TWI441006B - 具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降電壓調節器、用於形成其之方法及用於其之系統 - Google Patents

具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降電壓調節器、用於形成其之方法及用於其之系統 Download PDF

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Description

具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降電壓調節器、用於形成其之方法及用於其之系統
所揭示實施例係有關低壓降(LDO)晶片上電壓調節器之無電容器實施。更特定而言，例示性實施例係有關經組態以控制品質係數(Q)，從而改良系統穩定性之LDO電壓調節器之無電容器實施。
本專利申請案主張2010年4月29日所申請之名為「具品質係數控制之晶片上低電壓無電容器低壓降調節器(On-Chip Low Voltage Capacitor-Less Low Dropout Regulator with Q-Control)」的臨時申請案第61329141號之優先權，該案已讓與給其受讓人，且在此以引用之方式明確地併入本文中。
電力管理在當前電子工業中扮演重要角色。電池供電及攜帶型裝置要求電力管理技術延長電池壽命且改良該等裝置之效能及操作。電力管理之一方面包括控制操作電壓。習知電子系統(特定言之，晶載系統(SOC))通常包括各種子系統。可在根據各種子系統之特定需要而制定之不同操作電壓下操作該等子系統。使用電壓調節器將規定電壓輸送至各種子系統。亦可使用電壓調節器保持該等子系統彼此隔離開。
通常使用低壓降(LDO)電壓調節器來產生並供應低電壓，且達成低雜訊電路。習知LDO電壓調節器需要經常在若干微法拉之範圍中的大型外部電容器。此等外部電容器佔據頗有價值之板空間，增加積體電路(IC)接針計數，且阻止高效SOC解決方案。
參看圖1，說明具有電容器CL 之習知LDO電壓調節器100。如上文所描述，電容器CL 有問題。如所說明，LDO電壓調節器100接受未調節之輸入電壓Vin 及輸入參考電壓Vref ，且產生經調節之輸出電壓Vout 。差動放大器102之一個輸入監視如電阻器R1 與R2 之電阻比所決定之經調節之輸出電壓Vout 的分率。差動放大器102之另一個輸入為穩定參考電壓Vref 。差動放大器102之輸出驅動大型傳輸電晶體(電晶體104)。若在電晶體104之輸出處導出之經調節之輸出電壓Vout 相對於參考電壓Vref 升高得太高，則差動放大器102改變對電晶體104之驅動強度以便將經調節之輸出電壓Vout 維持於恆定電壓值。
圖1之習知LDO電壓調節器100為「雙極點」系統。如在與電路相關聯之控制系統中所熟知，「極點」係對電路之穩定性的指示。具體而言，關於電阻器-電容器電路，在通過該電路之交流電的頻率範圍內測定的迴路增益將在該電路之極點處顯著增加。為了維持電路在此等極點處之穩定性，用充當對迴路增益之阻尼因數的其他電路元件來補償極點。若存在多個極點(例如，歸因於多個電阻器-電容器組合)，則可集中於補償主要極點。在此等系統中，需要非主要極點靠近主要極點，使得可有效地使用補償電路來使主要極點與非主要極點穩定。
回到圖1，非主要極點形成於電晶體104之閘極處。電容器CL 促成主要極點。為了達成系統穩定性，如圖所示引入電阻器RESR 。然而，以足夠精度來控制RESR 以便確保LDO電壓調節器100在兩個極點上之穩定性非常困難。因此，作為替代，增加電容器CL- 之大小，有時增加至大約若干微法拉，其導致眾多上述問題。因此，在此項技術中出現對不需要大型電容器CL 來確立LDO電壓調節器100之穩定性的解決方案之需要。換言之，需要LDO電壓調節器之無電容器解決方案。
