JP2016119340A

JP2016119340A - 有機電界発光素子用材料

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Publication number: JP2016119340A
Application number: JP2014256674A
Authority: JP
Inventors: 辻　雅司; Masashi Tsuji; 雅司辻; 長谷川　浩司; Koji Hasegawa; 浩司長谷川; 誠田口; Makoto Taguchi
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2014-12-18
Filing date: 2014-12-18
Publication date: 2016-06-30
Also published as: KR20160074382A; KR102501464B1

Abstract

【課題】高熱耐久性および素子発光効率に優れた有機電界発光素子用材料を提供する
【解決手段】下記式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する、有機電界発光素子用材料：

ただし、前記式（１）中、Ａは飽和脂環式基であり、Ｘ^１は電荷輸送ユニットであり、ｎは２０〜５００の整数であり、Ｒ^１はフェニレン基等の基である、によって、上記課題が解決される。
【選択図】図１

Description

本発明は、エチレン骨格を主鎖とし、電荷輸送ユニットを側鎖に含む、有機電界発光素子用材料に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの有機電界発光素子は、陽極および陰極から注入された正孔および電子が、発光層において再結合することにより、発光層における有機材料を発光させる自己発光型の素子である。

有機電界発光素子には、正孔輸送材料等の電荷輸送材料をはじめとする、有機電界発光素子用材料が用いられている。電荷輸送材料は電荷を発光層へ輸送する能力を有するだけでなく、発光層における正孔と電子の再結合によって形成された励起子が電荷輸送層へ侵入することを防ぐ機能をも果たしている。また、正孔輸送材料が高い電荷移動度や高い三重項エネルギーを持つことにより、特に緑色および青色系ＯＬＥＤ素子の高効率化を図ることができると考えられている。

塗布プロセス向けの有機電界発光素子の製造方法としては、残膜性などのプロセス的な観点から、高分子構造の電荷輸送材料が有益である。高分子構造の電荷輸送材料のうち、エチレン骨格を主鎖とし、電荷輸送ユニットを側鎖に有するものは側鎖型高分子材料と呼ばれている。例えば、特許文献１には、正孔輸送ユニットを側鎖に持つ正孔輸送性の側鎖型高分子材料が記載されている。側鎖型高分子材料は電荷輸送ユニットがそれぞれ共役的にほぼ分離しているため、高い三重項エネルギーを取りやすい。また、電荷輸送ユニットが主鎖周辺にペンダント型に配置されているため、電荷輸送ユニット同士が相互作用しやすく、高い電荷輸送度を取りやすいという利点がある。このような点から、側鎖型高分子材料は緑色および青色系ＯＬＥＤ素子用の電荷輸送材料として有利である。

特開２００６−２３７５９２号公報

有機電界発光素子は、素子駆動時において、おそらくは素子内部抵抗に起因して、発熱する場合がある。内部熱の発生は材料の分解／劣化を引き起こす可能性があり、これが素子駆動時間を縮める一因であると考えられる。そのため、高寿命な有機電界発光素子を実現するには、電荷輸送材料をはじめとする有機電界発光素子用材料に高熱耐久性が要求される。しかしながら、従来の有機電界発光素子用材料、特に、側鎖型高分子材料は、高熱耐久性が十分でないという課題が存在していた。

また、電荷輸送材料などの有機電界発光素子用材料は、ＯＬＥＤなどの有機電界発光素子の効率に影響を与える。従来の有機電界発光素子用材料を用いた有機電界発光素子では、十分な発光効率が得られない場合があった。

したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、高熱耐久性および素子発光効率に優れた有機電界発光素子用材料を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った結果、側鎖が所定の構造である繰り返し単位を有する有機電界発光素子用材料によって、上記課題が解決されることを見出し、本発明の完成に至った。

本発明によれば、高熱耐久性および素子発光効率に優れた有機電界発光素子用材料を提供することができる。

本発明の一実施形態である有機電界発光素子の構造を示す図面である。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。

本明細書において、数値範囲を示す「Ｘ〜Ｙ」は「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％の条件で測定する。

＜有機電界発光素子用材料＞
本発明に係る有機電界発光素子用材料は、下記式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する、側鎖型高分子材料である。

式（１）中、Ａは飽和脂環式基であり、Ｘ^１は電荷輸送ユニットであり、ｎは２０〜５００の整数であり、Ｒ^１はフェニレン基、および下記ａ１〜ａ９で示される基からなる群から選択される。

前記ａ１〜ａ９中、Ｒ^２２は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘ^２１およびＸ^２２はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子である。

前記式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料は、高熱耐久性および素子発光効率が優れることを本発明者らは見出した。本発明の技術的範囲を制限するものではないが、これは、以下のメカニズムによるものと考えられる。すなわち、式（１）で示される側鎖型高分子材料は、その側鎖にアダマンチレン基のような飽和脂環式基Ａが含まれる。アダマンチレン基のような飽和脂環式基は、分子骨格が強直性であるような熱耐久性の高い構造をとると考えられる。このため、アダマンチレン基のような飽和脂環式基を有した有機電界発光素子用材料の分解温度（Ｔｄ）が高くなり、高熱耐久性が高くなると推測される。また、式（１）で示される側鎖型高分子材料はガラス転移温度（Ｔｇ）が比較的高いことから、材料の耐熱性が高くなると考えられる。これにより、素子駆動によって生じる生成熱によって、材料が変性または膜質が変化することが抑制されるため、素子駆動時間をより一層長くすることにも寄与し得る。

前記式（１）中、Ａは飽和脂環式基であり、より具体的には、例えば、アダマンチレン基、ジアマンチレン基、トリアマンチレン基、テトラマンチレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ビシクロ［２．１．０］ペンチル基、ビシクロ［３．１．０］ヘキシル基、ビシクロ［２．１．１］ヘキシル基、ビシクロ［４．１．０］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、およびキュバニル基が挙げられる。このうち、アダマンチレン基、ジアマンチレン基、トリアマンチレン基、およびテトラマンチレン基からなる群から選択されることが、高熱耐久性の観点から好ましい。より好ましくは、式（１）中、Ａはアダマンチレン基である。

本明細書において、炭素数１〜６のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、およびシクロヘキシル基等が例示できる。

式（１）中、Ｒ^１はフェニレン基、および前記ａ１〜ａ９で示される基からなる群から選択される基である。前記ａ１において、Ｒ^２２は好ましくは炭素数１〜３のアルキル基である。式（１）において、Ｒ^１はフェニレン基またはａ１であることが好ましく、ラジカル重合が容易であるという観点から、より好ましくは、Ｒ^１はフェニレン基である。

前記式（１）中、Ｘ^１は電荷輸送ユニットである。Ｘ^１は電荷輸送性のあるユニットであれば特に制限されず、例えば、アリールアミン骨格、フルオレン骨格、カルバゾール骨格、ジベンゾフラニル骨格、ジベンゾチエニル骨格、およびこれらの縮合環およびスピロ環等の正孔輸送ユニット；ならびに、フルオレノン骨格、キノン骨格、アントラキノン骨格、ジフェニルキノン骨格、チオピランジオキシド骨格、オキサゾール骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントロン骨格、ビピリジン骨格、およびフェナントロリン骨格等の電子輸送ユニット；が挙げられるが、これらに限定されない。本発明に係る有機電界発光素子用材料は、高熱耐久性および素子発光効率に優れることから、正孔輸送性もしくは正孔注入性材料として、または電子輸送性もしくは電子注入性材料としても好適に用いられる。従って、電荷輸送ユニットは正孔輸送ユニットまたは電子輸送ユニットのいずれであっても良いが、本発明に係る有機電界発光素子用材料は、イオン化ポテンシャルや電荷移動度の観点から正孔注入層または正孔輸送層に特に好適に用いられる。従って、Ｘ^１は正孔輸送ユニットであることが好ましい。

以下に、ｂ１〜ｂ１３として、正孔輸送ユニットの具体的構造を示す。式（１）中、Ｘ^１は下記ｂ１〜ｂ１３で示される基からなる群から選択されることが、素子発光効率の観点からより好ましい。

より具体的には、例えば、ｂ６は下記ｂ６−１で示される基であり；ｂ７は下記ｂ７−１、またはｂ７−２で示される基であり；ｂ８は下記ｂ８−１、またはｂ８−２で示される基であり；ｂ９は下記ｂ９−１で示される基であり；ｂ１０は下記ｂ１０−１で示される基であり；ｂ１２は下記ｂ１２−１で示される基であり；ｂ１３は下記ｂ１３−１で示される基であり得る。

さらに好ましくは、式（１）中、Ｘ^１はｂ１〜ｂ５、ｂ８、およびｂ１１で示される基からなる群から選択され、特に好ましくは、式（１）中、Ｘ^１はｂ１、またはｂ１１で示される基である。

前記ｂ１〜ｂ１３中、Ｒ^３１１、Ｒ^３１２、Ｒ^３１３、Ｒ^３２１、Ｒ^３２２、Ｒ^３３１、Ｒ^３４１、Ｒ^３５１、Ｒ^３５２、Ｒ^３６１、Ｒ^３６２、Ｒ^３６３、Ｒ^３７１、Ｒ^３７２、Ｒ^３８１、Ｒ^３９１、Ｒ^３１０１、Ｒ^３１１１、Ｒ^３１１２、Ｒ^３１１３、Ｒ^３１２１、Ｒ^３１２２、Ｒ^３１２３、Ｒ^３１２４、Ｒ^３１２５、Ｒ^３１３１、およびＲ^３１３２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、および下記ｃ１〜ｃ１６で示される基からなる群から選択される。

より具体的には、例えば、ｃ２は下記ｃ２−１、またはｃ２−２で示される基であり；ｃ３は下記ｃ３−１で示される基であり；ｃ４は下記ｃ４−１で示される基であり；ｃ５は下記ｃ５−１、またはｃ５−２で示される基であり；ｃ６は下記ｃ６−１、またはｃ６−２で示される基であり；ｃ７は下記ｃ７−１、またはｃ７−２で示される基であり；ｃ８は下記ｃ８−１で示される基であり；ｃ９は下記ｃ９−１で示される基であり；ｃ１１は下記ｃ１１−１、またはｃ１１−２で示される基であり；ｃ１２は下記ｃ１２−１、またはｃ１２−２で示される基であり；ｃ１３は下記ｃ１３−１で示される基であり；ｃ１４は下記ｃ１４−１で示される基であり；ｃ１５は下記ｃ１５−１で示される基であり得る。

前記ｃ１〜ｃ１６中、ｐは０または１であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、Ｚ^４２、Ｚ^５１、Ｚ^５２、Ｚ^５３、Ｚ^６１、Ｚ^６２、Ｚ^７１、Ｚ^７２、Ｚ^８１、Ｚ^８２、Ｚ^９１、およびＺ^９２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、メトキシ基、および下記ｄ１〜ｄ７で示される基からなる群から選択される。下記ｄ２中、ａｌｋｙｌは炭素数１〜６のアルキル基である。

好ましくは、Ｚ^１１、およびＺ^１２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基であり；Ｚ^２１は下記ｄ１〜ｄ３で示される基からなる群から選択され；Ｚ^３１、Ｚ^４１、Ｚ^４２、Ｚ^５１、Ｚ^５２、およびＺ^５３はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、メトキシ基、および下記ｄ１〜ｄ２で示される基からなる群から選択され；Ｚ^６１、およびＺ^６２はそれぞれ独立に下記ｄ１〜ｄ３、およびｄ７で示される基からなる群から選択され；Ｚ^７１、およびＺ^７２はそれぞれ独立に下記ｄ１〜ｄ５で示される基からなる群から選択され；Ｚ^８１、Ｚ^８２、Ｚ^９１、およびＺ^９２はそれぞれ独立にｄ１、またはｄ６である。

より具体的には、例えば、ｄ２は下記ｄ２−１、またはｄ２−２で示される基であり；ｄ３は下記ｄ３−１で示される基であり；ｄ４は下記ｄ４−１で示される基であり；ｄ５は下記ｄ５−１で示される基であり；ｄ６は下記ｄ６−１で示される基であり；ｄ７は下記ｄ７−１で示される基であり得る。

前記ｂ１〜ｂ１３中、Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^２１、Ｙ^３１、Ｙ^４１、Ｙ^４２、Ｙ^５１、Ｙ^５２、Ｙ^６１、Ｙ^６２、およびＹ^６３はそれぞれ独立に下記ｅ１〜ｅ１１で示される基からなる群から選択される。

前記ｅ１〜ｅ１１中、Ｒ^４１１、Ｒ^４１２、Ｒ^４２１、Ｒ^４３１、Ｒ^４４１、Ｒ^４４２、Ｒ^４５１、Ｒ^４５２、Ｒ^４６１、およびＲ^４６２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、およびトリル基からなる群から選択される。好ましくは、Ｒ^４１１、およびＲ^４１２は炭素数１〜６のアルキル基であり；Ｒ^４２１はフェニル基、またはトリル基であり；Ｒ^４３１、Ｒ^４４１、Ｒ^４４２、Ｒ^４５１、Ｒ^４５２、Ｒ^４６１、およびＲ^４６２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基である。

より具体的には、例えば、ｅ１は下記ｅ１−１で示される基であり；ｅ２は下記ｅ２−１、またはｅ２−２で示される基であり；ｅ３は下記ｅ３−１で示される基であり；ｅ４は下記ｅ４−１で示される基であり；ｅ５は下記ｅ５−１で示される基であり；ｅ６は下記ｅ６−１で示される基であり；ｅ７は下記ｅ７−１で示される基であり；ｅ８は下記ｅ８−１で示される基であり；ｅ９は下記ｅ９−１で示される基であり；ｅ１０は下記ｅ１０−１で示される基であり；ｅ１１は下記ｅ１１−１で示される基であり得る。

