TWI469379B - Stainless steel foil solar cell substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

不銹鋼箔製太陽電池基板材及其製造方法
本發明係關於在不銹鋼箔上形成光吸收層(absorber layer)的太陽電池基板材(solar cell substrate)及其製造方法。
太陽電池基板材的素材廣泛使用屬於較廉價絕緣體(insulator)的玻璃(glass)。但是，但因為玻璃較脆，因而頗難大量且連續地製造在玻璃表面上形成光吸收層的玻璃製太陽電池基板材。
所以，正朝能大量生產(mass manufacturing)、且使用較玻璃更廉價之金屬板(例如不銹鋼鋼板(stainless steel sheet)等)的太陽電池基板材開發進展。但，因為金屬板係屬於導電體(conductive material)，因而為能使用為積體型太陽電池(integrated solar cell)的基板材，便必需在表面上形成絕緣被膜(insulating layer)。或者，亦可與矽太陽電池(silicon solar cell)同樣的，安裝表面集電極(power-collecting-surfaced electrode)並與太陽電池單元相連接，而形成柵型(grid type)使用。
例如專利文獻1、2有揭示：將不銹鋼鋼板的表面形成平滑，並形成氧化鋁被膜(alumina coating)的絕緣性板材(insulating sheet)。在該絕緣性板材上形成由Mo層構成的背面電極(back-contact)，並在其上形成當作光吸收層用的 Cu(In1-x Gax )Se2 被膜時，若施行為使該Cu(In1-x Gax )Se2 結晶成長的熱處理，並使用為積體型太陽電池基板材，則相較於玻璃製太陽電池基板材之下，可達製造成本(production cost)降低。
或者，當使用為柵型太陽電池基板材時，將不銹鋼鋼板的表面設為平滑，並在其上形成由Mo層構成的背面電極，更在其上形成當作光吸收層用的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜時，便施行為使該Cu(In1-x Gax )Se2 結晶成長的熱處理，並設為太陽電池基板材。另外，Cu(In1-x Gax )Se2 係指由Cu(In)Se2 與Cu(Ga)Se2 混晶，通稱「CIGS」的物質。
使用該等不銹鋼鋼板的太陽電池基板材(即不銹鋼鋼板製太陽電池基板材)，在形成絕緣被膜、背面電極時，會在底層上預先形成通稱「阻障層」(barrier layer)之諸如Cr等的層。此情況亦是除阻障層之外，絕緣被膜、背面電極、光吸收層等均與上述同樣的構成。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平6-299347號公報
[專利文獻2]日本專利特開平5-306460號公報
為求能更加削減不銹鋼鋼板製太陽電池基板材的製造成 本，便渴求所使用不銹鋼鋼板的薄板化，針對使用在不銹鋼箔上形成光吸收層、或者在已形成絕緣被膜的絕緣性箔材上形成光吸收層之太陽電池基板材的技術進行檢討。
以不銹鋼箔為素材的太陽電池基板材(以下稱「不銹鋼箔製太陽電池基板材」)，當柵型的情況，便將不銹鋼箔設為平滑，並在其表面上形成由Mo層構成的背面電極，更於其上形成當作光吸收層用的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜。或者，當積體型的情況，便在不銹鋼箔的表面上形成絕緣被膜(例如氧化鋁被膜等)而成為絕緣性箔材，再於該絕緣被膜上形成背面電極，更於其上形成屬於光吸收層的Cu(In1-x Gax )Se被膜。
不管何種情況，均會有因形成Cu(In1-x Gax )Se2 被膜時所施行的熱處理(heat treatment)，而導致光吸收層、絕緣被膜、背面電極等容易出現剝離的問題。若屬於光吸收層的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜出現剝離，將太陽光轉換為電氣的轉換效率(conversion efficiency)會降低。又，若背面電極、絕緣被膜出現剝離，則因為在其上所形成的光吸收層亦會脫落，因而會導致轉換效率降低。
本發明目的在於提供：防止屬於光吸收層的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜發生剝離的不銹鋼箔製太陽電池基板材及其製造方法。
發明者等針對不銹鋼箔製太陽電池基板材，調查光吸收 層、絕緣被膜、背面電極會出現剝離的原因。結果得知因形成Cu(In1-x Gax )Se2 被膜時所施行熱處理，而造成不銹鋼箔變形(deformation)係屬肇因。
即，在不銹鋼箔的製造步驟中，藉由重複施行冷加工(cold rolling)，會導致在不銹鋼箔中生成殘留應力(residual stress)。在將該不銹鋼箔積層於絕緣被膜、背面電極之後，便施行為形成光吸收層的被膜與加熱二者之處理(以下稱「被膜形成熱處理」)(積體型)，或者在不銹鋼箔上積層背面電極之後，藉由施行為形成光吸收層的被膜形成熱處理(柵型)，不銹鋼箔的殘留應力會被釋放，導致不銹鋼箔出現變形，造成光吸收層、背面電極、絕緣被膜出現龜裂並剝離。
所以，預先對不銹鋼箔施行熱處理(以下稱「預備熱處理」(thermal pretreatment))而去除殘留應力之後，當積體型的情況，便積層著絕緣被膜、背面電極，並施行形成光吸收層的被膜形成熱處理，或者當柵型的情況，便在不銹鋼箔上積層背面電極，並施行形成光吸收層的被膜形成熱處理，藉此抑制因被膜形成熱處理所造成的不銹鋼箔變形，並可防止屬於光吸收層的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜出現剝離。
本發明係根據此種發現而完成。
即，本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材之製造方法，係對含有Cr：7~40質量%，且0~100℃中的線膨脹率為12.0×10-6 /℃以下，厚度20~200μm的不銹鋼箔，在從N2 氣 體、H2 氣體、Ar氣體、AX氣體及HN氣體中選擇1種的環境中、或由2種以上混合的環境中，且250~1050℃範圍內，施行用於去除應力的預備熱處理，進而在經施行預備熱處理的不銹鋼箔表面上，形成由Mo層構成的背面電極後，或者在不銹鋼箔表面上形成絕緣被膜進而在其上形成由Mo層構成的背面電極之後，再施行被膜形成熱處理，而在背面電極上形成由Cu(In1-x Gax )Se2 構成的光吸收層。
本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材之製造方法中，預備熱處理較佳係在250~900℃範圍內施行。更佳係250~700℃。又，被膜形成熱處理較佳係在450~700℃範圍內施行。
再者，本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材，係含有Cr：7~40質量%，且0~100℃中的線膨脹率為12.0×10-6 /℃以下，厚度設為20~200μm，進而在從N2 氣體、H2 氣體、Ar氣體、AX氣體及HN氣體中選擇1種的環境中、或由2種以上混合的環境中，且250~1050℃範圍內，施行用於去除應力的預備熱處理的不銹鋼箔表面上，形成由Mo層構成的背面電極後，或者在不銹鋼箔表面上形成絕緣被膜進而在其上形成由Mo層構成的背面電極之後，再施行被膜形成熱處理，而在背面電極上形成由Cu(In1-x Gax )Se2 構成的光吸收層，而施行被膜形成熱處理前後的不銹鋼箔的寬度與長度變化，分別滿足下述(1)式及(2)式： 100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.037%………(1)
100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.037%………(2)
W0 ：施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔寬度(mm)
W1 ：施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔寬度(mm)
L0 ：施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔長度(mm)
L1 ：施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔長度(mm)
本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材中，施行被膜形成熱處理前後的不銹鋼箔的寬度與長度變化，較佳係分別滿足下述(3)式與(4)式。又，預備熱處理的溫度較佳係250~700℃範圍內。又，被膜形成熱處理的溫度較佳係450~700℃範圍內。
100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.018%………(3)
100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.018%………(4)
根據本發明，可防止在使用廉價且能大量生產之不銹鋼箔的太陽電池基板材(即不銹鋼箔製太陽電池基板材)上，所形成光吸收層出現剝離。所以，不僅對太陽電池的製造成本削減具貢獻，亦可提升將太陽光轉換為電氣的轉換效率。
圖1、2所示係本發明不銹鋼箔製太陽電池基板材例的示意剖視圖。本發明並不僅侷限於不銹鋼箔製太陽電池基板材1的素材為不銹鋼箔2之箔軋延的製造方法。
首先，針對不銹鋼箔2的成分進行說明。
若Cr量未滿7質量%，則長期使用時的耐蝕性(corrosion resistance)會嫌不足，導致當作不銹鋼箔製太陽電池基板材時的耐久性劣化。另一方面，若超過40質量%，則在不銹鋼箔之製造步驟中，屬於中間製品(partly-finished product)的熱軋鋼板韌性會明顯降低，導致鋼板無法通過製造生產線的問題。所以，Cr量必需設為7~40質量%。
不銹鋼箔2亦可在上述組成中含有Nb及/或Mo。
當不銹鋼箔2係含有Nb的情況，若Nb含有量未滿0.05質量%，則結晶化熱處理的耐變形效果會降低。另一方面，若超過1.5質量%，則在不銹鋼箔之製造步驟中，屬於中間製品的熱軋鋼板製造時之熔接性會明顯降低，導致鋼板無法通過製造生產線的問題發生。所以，Nb含有量較佳係0.05~1.5質量%範圍內。
當不銹鋼箔2係含有Mo的情況，若Mo含有量未滿0.3質量%，則被膜形成熱處理的耐變形效果會降低。另一方面，若超過3.0質量%，則在不銹鋼箔之製造步驟中，屬於中間製品的熱軋鋼板製造時之熱加工性會降低，導致鋼板無法通過製造生產線的問題發生。所以，Mo含有量較佳係0.3~3.0質量%範圍內。更佳係2.0%以下。
此種鋼係可例如：SUS430(17%Cr鋼)、SUS447J1(30%Cr-2%Mo鋼)、9%Cr鋼、20%Cr-5%Al鋼、SUS304 (18%Cr-8%Ni鋼)等。
以下，若例示除上述Cr、Nb及Mo以外適合添加的成分組成，便如下述。另外，規定鋼成分組成的「成分%」全部係指「質量%」。
C：0.12%以下
C係會與鋼中的Cr相結合，而導致耐蝕性(corrosion resistance)降低，因而越低越佳，但若在0.12%以下，便不會使耐蝕性明顯降低。所以，較佳係0.12%以下、更佳係0.04%以下。
Si：2.5%以下
Si係脫氧(deoxidation)時所使用的元素，但若過剩含有，則會導致延展性降低，因而較佳設為2.5%以下。更佳係1.0%以下。
Mn：1.0%以下
Mn係會與S相結合而形成MnS，導致耐蝕性降低，所以較佳係1.0%以下。更佳係0.8%以下。
S：0.030%以下
如上述，S係會與Mn相結合而形成MnS，導致耐蝕性降低，所以較佳係0.030%以下。更佳係0.008%以下。
P：0.050%以下
P係會導致延展性降低，因而越低越佳，但若在0.050%以下便不會導致延展性明顯降低。所以，較佳係0.050%以 下、更佳係0.040%以下。
以上，針對必要成分進行說明，惟本發明係除此之外，尚可適當含有以下所述元素。
從Ti、Zr中選擇至少一種且合計在1.0%以下
Ti、Zr均係會使鋼中的C、N形成碳化物、氮化物或氮碳化物並固定，屬於對耐蝕性改善的有效元素。但，若含有超過1.0%，則延展性(ductility)降低會趨於明顯，所以該等元素不管係單獨添加或複合添加等任一情況，均限定於1.0%以下。另外，為能充分發揮該等元素的添加效果，較佳係含有0.02%以上。
Al：0.20%以下
Al係使用於脫氧的元素，但若過剩含有，便會導致延展性降低，所以較佳係0.20%以下。更佳係0.15%以下。
但，當使用刻意添加Al的20Cr-5Al鋼等之情況便不受此限制。
N：0.05%以下
N係會與鋼中的Cr相結合，而導致耐蝕性降低，所以越低越佳，但若在0.05%以下便不會導致耐蝕性明顯降低。所以，較佳係0.05%以下。更佳係0.015%以下。
再者，除此之外，在耐蝕性改善之目的下，尚可含有Ni、Cu、V、W分別在1.0%以下。又，在熱加工性(hot workability)提升之目的下，尚可含有Ca、Mg、REM(Rare Earth Metals， 稀土金屬)、B分別在0.1%以下。
其餘係Fe及不可避免的雜質。不可避免的雜質中，O(氧)較佳係0.02%以下。
若不銹鋼箔2在0~100℃中的線膨脹率超過12.0×10-6 /℃，則會因被膜形成熱處理而導致光吸收層發生剝離。所以，不銹鋼箔2在0~100℃中的線膨脹率係設為12.0×10-6 /℃以下。
此種不銹鋼箔係例如藉由將相當於JIS規格的SUS430(所謂「17%Cr鋼」)、SUS444(所謂「18Cr-2Mo鋼」)、SUS447J1(所謂「30Cr-2Mo鋼」)等不銹鋼，施行箔軋延便可獲得。
其次，針對不銹鋼箔2的厚度進行說明。
不銹鋼箔2的厚度係若未滿20μm，則不銹鋼箔2便極容易彎折或破裂，因而後述絕緣被膜或光吸收層會從不銹鋼箔2的折痕或斷裂痕處發生龜裂，導致容易剝離。另一方面，若超過200μm，則成本便會高於玻璃基板。所以，不銹鋼箔2的厚度設為20~200μm範圍內。
對具有此種組成與厚度的不銹鋼箔2，在形成絕緣被膜3、背面電極5等之前，便施行預備熱處理，而將在不銹鋼箔2的軋延步驟時所生成殘留應力予以去除。預備熱處理係在從N2 氣體、H2 氣體、Ar氣體、AX氣體及HN氣體中選擇1種的環境中、或由2種以上混合的環境中實施。藉由預備熱處理係在此種惰性氣體環境或還原性氣體環境中實 施，便可防止不銹鋼箔2遭氧化。另外，AX氣體係指75體積%H2 、與25體積%N2 的混合氣體；HN氣體係指3~10%體積%H2 、與其餘97~90體積%N2 之混合氣體。
若預備熱處理的溫度未滿250℃，則不銹鋼箔2的殘留應力便無法充分去除。另一方面，若超過1050℃，則不銹鋼箔2的結晶粒會粗大化，導致不銹鋼箔2的表面呈粗糙，因而會導致轉換效率降低。又，當沒有添加Nb或Mo的情況，若超過900℃便會出現變態，因而無法獲得充分的耐蝕性。又，為能在未使不銹鋼箔2軟質化而保持硬度，俾提升不銹鋼箔2之剛性，最好設為700℃以下。所以，預備熱處理的溫度係設為250~1050℃範圍內。較佳係250~900℃、更佳係250~700℃。藉由依該溫度範圍施行預備熱處理，便可在防止不銹鋼箔2出現變形的情況下，將殘留應力予以去除。為使此項效果能明顯發揮，預備熱處理的時間係只要在到達溫度中保持數秒便足夠。
如圖2所示積體型，經施行預備熱處理之後，再於不銹鋼箔2上形成絕緣被膜3。絕緣被膜3的形成方法並無特別的限定。且，絕緣被膜3的材質亦無特別的限定，較佳係自習知起便廣泛使用的氧化鋁被膜。接著，在絕緣被膜3上形成由Mo層構成的背面電極5，更在其上形成當作光吸收層4用的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜。
如圖1所示柵型，經施行預備熱處理之後，再於不銹鋼箔 2上形成背面電極5。接著，在背面電極5上形成當作光吸收層4用的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜。
任一情況均係在已施行預備熱處理的不銹鋼箔2上形成絕緣被膜3或背面電極5時，亦可預先形成通稱「阻障層」之諸如Cr等的層。此情況亦是除阻障層之外，諸如絕緣被膜、背面電極、光吸收層的構成均同上述。
另外，本發明中，就絕緣被膜3、背面電極5、光吸收層4的形成方法並無特別的限定，光吸收層4的被膜形成之熱處理方法係可例如：(A)固相法(solid phase method)、(B)氣相法(gas phase method)、(C)蒸鍍法(evaporation method)。針對各個方法的概要如下所示。
(A)固相法
將In/(CuGa)利用濺鍍(sputtering)，更進一步將Se利用蒸鍍法使積層於基板上，而形成Se/In/(CuGa)之後，藉由依450~500℃施行熱處理，便形成Cu(In1-x Gax )Se2 被膜的方法。
(B)氣相法
將In/(CuGa)在H2 Se氣體環境中施行加熱處理，而形成CIGS膜(Copper Indium Gallium DiSelenide film，銅銦鎵硒薄膜)之後，更進一步依500℃左右的溫度施行熱處理，而形成Cu(In1-x Gax )Se2 被膜的方法。
(C)蒸鍍法
對In、Ga、Se依基板溫度350~500℃施行照射後，將基 板溫度升溫至500~550℃，僅對Se、Cu施行照射，更進一步依500~550℃照射In、Ga、Cu，或者使In、Ga、Se、Cu同時蒸鍍於500℃左右的基板上，而形成Cu(In1-x Gax )Se2 被膜的方法。
被膜形成熱處理的溫度若未滿450℃，則Cu(In1-x Gax )Se2 結晶不會充分成長。另一方面，若超過700℃，則不銹鋼箔2的變形量會增大，因而絕緣被膜3、背面電極5、光吸收層4容易剝離。所以，被膜形成熱處理的溫度較佳係450~700℃範圍內。藉由依該溫度範圍施行被膜形成熱處理，便可在防止防止不銹鋼箔2發生變形的情況下，使Cu(In1-x Gax )Se2 的結晶成長。
依此，在不銹鋼箔2上形成絕緣被膜3，並在該絕緣被膜3上形成背面電極5與光吸收層4而獲得的不銹鋼箔製太陽電池基板材1(圖2)，因為在形成絕緣被膜3之前便施行預備熱處理而去除殘留應力，因而可抑制因被膜形成熱處理所造成的變形。又，在不銹鋼箔2上形成背面電極5，並在該背面電極5上形成光吸收層4而獲得的不銹鋼箔製太陽電池基板材1(圖1)，係在形成背面電極5之前便施行預備熱處理而去除殘留應力，因而可抑制因被膜形成熱處理所造成的變形。
即，將施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔2之寬度設為W0 (mm)、將經施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔2之寬度 設為W1 (mm)、將施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔2之長度設為L0 (mm)、將經施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔2之長度設為L1 (mm)，則寬度與長度的變化係滿足下述(1)式與(2)式，俾可抑制光吸收層4、背面電極5及絕緣被膜3的剝離。
100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.037%………(1)
100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.037%………(2)
為求更加提高抑制光吸收層4、背面電極5、絕緣被膜3發生剝離的效果，便必需更進一步抑制因被膜形成熱處理所造成的不銹鋼箔2之變形，因而最好將不銹鋼箔2的寬度與長度變化抑制在下述(3)式及(4)式的範圍內。
100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.018%………(3)
100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.018%………(4)
依如上所說明，本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材1，係藉由減輕因被膜形成熱處理所造成的不銹鋼箔2之變形，因而可抑制光吸收層4、背面電極5、絕緣被膜3的剝離。結果，從本發明的不銹鋼箔製太陽電池基板材1所製造的太陽電池，可將太陽光效率佳地轉換為電氣。
[實施例]
製造圖1所示不銹鋼箔製太陽電池基板材1，並調查不銹鋼箔2的變形。更進一步裝設電極而製作太陽電池，並調查轉換效率。順序係如下所說明。
對表1所示成分的不銹鋼箔2(厚度50μm)施行預備熱處理(溫度400~700℃)，而形成當作背面電極5用的Mo層之後，再利用固相法並施行被膜形成熱處理，而形成當作光吸收層4用的Cu(In1-x Gax )Se2 被膜。另外，固相法的熱處理溫度係設為550℃。將依此所製作者設為不銹鋼箔製太陽電池基板材1。此時，在施行被膜形成熱處理之前，便在不銹鋼箔2的中央部處，分別朝寬度方向與長度方向劃出刻劃線，並在被膜形成熱處理之後，測定該等刻劃線的長度，計算出100×(W1 -W0 )/W0 及100×(L1 -L0 )/L0 ，而評價不銹鋼箔2的變形。結果如表2所示。
在依此所獲得不銹鋼箔製太陽電池基板材1上，形成當作緩衝層(buffer layer)用的CdS被膜，接著再形成當作透明導電膜(transparent conducting film)用的ZnO被膜，最後再施行真空蒸鍍(vacuum deposition)形成Ni-Al電極，便製得太陽電池。測定該太陽電池的轉換效率。將此設為發明例。
另外，將太陽光轉換為電氣的轉換效率，係將從發電的電流、由電壓測定所獲得輸出值，除以入射光強度(intensity of incident light)的值而計算出。
另一方面，除未施行預備熱處理之外，其餘的步驟均與發明例同樣的製作太陽電池，測定其轉換效率。將此設為比較例。
相關發明例與比較例，就不銹鋼箔的變形、與太陽電池的 轉換效率係如表2所示。此處，不銹鋼箔2的寬度及長度變化中，「+」係表示膨脹側，「-」係表示收縮側。
由表2中得知，發明例係不銹鋼箔的變形較小，結果因為光吸收層的剝離受抑制，因而太陽電池的轉換效率較高。
(產業上之可利用性)
根據本發明，可防止在使用廉價且能大量生產之不銹鋼箔的太陽電池基板材(即不銹鋼箔製太陽電池基板材)上，所形成光吸收層的被膜發生剝離。所以，不僅對太陽電池的製造成本削減具貢獻，亦可提升將太陽光轉換為電氣的轉換效率，所以可達產業上特別的效果。
1‧‧‧不銹鋼箔製太陽電池基板材
2‧‧‧不銹鋼箔
3‧‧‧絕緣被膜
4‧‧‧光吸收層
5‧‧‧背面電極
圖1係本發明不銹鋼箔製太陽電池基板材例的示意剖視圖。
圖2係本發明不銹鋼箔製太陽電池基板材另一例的示意剖視圖。
1‧‧‧不銹鋼箔製太陽電池基板材
2‧‧‧不銹鋼箔
4‧‧‧光吸收層
5‧‧‧背面電極

Claims (8)

  1. 一種不銹鋼箔製太陽電池基板材之製造方法，係對含有Cr：7~40質量%、Al：0.20%以下，且0~100℃中的線膨脹率為12.0×10-6 /℃以下，厚度20~200μm的不銹鋼箔，在從N2 氣體、H2 氣體、Ar氣體、AX氣體及HN氣體中選擇1種的環境中、或由2種以上混合的環境中，且250~900℃範圍內，施行用於去除應力的預備熱處理，進而在該經施行預備熱處理的上述不銹鋼箔表面上，形成由Mo層構成的背面電極後，或者在上述不銹鋼箔表面上形成絕緣被膜進而在其上形成由Mo層構成的背面電極之後，再施行被膜形成熱處理，而在上述背面電極上形成由Cu(In1-x Gax )Se2 構成的光吸收層。
  2. 如申請專利範圍第1項之不銹鋼箔製太陽電池基板材之製造方法，其中，上述預備熱處理係在250~700℃範圍內施行。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之不銹鋼箔製太陽電池基板材之製造方法，其中，上述被膜形成熱處理係在450~700℃範圍內施行。
  4. 一種不銹鋼箔製太陽電池基板材，係含有Cr：7~40質量%，且0~100℃中的線膨脹率為12.0×10-6 /℃以下，厚度設為20~200μm，進而在從N2 氣體、H2 氣體、Ar氣體、AX氣體及HN氣體中選擇1種的環境中、或由2種以上混合的 環境中，且250~1050℃範圍內，施行用於去除應力的預備熱處理的不銹鋼箔表面上，形成由Mo層構成的背面電極後，或者在上述不銹鋼箔表面上形成絕緣被膜進而在其上形成由Mo層構成的背面電極之後，再施行被膜形成熱處理，而在上述背面電極上形成由Cu(In1-x Gax )Se2 構成的光吸收層，而施行上述被膜形成熱處理前後的上述不銹鋼箔的寬度與長度變化，分別滿足下述(1)式及(2)式：100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.037%．．．(1) 100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.037%．．．(2)W0 ：施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔寬度(mm)W1 ：施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔寬度(mm)L0 ：施行被膜形成熱處理前的不銹鋼箔長度(mm)L1 ：施行被膜形成熱處理後的不銹鋼箔長度(mm)。
  5. 如申請專利範圍第4項之不銹鋼箔製太陽電池基板材，其中，上述施行被膜形成熱處理前後的上述不銹鋼箔的寬度與長度變化，係分別滿足下述(3)式與(4)式：100×|(W1 -W0 )|/W0 ≦0.018%．．．(3) 100×|(L1 -L0 )|/L0 ≦0.018%．．．(4)。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之不銹鋼箔製太陽電池基板材，其中，上述預備熱處理的溫度係250~700℃範圍內。
  7. 如申請專利範圍第4或5項之不銹鋼箔製太陽電池基板材，其中，上述被膜形成熱處理的溫度係450~700℃範圍內。
  8. 如申請專利範圍第6項之不銹鋼箔製太陽電池基板材，其中，上述被膜形成熱處理的溫度係450~700℃範圍內。
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