自LDO電壓調節器中消除電容器之先前努力遭受嚴重缺點。舉例而言，在K. N. Leung及P. K. T. Mok之「具有阻尼因數控制頻率補償之無電容器CMOS低壓降調節器(A capacitor-free CMOS low-dropout regulator with damping-factor-control frequency compensation )」(IEEE J. Solid-State Circuits，第38卷，第10期，第1691至1702頁，2003年10月)(在下文中為「Leung」)中使用阻尼因數控制(DFC)區塊。然而，Leung之DFC區塊本質上為包括一電容器以提昇在誤差放大器之輸出處之電容性負載的一放大器。此電容器產生主要極點。結果，Leung之技術需要最小為1 mA之電流負載以便確保LDO電壓調節器之穩定性。支援此等大電流負載(大約為若干mA)不可行。因此，Leung之LDO電壓調節器不適合於高效SOC實施。
在另一實例中，在S.K. Lau、P.K.T. Mok、K.N. Leung之「具有Q減小之用於SoC之低壓降調節器(A low -dropout regulator for SoC with Q-reduction )」(IEEE Journal of Solid-State Circuits，第42卷，第3期，2007年3月)(在下文中為「Lau」)中提出品質係數(Q)減小技術。Lau之技術包括一電容器及一個二極體以控制LDO電壓調節器之峰值增益。然而，Lau之技術亦遭受需要極大之最小電流負載(大約為100 uA)以便維持LDO電壓調節器之穩定性的缺點。
在R.J. Milliken、J. Silva-Martinez、E. Sanchez-Sinencio之「全晶片上CMOS低壓降電壓調節器」(IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Fundamental Theory and Applications，第54卷，第9期，2007年9月，第1879至1890頁)(在下文中為「Milliken」)中描述LDO電壓調節器之又一實例。Milliken使用微分器迴路來感測LDO電壓調節器之輸出電壓之變化，且提供用於負載暫態之快速負回饋路徑。微分器迴路亦充當「米勒電容器(在下文中為「Miller capacitor」)」以藉由分開電路之極點而使LDO電壓調節器穩定。Milliken使用「疊接」電流鏡來保證在傳輸電晶體之閘極處之適當電流分佈。然而，在低電源供應電壓及縮小之裝置大小下難以維持適當電流分佈，低電源供應電壓及縮小之裝置大小在此項技術中為普遍趨勢。缺乏適當電流分佈可導致大的電流偏移。此外，用以控制LDO電壓調節器之峰值增益的Milliken之技術需要大量反覆來達成收斂。
又一LDO實施見於Texas Instrument之產品「TPS73601 」中。TPS73601為LDO電壓調節器之獨立實施，其包括電荷泵及「伺服」區塊以加速在傳輸電晶體之閘極處之電壓變化。伺服區塊使用比較器來量測輸出電壓。在輸出電壓低於規定電壓時，亦即，若存在「下衝(undershoot)」，則將增加拉電流。另一方面，若發生過衝(overshoot)，則將增加流入電流。TPS73601之實施需要額外電路，額外電路消耗大的靜態電流，且因此該實施不省電。
因此，在此項技術中存在對用於LDO電壓調節器之高效無電容器解決方案之需要，該等解決方案未負擔有上述技術之缺點。
本發明之例示性實施例係有關用於LDO電壓調節器之無電容器實施之系統及方法。
舉例而言，一例示性實施例係有關一種無電容器低壓降(LDO)電壓調節器，該無電容器LDO電壓調節器包含：一誤差放大器，該誤差放大器經組態以放大參考電壓與經調節之LDO電壓之間的差；及耦接至該誤差放大器之輸出之一米勒放大器，其中該米勒放大器經組態以放大在該米勒放大器之輸入節點處形成之米勒電容。耦接至該誤差放大器之輸出之一電容器產生正回饋迴路以用於降低品質係數(Q)，使得系統穩定性得以改良。
另一例示性實施例係有關一種用於形成一無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之方法，該方法包含：組態一誤差放大器以放大參考電壓與經調節之LDO電壓之間的差；將一米勒放大器耦接至該誤差放大器之輸出；及組態該米勒放大器以放大在該米勒放大器之輸入節點處形成之米勒電容。
又一例示性實施例係有關一種用於形成一無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之方法，該方法包含：用於組態一誤差放大器以放大參考電壓與經調節之LDO電壓之間的差之步驟；用於將一米勒放大器耦接至該誤差放大器之輸出之步驟；及用於組態該米勒放大器以放大在該米勒放大器之輸入節點處形成之米勒電容的步驟。
再一例示性實施例係有關一種包含一無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之系統，其中該LDO電壓調節器包含：一放大器構件，該放大器構件用以放大參考電壓與經調節之LDO電壓之間的差；及耦接至該放大器構件之輸出之一米勒放大器，其中該米勒放大器經組態以放大在該米勒放大器之輸入節點處形成之米勒電容。
呈現隨附圖式以幫助描述本發明之實施例，並且僅為了說明實施例而非限制實施例而提供該等隨附圖式。
在有關本發明之特定實施例之以下描述及相關圖式中揭示本發明之態樣。在不脫離本發明之範疇的情況下可設計出替代實施例。另外，將不詳細描述或將省略本發明之熟知元件，以便不會混淆本發明之相關細節。
詞「例示性」在本文中用以意謂「充當一實例、例子或說明」。不必將本文中描述為「例示性」之任何實施例解釋為比其他實施例較佳或有利。類似地，術語「本發明之實施例」並不要求本發明之所有實施例包括所論述之特徵、優勢或操作模式。
本文中所使用之術語僅為達成描述特定實施例之目的且並不意欲限制本發明之實施例。如本文中所使用，單數形式「一」及「該」意欲亦包括複數形式，除非上下文另外清楚地指示。應進一步理解，術語「包含」、「包括」在本文中使用時規定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。
另外，依據將由(例如)計算裝置之元件執行之動作序列來描述許多實施例。應認識到，可藉由特定電路(例如，特殊應用積體電路(ASIC))、藉由一或多個處理器所執行之程式指令或藉由兩者之組合來執行本文中所描述之各種動作。另外，可認為本文中所描述之此等動作序列完全體現於任何形式之電腦可讀儲存媒體內，該電腦可讀儲存媒體中儲存有在執行後將使相關聯之處理器執行本文中所描述之功能性的相應電腦指令集。因此，本發明之各種態樣可以許多不同形式體現，預期所有該等形式皆在所主張之標的物之範疇內。另外，對於本文中所描述之實施例中的每一者而言，任何此等實施例之對應形式可在本文中被描述為(例如)「經組態以」執行所描述之動作的「邏輯」。
例示性實施例藉由收穫電路之米勒電容而在用於LDO電壓調節器之電路中避免大型外部電容器。一般而言，米勒電容由米勒效應(由放大器之輸入端子與輸出端子之間的電容之放大而引起的放大器之等效輸入電容之增加)引起。具體而言，關於LDO電壓調節器，藉由一或多個放大級來提昇在實施LDO電壓調節器之電路的輸入端子與輸出端子之間實現的米勒電容，以便提供電路之穩定實施而不需要大型外部電容器。
現參看圖2說明LDO電壓調節器200之示意表示。與圖1之習知LDO電壓調節器100相比，LDO電壓調節器200不需要大型電容器CL 來達成電路穩定性。實情為，電路拓撲在傳輸電晶體204之閘極端子處合併使用米勒放大器206之米勒電容器208之放大值與誤差放大器202之輸出。
參看圖3說明LDO電壓調節器200之例示性電路實施。如圖3中所說明，偏壓電路302、電流隨耦器308、電流源(CS)放大器306及電流鏡304以組合方式形成經組態以放大米勒電容器208之米勒放大器206。電流隨耦器308本質上跟隨流過米勒電容器208之電流。CS放大器306為放大在電流隨耦器308之輸出處之電壓輸出的電壓放大器。包括電晶體M11之電流鏡304接著發揮作用以將經放大之電壓轉換成電流之放大。偏壓電路302操作而以自外部電流供應器Ibias(如圖3中所展示)導出的電流值來加偏壓於LDO電壓調節器200之電路。因此，電流隨耦器308、CS放大器306及電流鏡304之組合有效地放大流過米勒電容器208之電流，使得流過電晶體M11之電流相比流過米勒電容器208之電流而言得以放大若干數量級。應認識到，在LDO電壓調節器200之電路中可將輸出電容器CL 維持於低值，且不需要將輸出電容器CL 增加至高值以便確保系統穩定性。
繼續參看圖3，電晶體M1、M2、M3及M4組態為差動放大器。結合組態為電流源之電晶體M7及M8，包含電晶體M1、M2、M3、M4及M7至M8之電晶體電路形成兩級誤差放大器202。傳輸電晶體204形成誤差放大器202之第三級。圖3之電路確保在傳輸電晶體204之輸出處的經調節之輸出電壓Vout 。
進一步參看圖3，包含電晶體M2及M10之上拉路徑(pull-up path)使輸出電壓Vout 能夠上拉至供電電壓VSS。包含米勒放大器206及電晶體M11之下拉路徑(pull-down path)使輸出電壓Vout 能夠下拉至接地電壓。
如先前所描述，電系統之增益在系統之極點處理論上朝無窮大的值增加，從而使系統不穩定。因此，可設計電系統以引入阻尼元件來補償極點處之不受控制之增益。同樣地，可設計電系統以使得不允許峰值增益值超過規定值。
在LDO電壓調節器200之情況下，對一頻率譜內之「轉移函數」或輸入/輸出特性之分析表明，可藉由控制電路之品質係數(Q)來控制峰值增益。具體而言，較小之Q值導致較小之峰值增益值。藉由研究一頻率範圍內的轉移函數，發現品質係數(Q)與米勒放大器206之有效電流增益(在下文中稱為「gma」)具有反比關係；且與包含電阻RL 及電容器CL 之輸出負載處之有效電流增益(在下文中稱為「gmp」)具有正比關係。
相應地，因為較小之Q導致較低之峰值增益值，所以最大化gma係有益的，其具有減低Q之作用。因為gma取決於頻率，所以需要在寬的頻率頻寬內最大化gma。例示性實施例實施正回饋技術以增加gma可得以最大化之頻寬。
現參看圖4說明LDO電壓調節器300之例示性電路實施。如圖所示，LDO電壓調節器300之電路保留LDO電壓調節器200之若干電路元件，同時引入如下少許修改。首先，LDO電壓調節器300包括CS放大器406，CS放大器406包含如圖所示之電容器410。引入電容器410以便產生正回饋路徑。電容器410增加LDO電壓調節器300之gma可得以最大化(且因此，Q得以降低)之頻寬。因此，藉由控制Q而在寬的頻率範圍內將LDO電壓調節器300之峰值增益維持於穩定的低值。
繼續參看圖4，作為第二修改，將電容器412包括於LDO電壓調節器300中。如所說明，在輸出電壓Vout 之上拉路徑中引入電容器412。如先前所論述，上拉路徑包括電晶體M2及M10。可觀察到，在不引入電容器412之情況下，上拉路徑比包含米勒放大器206及電晶體M11之下拉路徑快得多。因此，添加電容器412以便使上拉路徑減速，且藉此平衡上拉路徑與下拉路徑。以此方式來平衡上拉路徑與下拉路徑可避免否則可能發生於具有不平衡之上拉路徑與下拉路徑之電路中之大的暫態尖峰。
因此，例示性實施例藉由在傳輸電晶體204之閘極端子處合併誤差放大器202與米勒放大器206而實施高效無電容器LDO電壓調節器，例如，LDO電壓調節器200。誤差放大器202可提供用於輸出電壓Vout 之上拉路徑，且米勒放大器206可提供下拉路徑。對LDO電壓調節器200之修改可包含用於平衡如關於LDO電壓調節器300所描述之上拉路徑與下拉路徑之結構。應看出，在如本文中所描述之例示性實施例中不需要額外的電流分佈技術。另外，例示性實施例亦實施正回饋技術，藉由此技術在米勒放大器206中控制品質係數Q，以便跨寬的頻率範圍而最小化峰值增益。
因此，例示性實施例提供一種用在低電源供應電壓條件(諸如，1.31 V)下穩固之無電容器LDO架構來替換具有龐大的外部電容器之LDO電壓調節器之解決方案。例示性實施例亦包括補償方案，該等補償方案針對寬的負載電流範圍(諸如，0 uA至50 mA)提供快速暫態回應及全範圍交流(AC)穩定性。在針對45 nm技術而設計之一個實施例中，50 mA數位控制式電壓輸出可在0.63 V至1.11 V之範圍內且可僅消耗約為65 uA之靜態電流且具有大約為200 mV之壓降電壓。
LDO電壓調節器(諸如，LDO電壓調節器200及300)可包括於各種裝置(諸如，遠端單元及/或攜帶型電腦)中。舉例而言，遠端單元可為行動電話、手持型個人通信系統(PCS)單元、諸如個人資料助理之攜帶型資料單元、具有GPS功能之裝置、導航裝置、視訊轉換器、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、諸如儀錶讀取設備之固定位置資料單元，或者儲存或擷取資料或電腦指令之任何其他裝置，或其任何組合。本發明之實施例可適當地用於包括主動積體電路之任何裝置中，主動積體電路包括LDO電壓調節器。
另外，應瞭解，實施例包括用於執行本文中所揭示之程序、功能及/或演算法的各種方法。舉例而言，如圖5中所說明，一實施例可包括一種組態無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之方法，該方法包含：組態一誤差放大器以放大參考電壓與經調節之LDO電壓之間的差(步驟502)；將一米勒放大器耦接至該誤差放大器之輸出(步驟504)；及組態該米勒放大器以放大在該米勒放大器之輸入節點處形成之米勒電容(步驟506)。
熟習此項技術者應瞭解，可使用各種不同技術及技藝中之任一者來表示資訊及信號。舉例而言，可藉由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子或其任何組合來表示可在以上描述全篇中引用之資料、指令、命令、資訊、信號、位元、符號及碼片。
另外，熟習此項技術者應瞭解，結合本文中所揭示之實施例所描述之各種說明性邏輯區塊、模組、電路及演算法步驟可實施為電子硬體、電腦軟體或兩者之組合。為了清楚地說明硬體與軟體之此可互換性，上文已大體上在功能性方面描述各種說明性組件、區塊、模組、電路及步驟。將此功能性實施為硬體或是軟體取決於特定應用及強加於整個系統上之設計約束。雖然熟習此項技術者可針對每一特定應用以不同方式實施所描述之功能性，但此等實施決策不應被解釋為會導致脫離本發明之範疇。
結合本文中所揭示之實施例所描述之方法、序列及/或演算法可直接體現於硬體中、由處理器執行之軟體模組中，或兩者之組合中。軟體模組可駐留於RAM記憶體、快閃記憶體、ROM記憶體、EPROM記憶體、EEPROM記憶體、暫存器、硬碟、抽取式磁碟、CD-ROM或此項技術中已知之任何其他形式的儲存媒體中。例示性儲存媒體耦接至處理器，使得處理器可自儲存媒體讀取資訊及將資訊寫入至儲存媒體。在替代例中，儲存媒體可整合至處理器。
因此，本發明之實施例可包括電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體體現用於無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之高效實施的方法。因此，本發明不限於所說明之實例，且本發明之實施例中包括用於執行本文中所描述之功能性之任何構件。
圖6說明可有利地使用本發明之實施例之例示性無線通信系統600。為達成說明之目的，圖6展示三個遠端單元620、630及650以及兩個基地台640。在圖6中，將遠端單元620展示為行動電話，將遠端單元630展示為攜帶型電腦，且將遠端單元650展示為無線區域迴路系統中之固定位置遠端單元。舉例而言，遠端單元可為行動電話、手持型個人通信系統(PCS)單元、諸如個人資料助理之攜帶型資料單元、具有GPS功能之裝置、導航裝置、視訊轉換器、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、諸如儀錶讀取設備之固定位置資料單元，或者儲存或擷取資料或電腦指令之任何其他裝置，或其任何組合。雖然圖6說明根據本發明之教示之遠端單元，但本發明不限於此等例示性所說明單元。本發明之實施例可適當地用於包括主動積體電路之任何裝置中，主動積體電路包括記憶體及晶片上電路以用於測試及特性化。
通常將前文所揭示之裝置及方法設計且組態至儲存於電腦可讀媒體上之GDSII及GERBER電腦檔案中。又將此等檔案提供至製造處置者，製造處置者基於此等檔案來製造裝置。所得產品為半導體晶圓，接著將半導體晶圓切割成半導體晶粒且封裝至半導體晶片中。接著在上文所描述之裝置中使用該等晶片。
雖然前述揭示內容展示本發明之說明性實施例，但應注意，在不脫離如隨附申請專利範圍所界定之本發明之範疇的情況下可在本文中進行各種改變及修改。無需按任何特定次序來執行根據本文中所描述之本發明之實施例的方法請求項的功能、步驟及/或動作。此外，雖然可以單數形式來描述或主張本發明之元件，但涵蓋複數形式，除非明確地說明限於單數形式。
100．．．LDO電壓調節器
102．．．差動放大器
104．．．電晶體
200．．．LDO電壓調節器
202．．．誤差放大器
204．．．傳輸電晶體
206．．．米勒放大器
208．．．米勒電容器
300．．．LDO電壓調節器
302．．．偏壓電路
304．．．電流鏡
306．．．電流源(CS)放大器
308．．．電流隨耦器
410．．．電容器
412．．．電容器
600．．．無線通信系統
620．．．遠端單元
630．．．遠端單元
640．．．基地台
650．．．遠端單元
CL ．．．電容器
M1．．．電晶體
M2．．．電晶體
M3．．．電晶體
M4．．．電晶體
M7．．．電晶體
M8．．．電晶體
M10．．．電晶體
M11．．．電晶體
R1 ．．．電阻器
R2 ．．．電阻器
RESR ．．．電阻器
RL ．．．電阻
圖1說明一習知LDO電壓調節器。
圖2為一例示性無電容器LDO電壓調節器之示意表示。
圖3說明一例示性無電容器LDO電壓調節器之電路圖。
圖4說明實施正回饋以控制品質係數Q之一例示性無電容器LDO電壓調節器之電路圖。
圖5說明根據例示性實施例之一種形成無電容器LDO電壓調節器之方法的流程圖表示。
圖6說明可有利地使用本發明之一實施例之一例示性無線通信系統。
200‧‧‧LDO電壓調節器
202‧‧‧誤差放大器
204‧‧‧傳輸電晶體
206‧‧‧米勒放大器
208‧‧‧米勒電容器
302‧‧‧偏壓電路
304‧‧‧電流鏡
306‧‧‧電流源(CS)放大器
308‧‧‧電流隨耦器
CL ‧‧‧電容器
M1‧‧‧電晶體
M2‧‧‧電晶體
M3‧‧‧電晶體
M4‧‧‧電晶體
M7‧‧‧電晶體
M8‧‧‧電晶體
M10‧‧‧電晶體
M11‧‧‧電晶體
RL ‧‧‧電阻

Claims (25)

  1. 一種無電容器低壓降(LDO)電壓調節器，其包含：一誤差放大器，其經組態以放大一參考電壓與一經調節之LDO電壓之間的一差；及耦接至該誤差放大器之一輸出之一米勒放大器之一輸出節點，其中該米勒放大器經組態以放大在該米勒放大器之一輸入節點處形成之一米勒電容。
  2. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其進一步包含一傳輸電晶體，其中該誤差放大器之該輸出耦接至該傳輸電晶體之一閘極節點，且在該傳輸電晶體之一輸出節點處導出該經調節之LDO電壓。
  3. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其中該誤差放大器經組態以提供用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑，且該米勒電容經組態以提供用於該經調節之LDO電壓之一下拉路徑。
  4. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其進一步包含一第一電容器，該第一電容器耦接至該誤差放大器之該輸出，使得該第一電容器產生一正回饋迴路以用於降低一品質係數，其中該品質係數與該無電容器LDO電壓調節器之一電壓增益成正比。
  5. 如請求項4之無電容器LDO電壓調節器，其進一步包含在該米勒放大器內形成之一第二電容器，其中該第二電容器經組態以平衡用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑與一下拉路徑。
  6. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其中該米勒放大器包含一電流隨耦器、一電流源放大器及一電流鏡。
  7. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其中該誤差放大器包含一對交叉耦接式反相器。
  8. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其進一步包含耦接至該傳輸電晶體之該輸出節點的一輸出負載。
  9. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其整合於至少一半導體晶粒中。
  10. 如請求項1之無電容器LDO電壓調節器，其整合於一裝置中，該裝置選自由一視訊轉換器、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數位助理(PDA)、固定位置資料單元及一電腦組成之群。
  11. 一種用於形成一無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之方法，其包含：組態一誤差放大器以放大一參考電壓與一經調節之LDO電壓之間的一差；將一米勒放大器之一輸出耦接至該誤差放大器之一輸出；及組態該米勒放大器以放大在該米勒放大器之一輸入節點處形成之一米勒電容。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包含：將該誤差放大器之該輸出耦接至一傳輸電晶體之一閘極節點；及在該傳輸電晶體之一輸出節點處導出該經調節之LDO電壓。
  13. 如請求項11之方法，其包含：組態該誤差放大器以提供 用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑；及組態該米勒電容以提供用於該經調節之LDO電壓之一下拉路徑。
  14. 如請求項11之方法，其進一步包含將一第一電容器耦接至該誤差放大器之該輸出，使得該第一電容器產生一正回饋迴路以用於降低一品質係數，其中該品質係數與該無電容器LDO電壓調節器之一電壓增益成正比。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包含在該米勒放大器內組態一第二電容器，使得用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑與一下拉路徑得以平衡。
  16. 如請求項11之方法，其包含由一電流隨耦器、一電流源放大器及一電流鏡來形成該米勒放大器。
  17. 如請求項11之方法，其進一步包含在該傳輸電晶體之該輸出節點處形成一輸出負載。
  18. 一種用於一無電容器低壓降(LDO)電壓調節器之系統，其包含：該無電容器低壓降(LDO)電壓調節器，該無電容器LDO電壓調節器包含：一放大器構件，其用以放大一參考電壓與一經調節之LDO電壓之間的一差；及耦接至該放大器構件之一輸出之一米勒放大器之一輸出，其中該米勒放大器經組態以放大在該米勒放大器之一輸入節點處形成之一米勒電容。
  19. 如請求項18之系統，其進一步包含：用於將該放大器構件之該輸出耦接至一切換構件之一輸入節點的構件；及 用於在該切換構件之一輸出節點處導出該經調節之LDO電壓的構件。
  20. 如請求項18之系統，其包含：用於組態該放大器構件以提供用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑的構件；及用於組態該米勒電容以提供用於該經調節之LDO電壓之一下拉路徑的構件。
  21. 如請求項18之系統，其進一步包含用於降低一品質係數之構件，其中該品質係數與該無電容器LDO電壓調節器之一電壓增益成正比。
  22. 如請求項21之系統，其進一步包含平衡用於該經調節之LDO電壓之一上拉路徑與一下拉路徑之構件。
  23. 如請求項18之系統，其進一步包含用於在該切換構件之該輸出節點處形成一輸出負載之構件。
  24. 如請求項18之系統，其整合於至少一半導體晶粒中。
  25. 如請求項18之系統，其整合於一裝置中，該裝置選自由一視訊轉換器、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數位助理(PDA)、固定位置資料單元及一電腦組成之群。
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