JP2013057963A - 露光方法及びフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法 - Google Patents
露光方法及びフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013057963A JP2013057963A JP2012253110A JP2012253110A JP2013057963A JP 2013057963 A JP2013057963 A JP 2013057963A JP 2012253110 A JP2012253110 A JP 2012253110A JP 2012253110 A JP2012253110 A JP 2012253110A JP 2013057963 A JP2013057963 A JP 2013057963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- substrate
- mask
- pattern
- fine periodic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 95
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 115
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 45
- 101100465519 Arabidopsis thaliana MPA1 gene Proteins 0.000 description 17
- 101100300012 Mannheimia haemolytica purT gene Proteins 0.000 description 17
- 101100067996 Mus musculus Gbp1 gene Proteins 0.000 description 17
- 101100043229 Oryza sativa subsp. japonica SPL14 gene Proteins 0.000 description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 102100028538 Guanylate-binding protein 4 Human genes 0.000 description 9
- 101001058851 Homo sapiens Guanylate-binding protein 4 Proteins 0.000 description 9
- RFAXLXKIAKIUDT-UHFFFAOYSA-N IPA-3 Chemical compound C1=CC=C2C(SSC3=C4C=CC=CC4=CC=C3O)=C(O)C=CC2=C1 RFAXLXKIAKIUDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 101000676341 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L27 Proteins 0.000 description 7
- 101001080429 Homo sapiens Proteasome inhibitor PI31 subunit Proteins 0.000 description 7
- 102100027565 Proteasome inhibitor PI31 subunit Human genes 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 101150101019 PI21 gene Proteins 0.000 description 6
- 101000701902 Homo sapiens Serpin B4 Proteins 0.000 description 5
- 101001136140 Pinus strobus Putative oxygen-evolving enhancer protein 2 Proteins 0.000 description 5
- 102100030326 Serpin B4 Human genes 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 101150112656 AKR1B1 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100027265 Aldo-keto reductase family 1 member B1 Human genes 0.000 description 4
- 101001059990 Homo sapiens Mitogen-activated protein kinase kinase kinase kinase 2 Proteins 0.000 description 4
- 101001106523 Homo sapiens Regulator of G-protein signaling 1 Proteins 0.000 description 4
- 102100028192 Mitogen-activated protein kinase kinase kinase kinase 2 Human genes 0.000 description 4
- 102100021269 Regulator of G-protein signaling 1 Human genes 0.000 description 4
- 101100108497 Sus scrofa AKR1A1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150063729 alr1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150003265 alr2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 101000644712 Arabidopsis thaliana Ubiquitin-conjugating enzyme 15 Proteins 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 101000575029 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L11 Proteins 0.000 description 1
- 102100035793 CD83 antigen Human genes 0.000 description 1
- 101001070329 Geobacillus stearothermophilus 50S ribosomal protein L18 Proteins 0.000 description 1
- 101001093025 Geobacillus stearothermophilus 50S ribosomal protein L7/L12 Proteins 0.000 description 1
- 101000946856 Homo sapiens CD83 antigen Proteins 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70208—Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】照明光でマスクM1を照明し、マスクM1のマスクパターンを用いて基板Pを露光する露光方法は、マスクM1に対して基板Pを基板Pの面内方向である走査方向に移動させること、走査方向への移動中に基板Pを露光することを含む。移動中に基板Pを露光することは、マスクM1の第1領域に形成された微細周期マスクパターンを用いる微細周期露光と、マスクM1の第2領域に形成された中密度マスクパターンを用いる中密度露光とを、第1および第2領域が形成されたマスクを静止した状態で行うことを含む。第1領域と第2領域とは、走査方向に隣接して配置されている。
【選択図】図1
Description
ところで、第1光学ユニット群OUG1と第2光学ユニット群OUG2とは、照明光学系IL1〜IL7の大きさ、特にY方向の大きさにより生じる互いの機械的な干渉を避けるため、Y方向に所定間隔だけ離して配置されている。しかしながら、露光装置の処理能力の向上のため、不要な走査動作及び走査時間を短縮するためには、第1光学ユニット群OUG1と第2光学ユニット群OUG2とは、機械的な干渉を回避しうる限りにおいて可能な限りY方向に近接して配置されることが望ましい。
Claims (17)
- 照明光でマスクを照明し、前記マスク上のマスクパターンを用いて基板を露光する露光方法であって、
前記マスクに対して、前記基板を前記基板の面内方向である走査方向に移動させること、
および前記走査方向への移動中に前記基板を露光すること、を含み、
前記移動中に前記基板を露光することは、前記マスクの第1領域に形成された微細周期マスクパターンを用いる微細周期露光と、前記マスクにおける前記第1領域と前記走査方向に隣接して配置される領域である第2領域に形成された中密度マスクパターンを用いる中密度露光とを、前記第1領域および前記第2領域が形成された前記マスクを静止した状態で行うこと、を含む、露光方法。 - 前記微細周期露光は、複数の暗線部と複数の明線部とを有する露光パターンを前記基板上に露光する段階を含み、
前記中密度露光は、前記微細周期露光によって前記基板上に形成される複数の暗線部のうち、隣接して配列する少なくとも2本の特定暗線部において前記走査方向の所定の位置に規定される特定領域を暗線部のまま残存させる露光段階を含む、請求項1に記載の露光方法。 - 前記微細周期露光は、複数の暗線部と複数の明線部とを有する露光パターンを前記基板上に露光する段階を含み、
前記中密度露光は、前記微細周期露光により前記基板上に形成される複数の暗線部のうち、少なくとも1つの特定暗線部を暗線部のまま残存させ、他の暗線部を明部とせしめる露光段階を含む、請求項1に記載の露光方法。 - 前記微細周期露光は、複数の暗線部と複数の明線部とを有する露光パターンを前記基板上に露光する段階を含み、
前記中密度露光は、前記微細周期露光によって前記基板上に形成される複数の暗線部のうち、少なくとも1つの特定暗線部において前記走査方向の所定の位置に規定される特定領域を暗線部のまま残存させる露光段階を含む、請求項1に記載の露光方法。 - 照明光でマスクを照明し、前記マスク上のマスクパターンを用いて基板を露光する露光方法であって、
前記基板と前記マスクとが相対走査する走査方向に隣接して、前記マスクの第1領域に形成された微細周期マスクパターンと、前記マスクの第2領域に形成された中密度マスクパターンとを配置すること、
前記基板と前記マスクとを前記走査方向に相対走査させること、
前記相対走査中に前記基板を露光することであって、前記マスクの第1領域に形成された微細周期マスクパターンを用いる微細周期露光と、前記マスクの第2領域に形成された中密度マスクパターンを用いる中密度露光との一方を行った後、前記微細周期露光と前記中密度露光との他方を行い、前記微細周期マスクパターンの一部を残存させること、を備える露光方法。 - 前記微細周期マスクパターンは、該微細周期マスクパターンの一部に所定の位相差を与える位相部材を含む、請求項1乃至5の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記位相部材は、前記照明光に対して、ほぼ(2n+1)π〔rad〕(但し、nは整数)の位相差を与える、請求項6に記載の露光方法。
- 前記中密度マスクパターンは、前記微細周期マスクパターンに応じて形成される、請求項1乃至7の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記中密度露光は、前記中密度マスクパターンを用いて、前記基板上に複数のビームスポットを形成する段階を含む、請求項1乃至8の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記相対走査中に前記基板を露光することは、前記微細周期露光により前記基板上に形成される露光パターンの特定暗線部と、前記中密度露光により前記基板上に形成される露光パターンの特定暗線部とを前記基板上で位置整合させるように、前記微細周期露光と前記中密度露光とを行うことを含む、請求項1乃至9の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記中密度露光は、前記基板に対する露光光の照射又は非照射を時分割に切換えて露光を行なう段階を含む、請求項1乃至10の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記基板を相対走査することは、前記基板を、各々が前記マスクである複数のマスクに対して、前記基板の面内方向である走査方向に相対走査することを含み、
前記相対走査中に前記基板を露光することは、前記走査方向と略直交する非走査方向に沿って千鳥状に配置された前記複数のマスクのマスクパターンを用いて前記基板を露光するように、前記微細周期露光と前記中密度露光とを行うことを含む、請求項1乃至11の何れか1項に記載の露光方法。 - 前記マスクは、1辺の長さが150mm以下である、請求項1乃至12の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記相対走査中に前記基板を露光することは、前記微細周期露光と前記中密度露光とを、互いに異なる照明条件を有する照明光を用いて行うことを含む、請求項1乃至13の何れか1項に記載の露光方法。
- 前記相対走査中に前記基板上の基板パターンの位置情報を検出すること、
前記位置情報に基づいて前記マスクと前記基板との位置関係を制御すること、
をさらに備える請求項1乃至14の何れか1項に記載の露光方法。 - 露光工程を含むフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
請求項1乃至15の何れか1項に記載の露光方法を用いて、前記露光工程のうち少なくとも一部の工程を行うこと、
を備えるフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法。 - 薄膜トランジスタの形成工程を含むフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の形成工程において、請求項2に記載の露光方法を用いること、
を備えるフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92473707P | 2007-05-30 | 2007-05-30 | |
US60/924,737 | 2007-05-30 | ||
US12/110,008 | 2008-04-25 | ||
US12/110,008 US20080299499A1 (en) | 2007-05-30 | 2008-04-25 | Exposure method, method of manufacturing plate for flat panel display, and exposure apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140718A Division JP2008299332A (ja) | 2007-05-30 | 2008-05-29 | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用基板の製造方法、及び露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013057963A true JP2013057963A (ja) | 2013-03-28 |
JP5573925B2 JP5573925B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=40088665
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140718A Pending JP2008299332A (ja) | 2007-05-30 | 2008-05-29 | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用基板の製造方法、及び露光装置 |
JP2012253110A Active JP5573925B2 (ja) | 2007-05-30 | 2012-11-19 | 露光方法及びフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008140718A Pending JP2008299332A (ja) | 2007-05-30 | 2008-05-29 | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用基板の製造方法、及び露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080299499A1 (ja) |
JP (2) | JP2008299332A (ja) |
TW (1) | TWI448825B (ja) |
WO (1) | WO2008149756A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018181985A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社ニコン | パターン算出装置、パターン算出方法、マスク、露光装置、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、記録媒体 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5256434B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 近接露光装置 |
CN101770060B (zh) * | 2008-12-27 | 2014-03-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 相机模组及其组装方法 |
JP5617256B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-11-05 | 株式会社ニコン | 液晶表示素子の製造方法及び露光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153854A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Canon Inc | 光情報記録媒体を作製する方法 |
JPH10284377A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 露光方法及び該方法を用いたデバイスの製造方法 |
JPH11176726A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 露光方法、該方法を使用するリソグラフィシステム、及び前記方法を用いるデバイスの製造方法 |
JP2000021761A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2001110719A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
WO2006080285A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6233044B1 (en) * | 1997-01-21 | 2001-05-15 | Steven R. J. Brueck | Methods and apparatus for integrating optical and interferometric lithography to produce complex patterns |
JP2000021748A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法および露光装置 |
JP3352405B2 (ja) * | 1998-09-10 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス |
US6852471B2 (en) * | 2001-06-08 | 2005-02-08 | Numerical Technologies, Inc. | Exposure control for phase shifting photolithographic masks |
JP3651676B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | 検査方法及びフォトマスク |
JP4361248B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-11-11 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フォトマスク、そのパターン欠陥検出方法及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7005235B2 (en) * | 2002-12-04 | 2006-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and systems to print contact hole patterns |
JP4280509B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光用マスク、投影露光用マスクの製造方法、投影露光装置および投影露光方法 |
US20050074698A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-04-07 | Intel Corporation | Composite optical lithography method for patterning lines of significantly different widths |
KR100598497B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-07-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이중 노광 패턴 형성 방법 |
JP4676205B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2011-04-27 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置および露光方法 |
US7375795B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
-
2008
- 2008-04-25 US US12/110,008 patent/US20080299499A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-22 WO PCT/JP2008/059858 patent/WO2008149756A1/en active Application Filing
- 2008-05-28 TW TW097119711A patent/TWI448825B/zh active
- 2008-05-29 JP JP2008140718A patent/JP2008299332A/ja active Pending
-
2012
- 2012-11-19 JP JP2012253110A patent/JP5573925B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153854A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Canon Inc | 光情報記録媒体を作製する方法 |
JPH10284377A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 露光方法及び該方法を用いたデバイスの製造方法 |
JPH11176726A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 露光方法、該方法を使用するリソグラフィシステム、及び前記方法を用いるデバイスの製造方法 |
JP2000021761A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP2001110719A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 露光方法 |
WO2006080285A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018181985A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社ニコン | パターン算出装置、パターン算出方法、マスク、露光装置、デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI448825B (zh) | 2014-08-11 |
TW200905416A (en) | 2009-02-01 |
WO2008149756A1 (en) | 2008-12-11 |
JP5573925B2 (ja) | 2014-08-20 |
JP2008299332A (ja) | 2008-12-11 |
US20080299499A1 (en) | 2008-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5190860B2 (ja) | 投影露光装置および投影露光方法 | |
US8355113B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method | |
JP6343042B2 (ja) | マルチステージシステムおよびリソグラフィ装置 | |
TWI453547B (zh) | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method | |
KR102484974B1 (ko) | 다이렉트 이미징 노광 장치 및 다이렉트 이미징 노광 방법 | |
JP2013191901A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2006235533A (ja) | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
JP5573925B2 (ja) | 露光方法及びフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法 | |
JP5396719B2 (ja) | 露光方法、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、及び露光装置 | |
JP6221849B2 (ja) | 露光方法、微細周期構造体の製造方法、グリッド偏光素子の製造方法及び露光装置 | |
KR102079793B1 (ko) | 주사 노광 방법 | |
JP2014035412A (ja) | 露光装置、およびデバイス製造方法 | |
TWI716895B (zh) | 偏移圖案以減少線波動 | |
CN110431486B (zh) | 控制装置及控制方法、曝光装置及曝光方法、元件制造方法、数据生成方法和计算机可读介质 | |
KR20120116918A (ko) | 노광방법, 노광장치, 패턴형성방법 및 디바이스 제조방법 | |
JP2004233861A (ja) | マスク、露光方法及びデバイス製造方法 | |
KR20080009629A (ko) | 투영 노광 장치 | |
JP6738054B2 (ja) | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 | |
JP6734573B2 (ja) | 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法 | |
KR20240014514A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2017072527A (ja) | 干渉計、偏光測定装置、検査装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
WO1999065066A1 (fr) | Procede de transfert et aligneur | |
WO2004074934A1 (ja) | マスク作成方法、マスク作成装置、及び、マスク描画装置 | |
JP2000347416A (ja) | 露光装置 | |
JP2009147226A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5573925 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |