TWI445071B - 基板拋光裝置及使用該基板拋光裝置拋光基板之方法 - Google Patents

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TWI445071B
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Description

基板拋光裝置及使用該基板拋光裝置拋光基板之方法
本發明係有關於一種用於製造一半導體之裝置及方法，特別係有關於一種用於以一單一晶圓處理方式拋光及清潔一半導體基板之基板處理裝置及方法。
在一般之半導體裝置製造製程中，應重複執行諸如沈積製程、光刻製程(photolithography process)及蝕刻製程(etch process)等多數個單元製程來形成及堆疊薄膜。此等製程係重複進行至在一晶圓(wafer)上形成所欲之預定電路圖案為止。在形成電路圖案後，在晶圓之一表面上形成許多不規則部(irregularities)。因現在半導體裝置已高度積體化且亦形成多層式結構，故晶圓表面上不規則部之數目以及該等不規則部間之高度差增大。結果，由於晶圓表面不平坦，在光刻製程中可能會發生散焦(defocus)。因此，為達成晶圓表面之平坦化，應定期地拋光晶圓表面。
現已開發出各種表面平坦化技術來平坦化一晶圓之表面。在此等技術中，化學機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)技術被廣泛應用，乃因利用CMP技術可將寬表面以及窄表面平坦化至較佳之平坦度。CMP裝置用於利用機械摩擦及化學磨料(chemical abrasive)來拋光塗有鎢或氧化物之晶圓之表面，且利用CMP裝置可達成極精細之拋光。
當一拋光裝置拋光一晶圓時，拋光裝置將晶圓置於一拋光墊之頂面，然後抵靠拋光墊按壓及旋轉晶圓。此一拋光裝置包括一扣持環(retainer ring)，該扣持環環繞晶圓以防止晶圓之一邊緣被過度拋光。然而，因在整個晶圓拋光製程中，昂貴之扣持環皆與晶圓一起受到拋光，因而固定環之更換週期較短，且其拆卸過程頗為複雜。
本發明之具體實施例提供一種可提高拋光效率之基板拋光裝置。
本發明之具體實施例亦提供一種使用前述基板拋光裝置拋光一基板之方法。
本發明之具體實施例提供基板拋光裝置，其包括：一基板支撐構件、一拋光單元及至少一個墊支撐構件。
一基板係安放於基板支撐構件上。拋光單元包括一拋光墊及一墊驅動構件，拋光墊係設置於基板支撐構件上方以拋光安放於基板支撐構件上之基板，墊驅動構件用以移動拋光墊，以改變拋光墊相對於基板支撐構件之一相對位置。墊支撐構件係設置於基板支撐構件之一側，以在拋光安放於基板支撐構件上之基板之一邊緣時，支撐拋光墊之一拋光表面未接觸基板之一部分。
在本發明之其他具體實施例中，基板拋光裝置包括：一缽型單元、一可旋轉之基板支撐構件、一拋光單元以及至少一個墊支撐構件。
缽型單元具有一開放的上部。基板支撐構件之上係安放一基板，基板支撐構件並可旋轉地設置於缽型單元中。拋光單元包括一拋光墊及一墊驅動構件，拋光墊係設置於基板支撐構件上方以在一拋光製程中拋光安放於基板支撐構件上之基板，墊驅動構件用於將拋光墊自安放於基板支撐構件上之基板之一中央區域移動至基板之一邊緣區域或者移動至超出基板邊緣區域之一位置。墊支撐構件係設置於缽型單元中並包括一支撐墊，支撐墊與基板支撐構件間隔開且係設置於基板支撐構件之一側。
在本發明之再一些具體實施例中，基板拋光方法係如下所述。
安放一基板於一基板支撐構件上。設置一拋光墊於基板支撐構件上方。在基板支撐構件與拋光墊至少一者旋轉時，以拋光墊按壓及拋光基板。當拋光基板時，在一墊支撐構件支撐拋光墊未接觸基板之一部分時，拋光基板之一邊緣。
以下，將參照附圖更詳細地闡述本發明之較佳具體實施例。然而，本發明亦可實施為不同之形式，而不應被視為僅限於本文所述之具體實施例。提供此等具體實施例反而是為了使本發明之揭露內容透徹及完整、並向熟習此項技術者全面傳達本發明之範圍。舉例而言，儘管使用一晶圓作為一半導體基板，然本發明之技術範圍及精神並不僅限於此。
圖1為根據本發明一具體實施例之一單一晶圓型拋光系統(single wafer type polishing system)之一示意圖。
參見圖1，根據本發明之一基板處理系統2000可包括一裝載/卸載單元10、一碼垛機械手(index robot)20、一緩衝單元30、一主傳送機械手50、多數個基板拋光單元1000及一控制單元60。
裝載/卸載單元10包括多數個裝載埠11a、11b、11c及11d。儘管在本具體實施例中，裝載/卸載單元10包括四個裝載埠11a、11b、11c及11d，然裝載埠11a、11b、11c及11d之數目亦可根據製程效率及基板處理系統2000之佔用面積(foot print)狀態而增減。
其中容置有晶圓之前開式統一標準盒(front open unified pod；FOUP)12a、12b、12c及12d分別安放於裝載埠11a、11b、11c及11d上。多數個狹槽(slot)設置於各別FOUP 12a、12b、12c及12d中，以用於相對於地面沿一水平方向容置晶圓。FOUP 12a、12b、12c及12d容置已於各別基板拋光單元1000中經過處理之晶圓或者將被裝載至各別基板拋光單元1000中之晶圓。以下，為便於說明，將已於各別基板拋光單元1000中經過處理之晶圓稱為已處理晶圓，而尚未經過處理之晶圓則被稱為原始晶圓。
一第一傳送路徑41設置於裝載/卸載單元10與緩衝單元30之間。一第一傳送軌道42設置於第一傳送路徑41中。碼垛機械手20設置於第一傳送軌道42上。碼垛機械手20沿第一傳送軌道42移動，以於裝載/卸載單元10與緩衝單元30之間傳送晶圓。亦即，碼垛機械手20自安放於裝載/卸載單元10上之FOUP 12a、12b、12c及12d取出至少一個原始晶圓，以裝載晶圓於緩衝單元30上。此外，碼垛機械手20自緩衝單元30取出至少一個經處理晶圓，以裝載晶圓於安放於裝載/卸載單元10上之FOUP 12a、12b、12c及12d。
緩衝單元30設置於第一傳送路徑41之一側。緩衝單元30容置由碼垛機械手20傳送之原始晶圓以及在基板拋光單元1000中經處理之晶圓。
主傳送機械手50設置於一第二傳送路徑43中。一第二傳送軌道44設置於第二傳送路徑43中。主傳送機械手50設置於第二傳送軌道44上。主傳送機械手50沿第二傳送軌道44移動，以於緩衝單元30與基板拋光單元1000之間傳送晶圓。亦即，主傳送機械手50自緩衝單元30取出至少一個原始晶圓，以提供晶圓至基板拋光單元1000。此外，主傳送機械手50將由基板拋光單元1000處理之晶圓(即，經處理晶圓)裝載於緩衝單元30上。
基板拋光單元1000設置於第二傳送路徑43之兩側。各別基板拋光單元1000拋光並清潔原始晶圓，以製造經處理晶圓。在基板拋光單元1000中，至少二基板拋光單元相互面對，且第二傳送路徑43處於其間。在本發明之一實施例中，由平面圖觀之，儘管二對基板拋光單元1000設置於第二傳送路徑43之兩側且分別沿第二傳送路徑43平行地設置，然設置於第二傳送路徑43兩側之基板拋光單元1000之數目可根據製程效率及基板處理系統2000之佔用面積狀態而增減。
各基板拋光單元1000連接至控制單元60，以根據控制單元60之控制而拋光及清潔原始晶圓。亦即，控制單元60控制基板拋光單元1000，以控制各基板拋光單元1000之拋光。
以下，將參照附圖詳細闡述基板拋光單元1000之一配置。
圖2為圖1所示之一基板拋光單元之一立體圖，圖3為圖2所示之一基板支撐單元及一缽型單元之一局部剖切立體圖。
參見圖1至圖3，在基板處理系統2000中，可在一個基板拋光單元1000內依序執行一拋光製程及在該拋光製程之後執行一清潔製程，該拋光製程係拋光一晶圓70之一頂面，該清潔製程則清潔晶圓70之一表面。
具體而言，基板拋光單元1000可包括一基板支撐單元100、一缽型單元200、一拋光單元300、一墊支撐構件401、第一及第二製程流體供應單元510及520、一刷子單元610、一噴霧單元(aerosol unit)620及一墊調節單元(pad conditioning unit)700。
由主傳送機械手50傳送之晶圓70安放於基板支撐單元100上。在晶圓70之拋光製程及清潔製程中，基板支撐單元100支撐並固定晶圓70。基板支撐單元100可包括在其上安放晶圓70之一旋轉頭(spin head)110、一用於支撐旋轉頭110之支撐部件120及一用於提供轉矩之旋轉驅動部件。
於平面圖中觀看之旋轉頭110具有一實質圓形形狀，且其一寬度自其一頂面至一底面逐漸減小。在本發明之一實施例中，支撐晶圓70之旋轉頭110之頂面之一面積小於晶圓70之一面積。因此，自側面觀之，安放於旋轉頭110上的晶圓70之一端自旋轉頭110之一頂端向外突出。
支撐部件120設置於旋轉頭110下方，並連接至旋轉驅動部件。支撐部件120具有一近似圓柱體形狀，並耦合至旋轉頭110。旋轉驅動部件旋轉支撐部件120，且支撐部件120之轉矩被傳遞至旋轉頭110以旋轉旋轉頭110。在拋光製程及清潔製程中，由旋轉驅動部件提供之轉矩旋轉用於將晶圓70固定於頂面上之旋轉頭110。
基板支撐單元100容置於缽型單元200中。缽型單元200可包括第一及第二製程缽(process bowl)210及220、第一及第二回收桶(recovery vat)230及240、第一及第二回收管251及252、以及一升/降構件260。
具體而言，第一及第二製程缽210及220環繞基板支撐單元100，以提供一用以在其中對晶圓70執行拋光製程及清潔製程之空間。第一及第二製程缽210及220各具有一開放的上部，旋轉頭110透過該開放的上部而露出。儘管在本具體實施例中，第一及第二製程缽210及220各具有一圓環形狀，然本發明並非僅限於此。
具體而言，第一製程缽210可包括一側壁211、一頂板212及一引導部件213。側壁211可具有一近似圓環形狀，以環繞基板支撐單元100。
側壁211之一上端連接至頂板212。頂板212自側壁211延伸，並具有一遠離側壁211向上傾斜之表面。頂板212具有一近似圓環形狀。由平面圖中觀之，頂板212與旋轉頭110間隔開以環繞旋轉頭110。
引導部件213包括第一及第二引導壁213a及213b。第一引導壁213a自側壁211之一內壁突出以面朝頂板212。此外，第一引導壁213a具有一遠離側壁211向下傾斜之表面。第一引導壁213a具有一圓環形狀。第二引導壁213b自第一引導壁213a向下垂直地延伸，以面朝側壁211。第二引導壁213b具有一圓環形狀。引導部件213引導在晶圓70之拋光製程中散射到第一製程缽210之側壁211及頂板212之內表面上之一製程流體流朝向第一回收桶230。
第二製程缽220設置於第一製程缽210外側。第二製程缽220環繞第一製程缽210，且大於第一製程缽210。
具體而言，第二製程缽220可包括一側壁221及一頂板222。側壁221可具有一近似圓環形狀，以環繞第一製程缽210之側壁211。側壁221係與第一製程缽210之側壁211間隔開，並連接至第一製程缽210。
側壁221之一上端連接至頂板222。頂板222自側壁221延伸，並具有一遠離側壁221向上傾斜之表面。頂板222具有一近似圓環形狀。由平面圖中觀看，頂板222與旋轉頭110間隔開，以環繞旋轉頭110。頂板222設置於第一製程缽210之頂板211上方。此外，頂板222面朝第一製程缽210之頂板211，並與第一製程缽210之頂板211間隔開。
第一及第二回收桶230及240設置於第一及第二製程缽210及220下方，以回收用於拋光製程及清潔製程之製程流體。第一及第二回收桶230及240各具有一近似圓環形狀，近似圓環形狀具有一開放的上部。儘管在本具體實施例中，第一及第二回收桶230及240各具有圓環形狀，然而本發明並非僅限於此。
第一回收桶230設置於第一製程缽210下方，以回收用於拋光製程之製程流體。第二回收桶240設置於第二製程缽220下方，以回收用於清潔製程之製程流體。
具體而言，第一回收桶230可包括一底板231、一第一側壁232、一第二側壁233及一連接部件234。底板231具有一近似圓環形狀，以環繞支撐部件120。在本發明之一實施例中，底板231具有一‘V’形垂直橫截面，以輕易地排放回收至第一回收桶230中之製程流體。因此，在底板231中設置一具有一環形狀之回收流動路徑231a，以輕易地排放及回收製程流體。
第一側壁232自底板231垂直地延伸，以提供用於回收製程流體之第一回收空間RS1。第二側壁233與第一側壁232間隔開，以面朝第一側壁232。連接部件234連接至第一側壁232之上端以及第二側壁233之上端。連接部件234具有一自第一側壁232朝第二側壁233向上傾斜之表面。連接部件234引導滴落於第一回收空間RS1外之製程流體朝向第一回收空間RS1，以將製程流體引入第一回收空間RS1。
第二回收桶240設置於第一回收桶230外側。第二回收桶240環繞第一回收桶230，並與第一回收桶230間隔開。具體而言，第二回收桶240可包括一底板241、一第一側壁242及一第二側壁243。底板241具有一近似圓環形狀，以環繞第一回收桶230之底板231。在本發明之一實施例中，底板241具有一‘V’形垂直橫截面，以輕易地排放回收至第二回收桶240中之製程流體。因此，在底板241中設置一具有一環形狀之回收流動路徑241a，以輕易地排放及回收製程流體。
第一及第二側壁242及243自底板241垂直地延伸，以提供用於回收製程流體之第二回收空間RS2。第一及第二側壁242及243各具有一圓環形狀。第一側壁242設置於第一回收桶230之第一及第二側壁232及233之間，以環繞第一回收桶230之第一側壁232。第二回收桶240之第二側壁243面朝第一側壁242且使底板241處於其間，以環繞第一側壁242。第二回收桶240之第二側壁243環繞第一回收桶230之第二側壁233，且其一上端設置於第二製程缽220之側壁221外側。
當對晶圓70執行拋光製程及清潔製程時，根據每一製程而改變旋轉頭110與第一及第二製程缽210及220間之垂直位置。因此，第一及第二回收桶230及240分別回收用於互不相同之製程之製程流體。
具體而言，當執行拋光製程時，旋轉頭110設置於第一製程缽210內，以對第一製程缽210內之晶圓70執行拋光製程。在拋光製程中，藉由旋轉頭110之旋轉而旋轉晶圓70。因此，在拋光製程中，由於晶圓70之轉矩，噴射於晶圓70上之一製程流體朝向第一製程缽210之側壁211之一內表面及頂板212之一內表面散射。附著於第一製程缽210之側壁211及頂板212之內表面之製程流體在一重力方向沿第一製程缽210之側壁211及頂板212流動而到達引導部件213，然後，製程流體在重力方向上沿引導部件213之一內表面流動並被回收至第一回收桶230中。
當在執行拋光製程之後執行清潔製程時，旋轉頭110設置於第二製程缽220之頂板222下方以及第一製程缽210上方。在清潔製程中，使旋轉頭110旋轉。因此，在清潔製程中噴射於晶圓上之一製程流體朝向第二製程缽220之頂板222及側壁221之內表面以及朝第一製程缽210之一外表面散射。第一製程缽210之側壁211設置於第二回收桶240之底板241上方。附著於第一製程缽210之外表面之製程流體在重力方向上沿第一製程缽210外表面流動，並被回收至第二回收桶240中。此外，附著於第二製程缽220之內表面之製程流體在重力方向上沿第二製程缽220之內表面流動，並被回收至第二回收桶240中。
如上文所述，第一回收桶230回收用於拋光製程之製程流體，第二回收桶240則回收用於清潔製程之製程流體。如此一來，因缽形單元200可分別回收在缽形單元200內執行之每一製程所用之製程流體，故可輕易地重新利用及回收製程流體。
第一回收桶230連接至第一回收管251，第二回收桶240則連接至第二回收管252。第一回收管251耦合至第一回收桶230之底板231。連通第一回收管251之第一回收孔231b界定於第一回收桶230之底板231中。回收入第一回收桶230之第一回收空間RS1中之製程流體透過第一回收孔231b經第一回收管251向外排放。
儘管在本具體實施例中，缽形單元200包括二製程缽210及220與二回收桶230及240，然製程缽210及220與回收桶230及240之數目可根據拋光製程及清潔製程所用的製程流體之數目以及欲分別回收之製程流體之數目而增加。
第二回收管252耦合至第二回收桶240之底板241。連通第二回收管252之第二回收孔241b界定於第二回收桶240之底板241中。回收入第二回收桶240之第二回收空間RS2中之製程流體透過第二回收孔241b經第二回收管252向外排放。
儘管第一回收管251及第二回收管252分別以單數形式提供，然第一回收管251及第二回收管252之數目可根據第一及第二回收桶230及240之尺寸及回收效率而增加。
可垂直移動之升/降構件260設置於第二製程缽220外側。升/降構件260耦合至第二製程缽220之側壁221，以調整第一及第二製程缽210及220之垂直位置。具體而言，升/降構件260可包括一托架261、一運動軸262及一驅動器263。托架261固定至第二製程缽220之外側壁221，並耦合至運動軸262。運動軸262連接至驅動器263並藉由驅動器263而垂直移動。
第一及第二製程缽210及220藉由升/降構件260而下降，以在晶圓70安放於旋轉頭110上或被提離旋轉頭110時容許旋轉頭110自第一及第二製程缽210及220向上突出。當第一及第二製程缽210及220下降時，第一回收桶230之第一及第二側壁232及233與連接部件234被插入由第一製程缽210之側壁211以及第一及第二引導壁213a及213b所界定之一空間中。
此外，當對晶圓10執行拋光製程及清潔製程時，第一及第二製程缽210及220藉由升/降構件260而升降，以調整第一及第二製程缽210及220與旋轉頭110間之一相對垂直位置，藉此分別回收拋光製程所用之製程流體與清潔製程所用之製程流體。
在本具體實施例中，儘管係垂直移動第一及第二製程缽210及220來改變基板拋光單元1000中之第一及第二製程缽210及220與旋轉頭110間之相對垂直位置，然本發明並非僅限於此。舉例而言，可垂直移動旋轉頭110來改變第一及第二製程缽210及220與旋轉頭110間之相對垂直位置。
拋光單元300、第一及第二製程流體供應單元510及520、刷子單元610、噴霧單元620及墊調節單元700設置於缽形單元200之外側。
拋光單元300對固定至基板支撐單元100之晶圓70之一表面進行化學及機械拋光，以平坦化晶圓70之表面。
圖4為圖2所示之一拋光單元之一立體圖，及圖5為圖4所示拋光單元之一局部剖切側視圖。
參見圖3、圖4及圖5，拋光單元300可包括一按壓部件310、一垂直臂部件320、一擺動臂部件330及一驅動部件340。
具體而言，在拋光製程中，按壓部件310設置於固定至旋轉頭110之晶圓70上方。按壓部件310以與晶圓70接觸之狀態旋轉，以拋光晶圓70。在按壓部件310拋光晶圓70時，供應用於晶圓70之化學液體(即漿液(slurry))於晶圓70之頂面。
垂直臂部件320固定至按壓部件310之上端。垂直臂部件320自旋轉頭110之頂面垂直延伸，並藉由驅動部件340所提供之轉矩而繞一縱向中心軸線旋轉。以下，將參照圖6詳細闡述按壓部件310及垂直臂部件320之配置。
擺動臂部件330設置於垂直臂部件320上方。擺動臂部件330可包括一旋轉殼體331，旋轉殼體331具有一棒形狀及一皮帶-皮帶輪總成，該皮帶-皮帶輪總成用於自驅動部件340向垂直臂部件320傳遞轉矩。旋轉殼體331之一側耦合至垂直臂部件320，且另一側則耦合至驅動部件340。
驅動部件340可包括：第一驅動馬達341，用於旋轉擺動臂部件330；一第二驅動馬達342，用於旋轉垂直臂部件320；以及一垂直運動部件343，用於調整按壓部件310之一垂直位置。
第一驅動馬達341耦合至旋轉殼體331，以提供轉矩給旋轉殼體331。第一驅動馬達341可交替、重複地提供順時針轉矩及逆時針轉矩。因此，驅動部件340使擺動臂部件330以耦合至驅動部件340之一中心軸線為中心擺動。當執行拋光製程時，由於擺動臂部件330之擺動操作，按壓部件310可在晶圓70之一上部以一圓弧形狀水平地往復運動。
第二驅動馬達342設置於第一驅動馬達341下方。第二驅動馬達342提供轉矩給皮帶-皮帶輪總成。皮帶-皮帶輪總成將第二驅動馬達342之轉矩傳遞至垂直臂部件320。皮帶-皮帶輪總成係內建於旋轉殼體331中，並可包括一主動皮帶輪332、一從動皮帶輪333及一皮帶334。主動皮帶輪332設置於第一驅動馬達341上方，並耦合至一穿過第一驅動馬達341之垂直臂344之一側。第二驅動馬達342耦合至垂直臂344之另一側。
從動皮帶輪333面朝主動皮帶輪332。從動皮帶輪333設置於垂直臀部件320上方，並耦合至垂直臂部件320。主動皮帶輪332與從動皮帶輪333透過皮帶334相互連接。皮帶334纏繞主動皮帶輪332與從動皮帶輪333。
第二驅動馬達342之轉矩透過垂直臂344傳遞至主動皮帶輪332。藉此，使主動皮帶輪332旋轉。主動皮帶輪332之轉矩透過皮帶334傳遞至從動皮帶輪333。藉此，使從動皮帶輪333旋轉。從動皮帶輪333之轉矩傳遞至垂直臂部件320。藉此，使按壓部件310及垂直臂部件320旋轉。
垂直運動部件343設置於第一驅動馬達341及第二驅動馬達342之一後側。垂直運動部件343可包括一滾珠螺桿(ball screw)343a、一螺母343b及一第三驅動馬達343c。滾珠螺桿343a具有一桿形狀，並相對於一地面垂直設置。螺母343b安裝於滾珠螺桿343a上，並固定至第二驅動馬達342。第三驅動馬達343c設置於滾珠螺桿343a下方。第三驅動馬達343c可耦合至滾珠螺桿343a，以提供順時針轉矩及逆時針轉矩給滾珠螺桿343a。第三驅動馬達343c使滾珠螺桿343a順時針或逆時針旋轉。滾珠螺桿343a之旋轉使螺母343b沿滾珠螺桿343a垂直移動。藉此，使耦合至螺母343b之第二驅動馬達342與螺母343b一起垂直移動。隨著第二驅動馬達342垂直地移動，第一驅動馬達341及擺動臂部件330垂直地移動，藉此使垂直臂部件320及按壓部件310亦垂直地移動。
儘管在本具體實施例中，垂直運動部件343包括滾珠螺桿343a、螺母343b及第三驅動馬達343c以利用一線性馬達方法提供一垂直運動力，然本發明並非僅限於此。舉例而言，垂直運動部件343可包括一汽缸來提供一垂直運動力。
第一驅動馬達341、第二驅動馬達342、滾珠螺桿343a、螺母343b及垂直臂344係內建於一驅動殼體345中。驅動殼體345沿一垂直方向具有一長桿形狀。
以下，將參照附圖詳細闡述按壓部件310及垂直臂部件320。
圖6為圖5所示之一按壓部件及一垂直臂部件之一垂直剖視圖。
參見圖2、圖5及圖6，垂直臂部件320由驅動部件340所傳遞之轉矩帶動旋轉，以使按壓部件310旋轉，且垂直臂部件320提供空氣給按壓部件310，以控制用於按壓晶圓70之壓力。
具體而言，垂直臂部件320可包括一外殼321、一旋轉軸322、一旋轉接頭323、第一及第二軸承324a及324b、以及第一及第二輔助軸325a及325b。
外殼321具有一近似圓柱形管形狀。外殼321之一上端插入擺動臂部件330之旋轉殼體331中。因此，外殼321具有耦合至旋轉殼體331之上端以及一耦合至按壓部件310之下端。
旋轉軸322設置於外殼321內，並與外殼321間隔開。旋轉軸322沿外殼321之縱向方向延伸，並於一中央部中包括一空氣通道322a。空氣通道322a沿旋轉軸322之縱向方向延伸。旋轉軸322連接至從動皮帶輪333，並在從動皮帶輪333之轉矩作用下繞一縱向中心軸線旋轉。旋轉軸322之上端耦合至旋轉接頭323，旋轉接頭323供應空氣至旋轉軸322之空氣通道322a並固定至從動皮帶輪333。旋轉接頭323包括一旋轉部及一固定部，且旋轉部固定至從動皮帶輪333，使得旋轉部在從動皮帶輪333之轉矩作用下旋轉。旋轉接頭323之固定部連接至一用於供應空氣之空氣管線80。自空氣管線80供應之空氣透過旋轉接頭323被引入至空氣通道322a，並沿空氣通道322a流至按壓部件310。
第一及第二軸承324a及324b設置於外殼321與旋轉軸322之間。第一及第二軸承324a及324b將外殼321連接至旋轉軸322並支撐旋轉軸322，使得旋轉軸322穩定地旋轉。第一軸承324a與擺動臂部件330毗連設置，第二軸承324b則與按壓部件310毗連設置。第一及第二軸承324a及324b之內圈(inner race)安裝於旋轉軸322上，並進而與旋轉軸322一同旋轉。第一及第二軸承324a及324b之外圈耦合至外殼321，進而在旋轉軸旋轉時並不旋轉。因此，僅旋轉軸322旋轉，而外殼321則不旋轉。
第一及第二輔助軸325a及325b可設置於旋轉軸322與外殼321之間。第一輔助軸325a沿外殼321之內壁設置，並保護外殼321。第二輔助軸325b環繞旋轉軸322之一外壁，並保護旋轉軸322。
按壓部件310固定至旋轉軸322之下端。按壓部件310可包括一拋光墊311、一拋光殼體312、一上板313及一下板314、一墊支架315、一耦合板316及一波紋管(bellows)317。
拋光墊311具有一板形狀及一近似圓環形狀。在拋光製程中，拋光墊311旋轉，進而以拋光墊311之一底面接觸晶圓之一頂面之狀態來拋光晶圓。拋光墊311之一直徑小於晶圓之一直徑。在拋光製程中，驅動部件340使拋光墊311擺動而拋光晶圓。如上文所述，因拋光墊311之一直徑小於晶圓之一直徑，故拋光單元300可局部地拋光晶圓，並防止過度地拋光一特定區域。
拋光殼體312設置於拋光墊311上方。拋光殼體312具有一近似圓環形狀，且其中包括上板313及下板314以及波紋管317。一耦合孔設置於拋光殼體312之中央頂面中，且耦合板316設置於耦合孔中。耦合板316與拋光殼體312間隔開，並固定至垂直臂部件320之旋轉軸322。
上板313固定至耦合板316之底面，且下板314與上板313間隔開。墊支架315耦合至下板314之底面，且拋光墊311耦合至墊支架315之底面。
波紋管317設置於下板314與上板313間之一空間內。波紋管317係由一金屬材料形成，並容置由旋轉軸322之空氣通道322a供應之空氣。波紋管317藉由空氣壓力而垂直地膨脹及收縮。當執行拋光製程時，波紋管317藉由空氣壓力而垂直地膨脹，使得拋光墊311緊密地接觸晶圓。當波紋管317在基板支撐單元100(參見圖2)上方等待時，波紋管317藉由空氣通道322a所提供之真空壓力而收縮。藉此，使拋光墊311與安放於基板支撐單元100上之一晶圓間隔開。
如上文所述，因按壓部件310使用藉由空氣壓力而膨脹及收縮之波紋管317，故在拋光製程中，拋光墊311可根據晶圓之頂面形狀而傾斜。
再次參見圖1至圖3，墊支撐構件401設置於基板支撐單元100之一側，且墊支撐構件401設置於缽形單元200中。當拋光晶圓70之一邊緣時，墊支撐構件401支撐拋光墊311之一部分(參見圖6)，以防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。以下，將參照圖7及圖8詳細闡述墊支撐構件401之配置。
設置於缽形單元200之外側之第一及第二製程流體供應單元510及520將晶圓70之拋光製程及清潔製程所需之製程流體噴射至固定於基板支撐單元100之晶圓70。詳言之，第一製程流體供應單元510固定至第二製程缽220之側壁221。當執行拋光製程或清潔製程時，第一製程流體供應單元510噴射製程流體至固定於旋轉頭110之晶圓70上，以處理晶圓70。在本具體實施例中，自第一製程流體供應單元510噴射之製程流體可為用於清潔或乾燥晶圓70之製程流體或由於乾燥晶圓70之乾燥氣體。
在本發明之一實施例中，儘管第一製程流體供應單元510包括四個噴射噴嘴，然噴射噴嘴之數目可根據用於清潔晶圓70之製程流體之數目而增減。
第二製程流體供應單元520可擺動，並噴射製程流體至固定於旋轉頭110之晶圓70上。供應至第二製程流體供應單元520之製程流體可係為漿液。在拋光製程中，漿液可藉由一分立之化學液體噴射構件(圖未示出)而非藉由第二製程流體供應單元520噴射至晶圓70。
在執行拋光製程後，刷子單元610以物理方式移除存留於晶圓70表面上之異物。刷子單元610可擺動，並包括一刷子墊(brush pad)。刷子墊接觸晶圓70之表面，而以物理方式刷除存留於晶圓70表面上之異物。當執行清潔製程時，刷子單元610藉由其擺動操作而將刷子墊置於旋轉頭110上方，並旋轉刷子墊以清潔固定於旋轉頭110之晶圓70。
噴霧單元620設置於刷子單元610之一側。噴霧單元620以一高壓噴射具有細小顆粒之製程液體至固定於旋轉頭110之晶圓70上，以移除存留於晶圓70表面上之異物。舉例而言，噴霧單元620利用超聲波(supersonic wave)噴射呈細小顆粒形式之製程液體。刷子單元610用於移除具有相對大顆粒之異物，噴霧單元620則用於移除具有相對小顆粒之異物。
當拋光單元300以一待用狀態(standby state)設置於一本籍埠(home port)內時，墊調節單元700對拋光單元300進行清潔及循環利用。亦即，形成一預定拋光圖案於拋光墊311(參見圖6)之與晶圓接觸之表面上，以提高拋光製程之效率。在對晶圓執行拋光製程時，該拋光圖案可能因晶圓之摩擦而逐漸磨損。此外，拋光製程所用之化學液體可於該拋光圖案內硬化。墊調節單元700可拋光拋光墊311之表面，以循環利用拋光墊311。
以下，將參照附圖詳細闡述墊支撐構件401之一配置。
圖7為圖3所示墊支撐構件之一立體圖。圖8為圖7所示墊支撐構件、一基板支撐單元與一拋光單元間之相對位置之一示意圖。
參見圖2、圖7及圖8，墊支撐構件401設置於基板支撐單元100之一側，並與基板支撐單元100間隔開。當拋光晶圓70之一邊緣時，墊支撐構件401局部地支撐拋光墊311未接觸晶圓70之一拋光表面，以防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。
詳言之，墊支撐構件401可包括一支撐體410及一墊部件420。支撐體410固定至缽形單元200之底面231，並具有一柱形狀，該柱形狀自底面231延伸至缽形單元200之頂面。
墊部件420固定至支撐體410之上端，且鄰接旋轉頭110。墊部件420係與旋轉頭110間隔開，並在拋光晶圓70之一邊緣時支撐拋光墊311之一部分。
墊部件420可包括：一耦合體421，固定至支撐體410；一支撐板422，耦合至耦合體421之頂面；以及一支撐墊424，用於在拋光晶圓70之一邊緣時支撐拋光墊311之一部分。耦合體421係藉由第一螺釘430可移除地耦合至支撐體410，並具有一柱形狀。支撐板422係藉由第二螺釘423可移除地耦合至耦合體421，並具有被支撐墊424覆蓋之頂面及側面。
支撐墊424係由合成樹脂製成，並在拋光晶圓70之一邊緣時，支撐拋光墊311之暴露於晶圓70外側而未接觸晶圓70之一部分。舉例而言，支撐墊424具有一圓形頂面，且其一面積小於拋光墊311之一面積。
由側面觀之，支撐墊424之頂面與晶圓70之頂面位於同一條線上。亦即，支撐墊424之頂面與固定至旋轉頭110之晶圓70之頂面具有相同之高度。支撐墊424設置於拋光墊311之一運動軌道上或其一延伸線上。亦即，支撐墊424設置於拋光墊311在其擺動操作期間可移動經過之運動路徑上。舉例而言，拋光墊311之半徑係等於或小於支撐墊424與旋轉頭110間之距離與支撐墊424之寬度之和。因此，支撐墊424可穩定地支撐拋光墊311。
由此，當拋光晶圓70之一邊緣時，旋轉頭110及支撐墊424穩定地支撐拋光墊311，藉此防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。因此，當拋光晶圓70之一邊緣時，基板拋光單元1000可防止因拋光墊311傾斜而使晶圓70之邊緣破碎及出現拋光缺陷，並可提高產品良率(product yield)。
因在拋光晶圓70之一邊緣時，支撐墊424及旋轉頭110支撐拋光墊311，故拋光墊311會磨損支撐墊424之頂面。當支撐墊424過度磨損時，支撐墊424之頂面甚至會低於晶圓70之頂面。如此一來，即便在拋光晶圓70之一邊緣時支撐墊424支撐拋光墊311，拋光墊311亦可能會傾斜至晶圓70之外側。為防止拋光墊311傾斜，需更換支撐墊424。此時，可在自支撐板422移除支撐墊424之後以一新支撐墊更換支撐墊424，或者可將支撐板422與支撐墊424一同移除以進行更換。
為感測支撐墊424之一磨損程度，基板支撐單元100可包括第一位置感測部件710，用於感測支撐墊424之頂面之高度，以輸出支撐墊424之頂面之一垂直位置值。第一位置感測部件710設置於支撐墊424上方，並將支撐墊424之頂面之一垂直位置值提供給控制單元60。控制單元60檢查支撐墊424之一垂直位置值是否處於一預設垂直位置範圍之外，並判斷是否更換支撐墊424。
以下，將參照附圖詳細闡述在拋光晶圓70之一邊緣時，由墊支撐構件401支撐拋光墊311之過程。
圖9為圖2所示之基板拋光部件拋光一晶圓之過程之一流程圖。圖10為當拋光一晶圓之一邊緣時，圖8所示之墊支撐構件支撐一拋光墊之過程之一示意圖。
參見圖9及圖10，在操作S110中，安放晶圓70於旋轉頭110之頂面上。
接著，在操作S120中，設置拋光墊311於晶圓70之頂面上。
然後，在操作S130中，旋轉旋轉頭110，以旋轉晶圓70，同時，拋光墊311旋轉並按壓晶圓70以拋光晶圓70。在拋光晶圓70時，供應漿液至晶圓70之頂面，並旋轉及擺動用於拋光晶圓70之拋光墊311，以改變與晶圓70之一相對位置。
在拋光晶圓70時，拋光墊311藉由其擺動操作而移動至晶圓70之一邊緣，以拋光晶圓70之邊緣。此時，支撐墊424之頂面支撐拋光墊311未接觸晶圓70之一部分，亦即，拋光墊311之暴露於晶圓70外側之一部分。藉此，墊支撐構件401防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。
圖11為圖8所示墊支撐構件之另一實施例之一示意圖。圖12為當拋光一晶圓之一邊緣時，圖11所示之墊支撐構件支撐一拋光墊之過程之一示意圖。
參見圖11及圖12，一墊支撐構件402可包括支撐體410、墊部件420以及一位置調整部件440。除位置調整部件440以外，墊支撐構件402之配置相同於圖8所示墊支撐構件401。因此，與圖8所示墊支撐構件401之組件相同之組件將由相同之參考編號表示，且不再贅述之。
位置調整部件440固定至支撐體410之下部，並垂直地移動支撐體410以調整墊部件420之頂面(即支撐墊424之頂面之高度)。在本具體實施例中，位置調整部件440係由一汽缸構成，但亦可由一驅動馬達構成。
位置調整部件440可連接至控制單元60並受控於控制單元60。亦即，控制單元60接收支撐墊424之頂面之一垂直位置值(其係為由第一位置感測部件710輸出之一值)，並根據所接收垂直位置值來控制位置調整部件440，以調整支撐墊424頂面之高度至與一預設高度相同，舉例而言，與晶圓70頂面之高度相同。
圖13為圖8所示墊支撐構件之另一實施例之一示意圖。
參見圖13，一墊支撐構件403設置於基板支撐單元100之一側，並與基板支撐單元100間隔開。在拋光晶圓70之一邊緣時，墊支撐構件403局部地支撐拋光墊311未接觸晶圓70之一拋光表面，以防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。
詳言之，墊支撐構件403可包括一支撐體450、一墊部件460、一連接部件470及一位置調整部件480。支撐體450固定至缽形單元200之底面231(參見圖3)，並具有一柱形狀，該柱形狀自底面231延伸至缽形單元200之頂面。
連接部件470耦合至支撐體450之上端，使得連接部件470可垂直地移動，且墊部件460固定至連接部件470之上端。墊部件460係與旋轉頭110相鄰地間隔開，並在拋光晶圓70之一邊緣時支撐拋光墊311之一部分。
墊部件460可包括一支撐板461及一支撐墊462，支撐板461耦合至連接部件470之頂面，支撐墊462則在拋光晶圓70之一邊緣時，支撐拋光墊311之一部分。支撐板461之上表面及側面可被支撐墊462覆蓋。
支撐墊462係由合成樹脂形成，並在拋光晶圓70之一邊緣時，支撐拋光墊311之暴露於晶圓70外側未接觸晶圓70之一部分。舉例而言，支撐墊462具有一圓形頂面，且其之一面積小於拋光墊311之一面積。
支撐墊462設置於拋光墊311之一運動軌道上或其一延伸線上。亦即，支撐墊462設置於拋光墊311在其擺動操作中可移動經過之一運動路徑上。舉例而言，拋光墊311之半徑等於或小於支撐墊462與旋轉頭110間之距離與支撐墊462之寬度之和。藉此，支撐墊462可穩定地支撐拋光墊311。
由此，當拋光晶圓70之一邊緣時，旋轉頭110及支撐墊462穩定地支撐拋光墊311，藉此防止拋光墊311傾斜至晶圓70之外側。因此，在拋光晶圓70之一邊緣時，基板拋光單元1000可防止因拋光墊311傾斜而使晶圓70之邊緣破碎及出現拋光缺陷，並可提高產品良率。
支撐墊462可移除地耦合至支撐板461。因此，當支撐墊462被拋光墊311磨損一預定量或以上時，可移除並更換支撐墊462。
位置調整部件480設置於支撐板461與支撐體450之間。位置調整部件480藉由空氣壓力而收縮及膨脹，以調整支撐墊462之垂直位置。
第二位置感測部件720可設置於基板支撐單元100與墊支撐構件403之間。第二位置感測部件720感測拋光墊311與基板支撐單元100之一相對位置，以提供拋光墊311之一水平位置值予控制單元60。在本具體實施例中，第二位置感測部件720係分立地設置於墊支撐構件403之一側，但亦可設置於拋光單元300中。
控制單元60根據拋光墊311之一所接收水平位置值及支撐墊462之頂面之一垂直位置值來控制位置調整部件480，以調整支撐墊462之頂面之位置。
圖14A及圖14B為當拋光一晶圓時，圖13所示墊支撐構件之頂面之高度隨拋光墊位置而變化之示意圖。
參見圖14A，當拋光墊311設置於晶圓70的除邊緣以外之一區域中時，位置調整部件480收縮而使支撐墊462向下移動。結果，使支撐墊462之頂面低於晶圓70之頂面。
參見圖14B，當拋光墊311設置於晶圓70之邊緣中時，位置調整部件480膨脹而使支撐墊462向上移動。結果，支撐墊462之頂面局部地接觸拋光墊311之暴露於晶圓70外側之拋光表面，以支撐拋光墊311。
根據上述具體實施例，當拋光一晶圓之一邊緣時，墊支撐構件局部地支撐暴露於晶圓外側之拋光墊，藉此，在拋光晶圓之邊緣時，墊支撐構件防止拋光墊傾斜至晶圓之外側。因此，基板拋光單元可提高拋光效率，並防止基板在一拋光製程中破碎。
以上所揭露之標的物應被視為例示性而非限制性的，且隨附申請專利範圍旨在涵蓋歸屬於本發明之真正精神及範圍內之所有修飾、改良及其他具體實施例。因此，在法律所容許之最大程度上，本發明之範圍應由申請專利範圍及其等效範圍之最廣可允許解釋來界定，而不應受限於以上之詳細說明。
10．．．裝載/卸載單元
11a、11b、11c及11d．．．裝載埠
12a、12b、12c及12d．．．前開式統一標準盒(FOUP)
20．．．碼垛機械手
30．．．緩衝單元
41．．．第一傳送路徑
42．．．第一傳送軌道
43．．．第二傳送路徑
44．．．第二傳送軌道
50．．．主傳送機械手
60．．．控制單元
70．．．晶圓
80．．．空氣管線
100．．．基板支撐單元
110．．．旋轉頭
120．．．支撐部件
200．．．缽型單元
210．．．第一製程缽
211．．．側壁
212．．．頂板
213．．．引導部件
213a．．．第一引導壁
213b．．．第二引導壁
220．．．第二製程缽
221．．．側壁
222．．．頂板
230．．．第一回收桶
231．．．底板/底面
231a．．．回收流動路徑
231b．．．第一回收孔
232．．．第一側壁
233．．．第二側壁
234．．．連接部件
240．．．第二回收桶
241．．．底板
241a．．．回收流動路徑
241b．．．第二回收孔
242．．．第一側壁
243．．．第二側壁
251．．．第一回收管
252．．．第二回收管
260．．．升/降構件
261．．．托架
262．．．運動軸
263．．．驅動器
300．．．拋光單元
310．．．按壓部件
311．．．拋光墊
312．．．拋光殼體
313．．．上板
314．．．下板
315．．．墊支架
316．．．耦合板
317．．．波紋管
320．．．垂直臂部件
321．．．外殼
322．．．旋轉軸
322a．．．空氣通道
323．．．旋轉接頭
324a．．．第一軸承
324b．．．第二軸承
325a．．．第一輔助軸
325b．．．第二輔助軸
330．．．擺動臂部件
331．．．旋轉殼體
332．．．主動皮帶輪
333．．．從動皮帶輪
334．．．皮帶
340．．．驅動部件
341．．．第一驅動馬達
342．．．第二驅動馬達
343．．．垂直運動部件
343a．．．滾珠螺桿
343b．．．螺母
343c．．．第三驅動馬達
344．．．垂直臂
345．．．驅動殼體
401．．．墊支撐構件
402．．．墊支撐構件
403．．．墊支撐構件
410．．．支撐體
420．．．墊部件
421．．．耦合體
422．．．支撐板
423．．．第二螺釘
424．．．支撐墊
430．．．第一螺釘
440．．．位置調整部件
450．．．支撐體
460．．．墊部件
461．．．支撐板
462．．．支撐墊
470．．．連接部件
480．．．位置調整部件
510．．．第一製程流體供應單元
520．．．第二製程流體供應單元
610．．．刷子單元
620．．．噴霧單元
700．．．墊調節單元
710．．．第一位置感測部件
720．．．第二位置感測部件
1000．．．基板拋光單元
2000．．．基板處理系統
RS1．．．第一回收空間
RS2．．．第二回收空間
本文包含附圖以更進一步理解本發明，該等附圖併入本說明書中並構成本說明書之一部分。附圖係例示本發明之實例性具體實施例，並與本說明一起用於解釋本發明之原理。於附圖中：
圖1為根據本發明一具體實施例之一單一晶圓型拋光系統之一示意圖。
圖2為圖1所示晶圓拋光單元之一立體圖。
圖3為圖2所示之一基板支撐單元及一缽型單元之一局部剖切立體圖。
圖4為圖2所示拋光單元之一立體圖。
圖5為圖4所示拋光單元之一局部剖切側視圖。
圖6為圖5所示之一按壓部件及一垂直臂部件之一垂直剖視圖。
圖7為圖3所示墊支撐構件之一立體圖。
圖8為圖7所示墊支撐構件、一基板支撐單元與一拋光單元間之相對位置之一示意圖。
圖9為圖2所示之晶圓拋光部件拋光一晶圓之過程之一流程圖。
圖10為當拋光一晶圓之一邊緣時，圖8所示之墊支撐構件支撐一拋光墊之過程之一示意圖。
圖11為圖8所示墊支撐構件之另一實施例之一示意圖。
圖12為當拋光一晶圓之一邊緣時，圖11所示之墊支撐構件支撐一拋光墊之過程之一示意圖。
圖13為圖8所示墊支撐構件之另一實施例之一示意圖。
圖14A及圖14B為當拋光一晶圓時，圖13所示墊支撐構件之頂面之高度隨拋光墊位置而變化之示意圖。
10．．．裝載/卸載單元
11a、11b、11c、11d．．．裝載埠
12a、12b、12c、12d．．．前開式統一標準盒(FOUP)
20．．．碼垛機械手
30．．．緩衝單元
41．．．第一傳送路徑
42．．．第一傳送軌道
43．．．第二傳送路徑
44．．．第二傳送軌道
50．．．主傳送機械手
60．．．控制單元
100．．．基板支撐單元
200．．．缽型單元
300．．．拋光單元
401．．．墊支撐構件
510．．．第一製程流體供應單元
520．．．第二製程流體供應單元
610．．．刷子單元
620．．．噴霧單元
700．．．墊調節單元
1000．．．基板拋光單元
2000．．．基板處理系統

Claims (32)

  1. 一種基板拋光裝置，包括：一基板支撐構件，於其上係安放一基板；一拋光單元，其包括一拋光墊及一墊驅動構件，該拋光墊係設置於該基板支撐構件上方以拋光安放於該基板支撐構件上之該基板，該墊驅動構件用以移動該拋光墊，以改變該拋光墊相對於該基板支撐構件之一相對位置；至少一個墊支撐構件，其係設置於該基板支撐構件之一側，用以在拋光安放於該基板支撐構件上之該基板之一邊緣時，支撐該拋光墊之一拋光表面未接觸該基板之一部分，包括：一支撐體，其係設置於該基板支撐構件之一側；以及一支撐墊，其係耦合至該支撐體之一上部且與該基板支撐構件間隔開；以及一第一位置感測部件，該第一位置感測部件感測該墊支撐構件之一高度，以輸出該支撐墊之一頂面之一位置值而感測該支撐墊之一磨損程度。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中更包括一基板驅動構件，使該基板支撐構件繞其一中心軸線旋轉。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板拋光裝置，其中該拋光墊之該拋光表面之一面積小於該基板支撐構件之一頂面之一面積。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板拋光裝置，其中該墊驅動構件使該拋光墊擺動(swing)。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板拋光裝置，其中該墊驅動構件 包括：一垂直臂，其係連接至該拋光墊且垂直地延伸，並繞其一中心軸線旋轉以旋轉該拋光墊；一可擺動之擺動臂，其係連接至該垂直臂之一上端，以使該拋光墊擺動；以及一驅動部件，其係連接至該擺動臂之一端，並提供用以擺動該擺動臂之轉矩予該擺動臂，以及透過該擺動臂提供用以旋轉該垂直臂之轉矩予該垂直臂。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板拋光裝置，其中該墊支撐構件係設置於該拋光墊之一運動軌道上或該運動軌道之一延伸線上。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板拋光裝置，其中該運動軌道具有一弧形形狀。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項之基板拋光裝置，其中更包括一缽型單元(bowl unit)，該缽型單元具有一開放的上部以及一內部，該墊支撐構件係設置於該內部中。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該支撐墊係可移除地耦合至該支撐體。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該支撐體係固定至該缽型單元之一底面。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該墊支撐構件更包括一位置調整部件，用於垂直地移動該支撐體或該支撐墊，以調整該支撐墊之一垂直位置。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板拋光裝置，其中該位置調整部件包括一驅動馬達或一汽缸(cylinder)，且該驅動馬達或該汽缸係固定至該支撐體之一下部。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板拋光裝置，其中更包括：一第一位置感測部件，其係用於感測該墊支撐構件之一高度，以輸出該支撐墊之一頂面之一垂直位置值而感測該支撐墊之一磨損程度；以及一控制單元，其係用於接收由該第一位置感測部件輸出之該支撐墊之該頂面之該垂直位置值，並根據該接收之垂直位置值來控制該位置調整部件，以調整該支撐體之該頂面之一位置。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板拋光裝置，其中更包括一第二位置感測部件，用於感測該拋光墊相對於該基板支撐構件之一相對水平位置，以提供該拋光墊之一水平位置值至該控制單元。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板拋光裝置，其中該控制單元根據接收之該拋光墊之該水平位置值以及該支撐墊之該頂面之該垂直位置值而控制該位置調整部件，以調整該支撐墊之該頂面之位置。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板拋光裝置，其中該位置調整部件包括一藉由空氣壓力而膨脹及收縮之波紋管(bellows)，且該波紋管係設置於該支撐體與該支撐墊之間，並透過收縮及膨脹而調整該支撐墊之一垂直位置。
  17. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該支撐體具有一柱形狀，且該支撐墊之一頂面之一面積小於該拋光墊之該拋光表面之一面積。
  18. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該拋光墊之一 半徑等於或小於該支撐墊與該基板支撐構件間之一距離與該支撐墊之一寬度之和。
  19. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該支撐墊具有一圓形頂面，且該拋光墊之一半徑等於或小於該支撐墊與該基板支撐構件間之一距離與該支撐墊之一寬度之和。
  20. 如申請專利範圍第1項之基板拋光裝置，其中該支撐墊係由合成樹脂製成。
  21. 一種基板拋光裝置，包括：一缽型單元，其具有一開放的上部；一可旋轉之基板支撐構件，於其上係安放一基板，且該可旋轉之基板支撐構件係設置於該缽型單元中；一拋光單元，其包括一拋光墊及一墊驅動構件，該拋光墊係設置於該基板支撐構件上方以在一拋光製程中拋光安放於該基板支撐構件上之該基板，該墊驅動構件用於將該拋光墊自安放於該基板支撐構件上之該基板之一中央區域移動至該基板之一邊緣區域或者移動至超出該基板之該邊緣區域之一位置；以及一墊支撐構件，其係設置於該缽型單元中並包括一支撐墊，該支撐墊與該基板支撐構件間隔開且其係設置於該基板支撐構件之一側，包括：一支撐體，其係設置於該基板支撐構件之一側；以及一支撐墊，其係耦合至該支撐體之一上部且與該基板支撐構件間隔開；以及一第一位置感測部件，該第一位置感測部件感測該墊支 撐構件之一高度，以輸出該支撐墊之一頂面之一位置值而感測該支撐墊之一磨損程度。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板拋光裝置，其中該墊支撐構件包括：一支撐體，其係設置於該基板支撐構件之一側；以及一支撐墊，其係耦合至該支撐體之一上部且與該基板支撐構件間隔開，並於拋光該基板之一邊緣時支撐該拋光墊。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板拋光裝置，其中該墊支撐構件包括一位置調整部件，該位置調整部件係耦合至該支撐體或該支撐墊並垂直地移動該支撐體或該支撐墊，以調整該支撐墊之一垂直位置。
  24. 如申請專利範圍第21項至第23項中任一項之基板拋光裝置，其中該拋光墊之一半徑等於或小於該支撐墊與該基板支撐構件間之一距離與該支撐墊之一寬度之和。
  25. 一種基板拋光方法，其包括：安放一基板於一基板支撐構件上；設置一拋光墊於該基板支撐構件上方；以及在該基板支撐構件與該拋光墊之至少一者旋轉時，以該拋光墊按壓及拋光該基板，其中拋光該基板包括：在一墊支撐構件支撐該拋光墊的未接觸該基板之一部分時，拋光該基板之一邊緣；其中對該基板之該邊緣之該拋光包括：感測該墊支撐構件之該頂面之一垂直位置；以及根據該感測之垂直位置之一值，調整一水平調整部件 之一頂面之一垂直位置，使得自側面觀看，該墊支撐構件之該頂面與該基板之該頂面係位於同一條線上。
  26. 如申請專利範圍第25項之基板拋光方法，其中該拋光墊之一直徑小於該基板之一直徑，且該拋光墊自該基板之一中央區域移動至該基板之該邊緣以拋光該基板。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板拋光方法，其中該拋光墊在該基板之一上部之上擺動，以拋光該基板。
  28. 如申請專利範圍第25項至第27項中任一項之基板拋光方法，其中自側面觀之，該墊支撐構件之一頂面與該基板的接觸該拋光墊之一頂面係位於同一條線上。
  29. 如申請專利範圍第25項之基板拋光方法，其中在該拋光墊拋光該基板之該邊緣之時，感測該墊支撐構件之該頂面之該垂直位置以及調整該墊支撐構件之該頂面之該垂直位置。
  30. 如申請專利範圍第25項之基板拋光方法，其中拋光該基板包括：感測該拋光墊在該基板上之一水平位置；以及根據該拋光墊之該水平位置之一值，調整該墊支撐構件之一頂面之一垂直位置。
  31. 如申請專利範圍第30項之基板拋光方法，其中調整該墊支撐構件之該頂面之該垂直位置包括：自側面觀之，當該拋光墊係設置於除該基板之該邊緣以外之一區域中時，向下移動該墊支撐構件之該頂面，以設置該墊支撐構件之該頂面於該基板之一頂面下方；以及當該拋光墊係設置於該基板之該邊緣時，向上移動該 墊支撐構件之該頂面，使得該墊支撐構件支撐該拋光墊之一拋光表面未接觸該基板之一部分。
  32. 如申請專利範圍第31項之基板拋光方法，其中向上移動該墊支撐構件之該頂面包括：感測一水平調整部件之一頂面之一垂直位置；以及調整該墊支撐構件之該頂面之該垂直位置，使得自側面觀之，該墊支撐構件之該頂面與該基板之該頂面係位於同一條線上。
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