TWI447194B - 黏著劑組成物、黏著薄膜及熱處理方法 - Google Patents

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Description

黏著劑組成物、黏著薄膜及熱處理方法
本發明係關於黏著劑組成物、黏著薄膜及熱處理方法。進一步詳細而言，關於一種黏著劑組成物、及黏著薄膜、以及使用此黏著劑組成物之熱處理方法，係用於在對半導體晶圓等半導體製品或光學系製品等進行研削等加工之步驟中，將薄片或保護基板暫時地固定於該半導體製品者。
近年，伴隨著行動電話、數位AV機器及IC卡等高機能化，對所搭載之半導體矽晶片(以下，晶片)之小型化、薄型化及高積體化的要求正在提高。關於例如CSP(chip size package)及MCP(multi-chip package)所代表般將複數之晶片單一封裝化之積體電路，其薄型化正被需求著。在其中，於一個半導體封裝之中搭載複數半導體晶片之系統級封裝(SiP)，在實現使所搭載之晶片小型化、薄型化及高積體化，使電子機器高性能化、小型化且輕量化上，正逐漸成為非常重要的技術。
為了因應對薄型商品之需求，有使晶片變薄至150μm以下之必要。再者，於CSP及MCP有使晶片薄化加工至100μm以下，於IC卡至50μm以下之必要。
以往，對於SiP製品而言，對層合之每個晶片之凸塊(電極)與電路基板，藉由線結合(wire bonding)技術進行配線之方法正被使用著。另外，為了因應對如此的薄型化或高積體化之要求，並非係線結合技術，將形成貫通電極之晶片層合，於晶片之裏面形成凸塊之貫通電極技術亦必要的。
薄型之晶片，係藉由例如將高純度矽單結晶等切片製成晶圓之後，於晶圓表面蝕刻形成IC等既定之電路圖型，組裝進積體電路，將所得到之半導體晶圓之裏面藉由研削機進行研削，將研削成既定之厚度後之半導體晶圓切割而晶片化而製造。此時，上述既定之厚度係、100～600μm程度。進一步，在形成貫通電極之情況下，研削至厚度50～100μm程度。
在半導體晶片之製造中，半導體晶圓本身材質薄且脆，另外，在電路圖型有凹凸，因此若在往研削步驟或切割步驟搬運時施加外力，則破損容易。另外，在研削步驟之中，為了除去所產生之研磨屑，除去研磨時所產生之熱，使用精製水洗淨半導體晶圓裏面同時進行研削處理。此時，有必要防止因為洗淨所使用之上述精製水造成電路圖型面受到污染之現象。
於是，為了保護半導體晶圓之電路圖型面，同時防止半導體晶圓之破損，在將加工用黏著薄膜貼附於電路圖型面之狀態，進行研削作業。
另外，在切割時，在將保護薄片貼附於半導體晶圓裏面側，將半導體晶圓黏著固定之狀態下進行切割，使所得到之晶片由薄膜基材側以針戳出而拾取，使其固定於焊墊上。
就如此的加工用黏著薄膜或保護薄片而言，已知有於例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)等基材薄膜設置由黏著劑組成物形成之黏著劑層者(例如日本國公開專利公報「特開2003-173993號(公開日：2003年6月20日)」、日本國公開專利公報「2001-279208號(公開日：2001年10月10日)」、日本國公開專利公報「特開2003-292931號(公開日：2003年10月15日)」)。
另外，亦揭示了使用以梯型矽氧寡聚物浸漬氮化鋁-氮化硼氣孔燒結體之保護基板代替加工用黏著薄膜或保護薄片，將此保護基板與半導體晶圓使用熱塑性薄膜進行黏著之構成(日本國公開專利公報「特開2002-203821號(公開日：2002年7月19日)」)。另外，使用與半導體晶圓實質上相同熱膨脹率之氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、碳化矽等材料作為保護基板，另外，使用聚醯亞胺等熱塑性樹脂作為將保護基板與半導體晶圓黏著之黏著劑，就作為此黏著劑之適用法而言，製成厚度10～100μm之薄膜之構成，與將黏著劑組成物旋轉塗佈，使其乾燥而製成20μm以下薄膜之方法被提出(日本國公開專利公報「特開2001-77304號(公開日：2001年3月23日)」)。
另外，伴隨著半導體元件之多層配線化，使用黏著劑組成物將保護基板黏著於形成有電路之半導體晶圓之表面，研磨半導體晶圓之裏面，其後，將研磨面蝕刻而製成鏡面，於此鏡面形成裏面側電路之程序正被實施著。在此情況下，至形成裏面側電路為止，保護基板係成為黏著之狀態(日本國公開專利公報「特開昭61-158145號(公開日：1986年7月17日)」)。
但是，以往之加工用黏著薄膜等，係如貫通電極之形成般，對於使用於有必要為高溫程序及高真空程序之步驟而言，發生在高溫環境下之黏著強度之不足，或在高真空環境下之氣體產生等造成之黏著不良的問題點，甚至有在高溫程序後之剝離時，發生殘渣物殘存等剝離不良的問題點。
例如在貫通電極形成之情況中，需要於半導體晶片形成凸塊之後，使半導體晶片間連接時，加熱至200℃程度，進一步成為高真空狀態之程序。但是，日本國公開專利公報「特開2003-173993號(公開日：2003年6月20日)」及日本國公開專利公報「2001-279208號(公開日：2001年10月10日)」所關連之構成保護膠帶之黏著劑層之黏著劑組成物，沒有對200℃這樣的高溫之耐性。另外，由於加熱造成在黏著劑層產生氣體，因此變成黏著不良。
另外，薄型之半導體晶圓在研削或切割之後，由保護基板剝離成為必要。但是，日本國公開專利公報「特開2003-292931號(公開日：2003年10月15日)」所揭示之構成保護膠帶之黏著劑層之黏著劑組成物，係由於環氧樹脂組成物在200℃這樣的高溫之下環氧樹脂變質而硬化，因此有在剝離時殘渣物殘留、發生剝離不良的問題點。
