JP6971139B2 - 接着剤組成物、接着層付き支持体、接着フィルム、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着剤組成物、接着層付き支持体、接着フィルム、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法に関する。

半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）には、対応サイズに応じて様々な形態が存在し、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）、ＰＬＰ（Panel Level Package）等がある。
半導体パッケージの技術としては、ファンイン型技術、ファンアウト型技術が挙げられる。ファンイン型技術による半導体パッケージとしては、ベアチップ端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等が知られている。ファンアウト型技術による半導体パッケージとしては、該端子をチップエリア外に再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等が知られている。

近年、特にファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用される等、半導体パッケージにおける、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等を実現し得る方法として注目を集めている。

半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。これに対し、基板に支持体を貼り合わせた積層体が採用されている。

ここで基板と支持体とを貼り合わせる際には、従来、光の透過率に優れる点から、シクロオレフィン構造を有するポリマー、を含有する接着剤が汎用されている。
特許文献１には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーと、を含有する接着剤組成物が開示されている。

特開２０１４−１０５３１６号公報

ところで、半導体パッケージ製造の際には、基板と支持体とを接着剤により貼り合わせた後、封止、薄膜形成、焼成などの高温処理が施される。
そして、特許文献１に記載の接着剤により基板と支持体とが貼り合わされている場合、前記の高温処理の影響によって、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じる等の問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、支持体と基板とを貼り合わせるための接着剤組成物であって、より耐熱性が高められた接着層を形成できる接着剤組成物、これを用いた接着層付き支持体、接着フィルム、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持体と基板とを貼り合わせるための接着剤組成物であって、炭化水素樹脂（Ｐ１）と、ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）（但し、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）を除く）と、を樹脂成分（Ｐ）として含有することを特徴とする、接着剤組成物である。
本発明の第２の態様は、支持体と基板とを貼り合わせるための接着剤組成物であって、前記接着剤組成物は、少なくとも炭化水素樹脂（Ｐ１）を樹脂成分（Ｐ）として含み、
前記接着剤組成物から２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの試験片を作製し、周波数１Ｈｚの引張条件で、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件にて前記試験片を動的粘弾性測定に付したときに、
５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、１．０×１０^９Ｐａ未満、
１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、３．０×１０^６Ｐａ超、
の双方の要件を満たす、接着剤組成物である。

本発明の第３の態様は、基板が貼り合わされる支持体と、前記支持体上に、前記第１又は第２の態様に係る接着剤組成物を用いて形成された接着層と、を備えたことを特徴とする、接着層付き支持体である。

本発明の第４の態様は、フィルムと、前記フィルム上に、前記第１又は第２の態様に係る接着剤組成物を用いて形成された接着層と、を備えたことを特徴とする、接着フィルムである。

本発明の第５の態様は、支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされた積層体であって、前記接着層は、前記第１又は第２の態様に係る接着剤組成物を用いて形成された層であることを特徴とする、積層体である。

本発明の第６の態様は、支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされた積層体の製造方法であって、前記支持体上又は前記基板上の少なくとも一方に、前記第１又は第２の態様に係る接着剤組成物を用いて前記接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層形成工程で形成された前記接着層を介して、前記支持体と前記基板とを貼り合わせる貼合工程と、を有することを特徴とする、積層体の製造方法である。

本発明の第７の態様は、前記第６の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体が備える前記基板から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、を有することを特徴とする、電子部品の製造方法である。

本発明によれば、支持体と基板とを貼り合わせるための接着剤組成物であって、より耐熱性が高められた接着層を形成できる接着剤組成物、これを用いた接着層付き支持体、接着フィルム、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することができる。

本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。 積層体の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図２（ａ）は、支持体を作製する工程を説明する図であり、図２（ｂ）は、接着層形成工程を説明する図であり、図２（ｃ）は、貼合工程を説明する図である。 積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図３（ａ）は、第１実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図３（ｂ）は、封止工程を説明する図である。 積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図４（ａ）は、第２実施形態の製造方法により製造された封止体を示す図であり、図４（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図４（ｃ）は再配線形成工程を説明する図である。 半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、第３実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図５（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図５（ｃ）は、除去工程を説明する図である。 支持体１と基板４（ベアチップ）とが接着層３を介して貼り合わされた積層体１０を示す平面図である。

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（−Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（−ＣＨ_２−）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの；α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。尚、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１〜５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１〜５が好ましく、１が最も好ましい。

（接着剤組成物（第１の態様））
本発明の第１の態様に係る接着剤組成物は、支持体と基板とを貼り合わせるためのものである。本実施形態の接着剤組成物は、樹脂成分（Ｐ）を含有する。この樹脂成分（Ｐ）は、少なくとも、炭化水素樹脂（Ｐ１）と、ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）（但し、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）を除く）と、を含む。

図１は、本発明を適用した積層体の一実施形態を示している。
図１に示す積層体１０は、支持基体１と基板４との間に、分離層２及び接着層３を備えたものであり、支持基体１上に分離層２、接着層３、基板４がこの順に積層している。
支持基体１は、光を透過する材料からなる。積層体１０においては、分離層２に対し、支持基体１側から光を照射することによって、分離層２が変質して分解するため、基板４から支持基体１が分離する。
この積層体１０においては、支持体１２と基板４とが接着層３を介して貼り合わされている。この接着層３は、本実施形態の接着剤組成物を用いて形成することができる。

＜樹脂成分（Ｐ）＞
本実施形態において、樹脂成分（Ｐ）（以下「（Ｐ）成分」ともいう。）は接着剤組成物において、接着性を付与する成分として機能し、少なくとも、炭化水素樹脂（Ｐ１）と、ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）（但し、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）を除く）と、を含む。
（Ｐ）成分は、前記の炭化水素樹脂（Ｐ１）及び樹脂（Ｐ２）に加えて、これら以外の樹脂を含んでもよい。
尚、本実施形態における樹脂成分（Ｐ）は、樹脂の他、接着層を構成するマトリックスとなり得るモノマー、例えば後述する硬化性モノマーを包含するものとする。

≪炭化水素樹脂（Ｐ１）≫
本実施形態において、炭化水素樹脂（Ｐ１）（以下「（Ｐ１）成分」ともいう。）は、脂肪族炭化水素樹脂でもよく、芳香族炭化水素樹脂でもよい。
（Ｐ１）成分としては、耐熱性又は柔軟性の付与の点から、例えばエラストマー、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。

・エラストマー
前記（Ｐ１）成分におけるエラストマーは、例えば、主鎖の構成単位として、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレン誘導体から誘導される構成単位（これらをまとめて「スチレン単位」という。）を有するものが好適に挙げられる。

ここで「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいスチレンのベンゼン環に置換基が結合したもの等が挙げられる。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１〜５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、「上記α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
スチレンのベンゼン環に結合してもよい置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。
尚、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。

前記（Ｐ１）成分におけるエラストマーとしては、例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）又はこれらの水添物；スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製）等が挙げられる。

前記（Ｐ１）成分におけるエラストマー中、スチレン単位の含有割合は、エラストマーを構成する全構成単位（１００質量％）に対して、１０〜７０質量％が好ましく、２０〜６０質量％がより好ましく、２５〜５０質量％がさらに好ましく、３０〜４５質量％が特に好ましい。
スチレン単位の含有割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、支持体と基板との貼合性又は研削性を低下させることなく、薄化、実装等のプロセスに供することが容易となる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着剤組成物が形成する接着層の薬品耐性を好適に維持することができる。

前記（Ｐ１）成分におけるエラストマーは、重量平均分子量が２００００〜２０００００の範囲が好ましく、５００００〜１５００００の範囲がより好ましい。
エラストマーの重量平均分子量が、前記の好ましい範囲内であれば、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。また、エラストマーの重量平均分子量が前記の好ましい範囲内であることにより、接着剤組成物が形成する接着層の薬品耐性が高められる。

前記（Ｐ１）成分におけるエラストマーは、１種でもよいし、２種以上であってもよい。

前記（Ｐ１）成分におけるエラストマーは、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば、熱に対する安定性が一層向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。加えて、炭化水素系の溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
また、エラストマーの中でも、両端がスチレンとされたブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンで両末端がブロックされていることで、より高い耐熱性を得られやすい。
より具体的には、エラストマーは、スチレンと共役ジエンとのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。これにより、熱に対する安定性が一層向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンで両末端がブロックされていることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系の溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

前記（Ｐ１）成分として用い得るエラストマーの市販品としては、例えば、株式会社クラレ製の「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製の「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製の「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

・シクロオレフィンポリマー
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。

前記シクロオレフィンモノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体もしくはアリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等のモノマーが挙げられる。

上記の中でも、特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン及びこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれる、ノルボルネン構造を有するモノマー由来の構成単位を有するポリマーが好ましい。このような、ノルボルネン構造をもつシクロオレフィンポリマーを用いることにより、例えば、レジスト溶剤に対する高い薬品耐性を備えつつ、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。

シクロオレフィンポリマーは、前記シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよい。
かかる共重合可能なモノマーとしては、例えば、アルケンモノマーが好適に挙げられる。このアルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、炭素数２〜１０のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセン等のα−オレフィンが好ましく、これらの中でも、エチレンを単量体単位とすることがより好ましい。

前記（Ｐ１）成分におけるシクロオレフィンポリマー中、シクロオレフィンモノマー単位の含有割合は、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位（１００モル％）に対して、１０〜１００モル％が好ましく、２０〜１００モル％がより好ましい。

前記（Ｐ１）成分におけるシクロオレフィンポリマーは、重量平均分子量が１００００〜２００００００の範囲が好ましく、３００００〜１５０００００の範囲がより好ましい。
シクロオレフィンポリマーの重量平均分子量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、当該ポリマーの軟化温度を、支持体と基板との貼り合わせに適した温度に制御しやすくなる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。

前記（Ｐ１）成分におけるシクロオレフィンポリマーは、１種でもよいし、２種以上であってもよい。

尚、シクロオレフィンポリマーは、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する点から好ましい。
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。

前記（Ｐ１）成分として用い得るシクロオレフィンポリマーの市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ（商品名）」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＥＸ（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ（商品名）」等が挙げられる。

本実施形態の接着剤組成物中、（Ｐ１）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記（Ｐ１）成分は、エラストマー及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの中でも、耐熱性、ダイボンディング性がより良好なことから、エラストマーがより好ましい。

前記（Ｐ）成分に占める、前記（Ｐ１）成分の含有割合は、前記（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、５０質量％超が好ましく、５０質量％超、９０質量％以下がより好ましく、５５質量％以上、８０質量％以下がさらに好ましい。前記の好ましい範囲内にすることにより、後述する除去工程における洗浄液、特には炭化水素系の溶剤での除去性能が向上する。

≪ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）≫
本実施形態において、樹脂（Ｐ２）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１８０℃以上の樹脂（以下「（Ｐ２）成分」ともいう。）（但し、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）を除く）である。

樹脂成分についてのガラス転移温度（Ｔｇ／℃）は、動的粘弾性測定により求められる。例えば、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｌｏｇｅｌ−Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めることができる。

前記（Ｐ２）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１８０℃以上であり、１８０〜２８０℃が好ましく、２００〜２８０℃がより好ましく、２１０〜２８０℃がさらに好ましく、２２０〜２８０℃が特に好ましい。
前記（Ｐ２）成分のＴｇが、前記範囲の下限値以上であれば、より耐熱性が高められた接着層を容易に形成できる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が維持されやすくなる。

前記（Ｐ２）成分は、Ｔｇが１８０℃以上である樹脂であれば特に制限されず、中でも前記（Ｐ１）成分との相溶性の高いものが好ましい。
例えば、前記（Ｐ２）成分としては、マレイミド骨格を含む単量体から誘導される構成単位（ｕ２１）を有する樹脂が好適に挙げられる。

・構成単位（ｕ２１）
構成単位（ｕ２１）は、マレイミド骨格を含む単量体から誘導される構成単位である。マレイミド骨格をもつ樹脂を用いることにより、ガラス転移温度が高くなり、接着層の耐熱性がより高められる。
好ましい構成単位（ｕ２１）としては、例えば、下記一般式（ｐ２−１）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｕ１０は、炭素数１〜３０の有機基を表す。］

前記式（ｐ２−１）中、Ｒ^ｕ１０は、炭素数１〜３０の有機基を表す。Ｒ^ｕ１０における有機基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
例えば、Ｒ^ｕ１０における有機基としては、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基が挙げられる。

置換基を有していてもよい環式基：
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。

Ｒ^ｕ１０における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１０が最も好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
Ｒ^ｕ１０における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Ｒ^ｕ１０における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子１つを除いた基（アリール基：例えばフェニル基、ナフチル基など）、前記芳香環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えばベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記アルキレン基（アリールアルキル基中のアルキル鎖）の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

Ｒ^ｕ１０における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子１個を除いた基）、脂肪族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基等が挙げられる。このアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素環は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
前記脂肪族炭化水素環は、多環であってもよく、単環であってもよい。
単環の脂肪族炭化水素環としては、炭素数３〜８のものが好ましく、具体的にはシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等が挙げられ、シクロペンタン、シクロヘキサンが好ましい。
多環の脂肪族炭化水素環としては、炭素数７〜３０のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。

なかでも、Ｒ^ｕ１０における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカン又はポリシクロアルカンから水素原子１つ以上を除いた基が好ましく、モノシクロアルカンから水素原子１つ以上を除いた基がより好ましく、モノシクロアルカンから水素原子１つを除いた基がさらに好ましく、シクロペンタン又はシクロヘキサンから水素原子１つを除いた基が特に好ましい。

Ｒ^ｕ１０の環式基における置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。

置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基：
Ｒ^ｕ１０の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１５であることがより好ましく、３〜１０がさらに好ましい。具体的には、１−メチルエチル基、１−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基などが挙げられる。

置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基：
Ｒ^ｕ１０の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が２〜１０であることが好ましく、炭素数２〜５がより好ましく、炭素数２〜４がさらに好ましく、炭素数３が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えばビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば１−メチルビニル基、２−メチルビニル基、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。

Ｒ^ｕ１０の鎖状のアルキル基又はアルケニル基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、上記Ｒ^ｕ１０における環式基等が挙げられる。

上記の中でも、Ｒ^ｕ１０は、置換基を有していてもよい環式基が好ましく、置換基を有していてもよい環状の炭化水素基であることがより好ましく、置換基を有していてもよい環状の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。

以下に、構成単位（ｕ２１）の具体例を示す。

（Ｐ２）成分が有する構成単位（ｕ２１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
（Ｐ２）成分中の構成単位（ｕ２１）の割合は、（Ｐ２）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜８０モル％がより好ましく、４０〜７０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ２１）の割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、ガラス転移温度が高くなり、接着層の耐熱性がより高められる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

・構成単位（ｕ２２）
（Ｐ２）成分としては、前記構成単位（ｕ２１）以外の構成単位を有してもよい。
前記構成単位（ｕ２１）以外の構成単位としては、例えば、シクロオレフィンから誘導される構成単位（ｕ２２）等が挙げられる。
シクロオレフィン、すなわち、炭素原子で構成された不飽和脂肪族炭化水素環をもつ樹脂を用いることにより、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。

好ましい構成単位（ｕ２２）としては、例えば、下記一般式（ｐ２−２）で表される構成単位が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の有機基又は水素原子を表す。ｎは、０〜２の整数である。］

前記式（ｐ２−２）中、Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４における有機基としては、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、カルボキシ基を有する有機基、ヘテロ環を有する有機基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアルケニル基としては、例えばアリル基、ペンテニル基、ビニル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアルキニル基としては、例えばエチニル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアルキリデン基としては、例えばメチリデン基、エチリデン基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるアルカリル基としては、例えばトリル基、キシリル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４におけるシクロアルキル基としては、例えばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。
Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４における、ヘテロ環を有する有機基としては、例えば、エポキシ基を有する有機基、オキセタニル基を有する有機基が挙げられる。

Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４における有機基は、炭化水素系の溶剤に対する溶解性をより高められること、及び合成上の観点から、アルキル基が好ましい。加えて、高いガラス転移点を維持しやすいことから、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、炭素数２〜６のアルキル基がさらに好ましい。
また、接着剤組成物を用いて形成される接着層の光透過性を高める観点から、Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４のいずれか１つ以上が水素原子であることも好ましい。
上記の中でも、Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４における有機基は、アルキル基と水素原子との組合せが好ましく、Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４のいずれか１つがアルキル基であって残り３つが水素原子であることが好ましい。

Ｒ^ｕ１１〜Ｒ^ｕ１４における有機基は、１つ以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。このハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

前記式（ｐ２−２）中、ｎは、０〜２の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

以下に、構成単位（ｕ２２）の具体例を示す。

（Ｐ２）成分が有する構成単位（ｕ２２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
（Ｐ２）成分中の構成単位（ｕ２２）の割合は、（Ｐ２）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０〜９０モル％が好ましく、２０〜８０モル％がより好ましく、３０〜６０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ２２）の割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高められやすくなる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

本実施形態の接着剤組成物中、（Ｐ２）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記（Ｐ２）成分は、構成単位（ｕ２１）を有する樹脂が好ましい。この中でも、耐熱性が高められやすく、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすいことから、構成単位（ｕ２１）と構成単位（ｕ２２）とを有する樹脂がより好ましい。

以下に、（Ｐ２）成分の具体例を示す。

前記（Ｐ）成分に占める、前記（Ｐ２）成分の含有割合は、前記（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、５０質量％以下が好ましく、５質量％以上、５０質量％以下がより好ましく、１０質量％以上、４０質量％以下がさらに好ましい。

また、前記（Ｐ２）成分の含有割合は、前記（Ｐ１）成分１００質量部に対して、５〜７５質量部であることが好ましく、１０〜７０質量部であることがより好ましく、１０〜６５質量部であることがさらに好ましく、１０〜６０質量部であることが特に好ましい。
前記（Ｐ２）成分の含有割合が、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、耐熱性に加えて、接着性がより高められる。前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、耐熱性、接着性及びダイボンディング性がいずれも向上する。

≪その他の樹脂（Ｐ３）≫
（Ｐ）成分は、前記の（Ｐ１）成分及び（Ｐ２）成分に加えて、これら以外の樹脂（これを以下「（Ｐ３）成分」ともいう。）を含んでもよい。
例えば、（Ｐ３）成分としては、アクリル樹脂等が挙げられる。

・アクリル樹脂
本実施形態において、（Ｐ）成分は、前記の（Ｐ１）成分及び（Ｐ２）成分に加えて、（Ｐ３）成分としてアクリル樹脂を含んでもよい。（Ｐ）成分がアクリル樹脂を含むことにより、支持体と基板との接着性をより向上させることができる。
アクリル樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単量体として用いて重合した樹脂（単独重合体、共重合体）が挙げられる。
「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルの少なくとも一方を意味する。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。これらの中でも、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルを用いることが好ましい。

鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、炭素数１〜２０のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルが挙げられる。
ここでいう炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基（ステアリル基）、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であり、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルが好ましい。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートが好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルにおいて、当該芳香族環としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。当該芳香族環は、置換基を有していてもよく、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。

アクリル樹脂中、上述した（メタ）アクリル酸エステルは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル樹脂は、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、及び芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルからなる群より選択される１種以上を重合した樹脂が好ましい。
この中でも、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルと、を重合した樹脂がより好ましい。

アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル単量体と、これと重合可能な他の単量体と、を重合した樹脂でもよい。
かかる重合可能な単量体としては、例えばスチレン、スチレン誘導体、マレイミド基を含有するモノマー等が挙げられる。ここでのスチレン誘導体は、上記「スチレン誘導体」と同様である。ここでのマレイミド基を含有するモノマーは、上記構成単位（ｕ２１）を誘導する単量体と同様のものが挙げられる。

また、アクリル樹脂の中でも、（メタ）アクリル酸エステル単量体と、スチレンと、を重合した樹脂が好ましい。アクリル樹脂がスチレン単位を有していることによって、アクリル樹脂の耐熱性が向上する。加えて、他の樹脂との相溶性、炭化水素系の溶剤への溶解性が高められる。
この中でも、アクリル樹脂としては、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルと、スチレンと、を重合した樹脂が特に好ましい。

アクリル樹脂の溶解度パラメーター（ＳＰ値）は、６以上１０以下であることが好ましく、６．５以上、９．５以下であることがより好ましい。ＳＰ値が前記の好ましい範囲内であることによって、アクリル樹脂と他の樹脂との相溶性が高められ、より安定した接着剤組成物が得られやすくなる。

アクリル樹脂の重量平均分子量は、２０００〜１０００００であることが好ましく、５０００〜５００００であることがより好ましい。
アクリル樹脂の重量平均分子量が前記の好ましい範囲内であることによって、例えば基板と支持体との貼り合わせに適した熱流動性を有する接着剤組成物を容易に提供することができる。

アクリル樹脂は、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記（Ｐ）成分に占める、前記アクリル樹脂の含有割合は、前記（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、０質量％超、２０質量％以下がさらに好ましい。

・硬化性モノマー
本実施形態において、（Ｐ）成分は、前述の（Ｐ１）成分及び（Ｐ２）成分に加えて、接着剤組成物は（Ｐ３）成分として硬化性モノマーを含んでもよい。接着剤組成物が硬化性モノマーを含むことにより、接着層の耐熱性をより向上させることができる。
硬化性モノマーは、ラジカル重合により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の硬化性モノマーが挙げられ、多官能型の（メタ）アクリレートモノマーが特に好ましい。

多官能型の（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５−アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート（即ち、トリレンジイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応物等が挙げられる。

これら多官能の（メタ）アクリレートは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化性モノマーは、環状構造を含むものが好ましく、多環式脂肪族構造を含むものがより好ましい。硬化性モノマーが、好ましくは環状構造、より好ましくは多環式脂肪族構造を含んでいることで、シクロオレフィンポリマーとの相溶性をより高めることができる。また、シクロオレフィンポリマーと併用した硬化性モノマーを重合させることによって、接着層の耐熱性をさらに高めることができる。

硬化性モノマーの中でも、特に環式基を有する（メタ）アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５−アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン及びプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートが特に好ましい。

前記（Ｐ）成分に占める、前記硬化性モノマーの含有割合は、前記（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、５〜４０質量％であることが好ましく、５〜３０質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることがさらに好ましい。
また、接着剤組成物について、さらなる接着性の向上を求める際は、前記（Ｐ）成分に占める、前記硬化性モノマーの含有割合について、前記（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、１〜３０質量％、２〜２０質量％、５〜１５質量％との数値範囲を設定することもできる。

また、前記硬化性モノマーの含有割合は、前記（Ｐ１）成分と前記（Ｐ２）成分との合計１００質量部に対して、５〜４０質量部であることが好ましく、５〜３０質量部であることがより好ましく、５〜２０質量部であることがさらに好ましい。
前記硬化性モノマーの含有割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、接着層に、より高い耐熱性を付与することができる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると炭化水素系の溶剤に対する溶解性をより高められ、接着層の洗浄除去性をより良好なものとすることができる。

本実施形態の接着剤組成物中、（Ｐ）成分の含有量は、形成しようとする接着層の厚さ、各樹脂の種類等に応じて調整すればよい。

＜任意成分＞
本実施形態の接着剤組成物は、上述した（Ｐ）成分以外の成分（任意成分）をさらに含有してもよい。
かかる任意成分としては、例えば、以下に示す重合禁止剤、重合開始剤、溶剤成分、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等が挙げられる。

≪重合禁止剤≫
本実施形態の接着剤組成物は、さらに、重合禁止剤を含有していてもよい。
重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する成分をいう。重合禁止剤は、ラジカルに対して高い反応性を示す。このため、例えば（Ｐ１）成分としてシクロオレフィンポリマーを用いた場合、重合禁止剤とラジカルとの反応が、シクロオレフィンポリマーとラジカルとの反応よりも優先的に進行して、シクロオレフィンポリマー同士が重合することを禁止する。これにより、形成された接着層が加熱されることにより、当該接着層の薬品耐性が高められる。

重合禁止剤としては、フェノール骨格を有するものが好ましい。例えば、かかる重合禁止剤には、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２−メチルフェノール）、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス（２，６−ジメチルフェノール）、４，４’−［１−〔４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル〕エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４”−エチリデントリス（２−メチルフェノール）、４，４’，４”−エチリデントリスフェノール、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス［２−（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−プロピオニルオキシ）−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート、ｎ−オクチル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＢＡＳＦ社製）、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等が挙げられる。

重合禁止剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
重合禁止剤の含有量は、樹脂成分の種類、接着剤組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよく、例えば、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であることが好ましい。
重合禁止剤の含有量が前記の好ましい範囲内であれば、重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後に接着層の薬品耐性がより高められる。

≪重合開始剤≫
本実施形態の接着剤組成物は、さらに、重合開始剤を含有していてもよい。
重合開始剤は、上述した硬化性モノマーの重合反応を促進させる機能を有する成分をいう。
重合開始剤としては、熱重合開始剤、光重合開始剤等が挙げられる。
熱重合開始剤としては、例えば過酸化物、アゾ系重合開始剤等が挙げられる。

熱重合開始剤における過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等が挙げられる。このような過酸化物として具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ｔ−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、過酸化２−クロロベンゾイル、過酸化３−クロロベンゾイル、過酸化４−クロロベンゾイル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化４−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、１−フェニル−２−メチルプロピル−１−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸ｔｅｒｔ−ブチル、過酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、過フェニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過４−メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過Ｎ−（３−トルイル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。

前記の過酸化物には、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル（登録商標）」、商品名「パーブチル（登録商標）」、商品名「パーロイル（登録商標）」及び商品名「パーオクタ（登録商標）」等の市販されているものを用いることができる。

熱重合開始剤におけるアゾ系重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスプロパン、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスプロパン、１，１’−アゾ（メチルエチル）ジアセテート、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）硝酸塩、２，２’−アゾビスイソブタン、２，２’−アゾビスイソブチルアミド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオン酸メチル、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスブタン、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、１，１’−アゾビス（１−メチルブチロニトリル−３−スルホン酸ナトリウム）、２−（４−メチルフェニルアゾ）−２−メチルマロノジニトリル４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸、３，５−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−アリルマロノジニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルバレロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸ジメチル、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビス−１−クロロフェニルエタン、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、１，１’−アゾビス−１−シクロヘプタンニトリル、１，１’−アゾビス−１−フェニルエタン、１，１’−アゾビスクメン、４−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、１，１’−アゾビス−１，２−ジフェニルエタン、ポリ（ビスフェノールＡ−４，４’−アゾビス−４−シアノペンタノエート）、ポリ（テトラエチレングリコール−２，２’−アゾビスイソブチレート）等が挙げられる。

光重合開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、エタノン１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ−２−エチルヘキシル安息香酸、４−ジメチルアミノ−２−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、２−クロロチオキサンテン、２，４−ジエチルチオキサンテン、２−メチルチオキサンテン、２−イソプロピルチオキサンテン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、２−メルカプトベンゾイミダール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン（すなわち、ミヒラーズケトン）、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン（すなわち、エチルミヒラーズケトン）、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−ｔ−ブチルエーテル、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス−（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス−（９−アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス−（９−アクリジニル）プロパン、ｐ−メトキシトリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。

前記の光重合開始剤には、例えば「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３６９」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ６５１」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ９０７」（何れも商品名、ＢＡＳＦ社製）並びに「ＮＣＩ−８３１」（商品名、株式会社ＡＤＥＫＡ製）等の市販されているものを用いることができる。

重合開始剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
重合開始剤としては、熱重合開始剤が好ましく、過酸化物がより好ましい。
重合開始剤は、硬化性モノマーと組み合わせて用いることが好適である。この重合開始剤の使用量は、硬化性モノマーの使用量に応じて調整するとよい。
例えば、本実施形態の接着剤組成物中、重合開始剤の含有割合は、硬化性モノマー１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部であることがより好ましい。

≪溶剤成分≫
本実施形態の接着剤組成物は、溶剤成分に、（Ｐ）成分と必要に応じて任意成分とを溶解して調製することができる。
溶剤成分には、例えば、接着剤組成物用の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができるものを用いることができ、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

溶剤成分としては、例えば炭化水素溶剤、石油系溶剤が挙げられる。
尚、炭化水素溶剤及び石油系溶剤を、以下まとめて「（Ｓ１）成分」ともいう。（Ｓ１）成分以外の溶剤成分を「（Ｓ２）成分」ということがある。

炭化水素溶剤としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭化水素が挙げられ、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；イソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の分岐鎖状の炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、デカヒドロナフタレン（デカリン）等の環状の炭化水素が挙げられる。

石油系溶剤とは、重油から精製される溶剤であり、例えば白灯油、パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤が挙げられる。

また、（Ｓ２）成分としては、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー等が挙げられる。

また、（Ｓ２）成分としては、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤も挙げることができる。

本実施形態の接着剤組成物における溶剤成分の含有量は、成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよく、例えば、接着剤組成物の総量（１００質量％）に対して、２０〜９０質量％の範囲内であることが好ましい。
すなわち、本実施形態の接着剤組成物は、固形分（溶剤成分を除いた配合成分の合計量）濃度が１０〜８０質量％の範囲内であることが好ましい。
溶剤成分の含有量が前記の好ましい範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

本実施形態の接着剤組成物として具体的には、以下に示す組成物（Ｉ）〜（ＩＩＩ）が好適に挙げられる。
組成物（Ｉ）：（Ｐ１）成分と（Ｐ２）成分と重合禁止剤と溶剤成分とを含有する組成物
組成物（ＩＩ）：（Ｐ１）成分と（Ｐ２）成分と硬化性モノマーと重合開始剤と溶剤成分とを含有する組成物
組成物（ＩＩＩ）：（Ｐ１）成分と（Ｐ２）成分と（Ｐ３）成分と重合禁止剤と溶剤成分とを含有する組成物

本実施形態の接着剤組成物は、溶剤成分に、他の各成分を混合して溶解又は分散することにより調製できる。
この溶剤成分には、（Ｐ）成分の溶解性の点から、炭化水素溶剤を含むものを用いることが好ましく、分岐鎖状炭化水素又は環状の炭化水素溶剤を含むものを用いることがより好ましい。
溶剤成分が分岐鎖状又は環状の炭化水素溶剤を含むことによって、接着剤組成物を液体状態で（特に低温にて）保存した際に生じ得る白濁化が防止されやすく、保存安定性をより向上させることができる。

また、溶剤成分には、炭化水素溶剤として縮合多環式炭化水素、又は分岐鎖状炭化水素を含むものを用いることが好ましい。この場合、溶剤成分は、縮合多環式炭化水素及び分岐鎖状炭化水素からなる群より選択されるもののみであってもよいし、例えば飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を併有していてもよい。
溶剤成分中、縮合多環式炭化水素及び分岐鎖状炭化水素からなる群より選択されるものの含有量は、炭化水素溶剤全体１００質量部に対して、４０質量部以上であることが好ましく、６０質量部以上であることがより好ましく、８０質量部以上であることがさらに好ましい。炭化水素溶剤全体の４０質量部以上であると、（Ｐ）成分の溶解性がより良好となる。

前記組成物（ＩＩ）の場合、重合開始剤は、接着剤組成物を使用する直前に、公知の方法により配合することができる。
また、重合開始剤又は重合禁止剤は、上記（Ｓ２）成分に予め溶解した溶液の形態で配合してもよい。（Ｓ２）成分の使用量は、重合開始剤又は重合禁止剤の種類等に応じて適宜調整すればよく、例えば、（Ｓ１）成分１００質量部に対して、１〜５０質量部が好ましく、５〜３０質量部がより好ましい。（Ｓ２）成分の使用量が前記の好ましい範囲内であれば、重合開始剤又は重合禁止剤を充分に溶解することができる。

また、本実施形態に係る接着剤組成物は、以下の要件の少なくとも一つを満たすことが好ましい。
（要件１）：前記接着剤組成物から２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの試験片を作製し、周波数１Ｈｚの引張条件で、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件にて前記試験片を動的粘弾性測定に付したときに、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、１．０×１０^９Ｐａ未満となる。
（要件２）：（要件１）と同様の条件で試験片を動的粘弾性測定に付したときに、１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、３．０×１０^６Ｐａ超となる。
（要件３）：（要件１）及び（要件２）と同様の条件で、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０と１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０とを求めたときに、Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比が２０００以下となる。
なお、各要件における動的粘弾性測定は動的粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、ユービーエム株式会社製）を用い、以下の手順に従って行うことができる（以下の要件についても同様。）。
（手順）
まず、接着剤組成物を、離型剤付のＰＥＴフィルム上に塗布し、大気圧下のオーブンで５０℃、１５０℃で各６０分間、加熱して接着剤層を形成する（厚さ０．５ｍｍ）。
次いで、ＰＥＴフィルムから剥がした接着剤層の各温度の複素弾性率Ｅ＊を、前記の動的粘弾性測定装置を用いて測定する。
測定条件は、サンプル形状を２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍとし、周波数１Ｈｚの引張条件において、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件とし、５０℃、１５０℃における複素弾性率を測定する。

本実施形態に係る接着剤組成物が（要件１）を満たすことで、接着剤組成物は、比較的室温に近い温度領域で一段と高い接着能力を発揮することができる。５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０は、より好ましくは０．９×１０^９Ｐａ未満であり、さらに好ましくは０．６×１０^９Ｐａ未満である。
５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０の下限値はとくに限定されるものではないが、たとえば、１．０×１０^７Ｐａ以上である。

本実施形態に係る接着剤組成物が（要件２）を満たすことで、接着剤組成物が、高温領域における流動等を起こすことを精度高く抑制することができる。これにより、高温処理時における基板の位置ずれを起こしづらくなる。１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０は、より好ましくは３．５×１０^６Ｐａ超であり、さらに好ましくは５．０×１０^６Ｐａ超である。
１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０の上限値はとくに限定されるものではないが、たとえば、１．０×１０^８Ｐａ以下である。

本実施形態に係る接着剤組成物が（要件３）を満たすことで、接着剤組成物は、常温時、加熱時とも安定的な接着機能を発揮しやすくなる。このＥ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比はより好ましくは１０００以下であり、さらに好ましくは５００以下であり、いっそう好ましくは１００以下である。
Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比の下限値はとくに限定されるものではないが、たとえば５以上であり、好ましくは１．５以上である。

以上説明した本実施形態の接着剤組成物においては、炭化水素樹脂（Ｐ１）と、ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）と、を併有することで、より耐熱性が高められた接着層を形成できる。これにより、本実施形態の接着剤組成物により形成された接着層は、半導体パッケージ製造の際、高温処理の影響によって、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。

加えて、本実施形態の接着剤組成物によれば、形成される接着層に基板（ベアチップ）が充分な強度で固着される（ダイボンディング性が良好である）。
さらに、本実施形態の接着剤組成物によれば、形成される接着層の、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高い。これにより、半導体パッケージ製造の際、接着層を基板から容易に洗浄除去できる。

（接着剤組成物（第２の態様））
続いて、本発明の第２の態様に係る接着剤組成物について説明する。
本発明の第２の態様に係る接着剤組成物は、支持体と基板とを貼り合せるためのものである。本実施形態の接着剤組成物は、樹脂成分（Ｐ）を含有する。この樹脂成分（Ｐ）は
少なくとも炭化水素樹脂（Ｐ１）を含み、以下の要件を満たすものである。
（要件１）：前記接着剤組成物から２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの試験片を作製し、周波数１Ｈｚの引張条件で、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件にて前記試験片を動的粘弾性測定に付したときに、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、１．０×１０^９Ｐａ未満となる。
（要件２）：（要件１）と同様の条件で試験片を動的粘弾性測定に付したときに、１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、３．０×１０^６Ｐａ超となる。

本態様に係る樹脂成分（Ｐ）を構成することのできる、（Ｐ１）成分、（Ｐ２）成分、（Ｐ３）成分及びこれらの配合割合は、前述の第１の態様に係る接着剤組成物として説明した通りである。ただし、本実施形態の接着剤組成物は、必ずしも（Ｐ２）成分を含まなくてもよく、（Ｐ２）成分に相当する成分を配合するにしても、この成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は前述の範囲でなくてもよい。

本態様の接着剤組成物は、マレイミド骨格を含む単量体から誘導される構成単位（ｕ２１）を有する成分を含むことが好ましい。この構成単位（ｕ２１）は、典型的には樹脂成分（Ｐ）を構成する樹脂のいずれかに含まれるものである。

ここで、典型的には、構成単位（ｕ２１）は、下記一般式（ｐ２−１）で表される構成単位である。なお、ここで示す炭素数１〜３０の有機基について、採用できるものは前述した通りである。

［式中、Ｒ^ｕ１０は、炭素数１〜３０の有機基を表す。］

また、本態様に係る接着剤組成物は、第１の態様に係る接着剤組成物に含ませることのできる任意成分や溶剤成分を含んでもよく、その配合割合も前述の通りである。

本態様に係る接着剤組成物として具体的には、以下に示す組成物（ＩＶ）〜（ＶＩ）が好適に挙げられる。これら組成物は、必要な成分を溶剤成分に溶解又は分散することで得られる。
組成物（ＩＶ）：（Ｐ１）成分と重合禁止剤と溶剤成分とを含有する組成物
組成物（Ｖ）：（Ｐ１）成分と硬化性モノマーと重合開始剤と溶剤成分とを含有する組成物
組成物（ＶＩ）：（Ｐ１）成分と（Ｐ３）成分と重合禁止剤と溶剤成分とを含有する組成物

本実施形態に係る接着剤組成物は、上記の（要件１）を満たすことを必須とする。これにより、接着剤組成物は、比較的室温に近い温度領域で一段と高い接着能力を発揮することができる。５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０は、より好ましくは０．９×１０^９Ｐａ未満であり、さらに好ましくは０．６×１０^９Ｐａ未満である。
５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０の下限値はとくに限定されるものではないが、たとえば、１．０×１０^７Ｐａ以上である。

また、本実施形態に係る接着剤組成物は、上記の（要件１）に加えて、上記の（要件２）を満たすことを必須とする。接着剤組成物が、高温領域における流動等を起こすことを精度高く抑制することができる。これにより、高温処理時における基板の位置ずれを起こしづらくなる。１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０は、より好ましくは３．５×１０^６Ｐａ超であり、さらに好ましくは５．０×１０^６Ｐａ超である。
１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０の上限値はとくに限定されるものではないが、たとえば、１．０×１０^８Ｐａ以下である。

また、本実施形態に係る接着剤組成物は、以下の要件（要件３）を満たすことが好ましい。
（要件３）：（要件１）及び（要件２）と同様の条件で、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０と１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０とを求めたときに、Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比が２０００以下となる。
本実施形態に係る接着剤組成物が（要件３）を満たすことで、接着剤組成物は、常温時、加熱時とも安定的な接着機能を発揮しやすくなる。このＥ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比はより好ましくは１０００以下であり、さらに好ましくは５００以下であり、いっそう好ましくは１００以下である。
Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比の下限値はとくに限定されるものではないが、たとえば５以上であり、好ましくは１．５以上である。

以上説明した本実施形態の接着剤組成物においては、炭化水素樹脂（Ｐ１）を含みつつ、特定の要件を満たすことで、より耐熱性が高められた接着層を形成できる。これにより、本実施形態の接着剤組成物により形成された接着層は、半導体パッケージ製造の際、高温処理の影響によって、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。

加えて、本実施形態の接着剤組成物によれば、形成される接着層に基板（ベアチップ）が充分な強度で固着される（ダイボンディング性が良好である）。
さらに、本実施形態の接着剤組成物によれば、形成される接着層の、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高い。これにより、半導体パッケージ製造の際、接着層を基板から容易に洗浄除去できる。

（接着層付き支持体）
本発明の第３の態様に係る接着層付き支持体は、基板が貼り合わされる支持体と、前記支持体上に、前記第１又は第２の態様に係る接着剤組成物を用いて形成された接着層と、を備えたものである。したがって、かかる接着層付き支持体においては、耐熱性が高められている。
図１に示す積層体１０は、支持体１２と基板４とが接着層３を介して貼り合わされたもの、すなわち、接着層付き支持体１２３上に基板４が固着したものである。かかる実施形態の接着層付き支持体１２３は、支持基体１上に分離層２を備えた支持体１２と、支持体１２上に形成された接着層３と、を備えている。

＜支持体＞
図１における支持体１２は、支持基体１と、支持基体１上に設けられた分離層２と、を備える。

≪支持基体≫
支持基体は、光を透過する特性を有する。支持基体は、基板を支持する部材であり、接着層を介して基板に貼り合わされる。そのため、支持基体としては、封止体の薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、平面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。

≪分離層≫
分離層は、接着層に隣接し、光の照射により変質して、支持体に貼り合わされる基板から支持基体を分離可能とする層である。
この分離層は、後述の分離層形成用組成物を用いて形成することができ、例えば、分離層形成用組成物が含有する成分を焼成することにより、又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法により形成される。この分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
尚、分離層は、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよい。

分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。かかる分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。

分離層の厚さは、例えば０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。

分離層は、接着層に接する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層の形成が容易に行え、かつ、支持基体と基板とを均一に貼り付けることが容易となる。

（分離層形成用組成物）
分離層を形成するための材料である分離層形成用組成物は、例えば、フルオロカーボン、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質、反応性ポリシルセスキオキサン、又はフェノール骨格を有する樹脂成分を含有するものが挙げられる。
また、分離層形成用組成物は、任意成分としてフィラー、可塑剤、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤、又は支持基体の分離性を向上し得る成分等を含有してもよい。

・フルオロカーボン
分離層は、フルオロカーボンを含有していてもよい。フルオロカーボンによって構成される分離層は、光を吸収することで変質するようになっており、その結果、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ法によって好適に成膜することができる。
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。分離層における光の吸収率は、８０％以上であることが好ましい。

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲の波長を用いることができる。

・光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体
分離層は、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。。
光吸収性を有している構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含む原子団が挙げられる。光吸収性を有している構造は、より具体的には、カルド構造、又は該重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造が挙げられる。
上記の光吸収性を有している構造は、その種類に応じて、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光の波長は、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長３６５ｎｍ）等である。

・無機物
分離層は、無機物からなるものであってもよい。この無機物は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。
このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上が挙げられる。
尚、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。
無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持基体上に形成され得る。

・赤外線吸収性の構造を有する化合物
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有していてもよい。この、赤外線吸収性の構造を有する化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。
赤外線吸収性を有している構造、又はこの構造を有する化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコールもしくはフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタンもしくはチオフェノールもしくはチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）又はＴｉ−Ｏ結合が挙げられる。

上記の炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール又は塩化アリール等が挙げられる。

上記のＳｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２又はＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格又はシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記のＰ−Ａ^２結合を含む構造としては、例えば、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族基又は芳香族基）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル基）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ又はＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記のＴｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン又はチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン又はプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７又はｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート又は（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上記の赤外線吸収性の構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記の赤外線吸収性の構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１〜２０μｍの範囲内であり、２〜１５μｍの範囲内をより好適に吸収することができる。
さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合又はＴｉ−Ｏ結合である場合には、９〜１１μｍの範囲内が好ましい。

尚、上記の各構造が吸収できる赤外線の波長は、当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁から第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化して固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持基体と基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

・赤外線吸収物質
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。この赤外線吸収物質は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。
赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

・反応性ポリシルセスキオキサン
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより形成される分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。

「反応性ポリシルセスキオキサン」とは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンをいう。当該シラノール基、又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができる。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を有していれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０〜９９モル％であることが好ましく、８０〜９９モル％であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、より好ましくは波長９〜１１μｍの光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００〜５００００であることが好ましく、１０００〜１００００であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が、前記の好ましい範囲内であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３又はＳＲ−３３（商品名）等を挙げられる。

・フェノール骨格を有する樹脂成分
分離層は、フェノール骨格を有する樹脂成分を含有していてもよい。フェノール骨格を有することで、加熱等により容易に変質（酸化等）して光反応性が高まる。
ここでいう「フェノール骨格を有する」とは、ヒドロキシベンゼン構造を含んでいることを意味する。
フェノール骨格を有する樹脂成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。当該樹脂成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。当該樹脂成分の分子量は、１０００〜３００００がより好ましく、１５００〜２００００がさらに好ましく、２０００〜１５０００が特に好ましい。当該樹脂成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。

フェノール骨格を有する樹脂成分としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂、後述の一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位を有する樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂がより好ましい。

＜接着層＞
接着層３は、支持基体１と基板４とを貼り合わせるための層であり、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて形成することができる。

接着層３の厚さは、例えば０．１μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
接着層の厚さが０．１μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、支持基体１と基板４とをより良好に貼り合わせることができる。また、接着層の厚さが１μｍ以上であることにより、基板を支持基体上に充分に固定することができ、接着層の厚さが１０μｍ以下であることにより、後の除去工程において接着層を容易に除去することができる。

本実施形態の接着層付き支持体は、後述の［接着層形成工程］の操作を同様にして行うことにより製造することができる。

上述した実施形態の接着層付き支持体は、上述した実施形態の接着層形成用組成物を適用した接着層が設けられているため、耐熱性が高められており、さらに好ましくはダイボンディング性及び洗浄除去性も高められている。

（接着フィルム）
本発明の第４の態様に係る接着フィルムは、フィルムと、前記フィルム上に、前記第１又は第２のの態様に係る接着剤組成物を用いて形成された接着層と、を備えたものである。
かかる接着フィルムを適用することによって、支持体上に好適に接着層を形成することができる。支持体上に直接、接着剤組成物を塗布して接着層を形成する場合と比較して、膜厚均一性及び表面平滑性の良好な接着層を容易に形成することができる。

フィルムとしては、例えば、フィルム上に形成された接着層を当該フィルムから剥離することが容易であり、好ましくは、接着層を支持体などの被処理面上に転写できる離型フィルムが挙げられる。
フィルムとして具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート又はポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムが挙げられ、可撓性を有するフィルムがより好ましい。
上記フィルムには、必要に応じて、転写が容易となるように離型処理が施されていることが好ましい。
フィルムの厚さは、適宜設定すればよく、例えば１５〜１２５μｍである。

かかる接着フィルムは、フィルム上に接着剤層を形成することにより製造される。例えば、接着剤層の乾燥膜厚が１０〜１０００μｍとなるように、フィルム上に接着剤組成物を塗布する方法が用いられる。その際、所望する接着層の膜厚や均一性に応じて適宜、公知の方法を用いることができる。

また、接着フィルムは、保護フィルムによって接着層の露出面を被覆することにより保護してもよい。保護フィルムは、接着層から剥離することができる限り限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムが好ましい。また、各保護フィルムは、接着層からの剥離を容易にするため、シリコーンをコーティングしてあるか、又は焼き付けしてあることが好ましい。

接着フィルムの使用方法は、例えば、保護フィルムを用いた場合には、これを剥離した上で、支持体面に、露出した接着層を重ねて、フィルム上（接着剤層の形成された面の裏面）から加熱ローラを移動させることにより、接着層を支持体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。
尚、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラなどのローラでロール状に巻き取れば、再利用することが可能である。

（積層体）
本発明の第５の態様に係る積層体は、支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされたものである。
図１に示した通り、本実施形態の積層体１０は、支持体１２と基板４とが接着層３を介して貼り合わされたもの、すなわち、接着層付き支持体１２３と、接着層付き支持体１２３が備える接着層３の支持体１２側とは反対側の面３ｓに配置された基板４と、を備えたものである。

支持体１２は、支持基体１と分離層２とが積層したものであり、これについての説明は上記＜支持体＞における説明と同様である。
接着層３についての説明は、上記＜接着層＞における説明と同様である。

＜基板＞
基板４は、支持基体１に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板４には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板４としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。

本実施形態において、素子は、半導体素子又はその他素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。尚、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は半導体装置となる。

上述した実施形態の積層体は、上述した実施形態の接着層形成用組成物を適用した接着層が設けられているため、より耐熱性が高められている。これにより、本実施形態の積層体においては、半導体パッケージ製造の際、高温処理の影響によって、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。

加えて、本実施形態の積層体では、形成される接着層に基板（ベアチップ）が充分な強度で固着される（ダイボンディング性が良好である）。
さらに、本実施形態の積層体においては、接着層の、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高い。これにより、半導体パッケージ製造の際、接着層を基板から容易に洗浄除去できる。

上述した実施形態の積層体においては、支持基体１と分離層２とが隣接しているが、これに限定されず、支持基体１と分離層２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層２への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層２を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層２を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過する材料から適宜選択し得る。

（積層体の製造方法）
本発明の第６の態様は、支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされた積層体の製造方法であって、接着層形成工程と、貼合工程と、を有する。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る積層体の製造方法は、支持体を作製する工程と、接着層形成工程と、貼合工程と、を有する。
図２は、積層体の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。
図２（ａ）は、支持体を作製する工程を説明する図であり、図２（ｂ）は、接着層形成工程を説明する図であり、図２（ｃ）は、貼合工程を説明する図である。
本実施形態の積層体の製造方法においては、分離層形成用組成物として、フルオロカーボンを含有するものが用いられている。また、接着層形成用組成物として、上述した実施形態に係る（Ｐ１）成分及び（Ｐ２）成分を含有するものが用いられている。

［支持体を作製する工程］
実施形態における支持体を作製する工程は、支持基体上の一方に、分離層形成用組成物を用いて分離層を形成して、支持体を得る工程である。
図２（ａ）では、支持基体１上に、分離層形成用組成物（フルオロカーボンを含有するもの）を用いることにより分離層２が形成されている（すなわち、分離層付き支持基体が作製されている）。

支持基体１上への分離層２の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長（ＣＶＤ）等の方法が挙げられる。
例えば、支持体を作製する工程では、加熱環境下もしくは減圧環境下、支持基体１上に塗布された分離層形成用組成物の塗工層から溶剤成分を除去して成膜する、又は、支持基体１上に、蒸着法により成膜することで、支持体を得る。

［接着層形成工程］
実施形態における接着層形成工程は、支持体上の一方に、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて接着層を形成する工程である。
図２（ｂ）では、支持体１２の分離層２側の面に、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて接着層３が形成されている（すなわち、接着層付き支持体１２３が作製されている）。

支持体１２上への接着層３の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。そして、支持体１２上に、接着剤組成物を塗布して加熱するか、又は、減圧環境下で接着剤組成物に含まれている溶剤成分を除去する。

その後、接着層が硬化性モノマー及び熱重合開始剤を含有する場合、加熱により、当該硬化性モノマーを重合させるとよい。接着層３を加熱する条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び１時間半減温度に基づいて適宜設定すればよく、例えば５０〜３００℃の範囲内の温度において、真空下、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。

また、接着層が硬化性モノマー及び光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、硬化性モノマーを重合させるとよい。露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。

［貼合工程］
実施形態における貼合工程は、前記接着層形成工程で形成された前記接着層を介して、前記支持体と前記基板とを貼り合わせる工程である。前述のように、支持基体１上に分離層２が設けられる場合、この貼合は分離層２と接着層３とを互いに向い合せながら支持体１２と基板４とを貼り合せる。
図２（ｃ）では、分離層２が形成された支持基体１（支持体１２）と、分離層２を形成していない基板４とが、接着層３を介して積層され、支持基体１、分離層２、接着層３、基板４の順に積み重なった積層体１０が得られている。

接着層３を介して支持体１２と基板４とを貼り合わせる方法は、接着層３上の所定位置に基板４を配置し、真空下で加熱（例えば１００℃程度）しつつ、ダイボンダー等によって支持体１２と基板４とを圧着することにより行う。

第１実施形態の積層体の製造方法によれば、上述した実施形態の接着層形成用組成物を適用して接着層が設けられるため、より耐熱性が高められ、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。加えて、形成される接着層に基板（ベアチップ）が充分な強度で固着される（ダイボンディング性が良好である）。

上述した本実施形態の積層体の製造方法においては、分離層２が支持基体１上に形成されていたが、これに限定されず、分離層２が基板４上に形成されていてもよい。
上述した本実施形態の積層体の製造方法においては、接着層３が分離層２上に形成されていたが、これに限定されず、接着層３が基板４上に形成されていてもよい。
また、分離層２は、支持基体１上及び基板４上の両方に形成されていてもよく、この場合、支持基体１と基板４とは、分離層２、接着層３及び分離層２を介して貼り合わされる。

＜第２実施形態＞
図３は、積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。
図３（ａ）は、第１実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図３（ｂ）は、封止工程を説明する図である。
かかる他の実施形態の積層体の製造方法は、支持体を作製する工程、接着層形成工程及び貼合工程に加えて、さらに、封止工程を有する。

［封止工程］
実施形態における封止工程は、前記貼合工程の後、前記接着層を介して前記支持体に貼り合わされた前記基板を、封止材により封止して封止体を作製する工程である。
図３（ｂ）では、接着層３上に配置された基板４の全体が、封止材により封止された封止体２０（積層体）が得られている。

封止工程においては、例えば１３０〜１７０℃に加熱された封止材が、高粘度の状態を維持しつつ、基板４を覆うように、接着層３上に供給され、圧縮成形されることによって、接着層３上に封止材層５が設けられた封止体２０（積層体）が作製される。
その際、温度条件は、例えば１３０〜１７０℃である。
基板４に加えられる圧力は、例えば５０〜５００Ｎ／ｃｍ^２である。

封止材には、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂を含有する組成物を用いることができる。封止材層５は、個々の基板４毎に設けられているものではなく、接着層３上の基板４全部を覆うように設けられていることが好ましい。

第２実施形態の積層体の製造方法によれば、上述した実施形態の接着層形成用組成物を適用して接着層が設けられるため、より耐熱性が高められ、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。

＜第３実施形態＞
図４は、積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。
図４（ａ）は、第２実施形態の製造方法により製造された封止体を示す図であり、図４（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図４（ｃ）は、再配線形成工程を説明する図である。
かかる他の実施形態の積層体の製造方法は、支持体を作製する工程、接着層形成工程、貼合工程及び封止工程に加えて、さらに、研削工程と再配線形成工程とを有する。

［研削工程］
実施形態における研削工程は、前記封止工程の後、封止体２０における封止材部分（封止材層５）を、基板４の一部が露出するように研削する工程である。
封止材部分の研削は、例えば図４（ｂ）に示すように、封止材層５を、基板４とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。

［再配線形成工程］
実施形態における再配線形成工程は、前記研削工程の後、前記の露出した基板４上に再配線層６を形成する工程である。
再配線層は、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。例えば、再配線層は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）に、導電体（アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金、銀等の金属及び銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。

再配線層６を形成する方法としては、まず、封止材層５上に、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止材層５上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。
配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。

このように、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理等を行う際、封止体２０（積層体）は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ、又はレジスト材料を溶解するためのレジスト溶剤に曝されるとともに、高温で処理される。
しかしながら、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて接着層を形成することにより、接着層は高い耐熱性を備えている。このため、封止材層５上に、再配線層６を好適に形成することができる。

第３実施形態の積層体の製造方法によれば、支持基体１と、分離層２と、接着層３と、基板４を覆う封止材層５と、再配線層６と、がこの順に積層されてなる積層体３０を安定に製造することができる。
かかる積層体３０は、基板４に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層６に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。

本実施形態の積層体の製造方法においては、さらに、再配線層６上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。再配線層６上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。

（電子部品の製造方法）
本発明の第６の態様に係る電子部品の製造方法は、前記第５の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、分離工程と、除去工程と、を有する。

図５は、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、第３実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図５（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図５（ｃ）は、除去工程を説明する図である。

［分離工程］
実施形態における分離工程は、支持基体１を介して分離層２に光（矢印）を照射して、分離層２を変質させることにより、積層体３０が備える基板４から支持基体１を分離する工程である。

図５（ａ）に示すように、分離工程では、支持基体１を介して、分離層２に光（矢印）を照射することで、分離層２を変質させる。
分離層２を変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１の透過性、及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持基体１と基板４とを容易に分離可能な状態とすることができる。

レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。

分離層２に光（矢印）を照射して分離層２を変質させた後、図５（ｂ）に示すように、基板４から支持基体１を分離する。
例えば、支持基体１と基板４とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持基体１と基板４とを分離する。具体的には、支持基体１又は基板４側（再配線層６）の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１と基板４とを分離することができる。
積層体３０に加える力は、積層体３０の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ（０．９８〜４９Ｎ）程度の力を加えることによって、支持基体１と基板４とを好適に分離することができる。

［除去工程］
実施形態における除去工程は、前記分離工程の後、基板４に付着する接着層３を除去する工程である。
図５（ｂ）では、分離工程の後、基板４に接着層３及び分離層２が付着している。本実施形態では、除去工程において、基板４に付着する接着層３及び分離層２を除去することにより、電子部品４０が得られている。

基板４に付着する接着層３等を除去する方法としては、例えば、洗浄液を用いて接着層３及び分離層２の残渣を除去する方法が挙げられる。
洗浄液には、有機溶剤を含有する洗浄液が好適に用いられる。この洗浄液における有機溶剤としては、分離層形成用組成物に配合の有機溶剤、接着層形成用組成物に配合の溶剤成分を用いることが好ましい。
上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて形成される接着層は、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高められている。このため、実施形態において、接着層の洗浄除去性は良好である。

本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品４０に対してソルダーボール形成、ダイシング、又は酸化膜形成等の処理を行ってもよい。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜接着剤組成物の調製＞
（実施例１〜１０、比較例１〜６）
表１〜３に示す各成分を混合して溶解し、各例の接着剤組成物（樹脂成分濃度２０質量％）をそれぞれ調製した。

表１〜３中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
尚、以下に示す樹脂成分についてのガラス転移温度（℃）は、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めた。

（Ｐ１）−１：Ｓｅｐｔｏｎ８００４（商品名）、株式会社クラレ製。スチレン含有量３１質量％、重量平均分子量９８０００；下記化学式（Ｐ１）−１で表される複数の構成単位を有する炭化水素樹脂。

（Ｐ１）−２：タフテックＨ１０５１（商品名）、旭化成株式会社製。スチレン含有量４２質量％、エチレン・ブチレン含有量５８質量％、重量平均分子量７８０００；水添スチレン系熱可塑性エラストマー。

（Ｐ１）−３：Ｓｅｐｔｏｎ２００２（商品名）、株式会社クラレ製。スチレン含有量３０質量％、重量平均分子量５４０００；下記化学式（Ｐ１）−３で表される複数の構成単位を有する炭化水素樹脂。

（Ｐ１）−４：ＡＰＬ８００８Ｔ（商品名）、三井化学株式会社製。ガラス転移温度７０℃、重量平均分子量１０００００；下記化学式（Ｐ１）−４で表される炭化水素樹脂（ｍ：ｎ＝８０：２０（モル比））。

（Ｐ１）−５：ＴＯＰＡＳ８００７（商品名）、ポリプラスチック株式会社製。ガラス転移温度６５℃、重量平均分子量９５０００；下記化学式（Ｐ１）−５で表される炭化水素樹脂（ｍ：ｎ＝３５：６５（モル比））。

（Ｐ２）−１：ＰＲＺ−１００１４（商品名）、住友ベークライト株式会社製。ガラス転移温度２２４℃、重量平均分子量８７００；下記化学式（Ｐ２）−１で表される樹脂（ｍ：ｎ＝６５：３５（モル比））。

（Ｐ３）−１：ガラス転移温度８４℃、重量平均分子量９８００；アダマンチルメタクリレート（ＡｄＭＡ）単位／ステアリルメタクリレート（ＳＴＭＡ）単位／スチレン（Ｓｔｙ）単位＝６０／２０／２０（質量比）の共重合体。

Ａ−ＤＣＰ：トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、新中村化学株式会社製；下記化学式で表される、多官能型の硬化性モノマー。

（Ｉｂ）−１：重合禁止剤、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（商品名）、ＢＡＳＦ社製。ペンタエリスリルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］；下記化学式で表される化合物。

（Ｉａ）−１：熱重合開始剤、パークミルＤ（商品名）、日油株式会社製。ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）ペルオキシド；下記化学式で表される化合物。

＜接着層形成工程＞
ガラス支持基体（サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ７００μｍ）上に、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力２５００Ｗ及び成膜温度２４０℃の条件下、反応ガスとしてＣ_４Ｆ_８を使用したＣＶＤ法により、分離層であるフルオロカーボン膜（厚さ１μｍ）を形成して支持体を作製した。

次いで、各例の接着剤組成物をそれぞれ、ガラス支持基体に形成された分離層上に、スピンコート法により１５００ｒｐｍで回転させながら塗布した。
次いで、各例の接着剤組成物を塗布した支持体をそれぞれ、１６０℃で４分間、予備加熱することにより、厚さ５μｍの接着層を形成した。

＜評価＞
上記＜接着層形成工程＞で形成された接着層に対し、以下に示すコンプレッションモールド試験を行い、耐熱性を評価した。加えて、熱時における複素弾性率の測定、ダイボンディング試験、洗浄除去性の評価をそれぞれ行った。これらの結果を表４、５及び６に示した。

［コンプレッションモールド試験］
上記＜接着層形成工程＞で形成された接着層の所定位置に、基板（ベアチップ）を配置し、前記支持体と前記基板とを貼り合わせた（貼合工程）。
その後、前記接着層を介して前記支持体に貼り合わされた前記基板を、封止材により封止して封止体を作製した（封止工程）。この作製された封止体において、封止前と封止後とのベアチップの位置ずれ（変位量）を測定し、耐熱性を評価した。
具体的には以下のようにして行った。

ベアチップの位置ずれ（変位量）を、ダイボンダー（ＴＲＥＳＫＹ社製）を用いて測定した。
まず、ダイボンダーのステージを５０℃及びヘッドを１００℃に加熱し、３５Ｎの圧力にて１秒間、接着層上に基板（ベアチップ）（５ｍｍ×５ｍｍ×０．７ｍｍ）を圧着した。

図６は、支持体１２と基板４（ベアチップ）とが接着層３を介して貼り合わされた積層体１０を示している。図６において、積層体１０は平面視で略矩形であり、その矩形における対角線上の４つの頂点付近及び重心付近に位置する、接着層３上の四隅端部及び中央部にそれぞれ基板４（ベアチップ）が配置されている。尚、平面視の積層体１０に対し、横方向をＸ方向、縦方向をＹ方向とする。

次に、積層体１０を、２００℃で１時間、窒素雰囲気下にて加熱した。加熱後、積層体１０を、５０℃に加熱したステージ上に載置した。
次いで、ステージ上に載置した積層体１０における中央部の基板４（ベアチップ）上に、エポキシ樹脂を含有する１２ｇの封止材を塗布した。
次いで、１０Ｐａよりも低圧の減圧条件下、貼付装置を用い、１３０℃に加熱した押圧用プレート（３００ｍｍφ）にて積層体１０を押圧して、１０トンの力を積層体１０に加えつつ、四隅端部及び中央部の基板４（ベアチップ）全体を覆うように封止材を押し広げて、５分間圧縮した（封止工程）。これにより、ベアチップが封止材によって封止された封止体を得た。

得られた封止体について、光学顕微鏡を用い、支持体１（ガラス支持基体面）側から観察し、封止前と封止後とのベアチップの位置ずれ（変位量）を測定した。
図６に示すように、封止後、接着層３上に配置された各基板４（ベアチップ）の、封止前の位置から移動した、Ｘ方向の移動距離とＹ方向の移動距離との和を求め、各基板４（ベアチップ）の移動距離とした。続いて、基板４（ベアチップ）の移動距離の平均値を求め、これを移動距離の評価値とした。そして、以下に示す評価基準に従い、耐熱性を評価した。
この移動距離の評価値が低いほど、耐熱性が高いことを意味する。
評価基準
○：基板４（ベアチップ）の移動距離の評価値が１０μｍ以下である場合
×：基板４（ベアチップ）の移動距離の評価値が１０μｍ超である場合

［複素弾性率の測定］
各例の接着剤組成物について、動的粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、ユービーエム株式会社製）を用い、５０℃、及び、１５０℃における複素弾性率Ｅ＊をそれぞれ測定した。
まず、接着剤組成物を、離型剤付のＰＥＴフィルム上に塗布し、大気圧下のオーブンで５０℃、１５０℃で各６０分間、加熱して接着剤層を形成した（厚さ０．５ｍｍ）。
次いで、ＰＥＴフィルムから剥がした接着剤層の複素弾性率Ｅ＊を、前記の動的粘弾性測定装置を用いて測定した。
測定条件を、サンプル形状が２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ、周波数１Ｈｚの引張条件において、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件とし、５０℃、１５０℃における複素弾性率を測定した。
５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が１．０×１０^９Ｐａ未満であれば、支持体への基板の接着性は良好である、と言える。
１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が３．０×１０^６Ｐａ超であれば、接着層の耐熱性が高い、と言える。
なお、表４〜６には、複素弾性率Ｅ＊_５０と複素弾性率Ｅ＊_１５０の測定結果とともに、Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比を掲載した。

［ダイボンディング試験］
上記＜接着層形成工程＞で形成された接着層の所定位置に、基板（ベアチップ）を配置し、前記支持体と前記基板とを貼り合わせた（貼合工程）。
具体的には、ダイボンダー（ＴＲＥＳＫＹ社製）のステージを２３℃及びヘッドを１００℃に加熱し、３５Ｎの圧力にて１秒間、接着層上に基板（ベアチップ）（５ｍｍ×５ｍｍ×０．７ｍｍ）を圧着した。
そして、接着層に対する基板（ベアチップ）の接着状態を、以下に示す評価基準に従い、評価した。
評価基準
○：接着層に基板（ベアチップ）が充分な強度で固着していた。
×：力を加えると、接着層から基板（ベアチップ）が容易に剥がれた。

［洗浄除去性の評価］
上記封止工程で得られた封止体に対し、ガラス支持基体側から分離層（フルオロカーボン膜）に向かって、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した。これにより、当該分離層を変質させて、前記封止体が備える前記基板（ベアチップ）から前記ガラス支持基体を分離し、接着層が露出した封止基板を得た（分離工程）。
次いで、得られた封止基板に対し、洗浄液としてｐ−メンタンを用いてスプレー洗浄を５分間行い、基板（ベアチップ）に付着する接着層を除去した（除去工程）。
そして、以下に示す評価基準に従い、洗浄除去性を評価した。
評価基準
○：スプレー洗浄後、封止基板に接着層の残渣が全く見られなかった場合
×：スプレー洗浄後、封止基板に接着層の残渣が見られた場合

表４〜６に示す結果から、実施例１〜１０の接着剤組成物は、比較例１〜６の接着剤組成物に比べて、コンプレッションモールド試験の結果が良好であること、すなわち、より耐熱性が高められたものであること、が確認できる。

１ 支持基体、
２ 分離層、
３ 接着層、
４ 基板、
５ 封止材層、
６ 再配線層、
１０ 積層体、
１２ 支持体、
２０ 封止体、
３０ 積層体、
４０ 電子部品、
１２３ 接着層付き支持体。

Claims (20)

1. 支持体と基板とを貼り合わせるための接着剤組成物であって、
   炭化水素樹脂（Ｐ１）と、
   ガラス転移温度が１８０℃以上の樹脂（Ｐ２）（但し、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）を除く）と、
   を樹脂成分（Ｐ）として含有し、
   前記樹脂（Ｐ２）は、下記一般式（ｐ２−１）で表される構成単位と、下記一般式（ｐ２−２）で表される構成単位とからなる共重合体であり、
   前記樹脂（Ｐ２）の含有量は、前記炭化水素樹脂（Ｐ１）１００質量部に対して１０〜７５質量部である、接着剤組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ ^ｕ１０ は、炭素数１〜３０の有機基を表す。］
   

   

   ［式中、Ｒ ^ｕ１１ 〜Ｒ ^ｕ１４ は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の有機基又は水素原子を表す。ｎは、０〜２の整数である。］
2. 請求項１に記載の接着剤組成物であって、
   前記接着剤組成物から２０ｍｍ×５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの試験片を作製し、周波数１Ｈｚの引張条件で、室温から２１５℃まで、速度５℃／分で昇温する条件にて前記試験片を動的粘弾性測定に付したときに、
   ５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、１．０×１０^９Ｐａ未満、
   １５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、３．０×１０^６Ｐａ超、
   の双方の要件を満たす、接着剤組成物。
3. さらに、Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０の比が２０００以下との要件を満たす、請求項２に記載の接着剤組成物。
4. 前記炭化水素樹脂（Ｐ１）は、エラストマー及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
5. さらに、多官能型の硬化性モノマーを含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
6. 前記多官能型の硬化性モノマーは、多環式脂肪族構造を含む、請求項５に記載の接着剤組成物。
7. 前記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、前記樹脂成分（Ｐ）の総量１００質量％に対して５〜４０質量％である、請求項５又は６に記載の接着剤組成物。
8. さらに、重合禁止剤を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
9. さらに、熱重合開始剤を含有する、請求項５〜７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
10. さらに、炭化水素溶剤を含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
11. 基板が貼り合わされる支持体と、
    前記支持体上に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物を用いて形成された接着層と、
    を備えた、接着層付き支持体。
12. 前記支持体は、光を透過する支持基体と、前記支持基体上に設けられた分離層と、を備え、
    前記分離層は、前記接着層に隣接し、光の照射により変質して、前記支持体に貼り合わされる基板から前記支持基体を分離可能とする層である、請求項１１に記載の接着層付き支持体。
13. フィルムと、
    前記フィルム上に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物を用いて形成された接着層と、
    を備えた、接着フィルム。
14. 支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされた積層体であって、
    前記接着層は、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物を用いて形成された層である、積層体。
15. 請求項１１又は１２に記載の接着層付き支持体と、
    前記接着層付き支持体が備える接着層の前記支持体側とは反対側の面に配置された基板と、
    を備えた、積層体。
16. 支持体と基板とが接着層を介して貼り合わされた積層体の製造方法であって、
    前記支持体上又は前記基板上の少なくとも一方に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の接着剤組成物を用いて前記接着層を形成する接着層形成工程と、
    前記接着層形成工程で形成された前記接着層を介して、前記支持体と前記基板とを貼り合わせる貼合工程と、
    を有する、積層体の製造方法。
17. 前記貼合工程の後、前記接着層を介して前記支持体に貼り合わされた前記基板を、封止材により封止して封止体を作製する封止工程をさらに有する、請求項１６に記載の積層体の製造方法。
18. 前記封止工程の後、前記封止体における封止材部分を、前記基板の一部が露出するように研削する研削工程と、
    前記研削工程の後、前記の露出した基板上に再配線を形成する再配線形成工程と、
    をさらに有する、請求項１７に記載の積層体の製造方法。
19. 光を透過する支持基体の少なくとも一面に、光の照射により変質する分離層を形成して、前記支持体を作製する工程をさらに有し、前記貼合工程において、前記分離層と前記接着層とを互いに向い合せながら、前記支持体と前記基板とを貼り合せる、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
20. 請求項１９に記載の積層体の製造方法により積層体を得た後、
    前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体が備える前記基板から前記支持基体を分離する分離工程と、
    前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、
    を有する、電子部品の製造方法。

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