上記ｂ１〜ｂ１３において、素子発光効率の観点から、より好ましくはＲ^３１１、Ｒ^３１２、Ｒ^３１３、Ｒ^３２１、Ｒ^３２２、Ｒ^３３１、Ｒ^３４１、Ｒ^３５１、Ｒ^３５２、Ｒ^３６１、Ｒ^３６２、Ｒ^３６３、Ｒ^３７１、Ｒ^３７２、Ｒ^３８１、Ｒ^３９１、Ｒ^３１０１、Ｒ^３１１１、Ｒ^３１１２、Ｒ^３１１３、Ｒ^３１２１、Ｒ^３１２２、Ｒ^３１２３、Ｒ^３１２４、Ｒ^３１２５、Ｒ^３１３１、およびＲ^３１３２はそれぞれ独立に上記ｃ１〜ｃ１６で示される基からなる群から選択され；Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、Ｚ^４２、Ｚ^５１、Ｚ^５２、Ｚ^５３、Ｚ^６１、Ｚ^６２、Ｚ^７１、Ｚ^７２、Ｚ^８１、Ｚ^８２、Ｚ^９１、およびＺ^９２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、メトキシ基、および上記ｄ１〜ｄ７で示される基からなる群から選択され；Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^２１、Ｙ^３１、Ｙ^４１、Ｙ^４２、Ｙ^５１、Ｙ^５２、Ｙ^６１、Ｙ^６２、およびＹ^６３はフェニレン基である。

式（１）中、ｎは２０〜５００の整数である。ｎが２０未満であると、塗布プロセスにおける成膜性が悪化するため好ましくない。また、ｎが５００を超えると、材料の脆化が生じるため好ましくない。好ましくは、式（１）中、ｎは１００〜３００の整数である。また、有機電界発光素子用材料全体の繰り返し単位数は、例えば２０〜５００である。

式（１）中、Ｒ^１がフェニレン基またはａ１であり、Ａがアダマンチレン基、ジアマンチレン基、トリアマンチレン基、およびテトラマンチレン基からなる群から選択され、Ｘ^１がｂ１〜ｂ５、ｂ８、およびｂ１１で示される基からなる群から選択されることがより好ましい。

式（１）中、Ｒ^１がフェニレン基であり、Ａがアダマンチレン基であることがより好ましい。すなわち、本発明の一実施形態では、下記式（１ａ）で示される繰り返し単位（１ａ）を有する、有機電界発光素子用材料が提供される。

ただし、式（１ａ）中、Ｘ^１およびｎは、式（１）について説明したものと同様であり、式（１）についてされた説明が適用される。

本発明に係る有機電界発光素子用材料は、全構成単位中、繰り返し単位（１）を１０〜１００モル％有することが好ましい。全構成単位中、繰り返し単位（１）が１０モル％以上であることにより、高熱耐久性が高まる。ＴｄおよびＴｇの観点から、有機電界発光素子用材料は、全構成単位中、繰り返し単位（１）を３０〜１００モル％有することがより好ましい。より好ましくは、有機電界発光素子用材料は、全構成単位中、繰り返し単位（１）を６０〜１００モル％有する。各繰り返し単位の割合は、重合の際に用いるモノマーの割合を変更することで、任意に調整できる。本発明において、全構成単位中に含まれる各繰り返し単位の割合は、ＮＭＲによって測定することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料において、全構成単位中、繰り返し単位（１）が１００モル％未満の場合、すなわち、上記繰り返し単位（１）および他のエチレン性不飽和単量体に由来する繰り返し単位（「他のエチレン性不飽和単量体に由来する繰り返し単位」を、「残部の繰り返し単位」とも称する。）を有する共重合体である場合、残部の繰り返し単位は特に制限されない。

ある実施形態では、残部の繰り返し単位は、下記式（２）で示される繰り返し単位（２）である。本発明に係る有機電界発光素子用材料は、前記式（１）で示される繰り返し単位（１）と、下記式（２）で示される繰り返し単位（２）との共重合体であり得る。

上記式（２）中、Ｘ^１０は電荷輸送ユニットであり、ｍは１〜１８０の整数であり、Ｒ^１０はフェニレン基、および上記ａ１〜ａ９で示される基からなる群から選択される。上記式（２）において、Ｒ^１０にはＲ^１についての記載事項が、Ｘ^１０にはＸ^１についての記載事項がそれぞれ適用される。式（２）において、ｑは０または１であり、ｑが０のときはＲ^１０は水素原子で終端される。

この他、他のエチレン性不飽和単量体としては、具体的には、スチレン、メチルスチレン、メトキシスチレン、エチルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、オクチルスチレン、クロロスチレン、フェニルスチレン、ビニルトルエン、ビニルベンジルメチルエーテルなどの芳香族ビニル化合物；（メタ）アクリル酸；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−アミノエチル（メタ）アクリレート、２−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミドなどのアクリル系化合物およびその誘導体；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、安息香酸ビニルなどのカルボキシ酸ビニルエステル化合物；（メタ）アクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物；ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル、ビニルフェニルエーテルなどのビニルエーテル系化合物；エチレン、プロピレン、イソブチレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、ブタジエン、イソプレン、クロロプレンなどのオレフィン系化合物；などが挙げられる。

上記の繰り返し単位（２）をはじめとする残部の繰り返し単位は、本発明に係る有機電界発光素子用材料に１種または２種以上含まれていても良い。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が共重合体である場合、結合様式は特に制限されず、ランダム共重合体、交互共重合体、周期的共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。

一実施形態において、本発明に係る有機電界発光素子用材料は、下記式（３）で示される。

前記式（３）において、Ｒ^１、Ａ、Ｘ^１および、ｎは、式（１）の場合と同様であり、式（１）についてされた説明が適用される。

前記式（３）において、Ｒ^１０にはＲ^１についての記載事項が、Ｘ^１０にはＸ^１についての記載事項がそれぞれ適用される。前記式（３）において、Ｒ^１およびＲ^１０は、それぞれ独立にフェニレン基、および前記ａ１〜ａ９で示される基からなる群から選択される基である。また、前記式（３）において、Ｘ^１およびＸ^１０は、それぞれ独立に選択される電荷輸送ユニットである。

前記式（３）において、ｑは０または１であり、ｑが０のときはＲ^１０は水素原子で終端される。素子発光効率の観点から、式（３）において、ｑは１であることが好ましい。

前記式（３）において、ｍは０〜１８０の整数であり、０．１≦ｎ／（ｎ＋ｍ）≦１、および２０≦ｎ＋ｍ≦５００を満たす。

式（３）においては、０．１≦ｎ／（ｎ＋ｍ）≦１を満たす。すなわち、式（３）で示される有機電界発光素子用材料は、全構成単位中１０〜１００モル％の繰り返し単位（１）、および残部の繰り返し単位（２）とからなる。ＴｄおよびＴｇの観点から、好ましくは、式（３）においては、０．３≦ｎ／（ｎ＋ｍ）≦１を満たす。すなわち、式（３）で示される有機電界発光素子用材料は、全構成単位中３０〜１００モル％の繰り返し単位（１）、および残部の繰り返し単位（２）とからなることが好ましい。より好ましくは、式（３）においては、０．６≦ｎ／（ｎ＋ｍ）≦１を満たす。すなわち、式（３）で示される有機電界発光素子用材料は、全構成単位中６０〜１００モル％の繰り返し単位（１）、および残部の繰り返し単位（２）とからなることがより好ましい。

本発明の有機電界発光素子用材料の末端は特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。

本発明に係る有機電界発光素子用材料において、各繰り返し単位の構造は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

本発明に係る有機電界発光素子用材料の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて特に制限されるものではないが、例えば、５０００〜１００万であり、好ましくは６０００〜１０万である。数平均分子量（Ｍｎ）が５０００以上であることにより、膜が脆化しにくいという利点がある。一方、数平均分子量（Ｍｎ）が１００万以下であることにより、成膜時に有機電界発光素子用材料の脆化がしにくいという利点がある。

なお、本明細書において、数平均分子量（Ｍｎ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ポリスチレンを標準物質としてサイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）により測定した値を採用するものとする。

本発明に係る有機電界発光素子用材料は、高熱耐久性に優れることを特徴のひとつとする。高熱耐久性は、実施例に記載の方法により測定される５％重量減少温度（分解温度（Ｔｄ）（℃））により評価される。有機電界発光素子用材料のＴｄは、好ましくは４１０℃以上であり、より好ましくは４２０℃以上であり、さらに好ましくは４３０℃以上である。Ｔｄが４１０℃未満であると、材料の分解／劣化により長時間の素子駆動が困難となる場合がある。Ｔｄは高いほどよいので、上限は特に制限されないが、実質的には、例えば５５０℃である。

本発明に係る有機電界発光素子用材料は、素子発光効率に優れることをさらなる特徴とする。有機電界発光素子用材料のガラス転移温度（Ｔｇ（℃））は、１４５℃以上、１５５℃以上の順で、素子発光効率の観点から好ましい。Ｔｇの上限は特に制限されないが、実質的には、例えば２３０℃である。本明細書において、Ｔｇは、実施例に記載の方法により測定することができる。

ＴｄおよびＴｇの両方が上記数値を満たすことが、高熱耐久性および素子発光効率の両面から特に好ましい。

本発明に係る有機電界発光素子用材料により、高い電荷移動度が達成される。電荷移動度は、インピーダンス分光法を用いて測定した場合、１×１０^−６（ｃｍ^２／Ｖｓ）以上であることが好ましく、より好ましくは１×１０^−４（ｃｍ^２／Ｖｓ）以上である。

繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料は、下記の一般式（Ｉ）で示されるエチレン性不飽和単量体を少なくとも用いて重合を行うことにより、製造できる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料は、一般式（Ｉ）で示される単量体を用いた重合反応により製造することができる。

好ましくは、本発明に係る有機電界発光素子用材料の製造には、下記の一般式（Ｉａ）で示されるスチレン誘導体が用いられる。

なお、前記一般式（Ｉ）および一般式（Ｉａ）中、Ｒ^１、Ａ、およびＸ^１は、式（１）について説明したものと同様であり、式（１）についてされた説明が適用される。

特に限定されるものではないが、以下に、本発明に係る有機電界発光素子用材料の製造に好ましく用いられる例示的なスチレン誘導体（例示単量体１〜１７０）の構造を示す。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が共重合体である場合、上記の単量体に加えて、さらに残部の繰り返し単位となるエチレン性不飽和単量体を用いて重合反応を行えばよい。これらの単量体を、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料の重合に用いられる単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成ことができ、その構造も、例えば実施例に記載のＮＭＲやＬＣ−ＭＳ等を用いて確認できる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料の重合方法は特に制限されない。例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合などの公知の重合方法が採用でき、好ましくは製造が容易なラジカル重合を使用する。

重合に用いる溶媒としては、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、クロロホルム、酢酸エチル、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等が例示でき、好ましくはトルエンである。これらを１種単独で用いても良く、２種以上を併用しても良い。

溶媒中の単量体濃度（複数の単量体を用いる場合は、その全体量）は、反応溶液全体に対して、通常１０〜９０重量％であり、好ましくは１５〜８０重量％である。

重合温度は、分子量の制御の点から、４０℃〜１００℃とするのが好ましい。重合反応は通常３０分〜２４時間行われる。

単量体を添加した溶媒は、重合開始剤の添加前に、脱気処理を行ってもよい。脱気処理としては、例えば、凍結脱気や、窒素ガス等の不活性ガスによってバブリングしてもよい。

重合開始剤は従来公知のものを用いることができ、例えばベンゾフェノン、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウロイル、およびアゾビスイソブチロニトリル等が例示できる。重合開始剤の配合量は、有機電界発光素子用材料の製造に用いる全単量体（１モル）に対して、例えば０．０００１〜１モルとなる量である。

＜有機電界発光素子＞
本発明に係る有機電界発光素子用材料は、有機電界発光素子に用いられる。本発明の一側面では、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される有機膜と、を備える有機電界発光素子であって、前記有機膜の少なくとも１層は、上記の有機電界発光素子用材料を含む、有機電界発光素子が提供される。素子の長寿命化および高効率化の観点から、本発明の好ましい一実施形態は、本発明に係る有機電界発光素子用材料を含む有機膜が、正孔注入層または正孔輸送層である。

図１は、本発明の一具体例に係る有機電界発光素子１００の断面を示す図面である。図１は、第１電極１２０／正孔注入層１３０／正孔輸送層１４０／発光層１５０／電子輸送層１６０／電子注入層１７０／第２電極１８０を示しているが、本発明がこのような構造に限定されるものではない。有機電界発光素子は、第１電極／正孔注入機能および正孔輸送機能を持つ単一膜／発光層／電子輸送層／第２電極または第１電極／正孔注入機能および正孔輸送機能を持つ単一膜／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極のような構造であっても良い。

本発明による有機電界発光素子は、前面発光型、または背面発光型のいずれであっても良い。

図１を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光素子について説明を行う。図１は、本発明の一実施形態に係る有機発光素子の構造の一例を示す概略図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０と、を備える。

基板１１０は、一般的な有機発光素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。

第１電極１２０は、例えば、アノードであり、蒸着法またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などを用いて基板１１０上に形成される。具体的には、第１電極１２０は、仕事関数が大きい金属、合金、導電性化合物等によって透過型電極として形成される。第１電極１２０は、例えば、透明であり、導電性にすぐれる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などで形成されてもよい。また、第１電極１２０は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いて反射型電極として形成されてもよい。

正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング（ｓｐｉｎｃｏａｔｉｎｇ）法、インクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）法などを用いて第１電極１２０上に形成される。また、正孔注入層１３０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約５００ｎｍ、より具体的には、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さにて形成されてもよい。なお、正孔注入層１３０は、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料のほか、公知の材料を用いて形成することもでき、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，Ｎジフェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ／ＣＳＡ）、またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを用いて形成することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が正孔注入層に用いられる場合、層全体に対する含有量は、５０〜１００重量％（乾燥重量）であり、好ましくは９０〜１００重量％（乾燥重量）である。

正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料を含む層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて正孔注入層１３０上に形成される。また、正孔輸送層１４０は、具体的には、約５ｎｍ〜約５００ｎｍ、より具体的には、約１００ｎｍ〜約２５０ｎｍの厚さにて形成されてもよい。なお、正孔輸送層１４０は、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料のほか、公知の正孔輸送材料を用いて形成することもできるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）を用いて形成することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が正孔輸送層に用いられる場合、層全体に対する含有量は、５０〜１００重量％（乾燥重量）であり、好ましくは９０〜１００重量％（乾燥重量）である。

発光層１５０は、りん光、蛍光等により光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて正孔輸送層１４０上に形成される。また、発光層１５０は、ホスト材料およびドーパント（ｄｏｐａｎｔ）材料を含み、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料を含んでもよい。なお、発光層１５０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、より具体的には、約２０ｎｍ〜約６０ｎｍの厚さで形成されてもよい。

また、発光層１５０は、他のホスト材料を含んでもよく、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ｄｍＣＢＰ）、２，４，６−トリス（ジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン等を含んでもよい。

また、発光層１５０は、特定の色の光を発する発光層として形成されてもよい。例えば、発光層１５０は、赤色発光層、緑色発光層、および青色発光層として形成されてもよい。

発光層１５０が青色発光層である場合、青色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であるが、例えば、ペリレン（ｐｅｒｌｅｎｅ）およびその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）などのイリジウム（Ｉｒ）錯体等を使用することができる。

また、発光層１５０が赤色発光層である場合、赤色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であるが、例えば、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス（１‐フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））などのイリジウム錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体等を使用することができる。

また、発光層１５０が緑色発光層である場合、緑色ドーパントとしては公知の材料が使用可能であるが、例えば、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）およびその誘導体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などのイリジウム錯体等を使用することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が発光層に用いられる場合、発光層のホスト全体に対する含有量は、５０〜１００重量％（乾燥重量）であり、好ましくは９０〜１００重量％（乾燥重量）である。

電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を有する電子輸送材料を含む層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて発光層１５０上に形成される。また、電子輸送層１６０は、具体的には、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、より具体的には、約１５ｎｍ〜約５０ｎｍの厚さにて形成されてもよい。なお、電子輸送層１６０は、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料のほか、公知の電子輸送材料を用いて形成することができるが、例えば、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）などのＬｉ錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などのキノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）誘導体、１，２，４−トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（ｐ−フェニルフェノラート）−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ベリリウムビス（ベンゾキノリン−１０−オラート）（ＢｅＢｑ２）などを用いて形成することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が電子輸送層に用いられる場合、層全体に対する含有量は、５０〜１００重量％（乾燥重量）であり、好ましくは９０〜１００重量％（乾燥重量）である。

電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層であり、真空蒸着法などを用いて電子輸送層１６０上に形成される。また、電子注入層１７０は、具体的には、約０．１ｎｍ〜約１０ｎｍ、より具体的には、約０．３ｎｍ〜約９ｎｍの厚さにて形成されてもよい。なお、電子注入層１７０は、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する有機電界発光素子用材料のほか、公知の材料を用いて形成することができるが、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）などを用いて形成することができる。

本発明に係る有機電界発光素子用材料が電子注入層に用いられる場合、層全体に対する含有量は、５０〜１００重量％（乾燥重量）であり、好ましくは９０〜１００重量％（乾燥重量）である。

第２電極１８０は、例えば、カソードであり、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて電子注入層１７０上に形成される。具体的には、第２電極１８０は、仕事関数が小さい金属、合金、導電性化合物等で反射型電極として形成される。第２電極１８０は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などで形成されてもよい。また、第２電極１８０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いて透過型電極として形成されてもよい。

以上にて、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００の構造の一例について説明したが、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００の構造は、上記例示に限定されない。本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００は、公知の他の様々な有機発光素子の構造を用いて形成されてもよい。例えば、有機発光素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０、および電子注入層１７０のうち１層以上を備えていなくともよい。また、有機発光素子１００の各層は、単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。

さらに、有機発光素子１００は、三重項励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散する現象を防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層を備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、またはフェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体などによって形成することができる。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。

以下の合成例では、以下で示す方法により各種分析を行った。

（数平均分子量および重量平均分子量の測定）
ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および分散度
分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０ＡＤ）により求めた。この際、測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させて、ＧＰＣに２０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはＴＨＦを用い、１．０ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＰＬｇｅｌＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ社製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０ＡＶ）を用いた。

（ＮＭＲの測定）
ＮＭＲの測定は、特に記載がない限りは、測定試料５〜２０ｍｇを約０．５ｍＬ重水素化クロロホルムに溶解させて、ＮＭＲ（ブルカー（ＢＲＵＫＥＲ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ３００）を用いて行った。

（ＬＣ−ＭＳの測定）
分子量の測定は、ＬＣ−ＭＳ（ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製、商品名：Ａｇｉｌｅｎｔ６１３０Ｂ）により行なった。移動相は、ＭｅＯＨ：水：ＴＨＦ：＝７０：５：２５（体積比）の割合で用いた。ドライガス温度は２８０℃、ドライガス流量は６．０Ｌ／ｍｉｎとし、ＡＰＣＩ法によりイオン化して測定した。

（ガラス転移温度の測定）
ガラス転移温度（℃）の測定は、ＤＳＣ（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）により行なった。各高分子化合物を、アルゴン雰囲気下で毎分１０℃の昇温速度で、３０℃から２５０℃まで加熱した後、５０℃まで急冷した。そして、毎分１０℃の昇温速度で２５０℃まで測定を行った。

（５％重量減少温度の測定）
５％重量減少温度（Ｔｄ）の測定は、ＴＧ／ＤＴＡ（セイコーインスツル社製、商品名：ＴＧ／ＤＴＡ６０００）により行なった。各高分子化合物を、アルゴン雰囲気下で３０℃から毎分１０℃の昇温速度で５００℃まで測定した。

（合成例１）
（他のエチレン性不飽和単量体１の合成）
以下の化学反応式は、他のエチレン性不飽和単量体１（単量体Ａ）の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、４−ブロモ−４’，４”−ジメチルトリフェニルアミン（１０．０ｇ）、４−ブチルアニリン（４．６６ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（１．１６ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（３．００ｇ）、トルエン（３３０ｍＬ）を入れ、１１０℃で２時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、Ｎ−（４−ブチルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ−（ｐ−トルイル）ベンゼン−１，４−ジアミン（７．５６ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ−（４−ブチルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ−（ｐ−トルイル）ベンゼン−１，４−ジアミン（２．００ｇ）、４−ブロモスチレン（０．９００ｇ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．１２１ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．９１４ｇ）、トルエン（１００ｍＬ）を入れ、１１０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶で精製し１．７６ｇの単量体Ａを得た。

以下に、単量体Ａの構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．２９〜６．９５（ｍ、２４Ｈ）、６．６６（ｄｄ、１Ｈ）、５．６２（ｄ、１Ｈ）、５．１４（ｄ、１Ｈ）、２．５８（ｔ、２Ｈ）、２．３２（ｓ、６Ｈ）、１．６４〜１．５９（ｍ、２Ｈ）、１．４２〜１．３５（ｍ、２Ｈ）、０．９８（ｔ、３Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋５２３、５２４、５２５。

（合成例２）
（他のエチレン性不飽和単量体２の合成）
以下の化学反応式は、他のエチレン性不飽和単量体２（単量体Ｂ）の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、アニリン（２．７９ｇ）、４―ブロモベンゾシクロブテン（１１．５ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．５４９ｇ）、トリ―ｔｅｒｔ―ブチルホスニウムテトラフルオロボラート（０．６９６ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ―ブトキシド（８．５５ｇ）、トルエン（１５０ｍＬ）を入れ、１１０℃で２時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、Ｎ−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ−フェニルビシクロ［４．２．０］オクタ―１（６），２，４−トリエン−３−アミン（９．１６ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ−フェニルビシクロ［４．２．０］オクタ―１（６），２，４−トリエン−３−アミン（６．１２ｇ）、ＤＭＦ（４１．２ｍＬ）を入れ、氷水で冷却した。ＤＭＦ（２０．６ｍＬ）に溶解したＮ−ブロモスクシンイミド（３．６７ｇ）を滴下し、２時間撹拌した。トルエン（１５０ｍＬ）を加え、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、Ｎ−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）ビシクロ［４．２．０］オクタ―１（６），２，４−トリエン−３−アミン（７．０８ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）ビシクロ［４．２．０］オクタ―１（６），２，４−トリエン−３−アミン（４．８８ｇ）、４−ブチルアニリン（２．１２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．４２４ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２．５０ｇ）、トルエン（７０ｍＬ）を入れ、１２０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、ビシクロ［４．２．０］オクタ―１（６），２，４−トリエン−３−イル）Ｎ^１−ビシクロ［４．２．０］オクタ―１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ^４−（４−ブチルフェニル）ベンゼン−１，４−ジアミン（２．９８ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、ビシクロ［４．２．０］オク−１（６），２，４−トリエン−３−イル）Ｎ^１−ビシクロ［４．２．０］オクタ―１，３，５−トリエン−３−イル）−Ｎ^４−（４−ブチルフェニル）ベンゼン−１，４−ジアミン（２．００ｇ）、４−ブロモスチレン（０．６４０ｍＬ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．０４７６ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．８５０ｇ）、トルエン（２３ｍＬ）を入れ、１１０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶で精製し２．１４ｇの単量体Ｂを得た。

以下に、単量体Ｂの構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．６〜６．７（ｂｒ、２４Ｈ）、６．６７（ｄｄ、１Ｈ）、５．６１（ｄ、１Ｈ）、５．１０（ｄ、１Ｈ）、３．０９（ｓ、８Ｈ）、２．８〜２．２（ｂｒ、２Ｈ）、１．６１〜１．５６（ｍ、２Ｈ）、１．３６（ｑ、２Ｈ）、０．９３（ｔ、３Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ］^＋５４６、５４７、５４８、５４９。

（合成例３）
（他のエチレン性不飽和単量体３の合成）
以下の化学反応式は、他のエチレン性不飽和単量体３（単量体Ｃ）の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、４−ジブロモベンゼン（６６．１ｇ）、４−メチルアニリン（９０．３ｇ）、ビスジフェニルホスフィニルフェロセン（１５．７ｇ）、酢酸パラジウム（３．２０ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（８０．７ｇ）、トルエン（６８０ｍＬ）を入れ、１１０℃で１５時間加熱した。室温まで放冷し、飽和塩化アンモニウム（１０００ｍＬ）を加え、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、得られた固体をヘキサンで洗浄し、カラムクロマトグラフィーで精製し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（５０．６ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（２．５０ｇ）、４―ブロモベンゾシクロブテン（１．５９ｇ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．０８９０ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１．６７ｇ）、トルエン（４３ｍＬ）を入れ、１１０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶で精製しＮ^１−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１（６）、２，４−トリエン−３−イル）−Ｎ^１、Ｎ^４−ジ−４−トリルベンゼン−１，４−ジアミン（１．３５ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ^１−（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１（６）、２，４−トリエン−３−イル）−Ｎ^１、Ｎ^４−ジ−４−トリルベンゼン−１，４−ジアミン（１．３５ｇ）、４―ブロモスチレン（０．４４ｍＬ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．０３４９ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．６４９ｇ）、トルエン（１７ｍＬ）を入れ、１１０℃で５時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶で精製し単量体Ｃ（０．５００ｇ）を得た。

以下に、単量体Ｃの構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．６〜６．７（ｂｒ、１９Ｈ）、６．６４（ｄｄ、１Ｈ）、５．６０（ｄ、１Ｈ）、５．１１（ｄ、１Ｈ）、３．１０（ｓ、４Ｈ）、２．３１（ｓ、６Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ］^＋４９３、４９４、４９５。

（合成例４）
（他のエチレン性不飽和単量体４の合成）
以下の化学反応式は、他のエチレン性不飽和単量体４（単量体Ｄ）の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、２−ブロモ−９，９’−スピロビ［フルオレン］（５．００ｇ）、４−ビニルフェニルボロン酸（２．２４ｇ）、テトラキス（トリフェニルホルフィン）パラジウム（０．７３１ｇ）、炭酸カリウム（３．５０ｇ）、ＴＨＦ（５０ｍＬ）、水（１３ｍＬ）を加え、６５℃で８時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶し、単量体Ｄ（４．４５ｇ）を得た。

以下に、単量体Ｄの構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．９４〜７．８１（ｍ、４Ｈ）、７．６７〜７．６３（ｍ、１Ｈ）、７．４３〜７．３７（ｍ、６Ｈ）、７，１７〜７．１１（ｍ、３Ｈ）、６．９７〜６．７４（ｍ、２Ｈ）、５．７３（ｄｄ、１Ｈ）、５．３４（ｄ、１Ｈ）、５．２２（ｄ、１Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ］^＋４１８、４１９、４２０、４２１。