再者，在日本國公開專利公報「特開2002-203821號(公開日：2002年7月19日)」及日本國公開專利公報「特開2001-77304號(公開日：2001年3月23日)」所關連之保護基板與半導體晶圓之黏著所使用之熱塑性薄膜中，由於產生出來自於吸濕之水分之氣體，因此發生黏著不良之問題。日本國公開專利公報「特開昭61-158145號(公開日：1986年7月17日)」所關連之半導體基板之加工方法中，由於進行以蝕刻液進行之鏡面化程序或以真空蒸鍍進行之金屬膜形成，因此對於用於黏著保護基板與半導體晶圓之黏著劑組成物而言，需要耐熱性、剝離性。但是在日本國公開專利公報「特開昭61-158145號(公開日：1986年7月17日)」中，關於黏著劑組成物之組成完全並未揭示。
另外，在本發明人等調查之下，在半導體晶圓或晶片之加工之中，使用丙烯酸系樹脂材料之黏著劑耐龜裂性良好故認為適當。但是，即使在使用如此的丙烯酸系樹脂材料之黏著劑之情況，仍然判明了具有如以下所述般的問題點。
(1)將黏著劑層與保護基板熱壓著時，黏著劑層吸濕之水分變成氣體，於黏著界面發生泡狀之剝落，因此在高溫環境下之黏著強度低。另外，如此的氣體產生，不僅使在高溫環境下之黏著強度降低，在進行以真空條件進行之加工程序等之情況中，對真空環境之製作或保持帶來障礙。
(2)具有半導體晶圓接觸鹼性泥漿或鹼性顯像液等鹼性之液體之步驟之情況下，由鹼性之液體導致黏著劑組成物之接觸面剝離、溶解、分散等而導致劣化。
(3)加熱至約200℃之情況下，耐熱性低，因此黏著劑組成物變質，於剝離液形成不溶物質等剝離不良發生。
本發明係鑑於上述之問題點而完成者，其主要目的在於提供一種黏著劑組成物，係具有在高溫環境下(特別是200℃～250℃)之高黏著強度、高耐熱性，及耐鹼性、吸濕性低，進一步即使在經過高溫及/或高真空環境下之加工程序等(以下簡單標記為「高溫程序」)之後，由半導體晶圓及晶片等之剝離為容易的。
本發明所關連之黏著劑組成物，為了解決上述之問題，係以使含具有馬來醯亞胺基之單體之單體組成物共聚合而成之聚合物作為主成分之黏著劑組成物，特徵為進一步含熱聚合禁止劑。
本發明之其他目的、特徵、及優異之點，應該可藉由以下所揭示之記載而充分了解。另外，本發明之優點，應該可藉著以下的說明而為明白。
 [黏著劑組成物]
對於本發明所關連之黏著劑組成物之一實施形態於以下作說明。
本發明所關連之黏著劑組成物，係以使含具有馬來醯亞胺基之單體(以下稱為含有馬來醯亞胺基的單體)之單體組成物共聚合而成之聚合物作為主成分之黏著劑組成物，進一步含熱聚合禁止劑之黏著劑組成物。
本發明之黏著劑組成物，只要是使用作為黏著劑之用途，則其具體的用途並非受到特別限定者。在本實施之形態中，列舉將本發明之黏著劑組成物使用於為了晶圓支持系統而將半導體晶圓暫時地黏著於支持板之用途之情況為例作說明。
在本說明書之中「主成分」係意指其含量多於本發明之黏著劑組成物所含之其他任一成分。因此，主成分之含量，只要是黏著劑組成物中所含之成分中最多的量，則並不受到限定，但宜為將黏著劑組成物之總量定為100質量份時，主成分之含量係以50質量份以上，100質量份以下為佳，更佳為70質量份以上，100質量份以下。只要是50質量份以上，則本發明之黏著劑組成物所具備之高耐熱性、在高溫環境下(特別是200℃～250℃)之高黏著強度、耐鹼性、在250℃加熱1小時之加熱步驟等、高溫程序後之剝離之容易性所關連之效果會良好地發揮。
另外，在本說明書等中之「支持板」係指，藉由在研削半導體晶圓時，貼合於半導體晶圓，為了以使由研削而薄化之半導體晶圓不發生龜裂及彎曲之方式作保護所使用之基板。
(熱聚合禁止劑)
本發明所關連之黏著劑組成物，係含有熱聚合禁止劑。熱聚合禁止劑，對於防止熱造成之自由基聚合反應為有效的物質。熱聚合禁止劑係表示對自由基高反應性，相較於單體優先地發生反應，因此聚合受到禁止。因此，本發明所關連之黏著劑組成物，在高溫環境下(特別是250℃～350℃)之黏著劑組成物之聚合反應受到抑制。藉此，即使經過在250℃加熱1小時之高溫程序，上述黏著劑組成物可容易地溶解。因此，即使在高溫程序後，亦可容易地剝離由黏著劑組成物所形成之黏著劑層，另外亦可抑制殘渣之發生。
就熱聚合禁止劑而言，只要是對於防止熱造成之自由基聚合反應為有效的，並無特別限定，而以酚系之熱聚合禁止劑為佳。
就熱聚合禁止劑而言，可列舉例如五倍子酚、苯醌、氫醌、亞甲基藍、第三丁基兒茶酚、單苄基醚、甲基氫醌、戊基醌、戊氧基氫醌、正丁基酚、酚、氫醌單丙基醚、4,4'-(1-甲基亞乙基)雙(2-甲基酚)、4,4'-(1-甲基亞乙基)雙(2,6-二甲基酚)、4,4'-[1-[4-(1-(4-羥苯基)-1-甲基乙基)苯基]亞乙基]雙酚、4,4',4"-亞乙基三(2-甲基酚)、4,4',4"-亞乙基三酚、1,1,3-三(2,5-二甲基-4-羥苯基)-3-苯基丙烷、2,6-二第三丁基-4-甲基酚、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基酚)、4,4'-硫代雙(3-甲基-6-第三丁基酚)、3,9-雙[2-(3-(3-第三丁基-4-羥-5-甲基苯基)-丙醯氧基)-1,1-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧螺(5,5)十一烷、三乙二醇-雙-3-(3-第三丁基-4-羥-5-甲基苯基)丙酸酯、正辛基-3-(3,5-二第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯、季戊四醇四[3-(3,5-二第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯](商品名IRGANOX1010、Chiba Specialty Chemicals公司製)、三(3,5-二第三丁基羥苄基)異氰尿酸酯、硫代二乙烯雙[3-(3,5-二第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯]，該等其中尤其酚系之熱聚合禁止劑為佳。
熱聚合禁止劑之含量，只要是因應作為主成分所含之聚合物、以及黏著劑組成物之用途及使用環境適當地決定即可，而0.1質量%以上，10.0質量%以下者為佳，較佳為0.5質量%以上，7.0質量%以下，最佳為1.0質量%以上，5.0質量%以下。藉由定在上述範圍內，抑制熱造成之聚合之效果會良好地發揮，可更容易地在高溫程序後剝離黏著劑層。另外，藉由定在上述範圍內，可防止龜裂之發生。
(含有馬來醯亞胺基的單體)
本發明所關連之黏著劑組成物係於單體組成物，係包含含有馬來醯亞胺基的單體。藉由包含含有馬來醯亞胺基的單體，所得到之黏著劑組成物，成為於主成分之聚合物之主鏈具有醯亞胺環(含醯亞胺基之雜環)。藉此，耐熱性、在高溫環境下(特別是200℃～250℃)之黏著強度提升。另外，藉由上述黏著劑組成物所形成之黏著劑層，即使在250℃加熱1小時之加熱步驟等高溫程序後，亦可容易地剝離。
含有馬來醯亞胺基的單體只要是具有馬來醯亞胺基，可與其他單體成分共聚合，則不受到限定者，而係以下述通式(1)
[化1]
(R1 ～R3 係各自獨立，表示氫原子，或碳數1～20之有機基，該有機基亦可含氧原子、氮原子、硫原子、及鹵素原子)。所表示之化合物者為佳。
在上述通式(1)之中以R1 或R2 所表示之有機基係以氫原子、甲基、乙基者為佳，其中尤其氫原子者為較佳。
在上述通式(1)之中以R3 所表示之有機基而言，係以直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、脂肪族環式烴基、芳香基、芳烷基，或具有馬來醯亞胺基之有機基為佳，其中尤其以烷基、脂肪族環式烴基、及芳香基為較佳。
此處「脂肪族」係指對芳香族之相對的概念，而定義為不具有芳香族性之基、化合物等者。例如「脂肪族環式烴基」係指表示不具有芳香族性之單環式烴基或多環式烴基。
以R3 所表示之烷基、脂肪族環式烴基，或芳香基亦可具有取代基。就取代基而言並無特別限制，可列舉例如鹵素原子、碳數1～6之直鏈狀或分枝鏈狀之烷基、及碳數3～6之脂肪族環式烴基等。此處，「具有取代基」係意指烷基、脂肪族環式烴基、或芳香基之氫原子之一部份或全部被取代基所取代。就鹵素原子而言，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別以氟原子為佳。
就以R3 所表示之烷基之具體例而言，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、月桂基及硬脂酸基等，其中尤其甲基為佳。
就以R3 所表示之有機基為烷基之含有馬來醯亞胺基的單體而言，可列舉例如N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-正丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-正丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-第二丁基馬來醯亞胺、N-第三丁基馬來醯亞胺、N-正戊基馬來醯亞胺、N-正己基馬來醯亞胺、N-正庚基馬來醯亞胺、N-正辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂酸基馬來醯亞胺等，其中尤其由工業的供給安定性、耐熱性之觀點看來，係以N-甲基馬來醯亞胺為佳。
就以R3 所表示之脂肪族環式烴基而言，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基及環辛基等，其中尤其環己基為佳。
就以R3 所表示之有機基為脂肪族環式烴基之含有馬來醯亞胺基的單體而言，可列舉例如N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等，其中尤其由工業的供給安定性、耐熱性之觀點看來，係以N-環己基馬來醯亞胺為佳。
就以R3 所表示之芳香基而言，可列舉苯基及甲基苯基等，其中尤其苯基為佳。
就以R3 所表示之有機基為具有芳香基之含有馬來醯亞胺基的單體而言，可列舉例如N-苯基馬來醯亞胺、N-間甲基苯基馬來醯亞胺、N-鄰甲基苯基馬來醯亞胺、N-對甲基苯基馬來醯亞胺等，其中尤其由工業的供給安定性、耐熱性之觀點看來，係以N-苯基馬來醯亞胺為佳。
該等以外，就含有馬來醯亞胺基的單體而言，可列舉N-苄基馬來醯亞胺、N-苯乙基馬來醯亞胺、1-甲基-2,4-雙馬來醯亞胺苯、N,N'-間伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-對伸苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-間甲代苯雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-亞聯苯基雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二甲基-亞聯苯基)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二甲基二苯甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-(3,3'-二乙基二苯甲烷)雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯甲烷雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯丙烷雙馬來醯亞胺、N,N'-3,3'-二苯碸雙馬來醯亞胺、N,N'-4,4-二苯醚雙馬來醯亞胺等。
另外，構成黏著劑組成物之主成分之聚合物之含有馬來醯亞胺基的單體僅使用1種或者混合2種以上使用皆可。
含有馬來醯亞胺基的單體之混合量，只要是與單體組成物所含之其他化合物共聚合反應進行，則不受到限定者，只要因應目的之黏著強度、耐熱性等黏著劑組成物之性質適當地決定即可，而在單體組成物中之含有馬來醯亞胺基的單體之含量係以1.0質量%以上，25質量%以下者為佳，較佳為5質量%以上，20質量%以下。只要在1.0質量%以上，即可得到耐熱性、在高溫環境下之黏著強度更為提升之黏著劑，只要在25質量%以下，可得到在高溫程序後之剝離成為更加容易之黏著劑。
(苯乙烯)
本實施之形態所關連之黏著劑組成物，亦可於單體組成物進一步含苯乙烯。由於苯乙烯即使在200℃以上之高溫環境下亦不會變質，因此黏著劑組成物之耐熱性提升。
對於在單體組成物含苯乙烯之情況而言，苯乙烯之混合量只要是與單體組成物所含之其他化合物共聚合反應進行，則不受到限定者，因應目的之黏著強度、耐熱性等黏著劑組成物之性質，適當地決定即可，而係以將含苯乙烯與含有馬來醯亞胺基的單體之單體組成物之總量定為100質量份時，苯乙烯之混合量為1質量份以上，60質量份以下者為佳，20質量份以上，60質量份以下者為較佳。只要為1質量份以上，即可得到耐熱性更為提升之黏著劑，只要是60質量份以下，即可得到耐龜裂性提升之黏著劑。
(苯乙烯塊段(block segment))
本實施之形態所關連之黏著劑組成物之主成分之聚合物，亦可具有苯乙烯塊段。
以具有苯乙烯塊段之聚合物作為主成分之黏著劑組成物，可防止在黏著劑組成物與被黏著物之界面之氣體之發生。因此，在加熱時、真空時，可防止在上述界面之氣體產生造成之黏著劑組成物之層間剝離，可得到在高溫環境下之黏著強度提升之黏著劑組成物。
另外，在高溫環境下之上述黏著劑組成物中之分子鏈彼此之解離受到抑制，因此可防止在高溫環境下之黏著劑組成物之變質。因此，上述黏著劑組成物之黏著強度提升，進一步，即使在經過高溫程序之後，藉由上述黏著劑組成物所形成之黏著劑層可容易地剝離。
另外，藉著使苯乙烯塊狀化，在黏著劑組成物之塗膜之中，形成擬似海島構造，產生相對硬的區域與相對柔軟的區域。藉此可發生熱造成之應力緩和。就結果而言，可維持黏著劑組成物之高溫耐性，同時可抑制龜裂之發生。再者，藉由抑制龜裂之發生，可抑制龜裂導致之溶劑浸入及塵埃發生。藉此，步驟不良減輕，步驟內之產率提升。
另外，在本說明書所謂的「苯乙烯塊段」係意指聚合物之中，苯乙烯以嵌段單位共聚合之部位。此處，若於使聚合開始之後添加苯乙烯，則其他成分之共聚合幾乎結束，因此僅形成該苯乙烯之嵌段體。因此，苯乙烯塊段，可說是只有在使其他單體成分之聚合開始之後所添加之苯乙烯進行聚合之嵌段共聚物。
由苯乙烯而來的苯乙烯塊段之形成，係藉由將苯乙烯之全部或一部份，在將該苯乙烯之殘部與含馬來醯亞胺含有單體之其他單體成分混合而使共聚合反應開始之後，使共聚合反應結束之前，一起或分成多次混合於共聚合反應系統亦即使共聚合反應進行之反應器等而進行。
形成苯乙烯塊段之苯乙烯之量，係藉著使共聚合反應開始之後所加入之苯乙烯之量而作調整。而且，此量只要是因應於作為目的之黏著強度、耐熱性等黏著劑組成物之性質適當地設定即可，而係以將本實施之形態所關連之黏著劑組成物之製造所使用之苯乙烯之全量定為100質量份時，1質量份以上，100質量份以下者為佳。
再者，使共聚合反應開始之後所加入之苯乙烯，係以一起，亦即一次將苯乙烯之全量加入者為佳。另外，係以共聚合反應所需要的時間之內，經過一半時間更前加入者為佳。只要以如此之方式進行，藉著使苯乙烯稠密而共聚合，苯乙烯塊段適當地形成於黏著劑組成物中。
((甲基)丙烯酸烷基酯)
本發明所關連之黏著劑組成物，亦可於單體組成物進一步含(甲基)丙烯酸烷基酯。
在本說明書之中，(甲基)丙烯酸烷基酯係意指具有碳數15～20之烷基之丙烯酸系長鏈烷基酯及具有碳數1～14之烷基之丙烯酸系烷基酯。
藉由在單體組成物含(甲基)丙烯酸烷基酯，黏著劑組成物之主成分之聚合物內所含之烷基鏈之含有率增加。藉此黏著劑組成物之中發生應力緩和為可能的，就結果而言，可維持高溫耐性，同時可抑制龜裂之發生。再者，藉由抑制龜裂之發生，可抑制龜裂導致之溶劑浸入及塵埃發生。藉此，步驟不良減低，步驟內之產率提升。
就丙烯酸系長鏈烷基酯而言，可列舉烷基為正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等所構成之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。另外，丙烯酸系長鏈烷基酯之烷基為直鏈狀或者具有分枝鏈皆可。
就具有碳數1～14之烷基之丙烯酸系烷基酯而言，可列舉以往之(甲基)丙烯酸系黏著劑所使用之周知的酯。可列舉例如烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、十三烷基、月桂基等所構成之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷基酯。
另外，構成黏著劑組成物之主成分之聚合物之(甲基)丙烯酸烷基酯，僅使用1種或者混合2種以上使用皆可。
(甲基)丙烯酸烷基酯之混合量，只要是與單體組成物所含之其他化合物進行共聚合反應，則不受到限定，只要因應目的之黏著強度、耐熱性等黏著劑組成物之性質，適當地決定即可，而係以將含(甲基)丙烯酸烷基酯與含有馬來醯亞胺基的單體之單體組成物之總量定為100質量份時，(甲基)丙烯酸烷基酯之混合量為10質量份以上，90質量份以下者為佳，較佳為20質量份以上，80質量份以下。只要為10質量份以上，即可得到柔軟性及耐龜裂性更為提升之黏著劑，只要為90質量份以下，即可得到耐熱性降低、剝離不良及吸濕性受到抑制之黏著劑。
本發明所關連之黏著劑組成物，係於單體組成物含苯乙烯及(甲基)丙烯酸烷基酯之任一者皆可。於單體組成物含苯乙烯及(甲基)丙烯酸烷基酯之任一者之情況下，在單體組成物中之苯乙烯與(甲基)丙烯酸烷基酯之質量比，只要不損及本發明中之本質的特性，則不受到限定，而(甲基)丙烯酸烷基酯對苯乙烯之質量比，係以在0.1以上，3以下之範圍內者為佳。較佳為(甲基)丙烯酸烷基酯對苯乙烯之質量比在0.5以上，2.5以下之範圍內。藉由定為上述範圍內，耐熱性及黏著性等成為良好的。
(二官能性單體)
本發明所關連之黏著劑組成物，亦可進一步含二官能性單體。在含二官能性單體之情況，所得到之黏著劑組成物中，其構成分子透過該二官能性單體被交聯。藉由交聯而取其為三度空間構造，該黏著劑組成物之質量平均分子量變大。一般而言在黏著劑之技術領域之中，已知若構成之分子之質量平均分子量變大，則黏著劑組成物之內部能量提升之現象。而且，已知在高溫環境下之黏著強度之高低，此內部能量亦成為一個要因。另外，若黏著劑組成物之質量平均分子量變大，則表觀之玻璃轉移點亦上昇，藉此黏著強度提升。亦即，上述單體組成物進一步含二官能性單體之情況，黏著劑組成物之質量平均分子量變大，在高溫環境下之黏著強度提升。
再者，上述單體組成物含二官能性單體之情況，在高溫環境下之上述黏著劑組成物中之分子鏈彼此之解離受到抑制。藉此，在高溫時之黏著強度提升，另外，即使在經過高溫程序之後亦可容易地剝離。另外，由於在上述聚合物中，可將成為耐鹼性降低原因之羧基含量抑低，因此以此作為主成分之上述黏著劑組成物，係具有高耐鹼性。
因此，可提供耐熱性、耐鹼性、及在高溫環境下之黏著強度更高，形成之黏著劑層之高溫程序後之剝離更為容易的黏著劑組成物。
在本說明書之中二官能性單體係意指具備二個官能基之化合物。亦即，上述二官能性單體只要為具備二個官能基之化合物，則不受到限定，而選自以下述通式(2)
[化2]
(R4 係表示碳數2～20之2價之烷基，或具有環式構造之碳數6～20之2價之有機基，亦可含氧原子。X1 及X2 係各自獨立，表示(甲基)丙烯醯基、乙烯基)。
所表示之化合物所構成之群中至少一個之二官能性單體者為佳。就以上述通式(2)所表示之化合物而言，可列舉二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,9-壬烯二醇丙烯酸酯、萘二丙烯酸酯、二環戊烷基二丙烯酸酯及以下述式(3)
[化3]
(R5 及R6 係各自獨立，表示環氧乙烷或環氧丙烷，n及s係各自獨立為0～4之整數)所表示之化合物。該等單獨使用或混合2種以上使用皆可。
該等其中尤其以選自二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,9-壬烯二醇丙烯酸酯、萘二丙烯酸酯、二環戊烷基二丙烯酸酯及上述式(3)所構成之群中至少一個二官能性單體為更佳。該等二官能性單體容易與其他單體組成物之成分交聯，其交聯構造亦安定。是因為藉此可得到在高溫環境下之黏著強度及耐熱性進一步提升之黏著劑組成物之緣故。
於本發明所關連之黏著劑組成物使其含上述二官能性單體之情況，該二官能性單體之量，只要因應於黏著強度等作為目的之黏著劑組成物之性質適當地設定即可，而係以將上述含有馬來醯亞胺基的單體、上述苯乙烯、與上述(甲基)丙烯酸烷基酯之總量定為100質量份時，0.1～0.5質量份者為佳，更佳為0.1～0.3質量份。只要為0.1～0.5質量份，所得到之黏著劑組成物在高溫環境下之黏著強度及耐熱性進一步提升，另外還可抑制吸濕性，因此可防止黏著劑組成物之膠體化。
(黏著劑組成物中之主成分以外之成分)
對於本實施之形態所關連之黏著劑組成物而言，在不損及本發明中之本質的特性之範圍，可進一步添加具有混和性之添加劑，例如用於改良黏著劑性能之附加的樹脂、可塑劑、黏著助劑、安定劑、著色劑及界面活性劑等慣用者。
再者，黏著劑組成物在不損及本發明中之本質的特性之範圍，亦可為了進行黏度調整而使用有機溶劑稀釋。就有機溶劑而言，可列舉例如丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、乙二醇單醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇單醋酸酯、丙二醇、丙二醇單醋酸酯、二丙二醇或二丙二醇單醋酸酯之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多價醇類及其衍生物；二噁烷等環式醚類；及乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類。該等單獨使用或混合2種以上使用皆可。特別是乙二醇、乙二醇單醋酸酯、二乙二醇、二乙二醇單醋酸酯、丙二醇、丙二醇單醋酸酯、二丙二醇或二丙二醇單醋酸酯之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多價醇類及其衍生物為較佳。
有機溶劑之使用量，係因應塗佈黏著劑組成物之膜厚而適當地設定，只要是黏著劑組成物可塗佈於半導體晶圓等支持體上的濃度即可，並無特別限定。一般而言，以黏著劑組成物之固體成分濃度成為20～70質量%、較佳為25～60質量%之範圍內之方式使用。
[黏著劑組成物之調製方法] (共聚合反應)
單體組成物之共聚合反應只要藉由周知的方法進行即可，並非受到特別限定者。例如藉由使用現存之攪拌裝置攪拌單體組成物，可得到本發明所關連之黏著劑組成物之主成分之聚合物。
在共聚合反應中之溫度條件，只要適當地設定即可，不受到限定，而以60～150℃者為佳，更佳為70～120℃。
另外，共聚合反應之中，亦可適當地使用溶劑。就溶劑而言，可使用上述之有機溶劑，其中尤其丙二醇單甲基醚醋酸酯(以下標記為「PGMEA」)為較佳。
另外，本實施之形態所關連之共聚合反應之中，亦可適當地使用聚合起始劑。就聚合起始劑而言，可列舉2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)、2,2'-偶氮雙異酪酸二甲基、1,1'-偶氮雙(環己烷-1-腈)、4,4'-偶氮雙(4-氰基纈草酸)等偶氮化合物；過氧化癸醯基、過氧化月桂醯基、過氧化苯甲醯基、過氧化雙(3,5,5-三甲基己醯基)、過氧化琥珀酸、第三丁基過氧-2-乙基己酸酯、第三丁基過氧特戊酸酯、1,1,3,3-四甲基丁基過氧-2-乙基己酸酯等有機過氧化物。僅使用該等之中1種，或適當地混合2種以上使用皆可。另外，聚合起始劑之使用量，只要是因應單體組成物之組合或反應條件等適當地設定即可，並無特別限定。
就本發明所使用之聚合物之重量平均分子量之適當範圍而言，係以10000～300000為佳，20000～200000為較佳，30000～150000特佳。藉由定為10000以上，可具有良好的柔軟性。藉由定為300000以下，耐熱性成為良好。
(熱聚合禁止劑之添加)
將熱聚合禁止劑添加於上述聚合物之方法，只要藉由周知的方法實施即可，並未特別受到限定，而可列舉例如藉由在使共聚合反應結束之後，一起或分成多次混合於共聚合反應系統，亦即進行共聚合反應之反應器等而進行之方法。另外，亦可將熱聚合禁止劑溶解於適當的有機溶劑而進行添加。
[黏著薄膜]
上述之本發明所關連之黏著劑組成物，可因應用途採用各式各樣之利用形態。例如亦可使用液狀之狀態塗佈於半導體晶圓等被加工體之上，形成黏著劑層之方法，或者可使用於本發明所關連之黏著薄膜，亦即，預先於可撓性薄膜等薄膜上形成含有上述之任一黏著劑組成物之黏著劑層之後，使其乾燥然後將此薄膜(黏著薄膜)貼附於被加工體而使用之方法(黏著薄膜法)。
如此，本發明所關連之黏著薄膜係於薄膜上具備含有上述任一者黏著劑組成物之黏著劑層。
因此，單體組成物藉由包含含有馬來醯亞胺基的單體，構成黏著劑層之黏著劑組成物之耐熱性提升，可得到耐熱性、在高溫環境下之黏著強度優異之黏著薄膜。
另外，由於黏著劑組成物含有熱聚合禁止劑，黏著劑層之溶解性提升，可得到容易剝離之黏著薄膜。
黏著薄膜，亦可於黏著劑層進一步被覆保護薄膜而使用。在此情況之中，藉由將黏著劑層上之保護薄膜剝離，和曝露於被加工體上之黏著劑層重疊之後，由黏著劑層將上述薄膜剝離，可容易地將黏著劑層設置於被加工體上。
因此，只要使用此黏著薄膜，則與在被加工體上直接塗佈黏著劑組成物而形成黏著劑層之情況比較，可形成膜厚均勻性及表面平滑性之良好的黏著劑層。
就黏著薄膜之製造所使用之上述薄膜而言，只要可將製膜於薄膜上之黏著劑層由該薄膜剝離，可將黏著劑層轉寫於保護基板或晶圓等被處理面上之離型薄膜，則不受到限定。可列舉例如膜厚15～125μm之聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、及聚氯乙烯等合成樹脂薄膜所構成之可撓性薄膜。對於上述薄膜而言，因應必要、轉寫成為容易之方式施行離型處理者為佳。
就於上述薄膜上形成黏著劑層之方法而言，可列舉因應所希望之黏著劑層之膜厚或均勻性，適當地使用周知的方法，於薄膜上以黏著劑層之乾燥膜厚成為10～1000μm之方式塗佈本發明所關連之黏著劑組成物之方法。
另外，使用保護薄膜之情況下，就保護薄膜而言，只要可由黏著劑層剝離，則不受到限定，而以例如聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、及聚乙烯薄膜為佳。另外，各保護薄膜係以將矽塗佈或烤漆者為佳。原因是由黏著劑層之剝離變為容易。保護薄膜之厚度並無特別限定，而以15～125μm為佳。原因是可確保具備保護薄膜之黏著薄膜之柔軟性。
黏著薄膜之使用方法並無特別限定，而可列舉例如使用保護薄膜之情況中，適宜將此剝離然後再與曝露於被加工體上之黏著劑層重疊，藉由在薄膜上(形成有黏著劑層之面的背面)使加熱輥移動，使黏著劑層熱壓著於被加工體表面之方法。此時，由黏著薄膜剝離之保護薄膜，只要依序以捲取輥等輥捲繞成為輥狀，即可保存再利用。
本實施形態之黏著劑組成物，只要是作為黏著劑組成物使用於黏著用途，並無特別限定，而可適當地使用作為用於將半導體晶圓之精密加工用保護基板黏著於半導體晶圓等基板之黏著劑組成物。本發明之黏著劑組成物，特別是可適當地使用作為在研削半導體晶圓等基板而薄板化時，用於將該基板貼附於支持板之黏著劑組成物(例如日本國專利公開公報「特開2005-191550號(公開日：2005年7月14日)」)。
[剝離液]
就用於除去本實施形態所關連之黏著劑組成物之剝離液，亦即使黏著劑組成物溶解，使由本黏著劑組成物所形成之黏著劑層剝離之剝離液而言，可使用通常所使用之剝離液，而特別是以PGMEA及醋酸乙酯、以及甲基乙基酮作為主成分之剝離液由環境負荷及剝離性之觀點看來為佳。
[熱處理方法]
本發明之熱處理方法，特徵為包含將具備上述黏著劑組成物之被熱處理物，在250℃以上350℃以下之範圍內進行熱處理之步驟。
再者，本發明之熱處理方法，特徵為包含使上述黏著劑組成物所構成之黏著劑層形成於基板之表面之形成步驟，與該形成步驟之後，將該基板在250℃以上，350℃以下進行熱處理之熱處理步驟，與該熱處理步驟之後，由該基板將該黏著劑層剝離之剝離步驟。
首先，使用本發明之黏著劑組成物，於基板上形成黏著劑層(形成步驟)。形成黏著劑層之方法，並無特別限定者，而可列舉例如使用上述黏著薄膜形成黏著劑層之方法，以及使用塗佈器及棒式塗佈機等周知的技術直接塗佈之方法等。依據該等方法，可形成膜厚之均勻性優異黏著劑之塗膜。
於基板上形成黏著劑層之後，使被熱處理物黏著於黏著劑層。接下來，於與基板黏著之被熱處理物施行所希望之熱處理(熱處理步驟)。在熱處理中之溫度，可因應於被熱處理物施行之處理內容適當地決定，而以250℃以上為佳，較佳為250℃以上，350℃以下。另外，熱處理亦可在高真空下(例如3Pa)進行。藉由在上述溫度進行處理，在本發明之黏著劑組成物中之高溫黏著性、及高溫程序後之剝離容易性所關連之效果會良好地發揮。
於被熱處理物施行熱處理之後，為了將被熱處理物由基板剝離，使用上述PGMEA等剝離液，將黏著劑層溶解使其剝離(剝離步驟)。
在本發明之熱處理方法之中，係使用本發明所關連之黏著劑組成物。因此，即使在250℃之高溫，黏著強度會良好地維持著，另外，即使經過250℃以上之高溫、3Pa之高真空之程序之後，可容易地使黏著劑層剝離。
就本實施形態之熱處理方法之用途而言，只要在熱處理時，使用本發明之黏著劑組成物，則並無特別限定，而可適合使用於將半導體晶圓之精密加工用保護基板黏著於半導體晶圓等基板，使其通過高溫程序，使保護基板與半導體晶圓分離之一連串的作業。
以下對於本發明之實施例作說明，而本發明並不受到該等實施例所限定。
[實施例]
首先，對於實施例1所關連之黏著劑組成物具體的調製方法作說明。
於具備回流冷卻器、攪拌機、溫度計、及氮導入管之容量300ml之4口燒瓶，裝入PGMEA111.6g作為溶劑、以及裝入如表1所表示般，甲基丙烯酸甲酯30g、苯乙烯52g、及環己基馬來醯亞胺18g作為單體，開始N2 之吹入。藉著開始攪拌，使聚合開始，攪拌同時至100℃昇溫之後，將PGMEA13.33g及第三丁基過氧2-乙基己酸酯(聚合起始劑)1g所構成之混合液藉由滴下管嘴花費4小時連續地滴下。滴下速度為固定。
將滴下結束後所得到之聚合反應液直接於100℃熟成1小時之後，將由PGMEA25.10g及第三丁基過氧2-乙基己酸酯0.3g所構成之混合液花費1小時滴下。其後，將聚合反應液進一步直接於100℃熟成1小時之後，將1,1,3,3-四甲基丁基過氧2-乙基己酸酯1.0g一起投入。接下來，將聚合反應液直接於100℃熟成3小時之後，至確認有溶劑之回流為止使聚合反應液昇溫，熟成1小時，使聚合結束而合成出樹脂1。
實施例4所關連之黏著劑組成物，係如以下所述之方式得到。
於具備回流冷卻器、攪拌機、溫度計、及氮導入管之容量300ml之4口燒瓶，裝入PGMEA111.6g作為溶劑、以及裝入如表1所表示般，甲基丙烯酸甲酯58g、苯乙烯20g、及環己基馬來醯亞胺18g作為單體，開始N2 之吹入。藉著開始攪拌，使聚合開始，攪拌同時昇溫至100℃之後，將由PGMEA13.3g與苯乙烯20g所構成之混合液、及由PGMEA13.3g與第三丁基過氧2-乙基己酸酯0.6g所構成之混合液，分別由各自之滴下管嘴花費4小時連續地滴下。滴下速度為固定。對在滴下結束後所得到之聚合反應液，進行與實施例1所關連之樹脂1相同之處理，合成出樹脂4。
實施例2、6及7所關連之樹脂2、實施例3所關連之樹脂3、以及比較例1所關連之樹脂6，係以與實施例1所關連之樹脂1相同之方法合成。實施例5所關連之樹脂5，係以與實施例4所關連之樹脂4相同之方法合成。
如此，實施例1～3、6及7、以及比較例1，係預先將全部之單體組成物混合之後，使共聚合反應開始。另一方面，在實施例4及5中，將所使用之苯乙烯中之一部份(實施例4)或全部(實施例5)混合其他單體組成物之成分開始聚合之後，混合於上述燒瓶內。
另外，實施例8～13及比較例2所關連之樹脂7及8、以及實施例14所關連之樹脂9，係以與實施例1所關連之樹脂1相同之方法合成。另外，在實施例14中，於合成時對單體組成物進一步混合二環戊烷基二丙烯酸酯作為二官能單體。如此，實施例8～14及比較例2係預先混合全部之單體組成物之後，使共聚合反應開始。
另外，實施例15及比較例3所關連之樹脂10、實施例16及比較例4所關連之樹脂11、以及實施例17、18及比較例5所關連之樹脂12，除了於聚合前進一步混合苯基馬來醯亞胺作為上述單體之外，係以與實施例4所關連之樹脂4相同之方法合成。如此，在實施例15～18及比較例3～5中，將所使用之苯乙烯之全部混合其他單體組成物之成分使聚合開始之後，混合於上述燒瓶內。
將在實施例及比較例中之單體組成物之組成、以及藉由使該單體組成物聚合所得到之樹脂之重量平均分子量表示於表1～3。
將上述樹脂1～12及熱聚合禁止劑分別溶解於PGMEA，聚合物之濃度成為40質量%之黏著劑組成物之方式調製。將各實施例及各比較例中之熱聚合禁止劑之添加量表示於表4～6。就熱聚合禁止劑而言，使用IRGANOX1010(Chiba Specialty Chemicals公司製)。
將實施例1～18及比較例1～5所關連之各黏著劑組成物塗佈於6英吋矽晶圓上之後，於110℃、150℃、及200℃各3分鐘，合計進行9分鐘乾燥，於上述矽晶圓上形成膜厚15μm之塗膜。
於以下對於此矽晶圓上使用調製之各黏著劑組成物測定之結果作說明。
(耐熱性之評估、脫氣量之測定)
將各個塗膜由40℃昇溫至250℃，測定由塗膜之氣體產生量(脫氣量)，藉由此氣體量評估各黏著劑組成物之耐熱性。
由脫氣量可評估耐熱性的理由係如同以下所述。此即，至100℃所測定之脫氣量，係來自於水蒸氣或其共沸氣體。而且，水蒸氣或其共沸氣體，係來自於黏著劑組成物吸濕之水分。另一方面，在100℃以上測定之脫氣量，係來自於黏著劑組成物本身因為熱而分解所產生之氣體。因此，藉由100℃以上，特別是在200℃附近之脫氣量，可評估黏著劑組成物之耐熱性。
對於脫氣量之測定，係使用TDS法(Thermal Desorption Spectroscopy法、昇溫脫離分析法)。TDS測定裝置(放出氣體測定裝置)係使用EMD-WA1000(電子科學股份有限公司製)。
TDS裝置之測定條件係以Width：100、Center Mass Number：50、Gain：9、Scan Speed：4、Emult Volt：1.3kV進行。
耐熱性之評估，係將在200℃，藉由TDS測定裝置求得之強度(Indensity)為未滿100000，以金屬顯微鏡並未觀察到殘渣之情況定為「○」、為100000以上而以金屬顯微鏡並未觀察到殘渣之情況定為「△」、100000以上，以金屬顯微鏡觀察到殘渣之情況定為「×」。
另外，脫氣量之評估，係將藉由上述TDS測定裝置在200℃所求得之強度(Indensity)為未滿100000之情況定為「○」、為100000以上之情況定為「×」。
(柔軟性之評估)
首先一開始，藉由目視觀察塗佈於矽晶圓上之後塗膜層之龜裂之有無，將有龜裂者定為「×」、無者定為「○」。
接下來對於各矽晶圓，使用冷熱衝擊測試機TSE-11A(ESPEC公司製)實施熱循環測試之後，觀察龜裂之有無，由龜裂之有無評估各黏著劑組成物之柔軟性。熱循環測試，係藉由將各樹脂各別在-30℃及+80℃之溫度保持30分鐘之作業定為1循環，將此重覆5循環而進行。熱循環測試之後，藉由目視觀察上述塗膜層之龜裂之有無，將有龜裂者定為「×」、無者定為「○」。
(耐熱溶解性之評估、溶解速度之測定)
將各矽晶圓250℃加熱1小時之後，使其浸漬於PGMEA。浸漬後，藉由目視觀察上述塗膜層之溶解之有無，將溶解發生者定為「○」、溶解並未發生者定為「×」。
另外，由溶解之塗膜厚度與溶解時間之關係算出溶解速度(nm/sec)。
(黏著強度之評估)
在200℃以1kg之加重使玻璃基板黏著於形成在矽晶圓上之黏著劑組成物之塗膜層。將此玻璃基板拉伸，使用縱型電動測量台MX-500N(IMADA股份有限公司製)算出玻璃基板由矽晶圓剝落時之黏著強度。在250℃之黏著強度為2kg/cm2 以上之情況定為「○」，小於2kg/cm2 之情況定為「×」。
對實施例1～18及比較例1～5之黏著劑組成物，比較在250℃之黏著強度、脫氣、耐熱性、柔軟性、耐熱溶解性及溶解速度。將其結果表示於表7～9。
對於實施例7之晶圓，在300℃、加熱1小時之後，與上述相同地進行「耐熱溶解性之評估」。其結果，確認了溶解之現象(溶解速度83nm/sec)。
如表7～9所表示般，判明了在本發明所關連之實施例之中，任一者皆耐熱溶解性良好，而且即使在250℃之高溫加熱後，塗膜層之溶解發生。另外，判明了在實施例7之中，即使在300℃之高溫過熱後，塗佈層之溶解發生。相對於此，在比較例1～5之中，在高溫加熱後，塗膜層之溶解並未發生。
另外，熱循環測試後之柔軟性之測定，在更為嚴苛的條件之柔軟性之測定，雖然認為在此條件有龜裂之發生，而在本發明之黏著劑組成物可使用之用途方面沒有問題。
本發明所關連之黏著劑組成物，如以上所述般，以使含具有馬來醯亞胺基之單體之單體組成物共聚合而成之聚合物作為主成分，進一步含熱聚合禁止劑。因此，所得到之黏著劑組成物成為於聚合物之主鏈具有來自於具有馬來醯亞胺基之單體之醯亞胺環。藉此，所得到之黏著劑組成物在高溫之耐熱性、在高溫環境下之黏著性(特別是200℃～250℃)、耐鹼性提升。
再者，於此黏著劑組成物含熱聚合禁止劑。藉此，在高溫程序(特別是，250℃、3Pa)之熱聚合受到抑制，即使經過高溫程序之後，可容易地將由黏著劑組成物所形成之黏著劑層剝離。
由以上所述看來，在本發明中，發揮出可提供耐熱性、在高溫環境下(特別是200℃～250℃)之黏著強度、及耐鹼性優異，即使在250℃加熱1小時之高溫程序後，可容易地將由黏著劑組成物所形成之黏著劑層剝離之黏著劑組成物這樣的效果。
本發明所關連之黏著劑組成物及黏著薄膜具有高耐熱性、加熱時造成之脫氣量少、在高溫之黏著強度、及在高溫程序後之溶解性優異。因此可適合使用於經過高溫程序之半導體晶圓或晶片之加工步驟。
在發明之詳細說明之項之中所完成之具體的實施形態或實施例，只是闡明本發明之技術內容者，並非僅限定於如此的具體例而被狹義地解釋，在本發明之精神與接下來記載的專利請求項之範圍內，可做各式各樣的變更而實施。

Claims (8)

  1. 一種黏著劑組成物，其係將半導體晶圓暫時地黏著於支持板用之黏著劑組成物；該黏著劑組成物係以使含有具有馬來醯亞胺基之單體之單體組成物共聚合而成之聚合物作為主成分，且進一步含有熱聚合禁止劑；該單體組成物係進一步含有苯乙烯及(甲基)丙烯酸烷基酯，將該單體組成物之總量設為100質量份時，該苯乙烯之量為30質量份以上，60質量份以下，該(甲基)丙烯酸烷基酯之量為30質量份以上，58質量份以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之黏著劑組成物，其中該熱聚合禁止劑之含量係0.1質量%以上，10.0質量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之黏著劑組成物，其中在該單體組成物中之具有馬來醯亞胺基之單體之含量係1.0質量%以上，25質量%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載之黏著劑組成物，其中該熱聚合禁止劑係酚系之熱聚合禁止劑。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之黏著劑組成物，其中該聚合物係具有苯乙烯塊段。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之黏著劑組成物，其中該(甲基)丙烯酸烷基酯對該苯乙烯之質量比係0.1以上，3以下。
  7. 一種將半導體晶圓暫時地黏著於支持板用之黏著薄膜，其特徵為於薄膜上具備含有如申請專利範圍第1~6項中任一項之黏著劑組成物之黏著劑層。
  8. 一種熱處理方法，其特徵為包含以下步驟：經由如申請專利範圍第1至6項中任一項之黏著劑組成物所構成之黏著劑層而貼合半導體晶圓及支持板之步驟、將已貼合之該半導體晶圓及該支持板在200℃以上，350℃以下進行熱處理之熱處理步驟、與該熱處理步驟之後，由該半導體晶圓將該支持板剝離之剝離步驟。
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