TWI444900B - 非接觸式通訊媒體、天線場型配置媒體、通訊設備及天線調整方法 - Google Patents

Description

非接觸式通訊媒體、天線場型配置媒體、通訊設備及天線調整方法

本發明有關與附近讀取器/撰寫器實施非接觸式無線電通訊之非接觸式通訊媒體、被包含於該非接觸式通訊媒體中之天線場型配置媒體、內建該非接觸式通訊媒體之通訊設備、及應用至非接觸式無線電通訊之天線調整方法。

被稱為非接觸式IC卡之非接觸式通訊媒體被普及使用作為非接觸式通訊媒體，用於與附近的讀取器/撰寫器實施非接觸式無線電通訊。譬如，此等非接觸式IC卡被廣泛地使用於鐵路售票口系統、用於方便儲存之繳費服務系統、及進入及離開控制系統。此等非接觸式IC卡亦被稱為無線射頻識別(RFID)或無線IC標籤。

此等非接觸式IC卡設有嵌入式IC晶片，允許用於諸如進入及離開之管理、記帳等目的之快速反應及處理。如此，相較於磁卡等，非接觸式IC卡具有很高之效用。

圖8A及8B顯示根據該相關技藝的非接觸式IC卡之組構的範例。圖8A顯示一狀態，其中用於非接觸式通訊之電路被配置在樹脂基底上。當作該實際產品之非接觸式IC卡具有薄膜等當作被放置在其表面上之外部掩蓋材料，以致該內部電路被隱藏。

圖8A所示組構將被敘述。在基底10之前表面上，天線線圈區段20被配置在靠近該基底10之外周邊的位置。該天線線圈區段20係藉由複數次(在此範例中大約四次)捲繞預定寬度之由諸如銅或鋁的導體所製成之導體場型、及在預定間隔將該繞組配置在靠近該基底10之外周邊的前表面上所形成。

該天線線圈區段20的一端部21及該另一端部22被連接至IC晶片11，其係一實施通訊處理之積體電路零組件。於此案例中，該天線線圈區段20的一端部21被帶入與該基底10之後側成電連續性，且經由在該後側上之導體場型14被連接至實施通訊處理之IC晶片11。該天線線圈區段20之另一端部22係經由導體場型13連接至該IC晶片11。

該天線線圈區段20的一端部21及另一端部22被連接至電容器12及調整電容器30。該電容器12及該調整電容器30亦藉由使用該後側上之導體場型14被連接。

該電容器12被使用於儲存藉由該天線線圈區段20所接收的載波所產生之電荷，且獲得用於驅動該IC晶片11之電力。該電容器12包含藉由該正面上之導電場型所形成的第一電極區段、及藉由該後側上之導電場型所形成的第二電極區段。該電容器12儲存該第一電極區段及該第二電極區段上之電荷，該二電極區段經由該基底10彼此相向。形成該電容器12的電極區段之每一者具有相當大的面積，以便能夠儲存相當大的電荷。

該調整電容器30被使用於改變諧振頻率之目的。該調整電容器30包含在該正面上之被連接至該天線線圈區段20的另一端部22之第一導體場型31、及在該後側上被連接至該導體場型14之第二導體場型32。該正面上之第一導體場型31係處於梳齒形式，且該後側上之第二導體場型32被配置，以便正交地相交該梳齒部份。電荷被儲存在其正交之交點。相較於該電容器12，該調整電容器30係小電容的電容器。當在該非接觸式IC卡之製造製程期間調整諧振頻率時，該調整電容器30被提供用於中途切斷該梳齒導體場型以減少該電容器的電容之目的，藉此升高諧振頻率。

圖8B顯示圖8A所示非接觸式IC卡之組構的同等電路。

如圖8B所示，該IC晶片11、該電容器12、及該調整電容器30被並聯地連接至該天線線圈區段20。

以該調整電容器30升高諧振頻率之調整製程係藉由中途切斷該第一導體場型31及該第二導體場型32所實施。此製程係藉由譬如在該第一導體場型31之切斷位置鑽進一孔洞一直貫穿該基底10所實施，且畫出該第一導體場型31或該第二導體場型32。

於該製造製程期間，諧振頻率之此調整製程係使用調整設備(未示出)自動地實施。該調整設備被組構成事先保持該切斷位置上之資料供修正該通訊媒體之諧振頻率，基於該真正被測量之諧振頻率決定該切斷位置，及藉由在該基底於所決定之位置鑽進一孔洞來調整該諧振頻率。經過此調整，能提供具有適當之諧振頻率的非接觸式IC卡。

圖9A及9B顯示具有中心分接頭的組構之範例，而與圖8A及圖8B所示範例不同。

圖9A所示組構將被敘述。在該基底10之前表面上，藉由捲繞一導體場型複數次所形成之天線線圈區段20被配置在靠近該基底10之外周邊的位置。該天線線圈區段20的一端部21及另一端部22被連接至該IC晶片11，其係實施通訊處理之積體電路零組件。該天線線圈區段20的一端部21經由該後側上之導體場型14被連接至實施通訊處理之IC晶片11。

在該後側上，該電容器12被連接至該天線線圈區段20的一端部21。在該正面上，該電容器12被連接至由該天線線圈區段20的另一端部22延伸之天線延伸部23的一端部24。

同樣用於該調整電容器30，該後側上之導體場型14被連接至該第二導體場型32，且該正面上之端部24被連接至該第一導體場型31。

圖9B顯示圖9A所示非接觸式IC卡之組構的同等電路。

如圖9B所示，該IC晶片11係連接至該天線線圈區段20，且該電容器12及該調整電容器30係經由該天線線圈區段20及該天線延伸部23連接。作為該天線線圈區段20及該天線延伸部23之連接點的另一端部22具有中心分接頭之作用。以該調整電容器30之調整製程係與圖8A及8B中所示範例相同。

於圖9B及9B所示組構之案例中，藉由使用該調整電容器30作成一調整，其係可能改變該整個電感值，而不會改變被連接至該IC晶片11的電感之值。同樣於圖9B及9B所示範例之案例中，作成一調整以升高諧振頻率。

日本待審查專利申請案公告第2003-67693號敘述有關用於使用非接觸式IC卡實施通訊之組構。

具有此種非接觸式IC卡之問題係甚至於製造期間所導入之輕微誤差、諸如當形成該天線場型時在線間距、線寬度等等中之輕微變化、或該基底的厚度中之變化，造成該天線之諧振頻率不一致。於該製造製程期間之調整係如此重要的。

當作根據該相關技藝對於非接觸式IC卡所作成之諧振頻率調整，於圖8A及8B與圖9A及9B所示組構之兩者中，該調整電容器30之不需要部份係由該電路分離，以減少該電容器之電容，藉此增加諧振頻率。該電容器的電容中之減少能藉由在該基底10中於該調整電容器30被配置之位置鑽進一孔洞所作成，且如此可經過自動調整製程被相當輕易地實施。

對比之下，其實際上係不可能對較低之諧振頻率作成一調整。當其係需要降低諧振頻率時，其係需要將電容器加至該電路，譬如，其係需要藉由軟焊等安裝一電容器，這是非常麻煩的。當使得其對於降低諧振頻率為需要的非接觸式IC卡係於根據該相關技藝製造非接觸式IC卡期間生產時，此一非接觸式IC卡被當作非相容產品。

非接觸式IC卡有時候亦被使用於由磁性材料所製成之磁性薄片被帶入接近至該非接觸式IC卡以便改善天線特徵的狀態中。雖然以此方式配置諸如磁性薄片之零組件能改善無線電通訊特徵，由於已被配置的零組件之影響，有以整體而言可改變該非接觸式IC卡之諧振頻率的可能性。

當以整體而言由於安裝此另一零組件而改變該非接觸式IC卡之諧振頻率時，其係需要再次調整該諧振頻率。縱使降低該諧振頻率之調整在那時候變得需要，如上面所述，此一降低該諧振頻率之調整實際上係不可能的。

其想要的是增加調整之自由度，用於變化非接觸式IC卡中之諧振頻率。

根據本發明之具體實施例，提供有非接觸式通訊媒體，包含基底，其由絕緣材料所製成；天線線圈區段，其包含在該基底上纏繞成平面式形狀之導體；電容器，被連接至該天線線圈區段；通訊處理區段，其被連接至該天線線圈區段與該電容器，以實施非接觸式通訊處理；及電感調整導體場型，其被並聯連接至該天線線圈區段中之導體的一部份，且被配置在該基底上。

以該電感調整導體場型之製備，藉由實施中途切斷此電感調整導體場型之調整操作，該天線開口之面積改變，藉此能夠作調整來增加電感值。當增加電感值之調整被作成時，降低該天線之諧振頻率的調整變得可能。

本發明之具體實施例將以下之順序被敘述。

1.根據一具體實施例之媒體的組構之範例(圖1A及1B與圖2)

2.整個組構之範例(圖3及圖4)

3.用於調整之修整的範例(圖5A至5C)

4.電感調整電路之另一範例(圖6)

5.提供複數調整電容器之範例(圖7)

6.其他修改

(1.根據一具體實施例之媒體的組構之範例)

在下文，根據此具體實施例的非接觸式IC卡之組構將參考圖1A及1B與圖2被敘述。於此具體實施例中，導體場型被配置在由樹脂薄片所製成之基底上，以形成天線場型配置媒體，且接著諸如IC晶片之零組件被進一步安裝，藉此形成非接觸式通訊媒體110。如將稍後被敘述，另一薄片等被配置在該非接觸式通訊媒體110之基底的前後側上，藉此完成非接觸式IC卡。

圖1A係該非接觸式通訊媒體110之正面的平面圖。圖2顯示該非接觸式通訊媒體110之前表面110a及後表面110b。然而，應注意的是，有利於了解其對該前表面之對應性，圖2所示之後表面110b係如由該正面所視之後表面。當該後表面被真的看到時，該後表面係與圖2所示者顛倒。

如圖1A及1B與圖2所示，該非接觸式通訊媒體110係藉由類似於各種卡等之長方形基底所形成。在該非接觸式通訊媒體110之前表面上，天線線圈區段120被配置在靠近該非接觸式通訊媒體110之外周邊的位置。在靠近該非接觸式通訊媒體110之外周邊的前表面上，該天線線圈區段120係由藉著配置及纏繞由諸如銅或鋁之導體所製成的預定寬度之導體場型複數次(在本範例中為大約四次)所形成。

該天線線圈區段120的一端部121及另一端部122被連接至IC晶片111，其係實施通訊處理之積體電路零組件。於此案例中，該天線線圈區段120的一端部121被帶入與該基底之後側呈電連續性，且經由在該後側上之導體場型113被連接至實施通訊處理之IC晶片111。如圖2所示，該後側上之導體場型113係在IC晶片連接部114從該基底之後側藉由被帶入與該前側呈電連續性而連接至該IC晶片111。該天線線圈區段120之另一端部122係直接地連接至該IC晶片111。

該天線線圈區段120的一端部121及另一端部122被連接至電容器112及調整電容器130。在該基底之後側上，該電容器112係經由該導體場型113連接至該天線線圈區段120的一端部121。在該正面上，該電容器112係連接至天線延伸部23的一端部124，該延伸部係由該天線線圈區段120的另一端部122延伸。

該電容器112被使用於儲存藉由該天線線圈區段120所接收之載波所產生的電荷，且獲得用於驅動該IC晶片111之電力。如圖2所示，該電容器112包含藉由該前面上之導電場型所形成的第一電極區段112a、及藉由該背面上之導電場型所形成的第二電極區段112b。該電容器112在經由該基底彼此相向的該第一電極區段112a及該第二電極區段112b上儲存電荷。形成該電容器112的電極區段112a及112b之每一者具有相當大之面積，以便能夠儲存相當大的電荷。

該調整電容器130被使用於改變諧振頻率之目的。如圖2所示，該調整電容器130包含被連接至該天線線圈區段120之另一端部122的正面上之第一導體場型131、及被連接至該第二電極區段112b的後側上之第二導體場型132。該正面上之第一導體場型131係由放置於梳齒配置中之複數導體場型所組成，且該後側上之第二導體場型132被配置，以便正交地相交該梳齒部份。電荷被儲存在其正交之交點處。相較於該電容器112，該調整電容器130係小電容之電容器。當於該非接觸式IC卡之製造製程期間調整諧振頻率時，為著中途切斷該梳齒狀導體場型以減少該電容器的電容之目的，該調整電容器30被提供，藉此升高諧振頻率。

直至此點，該組構係與根據圖9A及9B所示之相關技藝的非接觸式IC卡相同。

於此具體實施例中，電感調整電路140沿著該天線線圈區段120之天線延伸部123被中途連接。該天線線圈區段120之延伸部123係位在該天線線圈區段120之最內部周邊的天線場型。形成該電感調整電路140之導體場型係沿著該天線延伸部123中途並聯連接至位在該最內部周邊的一部份。

如圖1A及圖2所示，在該電感調整電路140中，三個導體場型141、142及143被並聯連接。

如圖2所示，第一導體場型141及第三導體場型143之每一者的一端部側面係在共用連接點147連接至形成該天線線圈區段120之天線延伸部123的導體場型。該第二導體場型142的一端部係連接至位於靠近該第一導體場型141之該一端部的連接點148。

該第一導體場型141及該第三導體場型143之每一者的另一端部側面係在共用連接點149連接至形成該天線線圈區段120之天線延伸部123的導體場型。

該第三導體場型143之另一端部係直接地連接至形成該天線線圈區段120之天線延伸部123的導體場型。

應注意的是如圖1A所示，該第一導體場型141之大體上中途的位置具有修整位置144之作用，該連接點149之附近具有修整位置145之作用，且該連接點147之附近具有修整位置146之作用。修整位置144、145及146之每一者係當調整電感時修整該導體場型的位置，且將稍後被詳細地敘述。

圖1B顯示圖1A及圖2所示的非接觸式通訊媒體110之電路的同等電路。

如圖1B所示，該IC晶片111被連接至該天線線圈區段120，且該電容器112及該調整電容器130係經由該天線線圈區段120及該天線延伸部123連接。作為該天線線圈區段120及該天線延伸部123之連接點的另一端部122具有中心分接頭之作用。

該電感調整電路140被選擇性地並聯連接至該天線線圈區段之天線延伸部123。

根據此具體實施例，該電容器之電容值能使用該調整電容器130被調整，且該天線線圈區段120之電感值亦可使用該電感調整電路140被調整。這些調整製程之細節將稍後被敘述。

[2.整個組構之範例]

其次，包含該前文所敘述之非接觸式通訊媒體110的非接觸式IC卡之整個組構的範例將被敘述。

圖3係該整個非接觸式IC卡之分解視圖。該非接觸式IC卡具有配置在該非接觸式通訊媒體110的前表面上之外部覆蓋材料160。雖然該外部覆蓋材料160係由相當厚之樹脂材料所製成，該外部覆蓋材料160可為由薄樹脂片所製成。

磁性薄片180及黏著性薄片170被依次配置在非接觸式通訊媒體110之後表面上。這些零組件被整合在一起，且組裝成非接觸式IC卡。

該磁性薄片180具有此一使得其係與形成該非接觸式通訊媒體110之至少該基底相同的尺寸，且允許該磁性薄片180覆蓋該整個天線線圈區段120。該磁性薄片180係在對應於該非接觸式通訊媒體110之個別修整位置144、145及146的位置設有穿透孔181、182及183。

以該黏著性薄片170之以此方式製備在該後側上，該非接觸式IC卡可被輕易地安裝至用於組裝進入通訊設備之另一電子裝置。亦即，如圖4所示，譬如，根據此具體實施例之非接觸式IC卡能被附接至終端設備200之背面，諸如行動電話端子、智慧型電話、資訊終端機、或AV播放器，藉此組裝具有非接觸式通訊能力之通訊設備。於此案例中，當藉由將該非接觸式IC卡帶入緊接讀取器/撰寫器(未示出)實施非接觸式通訊時，該磁性薄片180之製備允許此非接觸式通訊以有利之方式被實施，而不會藉由該終端設備200內側之電路系統所阻礙。

[3.用於調整之修整的範例]

其次，將敘述根據此具體實施例的非接觸式IC卡中之諧振頻率的調整。

如上面參考圖1A及1B與圖2所敘述，該非接觸式通訊媒體110包含該調整電容器130及該電感調整電路140，當作用於調整諧振頻率之零組件。

如上面於該相關先前技術段落中所敘述，該調整電容器130被提供為著斷開該調整電容器130之電容器部份的一部份或全部之目的，以減少電容值，藉此升高諧振頻率，以達成指定之諧振頻率。當製造根據此具體實施例之非接觸式通訊媒體110時，首先，該天線之諧振頻率係使用該調整電容器130所調整。此調整係於當該非接觸式通訊媒體110獨自存在時之狀態中作成，而沒有圖3所示之磁性薄片180等被附接。使用該調整電容器130之調整係升高諧振頻率之過程。

此後，該磁性薄片180被附接至該非接觸式通訊媒體110之後表面，且該非接觸式通訊媒體110之天線的諧振頻率再次被測量。在此時候，視該案例而定，與指定的諧振頻率相較之下，由於該磁性薄片180之影響，該諧振頻率可為變得較高或較低。

當該諧振頻率係低於一指定頻率時，再次藉由使用該調整電容器130之剩餘部份(該仍然被連接部份)作成一調整。

當該諧振頻率係高於一指定頻率時，該較高的頻率被修正。此過程係藉由在該三個修整位置144、145及146之任一者於該電感調整電路140內鑽進一穿透孔所實施，以改變該等導體場型141、142及143之連接的狀態。

圖5A至5C顯示一範例，其中該等導體場型141、142及143之連接的狀態係藉由在該三個修整位置144、145及146之每一者處鑽進一穿透孔所改變。

圖5A顯示一範例，其中該第一導體場型141係藉由在沿著該第一導體場型141位於中途的修整位置144形成一穿透孔所斷開。於此狀態中，該第二導體場型142及該第三導體場型143被並聯連接至該天線線圈區段120之天線延伸部123，且當該第一導體場型111係斷開時，該諧振頻率變得較低。

圖5B顯示一範例，其中該第一導體場型141及該第二導體場型142係藉由在該修整位置145形成一穿透孔所斷開，該修整位置145係位在該第一導體場型141及該第二導體場型142之連接點149。於此狀態中，該第三導體場型143係並聯連接至該天線線圈區段120之天線延伸部123，且當該第一導體場型141及該第二導體場型142被斷開時，該諧振頻率變得較低。

圖5C顯示一範例，其中所有該等導體場型141、142及143係藉由在該修整位置146形成一穿透孔所斷開，該修整位置146係位在該等導體場型141、142及143之連接點147。於此案例中，當所有該等導體場型141、142及143被斷開時，該諧振頻率變得較低。

以此方式，調整可被以此一使得諧振頻率被降低之程度可為在圖5A、圖5B、及圖5C的狀態之間變化的方式作成。如此，降低諧振頻率之調整可在複數階段中作成。

因此，根據此具體實施例，不只升高諧振頻率之調整、同時降低諧振頻率之調整係可能的。如此，由於該產品之個別零組件的變化，特徵中之差異可被正確地調整。特別地是，既然該調整甚至在附接該磁性薄片180之後為可能的，其係可能獲得具有磁性薄片之非接觸式IC卡，該磁性薄片具有有利之特徵。

應注意的是使用電容器之諧振頻率調整具有一缺點，即因為該電容器之電容(板面積)由於該天線場型的線間距中之變動的影響而變化，變動亦傾向於在諧振頻率之調整的數量(Δf0)中發生。就這一點而言，使用根據此具體實施例之電感調整電路140的電感調整具有一優點，其中縱使變動發生在場型線間距中，該天線線圈區段中之線圈繞組的數目不會改變，故在諧振頻率調整的數量(Δf0)中有相對極小之變動。當為該最後產品測量及比較使用該電容器的諧振頻率調整中之變動及基於該天線線圈之修整的諧振頻率調整時，其被發現由於基於該天線線圈之修整的諧振頻率調整之結果，減少該等變動達大約35%。

應注意的是該因為該等導體場型141、142及143被依此實施例圖2所示之方式連接，於此具體實施例中，在三階段中作成一調整之案例中，該調整可獨自地在任一階段中藉由在該等對應位置之一處鑽進一孔洞所作成，藉此允許該調整將以很少操作之有利方式作成。

當在該等修整位置144、145及146之每一者鑽進一穿透孔時，既然該等穿透孔181、182及183在該等位置被事先提供於對應於如圖3所示之個別修整位置的磁性薄片180中，其係不需要鑽出該磁性薄片180之對應部份。因此，其係僅只需要鑽出形成該非接觸式通訊媒體110的基底之對應部份。如此，孔洞可被相當輕易地鑽出，允許良好之可加工性。

[4.電感調整電路之另一範例]

與圖1A及1B與圖2所示電感調整電路140不同的電路組構之範例係顯示在圖6中。於被包含在依據此範例的非接觸式通訊媒體110'中之電感調整電路150中，第一導體場型151、第二導體場型152、及第三導體場型153被分別連接至該天線線圈區段120之天線延伸部123。修整位置154、155及156係分別沿著該等導體場型151、152及153中途提供。

圖6所示之非接觸式通訊媒體110'係以與圖1A及1B與圖2所示之非接觸式通訊媒體110相同的方式在其他方面組構。

於圖6所示範例中之電感調整電路150亦被組構成包含三導體場型之電感調整電路，如此能夠使電感在至少三階段中以與圖1A及1B所示範例相同之方式被調整。

然而，應注意的是於此案例中，該等修整位置154、155及156係個別地被提供用於該等個別之導體場型。如此，譬如，為斷開所有該三個導體場型151、152及153，其係需要在所有該等修整位置154、155及156鑽出一孔洞。

[5.提供複數調整電容器之範例]

於圖7所示範例中，複數調整電容器被提供。

亦即，於非接觸式通訊媒體110"中，除了該調整電容器130以外，第二調整電容器190被提供，藉此允許電容值隨著該等調整電容器130及190之每一者獨立地變化。該非接觸式通訊媒體110"係以與圖1A及1B與圖2所示之非接觸式通訊媒體110相同的方式在其他方面組構。

以此方式提供該複數調整電容器亦可增加調整之自由度。譬如，使用該調整電容器130的調整可於附接磁性薄片之前被作成，且在該磁性薄片被附接之後，調整能使用該第二調整電容器190及該電感調整電路140被實施。

[6.其他修改]

於圖1A及1B等所示之具體實施例中，於具有所謂之中心分接頭的組構(圖9A及9B所示組構)之案例中該電感調整電路140等被提供。當調整該天線線圈時，採取此中心分接頭方案可能僅只在被連接至該IC之線圈的外側上調整該線圈(電感值)，藉此減少該通訊距離等在通訊特徵上之影響。對比之下，於同樣沒有圖8A及8B所示中心分接頭的組構之案例中，該電感調整電路140可沿著該天線線圈區段中途被提供，以能夠調整諧振頻率。

雖然於該上面之範例中，該電感調整電路係設有三導體場型，一個、二個、或三個、或更多個導體場型可被配置。

再者，雖然圖1A等所示之電感調整電路140的導體場型141、142及143被定位靠近該天線線圈區段120之右端，如圖1A所視，譬如，該天線線圈區段120之大體上中心部份可被該等導體場型141、142及143所連接。

雖然在該上述具體實施例中，用於使用電容器來調整之機件及用於在該天線線圈場型側面上調整的機件兩者被提供，調整可藉由僅只使用該電感調整電路140被實施，且該調整電容器130可被省略。

根據本發明之具體實施例，藉由實施中途切斷該電感調整導體場型之調整操作，增加電感值之調整被作成，藉此能夠實施調整以降低該天線之諧振頻率。因此，當為該非接觸式通訊媒體降低該天線之諧振頻率的調整變得需要時，這可藉由切斷該調整導體場型等被輕易地處理。

本申請案包括2010年5日10日於日本專利局提出的有關日本優先權專利申請案第JP 2010-108804號中所揭示者之主題，其整個內容係以引用的方式併入本文中。

那些熟諳此技藝者應了解各種修改、組合、次組合、及變更可視設計需求及其他因素而定發生，只要它們係在所附申請專利或其同等項之範圍內。

10．．．基底

11．．．晶片

12．．．電容器

13．．．導體場型

14．．．導體場型

20．．．天線線圈區段

21．．．端部

22．．．另一端部

23．．．延伸部

24．．．端部

30．．．調整電容器

31．．．第一導體場型

32．．．第二導體場型

110．．．通訊媒體

110'．．．通訊媒體

110"．．．通訊媒體

110a．．．前表面

110b．．．後表面

111．．．晶片

112．．．電容器

112a．．．第一電極區段

112b．．．第二電極區段

113．．．導體場型

114．．．連接部

120．．．天線線圈區段

121．．．端部

122．．．另一端部

123．．．端部

124．．．延伸部

130．．．調整電容器

131．．．第一導體場型

132．．．第二導體場型

140．．．調整電容器

141．．．導體場型

142．．．導體場型

143．．．導體場型

144．．．修整位置

145．．．修整位置

146．．．修整位置

147．．．連接點

148．．．連接點

149．．．連接點

150．．．調整電路

151．．．第一導體場型

152．．．第二導體場型

153．．．第三導體場型

154．．．修整位置

155．．．修整位置

156．．．修整位置

160．．．外部覆蓋材料

170．．．黏著性薄片

180．．．磁性薄片

181．．．穿透孔

182．．．穿透孔

183．．．穿透孔

190．．．調整電容器

200．．．終端設備

圖1A及1B分別係平面圖及同等電路圖，顯示根據本發明之具體實施例的組構之範例；

圖2係立體圖，顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體之前表面及後表面；

圖3係分解立體圖，顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體之整個組構；

圖4係分解側視圖，顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體係與終端裝置結合之狀態；

圖5A至5C係說明視圖，每一者顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體之切斷位置的範例；

圖6係平面圖，顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體之另一範例(調整電路場型之不同範例)；

圖7係平面圖，顯示根據本發明之具體實施例的非接觸式通訊媒體之又另一範例(具有複數調整電容器之範例)；

圖8A及8B分別係平面圖及同等電路圖，顯示根據該相關技藝之非接觸式IC卡的範例；及

圖9A及9B分別係平面圖及同等電路圖，顯示根據該相關技藝之非接觸式IC卡的另一範例(具有中心分接頭之範例)。

111．．．晶片

112．．．電容器

113．．．導體場型

114．．．連接部

120．．．天線線圈區段

121．．．端部

122．．．另一端部

123．．．端部

124．．．延伸部

130．．．調整電容器

131．．．第一導體場型

132．．．第二導體場型

140．．．調整電容器

141．．．導體場型

142．．．導體場型

143．．．導體場型

144．．．修整位置

145．．．修整位置

146．．．修整位置

Claims (8)

1. 一種非接觸式通訊媒體，包括：基底，由絕緣材料所製成；天線線圈區段，包含在該基底上纏繞成平面式形狀之導體；電感調整導體場型(pattern)，其被並聯連接至該天線線圈區段中之導體的一部份，且被配置在該基底上；電容器，被連接至該天線線圈區段，其中該電容器包含調整電感之調整電容器；及通訊處理區段，其被連接至該天線線圈區段與該電容器，以實施非接觸式通訊處理。
2. 如申請專利範圍第1項之非接觸式通訊媒體，其中該調整導體場型係在該天線線圈區段之最內部周邊並聯連接至該導體之預定位置。
3. 如申請專利範圍第2項之非接觸式通訊媒體，其中該電感調整導體場型包含並聯連接至該天線線圈區段的一部份之複數導體，且增加電感值之調整係藉由中途切斷一些或所有該複數導體所達成。
4. 如申請專利範圍第3項之非接觸式通訊媒體，其中該通訊處理區段係藉由用該天線線圈區段所承接及儲存於該電容器中之電力所作動。
5. 如申請專利範圍第4項之非接觸式通訊媒體，另包括：磁性薄片，其被配置以重疊該基底，且具有設在該切 斷被作成之位置的穿透孔。
6. 一種天線場型配置媒體，包括：基底，由絕緣材料所製成；天線線圈區段，包含在該基底上纏繞成平面式形狀之導體；電感調整導體場型，其被並聯連接至該天線線圈區段中之導體的一部份；及電容器，被連接至該天線線圈區段，其中該電容器包含調整電感之調整電容器。
7. 一種通訊設備，包括：基底，由絕緣材料所製成；天線線圈區段，包含在該基底上纏繞成平面式形狀之導體；電感調整導體場型，其被並聯連接至該天線線圈區段中之導體的一部份，且被配置在該基底上；電容器，被連接至該天線線圈區段，其中該電容器包含調整電感之調整電容器；及通訊處理區段，其被連接至該天線線圈區段與該電容器，以實施非接觸式通訊處理。
8. 一種天線調整方法，包括：藉由將導體纏繞成平面式形狀而使天線線圈區段配置在由絕緣材料所製成之基底上；並聯連接電感調整導體場型至該天線線圈區段中之導體的一部份； 連接電容器至該天線線圈區段，其中該電容器包含調整電感之調整電容器；及藉由中途切斷該電感調整導體場型來增加電感值之調整。