TWI435174B - 光阻組合物 - Google Patents
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Description
光阻組合物係使用於製造微型電子組件(諸如製造電腦晶片及積體電路)的顯微蝕刻法中。在此等方法中,通常係將光阻組合物之薄塗膜施加於基材材料,諸如用以製造積體電路之矽晶圓。經塗覆之基材隨後烘烤以蒸發光阻組合物中之任何溶劑並使塗層固定於基材上。隨後對塗覆於基材上之光阻施以成像輻射曝照。
輻射曝照在經塗覆表面之曝照區造成化學轉變。可見光、紫外(UV)光、電子束及X-射線輻射能量係目前顯微蝕刻法中最常使用之輻射類型。在此成像曝照之後,經塗覆之基材以顯影劑溶液處理,以溶解並移除光阻經輻射曝照區域或未曝照區域。半導體朝向微型化之趨勢造成對於愈來愈短波長之輻射具敏感性的新穎光阻之使用,而為克服該種微型化的相關困難,亦導致複雜之多層系統的使用。
光阻組合物有兩種類型:負片作用型及正片作用型。在微影處理之特定點所使用的光阻類型係由半導體裝置之設計來決定。當負片作用型光阻組合物成像曝照輻射時,光阻組合物曝照輻射之區域變成較不溶於顯影劑溶液(例如發生交聯反應),而光阻塗層之未曝照區域則保持相對易溶於該種溶液。因此,以顯影劑處理經曝照之負片作用型光阻導致移除光阻塗層之未曝照區域,於塗層中產生負像,使表面上沈積有該光阻組合物之底層基材露出期望露出之部分。
另一方面,當正片作用型光阻組合物成像曝照輻射時,光阻組合物曝照輻射之區域變成較易溶於顯影劑溶液(例如發生重排反應),而未曝照之區域則保持相對不溶於顯影劑溶液。因此,以顯影劑處理經曝照之正片作用型光阻導致移除塗層之經曝照區域,於光阻塗層中產生正像。仍使底層基材露出期望露出之部分。
光阻解析度定義為光阻組合物在曝照及顯影後可自在高度影像邊緣清晰度下將光罩轉移至基材之最小特徵。在許多尖端製造應用中,需要小於半微米尺度之光阻解析度。此外,幾乎始終期望經顯影光阻壁輪廓相對於基材接近垂直。光阻塗層之顯影及未顯影區域之間的此種分界轉化成將光罩影像準確地圖案轉移至基材上。因為致力於微型化縮小了裝置之臨界尺寸,故此種轉移變得更為重要。當光阻尺寸縮小至小於150奈米(nm)時,光阻圖案之粗糙度則變成關鍵性之問題。一般觀察邊緣粗糙度(一般稱為線邊緣粗糙度)在線及間隔圖案係作為沿光阻線的粗糙度,而在接觸孔則作為壁面粗糙度。邊緣粗糙度會對光阻之微影性能具有負面影響,尤其是縮小臨界尺寸容限且亦將光阻之線邊緣粗糙度轉移至基材。因此,極期望使邊緣粗糙度減至最低之光阻。
需要半微米以下幾何形狀的情況經常使用對介於約100奈米及約300奈米間之短波長具敏感性之光阻。
高解析度、化學放大、深紫外線(100至300奈米)正型及負型光阻可用以將具有小於四分之一微米幾何形狀之影像
圖案化。目前有三種已於微型化中提供重要進步之主要深紫外線(UV)曝照技術,此等技術使用發射248奈米、193奈米(乾式及浸沒式)及157奈米之輻射的雷射。使用於深UV中之光阻一般包含具有酸不安定性基團且可於酸存在下脫保護的聚合物、在吸光時生成酸之光活性組份及溶劑。
用於248奈米之光阻一般係以經取代聚羥基苯乙烯及其共聚物為主,諸如美國專利編號4,491,628及5,350,660所描述者。另一方面,用於193奈米曝照之光阻需要非芳族聚合物,因為芳族物在此波長不透明。美國專利編號5,843,624及GB 2,320,718揭示可使用於193奈米曝照之光阻。通常,200奈米以下曝照之光阻係使用含有脂環族烴之聚合物。將脂環族烴摻入聚合物中有許多原因,主要是因其具有改善抗蝕刻性之相對高碳:氫比,亦於低波長提供透明性,並具有相對高之玻璃態化溫度。在157奈米具敏感性之光阻已以氟化聚合物為主,已知於該波長係實質透明。自含有氟化基團之聚合物衍生的光阻係描述於WO 00/67072及WO 00/17712中。
本發明揭示一種聚合物,其包含(i)二或更多種選自以下之重現單元
其中R61
、R62
、R63
及R65
中每一基團各獨立選自氫或C1-4
烷基;且R64
係為C1-4
烷基;及(ii)至少一種選自以下之附加重現單元
其中R61
、R62
、R63
、R64
及R65
中每一基團各獨立選自氫或C1-4
烷基且n係為0至3之數。
例如,聚合物可為其中第(i)項符合以下條件之聚合物:重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(2)之化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中
R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以
下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫
且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化
合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單
元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係
為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現單元係選自以下化合物之聚合物:式(8)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(8)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(9)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(9)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(10)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(11)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫;式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(13)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基;式(14)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R64
係為氫;式(15)化合物,其中R61
、R62
及R65
係為氫且R63
係為甲基;式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫;式(16)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(16)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(17)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(17)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(18)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(18)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(19)化
合物,其中R61
AR62
係為氫且R63
係為甲基;式(19)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現單元係選自以下化合物之聚合物:式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基;式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現係為以下化合物之混合物的聚合物:式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;與式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基。
該等聚合物之實例係列於下文。
此外,亦揭示包含前述聚合物之光阻組合物。該光阻組
合物可含有至少一種光酸生成劑及至少一種鹼。
此外,一種使光阻成像之方法,其包含以下步驟:a)以前述光阻組合物塗覆基材;b)烘烤該基材以實質移除溶劑;c)使該光阻塗層進行成像曝照;d)使該光阻塗層進行曝照後烘烤;及e)以鹼性水溶液顯影該光阻塗層。
此外,亦揭示一種藉著於基材上形成影像而製造微電子裝置的方法,其包含:a)前述提供光阻組合物;b)以步驟a)之光阻組合物塗覆適當之基材;及c)熱處理步驟b)之經塗覆基材,直至實質上移除所有光阻溶劑;使該光阻組合物進行成像曝照並以適當之顯影劑移除該組合物經成像曝照之區域。
揭示一種聚合物,其包含(i)二或更多種選自以下之重現單元
其中R61
、R62
、R63
及R65
中每一基團各獨立選自氫或C1-4
烷基;且R64
係為C1-4
烷基;及(ii)至少一種選自以下之附加重現單元
其中R61
、R62
、R63
、R64
及R65
中每一基團各獨立選自氫或C1-4
烷基且n係為0至3之數。
例如,聚合物可為其中第(i)項符合以下條件之聚合物:重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(2)之化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為
甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,
R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基;或重現單元為以下化
合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以
下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其
中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(3)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(4)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(5)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基;或重現單元為以下化合物之混合物:式(2)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R64
係為乙基,式(6)化合物,其中R61
及R62
係為氫,R63
係為甲基且R65
係為氫,與式(7)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
及R64
係為甲基,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現單元係選自以下化合物
之聚合物:式(8)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(8)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(9)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(9)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(10)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(11)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫;式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(13)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基;式(14)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R64
係為氫;式(15)化合物,其中R61
、R62
及R65
係為氫且R63
係為甲基;式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫;式(16)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(16)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(17)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(17)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(18)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(18)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(19)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(19)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現單元係選自以下化合物之聚合物:式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫;式(12)化合物,
其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基;式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫,及其混合物。
另一實例係第(ii)項中附加重現係為以下化合物之混合物的聚合物:式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(15)化合物,其中R61
、R62
、R63
及R65
係為氫;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(11)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(12)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基;與式(10)化合物,其中R61
、R62
及R63
係為氫,式(13)化合物,其中R61
及R62
係為氫且R63
係為甲基,與式(14)化合物,其中R61
、R62
及R64
係為氫且R63
係為甲基。
該等聚合物之實例係包括聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯-共-5-甲基丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-
2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-
2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷(diamantyl)酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲
基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-
2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α,γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷
酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙
烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-
2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸參環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯,聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸
酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-
金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-乙基-2-雙金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)及諸如此類者。
通常,重現單元(i)會佔整體聚合物之約25至約50莫耳百分比,甚至約35至約50莫耳百分比(以構成重現單元(i
)之單體進料計係約25至約45莫耳百分比)。某些情況下,重現單元(ii)會含有α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯及/或β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯。就整體聚合物而言,α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯及/或β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯之量係在約35至約55莫耳百分比範圍內,另外某些情況下,係在約40至約50莫耳百分比範圍內。
此外,亦揭示包含前述聚合物之光阻組合物。該光阻組合物可含有至少一種光酸生成劑及至少一種鹼。
此外,亦揭示一種使光阻成像之方法,其包含以下步驟:a)以前述光阻組合物塗覆基材;b)烘烤該基材以實質移除溶劑;c)使該光阻塗層進行成像曝照;d)使該光阻塗層進行曝照後烘烤;及e)以鹼性水溶液顯影該光阻塗層。
此外,亦揭示一種藉由於基材上形成影像而製造微電子裝置的方法,其包含:a)前述之提供光阻組合物;b)以步
驟a)之光阻組合物塗覆適當之基材;及c)熱處理步驟b)之經塗覆基材,直至實質上移除所有光阻溶劑;使該光阻組合物進行成像曝照並以適當顯影劑移除該組合物經成像曝照之區域。
該組合物連同該聚合物地含有光酸生成劑的混合物,該光酸生成劑係選自以下化合物(i)下式之化合物(Ai)2
Xi1,其中每個Ai各獨立地為選自以下之有機鎓陽離子
及Y-Ar其中Ar係選自、萘基或蒽基;Y係選自、萘基、蒽基;
其中R1
、R2
、R3
、R1A
、R1B
、R2A
、R2B
、R3A
、R3B
、R4A
、R4B
、R5A
及R5B
各獨立選自Z、氫、OSO2
R9
、OR20
、視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基-或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、芳基羰基甲基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基-或多環烷基氧基羰基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基-或多環烷基氧基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)、直鏈或分支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、直鏈或分支鏈烷氧基鏈、硝基、氰基、鹵素、羧基、羥基、硫酸酯基、三氟乙磺醯基或羥基;R6
及R7
各獨立選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基-或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、直鏈或分支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、芳基羰基甲基、硝基、氰基或羥基或R6
及R7
與其連接之S原子一起形成視情況含有一或多個O原子之5-、6-或7-員飽和或不飽和環;R9
係選自烷基、氟烷基、全氟烷基、芳基、氟芳基、全氟芳基、單環烷基或多環烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環氟烷基或多環氟烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環全氟烷基或多環全氟烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子);R20
係為烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環
烷基-或多環烷基氧基羰基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環烷基-或多環烷基氧基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子);T係為直接鍵結、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或分支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基;Z係為-(V)j
-(C(X11)(X12))n
-O-C(=O)-R8
,其中或為(i)X11或X12中之一係為含有至少一個氟原子之直鏈或分支鏈烷基鏈且另一基團係為氫、鹵素或直鏈或分支鏈烷基鏈,或(ii)X11及X12兩基團皆為含有至少一個氟原子之直鏈或分支鏈烷基鏈;V係為選自直接鍵結、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或分支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基的鍵合基;X2係為氫、鹵素或視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈;R8
係為視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基或芳基;X3係為氫、直鏈或分支鏈烷基鏈、鹵素、氰基或-C(=O)-R50
,其中R50
係選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈,或-O-R51
,其中R51
係為氫或直鏈或分支鏈烷基鏈;i及k各獨立地為0或正整數;
j係為0至10; m係為0至10;且n係為0至10,該視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、直鏈或分支鏈烷基鏈、直鏈或分支鏈烷氧基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基-或多環烷基羰基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基-或多環烷基氧基羰基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基-或多環烷基氧基烷基(該環烷基環視情況含有一或多個O原子)、芳烷基、芳基、萘基、蒽基、視情況含有一或多個O原子之5-、6-或7-員飽和或不飽和環或芳基羰基甲基係未經取代或經一或多個選自由以下組成之群的基團所取代:Z、鹵素、烷基、C1-8
全氟烷基、單環烷基或多環烷基、OR20
、烷氧基、C3-20
環狀烷氧基、二烷基胺基、二環狀二烷基胺基、羥基、氰基、硝基、三氟乙磺醯基、側氧基、芳基、芳烷基、氧原子、CF3
SO3
、芳基氧基、芳硫基及式(II)至(VI)之基團:
其中R10
及R11
各獨立表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基或R10
及R11
一起可表示形成五-或六-員環之伸烷基;
R12
係表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基或芳烷基或R10
及R12
一起表示與間雜之-C-O-基團一起形成五-或六-員環的伸烷基,環中之碳原子係視情況經氧原子所取代;R13
係表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基;R14
及R15
各獨立表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基;R16
係表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基或芳烷基;且R17
係表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基、芳烷基、基團-Si(R16
)2
R17
或基團-O-Si(R16
)2
R17
,該視情況含有一或多個O原子之直鏈或分支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基及芳烷基係未經取代或如前述般經取代;Xi1係為下式之陰離子Q-R500
-SO3 -
其中Q係選自-
O3
S及-
O2
C;R500
係為選自直鏈或分支鏈烷基、環烷基、芳基或其組合之基團,視情況含有懸鏈O、S或N,其中該烷基、環烷基
及芳基係未經取代或經一或多個選自由以下組成之群的基團所取代:鹵素、未經取代或經取代之烷基、未經取代或經取代之C1-8
全氟烷基、羥基、氰基、硫酸酯基及硝基;及(ii)下式之化合物Ai Xi2,其中Ai係為如前定義之有機鎓陽離子且Xi2係為陰離子,及其混合物。
陰離子Xi2之實例係包括選自以下之陰離子:CF3
SO3 -
、CHF2
SO3 -
、CH3
SO3 -
、CCl3
SO3 -
、C2
F5
SO3 -
、C2
HF4
SO3 -
、C4
F9
SO3 -
、樟腦磺酸根、全氟辛烷磺酸根、苯磺酸根、五氟苯磺酸根、甲苯磺酸根、全氟甲苯磺酸根、(Rf1SO2
)3
C-
及(Rf1SO2
)2
N-
,其中每個Rf1各獨立選自由高度氟化或全氟化烷基或經氟化芳基所組成之群且當任兩個Rf1基團鍵合形成橋鍵時可為環狀,另外,該Rf1烷基鏈含有1至20個碳原子且可為直鏈、分支鏈或環狀,使得二價氧、三價氮或六價硫可間雜於骨架鏈中,另外當Rf1含有環狀結構時,該結構具有5或6個環員,其中1或2個視情況為雜原子,及Rg-O-Rf2-SO3 -
,其中Rf2係選自由以下組成之群:直鏈或分支鏈(CF2
)j(其中j係為4至10之整數)及視情況經全氟C1-10
烷基取代之C1
-C12
環全氟烷基二價基團,Rg係選自由以下組成之群:C1
-C20
直鏈、分支鏈、單環烷基或多環烷基、C1
-C20
直鏈、分支鏈、單環烯基或多環烯基、芳基及芳烷基,該烷基、烯基、芳烷基及芳基係未經取代、
經取代、視情況含有一或多個懸鏈氧原子、部分氟化或全氟化。其他實例係包括選自以下之陰離子:(C2
F5
SO2
)2
N-
、(C4
F9
SO2
)2
N-
、(C8
F17
SO2
)3
C-
、(CF3
SO2
)3
C-
、(CF3
SO2
)2
N-
、(CF3
SO2
)2
(C4
F9
SO2
)C-
、(C2
F5
SO2
)3
C-
、(C4
F9
SO2
)3
C-
、(CF3
SO2
)2
(C2
F5
SO2
)C-
、(C4
F9
SO2
)(C2
F5
SO2
)2
C-
、(CF3
SO2
)(C4
F9
SO2
)N-
、[(CF3
)2
NC2
F4
SO2
]2
N-
、(CF3
)2
NC2
F4
SO2
C-
(SO2
CF3
)2
、(3,5-雙(CF3
)C6
H3
)SO2
N-
SO2
CF3
、C6
F5
SO2
C-
(SO2
CF3
)2
、C6
F5
SO2
N-
SO2
CF3
,
CF3
CHFO(CF2
)4
SO3 -
、CF3
CH2
O(CF2
)4
SO3 -
、CH3
CH2
O(CF2
)4
SO3 -
、CH3
CH2
CH2
O(CF2
)4
SO3 -
、CH3
O(CF2
)4
SO3 -
、C2
H5
O(CF2
)4
SO3 -
、C4
H9
O(CF2
)4
SO3 -
、C6
H5
CH2
O(CF2
)4
SO3 -
、C2
H5
OCF2
CF(CF3
)SO3 -
、CH2
=CHCH2
O(CF2
)4
SO3 -
、CH3
OCF2
CF(CF3
)SO3 -
、C4
H9
OCF2
CF(CF3
)SO3 -
、C8
H17
O(CF2
)2
SO3 -
及C4
H9
O(CF2
)2
SO3 -
。
可使用於組合物之光酸生成劑的其他實例係包括選自下群者:雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基
硫鎓全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三苯基硫鎓乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基碘鎓)甲烷二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基碘鎓)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(苄醯基-四亞甲基硫鎓)甲烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)
硫鎓)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)碘鎓全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基硫鎓全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基-苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟-苯-磺醯基氧基苯基]苯基硫鎓]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基-硫鎓]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯-磺醯基氧基苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基-苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基
氧基苯基]苯基硫鎓]甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯基氧基苯基]苯基硫鎓]全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)-苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基硫鎓]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基硫鎓]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟-甲基)-苯磺醯基氧基)苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)-苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯基氧基)苯基]苯基硫鎓]甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基碘鎓)乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基碘鎓)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基硫鎓)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基-硫鎓)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(苄醯基四亞甲基硫鎓)乙烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)硫鎓)乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基-硫鎓)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基硫鎓)乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基氧基甲氧基苯基]苯基-硫鎓]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基-氧基甲氧基苯基]苯基硫鎓]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯基氧基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基氧
基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟-丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基氧基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯基氧基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基氧基甲氧基苯基]苯基硫鎓]甲烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯基氧基-甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基-苯基]苯基硫鎓]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]-全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基-苯基]苯基硫鎓]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟-甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]-全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟-甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟-丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]-壬基甲氧基苯基]苯基硫鎓]全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓雙-全氟乙烷磺醯亞胺、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸鹽、二苯基碘鎓九氟丁烷磺酸鹽、三苯基硫鎓三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧基-3,5-二甲基苯基)二甲基硫鎓全氟丁烷磺
酸鹽、雙(對-第三丁基苯基)碘鎓環(1,3-全氟丙烷二碸)醯亞胺鹽、三苯基硫鎓九氟丁烷磺酸鹽、三苯基硫鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺、4-(1-丁氧基苯基)二苯基硫鎓雙-(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、4-(1-丁氧基苯基)二苯基硫鎓雙-(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6-三甲基苯基二苯基硫鎓雙-全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6-三甲基苯基二苯基硫鎓雙-(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基硫鎓雙-(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基硫鎓雙-(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基硫鎓-(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參-(第三丁基苯基)硫鎓-(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參-(第三丁基苯基)硫鎓雙-(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺及參-(第三丁基苯基)硫鎓-雙-(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺。
式(Ai)2
Xi1之光酸生成劑可根據2005年7月12日申請之美國專利申請案編號11/179,886及2006年2月16日申請之11/355,762中所列方法製得,該等申請案之內容以引用方式併入本文。其他實例參見2006年2月16日申請之美國專利申請案編號11/355,400、美國專利公開申請案2004-0229155及美國專利公開申請案2005-0271974、美國專利編號5,837,420、美國專利編號6,111,143及美國專利編號6,358,665,該等專利案件之內容係以引用方式併入本文。式Ai Xi2之光酸生成劑係熟習此技術者所熟知,例如,自美國專利編號6991888、美國專利申請案編號20030235782及美國專利申請案編號20050271974所得知者,該等專利案件之內容係以引用方式併入本文。
本發明所使用之術語烷基意指直鏈或分支鏈烴。烷基之代表性實例係包括但不限於甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、正庚基、正辛基、正壬基及正癸基。
伸烷基意指二價烷基,其可為直鏈或分支鏈,諸如例如,亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基或諸如此類者。
術語芳基係意指藉由消去一個氫原子而自芳族烴衍生的基團且可經取代或不經取代。芳族烴可為單環或多環。單環型芳基之實例係包括苯基、甲苯基、二甲苯基、三甲苯基、異丙苯基及諸如此類者。多環型芳基之實例係包括萘基、蒽基、菲基及諸如此類者。該芳基可未經取代或如前文所提供般地經取代。
術語烷氧基係表示烷基-O-之基團,其中烷基係本發明所定義。烷氧基之代表性實例係包括但不限於甲氧基、乙氧基、丙氧基、2-丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、戊基氧基及己基氧基。
術語芳基氧基係表示芳基-O-之基團,其中芳基係本發明所定義。
術語芳烷基係意指含有芳基之烷基。其係兼具有芳族及脂族結構之烴基,即其中低碳烷基氫原子由單環或多環芳基所取代之烴基。芳烷基之實例係非限制地包括苄基、2-苯基-乙基、3-苯基-丙基、4-苯基-丁基、5-苯基-戊基、4-苯基環己基、4-苄基環己基、4-苯基環己基甲基、4-苄基
環己基甲基、萘基甲基及諸如此類者。
本發明所使用之術語單環烷基係意指視情況經取代、飽和或部分不飽和單環烷基環系統,其中若該環係部分不飽和,則其為單環烯基。本發明所使用之術語多環烷基係意指含有二或更多個環之視情況經取代、飽和或部分不飽和多環烷基環系統,其中若該環係部分不飽和,則其為多環烯基。視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基的實例係技術界所熟知且係包括例如環丙基、環丁基、環戊基、環庚基、環己基、2-甲基-2-原冰片基、2-乙基-2-原冰片基、2-甲基-2-異冰片基、2-乙基-2-異冰片基、2-甲基-2-金剛烷基、2-乙基-2-金剛烷基、1-金剛烷基-1-甲基乙基、金剛烷基、三環癸基、3-氧雜三環[4.2.1.02,5
]壬基、四環十二碳烷基、四環[5.2.2.0.0]十一碳烷基、冰片基、異冰片基原冰片基內酯、金剛烷基內酯及諸如此類者。
術語烷氧基羰基烷基涵蓋經如本發明所定義之烷氧基羰基所取代的烷基。烷氧基羰基烷基之實例係包括甲氧基羰基甲基[CH3
O-C(=O)-CH2
-]、乙氧基羰基甲基[CH3
CH2
O-C(=O)-CH2
-]、甲氧基羰基乙基[CH3
O-C(=O)-CH2
CH2
-]及乙氧基羰基乙基[CH3
CH2
O-C(=O)-CH2
CH2
-]。
本發明所使用之術語烷基羰基係意指經由本發明所定義之羰基附著於親代分子部分的本發明所定義烷基,可一般性地表示為烷基-C(O)-。烷基羰基之代表性實例係包括但不限於乙醯基(甲基羰基)、丁醯基(丙基羰基)、辛醯基(庚
基羰基)、十二碳醯基(十一碳烷基羰基)及諸如此類者。
烷氧基羰基意指烷基-O-C(O)-,其中烷基係如前文所述。非限制實例係包括甲氧基羰基[CH3
O-C(O)-]及乙氧基羰基[CH3
CH2
O-C(O)-]、苄基氧基羰基[C6
H5
CH2
O-C(O)-]及諸如此類者。
烷氧基烷基係意指末端烷基係經由醚氧原子鍵結於烷基部分,其可一般性地表示成烷基-O-烷基,其中該烷基可為直鏈或分支鏈。烷氧基烷基之實例係包括但不限於甲氧基丙基、甲氧基丁基、乙氧基丙基、甲氧基甲基。
單環烷基-或多環烷基氧基羰基烷基係意指末端單環烷基或多環烷基係經由-O-C(=O)-鍵結於烷基部分,一般性地表示成單環烷基-或多環烷基-O-C(=O)-烷基。
單環烷基-或多環烷基氧基烷基係意指末端單環烷基或多環烷基係經由醚氧原子鍵結於烷基部分,其可一般性地表示成單環烷基-或多環烷基-O-烷基。
單環氟烷基-或多環氟烷基係意指經一或多個氟原子所取代之單環烷基-或多環烷基。
可位於該烷基、芳基、芳烷基及其他前述基團上之取代基的實例係包括位於R30
、R31
、R32
、R33
、R5
、R40
、R41
及R42
所定義之基團上者,包括但不限於鹵素、羥基、硫酸酯基、硝基、全氟烷基、側氧基、烷基、烷氧基、芳基及諸如此類者等。
本發明固體組份係溶解於有機溶劑中。在溶劑或溶劑混合物中之固體的量係約1重量%至約50重量%範圍內。聚合
物可為該固體之5重量%至90重量%範圍內,而光酸生成劑可為該固體之0.4重量%至約50重量%範圍內。適用於該等光阻之溶劑可包括例如酮類,諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、異佛爾酮、甲基異戊基酮、4-羥基2-庚酮及4-甲基2-戊酮;C1
至C10
脂族醇類,諸如甲醇、乙醇及丙醇;含芳族基之醇類,諸如苄醇;環狀碳酸酯,諸如碳酸伸乙酯及碳酸伸丙酯;脂族或芳族烴類(例如,己烷、甲苯、二甲苯等及諸如此類者);環醚類,諸如二噁烷及四氫呋喃;乙二醇;丙二醇;己二醇;乙二醇單烷基醚類,諸如乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚;乙二醇烷基醚乙酸酯類,諸如甲基溶纖劑乙酸酯及乙基溶纖劑乙酸酯;乙二醇二烷基醚類,諸如乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇單烷基醚類,諸如二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚及二乙二醇二甲基醚;丙二醇單烷基醚類,諸如丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇丙基醚及丙二醇丁基醚;丙二醇烷基醚乙酸酯類,諸如丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯及丙二醇丁基醚乙酸酯;丙二醇烷基醚丙酸酯類,諸如丙二醇甲基醚丙酸酯、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯及丙二醇丁基醚丙酸酯;2-甲氧基乙基醚(雙(2-甲氧乙基)醚);兼具有醚及羥基部分之溶劑,諸如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇;酯類,諸如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯及乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯;2-羥基丙酸乙酯、2-羥
基2-甲基丙酸甲酯、2-羥基2-甲基丙酸乙酯、羥基乙酸甲酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羥基丙酸甲酯、3-羥基丙酸乙酯、3-羥基丙酸丙酯、3-羥基丙酸丁酯、甲基2-羥基3-甲基丁酸、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙酸丙酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸甲酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯及3-丁氧基丙酸丁酯;羥基異丁酸酯類,例如,2-羥基異丁酸甲酯、α-甲氧基異丁酸甲酯、甲氧基異丁酸乙酯、α-乙氧基異丁酸甲酯、α-乙氧基異丁酸乙酯、β-甲氧基異丁酸甲酯、β-甲氧基異丁酸乙酯、β-乙氧基異丁酸甲酯、β-乙氧基異丁酸乙酯、β-異丙氧基異丁酸甲酯、β-異
丙氧基異丁酸乙酯、β-異丙氧基異丁酸異丙酯、β-異丙氧基異丁酸丁酯、β-丁氧基異丁酸甲酯、β-丁氧基異丁酸乙酯、β-丁氧基異丁酸丁酯、α-羥基異丁酸甲酯、α-羥基異丁酸乙酯、α-羥基異丁酸異丙酯及α-羥基異丁酸丁酯;兼具有醚及羥基部分之溶劑,諸如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇;及其他溶劑,諸如二元酸酯類及γ-丁內酯;酮醚衍生物,諸如二丙酮醇甲基醚;酮醇衍生物,諸如丙酮醇或二丙酮醇;內酯類,諸如丁內酯;醯胺衍生物,諸如二甲基乙醯胺或二甲基甲醯胺、苯甲醚,及其混合物。
組合物之另一組份為一或多種鹼。
鹼之實例係包括經取代或未經取代之胍、經取代或未經取代之胺基吡啶、經取代或未經取代之胺基烷基吡啶、經取代或未經取代之胺基吡咯啶、經取代或未經取代之乙醯胺、經取代或未經取代之吲唑、經取代或未經取代之吡唑、經取代或未經取代之吡嗪、經取代或未經取代之嘧啶、經取代或未經取代之嘌呤、經取代或未經取代之咪唑啉、經取代或未經取代之吡唑啉、經取代或未經取代之哌嗪、經取代或未經取代之胺基嗎啉、經取代或未經取代之胺基烷基嗎啉、單-、二-或三烷基胺、經取代或未經取代之苯胺、經取代或未經取代之哌啶及單-或二乙醇胺。取代基之實例係包括胺基、胺基烷基、烷基胺基、胺基芳基、芳基胺基、烷基、烷氧基、醯基、醯氧基、芳基、芳基氧基、硝基、羥基及氰基。
鹼之實例係包括胍、1,1-二甲基胍、1,1,3,3-四甲基胍、2-胺基吡啶、3-胺基吡啶、4-胺基吡啶、2-二甲基胺基吡啶、4-二甲基胺基吡啶、2-二乙基胺基吡啶、2-(胺基甲基)吡啶、2-胺基-3-甲基吡啶、2-胺基-4-甲基吡啶、2-胺基-5-甲基吡啶、2-胺基-6-甲基吡啶、3-胺基乙基吡啶、4-胺基乙基吡啶、3-胺基吡咯啶、哌嗪、N-(2-胺基乙基)哌嗪、N-(2-胺基乙基)哌啶、4-胺基-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-哌啶基哌啶、2-亞胺基哌啶、1-(2-胺基乙基)吡咯啶、吡唑、3-胺基-5-甲基吡唑、5-胺基-3-甲基-1-對-甲苯基吡唑、N-(1-金剛烷基)乙醯胺、吡嗪、2-(胺基甲基)-5-甲基吡嗪、嘧啶、2,4-二胺基嘧啶、4,6-二羥基嘧啶、2-吡唑啉、3-吡唑啉、N-胺基嗎啉、N-(2-胺基乙基)嗎啉、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯、2,4,5-三苯基咪唑、三(正丁基)胺、三(正辛基)胺、N-苯基二乙醇胺、N-羥基乙基哌啶、2,6-二異丙基苯胺、N-環己基-N'-嗎啉基乙基硫脲、己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、苯胺、2-、3-或4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、1-或2-萘基胺、伸乙基二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、二丁基胺、二戊基胺、二己基胺、二庚基胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、N-甲基苯胺、哌啶、二苯基胺、三乙基胺、三甲基胺、三丙基胺、三丁基胺、三戊基胺、三己基胺、三庚基胺、三辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、甲基
二丁基胺、甲基二戊基胺、甲基二己基胺、甲基二環己基胺、甲基二庚基胺、甲基二辛基胺、甲基二壬基胺、甲基二癸基胺、乙基二丁基胺、乙基二戊基胺、乙基二己基胺、乙基二庚基胺、乙基二辛基胺、乙基二壬基胺、乙基二癸基胺、二環己基甲基胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、三異丙醇胺、N,N-二甲基苯胺、2,6-二異丙基苯胺、咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、4-甲基咪唑、聯吡啶、2,2'-二吡啶基胺、二-2-吡啶基酮、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-雙(2-吡啶基)乙烯、1,2-雙(4-吡啶基)乙烯、1,2-雙(2-吡啶基氧)乙烷、4,4'-二吡啶基硫醚、4,4'-二吡啶基二硫醚、1,2-雙(4-吡啶基)乙烯、2,2'-二吡啶甲基胺、3,3'-二吡啶甲基胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四異丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四正己基銨、氫氧化四正辛基銨、氫氧化苯基三甲基銨、氫氧化3-三氟甲基苯基三甲基銨、氫氧化(2-羥基乙基)三甲基銨(所謂的「膽鹼」)、N-甲基吡咯啶酮、二甲基咪唑及諸如此類者。
其他實例包括以下胺基酸之N-第三丁氧基羰基衍生物:諸如例如2-胺基丙酸、2-胺基-5-胍基戊酸、2-胺基-3-胺甲醯基丙酸、2-胺基丁烷二酸、2-胺基-3-巰基丙酸、2-胺基-4-胺甲醯基丁酸、2-胺基戊烷二酸、胺基乙酸、2-胺基-3-(1H
-咪唑-4-基)-丙酸、2-胺基-3-甲基戊酸、2-胺基-4-甲基戊酸、2,6-二胺基己酸、2-胺基-4-(甲硫基)丁酸、2-胺基-3-苯基丙酸、吡咯啶-2-甲酸、2-胺基-3-羥基丙酸、2-胺
基-3-羥基丁酸、2-胺基-3-(1H
-吲哚-3-基)-丙酸、2-胺基-3-(4-羥基苯基)-丙酸、2-胺基-3-甲基丁酸及諸如此類者。
亦可為前述鹼之混合物,例如以下實施例所示者。
各種其他添加劑諸如著色劑、非光化染料、防條紋劑、塑化劑、黏著促進劑、溶解抑制劑、塗覆助劑、光速增進劑、其他光酸生成劑及溶解度增進劑(例如,特定低濃度之未作為主要溶劑之一部分的溶劑(其實例包括二醇醚類及二醇醚乙酸酯類、戊內酯、酮類、內酯類及諸如此類者))及界面活性劑可在將溶液塗覆於基材之前添加於光阻組合物。
所製備光阻組合物溶液可藉任何光阻業界所習用之方法(包括浸漬、噴灑及旋塗)施加於基材。例如,進行旋塗時,針對所採用之旋塗設備類型及進行旋塗過程的容許時間,光阻溶液可調整固體含量之百分比,以提供具有所需厚度之塗層。適當之基材包括矽、鋁、聚合物樹脂、二氧化矽、經摻雜二氧化矽、氮化矽、鉭、銅、多晶矽、陶瓷、鋁/銅混合物;砷化鎵及其他該種第III/V族化合物。光阻亦可塗覆於防反射塗層上。
藉所述方法所製得之光阻塗層特別適於施加於矽/二氧化矽晶圓,諸如用以製造微處理器及其他微型化積體電路組件。亦可使用鋁/氧化物鋁晶圓。基材亦可包含各種聚合物樹脂,尤其是透明聚合物,諸如聚酯。
光阻組合物溶液隨後塗覆於基材上,基材於約70℃至約150℃溫度下在熱板上處理(烘烤)約30秒至約180秒或於對
流爐中處理約15至約90秒。此溫度處理係選擇以降低光阻中殘留溶劑濃度,而不導致固體組份之實質熱降解。通常,期望溶劑濃度及此第一溫度降至最低。處理(烘烤)係進行至已蒸發實質所有溶劑,且於基材上留存半微米(微米)尺度之厚度的光阻組合物薄塗層。較佳具體實施態樣中,該溫度係約95℃至約120℃。該處理係進行至溶劑移除之改變速率變得相當不明顯。膜厚、溫度及時間選擇係視使用者期望之光阻性質及所使用之設備及工業上期望之塗覆時間而定。經塗覆之基材可隨之依利用適當之光罩、負片、版膜、模板等製得之任何所需圖案成像曝照光化輻射,例如波長約100奈米(奈米)至約300奈米之紫外線輻射、x-射線、電子束、離子束或雷射輻射。
隨後於顯影前對光阻施以曝照後第二次烘烤或熱處理。加熱溫度可為約90℃至約150℃範圍內,更佳係約100℃至約130℃。該加熱可進行約30秒至約2分鐘,更佳係於熱板上約60秒至約90秒或使用對流爐約30至約45分鐘。
經曝照之塗有光阻的基材藉由浸漬於顯影溶液中而加以顯影或藉噴灑顯影方法加以顯影,以移除經成像曝照之區域。溶液較佳係例如藉由氮氣攪動而攪動。使基材保持於顯影劑中,直至所有或實質所有光阻塗層皆自曝照區域溶解。顯影劑係包括銨或鹼金屬氫氧化物之水溶液。其中一種較佳顯影劑係為氫氧化四甲基銨之水溶液。自顯影溶液取出經塗覆晶圓後,可進行視情況進行之顯影後熱處理或烘烤,以增加塗層黏著性及對抗蝕刻條件及其他物質之抗
化學性。顯影後熱處理可包含在低於塗層軟化點下烤箱烘烤塗層及基材或UV硬化程序。在工業應用中,尤其是於矽/二氧化矽型基材上製造微電路單元,經顯影之基材可使用經緩衝之以氫氟酸為主之蝕刻溶液處理或以乾式蝕刻處理。在乾式蝕刻之前,光阻可經電子束固化處理,以增加光阻之抗乾式蝕刻性。
本發明另外提供一種製造半導體裝置之方法,其係藉由以光阻組合物塗覆適當之基材而於基材上製造光-影像。目標方法係包含以光阻組合物塗覆適當之基材,熱處理經塗覆之基材直至移除實質所有光阻溶劑;成像曝照該組合物且以適當之顯影劑移除該組合物經成像曝照之區域。
以下實施例提供製造及利用本發明之方法的說明。然而,此等實施例絕不限制或侷限本發明範圍,且不應視為提供施行本發明所唯一必須採用的條件、參數或數值。除非另有說明,否則所有份數及百分比皆以重量計。
裝置有攪動器、溫度計、回流冷凝器及氮氣導管之反應容器內,於氮毯覆下導入四氫呋喃、作為起始劑之過氧二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯及以下單體:甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、甲基丙烯酸3-側氧基-1-金剛烷基氧基甲酯、丙烯酸羥基-1-金剛烷酯及α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯(進料莫耳比為15/15/40/30)。當反應物完全溶解於溶液中
時,反應燒瓶加熱至四氫呋喃之沸騰溫度。反應混合物於氮氛圍下在回流下攪拌5小時。隨之移除熱源,使聚合物溶液冷卻至室溫。將約650毫升甲醇倒入摻合器內且將100毫升聚合物於四氫呋喃中之溶液倒入摻合器內,摻合器運轉約30至60秒。形成之聚合物懸浮液倒於燒結玻璃漏斗上。重複此步驟直至處理所有聚合物於四氫呋喃中之溶液。懸浮液於濾器上於真空下乾燥,直至變乾。將乾燥固體稱重且移入裝置有攪拌器之錐形瓶中。將適量之四氫呋喃添加於裝有固體之燒瓶中至構成固體內容物之30%。隨之混合該混合物直至整體固體溶解。依如同前述之方式使用甲醇進行第二次沉澱。過濾該懸浮液並以甲醇洗滌兩次。隨後使固體於於真空下乾燥。重複此步驟,不同處係以己烷而非甲醇進行沉澱。過濾懸浮液且於濾器上於真空下乾燥。形成之聚合物產物於60℃在真空爐中進一步乾燥。
本發明其他聚合物可依類似方式製得。
此物質可依美國專利公開申請案編號20070111138之實施例5所述方法使用全氟丁烷磺酸三苯基硫鎓及參-全氟甲烷碸甲基化鋰作為反應物製得。
此物質可依美國專利公開申請案編號20030235782之實施例10所述方法使用氯化雙(對-第三丁基苯基)碘鎓取代氯
化4-羥基-3,5-二甲基苯基二甲基硫鎓製得。
此物質可依美國專利公開申請案編號20070015084之實施例1製得。
此物質可藉美國專利公開申請案編號20070015084之實施例33所述方法使用氯化雙(4-第三丁基苯基)碘鎓取代亞銻酸雙(4-辛氧基苯基)碘鎓製得。
0.4725克實施例A共聚物(聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸3-側氧基-1-金剛烷基氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯))、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、11.5782克α-羥基異丁酸甲酯、2.8447克丙二醇單甲基醚及0.0503克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
1.8901克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯
甲基丙烯酸酯)、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為38.6%)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、46.3128克α-羥基異丁酸甲酯、11.3788克丙二醇單甲基醚及0.2012克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7875克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、19.2970克α-羥基異丁酸甲酯、4.7412克丙二醇單甲基醚及0.0838克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7872克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例
30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為19.3%)及N-(第三丁氧基羰基)-L-丙胺酸甲酯(以PAG總莫耳數計為19.3%)、19.2970克α-羥基異丁酸甲酯、4.7412克丙二醇單甲基醚及0.0838克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7875克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為19.3%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、19.2970克α-羥基異丁酸甲酯、4.7412克丙二醇單甲基醚及0.0838克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
1.2565克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯
甲基丙烯酸酯)、參-全氟甲烷碸甲基化三苯基硫鎓(基於聚合物為142.7微莫耳)、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、30.8752克α-羥基異丁酸甲酯、7.5270克丙二醇單甲基醚及0.1930克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9454克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為13%)及參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺(以PAG總莫耳數計為13%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9519克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-側氧基金剛烷酯)、比例
60/47(基於聚合物以微莫耳計)之參-全氟甲烷碸甲基化三苯基硫鎓/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為13%)及N-(第三丁氧基羰基)-L-丙胺酸甲酯(以PAG總莫耳數計為13%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6453克丙二醇單甲基醚及0.1448克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
1.8901克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為38.6%)、46.3128克α-羥基異丁酸甲酯、11.3788克丙二醇單甲基醚及0.2012克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9450克聚(甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之
雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9469克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為13%)及N-(1-金剛烷基)乙醯胺(以PAG總莫耳數計為13%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1008克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
1.2932克聚(甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯-共-5-甲基丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例15/37.5/7.5(基於聚合物以微莫耳計)之三苯基硫
鎓全氟丁烷磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/4-甲氧基-3,5-二甲基苯基)二甲基硫鎓全氟丁烷磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為26%)、28.6464克丙二醇單甲基醚乙酸酯與丙二醇單甲基醚之(70/30 w/w)混合物於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9450克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7890克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓環(1,3-全氟丙烷二碸)醯亞胺鹽/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯
基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為19.3%)及N-(第三丁氧基羰基)-L-丙胺酸甲酯(以PAG總莫耳數計為19.3%)、19.297克α-羥基異丁酸甲酯、4.741克丙二醇單甲基醚及0.084克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9522克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例60/47(基於聚合物以微莫耳計)之三苯基硫鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為20.8%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為5.2%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6453克丙二醇單甲基醚及0.1448克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
1.8179克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例16/40(基於聚合物以微莫耳計)之三苯基硫鎓全氟丁烷磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫'耳數計為17.5%)及三辛基胺(以PAG總莫耳數計為17.5%)、
17.13克丙二醇單甲基醚乙酸酯與丙二醇單甲基醚之(70:30重量比)混合物於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9186克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為35%)、比例30/18/23(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、苄醯基甲基十二碳基甲基硫鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺(以聚合物計為10%)、16.8054克α-羥基異丁酸甲酯、4.1433克丙二醇單甲基醚及0.0587克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.0945克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸三環[5,2,1,02,6
]癸-8-酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺
(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、45.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9450克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9450克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)[單體之進料比例-20/10//30/40]、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-
二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、23.1564克α-羥基異丁酸甲酯、5.6894克丙二醇單甲基醚及0.1006克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7200克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)[單體之進料比例-15/15/30/40]、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、19.3570克α-羥基異丁酸甲酯、4.7634克丙二醇單甲基醚及0.0766克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.7875克聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、比例30/30/47(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1-4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、2,6-二異丙基苯胺(以
PAG總莫耳數計為31%)及苯基二乙醇胺(以PAG總莫耳數計為8%)、19.2970克α-羥基異丁酸甲酯、4.7412克丙二醇單甲基醚及0.0838克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
0.9186克聚(甲基丙烯酸2-金剛烷氧基甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷酯)、2,6-二異丙基苯胺(以PAG總莫耳數計為35%)、比例30/18/23(基於聚合物以微莫耳計)之雙(對-第三丁基苯基)碘鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺/雙(三苯基硫鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽/雙(對-第三丁基苯基碘鎓)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、苄醯基甲基十二碳基甲基硫鎓全氟乙烷磺醯基醯亞胺(以聚合物計為10%)、16.8054克α-羥基異丁酸甲酯、4.1433克丙二醇單甲基醚及0.0587克γ戊內酯於環境條件下混合至60毫升無金屬塑膠瓶內。混合物滾轉至少12小時且經0.2微米濾器過濾。形成澄清溶液。
使用以下方法評估前述配方:藉著將底層防反射塗覆溶液(購自AZ Electronic Materials Corporation, Somerville, NJ之AZ® ArF-38, B.A.R.C.)旋塗於矽基材上並於225℃烘烤90秒,製備塗覆有底層防反射塗層(B.A.R.C.)之矽基材。該B.A.R.C膜厚係為87奈米。隨後將前文製備之光阻溶液塗覆於塗有B.A.R.C之矽基材上。調整旋轉速度,使得光阻膜厚係為120奈米,於90至100℃[實例參見表1]/60
s軟烤,使用6%半色調光罩以Nikon 306D 0.85NA &偶極照明進行曝照。經曝照之晶圓於95至110℃[實例參見表1]/60s進行曝照後烘烤,使用2.38重量%氫氧化四甲基銨水溶液顯影30秒。之後於AMAT CD SEM上測量線條及間隔圖案。配方例之評估數據列於下表1。
前文本發明描述說明且描述本發明。此外,該揭示僅顯示且描述特定本發明具體實施態樣,但(如前文所述)應明瞭本發明可於各種其他組合、修飾及環境下使用且可在本文所陳述、等同於前述教示且/或相關技術之技巧或知識
的發明概念內進行改變或修飾。前文所述之具體實施態樣係進一步說明已知進行本發明的最佳模式,且使熟習此技術者可依該等或其他具體實施態樣或依本發明特定之應用或用途所需的各種修飾採用本發明。是故,此描述不將本發明限制於本文所揭示之形式。而且,應理解所附之申請專利範圍係包括備擇具體實施態樣。
Claims (8)
- 一種光阻組合物,其包含光酸生成劑混合物及包含以下之聚合物:(i)具有結構(1)及(2)之重現單元
- 如請求項1之組合物,其進一步包含至少一種鹼。
- 如請求項1之組合物,其中就該聚合物而言,重現單元(i)係為以下化合物之混合物:式(1)化合物,其中R61 及R62 係為氫,R63 係為甲基且R64 係為乙基,與式(2)化合物,其中R61 及R62 係為氫,R63 係為甲基且R64 係為乙基。
- 如請求項1之組合物,其中該聚合物進一步包含以下單元,
- 如請求項1之組合物,其進一步包含至少一選自經取代或未經取代之苯胺之鹼及至少一選自經取代或未經取代之哌啶及單-或二乙醇胺之鹼。
- 如請求項1之組合物,其中該聚合物係選自由以下組成之群:聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-5-丙烯醯氧基-2,6-原冰片烷羧內酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-β-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-金剛烷基氧甲酯-共-甲基丙烯酸-2-金剛烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)、聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-金剛烷基氧甲酯-共-甲基丙烯酸-2-氧-金剛 烷基氧甲酯-共-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)及聚(甲基丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯-共-甲基丙烯酸乙基環戊酯-共-甲基丙烯酸-2-金剛烷基氧甲酯-共-甲基丙烯酸-甲基甲羥戊酸環內酯-丙烯酸羥基-1-金剛烷酯-共-α-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯)。
- 一種使光阻成像之方法,其包含以下步驟:a)以如請求項1之光阻組合物塗覆基材;b)烘烤該基材以實質上地移除溶劑;c)使該光阻塗層進行成像曝照;d)使該光阻塗層進行曝照後烘烤;及e)以鹼性水溶液顯影該光阻塗層。
- 一種藉由於基材上形成影像而製造微電子裝置的方法,其包含:a)提供如請求項1之光阻組合物;b)以步驟a)之光阻組合物塗覆適當之基材;及c)熱處理步驟b)之經塗覆基材,直至實質上地移除所有光阻溶劑;使該光阻組合物進行成像曝照,並以適當之顯影劑移除該組合物經成像曝照之區域。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/844,589 US8252503B2 (en) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | Photoresist compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200914996A TW200914996A (en) | 2009-04-01 |
TWI435174B true TWI435174B (zh) | 2014-04-21 |
Family
ID=40293925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097125765A TWI435174B (zh) | 2007-08-24 | 2008-07-08 | 光阻組合物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8252503B2 (zh) |
EP (1) | EP2197924A2 (zh) |
JP (1) | JP5320603B2 (zh) |
KR (1) | KR101563375B1 (zh) |
CN (1) | CN101815733B (zh) |
TW (1) | TWI435174B (zh) |
WO (1) | WO2009027794A2 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5037403B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-09-26 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5314990B2 (ja) * | 2008-10-07 | 2013-10-16 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5621275B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-11-12 | Jsr株式会社 | イオンプランテーション用フォトレジストパターン形成方法。 |
JP5537889B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-07-02 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5617799B2 (ja) | 2010-12-07 | 2014-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6330360B2 (ja) * | 2014-02-21 | 2018-05-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
JP6513899B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2019-05-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2016119340A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 有機電界発光素子用材料 |
JP6365394B2 (ja) * | 2015-05-07 | 2018-08-01 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP7232847B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (45)
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---|---|---|---|---|
US4701390A (en) * | 1985-11-27 | 1987-10-20 | Macdermid, Incorporated | Thermally stabilized photoresist images |
US5019660A (en) * | 1990-01-30 | 1991-05-28 | Mobil Oil Corporation | Diamondoid polymeric compositions |
US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
JP3587325B2 (ja) * | 1996-03-08 | 2004-11-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
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TWI250379B (en) * | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
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JP3841399B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2006-11-01 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
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TWI314943B (en) * | 2002-08-29 | 2009-09-21 | Radiation-sensitive resin composition | |
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JP2006096965A (ja) | 2004-02-20 | 2006-04-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 高分子化合物、該高分子化合物を含有するフォトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法 |
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JP4942925B2 (ja) | 2004-06-18 | 2012-05-30 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
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JP4716016B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
US7390613B1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
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JPWO2008133270A1 (ja) * | 2007-04-25 | 2010-07-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
WO2009011289A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Fujifilm Corporation | ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-08-24 US US11/844,589 patent/US8252503B2/en active Active
-
2008
- 2008-07-08 TW TW097125765A patent/TWI435174B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-22 KR KR1020107006388A patent/KR101563375B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-22 JP JP2010521498A patent/JP5320603B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-22 CN CN2008801042502A patent/CN101815733B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-22 WO PCT/IB2008/002218 patent/WO2009027794A2/en active Application Filing
- 2008-08-22 EP EP08806927A patent/EP2197924A2/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100075851A (ko) | 2010-07-05 |
JP2010536977A (ja) | 2010-12-02 |
WO2009027794A3 (en) | 2009-04-23 |
TW200914996A (en) | 2009-04-01 |
CN101815733B (zh) | 2013-06-19 |
JP5320603B2 (ja) | 2013-10-23 |
CN101815733A (zh) | 2010-08-25 |
EP2197924A2 (en) | 2010-06-23 |
KR101563375B1 (ko) | 2015-10-26 |
US8252503B2 (en) | 2012-08-28 |
US20090053652A1 (en) | 2009-02-26 |
WO2009027794A2 (en) | 2009-03-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |