TWI459584B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

發光裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI459584B
TWI459584B TW097108550A TW97108550A TWI459584B TW I459584 B TWI459584 B TW I459584B TW 097108550 A TW097108550 A TW 097108550A TW 97108550 A TW97108550 A TW 97108550A TW I459584 B TWI459584 B TW I459584B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting element
lead electrode
package
film
Prior art date
Application number
TW097108550A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200903859A (en
Inventor
Masaki Hayashi
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of TW200903859A publication Critical patent/TW200903859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI459584B publication Critical patent/TWI459584B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01066—Dysprosium [Dy]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12035—Zener diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

發光裝置及其製造方法
本發明係關於一種用於照明器具、顯示器、行動電話之背光源、動態圖像照明輔助光源、其他普通民用光源等之表面安裝型發光裝置及適合其之樹脂成型體。
使用有發光元件之表面安裝型發光裝置小型且電力效率良好，能發出顏色鮮豔的光。又，該發光元件為半導體元件，故而無需擔心燈泡燒掉等。進而具有初始驅動特性優良，振動及開．關燈重複性較強之特徵。由於具有上述優良特性，故而使用發光二極體(LED，light－emitting diode)、雷射二極體(LD，laser diode)等發光元件的發光裝置可用作各種光源。
先前之表面安裝型發光裝置具備：發光元件，搭載該發光元件之搭載用導線架，經由引腳連接於發光元件的佈線用導線架，及覆蓋各導線架之大部分之封裝(例如，參照專利文獻1)。為確保量產性，該表面安裝型發光裝置有時使用成型性良好之熱可塑性樹脂(例如液晶聚合物、PPS(聚苯硫醚，polyphenylene sulfide)、耐綸等)作為封裝用成型材料。又，一般而言，用於封裝之熱可塑性樹脂必須具有耐熱性，以便能夠經受用以將迴流錫焊熔融的升溫，故而熱可塑性樹脂中，可使用耐熱性相對良好之半芳香族聚醯胺、液晶聚合物、PPS等工程聚合物。
近來，發光元件之輸出增高，隨之發光時的放熱量亦增 加很多。並且，因凹部內的發光元件所產生之熱量，而使封裝暴露於高溫下，使先前的樹脂封裝無法經受該熱量，而導致產生變色或變形。
因此，將封裝材料更換為耐熱性更高者(例如，參照專利文獻2)、或設置使發光元件所產生之熱量不會滯留於封裝內之散熱構造(例如，參照專利文獻3)。使發光元件與導線架進行晶粒黏貼時，代替由黏晶樹脂進行黏接，而是由焊錫材料進行共晶接合(例如，專利文獻3~5)，藉此亦可提高來自發光元件的散熱性。
又，為了有效獲取來自發光元件的光，而對導線架表面實施鍍銀之情形亦為眾所周知(例如，參照專利文獻2及5)。藉由鍍銀而提高導線架的反射率，則可抑制發光裝置內的光吸收，故而亦可期待抑制外殼溫度上升之效果。
[專利文獻1]日本專利特開平11－87780號公報[專利文獻2]日本專利特開2006－156704號公報[專利文獻3]日本專利特開2006－49442號公報[專利文獻4]日本專利特開2005－259972號公報[專利文獻5]日本專利特開2005－353914號公報
使封裝的材料為耐熱性材料，藉此可較好地抑制封裝之變色或變形，然而就目前可提供之發光元件的輸出而言，即便如此亦不充分，伴隨使用時間的增長，封裝會逐漸變色。封裝變色將導致下述惡性循環：封裝吸收光的量急劇 增加，所吸收的光轉換為熱量，故而使得封裝溫度進一步上升，進一步促進封裝變色。若封裝產生變色，則發光裝置之發光強度顯著降低，導致必須更換發光裝置。即，為了延長發光裝置壽命，重要的是亦需要抑制封裝之略微變色。
因此，本發明之目的在於提供一種抑制由放熱所引起之封裝變色，且高輸出長壽命的發光裝置。
本發明第1發光裝置之特徵在於，其包含：發光元件；封裝，由熱固性樹脂形成，且具有安裝上述發光元件之凹部；第1引腳電極，自上述封裝之凹部底面露出，並載置上述發光元件；第2引腳電極，自上述封裝之凹部底面露出，並與上述發光元件電性連接；且，上述發光元件介隔共晶層而與上述第1引腳電極共晶接合，至少上述第1引腳電極的表面由Ag膜被覆，上述Ag膜的膜厚為0.5 μm~20 μm。
若Ag膜之膜厚未滿0.5 μm，則Ag膜的結晶性較低，易於被硫化或氧化而變色。變色後之部分會吸光放熱，故而可能導致封裝溫度上升。
又，Ag膜之膜厚若厚於20 μm，則藉由焊錫材料接合發光元件時，易於因將發光裝置安裝於基板上時等所產生的熱應力，而引起Ag膜剝離。即，Ag膜增厚，則使用焊錫材料安裝發光元件時，Ag膜之熱膨脹或收縮增大，Ag膜易於自引腳電極剝離。
本發明中，可藉由使Ag膜為0.5 μm以上，而獲得結晶性較高，且緻密難以變色的Ag膜。因此，Ag膜可抑制吸光，其結果將具有使封裝內產生之熱量降低的效果。又，藉由使Ag膜的膜厚為20 μm以下，可抑制Ag膜剝離，且可充分確保Ag膜與共晶層的接合面積。藉此，具有發光元件的熱量易於經由共晶層而傳導至引腳電極，從而提高發光裝置之散熱性的效果。又，亦具有發光元件與引腳電極的接合強度增強，從而可抑制發光裝置故障率之效果。
本發明之第2發光裝置，其特徵在於，其包含：發光元件；封裝，由熱固性樹脂形成，且具有安裝上述發光元件之凹部；第1引腳電極，自上述封裝之凹部底面露出，並載置上述發光元件；第2引腳電極，自上述封裝之凹部底面露出，並與上述發光元件電性連接；且，上述發光元件介隔共晶層而與上述第1引腳電極共晶接合，至少上述第1引腳電極的表面由Ag膜被覆，上述第1引腳電極及上述第2引腳電極之表面中與上述發光元件接合的區域的平坦度為0.001~50 μm。
於本發明中，所謂「平坦度」係指下述高度：測量需要測定區域的3個端角，將包含該3個端角之面作為基準面，自基準面測量測定區域的中央高度。
共晶層具有與Ag膜之接合力較低，對Ag膜之濡濕性較低，並且與黏晶樹脂相比缺乏流動性等性質。故而，例如加之電鍍前之導線平坦度、Ag膜之形成條件或成型加工時的狀態等影響，引腳電極中接合發光元件之接合區域的平 坦度會增大(即，表面變粗糙)，將導致共晶層無法充分地流入共晶層與Ag膜之間隙中，使共晶層與Ag膜之間無法獲得充分之接合面積。尤其，平坦度大於50 μm，則接合面積顯著降低，導致發光裝置之散熱性降低、及發光元件與導線架的接合強度降低等影響增大。
相反，Ag膜之平坦度變小為未滿0.001 μm時，則Ag膜之表面過於平滑，導致適於提高共晶層固著效應之凹凸亦不存在。其結果為，共晶層與Ag膜反而易於剝離，導致接合強度降低。
於本發明中，可藉由使Ag膜的平坦度(即，被覆Ag膜的引腳電極表面的平坦度)為0.001~50 μm之範圍，而獲得可有效將來自發光元件的熱量進行散熱之效果，且具有可提高發光元件與引腳電極之接合強度，抑制發光裝置之故障率的效果。
由此，藉由本發明可獲得能夠降低滯留於發光裝置內之熱量，以抑制封裝變色，故而高輸出且長壽命之發光裝置。進而，藉由本發明，可獲得提高發光元件與導線架的接合強度，故而故障率較少之發光裝置。
以下，使用實施形態及實施例說明本發明之發光裝置。但本發明並不限於該實施形態及實施例。
<實施形態1>
圖1及圖2所示之本實施形態的發光裝置1具有：發光元 件10，具有載置發光元件10的凹部43之封裝40，及被覆發光元件10之密封部件50。
於封裝40固定有2個引腳電極(第1引腳電極20與第2引腳電極30)，各引腳電極20、30之一端(內引腳部20a、30a)的表面自凹部43底面41露出。
又，各引腳電極20、30之另一端(外引腳部20b、30b)自封裝40突出至外側。
發光元件10於封裝40之凹部43內，介隔共晶層70而載置於第1引腳電極20的內引腳部20a之上表面20c側。圖示之發光元件10之類型為表面形成有2個電極11、12，第1電極11介由接線60而電性連接於第1引腳電極20之內引腳部20a的上表面20c。又，發光裝置1之第2電極12介由接線60而電性連接於第2引腳電極30的內引腳部30a之上表面30c。
再者，於本發明中，亦可使用上表面與下表面具有正負一對電極的發光元件10。
本發明之發光裝置1中，載置發光元件10的第1引腳電極20之內引腳20a的表面由Ag膜22被覆。又，較好的是第2引腳電極30之上表面30c亦由Ag膜32被覆。Ag膜22、32具有於發光到達引腳電極20、30之前進行反射的光反射功能。普通使用的引腳電極20、30由銅等導電率較高之材料形成，然而該等導電率較高之材料大多光反射率並非如此高。故而，來自發光元件10之發光到達引腳電極20、30後，會將一部分光吸收轉換為熱量，故而成為使發光裝置1內之溫度上升之一個原因。又，引腳電極20、30中的光 吸收為發光裝置1之光損失，故而亦成為導致發光裝置1的發光強度降低之原因。因此，藉由使引腳電極20、30被覆光反射率較高之Ag膜，可抑制發光裝置1內的溫度上升，提高發光裝置1的發光強度。
本申請案的第1發光裝置中，第1引腳電極20之表面上Ag膜22之膜厚為0.5 μm~20 μm。其作用效果如下所示。
於本發明中，使Ag膜為0.5 μm以上，藉此可獲得結晶性較高、緻密且難以變色之Ag膜。由此，Ag膜可抑制光吸收，其結果將具有使封裝內產生之熱量降低的效果。又，可藉由使Ag膜之膜厚為20 μm以下，而抑制Ag膜剝離，且充分確保Ag膜與共晶層之接合面積。藉此，具有易於經由共晶層而將發光元件之熱量傳導至引腳電極，從而提高發光裝置之散熱性的效果。又，發光元件與引腳電極的接合強度增強，故而具有能夠抑制發光裝置的故障率之效果。
又，於本申請案之第2發光裝置中，可藉由使第1引腳電極20之平坦度為0.001 μm~50 μm，而使發光元件10中的放熱有效散發，故可抑制封裝40黃化。以下，詳細說明第2發光裝置之作用效果。
將發光元件10固定於第1引腳電極20上之共晶層70可由金屬焊材形成。共晶層70因由金屬形成，故而導熱率較高，發光裝置1點亮時，發光元件10中產生之熱量將有效經由共晶層70而傳遞至第1引腳電極20。並且，該熱量可自第1引腳電極20的外引腳20b散發至外部。因此，可藉由共晶層70而抑制發光裝置1的溫度上升。
自發光元件10經由共晶層70而於第1引腳電極20所進行之散熱，除了各材料的導熱率以外，材料間之界面中的導熱效率亦為重要。尤其，於共晶層70與第1引腳電極20之界面易於形成氣泡，由此容易降低導熱效率。因此，本發明之發光裝置1注重於藉由減少共晶層70與第1引腳電極20之界面上的氣泡，來有效將發光裝置1內產生之熱量散熱至外部。
可認為，共晶層70與第1引腳電極20之界面氣泡之產生主要受到第1引腳電極20的表面粗糙度、及經熔融之共晶層70的濡濕性高低影響。
就利用共晶層70對發光元件10之安裝而言，首先於發光元件10的背面，藉由物理性或化學性成膜法形成共晶層70，接著，將發光元件10配置於第1引腳電極20的上表面。此時，於共晶層70接觸至第1引腳電極20之狀態下進行配置。並且，對共晶層70進行回焊，使經熔融之共晶層70於密著於第1引腳電極20的表面後即冷卻，由此將發光元件10安裝於第1引腳電極20。共晶層70與先前以來用於發光元件安裝之黏晶樹脂相比，對形成於引腳電極20表面上的Ag膜之濡濕性低，又，與黏晶樹脂相比，可以薄膜形式使用，故而引腳電極表面具有若干凹凸則會導致界面殘留氣泡。因此，較佳為減少第1引腳電極20表面的凹凸來抑制氣泡產生。
於本發明中，可藉由使第1引腳電極20之平坦度變得平滑為50 μm以下，而有效抑制接合面積減少。藉此，可將 發光元件10中產生的放熱有效散發，以抑制封裝40黃化。
然而，第1引腳電極20及第2引腳電極30的表面若過於平坦，則將導致與封裝40之密著性惡化。因此，於本發明中，可藉由使第1引腳電極20及第2引腳電極30的平坦度為0.001 μm以上，來防止引腳電極20自封裝40剝離。因此，即使發光裝置1中引腳電極20、30露出於背面，亦能夠使電極20、30難以剝離。
為了減少第1引腳電極20表面的凹凸，亦可藉由研磨等使引腳電極20、30之表面平坦化，但亦可使Ag膜22之膜厚增厚而達成平坦化。然而，Ag為軟質材料，故而若Ag膜22的膜厚過厚，則易於產生膜內剝離或龜裂。因此，Ag膜22之膜厚較好的是0.5 μm~20 μm。若Ag膜22為0.5 μm以上，則將呈現使第1引腳電極20表面的凹凸平坦化之效果，又，若為20 μm以下，則難以產生膜內剝離等。進而，Ag膜22之膜厚更好的是1 μm~15 μm。
引腳電極20、30之外引腳部20b、30b廣義上解釋為「引腳電極與外部電極連接之部分」，故而露出於外部之引腳電極部分亦可全部作為外引腳部。即，於本實施形態之發光裝置1中，引腳電極20、30的下表面20d、30d亦可成為外引腳部20b、30b。第1外引腳部20b亦具有與外部電極電性連接，並且使發光裝置1內之熱量散熱之功能。
較好的是封裝40由耐熱性優良的熱固性樹脂形成。適合於本發明之熱固性樹脂係固化後的耐熱溫度為100℃以上者，例如可列舉選自由三嗪衍生物環氧樹脂、環氧樹脂、 改質環氧樹脂、矽氧樹脂、改質矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂構成之群中的至少一種形成者。尤其好的是含有三嗪衍生物環氧樹脂之環氧樹脂。
所使用之熱固性樹脂為透明時，為了有效地反射來自發光元件之發光，較好的是混入光反射材。
本實施形態中，於開口方向上對封裝40的凹部43進行擴徑，以便控制發光元件10的指向性及提高光獲取效率。故而，凹部43之側面42為傾斜的。藉由自底面41，通過凹部43內部到達至側面42測定凹部43側面傾斜之傾斜角度θ(參照圖2)進行規定時，較好的是θ＝95°~150°，尤其好的是θ＝100°~120°。藉此，可獲得易於用作廣域光源且具有指向性之發光裝置1。再者，亦可較好地利用不使側面42傾斜而是使側面42垂直於底面之形態。
亦可使凹部43的側面42表面平滑，然而若於表面設置凹凸，則可期待提高封裝40與密封部件50之界面密著性的效果。
封裝40之主面側形狀為矩形，亦可為橢圓、圓形、五邊形、六邊形等。凹部43之主面側形狀為橢圓，但亦可為近似圓形、矩形、五邊形、六邊形等。為了表示發光元件10之正極方向，可使封裝40表面具備負極標誌。
於第1引腳電極20與第2引腳電極30之間插入有一部分封裝40，以防止電極間短路。
於本實施形態中，發光裝置1可用於表面安裝用途，故而引腳電極20、30的背面側(外引腳部20b、30b)形成實質 上相同之平面，則可提高安裝穩定性。又，於引腳電極20、30的背面側，將發光裝置1焊接於安裝基板時，則於第1引腳電極20與第2引腳電極30之間焊錫有可能擴散而引起短路，故而較好的是於插入於第1引腳電極20與第2引腳電極30之間的封裝40之一部分(將其稱作間隔部件44)的背面側，較薄地塗層電絕緣性絕緣膜90。
較好的是共晶層70由熔點為200℃~350℃之焊錫材料形成。當共晶層70的熔點未滿200℃時，則點亮使用發光裝置1之期間，共晶層70的表面會氧化或硫化而變色。若共晶層70變色，則會使來自發光元件的發光之吸收率上升，引起發光裝置1內的溫度上升及發光裝置1的發光強度降低，故而欠佳。又，若熔點高於350℃，則可能高於用於封裝40的熱固性樹脂的耐熱溫度，使安裝下述發光元件10時，因用以回焊共晶層70的加熱而可能導致封裝40黃化，故而欠佳。
於本發明中，當發光元件的發光波長易於藉由引腳電極20、30而吸光，且Ag膜22、32之反射率較高時，發光裝置1的溫度上升抑制效果及發光強度之提高效果較高。因此，本發明適合於發光波長為400 nm~530 nm的發光元件10。並且，較好的是於該發光波長區域中，封裝40的反射率為70%以上。當封裝40的反射率未滿70%，則封裝40吸收來自發光元件的發光，導致發光裝置1內的溫度上升及發光裝置1的發光強度降低，故而欠佳。
於本實施形態中，以被覆發光元件10之方式，於封裝40 的凹部43內部填充密封部件50。密封部件50之設置目的在於保護發光元件10免受來自外部環境的外力或塵埃、水分等影響。又，亦可藉由調節發光元件10與密封部件50的折射率差，來使自發光元件10射出的光有效發射至外部。密封部件50配置於封裝40的凹部43內。
較好的是密封部件50使用耐熱性優良的熱固性樹脂者，與封裝40相同，可抑制溫度上升引起的黃化。又，若密封部件50具備與用於封裝40的熱固性樹脂同等或接近之物性，則能夠提高密封部件50與封裝40之界面密著性、及熱膨脹時的剝離難度，故而較佳。
可使密封部件50中混入螢光物質80。螢光物質80係用於需要使發光裝置1的發光色與發光元件10的發光色不同之情形。例如，將藍色發光的發光元件10與吸收藍色光而發黃色光的發色螢光物質80加以組合，則可藉由補色關係而獲得發白色光的發光裝置1。
如圖2中模式性所示，螢光物質80亦可均勻地分散於密封部件50的內部。然而，普通使用之螢光物質80比重大於密封部件50，故而螢光物質80以沈澱於封裝40之凹部43之底面41側之狀態封裝於密封部件50內。
以下，就各構成部件加以詳細說明。
<發光元件10>
發光元件10使用將GaAlN、ZnS、Znse、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等半導體作為發光層形成於基板上者。作為半導體之構造， 可列舉：具有MIS(metal－insulator－semiconductor，金屬－絕緣體－半導體)接合、PIN接合或PN接合的均質構造，異質構造或雙異質構造。可根據半導體層材料或其混晶度，自紫外光至紅外光選擇各種發光波長。發光層亦可為產生量子效應的薄膜之單一量子井構造或多重量子井構造。
考慮到於戶外等使用時，較好的是使用氮化鎵系化合物半導體，作為可形成高亮度之發光元件的半導體材料，又，紅色發光之情形，較好的是使用鎵．鋁．砷系半導體或鋁．銦．鎵．燐系半導體，但亦可根據用途而使用各種。
使用氮化鎵系化合物半導體時，半導體基板中可使用藍寶石、尖晶石、SiC、Si、ZnO或GaN單晶等材料。為了量產性良好地形成結晶性良好之氮化鎵，較好的是使用藍寶石基板。例示使用氮化物系化合物半導體之發光元件10。於藍寶石基板上形成GaN、AlN等緩衝層。可構成為於其上依次形成作為N或P型GaN之第1接觸層、作為具有量子效應之InGaN薄膜之活化層、作為P或N型AlGaN之鍍層、作為P或N型GaN之第2接觸層。於不摻雜雜質之狀態下，氮化鎵系化合物半導體顯示N型導電性。再者，形成提高發光效率等所期望之N型氮化鎵半導體時，較好的是適當導入Si、Ge、Se、Te、C等，作為N型摻雜劑。
另一方面，形成P型氮化鎵半導體時，使其摻雜作為P型摻雜劑之Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等。氮化鎵系半導體僅摻雜P型摻雜劑，則難以P型化，故而必須於導入P型摻雜劑後，利用爐加熱、低電子束照射或電漿照射等實施退 火，藉此使之P型化。對由此形成的半導體晶圓進行局部蝕刻等，形成正負各個電極。其後，藉由將半導體晶圓切割為預期尺寸，而可形成發光元件。
可適當使用複數個如此之發光元件10，故亦可藉由其組合來提高白色顯示中之混色性。例如，可將2個可進行綠色系發光的發光元件10，各一個可進行藍色系及紅色系發光之發光元件10加以組合。再者，為了作為顯示裝置用途的全彩色發光裝置進行使用，較好的是紅色系發光波長為610 nm至700 nm，綠色系發光波長為495 nrn至565 nm，藍色系發光波長為430 nm至490 nm。使本發明之表面安裝型發光裝置進行白色系混色光發光時，考慮到與來自螢光物質之發光波長之補色關係及透光性樹脂的惡化等，發光元件的發光波長較好的是430 nm以上530 nm以下，更好的是430 nm以上490 nm以下。為了使發光元件與螢光物質的激發、發光效率分別進一步提高，進而好的是發光元件的發光波長為450 nm以上475 nm以下。再者，亦可使用下述發光元件，藉由與相對難以因紫外線而惡化之部件之組合，而使短於400 nm的紫外線區域或可見光的短波長區域作為主發光波長。
發光元件10之大小為600 μm。除此以外，亦可安裝1 mm、450 μm、320 μm尺寸等者。
<封裝40>
封裝40之材質為熱固性樹脂之固化物。熱固性樹脂中，較好的是由選自環氧樹脂、改質環氧樹脂、矽氧樹脂、改 質矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂所構成之群中的至少一種形成，尤其好的是環氧樹脂、改質環氧樹脂、矽氧樹脂、改質矽氧樹脂。例如，可使用下述固態環氧樹脂組合物：將由異氰脲酸三縮水甘油酯(化1)、雙酚A二縮水甘油基醚氫化物(化2)等構成之環氧樹脂，及由六氫鄰苯二甲酸酐(化3)、3－甲基六氫鄰苯二甲酸酐(化4)、4－甲基六氫鄰苯二甲酸酐(化5)等構成之酸酐，以達到當量之方式溶解混合於環氧樹脂中獲得無色透明混合物，且對該100重量份無色透明混合物中，添加0.5重量份之DBU(1,8－二氮雜雙環(5.4.0)十一烯－7(1,8－Diazabicyclo(5,4,0)undecene－7))(化6)作為固化促進劑，1重量份之乙二醇(化7)作為助劑，10重量份之氧化鈦顏料，50重量份之玻璃纖維，並藉由加熱而使之局部固化反應達到B階段。
[化7]HO－CH2 －CH2 －OH
封裝40為了具有作為封裝之功能，較好的是硬質者。又，封裝40無論有無透光性，均可根據用途等進行適當設計。例如，使封裝40中混入遮光性物質，可降低透過封裝40的光。另一方面，亦可預先混合填充料及擴散劑，以使來自表面安裝型發光裝置的光主要向前方及側面均勻射出。又，為了降低吸光，亦可預先添加與暗色系顏料相比為白色系的顏料。如此為了使封裝40具有特定功能，亦可混合選自由填充料、擴散劑、顏料、螢光物質、反射性物 質、遮光性物質構成之群中的至少一種。
<第1引腳電極20及第2引腳電極30>
第1引腳電極20及第2引腳電極30可使用鐵、磷青銅、銅合金等良導電體構成。又，為了提高來自發光元件10的光之反射率，亦可對第1引腳電極20及第2引腳電極30的表面實施銀、鋁、銅或金等金屬電鍍。又，為了提高第1引腳電極20及第2引腳電極30之表面反射率，較好的是使之平滑化。又，為了提高散熱性，可增大第1引腳電極20及第2引腳電極30的面積。藉此，可有效抑制發光元件10溫度上升，故而可使相對多之電流流入發光元件10。又，可藉由使第1引腳電極20及第2引腳電極30壁厚增加，而提高散熱性。該情形時，難以實施將第1引腳電極20及第2引腳電極30彎曲等之成形步驟，故而將其切斷為特定大小。又，可藉由使第1引腳電極20及第2引腳電極30壁厚增加，來減少第1引腳電極20及第2引腳電極30撓曲，從而可易於安裝發光元件10。與此相反，可藉由使第1引腳電極20及第2引腳電極30形成為薄平板狀，而易於實施使之彎曲之成形步驟，從而成形為特定形狀。
第1引腳電極20及第2引腳電極30為一對正負電極。第1引腳電極20及第2引腳電極30較佳的是至少各為一個，但亦可設置複數個。又，於第1引腳電極20載置複數個發光元件10時，亦必須設置複數個第2引腳電極30。
<密封部件50>
密封部件50之材質為熱固性樹脂。熱固性樹脂中，較好 的是由選自由環氧樹脂、改質環氧樹脂、矽氧樹脂、改質矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂構成之群中的至少一種形成，尤其好的是環氧樹脂、改質環氧樹脂、矽氧樹脂、改質矽氧樹脂。為了保護發光元件10，密封部件50較好的是硬質者。又，密封部件50較好的是使用耐熱性、耐候牲、耐光性優良的樹脂。為了使密封部件50具有特定功能，亦可混合選自由填充料、擴散劑、顏料、螢光物質、反射性物質構成之群中的至少一種。可使密封部件50中含有擴散劑。作為具體之擴散劑，可較佳使用鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等。又，為獲取預期外波長，而可使其含有有機或無機著色染料或著色顏料。進而，密封部件50亦可含有吸收來自發光元件10的光，實施波長轉換之螢光物質80。
<螢光物質80>
螢光物質80可為將來自發光元件10的光吸收，並波長轉換為不同波長光者。例如，較好的是選自主要由Eu、Ce等鑭系元素活化之氮化物系螢光體．氮氧化物系螢光體．賽隆系螢光體，主要由Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系元素活化之鹼土類鹵素磷灰石螢光體、鹼土類金屬硼酸鹽鹵素螢光體、鹼土類金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土類矽酸鹽、鹼土類硫化物、鹼土類硫代鎵酸鹽、鹼土類氮化矽、鍺酸鹽，或主要由Ce等鑭系元素活化之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽或主要由Eu等鑭系元素活化之有機及有機錯合物等中的至少任一個以上。作為具體例，可使用下述螢光體，然而並不 限於此。
主要由Eu、Ce等鑭系元素活化之氮化物系螢光體有M2 Si5 N8 ：Eu、CaAlSiN3 ：Eu(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上)等。又，除了M2 Si5 N8 ：Eu以外，亦有MSi7 N10 ：Eu、M1.8 Si5 O0.2 N8 ：Eu、M0.9 Si7 O0.1 N10 ：Eu(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上)等。
主要由Eu、Ce等鑭系元素活化之氮氧化物系螢光體有：MSi2 O2 N2 ：Eu(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上)等。
主要由Eu、Ce等鑭系元素活化之賽隆系螢光體有：Mp/2 Si12－p－q Alp＋q Oq N16－p ：Ce、M－Al－Si－O－N(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上，q為0~2.5，p為1.5~3)等。
主要由Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系元素活化之鹼土類鹵素磷灰石螢光體中有M5 (PO4 )3 X：R(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上，X選自F、Cl、Br、I中之至少一種以上，R為Eu、Mn、Eu與Mn之任一者以上)等。
鹼土類金屬硼酸鹽鹵素螢光體中有M2 B5 O9 X：R(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上，X選自F、Cl、Br、I中之至少一種以上，R為Eu、Mn、Eu與Mn之任一者以上)等。
鹼土類金屬鋁酸鹽螢光體中有SrAl2 O4 ：R、Sr4 Al14 O25 ：R、CaAl2 O4 ：R、BaMg2 Al16 O27 ：R、BaMg2 Al16 O12 ：R、BaMgAl10 O17 ：R(R為Eu、Mn、Eu與 Mn之任一者以上)等。
鹼土類硫化物螢光體中有La2 O2 S：Eu、Y2 O2 S：Eu、Gd2 O2 S：Eu等。
主要由Ce等鑭系元素活化之稀土類鋁酸鹽螢光體中有以Y3 Al5 O12 ：Ce、(Y0.8 Gd0.2 )3 Al5 O12 ：Ce、Y3 (Al0.8 Ga0.2 )5 O12 ：Ce、(Y,Gd)3 (Al,Ga)5 O12 之組成式所示之YAG系螢光體等。又，亦有以Tb、Lu等取代Y之一部分或全部的Tb3 Al5 O12 ：Ce、Lu3 Al5 O12 ：Ce等。
其他螢光體中有ZnS：Eu、zn2 GeO4 ：Mn、MGa2 S4 ：Eu(M選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少一種以上，X選自F、Cl、Br、I選擇之至少一種以上)等。
根據需要，替代Eu或除了Eu以外，上述螢光體亦可含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti中之一種以上。
又，亦可使用上述螢光體以外且具有相同性能、效果之螢光體。
該等螢光體除了可藉由發光元件10之激發光而使用黃色、紅色、綠色、藍色中具有發光光譜的螢光體以外，亦可使用作為該等中間色的黃色、藍綠色、橙黃色等中具有發光光譜的螢光體。可藉由組合使用各種該等螢光體，而製造具有各種發光色的表面安裝型發光裝置。
例如，使用藍色發光的GaN系化合物半導體，對Y3 Al5 O12 ：Ce或(Y0.8 Gd0.2 )3 Al5 O12 ：Ce螢光物質進行照射，並進行波長轉換。可提供藉由來自發光元件10的光與 來自螢光體80的光的混合色，進行白色發光之表面安裝型發光裝置。
例如，可提供藉由使用由自綠色變為黃色發光的CaSi2 O2 N2 ：Eu、或SrSi2 O2 N2 ：Eu、作為螢光體之進行藍色發光的(Sr,Ca)5 (PO4 )3 Cl：Eu、及進行紅色發光之(Ca,Sr)2 Si5 N8 ：Eu構成的螢光體80，而演色性良好之白色發光的表面安裝型發光裝置。由於使用顏色之三源色即紅．藍．綠，故而僅變化第1螢光體及第2螢光體的調配比，便可實現預期之白色光。
(其他) 於表面安裝型發光裝置中，進而亦可設置曾納二極體作為保護元件。曾納二極體可脫離發光元件10而載置於凹部43之底面41的第1引腳電極20。又，亦可採用將曾納二極體載置於凹部43之底面41的第1引腳電極20，並於其上載置發光元件10之構成。除了280 μm之尺寸以外，亦可使用300 μm之尺寸等。
接線60係電性連接發光元件10之第2電極12與第2引腳電極30，及發光元件10之第1電極11與第1引腳電極20者。接線60要求與發光元件10之電極之歐姆性、機械連接性、導電性及導熱性良好。作為導熱率，較好的是0.01 cal/(S)(cm2 )(℃/cm)以上，更好的是0.5 cal/(S)(cm2 )(℃/cm)以上。自發光元件10之正上方直至經電鍍之佈線圖案的打線接合區域，鋪設接線，實施導通。
<表面安裝型發光裝置之製造方法>
一面參照圖3A~圖3E，一面就本發明之發光裝置的製造方法加以說明。
(1.引腳電極20、30之形成) 首先，於第1引腳電極20及第2引腳電極30之表面上被覆Ag膜。作為Ag膜之被覆方法，可使用電鍍Ag法、無電解鍍Ag法、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等。就成本、品質之平衡而言，尤其好的是電鍍Ag。於本說明書中，「電鍍Ag法」係指於包含金屬離子的電解溶液中，將引腳電極作為陰極進行通電，於引腳電極的表面上電沈積Ag(視須要，底材用的金屬)。以下就電鍍Ag法之詳細情況加以說明。
首先，將引腳電極20、30浸漬於鹼性浸漬脫脂溶液．鹼性電解脫脂溶液中，去除油分。接著，將引腳電極20、30浸漬於酸溶液中，去除氧化膜。視須要，浸漬於鹼性中和溶液中實施中和。其後，作為鍍Ag前之底材處理，進行預電鍍Cu、電鍍Cu、及預電鍍Ag等。將引腳電極20、30依次浸漬於適合於各底材處理的電解溶液中，並於表面上電沈積底材金屬。並且，將底材處理結束後之引腳電極20、30浸漬於鍍Ag用的電解溶液中，電沈積Ag。再者，於各電解溶液中進行電沈積後，以純水清洗引腳電極20、30。實施最後之鍍Ag後之純水清洗，其後，使引腳電極20、30乾燥。
藉由上述一系列步驟，於引腳電極20、30的表面上被覆 Ag膜22、32。
(2.藉由模具120、121夾持引腳電極20、30) 如圖3A及圖3B中所示，將被覆著Ag膜的面作為上側以上模120與下模121自上下夾入第1引腳電極20與第2引腳電極30。上模120具備對應於封裝40形狀之內部空隙122、及用以形成封裝凹部的凸部123。此處，用於封裝40的熱固性樹脂之模流較好，故有時會進入第1引腳電極20及第2引腳電極30與凸部123之間隙中。若熱固性樹脂附著於第1引腳電極20及第2引腳電極30之上表面，則於該等引腳電極20、30之表面會形成絕緣膜，故而上述熱固性樹脂之進入情況欠佳。因此，較好的是以下模121推頂引腳電極20、30之背面，將上述第1引腳電極20及上述第2引腳電極30推壓至凸部123。
再者，於該例中，下模呈平坦狀，然而亦可根據封裝40種類具備內部空隙。於該情形時，難以藉由下模121推頂引腳電極20、30，故而可於下模的一部分設置用以推頂之突條部件，或設置貫通下模的其他部件，從而可推頂引腳電極20、30。
(3.封裝之成型) 如圖3C中所示，向上模120之空隙122中注入熱固性樹脂，並進行加熱固化而使封裝成型。作為熱固性樹脂之注入方法，可利用傳遞模塑。
傳遞模塑係將具有特定大小之顆粒狀熱固性樹脂注入特定容器中。對該特定容器施加壓力。自該特定容器使熔融 狀態之熱固性樹脂流入相連之上模120與下模121所夾入的凹陷部分。將上模120與下模121加熱至特定溫度，將該流入之熱固性樹脂固化。該一系列步驟稱作傳遞模塑。
以模具夾入第1引腳電極20及第2引腳電極30，故而流入熱固性樹脂時，引腳電極20、30不會晃動，從而可抑制毛邊產生。
(4.去除毛邊步驟) 成型後的封裝40有時會於封裝40的外周或凹部43內部產生毛邊。於安裝發光元件10前將該等毛邊去除。毛邊之去除，可組合使用電解處理、化學浸漬、乾式噴射、水噴射、液體噴砂等毛邊去除相關裝置。
(5.共晶層70之成膜) 加熱固化結束後之封裝40自上模120及下模121取出，並安裝發光元件10等。安裝發光元件10之前，於發光元件10的背面預先使由金屬焊材構成之共晶層70成膜。作為共晶層70的成膜方法，有使用糊劑材之印刷、點膠、轉印、預型體、箔成形、金屬化、錫球形成等。
(6.發光元件10的安裝) 如圖3D所示，於封裝40之凹部43之內部配置發光元件10。此時，必須以發光元件10之共晶層70接觸於第1引腳電極20之上表面之方式配置發光元件10。連同封裝40一起實施加熱處理，將共晶層70熔融(回焊)，其後置冷，則發光元件10固定於第1引腳電極20之表面上。
並且，藉由導電接線60電性連接發光元件10之電極11、 12與第1引腳電極20及第2引腳電極30。
(7.密封部件50之填充) 固定發光元件10後，向凹部43內填充密封部件50用之熱固性樹脂。熱固性樹脂之填充藉由滴入機構或射出機構、擠壓機構等進行，尤其好的是使用滴入機構。其原因在於，滴入機構於填充熱固性樹脂之同時，可有效地將殘存於凹部43內之空氣排出。較好的是對熱固性樹脂中預先混入螢光物質80。藉此，可易於進行發光裝置之色調調整。
注入結束後，將熱固性樹脂加熱固化，形成密封部件50。
[實施例1] <實施例1~10、比較例1~6>
(1.原料之調配) 按照表1~表3的分布，調製各試料。表中之各符號表示以下材料。
(A)環氧樹脂 (A1)三嗪衍生物環氧樹脂 三(2,3－環氧丙基)異氰酸酯(TEPIC－S：日產化學(股)製商品名，環氧當量100) (A2)氫化環氧樹脂 雙酚A型氫化環氧樹脂(YL－7170：Japan Epoxy Resins(股)製商品名，環氧當量1200) (A3)其他芳香族環氧樹脂 雙酚A型環氧樹脂(E1004：Japan Epoxy Resins(股)製商 品名，環氧當量890)
(B)酸酐 (B1)非碳－碳雙鍵酸酐；甲基六氫鄰苯二甲酸酐(RIKACID MH：新日本理化(股)製商品名) (B2)含碳－碳雙鍵酸酐；四氫鄰苯二甲酸酐(RIKACID TH：新日本理科(股)製商品名)
(C)抗氧化劑 (C1)磷系抗氧化劑；亞磷酸三苯酯(和光純藥(股)製商品名) (C2)酚系抗氧化劑；2,6－二－第三丁基－對甲酚(BHT(Butylated hydroxytoluene，二叔丁基對甲基苯酚)：和光純藥(股)製商品名)
(D)二氧化鈦；金紅石型(TIPAQUE CR－90：石原產業(股)製商品名)
(E)無機填充劑；破裂熔融二氧化矽((株)龍森製商品名)
(F)固化觸媒 (F1)磷系固化觸媒；甲基－三丁基鏻－磷酸二甲酯(PX－4MP：日本化學(股)製商品名) (F2)咪唑系觸媒；2－乙基－4－甲基咪唑(2E4MZ：四國化成(股)製商品名)
[表1]
(2.測定用試料之製作) 首先，事先藉由反應釜，於80℃下將(A)環氧樹脂、(B)酸酐及(C)抗氧化劑熔融混合5小時，並使其冷卻固化後，進行粉碎。以特定組成比，對經粉砕之混合物中調配(D)光反射劑、(E)無機填充劑、及(F)固化觸媒，以2根熱輥均勻地進行熔融混合，實施冷卻粉砕，調製封裝40用之熱固性樹脂。
於包含銅合金之導線架表面上使Ag膜成膜，以模具進行夾持，藉由傳遞模塑將上述經調製之熱固性樹脂注入至模具內，使封裝40成型。於發光元件10中，使用藍色發光二極體(於藍寶石基板上積層形成具有InGaN發光層之半導體層)，並利用熔點不同之複數種焊錫材料，安裝於第1引腳電極20。
再者，表1~表3之分布中焊錫材料的各符號表示以下材料。
(G)焊錫材料 作為焊錫材料，可列舉：Sn－Pb(熔點285℃)、Au－Sn(熔點282℃)、Sn－Ag－Cu(熔點220℃)、Sn－Ag－Cu－x(x＝Bi、In、Ge、Ni，熔點200~230℃)、Sn－Zn。
(G1)Au－Sn(熔點282℃) (G2)Sn－Pb(熔點285℃) (G3)Sn－Ag－Cu(熔點220℃) (G4)Sn－Pb(熔點183℃) (G5)Au－Si(熔點363℃)
使用直徑30 μ的金線導通發光元件10與引腳電極20、30。其後，向封裝40的凹部43中滴入用於密封部件50的熱固性樹脂。熱固性樹脂中使用包含相對於矽氧樹脂100重量份為30重量份之YAG螢光體與5重量份之由氧化矽構成的光擴散劑者，自室溫至150℃為止升溫3小時，並於150℃下使其固化5小時。最後，自導線架中取出，獲得白色發光的發光裝置1。
(3.發光裝置之評價) 以目視觀察因發光元件10之安裝引起的封裝40之黃化。其結果為，於共晶層70中使用熔點363℃的焊錫材料之比較例3中，可確認到黃化。其原因在於，用以使焊錫材料熔融的加熱溫度較高，該溫度會導致熱固性環氧樹脂固化物被氧化惡化而產生黃化。
(4.加熱實驗) 使用用於封裝40之原料製作試料片，分析加熱下有無變色。於175℃、6.9 N/mm2 、成型時間2 min之條件下，使試料片成型為直徑50×3 mm之圓盤狀。將該試料片於180℃下放置24小時，比較黃化性後，可確認比較例4及5的試料中產生黃化。根據該實驗瞭解到：不包含三嗪衍生物環氧樹脂之熱固性環氧樹脂中，因樹脂耐熱性較低，故而於180℃左右的溫度下亦會產生黃化。
(5.點亮實驗) 對使實施例及比較例的發光裝置1長時間點亮時的共晶層70之變色與封裝的黃化性進行分析。點亮實驗於85℃－85%RH、1000 hr之條件下進行。實驗後試料之觀察中，共晶層70的變色確認係發光元件10剝離後以光學顯微鏡進行觀察，封裝40之黃化觀察則以目視進行確認。
於共晶層70中確認出變色者係共晶層70中使用熔點183℃的焊錫材料之比較例2。其原因在於，焊錫材料之熔點達到約200℃以下時，則焊錫材料易於氧化惡化，導致黃化易於產生。
又，封裝40中確認出黃化者係比較例1、4及5。
比較例1之Ag層因厚度較薄，故而存在Ag之結晶性不良，容易氧化惡化，導致著色之可能性，或者存在作為Ag膜底材而電鍍之Cu擴散至Ag膜表面而成為氧化鋼，導致Ag膜表面變色之可能性。若Ag膜之表面出現著色，則會將來自發光元件的發光吸收並轉換為熱量，促進封裝內溫度上升。其結果為，導致封裝產生若干黃化。
比較例4及5因熱固性環氧樹脂的耐熱性較低，故而樹脂氧化惡化，封裝產生黃化。
(6.剪切強度測定) 為了分析發光元件10與第1引腳電極20之接合力，而測定剪切強度。測定使用剪切測試機。首先，將樣品固定於剪切測試機的載物台，接著，將剪切工具設置於特定位置上，使剪切工具移動，剝離發光元件。測定剪切工具之強度，將剝離時的強度(峰值強度)作為剪切強度。
用於實施例之600 μm的發光元件10之情形時，理想之剪切強度為1.0 kgf~8.0 kgf。未能滿足該剪切強度之比較例1之電鍍表面不平坦，共晶接合部分中包含較多氣泡，導致接合強度降低。
(7.平坦度的測定) 使用雷射式測定顯微鏡，測定引腳電極22中安裝發光元件10之區域的平坦度。測量安裝區域的3個端角，將包含該3個端角的面作為基準面時安裝區域的中央高度作為平坦度。
根據該測定結果與剪切強度及封裝的變色之關係，得知存在Ag膜平坦度增大(即，表面變粗糙)，則剪切強度降低之傾向。平坦度較小(即，表面光滑)之實施例8中，封裝未產生黃化，剪切強度亦較高。平坦度增大達到55 μm之比較例6中，可確認封裝產生黃化。其原因在於，平坦度過大之結果為於發光元件與引腳電極之間無法獲得充分之接合面積，發光元件之散熱性惡化，導致產生黃化。進而，比較例6之試料中，剪切強度亦較小。
可認為由於晶片尺寸不同，平坦度影響之程度不同。例如，即使為相同平坦度(相同凹凸狀態)，較之大尺寸晶片，小尺寸晶片更易於受到平坦度影響。因此，對各個實施例及比較例，求得藉由晶片尺寸而將平坦度規格化之相對平坦度α。此處，相對平坦度α(%)算出為α＝(平坦度(μm)/發光元件尺寸(μm))×100。所謂「發光元件尺寸」係指發光元件為正方形時，發光元件底面一個邊之長度，而發光元件為長方形時係指長邊之長度。
相對平坦度α最小者為α＝0.1%(實施例8)，剪切強度為3.4 kgf較高，亦無封裝黃化。α＝1.7(實施例1~7)、α＝3.3(實施例9)、及α＝8.3(實施例10)中未觀察到封裝黃化，α＝9.2(比較例6)中可確認封裝黃化。又，α＝9.2之比較例6中，剪切強度亦較低。由此，較好的是相對平坦度α約為9%以下。
[產業上之可利用性]
本發明之表面安裝型發光裝置可用於照明器具、顯示器、行動電話之背光源、照相機之閃光燈、動態圖像照明 輔助光源等。
1‧‧‧發光裝置
10‧‧‧發光元件
11‧‧‧發光元件之第1電極
12‧‧‧發光元件之第2電極
20‧‧‧第1引腳電極
20a‧‧‧第1引腳電極之內引腳部
20b‧‧‧第1引腳電極之外引腳部
22、32‧‧‧Ag膜
30‧‧‧第2引腳電極
30a‧‧‧第2引腳電極之內引腳部
30b‧‧‧第2引腳電極之外引腳部
40‧‧‧封裝
41‧‧‧底面
42‧‧‧側面
43‧‧‧凹部
50‧‧‧密封部件
60‧‧‧導電接線
70‧‧‧共晶層
80‧‧‧螢光物質
90‧‧‧絕緣膜
120‧‧‧上模
121‧‧‧下模
圖1係表示第1實施形態之發光裝置的概略俯視圖。
圖2係沿圖1之A－A剖開之發光裝置的概略剖面圖。
圖3A係表示第1實施形態之表面安裝型發光裝置的製造步驟之概略剖面圖。
圖3B係表示第1實施形態之表面安裝型發光裝置的製造步驟之概略剖面圖。
圖3C係表示第1實施形態之表面安裝型發光裝置的製造步驟之概略剖面圖。
圖3D係表示第1實施形態之表面安裝型發光裝置的製造步驟之概略剖面圖。
圖3E係表示第1實施形態之表面安裝型發光裝置的製造步驟之概略剖面圖。
10‧‧‧發光元件
11‧‧‧發光元件之第1電極
12‧‧‧發光元件之第2電極
20‧‧‧第1引腳電極
20a‧‧‧第1引腳電極之內引腳部
20b‧‧‧第1引腳電極之外引腳部
20c‧‧‧內引腳部20a之上表面
20d‧‧‧引腳電極20之下表面
22、32‧‧‧Ag膜
30‧‧‧第2引腳電極
30a‧‧‧第2引腳電極之內引腳部
30b‧‧‧第2引腳電極之外引腳部
30c‧‧‧內引腳部30a之上表面
30d‧‧‧引腳電極30之下表面
40‧‧‧封裝
41‧‧‧底面
42‧‧‧側面
43‧‧‧凹部
44‧‧‧間隔部件
50‧‧‧密封部件
60‧‧‧導電接線
70‧‧‧共晶層
80‧‧‧螢光物質
90‧‧‧絕緣膜

Claims (7)

  1. 一種發光裝置，其特徵在於：其包含發光元件；由熱固性樹脂形成，且具有安裝上述發光元件之凹部的封裝；自上述封裝之凹部底面露出，且載置著上述發光元件之第1引腳電極；自上述封裝之凹部底面露出，且與上述發光元件電性連接的第2引腳電極；且，上述發光元件介隔包含熔點為200℃~350℃之焊錫材料之共晶層而與上述第1引腳電極共晶接合，並且至少上述第1引腳電極之表面由Ag膜被覆，上述Ag膜之膜厚為0.5μm~20μm且相對平坦度α約為9%以下。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述Ag膜之膜厚為1μm~15μm。
  3. 一種發光裝置，其特徵在於：其包含發光元件；由熱固性樹脂形成，且具有安裝上述發光元件之凹部的封裝；自上述封裝之凹部底面露出，且載置著上述發光元件之第1引腳電極；自上述封裝之凹部底面露出，且與上述發光元件電性連接的第2引腳電極； 且，上述發光元件介隔包含熔點為200℃~350℃之焊錫材料之共晶層而與上述第1引腳電極共晶接合，並且至少上述第1引腳電極之表面由Ag膜被覆，於上述第1引腳電極及上述第2引腳電極之表面中，與上述發光元件接合的區域的平坦度為0.001~50μm且相對平坦度α約為9%以下。
  4. 如請求項1或3之發光裝置，其中上述封裝由含有包含三嗪衍生物環氧樹脂之環氧樹脂之熱固性環氧樹脂組合物之固化物所成型。
  5. 如請求項1或3之發光裝置，其中上述封裝對波長430nm以上的光之反射率為70%以上，上述發光元件的發光峰值波長為430nm~530nm。
  6. 如請求項1或3之發光裝置，其中上述發光裝置進而具備密封發光元件的透光性密封部件，且上述透光性密封部件由熱固性樹脂構成。
  7. 一種發光裝置之製造方法，其特徵在於：上述方法中之發光裝置包含發光元件；由熱固性樹脂形成，且具有安裝上述發光元件之凹部的封裝；自上述封裝之凹部底面露出，且載置著上述發光元件之第1引腳電極；自上述封裝之凹部底面露出，且與上述發光元件電性連接的第2引腳電極； 至少被覆上述第1引腳電極之表面之Ag膜；插入於上述發光元件與上述第1引腳電極之間的共晶層；且上述發光裝置之製造方法包含：於上述第1引腳電極表面上被覆Ag膜，且於上述Ag膜之表面中，使固定上述發光元件之區域的平坦度為0.001~50μm、且相對平坦度α約為9%以下之步驟；為了藉由具備對應於上述封裝形狀的內部空隙之上模及下模，來夾持上述第1引腳電極與上述第2引腳電極，形成封裝之凹部，而將上述第1引腳電極及上述第2引腳電極推壓至上述上模所具備之凸部之步驟；於上述上模及上述下模的內部空隙中注入熱固性樹脂，並藉由加熱固化而形成封裝之步驟；於上述發光元件之背面，使由熔點為200℃~350℃之金屬焊材構成的上述共晶層成膜之步驟；以使上述共晶層與上述第1引腳電極上表面接觸之方式，於上述形成後的封裝之上述凹部內部載置上述發光元件，並使上述共晶層加熱熔融，而將上述發光元件固定於上述第1引腳電極上之步驟；將上述發光元件與上述第1引腳電極及上述第2引腳電極電性連接之步驟。
TW097108550A 2007-03-12 2008-03-11 發光裝置及其製造方法 TWI459584B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007061599 2007-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200903859A TW200903859A (en) 2009-01-16
TWI459584B true TWI459584B (zh) 2014-11-01

Family

ID=39759443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097108550A TWI459584B (zh) 2007-03-12 2008-03-11 發光裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8610143B2 (zh)
JP (1) JPWO2008111504A1 (zh)
KR (1) KR20090124906A (zh)
TW (1) TWI459584B (zh)
WO (1) WO2008111504A1 (zh)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
DE112009002625T5 (de) 2008-09-30 2012-01-19 Hitachi Chemical Co., Ltd. Beschichtungsmittel, Substrat zum Montieren eines optischen Halbleiterelements unter Verwendung desselben und optische Halbleitervorrichtung
JP2010095633A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Omron Corp 接着方法、接着構造、光学モジュールの製造方法および光学モジュール
JP5363789B2 (ja) * 2008-11-18 2013-12-11 スタンレー電気株式会社 光半導体装置
KR101018191B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 세라믹 패키지 및 이를 구비하는 헤드램프 모듈
TWI426206B (zh) * 2008-12-25 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體裝置
JP5482293B2 (ja) * 2009-03-05 2014-05-07 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP6133004B2 (ja) * 2009-03-31 2017-05-24 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2010263133A (ja) * 2009-05-11 2010-11-18 Furukawa Electric Co Ltd:The 発光ダイオード装置および発光ダイオード装置の製造方法
JP2011009346A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 光半導体装置
JP2011060819A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP5381585B2 (ja) * 2009-09-30 2014-01-08 凸版印刷株式会社 Ｌｅｄ発光素子用リードフレームの製造方法、及びｌｅｄパッケージの製造方法
KR100986397B1 (ko) * 2010-02-08 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
KR101192181B1 (ko) 2010-03-31 2012-10-17 (주)포인트엔지니어링 광 소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR20110111243A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치
KR101662239B1 (ko) * 2010-04-28 2016-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 그 제조 방법 및 발광 소자 패키지
CN102598326B (zh) * 2010-10-22 2013-02-13 松下电器产业株式会社 Led反射器用不饱和聚酯树脂组合物以及使用其的led反射器、led照明器具
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8624271B2 (en) * 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
US20120193671A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-02 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
JP2012175030A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
KR20140038553A (ko) 2011-07-21 2014-03-28 크리,인코포레이티드 향상된 화학적 내성을 위한 발광 장치 패키지들, 부품들 및 방법들 그리고 관련된 방법들
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US9142743B2 (en) * 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
WO2013070696A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Cree, Inc. High voltage array light emitting diode (led) devices, fixtures and methods
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
JP2013179271A (ja) * 2012-01-31 2013-09-09 Rohm Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
CN103367565A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
JP5167424B1 (ja) * 2012-04-18 2013-03-21 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性組成物及び光半導体装置用成形体
US20140023430A1 (en) * 2012-07-19 2014-01-23 Apple Inc. Attachment Techniques
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
JP2013153175A (ja) * 2013-02-26 2013-08-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 封止樹脂の変色抑制方法
TWI529971B (zh) * 2013-04-08 2016-04-11 逢甲大學 發光裝置及其操作與製造方法
CN104103748B (zh) * 2013-04-10 2016-12-07 重庆市路迪机械厂 发光二极管封装结构及其制造方法
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6204088B2 (ja) * 2013-07-02 2017-09-27 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102199986B1 (ko) * 2014-02-17 2021-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
TWI598538B (zh) * 2015-07-31 2017-09-11 宏齊科技股份有限公司 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構
JP6361645B2 (ja) * 2015-12-22 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6191705B2 (ja) * 2016-01-04 2017-09-06 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
JP6555243B2 (ja) * 2016-12-16 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US20190393112A1 (en) * 2018-06-25 2019-12-26 Elizabeth Nofen Encapsulant material containing fluorophores for in-situ visualization of stress in an organic package
JP7038645B2 (ja) 2018-12-06 2022-03-18 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN113416963A (zh) * 2021-06-19 2021-09-21 贵州航箭电子产品有限公司 一种电子元器件镀银后处理工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050280017A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
US20060012967A1 (en) * 2002-04-01 2006-01-19 Ibiden Co., Ltd. Ic chip mounting substrate, ic chip mounting substrate manufacturing method, optical communication device, and optical communication device manufacturing method
JP2006156704A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US20060284204A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3059828B2 (ja) 1992-06-26 2000-07-04 三洋電機株式会社 発光ダイオード表示装置
JP3472450B2 (ja) 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
JP4065051B2 (ja) 1998-04-17 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 表面実装ｌｅｄとその製造方法
JP2002270860A (ja) 2000-12-06 2002-09-20 Ibiden Co Ltd Ｉｃチップ実装用基板
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
MY134305A (en) * 2001-04-20 2007-12-31 Nichia Corp Light emitting device
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
CA2447288C (en) * 2002-03-22 2011-10-04 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2008-01-09 豊田合成株式会社 発光装置
KR100693969B1 (ko) * 2003-03-10 2007-03-12 도요다 고세이 가부시키가이샤 고체 소자 디바이스 및 그 제조 방법
EP1605523A4 (en) 2003-03-14 2012-04-04 Sumitomo Electric Industries SEMICONDUCTOR COMPONENT
US7070730B2 (en) * 2003-06-13 2006-07-04 Safe Boats International, Llc Method of manufacturing foam core boat collars
JP2005191420A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Stanley Electric Co Ltd 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2005259972A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
JP4632426B2 (ja) 2004-03-31 2011-02-16 シーアイ化成株式会社 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体
JP2006049442A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4659421B2 (ja) 2004-09-30 2011-03-30 株式会社トクヤマ 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP5060707B2 (ja) 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP2006186297A (ja) 2004-12-03 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP4876426B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
JP4091063B2 (ja) 2005-06-07 2008-05-28 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
JP4037423B2 (ja) 2005-06-07 2008-01-23 株式会社フジクラ 発光素子実装用ホーロー基板の製造方法
EP1925037A4 (en) * 2005-09-13 2011-10-26 Showa Denko Kk LIGHT EMITTING DEVICE
WO2007135707A1 (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US20070295482A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Fitzgerald Thomas J Heat spreader for use in conjunction with a semiconducting device and method of manufacturing same
US8093619B2 (en) * 2006-12-28 2012-01-10 Nichia Corporation Light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060012967A1 (en) * 2002-04-01 2006-01-19 Ibiden Co., Ltd. Ic chip mounting substrate, ic chip mounting substrate manufacturing method, optical communication device, and optical communication device manufacturing method
US20050280017A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
JP2006156704A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US20060284204A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2008111504A1 (ja) 2010-06-24
WO2008111504A1 (ja) 2008-09-18
US20090261374A1 (en) 2009-10-22
TW200903859A (en) 2009-01-16
US8610143B2 (en) 2013-12-17
KR20090124906A (ko) 2009-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI459584B (zh) 發光裝置及其製造方法
US11631790B2 (en) Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP4608294B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US7777417B2 (en) Light emitting apparatus, resin molding device composing light emitting device, method for producing the same
JP5262374B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4611937B2 (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP2007329219A (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP5294741B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013138262A (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP5628475B2 (ja) 表面実装型発光装置の製造方法
JP7054019B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP6809518B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP6628752B2 (ja) 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP6149886B2 (ja) 表面実装型発光装置
JP2008252148A (ja) 発光装置用のパッケージ及びその製造方法