TWI459040B - 模具之製造方法及防炫膜之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種在表面具有微細凹凸形狀之模具之製造方法、以及使用藉由該方法所獲得之模具，來製造既為低霧度(haze)又具優異防炫特性之防炫(anti-glare)膜之製造方法。[註：防炫膜，有稱為防眩膜之情形，同指防止炫耀光之膜片或膜層而言]
液晶顯示器及電漿顯示器面板、顯像管(陰極射線管：CRT)顯示器、有機電致發光(electroluminescence,EL)顯示器等之圖像顯示裝置，當外光映入其顯示面時，會使可視性受到顯著損害。為了防止此種外光之映入，在重視畫質的電視或個人電腦、外光較強之屋外所使用之攝影機(video camera)及數位相機、利用反射光進行顯示之行動電話等中，自以往以來在圖像顯示裝置之表面設有用以防止外光之映入之薄膜層。此薄膜層大致可區分為：由實施有利用光學多層膜所產生之干擾之無反射處理的薄膜所構成者；及實施有藉由在表面形成微細凹凸使射入光散射而將映入影像暈化之防炫處理的薄膜所構成者。其中，前者的無反射薄膜，係需形成均勻之光學膜厚的多層膜，因此成本較高。相對於此，後者的防炫膜，由於可較低廉地製造，因此廣泛用在大型個人電腦及監視器等之用途。
此種防炫膜自以往以來，係例如藉由將分散有填充劑之樹脂溶液塗佈於基材薄片(sheet)上，且調整塗佈膜厚使填充劑露出於塗佈膜表面，藉以在薄片上形成不規則之凹凸之方法等來製造。然而，此種藉由使填充劑分散所製造之防炫膜，由於凹凸之配置及形狀會受到樹脂溶液中之填充劑之分散狀態及塗佈狀態等所影響，因此難以獲得預期的凹凸，而會有在較低霧度之防炫膜中無法獲得充分的防炫效果之問題。再者，將此種習知之防炫膜配置於圖像顯示裝置之表面時，會有顯示面整體會因為散射光而發白，顯示變成渾濁的顏色，之所謂易於產生「白濁」之問題。此外，隨著最近圖像顯示裝置的高精細化，亦有圖像顯示裝置之像素與防炫膜之表面凹凸形狀產生干擾，結果產生亮度分布而難以觀看，之所謂易於產生「閃爍(Glittering)」現象之問題。
此外，在藉由使填充劑分散所製造之防炫膜中，填充劑之折射率與使填充劑分散之結合劑(binder)樹脂之折射率不同之情形下，於將該種防炫膜配置於圖像顯示裝置之表面時，亦會有因為填充劑與結合劑樹脂界面之光之散射，而使對比容易降低之問題。
另一方面，亦有一種不含有填充劑，僅以在透明樹脂層之表面所形成之微細凹凸而顯現防炫性之嘗試。例如，在日本特開2002-189106號公報(專利文獻1)中，係揭示一種在將電離輻射線硬化性樹脂夾在壓花(emboss)鑄模與透明樹脂薄膜之間之狀態下使該電離輻射線硬化性樹脂硬化，形成三維10點平均粗度及三維粗度基準面上相鄰接之凸部彼此之平均距離分別滿足預定值之微細凹凸，且將形成有該凹凸之電離輻射線硬化性樹脂層設於前述透明樹脂薄膜上之形態之防炫膜。
此外，使用一種在表面形成有微細凹凸之薄膜作為配置於液晶顯示裝置之背面側之光擴散層而非配置於顯示裝置之顯示面之防炫膜，亦揭示於例如日本特開平6-34961號公報(專利文獻2)、日本特開2004-45471號公報(專利文獻3)、日本特開2004-45472號公報(專利文獻4)等。其中在專利文獻3、4中，係揭示一種將電離輻射線硬化性樹脂液充填於具有使凹凸反轉之形狀之壓花輥(embossing roll)，且使與輥凹板之旋轉方向同步行進之透明基材與所充填之樹脂接觸，透明基材與輥凹板接觸時，使位在輥凹板與透明基材之間的樹脂硬化，並與硬化同時使硬化樹脂與透明基材貼緊之後，將硬化後之樹脂與透明基材之疊層體從輥凹版剝離之方法，以作為在薄膜表面形成凹凸之方法。
然而，在此種專利文獻3、4所揭示之方法中，由於所可使用之電離輻射線硬化性樹脂液之組成有限，而且無法期待以溶媒稀釋塗佈時之調平(leveling)，因此預料在膜厚之均勻性尚有問題。再者，在專利文獻3、4所揭示之方法中，由於需直接將樹脂液充填於壓花輥凹版，因此為了確保凹凸面之均勻性，乃要求壓花輥凹版要有較高機械精確度，而會有難以製作壓花輥之問題。
接著，以表面具有凹凸之薄膜之製作所使用之輥之製作方法而言，例如，在上述之專利文獻2中，係揭示一種使用金屬等製作圓筒體，且在其表面藉由電子雕刻、蝕刻、噴砂(sand blast)等方法形成凹凸之方法。此外，在日本特開2004-29240號公報(專利文獻5)中，係揭示一種藉由噴擊(beads shot)法製作壓花輥之方法，而在日本特開2004-90187號公報(專利文獻6)中則揭示一種經由在壓花輥之表面形成金屬鍍覆層之步驟、將金屬鍍覆層之表面進行鏡面研磨之步驟、再者視需要進行細敲擊(peening)處理之步驟，以製作壓花輥之方法。
然而，在以此方式對壓花輥之表面施行噴砂(blast)處理之狀態下，會產生因為噴砂粒子之粒徑分布所引起之凹凸徑之分布，並且難以控制藉由噴砂所獲得之凹陷之深度，而在要以重現性良好地獲得具有優異防炫功能之凹凸之形狀上尚有其問題。
此外，在上述之專利文獻1中，係記載較佳為使用在鐵之表面施行鉻鍍覆(鍍鉻)之輥，藉由珠擊法或珠擊法形成凹凸模面。再者，亦記載有在以此方式形成凹凸之模面中，為了提升使用時之耐久性，係以實施鍍鉻等後再使用為較佳，藉此可謀求硬膜化及防止腐蝕之內容。另一方面，在上述專利文獻3、4各個實施例中，係記載有對鐵芯表面施行鉻鍍覆(鍍鉻)，並在進行#250之液體噴砂處理之後，再度進行鍍鉻處理，而在表面形成微細凹凸形狀。
然而，在此種壓花輥之製作法中，由於在硬度較高之鍍鉻之上進行噴砂或噴擊，因此難以形成凹凸，而且難以精密地控制所形成之凹凸之形狀。此外，亦如日本特開2004-29672號公報(專利文獻7)所記載，由於鍍鉻本身取決於構成基底之材質及其形狀而使其表面常會變粗糙，且在藉由噴砂所形成之凹凸上形成因為鍍鉻所產生之微細之裂縫(crack)，因此會有難以設計要形成何種凹凸之問題。再者，由於有因為鍍鉻所產生之微細之裂縫，因此亦有最終獲得之防炫膜之散射特性往不理想之方向變化之問題。再者，由於因壓花輥母材表面之材質與鍍覆種類之組合，會使精加工之輥表面有各種變化，因此亦會有為了要以良好精確度獲得所需之表面凹凸形狀，必須選擇適當之輥表面之材質與適當之鍍覆種類之問題。再者，即使獲得所希望之表面凹凸形狀，也會有因為鍍覆種類而有使用時之耐久性不足之問題。
在日本特開2000-284106號公報(專利文獻8)中，雖記載有在對基材施行噴砂加工之後，施行蝕刻步驟及/或薄膜之疊層步驟，惟並未記載及暗示在噴砂步驟前設置金屬鍍覆層。此外，在日本特開2006-53371號公報(專利文獻9)中，係記載有在將基材研磨，且施行噴砂加工之後，施行無電解鍍鎳。此外，在日本特開2007-187952號公報(專利文獻10)中，係記載有對基材施行鍍銅或鍍鎳之後進行研磨，並於施行噴砂加工之後，施行鍍鉻而製作壓花版，再者，在日本特開2007-237541號公報(專利文獻11)中，係記載有在施行鍍銅或鍍鎳之後進行研磨，並於施行噴砂加工之後，施行蝕刻步驟或鍍銅步驟，之後再施行鍍鉻而製作壓花版。在此等使用噴砂加工之製法中，由於難以在精密控制表面凹凸形狀之狀態下形成，因此在表面凹凸形狀亦會製作出具有50μm以上周期之較大之凹凸形狀。結果，有該等較大之凹凸形狀與圖像顯示裝置之像素產生干擾，產生亮度分布而難以觀看，之所謂容易產生閃爍之問題。
本發明之目的係提供一種有助於製作顯示較高防炫功能之防炫膜，在表面具有微細凹凸形狀之模具之製造方法，再者，亦提供一種使用該模具，製造既顯示優異之防炫功能，又充分防止因為白濁導致可視性之降低，且配置在高精細之圖像顯示裝置之表面時不會產生閃爍，對比不會降低之防炫膜之製造方法。
此外，本發明之另一目的係雖採用硬度及表面光澤等具有優異性之鍍鉻作為對於模具表面之鍍覆，但製造不會在該鍍鉻面產生粗糙化，而適於製作防炫膜之模具，且使用該模具製造顯示優異防炫功能之防炫膜。
本發明之模具之製造方法，其特徵為包括：第1鍍覆步驟，對模具用基材之表面施行鍍銅或鍍鎳；研磨步驟，將藉由第1鍍覆步驟施行鍍覆之表面進行研磨；感光性樹脂膜形成步驟，將感光性樹脂塗佈於所研磨之面而形成膜；曝光步驟，使圖案曝光在感光性樹脂膜上；顯影步驟，將經曝光有圖案之感光性樹脂膜進行顯影；蝕刻步驟，使用經顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，施行蝕刻處理，且在經研磨之鍍覆面形成凹凸；及第2鍍覆步驟，對於藉由蝕刻步驟所形成之凹凸面施行鍍鉻；而且，在前述蝕刻步驟中，對模具用基材整面施行蝕刻處理。
在此，所謂對模具用基材整面施行蝕刻處理，係指在模具用基材中，對於包含由前述遮罩所覆蓋之區域之整面施行蝕刻處理。在蝕刻處理之過程中，通常係首先將未由遮罩所覆蓋之區域進行蝕刻，且隨著之後之處理的進行，連由遮罩所覆蓋之區域亦進行蝕刻。
以本發明之模具之製造方法而言，係以前述蝕刻步驟係為：使用經顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，對於模具用基材中包含由前述遮罩所覆蓋之區域之整面，施行蝕刻處理，而在經研磨之鍍覆面形成凹凸之步驟為較佳之一態樣(以下亦稱模具之製造方法A)。
此外，在對模具用基材整面施行蝕刻處理時，在將由遮罩所覆蓋之所有區域進行蝕刻之前暫時結束蝕刻，將遮罩剝離後再度進行蝕刻處理，結果對模具用基材整面進行蝕刻處理亦可。
以本發明之模具之製造方法而言，係以前述蝕刻步驟係包括：第1蝕刻步驟，使用經顯影之感光性樹脂膜作為遮罩並進行蝕刻處理，在經研磨之鍍覆面形成凹凸；感光性樹脂膜剝離步驟，將感光性樹脂膜剝離；及第2蝕刻步驟，在完全剝離感光性樹脂膜之後，藉由蝕刻處理使藉由第1蝕刻步驟所形成之凹凸面鈍化為較佳之另一態樣(亦稱為模具之製造方法B)。
在本發明之模具之製造方法中，蝕刻步驟中之蝕刻量係以2至100μm為較佳。
在本發明之模具之製造方法B中之第1蝕刻步驟中之蝕刻量係以1至50μm為較佳。
在本發明之模具之製造方法B中之第2蝕刻步驟中之蝕刻量係以1至50μm為較佳。
在本發明之模具之製造方法中，係以將在電腦上所作成之圖案資料以從經電腦控制之雷射頭所發出之雷射光進行描繪，而藉此在曝光步驟中對於感光性樹脂膜上進行圖案之曝光為較佳。
在本發明之模具之製造方法中，係以在顯影步驟後未被溶解所殘留之感光性樹脂膜(以下亦將顯影後未被溶解所殘留之感光性樹脂膜稱為「遮罩」)對於模具用基材表面之投影面積，相對於在模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積為1至70%為較佳。
在本發明之模具之製造方法中，係以在模具用基材表面之100μm×100μm之區域中之遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差為1000μm2
以下為較佳。
在本發明之模具之製造方法中，係以在施行鍍鉻之後，不研磨表面，直接使用鍍鉻面作為模具之凹凸面為較佳。
本發明之模具之製造方法，係以藉由鍍鉻所形成之鍍鉻層具有I至10μm之厚度為較佳。
此外，本發明亦提供一種防炫膜之製造方法，係包括：將以上述本發明之模具之製造方法所製造之模具之凹凸面轉印至透明樹脂薄膜之步驟；及從模具將轉印有模具之凹凸面之透明樹脂薄膜剝離之步驟。
依據本發明之模具之製造方法，由於在表面以良好精確度形成有微細之凹凸形狀，因此可以良好重現性，且幾乎不存在缺陷之狀態下製造成為有助於製造顯示高防炫功能之防炫膜之模具。再者，依據本發明之防炫膜之製造方法，既可保持低霧度、顯示圖像之明亮度，又可防止映入及反射、抑制白濁、防止產生閃爍、防止對比降低等，在工業上有助於製造具有優異防炫性能之防炫膜。
第1圖係示意性顯示本發明之模具之製造方法之前半部分之較佳之一例圖。
在第1圖中係示意性顯示各步驟中之模具之剖面。本發明之模具之製造方法之前半部分，基本上係包括：[1]第1鍍覆步驟；[2]研磨步驟；[3]感光性樹脂膜形成步驟；及[4]曝光步驟。以下，一面參照第1圖，一面詳細說明本發明之模具之製造方法之前半部分之各步驟。
在本發明之模具之製造方法中，首先係對於用於模具之基材之表面，施行鍍銅或鍍鎳。如此，藉由對模具用基材之表面施行鍍銅或鍍鎳，即可提升之後之第2鍍覆步驟中之鍍鉻之密接性及光澤性。亦即，如先前技術中所述，對於鐵等之表面施行鍍鉻時，或是對鍍鉻表面以噴砂法或珠擊法等形成凹凸後再度施行鍍鉻時，表面易於粗糙，產生細微之裂縫，而難以控制模具之表面之凹凸形狀。相對於此，首先，藉由對基材表面施行鍍銅或鍍鎳，可消除此種缺失。此係由於鍍銅或鍍鎳之覆蓋性較高，而且平滑化作用較強，因此將模具用基材之微小的凹凸及孔穴(cavity)等填埋而形成平坦且具有光澤之表面之故。依據此等鍍銅或鍍鎳之特性，即使在後述之第2鍍覆步驟中施行鍍鉻，亦可解決存在於因為基材之微小的凹凸及孔穴所引起的鍍鉻表面之粗糙，而且，由於鍍銅或鍍鎳之覆蓋性較高，因此可減低細微裂縫的產生。
以在第1鍍覆步驟中所使用之銅或鎳而言，除分別可為純金屬以外，尚可為以銅為主體之合金、或以鎳為主體之合金，因此本說明書所稱之「銅」係指包含銅及銅合金之意，此外「鎳」係指包含鎳及鎳合金之意。鍍銅及鍍鎳係可分別以電解鍍覆進行，亦可以無電解鍍覆來進行，惟通常係採用電解鍍覆。
在施行鍍銅或鍍鎳時，若鍍覆層過薄，則無法完全排除基底表面之影響，因此其厚度係以50μm以上為較佳。鍍覆層厚度之上限雖無限定，惟從成本等之均衡而言，一般係至500μm左右就足夠。
另外，在本發明之模具之製造方法中，以適用於形成基材之金屬材料而言，從成本之觀點來看，例如有鋁、鐵等。再者從處理之方便性來看，尤以輕量的鋁為較佳。在此所稱之鋁及鐵，除分別可為純金屬外，尚可為以鋁或鐵為主體之合金。
此外，基材之形狀，在該領域中只要是習知所採用之適當的形狀，則無特別限制，可為平板狀，亦可為圓柱狀或圓筒狀之輥。若使用輥狀之基材製作模具，則具有能以連續的輥狀製造防炫膜之優點。
在研磨步驟中，係將在上述之第1鍍覆步驟中施行鍍銅或鍍鎳之基材表面進行研磨。經過該步驟，基材表面係以研磨成接近鏡面之狀態為較佳。此係由於成為基材之金屬板或金屬輥，為了作成所希望之精確度，大多係施行了切削或研削等之機械加工，因而會在基材表面殘留下加工傷痕，故即使在施行鍍銅或鍍鎳之狀態下，亦會有殘留下該等加工傷痕之情形，而且，在鍍覆之狀態下，表面亦未必會變得完全平滑。亦即，即使在此種殘留下較深加工傷痕等之表面施行後述之步驟，亦會有加工傷痕等之凹凸較施行各步驟後所形成之凹凸還深之情形，而有殘留加工傷痕等之影響之可能，而在使用該種模具製造防炫膜時，對於光學特性會造成無法預期之影響。在第1圖(a)中，係示意性顯示平板狀之模具用基材1，在第1鍍覆步驟中在基材表面施行鍍銅或鍍鎳(至於該步驟中所形成之鍍銅或鍍鎳之層並未圖示)，再藉由研磨步驟作成具有鏡面研磨之表面2之狀態。
關於將施行有鍍銅或鍍鎳之基材表面進行研磨之方法並無特別限制，可使用機械研磨法、電解研磨法、化學研磨法之任一種。以機械研磨法而言，係例如有超精密加工法、拋光(lapping)、流體研磨法、拋光輪(buff)研磨法等。研磨後之表面粗度，係以依照JIS B 0601之規定之中心線平均粗度Ra為0.1μm以下為較佳，且以0.05μm以下為更佳。當研磨後之中心線平均粗度Ra較0.1μm大時，由於最終之模具表面之凹凸形狀有可能會殘留下研磨後之表面粗度的影響，故不理想。此外，關於中心線平均粗度Ra之下限並無特別限制，從加工時間與加工成本之觀點而言，自然會有極限，因此無須特別指定。
在感光性樹脂膜形成步驟中，係對於藉由上述之研磨步驟施行鏡面研磨之基材1之表面2，塗佈將感光性樹脂溶解於溶媒之溶液，並進行加熱、乾燥，藉此以形成感光性樹脂膜。在第1圖(b)中，係示意性顯示在基材1之表面2形成有感光性樹脂膜3之狀態。
以感光性樹脂而言，係可使用習知公知之感光性樹脂。例如，以具有感光部分硬化之性質之負型感光性樹脂而言，係可使用在分子中具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之丙烯酸酯之單體或預聚物、二疊氮化合物(Bisazide)與二烯橡膠之混合物、聚肉桂酸乙烯酯(Poly vinyl cinnamate)系化合物等。此外，以藉由顯影溶出感光部分，且具有僅殘留下未感光部分之性質之正型感光性樹脂而言，係可使用酚樹脂系或酚醛清漆樹脂等。此外，在感光性樹脂中，視需要亦可調配敏化劑、顯影促進劑、密接性改質劑、塗佈性改良劑等之各種添加劑。
將此等感光性樹脂塗佈於基材1之表面2時，為了形成良好的塗膜，係以稀釋於適當之溶媒進行塗佈為較佳，可使用溶纖劑(cellosolve)系溶媒、丙二醇系溶媒、酯系溶媒、醇系溶媒、酮系溶媒、高極性溶媒等。
以塗佈感光性樹脂溶液之方法而言，係可使用彎液式塗覆(meniscus coat)、噴泉(fountain)塗覆、浸漬(dip)塗覆、旋轉塗佈、輥塗佈、線棒(wire bar)塗佈、氣動刀(air knife)塗佈、刮刀(blade)塗佈、及簾幕(curtain)塗佈等之公知方法。塗佈膜之厚度係以設為乾燥後1至6μm之範圍為較佳。
在曝光步驟中，係將預定之圖案曝光於在上述之感光性樹脂膜形成步驟中所形成之感光性樹脂膜3上。曝光步驟中所使用之光源，係可配合所塗佈之感光性樹脂膜之感光波長或靈敏度等而適當選擇，例如可使用高壓水銀燈之g線(波長：436nm)、高壓水銀燈之h線(波長：405nm)、高壓水銀燈之i線(波長：365nm)、半導體雷射(波長：830nm、532nm、488nm、405nm等)、YAG雷射(波長：1064nm)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2準分子雷射(波長：157nm)等。
在本發明之模具之製造方法中為了以良好精確度形成表面凹凸形狀，係以在曝光步驟中，在精密控制之狀態下將預定之圖案曝光於感光性樹脂膜上為較佳。在本發明之模具之製造方法中，為了以良好精確度將預定之圖案曝光於感光性樹脂膜上，係以在電腦上作成圖案資料，且以從電腦控制之雷射頭所發射之雷射光，來描繪根據該圖案資料之圖案為較佳。在進行此種雷射描繪時，係可使用印刷版作成用之雷射描繪裝置。以此種雷射描繪裝置而言，係例如有Laser Stream FX(Think-Lab股份有限公司製)等。
在第1圖(c)中，係示意性顯示圖案曝光於感光性樹脂膜3之狀態。在以負型感光性樹脂形成感光性樹脂膜時，所曝光之區域4藉由曝光進行樹脂之交聯反應，而對於後述之顯影液之溶解性降低。因此，在顯影步驟中未曝光之區域5由顯影液所溶解，僅曝光之區域4殘留在基材表面上而成為遮罩。另一方面，以正型感光性樹脂形成感光性樹脂膜時，所曝光之區域4係藉由曝光切斷樹脂之鍵結，而對於後述之顯影液之溶解性增加。因此，在顯影步驟中曝光之區域4由顯影液所溶解，僅未曝光之區域5殘留在基材表面上而成為遮罩。
在此以感光性樹脂膜之曝光之區域對於模具用基材表面之投影面積為M，且以模具用基材表面形成有表面凹凸形狀之區域之面積為T。使用負型感光性樹脂於感光性樹脂膜時，係以比M/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光為較佳。此外，使用正型感光性樹脂於感光性樹脂膜時，係以比(1-M)/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光為較佳。以此種比率作成圖案進行曝光，即可藉此將遮罩對於模具用基材表面之投影面積，對於模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積設為1至70%。第2圖係示意性顯示圖案曝光在從模具用基材表面之上面觀察之感光性樹脂膜之狀態。所曝光之區域4之面積之總合係為M，所曝光之區域4及未曝光之區域5之面積之總合係為T。
將模具用基材表面之100μm×100μm之區域中感光性樹脂膜所曝光之區域對模具用基材表面之投影面積設為M100時，M100之標準偏差係以1000μm2
以下為較佳。藉尤以電腦作成圖案進行曝光，即可將模具用基材表面之100μm×100μm之區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差設為1000μm2
以下。在此，M100之標準偏差，係可藉由針對3點以上不同位置之圖案求出100μm×100μm之區域中之所曝光之面積M100來計算。在計算M100之標準偏差時，為了減少誤差，係以針對5點以上不同位置中之圖案求出100μm×100μm之區域中所曝光之面積M100為較佳。
關於藉由曝光所描繪之圖案之形狀並無特別限制，可描繪排列有圓形、四角形、六角形等之圖案者，亦可描繪連續之圖案者，亦可描繪將此等予以組合者。此外，亦可描繪排列有不同大小之圓形、四角形、六角形等之圖案者。此外，所描繪之圖案可規則性配置，亦可不按規則配置。在第2、3、4圖中係示意性顯示排列有圓形之圖案者。其中，第3圖係示意性顯示排列有3種不同大小之圓形圖案者，第4圖係示意性顯示不規則配置有圓形圖案者。此外，第5圖係示意性顯示配置有四角形圖案者，第6圖係示意性顯示配置有六角形圖案者，第7圖係示意性顯示以重疊圓形圖案之方式配置來描繪連續性之圖案者。
在本發明之模具之製造方法之後半部分，係進行：將經曝光有圖案之感光性樹脂膜進行顯影之顯影步驟；使用所顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，施行蝕刻處理，以在所研磨之鍍覆面形成凹凸之蝕刻步驟；在藉由蝕刻步驟所形成之凹凸面施行鍍鉻之第2鍍覆步驟。惟在前述蝕刻步驟中，係對模具用基材整面施行蝕刻處理。在此，所謂對模具用基材整面施行蝕刻處理，係指在模具用基材中，對包含由前述遮罩所覆蓋之區域之整面施行蝕刻處理。
在蝕刻處理之過程中，首先蝕刻未由遮罩所覆蓋之區域，隨著之後處理之進行，亦蝕刻由遮罩所覆蓋之區域。在列舉作為本發明之模具之製造方法之一態樣之模具之製造方法A中，係利用此。亦即，在本發明之模具之製造方法A中，前述蝕刻步驟，係使用所顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，對於在模具用基材中包含由前述遮罩所覆蓋之區域之整面施行蝕刻處理，且在所研磨之鍍覆面形成凹凸之步驟。
此外，前述蝕刻步驟係可如模具之製造方法A以一次的蝕刻處理來構成，亦可以構成為分成二次以上來進行蝕刻處理，並在該等蝕刻處理之間進行將前述遮罩去除之步驟。例如，對模具用基材整面施行蝕刻處理時，於由遮罩所覆蓋之所有區域進行蝕刻之前暫且結束蝕刻，將遮罩去除之後再度進行蝕刻處理，結果對模具用基材整面進行蝕刻處理。在列舉作為本發明之模具之製造方法B之另一態樣之模具之製造方法B中，係採用此。亦即，在本發明之模具之製造方法B中，前述蝕刻步驟係包括：使用所顯影之感光性樹脂膜作為遮罩進行蝕刻處理，且在所研磨之鍍覆面形成凹凸之第1蝕刻步驟；將感光性樹脂膜剝離之感光性樹脂膜剝離步驟；在完全去除感光性樹脂膜之後，以蝕刻處理使藉由第1蝕刻步驟所形成之凹凸面鈍化之第2蝕刻步驟。
以下就本發明之模具之製造方法A及B進一步說明。
在顯影步驟中，於使用負型感光性樹脂於感光性樹脂膜3時，未曝光之區域5係由顯影液所溶解，僅曝光之區域4殘留於模具用基材上，在接下來的蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。另一方面，在使用正型感光性樹脂於感光性樹脂膜3時，僅經曝光之區域4由顯影液所溶解，未曝光之區域5則殘留於模具用基材上，在接下來的蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。
至於顯影步驟中所使用之顯影液，係可使用習知公知者。例如有氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等無機鹼類；乙胺、正丙胺等一級胺類；二乙胺、二正丁胺等二級胺類；三乙胺、甲基二乙胺等三級胺類；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類；氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化三甲基羥乙基銨(Trimethyl Hydroxyethyl Ammonium Hydroxide)等四級胺鹽；吡咯、哌啶(Piperidine)等環狀胺類等鹼性水溶液；二甲苯、甲苯等有機溶劑等。
關於顯影步驟中之顯影方法並無特別限制，可使用浸漬顯影、噴霧(spray)顯影、磁刷(brush)顯影、超音波顯影等之方法。
在本發明之模具之製造方法A中，係以將遮罩對於模具用基材表面之投影面積，相對於在模具用基材表面形成有表面凹凸形狀之區域之面積設為1至70%為較佳。為了滿足此要件，只要曝光如上述之比率之圖案即可。亦即，使用負型感光性樹脂時，只要以比M/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光即可。此外，使用正型感光性樹脂時，只要以比(1-M)/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光即可。若遮罩之投影面積相對於基板表面之比率過小，則在後述之蝕刻步驟中，模具用基材表面之大致整面會被均勻地蝕刻，而難以在基材表面形成充分的凹凸，而在使用所獲得之模具所製造之防炫膜會有不易獲得充分的防炫性能之傾向。此外，若遮罩之投影面積相對於基材表面之比率過大，則在蝕刻步驟後未被蝕刻的面會殘留許多作為平坦面。此時亦會有在使用所獲得之模具所製造之防炫膜難以獲得充分的防炫性能之傾向。為了在模具用基材之表面以良好精確度形成反映遮罩之圖案之凹凸，以及為了在後述之蝕刻步驟中，對於包含由遮罩所覆蓋之區域之模具用基材整面施行蝕刻處理，相對於在模具用基材表面形成有表面凹凸形狀之區域之面積之遮罩對於模具用基材表面之投影面積，係以在5至55%之範圍內為更佳。
此外，較佳為將模具用基材表面之100μm×100μm之區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差設為1000μm2
以下。為了滿足此要件，只要如上所述以M100之標準偏差成為1000μm2
以下之圖案進行曝光即可。模具用基材表面之100μm×100μm之區域中顯影後未溶解所殘留之感光性樹脂膜對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差超過1000μm2
時，在所獲得之模具之表面凹凸形狀會產生具有50μm以上周期之表面凹凸形狀之不均勻性，結果，使用所獲得之模具所製造之防炫膜，在配置於高精細之圖像顯示裝置時，會有產生閃爍之傾向。從使所獲得之模具之表面凹凸形狀更均勻之觀點來看，模具用基材表面之100μm×100μm之區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差，係以500μm2
以下為更佳。
第1圖(d)係示意性顯示使用負型感光性樹脂於感光性樹脂膜3，進行過顯影處理之狀態。在第1圖(c)中未曝光之區域5由顯影液所溶解，僅曝光之區域4殘留於基材表面上而成為遮罩6。第1圖(e)係示意性顯示使用正型感光性樹脂於感光性樹脂膜3進行過顯影處理之狀態。第1圖(c)中曝光之區域4係由顯影液所溶解，僅未曝光之區域5殘留在基材表面上而成為遮罩6。此外，第2圖之曝光之區域4在顯影步驟後，於負型感光性樹脂之情形下殘留在基材表面上，在接下來的蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。另一方面，於正型感光性樹脂之情形下，第2圖之未曝光之區域5殘留在基材表面上，在接下來的蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。
在模具之製造方法A之蝕刻步驟中，係使用在上述顯影步驟後殘存於模具用基材表面上之感光性樹脂膜作為遮罩，主要將無遮罩之部位之模具用基材進行蝕刻。第8圖係示意性顯示本發明之模具之製造方法A之後半部分之較佳之一例圖。第8圖(a)係示意性顯示藉由蝕刻步驟，主要將無遮罩之部位7之模具用基材1進行蝕刻之狀態。遮罩6之下部之模具用基材1雖未被從模具用基材表面進行蝕刻，惟隨著蝕刻之進行，從無遮罩之區域7進行蝕刻。因此，在遮罩6與無遮罩之區域7之邊界附近，遮罩6之下部之模具用基材1亦被蝕刻。以下將在此種遮罩6與無遮罩之區域7之邊界附近，遮罩6之下部之模具用基材1亦被蝕刻之情形稱為側蝕刻(side etching)。第9圖係示意性顯示側蝕刻之進行。第9圖之虛線8係階段性顯示隨著蝕刻之進行而變化之模具用基材之表面。
本發明之製造方法A之特徵為：進行側蝕刻，對模具用基材表面整面施行蝕刻處理。亦即，其特徵為：從相鄰之無遮罩之部位進行之側蝕刻直到遍及模具用基材表面整面連結為止進行蝕刻處理，而遮罩6之下部之模具用基材1亦被蝕刻。第9圖係示意性顯示側蝕刻進行，且遮罩6下部之模具用基材1亦全部被蝕刻之狀態。
蝕刻步驟中之蝕刻處理，通常雖使用氯化鐵(FeCl3
)液、氯化銅(CuCl2
)液、鹼蝕刻液(Cu(NH3
)4
Cl2
)等使金屬表面腐蝕來進行，惟亦可使用鹽酸或硫酸等強酸，或亦可使用藉由施加與電解鍍覆時相反電位的逆電解蝕刻。在施行蝕刻處理時之在模具用基材所形成之凹形狀，係依基底金屬之種類、感光性樹脂膜之種類及蝕刻方法等而不同，因此無法一概而論，惟蝕刻量為10μm以下時，係從接觸蝕刻液之金屬表面大致等方性地蝕刻。在此所稱之蝕刻量，係指由蝕刻所侵蝕之基材之厚度。
蝕刻步驟中之蝕刻量係以2至100μm為較佳。蝕刻量未達2μm時，幾乎不會在金屬表面形成凹凸形狀，而成為大致平坦之模具，因此不會顯現防炫性。此外，將難以進行側蝕刻，對模具用基材表面整面施行蝕刻處理。此外，蝕刻量超過100μm時，由於在金屬表面所形成之凹凸形狀之曲率變大，成為幾乎平坦之模具，因此不會顯現防炫性。為了進行側蝕刻，對模具用基材表面整面施行蝕刻處理，蝕刻量係為重要之因素，至少蝕刻量需較遮罩之寬度大。
另外，不以此方式對模具用基材表面整面施行蝕刻處理時，為了使由被蝕刻之部位與未被蝕刻之部位所形成之表面凹凸形狀9之陡峭之表面傾斜充分緩和，需將後述之第2鍍覆步驟中之鍍鉻增厚。然而，若將鍍鉻之厚度過於增厚，易於產生結粒，因此不理想。此外，將鍍鉻之厚度薄化時，由於無法將由被蝕刻之部位與未被蝕刻之部位所形成之表面凹凸形狀9之陡峭之表面傾斜充分緩和，而無法獲得所希望之表面形狀之模具，因此使用該模具所製作之防炫膜亦不會顯示優異之防炫性能。第10圖係顯示未對模具用基材表面整面施行蝕刻處理，而殘留未被蝕刻之部位之模具用基材表面之示意圖。由被蝕刻之部位與未被蝕刻之部位所形成之表面凹凸形狀9係具有陡峭之表面傾斜。
此外，在本發明之模具之製造方法A中，係以在蝕刻步驟與第2鍍覆步驟之間，包含感光性樹脂膜去除步驟為較佳。藉由在蝕刻步驟中進行側蝕刻對模具用基材表面整面施行蝕刻處理，遮罩雖會從模具用基材表面剝離，惟所剝離之遮罩有可能會附著在模具用基材表面上，而成為第2鍍覆步驟中缺陷之原因。將此種附著之遮罩在感光性樹脂膜去除步驟中予以完全溶解而去除。在感光性樹脂膜去除步驟中係使用去除液將感光性樹脂膜溶解。以去除液而言，係可使用與上述顯影液相同者，藉由使pH、溫度、濃度、及浸漬時間等變化，於使用負型感光性樹脂膜時可將曝光部之感光性樹脂膜、及於使用正型感光性樹脂膜時可將非曝光部之感光性樹脂膜予以完全溶解而去除。關於感光性樹脂膜去除步驟中之剝離方法並未特別限制，可使用浸漬顯影、噴霧顯影、磁刷顯影、超音波顯影等之方法。
在顯影步驟中，使用負型感光性樹脂於感光性樹脂膜3時，未曝光之區域5係由顯影液所溶解，僅曝光之區域4殘存於模具用基材上，在接下來的第1蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。另一方面，使用正型感光性樹脂於感光性樹脂膜3時，僅曝光之區域4由顯影液所溶解，而未曝光之區域5殘存於模具用基材上，在接下來的第1蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。
關於顯影步驟所使用之顯影液係可使用習知公知者。例如有氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等無機鹼類；乙胺、正丙胺等一級胺類；二乙胺、二正丁胺等二級胺類；三乙胺、甲基二乙胺等三級胺類；二甲基乙醇胺、三乙醇胺等醇胺類；氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化三甲基羥乙基銨(Trimethyl Hydroxyethyl Ammonium Hydroxide)等四級胺鹽；吡咯、哌啶(Piperidine)等環狀胺類等鹼性水溶液；二甲苯、甲苯等有機溶劑等。
關於顯影步驟中之顯影方法並無特別限制，可使用浸漬顯影、噴霧(spray)顯影、磁刷(brush)顯影、超音波顯影等之方法。
在本發明之模具之製造方法中，係以將遮罩對於模具用基材表面之投影面積，相對於在模具用基材表面形成有表面凹凸形狀之區域之面積設為1至70%為較佳。為了滿足此要件，只要曝光如上述之比率之圖案即可。亦即，使用負型感光性樹脂時，只要以比M/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光即可。此外，使用正型感光性樹脂時，只要以比(1-M)/T為0.01至0.7之方式作成圖案進行曝光即可。若遮罩之投影面積相對於基材表面之比率過小，則在後述之蝕刻步驟中，模具用基材表面之大致整面會被均勻地蝕刻，而難以在基材表面形成充分的凹凸，而在使用所獲得之模具所製造之防炫膜會有不易獲得充分的防炫性能之傾向。此外，若遮罩之投影面積相對於基材表面之比率過大，則在第1蝕刻步驟後所殘留之平坦面，亦即未被蝕刻之面會變大，在第2蝕刻步驟後亦殘留平坦面。此情形時亦會有在使用所獲得之模具所製造之防炫膜難以獲得充分的防炫性能之傾向。從在模具用基材之表面以良好精確度形成反映遮罩之圖案之凹凸之觀點來看，相對於在模具用基材表面形成有表面凹凸形狀之區域之面積之遮罩對於模具用基材表面之投影面積，係以在30至65%之範圍內為更佳。
此外，較佳為將模具用基材表面之100μm×100μm之區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差設為1000μm2
以下。為了滿足此要件，只要如上所述以M100之標準偏差為1000μm2
以下之圖案進行曝光即可。模具用基材表面之100μm×100μm之區域中顯影後未溶解所殘留之感光性樹脂膜對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差超過1000μm2
時，在所獲得之模具之表面凹凸形狀會產生具有50μm以上周期之表面凹凸形狀之不均勻性，結果，使用所獲得之模具所製造之防炫膜，在配置於高精細之圖像顯示裝置時，會有產生閃爍之傾向。從使所獲得之模具之表面凹凸形狀更均勻之觀點來看，模具用基材表面之100μm×100μm之區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差，係以500μm2
以下為更佳。
第1圖(d)係示意性顯示使用負型感光性樹脂於感光性樹脂膜3，進行顯影處理之狀態。在第1圖(c)中未曝光之區域5由顯影液所溶解，僅曝光之區域4殘留於基材表面上而成為遮罩6。第1圖(e)係示意性顯示使用正型感光性樹脂於感光性樹脂膜3進行顯影處理之狀態。第1圖(c)中曝光之區域4係由顯影液所溶解，僅未曝光之區域5殘留在基材表面上而成為遮罩6。此外，第2圖之曝光之區域4在顯影步驟後，於負型感光性樹脂之情形下殘留在基材表面上，在接下來的第1蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。另一方面，於正型感光性樹脂之情形下，第2圖之未曝光之區域5殘留在基材表面上，在接下來的第1蝕刻步驟中發揮作為遮罩作用。
在模具之製造方法B之第1蝕刻步驟中，係使用在上述顯影步驟後殘存於模具用基材表面上之感光性樹脂膜作為遮罩，主要將無遮罩之部位之模具用基材進行蝕刻。第14圖係示意性顯示本發明之模具之製造方法B之後半部分之較佳之一例圖。第14圖(a)係示意性顯示藉由第1蝕刻步驟，主要將無遮罩之部位7之模具用基材1進行蝕刻之狀態。遮罩6之下部之模具用基材1雖未被從模具用基材表面進行蝕刻，惟隨著蝕刻之進行，從無遮罩之區域7進行蝕刻。因此，在遮罩6與無遮罩之區域7之邊界附近，遮罩6之下部之模具用基材1亦被蝕刻。以下將在此種遮罩6與無遮罩之區域7之邊界附近，遮罩6之下部之模具用基材1亦被蝕刻之情形稱為側蝕刻。第15圖係示意性顯示側蝕刻之進行。第15圖之虛線8係階段性顯示隨著蝕刻之進行而變化之模具用基材之表面。
第1蝕刻步驟中之蝕刻處理，通常雖使用氯化鐵(FeCl3
)液、氯化銅(CuCl2
)液、鹼蝕刻液(Cu(NH3
)4
Cl2
)等使金屬表面腐蝕來進行，惟亦可使用鹽酸或硫酸等強酸，或亦可使用藉由施加與電解鍍覆時相反電位的逆電解蝕刻。在施行蝕刻處理時之於模具用基材所形成之凹形狀，係依基底金屬之種類、感光性樹脂膜之種類及蝕刻方法等而不同，因此無法一概而論，惟蝕刻量為10μm以下時，係從接觸蝕刻液之金屬表面大致等方性地蝕刻。在此所稱之蝕刻量，係指由蝕刻所侵蝕之基材之厚度。
第1蝕刻步驟中之蝕刻量係以1至50μm為較佳。蝕刻量未達1μm時，幾乎不會在金屬表面形成凹凸形狀，而成為大致平坦之模具，因此不會顯現防炫性。此外，蝕刻量超過50μm時，由於在金屬表面所形成之凹凸形狀之高低差變大，使用所獲得之模具所製作之防炫膜成為白濁，故不理想。第1蝕刻步驟中之蝕刻處理可藉由1次蝕刻處理來進行，亦可分成2次以上來進行蝕刻處理。在此，在將蝕刻處理分成2次以上進行時，係以2次以上蝕刻處理之蝕刻量合計為1至50μm為較佳。
在模具之製造方法B之感光性樹脂膜剝離步驟中，係將在第1蝕刻步驟中作為遮罩使用所殘存之感光性樹脂膜完全溶解而去除。在感光性樹脂膜剝離步驟中，係使用剝離液將感光性樹脂膜溶解。以剝離液而言，係可使用與上述之顯影液相同者，藉由使pH、溫度、濃度、及浸漬時間等變化，在使用負型感光性樹脂膜時將曝光部之感光性樹脂膜、及在使用正型感光性樹脂膜時將非曝光部之感光性樹脂膜完全溶解而去除。關於感光性樹脂膜剝離步驟中之剝離方法並無特別限制，可使用浸漬顯影、噴霧顯影、磁刷顯影、超音波顯影等之方法。
第14圖(b)係示意性顯示藉由感光性樹脂膜剝離步驟，將在第1蝕刻步驟中作為遮罩使用之感光性樹脂膜6完全溶解而去除之狀態。藉由由感光性樹脂膜而成之遮罩6與蝕刻，將第1表面凹凸形狀9形成於模具用基材表面。
在模具之製造方法B之第2蝕刻步驟中，係以蝕刻處理使藉由使用感光性樹脂膜作為遮罩之第1蝕刻步驟所形成之第1表面凹凸形狀9和緩。藉由此第2蝕刻處理，不再有由第1蝕刻處理所形成之第1表面凹凸形狀9中之表面傾斜陡峭之部分，而使用所獲得之模具所製造之防炫膜之光學特性朝理想之方向變化。在第14圖(c)中，係顯示藉由第2蝕刻處理，使基材1之第1表面凹凸形狀9和緩，且使表面傾斜陡峭之部分緩和，而形成具有和緩表面傾斜之第2表面凹凸形狀10之狀態。
第2蝕刻步驟之蝕刻處理，亦與第1蝕刻步驟相同，通常，雖係藉由使用氯化鐵(FeCl3
)液、氯化銅(CuCl2
)液、鹼蝕刻液(Cu(NH3
)4
Cl2
)等使表面腐蝕來進行，惟亦可使用鹽酸或硫酸等強酸，或亦可使用藉由施加與電解鍍覆時相反電位的逆電解蝕刻。在施行蝕刻處理後之凹凸之和緩程度，係依基底金屬之種類、蝕刻方法、及由第1蝕刻步驟所獲得之凹凸之尺寸與深度等而不同，因此無法一概而論，惟在控制和緩程度上最大的因素係為蝕刻量。在此所稱之蝕刻量，亦與第1蝕刻步驟相同，係指由蝕刻所侵蝕之基材之厚度。若蝕刻量較小，則會使由第1蝕刻步驟所獲得之凹凸之表面形狀和緩之效果不足，而將該凹凸形狀轉印於透明薄膜所獲得之防炫膜之光學特性不會變佳。另一方面，若蝕刻量過大，則凹凸形狀幾乎消失，而成為大致平坦之模具，因此不會顯現防炫性。因此，蝕刻量係以設為1至50μm之範圍內為較佳，且以4至20μm之範圍內為更佳。關於第2蝕刻步驟中之蝕刻處理，亦與第1蝕刻步驟相同，可藉由1次蝕刻處理來進行，亦可分成2次以上來進行蝕刻處理。在此，在將蝕刻處理分成2次以上進行時，係以2次以上蝕刻處理之蝕刻量合計為1至50μm為較佳。
另外，不經由此種第2蝕刻步驟時，為了使藉由第1蝕刻步驟所形成之第1表面凹凸形狀9之陡峭之表面傾斜充分緩和，需將後述之第2鍍覆步驟中之鍍鉻增厚。然而，若將鍍鉻之厚度過於增厚，則易於產生結粒，因此不理想。此外，將鍍鉻之厚度薄化時，由於無法使藉由第1蝕刻步驟所形成之第1表面凹凸形狀9之陡峭之表面傾斜充分緩和，而無法獲得所希望之表面形狀之模具，因此使用該模具所製作之防炫膜亦不會顯示優異之防炫性能。
接下來，藉由施行鍍鉻，使表面之凹凸形狀更為和緩。第8圖(b)係顯示在由蝕刻處理所形成之表面凹凸形狀10上形成鍍鉻層11，進而使表面12和緩之狀態。第14圖(d)係顯示在施行使藉由第2蝕刻步驟之蝕刻處理使表面凹凸形狀和緩之加工之後形成鍍鉻層11，進而使表面12和緩之狀態。
在本發明中，係在平板或輥等之表面，採用具有光澤、硬度高、摩擦係數小、可賦予良好離模性之鍍鉻。鍍鉻之種類雖未特別限制，惟以使用被稱為所謂光澤鍍鉻或裝飾用鍍鉻等之呈現良好光澤之鍍鉻為較佳。鍍鉻通常係藉由電解進行，以其鍍覆浴而言，係使用含有無水鉻酸(CrO3
)與少量硫酸之水溶液。藉由調節電流密度與電解時間，可控制鍍鉻之厚度。
在上述之日本特開2002-189106號公報、日本特開2004-45472號公報、日本特開2004-90187號公報等中，雖揭示有採用鍍鉻，惟依據鍍覆前之基底與鍍鉻之種類，大多在鍍覆後會有表面粗糙，或產生多數因為鍍鉻所導致之微小的裂縫，結果，所製作之防炫膜之光學特性朝不理想之方向發展。鍍覆表面粗糙之狀態之模具，不適於用來製造防炫膜。此係由於一般為了消除粗糙雖在鍍鉻後將鍍覆表面進行研磨，惟如後所述，在本發明中係以鍍覆後不作表面之研磨為較佳之故。在本發明中，係藉由對基底金屬施行鍍銅或鍍鎳，以消除在鍍鉻所易於產生之缺失。
另外，在第2鍍覆步驟中，施行鍍鉻以外之鍍覆，並不理想。此係因為在鉻以外之鍍覆中，由於硬度及耐磨損性變低，因此作為模具之耐久性降低，使用中會使凹凸磨損，或模具損傷。在從該種模具所獲得之防炫膜中，極有可能難以獲得充分的防炫功能，而且，亦極有可能在薄膜上產生缺陷。
此外，如上述日本特開2004-90187號公報等所揭示將鍍覆後之表面進行研磨的作法，在本發明中仍較不理想。此係基於因研磨，會在最表面產生平坦的部分，而導致光學特性惡化、或由於形狀之控制因素增加，而形成難以進行重現性良好之形狀控制等之理由。
如此，在本發明中，係藉由對於藉由上述蝕刻步驟所形成之表面凹凸形狀施行鍍鉻，而可獲得使凹凸形狀更進一步和緩，並且使其表面硬度提高之模具。此時之凹凸之和緩情形，亦因為基底金屬之種類、藉由蝕刻步驟等所獲得之凹凸之尺寸與深度、及鍍覆之種類或厚度等而不同，因此無法一概而論，惟在控制和緩程度上最大的因素仍係為鍍覆厚度。若鍍鉻之厚度較薄，則使鍍鉻加工前所獲得之凹凸之表面形狀和緩之效果不足，而將該凹凸形狀轉印於透明薄膜所獲得之防炫膜之光學特性不會變佳。另一方面，若鍍覆厚度過厚，則生產能力惡化，而且產生被稱為結粒之突起狀之鍍覆缺陷，故不理想。因此，鍍鉻之厚度係以1至10μm之範圍內為較佳，且以3至6μm之範圍內為更佳。
在該第2鍍覆步驟中所形成之鍍鉻層，係以維氏硬度(Vickers hardness)為800以上之方式形成為較佳，且以成為1000以上之方式形成為更佳。此係由於鍍鉻層之維氏硬度未達800時，模具使用時之耐久性會降低，而且在鍍鉻硬度降低，極有可能於鍍覆處理時在鍍覆浴組成、電解條件等產生異常，且極有可能對於缺陷之產生狀況造成不理想之影響之故。
如此一來，即可獲得實質上無平坦部之模具。如此，實質上無平坦部之模具，係適用於獲得呈現較佳光學特性之防炫膜。另外，以本發明之製造方法所獲得之模具，較佳為凹凸表面之任意剖面曲線之算數平均高度Pa係為0.01至0.2μm，而該剖面曲線之平均長度PSm係為8至50μm，而且，該剖面曲線之最大剖面高度Pt係為0.1至1.0μm。模具之上述算數平均高度Pa較0.01μm小，或最大剖面高度Pt較0.1μm小時，使用此模具所製作之防炫膜之表面形狀幾乎變為平坦，而有無法呈現充分防炫性能之傾向。此外，上述算數平均高度Pa較0.2μm大，或最大剖面高度Pt較1.0μm大時，則使用此模具所製作之防炫膜會有白濁、產生閃爍、或質感降低之傾向。此外，模具之上述平均長度PSm較8μm小時，使用此模具所製作之防炫膜會有無法呈現充分之防炫性能之傾向。另一方面，模具之上數平均長度PSm較50um大時，在將使用此模具所製作之防炫膜配置於高精細之圖像顯示裝置時，會有產生閃爍之傾向。
本發明亦提供一種使用以上述本發明之模具之製造方法所獲得之模具之防炫膜之製造方法。亦即，本發明之防炫膜之製造方法係包括：將以本發明之模具之製造方法所製造之模具之凹凸面轉印至透明樹脂薄膜之步驟；及將轉印有模具之凹凸面之透明樹脂薄膜從模具剝除之步驟。藉由此種本發明之防炫膜之製造方法，適於製造顯現較佳光學特性之防炫膜。
模具形狀對於薄膜之轉印，係以藉由壓花進行為較佳。以壓花而言，係例如有使用光硬化性樹脂之UV壓花法、及使用熱可塑性樹脂之熱壓花法，其中，從生產能力的觀點來看，係以UV壓花法為較佳。
UV壓花法係一種在透明樹脂薄膜之表面形成光硬化性樹脂層，且將該光硬化性樹脂層緊壓於模具之凹凸面並使之硬化，藉此使模具之凹凸面轉印於光硬化性樹脂層之方法。具體而言，係在透明樹脂薄膜上塗覆紫外線硬化型樹脂，且在將所塗覆之紫外線硬化型樹脂貼緊於模具之凹凸面之狀態下從透明樹脂薄膜側照射紫外線而使紫外線硬化型樹脂硬化，之後從模具將形成有硬化後之紫外線硬化型樹脂層之透明樹脂薄膜剝離，藉此將模具之形狀轉印於紫外線硬化型樹脂。
使用UV壓花法時，以透明樹脂薄膜而言，只要實質上在光學性為透明的薄膜即可，例如有以三醋酸纖維素薄膜、聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、降伯烯系化合物為單體之非晶性環狀聚烯烴等之熱可塑性樹脂之溶劑流延薄膜(cast film)或擠壓薄膜等之樹脂薄膜。
此外使用UV壓花法時之紫外線硬化型樹脂之種類雖未特別限定，惟可使用市售之適當者。此外，亦可將適當選擇之光起始劑與紫外線硬化型樹脂組合，使用在波長較紫外線長之可視光亦可硬化之樹脂。具體而言，係可分別單獨使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯(Pentaerythritol tetraacrylate)等之多官能丙烯酸酯、或將該等2種以上混合來使用，且適用將其與IRGACURE907(Ciba Specialty Chemicals公司製品)、IRGACURE184(Ciba Specialty Chemicals公司製品)、LUCIRINTPO(BASF公司製品)等之光聚合起始劑加以混合者。
另一方面，熱壓花法係為一種將由熱可塑性樹脂所形成之透明樹脂薄膜在加熱狀態下緊壓於模具，而將模具之表面形狀轉印至透明樹脂薄膜之方法。以熱壓花法所使用之透明樹脂薄膜而言，只要實質上為透明者即可，例如可使用以聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸酯、三醋酸纖維素、降伯烯化合物為單體之非晶性環狀聚烯烴等之熱可塑性樹脂之溶劑流延薄膜或擠壓薄膜等。此等透明樹脂薄膜亦可適用作為如上所說明之UV壓花法中用以塗覆紫外線硬化型樹脂之基材薄膜。
以下列舉實施例進一步詳述本發明，惟本發明並不限定於實施例。
準備在直徑200mm之鋁輥(依據JIS之A5056)之表面施行銅巴拉德鍍覆(Ballard plating)者。銅巴拉德鍍覆係由鍍銅層/較薄之銀鍍覆層/表面鍍銅層所構成者，鍍覆層整體之厚度係設定成為約200μm。將該鍍銅表面進行鏡面研磨，且在經研磨之鍍銅表面塗佈感光性樹脂，使之乾燥而形成感光性樹脂膜。接著，將第11圖(a)所示重複並排圖案之圖案藉由雷射光曝光於感光性樹脂膜上並進行顯影。藉由雷射光之曝光、及顯影係使用Laser Stream FX(Think-Lab股份有限公司製)來進行。在感光性樹脂膜中係使用正型感光性樹脂，藉由將第11圖(a)所示圖案進行曝光，遮罩對於模具用基材表面之投影面積，相對於模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積之比率為9.3%。此外，為了藉由雷射光將重複並排第11圖(a)所示圖案之圖案進行曝光，模具用基材表面之100μm×100μm區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差係為1000μm2
以下。
之後，以氯化銅液進行蝕刻處理。此時之蝕刻量係設定成為8μm。從蝕刻處理後之輥將感光性樹脂膜去除，進行鍍鉻加工而製作模具。此時，鍍鉻厚度係設定成為4μm。
除藉由雷射光將重複並排第11圖(b)所示圖案之圖案曝光於感光性樹脂膜上以外，均以與實施例A1相同方式製作模具。藉由將第11圖(b)所示圖案進行曝光，遮罩對於模具用基材表面之投影面積相對於模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積之比率係為67.4%。
評估關於實施例A1及比較例A1所獲得之各模具之表面形狀。由於各表面形狀難以直接測量，因此乃以後述之實施例A2及比較例A2所記載之方法製作防炫膜之樣本，且測量此樣本之表面形狀評估作為模具之表面形狀。另外，防炫膜上之剖面曲線，雖成為模具上之剖面曲線之上下反轉者，惟算數平均高度Pa、平均長度PSm及最大剖面高度Pt則在兩者相同。在測量表面形狀時，係使用共焦點顯微鏡PLμ2300(Sensofar公司製)，為了防止樣本之翹曲，係使用光學性透明的黏接劑以凹凸面成為表面之方式黏合於玻璃基板提供測量。測量時，物鏡的倍率係設為50倍。以測量資料為依據，以按照JIS B 0601之方法進行計算，藉此算出算數平均高度Pa、平均長度PSm及最大剖面高度Pt。結果如表A1所示。
將光硬化性樹脂組成物GRANDIC 806T(大日本印墨化學工業股份有限公司製)溶解於醋酸乙酯，作成50重量%濃度之溶液，且進一步將屬於光聚合起始劑之螢光素(luciferin)TPO(BASF公司製，化學名稱：2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦(2,4,6-Trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide))按硬化性樹脂成分每100重量份添加5重量份來調配塗布液。在厚度80μm之三醋酸纖維素(TAC)薄膜上，將此塗佈液以乾燥後塗佈厚度成為10μm之方式塗佈，在設定為60℃之乾燥機中使之乾燥3分鐘。將乾燥後之薄膜，以光硬化性樹脂組成物層成為模具側之方式藉由橡膠輥緊壓貼緊於實施例A1中分別獲得之模具之凹凸面。在此狀態下從TAC薄膜側，將來自強度20mW/cm2
之高壓水銀燈之光，以h線換算光量成為200mJ/cm2
之方式照射，而使光硬化性樹脂組成物層硬化。之後，將TAC薄膜連同硬化樹脂從模具剝離，分別獲得由在表面具有凹凸之硬化樹脂與TAC薄膜之疊層體所構成之實施例A2之透明之防炫膜。
除使用在比較例A1所獲得之模具作為模具以外，均係以與實施例A2相同方式獲得透明之防炫膜。
關於所獲得之實施例A2及比較例A2之各防炫膜，係進行以下之光學特性及防炫性能之評估。
防炫膜之霧度，係以JIS K 7136所規定之方法來測量。具體而言，係使用依據此規格之霧度儀HM-150型(村上色彩技術研究所製)來測量霧度。為了防止防炫膜之翹曲，係在使用光學性透明之黏接劑且以凹凸面成為表面之方式黏合於玻璃基板提供測量。一般而言若霧大變大，則適用於圖像顯示裝置時，圖像變暗，結果，正面對比容易變低。因此，霧度係以較低為較佳。
反射鮮明度係以JIS K 7105所規定之方法來測量。具體而言，係使用依據此規格之顯像性測量器ICM-IDP(SUGATEST股份有限公司製)來測量防炫膜之反射鮮明度。在此規格中，以用於測量圖像鮮明度之光學梳而言，係規定有：暗部與明部之寬度比為1：1、而該寬度為0.125mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm等四種。其中，使用寬度0.125mm之光學梳時，在本發明所規定之防炫膜中，由於該測量值之誤差會變大，因此使用寬度0.125mm之光學梳時之測量值，不加在總和中，而以使用寬度為0.5mm、1.0mm及2.0mm等三種光學梳所測量之圖像鮮明度之和稱為反射鮮明度。依據此定義時之反射鮮明度之最大值係為300%。若依據此定義之反射鮮明度過大，則光源等之圖像映入，防炫性會有容易降低之傾向，因此係以100%以下為較佳，且以50%以下為更佳。在評估之際，為了防止防炫膜之翹曲，以及為了防止從背面之反射，乃使用光學性透明之黏接劑，以防炫膜之凹凸面成為表面之方式黏合於2mm厚度之黑色丙烯酸樹脂板提供測量。在此狀態下使光從防炫膜側射入來進行測量。
60度光澤度係以JIS Z 8741所規定之方法測量。具體而言，係使用依據此規格之光澤儀PG-1M(日本電色工業股份有限公司製)來測量防炫膜之光澤度。此時，亦為了防止防炫膜之翹曲，以及為了防止來自背面之反射，使用光學性透明的黏接劑，將防炫膜以凹凸面成為表面之方式黏合於2mm厚度之黑色丙烯酸樹脂板來提供測量。在此狀態下使光從防炫膜側射入來進行測量。一般而言60度光澤度較小的情形，係指樣本表面朦朧，結果，易於產生白濁。因此，光澤度係以較高為較佳，惟光澤度過高則產生映入，而使防炫性降低，因此係以30至90%左右之值為較佳。
為了防止來自防炫膜背面之反射，係將防炫膜以凹凸面成為表面之方式黏合於黑色丙烯酸樹脂板，在點亮螢光燈之明亮的室內從凹凸面側以目視觀察，依以下基準以目視方式分三階段評估是否有螢光燈之映入。
1：未觀察到映入
2：稍微觀察到映入
3：清楚觀察到映入
為了防止來自防炫膜背面之反射，係將防炫膜以凹凸面成為表面之方式黏合於黑色丙烯酸樹脂板，在點亮螢光燈之明亮的室內從凹凸面側以目視觀察，依以下基準以目視方式分三階段評估是白濁之程度。
1：未觀察到白濁
2：稍微觀察到白濁
3：清楚觀察到白濁
首先準備第12圖平面圖所示具有測光單元(unit cell)31之圖案之光罩。在第12圖中，測光單元31係在透明的基板上形成線寬10μm且為鍵形之鉻遮光圖案32，而未形成有該鉻遮光圖案32之部分則成為開口部33。接著，如第13圖所示，將此光罩以光罩41之鉻遮光圖案32朝上方式，放置在內部設有光源43之燈箱(light box)42，且將以20μm厚度之黏接劑黏合防炫膜51在1.1mm厚度之玻璃板44之樣本放置在光罩41上，從距離樣本約30cm之位置目視觀察，藉此以7個階段將閃爍程度進行官能評估之官能評估之7階段中，層級(level)1係相當於完全未觀察到閃爍之狀態、層級7係相當於嚴重觀察到閃爍之狀態，層級3係稍微觀察到閃爍之狀態。另外，光罩之測光單元，係使用第12圖中測光單元長×測光單元寬為282μm×94μm，因而該圖中開口部長×開口部寬為272μm×84μm者。此單元係相當於90ppi(pixel per inch，每英吋像素)之像素密度。
結果如表A2所示。另外，表A2中，例如比較例A2之反射鮮明度之詳細內容如下。
從表A1、A2所示結果來看，在藉由本發明之製造方法所製作之模具中，由於表面凹凸形狀之傾斜陡峭之部分和緩，因此可獲得無傾斜陡峭部位的模具。此外，從本發明之製造方法所獲得之防炫膜係顯現了優異防炫性能。另一方面，藉由不對整面進行蝕刻處理之製造方法所製作之模具，由於在表面凹凸形狀存在陡峭之傾斜部分，因此在使用該模具所製作之防炫膜會產生白濁，此外，由於傾斜不陡峭之部位平坦，因此亦產生映入。因此，從本發明之製造方法所獲得之防炫膜係顯現優異的防炫性能。
準備在直徑200MM之鋁輥(依據JIS之A5056)之表面施行銅巴拉德鍍覆者。銅巴拉德鍍覆係由鍍銅層/較薄之銀鍍覆層/表面鍍銅層所構成者，鍍覆層整體之厚度係設定成為約200μm。將該鍍銅表面進行鏡面研磨，且在經研磨之鍍銅表面塗佈感光性樹脂，使之乾燥而形成感光性樹脂膜。接著，將第16圖所示重複並排圖案之圖案藉由雷射光曝光於感光性樹脂膜上進行顯影。藉由雷射光之曝光、及顯影係使用Laser Stream FX(Think-Lab股份有限公司製)來進行。在感光性樹脂膜中係使用正型感光性樹脂，藉由將第16圖所示圖案進行曝光，遮罩對於模具用基材表面之投影面積，相對於模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積之比率為45.9%。此外，為了藉由雷射光將重複並排第16圖所示圖案之圖案進行曝光，模具用基材表面之100μm×100μm區域中遮罩對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差係為1000μm2
以下。
之後，以氯化銅液進行第1蝕刻處理。此時之蝕刻量係設定成為7μm。從第1蝕刻處理後之輥將感光性樹脂膜去除，再度以氯化銅液進行第2蝕刻處理。此時之蝕刻亮係設定成為18μm。之後，進行鍍鉻加工而製作模具。此時，鍍鉻厚度係設定成為4μm。
除不進行第2蝕刻處理以外，均係以與實施例B1相同方式製作模具。
關於實施例B1及比較例B1中所獲得之各模具之表面形狀，係以與評估上述實施例A1及比較例B1中所獲得之各模具相同方式進行評估。惟以後述之實施例B2及比較例B2所記載之方法製作防炫膜之樣本，且測量此樣本之表面形狀評估作為模具之表面形狀。結果如表B1所示。
將光硬化性樹脂組成物GRANDIC 806T(大日本印墨化學工業股份有限公司製)溶解於醋酸乙酯，作成50重量%濃度之溶液，且進一步將屬於光聚合起始劑之螢光素(luciferin)TPO(BASF公司製，化學名稱：2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦(2,4,6-Trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide))按硬化性樹脂成分每100重量份添加5重量份來調配塗布液。在厚度80μm之三醋酸纖維素(TAC)薄膜上，將此塗佈液以乾燥後塗佈厚度成為10μm之方式塗佈，在設定為60℃之乾燥機中使之乾燥3分鐘。將乾燥後之薄膜，以光硬化性樹脂組成物層成為模具側之方式藉由橡膠輥緊壓貼緊於實施例B1中獲得之模具之凹凸面。在此狀態下從TAC薄膜側，將來自強度20mW/cm2
之高壓水銀燈之光，以h線換算光量成為200mJ/cm2
之方式照射，而使光硬化性樹脂組成物層硬化。之後，將TAC薄膜連同硬化樹脂從模具剝離，分別獲得由在表面具有凹凸之硬化樹脂與TAC薄膜之疊層體所構成之實施例A2之透明之防炫膜。
除使用在比較例B1所獲得之模具作為模具以外，均係以與實施例B2相同方式獲得透明之防炫膜。
關於所獲得之實施例A2及比較例A2之各防炫膜，係以與上述實施例A2及比較例A2相同方式進行光學特性及防炫性能之評估。
結果如表B2所示。另外，表B2中，例如實施例B2之反射鮮明度之詳細內容如下。
從表B1、B2所示結果來看，在藉由本發明之製造方法所製作之模具中，係藉由第2蝕刻步驟，而使表面凹凸形狀之傾斜陡峭之部分和緩，因此可獲得無傾斜陡峭部位的模具。此外，從本發明之製造方法所獲得之防炫膜係顯現了優異防炫性能。另一方面，藉由不進行第2蝕刻處理之製造方法所製作之模具，由於在表面凹凸形狀存在陡峭之傾斜部分，因此在使用該模具所製作之防炫膜會產生白濁，此外，由於傾斜不陡峭之部位平坦，因此亦產生映入。因此，從本發明之製造方法所獲得之防炫膜係顯現優異的防炫性能。
此次揭示之實施形態及實施例在所有觀點均係為例示而非用以限制本發明。本發明之範圍應由申請專利範圍所示而非上述之說明所示，且當然包括與申請專利範圍均等涵義及範圍內所有變更。
依據本發明之模具之製造方法，由於在表面以良好精確度形成有微細之凹凸形狀，因此能以良好重現性，且幾乎不存在缺陷之狀態下製造成為有助於製造顯示高防炫功能之防炫膜之模具。再者，依據本發明之防炫膜之製造方法，既可保持低霧度、顯示圖像之明亮度，又可防止映入及反射、抑制白濁、防止閃爍產生、防止對比降低等，在工業上有助於製造具有優異防炫性能之防炫膜。
1．．．模具用基材
2．．．藉由研磨步驟所研磨之基材之表面
3．．．感光性樹脂膜
4．．．在曝光步驟中所曝光之感光性樹脂膜
5．．．在曝光步驟中未曝光之感光性樹脂膜
6．．．發揮遮罩作用之感光性樹脂膜
7．．．無遮罩之部位
8．．．藉由蝕刻階段性形成之表面
9．．．存在被蝕刻之部位與未被蝕刻之部位之基材表面
10．．．蝕刻步驟後之基材表面(表面凹凸形狀)
11．．．鍍鉻層
12．．．鍍鉻之表面
31．．．測光單元
32．．．鉻遮光圖案
33．．．開口部
41．．．光罩
42．．．燈箱
43．．．光源
44．．．玻璃板
45．．．觀察者
51．．．防炫膜
Pa．．．算數平均高度
PSm．．．平均長度
Pt．．．最大剖面高度
Ra．．．中心線平均粗度
第1圖(a)至(e)係示意性顯示本發明之模具之製造方法之前半部分之較佳之一例。
第2圖係示意性顯示圖案曝光於感光性樹脂膜之狀態。
第3圖係示意性顯示曝光於感光性樹脂膜上之圖案。
第4圖係示意性顯示曝光於感光性樹脂膜上之圖案。
第5圖係示意性顯示曝光於感光性樹脂膜上之圖案。
第6圖係示意性顯示曝光於感光性樹脂膜上之圖案。
第7圖係示意性顯示曝光於感光性樹脂膜上之圖案。
第8圖(a)及(b)係示意性顯示本發明之模具之製造方法之後半部分之較佳之一例。
第9圖係示意性顯示蝕刻步驟中側蝕刻進行之狀態。
第10圖係示意性顯示存在經蝕刻之部位與未經蝕刻之部位之模具用基材。
第11圖(a)及(b)係為顯示製作實施例A1之模具時所使用之圖案之圖。
第12圖係示意性顯示閃爍評估實驗所用之光罩中之測光單元(unit cell)31之平面圖。
第13圖係示意性顯示進行閃爍評估實驗之情形之圖。
第14圖(a)至(d)係示意性顯示本發明之模具之製造方法之後半部分之較佳之一例之圖。
第15圖係示意性顯示在第1蝕刻步驟中側蝕刻進行之狀態圖。
第16圖係顯示製作實施例B1之模具時所使用之圖案之圖。
1．．．模具用基材
2．．．藉由研磨步驟所研磨之基材之表面
3．．．感光性樹脂膜
4．．．在曝光步驟中所曝光之感光性樹脂膜
5．．．在曝光步驟中未曝光之感光性樹脂膜
6．．．發揮遮罩作用之感光性樹脂膜
Claims (9)
- 一種模具之製造方法，其特徵為包括：第1鍍覆步驟，對模具用基材之表面施行鍍銅或鍍鎳；研磨步驟，將藉由第1鍍覆步驟施加鍍覆之表面進行研磨；感光性樹脂膜形成步驟，將感光性樹脂塗佈於經研磨之面而形成膜；曝光步驟，將圖案曝光在感光性樹脂膜上；顯影步驟，將經曝光圖案之感光性樹脂膜進行顯影；第1蝕刻步驟，使用經顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，施行蝕刻處理，且在經研磨之鍍覆面形成凹凸；感光性樹脂膜剝離步驟，將感光性樹脂膜剝離；第2蝕刻步驟，在完全剝離感光性樹脂膜之後，藉由蝕刻處理使藉由第1蝕刻步驟所形成之凹凸面和緩；及第2鍍覆步驟，對於藉由蝕刻步驟所形成之凹凸面施行鍍鉻；而且，在前述蝕刻步驟中，對模具用基材整面施行蝕刻處理。
- 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中，前述蝕刻步驟係為使用經顯影之感光性樹脂膜作為遮罩，並對於模具用基材中包含由前述遮罩所覆蓋之 區域之整面，施行蝕刻處理，且在經研磨之鍍覆面形成凹凸之步驟。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，蝕刻步驟中之蝕刻量係為2至100μm。
- 如申請專利範圍第3項之製造方法，其中，第1蝕刻步驟中之蝕刻量係為1至50μm，第2蝕刻步驟中之蝕刻量係為1至50μm。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，曝光步驟中對於感光性樹脂膜上之圖案之曝光，係以從經電腦控制之雷射頭所發出之雷射光而進行在電腦上所作成之圖案資料之描繪。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，在顯影步驟後未溶解所殘留之感光性樹脂膜對於模具用基材表面之投影面積，相對於在模具用基材表面中形成有表面凹凸形狀之區域之面積為1至70%。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，在模具用基材表面之100μm×100μm之區域中之顯影步驟後未溶解所殘留之感光性樹脂膜對於模具用基材表面之投影面積之標準偏差係為1000μm2 以下。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之製造方法，其中，藉由鍍鉻所形成之鍍鉻層係具有1至10μm之厚度。
- 一種防炫膜之製造方法，係包括：將以申請專利範圍第1至8項中任一項之方法所製 造之模具之凹凸面轉印至透明樹脂薄膜之步驟；及從模具將轉印有模具之凹凸面之透明樹脂薄膜剝離之步驟。
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