法
JP2006344479A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110003585A (ko) 2011-01-12
JPWO2009139421A1 (ja) 2011-09-22
WO2009139421A1 (ja) 2009-11-19
US8426107B2 (en) 2013-04-23
KR101274840B1 (ko) 2013-06-13
CN102027414A (zh) 2011-04-20
CN102027414B (zh) 2013-07-17
US20110064913A1 (en) 2011-03-17
TW201011463A (en) 2010-03-16
JP5238023B2 (ja) 2013-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI477896B (zh) Positive photosensitive composition
JP4575214B2 (ja) レジスト下層膜材料およびパターン形成方法
JP4575220B2 (ja) レジスト下層膜材料およびパターン形成方法
JP4659678B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4539845B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4662052B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7303855B2 (en) Photoresist undercoat-forming material and patterning process
JP4662063B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4466854B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7358025B2 (en) Photoresist undercoat-forming material and patterning process
JP4105036B2 (ja) レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4355943B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4496432B2 (ja) フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4252872B2 (ja) レジスト下層膜材料およびパターン形成方法
JP4013058B2 (ja) パターン形成方法及び下層膜形成材料
TW201722905A (zh) 化合物、樹脂、阻劑組成物或輻射敏感性組成物、阻劑圖型形成方法、非晶質膜之製造方法、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、電路圖型之形成方法及純化方法
US20170349564A1 (en) Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method
JP2005010431A (ja) レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4638378B2 (ja) レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
US7427464B2 (en) Patterning process and undercoat-forming material
TW201235782A (en) Positive lift-off resist composition and patterning process
JP4355643B2 (ja) レジスト下層膜材料およびパターン形成方法
TW200421020A (en) Positive photoresist composition and method for forming resist pattern
TWI287173B (en) Positive photoresist composition for manufacturing substrate and method for forming resist pattern