（合成例５）
（例示単量体２８の合成）
以下の化学反応式は、例示単量体２８の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、塩化鉄（ＩＩＩ）（４５０ｍｇ）、ブロモベンゼン（１０８ｇ）を入れ、６０℃で１０分間加熱した。これに１，３−ジブロモアダマンタン（４０．２ｇ）をブロモベンゼン（２１５ｇ）で溶解し滴下し６０℃で４時間撹拌した。室温まで放冷し、水（３００ｍＬ）を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。粗生成物を再結晶し、１，３−ビス（４’−ブロモフェニル）アダマンタン（３２．３ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、１，３−ビス（４’−ブロモフェニル）アダマンタン（３ｇ）、カリウムトリフルオロビニルボラート（０．９０１ｇ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．２２０ｇ）、トリエチルアミン（０．６８０ｇ）、１−プロパノール（２０ｍＬ）、トルエン（８０ｍＬ）を入れ、１１０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、１−（４’−ブロモフェニル）−３−（４’−ビニルフェニル）−アダマンタン（１．２５ｇ）を得た。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、Ｎ−（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイルベンゼン）１，４−ジアミン（１．５０ｇ）、１−（４’−ブロモフェニル）−３−（４’−ビニルフェニル）−アダマンタン（１．２５ｇ）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（０．０６８０ｇ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．５１２ｇ）、トルエン（５５ｍＬ）を入れ、１１０℃で６時間加熱した。室温まで放冷し、不溶物をセライトでろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィー、および再結晶で精製し０．６ｇの例示単量体２８を得た。

以下に、例示単量体２８の構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．３６〜６．９１（ｍ、２４Ｈ）、６．５３（ｄｄ、１Ｈ）、５．７１（ｄ、１Ｈ）、５．１９（ｄ、１Ｈ）、２．５７〜２．５２（ｍ、２Ｈ）、２．２９（ｓ、６Ｈ）、１．７７（ｂｒ、１０Ｈ）、１．５８〜１．５６（ｍ、２Ｈ）、１．３７〜１．３４（ｍ、２Ｈ）、１．２１（ｄ、２Ｈ）、０．９３（ｔ、３Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ＋Ｈ］^＋７３３、７３４、７３５。

（合成例６）
（例示単量体１２６の合成）
以下の化学反応式は、例示単量体１２６の合成プロセスを図示したものである。

アルゴンで置換した四つ口フラスコに、９，９’−スピロ（フルオレン−２−イル）ボロン酸（１．１０ｇ）、１−（４’−ブロモフェニル）−３−（４’−ビニルフェニル）−アダマンタン（１．００ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．０２９４ｇ）、２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）、キシレン（３０ｍＬ）を入れ、１１０℃で３時間加熱し、室温まで放冷した。トルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去し粗生成物を得た。得られた粗生成物をＴＨＦで再結晶し例示単量体１２６（０．５００ｇ）を得た。

以下に、例示単量体１２６の構造解析結果を示す：
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３、 δ（ｐｐｍ））：７．８９〜６．６２（ｍ、２４Ｈ）、５．７０（ｄ、１Ｈ）、５．１９（ｄ、１Ｈ）、２．３３〜２．２４（ｂｒ、２Ｈ）２．０１〜１．９６（ｂｒ、２Ｈ）、１．９６〜１．８５（ｂｒ、８Ｈ）、１．８０〜１．７４（ｂｒ、２Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ−Ｐｏｓｉｔｉｖｅ、ｍ／ｚ）：［Ｍ］^＋６２８、６２９、６３０、６３１。

＜実施例１＞
（高分子の合成）
シュレンク管に例示単量体２８（０．４５０ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（１．０９μｇ）、およびトルエン（０．５７５ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物１（０．２００ｇ）を得た。高分子化合物１の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝６８，６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．７９であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１７３℃、Ｔｄ＝４３６℃であった。

＜実施例２＞
（高分子化合物２の合成）
シュレンク管に例示単量体２８（０．６５０ｇ）、単量体Ｃ（０．０５２６ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（１．７０μｇ）、およびトルエン（０．９３７ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。なお、例示単量体２８：単量体Ｃ＝９０：１０（モル比）である。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物２（０．３４０ｇ）を得た（全構成単位中、前記繰り返し単位（１）を９０モル％有する）。高分子化合物２の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝４３，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．２１であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１５２℃、Ｔｄ＝４３３℃であった。

＜実施例３＞
（高分子化合物３の合成）
シュレンク管に例示単量体２８（１．４０ｇ）、単量体Ａ（０．４４８ｇ）、単量体Ｄ（０．２９３ｇ）、単量体Ｂ（０．７８５ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（０．０３５１ｇ）、およびトルエン（７．７８ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。なお、例示単量体２８：単量体Ａ：単量体Ｄ：単量体Ｂ＝５０：２０：１０：２０（モル比）である。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物３（２．１０ｇ）を得た（全構成単位中、前記繰り返し単位（１）を５０モル％有する）。高分子化合物３の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝１７，８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１５であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１５０℃、Ｔｄ＝４１１℃であった。

＜実施例４＞
（高分子化合物４の合成）
シュレンク管に例示単量体１２６（０．６００ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（６．５２μｇ）、およびトルエン（１．０９ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物４（０．２８８ｇ）を得た。高分子化合物４の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝６，３００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４８であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１６４℃、Ｔｄ＝４２３℃であった。

＜比較例１＞
（高分子化合物５の合成）
シュレンク管に単量体Ａ（０．７００ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（２．１９μｇ）、およびトルエン（１．２９ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物５（０．５１０ｇ）を得た。高分子化合物５の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝４，１００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４６であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１５２℃、Ｔｄ＝４０２℃であった。

＜比較例２＞
（高分子化合物６の合成）
シュレンク管に単量体Ａ（０．６５ｇ）、単量体Ｃ（０．０６１３ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（２．９４μｇ）、およびトルエン（１．３３ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。なお、単量体Ａ：単量体Ｃ＝９１：９（モル比）である。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物６（０．５０１ｇ）を得た。高分子化合物６の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝３９，２００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２７であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１３１℃、Ｔｄ＝４０９℃であった。

＜比較例３＞
（高分子化合物７の合成）
シュレンク管に単量体Ａ（０．６５０ｇ）、単量体Ｄ（８．９３ｍｇ）、単量体Ｂ（０．０４６７ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（８．７６ｍｇ）、およびトルエン（１．４２ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。なお、単量体Ａ：単量体Ｄ：単量体Ｂ＝９０：２：８（モル比）である。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物７（０．５８ｇ）を得た。高分子化合物７の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝５５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．０４であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１２９℃、Ｔｄ＝３９９℃であった。

＜比較例４＞
（高分子化合物８の合成）
シュレンク管に単量体Ｄ（０．７００ｇ）、アゾビスイソブチロニトリル（１３．７μｇ）、およびＴＨＦ（５．９９ｇ）を入れ、凍結脱気を３回行った。その後、７０℃で６時間加熱した。室温まで冷却し、良溶媒をＴＨＦ、貧溶媒を過剰量のアセトン／メタノール（１／１、ｖ／ｖ）とし再沈を５回行い、析出物を真空乾燥し、高分子化合物８（０．４２０ｇ）を得た。高分子化合物８の数平均分子量および分散度は、それぞれＭｎ＝５，８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２４であった。また、ガラス転移温度および５％重量減少温度は、それぞれＴｇ＝１３９℃、Ｔｄ＝４０２℃であった。

式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する高分子化合物１、高分子化合物２、高分子化合物３、および高分子化合物４は、従来技術である高分子化合物５、高分子化合物６、高分子化合物７、および高分子化合物８よりも高い分解温度を有しており、有機電界発光素子用材料として、特に正孔輸送材料として有望である。また、式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する高分子化合物１、高分子化合物２、高分子化合物３、および高分子化合物４は、高い分解温度と同時に、高いガラス転移温度も有している。

［有機電界発光素子の評価］
＜実施例５＞
以下に説明する要領で、図１に示す有機電界発光素子を作製した。

ストライプ状のＩＴＯ（厚さ１５０ｎｍ）が配置されたＩＴＯ付きガラス基板上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）により正孔注入層を形成した。具体的には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより乾燥後の膜厚が３０ｎｍになるように薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥し、厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成した。

次に、高分子化合物２（３重量％、キシレン溶液）を正孔注入層上にスピンコートし、窒素雰囲気下のホットプレート上で２３０℃、１時間熱処理し、１１０ｎｍの膜厚で正孔輸送層を形成した。

その後、トリアジン系化合物とカルバゾール系化合物を３：７（重量比）の割合で混合したホスト材料、およびイリジウム錯体（ホスト材料に対して、１０重量％）をドーパントとして含有するキシレン溶液（固形分：３重量％）を、正孔注入層上にスピンコートし、窒素雰囲気下のホットプレート上で１００℃、３０分間熱処理し、３０ｎｍの膜厚で発光層を形成した。

次いで、発光層まで形成した基板を真空蒸着機に導入し、金属キノレート誘導体系の電子輸送材料を３６ｎｍの膜厚で、電子注入材料（ＬｉＦ）を０．８ｎｍの膜厚で蒸着した。

次いで、電子注入層上にアルミニウムを１００ｎｍの膜厚で蒸着し、陰極（カソード）を形成し、有機電界発光素子を形成した。

得られた有機電界発光素子に電圧を印加することにより、イリジウム錯体に起因する緑色電界発光が観測された。

有機電界発光素子の特性、および初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ^２として直流駆動試験を行い、輝度が５％減少するまでの時間（駆動寿命）を表２にまとめる。なお、輝度は輝度測定装置（例えば、ＳＲ−３：株式会社トプコン製）により測定した。電流効率（ｃｄ／Ａ）は、素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度(ｃｄ／ｍ^２)を電流値（電流密度）で除算して算出した。電力効率は外部量子効率測定装置「Ｃ９９２０−１２」（浜松ホトニクス株式会社製）を用いて計測した。
＜比較例５＞
高分子化合物２を高分子化合物６に変えた以外は、実施例５と同様に素子を作成した。

１００有機電界発光素子、
１１０基板、
１２０第１電極、
１３０正孔注入層、
１４０正孔輸送層、
１５０発光層、
１６０電子輸送層、
１７０電子注入層、
１８０第２電極。

Claims

下記式（１）で示される繰り返し単位（１）を有する、有機電界発光素子用材料：
ただし、前記式（１）中、Ａは飽和脂環式基であり、Ｘ^１は電荷輸送ユニットであり、ｎは２０〜５００の整数であり、Ｒ^１はフェニレン基、および下記ａ１〜ａ９で示される基からなる群から選択される；
前記ａ１〜ａ９中、Ｒ^２２は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘ^２１およびＸ^２２はそれぞれ独立に酸素原子または硫黄原子である。
前記Ａが、アダマンチレン基、ジアマンチレン基、トリアマンチレン基、およびテトラマンチレン基からなる群から選択される、請求項１に記載の有機電界発光素子用材料。
全構成単位中、前記繰り返し単位（１）を１０〜１００モル％有する、請求項１または２に記載の有機電界発光素子用材料。
前記Ｒ^１が、フェニレン基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料。
前記Ｘ^１が、下記ｂ１〜ｂ１３で示される基からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料：
前記ｂ１〜ｂ１３中、Ｒ^３１１、Ｒ^３１２、Ｒ^３１３、Ｒ^３２１、Ｒ^３２２、Ｒ^３３１、Ｒ^３４１、Ｒ^３５１、Ｒ^３５２、Ｒ^３６１、Ｒ^３６２、Ｒ^３６３、Ｒ^３７１、Ｒ^３７２、Ｒ^３８１、Ｒ^３９１、Ｒ^３１０１、Ｒ^３１１１、Ｒ^３１１２、Ｒ^３１１３、Ｒ^３１２１、Ｒ^３１２２、Ｒ^３１２３、Ｒ^３１２４、Ｒ^３１２５、Ｒ^３１３１、およびＲ^３１３２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、および下記ｃ１〜ｃ１６で示される基からなる群から選択され、
ただし、前記ｃ１〜ｃ１６中、ｐは０または１であり、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^４１、Ｚ^４２、Ｚ^５１、Ｚ^５２、Ｚ^５３、Ｚ^６１、Ｚ^６２、Ｚ^７１、Ｚ^７２、Ｚ^８１、Ｚ^８２、Ｚ^９１、およびＺ^９２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキル基、メトキシ基、および下記ｄ１〜ｄ７で示される基からなる群から選択され、
ただし、前記ｄ２中、ａｌｋｙｌは炭素数１〜６のアルキル基であり、
Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^２１、Ｙ^３１、Ｙ^４１、Ｙ^４２、Ｙ^５１、Ｙ^５２、Ｙ^６１、Ｙ^６２、およびＹ^６３はそれぞれ独立に下記ｅ１〜ｅ１１で示される基からなる群から選択され、
ただし、前記ｅ１〜ｅ７中、Ｒ^４１１、Ｒ^４１２、Ｒ^４２１、Ｒ^４３１、Ｒ^４４１、Ｒ^４４２、Ｒ^４５１、Ｒ^４５２、Ｒ^４６１、およびＲ^４６２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、およびトリル基からなる群から選択される。
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置される有機膜と、
を備える有機電界発光素子であって、
前記有機膜の少なくとも１層は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子用材料を含む、有機電界発光素子。
前記有機電界発光素子用材料を含む有機膜が、正孔注入層または正孔輸送層である、請求項６に記載の有機電界発光素子。