TWI448825B - 曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置 - Google Patents

曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI448825B
TWI448825B TW097119711A TW97119711A TWI448825B TW I448825 B TWI448825 B TW I448825B TW 097119711 A TW097119711 A TW 097119711A TW 97119711 A TW97119711 A TW 97119711A TW I448825 B TWI448825 B TW I448825B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposure
substrate
region
pattern
mask
Prior art date
Application number
TW097119711A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200905416A (en
Inventor
白石直正
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200905416A publication Critical patent/TW200905416A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI448825B publication Critical patent/TWI448825B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置
本發明是關於用以製造構成平面顯示器(Flat Panrl Display)的畫面顯示部的基板的微影(lithography)步驟中所使用的曝光方法以及曝光裝置、以及使用該曝光方法或者該曝光裝置製造平面顯示器用基板的製造方法。
液晶顯示器及電漿顯示器等平面顯示器中使用的基板的製造步驟中，當在基板上形成微細圖案時，通常使用光微影技術。該光微影技術，是經過於基板的表面形成感光膜(光阻劑(photoresist))，使具有與應形成的圖案的形狀相對應的光量分佈的曝光光對基板進行曝光的曝光步驟、顯影步驟以及蝕刻步驟等，於基板上形成預期的圖案形狀。
平面顯示器用基板的製造步驟中的上述曝光步驟中，作為曝光方法，主要使用利用光罩的曝光方法。此種曝光方法中，將應形成在基板上的圖案預先形成於光罩上，對該光罩照射照明光，且將來自光罩的透射光量分佈轉印曝光於基板上。
隨著平面顯示器的大型化，不僅要求構成平面顯示器的畫面顯示部的基板大型化，而且要求用於製造該基板的光罩亦大型化。然而，光罩的大型化將會導致光罩自身價格提高、光罩的搬送裝置、保管裝置等大型化，從而導致裝置價格提高。進而，為了形成平面顯示器的畫面顯示部，必需4~5層光罩，故而會花費很高的成本。上述結果會導 致平面顯示器的生產成本增加。
本發明的態樣的目的在於，提供一種能夠低價地在平面顯示器的畫面顯示部所使用的基板上形成微細圖案的曝光方法。
又，本發明的另一目的在於，提供一種使用上述曝光方法的平面顯示器用基板的製造方法，以及較佳地適用於該基板的製造方法的曝光方法以及曝光裝置。
本發明的一態樣的曝光方法，是利用照明光對光罩進行照明，且使用上述光罩上的光罩圖案對基板進行曝光，該曝光方法中，使上述基板在上述基板的面內方向即掃描方向上相對於上述光罩而進行相對掃描，及在上述相對掃描過程中對上述基板進行曝光時包括一併進行：微細週期曝光，使用形成在上述光罩的第1區域內的微細週期光罩圖案；及中密度曝光，使用形成在上述光罩的第2區域內的中密度光罩圖案，並且，上述第1區域與上述第2區域在上述掃描方向上鄰接配置著。
本發明的其他態樣的平面顯示器用基板的製造方法，包括曝光步驟，其中包括使用本發明的一態樣的曝光方法，進行該曝光步驟中的至少一部分步驟。
本發明的其他態樣的平面顯示器用基板的製造方法，包括薄膜電晶體的形成步驟，包括在該薄膜電晶體的源極電極以及汲極電極的形成步驟中，使用本發明的一態樣的曝光方法。
本發明的其他態樣的曝光裝置，是將圖案曝光於基板上的曝光裝置，包括：光學單元，包括照明光學系統及投影光學系統；可動機構，使上述基板在上述基板的面內方向即掃描方向上，相對於上述光學單元而進行相對掃描；及光罩保持機構，能夠將光罩保持在上述光學單元所規定的第1面上，且上述照明光學系統，對在上述掃描方向上鄰接而配置在上述第1面上的第1區域以及第2區域照射照明光，上述投影光學系統將包括上述第1區域及上述第2區域的上述第1面上的區域的至少一部分投影至上述基板上。
本發明的態樣中，在平面顯示器的畫面顯示部所使用的基板的形成步驟中，可以低價形成微細圖案。又，本發明中，可以低價製造平面顯示器用基板。
以下，參照圖式，對本發明的一實施形態進行說明。再者，以下，微細週期光罩圖案是指形成在光罩上的一維的週期性的光罩圖案，且是其週期為對該光罩圖案進行投影的投影光學系統的解析極限左右的微細的光罩圖案。
又，中密度光罩圖案是指，形成於光罩上的週期性的光罩圖案，且是其週期為對光罩圖案進行投影的投影光學系統的解析極限的1.5倍左右或1.5倍左右以上的光罩圖案。又，此處的投影光學系統的解析極限是指，當將使用的波長設為λ時，利用投影光學系統的數值孔徑NA(numerical aperture)，表示為λ/NA的值。
而且，圖案是指，表現照射至光罩後的照明光即曝光光的明暗分佈的形狀的圖案。而且，光罩圖案是指，表現形成在光罩上的透射部與遮光部或者進而為相移透射部中的一個或者該等的組合的分佈形狀的圖案。並且，曝光圖案是指，表現對形成在基板上的光阻劑等感光材料進行曝光的曝光量分佈的形狀的圖案。進而，基板圖案是指，表現形成在基板上的導電構件、絕緣構件或者半導體構件中的至少一部分的圖案。
圖1是表示本發明的一實施形態中的曝光裝置的概略的一例的立體圖。圖1中，基板平台PS上保持著玻璃基板等基板P，該基板P用於形成平面顯示器的畫面顯示部。在基板平台PS的上方(圖中的＋Z方向)，配置著用於對基板平台PS上的基板P曝光圖案的多個(本實施形態中是7個)光學單元OU1~OU7。光學單元OU1~OU7，沿著與圖中的Y方向(掃描方向Y)大致正交的X方向(非掃描方向X)配置成鋸齒狀。此處，配置成鋸齒狀是指，沿X方向交替配置在第1行側(＋Y方向)及第2行側(－Y方向)。例如，圖1中，光學單元OU1~OU4以規定的間隔配置在第1行側來作為第1光學單元群OUG1，光學單元OU5~OU7以規定的間隔配置在第2行側來作為第2光學單元群OUG2。
此處，對光學單元OU1~OU7的一例進行說明。例如，光學單元OU1包括用於將圖案曝光在基板P上的投影光學系統PL1、及用於照射照明光的照明光學系統IL1， 進而，投影光學系統PL1與照明光學系統IL1之間，具有保持在光罩平台(未圖示)上的光罩M1。投影光學系統PL1，是由將配置在光罩平台上的光罩M1的視野區域內的像形成在基板P的像野區域內的光學系統而構成的。而且，照明光學系統IL1，是由對保持在光罩平台上的光罩M1大致均一地照明來自光源的照明光的光學系統而構成的。又，照明光學系統IL1在光罩M1上的照明區域，是包括形成在光罩M1上的光罩圖案的光罩圖案區域的整個區域或者一部分區域。
另外，光學單元OU1~OU7的數量並不限於上述例示的7個，可為包括1個在內的任意數量。
然而，第1光學單元群OUG1與第2光學單元群OUG2，為了避免因照明光學系統IL1~IL7的大小、尤其是Y方向上的大小而導致產生的彼此機械干擾，在Y方向上隔開規定的間隔配置著。然而，為了縮減多餘的掃描動作以及掃描時間來提高曝光裝置的處理能力，較理想的是，第1光學單元群OUG1與第2光學單元群OUG2在能夠避免機械干擾的範圍內儘可能地在Y方向上靠近配置著。
基板平台PS能夠在定盤BP上沿著導槽GL、GR，在基板P的一個面內方向即圖中的Y方向上移動。即，基板平台PS是可相對於光學單元OU1~OU7進行相對掃描的可動機構的一例。基板平台PS向Y方向的移動、位置控制、以及向X方向的微動、位置控制，是藉由包括設在基 板平台PS上的動子LM1、LM2及設在定盤BP上的定子LG1、LG2的線性馬達系統、以及未圖示的位置控制系統而進行的。
在利用上述曝光裝置進行的曝光過程中，藉由線性馬達系統而使基板P在Y方向上移動，藉此，可在曝光過程中使基板P在基板P的面內方向即Y方向上對光學單元OU1~OU7進行相對掃描，即，可進行掃描曝光。藉由該掃描曝光，即便使用外形小於基板的光罩，亦能夠在基板P的Y方向的大致整個表面上曝光圖案。此處，相對掃描是指，光學單元OU1~OU7被固定著，而僅基板在Y方向上移動。即，掃描曝光是指，光學單元OU1~OU7固定著，而僅基板在Y方向上移動且將圖案曝光在基板上。
再者，上述說明中所使用的圖1中的XYZ座標的座標軸是表示為了便於說明而規定的方向的座標軸，當然，曝光裝置上的座標軸等的選擇可為任意。然而，以下的各圖中，本實施形態的曝光裝置所對應的XYZ座標軸的方向均與圖1所示的XYZ座標系相同。
此處，參照圖2對於本實施形態中的光罩的概要進行說明。如圖2所示，由玻璃等透光性基板構成的光罩M1，是由鉻膜等遮光膜構成的遮光帶DA1所包圍的微細週期光罩圖案區域IPA以及中密度光罩圖案區域MPA此兩個圖案區域構成。微細週期光罩圖案區域IPA以及中密度光罩圖案區域MPA在Y方向上鄰接而配置著。微細週期光罩圖案區域IPA具有透射部及遮光部來作為光罩圖案。 又，中密度光罩圖案區域MPA具有透射部及遮光部來作為光罩圖案。進而，微細週期光罩圖案區域IPA中，亦可於其透射部的一部分具有相位構件(例如介電膜)。此時，相位構件，使透射該相位構件的照明光與透射未添設相位構件的透射部的照明光之間，產生(2n＋1)π[rad](其中，n為整數)的相位差。再者，關於形成在微細週期光罩圖案區域IPA以及中密度光罩圖案區域MPA內的光罩圖案的詳細情況，於下文敍述。
參照圖3(A)及圖3(B)，對上述投影光學系統PL1~PL7與基板P在XY方向上的詳細配置關係進行說明。如圖3(A)所示，投影光學系統PL1~PL4的Y座標相同，且在X方向上以間隔XP1配置著。其餘的三個投影光學系統PL5~PL7，在Y方向上的位置是與投影光學系統PL1~PL4僅隔開間隔YP1，且在X方向上以間隔XP1配置著。此時，投影光學系統PL1與投影光學系統PL5的X座標僅錯開間隔XP2，即上述間隔XP1的一半。
如上所述，本實施形態的曝光裝置中，一面使基板P在Y方向上相對於光學單元OU1~OU7進行相對掃描，一面向基板P上進行曝光。因此，藉由該掃描曝光，而在基板P上形成藉由各投影光學系統PL1~PL7而曝光著圖案的曝光區域即X方向上具有規定寬度且在Y方向上延伸的多個局部區域。圖3中的局部區域E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7分別是藉由投影光學系統PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6、PL7而曝光著圖案的區域。
而且，基板P上的各局部區域之間，亦可存在著重複區域(重疊區域)V1、V2、V3、V4、V5、V6。此時，例如，重複區域V1是藉由與其鄰接的局部區域E1以及E5所對應的兩個投影光學系統PL1以及PL5而重複曝光著圖案的區域。其他重複區域V2~V6亦同樣是藉由投影光學系統PL2~PL7中在X方向上鄰接的任兩個投影光學系統而曝光著圖案的區域。另外，關於重複區域V1~V6的詳細情況，於下文敍述。
接著，對向局部區域E1內的任意位置上的曝光進行說明。首先，假設，一面使基板P在＋Y方向上相對於光學單元OU1~OU7進行掃描，一面將圖案曝光在基板P上的情況。此時，根據配置在光學單元OU1上的光罩M1上的微細週期光罩圖案區域IPA與中密度光罩圖案區域MPA的配置關係，在基板P上的曝光對象位置上首先曝光微細週期光罩圖案區域IPA的圖案。而且，伴隨著基板P的移動，基板P上的曝光對象位置移動至中密度光罩圖案區域MPA的下方之後，曝光中密度光罩圖案區域MPA的圖案。
即，在局部區域E1上，進行微細週期光罩圖案區域IPA的圖案曝光及中密度光罩圖案區域MPA的圖案曝光所組成的合成曝光(雙重曝光)。再者，即便是對基板P一面在－Y方向上進行掃描一面進行曝光時，僅更換微細週期光罩圖案區域IPA的圖案與中密度光罩圖案區域MPA的圖案的曝光順序，仍可進行合成曝光(雙重曝光)。又，並非僅是局部區域E1如此，其他局部區域E2~E7亦與上述 的局部區域E1相同。
繼而，對可適用於本實施形態的光罩M1~M7的一例進行說明。圖4是表示本實施形態的形成著光罩圖案的一部分的光罩M1的構成的圖。如圖4所示，在第1區域IPA1上，由與規定波長的光束(例如，i線、KrF準分子雷射等)相對應的透射部IBP11、IBP12及遮光部IDP11(鉻膜等)而形成著光罩圖案。而且，第2區域MPA1上，由與規定波長的光束(例如、i線、KrF準分子雷射等)相對應的透射部MBP11及遮光部MDP11(鉻膜等)而形成著光罩圖案。
此處，形成在第1區域IPA1內的光罩圖案是包括微細週期光罩圖案的光罩圖案，形成在第2區域MPA1內的光罩圖案是包括中密度光罩圖案的光罩圖案。
第1區域IPA1中，透射部IBP11、IBP12與遮光部IDP11，沿與掃描方向大致正交的X方向上配置著。第2區域MPA1內，透射部MBP11與遮光部MDP11沿與掃描方向大致正交的X方向上配置著。又，形成在第1區域IPA1內的光罩圖案的構成為具有如下透射部IBP12，即在規定的透射部IBP12上設有使透射光的相位僅改變例如π[rad]的膜厚的相位構件PSP(例如介電膜)。即，相位構件PSP，使透射該相位構件PSP的照明光與透射未添設相位構件PSP的透射部IBP11的照明光之間產生由(2n＋1)π[rad](其中，n為整數)定義的相位差。
形成在第2區域MPA1內的光罩圖案的構成為，在第 1區域IPA1內所形成的規定的遮光部IDP11所對應的位置上配置著遮光部MDP11。具體而言，形成在第2區域MPA1內的遮光部MDP11以如下方式形成，即形成在第1區域IPA1內的特定的遮光部IDP11在X方向上的寬度的中心線與第2區域的特定的遮光部MDP11在X方向上的寬度的中心線重合。
又，第2區域MPA1的遮光部MDP11，在X方向上以間隔XDP1配置著。進而，第2區域MPA1的遮光部MDP11在X方向上的寬度W42，是第1區域IPA1的遮光部IDP11在X方向上的寬度W41的約1~2倍。再者，形成在第2區域MPA1內的遮光部MDP11的數量，是根據曝光在基板P上的規定條數的圖案而設定的。
繼而，參照圖5以及圖6，對本實施形態中的微細週期曝光以及中密度曝光的概略進行說明。圖5是表示使用具有第1區域IPA1以及第2區域MPA1的光罩M1進行微細週期曝光的概略的剖面圖。由發光控制器LC1來控制發光及停止發光的半導體雷射等雷射、或者由發光二極體等形成的光源LS1所發出的照明光I1，經由照明光學系統IL1而形成大致均一的照明光，從而成為照明光I2。又，在照明光學系統IL1的下方，配置著受到照明光I2的照明的光罩M1。
若照明光I2照射至光罩M1上的第1區域IPA1，則會產生透射具有相位構件PSP的透射部IBP12的照明光I3、以及透射未添設相位構件的透射部IBP11的照明光I4。並 且，該等兩個照明光I3、I4，在光罩M1的附近的面S1上形成干涉條紋IF1。因此，週期方向為X方向的干涉條紋IF1所形成的曝光圖案經由投影光學系統PL1而曝光在基板P上。干涉條紋IF1的週期方向為X方向，因此，該干涉條紋的明暗圖案平行於與X方向正交的Y方向，即平行於上述掃描方向。
而且，本實施形態的曝光裝置，使基板P一面在Y方向上相對於光學單元OU1~OU7進行掃描一面進行曝光，因此，藉由上述微細週期曝光而曝光在基板P上的曝光圖案，相當於上述干涉條紋IF1的明暗分佈在Y方向上擴大的圖案。此時，干涉條紋IF1的週期方向為X方向，因此，不會因向與其正交的方向上進行掃描曝光而導致干涉條紋IF1的對比度(contrast)下降。
圖6是表示使用具有第1區域IPA1以及第2區域MPA1的光罩M1的中密度曝光的概略的剖面圖。其中，發光控制器LC1、光源LS1、照明光學系統IL1等的構成與圖5中所示的微細週期曝光中的相同。該中密度曝光與圖5所示的微細週期曝光的不同之處在於，使用光罩M1上的第2區域MPA1，而不是第1區域IPA1。如圖6所示，若照明光I2照射至光罩M1上的第2區域MPA1，則照明光I2自光罩M1中相當於透射部MBP11的部分透射，而照明光I2不自其他部分(形成著遮光部MDP11的部分)透射。藉此，在光罩M1附近的面S1上，形成著與透射部MBP11的形狀相對應的照明光I5的光量分佈ID1。因此， 可在基板P上形成多個照明光I5的光束點。該光束點的數量，會根據光罩M1上形成的透射部MBP11或者遮光部MDP11的數量而變化。
然而，本實施形態中的曝光裝置，使基板P一面在Y方向上相對於光學單元OU1~OU7進行掃描一面進行曝光，因此，曝光在基板P上的曝光圖案，成為透射部MBP11所形成的光束點的形狀在Y方向上擴大的圖案。
又，在基板P向Y方向進行掃描的過程中，根據光學單元OU1~OU7與基板P的相對位置，來控制光源的發光及停止發光，該光源發出向照明光學系統IL1~IL7射入的照明光，由此曝光在基板P上的圖案的Y方向上的形狀亦可變。並且，能夠分時地切換照射或者不照射照明光的切換機構，不僅進行如上所述的光源的發光及停止發光的控制，而且亦可在光源與基板P之間的光路內設置機械快門(shutter)、或利用光電元件的快門。
再者，為了能夠改變應曝光在基板P上的光束點的位置以及形狀，較理想的是本實施形態中的曝光裝置設有更換機構，該更換機構中能夠以可更換的方式裝填具有不同光罩圖案的多個光罩。更換機構，可採用例如含有用於保持光罩M1的未圖示的保持機構(例如，光罩平台)、及向該保持機構搬送光罩M1的機構者。此時，較理想的是，該保持機構上設有用以對光罩M1進行定位的標準接腳或位置感測器。
本實施形態的曝光裝置，如上所述，實施利用形成在 光罩M1~M7上的第1區域IPA1的微細週期光罩圖案、及第2區域MPA1的中密度光罩圖案此雙方的合成曝光，從而，可高精度地進行曝光圖案的曝光。因此，以下，參照圖7，對利用本實施形態的曝光裝置最終將曝光圖案(合成圖案)曝光在基板P上的曝光方法的第一實施形態進行說明。再者，一實施形態的說明中，塗佈於基板P上的光阻劑，是使用正型光阻劑。
圖7(A)中表示將照明光照射至圖4所示的光罩M1上具有相位構件PSP的第1區域IPA1而形成的圖案，曝光在基板P上所得的曝光圖案的一部分。圖中的斜線部表示較曝光光使光阻劑感光時所需的曝光量(以下稱作標準曝光量)更少的部分(以下稱作暗部)，斜線以外的部分表示曝光量多於標準曝光量的部分(以下稱作明部)。
對光罩M1上的具有相位構件PSP的第1區域IPA1照射照明光而形成的曝光圖案PI11，是線形的明部即明線部BL11與線形的暗部即暗線部DL11在X方向上以中心間隔P71排列的曝光圖案。而且，暗線部DL11的X方向上的寬度為W71。
圖7(B)中表示將對圖4所示的光罩M1上的第2區域MPA1照射照明光而形成的圖案，曝光在基板P上所成的曝光圖案PM11的一部分。使基板P一面在Y方向上相對於光學單元OU1進行掃描，一面進行曝光。因此，在基板P上、X座標與各透射部MBP11的X座標相一致的部分，藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，成為明部BL12。 另一方面，X座標與遮光部MDP11相一致的部分並未藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，因此成為暗部DL12。此時，暗部DL12的X方向上的寬度W72變得與光罩M1上的遮光部MDP11的X方向上的寬度W42大致相等。又，多個暗部DL12的X方向上的中心間隔與遮光部MDP11的X方向上的中心間隔XDP1相一致。
繼而，參照圖7(C)，對上述曝光圖案PI11與曝光圖案PM11的合成圖案即曝光圖案PS11進行說明。對第1區域IPA1或者第2區域MPA1照射照明光而形成在基板P上的曝光圖案上成為明部的部分，在合成圖案即曝光圖案PS11上亦成為明部BL13。因此，曝光圖案PS11中的暗部，僅限於在曝光圖案PI11與曝光圖案PM11中均成為暗部的部分。即，本曝光方法的第一實施形態中，微細週期曝光所形成的曝光圖案PI11中的多個暗線部DL11中每隔規定條數如每隔4條等的特定暗線部，可保留為曝光圖案PS11中的暗線部DL13。
然而，一實施形態中，由微細週期曝光而形成的干涉條紋IF1的特定的暗部與由中密度曝光而形成的光量分佈ID1的暗部，在基板P上重合而曝光。並且，干涉條紋IF1的特定暗部的寬度小於光量分佈ID1的暗部的寬度，因此，暗線部DL13的寬度取決於干涉條紋IF1的特定暗部的寬度。因此，可藉由增加微細週期曝光時的曝光量、且縮小光量分佈ID1的暗部的寬度，而形成更微細的暗線部DL13。
如以所上，本曝光方法的第一實施形態中，可藉由微細週期曝光與中密度曝光而高精度地曝光微細的圖案，並且可選擇性地保留該圖案中預期的圖案。
繼而，參照圖8、圖9以及圖10，對使用一實施形態的曝光裝置最終將曝光圖案(合成圖案)曝光在基板P上的曝光方法的第二實施形態進行說明。第二實施形態的曝光方法中，作為圖1所示的照明光學系統IL1的示例，使用的是圖8所示的照明光學系統。圖8所示的照明光學系統是由對光罩M1的光罩圖案區域進行照明的三個照明光學模組IM1~IM3及中繼光學系統85構成。如圖8所示，各照明光學模組IM1~IM3是以沿Y方向對互不相同的照明區域進行照明的方式而構成。例如，照明光學模組IM1中，自光源LS2發出的光束，經由準直透鏡(Collimated lens)81而成為平行光，透射過光圈82，射入至中繼透鏡(relay lens)群83。射入至中繼透鏡群83的光束，藉由反射鏡84而偏轉後射入至中繼光學系統85，對光罩M1的規定的光罩圖案區域進行照明。再者，關於照明光學模組IM2，除了其構成中無需反射鏡84之外，其餘部分均與照明光學模組IM1相同，故而省略說明。關於照明光學模組IM3，因亦與照明光學模組IM1相同，故而亦省略說明。又，圖8所示的照明光學系統中，可不存在中繼光學系統85。
繼而，對第二實施形態的曝光方法中可適用的光罩的構成進行說明。圖9是表示形狀著第二實施形態中的光罩 圖案的一部分的光罩M1的構成的一例的圖。光罩M1上的第1區域IPA2及第2區域MPA2，與圖4所示的曝光方法的第一實施形態中的光罩M1上的光罩圖案大致相同。光罩M1具有分別由微細週期光罩圖案與中密度光罩圖案中的任一個形成、且沿Y方向以規定間隔而配置的三個圖案區域(例如，第1區域IPA2、第2區域MPA2以及第3區域MPA3)。光罩M1上的第1區域IPA2中，形成著與圖4所示的微細週期光罩圖案相同的光罩圖案，且光罩M1上的第2區域MPA2中，形成著與圖4所示的中密度光罩圖案相同的光罩圖案。
光罩M1上的第3區域MPA3中，形成著含有透射部MBP22與遮光部MDP22的光罩圖案(中密度光罩圖案)，作為一例，多個長方形的透射部MBP22排列在X方向上。而且，多個透射部MBP22排列在X方向上的中心間隔，設為與第2區域MPA2中所示的遮光部MDP21的中心間隔XDP2相一致。又，透射部MBP22的X方向上的寬度W93，設在第1區域IPA2上的遮光部IDP21的寬度W91的1.5倍~2.5倍的範圍內。
又，例如，在上述照明光學模組IM1~IM3中，照明光學模組IM1是對光罩M1的第1區域IPA2進行照明的光學系統，照明光學模組IM2是對光罩M1的第2區域MPA2進行照明的光學系統，照明光學模組IM3是對光罩M1的第3區域MPA3進行照明的光學系統。
繼而，第二實施形態中，對藉由投影光學系統PL1而 曝光在基板P上的曝光圖案進行說明。其中，其概要與曝光方法的第一實施形態中所述的內容相同。圖10(A)是表示將對圖9所示的光罩M1上的第1區域IPA2照射照明光而形成的圖案，曝光在基板P上所形成的曝光圖案PI21的一部分的圖。光罩M1上的第1區域IPA2的光罩圖案，與圖4所示的光罩M1上的第1區域IPA1的光罩圖案大致相同。故而，曝光圖案PI21的概要亦與圖7(A)所示的曝光圖案PI11大致相同。即，形成在基板P上的曝光圖案PI21是線形的明部即明線部BL21與線形的暗部即暗線部DL21在X方向上以中心間隔P101排列的曝光圖案。再者，暗線部DL21的X方向上的寬度為W101。
圖10(B)是表示將對圖9所示的光罩M1上的第2區域MPA2照射照明光而形成的圖案，曝光在基板P上所得的曝光圖案PM21的一部分的圖。光罩M1上的第2區域MPA2的光罩圖案，與圖4所示的光罩M1上的第2區域MPA1的光罩圖案大致相同。故而，曝光圖案PM21的概要亦與圖7(B)所示的曝光圖案PM11大致相同。即，在基板P上、X座標與各透射部MBP21的X座標相一致的部分，藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，成為明部BL22。另一方面，X座標與遮光部MDP21相一致的部分並未藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，故而成為暗部DL22。此時，暗部DL22的X方向上的寬度W102與光罩M1上的遮光部MDP21的X方向上的寬度W92變得大致相等。又，多個暗部的X方向上的中心間隔與遮光部 MDP21的X方向上的中心間隔XDP2相一致。
繼而，參照圖10(C)，對上述曝光圖案PI21與曝光圖案PM21的合成圖案即曝光圖案PS21進行說明。第1區域IPA2的光罩圖案以及第2區域MPA2的光罩圖案，與圖4所示的第1區域IPA1的光罩圖案以及第2區域MPA1的光罩圖案大致相同。故而，曝光圖案PS21的概要亦與圖7(C)所示的曝光圖案PS11大致相同。即，曝光圖案PS21是將微細週期曝光所形成的曝光圖案PI21中的多個暗線部DL21中的每隔規定個數例如每隔4個等的特定暗線部，保留為曝光圖案PS21中的暗線部DL23所得的曝光圖案。
圖10(D)表示第二實施形態中形成在光罩M1上的第3區域MPA3內的、含有透射部MBP22與遮光部MDP22的光罩圖案的一部分(與圖9中形成在第3區域MPA3內的光罩圖案大致相同)。而且，當利用投影光學系統PL1對基板P進行曝光時，與基板P的相對掃描聯動，分時地反覆進行例如使對第3區域MPA3進行照明的照明光學模組IM3的光源LS4發光以及停止發光。即，對基板P進行掃描曝光的過程中，藉由未圖示的控制機構，向發光控制器LC4(未圖示)發出指令，每隔規定時間、或者每當進行規定距離的掃描時，使光源LS4反覆進行發光以及停止發光動作。藉此，分時地反覆藉由照明光學模組IM3而對光罩的第3區域MPA3照射或者不照射照明光。進而，分時地反覆藉由投影光學系統P1而對基板P照射或者不照 射曝光光。
圖10(E)中表示藉由上述曝光而曝光在基板P上的曝光圖案PM22的一例。在基板P上、光源LS4發光時僅有配置在透射部MBP22的正下方的部分即分散的多個長方形區域成為明部BL24，而除此以外的部分成為暗部DL24。此時，明部BL24的X方向上的寬度W106與透射部MBP22的X方向上的寬度W104大致相等。並且，明部BL24的Y方向上的中心間隔YDP4，取決於藉由發光控制器LC4(未圖示)而使光源LS4反覆停止發光的時間間隔、以及利用基板平台PS的基板P的掃描速度。因此，可藉由對光源LS4的停止發光的間隔及基板平台PS的掃描速度加以控制，而控制中心間隔YDP4。又，進而亦可藉由亦控制光源LS4的發光時間以及停止時間的占空比(Duty ratio)，而控制形成在明部BL24的Y方向之間的暗部DL24的Y方向上的寬度W107。
再者，較理想的是，光罩M1上的第3區域MPA3的透射部MBP22的Y方向上的寬度W105，設為小於上述曝光圖案PM22上的明部BL24的Y方向上的寬度、即小於自明部BL24的中心間隔YDP4減去形成在其間的暗部DL24的Y方向上的寬度W107後所得的值。其原因在於，若透射部MBP22的Y方向上的寬度W105大於上述所得的值，則難以用預期的Y方向上的寬度來形成明部BL24。
繼而，參照圖10(F)，對上述曝光圖案PS21與曝光圖案PM22的合成圖案即曝光圖案PS22進行說明。第二 實施形態中，對第1區域IPA2、第2區域MPA2、第3區域MPA3中的任一個圖案區域照射照明光而形成的曝光圖案中成為明部的部分，在合成圖案即曝光圖案PS22中亦成為明部BL25。因此，曝光圖案PS22中的暗部，在曝光圖案PS21及曝光圖案PM22中均限於暗部部分。即，本曝光方法的第二實施形態中，作為最終形成在基板P上的暗部，可選擇微細週期曝光所形成的曝光圖案PI21中的多個暗線部DL21中的每隔規定條數、例如每隔4條的特定暗線部，並且其中僅使Y方向上的特定區域為暗線部DL25。
以上所述，本曝光方法的第二實施形態中，藉由微細週期曝光及中密度曝光而高精度地曝光微細的圖案，並且可選擇性地保留該圖案中預期的圖案，從而可限定於在Y方向上亦具有預期寬度的特定區域。
繼而，參照圖11~圖14，對使用一實施形態的曝光裝置將曝光圖案(合成圖案)最終曝光在基板P上的第三實施形態進行說明。本曝光方法的第三實施形態，與上述第二實施形態的相同之處較多，因此，以下尤其僅對本曝光方法與第二實施形態的不同點進行說明。再者，第三實施形態中，與上述第二實施形態相同，亦使用圖8所示的照明光學系統。
首先，對於第三實施形態的曝光方法中可適用的光罩的構成進行說明。圖11是表示形成著第三實施形態中的光罩圖案的一部分的光罩M1的構成的一例。光罩M1上的 第1區域IPA3、第2區域MPA4、第3區域MPA5，與圖9所示的曝光方法的第二實施形態中的光罩M1上的光罩圖案大致相同。光罩M1上的第1區域IPA3內，形成著含有透射部IBP31、IBP32與遮光部IDP31的光罩圖案，且與圖9所示的第1區域IPA2相同，具有在規定的透射部設有相位構件PSP的透射部IBP32。如圖11所示，設有上述相位構件PSP的透射部IBP32，配置在未設有相位構件PSP的透射部IBP31的X方向上的兩側。
光罩M1上的第2區域MPA4內，形成著含有透射部MBP31與遮光部MDP31的光罩圖案。形成在第2區域MPA4內的遮光部MDP31，配置在與第1區域IPA3內所形成的規定的多個遮光部IDP31相對應的位置上。具體而言，遮光部MDP31以如下方式形成，即形成在第1區域IPA3內的特定的透射部IBP31的X方向上的寬度的中心線，與第2區域MPA4的特定的遮光部MDP31的X方向上的寬度的中心線重合。又，形成在第2區域MPA4上的遮光部MDP31的數量，可根據曝光在基板P上的規定條數的圖案而設定。而且，遮光部MDP31的X方向上的寬度W112，設在第1區域IPA3上的遮光部IDP31的寬度W111的1.5倍~2.0倍的範圍內。
光罩M1上的第3區域MPA5中，形成著含有透射部MBP32與遮光部MDP32的光罩圖案，作為一例，多個長方形的透射部MBP32排列在X方向上。而且，多個透射部MBP32排列在X方向上的中心間隔，設為與第2區域 MPA4中的遮光部MDP31的中心間隔XDP3相一致。又，透射部MBP32的X方向上的寬度W113，設為與第2區域MPA4上的遮光部MDP31的寬度W112大致相同。
繼而，第三實施形態中，對藉由投影光學系統PL1而曝光在基板P上的曝光圖案進行說明。其中，其概要與曝光方法的第二實施形態中所述的內容大致相同。圖12(A)是表示將對圖11所示的光罩M1上的第1區域IPA3照射照明光而形成的圖案，曝光在基板P上所得的曝光圖案PI31的一部分的圖。形成在基板P上的曝光圖案PI31是由線形的明部即明線部BL31與線形的暗部即暗線部DL31在X方向上以中心間隔P121排列的曝光圖案。而且，暗線部DL31的X方向上的寬度為W121。
圖12(B)是表示將對圖11所示的光罩M1上的第2區域MPA4照射照明光而形成的圖案，曝光在基板P上所得的曝光圖案PM31的一部分的圖。使基板P一面在Y方向相對於光罩M1進行掃描一面進行曝光。因此，在基板P上、X座標與各透射部MBP31的X座標相一致的部分，藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，成為明部BL32。另一方面，X座標與遮光部MDP31相一致的部分，並未藉由掃描曝光而受到曝光光的照射，因此成為暗部DL32。此時，暗部DL32的X方向上的寬度W123，與光罩M1上的遮光部MDP31的X方向上的寬度W112大致相等。又，多個暗部的X方向上的中心間隔，與光罩M1上的遮光部MDP31的X方向上的中心間隔XDP3相一致。即，暗部 DL32是以如下方式而曝光，即，微細週期曝光所形成的曝光圖案PI31中特定的明部BL31的X方向上的寬度的中心線，與暗部DL32的X方向上的寬度中心線重合。
繼而，參照圖12(C)，對上述曝光圖案PI31與曝光圖案PM31的合成圖案即曝光圖案PS31進行說明。對第1區域IPA3或者第2區域MPA4中的任一個圖案區域照射照明光而形成在基板P上的曝光圖案中成為明部的部分，在合成圖案即曝光圖案PS31中亦成為明部BL33。因此，曝光圖案PS31中的暗部，在曝光圖案PI31與曝光圖案PM31中均限於暗部部分。即，本曝光方法的第三實施形態中，可將微細週期曝光所形成的曝光圖案PI31中的多個暗線部DL31中的每隔規定條數例如每隔4條等而鄰接的兩條特定暗線部，保留為曝光圖案PS31中的暗線部DL33。
圖12(D)是表示第三實施形態中形成在光罩M1上的第3區域MPA5內的、含有透射部MBP32與遮光部MDP32的光罩圖案的一部分(與圖11中形成在第3區域MPA5內的光罩圖案大致相同)。而且，與曝光方法的第二實施形態相同，當利用投影光學系統PL1對基板P進行曝光時，與基板P的相對掃描聯動，分時地反覆使例如對第3區域MPA5進行照明的照明光學模組IM3的光源LS4進行發光以及停止發光。即，對基板P進行掃描曝光的過程中，藉由未圖示的控制機構而向發光控制器LC4(未圖示)發出指令，每隔規定時間、或者每當進行規定距離的掃描時，反覆使光源LS4進行發光以及停止發光動作。藉此， 分時地利用照明光學模組IM3反覆對光罩的第3區域MPA5照射或者不照射照明光。進而，分時地利用投影光學系統PL1反覆對基板P照射或者不照射曝光光。
圖12(E)中表示藉由上述曝光而曝光在基板P上的曝光圖案PM32的一例。在基板P上、光源LS4發光時僅有配置在透射部MBP32的正下方的部分即分散的多個長方形區域成為明部BL34，而除此以外的部分成為暗部DL34。此時，明部BL34的X方向上的寬度W127與透射部MBP32的X方向上的寬度W125大致相等。而且，明部BL34的Y方向上的中心間隔YDP6，取決於藉由發光控制器LC4(未圖示)而使光源LS4反覆停止發光的時間間隔、及利用基板平台PS的基板P的掃描速度。故而，可藉由對光源LS4的停止發光的間隔、及基板平台PS的掃描速度進行控制，而控制中心間隔YDP6。又，進而，亦可藉由亦對光源LS4的發光時間以及停止時間的占空比進行控制，而控制形成在明部BL34的Y方向之間的暗部DL34的Y方向上的寬度W128。
繼而，參照圖12(F)，對上述曝光圖案PS31與曝光圖案PM32的合成圖案即曝光圖案PS32進行說明。第三實施形態中，對第1區域IPA3、第2區域MPA4、第3區域MPA5中的任一個圖案區域照射照明光而形成在基板P上的曝光圖案中成為明部的部分，在合成圖案即曝光圖案PS32上亦成為明部BL35。因此，曝光圖案PS32中的暗部，在曝光圖案PS31及曝光圖案PM32中均限於暗部部分。 即，第三實施形態中，作為最終形成在基板P上的暗部，可選擇微細週期曝光所形成的曝光圖案PI31中的多個暗線部DL31中的每隔規定條數、例如4條等而鄰接的兩個特定暗線部，且使其中僅Y方向上的特定區域為暗線部DL35。
繼而，對第四實施形態的曝光方法中可適用的光罩的構成進行說明。再者，該光罩是圖11所示的光罩M1的變形例。圖13是表示形成著第四實施形態中的光罩圖案的一部分的光罩M1的構成的一例。光罩M1上的第1區域IPA4以及第2區域MPA6，與圖11所示的曝光方法的第三實施形態中的光罩M1上的光罩圖案相同。因此，省略關於第1區域IPA4以及第2區域MPA6的說明。光罩M1上的第3區域MPA7內形成著含有透射部MBP42與遮光部MDP42的光罩圖案。而且，多個透射部MBP42排列在X方向上的中心間隔，設為與第2區域MPA6中的遮光部MDP41的中心間隔XDP4相同。又，透射部MBP42的X方向上的寬度W133，設為與第2區域MPA6上的遮光部MDP41的寬度W132大致相同。進而，透射部MBP42的形狀，與圖11的第3區域MPA5的透射部MBP32不同，是在＋Y方向以及－Y方向上具有突出部的形狀。又，上述突出部中的一方在＋Y方向上具有規定的寬度W134，而另一方是在－Y方向上具有規定的寬度W135。
繼而，參照圖14，對使用圖13所示的光罩M1而曝光在基板P上的曝光圖案進行說明。其中，其概要與圖12 中所示的曝光圖案大致相同。即，圖13所示的光罩M1上的第1區域IPA4以及第2區域MPA6的光罩圖案，與圖11所示的第1區域IPA3以及第2區域MPA4的光罩圖案大致相同。因此，省略關於圖14(A)的曝光圖案PI41、圖14(B)的曝光圖案PM41以及圖14(C)的曝光圖案PS41的說明。
圖14(D)是表示形成在光罩M1上的第3區域MPA7內的、含有透射部MBP42與遮光部MDP42的光罩圖案的一部分(與圖13中形成在第3區域MPA7內的光罩圖案大致相同)的圖。而且，與曝光方法的第二實施形態相同，當利用投影光學系統PL1曝光在基板P上時，與基板P的相對掃描聯動，分時地反覆使例如對第3區域MPA7進行照明的照明光學模組IM3的光源LS4發光以及停止發光。即，在對基板P進行掃描曝光的過程中，藉由未圖示的控制機構而向發光控制器LC4(未圖示)發出指令，每隔規定時間、或者每當進行規定距離的掃描時，反覆使光源LS4進行發光以及停止發光動作。藉此，分時地利用照明光學模組IM3反覆向光罩的第3區域MPA7照射或者不照射照明光。進而，分時地利用投影光學系統PL1反覆向基板P照射或者不照射曝光光。
圖14(E)中表示藉由上述曝光而曝光在基板P上的曝光圖案PM42的一例。在基板P上、光源LS4發光時僅配置在透射部MBP42的正下方的部分即分散的多個長方形區域成為明部BL44，而除此以外的部分成為暗部 DL44。此時，明部BL44的X方向上的寬度W142與透射部MBP42的X方向上的寬度W140大致相等。而且，明部BL44的Y方向上的中心間隔YDP8，取決於藉由發光控制器LC4而反覆使光源LS4停止發光的時間間隔、及利用基板平台PS的基板P的掃描速度。因此，可藉由對光源LS4的停止發光的間隔及基板平台PS的掃描速度進行控制，而控制中心間隔YDP8。又，進而，亦可藉由亦控制光源LS4的發光時間以及停止時間的占空比，而控制形成在明部BL44的Y方向之間的暗部DL44的Y方向上的寬度W143。
繼而，參照圖14(F)，對曝光圖案PS41與曝光圖案PM42的合成圖案即曝光圖案PS42進行說明。第四實施形態中，對第1區域IPA4、第2區域MPA6、第3區域MPA7中的任一個圖案區域照射照明光而形成在基板P上的曝光圖案中成為明部的部分，在合成圖案即曝光圖案PS42中亦為明部BL45。因此，曝光圖案PS42中的暗部，在曝光圖案PS41與曝光圖案PM42中均限於暗部部分。即，第四實施形態中，作為最終形成在基板P上的暗部，可選擇利用微細週期曝光所形成的曝光圖案PI41中的多個暗線部DL41中每隔規定條數、例如每隔4條等而鄰接的兩個特定暗線部，且其中僅使Y方向上的特定區域為暗線部DL45，進而，鄰接的兩個暗線部DL45可在Y方向上相互錯開規定寬度(W145、W146)而形成。
如上所述，本曝光方法的第三以及第四實施形態中， 不僅可藉由微細週期曝光及中密度曝光而高精度地曝光微細的圖案，並且選擇性地保留該圖案中預期的鄰接的多條圖案，從而可限定於在Y方向上亦具有預期寬度的特定區域。
再者，上述各實施形態中，各圖所示的光罩圖案以及曝光圖案表示光罩M1等或者局部區域E1等中的一部分圖案。因此，實際上，當然可藉由上述各實施形態的曝光方法，而在局部區域E1等的整個表面上形成多個曝光圖案。又，亦當然可藉由使用多個光罩M1~M7，而在基板P上的大致整個表面形成多個曝光圖案。進而，各實施形態的曝光方法中所使用的光罩為可適用於一實施形態的曝光裝置的光罩的一例，光罩M1~M7的構成並不限於各圖所示的示例。
然而，各實施形態中，照明光學系統的光源LS1~LS3，在掃描曝光時一直發光，但當然，亦可根據應曝光在基板P上的曝光圖案的形狀，與照明光學系統的光源LS4相同，在掃描曝光過程中反覆進行發光以及停止發光。
再者，當然上述各實施形態的曝光方法，亦可與正型光阻劑或者負型光阻劑中的任一種光阻劑組合使用。
又，一實施形態的曝光裝置中，具備多個投影光學系統PL1~PL7，將基板P的整個表面劃分為局部區域E1~E7，對各個局部區域E1~E7使用與其分別對應的投影光學系統PL1~PL7進行曝光。因此，各個投影光學系統PL1~PL7在X方向上分別具有包括應曝光的局部區域E1~ E7的曝光視野，且該曝光視野的形狀較理想的是由平行於X方向及Y方向的兩組邊所規定的長方形。其中，一實施形態的曝光裝置中，亦可在基板P上的各局部區域E1~E7之間配置重複區域V1~V6。如上所述，例如，圖3中的重複區域V1，是受到與其鄰接的兩個局部區域E1、E5所對應的兩個投影光學系統PL1以及PL5重複曝光的區域。在設置如此的重複區域V1~V6時，投影光學系統PL1~PL7各自的曝光視野形狀，較好的是具有平行於X方向的兩邊的梯形。
再者，一實施形態的說明中，作為一例，使用光學單元OU1進行了說明，光學單元OU2~OU7與光學單元OU1相同，故而省略說明。
然而，當利用一實施形態的曝光裝置進行曝光時，亦存在如下情況，即在基板P上已經利用以前的步驟而形成著某些基板圖案，與該基板圖案保持規定的位置關係，而曝光新穎的圖案。因此，如圖1所示，一實施形態的曝光裝置上配置著位置檢測光學系統ALR1、ALR2。而且，在進行上述各實施形態中的曝光之前，可藉由位置檢測光學系統ALR1、ALR2而檢測出在基板P上現存的基板圖案的位置，根據檢測出的位置資訊，與現存的基板圖案保持規定的位置關係，在基板P上曝光新的曝光圖案。進而，亦可一面對形成在基板P上的基板圖案的位置進行檢測，一面進行上述各實施形態中的掃描曝光。此時，將位置檢測光學系統ALR1、ALR2所檢測出的基板圖案的位置資訊傳 輸至未圖示的位置控制系統。而且，位置控制系統根據該位置資訊計算出基板平台PS的目標控制位置，向包括動子LM1、LM2及設在定盤BP上的定子LG1、LG2的線性馬達系統傳輸控制信號，來對基板平台PS進行位置控制。
又，亦可根據位置檢測光學系統ALR1、ALR2所檢測出的、基板P上的基板圖案的Y方向位置，控制照明光學系統IL1等的發光控制器，從而控制光源的發光。即，當光罩M1的第3區域MPA3等與基板圖案中的規定圖案成為規定關係時，對第3區域MPA3等進行曝光，而在光罩M1的第3區域MPA3等與基板圖案中的規定圖案並未成為規定關係時，亦可停止對第3區域MPA3等進行曝光。
然而，一實施形態中的光罩可為遠遠小於作為曝光對象的基板的光罩。光罩的具體尺寸，可例如為能夠容易地獲得高精度的光罩的尺寸，即，可使用具有一邊小於等於100 mm的圖案區域的光罩，以能夠收容在LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)用的微影步驟中通常所使用的150 mm見方的光罩基板上。
再者，一實施形態中的光罩，作為一例而使用透射型光罩，但亦可使用反射型光罩。又，作為反射型光罩，亦可使用由例如可動式微鏡面陣列(micromirror array)而構成的光罩(可變成形光罩等)。
進而，一實施形態中的光罩，作為一例是在光罩的第1區域配置微細週期光罩圖案，而在第2區域配置中密度光罩圖案，但當然，亦可在光罩的第1區域配置中密度光 罩圖案，而在第2區域配置微細週期光罩圖案。
然而，一實施形態中照射至光罩上的第1區域、第2區域以及第3區域的照明光，亦可具有各不相同的照明條件(例如，相干度(coherence factor)(照明光學系統的射出側數值孔徑/投影光學系統的射入側數值孔徑)、變形照明等)。具體而言，例如可使用一種照明光學系統，其以具有較小相干度(例如、照明光的入射角度範圍小於等於±1∘)的照明光照射第1區域，而以具有普通的相干度的照明光照射第2區域或者第3區域。
進而，例如亦可使用一種照明光學系統，其對第1區域、第2區域以及第3區域，照射僅在其光罩圖案的週期方向(或者規定的一個方向)具有較小的相干度、而在與其週期方向正交的方向上具有較大的相干度的照明光。作為上述照明光學系統，可使用例如國際公開(WO)第2006/075720號(特別是，圖6、圖7、圖8、圖9)中所揭示的照明光學系統。
繼而，參照圖15以及圖16，對使用一實施形態的曝光裝置以及曝光方法製造平面顯示器用基板的製造方法的一例進行說明。圖15是表示構成平面顯示器的一種即液晶顯示器的玻璃基板上所形成的顯示像素部(例如、TFT(thin－film transistor，薄膜電晶體)部)。以下，對於圖15所示的多個顯示像素中，包括透明電極PE1、構成電晶體的主動區(active area)TR1、源極電極TS1以及汲極電極TD1的顯示像素進行說明。再者，該顯示像素上連接著用 來傳輸顯示信號的信號線SL1、以及用來選擇該顯示像素的選擇線GL1。
一實施形態的顯示像素部的製造是藉由以下各步驟而進行的。首先，第1步驟中，如圖16(A)所示，在玻璃基板上形成選擇線GL1。如圖15所示，因在一個方向上延伸的線形圖案是在與其正交的方向上以較大的週期排列的多個基板圖案GL1、GL2、GL3中的一部分，因此，可利用圖7所示的上述曝光方法的第一實施形態中的曝光來形成選擇線GL1。因此，在玻璃基板上形成作為選擇線GL的材料的鋁或鉭等的金屬薄膜，且在其上塗佈正型光阻劑，實施上述第一實施形態中的曝光。而且，使光阻劑顯影，將所得的光阻劑圖案作為蝕刻光罩對上述金屬薄膜進行蝕刻，藉此，形成選擇線GL1、GL2、GL3。
繼而，第2步驟中，如圖16(B)所示，使構成薄膜電晶體的主動區TR1所形成的基板圖案與選擇線GL1交叉而形成。主動區TR1是具有規定長度的線形圖案，且是根據各顯示像素的排列週期而週期性地二維排列的基板圖案TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6的一部。因此，對於主動區TR1而言，亦可由圖10所示的上述曝光方法的第二實施形態中的曝光而形成。因此，在玻璃基板上形成作為主動區TR1的材料的非晶矽或多晶矽等的半導體薄膜，且在其上塗佈正型光阻劑，實施上述第二實施形態中的曝光。而且，使光阻劑顯影，將所得的光阻劑圖案作為蝕刻光罩對上述半導體薄膜進行蝕刻，藉此，可形成主動 區TR1。其中，當進行曝光時，在曝光選擇線GL時，必須將玻璃基板旋轉90度而裝填至一實施形態的曝光裝置中。其原因在於，在選擇線GL與主動區TR1上，基板圖案的長度方向相差90度。
繼而，第3步驟中，如圖16(C)所示，在主動區TR1的兩端部形成作為薄膜電晶體的電極的源極電極TS1與汲極電極TD1。源極電極TS1與汲極電極TD1是，在與選擇線GL1平行的方向上具有規定長度，且在與選擇線GL1平行的方向上錯開規定長度而鄰接配置的兩條線形圖案。而且，該兩條線形圖案所成的線形圖案對，是根據各顯示像素的排列週期而週期性地二維排列的基板圖案TS1、TD1、TS2、TD2、TS3、TD3、TS4、TD4、TS5、TD5、TS6、TD6中的一部分。因此，源極電極TS1與汲極電極TD1，可利用圖11~圖14所示的上述曝光方法的第三實施形態(特別是圖13以及圖14所示的第四實施形態)中的曝光而形成。因此，在玻璃基板上形成作為源極電極TS1與汲極電極TD1的材料的鋁等的金屬薄膜或者非晶矽等的半導體薄膜，且在其上塗佈正型光阻劑，實施上述第三實施形態中的曝光。而且，使光阻劑顯影，將所得的光阻劑圖案作為蝕刻光罩對上述薄膜進行蝕刻，藉此可獲得源極電極TS1與汲極電極TD1。
繼而，第4步驟中，如圖16(D)所示，使信號線SL1位置對準於源極電極而形成。信號線SL1是在與選擇線GL1正交的方向上延伸的線形圖案，且是根據各顯示像素 的排列週期而週期性地一維排列的基板圖案SL1、SL2的一部分。因此，信號線SL1可利用圖7所示的上述曝光方法的第一實施形態中的曝光而形成。因此，在玻璃基板上形成作為信號線SL1的材料的鋁等的金屬薄膜、或者非晶矽等的半導體薄膜，且在其上塗佈正型光阻劑，實施上述第一實施形態中的曝光。而且，使光阻劑顯影，將所得的光阻劑圖案作為蝕刻光罩而對上述薄膜進行蝕刻，藉此，可形成信號線SL1。其中，當進行曝光時，在曝光選擇線GL時，必須將玻璃基板選擇旋轉90度而裝填在一實施形態的曝光裝置中。其原因在於，在選擇線GL與信號線SL1上，基板圖案的長度方向相差90度。
繼而，第5步驟中，使透明電極PE1、PE2、PE3、PE4、PE5、PE6各自以其一部分位置對準於所對應的汲極電極的方式形成。其中，各個透明電極PE1~PE6的寬度，與源極電極、汲極電極等其他要素相比，並不微細。因此，當形成透明電極PE1~PE6時，可不使用本發明的曝光方法的各實施形態中的曝光，而是使用先前的採用接近曝光(proximity exposure)或投影曝光的方法來形成。
以上，完成液晶顯示器中所使用的基板上的顯示像素部的製造。再者，當然，在上述第1至第5步驟的曝光中，當應形成的基板圖案並非如此微細時，亦可不使用各實施形態的曝光方法，而是使用例如先前的採用接近曝光或投影曝光的方法。又，當說明上述顯示像素部的製造方法時，當然可組合使用各種公知技術，而製造平面用基板。
再者，上述平面顯示器用基板的製造方法並不限於上述實施形態，亦可在上述基板的製造步驟中的至少一個步驟中，使用各實施形態中的曝光方法來形成任意的曝光圖案。
又，上述實施形態中，所謂鄰接是指，例如如圖2所示，光罩的微細週期光罩圖案區域與中密度光罩圖案區域並非必須接觸，而可相隔規定距離。再者，一實施形態中，例如較理想的是光罩的微細週期光罩圖案區域與中密度光罩圖案區域，是相隔大於等於微細週期光罩圖案區域的Y方向上的寬度、且小於等於該寬度的5倍以下的範圍內的距離而配置著。本發明並不限於上述實施形態，可在不脫離本發明範圍的範圍內對其構成要素進行多種變更或變形。又，在實施本發明時，上述實施形態中說明的構成要素可以任意的組合而裝配(assemble)。例如，亦可省略上述實施形態的構成要素中的若干個。進而，亦可將不同實施形態中的構成要素加以適當地組合。
[產業上之可利用性]
本發明的曝光方法，可使用於半導體積體電路、平面顯示器、薄膜磁頭(thin film magnetic head)、微型機器等電子設備的製造中，且可在產業上加以利用。
本發明的曝光裝置，可使用於半導體積體電路、平面顯示器、薄膜磁頭、微型機器等電子設備的製造中，且可在產業上加以利用。
而且，本發明的平面顯示器用基板的製造方法，可使 用於平面顯示器用基板的製造中，且可在產業上加以利用。
ALR1、ALR2‧‧‧位置檢測光學系統
BP‧‧‧定盤
IPA‧‧‧微細週期光罩圖案區域
MPA‧‧‧中密度光罩圖案區域
IPA1、IPA2、IPA3、IPA4‧‧‧第1區域
MPA1、MPA2、MPA4、MPA6‧‧‧第2區域
MPA3、MPA5、MPA7‧‧‧第3區域
BL、BL11、BL12、BL13、BL21、BL22、BL24、BL25、BL31、BL32、BL33、BL34、BL35、BL44、BL45‧‧‧明線部
DL、DL11、DL12、DL13、DL21、DL22、DL23、DL24、DL25、DL31、DL32、DL33、DL34、DL35、DL41、DL44、DL45‧‧‧暗線部
DA1‧‧‧遮光帶
E1~E7‧‧‧局部區域
GL、GR‧‧‧導槽
GL1、GL2、GL3‧‧‧選擇線
I1~I5‧‧‧照明光
IBP11、IBP12、MBP11‧‧‧透射部
ID1‧‧‧光量分佈
IDP11~IDP31、MDP11‧‧‧遮光部
IF1‧‧‧干涉條紋
IL1~IL7‧‧‧照明光學系統
IM1~IM3‧‧‧照明光學模組
M1~M7‧‧‧光罩
LC1~LC4‧‧‧發光控制器
LS1~LS4‧‧‧光源
LM1、LM2‧‧‧線性馬達動子
LG1、LG2‧‧‧線性馬達定子
OU1~OU7‧‧‧光學單元
OUG1、OUG2‧‧‧光學單元群
P‧‧‧基板
PS‧‧‧基板平台
PI11、PI21、PM11、PM21、PS11、PS21‧‧‧曝光圖案
P71、P101、P121、XDP1、XDP2、XDP3、XDP4、YDP4、YDP6、YDP8‧‧‧中心間隔
PE1~PE6‧‧‧透明電極
PL1~PL7‧‧‧投影光學系統
PSP‧‧‧相位構件
S‧‧‧面
SL1、SL2‧‧‧信號線
TD1~TD6‧‧‧汲極電極
TR1~TR6‧‧‧主動區
TS1~TS6‧‧‧源極電極
V1~V6‧‧‧重複區域
W41、W42、W71、W72、W91、W93、W101、W102、W104、W105、W106、W107、W111、W112、W113、W121、W123、W125、W127、W128、W132、W133、W134、W135、W140、W142、W143、W145、W146‧‧‧寬度
XP1、XP2‧‧‧間隔
81~85‧‧‧中繼光學系統
圖式中表示了具有本發明的多種特徵的概略性構造。圖式及其相關說明，是為了表述本發明的各種實施形態而提供的，並不限制本發明的範圍。
圖1是表示本發明的實施形態中的曝光裝置的概略的立體圖。
圖2是表示本發明的實施形態中的光罩的概要的圖。
圖3(A)至圖3(B)是表示本發明的實施形態中的投影光學系統與基板的配置等的圖。圖3(A)是表示本實施形態中的投影光學系統的配置的圖，圖3(B)是表示藉由本實施形態的曝光裝置而曝光後的基板上的曝光區域的圖。
圖4是表示可適用於本發明的曝光方法的第一實施形態的光罩的一例的圖。
圖5是表示本發明的實施形態中的微細週期曝光的概要的圖。
圖6是表示本發明的實施形態中的中密度曝光的概要的圖。
圖7(A)至圖7(C)是表示本發明的曝光方法的第一實施形態的圖。
圖8是表示本發明的實施形態中的照明光學系統的變形例的圖。
圖9是表示可適用於本發明的曝光方法的第二實施形態的光罩的一例的圖。
圖10(A)至圖10(F)是表示本發明的曝光方法的第二實施形態的圖。
圖11是表示可適用於本發明的曝光方法的第三實施形態的光罩的一例的圖。
圖12(A)至圖12(F)是表示本發明的曝光方法的第三實施形態的圖。
圖13是表示可適用於本發明的曝光方法的第四實施形態的光罩的一例的圖。
圖14(A)至圖14(F)是表示本發明的曝光方法的第四實施形態的圖。
圖15是表示液晶顯示器用基板的一部分的圖。
圖16(A)至圖16(D)是本發明的實施形態中的平面顯示器用基板的製造方法的說明圖。
ALR1、ALR2‧‧‧位置檢測光學系統
BP‧‧‧定盤
E1~E7‧‧‧局部區域
GL、GR‧‧‧導槽
IL1~IL7‧‧‧照明光學系統
LG1、LG2‧‧‧線性馬達定子
LM1、LM2‧‧‧線性馬達動子
M1~M7‧‧‧光罩
OUG1、OUG2‧‧‧光學單元群
OU1~OU7‧‧‧光學單元
PL1~PL7‧‧‧投影光學系統
P‧‧‧基板
PS‧‧‧基板平台

Claims (31)

  1. 一種曝光方法，利用照明光對光罩進行照明，且使用上述光罩上的光罩圖案對基板進行曝光，包括：使上述基板在上述基板的面內方向即掃描方向上相對於上述光罩而進行相對掃描；以及在上述相對掃描過程中對上述基板進行曝光，其中包括一併進行：微細週期曝光，使用形成在上述光罩的第1區域內的微細週期光罩圖案；及中密度曝光，使用形成在上述光罩的第2區域內的中密度光罩圖案，並且，上述第1區域與上述第2區域是在上述掃描方向鄰接而配置著。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的曝光方法，其中上述微細週期光罩圖案包括相位構件，該相位構件使該微細週期光罩圖案的一部分產生規定的相位差。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的曝光方法，其中上述相位構件相對於上述照明光而產生大致為(2n+1)π[rad](其中，n為整數)的相位差。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述中密度光罩圖案是對應於上述微細週期光罩圖案而形成。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述中密度曝光包括使用上述中密度光罩圖案而在上述基板上形成與上述中密度光罩圖案的透射部的形狀相對 應的光量分布的階段。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中在上述相對掃描過程中對上述基板進行曝光的這件事包括：進行上述微細週期曝光及上述中密度曝光，以使藉由上述微細週期曝光而形成於上述基板上的曝光圖案的特定暗線部、與藉由上述中密度曝光而形成於上述基板上的曝光圖案的特定暗線部在上述基板上位置對準。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述的曝光方法，其中上述微細週期曝光包括將具有多個暗線部及多個明線部的曝光圖案曝光在上述基板上的階段，上述中密度曝光包括以下曝光階段，即，將藉由上述微細週期曝光而形成在上述基板上的多個暗線部中至少一個特定的暗線部仍保留為暗線部，而使其他暗線部成為明部。
  8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述微細週期曝光包括將具有多個暗線部及多個明線部的曝光圖案曝光在上述基板上的階段，上述中密度曝光包括以下曝光階段，即，在藉由上述微細週期曝光而形成在上述基板上的多個暗線部中的至少一個特定暗線部中，將規定在上述掃描方向的規定位置上的特定區域仍保留為暗線部。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述微細週期曝光包括將具有多個暗線部及多個明線部的曝光圖案曝光在上述基板上的階段，上述中密度曝光包括以下曝光階段，即，在藉由上述微細週期曝光而形成在上述基板上的多個暗線部中鄰接排列的至少兩條特定暗線部中，將規定在上述掃描方向的規定位置上的特定區域仍保留為暗線部。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述中密度曝光包括分時地切換對上述基板照射或者不照射曝光光來進行曝光的階段。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中使上述基板進行相對掃描的這件事包括使上述基板在上述基板的面內方向即掃描方向上相對於各自為上述光罩的多個光罩進行相對掃描，在上述相對掃描過程中對上述基板進行的曝光的這件事包括：以使用上述多個光罩的光罩圖案對上述基板進行曝光的方式來進行上述微細週期曝光及上述中密度曝光，該多個光罩沿與上述掃描方向大致正交的非掃描方向配置成鋸齒狀。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中 上述光罩的一邊的長度小於等於150mm。
  13. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，其中上述相對掃描過程中對上述基板進行的曝光的這件事包括使用具有互不相同的照明條件的照明光來進行上述微細週期曝光及上述中密度曝光。
  14. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的曝光方法，更包括：在上述相對掃描過程中對上述基板上的基板圖案的位置資訊進行檢測；以及根據上述位置資訊對上述光罩與上述基板的位置關係進行控制。
  15. 一種平面顯示器用基板的製造方法，含有曝光步驟，該製造方法包括使用如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述的曝光方法，來進行上述曝光步驟中的至少一部分步驟。
  16. 一種平面顯示器用基板的製造方法，含有薄膜電晶體的形成步驟，該製造方法包括在上述薄膜電晶體的源極電極以及汲極電極的形成步驟中，使用如申請專利範圍第9項所述的曝光方法。
  17. 一種曝光裝置，將圖案曝光於基板上，包括：光學單元，含有照明光學系統及投影光學系統； 可動機構，使上述基板在上述基板的面內方向即掃描方向上，相對於上述光學單元進行相對掃描；及光罩保持機構，能夠將光罩保持在上述光學單元所規定的第1面上；且上述照明光學系統，對在上述掃描方向上鄰接而配置在上述第1面上的第1區域以及第2區域照射照明光，上述投影光學系統，將包括上述第1區域及上述第2區域的上述第1面上的區域的至少一部分投影至上述基板上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的曝光裝置，包括多個光學單元，各自為上述光學單元。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的曝光裝置，其中上述多個光學單元，沿與上述掃描方向大致正交的非掃描方向而配置成鋸齒狀。
  20. 如申請專利範圍第18項或第19項所述的曝光裝置，其中上述多個光學單元，在上述基板上劃定含有重疊區域的曝光區域。
  21. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述照明光學系統包括切換機構，該切換機構能夠分時地切換上述照明光照射或者不照射至上述第1區域以及上述第2區域中的至少一方。
  22. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的 曝光裝置，更包括切換機構，該切換機構，配置在對上述基板進行曝光的曝光光的光路內，能夠分時地切換上述曝光光照射或者不照射至上述第1區域以及上述第2區域中的至少一方。
  23. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，更包括照明變更機構，該照明變更機構，能夠變更對上述第1區域進行照明的照明光、與對上述第2區域進行照明的照明光中的至少一方的照明條件。
  24. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述照明光學系統包括對上述第1區域進行照明的第1照明光學模組、以及對上述第2區域進行照明的第2照明光學模組。
  25. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述照明光學系統，以至少一個方向上的入射角度範圍小於等於±1。的照明光，來對上述第1區域以及上述第2區域中的至少一個區域進行照明。
  26. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述照明光學系統，亦對第3區域照射照明光，該第3區域與上述第1區域或者上述第2區域在上述掃描方向上鄰接且配置在上述第1面上。
  27. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，更包括：位置檢測部，在上述相對掃描過程中對上述基板上的基板圖案的位置資訊進行檢測；以及控制部，根據上述位置檢測部檢測出的位置資訊，對上述投影光學系統與上述基板的位置關係進行控制。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的曝光裝置，更包括：切換機構，能夠根據上述檢測出的位置資訊，來切換上述照明光或者曝光光照射或者不照射至上述第1區域以及上述第2區域中的至少一方。
  29. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述光罩配置在上述第1面上，該光罩包括形成在上述第1區域內的微細週期光罩圖案、及形成在上述第2區域內的中密度光罩圖案。
  30. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，其中上述光罩為可變成形光罩。
  31. 如申請專利範圍第17項至第19項中任一項所述的曝光裝置，更包括：更換機構，能夠更換配置在上述第1面上的上述光罩。
TW097119711A 2007-05-30 2008-05-28 曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置 TWI448825B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US92473707P 2007-05-30 2007-05-30
US12/110,008 US20080299499A1 (en) 2007-05-30 2008-04-25 Exposure method, method of manufacturing plate for flat panel display, and exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200905416A TW200905416A (en) 2009-02-01
TWI448825B true TWI448825B (zh) 2014-08-11

Family

ID=40088665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097119711A TWI448825B (zh) 2007-05-30 2008-05-28 曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20080299499A1 (zh)
JP (2) JP2008299332A (zh)
TW (1) TWI448825B (zh)
WO (1) WO2008149756A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5256434B2 (ja) * 2008-06-11 2013-08-07 株式会社ブイ・テクノロジー 近接露光装置
CN101770060B (zh) * 2008-12-27 2014-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组及其组装方法
JP5617256B2 (ja) * 2010-01-27 2014-11-05 株式会社ニコン 液晶表示素子の製造方法及び露光装置
CN110476121A (zh) * 2017-03-31 2019-11-19 株式会社尼康 图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW463255B (en) * 1998-09-10 2001-11-11 Canon Kk Exposure method and device manufacturing method using the same
US20020187636A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Numerical Technologies, Inc. Exposure control for phase shifting photolithographic masks
TWI242694B (en) * 2003-01-31 2005-11-01 Canon Kk Projection exposure mask, projection exposure apparatus, and projection exposure method
TW200608160A (en) * 2004-07-09 2006-03-01 Fuji Photo Film Co Ltd Exposure device and exposure method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61153854A (ja) * 1984-12-26 1986-07-12 Canon Inc 光情報記録媒体を作製する方法
US6233044B1 (en) * 1997-01-21 2001-05-15 Steven R. J. Brueck Methods and apparatus for integrating optical and interferometric lithography to produce complex patterns
JPH10284377A (ja) * 1997-04-07 1998-10-23 Nikon Corp 露光方法及び該方法を用いたデバイスの製造方法
JPH11176726A (ja) * 1997-12-09 1999-07-02 Nikon Corp 露光方法、該方法を使用するリソグラフィシステム、及び前記方法を用いるデバイスの製造方法
JP2000021748A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Canon Inc 露光方法および露光装置
JP3262074B2 (ja) * 1998-06-30 2002-03-04 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
JP2001110719A (ja) * 1999-10-14 2001-04-20 Hitachi Ltd 露光方法
JP3651676B2 (ja) * 2002-07-11 2005-05-25 株式会社東芝 検査方法及びフォトマスク
JP4361248B2 (ja) * 2002-07-31 2009-11-11 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法
US7005235B2 (en) * 2002-12-04 2006-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and systems to print contact hole patterns
US20050074698A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 Intel Corporation Composite optical lithography method for patterning lines of significantly different widths
KR100598497B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-10 동부일렉트로닉스 주식회사 이중 노광 패턴 형성 방법
US7375795B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW463255B (en) * 1998-09-10 2001-11-11 Canon Kk Exposure method and device manufacturing method using the same
US20020187636A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Numerical Technologies, Inc. Exposure control for phase shifting photolithographic masks
TWI242694B (en) * 2003-01-31 2005-11-01 Canon Kk Projection exposure mask, projection exposure apparatus, and projection exposure method
TW200608160A (en) * 2004-07-09 2006-03-01 Fuji Photo Film Co Ltd Exposure device and exposure method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013057963A (ja) 2013-03-28
JP2008299332A (ja) 2008-12-11
WO2008149756A1 (en) 2008-12-11
TW200905416A (en) 2009-02-01
JP5573925B2 (ja) 2014-08-20
US20080299499A1 (en) 2008-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10571340B2 (en) Method and device for measuring wavefront using diffraction grating, and exposure method and device
TWI431430B (zh) 曝光方法、曝光裝置、光罩以及光罩的製造方法
JP5190860B2 (ja) 投影露光装置および投影露光方法
TWI453547B (zh) An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US8355113B2 (en) Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP2006235533A (ja) 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2013191901A (ja) パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
KR102484974B1 (ko) 다이렉트 이미징 노광 장치 및 다이렉트 이미징 노광 방법
JP2007235041A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
TWI388940B (zh) 曝光方法、平板顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置
TWI448825B (zh) 曝光方法、平面顯示器用基板的製造方法以及曝光裝置
US8384875B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5692076B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TWI520173B (zh) Exposure method and apparatus, and component manufacturing method
JP2014035412A (ja) 露光装置、およびデバイス製造方法
JP4376227B2 (ja) リソグラフィ装置用投影装置
KR20080009629A (ko) 투영 노광 장치
JP4957278B2 (ja) 照明装置、露光装置、露光装置の調整方法、及びデバイスの製造方法
JP4807100B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2012146701A (ja) 露光方法及び露光装置
JP2012234110A (ja) 露光装置、およびそれを用いたデバイスの製造方法
JP2012253173A (ja) 収差計測装置、収差計測方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2009147226A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法