TWI437358B - 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 - Google Patents

空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI437358B
TWI437358B TW097137085A TW97137085A TWI437358B TW I437358 B TWI437358 B TW I437358B TW 097137085 A TW097137085 A TW 097137085A TW 97137085 A TW97137085 A TW 97137085A TW I437358 B TWI437358 B TW I437358B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
pattern
blank mask
etching
manufacturing
Prior art date
Application number
TW097137085A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW200923569A (en
Inventor
佐藤孝
暮石光浩
Original Assignee
Ｈｏｙａ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｈｏｙａ股份有限公司 filed Critical Ｈｏｙａ股份有限公司
Publication of TW200923569A publication Critical patent/TW200923569A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI437358B publication Critical patent/TWI437358B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/009—Manufacturing the stamps or the moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H10P76/2041—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
TW097137085A 2007-09-27 2008-09-26 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 TWI437358B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007251244 2007-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200923569A TW200923569A (en) 2009-06-01
TWI437358B true TWI437358B (zh) 2014-05-11

Family

ID=40511431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097137085A TWI437358B (zh) 2007-09-27 2008-09-26 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8273505B2 (enExample)
JP (1) JP5161017B2 (enExample)
KR (1) KR101530732B1 (enExample)
CN (1) CN101809499B (enExample)
TW (1) TWI437358B (enExample)
WO (1) WO2009041551A1 (enExample)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009080421A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Hoya Corp マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法
JP5428513B2 (ja) * 2009-05-14 2014-02-26 大日本印刷株式会社 ナノインプリントモールド用基材の処理方法およびそれを用いたナノインプリントモールドの製造方法
JP5658920B2 (ja) 2009-06-23 2015-01-28 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜
JP2011096686A (ja) * 2009-09-30 2011-05-12 Hoya Corp インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス
JP2011073305A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Hoya Corp インプリント用モールドの製造方法
TWI494682B (zh) * 2009-11-18 2015-08-01 Ｈｏｙａ股份有限公司 基板之再生方法、光罩基底之製造方法、附多層反射膜基板之製造方法及反射型光罩基底之製造方法
JP5798349B2 (ja) * 2010-03-30 2015-10-21 Hoya株式会社 離型層付きモールドおよびその製造方法ならびにモールドの製造方法
JP5599213B2 (ja) * 2010-03-30 2014-10-01 Ｈｏｙａ株式会社 モールドの製造方法
JP5606826B2 (ja) * 2010-08-24 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 インプリント用離型層、インプリント用離型層付きモールド及びインプリント用離型層付きモールドの製造方法
WO2011122605A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 Hoya株式会社 インプリント用離型層付きモールド及びインプリント用離型層付きモールドの製造方法、コピーモールドの製造方法
JP5453616B2 (ja) * 2010-04-16 2014-03-26 Ｈｏｙａ株式会社 インプリント用モールドの製造方法
JP2012069687A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp パターンの形成方法、電子デバイスの製造方法、および電子デバイス
JP5627990B2 (ja) * 2010-10-25 2014-11-19 Hoya株式会社 インプリント用モールドの製造方法
JP5945410B2 (ja) * 2010-12-13 2016-07-05 Hoya株式会社 レジスト現像装置およびモールド製造方法
JP6002528B2 (ja) * 2011-09-28 2016-10-05 Hoya株式会社 マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法
KR20140072121A (ko) * 2011-09-30 2014-06-12 호야 가부시키가이샤 몰드 블랭크, 마스터 몰드, 카피 몰드 및 몰드 블랭크의 제조 방법
WO2013111812A1 (ja) * 2012-01-27 2013-08-01 旭化成株式会社 微細凹凸構造体、ドライエッチング用熱反応型レジスト材料、モールドの製造方法及びモールド
JP2013182962A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Toshiba Corp テンプレートの製造方法
JP5739376B2 (ja) * 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 モールド作製用ブランクおよびモールドの製造方法
JP5626613B2 (ja) * 2013-12-12 2014-11-19 Hoya株式会社 インプリントモールド用マスクブランク
WO2016132816A1 (ja) * 2015-02-19 2016-08-25 日本碍子株式会社 光学デバイスの製造方法
WO2017057263A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 大日本印刷株式会社 配線構造体およびその製造方法、半導体装置、多層配線構造体およびその製造方法、半導体素子搭載用基板、パターン構造体の形成方法、インプリント用のモールドおよびその製造方法、インプリントモールドセット、ならびに多層配線基板の製造方法
US10156786B2 (en) 2015-09-30 2018-12-18 Thomas E. Seidel Method and structure for nanoimprint lithography masks using optical film coatings
KR102624985B1 (ko) 2016-07-26 2024-01-16 삼성전자주식회사 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법
TWI613506B (zh) * 2017-01-04 2018-02-01 光罩的製作方式
US12085852B2 (en) * 2021-12-27 2024-09-10 Canon Kabushiki Kaisha Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823687B2 (ja) * 1990-05-14 1996-03-06 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法
JP2658966B2 (ja) * 1995-04-20 1997-09-30 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
JP3303745B2 (ja) * 1997-10-31 2002-07-22 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11271958A (ja) * 1998-02-06 1999-10-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 高解像フォトマスクおよびその製造方法
KR100725214B1 (ko) * 1999-12-15 2007-06-07 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크, 및 하프톤위상 시프트 포토 마스크
US6350360B1 (en) * 2000-04-07 2002-02-26 Sandia Coroporation Method of fabricating a 3-dimensional tool master
JP4686006B2 (ja) * 2000-04-27 2011-05-18 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
JP3818171B2 (ja) * 2002-02-22 2006-09-06 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法
KR100815679B1 (ko) * 2001-11-27 2008-03-20 호야 가부시키가이샤 하프톤형 위상 시프트 마스크 블랭크, 하프톤형 위상시프트 마스크 및 그 제조방법
EP2317382B1 (en) * 2002-04-11 2016-10-26 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
US6852454B2 (en) 2002-06-18 2005-02-08 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-tiered lithographic template and method of formation and use
JP4619043B2 (ja) * 2004-06-02 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法
JP2006078825A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
WO2007074810A1 (ja) 2005-12-26 2007-07-05 Hoya Corporation マスクブランク及びフォトマスク
JP4614877B2 (ja) * 2005-12-27 2011-01-19 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP4764213B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-31 凸版印刷株式会社 レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4881633B2 (ja) 2006-03-10 2012-02-22 凸版印刷株式会社 クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法
JP5009649B2 (ja) * 2007-02-28 2012-08-22 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101530732B1 (ko) 2015-06-22
JP5161017B2 (ja) 2013-03-13
WO2009041551A1 (ja) 2009-04-02
TW200923569A (en) 2009-06-01
US8273505B2 (en) 2012-09-25
JP2009098689A (ja) 2009-05-07
US20100255411A1 (en) 2010-10-07
CN101809499B (zh) 2012-10-10
KR20100061505A (ko) 2010-06-07
CN101809499A (zh) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI437358B (zh) 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法
JP5009649B2 (ja) マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法
KR20140072121A (ko) 몰드 블랭크, 마스터 몰드, 카피 몰드 및 몰드 블랭크의 제조 방법
JP2009080421A (ja) マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法
JP2009206339A (ja) インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法
JP5221168B2 (ja) インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法
KR20140031248A (ko) 몰드 제조용 마스크 블랭크스 및 몰드의 제조 방법
JP6236918B2 (ja) ナノインプリント用テンプレートの製造方法
JP5599213B2 (ja) モールドの製造方法
KR102442936B1 (ko) 포토마스크 블랭크 및 포토마스크의 제조 방법
KR101782191B1 (ko) 마스크 블랭크 및 임프린트용 몰드의 제조 방법
JP5743920B2 (ja) 微細パターンを有するガラス構造体の製造方法
JP6608613B2 (ja) 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
WO2011040477A1 (ja) インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス
JP5626613B2 (ja) インプリントモールド用マスクブランク
JP7801836B2 (ja) インプリントモールド用基板、インプリントモールド用ブランク、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法、電子部品の製造方法、および光学部品の製造方法
WO2011040476A1 (ja) インプリント用モールドの製造方法
JP2024137451A (ja) 積層体、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法、光学素子の製造方法、および電子部品の製造方法
JP2011073304A (ja) インプリント用モールドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees