TWI452112B - 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法 - Google Patents

從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI452112B
TWI452112B TW101130701A TW101130701A TWI452112B TW I452112 B TWI452112 B TW I452112B TW 101130701 A TW101130701 A TW 101130701A TW 101130701 A TW101130701 A TW 101130701A TW I452112 B TWI452112 B TW I452112B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
cavity
coating
emitting device
Prior art date
Application number
TW101130701A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201249955A (en
Inventor
Gerald H Negley
Michael Leung
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of TW201249955A publication Critical patent/TW201249955A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI452112B publication Critical patent/TWI452112B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法
本發明係關於製造微電子裝置，更特定言之係關於製造半導體發光裝置之方法。
諸如發光二極體(LED)或雷射二極體之半導體發光裝置已廣泛用於許多應用。如熟習技術人士所熟知，一半導體發光裝置包含具有一或多個半導體層之一半導體發光元件，該等半導體層係配置成在其通電之後發射相干及/或非相干光。還應瞭解一般對一半導體發光裝置進行封裝以提供外部電連接、散熱、透鏡或波導、環境保護及/或其他功能。
LED的持續發展已產生效率高而且機械性穩定的光源，其可涵蓋可見光譜及其以外的部分。結合固態裝置之潛在較長使用壽命的該等屬性可致動各種新的顯示器應用，並且可將LED安置在適當位置，以與地位穩固的白熾燈及螢光燈競爭。
可能需要提供用於一LED之一磷光體，(例如)以便提供固態發光。在一個範例中，用於固態白色發光的LED可以產生具有短波長(例如在約380 nm至約480 nm之範圍內)的高輻射通量輸出。可提供一或多個磷光體，其中將該LED之短波長、高能量光子輸出用於激發該磷光體之部分或全部，從而對該LED輸出之一些或全部進行降頻轉換以建立白光外觀。
舉一個特定範例而言，可結合紅、綠及藍色磷光體而使用來自一LED、約390 nm的紫外線輸出，以建立該白光外觀。舉另一個特定範例而言，藉由發射當該磷光體吸收該LED輸出之部分時所出現的470 nm藍光輸出之某部分與某次級黃色發光，可將約470 nm、來自一LED的藍光輸出用於激發一黃色磷光體，以建立該白光外觀。
可使用許多傳統技術將磷光體包含在一半導體發光裝置中。在一項技術中，將磷光體塗布在一LED之塑膠殼的內部或外部。在其他技術中，(例如)使用電泳沉積將磷光體塗布在該半導體發光裝置本身上。在其他技術中，可將一材料滴劑(例如其中包含磷光體的環氧化物)安置在該塑膠殼內部、在該半導體發光裝置上及/或在該裝置與該殼之間。此項技術亦可稱為「頂部點膠(glob top)」。該等磷光體塗層還可併入一折射率匹配材料及/或可提供一個別的折射率匹配材料。例如在美國專利第6,252,254、6,069,440、5,858,278、5,813,753、5,277,840及5,959,316號中說明使用磷光體塗層之LED。
此外，所公佈的美國專利申請案第US 2004/0056260 A1號(於2004年3月25日公佈，其標題為「包括錐形側壁之磷光體塗布發光二極體及其製造方法(Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls,and Fabrication Methods Therefor )」，其全部揭示內容因此係以引用的方式完整併入本文中)說明一發光二極體，其包含具有第一及第二相對表面之一基板，與在該等第一及第二相 對表面之間、以一斜角從該第二表面向該第一表面延伸之一側壁。將一正形磷光體層提供在該斜側壁上。該斜側壁可以使磷光體塗層比傳統直角側壁更均勻。
藉由以下方式，依據本發明之某些具體實施例製造半導體發光裝置：將包含懸浮在溶劑中的磷光體微粒之一懸浮液安置在一半導體發光元件之一發光表面的至少一部分上，並且蒸發至少一些該溶劑以使該等磷光體微粒沉積在該發光表面的至少一部分上。從而將包括磷光體微粒之一塗層形成於該發光表面的至少一部分上。
在某些具體實施例中，實質上蒸發該溶劑之全部。在某些具體實施例中，至少一些該溶劑之蒸發會使該等磷光體微粒均勻地得以沉積。在某些具體實施例中，實質上蒸發該溶劑之全部，會使該等磷光體微粒均勻地沉積在所有該發光表面上。
在某些具體實施例中，該懸浮液包括懸浮在溶劑及黏結劑中的磷光體微粒，以便蒸發至少一些該溶劑會使該等磷光體微粒及該黏結劑沉積在該發光表面的至少一部分上。在其他具體實施例中，磷光體微粒及光散射微粒係懸浮在溶劑中，以便蒸發會使該等磷光體微粒及該光散射微粒沉積在該發光表面的至少一部分上。
在其他具體實施例中，該半導體發光元件之該發光表面係在一空腔中，並且將包括懸浮在溶劑中的磷光體微粒之該懸浮液安置在該空腔中。因此該空腔可以限制用於受控 蒸發之溶劑系統。在該等具體實施例中，可提供一貼裝基板，其用於包含該空腔之一半導體發光裝置，並且可以將該半導體發光元件貼裝在該空腔中。在某些具體實施例中，該空腔包括一空腔底面，並且該發光元件係在該空腔底面上，以便該發光表面從該空腔底面突出。在該等具體實施例中，蒸發至少一些該溶劑可以使該等磷光體微粒沉積在從該空腔底面突出的該發光表面的至少一部分以及該空腔底面的至少一部分上。在其他具體實施例中，可以提供磷光體微粒之一均勻沉積。在某些具體實施例中，可以將磷光體微粒之一均勻沉積提供在該發光表面之該整個表面及該(等)側壁上。
在本發明之某些具體實施例中，在執行該安置及/或該蒸發的同時，攪拌包括懸浮在溶劑中的磷光體微粒之該懸浮液。攪拌可以提升該溶劑中的該等磷光體微粒之均勻懸浮液。此外，在某些具體實施例中，該溶劑包括丁酮(MEK)、乙醇、乙酸戊酯、甲苯及/或其他傳統溶劑系統。在其他具體實施例中，該黏結劑包括纖維素。在其他具體實施例中，該等光散射微粒包括SiO2 、燻矽及/或氣凝膠微粒。
上述具體實施例已主要集中在使磷光體微粒及/或光散射微粒沉積在一半導體發光元件之一發光表面的至少一部分上。然而在本發明之其他具體實施例中，藉由蒸發至少一些該溶劑，懸浮在溶劑中的任何其他微粒均可以沉積在該發光表面的至少一部分上。例如，可沉積懸浮在溶劑中的奈米晶體(例如CdSe奈米磷光體)、奈米微粒(例如TiO2 ) 及/或導電微粒(例如導電氧化錫或導電氧化銦錫)。
此外，本發明之其他具體實施例可以使溶解在溶劑中的任何溶質沉積在該發光表面的至少一部分上。例如，可沉積溶解在溶劑中的矽(或其他無機化合物)及/或聚合物(或其他有機化合物)溶質。更明確而言，在該等具體實施例中，將包括溶解在溶劑中的溶質之一溶液安置在一半導體發光元件之一發光表面的至少一部分上。蒸發至少一些該溶劑以使該溶質沉積在該發光表面的至少一部分上。從而將包括該溶質之一塗層形成於該發光表面的至少一部分上。
以下將參考顯示本發明之具體實施例的附圖來更全面地說明本發明。然而本發明不應視為限於本文所提出的具體實施例。相反，所提供的該等具體實施例使得此揭示內容將更全面而完整，並將完全傳達本發明之範疇給熟習技術人士。在圖式中，為了清楚起見而誇大各層與區域的厚度。在所有圖式中，相同數字指相同元件。本文所用的術語「及/或」包含相關聯的列舉項目之一或多個項目的任何及全部組合。
本文所用的術語係基於說明特定具體實施例之目的，而不希望限制本發明。希望本文所用的單數形式「一」、「一個」及「該」亦包含複數形式，除非背景清楚地指示其他情況。應進一步瞭解雖然術語「包括」及/或「包含」在用於此說明書時規定存在所述特徵、整數、步驟、元件及/或 組件，但是並不排除存在或增加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。
應瞭解當諸如一層或區域之一元件係指「在」或延伸「至」另一元件「上」時，其可直接在或直接延伸至另一元件上，或亦可存在中間元件。相反，當一元件係指「直接在」或「直接延伸至」另一元件「上」時，則不存在中間元件。亦應瞭解當一元件係指與另一元件「連接」或「耦合」時，其可與另一元件直接連接或耦合，或可存在中間元件。相反，當一元件係指與另一元件「直接連接」或「直接耦合」時，則不存在中間元件。
應瞭解，雖然術語第一、第二等可在本文中用以說明各元件、組件、區域、層及/或區段，但是該等術語不應限制該等元件、組件、區域、層及/或區段。該等術語係僅用以將一個元件、組件、區域、層或區段與另一個元件、組件、區域、層或區段區分。因此，以下說明之一第一元件、組件、區域、層或區段可稱為一第二元件、組件、區域、層或區段，而不脫離本發明之原理。
此外，例如「較低」、「底座」或「水平」及「較高」、「頂部」或「豎直」之相對術語，可在本文中用來說明圖式所解說的一個元件與另一個元件的關係。應瞭解，除圖式所描述的方向以外，希望相對術語包含該裝置之不同方向。例如，若顛倒圖式中的裝置，則說明為在其他元件之「較低」側上的元件將定向為在該等其他元件之「較高」側上。因此，示範性術語「較低」可包含「較低」及「較高」之 方向，此取決於圖式的特定方向。同樣地，若顛倒該等圖式之一圖式中的裝置，則說明為在其他元件的「下面」或「下方」之元件將定向為在該等其他元件「上面」。因此示範性術語「下面」或「下方」可包含上面方向與下面方向。
本文參考為本發明之理想化具體實施例之示意性解說的斷面圖解來說明本發明之具體實施例。同樣，可預期圖解的形狀因(例如)製造技術及/或公差而發生變化。因此本發明之具體實施例不應視為限於本文所說明的特定區域形狀，而應包含(例如)因製造而產生的形狀偏差。例如，解說或說明為平面區域之一區域通常具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所解說的銳角通常可以為圓角。因此，圖中解說的該等區域具有示意性質，而且不希望其形狀解說一區域之精確形狀及限制本發明之範疇。此外，諸如「水平」、「豎直」及「垂直」之術語指示除了精確的0°或90°方向以外之一般方向或關係。
除非另外定義，否則本文所用的全部術語(包含技術及科學術語)具有與熟習本發明所屬技術人士所共同瞭解者相同之含意。應進一步瞭解諸如通用詞典所定義的術語之術語應視為具有與其在相關技術之背景中的含意一致之含意，而不應視為具有理想化或過度正式的意義，除非本文如此清楚地定義。
最後，本文所用的「懸浮液」意味著一種二相固-液系統，其中固體微粒係與液體(「溶劑」)混合而未溶解(「懸浮」)在液體中。此外，本文所用的「溶液」意味著單相液體系 統，其中固體微粒係溶解在液體(「溶劑」)中。
圖1A為在依據本發明之各具體實施例的中間製造步驟期間的一半導體發光裝置之一斷面圖。如圖1A所示，將包括懸浮在溶劑124中的磷光體微粒122之一懸浮液120安置在一半導體發光元件110之發光表面110a的至少一部分上。本文所用的「光」指由一半導體發光元件110所發射的任何輻射、可見及/或不可見光(例如紫外線)。接著蒸發至少一些該溶劑124，如連接圖1A與1B的箭頭所示，以使該等磷光體微粒122沉積在該發光表面110a的至少一部分上，並且在該至少一部分上形成包括該等磷光體微粒122之一塗層130。在某些具體實施例中，在執行圖1A之該安置及/或執行該蒸發的同時，攪拌包括懸浮在溶劑124中的磷光體微粒122之該懸浮液120。此外，如圖1B所示，可以執行蒸發以使該等磷光體微粒122均勻地沉積在該發光表面110a的至少該部分上，從而形成包括該等磷光體微粒122之一均勻塗層130。在某些具體實施例中，該等磷光體微粒122均勻地沉積在所有該發光表面100a上。此外，在某些具體實施例中，實質上可以蒸發該溶劑124之全部。例如，在某些具體實施例中，可以蒸發至少約80%的該溶劑。在某些具體實施例中，實質上蒸發所有該溶劑124以使該等磷光體微粒122均勻地沉積在全部該發光表面110a上。
在本發明之某些具體實施例中，該溶劑124包括丁酮(MEK)、乙醇、甲苯、乙酸戊酯及/或其他傳統溶劑。此外，在某些具體實施例中，該等磷光體微粒122的粒徑可以為約 3至4 μm，並且約0.2 gm之該等磷光體微粒122可與約5 cc的MEK溶劑124混合，以提供該懸浮液120。可以經由滴管移液管分配該懸浮液120，並且可以在室溫或高於或低於室溫之溫度(例如約60℃及/或約100℃)下進行蒸發。
磷光體為熟習技術人士所熟知。本文所用的該等磷光體微粒122可以為摻雜鈰的釔鋁石榴石(YAG：Ce)及/或其他傳統磷光體，並且可採用傳統混合技術與該溶劑124混合，從而提供包括磷光體微粒122之該懸浮液120。在某些具體實施例中，將該磷光體配置成轉換從該發光表面110a所發射的至少某些光，以便從該半導體發光裝置100出現的光會顯現為白光。
該半導體發光元件110可包含一發光二極體、一雷射二極體及/或其他半導體裝置，該裝置包含：一或多個半導體層，該等半導體層可包含矽、碳化矽、氮化鎵、砷化鎵及/或其他半導體材料；一基板，其可包含藍寶石、矽、砷化鎵、碳化鎵，及/或其他微電子基板；以及一或多個接觸層，其可包含金屬及/或其他導電層。在某些具體實施例中，可提供紫外線、藍色及/或綠色LED。半導體發光裝置的設計與製造已為熟習技術人士所熟知，不必在本文中加以詳細說明。
例如，依據本發明之某些具體實施例的發光裝置可包含(例如)以氮化鎵為主之LED的結構及/或在一碳化矽基板上製造雷射結構，例如由美國北卡羅萊納州Durham的克裏公司(Cree,Inc.)所製造並銷售的裝置。本發明可適用於LED 及/或提供活性區域之雷射結構，如以下美國專利所說明的結構：6,201,262、6,187,606、6,120,600、5,912,477、5,739,554、5,631,190、5,604,135、5,523,589、5,416,342、5,393,993、5,338,944、5,210,051、5,027,168、4,966,862及/或4,918,497號，其係讓渡給本發明之受讓人，其全部揭示內容係以引用的方式完整併入本文中。其他合適的LED及/或雷射結構係說明在已公佈的美國專利申請文獻第US 2003/0006418 A1號中，其標題為「具有量子井及超晶格之以三族氮化物為主之發光二極體結構，以三族氮化物為主之量子井結構與以三族氮化物為主之超晶格結構(Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice,Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures )」，於2003年1月9日公佈；以及已公佈的美國專利申請文獻第US 2002/0123164 A1號，其標題為「包含用於光擷取的修改之發光二極體及其製造方法(Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor )」，二者均已讓渡給本發明之受讓人，二者的全部揭示內容因此係以引用的方式完整併入本文中。此外，LED(例如美國申請案序列號10/659,241中所說明的LED，其標題為「包括錐形側壁之磷光體塗布發光二極體及其製造方法(Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor )」，於2003年9月9日提出 申請並讓渡給本發明之受讓人，其全部揭示內容係以引用的方式完整併入本文中)也可適用於本發明之具體實施例。該等LED及/或雷射可加以配置來進行操作，以便可透過該基板而發光。在此類具體實施例中，該基板可加以圖案化以便增強該裝置之光輸出，此已在(例如)上述美國專利申請文獻第US 2002/0123164 A1號中加以說明。
圖2A為本發明之其他具體實施例之一斷面圖。如圖2A所示，提供一貼裝基板210，並且將該半導體發光元件110貼裝在該基板中的一空腔212中。將包括懸浮在溶劑124中的磷光體微粒122之該懸浮液120安置在該空腔212中。因此，該空腔212可用於限制該懸浮液120，從而提供用於該懸浮液120之一受控數量與幾何結構。
依據本發明之各具體實施例，可以使用許多貼裝基板210。在某些具體實施例中，該貼裝基板210為用於一半導體發光裝置之二件式封裝，其中將該半導體發光裝置貼裝在包括氧化鋁、氮化鋁及/或其他材料之一基板上，該等材料包括該基板上的電性跡線以提供用於該導體發光裝置之外部連接。例如使用黏膠將可包括鍍銀之銅的一第二基板貼裝在該第一基板上，從而包圍該半導體發光裝置。可將一透鏡放置在該半導體發光裝置上的該第二基板上。如以上所說明的具有二件式封裝之發光二極體係說明在至Loh的申請案序列號10/446,532中，其標題為「電源表面貼裝發光晶粒封裝(Power Surface Mount Light Emitting Die Package )」，於2003年5月27日提出申請並讓渡給本發明之 受讓人，其全部揭示內容係因此以引用的方式完整併入本文中。
此外，在其他具體實施例中，該貼裝基板210可以為一固體金屬塊，如至Negley等人之待審申請案序列號10/659,108所說明，其標題為「用於半導體發光裝置之固體金屬塊貼裝基板及製造其之氧化方法(Solid Metal Block Mounting Substrates for Semiconductor Light Emitting Devices,and Oxidizing Methods for Fabricating Same )」，於2003年9月9日提出申請並讓渡給本發明之受讓人，其全部揭示內容因此係以引用的方式完整併入本文中。貼裝基板210的設計已為熟習技術人士所熟知，並且不必在本文中加以進一步說明。
