TWI437540B - 顯示器及電子裝置 - Google Patents

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TWI437540B
TWI437540B TW098144785A TW98144785A TWI437540B TW I437540 B TWI437540 B TW I437540B TW 098144785 A TW098144785 A TW 098144785A TW 98144785 A TW98144785 A TW 98144785A TW I437540 B TWI437540 B TW I437540B
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Mitsuru Asano
Yukihito Iida
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Sony Corp
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Description

顯示器及電子裝置
本發明相關於顯示器及電子裝置，且更明確地說，相關於藉由以矩陣形式設置包括光電元件之像素而形成的平型(平面型)顯示器及使用該顯示器之電子裝置。
最近，在實施影像顯示的顯示器領域中，藉由以矩陣形式設置包括發光元件之像素(像素電路)而形成的平型顯示器已迅速地推廣。作為該等平型顯示器之使用有機EL(電致發光)元件的有機EL顯示器已然開發及商業化，該有機EL元件使用將電場施加至，例如，有機薄膜時的光照射現象。
該有機EL顯示器具有以下特性。該有機EL元件可由10V或以下之施加電壓所驅動，且因此具有低功率消耗。此外，因為該有機EL元件係自發光元件，該有機EL顯示器不須要對液晶顯示器可能係必要的光源(背光)。此外，具有數微秒反應時間的該有機EL元件的反應速度非常高，且因此，在動畫顯示時不發生後像。
相似於該液晶顯示器，可能將簡易(被動)矩陣型或主動矩陣型使用為該有機EL顯示器的驅動方法。最近，已主動開發在其中將諸如閘極絕緣型場效電晶體(通常係TFT(薄膜電晶體))的主動元件設置在像素電路中的主動矩陣型顯示器。
該有機EL元件之隨時間流逝的I-V特徵(電流電壓特徵)退化(所謂的隨時間退化)已為人所共知。此外，驅動電晶體的臨界電壓Vth或組態該驅動電晶體之通道的半導體薄膜之遷移率μ(在下文中，將其描述為「驅動電晶體的遷移率」)係隨時間改變，或可能由於在其製程中的偏差而在各像素間不同。
因此，為將該有機EL元件的照射亮度維持成固定而不受上述因素影響，已使用在其中將補償該有機EL元件中之特徵變異的補償函數、及包括校正該驅動電晶體之臨界電壓Vth中的變異之校正函數(在下文中，將其描述為「臨界值校正」)或校正該驅動電晶體之遷移率μ中的變異之校正函數的校正函數包括在各像素電路中的組態(例如，參閱JP-A-2006-133542)。
此處，在相關技術的像素佈置中，像素係設置成使得該TFT佈置區域係依據各像素電路的尺寸(常數)而不對稱。另一方面，對應R(紅色)、G(綠色)、及B(藍色)各色的像素係以固定間距設置。因此，當特定像素之構成元件的尺寸大於不同像素之構成元件的尺寸時，為增加其佈置密度，將具有高佈置密度之該構成元件的一部分設置在具有低佈置密度之像素的空間中。在此種情形中，寄生電容在該不同像素之驅動電晶體的源極及該特定像素之輔助電容器的上電極之間產生。結果，具有該參考電位受該寄生電容影響而減少該亮度的問題。
因此有提供用於防止由於寄生電容在相鄰像素之一像素的輔助電容器之電極及該其他像素的電極之間形成而導致亮度改變之技術的需求。
根據本發明之實施例，提供一顯示器，包括：一像素陣列單元，以一矩陣形狀設置在一基材上，具有包括一電路組態的像素，其中一光電元件之一第一電極與一驅動電晶體的一源極相互連接、該驅動電晶體的一閘極與一寫入電晶體之一源極或一汲極相互連接、一存儲電容器連接於該驅動電晶體的該閘極及該源極之間、且一輔助電容器連接在該光電元件之該第一電極及一第二電極之間。將相鄰像素之一像素的該輔助電容器設定成從該像素設置至該其他像素的一區域，且該輔助電容器之設置在該光電元件側上的一電極與該光電元件的該第二電極導通。本發明之該實施例也提供具有設置在一主體外殼中之上述顯示器的電子設備。
在上述之本發明的實施例中，將相鄰像素之一像素的該輔助電容器設定成從該像素設置至該其他像素的一區域，且該輔助電容器之設置在該光電元件側上的一電極與該光電元件的該第二電極導通。換言之，該輔助電容器之設置在上側的電極具有陰極電位，且具有該陰極電位的該電極係介於該其他像素之陽極及該一像素的輔助電容器之具有該陽極電位的電極之間。屏蔽效應係藉由具有該陰極電位的電極呈現。
此外，根據本發明之另一實施例，提供一顯示器，包括：一像素陣列單元，以一矩陣形狀設置在一基材上，具有包括一電路組態的像素，其中一光電元件之一第一電極與一驅動電晶體的一源極相互連接、該驅動電晶體的一閘極與一寫入電晶體之一源極或一汲極相互連接、一存儲電容器連接於該驅動電晶體的該閘極及該源極之間、且一輔助電容器連接在該光電元件之該第一電極及一第二電極之間。將相鄰像素之一像素的該輔助電容器設定成從該像素設置至該其他像素的一區域，並將一屏蔽電極，其與該光電元件之該第二電極導通，設置在該輔助電容器及該其他像素之光電元件的該第一電極之間。
根據本發明之上述實施例，在相鄰像素之一像素的該輔助電容器之設置在該光電元件側上的該電極及該其他像素之陽極電極之間可由與該陰極電極導通之屏蔽電極所屏蔽。
根據本發明之實施例，在組態像素的電路中，可防止由於寄生電容在相鄰像素之一像素的輔助電容器之一電極及該其他像素的一電極之間形成所導致的亮度改變。
在下文中，將描述本發明之實施例(在下文中，指稱為「實施例」)。其描述將遵循下列順序。
1.　作為此實施例假定的顯示器(系統組態、像素電路、以及電路作業)
2.　相關技術之像素結構中的問題(像素電路、佈置、組態寄生電容的電路圖、及時序圖)
3.　根據此實施例的組態範例(系統結構及佈線結構範例)
4.　應用(對電子裝置的各種應用)
1.　作為此實施例假定的顯示器(系統組態、像素電路、以及電路作業)
系統組態
圖1係代表其係此實施例之假定的主動矩陣型顯示器之系統組態的示意圖。
此處，將電流驅動型光電元件使用為像素(像素電路)之發光元件的主動矩陣型有機EL顯示器描述為範例，該電流驅動型光電元件的發射亮度係依據流經該設備，諸如有機EL元件(有機電致發光元件)，之電流值而改變。
如圖1所呈現的，有機EL顯示器100具有包括像素陣列單元102及驅動元件之組態，該像素陣列單元係藉由將像素(PXLC) 101二維設置為矩陣形狀而形成，驅動元件設置在該像素陣列單元102的周邊並驅動各像素101。例如，將水平驅動電路103、寫入掃描電路104、及電源供應掃描電路105設置為驅動像素101的該驅動單元。
在像素陣列單元102中，在m列及n行之該像素陣列中，掃描線WSL-1至WSL-m及電源供應線DSL-1至DSL-M係針對各像素列佈線，且訊號線DTL-1至DTL-n係針對各像素行佈線。
像素陣列單元102通常形成在透明絕緣基材上，諸如玻璃基材，並具有平型面板結構。像素陣列單元102的各像素101可能由非晶矽TFT(薄膜電晶體)或低溫多晶矽TFT形成。當使用低溫多晶矽TFT時，也可將水平驅動電路103、寫入掃描電路104、及電源供應掃描電路105載置在形成像素陣列單元102的顯示面板(基材)上。
該寫入掃描電路104係藉由移位暫存器組態，該移位暫存器以與時脈ck等同步的方式循序地移位(傳輸)開始脈衝sp。當視訊訊號寫入至像素陣列單元102之各像素101中時，寫入掃描電路104藉由將脈衝(掃描訊號)WS1至WSm循序地寫入至掃描線WSL-1至WSL-m而供應該等脈衝，從而以一列為單位循序地掃描(線序掃描)像素陣列單元102的像素101。
該電源供應掃描電路105係藉由移位暫存器組態，該移位暫存器以與時脈ck等同步的方式循序地移位(傳輸)開始脈衝sp。電源供應掃描電路105以與寫入掃描電路104實施之線序掃描同步的方式選擇性地將電源供應線電位DS1至DSm供應至電源供應線DSL-1至DSL-m，該等電源供應線電位係在第一電位Vcc_H及低於該第一電位Vcc_H的第二電位Vcc_L之間移轉。因此，該電源供應掃描電路105控制像素101的發射及非發射。
水平驅動電路103適當地選擇與自訊號供應源(未圖示)供應之亮度資訊對應的視訊訊號之訊號電壓Vin(在下文中，其可能也僅指稱為「訊號電壓」)，或訊號線參考電位Vo之任一者，例如，以一列為單位經由訊號線DTL-1至DTL-n寫入至像素陣列單元102的像素101中。換言之，水平驅動電路103使用在其中視訊訊號的訊號電壓Vin係以一列(線)為單位寫入之該線序寫入型的驅動型式。
此處，訊號線參考電位Vo係變為該視訊訊號的訊號電壓Vin之參考的電壓(例如，對應於黑階的電壓)。此外，將第二電位Vcc_L設定為低於訊號線參考電位Vo的電位，例如，低於「Vo-Vth」的電位，其中驅動電晶體的臨界電壓係以Vth表示。將第二電壓Vcc_L設定成充份低於「Vo-Vth」之電位更佳。
像素電路
圖2係代表該像素組態之具體範例的電路圖(像素電路)。
如圖2所示，除了該有機EL元件1D外，像素101具有在其中包括該電流驅動型光電元件，其中發射亮度係依據流經該設備的電流值改變，例如，將有機EL元件1D包括為發光元件、驅動電晶體1B、寫入電晶體1A、及存儲電容器1C的像素組態。換言之，像素101具有由二電晶體(Tr)及一電容器(C)組態之2Tr/1C像素組態。
在具有此種組態的像素101中，將N-通道TFT使用 為驅動電晶體1B及寫入電晶體1A。然而，此處描述之驅動電晶體1B及寫入電晶體1A的導電型組合僅係範例，且本發明之實施例未受限於此種組合。
有機EL元件1D具有連接至共同電源供應線1H的陰極電極，該共同電源供應線共同佈線至所有像素101。驅動電晶體1B具有連接至有機EL元件1D之陽極的源極及連接至電源供應線DSL(DSL-1至DSL-m)的汲極。
寫入電晶體1A具有連接至掃描線WSL(WSL-1至WSL-m)的閘極、連接至訊號線DTL(DTL-1至DTL-n)的一電極(源極或汲極)、及連接至驅動電晶體1B之閘極的其他電極(汲極或源極)。
存儲電容器1C具有連接至驅動電晶體1B之閘極的一電極及連接至驅動電晶體1B之源極的其他電極(有機EL元件1D的陽極電極)。此外，輔助電容器1J具有連接至有機EL元件1D之陽極的一電極及連接至有機EL元件1D之陰極的其他電極。
在具有2Tr/1C像素組態的像素101中，寫入電晶體1A係在回應於從寫入掃描電路104經由掃描線WSL施加至該閘極之掃描訊號WS的導通狀態中。因此，寫入電晶體1A取樣與從水平驅動電路103供應的亮度資訊對應之視訊訊號的訊號電壓Vin或經由訊號線DTL的訊號線參考電位Vo，以寫入至像素101中。
將寫入訊號電壓Vin或訊號線參考電位Vo施加至驅動電晶體1B的閘極，並維持在存儲電容器1C中。當電源供應線DSL(DSL-1至DSL-m)的電位DS係第一電位Vcc_H時，驅動電晶體1B係以來自電源供應線DSL的電流供應，並供應具有與維持在存儲電容器1C中的訊號電壓Vin之電壓值對應的電流值之驅動電流至有機EL元件1D，從而以該電流驅動有機EL元件1D發光。
有機EL顯示器的電路作業
其次，將基於圖3呈現之時序波形圖並參考圖4A至6C所呈現的作業解釋圖描述具有上述組態之有機EL顯示器100。附帶一提，在圖4A至6C所呈現的作業解釋圖中，寫入電晶體1A係以開關符號表示以簡化該圖示。此外，因為有機EL元件1D具有電容組件，EL電容器1I也在該等圖示中顯示。
呈現在圖3中的時序波形圖顯示在掃描線WSL(WSL-1至WSL-m)之電位(寫入脈衝)WS中的變化、在電源供應線DSL(DSL-1至DSL-m)之電位DS(Vcc_H及Vcc_L)中的變化、及在驅動電晶體1B之閘極電位Vg及源極電位Vs中的變化。
發射週期
有機EL元件1D在圖3之時序波形圖中的時間t1之前係在發光狀態中(發射週期)。在此發射週期中，電源供應線DSL的電位DS係第一電位Vcc_H，且寫入電晶體1A係在非導通狀態中。
在此時，因為驅動電晶體1B係設定成在飽和區域中作業，如圖4A所示，對應於驅動電晶體1B之閘極-至-源極電壓Vgs的驅動電流(汲極-至-源極電流)Ids係從電源供應線DSL經由驅動電晶體1B供應至有機EL元件1D。因此，有機EL元件1D以與驅動電流Ids的電流值對應之亮度位準發射光。
臨界值校正準備週期
然後，線序掃描的新域在時間t1時開始。因此，如圖4B所示，電源供應線DSL的電位DS從第一電位(在下文中指稱為「高電位」)Vcc_H改變至第二電位(在下文中指稱為「低電位」)Vcc_L，該第二電位充份地低於訊號線DTL的訊號線參考電壓Vo-Vth。
此處，使Ve1為有機EL元件1D的臨界電壓且Vcath為共同電源供應線1H之電位，當該低電位Vcc_L滿足Vcc_L<Ve1+Vcath之關係時，驅動電晶體1B的源極電位Vs實質等於低電位Vcc_L，且因此將有機EL元件1D設定成在反向偏壓狀態中並結束。
其次，在時間t2，當掃描線WSL的電位WS產生從低電位側至高電位側的轉移時，如圖4C所示，將寫入電晶體1A設定為在導通狀態中。在此時，因為訊號線參考電位Vo係從水平驅動電路103供應至訊號線DTL，驅動電晶體1B的閘極電位Vg變為訊號線參考電位Vo。驅動電晶體1B的源極電位Vs係充份低於訊號線參考電位Vo的電位Vcc_L。
在此時，驅動電晶體1B的閘極-至源極電壓Vgs係Vo-Vcc_L。此處，當Vo-Vcc_L不高於驅動電晶體1B的臨界電壓Vth時，可能不實施待於稍後描述的臨界值校正作業。因此，該電位關係可能必須設定成使得Vo-Vcc_L>Vth。如上文所述，將驅動電晶體1B之極電位Vg及源極電位Vs分別固定(決定)為訊號線參考電位Vo及低電位Vcc_L的初始作業係臨界值校正準備作業。
第一次臨界值校正週期
其次，如圖4D所示，當電源供應線DSL的電位DS在時間t3從低電位Vcc_L移往高電位Vcc_H時，驅動電晶體1B的源極電位Vs開始上昇，且第一次臨界值校正週期開始。在第一次臨界值校正週期期間，驅動電晶體1B的源極電位Vs上昇。因此，驅動電晶體1B的閘極-至源極電壓Vgs變成預定電位Vx1，並將該電位Vx1維持在存儲電容器1C中。
隨後，在水平週期(1H)之後半部分開始的時間t4時，如圖5A所示，將該視訊訊號的訊號電壓Vin從水平驅動電路103供應至訊號線DTL，因此訊號線DTL的電位產生從訊號線參考電位Vo至訊號電壓Vin的轉移。在此週期期間，實施訊號電壓Vin至另一列像素的寫入。
在此時，為了不將訊號電壓Vin寫入至目前列的像素中，容許掃描線WSL的電位WS產生從高電位側至低電位側的轉移，從而寫入電晶體1A待於非導通狀態中。因此，將驅動電晶體1B的閘極從訊號線DTL切斷以在浮動狀態中。
此處，當驅動電晶體1B的閘極在該浮動狀態中時，將存儲電容器1C連接在驅動電晶體1B的閘極及源極之間。從而，當驅動電晶體1B的源極電位Vs改變時，驅動電晶體1B之閘極電位Vg也依據(追隨)源極電位Vs中的改變而改變。此係由存儲電容器1C所實施的啟動作業。
同樣地，在時間t4之後，驅動電晶體1B的源極電位Vs持續上昇以上昇Va1(Vs=Vo-Vx1+Va1)。在此時，閘極電位Vg依據該啟動作業所導致的在驅動電晶體1B之源極電位Vs中的上昇而也上昇Va1(Vg=Vo+Va1)。
第二次臨界值校正週期
當次一水平週期在時間t5開始時，如圖5B所示，掃描線WSL的電位WS從低電位側移向高電位側，且寫入電晶體1A係在導通狀態中。在同時，將取代訊號電壓Vin的訊號線參考電位Vo從水平驅動電路103供應至訊號線DTL，且第二次臨界值校正週期開始。
在第二次臨界值校正週期期間，寫入電晶體1A係在導通狀態中，且因此將訊號線參考電位Vo寫入。因此，將驅動電晶體1B的閘極電位Vg初始化回訊號線參考電位Vo。源極電位Vs依據閘極電位Vg在此時的下降而下降。然後，驅動電晶體1B的源極電位Vs再度開始上昇。
然後，當驅動電晶體1B的源極電位Vs在第二次臨界值校正週期期間上昇時，驅動電晶體1B的閘極-至-源極電壓Vgs變為預定電位Vx2，並將此電位Vx2維持在存儲電容器1C中。
隨後，當水平週期的後半部分在時間t6開始時，如圖5C所示，當該視訊訊號的訊號電壓Vin從水平驅動電路103供應至訊號線DTL時，容許訊號線DTL的電位產生從位移電壓Vo至訊號電壓Vin的轉移。在此週期期間，將訊號電壓Vin寫入另一列的像素中(在先前時間寫入之該列的次一列)。
在此時，為了不實施訊號電壓Vin至目前列之像素的寫入，容許掃描線WSL的電位WS產生從高電位側至低電位側的轉拸，從而寫入電晶體1A係在非導通狀態中。因此，將驅動電晶體1B的閘極從訊號線DTL切斷以在浮動狀態中。
同樣地，在時間t6之後，驅動電晶體1B的源極電位Vs持續上昇以上昇Va2(Vs=Vo-Vx1+Va2)。在此時，藉由啟動作業，閘極電位Vg依據驅動電晶體1B之源極電位Vs中的上昇而上昇Va2(Vg=Vo+Va2)。
第三次臨界值校正週期
次一水平週期在時間t7時開始，且如圖5D所示，容許掃描線WSL的電位WS產生從低電位側至高電位側的轉移，從而寫入電晶體1A係在導通狀態中。在同時，將取代訊號電壓Vin的訊號線參考電位Vo從水平驅動電路103供應至訊號線DTL，且第三次臨界值校正週期開始。
在此第三次臨界值校正週期期間，當寫入電晶體1A係在導通狀態中時，將訊號線參考電位Vo寫入。因此，將驅動電晶體1B的閘極電位Vg再初始化為訊號線參考電位Vo。依據此時在閘極電位Vg中的下降，源極電位Vs下降。然後，驅動電晶體1B的源極電位Vs再度開始上昇。
當驅動電晶體1B的源極電位Vs上昇時，最終，驅動電晶體1B的閘極-至-源極電壓Vgs收斂於驅動電晶體1B的臨界電壓Vth，從而將對應於臨界電壓Vth的電壓維持在存儲電容器1C中。
藉由將上述之臨界值校正作業實施三次，將各像素之驅動電晶體1B的臨界電壓Vth刪除，並將對應於臨界電壓Vth的電壓維持在存儲電容器1C中。此外，在該三次臨界值校正週期期間，為容許電流不流至有機EL元件1D側，而僅流至存儲電容器1C側，將共同電源供應線1H的電位Vcath設定成使得有機EL元件1D係在切斷狀態中。
訊號寫入週期及遷移率校正週期
其次，在時間t8，當容許掃描線WSL的電位WS產生至低電位側的轉移時，如圖6A所示，寫入電晶體1A係在非導通狀態中。同時，將訊號線DTL之電位從位移電位Vo移至該視訊訊號的訊號電壓Vin。
當寫入電晶體1A係在非導通狀態中時，驅動電晶體1B的閘極係在浮動狀態中。然而，因為閘極-至-源極電壓Vgs等於驅動電晶體1B的臨界電壓Vth，驅動電晶體1B係在切斷狀態中。因此，汲極-至-源極電流Ids不在驅動電晶體1B中流動。
隨後，在時間t9，當容許掃描線WSL之電位WS產生至高電位側的轉移時，如圖6B所示，寫入電晶體1A係在導通狀態中。因此，將該視訊訊號的訊號電壓Vin取樣以寫入至像素101中。藉由使用寫入電晶體1A將訊號電壓Vin寫入，驅動電晶體1B的閘極電位Vg變成訊號電壓Vin。
然後，當驅動電晶體1B係依據該視訊訊號的訊號電壓Vin而驅動時，驅動電晶體1B的臨界電壓Vth係以維持在存儲電容器1C中的臨界電壓Vth移位，從而實施該臨界值校正。
在此時，因為有機EL元件1D係在第一切斷狀態中(高阻抗狀態)，依據視訊訊號的訊號電壓Vin之從電源供應線DSL流至驅動電晶體1B的電流(汲極-至-源極電流Ids)在有機EL元件1D之EL電容器1I中流動，因此EL電容器1I的充電開始。
藉由充電EL電容器1I，驅動電晶體1B的源極電位Vs隨時間上昇。在此時，因為驅動電晶體1B之臨界電壓Vth的退化已受校正(校正該臨界值)，驅動電晶體1B的汲極-至-源極電流Ids係取決於驅動電晶體1B的遷移率μ。
最後，當驅動電晶體1B的源極電位Vs上昇至電位「Vo-Vth+ΔV」時，驅動電晶體1B的閘極-至-源極電壓Vgs變成「Vin+Vth-ΔV」。換言之，源極電位Vs的增量扮演待從維持在存儲電容器1C中的該電壓(Vin+Vth-ΔV)減去的角色，亦即，用於施用負反饋將充電在存儲電容器1C中的電荷放電。因此，源極電位Vs的增量ΔV變成負反饋的反饋量。
如上文所述，藉由將流經驅動電晶體1B之汲極-至-源極電流Ids施加至驅動電晶體1B的閘極輸入，亦即，該閘極-至-源極電壓Vgs作為負反饋，實施在其中將驅動電晶體1B的汲極-至-源極電流Ids對遷移率μ之相依性消除的遷移率校正，換言之，校正各像素的遷移率μ退化。
明確地說，該視訊訊號的訊號電壓Vin越高，汲極-至-源極電流Ids變得越大，且因此負反饋之反饋量(校正量)ΔV的絕對值增加。因此，遷移率校正係依據照射亮度等級實施。此外，當該視訊訊號的訊號電壓Vin固定時，該負反饋之反饋量ΔV的絕對值隨驅動電晶體1B之遷移率μ變高而增加。因此，可消除各像素之遷移率μ的退化。
發射週期
其次，在時間t10，如圖6C所示，當掃描線WSL之電位WS產生至低電位側的轉移時，寫入電晶體1A係在非導通狀態中。因此，將驅動電晶體1B的閘極從訊號線DTL切斷以在浮動狀態中。
當驅動電晶體1B的閘極係在浮動狀態中時，且同時，驅動電晶體1B之汲極-至-源極電流Ids開始流經有機EL元件1D，有機EL元件1D之陽極電位係依據驅動電晶體1B的汲極-至-源極電流Ids而上昇。
有機EL元件1D之陽極電位中的上昇與驅動電晶體1B之源極電位Vs中的上昇沒有不同。當驅動電晶體1B之源極電位Vs上昇時，驅動電晶體1B之閘極電位Vg也藉由存儲電容器1C的啟動作業而上昇。
在此時，假設啟動增益為一(理想值)，閘極電位Vg中的上昇量等於源極電位Vs中的上昇量。因此在該發射週期期間，將驅動電晶體1B的閘極-至-源極電壓Vgs維持固定於Vin+Vth-△V。然後，在時間t11，訊號線DTL的電位從該視訊訊號的訊號電壓Vin移至訊號線參考電位Vo。
從上文之該作業描述可明顯看出，在此範例中，將該臨界值校正週期設定為總計為3H週期期間，該3H週期包括在其中實施訊號寫入及遷移率校正的1H週期，及領先該1H週期的2H週期。因此，可得到充份的時間作為該臨界值校正週期。因此，驅動電晶體1B的臨界電壓Vth可正確地偵測並維持在存儲電容器1C中，因此該臨界值校正作業可確實地實施。
此處，將該臨界值校正週期設定為該3H週期期間。然而，此僅為範例。因此，只要可藉由1H週期取得在其 中實施訊號寫入及遷移率校正之充份時間作為該臨界值校正週期，該臨界值校正週期可能無須設定為之前的水平週期期間。另一方面，在1H週期依據精確性增加而縮短的情形中，當難以藉由將該臨界值校正週期設定為3H週期期間以得到充份的時間時，可能將該臨界值校正週期設定成4H週期期間或以上。
2.相關技術中的像素結構問題 像素電路
圖7係代表相關技術之像素結構的電路圖。像素101包括有機EL元件1D、驅動電晶體1B、寫入電晶體1A、存儲電容器1C、及輔助電容器1J。
更具體地說，有機EL元件1D之陽極電極與驅動電晶體1B的源極相互連接，且驅動電晶體1B之閘極與寫入電晶體1A的源極或汲極相互連接。此外，存儲電容器1C係連接在驅動電晶體1B之閘極及源極電極之間。此外，輔助電容器1J係連接在有機EL元件1D之陽極電極及陰極電極之間。此外，寄生電容Cp形成在有機EL元件中。
訊號線DTL係連接至寫入電晶體1A之汲極或源極。此外，掃描線WSL連接至寫入電晶體1A的閘極，並給定預定時序。電源供應線DSL連接至驅動電晶體1B的汲極。
像素電路的佈置
圖8係描繪相關技術之像素結構的示意平面圖。圖8呈現R(紅色)像素、G(綠色)像素、及B(藍色)像素的設置組態。將各像素組態於電源供應線DSL及掃描線WSL之間，該掃描線WSL在水平方向上延伸(在該圖的水平方向上)，且該等RGB像素的區域係由訊號線DTL所分割，該等訊號線DTL在垂直方向上延伸(在該圖的垂直方向上)。
寫入電晶體1A、驅動電晶體1B、及存儲電容器1C設置在各像素的區域內。此外，同樣設置用於調整寫入增益或遷移率校正時間的輔助電容器1J。
在圖8所呈現的範例中，顯示G(綠色)像素的型樣密度低於R(紅色)像素之型樣密度，且B(藍色)像素的型樣密度高於R(紅色)像素之型樣密度的情形。在具有高型樣密度的像素中，寫入間隔短，因此缺陷型樣等可能輕易地產生。
圖9係描繪解決該型樣密度問題之該像素結構的示意平面圖。在此佈置中，相對於圖8所呈現的該佈置，將具有高像素密度的B(藍色)像素設置成在水平方向上反轉。因此，未將訊號線DTL-B設置在B(藍色)像素及G(綠色)像素之間的區域中，並將B(藍色)像素的輔助電容器1J設定成從上述區域中至G(綠色)像素之區域中。
圖10係藉由將陽極電極加至圖9所呈現的該佈置中而取得之佈置的示意平面圖。陽極電極AD在該圖中係以 細實線標示，並形成為覆蓋各像素。此處，該等RGB像素的寫入電晶體1A或驅動電晶體1B的型樣彼此不對稱。然而，將陽極電極AD形成為對稱以容許有機EL元件1D的孔徑比一致。因此，將B(藍色)像素之輔助電容器1J的一部分設置在G(綠色)像素之陽極電極AD-G的下方。此外，在該圖中由斜線指示的區域形成平行板電容器，其係藉由G(綠色)像素的陽極電極AD-G及B(藍色)像素之輔助電容器1J的上電極所組態。
圖11係沿著圖10所示之A-A線取得的示意橫剖面圖。在B(藍色)像素的輔助電容器1J中，將陰極設定在變成下電極D1的第一金屬佈線中，並將驅動電晶體1B的源極s，亦即，陽極設定在變成上電極D2的多晶矽中。結果，G(綠色)像素的陽極及B(藍色)像素的陽極組態一平行板，從而形成寄生電容Cp。
描繪寄生電容的電路圖
圖12係描繪該寄生電容的電路圖。訊號線DTL係連接至寫入電晶體1A，且寫入電晶體1A的源極或汲極係連接至驅動電晶體1B的閘極(節點g)。
電源供應線DSL係連接至驅動電晶體1B的汲極，且存儲電容器1C係連接在該閘極及該源極之間。驅動電晶體1B的源極(源極s)係連接至有機EL元件1D的陽極電極。輔助電容器1J係連接在有機EL元件1D的陽極電極及陰極電極(陰極)之間。此外，有機EL元件1D的 寄生電容器Cp係組態於有機EL元件1D的陽極電極及陰極電極之間。
如上文所述，因為將B(藍色)像素之輔助電容器1J設定在G(綠色)像素的區域中，寄生電容Cp在G(綠色)像素的陽極及B(藍色)像素之輔助電容器1J的上電極(陽極)之間形成。
時序圖
圖13A及13B係描繪在視訊訊號的取樣週期及遷移率校正週期期間所實施之作業的時序圖。此處，將描述由於B(藍色)像素之取樣電位(發射亮度)中的不同所導致之在G(綠色)像素之發射亮度中的改變。
圖13A呈現在將相同的視訊訊號電位Vsig寫入至G像素及B像素中以在相同之驅動狀態的情形中，電位中之改變的外觀。當相同的視訊訊號電位Vsig寫入時，在G像素之驅動電晶體1B的源極s，亦即，由電容耦合所導致的陽極，之電位中的上昇可用下列運算式(1)表示，該上昇係在該視訊訊號寫入時發生。
(Vsig-Vo)×Cs/(Cs+Coled_G+Csub_G) (1)
因此，G像素的驅動電晶體1B之源極電位中的上昇不受寄生電容Cp影響。
圖13B呈現在其中將與圖13A中所呈現的該視訊訊號電位相同的視訊訊號電位Vsig寫入G像素中，並將視訊訊號電位Vsig0寫入B像素中的狀態。此處，假設 Vsig>>Vsig0且Vsig0係代表接近黑色的灰階。當此等視訊訊號電位寫入該等像素時，在G像素之N-型驅動電晶體1B的源極s，亦即，由於電容耦合所導致的陽極，之電位中的上昇可用下列運算式(2)表示，該上昇係在該等視訊訊號寫入時發生。
(Vsig-Vo)×Cs/(Cs+Coled_G+Csub_G+Cp) (2)
因此，G像素的N型驅動電晶體1B之源極電位中的上昇受寄生電容Cp影響。
結果，滿足「運算式(1)」>「運算式(2)」的關係。因此，在相鄰於G像素之B像素具有高灰階的情形中，當該視訊訊號寫入時，驅動電晶體1B的閘極-至-源極電壓減少以減少亮度。如上文所述，當相鄰像素的陽極形成寄生電容時，一像素對另一像素有影響。
在此實施例中，如上文所述，可防止由於寄生電容形成在相鄰像素的陽極之間所導致的相鄰像素之一像素的視訊訊號電位中的改變對其他像素之亮度的影響。
3.此實施例的組態範例 系統組態
圖14係代表此實施例一範例之該系統組態的圖。如圖14所呈現的，有機EL顯示器100具有包括像素陣列單元102及驅動元件之組態，該像素陣列單元係藉由將像素(PXLC)101二維設置為矩陣形狀而形成，驅動元件設置在該像素陣列單元102的周邊並驅動各像素101。例如，將水平驅動電路103、寫入掃描電路104、及電源供應掃描電路105設置為驅動像素101的該驅動單元。
在像素陣列單元102中，在m列及n行之該像素陣列中，掃描線WSL-1至WSL-m及電源供應線DSL-1至DSL-m係針對各像素列佈線，且訊號線DTL-1至DTL-n係針對各像素行佈線。此等組件之組態與圖1所呈現的組態相同。
像素結構(第一範例)
圖15係描繪根據此實施例的像素結構之範例(第一範例)的示意平面圖。圖15呈現R(紅色)像素、G(綠色)像素、及B(藍色)像素的設置組態。將各像素組態於電源供應線DSL及掃描線WSL之間，該掃描線WSL在水平方向上延伸(在該圖的水平方向上)，且該等RGB像素的區域係由訊號線DTL所分割，該等訊號線DTL在垂直方向上延伸(在該圖的垂直方向上)。
寫入電晶體1A、驅動電晶體1B、及存儲電容器1C設置在各像素的區域內。此外，同樣設置用於調整寫入增益或遷移率校正時間的輔助電容器1J。
在圖15所呈現的範例中，顯示G(綠色)像素的型樣密度低於R(紅色)像素之型樣密度，且B(藍色)像素的型樣密度高於R(紅色)像素之型樣密度的情形。
在此佈置中，相對於R(紅色)像素及G(綠色)像素在該圖中的佈置，將具有高像素密度的B(藍色)像素設置成在水平方向上反轉。因此，未將訊號線DTL-B設置在B(藍色)像素及G(綠色)像素之間的區域中，並將B(藍色)像素的輔助電容器1J設定成從上述區域中至G(綠色)像素之區域中。此外，陽極電極AD在該圖中係以細實線標示，並形成為覆蓋各像素。
此處，該等RGB像素的寫入電晶體1A或驅動電晶體1B的型樣彼此不對稱。然而，將陽極電極AD形成為對稱以容許有機EL元件1D的孔徑比一致。因此，將B(藍色)像素之輔助電容器1J的一部分設置在G(綠色)像素之陽極電極AD-G的下方。
在此實施例中，將組態B(藍色)像素之輔助電容器1J的一對電極之上電極佈線成與該有機EL元件的陰極電極導通，該上電極設置在該有機EL元件側上。因此，B(藍色)像素之輔助電容器1J的該等電極之上電極具有該陰極電位之電位，且下電極具有該陽極電位的電位。換言之，具有該陰極電位之電位的上電極係設置在G(綠色)像素的陽極及B(藍色)像素之輔助電容器1J的陽極(下電極)之間。因此，由於屏蔽效應，防止寄生電容形成於G(綠色)像素的陽極及B(藍色)像素之輔助電容器1J的陽極(下電極)之間。
圖16係沿著圖15所示之B-B線取得的示意橫剖面圖。在該像素結構中，與變成第一金屬佈線的驅動電晶體1B之源極(源極s)導通的輔助電容器1J之陽極側電極(下電極D1)係設置在玻璃基材上。
此外，輔助電容器1J的陰極側電極(上電極D2)係經由閘極氧化物膜設置在低電極D1上。上電極D1係藉由形成中間層的多晶矽形成，該中間層在第一金屬佈線及第二金屬佈線(未圖示)之間。
G(綠色)像素的陽極電極AD-G及B(藍色)像素之陽極電極AD-B係經由層間絕緣層及平坦層設置在上電極D1上。將該有機EL元件的多層膜，未圖示於該圖中，形成在陽極電極AD-G及AD-B上。
如上文所述，在此實施例中，驅動電晶體1B的源極s，亦即，該陽極係設定在變成B(藍色)像素之輔助電容器1J的下電極D1之該第一金屬佈線中，並將陰極設定在變成上電極D2的該多晶矽中。因此，寄生電容未組態於G(綠色)像素之陽極電極AD-G及B(藍色)像素的陽極電極(下電極D1)之間。
此外，G(綠色)像素的陽極及B(藍色)像素之上電極D2(陰極)組態一平行板，因此形成寄生電容Cp。然而，上電極D2具有如陰極的固定電位。因此，即使當該等像素的陽極電位改變時，其對相鄰像素可能沒有影響。換言之，在各像素中，與該像素之視訊訊號電位對應的該發射亮度可用很少受相鄰像素之視訊訊號電位中的改變影響之方式取得。
圖17係沿著圖15所示之C-C線取得的示意橫剖面圖。在此實施例中，將輔助電容器1J的上電極D2設定為陰極，並將下電極D1連接至驅動電晶體1B的源極s。此處 ，下電極D1係藉由第一金屬佈線組態，且驅動電晶體1B的源極s係藉由為中間層的多晶矽組態。因此，形成接點孔以容許此等組件彼此導通。換言之，將接點孔CH1形成在輔助電容器1J的下電極D2中，並將接點孔CH2形成在作為驅動電晶體1B之源極s的多晶矽中，並藉由第二金屬佈線使彼等彼此導通。
在上述的佈線結構下，即使當使用在其中B(藍色)像素的輔助電容器1J係設定在G(綠色)像素之區域中的組態時，寄生電容在G(綠色)像素的陽極電極及B(藍色)像素之輔助電容器1J的陽極電極(下電極D1)之間的形成受抑制。
像素結構(第二範例)
圖18係描繪根據此實施例的像素結構之範例(第二範例)的示意橫剖面圖。此示意橫剖面圖係沿著圖15所示之A-A線取得的橫剖面圖。在此像素結構中，將B(藍色)像素的輔助電容器1J設定在B(藍色)像素至G(綠色)像素的區域中。此外，將屏蔽電極SD設置在輔助電容器1J及G(綠色)像素的陽極電極AD-G之間。
B(藍色)像素之輔助電容器1J的下電極D1係藉由該第一金屬佈線組態，並設定為該有機EL元件的陰極。另一方面，B(藍色)像素之輔助電容器1J的上電極D2係藉由為中間層的多晶矽組態，並設定為該驅動電晶體的源極s，亦即，該有機EL元件的陽極。
在此種組態下，根據此實施例，屏蔽電極SD係設置在上電極D2之上側及G(綠色)像素的陽極電極AD-G之間。更具體地說，將層間絕緣膜設置在B(藍色)像素之輔助電容器1J的上電極D2上，並將屏蔽電極SD設置在該層間絕緣膜上。將屏蔽電極SD組態為該第二金屬佈線並與該有機EL元件的陰極導通。
G(綠色)像素之陽極電極AD-G及B(藍色)像素的陽極電極AD-B係經由該平坦膜設置在屏蔽電極SD上。將該有機EL元件的多層膜，未圖示於該圖中，形成在陽極電極AD-G及AD-B上。
根據藉由上述組態形成的此實施例，其為與陰極相同之節點的屏蔽電極SD係插入在G(綠色)像素之陽極電極AD-G及B(藍色)像素的輔助電容器1J之上電極D2間。因此，寄生電容未於G(綠色)像素的陽極電極AD-G及B(藍色)像素之輔助電容器1J的上電極D2之間形成。此外，即使在寄生電容器Cp係形成於陽極電極AD-G及屏蔽電極SD之間的情形中，陰極具有固定的電位。因此，即使當該等像素之陰極電位改變時，其對相鄰像素的影響很少。結果，在各像素中，與該像素之視訊訊號電位對應的該發射亮度可用很少受相鄰像素之視訊訊號電位中的改變影響之方式取得。
在上述實施例中，已將本發明施用於有機EL顯示器之情形描述為範例，該有機EL顯示器將有機EL元件使用為像素101的該光電元件。然而，本發明未受限於此種 應用，並可能將其施用於使用電流驅動型光電元件(發光元件)的所有顯示器上，在該光電元件中該發射亮度係依據流經該設備之電流值而改變。
4.應用
根據此實施例之上述顯示器可藉由設置於彼等主體上而施用在各種電子裝置上。例如，可將上述顯示器施用在圖19至23所示之各種電子裝置上。例如，可將上述顯示器使用為所有領域之電子裝置的顯示器，在其中將輸入至該電子裝置之視訊訊號或在該電子裝置中產生的視訊訊號顯示為影像或視訊，諸如數位相機、筆記型個人電腦、包括行動電話等的行動終端設備、及視訊攝影機。
如上文所述，藉由將根據此實施例的顯示器使用為所有領域之電子裝置的顯示器，可改善顯示影像的影像品質。因此，具有可在各種電子裝置中實施高品質影像顯示的優點。
此外，根據此實施例的該顯示器包括以模組形狀具有封閉組態的顯示器。例如，藉由附接至像素陣列單元102之對向部位(諸如透明玻璃)而形成的顯示模組對應於此種顯示器。可能將彩色濾波器、保護膜等設置在該透明對向部位中，並可能額外設置上述之光屏蔽膜。此外，可能將用於從外側將訊號等輸入或輸出至該像素陣列單元的電路單元、FPC(可撓式印刷電路)等設置在該顯示模組中。
在下文中，將描述將根據此實施例的顯示器施用於其之電子裝置的具體範例。
圖19係顯示施用此實施例的電視機之外觀的透視圖。根據此應用的電視機包括藉由前面板108組態之視訊顯示螢幕單元107、濾波玻璃109等。該電視機藉由將根據此實施例之顯示器使用為該視訊顯示螢幕單元107而組態。
圖20A及20B係顯示施用此實施例的數位相機之外觀的透視圖。圖20A係從前方的透視圖，而圖20B係從後方的透視圖。根據此應用的數位相機包括用於閃光的發光單元111、顯示單元112、選單開關113、快門鍵114等。該數位相機係藉由將根據此實施例的顯示器使用為顯示單元112而製造。
圖21係顯示施用此實施例的筆記型個人電腦之外觀的透視圖。根據此應用的筆記型個人電腦包括當將文字等輸入至主體121時所操作的鍵盤122、顯示影像的顯示單元123等。該筆記型個人電腦係藉由將根據此實施例的顯示器使用為顯示單元123而製造。
圖22係顯示施用此實施例的視訊攝影機之外觀的透視圖。根據此應用的視訊攝影機包括主體單元131、設置在面對用於拍攝對象的前側之側上的鏡頭132、用於拍攝之開始/停止開關133、顯示單元134等。該視訊攝影機係藉由將根據此實施例之顯示器使用為該視訊顯示單元134而製造。
圖23A至23G係顯示將此實施例施用於其之行動終端設備之外觀的圖，諸如行動電話。圖23A係開啟狀態的前視圖、圖23B係其之側視圖、圖23C係關閉狀態的前視圖、圖23D係左側視圖、圖23E係右側視圖、圖23F係頂視圖、且圖23G係底視圖。根據此應用的行動電話包括上外殼141、下外殼142、連接部(此處為樞軸部) 143、顯示器144、次顯示器145、閃光燈146、相機147等。該行動電話係藉由將根據此實施例之顯示器使用為顯示器144或次顯示器145而製造。
本發明包含與於2009年1月9日向日本特許廳申請之日本優先權專利申請案案號第2009-003201號所揭示的主題內容相關之主題內容，該專利之教示全文以提及之方式併入本文中。
熟悉本發明之人士應能理解不同的修改、組合、次組合、及變更可能取決於設計需求及其他因素而在隨附之申請專利範圍或其等同範圍內發生。
100．．．有機EL顯示器
101．．．像素
102．．．像素陣列單元
103．．．水平驅動電路
104．．．寫入掃描電路
105．．．電源供應掃描電路
107．．．視訊顯示螢幕單元
108‧‧‧前面板
109‧‧‧濾波玻璃
111‧‧‧發光單元
112、123、134‧‧‧顯示單元
113‧‧‧選單開關
114‧‧‧快門鍵
121‧‧‧主體
122‧‧‧鍵盤
131‧‧‧主體單元
132‧‧‧鏡頭
133‧‧‧開始/停止開關
141‧‧‧上外殼
142‧‧‧下外殼
143‧‧‧連接部
144‧‧‧顯示器
145‧‧‧次顯示器
146‧‧‧閃光燈
147‧‧‧相機
1A‧‧‧寫入電晶體
1B‧‧‧驅動電晶體
1C‧‧‧存儲電容器
1D‧‧‧有機EL元件
1H‧‧‧共同電源供應線
1I‧‧‧EL電容器
1J‧‧‧輔助電容器
AD-B、AD-G‧‧‧陽極電極
ck‧‧‧時脈
Cp‧‧‧寄生電容
CH1、CH2‧‧‧接點孔
D1‧‧‧下電極
D2‧‧‧上電極
DS‧‧‧電源供應線電位
DSL‧‧‧電源供應線
DTL、DTL-B‧‧‧訊號線
g‧‧‧節點
Ids‧‧‧驅動電流
s‧‧‧源極
SD‧‧‧屏蔽電極
sp‧‧‧開始脈衝
Vcc_H‧‧‧第一電位
Vcc_L‧‧‧第二電位
Vg‧‧‧閘極電位
Vo‧‧‧訊號線參考電位
Vs‧‧‧源極電位
Vin‧‧‧訊號電壓
Vsig、Vsig0‧‧‧視訊訊號電位
Vth、Vel‧‧‧臨界電壓
Vx1、Vx2‧‧‧預定電位
△V‧‧‧增量
WS‧‧‧脈衝(掃描訊號)
WSL‧‧‧掃描線
圖1係代表作為本發明實施例之假定使用的主動矩陣型有機EL顯示器之系統組態的示意圖。
圖2係代表像素組態之具體範例的電路圖(像素電路)。
圖3係用於描繪作為本發明實施例之假定使用的該主動矩陣型有機EL顯示器之作業的時序波形圖。
圖4A至4D係描繪作為本發明實施例之假定使用的該主動矩陣型有機EL顯示器之電路作業的範例圖(第一範例)。
圖5A至5D係描繪作為本發明實施例之假定使用的該主動矩陣型有機EL顯示器之電路作業的範例圖(第二範例)。
圖6A至6C係描繪作為本發明實施例之假定使用的該主動矩陣型有機EL顯示器之電路作業的範例圖(第三範例)。
圖7係代表相關技術之像素結構的電路圖。
圖8係描繪相關技術之像素結構的示意平面圖。
圖9係描繪解決該型樣密度問題之該像素結構的示意平面圖。
圖10係藉由將陽極電極加至圖9所呈現的該佈置中而取得之佈置的示意平面圖。
圖11係沿著圖10所示之A-A線取得的橫剖面圖。
圖12係描繪寄生電容的電路圖。
圖13A及13B係描繪在視訊訊號的取樣週期及遷移率校正週期期間所實施之作業的時序圖。
圖14係代表此實施例一範例之該系統組態的圖。
圖15係描繪根據此實施例的像素結構之範例(第一範例)的示意平面圖。
圖16係沿著圖15所示之B-B線取得的橫剖面圖。
圖17係沿著圖15所示之C-C線取得的橫剖面圖。
圖18係描繪根據此實施例的像素結構之範例(第二範例)的示意橫剖面圖。
圖19係顯示施用此實施例的電視機之外觀的透視圖。
圖20A及20B係顯示施用此實施例的數位相機之外觀的透視圖。圖20A係從前方的透視圖，而圖20B係從後方的透視圖。
圖21係顯示施用此實施例的筆記型個人電腦之外觀的透視圖。
圖22係顯示施用此實施例的視訊攝影機之外觀的透視圖。
圖23A至23G係顯示施用此實施例的行動電話之外觀的圖。圖23A係開啟狀態的前視圖、圖23B係其之側視圖、圖23C係關閉狀態的前視圖、圖23D係左側視圖、圖23E係右側視圖、圖23F係頂視圖、且圖23G係底視圖。
1A．．．寫入電晶體
1B．．．驅動電晶體
1C．．．存儲電容器
DSL．．．電源供應線
DTL．．．訊號線
WSL．．．掃描線

Claims (6)

  1. 一種顯示器，包含：一像素陣列單元，以一矩陣形狀設置在一基材上，具有包括一電路組態的像素，其中一光電元件之一第一電極與一驅動電晶體的一源極相互連接，該驅動電晶體的一閘極與一寫入電晶體之一源極或一汲極相互連接，一存儲電容器連接於該驅動電晶體的該閘極及該源極之間，且一輔助電容器連接在該光電元件之該第一電極及一第二電極之間，其中，該輔助電容器被設置在每一個像素的一區域中，其中，該輔助電容器被設置在該基材與該光電元件之間，並具有在基材側之第一電極與在光電元件側之第二電極，且設置在該光電元件側上的該輔助電容器之該第二電極與該光電元件的該第二電極導通。
  2. 如申請專利範圍第1項的顯示器，其中驅動電晶體之該閘極及設置在該基材側上的該輔助電容器之該電極係設置在一第一佈線層中，用於傳輸一視訊訊號至該等像素的一訊號線係設置在一第二佈線層中，且設置在該光電元件側上之該輔助電容器的該電極係設置在一中間層中，該中間層設置在該第一佈線層及該第二佈線層之間。
  3. 如申請專利範圍第2項的顯示器，其中該中間層係由多晶矽形成。
  4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項的顯示器，其中該光電元件係一有機EL(電致發光)元件，該第一電極係一陽極電極，且該第二電極係一陰極電極。
  5. 一種顯示器，包含：一像素陣列單元，以一矩陣形狀設置在一基材上，具有包括一電路組態的像素，其中一光電元件之一第一電極與一驅動電晶體的一源極相互連接，該驅動電晶體的一閘極與一寫入電晶體之一源極或一汲極相互連接，一存儲電容器連接於該驅動電晶體的該閘極及該源極之間，且一輔助電容器連接在該光電元件之該第一電極及一第二電極之間，其中，該輔助電容器被設置在每一個像素的一區域中，其中，該輔助電容器被設置在該基材與該光電元件之間，並具有在基材側上之第一電極與在光電元件側上之第二電極，且一屏蔽電極，其與該光電元件之該第二電極導通，設置在該輔助電容器及該另一個像素之光電元件的該第一電極之間。
  6. 一種電子設備，包含：一顯示器，設置在一主體外殼中，該顯示器包括一像 素陣列單元，以一矩陣形狀設置在一基材上，具有包括一電路組態的像素，其中一光電元件之一第一電極與一驅動電晶體的一源極相互連接，該驅動電晶體的一閘極與一寫入電晶體之一源極或一汲極相互連接，一存儲電容器連接於該驅動電晶體的該閘極及該源極之間，且一輔助電容器連接在該光電元件之該第一電極及一第二電極之間，其中，該輔助電容器被設置在每一個像素的一區域中，其中，該輔助電容器被設置在該基材與該光電元件之間，並具有在基材側之第一電極與在光電元件側之第二電極，且設置在該光電元件側上的該輔助電容器之該第二電極與該光電元件的該第二電極導通。
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