TWI444607B - 測量複屈折射率的測量方法與測量系統以及具有測量系統之投射曝光裝置 - Google Patents

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Description

測量複屈折射率的測量方法與測量系統以及具有測量系統之投射曝光裝置
本發明有關測量光學測量物件之複屈折射率的測量方法，及適於執行測量方法的測量系統。
在許多氣體、液體及無應力非晶形固體(例如光學玻璃)中，光的速度與傳播方向及光的偏光狀態無關。此類光學媒體稱為光學等向性。相反地，如果材料的光學性質取決於光的傳播方向，則此材料稱為光學異向性。許多透明結晶材料均為光學異向性。由於這些材料晶格的對稱性，其具有至少一個顯著的對稱方向，一般稱為「光學晶軸」。
許多光學異向性材料呈現複屈折射率。術語「複屈折射率(birefringence)」指定入射光束分成兩個局部光束的光學異向性材料性質，兩個局部光束彼此垂直地線性偏光且在光學異向性材料中以不同的方式傳播。光在異向性材料中的不同傳播，實質由光速度對傳播方向及對光之偏光狀態的相依性決定。局部光束其中之一的傳播速度與傳播方向無關。此局部光束稱為「常射線(ordinary ray)」。相反地，另一個局部光束的傳播速度為方向-相依。此局部光束稱為「異常射線(extraordinary ray)」。與不同傳播速度相關聯的是材料對不同局部光束的對應不同折射率，其中no 是常射線的折射率，及neo 是異常射線的折射率。基於光學材料之晶體結構的複屈折射率稱為固有複屈折射率。
光學等向性材料可因為受到外部影響而變成複屈折射。例如，在克爾(Kerr)效應中使用因電場引起的複屈折射率。對固有複屈折射材料而言，複屈折射性質可因為外部影響而變更。尤其，機械應力可引起複屈折射率，一般稱為應力複屈折射率(SDB)。應力複屈折射率可因內部應力引起，而內部應力來自例如生產結晶材料的程序。此外，應力複屈折射率可由外力產生，而外力來自如在安裝架中安裝光學組件的過程中。
例如，在延遲元件(延遲器(retarder)，諸如λ/4板或λ/2板)的生產中，或在其他光學偏光組件的生產中，使用複屈折射率作為所要性質，以按照界定方式改變光的偏光狀態。
另一方面，在許多要求嚴格的應用中，例如在微影、雷射光學或天文學的領域中，將光學組件的複屈折射率視為不想要的誤差原因，並力圖使複屈折射率對光學組件或光學系統之光學性質的影響降到最低，及/或至少充分地確切知道複屈折射率，以進行補償。
為控制複屈折射率，必須確切知道複屈折射率在絕對值及複屈折射率方位二者上的範圍。因此，需要量化複屈折射率的精確測量方法。
在微影光學系統領域中，存在測量精確性所要求的特別嚴格需求及確切決定甚至是相對較弱複屈折射率效應的能力；微影尤其用來生產大型積體半導體組件及其他精細結構化的組件。為了能夠借助微影生產更加精細的結構，更進一步增加投射物鏡的影像側數值孔徑，及使用更短的波長，尤其是深紫外光範圍(DUV)的波長。在小於200 nm的波長處，只有相對較少的充分透明材料可用於生產透明光學元件。這些材料主要包括合成熔矽石(synthetic fused silica)，其充分透明向下到達193 nm，以及還有一些氟化物結晶材料，諸如氟化鈣或氟化鋇，甚至在157 nm及以下的波長處，一樣呈現充分低吸收。氟化鈣呈現固有複屈折射率，即，因材料晶體結構所造成的複屈折射率；除了可能引起的應力複屈折射率，還有固有複屈折射率可影響由此材料組成之光學組件的光學偏光行為(參考如US 6,697,199 B2及其中引用的文獻)。
呈現複屈折射率的每個個別光學組件可對系統的光學偏光行為造成複雜的作用。尤其在微影領域中，利用具有多個個別組件的複雜光學系統，通常結合這些組件以形成光學模組，在總光學系統中實行特定功能。在此例中，一般需要確切知道總系統的複屈折射性質及個別組件或模組對於總系統之光學偏光行為的作用。
為了量化複屈折射率，使用測量光學測量物件之複屈折射率的測量方法與測量系統，其中光學測量物件可以是個別的光學組件或包含複數個光學組件的系統。
對此處所考慮量化複屈折射率的測量方法與測量系統而言，產生具有界定輸入偏光狀態的測量光束，該測量光束被導到測量物件上，輸入偏光狀態是測量光束直接在進入測量物件之前的偏光狀態。在測量光束與測量物件互相作用之後，偵測測量光束的偏光性質，以產生代表測量光束之輸出偏光狀態的偏光測量值，輸出偏光狀態是測量光束在與測量物件互相作用之後的偏光狀態。
評估偏光測量值以決定至少一個複屈折射率參數，代表測量物件的複屈折射率。一般而言，決定複屈折射率的絕對值及方位。在此例中，複屈折射率的絕對值代表在材料中以不同傳播速度傳播之測量光束的兩個局部光束之間，由測量物件所造成的延遲。在兩個局部光束之間的延遲又稱為光學路徑差，通常以奈米或測量光束之波長λ的若干分之一為單位。例如，測量波長193 nm的λ/4延遲器，產生193/4 nm的路徑差。
由複屈折射材料的光學晶軸方位界定複屈折射率的方位。如果涉及因外部影響(諸如力作用)而變成複屈折射的光學等向性材料，則複屈折射率的方位落在作用力的方向中。為了測量的目的，可以相對於測量系統之界定參考方向的角指示，表示複屈折射率的方位。
精確測量的前提是儘可能確切地設定輸入偏光狀態，及儘可能確切地決定輸出偏光狀態。在產生輸入偏光狀態時及在決定輸出偏光狀態時所出現的誤差，影響測量而成為測量誤差。這些測量誤差作用因此應為已知或為可決定的，以便能夠在評估中列入考量。
舉例來說，如果借助偏光計或橢圓偏光計，根據Srnarmont原理進行測量，則首先借助偏光鏡，從未偏光光源的光產生線性偏光測量光束，該測量光束進入測量物件。在測量物件內的複屈折射率一般導致橢圓形偏光的輸出偏光狀態。借助四分之一波板，再次從橢圓形偏光產生線性偏光，及可借助設置在感光偵測器上游的轉動式分析器決定其偏光角。
US 6,697,157 B2及US 6,473,181 B1說明測量複屈折射率的系統，其中使用調變偏光的光彈性調變器(PEM)，該偏光然後再從測量樣本發出。
本發明實施例之一目的在於提供一種測量複屈折射率的測量方法，以允許高度精確地測量複屈折射率的較小值。尤其，預期該測量方法具有較小複屈折射率值小於0.5 nm的測量精確性。
本發明實施例之另一目的在於提供一種測量複屈折射率的測量方法，對在產生輸入偏光狀態的過程中及在評估輸出偏光狀態的過程中產生測量誤差的影響相對較不敏感。
本發明實施例之另一目的在於提供一種測量複屈折射率的測量方法，可以簡單的方式利用具有複數個光學組件或組件群組之光學測量物件上的測量，分開個別組件或組件群組對總測量物件之複屈折射率的作用。
本發明實施例之另一目的在於提供一種測量光學測量物件之複屈折射率的測量方法，以允許確實分開要測量之測量物件的複屈折射率參數與測量系統組件有損測量的干擾變數。
為達成這些及其他目的，本發明提供包含如後述申請專利範圍所述特徵之測量方法，以及測量系統。有利的延伸如申請專利範圍附屬項中所明確說明。申請專利範圍的措辭在「實施方式」的內容中以引用方式併入。
在該測量方法中，根據角度參數α的週期調變函數，調變測量光束的輸入偏光狀態，致使測量的輸入偏光狀態可以有至少四個不同測量狀態。處理與至少四個測量狀態相關聯的偏光測量值，以形成取決於角度參數α的測量函數。例如，可從由偏光計之偵測器產生且與照射在偏光計之偵測器上之輻射強度成正比的電測量信號，導出測量函數。
與輸入偏光狀態之週期調變函數相關聯的角度參數α例如可直接是設置在測量系統光源與測量物件間之延遲板的旋轉角，或可從該旋轉角導出。舉例來說，如果測量需要在偏光方向不同方位中的線性偏光輸入偏光狀態，則可憑藉以下事實產生這些輸入偏光狀態：在產生線性偏光的測量光源與測量物件之間設置偏光旋轉器(例如形式為轉動式半波板)，以界定方式可控制地旋轉測量光束的偏光方向。對此種配置而言，如果使用轉動式四分之一波板取代轉動式半波板，則可根據四分之一波板的旋轉角，以可預定方式在線性偏光與圓形偏光之間調變輸入偏光狀態。也可以借助半波板與四分之一波板的組合，設定輸入偏光狀態，及界定對應的角度參數α。
在評估偏光測量值期間，決定測量函數的雙波部分。分析該雙波部分以導出至少一個複屈折射率參數。
決定測量函數的雙波部分及分析該部分以導出至少一個複屈折射率參數，係基於以下認識：在給定測量條件下，測量信號歸因於所求複屈折射率的那一部分必須具有明顯的雙波特性，而歸因於系統中干擾變數的測量信號部分一般沒有任何明顯的雙波波動。因此，可以基於測量信號的雙波部分，識別測量信號的哪一部分在原因上歸因於所求複屈折射率，及哪些信號部分係基於導致測量誤差的干擾變數。如果現在在評估期間，以有目標的方式決定及分析測量函數的雙波部分，則從分析導出的複屈折射率參數實質專門代表光學測量物件的所求光學性質，且代表測量系統的可能干擾作用只有微乎其微的小範圍。
在此背景中，用語「雙波部分」指定角空間中與角度參數α相關聯的雙重對稱性，例如相對於界定在0°與360°間之旋轉角的雙重旋轉對稱性。據此，相對於角度參數α具有角距180°的這些信號部分促成雙波部分。
在利用傅立葉分析的問題描述中，雙波波動表示傅立葉係數的絕對值或振幅，正弦部分及餘弦部分分別以該傅立葉係數在傅立葉級數中加權；正弦部分及餘弦部分的值在180°週期(也就是雙頻)之後重複。例如，可基於以下考量，瞭解「雙波波動」在決定複屈折射率時的意義。
如果材料中發生複屈折射率，則進入光束分成兩個在所有情況中為線性偏光的局部光束，且其偏光方向彼此垂直。在局部光束之一者中的光(常射線)的傳播速度與方向無關，而另一個光束之光的傳播速度取決於傳播方向(異常射線)。常射線及異常射線的傳播可借助Huygens原理來解說。Huygens原理敘述：波表面上的每一個點是疊加之新小波的起始點。新波前是疊加之小波的波封。對常射線而言，小波的相前沿是球面，因為傳播速度在每個空間方向中都一樣。相反地，異常射線之小波的相前沿形成循環橢面，因為傳播速度為方向-相依。相對於光束方向具有雙重或雙波旋轉對稱性的循環橢面，含有關於光束每個入射方向之複屈折射率之絕對值及方位的資訊。決定及分析測量函數的雙波部分時可利用此資訊，以直接量化複屈折射率。
與至少四個測量狀態相關聯的偏光測量值，可用作決定測量函數輪廓的支持值。在較佳變化中，測量函數的分析利用以下事實：每一個週期函數由週期諧振組成，也就是不同相位與振幅及確切界定頻率的正弦及/或餘弦函數。這可在傅立葉分析中利用，也就是將此週期函數分解成傅立葉級數。
在測量方法的一個變化中，決定測量函數的雙波部分包含測量函數的雙傅立葉變換。在此變化中，借助雙傅立葉變換或利用連續執行的兩個傅立葉變換(在前面第一傅立葉變換的結果中應用後續的第二傅立葉變換)，分析在測量期間記錄之測量函數的測量值。因此，與複屈折射率有關的複屈折射率參數尤其對不同輸入偏光狀態設定中的延遲誤差變成不敏感，以及還有對直到記錄測量信號，在測量物件輸出側上所引入的延遲誤差不敏感。
在雙傅立葉變換的一項具體實施例中，決定測量函數的雙波部分包含測量函數的第一傅立葉變換，以決定第一傅立葉係數A0(α)及A2(α)，其中A0(α)為描述該測量函數非週期部分之一平均值的一偏移項，及其中A2(α)為一第一雙波波動係數，與該測量函數雙波部分的振幅成正比，及其中決定該測量函數雙波部分還包含該第一傅立葉係數A0(α)及A2(α)相對於該角度參數α的一第二傅立葉變換，以決定第二傅立葉係數A0_A01(α)、A2_A02(α)及B2_A02(α)，其中A0_A01(α)是描述該偏移項A0(α)之非週期部分之一平均值的一偏移項，A2_A02(α)是該第一雙波波動係數A2(α)之該雙波波動的一正弦部分，及B2_A02(α)是該第一雙波波動係數A2(α)之該雙波波動的一餘弦部分。出現在第二傅立葉變換之後的偏移項A0_A01(α)可用於測量結果的強度標準化，藉此使測量對主光源的強度變動不敏感。含有關於所求複屈折射率之資訊的雙波部分A2_A02(α)及B2_A02(α)，得自第一雙波波動係數A2(α)的第二傅立葉變換。
原則上，測量方法不受關於輸入偏光狀態的至少四個不同測量狀態的任何限制。測量狀態可位在相對於彼此的規則或不規則距離。如果測量函數與測量狀態相關聯的角度參數α相對於彼此為等距離，則評估可大幅簡化。在此例中，可使用所謂的快速傅立葉變換(FFT)計算測量函數的傅立葉變換，快速傅立葉變換也就是以下演算法：其中決定傅立葉係數的評估步驟數目明顯小於在傅立葉變換之較一般情況中的評估步驟數目。
在測量方法的一個變化中，產生具有偏光方向定向平行於電場振盪向量的線性偏光測量光束，該測量光束被導到測量物件上，及測量光束的偏光方向被旋轉至相對於彼此位在可預定旋轉角距離的至少四個測量方位中。在此例中，測量方位對應於至少四個不同測量狀態，偏光方向的旋轉角則對應於角度參數α。
較佳是，至少四個測量方位相對於彼此位在等距離旋轉角距離，以利用快速傅立葉變換進行評估。尤其可設定相對於彼此位在等距離旋轉角距離的2N (其中N2)個測量方位，例如4、8、16、32或64個以上的測量方位。由於輸入偏光的每個不同測量狀態對應於要評估之測量函數的支持點，因此可以藉由增加支持點數目，增加決定測量函數時的精確性及因而也增加測量精確性。另一方面，藉由增加不同輸入偏光狀態的數目，也增加了在測量及評估上所花的時間。
在測量方法的背景中，可以非常簡單的方式執行測量系統的校準。分析可執行成與複屈折射率有關的雙波部分以加法組合，且具有要測量的複屈折射率參數(尤其是測量物件之複屈折射率的絕對值及複屈折射率的方位)及測量系統產生的干擾變數之完全相同的數學式，這尤其包括測量系統之延遲元件及分析器的複屈折射率作用。相關測量變數與干擾變數的簡單加法關係，允許確實分開要測量的複屈折射率與干擾變數，因為，在此例中，可以沒有測量物件但卻相同之測量方法的測量，決定由測量系統本身產生的複屈折射率部分(測量系統偏移)。
在利用泰勒展開式描述關係的公式線性化之後，可進行有關雙波部分的簡單加法。因此，簡單評估尤其適於精確決定較小的複屈折射率值。如果預期要以高精確性決定較大的複屈折射率值，信號評估將變得更複雜。
據此，在一個方法變化中，按以下步驟決定複屈折射率參數歸因於測量系統組件的系統部分：在測量光束路徑中沒有一測量物件的情形下執行一測量，致使要分析的輸出偏光狀態對應於輸入偏光狀態；對該測量光束路徑中該測量物件之測量的偏移項A0_A01(α)，標準化該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的正弦部分A2_A02(α)及該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的餘弦部分B2_A02(α)，以決定一標準化總測量信號；對該測量光束路徑中沒有該測量物件之測量的偏移項A0_A01(α)，標準化該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的正弦部分A2_A02(α)及該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的餘弦部分B2_A02(α)，以決定該總測量信號之一標準化系統部分；從該標準化總測量信號減去該標準化系統部分。
該測量方法適於測量個別光學組件或其他個別樣本的複屈折射率，且適於含有至少兩個光學組件之光學系統上的測量；如預期使用光學系統時，輻射連續通過該至少兩個光學組件。光學組件可以是個別光學元件，例如透鏡、透明板、繞射光學元件、具有多個個別元件(輻射同時從該等元件中通過)的繞射或折射光柵配置、或其他。也可以使用鏡作為測量物件。舉例來說，在此可測量由介電層應變引起的複屈折射率。對應的測量設備一般具有合適的光束偏轉配置。光學組件可包含複數個個別光學元件，經組合以形成功能群組，及例如聯合安裝至光學系統，或以光學模組的方式卸下。對由複數個光學組件構成的光學系統而言，測量方法的一個變化使其可以在完全組裝狀態中測量複屈折射率，及在此例中，使其可以分開個別光學組件彼此的個別作用。此方法變化包含以下步驟：執行第一測量，其中測量光束首先通過第一光學組件，然後再通過第二光學組件；及執行第二測量，其中在該測量光束通過第一光學組件之後，及在其進入第二光學組件之前，相對於第一測量的偏光狀態，將測量光束的偏光狀態旋轉90°。
在第一測量中，在通過第一組件之後的輸出偏光狀態一般直接用作通過第二光學組件的輸入偏光狀態，而在第二測量中，在通過第一光學組件之後的輸出偏光狀態因在進入第二光學組件之前產生λ/2延遲而改變。在兩個測量中，以相同的方式分析及評估在通過第二光學組件後之測量光束的輸出偏光狀態，以獲得第一測量結果(屬於第一測量)及第二測量結果(屬於第二測量)。在兩個測量結果中，再次以相同方式找到輻射首先從中通過之第一光學組件的作用。與此相比，第二光學組件對測量結果有不同的作用，因為測量光束以該測量光束的兩個不同偏光狀態通過第二光學組件。
由於第一光學組件的作用在兩個測量結果中相同，可藉由形成第一測量結果及第二測量結果的差，排除第一光學組件對測量結果的作用，致使測量結果之間的差僅含有第二光學組件與測量裝置的複屈折射率部分。相比之下，測量結果的和，也就是第一測量與第二測量之雙波波動的和，僅含有關於第二光學組件之複屈折射率的資訊，因為，由於在光學組件之間引入之偏光狀態的90°旋轉，第二光學組件以及還有系統部分的作用至少在第一近似值中彼此抵消。
在複屈折射元件或偏光操縱的數學描述中，一般使用以乘法處理的矩陣(Jones矩陣或Mller矩陣)。藉由描述複屈折射率為線性化及適當組合的數學式，進一步處理可由加法取代。加法允許第一光學組件與第二光學組件之複屈折射率部分的加法。
因為，為了執行兩個不同的測量，在第一組件與第二組件之間只需要引入合適的偏光旋轉器，或從此中間位置移除偏光旋轉器，當在總光學系統背景中使用第一及第二光學組件的相對組態中，已經固定組裝第二光學組件時，也可以測量第一及第二光學組件的複屈折射率作用。因此，不需要為決定該光學系統之個別光學組件的複屈折射率部分，而拆開複雜的光學系統。
另一個出現的好處是，在執行兩個測量之後，即使先前未校準測量裝置部分，也可以精確地決定第一光學組件的複屈折射率作用，因為測量裝置部分在差形成的過程中在第一近似值中消失。
按照類似的方式，還可以在未事先校準測量裝置的情形下，獲得精確的測量結果。如已解說的，由於測量之一相對於第一測量所引入之偏光狀態的90°旋轉，決定第一測量與第二測量之雙波波動的和，具有可從測量信號排除系統部分的效應。這很清楚地可以獲得瞭解，因其對第一測量而言，以正號方式影響測量結果，而對第二測量(偏光狀態旋轉90°)而言，則為負號。加總因而導致消除系統部分。在整體測量光學的第一近似值「無校準」測量中，可利用此效應。對應的方法變化包含以下步驟：執行第一測量，其中測量光束在通過測量物件之後進入測量系統的偵測器側，而沒有進一步的偏光改變；執行第二測量，其中在測量光束通過測量物件之後及在測量光束進入測量系統的偵測器側部分之前，將測量光束的偏光狀態旋轉90°；聯合評估第一測量及第二測量。
一般而言，在一些方法變化中，可借助以下方法步驟，使測量光束路徑中不同組件或裝配件的複屈折射率作用彼此分開：執行一決定第一複屈折射率參數的第一測量；執行一決定第二複屈折射率參數的第二測量，其中，在該第二測量期間，藉由在一偏光旋轉區段中，相對於在該第一測量期間之該測量光束的對應偏光狀態，在該測量光束中引入一偏光旋轉器或從該測量光束移除一偏光旋轉器，使該測量光束的偏光狀態相對於該第一測量之該測量光束的偏光狀態旋轉90°；聯合評估該第一複屈折射率參數及該第二複屈折射率參數。
聯合評估包含決定第一測量及第二測量之測量函數之雙波部分的和，及/或決定第一及第二測量之測量函數之雙波部分的差。
加總的結果在所有情況中，僅含有在測量光源及偏光旋轉區段之間的測量光束路徑中所有光學元件的複屈折射率作用，因為在傳輸方向中，位在偏光旋轉區段下游之所有光學組件的作用在加總的過程中，彼此在第一近似值中抵消。
相比之下，差形成的結果在第一近似值中僅含有位在測量系統之偏光旋轉區段及偵測器側之間的這些光學組件的複屈折射率部分，因為位在光源及偏光旋轉區段之間的元件及組件部分理想上在兩個測量中均相同，且因此由於差形成而消失。
如果偏光旋轉區段位在測量系統之測量物件及偵測器側組件之間，則例如可藉由加總，排除測量結果的系統部分，致使消除測量裝置的分開校準。
如果測量物件含有在傳輸方向中依序設置的複數個光學組件，且偏光旋轉區段位在第一光學組件及第二光學組件之間，則第一光學組件及第二光學組件的複屈折射率作用可彼此分開。
在測量週期的背景中，在測量光束路徑的不同位置處，一或複數個90°偏光旋轉器可視情況引入光束路徑中或從測量光束路徑中移除，以獲得有關測量物件之不同組件或組件群組之個別作用的精確測量資料，以及還有有關利用視情況引入或移除之90°偏光旋轉器的少量測量之測量系統之作用的精確測量資料。
90。偏光旋轉器可具有例如由光學活性(圓形複屈折射)材料組成的板，如，由結晶型石英(SiO2 )組成。使用此類元件，甚至對較大光學可用直徑而言，例如光學直徑100 mm或以上、或150 mm或以上、或200 mm或以上，可非常精確地設定所要偏光旋轉，因為獲得所要的偏光狀態90°旋轉的機械容限可位在微米範圍中，以達成旋轉精確性小於1°。亦可以固有複屈折射結晶材料，例如氟化鈣或氟化鋇，其中晶向<110>定向實質平行於傳輸方向，生產機械穩定以及還有適於較大直徑的偏光旋轉器。由於對這些材料而言，固有複屈折射率的絕對值相對較小，此類元件可具有相對較大厚度，這對機械穩定性及製造精確性很有利。為獲得最大的可能角度容限，零次延遲元件在此很有利。90°偏光旋轉器也可以具有兩個相對於彼此定向45°的低階λ/2板。在此例中，延遲板相對於彼此旋轉的光學晶軸實質垂直於傳輸方向或垂直於測量系統的光軸。
測量方法的測量精確性可因所使用測量光的強度變動而降低。為將測量光源強度變動對測量精確性的影響降到最低，此方法的一些變化涉及執行參考強度信號(與測量光源發出的測量光強度成正比)的時間-相依偵測，及對參考強度信號，標準化偏光測量信號，以決定標準化偏光測量信號。在此例中，術語「偏光測量信號」指定由測量決定且從中導出要分析之測量函數的有用信號。一般而言，這是一種與照射在光電變換器上之測量輻射的強度成正比的電信號。
為此目的，例如，可利用偏光分光器或某些其他實質偏光-維持(polarization-maintaining)及偏光-選擇性(polarization-selectively)反射元件，準備分離預期決定其偏光性質的測量光束，致使可以用偏光測量光學儀器及連接的感測器，測量連續(非反射)部分。反射部分可在參考分支中被導到第二感測器上，該感測器用作參考感測器，並產生與測量光源發出的測量光強度成正比的參考強度信號。該參考強度信號可用於能量參照，以減少歸因於測量光源強度變動的測量誤差。由於在測量之前對測量輻射進行偏光-選擇性分離，因此可影響實際上預期要測量的偏光狀態。因此，視需要，此效應需要特別校準。此外，與測量感測器並排，還需要另一個偵測參考強度信號的感測器。
此方法的一個特定變化可避免這些缺點。此方法變化包含以下步驟：將該測量光束分成一具有一第一強度的線性偏光第一局部光束及一具有一第二強度的第二局部光束，該第二局部光束係線性偏光垂直於該第一局部光束；沿著光學偏光實質相同的光束路徑，將該第一局部光束及該第二局部光束導引至一強度感測器之一感測器區之空間上分開的第一及第二感測器區帶上，以產生一與該第一強度成正比的第一強度信號及一與該第二強度成正比的第二強度信號；及處理該第一強度信號及該第二強度信號，以形成一組合信號。
在此例中，措辭「沿著光學偏光實質相同的光束路徑」，是指光學偏光等效的光束路徑。如果局部光束沿著其相應光束路徑，由於系統中可能的偏光-影響元件，在所有情況中未經歷或無論如何經歷大約相同或互相對應的變更，光束路徑就此道理而言，為「光學偏光實質相同的」光束路徑。光束路徑彼此在幾何圖形上可以非常接近，致使局部光束通過如實質相同的材料體積。光束路徑在幾何圖形上也可以不同，在此例中，如，局部光束之一可在鏡面處單一或多重摺疊。視需要，一個局部光束亦可相對於另一個局部光束，相位-延遲達正好一個波長或波長的整數倍數。
其強度可能變動的測量光束因此可分成兩個局部光束同時照射在不同的、空間上互相分開的位置上或同一個感測器的區帶上，且在偏光測量期間在此關於其強度進行評估。在分離位置及感測器區之間導引這兩個局部光束，致使其在偏光中由於系統中可能的偏光-影響元件，未經歷或無論如何經歷大約相同的變更，致使其仍以相對於彼此大約正交偏光的方式，到達測量系統的偵測器側。在這些條件下，第一強度信號及第二強度信號在任何時間點的和與測量光源發出的測量光束輸入側強度成正比，因而可用作參考強度信號。據此，一個方法變化包含使用第一強度信號及第二強度信號的和，形成強度參考信號。
作為替代選項，可使用第一強度信號及第二強度信號的比值，形成組合信號。這是因為如果已知相對於測量物件的座標系統，分離測量光束所利用的複屈折射元件方位，則可從第一及第二感測器區帶中兩個強度的比值，推論常射線及異常射線之偏光方向中的偏光部分。
例如，可利用複屈折射元件，將測量光束分成兩個彼此垂直偏光的局部光束(常射線及異常射線)。也可以借助偏光-選擇性作用偏光分光器，將測量光束分成具有p-偏光的局部光束及具有s-偏光的局部光束，然後將兩個局部光束導到相同感測器區的不同、非重疊區上。
測量光束在光傳播方向中，可分成在測量物件的上游或下游。可以在偵測器單元中，容納直接接近偵測器單元之感測器區的分光元件(如，複屈折射元件或偏光分光器)。
可在根據本發明之測量方法與測量系統的具體實施例中，有利地利用在此已經說明及在下文結合各種具體實施例詳細解說之用於能量參照的方法及裝置。然而，在其他測量方法與測量系統中，例如在其他未必用於決定複屈折射率的偏光測量方法及偏光測量系統中，也可以在該等測量方法與測量系統之外，單獨利用這些用於能量參照的方法及裝置。舉例來說，可在設計以測量偏光-相依傳輸(衰減率)的偏光測量方法及系統中，使用能量參照。
以上及其他特徵不僅在申請專利範圍中出現且亦在「實施方式」及「圖式簡單說明」中出現，其中個別特徵可在每個情況中自行實現，或以本發明具體實施例及其他領域中之子組合的形式實現為複數個特徵，並可構成有利且原本即受保護的具體實施例。
圖1顯示測量一測量物件MO之複屈折射率之測量系統MS的具體實施例，舉例而言，測量物件MO以分成多部分的方式構成，且包含第一組件CO1以及還有在傳輸方向中設置在第一組件CO1下游的第二組件CO2，該等組件以其中如預期使用含有這兩個組件的光學系統時，該等組件亦設置相對於彼此的方式，一起固持在測量物件固持裝置MH中。測量系統包含：光束產生單元BG，產生導到測量物件上及預期在進入測量物件即具有界定輸入偏光狀態的測量光束；以及還有偵測器單元DET，偵測測量光束在通過測量物件之後或進入偵測器單元時的偏光性質。如果測量物件位在測量光束路徑中，偵測器單元在測量期間產生偏光測量值，代表測量光束在通過測量物件之後的輸出偏光狀態。評估單元EU連接至偵測器單元，用於評估偏光測量值，及決定至少一個複屈折射率參數，代表測量物件的複屈折射率。舉例而言，所決定的複屈折射率參數允許精確決定測量物件所產生之複屈折射率的範圍或絕對值，以及還有該複屈折射率相對於參考座標系統的方位。評估單元EU可整合至測量系統的控制單元CU中。
光束產生單元BG包含：形式為ArF準分子雷射的測量光源LS，發射標稱波長大約λ=193 nm的線性偏光雷射光束；以及還有形式為半波板(λ/2板)的第一偏光旋轉器R1，可利用第一控制裝置CR1，以界定的旋轉角步驟，繞著測量系統的光軸OA旋轉。借助測量光源LS與第一偏光旋轉器R1的組合，可以產生偏光方向定向平行於電場振盪向量的線性偏光測量光束，以高精確性旋轉偏光旋轉器R1，可使測量光束偏光方向的方位處於任何所要的旋轉角位置。與半波板R1相關聯的術語「偏光旋轉器」一般表示旋轉偏光方向的光學元件。
此外，此具體實施例的測量系統包含第二偏光旋轉器R3，其設計為90°偏光旋轉器，將通過的光之偏光狀態旋轉90°。90°偏光旋轉器R3具有由光學活性(optically active)材料組成的90°旋轉器板，視情況可借助指派的控制裝置CR3，引入測量光束路徑中或從測量光束路徑中移除。此90°偏光旋轉器設置在測量物件固持裝置的區域中，及尤其插入在測量物件的兩個組件CO1及CO2之間，以按不同測量組態測量複屈折射率。下文將更明確地解說細節。
此外，此具體實施例的測量系統包含第三偏光旋轉器R4，形式為由光學活性材料組成的90°旋轉器板，視情況可借助指派的控制單元CR4，直接在偵測器單元上游，引入測量光束路徑中或從測量光束路徑中移除。此90°偏光旋轉器尤其可在校準測量系統期間使用，其詳細解說如下。
偵測器單元DET具有不透光遮罩M，具有測量光可穿透的較小區域，其形式為「針孔」PH，其直徑顯著大於操作波長，並可介於例如100 μm至300 μm。針孔PH形成偵測器單元的進入開口。遮罩M裝在正透鏡L的前焦平面，透鏡L由一或多個個別透鏡組成。位在此透鏡後焦平面中的是空間解析感測器SENS，形式為CCD感測器，能夠產生感測器信號，與照射在感測器區相應位置上的輻射強度成正比。設置在透鏡L與感測器之間的是轉動式延遲元件R2，形式為四分之一波板(λ/4板)，利用延遲元件的控制單元CR2，可繞著測量系統光軸旋轉，及在程序中處於界定的旋轉角位置。位在λ/4延遲元件R2與感測器之間的是偏光分光器BS，具有偏光-選擇性分光器表面BSS，相對於光軸位在45°。在此配置中，偏光分光器用作分析器。分析器僅將偏光輻射由透鏡L準直及由延遲元件R2改變的這些部分傳輸至感測器SENS，這些部分相對於入射方向橫跨的入射平面與垂直於分光器表面的表面為p-偏光，也就是其電場向量振盪平行於該入射平面。相反地，s-偏光的部分(電場向量垂直於入射平面的振盪方向)被反射到側邊。
偵測器單元DET可整個移至垂直於測量物件光軸OA之平面中的預定位置，致使針孔PH可設置在相對於測量物件光軸的不同位置，以此方式對偏光狀態進行空間解析測量。偵測器單元另外允許針對所有由針孔定位界定的測量點，以1 mrad或更佳的高角度解析度，進行偏光狀態的角度解析測量。作為替代選項，也可以使用熱電感測器或光二極體作為偵測器。
為了充分瞭解本發明重要方面，借助此偵測器配置之偏光測量的功能將詳細解說如下。藉由轉動式λ/4板，以有目標的方式變更通過針孔且由透鏡L準直之光的偏光。在此體現為偏光分光器的分析器，僅傳輸p-偏光至感測器。根據λ/4板的旋轉位置，可從該強度信號明確決定在感測器上出現的強度信號及入射於偵測器單元之光束的偏光狀態。
對於圓形偏光輸入光，感測器記錄圖2B所示的相對強度輪廓為λ/4板在360°旋轉後之旋轉位置的函數。假設有理想的λ/4延遲，則出現測量信號的雙波波動，也就是具有180°旋轉角週期性的測量信號。此對稱性又可稱為雙波或雙重方位角對稱性。這可藉由參考圖2A來瞭解。圖2A以四個彼此相鄰的子圖顯示在所有情況中，在頂部為圓形偏光輸入偏光狀態，其下為以光學晶軸方位表示之λ/4板的旋轉位置，其下為光束在通過λ/4板之後的偏光，及其下為分析器(分光器立方體)傳輸至感測器的這些偏光成分。在此例中，Tp及Ts為分析器對p-偏光及s-偏光所進行的相應傳輸。
λ/4延遲元件將圓形偏光轉換為線性偏光。線性偏光的方位取決於延遲元件光學晶軸的方位。在延遲元件的45°位置處，僅p-偏光出現在延遲元件的出口，延遲元件在感測器產生最大信號。相反地，角度上偏移90°的135°位置處，延遲元件僅傳輸由分析器完全反射的s-偏光，結果沒有任何強度信號出現在感測器處。對應的關係出現位移180°的角度位置處，結果測量信號的純雙波波動出現在延遲元件完整旋轉的過程中。
參考圖3A與3B提出線性偏光輸入光的對應情況。此處圖3A以彼此相鄰的四個子圖顯示在所有情況中，頂部為線性偏光輸入偏光狀態，其下為λ/4板的旋轉位置，其下為光束在通過λ/4板之後的偏光，及其下為分析器(偏光分光器)傳輸至感測器的這些偏光成分。可以看出，線性偏光的強度分布在λ/4延遲元件的90°旋轉之後重複，因而導致信號的四波波動，如圖3B以略圖顯示。
參考圖4A至4E，現將解說更進一步的考量，顯示其中複屈折射測量物件MO位在測量光束路徑中的各種情況。在此例中，各圖根據進入測量物件之測量光束的輸入偏光，以略圖說明偵測器所產生測量信號之雙波部分的形成及變更。就此方面，圖4A顯示其中輸入偏光IN為完全線性的理想化情況。這可例如藉由使用晶體偏光鏡(如，Rochon棱鏡)來達成。測量物件MO的複屈折射率造成稍微橢圓的輸出偏光狀態OUT。根據完全圓形偏光產生純雙波測量信號，而完全線性偏光產生純四波測量信號的情況，在稍微橢圓的輸出偏光情況中，出現的測量信號具有相對較強四波部分(源自線性輸入偏光)，及相對於四波部分的弱雙波部分(源自偏光狀態由於測量物件複屈折射率而出現的少量橢圓率)。
舉例來說，如果因為偏光旋轉器R1未產生理想的λ/2延遲，輸入輻射不是完全線性偏光(圖4B、4C)，則對在通過複屈折射測量物件之後的輸出偏光OUT而言，出現比圖4A更為橢圓形偏光的偏光狀態，結果測量信號再次由強四波部分及相對於四波部分的弱雙波部分組成，然而，雙波部分比理想上線性輸入偏光的情況強(圖4A)。
在這些情況下，對λ/2板下游及測量物件上游之此x-方向中的輸入偏光而言，在λ/2板的第一位置(如，在相對於測量系統座標系統之x-軸的+45。處)，產生如稍微向右的橢圓形偏光。相反地，如果λ/2板旋轉至-45。，則再次產生橢圓形偏光，但在此例中為向左的圓形偏光(參考圖4D，其中將橢圓形偏光狀態指定為OUT)。
在第一個提到的例子中，λ/2板及複屈折射測量物件的橢圓率應彼此互相加強，以形成更為橢圓形的偏光(圖4B)，且在另一個例子(λ/2板的其他旋轉位置)中，這兩個橢圓率至少局部互相彼此補償，致使輸出偏光狀態更接近理想線性偏光狀態(圖4C)。
測量信號中由偵測器單元偵測的雙波部分，在理想線性偏光輸入偏光(圖4A)中比稍微橢圓的輸入偏光(圖4B、4C)強，且從此可以看出為光束產生單元之λ/2板旋轉位置之函數的雙波波動的絕對值或值在180°之後重複。由此進而可見，實際上所求關於測量物件複屈折射率的資訊存在於測量信號的雙波波動。
為了更進一步解說此點，圖4E顯示表示法，說明設定輸入偏光所用轉動式λ/2板的可能錯誤延遲(延遲誤差)，無法在A2信號中產生雙波波動，而是產生單波波動，致使，基於雙波波動的分析，可以區別作用源自於測量物件或源自於與測量系統相關聯的λ/2板。圖4E的表示法代表沒有測量物件之測量系統的關係，其中藉由旋轉真實(即，受到誤差的影響)λ/2板，改變光源的線性偏光(指定為IN)，以產生輸出偏光狀態(OUT)。λ/2板的旋轉位置以不同定向的直線表示。各子圖從左至右顯示在0°及360°之間的不同旋轉位置及相關聯的標稱輸出偏光狀態。根據左邊的子圖，0°的輸出偏光狀態因以下事實而發生：入射光束的偏光方向延伸平行於λ/2板的光學晶軸OA，致使沒有任何延遲效應形成。隨著光學晶軸的傾角增加，由於λ/2板的錯誤延遲所造成的輸出偏光狀態並非精確地線性，而是有點橢圓，這可在45°及90°的輸出偏光狀態中看到。在λ/2板的90°位置處，同樣出現線性偏光輸出偏光狀態，這相對於左邊顯示的第一位置旋轉了180°。在進一步旋轉λ/2板後，再次發生對稱於180°情況之橢圓形偏光的輸出偏光狀態，但這些狀態具有相對於在0°及180°間之偏光狀態的相反掌性。在此申請案引用的記號中，將相反的偏光掌性表示為雙波波動信號A2的正負號變更。由於掌性(chirality)在180°的變更(也就是在右橢圓形偏光及左橢圓形偏光之間的變更)，單波波動，也就是週期360°之A2相同值的重複，出現在底部所示的A2信號中(代表雙波波動)。相反地，布置在下游的測量物件複屈折射率產生雙波波動中的雙波波動，因為測量物件在180°旋轉之後變回自己(180°對稱性)。
下文舉例說明其中可利用此認知，以精確測量本發明具體實施例中複屈折射率之尤其是較小絕對值的方式。
測量系統設計可根據角度參數α的週期調變函數，將測量光束的輸入偏光狀態調變為至少四個不同的測量狀態，以處理與至少四個測量狀態相關聯的偏光測量值，以形成取決於角度參數α的測量函數，以決定該測量函數的雙波部分，然後以分析該雙波部分，從而導出至少一個複屈折射率參數。
舉例而言，輸入偏光狀態藉由以下事實產生：測量光源LS產生線性偏光測量光束，及借助第一偏光旋轉器R1，藉由在測量之間旋轉偏光旋轉器，改變測量光束的偏光方向，致使測量中出現線性輸入偏光的不同測量方位。在此例中，角度參數α對應於第一偏光旋轉器R1相對於參考方向的旋轉角。從感測器SENS的電輸出信號導出測量函數，及因此，在偵測器單元DET的組態中，此測量函數與照射在感測器上的測量輻射強度成正比，也就是可以指定為強度信號。
測量方法及測量系統設計可從感測器測量信號之雙波部分的傅立葉變換(根據第一偏光旋轉器R1的旋轉角變更)，決定測量物件複屈折射率的值。這涉及以測量物件上游偏光之設定方位α為函數，測量雙波部分A2(α)、B2(α)，然後借助快速傅立葉變換(FFT)，將雙波部分傅立葉變換為α。
為了能夠使用在計算時間上比較有利的快速傅立葉變換(FFT)，在測量物件上游，設定在等距離旋轉角距離(360°/2N )處的2N (其中N2)個線性偏光測量狀態，及借助偵測器單元測量輸出狀態的偏光。
下文解說其中從偵測器單元測量信號，決定測量物件複屈折射性質(尤其是複屈折射率絕對值及複屈折射率方位)的方式。以下參數在以下表示法中使用。
利用以下參數，將個別測量之測量系統的組態參數化：PL4：偵測器單元之λ/4延遲板的旋轉角；α：測量光束在進入測量物件前之線性偏光的測量方位(利用第一偏光旋轉器R1設定)。
所求變數為：
PRdb：測量物件複屈折射率的絕對值；
PRa：測量物件複屈折射率的方位(界定參考方向座標系統的偵測器單元的分析器(如，偏光分光器))。
測量系統中的干擾由以下參數描述：
LIdb：偵測器單元之λ/4板上游之透鏡群組L中複屈折射率的絕對值；
LIa：偵測器單元之λ/4板上游之透鏡群組L中複屈折射率的方位；
PTdb：偵測器單元之分析器(偏光分光器)中複屈折射率的絕對值；
PTa：偵測器單元之分析器中複屈折射率的方位；
Tsp：偵測器單元之分析器的消光比，也就是s-及p-偏光分別在偏光分光器之分光器表面之傳輸Ts及Tp的比值。Tsp的值越小，分析器就越有效率。
L4z：偵測器單元中λ/4板的錯誤延遲。
此外，設定輸入偏光時將發生干擾，這些干擾參數化如下：
L2z：在進入測量物件之前，設定不同定向線性偏光狀態之第一偏光旋轉器(λ/2板)的錯誤延遲，測量物件上游線性偏光方位的對應誤差，以旋轉角α參數化。
測量方法的一個變化於是採用根據以下測量規範的程序。
為一系列測量，在測量物件上游，設定在等距離旋轉角距離(360°/2N )處的2N 個線性偏光狀態(測量方位)。舉例來說，根據以下方位：-135°、-90°、-45°、0°、45°、90°、135°、180°，可以設定八個線性偏光狀態。
在偵測器處與這些個別輸入偏光狀態相關聯的測量信號產生取決於旋轉角α的測量函數，在評估單元中處理其測量函數，以決定測量函數的雙波部分，然後分析該雙波部分。為此目的，執行測量函數的第一傅立葉變換，以決定第一傅立葉係數A0(α)及A2(α)。在此例中，指定為「A」的A係數為測量函數的正弦部分，及指定為「B」的B係數為測量函數的餘弦部分。在此例中，係數A0(α)說明對應於測量函數非週期部分之平均值的偏移項，而係數A2(α)是第一雙波波動係數，與測量函數雙波部分的振幅成正比。
之後，再次使資料組A0(α)及A2(α)關於旋轉角度參數α進行傅立葉變換。換句話說，進行週期測量函數的雙傅立葉變換。從A0(α)的傅立葉變換，計算第二傅立葉係數A0_A01(α)。從A2(α)的傅立葉變換，計算第二傅立葉係數A2_A02(α)及B2_A02(α)。在此描述中，A0_A01(α)表示描述偏移項A0(α)之非週期部分之平均值的偏移項，A2_A02(α)表示第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的正弦部分，及B2_A02(α)表示第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的餘弦部分。
一般而言，亦使B2(α)係數再次進行傅立葉變換，即如果偵測器單元中的λ/4板具有不同起始值。只有在起始位置中，λ/4板的光學晶軸平行或垂直於偏光鏡的傳輸方向時，B2才=0。
為了說明之故，還應提到以下內容：在此具體實施例中，第一傅立葉變換有關參數pL4，其說明偵測器單元中λ/4延遲板的旋轉角或旋轉位置。在考量下，對每個測量方位實行此第一傅立葉變換(由λ/2板(第一偏光旋轉器)之旋轉所設定的角度參數α加以參數化)。僅經由為α函數之第一傅立葉變換的結果，也就是α的雙波部分，執行第二傅立葉變換。傅立葉係數A0(α)等為相應位置α處第一傅立葉變換的結果。因此，在此具體實施例中，第一傅立葉變換在偵測器單元中發生，而第二傅立葉變換在偵測器單元外發生。
如果一開始也實行泰勒展開式，則測量函數的此雙傅立葉變換形式產生以下結果(等式(1)至(3))：
B 2_A 02=cos(PT o )sin(PT o )PT db +PR db cos(PR o )sin(PR o )+LI db cos(LI o )sin(LI o )
偏移項A0(α)的第二傅立葉變換造成偏移項A0_A01，可在測量結果的強度標準化中使用。雙波係數A2(α)的第二傅立葉變換造成雙波部分A2_A02及B2_A02，含有關於測量物件複屈折射率的所求資訊。
從等式(1)至(3)可看出，當以此方式執行及評估測量時，第二傅立葉係數的結果不取決於偵測器單元的λ/2板(第一偏光旋轉器，用來設定輸入偏光)及λ/4板的錯誤延遲。這顯示測量方法一開始對測量系統的這些誤差不敏感，藉此增加實際上所求測量值(測量物件的複屈折射率)的精確性。
此外，明顯可見，雙波部分在所有情況中以加法組合，且具有要測量的變數(PRdb及PRa)及測量系統中出現的干擾變數(LIdb、LIa、PTdb、PTa)之完全相同的數學式組合。特別是最後所提方面簡化了在分析期間，分開以下二項：所求的複屈折射率參數(PTdb及PTa)，描述測量物件複屈折射率的絕對值及方位；及干擾變數，源自偵測器單元之光學元件的可能偏光-改變性質，具體是因為透鏡群組L及偏光分光器BS的複屈折射率所造成；因為，在此例中，可以利用沒有測量物件的測量及因而以完全相同的測量方法，決定測量系統對測量結果的作用，即所謂的測量系統部分或測量裝置偏移。換句話說：可從根據以上針對測量物件複屈折射率所指示的測量規範執行一系列測量，但在測量光束路徑中沒有測量物件，決定干擾測量系統的複屈折射率作用，並藉此在分析中納入考量。這可藉由以下來實現：對偏移項A0_A01，標準化雙波係數A2_A20及B2_B20，並減去先前決定及以類似方式從中標準化的裝置部分。在此例中，以下(等式(4)及(5))適用：
在此例中，A2Mn=A2_A02/A0_A01指定測量系統及測量物件之組合的標準化測量值，及A2Gn=A2_A02/A0_A01指定沒有測量物件之測量的標準化測量值，也就是測量系統單獨的標準化測量值，也就是說其中PRdb=0。
此外，如果上述等式(4)將左側指定為「A」，及等式(4)下的等式(5)將左側指定為「B」，則以下(等式(6)及(7))適用於所求複屈折射率參數PRdb及PRa：
使雙波波動的絕對值加倍，因此直接得到所求的測量物件複屈折射率。複屈折射率方位得自B/A比值的反正切(arc tangent)。
此新穎測量方法具有極高的測量精確性，尤其是對於相對較小的複屈折射率，例如可在10 nm或以下、或5 nm或以下的範圍中。可以達成0.5 nm或以下，尤其是0.4 nm或以下或0.3 nm或以下的測量精確性
藉由供應複屈折射率偏移，如，將具有已知複屈折射率的平面板或曲線板引入測量光束路徑中，可以高精確性，測量具有較大複屈折射率(如，具有在顯著多於10 nm或多於20 nm或多於50 nm或以下之範圍中的值)的測量物件。在此例中，將平面板或曲線板的複屈折射率選成引起整體測量光束的總體延遲，結果僅留下相對較小、且因此很快可測量的殘餘複屈折射率值，然後決定複屈折射率值。
以下測量精確性估計證明測量的高精確性。為了估計測量方法的期望測量精確性，模擬測量，及評估所測量及所預定之測量物件複屈折射率值間的偏差。假設測量系統具有以下代表值。
借助延遲誤差3 nm的λ/2板，設定測量物件上游的線性偏光。關於偏光旋轉器之錯誤角度定位的精確性，假設常態分布的定位誤差為±0.5°。假設一系列測量具有輸入偏光在旋轉角空間α中為等距離的八個測量方位。偵測器單元之λ/4板的延遲誤差固定為3 nm，λ/4板上游之透鏡群組L的複屈折射率作用固定為0.5 nm，分析器(偏光分光器)的複屈折射率作用固定為1 nm，及分析器的消光比(extinction ratio)固定為0.3%。在光束產生側上，假設常態分布的雷射信號雜訊具有σ值為0.5%，及對360°旋轉而言，每偏光測量的支持點數為64。
在模擬測量的第一步驟中，從五個測量決定系統部分(測量裝置偏移)，以提供平均值。之後，在模擬20個個別測量之前，在第二步驟中預定要測量的複屈折射率，及在第三步驟中執行其統計評估。其結果參考圖5至7加以解說。圖5顯示對0°方位而言，針對複屈折射率絕對值，測量平均測量誤差(也就是測量方法的品質)，其中x-軸指示測量物件的預定複屈折射率BR(單位：奈米)，及y-軸指示所測量的平均或與所要值的期望偏差ΔBR(單位：奈米)。偏差的偏移隨著上升的複屈折射率值二次地增加至第一近似值。測量值(1σ)的變動無關於預定複屈折射率，相對較恆定，及總計為大約0.05 nm。偏移的二次增加不為任何原理所支配，而是實質上因以下事實所造成：對上文解說的評估而言，一開始僅進行展開式。對精細分析而言，可對應地減少偏移。
圖6顯示對複屈折射率絕對值4 nm而言，複屈折射率方位的平均期望測量誤差(也就是測量方法的品質)。x-軸指示複屈折射率的預定方位ORI(單位：度)，及y-軸顯示與所要值的平均測量偏差ΔORI(單位：度)。線圖強調顯示，平均上方位決定正確，方位誤差(1σ)大約0.6°。
圖7實質上顯示決定複屈折射率絕對值的結果不取決於方位。圖7中，標繪與所要值的平均所測量或所模擬偏差ΔBR(單位：奈米)，對照樣本複屈折射率的預定方位ORI(單位：度)，其中假設複屈折射率絕對值為4 nm。
此模擬顯示，對偵測器單元中的典型誤差而言，及對輸入偏光的設定而言，可以達成以下測量精確性：複屈折射率絕對值(對複屈折射率絕對值小於5 nm而言)大約0.1 nm(1σ)，及複屈折射率方位的方位誤差±0.6°。
此測量方法的一個主要優點是，此測量方法到第一近似值，對於源自設定測量物件上游之輸入偏光之延遲元件的誤差不作出反應，且因此不需要達成完美延遲的延遲元件，以同樣仍能獲得較小誤差的高度精確測量結果。此外，此測量方法對於由偵測器單元之透鏡或透鏡群組L的可能複屈折射率作用所引入的誤差並不敏感。相形之下，如果測量時使用具有相對較大光束角度範圍的測量光束，其他測量方法(其中此類複屈折射率作用將影響可能的測量誤差)一般都需要測量誤差的較大方向-相依校正。
參考圖8A與8B解說的測量方法具體實施例，對以複數個串聯的光學組件構成的測量物件而言，可以在少量的測量週期中，執行個別組件之複屈折射率的分開測量，而不必為此目的執行個別組件的分開測量。事實上，組件可留在組裝以準備操作的配置中。
在此方法變化中，連續執行兩個測量週期，其中在不同測量組態中使用測量系統。在第一測量(對於對應的參數而言，及在圖8A與8B中，下文以縮寫「M1」表示)中，如上文所述的測量光束被導引通過第一光學組件，然後再通過第二光學組件，光學組件間之測量光束的偏光狀態並未改變。第一測量因此對應於圖1中測量物件MO的上述測量。
對於第二測量(圖8B)，將90°偏光旋轉器ROT引入光學組件CO1、CO2間的測量光束路徑中。對圖1的測量系統而言，為此目的，利用指派的控制裝置CR3，將90°偏光旋轉器R3引入組件CO1及CO2之間。在第二測量期間，在通過第一光學組件之後及在進入第二光學組件之前，測量光束的偏光狀態藉此旋轉90°。第一及第二測量的順序可如所述或顛倒。第二測量的參數在下文以縮寫「M2」表示。
在兩個測量結束之後，聯合評估藉此獲得的測量函數。原則上，根據上文已經說明的相同測量規範，執行每個測量。尤其，對於每個測量，可以在所有情況中，以等距離旋轉角距離，設定2N 個線性偏光輸入偏光狀態，例如八個線性偏光狀態。以類似於上述的方式，從中決定第一傅立葉係數A0_M1(α)、A0_M2(α)、A2_M1(α)、A2_M2(α)。
對於第一測量，以下等式(8)至(10)因此成立：
B2_402_m1=FI db cos(FI a )sin(FI a )+PT db sin(PT a )cos(PT a )+FLG db cos(FLG a )sin(rLG a )+LI db cos(LI a )sin(LI a )
相比之下，對於第二測量，以下等式(11)至(13)成立：
B 2_A 02_M 2=FI db cos(FI a )sin(FI a )-PT db sin(PT a )cos(PT a )-FLG db cos(FLG a )sin(FLG a )-LI db cos(LI a )sin(LI a )
等式中使用的參數對應於結合等式(1)至(7)已使用的參數。
如果將測量1的標準化正弦雙波波動指定為：
A2M1n=A2_A02_M1/A0_A01_M1
將測量2的標準化正弦雙波波動指定為：
A2M2n=A2_A02_M2/A0_A01_M2
將測量1的標準化餘弦雙波波動指定為：
B2M1n=B2_A02_M1/A0_A01_M1
將測量2的標準化餘弦雙波波動指定為：
B2M2n=B2_A02_M2/A0_A01_M2
則以下等式(14)至(17)的集合得自總和及分別關於以上等式的差形成：
明顯可從這些等式獲得以下結論。第一測量及第二測量之雙波波動的和僅含有關於第一光學組件CO1之複屈折射率的資訊。第二光學組件的部分以及還有源自測量系統的系統部分在第一近似值中消失。這很清楚地可以瞭解，因為第二組件CO2及系統部分的複屈折射率作用對第一測量而言，促成具有特定正負號的測量結果，且對第二測量而言，這些作用影響具有相反正負號的測量結果，包含在第一及第二光學組件間之偏光狀態的90°旋轉，且因此這些作用在總和的過程中，在第一近似值中消失。
相比之下，第一測量及第二測量的雙波波動之間的差僅含有第一組件CO1及測量系統的複屈折射率部分。這也很清楚，因為第一組件CO1及總系統二者對測量結果的作用，並未因在第二測量期間引入90°偏光旋轉器R3而變更，因此在差形成的過程中消失。
因為公式及等式(14)至(17)具有對應等式(4)至(7)的相同結構，及兩個光學組件CO1及CO2產生分開的等式對，可按照已經說明的類似方式，找到複屈折射率參數(複屈折射率的絕對值及方位)的解答。
在此應提到一個特定優點：不用事先校準系統部分，即可決定第一光學組件CO1的部分，因為在總和的過程中，系統部分消失(除了分析器之消光比Tsp的作用外，其可利用分開測量很快地及確切地決定)。
運用此原理，現在顯然可以在兩個測量之間，直接在偵測器單元上游，藉由執行偏光狀態的90°旋轉，執行總系統(第一光學組件CO1及第二光學組件CO2)的(除了分析器之消光比Tsp的作用外)無校準測量。以此方式，可以直接在測量系統執行間接校準，而不用其他結構。
實際上，這可藉由以下來達成：對偵測器單元DET提供上游輔助光學元件，使測量輻射在進入偵測器單元之前，引入用於測量輻射的另一個90°偏光旋轉器。為了簡化之故，圖1僅圖解90°偏光旋轉器R4(第三偏光旋轉器)，其視情況在測量物件及偵測器單元之間，可利用指派的控制裝置CR4，引入測量光束路徑中或從測量光束路徑中移除。倘若以允許引入或移除的可變更方式，將第三偏光旋轉器整合至偵測器單元的上游輔助光學元件，則從頭到尾均可使用該上游輔助光學元件進行測量，或可以僅為了校準測量系統部分的目的，將該上游輔助光學元件引入測量光束路徑中。
以下參考圖9至11，說明多組件測量物件之較小複屈折射率作用的測量-系統-獨立測量(即，第一階(first order)不取決於測量系統誤差的測量)的測量程序。為此目的，圖9至11以略圖顯示測量物件MO，在傳輸方向(箭頭)中，包含：按某距離在設置彼此之後兩個光學組件或模組CO1及CO2，以及還有測量系統特別有關的部分，即偵測器單元DET、裝在測量物件及偵測器單元之間的上游輔助光學元件OP，且還有90°偏光旋轉器R4，可視情況引入測量光束路徑中或從中移除，以及還有第二偏光旋轉器R3，視情況可引入組件CO1及CO2之間或從中移除。
圖9顯示第一測量的測量組態，在組件CO1、CO2之間的區域中沒有90°偏光旋轉器，且在上游輔助光學元件中沒有90°偏光旋轉器。借助在測量光源及測量物件之間的λ/2板，設定線性輸入偏光之2N 個相對於彼此位在等距離旋轉角距離(例如45°)的不同輸入偏光狀態。
在圖10顯示的第二測量期間，90°偏光旋轉器R3位在第一組件CO1及第二組件CO2之間的測量光束路徑中，而上游輔助光學元件的90°偏光旋轉器仍然撤出測量光束路徑。在此例中，同樣地，設定對應於第一測量的輸入偏光狀態數量，及決定每個偏光狀態的測量信號。
在第三測量期間，如圖11所圖解，且在本例中，僅用於裝置校準，也就是僅用於校準測量系統，第二偏光旋轉器R3位在測量光束路徑外，而第三90°偏光旋轉器R4設置在測量光束路徑中的上游輔助光學元件中。
從第一測量及第二測量，藉由加總，獲得第一組件CO1中的複屈折射率分布(CO1db、CO1a)。對此，以下等式(18)及(19)成立：
如果上面等式(18)將左側指定為A12，及下方等式(19)將左側指定為B12，則可從等式(6)至(7)(見上文)，藉由將PRdb=CO1db、PRa=CO1a、A=A12及B=B12列入等式，直接導出解答。
測量系統部分，也就是測量裝置的部分，可從第一測量M1及第三測量M3藉由差形成獲得，其中以下等式(20)至(21)及定義(22)及(23)成立：
在減去剛決定的測量裝置部分之後，根據以下等式(24)、(25)，另外可從第一測量M1及第二測量M2間之差形成，獲得第二光學組件CO2中的複屈折射率分布：
在減去裝置部分A23nG及B23nG之後，以下(等式(26)及(27))適用：
這些等式(26)至(27)呈現類似於上文的形式，且因此針對CO2db、CO2a進行解答。
接下來，如果第一等式(26)將左側指定為A12_，及第二等式(27)將左側指定為B13_，則可從等式(6)及(7)，藉由將A=13_及B=B13_列入等式，直接導出解答。
由於第一光學組件CO1及偵測器單元二者僅引起複屈折射率參數的一個偏移，在測量場中心僅需要全部三個測量。
對於在要測量之場中的所有其他場點，連同場中心之第一測量M1及第三測量M3的結果，從第二測量M2決定第二組件CO2的複屈折射率分布。
以下結合微影投射曝光裝置之組件及子系統中的複屈折射率測量，解說其他示範性具體實施例及應用。
圖12顯示微影投射曝光裝置WSC的範例，其可在製造半導體組件及其他精細結構化組件中使用，且用深紫外線範圍(DUV)的光或電磁輻射操作，以獲得解析度向下到達微米的若干分之一。具有操作波長大約193 nm的ArF準分子雷射用作主光源LS，該雷射的線性偏光雷射光束關於照明系統ILL的最佳軸AX，同軸地耦合至照明系統中。同樣也可以使用其他的UV雷射輻射源，例如，具有操作波長為157 nm的F2 雷射，或具有操作波長為248 nm的ArF準分子雷射。
光源LS的偏光首先進入擴束器EXP，擴束器例如用於減少相干性及放大光束橫截面。擴展的雷射光束進入瞳形成單元PF，其含有多個光學組件及群組，設計可在照明系統ILL的下游瞳形成表面PFS產生界定的局部(二維)照明強度分布，有時又稱為次要光源或「照明瞳」。瞳形成表面PFS為照明系統的瞳表面。
按可變化的方式設定瞳形成單元PF，致使可根據瞳形成單元的驅動，設定局部照明強度分布(也就是不同結構化的次要光源)。經由圖12中的範例，以略圖顯示圓形照明瞳的各照明，即具有中心圓形照明點的習用設定CON、雙極照明DIP或四極照明QUAD。
光柵元件FDE直接設置接近瞳形成表面PFS。設置在該光柵元件下游的耦合光學元件INC，將光傳送至中間場平面IFP，其中設置光罩/遮罩系統MA，用作可調整的場光闌。光柵元件FDE又稱為場-界定元件，具有繞射或折射光學元件的二維配置，及將進入輻射塑造成在通過下游耦合光學元件INC之後，在中間場平面IFP區域中，照明矩形照明場。另外藉由局部光束的重疊使輻射均質化，致使FDE用作場定型及均質化元件。
下游成像物鏡OBJ(又稱為REMA物鏡)用場光闌MA，將中間場平面IFP成像至光罩M(遮罩，微影原型)上，比例例如在2:1及1:5之間，及在此具體實施例中大約1:1。
接收雷射LS的光並從光形成照明輻射(該照明輻射被引導至光罩M上)的這些光學組件，屬於投射曝光裝置的照明系統ILL。
設置在照明系統下游的是固持及操縱光罩M的裝置RS，致使設置在光罩上的圖案位在投射物鏡PO的物體平面OS中，並可借助掃描驅動器，在垂直於光軸AX(z-方向)的掃描方向(y-方向)中，在掃描器操作的該平面中移動。
在光罩平面OS下游有投射物鏡PO，用作縮小物鏡，及按照縮小的比例，例如比例1:4或1:5，將設置在遮罩M上之圖案的影像成像至晶圓W上，該晶圓塗有光阻層，及該晶圓的感光表面位在投射物鏡PO的影像平面IS中。可以使用折射、折反射或反射投射物鏡。也可以使用其他的縮小比例，例如高達1:20或1:200的更大縮放比。
要曝光的基板，舉例而言，為半導體晶圓W，由包含掃描器驅動器的裝置WS固持，以垂直於光軸與光罩R同步地移動晶圓。根據投射物鏡PO的設計(如，折射、折反射或反射，不含中間影像或具有中間影像，摺疊或未摺疊)而定，這些移動可彼此平行或反平行地實現。裝置WS，又稱為「晶圓台」，及裝置RS，又稱為「光罩台」，均為掃描器裝置(利用掃描控制裝置控制)的部分。
瞳形成表面PFS所在位置或所接近的位置，與最近的下游瞳表面P'且與投射物鏡PO的影像側瞳表面PS為光學共軛。因此，投射物鏡之瞳PS中的空間(局部)光分布，由照明系統之瞳形成表面PFS中的空間光分布(空間分布)決定。位在瞳表面PFS、P'、PS之間，在所有情況中，在光束路徑中有場表面，為相對於相應瞳表面的傅立葉-變換表面。這尤其表示了瞳形成表面PFS中，界定的照明強度空間分布，在下游場表面IFS的區域中產生照明輻射的特定角度分布，這又對應於入射在光罩M上之照明輻射的特定角度分布。
在圖13A、B及C中以略圖顯示瞳形成單元PF之具體實施例的組件。進入的擴展雷射輻射束LB在蠅眼聚光器(蠅眼透鏡)FEL的方向中，由平面偏轉鏡M1偏轉，平面偏轉鏡M1將到達的輻射束分成局部照明光束，其後再傳送通過傅立葉光學系統FOS，到達透鏡陣列LA上，也就是到透鏡系統的二維陣列配置上。透鏡陣列LA將局部照明光束PB集中到多鏡配置LMD(多鏡陣列，MMA，亦顯示在圖13B及13C中)之可個別驅動的鏡元件上。多鏡配置在此操作為反射光調變裝置，以可控制的方式改變入射於光調變裝置上之輻射束的角度分布，及利用其個別鏡MM的方位，提供用於可借助多鏡配置界定及在瞳形成表面PFS中疊加的照明角度分布，以在此瞳表面中形成強度分布。安裝至共同支撐元件SUP上之多鏡配置的個別鏡MM，可繞著一或多個軸傾斜，以改變照射之局部照明光束PB的傳播角度。從個別鏡MM發出的局部照明光束通過擴散屏ST，然後利用下游聚光器光學元件COND成像至瞳形成表面PFS中。透鏡陣列LA及/或微鏡配置LMD實質上以本申請人之名的US 2007/0165202 A1中所述的方式構成。該專利申請案中就此方面的揭露內容以引用方式併入本說明書內容中。也可以使用透射光調變裝置。
在生產此類投射曝光裝置的組件時的一個工作在於，例如，分開決定為形成下游耦合群組INC之照明瞳及複屈折射率所提供之裝配件PF及FDE的複屈折射率，舉例來說，以便透過交換或調整個別元件，能夠達成總配置的複屈折射率作用不會超過預定容限的效應。為此目的，將要測量的光學組件，在投射曝光裝置操作期間也會用到的配置中，安裝至複屈折射率測量系統的測量物件支架中，並在此組態中進行測量。在此例中，瞳形成單元PF及場-界定元件FDE的組合，形成第一光學組件CO1；及設置其下游某個距離的耦合群組，形成第二光學組件CO2(參見圖1)。測試設備的光源LS用作測量系統的光源。測量系統另外包含形式為半波板的第一偏光旋轉器R1，在擴束器EXP及瞳形成單元PF之間引入光束路徑中，且其安裝致使可繞著照明系統的光軸旋轉。此外，提供第二90°偏光旋轉器R3，其視情況可借助變換裝置，引入在第一光學組件CO1及第二光學組件CO2之間的光束路徑中，或從此位置中移出。對此測量配置而言，測量系統的偵測器單元DET設置成針孔PH，也就是偵測器單元的進入開口，位在耦合群組後的中間場平面IFS中。為進行上述校準，還可提供第三90°偏光旋轉器R4，其視情況可引入在第二光學組件CO2及偵測器單元DET的入口間之區域中的測量光束路徑中，或從該測量光束路徑中移除。此測量設備實質上類似結合圖1所述的測量設備，第一光學組件CO1由瞳形成單元及場-界定元的組合件形成，及第二光學組件CO2由耦合群組形成。
如已經提到的，偵測器單元可進行高角度解析度的角度解析偏光測量。此外，利用用作傅立葉透鏡群組的耦合群組，將瞳形成表面中強度的空間分布，轉換成其中偵測器單元之針孔PH所在之中間場平面的對應角度分布。因此，借助測量設備，可執行瞳-解析複屈折射率測量。就此方面，請參考上述各種測量方法的描述。
也可以在成像物鏡OBJ下游設置偵測器單元，致使偵測器單元的進入表面位在光罩平面OS中。在此例中，成像物鏡OBJ的複屈折射率作用也會影響測量，及可藉由對應地定位視情況可插入之90°偏光旋轉器，與另一個組件的作用分開決定。
測量系統的具體實施例亦可用來測量組裝以準備操作之投射曝光裝置上的複屈折射率。在一項具體實施例中，將測量系統整合至投射曝光裝置中。示範性具體實施例，同樣參考圖12加以解說，具有偵測器單元DET，可在投射物鏡影像平面的區域中，設置取代要曝光的晶圓，致使具有針孔之偵測器單元的進入平面位在投射物鏡影像平面中，且可垂直於投射物鏡光軸而位移，以測量該平面中的不同場點。借助此整合測量系統，現在例如可以在投射曝光裝置操作期間，在計量上偵測光罩(遮罩M)的複屈折射率。例如在所有情況中，可在光罩變更之後，進行對應的測量，以確保光罩的複屈折射率不會超過程序所預定的上限，及/或以獲得複屈折射率分布的資料庫，以利用對應的補償機構，補償光罩之複屈折射率的影響。
原則上，可類似於結合圖8至11所述程序，執行投射曝光裝置中安裝之光罩的複屈折射率測量。在此例中，要測量關於其複屈折射率的光罩對應於第二組件CO2。對此方法而言，投射曝光裝置具有兩個變換裝置，以視情況將90°偏光旋轉器插入光束路徑中或從中移除。第一變換裝置設計可將第一90°偏光旋轉器插入在照明系統輸出及光罩之間的空間A中。第二變換裝置設計可視情況將第二90°偏光旋轉器插入在光罩及投射物鏡之間的空間B中。此外，照明系統含有λ/2板，其視情況可插入照明光束路徑中，且在插入位置中，可繞著照明系統的光軸旋轉，以設定測量的輸入偏光狀態(對應於圖1的轉動式λ/2板R1)。
為測量光罩的複屈折射率，亦可將偵測器單元修改成不測量瞳，而是直接測量場。為此目的，偵測器單元可設置成光罩場的光分布入射在感測器區(如，CCD晶片)上。為此目的，感測器區可設置在如投射物鏡的影像平面中，投射物鏡的影像平面與投射物鏡的物體平面(其中設置要測量的光罩)為光學共軛。具有較大表面的光罩可以此方式掃描，藉此比掃描個別場點的測量，縮短了測量時間。
對於光罩上的複屈折射率測量，首先設定照明系統的瞳形光罩成單元PF，致使習用的照明設定具有極低的相干度，致使照明強度出現在實際上僅在直接接近光軸的瞳形成表面PFS中。相干度σ在此界定為照明系統之輸出側數值孔徑對下游投射物鏡之輸入側數值孔徑的比值。σ值如可小於0.2，或小於0.15或0.1，或小於0.1。視需要，亦可插入針孔隔板，以獲得位在瞳形成表面PFS之光軸上的單一準點型次要光源。以此方式產生由以最大可能程度準直之測量光組成的測量光束，該測量光束被導到光罩上。準直的光束路徑具有實質垂直光入射在光罩上，允許精確設定光罩處的輸入偏光狀態，因為輻射通過用於設定實際上專門平行於光軸的光學偏光組件，且因此，僅出現非常小的角度負載及與其相關聯的延遲誤差。
對於以下說明的每個測量，藉由旋轉照明系統中的λ/2板，產生至少四個對應於線性偏光不同方位的不同輸入偏光狀態。
在照明系統及光罩之間的區域A中沒有90°偏光鏡，以及還有在光罩及投射物鏡之間(區域B)沒有90°偏光旋轉器的情況下，執行第一測量。借助照明系統中的λ/2板，設定2N 個不同的線性輸入偏光狀態。
對於第二測量，將第一90°偏光旋轉器插入照明系統及光罩之間(區域A)的測量光束路徑中，而提供用於光罩及投射物鏡間之區域B的第二90°偏光旋轉器，仍然撤出測量光束路徑。在此組態中，同樣地，設定對應於第一測量的輸入偏光狀態數量，及決定每個偏光狀態的測量信號。
對於第三測量，從照明系統及光罩間的空間A中移除第一偏光旋轉器，及將第二90°偏光旋轉器插入在光罩及投射物鏡之間的空間B中。在此組態中，同樣地，再次設定對應於第一測量的輸入偏光狀態數量，及決定每個偏光狀態的測量信號。
類似於結合圖8至11的解說，從第一測量及第二測量的總和，獲得照明系統位在λ/2板(對應於其中第一組件CO1)下游之組件中的複屈折射率分布。測量系統部分，也就是測量系統的部分，在本例中同樣包含投射物鏡PO，係從第一測量及第三測量的差形成獲得。
最後，在減去剛決定的系統部分(測量裝置及投射物鏡)之後，從第一測量及第二測量間之差形成，獲得光罩中的複屈折射率分布。
測量方法的測量精確性可因所使用測量光的強度變動而降低。以下解說偵測能量參考及因此校正此類強度變動效應的可能性，這在測量系統背景中，可在技術預算支出內實現。就此而言，投射曝光裝置中照明系統組件的瞳-解析偏光測量範例尤其具有指示性。在結合圖12及13所述類型的照明系統中，主光源的雷射光入射在多鏡陣列(MMA)上，其個別鏡分別可獨立於其他個別鏡，在較小角度範圍中移動，致使透過個別鏡之角位置的組合，可以設定反射輻射的所要角度分布，及因此設定照明系統瞳平面中所要的空間分布。
在此測量期間的一個問題是，多鏡陣列之鏡上的強度分布可在個別雷射脈衝的時間刻度上，及在若干微鏡的長度刻度上變動。變動可介於如±10%。在此空間解析光調變裝置中，因為個別元件(微鏡)僅照明瞳的一小部分，多鏡陣列的強度變動直接轉換為瞳平面中的位置-相依強度變動。
強度變動實質來自結合光束饋送中混合效應的雷射輪廓及雷射角度的變動，且實質上歸因於相干雷射輻射的自我干擾。圖14經由範例顯示基於分別在不同時間點t1及t2出現的兩個不同局部強度分布I1及I2，瞳表面中的相對強度I對位置X的相依性。
瞳-解析偏光測量因此出現以下問題。照明系統之角度-相依偏光性質(或偏光在瞳上的分布)的測量是利用角度解析偵測器，在場平面(例如光罩平面或中間場平面)中，進行輻射強度測量。如果瞳上的強度分布在瞳中的空間解析測量期間變更，則這表示測量的干擾，如果不適當監控強度變動及在偏光測量的評估中加以考慮，將導致測量精確性降低。
藉由以下方法可建立能量參考：執行參考強度信號的時間-相依偵測，參考強度信號與測量光源發出的測量光強度成正比；及使用偏光測量信號對參考強度信號的標準化，以決定標準化偏光測量信號。
參考圖15A-15C解說能量參照之一個變化的一般原理。此變化的一個必要方面在於，借助複屈折射元件或某些其他分光裝置，將光源的強度-變動光分成兩個彼此垂直偏光的局部光束，致使兩個局部光束同時照射在相同感光感測器(如，CCD晶片)的不同位置上，及在偏光測量期間一起記錄下來。較佳是構成測量配置致使兩個正交偏光的局部光束通過中間系統，橫越感測器處分離位置及照射位置間之光學偏光及/或幾何圖形相似路徑。在這些條件下，局部光束由於系統中可能的偏光-影響元件，經歷大約相同的偏光變更，致使局部光束仍以相對於彼此大約正交偏光的方式到達偵測器單元。在這些假設下，感測器區上兩個信號的和與每個時間點的總光源能量成正比，且因此可用作參考能量信號。
就此方面，圖15A顯示的光源LS在時間t的過程中應具有強度變動，也就是根據圖15B之相對強度I的變動。在光源下游的光束路徑中，有延遲器RET，例如小型延遲板或偏光鏡或去偏光鏡，以在後續複屈折射元件SP上游，設定輻射偏光，致使在複屈折射元件SP下游，常射線O及異常射線AO二者均帶有適於評估的光能數量。已按此方式分離的測量輻射，接著通過可引起偏光變更的測量物件MO。因為兩個局部光束通過測量物件的路徑相似，經歷偏光之實質相同的相對變更。測量物件例如可以是投射曝光裝置的照明系統，或此類照明系統的個別模組，或照明系統或某些其他光學系統的個別元件。在通過測量物件之後，兩個局部光束到達偵測器單元DET，偵測器單元DET可用以下構成：轉動式λ/4延遲板R2及偏光分光器BS(體現為分光器立方體)，以及還有按參考圖1所述方式的區域感測器SENS。
直接照射在感測器區的局部光束彼此並排，及在此例中，形成第一照明點或光點SP1(如，用於常射線)及第二照明點或光點SP2(如，用於異常射線)。圖15C顯示測量時間中不同時間點之光點中的相對強度。在此例中，第一光點及第二光點之強度的和，如圖15C中以略圖所示，實質與根據圖15B的雷射能量變動成正比。總和信號因而可用作偏光測量信號標準化的能量參考。
此特定類型能量參照的功能原理解說如下。因分離產生之局部光束的兩個互相正交偏光狀態在加總時產生未偏光。因為偵測器單元獨立於延遲板的旋轉位置之外，因應未偏光產生與雷射能量成正比的恆定信號，兩個局部光束強度的和，由於評估軟體區域中的不相干總和，產生實質與光源(可能變動)強度成正比的信號。
如果已知複屈折射元件SP相對於測量物件座標系統的方位，則另外可從第一光點SP1及第二光點SP2之兩個強度的比值，推論分別在常射線及異常射線之偏光方向中的偏光部分。如果此資訊另外耦合至延遲板R2的旋轉位置，則亦可從不同旋轉位置處的強度比值，分別推論輻射的未偏光及偏光部分。
原則上，設置在光源與複屈折射元件間之延遲元件RET(如，λ/4板)及用於分光之複屈折射元件SP的組合再次成為偏光測量系統，可用來測量來自光源之輻射的偏光分布。結合空間指派，可進行偏光分布的有限空間解析測量。可使用此種系統偵測如設置在投射曝光裝置之雷射光源與照明系統間之光束傳遞系統的光學偏光性質。
結合圖12及13參考圖16，將解說在測量其瞳形成單元中具有多鏡陣列MMA之照明系統的組件時，此能量參照的可能實施。就此方面，圖16顯示圖13A以略圖顯示之瞳形成單元的片段。系統之此部分包含多鏡陣列MMA及上游透鏡陣列FOC，FOC為聚焦陣列，用來將擴展雷射光束分成局部光束PB，PB然後照射在鏡配置MMA的個別鏡上。將複屈折射元件SP引入在聚焦陣列與鏡陣列之間的光束路徑中。由延遲元件RET將照射在聚焦陣列上的光束偏光設定成在考慮複屈折射元件SP之光學晶軸OA的方位下，由聚焦陣列產生的局部光束被分成在所有情況中彼此垂直偏光的局部光束PB1及PB2。為了進行測量，接著在所有情況中，將兩個相鄰的個別鏡MM1、MM2設定成分別將兩個具有正交偏光的局部光束PB1、PB2，直接彼此並排地成像於瞳形成表面PFS中。在成對加總時，這些局部光束的強度產生關於雷射LS之強度變動的所求資訊。在此例中，有利地將評估執行成在所有情況中，形成直接相鄰地照射之具有正交偏光之局部光束的和，因為這兩個局部光束橫越實質相同的光學路徑，且還經歷實質相同的強度變動。
因為聚焦陣列FOC之個別透鏡或個別光學通道的數目一般對應於多鏡陣列MMA之個別鏡的數目，為了分別將光學通道的輻射集中在個別鏡上，為此測量，準備在聚焦陣列上游使用光柵隔板，將到達光束分離成僅每第二個微透鏡用於偏光測量。
藉由設置其進入平面在光罩平面(照明系統的出口平面，在操作期間，與投射物鏡的物體平面相同)中之測量系統的偵測器單元DET，可在已經組裝以準備操作的照明系統上執行測量。測量可按已經說明的方式來執行。
將測量光束分成兩個彼此垂直偏光的局部光束(其分離係提供用於能量參照)，可借助不同分光裝置來執行。因此，例如，亦可使用偏光分光器取代複屈折射元件。分成局部光束也不一定要在測量物件上游或測量物件中的光路徑中進行。事實上，分成正交偏光的局部光束亦可在通過測量物件之後實行，尤其是還在偵測器單元中。以下結合圖17及18解說此方面的一些範例。
圖17A顯示偏光測量系統之偵測器單元DET的略圖，該偏光測量系統可用來測量光學元件、組件或系統之複屈折射率。偵測器單元的基本組件，尤其是具有進入開口(針孔PH)的遮罩M、透鏡L、轉動式延遲元件RT、偏光分光器BS(分析器)及感測器(SENS)，對應於圖1具體實施例的對應指定組件，因此將參考圖1中的描述。
此外，在分光器BS之側，從分光器表面反射的輻射首先出現於此，其中設置λ/4板R6及高度反射平面鏡PM1，其鏡面垂直於偵測器單元的光軸，該光軸在分光器表面BSS處摺疊。在分光器的對側，提供另一個λ/4延遲板R7，且還提供另一個高度反射平面鏡PM2，其平面鏡面在感測器的方向中，相對於另一個平面鏡PM1的平面鏡面或相對於光軸稍微傾斜。
在此配置中，偏光分光器BS用作分光元件，產生兩個局部光束為彼此垂直偏光，並彼此並排地直接照射在感測器SENS的感測器區上。在此例中，其功能如下。首先，由透鏡L準直的測量光束進入分光器BS，然後由分光器表面BSS分成具有p-偏光的局部光束(偏光方向平行於入射在分光器表面上的平面)，然後通過到達感測器SENS，及分成s-偏光局部光束，再由分光器表面反射。反射的局部光束在第一平面鏡PM1的方向中，從偏光分光器出現，由於λ/4板取得圓形偏光，然後在平面鏡處反射，及在重複通過λ/4板之後且因而總延遲為λ/2，具有旋轉90°的偏光方向，結果現在成為相對於分光器表面的p-偏光。再次進入分光器的p-偏光光束接著從分光器表面傳輸至對側，並在對側上從分光器出現。在通過λ/4板R7之後，現在的圓形偏光光束在傾斜平面鏡PM2處反射成反射光束在感測器的方向中，相對於入射光束稍微傾斜。在重複通過λ/4板R7之後，s-偏光接著出現，致使光束接著在感測器區的方向中，從分光器表面反射。設定平面鏡PM2相對於導到該鏡上之光束入射方向的傾斜角，於是，致使因多次反射而導到感測器的局部光束，以相對於直接傳輸的局部光束橫向偏移的方式，與該直接傳輸的局部光束並排地照射在感測器區上。
對此配置而言，雖然局部光束在偏光-選擇性分光之後橫越不同幾何路徑(一個局部光束直接傳輸至感測器，及另一個在平面鏡面處多重反射)，但只要多重反射的局部光束整體相對於直接傳輸的局部光束，僅經歷正好一個波長的相位延遲，光束路徑均相同或光學偏光等效。
在圖17A之略圖的變化中，可以設定測量光束通過照明系統的光束直徑，致使以相對於彼此橫向偏移的方式照射在感測器SENS上的局部光束不會重疊，而是以彼此並排偏移且無重疊的方式照射。舉例來說，為此目的，利用照明系統，可以只用一個相對於光軸位置為離心的極點，產生極大部分未滿的照明瞳。然後，可在感測器SENS的感測器區，建立諸如圖17B以略圖顯示的情況。此圖在左側顯示由直接通過之局部光束形成的第一光點SP1，及在右側顯示由多重反射局部光束形成的第二光點SP2。
以對應的方式，在照明系統測量期間，借助多鏡陣列MMA，可根據照明瞳的較精細光柵，將測量光束分成較多數量的局部光束，然後進入偵測器單元，及在感測器SENS上，形成位置彼此直接並排之光點SP1、SP2的更精細光柵，在所有情況中，光點之一源自具有s-偏光的局部光束，及另一個光點SP2源自具有相對於s-偏光之正交偏光的局部光束。在評估期間，為了能量參照，較佳是接著評估在所有情況中，位置直接彼此並排之光點SP1、SP2的強度。
圖18顯示偵測器單元DET的部件，其中複屈折射分光元件SP設置在感測器區SENS上游。給定該元件光學晶軸的對應方位，如左側以略圖顯示，複屈折射元件SP將導至感測器的輻射，分成彼此垂直偏光的局部光束。微透鏡陣列ML設在複屈折射元件及感測器之間，及將通過的光束分成對應於照明微透鏡數目的若干局部光束，及在感測器區上形成兩個彼此垂直偏光之局部光束部分的每個局部光束光點。在此具體實施例中，微透鏡陣列ML可實行瞳光柵的功能，致使即使在要測量的測量物件中沒有多鏡陣列，也可以進行測量。
因此，基於一些示範性具體實施例，在此已描述利用光學系統對偏光分布變更進行空間解析測量的方法，其中進行將測量光束分成相對於彼此正交偏光之兩個局部光束的分光，致使兩個局部光束照射(以空間解析的方式進行)在測量系統之感測器上的相鄰位置。
AO．．．異常射線
AX、OA．．．光軸
BG．．．光束產生單元
BS．．．偏光分光器
BSS．．．偏光-選擇性分光器表面
CO1．．．第一組件
CO2．．．第二組件
CON．．．習用設定
COND．．．下游聚光器光學元件
CR1．．．第一控制裝置
CR3．．．控制裝置
CU、CR2、CR4．．．控制單元
DET．．．偵測器單元
DIP．．．雙極照明
EU．．．評估單元
EXP．．．擴束器
FDE．．．光柵元件
FEL．．．蠅眼聚光器(蠅眼透鏡)
FOC．．．上游透鏡陣列
FOS．．．傅立葉光學系統
I．．．相對強度
I1、I2．．．局部強度分布
IFP．．．中間場平面
IFS．．．下游場表面
ILL．．．照明系統
IN．．．輸入偏光
INC．．．耦合光學元件
IS．．．影像平面
L．．．透鏡群組
LA．．．透鏡陣列
LB．．．擴展雷射輻射束
LMD．．．多鏡配置
LS．．．測量光源
M．．．遮罩
M1．．．平面偏轉鏡
MA．．．光罩/遮罩系統
MH．．．測量物件固持裝置
ML．．．微透鏡陣列
MM．．．個別鏡
MMA．．．多鏡陣列
MO．．．測量物件
MS．．．測量系統
O．．．常射線
OBJ．．．成像物鏡
OP．．．上游輔助光學元件
OS．．．物體平面
OUT．．．輸出偏光狀態
P'．．．下游瞳表面
PB、PB1、PB2．．．局部光束
PF．．．瞳形成單元
PFS．．．瞳形成表面
PH．．．針孔
PM1、PM2．．．高度反射平面鏡
PO．．．投影物鏡
PS．．．影像側瞳表面
QUAD．．．四極照明
R．．．光罩
R1．．．第一偏光旋轉器
R2．．．轉動式延遲元件
R3．．．第二偏光旋轉器
R4．．．第三偏光旋轉器
R6．．．λ/4板
R7．．．λ/4延遲板
RET．．．延遲器
ROT．．．90°偏光旋轉器
RS．．．裝置(光罩台)
RT．．．轉動式延遲元件
SENS．．．空間解析感測器
SP．．．複屈折射元件
SP1．．．第一照明點或光點
SP2．．．第二照明點或光點
ST．．．擴散屏
SUP．．．支撐元件
W．．．晶圓
WS．．．裝置(晶圓台)
WSC．．．微影投射曝光裝置
X．．．位置
圖1顯示測量一測量物件之複屈折射率之測量系統的具體實施例；
圖2在2A中顯示偵測器單元中偏光狀態的略圖，及在2B中顯示對圓形偏光輸入偏光狀態中λ/4板的完整旋轉而言，相對強度輪廓為偵測器單元之λ/4板之旋轉位置的函數；
圖3在3A中顯示偵測器單元中偏光狀態的略圖，及在3B中顯示對線性偏光輸入偏光狀態中λ/4板的完整旋轉而言，相對強度輪廓為偵測器單元之λ/4板之旋轉位置的函數；
圖4在4A至4C中顯示如果複屈折射測量物件位在測量光束路徑中，輸出偏光狀態對輸入偏光狀態之相依性的略圖，在4D中顯示對相同輸入偏光狀態為λ/4板之旋轉位置的函數而言，不同輸出偏光狀態的略圖，及在4E中顯示對設定輸入偏光狀態之非理想λ/2板的不同旋轉位置而言，測量系統中偏光狀態的略圖；
圖5顯示對複屈折射率的0°方位而言，複屈折射率與所要值之平均期望偏差ΔBR的相依性，為複屈折射率之絕對值BR的函數的線圖；
圖6顯示對複屈折射率絕對值4nm為複屈折射率預定方位的函數而言，複屈折射率方位之平均期望測量誤差ΔORI的線圖；
圖7顯示複屈折射率與所要值的平均期望偏差ΔBR對樣本複屈折射率方位ORI之相依性的線圖；
圖8以略圖顯示測量兩個光學組件串聯之測量物件之測量方法的兩個測量組態，其中在測量之一期間，在光學組件之間實行相對於另一個測量的偏光狀態旋轉90°；
圖9至11顯示使用可視情況插入測量光束路徑的90°偏光旋轉器，測量多組件測量物件之較小複屈折射率作用之測量程序(實質不取決於測量系統誤差)的不同測量組態；
圖12顯示具有測量複屈折射率之整合測量系統之組件之微影投射曝光裝置的具體實施例；
圖13顯示圖12之投射曝光裝置之照明系統的各種裝配件；
圖14以略圖顯示照明系統瞳表面中相對強度I對不同時間點之位置X的相依性；
圖15在15A中以略圖顯示測量系統為能量參照目的監控主光源強度變動之一些組件的構造與功能，在15B中顯示主光源強度的時間變動，及在15C中顯示兩個彼此相鄰且由相對於彼此正交偏光的局部光束產生的照明點之強度的時間變動；
圖16藉由從光束的局部光束產生成對正交偏光的局部光束，顯示具有複屈折射分光元件之照明系統之瞳定型單元(圖13A以略圖顯示)的片段；
圖17在17A中以略圖顯示偏光測量系統之偵測器單元的構造，具有整合的分光元件，用於產生兩個相對於彼此正交偏光的局部光束，以進行能量參照，及在17B與17C中顯示彼此垂直偏光之局部光束之照明點的不同配置，該等照明點彼此直接相鄰；及
圖18以略圖顯示偵測器單元的一些組件，具有整合的分光元件，用於產生彼此垂直偏光之局部光束，以進行能量參照。
BG．．．光束產生單元
BS．．．偏光分光器
BSS．．．偏光-選擇性分光器表面
CO1．．．第一組件
CO2．．．第二組件
CR1．．．第一控制裝置
CU、CR2、CR4．．．控制單元
CR3．．．控制裝置
DET．．．偵測器單元
EU．．．評估單元
L．．．透鏡群組
LS．．．測量光源
M．．．遮罩
MH．．．測量物件固持裝置
MO．．．測量物件
PH．．．針孔
R1．．．第一偏光旋轉器
R2．．．轉動式延遲元件
R3．．．第二偏光旋轉器
SENS．．．空間解析感測器

Claims (38)

  1. 一種測量一光學測量物件之複屈折射率的測量方法，包含：產生一測量光束，具有一界定輸入偏光狀態，該測量光束被導到該測量物件上，該輸入偏光狀態為該測量光束直接在該測量光束進入該測量物件之前的偏光狀態；偵測該測量光束在與該測量物件互相作用之後的偏光性質，以產生偏光測量值，代表該測量光束在與該測量物件互相作用之後的一輸出偏光狀態；評估該等偏光測量值，以決定至少一個複屈折射率參數，代表該測量物件的複屈折射率；其特徵為以下步驟：根據一角度參數α的一週期調變函數，將該測量光束的該輸入偏光狀態調變成至少四個不同測量狀態；處理與該至少四個測量狀態相關聯的該等偏光測量值，以形成一取決於該角度參數α的測量函數；決定該測量函數之一雙波部分，其中決定該測量函數之該雙波部分包含該測量函數之一雙傅立葉變換(double Fourier transformation)；分析該雙波部分以導出該至少一個複屈折射率參數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測量方法，其中決定該測量函數之該雙波部分包含該測量函數之一第一傅立葉變換，以決定第一傅立葉係數A0(α)及A2(α)，其中A0(α)為描述該測量函數非週期部分之一平均值的一偏移項(offset term)，及其中A2(α)為一第一雙波波動係數，A2(α)與該測量函數雙波部分的振幅成正比，及其中決定該測量函數雙波部分還包含該第一傅立葉係數A0(α)及A2(α)相對於該角度參數α的一第二傅立葉變換，以決定第二傅立 葉係數A0_A01(α)、A2_A02(α)及B2_A02(α)，其中A0_A01(α)是描述該偏移項A0(α)之非週期部分之一平均值的一偏移項，A2_A02(α)是該第一雙波波動係數A2(α)之該雙波波動的一正弦部分，及B2_A02(α)是該第一雙波波動係數A2(α)之該雙波波動的一餘弦部分。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量方法，其中該測量函數與該測量狀態相關聯的輸入參數α相對於彼此為等距離(equidistant)。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之測量方法，其中調變該輸入偏光狀態包含以下步驟：產生一線性偏光測量光束，具有一偏光方向定向平行於電場的振盪向量，該測量光束被導到該測量物件上；藉由在至少四個相對於彼此位在可預定旋轉角距離的測量方位中，旋轉該測量光束的該偏光方向，產生該至少四個測量狀態，該等測量方位的每一個對應於一測量狀態。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之測量方法，其中設定2N (其中N2)個相對於彼此位在等距離旋轉角距離的測量方位，其中較佳是設定4、8、16、32或64個測量方位。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之測量方法，其中按以下步驟決定該等複屈折射率參數歸因於測量系統組件的一系統部分：在測量光束路徑中沒有一測量物件的情形下執行一測量，致使要分析的輸出偏光狀態對應於輸入偏光狀態； 對該測量光束路徑中該測量物件之測量的偏移項A0_A01(α)，標準化該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的正弦部分A2_A02(α)及該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的餘弦部分B2_A02(α)，以決定一標準化總測量信號；對該測量光束路徑中沒有該測量物件之測量的偏移項A0_A01(α)，標準化該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的正弦部分A2_A02(α)及該第一雙波波動係數A2(α)之雙波波動的餘弦部分B2_A02(α)，以決定該總測量信號之一標準化系統部分；從該標準化總測量信號減去該標準化系統部分。
  7. 如申請專利範圍第1或2或6項所述之測量方法，包含以下步驟：執行一決定第一複屈折射率參數的第一測量；執行一決定第二複屈折射率參數的第二測量，其中，在該第二測量期間，藉由在一偏光旋轉區段中，相對於在該第一測量期間之該測量光束的對應偏光狀態，在該測量光束中引入一偏光旋轉器或從該測量光束移除一偏光旋轉器，使該測量光束的偏光狀態相對於該第一測量之該測量光束的偏光狀態旋轉90°；聯合評估該第一複屈折射率參數及該第二複屈折射率參數。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之測量方法，其中該聯合評估(joint evaluation)包含決定在該第一測量及該第二測量之該測量函數的該等雙波部分間的和。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之測量方法，其中該聯合評估包含決定在該第一測量及該第二測量之該測量函數的該等雙波部分 間的差。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之測量方法，其中該偏光旋轉區段位在該測量物件及測量系統之一偵測器側組件之間。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之測量方法，其中該測量物件含有複數個光學組件，在傳輸方向中依序設置，及該偏光旋轉區段位在該測量物件之一第一光學組件及一第二光學組件之間。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之測量方法，其中該第一光學組件及該第二光學組件按此相對組態設置：其中在含有該等光學組件之一光學系統的背景中利用該等光學組件。
  13. 如申請專利範圍第1或2或6項所述之測量方法，其中，為了將該測量光的偏光狀態旋轉90°，使用一90°偏光旋轉器，其係選自具有以下組件的群組：一由光學活性材料組成的板；一由固有複屈折射結晶材料組成的板，該材料具有晶向<110>定向實質平行於傳輸方向；兩個低階半波板，相對於彼此定向於45°，該等半波板相對於彼此旋轉的光學晶軸實質垂直於傳輸方向。
  14. 如申請專利範圍第1或2或6項所述之測量方法，包含以下步驟：一參考強度信號的時間-相依偵測，該信號與一測量光源發出之測量光強度成正比；及 對該參考強度信號，標準化偏光測量信號，以決定標準化的偏光測量信號。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之測量方法，另外包含以下步驟：將該測量光束分成一具有一第一強度的線性偏光第一局部光束及一具有一第二強度的第二局部光束，該第二局部光束係線性偏光垂直於該第一局部光束；沿著光學偏光實質相同的光束路徑，將該第一局部光束及該第二局部光束導引至一強度感測器之一感測器區之空間上分開的第一及第二感測器區帶上，以產生一與該第一強度成正比的第一強度信號及一與該第二強度成正比的第二強度信號；及處理該第一強度信號及該第二強度信號，以形成一組合信號。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中使用該第一強度信號及該第二強度信號之和，形成一強度參考信號。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中該形成該組合信號係使用該第一強度信號與該第二強度信號的比值來執行。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中利用一複屈折射元件，將該測量光束分成兩個彼此垂直偏光的局部光束。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中借助一偏光-選擇性作用偏光分光器，將該測量光束分成兩個彼此垂直偏光的局部光束。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中在光傳播方向中，在該測量物件上游分離該測量光束。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中在光傳播方向中，在該測量物件下游分離該測量光束。
  22. 如申請專利範圍第15項所述之測量方法，其中在一偵測器單元之一進入表面及該偵測器單元之一感測器區之間，在該偵測器單元中分離該測量光束。
  23. 一種測量一光學測量物件之複屈折射率的測量系統，包含：一光束產生單元，產生具有一界定輸入偏光狀態的一測量光束，該測量光束被導到該測量物件上，該輸入偏光狀態為該測量光束直接在該測量光束進入該測量物件之前的偏光狀態；一偵測器單元，偵測該測量光束在與該測量物件互相作用之後的偏光性質，以產生偏光測量值，代表該測量光束的一輸出偏光狀態；及一評估單元，評估該等偏光測量值以決定至少一個複屈折射率參數，代表該測量物件的複屈折射率；其特徵在於：該光束產生單元設計用於根據一角度參數α之一週期調變函數，將該測量光束的輸入偏光狀態調變成至少四個不同測量狀態；及該評估單元組態用於處理與該至少四個測量狀態相關聯的該等偏光測量值，以形成一取決於該角度參數α的測量函數，以決定該測量函數之一雙波部分，其中決定該測量函數之該雙波部分 包含該測量函數之一雙傅立葉變換，及以分析該雙波部分，從而導出該至少一個複屈折射率參數。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之測量系統，其中該光束產生單元在產生線性偏光的一光源及該測量物件之間，具有一第一偏光旋轉器，以可控制方式旋轉該測量光束之偏光方向。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之測量系統，其中該第一偏光旋轉器具有一半波板，借助一第一控制裝置，可繞著該測量系統之一光軸旋轉。
  26. 如申請專利範圍第23至25項任一項所述之測量系統，包含一第二偏光旋轉器，被設計為一90°偏光旋轉器，將該測量光的偏光狀態旋轉90°，及可借助一第二控制裝置，選擇性地引入測量光束路徑中，或從該測量光束路徑中移除。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之測量系統，其中該第二偏光旋轉器設置在一測量物件固持裝置的區域中，致使其選擇性地引入一具有複數個光學組件之測量物件的一第一光學組件及一第二光學組件之間，或從在該等光學組件之間的區域中移除。
  28. 如申請專利範圍第23至25項任一項所述之測量系統，包含一第三偏光旋轉器，被設計為一90°偏光旋轉器，將該測量光的偏光狀態旋轉90°，及可借助一指派的第三控制裝置，選擇性地引入在該測量物件及該偵測器單元之間的該測量光束路徑中，或從此區域中移除。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之測量系統，其中該90°偏光旋轉器選自具有以下組件的群組：一由光學活性材料組成的板；一由固有複屈折射結晶材料組成的板，該材料具有晶向<110>定向實質平行於傳輸方向；兩個低階半波板，相對於彼此定向於45°，該等半波板相對於彼此旋轉的光學晶軸實質垂直於傳輸方向。
  30. 如申請專利範圍第23至25項任一項所述之測量系統，其中該偵測器單元具有一進入開口，在垂直於該測量系統之光軸的一平面中，可被移至預定位置。
  31. 如申請專利範圍第23至25項任一項所述之測量系統，其中該偵測器單元設計用於該偏光狀態之一角度解析測量。
  32. 一種投射曝光裝置，以設置在該投射物鏡之一物體表面區域中之一遮罩圖案的至少一個影像，曝光設置在一投射物鏡之一影像表面區域中的一輻射敏感基板，該投射曝光裝置包含：一主光源，發出主要光；一照明系統，接收該主要光，及產生一導到該遮罩上的照明光束；一投射物鏡，在該投射物鏡之影像表面區域中，產生該圖案之一影像；及如申請專利範圍第23至31項任一項所述之測量系統，測量一設置在該主光源及該投射物鏡之影像表面間之光學測量物件的 複屈折射率。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之投射曝光裝置，其中該投射曝光裝置之該主光源為該光束產生單元的一部分，用於產生一導到該測量物件上的測量光束。
  34. 如申請專利範圍第32或33項所述之投射曝光裝置，其中取代要曝光的一基板，可在該投射物鏡之該影像平面區域中，放置該偵測器單元，致使具有一進入開口之該偵測器單元的一進入平面位在該投射物鏡的該影像表面中，或位在與其的一光學共軛表面中。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之投射曝光裝置，其中該進入開口可垂直於該投射物鏡之光軸而位移，以測量該影像表面中的不同場點。
  36. 如申請專利範圍第32或33項所述之投射曝光裝置，其中在該投射物鏡之該物體表面區域中，可放置該偵測器單元取代一遮罩，致使具有一進入開口之該偵測器單元的一進入平面位在該投射物鏡的該物體表面中，或位在與其的一光學共軛表面中。
  37. 一種測量一光罩之複屈折射率的測量方法，包含以下步驟：設置該光罩於一投射曝光裝置之一照明系統及一投射物鏡之間，該投射物鏡之一物體表面區域中的一安裝位置中；利用測量一光學測量物件之複屈折射率的一測量系統，測量在該安裝位置之一光罩的複屈折射率，該測量系統被整合至該投 射裝置中；其中根據申請專利範圍第1至22項任一項所述之測量方法執行上述測量步驟，該光罩作為該測量物件。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之測量方法，其中在一光罩變更之後且在使用因上述變更所引入之該光罩以執行一曝光之前，執行該測量步驟。
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