現在參考圖2B，執行蒸發，從而蒸發至少一些該溶劑124，以使該等磷光體微粒122沉積在該發光表面110a的至少一部分上，並且形成包括該等磷光體微粒122之一塗層130。
圖3A及3B解說本發明之其他具體實施例。如圖3A所示，在該等具體實施例中，該空腔212包含一空腔底面212a，並且將該半導體發光元件110貼裝在該空腔底面212a上。此外，該半導體發光元件110從該空腔底面212a突出。在某些具體實施例中，該半導體發光元件110之該發光表面110a包含一表面110b，其遠離該空腔底面212a；以及一側壁110c，其在該表面110b與該空腔底面212a之間延伸。如圖3B所示，執行蒸發來蒸發至少一些該溶劑124，以使該等磷光體 微粒122均勻地沉積在該發光表面110a的至少一部分上，從而形成包括該等磷光體微粒122之一厚度均勻塗層130。亦如圖3B所示，在某些具體實施例中，該塗層在該表面110b及該側壁110c上的厚度可以係均勻的。在某些具體實施例中，該塗層130可以在該發光元件110外面之該底面212a上均勻地延伸。在其他具體實施例中，該塗層130亦可至少部分延伸至該空腔212之側壁212b上。
在本發明之其他具體實施例中，可將一黏結劑加入該懸浮液120中，以便在蒸發之後，該等磷光體微粒122及該黏結劑會沉積在該發光表面110的至少該部分上，並且在該部分上形成包括該等磷光體微粒122及該黏結劑之一塗層。在某些具體實施例中，可以將一纖維素材料(例如乙基纖維素及/或硝基纖維素)用作一黏結劑。此外，在其他具體實施例中，至少一些該黏結劑可與該溶劑一起蒸發。
圖4A與4B解說本發明之其他具體實施例，其中該懸浮液420包括該等磷光體微粒122及懸浮在該溶劑124中的光散射微粒422，並且其中蒸發至少一些該溶劑124以使該等磷光體微粒122及該等光散射微粒422沉積在該發光元件110的至少一部分上，並且形成包括該等磷光體微粒122及該等光散射微粒422之一塗層430。在某些具體實施例中，該等光散射微粒422可包括SiO2 (玻璃)微粒。在某些具體實施例中，藉由選擇該等光散射微粒422之粒徑，可有效地散射藍光以使發射源(用於白光應用)更加均勻(更明確而言，係更隨意)。
還應瞭解，依據本發明之各具體實施例，也可提供圖1A至4B之具體實施例的組合與子組合。
可將本發明之其他具體實施例用於在該半導體發光元件之該發光表面上提供包括除了磷光體微粒122或光散射微粒422以外的微粒之一塗層。例如，可以使用圖5A所解說的導電氧化銦錫及/或奈米TiO2 微粒522。特定言之，如圖5A所示，可將包括懸浮在溶劑124中的磷光體微粒522之一懸浮液520安置在一半導體發光元件110之發光表面110a的至少一部分上。接著如圖5B所示，蒸發至少一些該溶劑124，以使該等微粒522沉積在該發光表面110a的至少一部分上，並且形成包括該等微粒522之一塗層530。還應瞭解，依據本發明之各具體實施例，可以在與圖1A至4B之具體實施例的組合或子組合中提供圖5A及5B之具體實施例，以沉積磷光體微粒122、光散射微粒422及/或其他微粒522。
可將本發明之其他具體實施例用於在一半導體發光元件之該發光表面上提供包括溶解在一溶液中的一溶質之一塗層。特定言之，如圖6A所示，將包括溶解在溶劑中的溶質之一溶液620安置在該半導體發光元件110之該發光表面110a的至少一部分上。接著如圖6B所示，蒸發至少一些該溶劑以使該溶質沉積在該發光表面110a的至少一部分上，以在該至少一部分上形成包括該溶質之一塗層630。因此，依據本發明之該等具體實施例，可將自一溶液620的沈澱物用於提供一溶質之塗層630於一半導體發光元件110之一發光表面110a上。還應瞭解，依據本發明之各具體實施例， 可以在與圖1A至5B的組合及子組合中提供圖6A及6B之具體實施例，以沉積圖6A之磷光體微粒122、光散射微粒422、其他微粒522及/或溶質630。
現在提供本發明之各具體實施例之額外說明。特定言之，本發明之某些具體實施例使自組裝的磷光體塗布發光二極體可藉由磷光體/溶劑懸浮液之受控溶劑蒸發而加以製造。在某些具體實施例中，可將一空腔(例如一傳統反射器空腔)用以限制用於受控蒸發的該懸浮液。施加該懸浮液至一受限容積，例如一LED反射器空腔之容積，並且從該受限容積蒸發該溶劑。隨著該溶劑的蒸發，懸浮液中的材料會保持在該空腔中。採用受控蒸發，可以達到一均勻材料塗層。
此外，在某些具體實施例中，若難以獲得或保持一微粒/溶質系統以便該等微粒處於懸浮液中，則在將該懸浮液分配於該空腔中的同時，可採用諸如振動(例如超音波振動)之技術以連續攪拌該懸浮液。此外，在蒸發該溶劑的同時，也可使用該振動技術以獲得一相對均勻的塗層。可以在室溫或較低及/或較高的溫度下執行蒸發，此取決於溶劑之選擇。此外，也可將真空蒸發用於擷取該溶劑。可以使用其他傳統溶劑及/或蒸發技術。還可將一黏結劑併入該懸浮液中以獲得一更粗糙的塗層。此外，藉由此技術，還可共同沉積光散射微粒及/或其他微粒。藉由選擇光散射微粒之適當粒徑，可以有效地散射藍光，此可以使該發射源(用於白光應用)更加均勻(更明確而言，係更加隨機)。最後，在其 他具體實施例中，可以將溶質溶解在溶劑中，並接著使其沉澱出來以沉積該溶質。
範例
以下範例將視為僅具有解說性而不應視為限制本發明。
約0.1 gm的3-4 μm磷光體係與約5 cc的MEK混合，並經由一滴管移液管分配於包含一半導體發光元件110之一空腔212中。如圖7A所示，在室溫及低濃度下蒸發之情況下，該等磷光體微粒130並未覆蓋該發光元件110。本文所用的「低濃度」意味著在分配之前未觀察到該等微粒之沉澱物。如圖7B所示，在約60℃及低濃度下的蒸發提供較大的覆蓋範圍。最後，如圖7C所示，在約100℃及高濃度下的蒸發實質上提供該發光元件110及該空腔底面212a之完全覆蓋。本文所用的「高濃度」意味著在分配之前已觀察到在瓶子或滴管開口中的該等微粒之某些沉澱物。
圖8A以圖解的方式解說100 mA LED電流情況下的相關色溫(CCT)，其與用於採用以上說明的懸浮液在室溫及60℃下進行的蒸發之視角成函數關係。如圖8A所示，在針對裝置2的60℃蒸發情況下，幾乎沒有磷光體覆蓋發光頂部表面，因此可以看見更多的藍光，從而導致在0°角度情況下獲得一相對較高的CCT。其他曲線顯示在不同視角情況下磷光體之更均勻的覆蓋並解說更均勻的CCT。
圖8B以圖解方式解說在與圖8A相同之條件下與視角成函數關係的發光強度。如圖8B所示，已獲得較高的發光強度。
概括而言，圖8A與8B指示：依據本發明之具體實施例，可以提供一發光表面上之較均勻的磷光體塗層。
在圖式與說明書中，已揭示本發明之具體實施例，雖然使用特定術語，但是該等術語僅以一般及說明意義加以使用，而非基於限制之目的，本發明之範疇係在以下申請專利範圍中提出。
100‧‧‧半導體發光裝置
110‧‧‧發光元件
110a‧‧‧發光表面
110b‧‧‧表面
110c‧‧‧側壁
120‧‧‧懸浮液
122‧‧‧磷光體微粒
124‧‧‧溶劑
130‧‧‧塗層
210‧‧‧貼裝基板
212‧‧‧空腔
212a‧‧‧空腔底面
212b‧‧‧側壁
420‧‧‧懸浮液
422‧‧‧光散射微粒
430‧‧‧塗層
520‧‧‧懸浮液
522‧‧‧微粒
530‧‧‧塗層
620‧‧‧溶液
630‧‧‧塗層
圖1A與1B、2A與2B、3A與3B、4A與4B、5A與5B及6A與6B為在依據本發明之各具體實施例的中間製造步驟期間的半導體發光裝置之斷面圖。
圖7A至7C為包含依據本發明之各具體實施例之磷光體塗層的發光裝置之照片。
圖8A及8B以圖解方式分別解說與用於依據本發明之各具體實施例的磷光體塗布發光裝置之視角成函數關係的顏色校正溫度及發光強度。
100‧‧‧半導體發光裝置
110‧‧‧發光元件
110a‧‧‧發光表面
120‧‧‧懸浮液
122‧‧‧磷光體微粒
124‧‧‧溶劑
130‧‧‧塗層

Claims (12)

  1. 一種半導體發光裝置，其包含：一貼裝基板，其中包括一空腔，該空腔包含一空腔底面及一空腔壁；一半導體發光元件，其位於該空腔底面上，使得該半導體發光元件自該空腔底面突出；一塗層，其均勻塗佈該半導體發光元件之一發光表面之至少一部份，其中該塗層係藉由將包括懸浮在溶劑中的磷光體微粒之一懸浮液安置於該空腔中並包括在該發光表面之至少一部份上以使得該空腔壁將該懸浮液侷限於該空腔中而形成，且其中將至少一些的該溶劑蒸發以使該等磷光體微粒均勻地沈積於該發光表面之至少一部份上。
  2. 如請求項1之半導體發光裝置，其中該發光表面之該至少一部份包括與該空腔底面相對之該發光表面之一面及由該面延伸至該空腔底面之該發光表面之至少一側壁。
  3. 如請求項1之半導體發光裝置，其中該塗層亦塗佈該空腔底面之至少一部份。
  4. 如請求項1之半導體發光裝置，其中侷限該懸浮液係為了該發光表面之至少一部份上的受控制的蒸發。
  5. 如請求項1之半導體發光裝置，該塗層進一步包含一黏結劑。
  6. 如請求項5之半導體發光裝置，其中該黏結劑係在具有該等磷光體微粒之該懸浮液中，其中蒸發該至少一些的溶 劑使該等微粒及黏結劑沈積於該塗層上且形成該塗層。
  7. 如請求項5之半導體發光裝置，其中該黏結劑包括纖維素。
  8. 如請求項1之半導體發光裝置，該塗層進一步包含光散射微粒。
  9. 如請求項1之半導體發光裝置，該塗層進一步包含導電微粒及/或奈米微粒。
  10. 如請求項1之半導體發光裝置，其中該等磷光體微粒經組態以轉換發射自該發光表面之至少一些光，使得發射自該裝置的光顯現為白光。
  11. 如請求項1之半導體發光裝置，其中該塗層具有一均勻之厚度。
  12. 如請求項1之半導體發光裝置，其中該塗層具有一均勻之微粒濃度。
TW101130701A 2004-09-21 2005-07-05 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法 TWI452112B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/946,587 US7217583B2 (en) 2004-09-21 2004-09-21 Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201249955A TW201249955A (en) 2012-12-16
TWI452112B true TWI452112B (zh) 2014-09-11

Family

ID=36074560

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094122646A TWI411659B (zh) 2004-09-21 2005-07-05 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法
TW101130701A TWI452112B (zh) 2004-09-21 2005-07-05 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094122646A TWI411659B (zh) 2004-09-21 2005-07-05 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7217583B2 (zh)
EP (2) EP1797597B1 (zh)
JP (1) JP2008514026A (zh)
KR (1) KR20070054725A (zh)
CN (3) CN102157635A (zh)
TW (2) TWI411659B (zh)
WO (1) WO2006033695A2 (zh)

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006525682A (ja) 2003-04-30 2006-11-09 クリー　インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
KR100668609B1 (ko) * 2004-09-24 2007-01-16 엘지전자 주식회사 백색광원소자
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7625780B2 (en) * 2005-03-15 2009-12-01 Regents Of The University Of Minnesota Fluidic heterogeneous microsystems assembly and packaging
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
TW200709465A (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode module and method for manufacturing the same
JP5614766B2 (ja) 2005-12-21 2014-10-29 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 照明装置
EP1974389A4 (en) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED
WO2007084640A2 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US20070201056A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Light-scattering color-conversion material layer
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) * 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US7774929B2 (en) * 2006-03-14 2010-08-17 Regents Of The University Of Minnesota Method of self-assembly on a surface
JP4819170B2 (ja) * 2006-03-31 2011-11-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光装置およびその製造方法
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
EP2011164B1 (en) * 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
JP2009538532A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
EP3624560A1 (en) 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ 시스템 및 방법
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8021904B2 (en) 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
KR101672553B1 (ko) * 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
WO2009011922A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Qd Vision, Inc. Quantum dot-based light sheets useful for solid-state lighting
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US20090039375A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US8883528B2 (en) * 2007-10-01 2014-11-11 Intematix Corporation Methods of producing light emitting device with phosphor wavelength conversion
TW200919696A (en) * 2007-10-26 2009-05-01 Led Lighting Fixtures Inc Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
TWI499076B (zh) 2008-07-03 2015-09-01 Samsung Electronics Co Ltd 波長轉換之發光二極體晶片及包含該發光二極體晶片之發光裝置
US8129735B2 (en) * 2008-09-24 2012-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with controlled angular non-uniformity
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8339029B2 (en) 2009-02-19 2012-12-25 Cree, Inc. Light emitting devices and systems having tunable chromaticity
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7967652B2 (en) * 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
CN102349132B (zh) * 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
WO2011020098A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Qd Vision, Inc. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TWI403005B (zh) 2009-10-12 2013-07-21 Intematix Technology Ct Corp 發光二極體及其製作方法
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8273589B2 (en) * 2010-03-19 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
DE102010054280A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US20120236529A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Avago Technologies Ecbu Ip(Singapore) Pte. Ltd. Method And Apparatus For A Light Source
US9041046B2 (en) 2011-03-15 2015-05-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for a light source
US8525190B2 (en) 2011-06-15 2013-09-03 Cree, Inc. Conformal gel layers for light emitting diodes
US8957430B2 (en) 2011-06-15 2015-02-17 Cree, Inc. Gel underfill layers for light emitting diodes
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
DE102013103416A1 (de) * 2013-04-05 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
CN105222091A (zh) * 2015-06-24 2016-01-06 林立宸 一种具有可调整发光粉层中特定发光粉悬浮物悬浮位置之制造方法
CN105047799A (zh) * 2015-06-24 2015-11-11 林立宸 一种发光粉之制造方法
DE102015116710A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN107706284B (zh) * 2017-09-12 2019-07-30 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led封装方法及封装结构
WO2019056209A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-28 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited LUMINOPHORE WHEEL WITH INORGANIC BINDER
JP6784276B2 (ja) * 2018-04-13 2020-11-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20220013512A1 (en) * 2018-11-16 2022-01-13 Sakai Display Products Corporation Micro led device and method for manufacturing same
CN111192969B (zh) * 2020-01-08 2021-01-05 大连理工大学 一种基于聚f8bt晶体的发光场效应管结构及制备方法
TWI710129B (zh) * 2020-02-10 2020-11-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光二極體晶片封裝結構及其製作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522423B (en) * 2000-03-27 2003-03-01 Gen Electric A single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV LED device
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4733335A (en) 1984-12-28 1988-03-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Vehicular lamp
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4935665A (en) 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
CA1337918C (en) * 1988-03-16 1996-01-16 Norihisa Osaka Phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
FR2704690B1 (fr) 1993-04-27 1995-06-23 Thomson Csf Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procédé et application à l'interconnexion de pastilles en trois dimensions.
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) * 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JP3109960B2 (ja) * 1994-07-18 2000-11-20 キヤノン株式会社 記録媒体及びこれを用いた画像形成方法
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5614131A (en) 1995-05-01 1997-03-25 Motorola, Inc. Method of making an optoelectronic device
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5766987A (en) 1995-09-22 1998-06-16 Tessera, Inc. Microelectronic encapsulation methods and equipment
DE19536438A1 (de) 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
JP2947156B2 (ja) * 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
US6001671A (en) 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1441395B9 (de) 1996-06-26 2012-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5833903A (en) 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US6583444B2 (en) 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
JP3351706B2 (ja) 1997-05-14 2002-12-03 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
FR2764111A1 (fr) 1997-06-03 1998-12-04 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication de boitiers semi-conducteurs comprenant un circuit integre
JP3920461B2 (ja) 1998-06-15 2007-05-30 大日本印刷株式会社 レンズおよびその製造方法
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
US6580097B1 (en) * 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6329224B1 (en) 1998-04-28 2001-12-11 Tessera, Inc. Encapsulation of microelectronic assemblies
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6404125B1 (en) 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US5988925A (en) * 1998-10-26 1999-11-23 Baggett; R. Sherman Stacked paper fastener
US6184465B1 (en) 1998-11-12 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
JP4256968B2 (ja) 1999-01-14 2009-04-22 スタンレー電気株式会社 発光ダイオードの製造方法
EP1059678A2 (en) 1999-06-09 2000-12-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6338813B1 (en) 1999-10-15 2002-01-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Molding method for BGA semiconductor chip package
KR20010044907A (ko) * 1999-11-01 2001-06-05 김순택 저전압 구동용 고휘도 형광체막 및 그 제조 방법
US6793371B2 (en) 2000-03-09 2004-09-21 Mongo Light Co. Inc. LED lamp assembly
TW200529308A (en) 2000-03-31 2005-09-01 Toyoda Gosei Kk Method for dicing semiconductor wafer into chips
GB0013394D0 (en) 2000-06-01 2000-07-26 Microemissive Displays Ltd A method of creating a color optoelectronic device
JP2002009097A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
DE10033502A1 (de) 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
JP2002050799A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプおよびその製造方法
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
DE10051242A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-25 Philips Corp Intellectual Pty Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US6734571B2 (en) 2001-01-23 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly encapsulation mold
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
TW516247B (en) * 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
EP1398839B1 (en) 2001-04-23 2012-03-28 Panasonic Corporation Light emitting device comprising light emitting diode chip
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
TW511303B (en) 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
US6759266B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package fabrication method
TW517356B (en) 2001-10-09 2003-01-11 Delta Optoelectronics Inc Package structure of display device and its packaging method
US6531328B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
TW518775B (en) 2002-01-29 2003-01-21 Chi-Hsing Hsu Immersion cooling type light emitting diode and its packaging method
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
DE10237084A1 (de) 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
US20040038442A1 (en) 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
EP1540747B1 (en) * 2002-09-19 2012-01-25 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
US7423296B2 (en) * 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
JP4303550B2 (ja) 2003-09-30 2009-07-29 豊田合成株式会社 発光装置
US7200009B2 (en) 2003-07-01 2007-04-03 Nokia Corporation Integrated electromechanical arrangement and method of production
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
DE112005000370T5 (de) 2004-02-18 2006-12-07 Showa Denko K.K. Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung desselben und lichtmittierende Vorrichtung unter Verwendung des Leuchtstoffs
JP2007535149A (ja) 2004-04-23 2007-11-29 ライト プレスクリプションズ イノベーターズ エルエルシー 発光ダイオード用光学マニホールド
EP1759145A1 (en) 2004-05-28 2007-03-07 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
KR101047683B1 (ko) 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
TWI308401B (en) 2006-07-04 2009-04-01 Epistar Corp High efficient phosphor-converted light emitting diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW522423B (en) * 2000-03-27 2003-03-01 Gen Electric A single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV LED device
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101976721A (zh) 2011-02-16
US20070224716A1 (en) 2007-09-27
EP1797597B1 (en) 2016-11-16
US20060063289A1 (en) 2006-03-23
WO2006033695A3 (en) 2006-06-08
TWI411659B (zh) 2013-10-11
EP2306526A2 (en) 2011-04-06
US7217583B2 (en) 2007-05-15
EP2306526A3 (en) 2012-05-02
TW201249955A (en) 2012-12-16
US7569407B2 (en) 2009-08-04
KR20070054725A (ko) 2007-05-29
TW200619345A (en) 2006-06-16
JP2008514026A (ja) 2008-05-01
WO2006033695A2 (en) 2006-03-30
CN101023534A (zh) 2007-08-22
CN102157635A (zh) 2011-08-17
EP1797597A2 (en) 2007-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI452112B (zh) 從懸浮液中蒸發溶劑而塗層半導體發光元件之方法
TWI460877B (zh) 包含空腔與散熱槽的固態金屬區塊半導體發光裝置之架設基底及封裝，及其封裝之方法
CN105423238B (zh) 波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法
RU2493635C2 (ru) Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии
US8851693B2 (en) Stimulated lighting devices
US9500325B2 (en) LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US8884507B2 (en) Reflective nanofiber lighting devices
EP2482348B1 (en) Wavelength conversion particle, wavelength conversion member using same, and light emitting device
TWI614452B (zh) 用於固態發光裝置和燈的光致發光波長轉換構件
TW200822398A (en) Light-emitting device
CN103765077A (zh) 紧凑高效的远置led模块
CN108139523A (zh) 波长转换元件以及发光装置
KR20140053837A (ko) 원거리 광발광 반사 변환기를 구비하는 led 백색광원
TW201108471A (en) Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions on remote surfaces thereof
TW201335545A (zh) 用於遠端波長轉換之具有嵌入密封材料之光激發光材料之波長轉換元件
TW201432198A (zh) 用於發光二極體燈之保護擴散性塗層
JPWO2019065193A1 (ja) 波長変換部材及び光源
US9291333B2 (en) Illumination arrangement
JP2011086515A (ja) Ｌｅｄ照明装置及びリフレクタ
JP2010153746A (ja) 蛍光体部材、発光素子及び照明装置