TWI447823B - 四邊扁平無接腳封裝方法 - Google Patents

Description

四邊扁平無接腳封裝方法

本發明係有關於一種半導體封裝技術，特別是一種四邊扁平無接腳(quad flat no-lead)封裝方法。

於半導體封裝製程中，由於電子產品輕薄短小的趨勢加上功能不斷增多，使得封裝密度隨之不斷提高，亦不斷縮小封裝尺寸與改良封裝技術。如何開發高密度與細間距的封裝製程與降低製造成本一直為為此技術領域之重要課題。

為了解決上述問題，本發明目的之一係提供一種四邊扁平無接腳封裝方法，可獲得高密度與細間距的封裝製程且提高製程良率。

為了達到上述目的，本發明一實施例之一種四邊扁平無接腳封裝方法，係包括下列步驟：提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層於可剝離金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層，堆疊設置於第一圖案化金屬層上；形成一絕緣層於可剝離金屬層上與覆蓋第一圖案化金屬層，並暴露出第一次圖案化金屬層，且絕緣層將每一堆疊設置的第一圖案化金屬層與第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層於絕緣層與對外接墊上，其中第二圖案化金屬層係包含至少一晶片承座、複數個導電接墊與複數線路，且對外接墊與第二金屬層電性連接；進行一晶片封裝步驟；以及移除封裝載板並暴露出對外接墊。

本發明一實施例之一種四邊扁平無接腳封裝方法，係包括下列步驟：提供一封裝載板，其中封裝載板至少一表面設置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層於可剝離金屬層上；形成一絕緣層於封裝載板上，覆蓋可剝離金屬層，其中絕緣層具有複數個開口以露出部分第一圖案化金屬層；形成一金屬接合層覆蓋絕緣層與暴露出的第一圖案化金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層於該絕緣層的開口內，並位於第一圖案化金屬層上，其中第一次圖案化金屬層堆疊設置於第一圖案化金屬層上，且絕緣層該將每一堆疊設置的第一圖案化金屬層與第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層於絕緣層與對外接墊上，其中第二圖案化金屬層係包含至少一晶片承座、複數個導電接墊與複數線路，且對外接墊與第二金屬層電性連接；進行一晶片封裝步驟；以及移除封裝載板並暴露出對外接墊。

以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

其詳細說明如下，所述較佳實施例僅做一說明非用以限定本發明。圖1A、圖1D、圖1E、圖1F、圖1G與圖1H為本發明一實施例之四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖。於本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。

首先，如圖1A所示，提供一封裝載板10。其中，此封裝載板10之至少一表面設置一可剝離金屬層20。接著，請繼續參照圖1D，形成一圖案化金屬層40於可剝離金屬層20上。其中，圖案化金屬層40係包含至少一晶片承座42與複數個導電接墊44。

接著，設置一晶片50於晶片承座42上，如圖1E所示。晶片50可利用一黏著材料(圖上未標)固定於晶片承座42上。之後，利用複數條引線60電性連接晶片50與導電接墊44。

請繼續參照圖1F，利用一封裝材料70覆蓋晶片50、引線60、導電接墊44與可剝離金屬層20。

之後，如圖1G所示，移除封裝載板10並暴露出可剝離金屬層20之下表面。

如圖1H所示，對可剝離金屬層20(如圖1G所示)進行一圖案化程序用以形成複數個外部接點22。其中，外部接點22係與導電接墊44電性連接。

請繼續參照圖1H，於本實施例中，每一外部接點22之尺寸係大於每一導電接墊44，可提供後續導電材料，如銲球，較大的接觸面積。然，本發明並不限於此，外部接點22之尺寸大小與形狀取決於使用者與設計者的需求。於一實施例中，如圖2B，每一外部接點22，例如導電柱(conductive pillar)，其尺寸係小於每一導電接墊44，如此其後使用之導電材料(如銲球)，可增加與導電柱及導電接墊44的接合強度。

於本發明中，整體封裝體的外部接點是利用移除封裝載板後對可剝離金屬層進行圖案化製程所得。因此，如圖2A所示，複數個外部接點22可設計成具有重新佈線(re-layout)導電接墊44的對外接點，如此可因應客戶需求增加封裝體的可變化性。

接續上述說明，於不同實施例中，封裝載板10的表面可設置一金屬易剝離表面12用以輔助可剝離金屬層20之剝離。此金屬易剝離表面12可為金屬材質或其他光滑材質所構成表面。

此外，圖案化金屬層40可利用不同製程所製作，如影像轉移製程或黃光微影蝕刻製程所製作。

如一實施例中，請參照圖1B、圖1C與圖1D，圖案化金屬層40可利用影像轉移製程所製作。首先，設置一影像轉移層30於可剝離金屬層20上並暴露出部分可剝離金屬層20之上表面，如圖1B所示。進行電鍍形成圖案化金屬層40於暴露於外的可剝離金屬層20上，如圖1C所示。

最後，移除影像轉移層30完成圖案化金屬層40之製作。於另一實施例中(圖上未示)，形成圖案化金屬層之方式亦可先形成一金屬層於封裝載板之表面上，之後進行一微影蝕刻程序以形成此圖案化金屬層。

請同時參照圖1A、圖1D、圖1E、圖1F、圖1G與圖2C，於本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法係包括下列步驟。首先，提供一封裝載板10，其中此封裝載板10之至少一表面設置一可剝離金屬層20，如圖1A所示。接著，形成一圖案化金屬層40於可剝離金屬層20上，其中此圖案化金屬層40係包含至少一晶片承座42與複數個導電接墊44，如圖1D所示。

之後，參照圖1E，設置一晶片50於晶片承座42並利用複數條引線60電性連接晶片50與導電接墊44。其後，如圖1F與圖1G所示，利用一封裝材料70覆蓋晶片50、引線60、導電接墊44與可剝離金屬層20；以及利用一蝕刻程序移除可剝離金屬層20。

於本實施例中，本發明所使用之封裝載板具有可剝離金屬層20，因此可選擇性對此可剝離金屬層20進行圖案化製程或是依需求完全移除此可剝離金屬層20，如圖1G與圖2C所示。於一實施例中，移除此可剝離金屬層20之同時更可進一步移除部份厚度之圖案化金屬層40，如圖，如圖1G、圖2D所示。

請參照圖3A、圖3B、圖3C與圖3D，本發明之導電接墊與外部接點之結構係具有多種變化外，更可選擇性的形成一金屬表面處理層80於外部接點22或導電接墊44上。其中，導電接墊44之上下表面都可選擇性的設置金屬表面處理層80於其上。

於本發明中，作為晶片承座與導電接墊之圖案化金屬層可選擇電鍍的方式製作，因此只要顯影曝光技術可配合做到的間距，此方法可製作出品質優良之小尺寸與細間距的導電接墊。相較於蝕刻方式，由於受限於藥水置換速度影響蝕刻率以及厚度的限制，其對於細間距的控制難度提高。因此，使用電鍍方式可具有較高的可靠度與達成率，故可製作較複雜的導電接墊結構，如圖5所示，側面為階梯狀的導電接墊44’的結構。此方法亦可製作導電接墊可具有一正梯形或倒梯形結構，如圖4A與圖4B所示。

接續上述說明，製成此結構的方法如後所述，參照圖1C，於影像轉移層30間與可剝離金屬層20上電鍍製作一第一圖案化金屬層後，例如圖案化金屬層40，可設置一次影像轉移層30’於圖案化金屬層40上並暴露出部分圖案化金屬層40之上表面，如圖6A所示。接著，電鍍形成一第二圖案化金屬層43於暴露於外的圖案化金屬層40上，如圖6B所示。然後，參照圖6C，移除影像轉移層30與次影像轉移層30’即可獲得導電接墊44’之側邊具有一階梯狀結構，如圖4C所示。然本發明之四邊扁平無接腳封裝結構並不限於此，利用上述方法製作如圖4D所示側邊具有一階梯狀結構之導電接墊44。

本發明方法可藉由控制影像轉移層(30，圖1B)形狀，如梯形(圖上未示)，即可製作導電接墊可具有一正梯形或倒梯形結構，如圖4A與圖4B所示。

於一實施例中，請參照圖7A與圖7B，圖案化金屬層40除包括至少一晶片承座42與複數個導電接墊44外，更包括一線路46用以電性連接兩兩導電接墊44。其中，兩兩導電接墊44之一用以與晶片50利用引線60電性連接，而導電接墊44之另一則可與外部接點22(如圖1H所示)之一電性連接。其中，如前所述，更可選擇性的設置金屬表面處理層80於用於打線的導電接墊44上。

接續上述，圖8A至圖8I為本發明又一實施例之四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，用以製造如圖7A與圖7B所示之結構。於本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。

首先，請參考圖8A，提供一封裝載板10，其中封裝載板10至少一表面設置一可剝離金屬層20。接著，如圖8D所示，形成一第一圖案化金屬層41於可剝離金屬層20上。以及形成一第一次圖案化金屬層411，堆疊設置於第一圖案化金屬層41上。再來，請參考圖8E，形成一絕緣層93於可剝離金屬層20與第一圖案化金屬層41上，並暴露出第一次圖案化金屬層411，且絕緣層93將每一堆疊設置的第一圖案化金屬層41與第一次圖案化金屬層411分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊48；其中絕緣層93可利用塗佈(printing)的方式設置於封裝載板10上。於一實施例中，可在圖案化絕緣層93上進行一表面處理步驟形成粗糙表面以加強與後續設置於其上的物質接合，其中可利用乾式或濕式電漿處理(plasma treatment)的方法來完成。更者，可如圖8F所示，選擇性利用濺鍍方法形成一金屬接合層94覆蓋絕緣層93上並暴露出的第一次圖案化金屬411，以加強後續線路與圖案化絕緣層93的接合功能，其中金屬接合層94的材質包含但不限於鈦或銅。

接續上述，於此實施例中，形成對外接墊48的步驟如圖8B及圖8C所示，包括：設置一第一影像轉移層33於可剝離金屬層20上，並暴露出部分可剝離金屬層20；接著，電鍍形成第一圖案化金屬層41於暴露於外的可剝離金屬層20上。再來，如圖8C所示，設置一第一次影像轉移層34於第一影像轉移層33上並露出部分第一圖案化金屬層41。電鍍形成第一次圖案化金屬層411堆疊於第一圖案化金屬層41上；以及移除第一影像轉移層33與第一次影像轉移層34，以形成如圖8D之結構。

再來，如圖8G所示，形成一第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40，於絕緣層93與暴露於外的對外接墊48上方，其中圖案化金屬層40係包含至少一晶片承座42、複數個導電接墊44與複數線路46，且圖案化金屬層40與對外接墊48電性連接。其中可選擇性的設置金屬表面處理層82於用於打線的導電接墊44上。於此實施例中，形成圖案化金屬層40的步驟如圖8G所示，包括：設置一第二影像轉移層35於絕緣層93上並暴露出部分絕緣層93與對外接墊48，且電鍍形成第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40，於絕緣層93與暴露於外的對外接墊48上；以及移除第二影像轉移層35。在移除第二影像轉移層35之後更包含以蝕刻方式移除位於第二影像轉移層35下方的金屬接合層94，如圖，11H所示，使金屬接合層94與第二圖案化金屬層具有相同的圖案化配置。

接著，進行一晶片封裝步驟。如圖8I所示，設置一晶片50於晶片承座42；利用複數條引線60電性連接晶片50與導電接點44；以及利用一封裝材料70包封引線60、晶片50與導電接點44。其中線路46電性連接兩兩導電接墊44，且兩兩導電接墊44之一與晶片50電性連接，兩兩導電接墊44之另一與對外接墊48電性連接。最後，如圖8I所示，移除封裝載板10再蝕刻掉可剝離金屬層20以暴露出對外接墊48。

圖8J、圖8K、圖8L分別繪示移除載板後的不同應用，如圖8J所示，可形成一金屬表面處理層80於暴露出的對外接墊48上，此後並於曝露出的絕緣層93形成一層封裝材料73，其中封裝材料73可與包覆晶片50的封裝材料70之材質相同或不同。如圖8K所示，在移除載板後，更包含移除部分第一圖案化金屬層41後，再選擇性的設置金屬表面處理層80於外露的對外接墊48上。更者，如圖8L所示，絕緣層93與導電接墊48的結構設計，可為多層堆疊且各層導電接墊48之間係電性連接。

接續上述，圖9A至圖9I為本發明又一實施例之四邊扁平無接腳封裝方法的流程示意圖，用以製造如圖7A與圖7B所示之結構。於本實施例中，四邊扁平無接腳封裝方法包括下列步驟。與上述實施例差異在於，金屬表面處理層可於不同階段製作形成。

首先，如圖9A所示，提供一封裝載板10，其中封裝載板10至少一表面設置一可剝離金屬層20。接著，如圖9B所示，形成一第一圖案化金屬層41’於可剝離金屬層20上。其中形成第一圖案化金屬層41’的步驟包括：設置一第一影像轉移層33’於可剝離金屬層20上，並暴露出部分可剝離金屬層20；接著，電鍍形成第一圖案化金屬層41’於暴露於外的可剝離金屬層20上；以及移除第一影像轉移層33’。

接著，請參考圖9C、圖9D，先形成一絕緣層93’於可剝離金屬層20上，其中絕緣層93’具有複數個開口以露出部分第一圖案化金屬層41’。接著，如圖9E，形成一金屬接合層94’覆蓋絕緣層93’並暴露出的第一圖案化金屬層41’以加強絕緣層93’與之後設置於其上之線路的鍵結。接著，如圖9E所示，形成一第一次圖案化金屬層411’於暴露出的第一圖案化金屬層41’上，其中第一次圖案化金屬層411’堆疊設置於第一圖案化金屬層41’上，且絕緣層93’將堆疊設置的第一圖案化金屬層41’與第一次圖案化金屬層411’分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊48’。

再來，如圖9G所示，形成一第二圖案化金屬層，如圖案化金屬層40’，於絕緣層93’與暴露出的對外接墊48’上，其中第二圖案化金屬層40’係包括至少一晶片承座42’、複數個導電接墊44’與複數線路46’，且對外接墊48’與第二金屬層40’電性連接。於一實施例中，形成第二圖案化金屬層40’的步驟如圖9F與圖9G所示，包括：設置一第二影像轉移層35’於部分金屬接合層94’上，並暴露出的第一次圖案化金屬層411’；電鍍形成第二圖案化金屬層40’在金屬接合層94’與第一次圖案化金屬層411’上；移除第二影像轉移層35’；以及以蝕刻方式移除第二影像轉移層35’下方的金屬接合層94’，以形成如圖9G之結構。

接著，進行一晶片封裝步驟。如圖9H所示，設置一晶片50’於晶片承座42’；利用複數條引線60’電性連接晶片50’與導電接點44’；以及利用一封裝材料70’包封引線60’、晶片50’與導電接點44’。最後，如圖9H及9I所示，移除封裝載板10並暴露出對外接墊48’。於又一實施例中，如圖9I所示，更可選擇性的設置金屬表面處理層80’於外露的對外接墊48’上。形成堆疊式對外接墊可使後續製程掌握度較高，進而提高製程良率。此外，在金屬層與絕緣層之間可形成一金屬接合層以增加絕緣材料與金屬層的接合功能。

綜合上述，本發明四邊扁平無接腳封裝方法藉由使用具有可剝離金屬層的封裝載板，並可利用此可剝離金屬層進行圖案化作為其後封裝體外部接點，提供整體封裝製程與封裝結構的多樣性。另外，所有製程皆可使用既有技術與設備，並未增加成本與困難度。更者，由於圖案化可剝離金屬層之製程係使用影像轉移技術或黃光微影技術，因此可有效達成高密度與細間距的結構。本發明除可使用現有技術外，亦可應用於雙面製程。且本發明與一般使用基板之封裝方法相比，封裝載板亦可選用可回收或重複使用材質，因此具有較低的成本與較佳的優勢。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

10．．．封裝載板

12．．．金屬易剝離表面

20．．．可剝離金屬層

22．．．外部接點

30．．．影像轉移層

30’‧‧‧次影像轉移層

33、33’‧‧‧第一影像轉移層

34‧‧‧第一次影像轉移層

35、35’‧‧‧第二影像轉移層

40、40’‧‧‧圖案化金屬層

41、41’‧‧‧第一圖案化金屬層

411、411’‧‧‧第一次圖案化金屬層

42、42’‧‧‧晶片承座

43‧‧‧第二圖案化金屬層

44、44’‧‧‧導電接墊

46、46’‧‧‧線路

48、48’‧‧‧對外接墊

50、50’‧‧‧晶片

60、60’‧‧‧引線

70、70’‧‧‧封裝材料

73‧‧‧封裝材料

80、80’‧‧‧金屬表面處理層

82‧‧‧金屬表面處理層

93、93’‧‧‧絕緣層

94、94’‧‧‧金屬接合層

圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖1E、圖1F、圖1G與圖1H為本發明一實施例之流程示意圖。

圖2A、圖2B、圖2C與圖2D為本發明不同實施例之示意圖。

圖3A、圖3B、圖3C與圖3D為本發明不同實施例之局部放大示意圖。

圖4A、圖4B、圖4C與圖4D為本發明不同實施例之局部放大示意圖。

圖5為本發明一實施例之示意圖。

圖6A、圖6B與圖6C為本發明一實施例之部分流程示意圖。

圖7A與圖7B為本發明一實施例之示意圖。

圖8A、圖8B、圖8C、圖8D、圖8E、圖8F、圖8G、圖8H、圖8I、圖8J、圖8K與圖8L為本發明不同實施例之示意圖。

圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E、圖9F、圖9G、圖9H、與圖9I為本發明不同實施例之示意圖。

10．．．封裝載板

20．．．可剝離金屬層

35．．．第二影像轉移層

40．．．圖案化金屬層

41．．．第一圖案化金屬層

411．．．第一次圖案化金屬層

42．．．晶片承座

44．．．導電接墊

46．．．線路

48．．．對外接墊

50．．．晶片

60．．．引線

70、73．．．封裝材料

80、82．．．金屬表面處理層

93．．．絕緣層

94．．．金屬接合層

Claims (19)

1. 一種四邊扁平無接腳封裝方法，係包含下列步驟：提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層於該可剝離金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層，堆疊設置於該第一圖案化金屬層上；形成一絕緣層於該可剝離金屬層上與覆蓋該第一圖案化金屬層，並暴露出該第一次圖案化金屬層，且該絕緣層將每一堆疊設置的該第一圖案化金屬層與該第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊；形成一金屬接合層覆蓋該絕緣層及暴露出的該第一次圖案化金屬上；形成一第二圖案化金屬層於該金屬接合層上，其中該第二圖案化金屬層係包含至少一晶片承座、複數個導電接墊與複數線路，且該些對外接墊與該第二金屬層電性連接；進行一晶片封裝步驟；以及移除該封裝載板並暴露出該些對外接墊。
2. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該封裝載板之該表面可為金屬材質或易剝離金屬表面。
3. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中形成該些對外接墊的步驟包含：設置一第一影像轉移層於該可剝離金屬層上，並暴露出部分該可剝離金屬層；電鍍形成該第一圖案化金屬層於暴露於外的該可剝離金屬層上；設置一第一次影像轉移層於該第一影像轉移層上並露出部分該第一圖案化金屬層；電鍍形成該第一次圖案化金屬層堆疊於該第一圖案化金屬層 上；以及移除該第一影像轉移層與該第一次影像轉移層。
4. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中形成該絕緣層的步驟包含：以塗佈的方式將一絕緣材料設置於該可剝離金屬層上並覆蓋該第一圖案化金屬層；以及研磨該絕緣材料以暴露出該第一次圖案化金屬層。
5. 如請求項1述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該金屬接合層與該第二圖案化金屬層具有相同的圖案化配置。
6. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該晶片封裝步驟包含：設置一晶片於該晶片承座；利用複數引線電性連接該晶片與該些導電接點；以及利用一封裝材料包封該些引線、該晶片與該些導電接點。
7. 如請求項6所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該封裝材料係利用注膠、網印、旋轉塗佈的方式包封該些引線、該晶片與該些導電接點。
8. 如請求項6所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該線路電性連接兩兩該些導電接墊，且兩兩該些導電接墊之一與該晶片電性連接，兩兩該些導電接墊之另一與該些對外接墊電性連接。
9. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，更包含設置一金屬表面處理層於用於打線的導電接墊上和/或外露的該些對外接墊上。
10. 如請求項1所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中形成該第二圖案化金屬層的步驟包含：設置一第二影像轉移層於該絕緣層上並暴露出部分該絕緣層與該些對外接墊；電鍍形成該第二圖案化金屬層於該絕緣層與暴露於外的該些對外接墊上；以及移除該第二影像轉移層。
11. 一種四邊扁平無接腳封裝方法，係包含下列步驟：提供一封裝載板，其中該封裝載板至少一表面設置一可剝離金屬層；形成一第一圖案化金屬層於該可剝離金屬層上；形成一絕緣層於該封裝載板上，覆蓋該可剝離金屬層，其中該絕緣層具有複數個開口以露出部分該第一圖案化金屬層；形成一金屬接合層覆蓋該絕緣層及暴露出的該第一圖案化金屬層上；形成一第一次圖案化金屬層，於該金屬接合層上，其中該第一次圖案化金屬層堆疊設置於該第一圖案化金屬層上方，且該絕緣層該將每一堆疊設置的該第一圖案化金屬層與該第一次圖案化金屬層分隔成彼此電性隔絕的複數個對外接墊；形成一第二圖案化金屬層於該第一次圖案化金屬層及部分該金屬接合層上，其中該第二圖案化金屬層係包含至少一晶片承座、複數個導電接墊與複數線路，且該些對外接墊與該第二金屬層電性連接；進行一晶片封裝步驟；以及移除該封裝載板並暴露出該些對外接墊。
12. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該封裝載板之該表面可為金屬材質或易剝離金屬表面。
13. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中形成該絕緣層的步驟包含：以塗佈的方式將一絕緣材料設置於該可剝離金屬層上並覆蓋該第一圖案化金屬層；以及利用鑽孔方式在該絕緣材料上形成複數個開口以暴露出部分該第一圖案化金屬層。
14. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該金屬接合層係利用濺鍍方法形成。
15. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該晶片封裝步驟 包含：設置一晶片於該晶片承座；利用複數引線電性連接該晶片與該些導電接點；以及利用一封裝材料包封該些引線、該晶片與該些導電接點。
16. 如請求項15所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該封裝材料係利用注膠、網印、旋轉塗佈的方式包封該些引線、該晶片與該些導電接點。
17. 如請求項15所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中該線路電性連接兩兩該些導電接墊，且兩兩該些導電接墊之一與該晶片電性連接，兩兩該些導電接墊之另一與該些對外接墊電性連接。
18. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，更包含設置一金屬表面處理層於用於打線的導電接墊上和/或外露的該些對外接墊上。
19. 如請求項11所述之四邊扁平無接腳封裝方法，其中形成該第二圖案化金屬層的步驟包含：設置一第二影像轉移層於部分該金屬接合層上，並暴露出的該第一次圖案化金屬層；電鍍形成該第二圖案化金屬層於該金屬接合層與該第一次圖案化金屬層上；移除該第二影像轉移層；以及以蝕刻方式移除該第二影像轉移層下方的該金屬接合層。