TWI476256B - 塗料組合物 - Google Patents

塗料組合物 Download PDF

Info

Publication number
TWI476256B
TWI476256B TW098138487A TW98138487A TWI476256B TW I476256 B TWI476256 B TW I476256B TW 098138487 A TW098138487 A TW 098138487A TW 98138487 A TW98138487 A TW 98138487A TW I476256 B TWI476256 B TW I476256B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
bis
acid
group
composition
pag
Prior art date
Application number
TW098138487A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201026798A (en
Inventor
Francis Houlihan
Lin Zhang
Alberto Dioses
Meng Li
Original Assignee
Az Electronic Materials Usa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Az Electronic Materials Usa filed Critical Az Electronic Materials Usa
Publication of TW201026798A publication Critical patent/TW201026798A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI476256B publication Critical patent/TWI476256B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C307/00—Amides of sulfuric acids, i.e. compounds having singly-bound oxygen atoms of sulfate groups replaced by nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups
    • C07C307/02—Monoamides of sulfuric acids or esters thereof, e.g. sulfamic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/006—Anti-reflective coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
    • C07C309/09—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing etherified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C07C309/10—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing etherified hydroxy groups bound to the carbon skeleton with the oxygen atom of at least one of the etherified hydroxy groups further bound to an acyclic carbon atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/01—Sulfonic acids
    • C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C309/19—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of a saturated carbon skeleton containing rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C317/00—Sulfones; Sulfoxides
    • C07C317/02—Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C317/04—Sulfones; Sulfoxides having sulfone or sulfoxide groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12—Sulfonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D285/00—Heterocyclic compounds containing rings having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D275/00 - C07D283/00
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
    • G03F7/0955—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer one of the photosensitive systems comprising a non-macromolecular photopolymerisable compound having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
    • C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
    • C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/115—Cationic or anionic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/122—Sulfur compound containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
    • Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

塗料組合物
本發明關於可用作多層系統中之塗層之水性可顯影塗料組合物及在其中使用之新化合物。
在若干工業(例如，清漆、印刷油墨、塗料及微影市場)中，將多層系統與多種基板結合使用。在一些情況下，此等系統含有酸可固化樹脂。酸可固化樹脂組合物含有至少一能夠進行酸催化聚縮合之組份。此等材料為熟習此項技術者所熟知，其在工業上大量生產且其材料性質經修改以適用於大量應用。在一些情況下，材料交聯以形成塗層。酸可固化樹脂組合物可含有(例如)醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、胍胺樹脂、酚系樹脂、聚酯樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂、乙烯醚、乙烯酯、苯乙烯/經取代之苯乙烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂及其混合物。混合物之實例包括(但不限於)三聚氰胺/(甲基)丙烯酸樹脂、三聚氰胺/聚酯樹脂、三聚氰胺/醇酸樹脂、乙烯醚/(甲基)丙烯酸樹脂、乙烯醚/經取代之苯乙烯樹脂及其類似者。其中使用多層系統之一實例為微影蝕刻或光微影工業。
光阻組合物在微影蝕刻製程中用於製造小型化電子組件(諸如在電腦晶片及積體電路之製造中)。通常，在此等製程中，首先將光阻組合物之膜之薄塗層塗覆至基板材料，諸如用於製造積體電路之矽晶圓。接著烘焙經塗布之基板以蒸發光阻組合物中之任何溶劑且將塗層固定於基板上。接著使基板之經烘焙且經塗布之表面經受成像曝光於輻射。輻射曝光在經塗布之表面之曝光區域中引起化學轉化。可見光、紫外線(UV)光、電子束及X射線輻射能量為現今在微影蝕刻製程中常用之輻射類型。在此成像曝光後，藉由顯影液處理經塗布之基板以溶解並移除光阻之輻射曝光區域或未曝光區域。
存在兩種類型之光阻組合物：負型光阻組合物及正型光阻組合物。當正型光阻組合物被成像曝光於輻射時，光阻組合物之曝光於輻射之區域變為可溶於顯影液而光阻塗層之未曝光區域保持相對不可溶於此溶液。因此，藉由顯影劑處理經曝光之正型光阻引起移除光阻塗層之曝光區域及在塗層中形成正影像，藉此露出沈積有光阻組合物之下伏基板表面之所要部分。在負型光阻中，顯影劑移除未曝光之部分。
半導體裝置之小型化趨勢已導致使用對愈來愈短之輻射波長敏感的新型光阻，且亦導致使用複雜的多級系統以克服與該小型化相關聯之困難。
在此等多級或多層系統中，在光微影術中使用高吸收性抗反射塗料係減少由來自高反射性基板之光之背反射引起之問題的較簡單方法。將可顯影底部抗反射塗料塗覆於基板上且接著將一層光阻塗覆於抗反射塗層之上。成像曝光且顯影光阻。亦可藉由與通常用來顯影光阻之顯影液相同之水性鹼性顯影液來顯影可顯影底部抗反射塗料。此外，多層系統中亦使用障壁塗料或頂部抗反射塗料或浸漬保護塗料。
通常在高於室溫之溫度下烘焙在塗料工業中使用之調配物。焙烘溫度可視塗覆之塗料之類型及其所要用途而變化。在一些情況下，具有一種含有具低分解溫度(此溫度又與低焙烘溫度有關)之熱酸產生劑之塗料為有益的。
本發明關於抗反射塗料組合物，其包含具有染料或發色團部分及交聯官能度之聚合物、可選交聯組份及一或多種具有下式之光敏性化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。一些實施例包括其中p為2至6且當同一化合物上存在G1與G2之混合物時的實施例；舉例而言，，其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
本發明關於正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中抗反射塗料組合物包含聚合物及一或多種具有下式之化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。一些實施例包括其中p為2至6且當同一化合物上存在G1與G2之混合物時的實施例；舉例而言，，其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
本發明亦關於與至少一種其他塗料組合物結合使用之第一塗料組合物，其中第一塗料組合物包含聚合物及一或多種具有下式之光敏性化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。
本發明亦關於正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中抗反射塗料組合物由(a)及(b)溶劑組成，其中(a)為：
(a1)至少一種式(1)化合物與至少一種式(2)化合物之混合物，
或
(a2)至少一種式(5)化合物，
其中PAG為光酸產生劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其中至少一PAG含有發色團部分。組合物可進一步包含選自以下各者及其混合物之化合物
其中Q為抑止劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。此外，組合物亦可包含熱酸產生劑。
本發明亦關於選自下群之化合物，
其中PAG為光酸產生劑，Q為抑止劑，其中每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其限制條件為，甲苯磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯鋶、三氟甲磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、全氟-1-丁磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、10-樟腦磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶及環己烷氨基苯磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶除外。
本發明亦關於經塗布之基板，其中一層發明性塗料組合物塗布於另一塗層之上或之下，在一些情況下一層發明性塗料組合物位於兩個其他層之間。
本發明亦關於形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使用水性鹼性顯影劑來顯影影像；e)視情況在顯影前及顯影後加熱基板，及f)乾式蝕刻抗反射塗層。
本發明亦關於形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之底部光可成像抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使光阻及抗反射塗料層成像曝光於相同波長之光化輻射；e)曝光後烘焙基板上之光阻及抗反射塗料層；及f)用鹼性水溶液顯影光阻及抗反射塗料層。
本發明關於抗反射塗料組合物，其包含具有染料或發色團部分及交聯官能度之聚合物、可選交聯組份及一或多種具有下式之光敏性化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。一些實施例包括其中p為2至6且當同一化合物上存在G1與G2之混合物時的實施例；舉例而言，，其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
本發明關於正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中抗反射塗料組合物包含聚合物及一或多種具有下式之化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。一些實施例包括其中p為2至6且當同一化合物上存在G1與G2之混合物時的實施例；舉例而言，，其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
本發明亦關於與至少一種其他塗料組合物結合使用之第一塗料組合物，其中第一塗料組合物包含聚合物及一或多種具有下式之光敏性化合物，
其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。
本發明亦關於正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中抗反射塗料組合物由(a)及(b)溶劑組成，其中(a)為：
(a1)至少一種式(1)化合物與至少一種式(2)化合物之混合物，
或
(a2)至少一種式(5)化合物，
其中PAG為光酸產生劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其中至少一PAG含有發色團部分。組合物可進一步包含選自以下各者及其混合物之化合物，
其中Q為抑止劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。此外，組合物亦可包含熱酸產生劑。
本發明亦關於選自下群之化合物，
其中PAG為光酸產生劑，Q為抑止劑，其中每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其限制條件為，甲苯磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯鋶、三氟甲磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、全氟-1-丁磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、10-樟腦磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶及環己烷氨基苯磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶除外。
本發明亦關於經塗布之基板，其中一層發明性塗料組合物塗布於另一塗層之上或之下，在一些情況下，一層發明性塗料組合物位於兩個其他層之間。
本發明亦關於形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使用水性鹼性顯影劑來顯影影像；e)視情況在顯影前及顯影後加熱基板，及f)乾式蝕刻抗反射塗層。
本發明亦關於形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之底部光可成像抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使光阻及抗反射塗料層成像曝光於相同波長之光化輻射；e)曝光後烘焙基板上之光阻及抗反射塗料層；及f)藉由鹼性水溶液顯影光阻及抗反射塗料層。
PAG係指光酸產生劑且Q係指抑止劑，其包括抑止劑及光可分解抑止劑。
舉例而言，適用於本文中的PAG包括，
(i)式(P1a)、(P1b)、(P1c)、(P1d)、(P1e)、(P1f)之鎓(不包括銨)鹽，
(ii)式(P2)之重氮甲烷衍生物，
(iii)式(P3)之乙二肟衍生物，
(iv)式(P4)之雙碸(bissulfone)衍生物，
(v)式(P5)之N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯，
(vi)β-酮磺酸衍生物，
(vii)二碸(disulfone)衍生物，
(viii)磺酸硝基苯甲酯衍生物，
(ix)磺酸酯衍生物，
(x)式(P6)之苯甲氧基磺醯基苯衍生物。
詳細描述此等酸產生劑。
(i)式(P1a)或(P1b)之鎓鹽：
其中Ar為具有6至20個碳原子之未經取代或經取代之芳基；R10b 及R10c 獨立地表示具有6至20個碳原子之未經取代或經取代之直鏈、支鏈或環狀烷基、烯基、芳基，具有7至12個碳原子之芳烷基或芳基氧代烷基(aryloxoalkyl group)，視情況含有一或多個O原子之直鏈、支鏈或環狀烷基或烯基。又，R10b 及R10c 可一起形成環。當R10b 及R10c 形成環時，R10b 及R10c 各為具有1至6個碳原子之伸烷基。A- 為陰離子。
R10b 及R10c 可為相同或不同的且在下文中加以說明。例示性且非限制性烷基包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、環戊基、環己基、環庚基、環丙基甲基、4-甲基環己基、環己基甲基、降基及金剛烷基。例示性且非限制性烯基包括乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基及環己烯基。例示性且非限制性芳基包括：苯基、萘基及蒽基；烷氧基苯基，諸如對甲氧基苯基、間甲氧基苯基、鄰甲氧基苯基、乙氧基苯基、對第三丁氧基苯基及間第三丁氧基苯基；烷基苯基，諸如2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-丁基苯基及二甲基苯基；烷基萘基，諸如甲基萘基及乙基萘基；烷氧基萘基，諸如甲氧基萘基及乙氧基萘基；二烷基萘基，諸如二甲基萘基及二乙基萘基；及二烷氧基萘基，諸如二甲氧基萘基及二乙氧基萘基。例示性且非限制性芳烷基包括苯甲基、苯基乙基及苯乙基。例示性且非限制性芳基氧代烷基為2-芳基-2-氧代乙基，諸如2-苯基-2-氧代乙基、2-(1-萘基)-2-氧代乙基及2-(2-萘基)-2-氧代乙基。由A- 表示之陰離子之非限制性實例包括：氟烷基磺酸鹽離子，諸如三氟甲磺酸鹽、1,1,1-三氟乙磺酸鹽及九氟丁磺酸鹽；芳基磺酸鹽離子，諸如甲苯磺酸鹽、苯磺酸鹽、4-氟苯磺酸鹽及1,2,3,4,5-五氟苯磺酸鹽；烷基磺酸鹽離子，諸如甲磺酸鹽及丁磺酸鹽；(Rf1SO2 )3 C- 及(Rf1SO2 )2 N- ，其中每一Rf1為獨立地選自由高度氟化或全氟化烷基或氟化芳基組成之群且可為環狀(當任何兩個Rf1基團鍵聯以形成橋時)，此外，Rf1烷基鏈含有1至20個碳原子且可為直鏈、支鏈或環狀以使得主鏈可雜有氧、三價氮或六價硫，此外，當Rf1含有環狀結構時，此結構具有5或6個環成員，視情況，其中1或2個環成員為雜原子；及，其中Rf2係選自由直鏈或支鏈(CF2 )j (其中j為整數4至10)及視情況經全氟C1-10 烷基取代之C1 -C12 環全氟烷基組成之群，Rg係選自由C1 -C20 直鏈、支鏈、單環烷基或聚環烷基，C1 -C20 直鏈、支鏈、單環烯基或聚環烯基，芳基及芳烷基組成之群，烷基、烯基、芳烷基及芳基為未經取代或經取代的，視情況含有一或多個聯鏈雜原子，經部分氟化或全氟化。此等陰離子Xi2之實例包括(C2 F5 SO2 )2 N- 、(C4 F9 SO2 )2 N- 、(C8 F17 SO2 )3 C- 、(CF3 SO2 )3 C- 、(CF3 SO2 )2 N- 、(CF3 SO2 )2 (C4 F9 SO2 ) C- 、(C2 F5 SO2 )3 C- 、(C4 F9 SO2 )3 C- 、(CF3 SO2 )2 (C2 F5 SO2 ) C- 、(C4 F9 SO2 )(C2 F5 SO2 )2 C- 、(CF3 SO2 )(C4 F9 SO2 ) N- 、[(CF3 )2 NC2 F4 SO2 ]2 N- 、(CF3 )2 NC2 F4 SO2 C- (SO2 CF3 )2 、(3,5-雙(CF3 ) C6 H3 ) SO2 N- SO2 CF3 、C6 F5 SO2 C- (SO2 CF3 )2 、C6 F5 SO2 N- SO2 CF3 、
CF3 CHFO(CF2 )4 SO3 - 、CF3 CH2 O(CF2 )4 SO3 - 、CH3 CH2 O(CF2 )4 SO3 - 、CH3 CH2 CH2 O(CF2 )4 SO3 - 、CH3 O(CF2 )4 SO3 - 、C2 H5 O(CF2 )4 SO3 - 、C4 H9 O(CF2 )4 SO3 - 、C6 H5 CH2 O(CF2 )4 SO3 - 、C2 H5 OCF2 CF(CF3 ) SO3 - 、CH2 =CHCH2 O(CF2 )4 SO3 - 、CH3 OCF2 CF(CF3 ) SO3 - 、C4 H9 OCF2 CF(CF3 ) SO3 - 、C8 H17 O(CF2 )2 SO3 - 及C4 H9 O(CF2 )2 SO3 - 。
此處，Ar為如上所定義，R12a 及R12b 獨立地表示與R10b 相同之含義。R13 表示視情況含有一或多個O原子之具有1至10碳原子之直鏈、支鏈或環狀伸烷基。A- 為如上文所描述之陰離子。由R13 表示之基團之例證為亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、1,4-伸環己基、1,2-伸環己基、1,3-伸環戊基、1,4-伸環辛基及1,4-環己烷二亞甲基。
其中Ar為如上所定義，R10b 及R10c 獨立地為如上所定義，且X-2 為Q-R500 -SO3 - ，其中Q係選自- O3 S、- O2 C或- J；R500 為選自直鏈或支鏈烷基、環烷基、芳基或其組合之基團，其視情況含有聯鏈雜原子，其中烷基、環烷基及芳基為未經取代的或經一或多個基團取代，該一或多個基團選自由鹵素、未經取代或經取代之烷基、未經取代或經取代之C1-8 全氟烷基、羥基、氰基、硫酸根及硝基組成之群；且J為氟離子、氯離子、溴離子或碘離子。
其中每一R10b 獨立地為如上所定義或為氫；b及c獨立地為0至4；且A- 為如上文所描述之陰離子。
(ii)式(P2)之重氮甲烷衍生物
此處，R15 及R16 獨立地表示視情況含有一或多個O原子之未經取代或經取代之直鏈、支鏈或環狀烷基，或具有1至12個碳原子之鹵化烷基，具有6至20個碳原子之未經取代或經取代之芳基或鹵化芳基，或具有7至12個碳原子之未經取代或經取代之芳烷基。
在由R15 及R16 表示之基團中，例示性烷基包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、戊基(pentyl)、己基、庚基、辛基、戊基(amyl)、環戊基、環己基、環庚基、降基及金剛烷基。例示性鹵化烷基包括三氟甲基、1,1,1-三氟乙基、1,1,1-三氯乙基及九氟丁基。例示性芳基包括苯基；烷氧基苯基，諸如對甲氧基苯基、間甲氧基苯基、鄰甲氧基苯基、乙氧基苯基、對第三丁氧基苯基及間第三丁氧基苯基；及烷基苯基，諸如2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-丁基苯基及二甲基苯基。例示性鹵化芳基包括氟苯基、氯苯基及1,2,3,4,5-戊氟苯基。例示性芳烷基包括苯甲基及苯乙基。
(iii)式(P3)之乙二肟衍生物
此處，R17 、R18 及R19 獨立地表示具有1至12個碳原子之未經取代或經取代之直鏈、支鏈或環狀烷基或鹵化烷基，具有6至20個碳原子之未經取代或經取代之芳基或鹵化芳基，或具有7至12個碳原子之未經取代或經取代之芳烷基。又，R18 及R19 可一起形成環。當R18 及R19 形成環時，R18 及R19 各為具有1至6個碳原子之未經取代或經取代之直鏈或支鏈伸烷基。
由R17 、R18 及R19 表示之烷基、鹵化烷基、芳基、鹵化芳基及芳烷基之說明性實例與關於R15 及R16 所例示的相同。由R18 及R19 表示之伸烷基之實例包括亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基及伸己基。
(iv)式(P4)之雙碸衍生物
此處，R10b 為如上所定義。
(v)式(P5)之N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯
此處，R20 為具有6至10個碳原子之伸芳基、具有1至6個碳原子之伸烷基或具有2至6個碳原子之亞烯基，其中一些或所有氫原子可由具有1至4個碳原子之直鏈或支鏈烷基或烷氧基、硝基、乙醯基或苯基置換。R21 為具有1至8個碳原子之直鏈、支鏈或環狀烷基；烯基；烷氧烷基；苯基或萘基，其中一些或所有氫原子可由具有1至4個碳原子之烷基或烷氧基、苯基(其可經具有1至4個碳原子之烷基或烷氧基、硝基或乙醯基取代)、具有3至5個碳原子之雜芳族基或氯原子或氟原子置換。
在由R20 表示之基團中，例示性伸芳基包括1,2-伸苯基及1,8-伸萘基；例示性伸烷基包括亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、苯基伸乙基及降烷-2,3-二基；且例示性亞烯基包括1,2-伸乙烯基、1-苯基-1,2-伸乙烯基及5-降冰片烯-2,3-二基。在由R21 表示之基團中，例示性烷基與關於R10b 至R10c 所例示的相同；例示性烯基包括乙烯基、1-丙烯基、烯丙基、1-丁烯基、3-丁烯基、異戊二烯基(isoprenyl)、1-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、二甲基烯丙基、1-己烯基、3-己烯基、5-己烯基、1-庚烯基、3-庚烯基、6-庚烯基及7-辛烯基；且例示性烷氧烷基包括甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基、戊氧基甲基、己氧基甲基、庚氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、丙氧基乙基、丁氧基乙基、戊氧基乙基、己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、丙氧基丙基、丁氧基丙基、甲氧基丁基、乙氧基丁基、丙氧基丁基、甲氧基戊基、乙氧基戊基、甲氧基己基及甲氧基庚基。
在此等基團上之取代基中，具有1至4個碳原子之烷基包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基及第三丁基；具有1至4個碳原子之烷氧基包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基及第三丁氧基；可經具有1至4個碳原子之烷基或烷氧基、硝基或乙醯基取代之苯基包括苯基、甲苯基、對第三丁氧基苯基、對乙醯基苯基及對硝苯基；具有3至5個碳原子之雜芳族基包括吡啶基及呋喃基。
(x)式(P6)之苯甲氧基磺醯基苯衍生物
其中R10h 及R10j 獨立地表示與R10b 相同之含義。
酸產生劑之說明性且非限制性實例包括：
‧鎓鹽，諸如三氟甲磺酸二苯基錪鎓、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基錪鎓、對甲苯磺酸二苯基錪鎓、對甲苯磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基錪鎓、三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、三氟甲磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶、對甲苯磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、對甲苯磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、對甲苯磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、單氟丁磺酸三苯基鋶、丁磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三甲基鋶、對甲苯磺酸三甲基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-氧代環己基)鋶、對甲苯磺酸環己基甲基(2-氧代環己基)鋶、三氟甲磺酸二甲基苯基鋶、對甲苯磺酸二甲基苯基鋶、三氟甲磺酸二環己基苯基鋶、對甲苯磺酸二環己基苯基鋶、三氟甲磺酸三萘基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-氧代環己基)鋶、三氟甲磺酸(2-降基)甲基(2-氧代環己基)鋶、伸乙基雙[三氟甲磺酸甲基(2-氧代環戊基)鋶]、三氟甲磺酸1,2'-萘基羰基甲基四氫噻吩鎓、全氟丁磺酸雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、全氟丁磺酸雙[2-甲基金剛烷基-乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、全氟丁磺酸雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]壬基甲氧基苯基]苯基鋶、全氟甲磺酸雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基-磺醯基)醯亞胺雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]壬基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)-醯亞胺雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、(全氟甲基-磺醯基)(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基-磺醯基)醯亞胺雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]壬基甲氧基-苯基]苯基鋶、參(三氟甲基-磺醯基)甲基化雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶、全氟甲磺酸雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、(全氟甲基磺醯基)(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基磺醯基)醯亞胺雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、參(三氟甲基磺醯基)甲基化雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4-乙醯氧基苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁烷-磺酸雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、全氟甲磺酸雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基-甲氧基-苯基]苯基鋶、(全氟甲基-磺醯基)(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[2-甲基金剛烷基-乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基磺醯基)醯亞胺雙[2-甲基金剛烷基-乙醯氧基甲氧基-苯基]苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[2-甲基金剛烷基-乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、參(三氟甲基-磺醯基)甲基化雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基-甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶、4-丙氧基-全氟丁烷-磺酸雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]壬基甲氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺雙[4-羥基苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺雙[4-羥基苯基]苯基鋶、(全氟甲基磺醯基)(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-羥基苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基-磺醯基)醯亞胺雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、雙(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、參(三氟甲基-磺醯基)甲基化雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、全氟丁磺酸雙[4-羥基苯基]苯基鋶、全氟甲烷-磺酸雙[4-羥基苯基]-苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基-磺醯基)醯亞胺雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶、(全氟甲基磺醯基)(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基磺醯基)醯亞胺雙[4-五氟-苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶、參(三氟甲基磺醯基)甲基化雙[4-五氟苯磺醯基-氧基苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[4-五氟苯磺醯基-氧基苯基]苯基鋶、全氟丁磺酸雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶、全氟甲烷-磺酸雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶、雙(全氟乙基磺醯基)醯亞胺雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)-苯基]苯基鋶、(全氟甲基磺醯基)(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4-(3,5-二(三氟-甲基)苯-磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基磺醯基)醯亞胺雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基-氧基)苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、參(三氟甲基磺醯基)甲基化雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4-(3,5-二(三氟-甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、全氟丁磺酸雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、全氟甲烷-磺酸雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基-氧基)苯基]苯基鋶、雙(全氟-乙基-磺醯基)醯亞胺雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、雙(三氟甲基-磺醯基)醯亞胺雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、(全氟甲基磺醯基)(全氟丁基磺醯基)醯亞胺雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、雙(全氟丙基-磺醯基)醯亞胺雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、雙(全氟丁基-磺醯基)醯亞胺雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、參(三氟甲基磺醯基)甲基化雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、4-(1,1,1,2-四氟乙氧基)全氟丁磺酸雙[4-三氟甲基-磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、4-丙氧基全氟丁磺酸雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、全氟丁磺酸雙[4-三氟甲基-磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、全氟甲磺酸雙[4-三氟甲基磺醯基氧基)苯基]苯基鋶、全氟丁烷-1，4-二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯鋶、甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)三苯基鋶、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(三苯基鋶)、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(三苯基鋶)、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)、甲烷二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)、全氟甲烷二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟甲烷二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、甲烷二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟甲烷二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、甲烷二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、甲烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、乙烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟乙烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、甲烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟甲烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)錪鎓、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、乙烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟乙烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、甲烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟甲烷二磺酸雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基-苯基]苯基鋶]、乙烷二磺酸雙[雙[4-五氟-苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶]、全氟乙烷二磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基-鋶]、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙[雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基-苯基]苯基鋶]、甲烷二磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶]、全氟甲烷二磺酸雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)-苯基]苯基鋶]、乙烷二磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶]、全氟乙烷二磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟-甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)-苯基]苯基鋶]、甲烷二磺酸雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基鋶]、乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)、全氟乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基錪鎓)、乙烷二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟乙烷二磺酸雙(三苯基鋶)、全氟乙烷二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、乙烷二磺酸雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)、全氟乙烷二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、乙烷二磺酸雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)、全氟乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基-鋶)、乙烷二磺酸雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基-鋶]、乙烷二磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟乙烷二磺酸雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟-丙烷-1,3-二磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、甲烷二磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟甲烷二磺酸雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基-甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1,4-二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]、乙烷二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基-苯基]苯基鋶]、全氟乙烷二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1,3-二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基-苯基]苯基鋶]、全氟丙烷-1-甲酸酯-3-磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟-甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]、全氟丁烷-1-甲酸酯-4-磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟-甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]、甲烷二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]及全氟甲烷二磺酸雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]；
˙重氮甲烷衍生物，諸如雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(正丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(第二丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(正丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(正戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(異戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(第二戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(第三戊基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三戊基磺醯基)重氮甲烷及1-第三戊基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)重氮甲烷；
˙乙二肟衍生物，諸如雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二酮苯基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二酮環己基乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-O-(對甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二酮苯基乙二肟、雙-O-(正丁烷磺醯基)-α-二酮環己基乙二肟、雙-O-(正丁烷磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-O-(正丁烷磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-O-(甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(三氟甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(1,1,1-三氟乙烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(第三丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(全氟辛烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(環己烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對氟苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(對第三丁基苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-O-(二甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟及雙-O-(樟腦磺醯基)-α-二甲基乙二肟；
˙雙碸衍生物，諸如雙萘基磺醯基甲烷、雙三氟甲基磺醯基甲烷、雙甲基磺醯基甲烷、雙乙基磺醯基甲烷、雙丙基磺醯基甲烷、雙異丙基磺醯基甲烷、雙-對甲苯磺醯基甲烷及雙苯磺醯基甲烷；
‧β-酮磺酸衍生物，諸如2-環己基羰基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷及2-異丙基羰基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷；
‧二碸衍生物，諸如二苯基二碸及二環己基二碸；
˙磺酸硝基苯甲酯衍生物，諸如對甲苯磺酸2,6-二硝基苯甲酯及對甲苯磺酸2,4-二硝基苯甲酯；
˙磺酸酯衍生物，諸如1,2,3-參(甲烷磺醯基氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯基氧基)苯及1,2,3-參(對甲苯磺醯基氧基)苯；及
˙N-羥基醯亞胺之磺酸酯，諸如甲磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、三氟甲磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、乙磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、1-丙磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、2-丙磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、1-戊磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、1-辛磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、對甲苯磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、對甲氧基苯磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、2-氯乙磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、苯磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、2,4,6-三甲基苯磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、1-萘磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、2-萘磺酸N-羥基丁二醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基-2-苯基丁二醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基順丁烯二醯亞胺酯、乙磺酸N-羥基順丁烯二醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基-2-苯基順丁烯二醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基戊二醯亞胺酯、苯磺酸N-羥基戊二醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基鄰苯二甲醯亞胺酯、苯磺酸N-羥基鄰苯二甲醯亞胺酯、三氟甲磺酸N-羥基鄰苯二甲醯亞胺酯、對甲苯磺酸N-羥基鄰苯二甲醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基萘二甲醯亞胺酯、苯磺酸N-羥基萘二甲醯亞胺酯、甲磺酸N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羥基醯亞胺酯、三氟甲磺酸N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羥基醯亞胺酯及對甲苯磺酸N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羥基醯亞胺酯。
Q(其包括抑止劑及光鹼)包括諸如以下之化合物
此處R40a 、R40b 、R40c 及 R40d 表示與R10b 及R10c 相同之含義以及氫原子，且D- 為具有為-3至+7之pKB 值之鹼性陰離子；
其中Ar、R10b 、R10c 及D- 為如上所定義,實例包括三氟甲磺酸四甲基銨、九氟丁磺酸四甲基銨、九氟丁磺酸四正丁基銨、九氟丁磺酸四苯基銨、對甲苯磺酸四甲基銨、三氟甲磺酸(對甲氧基苯甲基)二甲基苯基銨、三氟甲磺酸酯(對甲氧基苯甲基)三甲基銨；
其中Ra 表示(CH2 )i4 (其中i4為0或1)、O或S；R50 及R60 表示與R10b 相同之含義，或R50 及R60 與其所附接之S原子一起形成5員環、6員環或7員環，該環可為未經取代或經取代的；R80 、R90 及R100 各自個別地表示C1-4 烷基、C1-4 烷氧基或鹵化物；i1及i2各為1至4；且i3為1至5。D- 為如上所定義。
對於上述D，在一些情況下，D可表示羥基或OR'(其中R'表示C1-C4烷基)、OCOR10a 、OCOO- 或OSOO- 。
其他實例包括諸如以下之化合物：一級脂肪胺、二級脂肪胺及三級脂肪胺；混合胺；芳族胺；雜環胺；具有羧基之含氮化合物；具有磺醯基之含氮化合物；具有羥基之含氮化合物；具有羥苯基之含氮化合物；醇類含氮化合物；醯胺衍生物；醯亞胺衍生物及具有一或多個氧原子之含氮化合物。
前述Q之非限制性實例包括：
對於附接至W的式(I)，其中W為PAG或Q，可附接至PAG或Q之陽離子部分、陰離子部分，或陽離子部分及陰離子部分兩者。在PAG或Q為非離子性的實例中，PAG或Q可在PAG或Q之分子上之任何位置含有。無論PAG或Q為離子性還是非離子性的，PAG或Q上之置放應使得不影響分子之活性。熟習此項技術者將已知且瞭解如何完成此置放。
L表示直接鍵或鍵聯基團。鍵聯基團之實例包括視情況含有一或多個O原子之經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之環烷基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜芳基、內部具有鍵聯基團(例如，醚、酯、醯胺基)之經取代或未經取代之烷基、內部具有鍵聯基團之經取代或未經取代之芳基，其中自烷基、環烷基、芳基及雜芳基移除兩個或兩個以上氫原子以形成二價、三價、四價等等鍵聯基團。
因此，化合物之實例包括(但不限於)：
本文中W-(L-(G))p 之實例包括(但不限於)三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、九氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、參(三氟甲磺醯基)甲基化雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶)、九氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、1,4-全氟丁二磺酸雙(參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶)、1.1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、苯磺酸2,6-二硝基苯甲基-4-乙烯氧基乙氧基酯、4-乙烯氧基乙氧基苯磺酸三苯基鋶、去氧膽酸四甲基銨、石膽酸四甲基銨、膽酸四甲基銨、N,N-二乙烯氧基乙氧基乙基苯胺、3α,7α,12α-三乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、3α-乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、4-乙烯氧基乙氧基苯磺酸雙(4-羥基苯基)苯基鋶、3α,12α-二乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、N-三氟甲基磺醯基氧基-3,6-二乙烯氧基乙氧基-1,8-萘二甲醯亞胺、蒽-2-磺酸對硝基苯甲基-9,10-二乙烯氧基乙氧基酯、10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、4-乙烯氧基乙氧基-10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、4-乙烯氧基乙氧基-環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、參(三氟甲磺醯基)甲基化雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪)、1.1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶及1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪。
本發明亦揭示經塗布之基板，其包含基板，基板上具有：一層本發明之抗反射塗料組合物；及之抗反射塗料組合物上之一層光阻組合物。
本發明亦揭示形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使用水性鹼性顯影劑來顯影影像；e)視情況在顯影前及顯影後加熱基板，及f)乾式蝕刻抗反射塗層。
本發明亦揭示形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成本發明之底部光可成像抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙抗反射塗層；c)在抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使光阻及抗反射塗料層成像曝光於相同波長之光化輻射；e)曝光後烘焙基板上之光阻及抗反射塗料層；及f)藉由鹼性水溶液顯影光阻及抗反射塗料層。
亦有可能形成正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中抗反射塗料組合物由(a)及(b)溶劑組成，其中(a)為：
(a1)至少一種式(1)化合物與至少一種式(2)化合物之混合物
或
(a2)至少一種式(5)化合物
其中PAG為光酸產生劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其中至少一PAG含有發色團部分。發色團部分與本文中揭示之彼等適用於PAG中之發色團部分類似。此組合物可進一步包含選自以下各者及其混合物之化合物，
其中Q為抑止劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。藉由此類型之組合物，將無需任何聚合物樹脂且可以與本文中論述之正型底部抗反射塗料組合物相同之方式處理。
關於正型底部光可成像抗反射塗料組合物，適用於正型底部光可成像抗反射塗料組合物中之聚合物包括選自下群之聚合物：(i)包含至少一具有酸不穩定基團之復現單元的聚合物；(ii)包含至少一具有酸不穩定基團之復現單元及至少一具有吸收性發色團之復現單元的聚合物或(iii)包含至少一具有羥基及/或羧基之復現單元及至少一具有吸收性發色團之復現單元的聚合物。
一種適用於正型底部光可成像抗反射塗料組合物中之聚合物為(i)包含至少一具有酸不穩定基團之單元的聚合物。聚合物之一功能為提供優良塗料品質且另一功能為使得抗反射塗料能夠從曝光至顯影而改變溶解度。聚合物中之酸不穩定基團提供必要的溶解度改變。無酸不穩定基團之聚合物可溶於鹼性水溶液中，但當受酸不穩定基團保護時，聚合物變得不可溶於鹼性水溶液。賦予鹼溶性之單體之實例為丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯醇、羥基苯乙烯、含有1,1',2,2',3,3'-六氟-2-丙醇及磺醯胺之乙烯系單體(例如，甲基丙烯酸2-三氟甲磺醯基胺基乙基酯及甲基丙烯酸2-磺醯基胺基-2,2-二氟乙酯)，但可使用任何使聚合物鹼性可溶的基團。可藉由酸不穩定基團(諸如烷基、環烷基、經取代之環烷基、氧代環己基、環內酯、苯甲基、矽烷基、烷基矽烷基、經取代之苯甲基、烷氧基烷基(諸如乙氧基乙基或甲氧基乙氧基乙基)、乙醯氧基烷氧基烷基(諸如乙醯氧基乙氧基乙基)、四氫呋喃基、基、四氫哌喃基及甲羥戊酸內酯)保護親水性官能基。實例酸不穩定基團包括(但不限於)第三丁氧基羰基、三環(5.3.2.0)癸基、2-甲基-2-金剛烷基、異冰片基、降基、金剛烷氧基乙氧基乙基、基、第三丁基、四氫哌喃基、3-氧代環己基、3-羥基-1-金剛烷基、2-甲基-2-金剛烷基、β-(γ-丁內酯基)及甲羥戊酸內酯。一些單體為具有上述不穩定基團之乙烯系化合物。可藉由酸裂解之酸不穩定基團可附接至聚合物，其在有酸的情況下提供鹼溶性聚合物。受保護單體可經聚合以提供均聚物或按需要與其他未受保護單體聚合。或者，鹼溶性均聚物或共聚物可與提供酸不穩定基團之一種化合物或多種化合物反應。當使用此聚合物形成抗反射塗料組合物時，染料以及光酸產生劑將通常存在於此組合物中。此染料可為單體染料、聚合染料或兩者之混合物。添加劑吸收性化合物中可含有之吸收性基團之實例為經取代及未經取代之苯基；經取代及未經取代之蒽基；經取代及未經取代之菲基；經取代及未經取代之萘基；含有諸如氧、氮、硫或其組合之雜原子的經取代及未經取代之雜環，諸如吡咯啶基、哌喃基、哌啶基、吖啶基、喹啉基。可使用之吸收性聚合染料為以上列舉之吸收性部分之聚合物，其中聚合物主鏈可為聚酯、聚醯亞胺、聚碸及聚碳酸酯。一些染料為羥基苯乙烯與甲基丙烯酸甲酯之共聚物及偶氮聚合染料及單體染料。染料之實例為以下提及之發色團清單中之單體或聚合物。
另一種適用於正型底部光可成像抗反射塗料組合物中之聚合物為(ii)包含至少一具有酸不穩定基團之單元及至少一個具有吸收性發色團之單元的聚合物。熟習此項技術者將瞭解哪些發色團在所關注曝光波長下適用。吸收性發色團之實例為具有1至4個單獨環或稠環之烴芳族部分及雜環芳族部分，其中每一環中具有3至10個原子。可與含有酸不穩定基團之單體聚合之具有吸收性發色團之單體之實例為乙烯系化合物，該等乙烯系化合物含有經取代及未經取代之苯基、經取代及未經取代之蒽基、經取代及未經取代之菲基、經取代及未經取代之萘基、含有諸如氧、氮、硫或其組合之雜原子的經取代及未經取代之雜環，諸如吡咯啶基、哌喃基、哌啶基、吖啶基、喹啉基。其他亦可使用之發色團描述於美國專利案第6,114,085號及美國專利案第5,652,297號、美國專利案第5,763,135號、美國專利案第5,981,145號、美國專利案第6,187,506號、美國專利案第5,939,236號及美國專利案第5,935,760號中且以引用方式併入本文中。舉例而言,單體之實例包括苯乙烯、羥基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、苯甲酸乙烯酯、4-第三丁基苯甲酸乙烯酯、丙烯酸乙二醇苯基醚酯、丙烯酸苯氧基丙基酯、丙烯酸2-(4-苯甲醯基-3-羥基苯氧基)乙酯、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙基酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸9-蒽甲酯、9-乙烯蒽、2-乙烯萘、N-乙烯鄰苯二甲醯亞胺、N-(3-羥基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(3-羥基-4-羥基羰基苯偶氮基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(3-羥基-4-乙氧基羰基苯偶氮基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(2,4-二硝苯基胺基苯基)順丁烯二醯亞胺、3-(4-乙醯胺基苯基)偶氮-4-羥基苯乙烯、甲基丙烯酸3-(4-乙氧基羰基苯基)偶氮-乙醯乙醯氧基乙酯、甲基丙烯酸3-(4-磺苯基)偶氮乙醯乙醯氧基乙酯之四氫銨硫酸鹽及等效結構。任何在適當曝光波長下進行吸收之發色團可單獨使用或與其他發色團結合使用。因此可藉由使含有酸不穩定基團之單體與含有吸收性發色團之單體聚合來合成聚合物。或者，可使鹼溶性聚合物與提供酸不穩定基團之化合物及提供吸收性發色團之化合物反應。最終聚合物中酸不穩定單元之莫耳%可在5至95之範圍內，且最終聚合物中吸收性發色團單元之莫耳%可在5至95之範圍內。又，酸不穩定基團附接至吸收性發色團或發色團附接至酸不穩定基團，舉例而言，單體可為CH2 =CHX-Ar-(CO)n O-R(n=0至1)、CH2 =CHX-Ar-OC(O) O-R、(CH)=CHX-Ar-C(CF3 )2 O-R、CH2 =CHX-Ar-C(CF3 )2 O(CO) O-R、CH2 =CHX-Ar-C(CF3 )2 (COOR)、CH2 =CHX-C(O) O-Ar-OC(O)-R、CH2 =CHX-CON(X)-Ar-O-R及含有-(CO) O-R-Ar、-OC(O) O-R-Ar、-C(CF3 )2 O-R-Ar、-C(CF3 )2 O(CO) O-R-Ar、C(CF3 )2 (COOR-Ar)之乙烯系化合物，其中X為H或烷基，Ar為經取代及未經取代之苯基(諸如苯基或苯甲基)、經取代及未經取代之蒽基(諸如蒽甲基)、經取代及未經取代之菲基、經取代及未經取代之萘基、含有諸如氧、氮、硫或其組合之雜原子的經取代及未經取代之雜環芳環，諸如吡咯啶基、哌喃基、哌啶基、吖啶基、喹啉基，且R為烷基、環烷基、經取代之環烷基、氧代環己基、環內酯、苯甲基、經取代之苯甲基、烷氧基烷基(諸如乙氧基乙基或甲氧基乙氧基乙基)乙醯氧基乙氧基乙基、四氫呋喃基、基、四氫哌喃基、甲羥戊酸內酯。舉例而言，R之實例包括第三丁氧基羰基三環(5.3.2.0)癸基、2-甲基-2-金剛烷醇、異冰片基、降基、金剛烷氧基乙氧基乙基、基、第三丁基、四氫哌喃基、3-氧代環己基。
除含有酸不穩定基團及吸收性發色團之單元外，聚合物可含有其他非吸收性單體單元，此等單元可提供其他理想性質。熟習此項技術者將瞭解哪些非吸收性單體單元在所關注曝光波長下適用。第三種單體之實例包括-CR1 R2 -CR3 R4 -，其中R1 至R4 獨立地為H、(C1 -C10 )烷基、(C1 -C10 )烷氧基、硝基、鹵化物、氰基、烷基芳基、烯基、二氰基乙烯基、SO2 CF3 、COOZ、SO3 Z、COZ、OZ、NZ2 、SZ、SO2 Z、NHCOZ、SO2 NZ2 ，其中Z為H或(C1 -C10 )烷基、羥基(C1 -C10 )烷基、(C1 -C10 )烷基OCOCH2 COCH3 ，或R2 與R4 結合而形成環基，諸如酐、吡啶或吡咯酮，或R1 至R3 獨立地為H、(C1 -C10 )烷基、(C1 -C10 )烷氧基且R4 為親水基。親水基之實例在此處提供為(但不限於)O(CH2 )2 OH、O(CH2 )20 (CH2 ) OH、(CH2 )n OH(其中n=0至4)、COO(C1 -C4 )烷基、COOX及SO3 X(其中X為H、銨、烷基銨)。可用以形成聚合物之其他親水性乙烯系單體為丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯醇、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸、順丁烯二醯亞胺、N-甲基順丁烯二醯亞胺、N-羥甲基丙烯醯胺及N-乙烯吡咯酮。其他單體可為甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸羥乙酯及甲基丙烯酸羥丙酯。亦可使用含有酸不穩定基團之單體單元，諸如由酸不穩定基團封端之羥基苯乙烯、乙烯醇、(甲基)丙烯酸。酸不穩定基團之實例為(不限於)具有至少一β氫之二級及三級烷基(至多20個碳原子)、縮醛及縮酮、三甲基矽烷基及經β-三甲基矽烷基取代之烷基。酸不穩定基團之代表性實例為第三丁基、第三戊基、異冰片基、1-烷基環己基、1-烷基環戊基、環己基、2-烷基-2-金剛烷基、2-烷基-2-降基。酸不穩定基團之其他實例為四氫呋喃基、四氫哌喃基、經取代或未經取代之甲氧羰基、β-三烷基矽烷基烷基(例如CH2 -CH2 Si(CH3 )3 、CH(-CH2 Si(CH3 )3 )2 、CH2 -CH(Si(CH3 )3 )2 )及其類似者。
可用於聚合物中之含有酸不穩定基團之單體的實例包括：甲基金剛烷之甲基丙烯酸酯、甲羥戊酸內酯之甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、β-羥基-γ-丁內酯之甲基丙烯酸酯、羧酸第三丁基降基酯、甲基丙烯酸第三丁基甲基金剛烷基酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、丙烯酸第三丁酯及甲基丙烯酸第三丁酯；第三丁氧基羰氧基苯乙烯、苯甲氧基羰氧基苯乙烯；乙氧基乙氧基苯乙烯；乙烯酚之三甲基矽烷基醚及甲基丙烯酸甲酯之2-參(三甲基矽烷基)矽烷基乙酯。
含有吸收性發色團之單體包括三苯基酚、2-羥基芴、9-蒽甲醇、2-甲基菲、2-萘乙醇、2-萘基-β-d-哌喃半乳糖苷氫化物、羥基苯乙烯、苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲基丙烯酸苯甲酯、N-甲基順丁烯二醯亞胺、苯甲酸乙烯酯、4-第三丁基苯甲酸乙烯酯、丙烯酸乙二醇苯基醚酯、丙烯酸苯氧基丙基酯、順丁烯二酸之苯甲基甲羥戊酸內酯、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙基酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苯甲酯、甲基丙烯酸9-蒽甲酯、9-乙烯蒽、2-乙烯萘、N-乙烯鄰苯二甲醯亞胺、N-(3-羥基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(3-羥基-4-羥基羰基苯偶氮基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(3-羥基-4-乙氧基羰基苯偶氮基)苯基甲基丙烯醯胺、N-(2,4-二硝苯基胺基苯基)順丁烯二醯亞胺、3-(4-乙醯胺基苯基)偶氮-4-羥基苯乙烯、甲基丙烯酸3-(4-乙氧基羰基苯基)偶氮-乙醯乙醯氧基乙酯、甲基丙烯酸3-(4-羥苯基)偶氮-乙醯乙醯氧基乙酯、甲基丙烯酸3-(4-磺苯基)偶氮乙醯乙醯氧基乙酯之四氫銨硫酸鹽。熟習此項技術者將瞭解哪些發色團在所關注曝光波長下適用。
含有酸不穩定單元之聚合物亦可含有如上文所描述之其他非吸收性單體單元。含有酸不穩定基團之聚合物之實例包括甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸3-羥基-1-金剛烷基酯、β-羥基-γ-丁內酯之甲基丙烯酸酯、羧酸第三丁基降基酯、甲基丙烯酸第三丁基甲基金剛烷基酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、丙烯酸第三丁酯及甲基丙烯酸第三丁酯、第三丁氧基羰氧基苯乙烯、苯甲氧基羰氧基苯乙烯；乙氧基乙氧基苯乙烯；乙烯酚之三甲基矽烷基醚及甲基丙烯酸甲酯之2-參(三甲基矽烷基)矽烷基乙酯與甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯醇、順丁烯二酸酐、N-乙烯吡咯酮、順丁烯二醯亞胺、N-甲基順丁烯二醯亞胺及其類似者之共聚物。
又一種適用於正型底部光可成像抗反射塗料組合物中之聚合物為(iii)包含至少一具有羥基及/或羧基之單元及至少一具有吸收性發色團之單元的聚合物。吸收性發色團之實例描述於上文中。
為了使包含至少一具有羥基及/或羧基之單元之聚合物提供鹼溶性及交聯部位，聚合物之一功能為提供優良塗料品質且另一功能為使得抗反射塗料在成像過程期間能夠改變溶解度。聚合物中之羥基或羧基提供溶解度改變所必需之組份中之一者。在聚合後提供此單元之單體之實例為(不限於)：含有羥基及/或羧基之經取代或未經取代之乙烯系單體，諸如丙烯酸、甲基丙烯酸、乙烯醇、羥基苯乙烯、甲基丙烯酸羥乙酯、甲基丙烯酸羥丙基酯、N-(羥甲基)丙烯醯胺、甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯、丙烯酸4-羥基苯氧基酯、甲基丙烯酸5-羥基萘氧基酯、丙烯酸5-羥基萘氧基酯；含有1,1',2,2',3,3'-六氟-2-丙醇之乙烯系單體，但可使用任何使聚合物鹼性可溶且較佳不溶於水之單體。聚合物可含有單體單元(單體單元含有羥基及/或羧基)之混合物。含有1,1,1,3,3,3-六氟-2-丙醇基團之乙烯系單體由結構(1)至(6)及其經取代之等效物表示。
因此可藉由使含有羥基或羧基之單體與含有吸收性發色團之單體聚合來合成聚合物。熟習此項技術者將瞭解哪些發色團在所關注曝光波長下適用。或者，可使鹼溶性聚合物與提供羥基或羧基之化合物及提供吸收性發色團之化合物反應。最終聚合物中含有羥基或羧基之該單元或該等單元之莫耳%可在5至95之範圍內，較佳在10至90之範圍內，且更佳在20至80之範圍內，且最終聚合物中吸收性發色團之莫耳%可在5至95之範圍內，較佳在10至90之範圍內，更佳在20至80之範圍內。羥基或羧基附接至吸收性發色團或發色團附接至羥基或羧基(亦即，兩種基團存在於同一單元中)亦在本發明之範疇內。作為實例，先前描述之發色團可具有附掛羥基及/或羧基，或發色團及羥基及/或羰基附接至同一基團。
除含有羥基及/或羧基之單元及含有吸收性發色團之單元外，聚合物可含有其他單體單元，此等單元可提供其他理想性質，其實例描述於上文中。
舉例而言，前述聚合物之實例包括，
亦參見美國公開專利申請案20030129531及20050214674，其內容在此以引用方式併入本文中。
「聯鏈雜原子」係指鍵結於碳原子之間的內部雜原子，諸如氮、氧或硫。較佳雜原子為氮或氧。脂族烴或環脂族烴之鏈可雜有此等雜原子。
當使用具有羥基及/或羧基之聚合物時，可添加可選交聯劑。一實例包括乙烯醚封端式交聯劑，其可由一般結構(7)表示：
其中R1 選自(C1 -C30 )直鏈、支鏈或環狀烷基；經取代或未經取代之(C6 -C40 )芳基或經取代或未經取代之(C7 -C40 )脂環烴；且。咸信末端乙烯醚基團與聚合物之羥基或羧基反應以提供酸不穩定縮醛鍵聯。此等乙烯醚封端式交聯劑之實例包括己二酸雙(4-乙烯氧基丁基)酯；琥珀酸雙(4-乙烯氧基丁基)酯；間苯二甲酸雙(4-乙烯氧基丁基)酯；戊二酸雙(4-乙烯氧基甲基環己基甲基)酯；苯偏三酸參(4-乙烯氧基丁基)酯；對酞酸雙(4-乙烯氧基甲基環己基甲基)酯；間苯二甲酸雙(4-乙烯氧基甲基環己基甲基)酯；雙胺基甲酸雙(4-乙烯氧基丁基)(4-甲基-1,3-伸苯基)酯；雙胺基甲酸雙(4-乙烯氧基丁基)(亞甲基雙-4,1-伸苯基)酯；及三乙二醇二乙烯醚、1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚、商品名為Vectomer之可購得之各種乙烯醚單體，諸如苯甲酸4-(乙烯氧基)丁酯、己二酸雙[4-(乙烯氧基)丁基]酯、琥珀酸雙[4-(乙烯氧基)丁基]酯、苯甲酸4-(乙烯氧基甲基)環己基甲酯、間苯二甲酸雙[4-(乙烯氧基)丁基]酯、戊二酸雙[4-(乙烯氧基甲基)環己基甲基]酯、苯偏三酸參[4-(乙烯氧基)丁基]酯、硬脂酸4-(乙烯氧基)丁酯、己烷二基雙胺基甲酸雙[4-(乙烯氧基)丁基]酯、對酞酸雙[[4-[(乙烯氧基)甲基]環己基]甲基]酯、間苯二甲酸雙[[4-[(乙烯氧基)甲基]環己基]甲基]酯、雙胺基甲酸雙[4-(乙烯氧基)丁基](亞甲基二-4,1-伸苯基)酯、雙胺基甲酸雙[4-(乙烯氧基)丁基](4-甲基-1,3-伸苯基)酯及載有附掛乙烯氧基之聚合物。亦可使用之其他乙烯醚封端式交聯劑描述於T. Yamaoka等人的Trends in Photochem. Photobio.,7:45(2001)；S. Moon等人的Chem. Mater,1994年6:1854；或H. Schacht等人的ACS Symp. 1998年Ser. 706:78中，且以引用方式併入本文中。
當使用時，將乙烯醚封端式交聯劑按比例添加至抗反射塗料，此比例在聚合物上提供每反應性基團0.20至2.00莫耳當量之乙烯醚交聯功能，此外每反應性基團0.50至1.50反應性當量。
發明性組合物及發明性化合物亦可用於傳統抗反射塗料組合物中。傳統抗反射塗料組合物通常含有聚合物、染料或發色團組份(其在一些情況中可為聚合物之部分)、交聯組份(當使用發明性化合物時，其可為可選的)及酸源。本文中論述酸源及染料或發色團組份。交聯組份包括(但不限於)三聚氰胺、胍胺、羥基烷基醯胺、環氧樹脂及環氧胺樹脂、封端異氰酸酯及二乙烯單體及其類似者。當使用時，將傳統抗反射塗料組合物塗布於晶圓上且接著外塗光阻，且接著曝光且顯影經塗布之晶圓。接著蝕刻曝光區域中之抗反射塗層，而光阻圖案被轉印至基板。
本發明之組合物可進一步包含酸或熱酸產生劑。在有熱的情況下，在含有羥基及/或羧基之聚合物與交聯劑之間可發生交聯，然而，通常反應時間可能較長。使用熱酸產生劑或酸加速交聯反應且係短固化時間受青睞之情況所需要的。熱酸產生劑在加熱後釋放酸。可使用任何已知之酸或熱酸產生劑，其由以下各者例示(不限於)：2,4,4,6-四溴環己二烯酮、甲苯磺酸安息香脂、方形酸、甲苯磺酸2-硝基苯甲酯、氯乙酸、甲苯磺酸、甲磺酸、九氟丁磺酸、三氟甲磺酸、其他有機磺酸之烷基酯、此等所述酸之鹽。然而，已發現對於某些組份而言，一些酸及由熱酸產生劑產生之酸(其具有高酸度)可導致基蝕且可阻止所要的光成像過程發生。
當與乙烯基封端式交聯劑及/或乙烯基封端式PAG或Q(例如，本文中之式(2)及(4))一起使用時，關注具有中等酸度(亦即，具有大於1.0之pKa，pKa係酸解離常數之-log10 ))之酸。亦進一步關注具有小於5.0且大於1.0之pKa的酸。所得縮醛鍵聯可易於在有光生酸的情況下裂解。具有中等酸度之酸或衍生自熱酸產生劑之酸的實例為(不限於)順丁烯二酸(pKa為1.83)、氯乙酸(pKa為1.4)、二氯乙酸(pKa為1.48)、草酸(pKa為1.3)、肉桂酸(pKa為4.45)、酒石酸(pKa為4.3)、羥乙酸(pKa為3.8)、反丁烯二酸(pKa為4.45)、丙二酸(pKa為2.8)、氰基乙酸(pKa為2.7)等。
由鹼封端以形成熱酸產生劑之酸係較佳的。酸(諸如上文描述之酸)可由諸如胺之鹼封端。典型鹼為三乙胺、三丙胺、三甲胺、三丁胺、三戊胺、三-十二胺等。此外，可使用具有弱酸(諸如羧酸或芳基羧酸)之陰離子之二芳基或三烷基鋶鹽。可藉由使酸與鹼結合來形成由鹼封端之酸，其中酸：鹼比在約1:1至約1:3之範圍內。具有所要pKa之酸及其鹽之其他實例可由一般熟習此項技術者藉由回顧可用文獻(諸如在由CRC Press公司出版之CRC Handbook of Chemistry and Physics中)找到且以引用方式併入本文中。在一些實施例中，亦可能需要熱酸一旦產生便不會永久留在塗料中(且因此不會促進逆反應)而是自膜被移除。咸信一旦發生交聯，便藉由熱使酸分解或揮發，且自膜烘出分解產物，或酸可自塗料昇華。因此，在固化後無游離酸或極少量游離酸留在膜中，且不發生引起縮醛鍵聯之分解之逆反應。在一些情況下，可產生酸且接著在塗布光阻前被移除之熱酸產生劑為較佳的。留在膜中之弱酸亦可為官能性的，因為其不會極大地阻礙縮醛鍵聯之分解。所使用之胺通常為揮發性胺，其使用提供重要的益處，益處在於，在熱固化抗反射組合物塗料層期間可自該層移除胺(使胺揮發)。
其他實例包括具有以下通式之單官能化二羧酸銨鹽，
其中Y選自直接鍵及連接基團；且A為未經取代或經取代之胺化合物。
連接基團Y可選自視情況含有一或多個雜原子(例如，O、S、SO、SO2 、、)之C1 -C8 未經取代或經取代之伸烷基鏈、C3 -C8 未經取代或經取代之環伸烷基、C2 -C8 未經取代或經取代之亞烯基及C6 -C12 未經取代或經取代之伸芳基。此外，連接基團Y可為視情況含有一或多個雜原子之C1 -C8 未經取代或經取代之伸烷基鏈，甚至為視情況含有一或多個O原子之C1 -C8 未經取代或經取代之伸烷基鏈，且又甚至為C1 -C8 未經取代或經取代之伸烷基鏈(例如，未經取代或經取代之亞甲基；未經取代或經取代之伸乙基；或未經取代或經取代之丙烯)、C1 -C3 未經取代或經取代之伸烷基鏈，或甚至為由羥基及/或烷基取代之C1 -C3 伸烷基鏈。
可選擇胺化合物，使得其在烘焙含有式(II)化合物之組合物的溫度下揮發。胺化合物之實例包括選自由以下組成之群的化合物
其中R20 、R22 、R24 及R26 中之每一者個別地選自氫、未經取代或經取代之烷基、未經取代或經取代之環烷基、未經取代或經取代之單環或多環芳基及未經取代或經取代之芳烷基；且R28 選自C3 -C7 未經取代或經取代之伸烷基，或R28 與其所鍵結至之原子一起形成C6 -C12 未經取代或經取代之單環或多環芳基。其他實例包括氨、未經取代及經取代之三烷基胺、未經取代及經取代之二烷基胺，及未經取代及經取代之單烷基胺、未經取代及經取代之三環烷基胺、未經取代及經取代之二環烷基胺，及未經取代及經取代之單環烷基胺、未經取代及經取代之單環烷基二烷基胺、未經取代及經取代之二環烷基單烷基胺、未經取代及經取代之單芳基二烷基胺、未經取代及經取代之二芳基單烷基胺、未經取代及經取代之三芳基胺、未經取代及經取代之二芳基胺及未經取代及經取代之單芳基胺、未經取代及經取代之三芳烷基胺、未經取代及經取代之二芳烷基胺，及未經取代及經取代之單芳烷基胺、未經取代及經取代之單芳烷基二烷基胺、未經取代及經取代之二芳烷基單烷基胺、未經取代及經取代之單芳基單烷基胺、未經取代及經取代之單芳烷基單烷基胺、未經取代及經取代之單環烷基單烷基胺，及未經取代及經取代之單芳基單環烷基胺及其類似者等。其他實例包括三甲基胺、二甲基乙基胺、二甲基丙基胺、二甲基丁基胺、甲基二乙基胺、甲基二丙基胺、甲基二丁基胺、甲基乙基丙基胺、甲基乙基丁基胺、甲基丙基丁基胺、三乙基胺、乙基二丙基胺、乙基二丁基胺、二乙基丙基胺、二乙基丁基胺、乙基丙基丁基胺、三丙基胺、二丙基丁基胺、丙基二丁基胺、三丁基胺、吡咯啶、哌啶、哌嗪、環己基胺及其類似者等。
酸或衍生自熱酸產生劑之酸較佳在約115℃至約220℃之範圍內，進一步在120℃至約200℃之範圍內的溫度下自抗反射塗料被移除(分解)。
如本文中使用，烷基意謂甲基、乙基、丙基(正丙基、異丙基)、丁基(正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基)、戊基(及其異構體)、己基(及其異構體)、庚基(及其異構體)、辛基(及其異構體)及其類似者。環烷基包括環己基、基及其類似者。烯基包括烯丙基、乙烯基及其類似者。芳基包括單環或多環，諸如苯基、萘基及其類似者。芳烷基包括苯基甲基(亦即，苯甲基)、苯基乙基(亦即，苯乙基)及其類似者。除已自烷基、環烷基或芳基移除額外氫原子外，伸烷基、環伸烷基及伸芳基意謂與上述烷基、環烷基及芳基相同之含義(例如，伸乙基、伸丙基、伸環己基、伸苯基等)。術語伸雜芳基指代其中一或多個碳原子由雜原子(例如、S、O或N)置換之伸芳基。
選擇抗反射塗料之溶劑使得其可溶解抗反射塗料之所有固體組份，且亦可在烘焙步驟期間被移除以使得所得塗料不可溶於光阻之塗料溶劑中。此外，為保持抗反射塗料之完整性，抗反射塗料之聚合物以及光酸產生劑實質上不可溶於頂部光阻之溶劑中。此等要求阻止抗反射塗料層與光阻層之互混或將此互混減至最少。通常，乙酸丙二醇單甲基醚酯及乳酸乙酯為頂部光阻之較佳溶劑。抗反射塗料組合物之合適溶劑之實例為環己酮、環戊酮、苯甲醚、2-庚酮、乳酸乙酯、丙二醇單甲基醚、乙酸丁酯、γ丁醯乙酸酯、乙二醇乙酸乙醚乙酯、乙二醇乙酸乙醚甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸2-甲氧基丁酯、2-甲氧基乙基醚，但乳酸乙酯、乙酸丙二醇單甲基醚酯、丙二醇單甲基醚或其混合物係較佳的。具有較低程度的毒性及優良的塗布及溶解度性質之溶劑通常為較佳的。
典型抗反射塗料組合物可包含至多約15重量%，較佳小於8%之固體(以塗料組合物之總重量計)。固體可包含0.01至25重量%之光酸產生劑、50至99重量%之聚合物、1至50重量%之交聯劑及視情況0至25重量%之酸或熱酸產生劑(以抗反射塗料組合物之總固體含量計)。光酸產生劑含量較佳在約0.1至約20重量%之範圍內。交聯劑較佳在約5至約40重量%之範圍內，更佳在10至35重量%之範圍內。將固體組份溶解於溶劑或溶劑之混合物中，且對其進行過濾以移除雜質。抗反射塗料組合物可視情況含有界面活性劑、鹼抑止劑及其他類似材料。亦可藉由諸如通過離子交換柱、過濾且萃取過程之技術處理抗反射塗料之組份以改良產物品質。
可將其他組份添加至本申請案之抗反射組合物以增強塗料之效能，例如，低級醇、染料、表面調平劑、增黏劑、消泡劑等。此等添加劑可以至多30重量%之含量存在。可將其他聚合物(諸如清漆型酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯及聚芳酯化合物)添加至組合物，只要效能不受不利影響。此聚合物之量較佳保持在組合物之全部固體之50重量%以下，更佳為35重量%，且甚至更佳為20重量%以下。亦可將非揮發性鹼添加至組合物以限制擴散。非揮發性鹼及非揮發性光可分解鹼均為已知添加劑。非揮發性鹼之實例包括氫氧化銨、氫氧化四丁基銨、三乙醇胺、二乙醇胺、三辛基胺、正辛基胺及氫氧化三甲基鋶。非揮發性光可分解鹼之實例包括氫氧化三苯基鋶、環己胺基磺酸雙(第三丁基苯基)錪及環己胺基磺酸參(第三丁基苯基)鋶。抗反射塗料組合物之另一組份為揮發性胺，其有益於增強組合物在儲存及使用期間的穩定性。合適的揮發性胺為具有等於或小於抗反射塗料組合物中所使用之溶劑之沸點的揮發性胺。揮發性胺之實例包括三乙基胺、三丁基胺、二丁基胺、二乙基胺、單丁基胺、單乙基胺、苯胺、經取代之苯胺及其類似者等。
如使用橢圓偏光術測得，新穎組合物之吸收參數(k)在約0.1至約1.0之範圍內，較佳在約0.15至約0.7之範圍內。抗反射塗料之折射率(n)亦經最佳化。可使用橢偏儀(諸如J.A.Woollam WVASE VU-302 TM橢偏儀)計算n及k值。k及n之最佳範圍之精確值視所使用之曝光波長及應用類型而定。通常，對於193nm，k之較佳範圍為0.1至0.75，且對於248nm，k之較佳範圍為0.15至0.8，且對於365nm，較佳範圍為0.1至0.8。抗反射塗層之厚度小於頂部光阻之厚度。抗反射塗層之膜厚度較佳小於(曝光波長/折射率)之值，且更佳小於(曝光波長/2倍折射率)之值，其中折射率為抗反射塗層之折射率且可用橢偏儀量測。由曝光波長、抗反射塗層及光阻之折射率、頂部及底部塗層之吸收特性及基板之光學特性確定抗反射塗層之最佳膜厚度。因為必須藉由曝光及顯影步驟移除底部抗反射塗層，所以藉由避免光學節點(在此等光學節點處，抗反射塗層中不存在光吸收)確定最佳膜厚度。對於193nm，膜厚度較佳小於55nm，對於248nm，膜厚度較佳小於80nm，且對於365nm，膜厚度較佳小於110nm。
使用熟習此項技術者熟知之技術(諸如，浸漬、旋塗或噴塗)將抗反射塗料組合物塗布於基板上。可使用此項中已知的各種基板，諸如，為平面、具有表面形態或具有孔洞之基板。半導體基板之實例為晶態矽及多晶矽、二氧化矽、氮(氧)化矽、鋁、鋁/矽合金及鎢。在某些情況下，在基板之邊緣處可存在光阻膜之聚集，其被稱為邊緣珠粒。可使用一般熟習此項技術者熟知之技術使用溶劑或溶劑之混合物移除此邊緣珠粒。接著固化塗層。較佳溫度範圍為在熱板或等效加熱單元上於約40℃至約240℃下歷時約30至120秒，更佳為在約100℃至約200℃下歷時45至90秒。抗反射塗層之膜厚度在約20nm至約300nm之範圍內。如此項技術中所熟知，在獲得優良微影性質的情況下(尤其在光阻中未觀測到駐波的情況下)確定最佳膜厚度。經固化之抗反射塗層在此階段亦不可溶於鹼性顯影液中。接著可將光阻塗布於抗反射塗層之上。
藉由鹼性水溶液顯影之正型光阻適用於本發明中，只要光阻中之光敏性化合物與抗反射塗料中之光敏性化合物在用於光阻之成像過程之相同曝光波長下進行吸收。使正型光阻組合物成像曝光於輻射，光阻組合物之彼等曝光於輻射之區域變得更加可溶於顯影液(例如，發生重排反應)，而彼等未曝光之區域保持相對不可溶於顯影液。因此，使用顯影劑處理經曝光之正型光阻引起移除塗層之曝光區域及在光阻塗層中形成正影像。將光阻解析度定義為在曝光及顯影後光阻組合物可在很高程度之影像邊緣銳度下自光罩轉印至基板之最小特徵。現今在許多製造應用中，光阻解析度大約小於1微米係必需的。此外，幾乎始終需要經顯影之光阻壁輪廓相對於基板近乎垂直。光阻塗層之經顯影區域與未經顯影區域之間的此等分界轉化為遮罩影像至基板上之精確圖案轉印。隨著小型化之努力減小裝置上之臨界尺寸，此變得更加關鍵。
此項技術中已熟知包含酚醛樹脂及苯醌-二疊氮化合物作為光敏性化合物之正型光阻在。通常藉由在有諸如草酸之酸催化劑的情況下濃縮甲醛及一或多種經多重取代之酚來產生酚醛樹脂。通常藉由使多羥基酚系化合物與二疊氮萘醌酸或其衍生物反應來獲得光敏性化合物。此等類型之光阻之敏感度通常在約300nm至440nm之範圍內。
將光阻解析度定義為在曝光及顯影後光阻組合物可在很高程度之影像邊緣銳度下自光罩轉印至基板之最小特徵。現今在許多製造應用中，光阻解析度大約小於1微米係必需的。此外，幾乎始終需要經顯影之光阻壁輪廓相對於基板近乎垂直。光阻塗層之經顯影區域與未經顯影區域之間的此等分界轉化為遮罩影像至基板上的精確圖案轉印。隨著小型化之努力減小裝置上之臨界尺寸，此變得更加關鍵。
亦可使用對介於約180nm與約300nm之間的短波長敏感之光阻。此等光阻之實例提供於以下專利案中且以引用方式併入本文中：美國專利案第4,491,628號、美國專利案第5,350,660號、美國專利案第5,069,997號、EP 794458及GB 2320718。針對248nm之光阻通常包含聚羥基苯乙烯或經取代之聚羥基苯乙烯衍生物、光敏性化合物及視情況選用之溶解度抑制劑。針對193nm及157nm的曝光，尤其較佳的是包含非芳族聚合物、光酸產生劑、視情況選用之溶解度抑制劑及溶劑之光阻。先前技術中已知的在193nm處敏感之光阻描述於以下文獻中且併入本文中：WO 97/33198；美國專利案第5,585,219號；Proc. SPIE，1998年第3333卷、1999年第3678卷、2000年第3999卷、2001年第4345卷。針對193nm及157nm的曝光，尤其較佳的是包含非芳族聚合物、光酸產生劑、視情況選用之溶解度抑制劑及溶劑之光阻。先前技術中已知的在193nm處敏感之光阻描述於以下參考文獻中且併入本文中：Proc. SPIE，2000年第3999卷、2001年第4345卷，但本文中可在抗反射組合物之上使用任何在193nm處敏感之光阻。
在正系統中，接著將光阻膜塗布於經固化之抗反射塗層之上且對其進行烘焙以實質上移除光阻溶劑。接著使光阻及抗反射塗料雙層成像曝光於光化輻射。在後續加熱步驟中，在曝光步驟期間產生之酸發生反應以解交聯抗反射塗料組合物之聚合物，且因此使得抗反射塗層之曝光區域鹼性可溶於顯影液中。用於曝光後烘焙步驟之溫度可為在熱板或等效加熱系統上在40℃至200℃之範圍內歷時30至200秒，較佳在80℃至160℃之範圍內歷時40至90秒。在一些情況下，有可能避免曝光後烘焙，因為針對某些化學性質(諸如一些縮醛酸不穩定鍵聯)，去保護在室溫下進行。抗反射塗層之曝光區域中之聚合物現可溶於鹼性水溶液中。接著藉由水性鹼性顯影劑顯影雙層系統以移除光阻及抗反射塗層。顯影劑較佳為包含(例如)氫氧化四甲基銨之鹼性水溶液。顯影劑可進一步包含添加劑，諸如界面活性劑、聚合物、異丙醇、乙醇等。光阻塗層及抗反射塗層之塗布及成像過程為熟習此項技術者所熟知且針對所使用之光阻及抗反射塗料之特定類型而最佳化。接著可按積體電路之製造過程的要求進一步處理經成像之雙層系統，例如，金屬沈積及蝕刻。
在多層系統(例如，三層系統或方法)中，三層方法為耐久的，例如，將有機膜形成於基板上，將抗反射膜形成於有機膜上，且將光阻膜形成於抗反射膜上。藉由旋塗方法等在基板上形成有機膜作為下部光阻膜。在藉由旋塗方法等塗覆後，接著可藉由熱或酸來交聯有機膜或可不交聯有機膜。在有機膜上形成抗反射膜(例如，本文中揭示之抗反射膜)作為中間光阻膜。在藉由旋塗等將抗反射膜組合物塗覆至有機膜後，蒸發有機溶劑，且執行烘焙以促進交聯反應從而阻止抗反射膜與上覆光阻膜互混。在形成抗反射膜後，在抗反射膜上形成光阻膜作為上部光阻膜。與形成抗反射膜的情況相同，可使用旋塗方法來形成光阻膜。在藉由旋塗方法等塗覆光阻膜組合物後，執行預烘焙。期後，曝光圖案電路區域，且執行曝光後烘焙(PEB)及藉由顯影劑顯影以獲得光阻圖案。
在其他實例中，將發明性塗料組合物底塗於基板上且接著在其上塗布第二塗料組合物且藉由加熱來固化分層系統。此外，將塗料組合物底塗於基板上且接著將發明性塗料組合物塗布於第一塗層上。若需要，可將另一塗料組合物塗布於發明性塗料組合物上。可使用此項技術中已知的各種方法(諸如旋塗、噴塗、簾幕式塗布等)塗覆該等塗料組合物。可藉由在約40℃至約250℃之溫度下加熱來固化該等組合物。與發明性塗料組合物結合使用之塗料組合物可基於上述酸可固化樹脂組合物。
另一實例為抗反射塗料組合物僅由以下形成的情況
或
(a2)至少一種式(5)化合物，
及
(b)溶劑，
其中PAG為光酸產生劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
在此情況下，PAG將亦充當發色團。因此，PAG將含有充當發色團之部分，其在所要波長(例如，248nm、193nm及其類似者)下吸收曝光輻射。熟習此項技術者將瞭解什麼類型之部分在彼等波長下吸收輻射。舉例而言，苯基部分將在193nm處進行吸收；蒽將在248nm處進行吸收。
發明性組合物亦可在除渣過程中使用。用含有PAG之發明性組合物之薄(~10nm)塗層塗布基板，例如，SiO2 或SiON或塗有習知抗反射塗料之基板。接著，在發明性組合物之薄層上塗布光阻。接著曝光且顯影經塗布之晶圓。藉由以此方式使用發明性組合物，可將有機材料在顯影劑內之再沈積(「斑點沈積」)及/或由來自基板之鹼污染引起之足部效應(footing)減至最少。此外，發明性PAG化合物亦可在習知抗反射塗料組合物中使用以減少足部效應。當基蝕為習知抗反射塗料中之問題時，發明性Q(抑止劑)化合物可用於減少基蝕。
以下特定實例將提供生產及利用本發明之組合物之方法的詳細說明。然而，此等實例不欲以任何方式限制或約束本發明之範疇且不應被理解為提供必須獨佔式利用以便實踐本發明之條件、參數或值。
出於各種目的，以上所參考之文獻中之每一者的全文以引用方式併入本文中。以下特定實例將提供生產及利用本發明之組合物之方法的詳細說明。然而，此等實例不欲以任何方式限制或約束本發明之範疇且不應被理解為提供必須獨佔式地利用以便實踐本發明之條件、參數或值。除非註明，否則試劑係自Sigma-Aldrich獲得。
實例1
九氟丁磺酸雙(4-羥苯基)苯基鋶(BHPPSNF)之製備
在合適容器中將三氟甲磺酸雙(4-羥苯基)苯基鋶(2.5g，0.00739莫耳；Dainippon Pharmaceuticals)溶解於20mL水中，向其添加九氟丁磺酸鉀(3.28g，0.00739莫耳)。將120mL水添加至此混合物，其形成渾濁溶液。將此溶液於塞頭燒瓶中在室溫下攪拌隔夜。藉由傾倒掉水層使形成之油與此水層分離。用2mL蒸餾水洗滌殘油。將此殘餘物溶解於4mL丙酮及另一份2.6g九氟丁磺酸鉀及100mL水中。接著在攪拌隔夜後用100mL二氯甲烷萃取此混合物。用水清洗二氯甲烷層若干次且去除溶劑。在溶解於最少量二氯甲烷中後，用戊烷使殘餘物沈澱且接著在高真空下乾燥以得到2.68g白色固體(產率61%)，其由1 H及19 F NMR測定為純淨的。
實例2
1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-羥苯基)苯基鋶)(BHPPSFBDS)之製備
在合適容器中將三氟甲磺酸雙(4-羥苯基)苯基鋶(2.5g，0.00570莫耳)溶解於25mL丙酮中，在攪拌下添加由1,4-全氟丁二磺酸二鉀(4.07g，0.0114莫耳；3M)組成之溶液。在攪拌後獲得澄清溶液。將100mL二氯甲烷添加至此溶液。在攪拌隔夜後，晶體形成於溶液中。過濾晶體且隨後用蒸餾水及二氯甲烷洗滌晶體。接著將所得晶體與另一等分試樣之如上文所描述之1,4-全氟丁磺酸二鉀第二次交換。此產生2.17g白色固體(產率40%)，其為不含三氟甲磺酸鹽之純材料(從19 F NMR來看)且另外不含其他雜質(從1 H NMR來看)。
實例3 -三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶(BVOPSTF)之製備
3頸圓底燒瓶配備有冷凝器、加料漏斗、氮源及磁棒。在N2 下將氫氧化鈉(8.64g，0.216mol)、三氟甲磺酸雙(4-羥苯基)苯基鋶(16g，0.036mol)及DMSO(90ml)添加至圓底燒瓶。將混合物加熱至60℃歷時1小時。將2-氯乙基乙烯醚(23g，0.216mol)經由加料漏斗逐滴添加至混合物。接著將溫度升高至80℃且將反應物保持在該溫度下歷時5小時。接著允許反應混合物冷卻至室溫。其後，將反應混合物倒入二乙醚中以形成三層：水層、醚層及油層。使用DI水洗滌醚溶液3次。收集油層且將其濃縮至乾燥。獲得12.9g(61.5%)三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例4 -九氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶(BVOPSNF)之製備
將於120ml二氯甲烷中之三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶(11.7g，0.02mol)、單氟1-丁磺酸鉀鹽(6.76g，0.02mol)及340ml DI水添加至配備有機械攪拌器及氮源之1000ml圓底燒瓶中。將反應混合物在室溫下攪拌隔夜。其後，用CH2 Cl2 洗滌反應混合物3次。收集CH2 Cl2 層且濃縮以得到13.23g(90%)淺黃色凝膠狀產物。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例5 - 1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶)(BVOPSFBDS)之製備
將三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶(11.7g，0.02mol)、單氟1-丁磺酸鉀鹽(6.76g，0.02mol)及340ml DI水添加至配備有機械攪拌器及氮源之圓底燒瓶。將反應混合物在室溫下攪拌隔夜。接著，用CH2 Cl2 洗滌反應混合物3次。收集CH2 Cl2 層且濃縮以得到13.23g(90%)淺黃色凝膠狀產物。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例6 -雙(羥苯基)亞碸之製備
在配備有機械攪拌器、氮源及加料漏斗之適當大小的容器中，將雙(4-羥苯基)硫醚(100g，0.458莫耳)溶於100mL冰醋酸中且藉由冰浴將混合物冷卻至15℃。在攪拌下緩慢添加過氧化氫30%(51.94g，0.458莫耳)。極緩慢地進行過氧化氫之添加，時常停止以添加蒸餾水(10至20mL)以充當散熱體從而避免溫度超過40℃。在過氧化氫之添加完成後，使反應混合物隨時間推移而逐漸冷卻至室溫(約1小時)。將反應混合物攪拌隔夜且接著添加100mL蒸餾水，沈澱白色晶態材料。在真空中40℃下乾燥此材料，得到104g雙(羥苯基)亞碸(產率97%)(由1 H NMR測定為純淨的)。
實例7 -甲磺酸參(羥苯基)鋶之製備
四頸圓底燒瓶配備有機械攪拌器、加料漏斗、溫度計及回流管柱(配備有氮氣入口)。將雙(羥苯基)亞碸(35.1g，0.165莫耳)、酚(15.51g，0.165莫耳)溶解於二氯甲烷(100mL)中之溶液放入燒瓶中且在氮氣下攪拌。在獨立燒瓶中，藉由在100℃下隨攪拌混合此等材料歷時1小時來製備82.5mL對稱苯甲酸(mesic acid)及P2 O5 之溶液。將對稱苯甲酸/P2 O5 混合物在氮氣下於15分鐘時段內經由加料漏斗添加至圓底燒瓶中經攪拌之混合物。接著將反應混合物攪拌隔夜。接著用1000mL醚萃取反應混合物以移除過量對稱苯甲酸。除一些對稱苯甲酸及殘餘水外，去除大部分水(60g)後之水層含有大部分甲磺酸參(羥基苯基鋶)。將60g水添加至經除水之水層，引起油沈澱。用2×10mL水萃取油。將殘餘物再溶解於60g熱水中，允許其形成油且用2×10mL水最後一次洗滌以產生27.2g甲磺酸參(羥基苯基鋶)。使用1 H NMR確認結構。
實例8 -三氟甲磺酸參(羥苯基)鋶(THPSTF)之製備
在配備有機械攪拌器及氮源之適當大小容器中，製備懸浮於乙酸乙酯(100mL)中之26.65g甲磺酸參(羥基苯基鋶)之溶液且將200mL水接著11.28g三氟甲磺酸鈉依序添加至此溶液。將此混合物攪拌隔夜，且使水層與有機層分離。使有機層與另一份11.28g三氟甲磺酸鈉交換以得到完全交換。用3×20mL H2 O洗滌有機層且接著移除溶劑，用戊烷濕磨且使其經受最終乾燥以得到27.85g三氟甲磺酸參(羥苯基)鋶。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例9 -三氟甲磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶之製備
三頸圓底燒瓶配備有機械攪拌器、加料漏斗及冷凝器(配備有氮氣入口)。製備來自實例8之三氟甲磺酸參(4-羥苯基)鋶(10g，0.0217莫耳)溶解於51mL乾燥DMSO中之溶液且添加至燒瓶。將NaOH(5.65g，0.14莫耳)添加至此混合物且將反應混合物於60℃下在氮氣下加熱約1小時直至溶解所有NaOH。使用加料漏斗將2-氯乙基乙烯醚(30g，0.28莫耳)逐滴添加至此溶液同時將反應混合物加熱至80℃。將混合物在80℃下攪拌5小時。反應完成後，形成白色固體(NaCl，由AgNO3 測試測定)，過濾該白色固體。用200mL水稀釋濾液且用200mL醚處理以形成三個層。廢棄水層且用3×40mL水洗滌兩個剩餘有機層。將經除水之有機層用醚濕磨若干次以移除雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)硫醚雜質以得到6.63g九氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例10 -九氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶(TVOPSNF)之製備
在配備有機械攪拌器及氮源之合適容器中，製備來自實例9之三氟甲磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶(3.32g，0.0049莫耳)溶解於9g乙酸乙酯中之溶液。將懸浮於20mL水中之九氟丁磺酸鉀(3.34g，0.0098莫耳)添加至此溶液且將混合物在室溫下攪拌隔夜。藉由添加10mL乙酸乙酯及10mL水萃取混合物且在移除水層後，用20mL水(含有3.34g九氟丁磺酸鉀)接著2×10mL蒸餾水依序洗滌有機層。接著移除乙酸乙酯且將殘餘物再溶解於二氯甲烷中以移除過量九氟丁磺酸鉀。回收3.71g純九氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例11 - 1,4-全氟丁二磺酸雙(參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶)(TVOPSFBDS)之製備
使用三氟甲磺酸參(4乙烯氧基乙氧基苯基)鋶代替三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶進行實例5之程序，其中藉由將殘餘物溶解於丙酮中且添加溶解於水中之1,4-全氟丁二磺酸鉀來使用1,4-全氟丁二磺酸鉀之三次額外交換(兩次4.33grs；第三次5.57grs)。藉由在40℃下隨攪拌加熱歷時1小時來進行1,4-全氟丁磺酸鉀溶液之最終添加。接著在旋轉蒸發器上移除丙酮且藉由傾倒移除水層。將油性殘餘物溶解於10mL二氯甲烷中，過濾以移除任何殘餘鉀鹽且去除溶劑。將此殘餘物再溶解於丙酮中且用水沈澱3次，接著再溶解於二氯甲烷中且用戊烷沈澱以在乾燥後得到2.8公克純淨產物(產率81%)。使用1 H及19 F NMR確認結構。
實例12
1.1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶(TVOPSHFPDI)之製備
將來自實例9之三氟甲磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶(2.00g，0.00298莫耳)轉移入燒瓶中且溶解於5mL丙酮中。將1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺鋰(來自TCI)溶解於3mL蒸餾水中且添加至三氟甲磺酸鹽之丙酮溶液。將足量丙酮(35mL)添加至此混合物以獲得透明單相溶液。將反應混合物於塞頭燒瓶中攪拌隔夜。接著在真空下移除丙酮，添加50mL二氯甲烷。用10mL蒸餾水萃取有機層4次。將經最終洗滌之有機層去除溶劑且在高真空下乾燥隔夜以得到2.40g(產率99%)油，其由1 H及19 F NMR測定為純淨的。
實例13 -脫氧膽酸四甲基銨(TMADOC)之製備
在配備有機械攪拌器及氮源之合適容器中，製備脫氧膽酸(5g，0.0127莫耳)及氫氧化四甲基銨五水合物(2.3081g，0.0127莫耳)溶解於40mL蒸餾水中之溶液。攪拌溶液且形成白色粉末。藉由冷凍乾燥移除水以獲得白色粉末(5.69g，產率95%)脫氧膽酸四甲基銨，其由1 H NMR測定為純淨的。
實例14 -石膽酸四甲基銨(TMALC)之製備
在配備有機械攪拌器之合適容器中，製備石膽酸(5g，0.023277莫耳)及氫氧化四甲基銨五水合物(2.406g，0.023277莫耳)溶解於40mL蒸餾水中之溶液。攪拌溶液且形成白色粉末。藉由冷凍乾燥移除水以獲得白色粉末(5.59g，產率94%)石膽酸四甲基銨，其由1 H NMR測定為純淨的。
實例15 -膽酸四甲基銨(TMAC)之製備
在配備有機械攪拌器之合適容器中，製備膽酸(5g，0.012238莫耳)及氫氧化四甲基銨五水合物(2.406g，0.012238莫耳)溶解於40mL蒸餾水中之溶液。攪拌溶液且形成白色粉末。藉由冷凍乾燥移除水以獲得白色粉末(5.53g，產率94%)膽酸四甲基銨，其由1 H NMR測定為純淨的。
實例16 -聚(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯) 60/40P(PQMA/TBA)之製備
在配備有機械攪拌器、加料漏斗及氮源之合適容器中，將16.86g(94.6mmol)甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯及8.09g(63.1mmol)丙烯酸第三丁酯溶解於66g THF中。在室溫下於N2 下攪拌混合物20分鐘且接著加熱至70℃。將於4g THF中之5.05g(30.8mmol) 2,2'-偶氮雙異丁腈添加至反應混合物。將反應混合物在70℃下攪拌額外5小時。接著將反應混合物冷卻至室溫，用額外70ml THF稀釋且接著添加至300ml乙酸丁酯與700ml庚烷混合物之混合物，引起形成沈澱。過濾沈澱，添加至1000ml庚烷，再次過濾且接著在真空烘箱中40℃下乾燥(產率95%)。藉由凝膠滲透(GPC)層析法發現此材料具有19236之Mw 及8920之Mn 。
實例17 -聚(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯-共-丙烯酸乙基環戊基酯) 60/20/20 P(PQMA/TBA/ECPA)之製備
在配備有機械攪拌器及氮源之合適容器中，將64.73g(363.3mmol)甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯、15.52g(121.1mmol)丙烯酸第三丁酯及20.37g(121.1mmol)丙烯酸乙基環戊基酯溶解於270g THF中。在室溫下於N2 下攪拌混合物20分鐘且接著加熱至70℃。將於20g THF中之19.38g(118.2mmol) 2,2'-偶氮雙異丁腈添加至反應混合物。將反應混合物在70℃下攪拌額外5小時。接著將6.01g(48.4mmol) 4-甲氧基酚添加至反應混合物且將反應混合物冷卻至室溫。接著用額外300ml THF稀釋反應混合物，在2500ml庚烷中沈澱，過濾，在2500ml庚烷中再沈澱，過濾且在真空烘箱中40℃下乾燥(產率95%)。藉由凝膠滲透(GPC)層析法發現此材料具有20980之Mw 及9237之Mn 。
實例18至32描述用於測試不同的發明性化合物及/或組合物之調配物之製備。除非在特定實例本身中另有說明，否則用於製備此等溶液之一般程序如下：
以除溶劑外之全部組份的1.2重量%含量來製備每一調配物樣本(30g)，且亦由來自實例16之聚合物(聚(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯)60/40)(P(PQMA/TBA))或來自實例17之聚合物(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯-共-丙烯酸乙基環戊基酯60/20/20)(P(PQMA/TBA/ECPA))調配含有可交聯之發明性PAG化合物。又，將三乙胺(TEA)、交聯劑1,2,4-環己烷三甲酸參(4-乙烯氧基丁基)酯(CHTA-BVE)、熱酸產生劑(TAG)丙二酸三乙基銨(TEAM)(更詳細描述於第11/876,793號中，其內容在此以引用方式併入本文中)及作為溶劑之丙二醇單甲基醚(PGME)添加至調配物。基於所使用之聚合物之重量%添加PAG。將新近混合溶液在滾筒上靜置至少3小時且接著使用具有0.2μm孔隙直徑之PTFE過濾器過濾。
實例33至35描述用於測試可交聯之發明性光可分解鹼或抑止劑之製備。除非在特定實例本身中另有說明，否則用於製備此等溶液之一般程序如下：
以除溶劑外之全部組份的1.2重量%含量來製備每一調配物樣本(30g)，且亦由來自實例16之聚合物(聚(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯)60/40)(P(PQMA/TBA))或來自實例17之聚合物(甲基丙烯酸4-羥基苯氧基酯-共-丙烯酸第三丁酯-共-丙烯酸乙基環戊基酯60/20/20)(P(PQMA/TBA/ECPA))調配含有可交聯之發明性光可分解鹼或抑止劑。亦添加如特定實例中引用之PAG、三乙胺(TEA)、交聯劑環己烷三甲酸參(4-乙烯氧基丁基)酯(CHTA-BVE)、熱酸產生劑(TAG)丙二酸三乙基銨(TEAM)及作為溶劑之丙二醇單甲基醚(PGME)。基於所使用之聚合物之重量%添加PAG且識別交聯鹼與所使用之PAG之莫耳比。將新近混合溶液在滾筒上靜置至少3小時且接著使用具有0.2μm孔隙直徑之PTFE過濾器過濾。
實例18 P(PQMA/TBA) 10% TPSFPDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：64.98%實例16之聚合物、15.60% CHTA-BVE、5.11% TEA、7.77% TEAM、6.50% PAG 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)(3M)。
實例19 P(PQMA/TBA) 15% TPSFPDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：55.84%實例16之聚合物、19.54% CHTA-BVE、6.45% TEA、9.79% TEAM、8.38% PAG 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)。
實例20 P(PQMA/TBA) 10% BHPPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：64.51%實例16之聚合物、15.48% CHTA-BVE、5.11% TEA、8.45% TEAM、6.48%實例1之PAG。
實例21 P(PQMA/TBA) 15% BHPPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：56.62%實例16之聚合物、18.45% CHTA-BVE、6.09% TEA、10.35% TEAM、8.49% 實例1之PAG。
實例22 P(PQMA/TBA) 20% BHPPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：53.10%實例16之聚合物、18.83% CHTA-BVE、6.09% TEA、11.23% TEAM、10.62%實例1之PAG。
實例23 P(PQMA/TBA) 4% BHPPSFBDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：66.05%實例16之聚合物、17.74% CHTA-BVE、5.86% TEA、7.70% TEAM、2.64%實例2之PAG。
實例24 P(PQMA/TBA) 15% BHPPSFBDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：56.05%實例16之聚合物、19.47% CHTA-BVE、6.43% TEA、9.65% TEAM、8.41%實例2之PAG。
實例25 P(PQMA/TBA) 20% BHPPSFBDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：52.44%實例16之聚合物、20.09% CHTA-BVE、6.64% TEA、10.34% TEAM、10.40%實例2之PAG。
實例26 P(PQMA/TBA) 2% BVOPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：69.31%實例16之聚合物、17.06% CHTA-BVE、5.63% TEA、6.61% TEAM、1.39%實例4之PAG。
實例27 P(PQMA/TBA) 6% BVOPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1..2重量%溶液由以下組份組成：68.92%實例16之聚合物、15.68% CHTA-BVE、5.18% TEA、6.08% TEAM、4.14%實例4之PAG。
實例28 P(PQMA/TBA) 10% BVOPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：68.54%實例16之聚合物、14.33% CHTA-BVE、4.73% TEA、5.55% TEAM、6.85%實例4之PAG。
實例29 P(PQMA/TBA/ECPA) 4% BVOPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：64.99%實例17之聚合物、18.60% CHTA-BVE、6.14% TEA、7.67% TEAM、2.60%實例4之PAG。
實例30 P(PQMA/TBA/ECPA) 4% TVOPSNF
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：69.18%實例17之聚合物、15.94% CHTA-BVE、5.26% TEA、6.84% TEAM、2.77%實例10之PAG。
實例31 P(PQMA/TBA/ECPA) 4% BVOPSFBDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：68.31%實例17之聚合物、16.69% CHTA-BVE、5.51% TEA、6.76% TEAM、2.73%實例5之PAG。
實例32 P(PQMA/TBA/ECPA) 4% TVOPSFBDS
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：65.18%實例17之聚合物、17.96% CHTA-BVE、6.56% TEA、7.69% TEAM、2.61%實例11之PAG。
實例33 P(PQMA/TBA/ECPA)1.75% TPSFPDS(無交聯鹼)
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：68.68%實例17之聚合物、17.54% CHTA-BVE、5.79% TEA、6.79% TEAM、1.20% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)。
實例34 P(PQMA/TBA/ECPA)1.75% TPSFPDS及來自實例13之交聯鹼(鹼：PAG的莫耳比為1:10)
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：68.63%實例17之聚合物、17.54% CHTA-BVE、5.79% TEA、6.79% TEAM、1.20% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)、0.06%來自實例13之交聯鹼。
實例35 P(PQMA/TBA/ECPA)1.75% TPSFPDS及來自實例13之交聯鹼(鹼：PAG的莫耳比為1:30)
以除溶劑以外的全部組份之重量%計，於PGME中之1.2重量%溶液由以下組份組成：68.66%實例17之聚合物、17.53% CHTA-BVE、5.79% TEA、6.79% TEAM、1.20% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)、0.02%來自實例13之交聯鹼。
一般評估程序
為評估可交聯PAG之效能，使用兩種參考BARC系統。一者為來自AZElectronic Materials之商用有機BARC AZ1C5D，且另一者為由不同含量之低溶解度PAG調配之上述可顯影抗反射塗料組合物溶液：1,4-全氟丁二磺酸雙-參苯基苯基鋶(其不含交聯部分)。參考材料中使用兩種不同含量之1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)：10% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)相對於來自實例16(實例18)之聚合物，及15% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)相對於來自實例16之聚合物。
除非論述中另有說明，否則在連接至Nikon S306D(NA=0.85，環形照射，(0.82/0.55) s，主光罩：二元遮罩)之Tokyo Electron Clean Track ACT 12 Track上執行所有處理。
用Nanometrics Nanospec 8000量測膜厚度。接著使用Nikon 306D Illumination ID:3(0.85NA，2/3環形)及較少侵襲性二元曝光來曝光經塗布之晶圓。對其進行如下處理：SB=100℃/60s，PEB=110℃/60s，顯影時間：30s(ACT12)。使用含有2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)之不含界面活性劑之顯影劑AZ 300MIF顯影晶圓。
對於使用習知BARC之參考樣本，用AZ1C5D塗布(條件：2650轉/分，塗覆後烘焙(PAB) 200℃，60s)未上底漆之矽晶圓以形成具有37nm厚度之BARC層。將光阻AZAXTM 2110P塗布於BARC層上(條件：1400轉/分，PAB(100℃/60s)，曝光後烘焙(PEB)(110℃/60s))以形成具有約210nm厚度之膜。在如上文所描述曝光後，在顯影劑中顯影晶圓(23℃/30s)。在此等系統中，用於100nm 1:1.5及120 1:1.1特徵之尺寸劑量為~30mJ/cm2 。在此劑量下，光阻達成目標CD。因為習知BARC經不可逆交聯，所以此層中不發生顯影。
對於包括參考材料之上述可顯影抗反射塗料組合物，用上述可顯影抗反射塗料組合物塗布(條件：~1500轉/分，PAB 120至180℃)已上底漆(140℃下HDMS蒸氣上底漆歷時60s)之矽晶圓以形成約40nm之可顯影抗反射塗料層。將光阻AZAXTM 2110P塗布於可顯影抗反射塗料層上(條件：1400轉/分，PAB(100℃/60s)，PEB(110℃/60s))以形成具有約210nm厚度之膜。曝光後，在AZ300 MIF顯影劑中顯影晶圓(23℃/30s)。在此等條件下，在AZAXTM 2110P膜中，用於100nm 1:1.5及120 1:1.1目標特徵之尺寸劑量應為~30mJ/cm2 (參見上文)。因為可顯影抗反射塗料組合物應為可顯影的，所以評估之部分係確定可顯影抗反射塗料組合物在30mJ/cm2 下顯影的程度及是否需要任何過度曝光以完全顯影可顯影抗反射塗料組合物。
對有機BARC 1C5D上之AZArF 2110P或由來自實例4之二乙烯氧基可交聯PAG、BVOPSNF或非交聯PAG、1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)調配之可顯影抗反射塗料組合物之效能進行比較。對於此等可顯影抗反射塗料組合物，藉由此等調配物解析具有1:1.5間距之100nm溝槽或120nm溝槽之能力來比較且判斷不同等級之PAG負載。如上文所描述評估所有樣本。用於可顯影抗反射塗料組合物之處理溫度如下：(FT：40nm~1500轉/分，PAB 120℃/60sec)。
非交聯PAG 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)與交聯PAG之比較
使用由實例16中製得之聚合物調配之可顯影抗反射塗料組合物進行此比較。當以低於10%之含量使用不具有交聯基團之1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)時，根本不顯影可顯影抗反射塗料組合物，在目標特徵之光阻-可顯影抗反射塗料組合物界面處得到完全浮渣。即使具有較高含量之1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)之樣本(實例18及19)(10%及15%)亦不能夠在不會過度曝光此等特徵且在可顯影抗反射塗料組合物-光阻界面處產生大量基蝕的情況下解析此等特徵。
相反，當使用來自實例4之交聯PAG時，觀測到該等特徵之少得多的浮渣。在增加之PAG含量下使用之調配物為實例26(2%來自實例4之PAG)、實例27(6%來自實例4之PAG)及實例28(10%來自實例4之PAG)。即使最低含量亦在可顯影抗反射塗料組合物-光阻界面處提供100nm溝槽特徵之某種部分間隙。在介於實例27之含量(其具有部分間隙)與實例28之含量(其在33mJ/cm2 劑量下具有溝槽底部可顯影抗反射塗料組合物之完整間隙但展示較小基蝕)之間的含量下發生溝槽底部可顯影抗反射塗料組合物之完全間隙。實例28展示在介於33mJ/cm2 與36mJ/cm2 之間的劑量下與在BARC，1C5D的情況下可見之光阻輪廓類似之光阻輪廓。
亦相對於來自實例16之聚合物組份在10%、15%及20% PAG負載下評估具有來自實例1之雙羥基交聯PAG BHPPSNF之調配物(分別為實例20、實例21及實例22)。亦評估相對於同一聚合物具有在4%、15%及20%之負載下的來自實例2之PAG BHPPSFBDS之調配物(分別為實例23、24、25)。
使用與上文所描述相同之微影條件，含有來自實例1之PAG(BHPPSNF)或來自實例2之PAG(BHPPSFBDS)之調配物(來自實例1之PAG及來自實例2之PAG均具有羥基交聯基團)與彼等由相應量之不具有交聯基團的1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)調配之調配物相比展示較佳效能。然而，此等調配物之效能不如先前描述之具有乙烯氧基PAG之調配物(實例26至28)好，因為其在標稱劑量30mJ/cm2 下不開放底部可顯影抗反射塗料圖案，且需要大於42mJ/cm2 之過度曝光以在不展示可顯影抗反射塗料浮渣的情況下解析100nm 1.1.5或120nm 1:1.1溝槽特徵。在兩種PAG中，BHPPSFBDS與含有BHPPSNF之等效調配物相比提供較佳效能，在較低劑量下提供可顯影抗反射塗料之較佳間隙且伴隨較少基蝕。
針對含有來自實例1之雙羥基PAG(BHPPSNF)或來自實例2之雙羥基PAG(BHPPSFBDS)或來自實例4之雙乙烯氧基PAG之調配物測試低溶解度調配物之其他PAB溫度(PAB 130℃、140℃、150℃、160℃、170℃及180℃)。使用較高PAB溫度可稍微改良含有來自實例4之PAG之可顯影抗反射塗料之間隙。舉例而言，使用含有6%來自實例4之PAG之實例27調配物，將PAB按10℃增量自130℃增加至180℃且觀察120nm 1:1.1溝槽特徵。從此等實驗可見，在使用120℃之DBARC PAB之27mJ/cm2 劑量下發生大量可顯影抗反射塗料浮渣，但增加溫度會逐漸減少浮渣，使得在160℃下浮渣消失且伴隨輕微基蝕。增加溫度進一步增加光阻特徵之基蝕且減少過度曝光餘裕。類似地，含有來自實例1(BHPPSNF)或實例2(BHPPSFBDS)之雙OH PAG之上述調配物(實例20至25)亦藉由達到較高溫度而展示120nm1:1.1溝槽特徵之浮渣之一些改良，但在既定PAG負載及溫度下在減少浮渣方面不如含有來自實例4之二乙烯氧基PAG之調配物好。使用不交聯之1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)PAG進行的相同實驗在不提供烘焙或足夠高以完全移除可顯影抗反射塗料浮渣之過度曝光的情況下展示少得多的改良。
亦使用含有來自實例17之聚合物之可顯影抗反射塗料調配物進行實驗。在此等實驗中，使用上述曝光條件比較調配物在達成100nm 1:1.5溝槽方面的表現。將此等含有4%來自實例4之PAG(實例29)；4%來自實例10之PAG(實例30)、來自實例5之PAG(實例31)及4%來自實例11之PAG(實例32)之調配物彼此且與標準BARC 1C5D上之表現。使用每PAG分子具有增加之乙烯氧基官能基數目之PAG製得此等調配物。舉例而言，來自實例4之PAG每分子具有兩個乙烯氧基部分，來自實例10之PAG每分子具有三個乙烯氧基部分，來自實例5之PAG每分子具有四個乙烯氧基部分，且最後，來自實例11之PAG(TVOPSFB)每分子具有六個乙烯氧基部分。所有此等交聯PAG材料展示減少很多之在非交聯PAG 1,4-全氟烷二磺酸雙(三苯基鋶)的情況下可見之層間浮渣形成。將交聯PAG調配物彼此比較。觀測到，來自實例10之PAG及來自實例5之PAG在30mJ/cm2 之劑量下根本不形成層間浮渣，而來自實例4之PAG在此劑量下稍微形成層間浮渣。與其他含有具有較少交聯基團之PAG之調配物不同，使用來自實例11之PAG之調配物不產生層間浮渣但產生更難以清除之可顯影抗反射塗料層(產生可顯影抗反射塗料之一些底部浮渣)。最後，總體而言，亦藉由增加之可交聯乙烯氧基官能基數目顯著改良可顯影抗反射塗料基蝕。
實例13之交聯鹼之效能
為評估來自實例13之可交聯鹼之效能，將商用BARC AZ1C5D與若干基於來自實例17之聚合物的可顯影抗反射塗料系統相比較。對於商用BARC樣本AZ1C5D，使用AZAXTM 2110P之210nm厚的膜以與上文先前描述之方式相同之方式進行此比較。對於可顯影抗反射塗料樣本，藉由再次以與上文先前描述之方式相同之方式塗布且烘焙商用光阻AZAXTM 2110P來進行此比較。在此等條件下，在AZAXTM 2110P膜中，用於AZ1C5D上100nm 1:1.5目標特徵之尺寸劑量應為30mJ/cm2 (參見上文)。對於可顯影抗反射塗料調配物，將實例33中描述之調配物(該調配物含有來自實例17之聚合物，其含有1.75% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)(非交聯PAG)且未添加交聯鹼)與實例34之調配物(該調配物含有1.75% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)且亦含有來自實例13之交聯鹼，交聯鹼(鹼：PAG的莫耳比為1:10))且亦與實例35之調配物(該調配物含有1.75% 1,4-全氟丁二磺酸雙(三苯基鋶)及來自實例13之交聯鹼(鹼：PAG的莫耳比為1:30))相比較。對於不含來自實例13之所添加交聯鹼之樣本，當使用為160℃之用於可顯影抗反射塗料之PAB溫度時，展示光阻與可顯影抗反射塗料之間的大量層間浮渣，且在高於39mJ/cm2 之劑量下遭受由光阻下之可顯影抗反射塗料之基蝕引起之圖案崩潰。相反，按1:10及1:30的鹼：PAG比含有來自實例13之交聯鹼之實例34及35之調配物即使在42mJ/cm2 之劑量下亦不顯示圖案崩潰，因為與在不含來自實例13之所添加交聯鹼之調配物(實例33)中觀測到的基蝕相比，此等調配物遭受的在可顯影抗反射塗層與光阻之間的層間浮渣下之基蝕少得多。當使用為170℃之用於可顯影抗反射塗料之較高PAB溫度時，不含所添加交聯鹼之可顯影抗反射塗料調配物(實例33)由於高於33mJ/cm2 之基蝕劑量而遭受圖案崩潰。按1:10的鹼：PAG比含有來自實例13之交聯鹼之可顯影抗反射塗料樣本僅在39mJ/cm2 下顯示圖案崩潰。此改良係因為添加交聯鹼減少了過度曝光後之基蝕。在此較高可顯影抗反射塗料PAB固化溫度下，相對於PAG(1:30的鹼：PAG比)(實例35)按較低量含有來自實例13之交聯鹼之樣本不顯示崩潰餘裕之顯著改良。
前述實施方式說明且描述本發明。此外，本發明僅展示且描述本發明之某些實施例，但如上文所論及，應理解本發明能夠用於各種其他組合、修改及環境中且能夠在如本文中所表述之發明概念之範疇內作出與上述教示及/或相關技術之技藝或知識相稱的改變或修改。上文描述之實施例進一步意欲解釋實踐本發明之已知最佳模式且使得熟習此項技術者能夠在此等或其他實施例中且使用本發明之特定應用或使用所需之各種修改來利用本發明。因此，描述不意欲將本發明限於本文中揭示之形式。又，附加申請專利範圍意欲被解釋為包括替代性實施例。

Claims (38)

  1. 一種抗反射塗料組合物，其包含具有染料或發色團部分及交聯官能度之聚合物、可選交聯組份及一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。
  2. 如請求項1之組合物，其中W為PAG；G為G2；且p為2至6。
  3. 如請求項1之組合物，其中W為PAG；G為G1；且p為2至6。
  4. 如請求項1之組合物，其中W為Q；G為G2；且p為2至6。
  5. 如請求項1之組合物，其中W為Q；G為G1；且p為2至6。
  6. 如請求項1之組合物，其包含一或多種具有下式之光敏性化合物， 及一或多種具有下式之光敏性化合物，
  7. 如請求項1之組合物，其包含一或多種具有下式之光敏性化合物， 及一或多種具有下式之光敏性化合物，
  8. 如請求項1之組合物，其中該光敏性化合物具有下式， 其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
  9. 如請求項1之組合物，其中該光敏性化合物具有下式， 其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
  10. 如請求項1之組合物，其中該光敏性化合物具有下式， 其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12。
  11. 如請求項1之組合物，其包含一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，及一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。
  12. 如請求項1之組合物，其包含一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，及一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。
  13. 如請求項1之組合物，其進一步包含熱酸產生劑。
  14. 如請求項1之組合物，其中PAG選自鎓鹽、重氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、雙碸衍生物、N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯、β-酮磺酸衍生物、二碸衍生物、磺酸硝基苯甲酯衍生物、磺酸酯衍生物、苯甲氧基磺醯基苯衍生物及其混合物。
  15. 如請求項1之組合物，其中Q選自一級脂肪胺、二級脂肪胺及三級脂肪胺；混合胺；芳族胺；雜環胺；具有羧基之含氮化合物；具有磺醯基之含氮化合物；具有羥基之含氮化合物；具有羥苯基之含氮化合物；醇類含氮化合物；醯胺衍生物；醯亞胺衍生物；具有一或多個氧原子之含氮化合物；具有下式之化合物， 其中R40a 、R40b 、R40c 及R40d 獨立地表示：氫；未經取代或經取代之直鏈、支鏈或環狀烷基、烯基；視情況含有一或多個O原子之直鏈、支鏈或環狀烷基或烯基；具有6至20個碳原子之芳基；具有7至12個碳原子之芳烷基或芳基氧代烷基，或R40b 及R40c 可一起形成環，其中當R40b 及R40c 形成環時，R40b 及R40c 中之每一者為具有1至6個碳原子之伸烷基，且D- 為具有為-3至+7之pKB 值之鹼性陰離子； 其中Ar為具有6至20個碳原子之未經取代或經取代之芳基；R10b 及R10c 獨立地為未經取代或經取代之直鏈、支鏈或環狀烷基、烯基；視情況含有一或多個O原子之直鏈、支鏈或環狀烷基或烯基；具有6至20個碳原子之芳基；具有7至12個碳原子之芳烷基或芳基氧代烷基，或R10b 及R10c 可一起形成環，其中當R10b 及R10c 形成環時，R10b 及R10c 中之每一者為具有1至6個碳原子之伸烷基，且D- 為如上所定義； 其中Ra 表示(CH2 )i4 (其中i4為0或1)、O或S；R50 及R60 表示與R10b 相同之含義，或R50 及R60 與其所附接之S原子一起形成5員環、6員環或7員環，該環可為未經取代或經取代的；R80 、R90 及R100 各自個別地表示C1-4 烷基、C1-4 烷氧基或鹵化物；i1及i2各為1至4；i3為1至5；且D- 為如上所定義。
  16. 如請求項1之組合物，其進一步包含交聯組份。
  17. 一種正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中該抗反射塗料組合物包含聚合物及一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。
  18. 如請求項17之組合物，其中該聚合物選自下群：(i)包含至少一具有酸不穩定基團之復現單元的聚合物；(ii)包含至少一具有酸不穩定基團之復現單元及至少一具有吸收性發色團之復現單元的聚合物或(iii)包含至少一具有羥基及/或羧基之復現單元及至少一具有吸收性發色團之復現單元的聚合物。
  19. 如請求項18之組合物，其中當該聚合物為(i)或(iii)時，該組合物進一步包含染料。
  20. 如請求項17之組合物，其中W為PAG；G為G2；且p為2至6。
  21. 如請求項17之組合物，其中W為PAG；G為G1；且p為2至6。
  22. 如請求項17之組合物，其中W為Q；G為G2；且p為2至6。
  23. 如請求項17之組合物，其中W為Q；G為G1；且p為2至6。
  24. 如請求項17之組合物，其包含一或多種具有下式之光敏性化合物， 及一或多種具有下式之光敏性化合物，
  25. 如請求項17之組合物，其進一步包含熱酸產生劑。
  26. 一種與至少一種其他塗料組合物結合使用之第一塗料組合物，其中該第一塗料組合物包含具有交聯官能度之聚合物及一或多種具有下式之光敏性化合物， 其中W為PAG或Q，其中PAG為光酸產生劑且Q為抑止劑；每一L各為直接鍵或鍵聯基團；每一G各獨立地為G1或G2；G1為OH；G2為；p為1至12。
  27. 一種正型底部光可成像抗反射塗料組合物，其能夠藉由水性鹼性顯影劑顯影且其塗布於正型光阻下，其中該抗反射塗料組合物由(a)及(b)溶劑組成，其中(a)為：(a1)至少一種式(1)化合物與至少一種式(2)化合物之混合物， 或(a2)至少一種式(5)化合物， 其中PAG為光酸產生劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其中至少一PAG含有發色團部分。
  28. 如請求項27之組合物，其中(a)為(a1)。
  29. 如請求項27之組合物，其中(a)為(a2)。
  30. 如請求項27之組合物，其進一步包含選自以下各者及其混合物之化合物， 其中Q為抑止劑，每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為整數1至12；p3及p4各大於或等於1且p3+p4等於2至12。
  31. 如請求項27之組合物，其進一步包含熱酸產生劑。
  32. 一種化合物，其係選自下群， 其中PAG為光酸產生劑，Q為抑止劑，其中每一L各為直接鍵或鍵聯基團；p為1至12；p1及p2各大於或等於1且p1+p2等於2至12，其限制條件為，甲苯磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯鋶、三氟甲磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、全氟-1-丁磺酸雙{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}-3,5-二甲基-4-甲氧基苯鋶、10-樟腦磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶及環己烷氨基苯磺酸參{4-[2-(乙烯氧基)乙氧基]苯}鋶除外。
  33. 一種化合物，其選自三氟甲磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、九氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、參(三氟甲磺醯基)甲基化雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶、1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶)、九氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、1,4-全氟丁二磺酸雙(參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶)、1.1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、苯磺酸2,6-二硝基苯甲基-4-乙烯氧基乙氧基酯、4-乙烯氧基乙氧基苯磺酸三苯基鋶、去氧膽酸四甲基銨、石膽酸四甲基銨、膽酸四甲基銨、N,N-二乙烯氧基乙氧基乙基苯胺、3α,7α,12α-三乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、3α-乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、4-乙烯氧基乙氧基苯磺酸雙(4-羥基苯基)苯基鋶、3α,12α-二乙烯氧基乙氧基-5β-膽烷酸四甲基銨鹽、N-三氟甲基磺醯基氧基-3,6-二乙烯氧基乙氧基-1,8-萘二甲醯亞胺、蒽-2-磺酸對硝基苯甲基-9,10-二乙烯氧基乙氧基酯、10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、4-乙烯氧基乙氧基-10-樟腦磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、4-乙烯氧基乙氧基-環己烷氨基苯磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、參(三氟甲磺醯基)甲基化雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,4-全氟丁二磺酸雙(雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪)、1.1,2,2,3,3-六氟丙烷-1,3-二磺醯亞胺雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸參(4-乙烯氧基乙氧基苯基)鋶、1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)苯基鋶及1,1,1,2-四氟乙氧基八氟丁磺酸雙(4-乙烯氧基乙氧基苯基)錪。
  34. 一種經塗布基板，其包含：基板，該基板上具有：一層如請求項26之第一塗料組合物；及塗布於該層第一塗料組合物之上的一層如請求項26之其他塗料組合物。
  35. 一種經塗布基板，其包含：基板，該基板上具有：一層如請求項26之其他塗料組合物：及塗布於該其他塗料組合物層之上的一層如請求項26之第一塗料組合物。
  36. 一種經塗布基板，其包含：基板，該基板上具有：一層如請求項26之其他塗料組合物；在該層其他塗料組合物之上的一層如請求項26之第一塗料組合物；及在該層第一塗料組合物層之上的一層如請求項26之第二其他塗料組合物。
  37. 一種形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成如請求項1之抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙該抗反射塗層；c)在該抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使用水性鹼性顯影劑顯影影像；e)視情況在顯影前及顯影後加熱該基板，及f)乾式蝕刻該抗反射塗層。
  38. 一種形成影像之方法，其包含：a)在基板上形成如請求項17之底部光可成像抗反射塗料組合物之塗層；b)烘焙該抗反射塗層；c)在該抗反射塗層上提供頂部光阻層之塗布；d)使該光阻層及該抗反射塗料層成像曝光於相同波長之光化輻射；e)曝光後烘焙該基板上之該光阻層及該抗反射塗料層；及f)用鹼性水溶液顯影該光阻層及該抗反射塗料層。
TW098138487A 2008-11-12 2009-11-12 塗料組合物 TWI476256B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/269,072 US8455176B2 (en) 2008-11-12 2008-11-12 Coating composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201026798A TW201026798A (en) 2010-07-16
TWI476256B true TWI476256B (zh) 2015-03-11

Family

ID=41615756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098138487A TWI476256B (zh) 2008-11-12 2009-11-12 塗料組合物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8455176B2 (zh)
EP (1) EP2384457B1 (zh)
JP (3) JP5589192B2 (zh)
KR (1) KR101683927B1 (zh)
CN (2) CN102209937B (zh)
TW (1) TWI476256B (zh)
WO (1) WO2010055406A2 (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20090098490A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Victor Pham Radiation-Sensitive, Wet Developable Bottom Antireflective Coating Compositions and Their Applications in Semiconductor Manufacturing
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
DE112009000979B4 (de) * 2008-04-23 2014-12-11 Brewer Science, Inc. Photoempfindliche Hartmaske für die Mikrolithographie
US8455176B2 (en) 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
JP5427393B2 (ja) * 2008-11-13 2014-02-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR101547356B1 (ko) * 2008-11-13 2015-08-25 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제
JP5840954B2 (ja) * 2009-02-19 2016-01-06 ブルーワー サイエンス アイ エヌシー． 酸感応性、現像剤可溶性の下層反射防止膜
US10377692B2 (en) * 2009-09-09 2019-08-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoresist composition
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20110086312A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Dammel Ralph R Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating
US20110300367A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Ching-Kee Chien Optical Fiber With Photoacid Coating
JP6035017B2 (ja) * 2010-10-04 2016-11-30 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 下層組成物および下層を像形成する方法
US20120122029A1 (en) 2010-11-11 2012-05-17 Takanori Kudo Underlayer Developable Coating Compositions and Processes Thereof
EP2458440A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-30 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoacid generators
US8623589B2 (en) 2011-06-06 2014-01-07 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions and processes thereof
US8715907B2 (en) 2011-08-10 2014-05-06 International Business Machines Corporation Developable bottom antireflective coating compositions for negative resists
US8614047B2 (en) 2011-08-26 2013-12-24 International Business Machines Corporation Photodecomposable bases and photoresist compositions
US8697336B2 (en) 2011-12-15 2014-04-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for forming a developable bottom antireflective coating
US9261786B2 (en) * 2012-04-02 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photosensitive material and method of photolithography
US8999624B2 (en) 2012-06-29 2015-04-07 International Business Machines Corporation Developable bottom antireflective coating composition and pattern forming method using thereof
US8900797B2 (en) * 2012-09-26 2014-12-02 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Developable bottom anti-reflective coating
JP5990447B2 (ja) 2012-11-12 2016-09-14 メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 芳香族イミド化合物及びその製造方法
US9159559B2 (en) * 2013-03-11 2015-10-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography layer with quenchers to prevent pattern collapse
JP5572739B2 (ja) * 2013-06-17 2014-08-13 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
WO2015127459A1 (en) 2014-02-24 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Methods and techniques to use with photosensitized chemically amplified resist chemicals and processes
WO2015130695A1 (en) * 2014-02-25 2015-09-03 Tokyo Electron Limited Chemical Amplification Methods and Techniques for Developable Bottom Anti-reflective Coatings and Dyed Implant Resists
US9572753B2 (en) * 2014-03-17 2017-02-21 Ada Foundation Enzymatically and hydrolytically stable resins, resin monomers, and resin composites for use in dental preventive and restorative applications
US9383644B2 (en) 2014-09-18 2016-07-05 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
US9477150B2 (en) 2015-03-13 2016-10-25 Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications
US9810990B2 (en) * 2015-03-16 2017-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical treatment for lithography improvement in a negative tone development process
TWI696891B (zh) * 2015-12-09 2020-06-21 日商住友化學股份有限公司 光阻組成物及光阻圖案之製造方法
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
JP6750155B2 (ja) 2016-05-13 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 光剤を用いた限界寸法制御
CN109313394B (zh) 2016-05-13 2021-07-02 东京毅力科创株式会社 使用光敏化学品或光敏化学放大抗蚀剂的临界尺寸控制
CN109415309B (zh) * 2016-06-16 2022-02-25 日产化学株式会社 磺酸酯化合物及其利用
NL2017314B1 (en) 2016-08-15 2018-03-02 Eagle Access B V System to transfer people and/or cargo during offshore operations
JP6999330B2 (ja) * 2016-09-07 2022-01-18 住友化学株式会社 酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2018067696A (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 Jsr株式会社 基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法
JP6890454B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸拡散制御剤
US20180364576A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US11054742B2 (en) * 2018-06-15 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV metallic resist performance enhancement via additives
KR102603920B1 (ko) * 2019-01-28 2023-11-20 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
KR20200114438A (ko) 2019-03-28 2020-10-07 삼성전자주식회사 반사방지막 형성용 폴리머 및 조성물과 반사방지막을 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법
US11269252B2 (en) * 2019-07-22 2022-03-08 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method for forming pattern using antireflective coating composition including photoacid generator
WO2021034567A1 (en) 2019-08-16 2021-02-25 Tokyo Electron Limited Method and process for stochastic driven defectivity healing
KR20210100792A (ko) * 2020-02-06 2021-08-18 삼성전자주식회사 레지스트 조성물
WO2021220648A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法、並びに、スルホン酸塩化合物及びそれを含む感放射線性酸発生剤

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821757A (en) * 2006-09-27 2008-05-16 Az Electronic Materials Usa Antireflective coating compositions

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE674096A (zh) * 1964-12-25 1966-04-15
US4061465A (en) * 1976-04-02 1977-12-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture Creasable durable press textiles from methylol reagents and half amides or half salts of dicarboxylic acids
US4229274A (en) * 1979-02-26 1980-10-21 Ppg Industries, Inc. Ultraviolet light curable compositions for producing coatings of low gloss
JPS5647440A (en) 1979-09-28 1981-04-30 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Rubber composition having high elastic modulus
US4388450A (en) * 1981-03-13 1983-06-14 General Electric Company Aromatic polyvinyl ethers and heat curable molding compositions obtained therefrom
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4910122A (en) * 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4863827A (en) * 1986-10-20 1989-09-05 American Hoechst Corporation Postive working multi-level photoresist
US4845265A (en) * 1988-02-29 1989-07-04 Allied-Signal Inc. Polyfunctional vinyl ether terminated ester oligomers
DE3817012A1 (de) 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche gemische sowie verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3930087A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3930086A1 (de) * 1989-09-09 1991-03-21 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5650261A (en) * 1989-10-27 1997-07-22 Rohm And Haas Company Positive acting photoresist comprising a photoacid, a photobase and a film forming acid-hardening resin system
US5114826A (en) * 1989-12-28 1992-05-19 Ibm Corporation Photosensitive polyimide compositions
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
KR100189642B1 (ko) * 1991-02-18 1999-06-01 디어터 크리스트 전자 부품 및 조립체를 피복시키거나 접착시키는 방법
US5147946A (en) * 1991-03-11 1992-09-15 Isp Investments Inc. Vinyl ether siloxane copolymeric composition
DE4112967A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Substituierte 1-sulfonyloxy-2-pyridone, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE4125260A1 (de) * 1991-07-31 1993-02-04 Hoechst Ag Oligomere verbindungen mit saeurelabilen schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
JP3000745B2 (ja) 1991-09-19 2000-01-17 富士通株式会社 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
JP2694097B2 (ja) * 1992-03-03 1997-12-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 反射防止コーティング組成物
US5362608A (en) * 1992-08-24 1994-11-08 Brewer Science, Inc. Microlithographic substrate cleaning and compositions therefor
DE4302681A1 (de) * 1993-02-01 1994-08-04 Hoechst Ag Sulfonsäureester, damit hergestellte strahlungsempfindliche Gemische und deren Verwendung
JPH06230574A (ja) * 1993-02-05 1994-08-19 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH06295064A (ja) 1993-04-09 1994-10-21 Kansai Paint Co Ltd 感光性組成物及びパターンの製造方法
US5635333A (en) * 1994-12-28 1997-06-03 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating process
US5731386A (en) * 1995-05-09 1998-03-24 Shipley Company, L.L.C. Polymer for positive acid catalyzed resists
JPH0954437A (ja) * 1995-06-05 1997-02-25 Fuji Photo Film Co Ltd 化学増幅型ポジレジスト組成物
US5648196A (en) * 1995-07-14 1997-07-15 Cornell Research Foundation, Inc. Water-soluble photoinitiators
US5648194A (en) * 1995-08-03 1997-07-15 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition comprising an alkali-soluble resin, a quinone diazide compound and a vinyl ether
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
US6136499A (en) 1996-03-07 2000-10-24 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
JP3587325B2 (ja) * 1996-03-08 2004-11-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US5843624A (en) 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
JP3198915B2 (ja) * 1996-04-02 2001-08-13 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
US5886102A (en) * 1996-06-11 1999-03-23 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions
US5652297A (en) * 1996-08-16 1997-07-29 Hoechst Celanese Corporation Aqueous antireflective coatings for photoresist compositions
CA2243381A1 (en) * 1996-11-20 1998-05-28 Polaroid Corporation Protective overcoat useful for enhancing an article's resistance to ambient humidity
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
TW432257B (en) * 1997-01-31 2001-05-01 Shinetsu Chemical Co High molecular weight silicone compound, chemically amplified positive resist composition and patterning method
US5939236A (en) * 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
US6103445A (en) * 1997-03-07 2000-08-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Photoresist compositions comprising norbornene derivative polymers with acid labile groups
US5981145A (en) * 1997-04-30 1999-11-09 Clariant Finance (Bvi) Limited Light absorbing polymers
US6054254A (en) * 1997-07-03 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Composition for underlying film and method of forming a pattern using the film
US6124077A (en) * 1997-09-05 2000-09-26 Kansai Paint Co., Ltd. Visible light-sensitive compositions and pattern formation process
DE19742013A1 (de) * 1997-09-24 1999-03-25 Basf Ag Offenzellige Hartschaumstoffe auf Isocyanatbasis
JP3676918B2 (ja) * 1997-10-09 2005-07-27 富士通株式会社 レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
US5882996A (en) * 1997-10-14 1999-03-16 Industrial Technology Research Institute Method of self-aligned dual damascene patterning using developer soluble arc interstitial layer
US5935760A (en) * 1997-10-20 1999-08-10 Brewer Science Inc. Thermosetting polyester anti-reflective coatings for multilayer photoresist processes
KR100279497B1 (ko) * 1998-07-16 2001-02-01 박찬구 술포늄 염의 제조방법
TWI250379B (en) * 1998-08-07 2006-03-01 Az Electronic Materials Japan Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator
US6630285B2 (en) * 1998-10-15 2003-10-07 Mitsui Chemicals, Inc. Positive sensitive resin composition and a process for forming a resist pattern therewith
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
US6251562B1 (en) * 1998-12-23 2001-06-26 International Business Machines Corporation Antireflective polymer and method of use
US6200728B1 (en) * 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
KR100320773B1 (ko) 1999-05-31 2002-01-17 윤종용 포토레지스트 조성물
US6455230B1 (en) * 1999-06-04 2002-09-24 Agfa-Gevaert Method for preparing a lithographic printing plate by ablation of a heat sensitive ablatable imaging element
JP4364969B2 (ja) 1999-07-05 2009-11-18 関西ペイント株式会社 ポジ型感熱性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US6110653A (en) * 1999-07-26 2000-08-29 International Business Machines Corporation Acid sensitive ARC and method of use
US6187506B1 (en) * 1999-08-05 2001-02-13 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective coating for photoresist compositions
US6338934B1 (en) * 1999-08-26 2002-01-15 International Business Machines Corporation Hybrid resist based on photo acid/photo base blending
KR100533379B1 (ko) * 1999-09-07 2005-12-06 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법
US20020086547A1 (en) 2000-02-17 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Etch pattern definition using a CVD organic layer as an anti-reflection coating and hardmask
US7053005B2 (en) 2000-05-02 2006-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a silicon oxide layer in a semiconductor manufacturing process
TWI286664B (en) * 2000-06-23 2007-09-11 Sumitomo Chemical Co Chemical amplification type positive resist composition and sulfonium salt
US6447980B1 (en) * 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
JP3948646B2 (ja) * 2000-08-31 2007-07-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2002122986A (ja) * 2000-10-16 2002-04-26 Kansai Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、その組成物を使用して得られる材料及びパターン形成方法
TW583503B (en) * 2000-12-01 2004-04-11 Kansai Paint Co Ltd Method of forming conductive pattern
EP1262832A1 (en) 2001-05-31 2002-12-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR100465866B1 (ko) * 2001-10-26 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
US6723488B2 (en) * 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
US6844131B2 (en) * 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US7070914B2 (en) * 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US20030215736A1 (en) * 2002-01-09 2003-11-20 Oberlander Joseph E. Negative-working photoimageable bottom antireflective coating
CN1208388C (zh) * 2002-01-17 2005-06-29 佳能株式会社 环氧树脂组合物、表面处理方法、液体喷射记录头和液体喷射记录装置
US6846612B2 (en) * 2002-02-01 2005-01-25 Brewer Science Inc. Organic anti-reflective coating compositions for advanced microlithography
KR20030068729A (ko) * 2002-02-16 2003-08-25 삼성전자주식회사 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법
US7265431B2 (en) * 2002-05-17 2007-09-04 Intel Corporation Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography
JP3994270B2 (ja) 2002-06-25 2007-10-17 日産化学工業株式会社 反射防止膜の形成方法
KR20040009384A (ko) * 2002-07-23 2004-01-31 삼성전자주식회사 포토레지스트용 현상액에 용해되는 유기 바닥 반사 방지조성물과 이를 이용한 사진 식각 공정
CN100371826C (zh) * 2002-08-26 2008-02-27 住友化学工业株式会社 磺酸盐和光刻胶组合物
US7358408B2 (en) * 2003-05-16 2008-04-15 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
US7223518B2 (en) * 2003-06-06 2007-05-29 Georgia Tech Research Corporation Compositions and methods of use thereof
US20050021474A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-27 Geist Bruce K. System for authenticating self-authenticating documents
US7186486B2 (en) * 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
TWI366067B (en) * 2003-09-10 2012-06-11 Fujifilm Corp Photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP4474246B2 (ja) * 2003-09-19 2010-06-02 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR100645458B1 (ko) 2003-10-02 2006-11-13 주식회사 하이닉스반도체 습식 세정에 의한 어택을 방지할 수 있는 반도체 장치제조 방법
US7297462B2 (en) * 2003-11-17 2007-11-20 Agfa Graphics Nv Heat-sensitive lithographic printing plate precursor
DE102004014292A1 (de) * 2004-03-22 2005-10-20 Lurgi Ag Koproduktion von Methanol und Ammoniak aus Erdgas
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20050255410A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
CN102981368B (zh) * 2004-05-14 2015-03-04 日产化学工业株式会社 含有乙烯基醚化合物的形成防反射膜的组合物
US20050271974A1 (en) 2004-06-08 2005-12-08 Rahman M D Photoactive compounds
JP4491283B2 (ja) * 2004-06-10 2010-06-30 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法
US7119031B2 (en) 2004-06-28 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates
KR100757861B1 (ko) * 2004-07-21 2007-09-11 삼성전자주식회사 잉크젯 헤드 기판, 잉크젯 헤드 및 잉크젯 헤드 기판의제조방법.
US20060177772A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Abdallah David J Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings
US7816071B2 (en) * 2005-02-10 2010-10-19 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings
US7241707B2 (en) * 2005-02-17 2007-07-10 Intel Corporation Layered films formed by controlled phase segregation
US7521170B2 (en) * 2005-07-12 2009-04-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
US7678528B2 (en) * 2005-11-16 2010-03-16 Az Electronic Materials Usa Corp. Photoactive compounds
KR100703007B1 (ko) * 2005-11-17 2007-04-06 삼성전자주식회사 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한패턴 형성 방법
JP5100115B2 (ja) * 2006-03-16 2012-12-19 東洋合成工業株式会社 スルホニウム塩及び酸発生剤
US7759253B2 (en) 2006-08-07 2010-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and material for forming a double exposure lithography pattern
JP4548616B2 (ja) * 2006-05-15 2010-09-22 信越化学工業株式会社 熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法
US7816069B2 (en) * 2006-06-23 2010-10-19 International Business Machines Corporation Graded spin-on organic antireflective coating for photolithography
US8435719B2 (en) * 2006-08-08 2013-05-07 International Business Machines Corporation Tunable contact angle process for immersionlithography topcoats and photoresists
US20090042133A1 (en) 2007-08-10 2009-02-12 Zhong Xiang Antireflective Coating Composition
JP4993139B2 (ja) 2007-09-28 2012-08-08 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP4847426B2 (ja) 2007-10-03 2011-12-28 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
JP5213415B2 (ja) 2007-10-31 2013-06-19 日本カーバイド工業株式会社 トリエステルビニルエーテル及びその製法
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20110086312A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Dammel Ralph R Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200821757A (en) * 2006-09-27 2008-05-16 Az Electronic Materials Usa Antireflective coating compositions

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010055406A3 (en) 2010-09-30
JP5589192B2 (ja) 2014-09-17
JP5815803B2 (ja) 2015-11-17
CN103869623B (zh) 2017-07-21
US20130236833A1 (en) 2013-09-12
KR20110086806A (ko) 2011-08-01
JP2014211644A (ja) 2014-11-13
WO2010055406A2 (en) 2010-05-20
US9146467B2 (en) 2015-09-29
EP2384457B1 (en) 2022-07-06
US20100119972A1 (en) 2010-05-13
CN102209937A (zh) 2011-10-05
JP2012508911A (ja) 2012-04-12
EP2384457A2 (en) 2011-11-09
JP5947431B2 (ja) 2016-07-06
KR101683927B1 (ko) 2016-12-07
JP2016001332A (ja) 2016-01-07
CN102209937B (zh) 2014-06-11
TW201026798A (en) 2010-07-16
CN103869623A (zh) 2014-06-18
US8455176B2 (en) 2013-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI476256B (zh) 塗料組合物
TWI464537B (zh) 底部抗反射塗佈組合物
TWI310048B (en) Photoresist undercoat-forming material and patterning process
JP5604734B2 (ja) ポジ型光像形成性底面反射防止コーティング
TWI558778B (zh) 底部抗反射塗料組合物及其方法
TWI333130B (en) Bottom resist layer composition and patterning process using the same
TWI431427B (zh) 光阻底層膜材料及使用其之圖型形成方法
TWI273347B (en) Anti-reflection film material and substrate having anti-reflection film and method for forming pattern
TWI286672B (en) Resist lower layer film and method for forming a pattern
EP2486453B1 (en) Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
TWI388932B (zh) 防反射膜材料及使用其之圖型形成方法
TW201011078A (en) An antireflective coating composition
SG183654A1 (en) Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
TW201722925A (zh) 微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、圖型形成方法、樹脂、以及純化方法
TW200831621A (en) Antireflective coating compositions