KR20110082427A - 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키는 스핀척; 상기 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 폴리싱 패드를 갖고, 폴리싱암에 의해 상기 웨이퍼 표면을 따라 이동되는 폴리셔; 및 상기 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있도록 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시 상기 폴리셔를 지지하여 폴리셔의 수평을 유지시키는 폴리셔 지지장치;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하기 때문에 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있고, 연마도에 따라 폴리셔 지지장치 높이를 최적화할 수 있으며, 폴리셔 지지를 용이하게 하고, 서포트 헤드의 마모를 최소화할 수 있으며, 폴리셔 지지장치가 컨디셔너의 역할을 겸할 수 있는 효과를 갖는 것이다.

Description

반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치{Chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor device manufacturing}
본 발명은 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있도록 폴리셔 지지장치를 이용하여 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시 상기 폴리셔의 수평을 유지시키는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼의 연마면이 상방을 향하도록 스핀척이 상기 웨이퍼의 비연마면을 진공 흡착하여 지지하고, 폴리셔가 상기 웨이퍼 표면을 따라 이동하면서 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 페이스업(Face-up) 타입의 씨엠피 장치는, 허용 범위 안에서 상기 폴리셔 회전축의 기울어짐 즉, 자연적 혹은 의도적인 틸팅(Tilting)이 가능하여 웨이퍼의 표면에 능동적으로 대응할 수 있는 구조이다.
한편, 이러한 폴리셔는 상기 웨이퍼 표면을 따라 이동하면서 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 것으로서, 상기 웨이퍼 표면의 중심부를 연마하는 동안은 상기 웨이퍼로부터 상기 폴리셔 전체 영역에 균일한 웨이퍼 압력이 작용하여 수평 상태를 유지할 수 있지만, 상기 폴리셔가 상기 웨이퍼 표면의 테두리부를 연마하기 위하여 상기 폴리셔의 일부 영역이 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 영역을 벗어나게 되면 상기 폴리셔 회전축이 압력 불균형으로 인하여 테두리부 방향으로 틸팅되어 기울어지고, 이로 인해 상기 폴리셔는 수평 상태를 유지하지 못하고 기울어져서 기울어진 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 수평 상태로 회전하는 웨이퍼 간에 집중적인 충돌로 접촉되는 웨이퍼 테두리부의 마모도가 심해져서 결국, 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도가 떨어지게 되는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 폴리셔가 수평상태를 유지할 수 있도록 폴리셔 지지장치를 이용하여 웨이퍼의 테두리부를 연마하는 폴리셔의 일부분을 지지함으로써 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있게 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 높이 측정 센서와 승하강장치를 이용하여 폴리셔 지지장치의 높이를 정밀하게 제어함으로써 연마도에 따라 폴리셔 지지장치 높이를 최적화할 수 있는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 서포트 헤드에 경사면을 형성하거나 초순수 분사구를 형성하거나 로울러 등을 설치하여 폴리셔 지지를 용이하게 하고, 서포트 헤드의 마모를 최소화할 수 있게 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 서포트 헤드에 컨디셔닝 패드를 설치하여 폴리셔 패드의 이물질을 제거함으로써 폴리셔 지지장치가 컨디셔너의 역할을 겸할 수 있게 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치는, 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키는 스핀척; 상기 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 폴리싱 패드를 갖고, 폴리싱암에 의해 상기 웨이퍼 표면을 따라 이동되는 폴리셔; 및 상기 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있도록 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시 상기 폴리셔를 지지하여 폴리셔의 수평을 유지시키는 폴리셔 지지장치;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 폴리셔 지지장치는, 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시, 상기 웨이퍼 외곽 영역을 벗어난 상기 폴리셔의 폴리싱 패드 일부와 접촉되어 이를 지지하도록 상기 스핀척 근방에 상기 웨이퍼 표면과 동일한 높이로 설치되는 서포트 헤드; 및 상기 서포트 헤드의 높낮이를 조정할 수 있도록 상기 서포트 헤드를 승하강시키는 승하강장치;를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 접촉면이 형성되거나, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 접촉면 및 상기 접촉면 방향으로 상기 폴리싱 패드를 안내하는 경사면이 형성되는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는 상기 폴리셔의 폴리싱 패드 이물질을 제거하는 컨디셔닝 패드(conditioning pad)가 설치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드에 초순수(DIW; De-Ionized Water)를 공급하는 초순수 분사구가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 구형 접촉 표면이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 구름 접촉되는 베어링볼이 설치될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 구름 접촉되는 로울러가 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치는, 상기 서포트 헤드의 높이를 측정하는 높이 측정 센서; 및 상기 높이 측정 센서의 높이 신호를 인가받아 상기 승하강장치에 제어신호를 인가하는 제어부;를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치는, 상기 승하강장치와 상기 서포트 헤드 사이에 설치되고, 상기 서포트 헤드를 회전시키는 회전 장치;를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 스핀척은, 상기 웨이퍼의 연마면이 상방을 향하도록 상기 웨이퍼의 비연마면을 진공 흡착하여 지지하는 페이스업(Face-up) 타입의 스핀척인 것이 가능하다.
이상에서와 같이 본 발명의 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치에 의하면, 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있고, 연마도에 따라 폴리셔 지지장치 높이를 최적화할 수 있으며, 폴리셔 지지를 용이하게 하고, 서포트 헤드의 마모를 최소화할 수 있으며, 폴리셔 지지장치가 컨디셔너의 역할을 겸할 수 있는 효과를 갖는 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 개념적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 측면도이다.
도 3은 도 1의 폴리셔 지지장치의 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 4는 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 5는 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 6은 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 7은 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 8은 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 9는 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
도 10은 도 3의 또 다른 실시예를 나타내는 측단면도이다.
(도면의 주요한 부호에 대한 설명)
W: 웨이퍼 T: 후면 테이프
S: 슬러리(slurry) 1: 스핀척(spin chuck)
2: 회전축 3: 슬러리 공급관
4: 폴리싱 패드(polishing pad) 5: 폴리셔(polisher)
6: 폴리싱 회전축 7: 폴리싱암(polishing arm)
100: 폴리셔 지지장치 P1: 지지 압력
P2: 웨이퍼 압력
10, 11, 12, 13, 15, 17, 18, 21, 24: 서포트 헤드(support head)
10a, 11a, 12a: 접촉면 10b, 12b: 경사면
14: 컨디셔닝 패드(conditioning pad)
16: 초순수(DIW) 16a: 초순수 분사구
17a: 구형 접촉 표면 19: 베어링볼
22: 로울러 20: 승하강장치
23: 회전 장치 30: 제어부
31: 높이 측정 센서 25: 압력조절 밸브
이하, 본 발명의 바람직한 여러 실시예들에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치를 개념적으로 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 측면도이다.
먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치는, 스핀척(1)과, 슬러리 공급관(3)과, 폴리셔(5) 및 폴리셔 지지장치(100)를 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 스핀척(1)은, 후면 테이프(T)가 접착된 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 지지하고 회전축(2)을 중심으로 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 것으로서, 상기 웨이퍼(W)의 연마면이 상방을 향하도록 상기 웨이퍼(W)의 비연마면을 진공 흡착하여 지지하는 페이스업(Face-up) 타입의 스핀척인 것이 바람직하다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 슬러리 공급관(3)은 상기 반도체 웨이퍼(W)에 상기 웨이퍼(W)의 연마면을 화학적 기계적으로 폴리싱하는 슬러리(S)를 공급하는 것이다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 폴리셔(5)는, 상기 웨이퍼(W)의 표면을 연마하여 화학적 물리적으로 평탄화하는 폴리싱 패드(4)를 갖고, 폴리싱 회전축(6)을 중심으로 회전하면서 폴리싱암(7)에 의해 상기 웨이퍼(W) 표면을 따라 이동되는 것이다.
따라서, 상기 폴리셔(5)는 상기 웨이퍼(W) 표면을 따라 예를 들어 웨이퍼(W) 표면의 중심부로부터 웨이퍼 표면(W)의 테두리부까지 이동하면서 상기 웨이퍼(W) 표면을 연마할 수 있는 것이다.
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 폴리셔 지지장치(100)는, 상기 웨이퍼(W) 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있도록 상기 웨이퍼(W) 표면의 테두리부 연마시 상기 폴리셔(5)를 웨이퍼 압력(P2)과 대응되는 지지 압력(P1)으로 지지하여 폴리셔(5)의 수평을 유지시키는 것으로서, 서포트 헤드(10) 및 승하강장치(20)를 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(10)는 상기 웨이퍼(W) 표면의 테두리부 연마시, 상기 웨이퍼(W) 외곽 영역을 벗어난 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4) 일부와 접촉되어 이를 지지하도록 상기 스핀척(1) 근방에 상기 웨이퍼(W) 표면과 동일한 높이로 설치되는 것이다.
또한, 상기 서포트 헤드(10)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 접촉되는 접촉면(10a) 및 상기 접촉면(10a) 방향으로 상기 폴리싱 패드(4)를 안내하는 경사면(10b)이 형성되는 것이 바람직하다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 폴리셔(5)는 상기 웨이퍼(W) 표면의 테두리부 연마시, 상기 웨이퍼(W) 외곽 영역을 벗어나더라도 상기 서포트 헤드(10)에 의해 지지 압력(P1)으로 지지되어 틸팅되지 않고 수평상태를 그대로 유지하면서 상기 웨이퍼(W) 표면의 테두리부를 평탄하게 연마할 수 있는 것이다.
여기서, 도 2의 상기 지지 압력(P1)의 총합은 상기 폴리싱 회전축(6)을 중심으로 대칭되는 상기 웨이퍼 압력(P2)의 총합과 동일한 것이 바람직하다.
즉, 상기 지지 압력(P1)이 부족하여 상기 폴리셔(5)가 도 2를 기준으로 왼쪽 방향으로 기울어져서 틸팅되면 상대적으로 웨이퍼(W)의 테두리부가 상기 푤리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 편중되게 접촉되면서 웨이퍼(W)의 테두리부의 마모가 심하게 발생된다.
반면에, 상기 지지 압력(P1)이 과다하여 상기 폴리셔(5)가 도 2를 기준으로 오른쪽 방향으로 기울어져서 틸팅되면 상대적으로 웨이퍼(W)의 중심부가 상기 푤리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 편중되게 접촉되면서 웨이퍼(W)의 중심부의 마모가 심하게 발생된다.
따라서, 이러한 상기 지지 압력(P1)을 조절하기 위하여 상기 승하강장치(20)가 필요하다.
즉, 상기 승하강장치(20)는, 상기 서포트 헤드(10)의 높낮이를 조정할 수 있도록 상기 서포트 헤드(10)를 승하강시키는 것으로서, 모터나, 유압 및 공압 실린더/피스톤 등을 이용하는 각종 액츄에이터들이 적용될 수 있는 것이다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(10)의 높이를 측정하는 높이 측정 센서(31) 및 상기 높이 측정 센서(31)의 높이 신호를 인가받아 상기 승하강장치(20)에 제어신호를 인가하는 제어부(30)를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 높이 측정 센서(31)는 다양한 형태의 광센서나 자기센서 등을 이용하는 모든 형태의 높이 측정 센서가 적용될 수 있으나 바람직하기로는 육안이나 화상 인식 프로그램 등을 이용한 높이 측정 카메라가 적용되는 것이 바람직하다.
따라서, 이러한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치의 동작 과정을 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지지 압력(P1)의 총합은 상기 폴리싱 회전축(6)을 중심으로 대칭되는 상기 웨이퍼 압력(P2)의 총합과 동일할 수 있도록 상기 서포트 헤드(10)의 높이를 상기 높이 측정 센서(31)로 측정하여 상기 서포트 헤드(10)의 높이가 상기 웨이퍼(W) 표면 높이 보다 낮아서 상기 지지 압력(P1)이 부족하면, 상기 제어부(30)가 상기 승하강장치(20)에 상승 제어신호를 인가하여 상기 서포트 헤드(10)의 높이를 상승시킴으로써 상기 폴리셔(5)를 수평 상태로 유지시킬 수 있다.
또한, 상기 서포트 헤드(10)의 높이가 상기 웨이퍼(W) 표면 높이 보다 높아서 상기 지지 압력(P1)이 과다하면, 상기 제어부(30)가 상기 승하강장치(20)에 하강 제어신호를 인가하여 상기 서포트 헤드(10)의 높이를 하강시킴으로써 상기 폴리셔(5)를 수평 상태로 유지시킬 수 있다.
이러한 상기 제어부(30)의 상기 서포트 헤드(10) 높이 제어 과정은 상기 웨이퍼(W) 표면이 연마되면서 높이가 조금씩 낮아질 수 있고, 상기 서포트 헤드(10) 역시 연마되어 높이가 조금씩 낮아질 수 있기 때문에 실시간으로 피드백되어 작동되는 것이 바람직하다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(11)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 접촉되는 접촉면(11a)이 형성되는 것도 가능하나, 바람직하기로는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(12)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 접촉되는 접촉면(12a) 및 상기 접촉면(12a) 방향으로 상기 폴리싱 패드(4)를 안내하는 경사면(12b)이 형성되어 상기 서포트 헤드(12)로 상기 폴리셔(5)가 접근할 때, 상기 폴리셔(5)가 상기 서포트 헤드(12)에 직접적으로 충돌되지 않고, 상기 경사면(12b)을 따라 유도되어 부드럽게 접촉될 수 있는 것이다.
또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(13)는 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4) 이물질을 제거하는 컨디셔닝 패드(14)(conditioning pad)가 설치되어 상기 서포트 헤드(13)가 상기 폴리셔(5)를 지지하는 역할 이외에도 상기 폴리싱 패드(4)의 연마력을 재생시켜서 유지시킬 수 있도록 컨디셔닝의 역할도 동시 수행할 수 있는 것이다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(15)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)에 초순수(16)(DIW; De-Ionized Water)를 공급하는 초순수 분사구(16)가 형성되어 상기 폴리셔(5)에 초순수를 공급하는 동시에 상기 초순수(16)의 분사 압력을 압력조절 밸브(25)로 조절하여 상기 서포트 헤드(15)가 상기 폴리셔(5)와 직접 접촉되지 않고도 상기 초순수(16)의 분사 압력만으로 상기 폴리셔(5)를 지지하는 것이 가능하다.
이외에도, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 폴리셔(5)와의 접촉면적을 줄이고, 마찰력을 최소화할 수 있도록 상기 서포트 헤드(17)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 접촉되는 구형 접촉 표면(17a)이 형성될 수 있다.
또는, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 폴리셔(5)와의 마찰력을 최소화할 수 있도록 상기 서포트 헤드(18)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 구름 접촉되는 베어링볼(19)이 설치되거나, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(21)는, 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 구름 접촉되는 로울러(22)가 설치되는 것도 가능하다.
한편, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 상기 승하강장치(20)와 상기 서포트 헤드(24) 사이에 상기 서포트 헤드(24)를 회전시키는 회전 장치(23)를 설치하는 것도 가능하다.
따라서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 서포트 헤드(24)는 도 1의 상기 폴리셔(5)를 지지하는 동시에, 상기 접촉면(24a)이 상기 회전 장치(23)에 의해 회전되면서 도 1의 상기 폴리셔(5)의 폴리싱 패드(4)와 적극적으로 회전 마찰되면서 상술된 컨디셔닝 기능을 수행하거나 상기 서포트 헤드(24)가 골고루 균일한 높이로 마모되게 하는 것이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치에 의하면, 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있는 것은 물론, 연마도에 따라 폴리셔 지지장치 높이를 실시간으로 최적화할 수 있고, 서포트 헤드의 마모를 최소화하거나 서포트 헤드가 컨디셔너의 역할을 하게 하는 등 다양한 기능을 수행할 수 있게 하는 이점이 갖는 것이다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 해치지 않는 범위 내에서 당업자에 의한 변형이 가능함은 물론이다.
따라서, 본 발명에서 권리를 청구하는 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 후술되는 청구범위와 이의 기술적 사상에 의해 한정될 것이다.

Claims (13)

  1. 반도체 웨이퍼를 지지하고 회전시키는 스핀척;
    상기 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 폴리싱 패드를 갖고, 폴리싱암에 의해 상기 웨이퍼 표면을 따라 이동되는 폴리셔; 및
    상기 웨이퍼 표면의 중심부와 테두리부의 연마균일도를 향상시킬 수 있도록 상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시 상기 폴리셔를 지지하여 폴리셔의 수평을 유지시키는 폴리셔 지지장치;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리셔 지지장치는,
    상기 웨이퍼 표면의 테두리부 연마시, 상기 웨이퍼 외곽 영역을 벗어난 상기 폴리셔의 폴리싱 패드 일부와 접촉되어 이를 지지하도록 상기 스핀척 근방에 상기 웨이퍼 표면과 동일한 높이로 설치되는 서포트 헤드; 및
    상기 서포트 헤드의 높낮이를 조정할 수 있도록 상기 서포트 헤드를 승하강시키는 승하강장치;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 접촉면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 접촉면 및 상기 접촉면 방향으로 상기 폴리싱 패드를 안내하는 경사면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는 상기 폴리셔의 폴리싱 패드 이물질을 제거하는 컨디셔닝 패드(conditioning pad)가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드에 초순수(DIW; De-Ionized Water)를 공급하는 초순수 분사구가 형성되고, 상기 초순수 분사구에 압력조절 밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 접촉되는 구형 접촉 표면이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 구름 접촉되는 베어링볼이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  9. 제 2항에 있어서,
    상기 서포트 헤드는, 상기 폴리셔의 폴리싱 패드와 구름 접촉되는 로울러가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 서포트 헤드의 높이를 측정하는 높이 측정 센서; 및
    상기 높이 측정 센서의 높이 신호를 인가받아 상기 승하강장치에 제어신호를 인가하는 제어부;
    를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 높이 측정 센서는 높이 측정 카메라인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 승하강장치와 상기 서포트 헤드 사이에 설치되고, 상기 서포트 헤드를 회전시키는 회전 장치;
    를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 스핀척은, 상기 웨이퍼의 연마면이 상방을 향하도록 상기 웨이퍼의 비연마면을 진공 흡착하여 지지하는 페이스업(Face-up) 타입의 스핀척인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조를 위한 씨엠피 장치.
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