TWI435803B - Copper foil composite - Google Patents

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TWI435803B
TWI435803B TW100121582A TW100121582A TWI435803B TW I435803 B TWI435803 B TW I435803B TW 100121582 A TW100121582 A TW 100121582A TW 100121582 A TW100121582 A TW 100121582A TW I435803 B TWI435803 B TW I435803B
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Kazuki Kammuri
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

銅箔複合體
本發明係關於一種將銅箔與樹脂層積層而成之銅箔複合體。
銅箔與樹脂層積層而成之銅箔複合體應用於FPC(撓性印刷基板)、電磁波遮罩材料、RF-ID(無線IC標籤)、面狀發熱體、散熱體等中。例如，於FPC之情形時，於基底樹脂層上形成銅箔之電路，且保護電路之覆蓋膜將電路覆蓋，而成為樹脂層/銅箔/樹脂層之積層構造。
然而，此種銅箔複合體之加工性，要求由MIT彎曲性所代表之彎折性、由IPC彎曲性所代表之高循環彎曲性，而提出有彎折性或彎曲性優異之銅箔複合體(例如專利文獻1～3)。例如，FPC於行動電話之鉸鏈部等可動部經彎折或為實現電路之小空間化而彎折使用，作為變形模式，為由上述之MIT彎曲試驗或IPC彎曲試驗所代表之單軸彎曲，並設計成不會形成嚴苛之變形模式。
專利文獻1：日本特開2010-100887號公報
專利文獻2：日本特開2009-111203號公報
專利文獻3：日本特開2007-207812號公報
然而，若將上述銅箔複合體進行加壓加工等，則由於成為與MIT彎曲試驗或IPC彎曲試驗不同之嚴苛(複雜)之變形模式，故而存在銅箔斷裂之問題。而且，若能夠對銅箔複合體進行加壓加工，則可使含有電路之構造體符合產品形狀。
因此，本發明之目的在於提供一種即便產生與加壓加工等之類的單軸彎曲不同之嚴苛(複雜)的變形，亦防止銅箔斷裂且加工性優異的銅箔複合體。
本發明人等發現，將樹脂層之變形行為傳達至銅箔而亦使銅箔以與樹脂層相同之方式發生變形，藉此難以產生銅箔之收縮，提高延展性，可防止銅箔之斷裂，從而完成本發明。即，以樹脂層之變形行為傳達至銅箔之方式，規定樹脂層及銅箔之特性。
即，本發明之銅箔複合體係一種積層有銅箔與樹脂層之銅箔複合體，於將上述銅箔之厚度設為t2 (mm)、拉伸應變4%時之上述銅箔之應力設為f2 (MPa)，上述樹脂層之厚度設為t3 (mm)、拉伸應變4%時之上述樹脂層之應力設為f3 (MPa)時，滿足式1：(f3 ×t3 )/(f2 ×t2)≧1，且，於將上述銅箔與上述樹脂層之180°剝離接著強度設為f1 (N/mm)、上述銅箔複合體之拉伸應變30%時之強度設為F(MPa)、上述銅箔複合體之厚度設為T(mm)時，滿足式2：1≦33f1 /(F×T)。
較佳為於未達上述樹脂層之玻璃轉移溫度之溫度時，上述式1及式2成立。
較佳為上述銅箔複合體之拉伸斷裂應變I與上述樹脂層單體之拉伸斷裂應變L之比I/L為0.7～1。
根據本發明，可獲得一種即便產生與加壓加工等之類的單軸彎曲不同之嚴苛(複雜)的變形，亦防止銅箔斷裂且加工性優異的銅箔複合體。
本發明之銅箔複合體係將銅箔與樹脂層積層而構成。
本發明之銅箔複合體例如可應用於FPC(撓性印刷基板)、電磁波遮罩材料、RF-ID(無線IC標籤)、面狀發熱體、散熱體中，但並不限定於該等。
<銅箔>
銅箔之厚度t2 較佳為0.004～0.05mm(4～50μm)。若t2 未達0.004mm(4μm)，則有銅箔之延展性明顯下降而未提高銅箔複合體之加工性之情形。銅箔較佳為具有4%以上之拉伸斷裂應變。若t2 超過0.05mm(50μm)，則有於製成銅箔複合體時，較大表現出銅箔單體之特性之影響，而未提高銅箔複合體之加工性之情形。
銅箔可使用壓延銅箔、電解銅箔、利用金屬化之銅箔等，但較佳為藉由再結晶而加工性優異並且可降低強度(f2 )之壓延銅箔。認為於銅箔表面形成有用以接著、防銹之處理層之情形時，該等亦包含於銅箔中。
<樹脂層>
作為樹脂層並無特別限制，可於銅箔上塗佈樹脂材料而形成樹脂層，但較佳為能夠貼附於銅箔上之樹脂膜。樹脂膜可列舉：PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、PI(聚醯亞胺)膜、LCP(液晶聚合物)膜、PP(聚丙烯)膜。
樹脂膜與銅箔之積層方法，可於樹脂膜與銅箔之間使用接著劑，亦可將樹脂膜熱壓接合於銅箔上。又，若接著劑層之強度低，則難以提高銅箔複合體之加工性，因此較佳為接著劑層之強度為樹脂層之應力(f3 )之1/3以上。其原因在於：於本發明中，技術思想為將樹脂層之變形行為傳達至銅箔而使銅箔亦以與樹脂層相同之方式發生變形，藉此難以發生銅箔之收縮，從而提高延展性，若接著劑層之強度低，則於接著劑層中之變形會緩和而未將樹脂之行為傳達至銅箔。
再者，於使用接著劑之情形時，下述樹脂層之特性係將接著劑層與樹脂層一併作為對象。
樹脂層之厚度t3 較佳為0.012～0.12mm(12～120μm)。若t3 未達0.012mm(12μm)，則有時會成為(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )＜1。若t3 厚於0.12mm(120μm)，則樹脂層之柔軟性(可撓性)下降而使剛性過強，從而使加工性劣化。樹脂層較佳為具有40%以上之拉伸斷裂應變。
<銅箔複合體>
積層有上述銅箔與樹脂層之銅箔複合體之組合，可列舉銅箔/樹脂層之2層構造，或者樹脂層/銅箔/樹脂層、或銅箔/樹脂層/銅箔之3層構造。於銅箔之兩側存在樹脂層(樹脂層/銅箔/樹脂層)之情形時，將整體之(f3 ×t3 )之值設為將分別針對2層樹脂層所計算之各(f3 ×t3 )之值相加者。於樹脂層之兩側存在銅箔(銅箔/樹脂層/銅箔)之情形時，將整體之(f2 ×t2 )之值設為將分別針對2個銅箔所計算之各(f2 ×t2 )之值相加者。
<180°剝離接著強度>
由於銅箔之厚度薄，故而於厚度方向容易產生收縮。由於若產生收縮則銅箔斷裂，故而延展性下降。另一方面，樹脂層具有拉伸時難以產生收縮之特徵(均勻應變之區域廣)。因此，於銅箔與樹脂層之複合體中，樹脂層之變形行為傳達至銅箔而使銅箔亦以與樹脂相同之方式發生變形，藉此難以使銅箔產生收縮，從而提高延展性。此時，若銅箔與樹脂層之接著強度低，則無法將樹脂層之變形行為傳達至銅箔而未提高延展性(剝離且銅斷裂)。
因此，必需提高接著強度。作為接著強度，認為剪切接著力為直接的指標，但若提高接著強度而使剪切接著力成為與銅箔複合體之強度同等之水平，則由於接著面以外之位置發生斷裂故而難以測定。
由此，於本發明中使用180°剝離接著強度f1 之值。剪切接著強度與180°剝離接著強度之絕對值完全不同，但由於發現加工性或拉伸延展性與180°剝離接著強度之間存在關聯，故而將180°剝離接著強度作為接著強度之指標。
此處，實際上認為「斷裂時之強度=剪切密合力」，認為例如於必需有30%以上之拉伸應變之類的情形時，成為「30%之流動應力≦剪切密合力」，於必需有50%以上之拉伸應變之類的情形時，成為「50%之流動應力≦剪切密合力」。並且，根據本發明人等之實驗，若拉伸應變成為30%以上則加工性變得良好，故而作為如下所述之銅箔複合體之強度F，採用拉伸應變30%時之強度。
圖1係實驗性表示f1 與(F×T)之關係的圖，並繪製下述各實施例及比較例之f1 與(F×T)之值。(F×T)為於拉伸應變30%時施加至銅箔複合體之力，若將其視為對提高加工性必需且最低限度的剪切接著強度，則只要f1 與(F×T)之絕對值相同，則兩者於斜率1處發現關聯。
其中，於圖1中，未必所有資料之f1 與(F×T)為相同關聯，加工性較差之各比較例中，f1 相對於(F×T)之相關係數(即，通過圖1之原點且f1 相對於(F×T)之斜率)小，相對應地180°剝離接著強度較差。另一方面，各實施例之斜率大於各比較例之斜率，但由於斜率最小之實施例1B(正好在應變30%時斷裂者)之斜率為1/33，故而將該值視為對提高加工性所必需之最低限度的剪切接著強度與180°剝離接著強度之間的相關係數。即，將剪切接著力視為180°剝離接著強度f1 之33倍。
再者，於比較例3之情形時，雖然圖1之斜率超過1/33，但由於下述式1：(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )未達1，故而加工性劣化。
180°剝離接著強度為每單位寬度之力(N/mm)。
於銅箔複合體為3層構造且存在數個接著面時，使用各接著面中之180°剝離接著強度最低之值。其原因在於：最弱之接著面發生剝離。又，銅箔通常具有S面、M面，但由於S面之密合性差，故而銅箔之S面與樹脂之密合性減弱。因此，較多採用銅箔之S面之180°剝離接著強度。
提高銅箔與樹脂層之接著強度之方法，可列舉於銅箔表面(樹脂層側之面)利用鉻酸鹽處理等設置Cr氧化物層，或對銅箔表面實施粗化處理，或於銅箔表面進行Ni被覆後再設置Cr氧化物層。
Cr氧化物層之厚度，可以Cr重量計成為5～100μg/dm2 。該厚度係由利用濕式分析所獲得之鉻含量而算出。又，Cr氧化物層之存在可藉由是否可利用X射線光電子光譜(XPS)檢測出Cr來判定(Cr之峰值由於氧化而移動)。
Ni被覆量可為90～5000μg/dm2 。若Ni被覆之附著量超過5000μg/dm2 (Ni厚度相當於56nm)，則有時銅箔(以及銅箔複合體)之延展性下降。
又，可改變使銅箔與樹脂層積層複合時之壓力或溫度條件而提高接著強度。於不損傷樹脂層之範圍內，可將積層時之壓力、溫度一同增加。
<(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )>
繼而，對申請專利範圍之((f3 ×t3 )/(f2 ×t2 ))(以下稱為「式1」)之含意進行說明。由於銅箔複合體積層有相同寬度(尺寸)之銅箔與樹脂層，故而式1表示施加至構成銅箔複合體之銅箔與樹脂層之力的比。因此，該比為1以上，意指更多的力施加至樹脂層側，而使樹脂層側之強度強於銅箔。並且，銅箔不發生斷裂且顯示良好之加工性。
另一方面，若成為(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )＜1，則由於更多的力會施加至銅箔側，故而不會產生樹脂層之變形行為傳達至銅箔，並使銅箔以與樹脂相同之方式發生變形之上述作用。
此處，f2 及f3 只要為發生塑性變形後之相同應變量下之應力即可，但考慮到銅箔之拉伸斷裂應變與樹脂層(例如PET膜)之塑性變形開始之應變，而設為拉伸應變4%之應力。再者，f2 及f3 (以及f1 )全部設為MD(Machine Direction，縱向)之值。
<33f1 /(F×T)>
繼而，對申請專利範圍之(33f1 /(F×T))(以下稱為「式2」)之含意進行說明。如上所述，直接表示對提高加工性必需且最低限度之銅箔與樹脂層之接著強度的剪切接著力，為180°剝離接著強度f1 之約33倍，因此33f1 表示對提高銅箔與樹脂層之加工性必需且最低限度之接著強度。另一方面，由於(F×T)為施加至銅箔複合體之力，故而式2成為銅箔與樹脂層之接著強度與銅箔複合體之拉伸阻力的比。並且，若拉伸銅箔複合體，則於銅箔與樹脂層之界面，由於將要發生局部變形之銅箔與將要發生拉伸均勻應變之樹脂而增加剪切應力。因此，若根據該剪切應力使接著強度下降，則銅與樹脂層會發生剝離，而變得無法將樹脂層之變形行為傳達至銅箔，故而不會提高銅箔之延展性。
即，若式2之比未達1，則接著強度變得弱於施加至銅箔複合體之力而使銅箔與樹脂易於剝離，故而銅箔由於加壓成形等加工，而發生斷裂。
若式2之比為1以上，則銅與樹脂層可不發生剝離而將樹脂層之變形行為傳達至銅箔，故而銅箔之延展性提高。再者，式2之比越高越佳，但通常難以實現10以上之值，故而式2之上限設為10即可。
再者，認為33f1 /(F×T)越大越提高加工性，但樹脂層之拉伸應變I與33f1 /(F×T)不成比例。其取決於(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )之大小、銅箔、樹脂層單體之延展性之影響，但只要為滿足33f1 /(F×T)≧1、(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )≧1之銅箔與樹脂層之組合，則可獲得具有必需之加工性之複合體。
此處，使用於拉伸應變30%時之強度作為銅箔複合體之強度F，其原因在於：若如上所述之拉伸應變成為30%以上，則加工性變得良好。又，其原因在於：於進行銅箔複合體之拉伸試驗時，直至拉伸應變為30%時，由於應變而使流動應力產生較大之差，但於30%以後，亦未由於拉伸應變而使流動應力產生較大之差(稍微加工硬化但曲線之斜率變得相當小)。
再者，於銅箔複合體之拉伸應變未達30%之情形時，將銅箔複合體之拉伸強度設為F。
如上所述，本發明之銅箔複合體，即便產生與加壓加工等之類的單軸彎曲不同之嚴苛(複雜)的變形，亦防止銅箔斷裂且加工性優異。尤其本發明適於加壓加工之類的立體成形。藉由將銅箔複合體立體成形，可將銅箔複合體成形為複雜之形狀或提高銅箔複合體之強度，例如可將銅箔複合體本身製成各種電源電路之殼體，並可實現零件數或成本之下降。
＜I/L＞
銅箔複合體之拉伸斷裂應變I與樹脂層單體之拉伸斷裂應變L之比I/L較佳為0.7～1。
通常，樹脂層之拉伸斷裂應變遠遠高於銅箔之拉伸斷裂應變，同樣地，樹脂層單體之斷裂應變遠遠高於銅箔複合體之拉伸斷裂應變。另一方面，如上所述，於本發明中，將樹脂層之變形行為傳達至銅箔而使銅箔之延展性提高，隨之可將銅箔複合體之拉伸斷裂應變提高至樹脂層單體之拉伸斷裂應變之70～100%。並且，若I/L之比為0.7以上，則加壓成形性進一步提高。
再者，銅箔複合體之拉伸斷裂應變I為進行拉伸試驗時之拉伸斷裂應變，於樹脂層與銅箔同時斷裂時設為該值，於銅箔首先斷裂時設為銅箔斷裂之時間點之值。又，於銅箔兩面存在樹脂層之情形時，樹脂層單體之拉伸斷裂應變L係對兩者樹脂層分別進行拉伸試驗而測定拉伸斷裂應變並將較大值之拉伸斷裂應變設為L。於銅箔兩面存在樹脂層之情形時，對除去銅箔而產生之2個樹脂層分別進行測定。
<樹脂層之Tg>
通常，由於樹脂層於高溫下強度下降或接著力下降，故而於高溫下變得難以滿足(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )≧1或1≦33f1 /(F×T)。例如，於樹脂層之Tg(玻璃轉移溫度)以上之溫度，有變得難以維持樹脂層之強度或接著力之情形，但只要為未達Tg之溫度，則有變得容易維持樹脂層之強度或接著力之傾向。即，只要為未達樹脂層之Tg(玻璃轉移溫度)之溫度(例如5℃～215℃)，則銅箔複合體變得容易滿足(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )≧1及1≦33f1 /(F×T)。再者，即便於未達Tg之溫度，亦認為有溫度較高者其樹脂層之強度或密合力變小而難以滿足式1及式2之傾向(參照下述實施例20-22)。
進而，於滿足式1及式2之情形時，明確於未達樹脂層之Tg之相對較高之溫度(例如40℃～215℃)亦可維持銅箔複合體之延展性。於未達樹脂層之Tg之相對較高之溫度下(例如40℃～215℃)亦可維持銅箔複合體之延展性，及於溫壓等方法中亦顯示優異之加工性，又，依樹脂層，溫度較高者成形性較佳。又，為於加壓後追蹤形狀(由於彈性變形而未復原)而進行溫壓，因此，就該方面而言，於未達樹脂層之Tg之相對較高之溫度下(例如40℃～215℃)，亦可維持銅箔複合體之延展性，故而較佳。
再者，於銅箔複合體包含接著劑層與樹脂層之情形時或於3層構造之銅箔複合體之類存在數個樹脂層之情形時，採用Tg(玻璃轉移溫度)最低之樹脂層之Tg。
實施例
<銅箔複合體之製造>
將由精銅構成之鑄錠進行熱壓延，藉由表面切割而去除氧化物後，反覆進行冷壓延、退火與酸洗，薄至表1之厚度t2 (mm)，最後進行退火，確保加工性，利用苯并三唑進行防銹處理而獲得銅箔。以於寬度方向銅箔成為均勻組織之方式，使冷壓延時之張力及壓延材料之寬度方向之軋縮條件均勻。於繼而之退火中，以於寬度方向成為均勻溫度分佈之方式，使用數個加熱器進行溫度管理，測定銅之溫度並進行控制。
進而，對所獲得之銅箔表面進行表1所示之表面處理後，使用表1所示之樹脂膜(樹脂層)，於(樹脂層之Tg+50℃)以上之溫度藉由真空加壓(加壓壓力為200N/cm2 )積層樹脂膜而製作表1所示之層構造之銅箔複合體。再者，於銅箔之兩面積層樹脂膜之情形時，測定兩面之f1 ，f1 較小者(接著強度較弱者)之面之銅箔的表面處理記載於表1。
再者，表1中，Cu表示銅箔，PI表示聚醯亞胺膜，PET表示聚對苯二甲酸乙二酯膜。又，PI、PET之Tg分別為220℃、70℃。
再者，表面處理之條件如下所述。
鉻酸鹽處理：使用鉻酸鹽浴(K2 Cr2 O7 ：0.5～5g/L)，以電流密度1～10A/dm2 進行電解處理。
Ni被覆+鉻酸鹽處理：使用Ni電鍍浴(Ni離子濃度：1～30g/L之瓦特浴)，以電鍍液溫度25～60℃、電流密度0.5～10A/dm2 進行鍍Ni後，以與上述相同之方式進行鉻酸鹽處理。
粗化處理：使用處理液(Cu：10～25g/L，H2 SO4 ：20～100g/L)，以溫度20～40℃、電流密度30～70A/dm2 、電解時間1～5秒進行電解處理。其後，使用Ni-Co鍍敷液(Co離子濃度：5～20g/L，Ni離子濃度：5～20g/L，pH值：1.0～4.0)，以溫度25～60℃、電流密度0.5～10A/dm2 進行鍍Ni-Co。
<拉伸試驗>
自銅箔複合體製作數個寬度12.7mm之帶狀之拉伸試驗片。關於銅箔及樹脂膜之拉伸試驗，將積層前之銅箔單體及樹脂膜單體製成12.7mm之帶狀。
並且，利用拉伸試驗機，依據JIS-Z2241，在與銅箔之壓延方向平行之方向上進行拉伸試驗。拉伸試驗時之試驗溫度示於表1。
<180°剝離試驗>
進行180°剝離試驗並測定180°剝離接著強度f1 。首先，自銅箔複合體製作數個寬度12.7mm之帶狀之剝離試驗片。將試驗片之銅箔面固定於SUS板，並於180°方向剝離樹脂層。關於樹脂層存在於銅箔之兩面之實施例，將樹脂層+銅箔固定於SUS板，並於180°方向剝離相反側之樹脂層。關於銅箔存在於樹脂層之兩面之實施例，除去單面之銅箔後，將相反面之銅箔側固定於SUS板，並於180°方向剝離樹脂層。其他條件依據JIS-C5016。
再者，以JIS之標準剝離銅箔層，但於實施例中剝離樹脂層之原因在於：減少銅箔之厚度、剛性所造成之影響。
<加工性之評價>
使用圖2所示之杯突試驗裝置10進行加工性之評價。杯突試驗裝置10具備基座4與打孔機2，且基座4具有圓錐台狀之斜面，圓錐台為前端由上自下逐漸變細，圓錐台之斜面之角度自水平面起成為60°。又，於圓錐台之下側連通有直徑15mm且深度7mm之圓孔。另一方面，打孔機2形成前端為直徑14mm之半球狀圓柱而能將打孔機2前端之半球部插入於圓錐台之圓孔。
再者，圓錐台之逐漸變細之前端與圓錐台之下側之圓孔的連接部分附有半徑(r)=3mm之弧度。
並且，將銅箔複合體打孔至直徑30mm之圓板狀試驗片20，於台座4之圓錐台之斜面載置銅箔複合體，並自試驗片20之上部壓下打孔機2而插入於基座4之圓孔。藉此，試驗片20成形為錐形杯狀。
再者，於僅於銅箔複合體之單面存在樹脂層之情形時，將樹脂層作為上面並載置於基座4。又，於銅箔複合體之兩面存在樹脂層之情形時，將與M面接著之樹脂層作為上面並載置於基座4。於銅箔複合體之兩面為Cu之情形時，可使任意者為上面。
以目視判定成形後之試驗片20內有無銅箔之斷裂，並依據以下之基準進行加工性之評價。
◎：銅箔未斷裂且銅箔亦無皺褶
○：銅箔未斷裂，但銅箔中存在稍許皺褶
×：銅箔斷裂
所獲得之結果示於表1、表2。再者，表1之試驗溫度表示F、f1 、f2 、f3 及進行加工性評價之溫度。
由表1、表2明確可知，於各實施例之情形時，成為一同滿足(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )≧1及1≦33f1 /(F×T)，且加工性優異者。
再者，若比較使用相同構成之銅箔積層體之實施例6與實施例20，則可知於室溫(約25℃)進行拉伸試驗而測定F等之實施例6大於實施例20之(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )之值，且於實施例20中藉由試驗溫度上升而使樹脂層減弱(f3 較小)。
另一方面，於未對銅箔進行表面處理而積層樹脂膜之比較例1之情形時，接著強度下降，且33f1 /(F×T)之值未達1，加工性劣化。
於將積層時之加壓壓力降低至100N/cm2 之比較例2、5之情形時，亦使接著強度下降，且33f1 /(F×T)之值未達1，加工性劣化。
於將樹脂膜之厚度變薄之比較例3之情形時，與銅箔相比，樹脂膜之強度減弱，且(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )之值未達1，加工性劣化。
於未熱融著樹脂膜與銅箔而利用接著劑積層之比較例4之情形時，接著強度下降，且(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )之值未達1，加工性劣化。
2．．．打孔機
4．．．基座
10．．．杯突試驗裝置
20．．．試驗片
圖1係實驗性表示f1 與(F×T)之關係的圖。
圖2係表示進行加工性評價之杯突試驗裝置之構成的圖。

Claims (5)

  1. 一種銅箔複合體，其積層有銅箔與樹脂層，於將該銅箔之厚度設為t2 (mm)、拉伸應變4%時之該銅箔之應力設為f2 (MPa)，該樹脂層之厚度設為t3 (mm)、拉伸應變4%時之該樹脂層之應力設為f3 (MPa)時，滿足式1：(f3 ×t3 )/(f2 ×t2 )≧1，且，於將該銅箔與該樹脂層之180°剝離接著強度設為f1 (N/mm)、該銅箔複合體之拉伸應變30%時之強度設為F(MPa)、該銅箔複合體之厚度設為T(mm)時，滿足式2：1≦33f1 /(F×T)。
  2. 如申請專利範圍第1項之銅箔複合體，其中，於未達該樹脂層之玻璃轉移溫度之溫度時，該式1及式2成立。
  3. 如申請專利範圍第1項之銅箔複合體，其中，該銅箔複合體之拉伸斷裂應變I與該樹脂層單體之拉伸斷裂應變L之比I/L為0.7~1。
  4. 如申請專利範圍第2項之銅箔複合體，其中，該銅箔複合體之拉伸斷裂應變I與該樹脂層單體之拉伸斷裂應變L之比I/L為0.7~1。
  5. 一種成形體之製造方法，對申請專利範圍第1到第3項中任一項之銅箔複合體進行加工。
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